Sunteți pe pagina 1din 15

Exemplu de proiectare a unui amplificator cu tranzistoare bipolare

Date cunoscute: amplitudinea maxima a semnalului de iesire Vo=5V rezistenta de sarcina RL=500 factorul de amplificare in curent pentru toate tranzistoarele =100 Circuitul reprezinta un amplificator de tensiune cu trei etaje de amplificare. Ne reamintim ca un amplificatory de tensiune trebuie sa aiba o rezistenta de intrare cat mai mare (ideal infinita), o rezistenta de iesire cat mai mica (ideal zero) si o amplifiare in tensiune cat mai mare. Ne propunem sa studiem topologia amplificatorului sa vedem in ce masura raspunde acestor cerinte. Ca etaj de iesire s-a ales un etaj de tip colector comun (repetor pe emitor) ce are ca principala caracteristica asigurarea unei impedante de iesire mica. Etajul nu amplifica in tensiune si are amplificare apropiata de unitate (de unde si denumirea de repetor). La intrare s-a ales un etaj emitor comun cu rezistenta de degenerare in emitor ce poate asigura impedanta de intrare mare. Asa cum se va vedea pe parcursul actualului exemplu asigurarea impedantei de intrare mare este conditionata si de utilizarea unor curenti mici in etajul de intrare, in special prin divizorul de tensiune rezistiv format de R1 si R2. Ca o alternative s-ar fi putut utilize la intrare tot un etaj de tip colector comun sau chiar un etaj de tip bootstrap ce asigura de asemenea impedante de intrare mari. Etajul emitor comun cu rezistenta de degenerare in emitor (cunoscut si ca etaj cu sarcina distribuita) are uzual amplificari mici (de ordinal unitatii) sau, cum se va vedea in continuare chiar subunitare. Etajul din mijloc este un etaj emitor comun cu rezistenta de emitor decuplata de condensator, care va avea rolul de a asigura amplificarea mare in tensiune a circuitului. Ca o concluzie circuitul este format dintr-un etaj emitor comun (etajul din mijloc) care amplifica mult in tensiune, izolat fata de generator si fata de sarcina de doua etaje de interfatare care nu au rol de amplificare ci de asigurare a impedantelor de intrare si de iesire din circuit. Proiectarea circuitului porneste de la datele cunoscute, adica de la etajul de iesire, pentru care se cunosc Vo si RL.

Se calculeaza curentul de semnal prin sarcina: V I L = o = 10mA (1) RL Curentul de semnal prin tranzistorul Q3 va fi: RL Vo Vo (R7 + RL ) = (2) I c 3 I e3 = = I L 1 + R R7 || R L R7 R L 7 Curentul de polarizare al tranzistorului Q3 trebuie sa fie cel putin egal cu curentul de semnal pentru a se evita intrarea in taiere (blocare) a tranzistorului Q3: RL (3) I C 3 I c3 = 1 + R I L 7 Pentru a nu avea un curent foarte mare prin transistor ar trebui ca R7>>RL (4). O solutie ar fi inlocuirea rezistentei R7 cu o sursa de current constant. Caderea de tensiune pe rezistenta R7, VR7, in current continuu, va fi: R R V (5) 1+ 7 Vo V R 7 = R7 I C 3 R7 (1 + L ) o = R7 R L RL O cadere de tensiune VR7 foarte mare nu ar fi economica deoarece ar conduce la tensiune de alimentare mare si putere mare disipata in circuit. De aceea s-ar impune: R L >> R7 (6) Este de retinut ca in proiectarea oricarui circuit se doreste obtinerea unui consum minim (curent total consumat de la sursa de alimentare), dar si valoare redusa a valorii tensiunii de alimentare. Acest deziderat este obligatoriu la circuitele alimentate la baterii si este de dorit la circuitele alimentate de la o sursa de alimentare, pentru reducerea puterii consummate de circuit, ceea ce usureaza proiectarea sursei de alimentare si perimite utilizarea unor tranzistoare de puterii mai mici care sunt mai ieftine si au performante mai bune de amplificare si comportare in frecventa. Se observa ca relatiile (4) si (6) sunt contradictorii si nu pot fi asigurate simultan, deci nu vom putea obtine simultan si current de polarizare IC3 si tensiune VR7 de valori mici. O solutie de compromise ar fi R7 aproximativ egal cu RL, care ar asigura simultan si current de polarizare redus IC3 si cadere de tensiune VR7 de valoare mica. Se adopta pentru R7 valoarea standardizata 510, asadar R7 = 0,51k .

Conform relatiei (3):

500 5 I C 3 1 + = 19,8mA (7) 510 0,51k Datorita variatiilor PSF (cu temperatura, cu domeniul de variatie ai factorilor de amplificare in curent , cu tolerantele rezistoarelor) se va alege IC3 cu 20% mai are decat valoarea minima, pentru a putea fi siguri ca la variatia PSF tranzistorul nu intra in taiere in cazul cel mai defavorabil: I C 3 = 1,2 19,8mA = 23,76mA 24mA (8) Se adopta asadar IC3=24mA. Se calculeaza: V R 7 = R7 I C 3 = 0,51k 24mA = 12,24V (9) Se poate calcula acum rezistenta de intrare pe semnal in baza tranzistorului Q3: Ri3 = r 3 + ( + 1)(R7 || R L ) = 25,6k (10) In relatia de mai sus s-a considerat =100. Pe ochiul de circuit ce contine R6, VBE3 si R7 se poate scrie KII: V R 6 = V BE 3 + V R 7 = 12,94V (11) S-a considerat VBE3=0,7V (avand in vedere si valoarea mare a curentului prin Q3, de 24mA). S-a decupat din schema doar portiunea de interes si s-a reprezentat in fig.

Se poate estima valoarea curentului de baza a tranzistorului Q3: I 24mA I B3 = C 3 = = 0,24mA (12) 100 In nodul indicat in figura se poate aplica ecuatia curentilor in nod, KI: I C 2 = I R 6 + I B3 (13) Se reaminteste ca factorul de amplificare in curent al unui transistor bipolar sufera imprastiere mare. De exemplu pentru tranzistorul BC107A parametrul h21 care este parametrul de cuadripol ce corespunde factorului de amplificare , imprastierea valorilor este cuprinsa intre 110 si 220. Pentru BC107B, imprastierea este intre 110 si 460. (A se vedea si anexa). Deoarece valoarea lui nu poate fi cunoscuta cu exactitate, va trebui sa gandim proiectarea circuitului astfel incat PSF al circuitului sa fie cat mai putin dependenta de valorile lui . Relatia de mai sus care ne da IB3=0,24mA trebuie inteleasa ca o estimare a valorii lui IB3 si nu ca o valoare exacta. In consecinta, in relatia curentilor
3

KI de mai sus, pentru ca IB3 sa nu influenteze PSF al circuitului trebuie ca aceasta valoare sa fie neglijabila fata de ceilalti termeni ai relatiei. Astfel: I C 2 >> I B3 (14) Este o relatie care ne asigura stabilitatea PSF. In consecinta se va alege IC2 de 10 pana la 20 de ori mai mare decat IB3. Se adopta: IC2=3mA Rezulta: I R 6 = I C 2 I B3 = 3mA 0,24mA = 2,76mA (15) Se calculeaza R6: V 12,94V R6 = R 6 = = 4,68k (16) I R 6 2,76mA Se adopta valoarea standardizata: R6=4,7k. Rezistenta R5 reprezinta o rezistenta de emitor pentru tranzistorul Q2 rolul sau fiind de a stabiliza PSF la variatia temperaturii. Se reaminteste ca valoarea caderii de tensiune pe rezistenta de emitor determina stabilitatea PSF al tranzistorului la variatia temperaturii. Pentru o variatie a temperaturii T=100C (cazul se refera la temperatura jonctiunii de siliciu a tranzistorului, vazuta ca diferenta intre functionarea la rece la pornirea circuitului si functionarea la cald, dupa ce incepe disiparea de putere pe transistor prin efect Joule) tensiunea baza-emitor a tranzistorului se modifica cu aproximativ 0,2V. Aceasta variatie VBE=0,2V trebuie sa fie neglijabila in ecuatia de tensiunii pe ochiul de circuit ce cuprinde tensiunea baza-emitor, pentru ca PSF-ul tranzistorului san u se modifice mult. Din acest motiv caderea de tensiune pe rezistenta de emitor trebuie sa fie mult mai mare decat VBE=0,2V, adica de ordinul 2 pana la 5V. O tensiune mai mare ar asigura un PSF mai stabil la variatia temperaturii, dar nu ar fi economica pentru ca ar creste tensiunea de alimentare. Se pot retine ca date orientative ca T=100C ce determina VBE=0,2V inseamna o variatie relativa a curentului de polarizare a tranzistorului IC/IC de 10% pentru tensiune pe rezistenta de emitor de 2V si 4% pentru tensiune pe rezistenta de emitor de 5V. Se alege in consecinta VR5=5V si se calculeaza R5: V 5V R5 = R5 = = 1,66k (17) I C 2 3mA Se alege valoarea standardizata R5=1,8k si se recalculeaza VR5=5,4V. Pentru alegerea tensiunii de alimentare avem situatia prezentata in figura.

Se scrie KII pe ochiul de circuit ce contine R5, emitor-colector, R6 si tensiunea de alimentare EC: EC = V R5 + V EC 2 + V R 6 (18) Deoarece in colectorul lui Q2 amplitudinea semnalului este Vo=5V (etajul Q3 este repetor pe emitor si are amplificare unitara), iar in emitor nu avem semnal (C2 este scurt pe semnal si mentine tensiunea constanta la bornele sale), tensiunea VEC2 trebuie sa satisfaca conditia ca tranzistorul sa nu intre in saturatie pe alternanta pozitiva a semnalului Vo: (19) V EC 2 V ECsat + Vo = 0,3V + 5V = 5,3V Datorita variatiilor asteptate ale PSF (temperatura, dispersia lui , tolerantele rezistoarelor) tensiunea VEC2 se va alege putin mai mare decat valoarea minima rezultata din inegalitatea de mai sus: Se alege VEC2=5,3V+1V=6,3V Rezulta valoarea necesara a tensiunii de alimentare: EC = V R5 + V EC 2 + V R 6 = 5,4V + 6,3V + 12,94V = 24,64V (20) Se alege valoarea EC=25V si se recalculeaza VEC2=6,66V Se estimeaza: I I B 2 = C 2 = 0,03mA (21)

Si: Ri 2 = r 2 = 0,83k (22) Se aplica KII pe ochiul de circuit ce contine R3, VEB2 si R5: (23) V R3 = V R5 + V EB 2 = 5,4V + 0,7V = 6,1V S-a decupat portiunea de circuit din colectorul tranzistorului Q1 (vezi figura).

In nodul de circuit din colectorul lui Q1 se aplica KI pentru curenti: I C1 = I R3 + I B 2 (24) Din considerente care au fost detaliate anterior, pentru a asigura stabiilitatea PSF trebuie indeplinita conditia: I C1 >> I B 2 (25) Se alege valoarea curentului IC1=0,5mA Rezulta: I R3 = I C1 I B 2 = 0,5mA 0,03mA = 0,47mA (26) Se calculeaza valoarea rezistentei R3: V 6,1V R3 = R3 = = 12,97 k (27) I R3 0,47 mA Se alege valoarea standardizata: R3=12k. Din considerente care au fost detaliate anterior, pentru a asigura stabiilitatea PSF trebuie indeplinita conditia: V R 4 >> V BE = 0,2V (28) Se alege VR4=3V. Rezulta: V 3V R4 = R 4 = = 6k (29) I C1 0,5mA Se adopta valoarea standardizata: R4=6,2k. Urmeaza proiectarea divizorului de tensiune format de R1 si R2. Potentialul in baza tranzistorului Q1 (caderea de tensiune pe R2) se calculeaza aplicand KII pe ochiul de circuit ce contine R2, VBE1 si R4: V R 2 = V BE1 + V R 4 = 0,7V + 3V = 3,7V (30) Divizorul de tensiune este reprezentat in figura.

Din considerente de stabilitate a PSF (conditie ce a fost explicata anterior) curentul prin divizor IDIV trebuie sa fie mult mai mare decat curentul de baza a lui Q1, IB1: I DIV >> I B1 (31) Se estimeaza curentul de baza: I I B1 = C1 = 5A (32)

Se adopta IDIV=100A=0,1mA. Rezulta:


= 250k (33) I DIV Aplicam regula divizorului de tensiune: VR 2 R2 V 3,7V = => R2 = R 2 (R1 + R2 ) = 250k = 37 k 25V EC R1 + R2 EC Se adopta valoarea standardizata: R2=39k. Rezulta: R1 = 250k 39k = 211k (35) Se adopta valoarea standardizata: R1=220k. R1 + R2 = EC

(34)

Calculul amplificarii: amplificarea totala a circuitului este produsul amplificarilor fiecarui etaj, tinand cont de incarcarile dintre etaje. Primul etaj, reprezentat in figura, este un etaj emitor comun cu rezistenta de degenerare in emitor.

Rezistenta de colector R3 este incarcata de rezistenta de intrare in baza tranzistorului Q2 care este r2. Amplificarea satisface: g (R || r ) R || r Av1 = m1 3 2 3 2 = 0,13 (36) R4 1 + g m1 R4 Dupa cum se vede amplificarea acestui etaj este subunitara datorita incarcarii rezistentei de colector de rezistenta de intrare mica in baza tranzistorului Q2.
Al doilea etaj este un etaj emitor comun, a carui rezistenta de colector este incarcata de rezistenta de intrare in tranzistorul Q3:

Av 2 = g m 2 (R6 || Ri3 ) Unde: Numeric:

(37)

Ri3 = r 3 + ( + 1)(R7 || R L ) (38) Av 2 = 40 3m (4,7k || 25,6k ) = 476,5 (39)

Etajul al treilea este repetor, vom considera Av3=1. Amplificarea totala:

Av = Av1 Av 2 Av3 = 62 8

(40)

Se pot face urmatoarele aproximatii: R6 << Ri 3 => Av 2 g m 2 R6 (41) r R3 >> r 2 => Av1 2 (42) R4 Si amplificarea totala devine: R r (43) Av 2 g m 2 R6 = 6 2 = 75 R4 R4 Ultima relatie, desi aproximativa, ne ofera o imagine mai clara asupra marimilor ce controleaza amplificarea circuitului: in primul rand Av depinde in mod direct de 2, deci pentru a avea o amplificare mai mare, tranzistorul al doilea trebuie ales cu factor de amplificare in curent mare (de exemplu transistor pnp: BC178C cu intre 450 si 900, fata de BC178A ce are performante mai modeste vezi anexa). Pentru marirea amplificarii trebuie marita valoarea lui R6 sau micsorata R4, in ambele cazuri cu efecte negative asupra stabilitatii PSF.

Anexe:
Se vor utiliza rezistoare cu toleranta de 10% din seria E12 ce constitue multiplii ai urmatoarelor valori:
E12 1.00 1.20 1.50 1.80 2.20 2.70 3.30 3.90 4.70 5.60 6.80 8.20

In continuare se dau date de catalog pentru cateva tranzistoare uzuale de semnal mic: Npn: BC107/BC108/BC109 Pnp: BC177/BC178

BC177 BC177B
LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERS
DESCRIPTION The BC177 and BC177B are silicon Planar Epitaxial PNP transistors in TO-18 metal case. They are suitable for use in driver stages, low noise input stages and signal processing circuits of television reveivers. The NPN complementary types are BC107 and BC107B respectively.

TO-18

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

10

Symbol VCES VCEO VEBO IC ICM Ptot Tstg Tj

Parameter Collector-Emitter Voltage (VBE = 0) Collector-Emitter Voltage (IB = 0) Emitter-Base Voltage (IC = 0) Collector Current Collector Peak Current Total Dissipation at Tamb 25 oC Storage Temperature Max. Operating Junction Temperature

Value -50 -45 -5 -100 -200 0.3 -65 to 175 175

Unit V V V mA mA W
oC oC

December 2002 BC177 - BC177B


THERMAL DATA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 C unless otherwise specified)


Symbol ICES V(BR)CES Parameter Collector Cut-off Current (VBE = 0) Collector-Emitter Breakdown Voltage (VBE = 0) Collector-Emitter Breakdown Voltage (IB = 0) Emitter-Base Breakdown Voltage (IC = 0) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Small Signal Current Gain Transition Frequency Collector-Base Capacitance Noise Figure Input Impedance Reverse Voltage Ratio Output Admittance Test Conditions VCE =-20 V VCE =-20 V TC = 150 oC IC = -10 A -50 Min. Typ. -1 Max. -100 10 Unit nA A V

V(BR)CEO V(BR)EBO

IC = -2 mA

-45

IE = -10 A

-5

VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) hfe

IC = -10 mA IB = -0.5 mA IC = -100 mA IB = -5 mA IC = -10 mA IB = -0.5 mA IC = -100 mA IB = -5 mA IC = -2 mA VCE = -5 V -550

-75 200 -720 860 -640

-250

mV mV mV mV

-750

mV

IC = -2 mA VCE = -5 V BC177 for BC177B

f = 1KHz for 125 240 200 5 2 5 4 30 10 500 500 MHz pF dB K 10-4 S

fT CCBO NF hie hre hoe

IC = -10 mA VCE = -5 V f = 100 MHz IE = 0 VCB = -10 V f = 100 KHz IC = -0.2 mA VCE = -5 V f = 1KHz Rg = 2K B = 200Hz IC = -2 mA VCE = -5 V IC = -2 mA VCE = -5 V IC = -2 mA VCE = -5 V f = 1KHz f = 1KHz f = 1KHz

11

12

GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR

FEATURES
SILICON NPN HERMETICALLY SEALED TO18 SCREENING OPTIONS AVAILABLE TO18
Underside PIN 1 Emitter PIN 2 Base PIN 3 Collector

METAL

PACKAGE
View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated)


VCBO Collector Base Continuous Voltage BC017 50V BC108, BC109 30V VCEO Collector Emitter Continuous Voltage With Zero Base Current BC107 45V BC108, BC109 20V VCES Collector Emitter Continuous Voltage With Base Shortcircuited to Emitter BC107 50V BC108, BC109 30V VEBO Emitter Base Continuous Voltage Reverse Voltage BC107 6V BC108, BC109 5V IC Continuous Collector Current 100mA ICM Peak Collector Current 200mA Ptot Power Dissipation @ Tamb = 25C 300mW Tamb Ambient Operating Temperature Range -65 to +175C Tstg Storage Temperature Range -65 to +175C

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. sales@semelab.co.uk Website http://www.semelab.co.uk

Fax

+44(0)1455

552612.

e-mail

BC107
13

BC108 BC109

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
Parameter
ICBO(1) ICBO(1) IEBO Collector-Base Leakage Current Collector-Emitter Leakage Current @Tamb =125C Emitter Cut-off Current

= 25C unless otherwise stated)

Test Conditions
VCB = 45V BC107 VCB = 25V BC108, BC109 VCB = 45V BC107 VCB = 25V BC108, BC109 VEB = 4V IC = 0 VCE = 5V IC = 2mA Group A BC107, BC108 Group B All Types Group C BC108, BC109 BC107

Min.

Typ.

Max.
15 15 44 1

Unit
nA A A

h21E

Static Forward Current Transfer Ratio

BC108 BC109 VBE VBE(sat)(1) VCE(sat)(1) fT Base Emitter Breakdown Base Emitter Saturation Voltage Collector Emitter Saturation Voltage Transition Frequency VCE = 5V IC = 2mA IB = 0.5mA IC = 10mA IB = 0.5mA IC = 10mA VCE = 5V IC = 10mA f = 100MHz VCE = 5V IC = 0.2mA R = 2k f =1kHz F=200Hz BC109 BC107, BC108

110 180 380 110 110 180

220 460 800 460 800 800 0.7 0.83 0.25


V

V V MHz

150

Noise Factor

dB 4 10

h21e

Small Signal Forward Current Transfer Ratio

VCE = 5V IC = 2mA f =100kHz Group A BC107, BC108 Group B All Types Group C BC108, BC109 BC107

125 240 450 125

260 500 900 500

14

BC108 BC109 VCE = 5V IC = 2mA f = 1kHz h11e Common Emitter Input Impedance Group A BC107, BC108 Group B All Types Group C BC108, BC109 VCE = 5V IC = 2mA f = 1kHz Group A BC107, BC108 Group B All Types Group C BC108, BC109 VCB = 10V f = 1MHz

125 240

900 900

1.6 3.2 6.0

4.5 8.5 15 30 60 110

h22e C22b Rth(j-amb)

Common Emitter Output Admittance Common Base Output Capacitance Thermal Resistance: Junction to Ambient

S pF C/W

6 500

15