CEF Probleme Brezeanu-Draghici PDF

Gheorghe Brezeanu Florin Mitu
Florin Drăghici Gheorghe Dilimoţ
CIRCUITE ELECTRONICE
FUNDAMENTALE
..
- probleme-
Ediţia a II-a
Editura ROSETTI EDUCATIONAL

PREFAŢĂ
Copyright © 2008
În noua programă a studenţilor electronişti din primul ciclu al învăţământului universitar
Editura ROSETTI EDUCATIONAL (cu durata de 4 ani) clasica disciplină Dispozitive şi Circuite Electronice, studiată în toate
universităţile de profil din lume, este structurată în două părţi : Dispozitive Electronice şi Circuite
Electronice Fundamentale . Nu este vorba numai de o schimbare a denumirii, ci, mai ales, de o
Gheorghe Brezeanu, Florin Drăghici, Gheorghe Dilimoţ, Florin Mitu abordare nouă, modernă, în deplină concord anţă cu dinamica cu totul excepţională a domeniului de
circuite integrate. Această evoluţie remarcabilă explică progresele extraordinare obţinute în
Circuite electronice fundamentale - Probleme - Ediţia a _ li _ a sistemele IT şi în comunicaţii, ca să ne limităm doar la aceste exemple.
Accentul se pune, în cazul dispozitivelor, pe modelarea avansată şi pe stabilirea de
formule simple pentrn parametrii de model, cu interpretare fizică directă. în cazul circuitelor, se
ISBN 978 - 973 - 7881 - 39 - 7 insistă pe tehnicile de polarizare ce asigură controlul punctelor statice de funcţionare ale
dispozitivelor active şi stabilitatea parametrilor dinamici ai circuitului. Se au în vedere, de
exemplu, sursele de curent şi referinţele precise de tensiune, în cazul amplificato.u:elor şi al
stabilizatoarelor, şi polarizarea dinamică a tranzistoarelor amplificatoare din structura
oscilatoarelor. La amplificatoarele cu reacţie, pentrn controlul precis al câştigului se folosesc reţele
Ni~i ~ parte ~în acest volum nu poate fi copiată sau tradusă fără permisiunea unidirecţionale, cu factorul de reacţie fixat de una sau maximum două rezistenţe .
scnsa a autonlor s&u a editurii ROSETTI EDUCATIONAL Toate direcţiile mai sus menţionate se regăsesc şi în culegerile de probleme propuse de un
grnp de cadre didactice de la Facultatea de Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia
Informaţiei din Universitatea Politehnica Bucureşti . Prima, Probleme de Dispozitive şi Circuite
Electronice, apărută până acum în două ediţii, tratează l'e larg modelele şi modurile de polarizare
Redactarea şi tehnoredactareea acestei lucrări aparţine autorilor pentru diode şi tranzistoare. Sunt discutate de asemenea scheme de surse de curent şi etaje de
,,-- .... ;..· -
amplificare cu tranzistoare bipolare, TEC-J şi MOS, precum şi etajele cu rezistenţă mare de
r·~,,..t ' ~
intrare.
i...__~':., "\
Volumul de faţă cuprinde probleme rezolvate de amplificatoare, stabilizatoare de tensiune
1, ~'0 .Al \. şi oscilatoare armonice. În majoritatea cazurilor sunt prezentate scheme practice. Prin date
. ~) ' C::::;I '
·: I numerice şi comentarii se demonstrează funcţionarea, performanţele, limitările, precum şi
I aplicaţiile tipice ale acestor circuite.
Titlul lucrării poate părea pretenţios şi în acelaşi timp preţios . Temerea are în vedere
dificultatea în a defini proprietăţile pe care ar trebui să le aibă un circuit pentru a merita atributul
de fundamental. Prin prisma spectrului larg de aplicaţii , acoperind practic întreaga gamă de
sisteme electronice audio-video de larg consum, circuitele prezentate pot fi denumite
fundamentale. în plus, schemele studiate constituie celule de bază din structura circuitelor
integrate analogice. Aici se au în vedere şi sursele de curent şi sarcinile active tratate în primul
volum. Pe de altă parte se naşte întrebarea: circuitele cu comportare neliniară, cum sunt
redresoarele, modulatoarele şi demodulatoarele, inversorul şi circuitele basculante nu sunt
fundamentale? Admiţând un răspuns afirmativ la această întrebare, putem concluziona ca lucrarea
de faţă este axată pe circuite fundamentale din clasa circuitelor linia.re.
Capitolul I tratatează circuitele elementare din structura amplificatoarelor operaţionale .
Sunt abordate mai întâi amplificatoarele diferenţiale bipolare şi (mai ales) MOS, cu accent pe
analiza la semnal mare, calculul câştigului şi a rezistenţei de intrare pe mod diferenţial. În
continuare, sunt analizate circuitele cascod echipate cu tranzistoare bipolare TEC-J şi MOS. Sunt
realizate comparaţii cu etajele simple (emitor comun, respectiv sursă comună) şi sunt prezentate
tehnici de sporire a câştigului în tensiune şi/sau rezistenţei de ieşire a cascodului CMOS.
Comportarea în frecvenţă a amplificatoarelor este discutată numai prin calculul
frecvenţelor limită de sus, respectiv de jos (banda amplificatorului). Nu sunt abordate probleme de
stabilitate.
Ultima parte a capitolului este dedicată etajelor de ieşire în clasă A, AB şi B, pentru care
se evidenţiază capabilitatea în curent şi extensia excursiei semnalului de ieşire până aproape de
limita impusă de tensiunile de polarizare.
4
Amplificatoarele cu reacţie sunt analizate în Capitolul 2. După o problemă în care s,

ilustrează efectul topologiei cu reacţie asupra rezistenţelor de intrare şi ieşire, sunt rezolvat1
scheme complexe cu fiecare tip de reacţie: paralel - paralel, serie - serie, serie - paralel, paralel .
serie. Urmează o problemă prin care se demonstrează posibilitatea folosirii teoriei reacţiei h
circuitele cu două reţele de reacţie şi, apoi, două exemple de circuite cu două reţele de reacţie.
Capitolul 3 este dedicat stabilizatoarelor de tensiune continuă. Sunt investigate schemelt
de stabilizatoare liniare, parametrice şi cu reacţie pornind de la cele mai simple către cele ma
elaboarate. Se discută de asemenea circuite de protecţie şi pornire, precum şi o schemi
performantă de referinţă de tensiune.
Oscilatoarele armonice formează subiectul Capitolului 4. Sunt propuse scheme practici
de oscilatoare LC Colpitts şi Hartley, dar şi circuite cu reacţie magnetică pozitivă cu tranzistoan CUPRINS
bipolare, TEC-J şi MOS. Din familia oscilatoarelor RC au fost preferate cele cu reţea Wien şi celt
cu reţea IT.
Contribuţiile originale din lucrare constau în primul rând în selecţia şi ordonarei
schemelor de circuit propuse pentru studiu. Practic, nici una din probleme nu a fost preluată dintr, Prefaţă .................................................... ............................................. 3
o altă lucrare; fiecare circuit analizat are ceva nou, schema concretă sau datele numerice, astfe
alese încât să evidenţieze performanţele circuitului. Şi tehnica de rezolvare este în majoritate: Cuprins......................... .. ..................................................................................... ... 5
cazurilor originală.
Pentru prima dată se extinde teoria reacţiei negative la amplificatoarele cu două bucle dt
Capitolul J. Amplificatoare de semnal mic
reacţie interdependente. De asemenea, teoria reacţiei este folosită în premieră la oscilatoarele LC
tratate ca amplificatoare cu reacţie pozitivă. Amplificatoai·ele diferenţiale sunt abordate cu modelu Breviar. ......... ....... ........ ........,.... .. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . ........... 7
de semnal mai·e, iar comportarea pe mod diferenţial, respectiv mod comun, este analizată prir Probleme.............................................................. 12
inspecţie directă, fără folosirea - de pildă - a teoriei bisecţiei.
Circuitele ce asigură polai·izarea dinamică a tranzistoai·elor amplificatoai·e din oscilatoru
Capitolul 2. Amplificatoare cu reacţie
LC sunt în majoritate inedite. Algoritmii de abordai·e (ai1aliză) a amplificatoarelor cu mai multi
etaje, amplificatoar.elor cu reacţie, oscilatoai·elor şi stabilizatoarelor, sunt prezentate în premieră îr Breviar .................................................................. 63
lucrarea Circuite electronice publicată la Editura Albastră (autor Gh. Brezeanu) sunt reluate îr Probleme .................................. . ..................... . ... . .. 67
culegerea de faţă datorită succesului şi impactului avut în rândul studenţilor.
Lucrarea se adresează mai ales studenţilor ce audiază cursul de Circuite Electronici
Capitolul 3. Stabilizatoare de tensiune
Fundamentale, dai· este recomandată şi cadrelor didactice, cercetătorilor şi doctoranzilor ct
lucrează în domeniul microelectronicii. Breviar..... .. . .... .... . . . . . . . .. ......... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . l 03
Ediţia I, publicată în 2005, s-a bucurat de un real succes şi a devenit reprezentativă pentn
Probleme....................... .. ...... ............. . .. . .... ....... .... 104
grupul de discipline de Dispozitive şi Circuite Electronice.
În această ediţie (a II-a) tot materialul din culegere fost revăzut şi revizuit. Autorii a~
colaborat cu mulţi studenţi la completarea şi modificarea explicaţiilor, corecţia calculelor. Capitolul 4. Oscilatoare armonice
rearanjarea figurilor în pagină. La capitolul de Amplificatoare cu reacţie s-au introdus precizări Breviar.... . . . . . . . .... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
suplimentare legate de modul de recunoaştere a reţelei de reacţie şi identificare a topologiei de
reacţie la intrare şi ieşire. La partea de Stabilizatoare s-au invidualizat, în fiecare caz, subcircuitele
Probleme ..... ... ......... ... .. ... .. .......... . .... .. -..... -·. -...... · · · 137
componente, rolul lor şi modul de funcţionare.
Sugerăm, aşa cum am mai făcut-o, ca materialul din lucrare să fie studiat şi validat prin Bibliografie.......... ...... .................................................................... ··········· ··········· · ·· 171
rezolvai·ea completă, la birou, a fiecărei probleme .
Orice fel de observaţii, comentarii, sugestii din pai·tea cititorilor sunt binevenite şi dorite.
Ele vor fi incluse în ediţiile următoare ale cărţii.
Bucureşti, Martie 2008 Autorii

CAPITOLUL 1
AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

BREVIAR
• Amplificatorul este un circuit electronic ce realizează funcţia de amplificare de

putere (fig. 1.1) prin transformarea unei părţi din puterea continuă furnizată de sursa de alimentare
( Vcc ) în putere de semnal. Amplificatorul primeşte semnal de la un generator (pentrn care se
poate folosi echivalenţa serie sau paralel (fig. 1.2) şi furnizează semnalul amplificat sarcinii ( Ri) .
+Vcc
licc Echivalenta serie Echivalenta paralel
R[ !,tt
~ ~ (I;b,evenin ) (Norton)
+ +
Ap =J>l Y. RL I=~
_g Rg
1
'h~
' -
Fig. I .I Fig. 1.2
• Parametrii electrici ai amplificatorului şi relaţiile lor de definiţie sunt:

V
Impedanţa de intrare _ ,. =.=!...
Z l.; (l.la)
V"
Impedanţa de ieşire Io= (l.lb)
1
...!!.. V, =O
Amplificarea de tensiune (1.2a)
Amplificarea de tensiune raportată la generator (1.2b)
Io
Amplificarea de curent A-=
/.
_ ; -
(1.3a)
I
Io
Amplificarea de curent raportată la generator A . == (1.3b)
-•,c I
g
vo
Amplificarea transimpedanţă A ==I ;
- z
( 1.4a)
8 Circuite electronice fundamentale - Problc°fAPITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 9
Amplificarea transimpedanţă raportată la generator A

-z.g
= VI 0
(l .4b) La f j (Js) puterea de ieşire scade de 2 ori iar amplificarea de .fi ( câştigul se reduce cu
g }dB).
Banda amplificatorului este diferenţa B = f. 1
• - f j .
Amplificm·ea trm1sadmitanţă (1.5a)
• Curenţii şi tensiunile amplificatorului la o frecvenţă din bandă pot fi numai în fază
;au în antifază. De aceea în acest c az pot fi folosite valorile instantanee iar pm·ametrii electrici sunt
Io 1eali. Relaţiile (l.l) - ( 1.6) devin:
Amplificm·ea trnnsadmitanţă raportată la generator .::1_,.•g =V (1.5b)
V·
g R-l =_!_
• (1.11)
li
Amplificarea de putere A = P,, (1.6a)
-P f';
(1.12)
Amplificm·ea de putere raportată la generator A
p ,g
= ppo ( 1.6b)
g _ Vo
În relaţiile de mai sus s-a folosit reprezentarea fazorială pentru tensiuni, cmenţi l
A,. - (1.13)
Vi
parametri electrici ( cu excepţia puterii) deoarece în general, amplificatorul are în structură ~
elemente reactive (capacităţi, în special). (1.14)
Amplificările de tensiune, curent şi putere se exprimă, de obicei, în decibeli (dB), situaţi
în cm·e se foloseşte termenul câştig. Astfel, se definesc:
Câştigul în t~nsiune G v { dB J = 20 · lg j_::1,. j
io io Vo Vi I _
A; = - = - · - · -=--·Av·R;= Av ,
J1. ( 1.15)
(I. 7)
i; V0 V; i; RL ,.
RL
Câştigul în curent G1 { dB] = 20 · lg J.::11 J (1.8)
A - io = io . i; = -A . R; . Rg
Câştigul în putere G P { dB] = 20 · lg Ap (1.9) R R ( 1.16)
,,g . .
lg
.
li
V
lg L i + Rg
• Banda amplificatorului rezultă din reprezentm·ea din fig. 1.3 unde este dat
cm·acteristica de frecvenţă a amplificatorului cunoscută sub numele de diagrama Bade. L _ Vo _
Az - Vo . V; _ A . R· (1.17)
, - . - V I
frecvenţe medii ~odulul câştigului în tensiune (raportat la generator) JAv.goJ este constant c
l; Vi li
frecvenţa semnalului ( f) ce se amplifică. La frecvenţe joase, respectiv înalte, jAv.g j scade cu.
A Z,g =~=~-2.~=A
• . V ·(R-I IIR g, ) (1.18)
1g vi vg 's
datorită, în principal, capacităţilor de cuplm·e şi decuplm·e şi respectiv a capacităţilor interne al
dispozitivelor din structura amplificatorului. A / = io = ifL . Vo = -A .L (1.19)
· Vi Vo Vi v RL
IAv,gl A y.g -_ io -_ io . Vo . Vi _
-
-A . I .
"
Ri
(1.20)
Vg Vo Vi Vg RL Ri+ R g
A ,, = -Po = I A,.· A; I= Av2 · -R i (1.21)

P; R L
A,,,g
= po = A 2 . R; li RgV (1.22)
pg RL
În deducerea relaţiilor de mai sus s-au folosit ecuaţiile (vezi fig. 1.1):
lgfj V·
' = _!_
lgf5 lgf --~
R L- , R-
lo
.
l;
Fig. 1.3
2 R; R8 .!i_ =
Frecvenţele limită de jos (fj) şi de sus (/,) se definesc prin relaţiile: vg R ;+ R g i8 R g +R;
P0 I I IAv,gl J
(1.1 O)
Pe schema reală a unui amplificator se determină numai rezistenţele de intrare şi ieşire şi
o amplificare, de exemplu A,, , folosind relaţiile ( 1.11) - ( 1.1 3). Orice altă amplificare se obţine
P,,,O J=f ; =2 => J.::1,,,gol J=f; = .fi
IJ=f,) (f=J, ) , folosind una din expresiile (1.14) - (1.22).
10 Circuite electronice fundamentale - ProblenfAPITOLUL I -Amplificatoare de semnal mic 11
• Analiza unui amplificator foloseşte ecuaţiile dispozitivelor din componen r1r + R 8

Reh (fig. 1.5c)
combinate cu ecuaţii de circuit. /Jo+]
Determinarea parametrilor dinamici ( R;, R0 , A,.) se bazează pe circuitele echivalente ~
r,r 1
~emnal. mi~. Aceşti parametri pot fi deduşi, pentru amplificatorele cu mai multe etaje, şi pr~ Reb=---=- când R 8 =OQ
mspecţ1e dll'ectă cu următorul algoritm:
/Jo+ 1 gm
>" Se stabileşte schema de curent continuu a amplificatorului. Pentru aceasta J} Rce = Rch ~ (fig. 1.5a, C)
00
schema generală: _ r,r _ 1

• se pasivizează sursele de semnal; R.c----=- (fig. 1.5b)
/Jo +1 gm
• se elimină rammile ce conţin condensatoare;
• se substituie bobinele prin rezistenţa lor internă.
>"
ci w
Se determină psf şi parametrii dinamici ai dispozitivelor: g111 , r,,, etc.
>" Din schema generală se obţine schema de curent alternativ (de regim dinamic)
Re:
r~
amplificatorului prin:
~
• pasivizarea surselor de tensiune/curent continuu;
• scurtcircuitarea condensatoarelor C,..;
• eliminarea ramurilor care includ bobine de şoc/surse de curent constant ideale. Rbe Rce Rbe Rec Reb Rcb
>" Se desenează schema de regim dinamic ca în fig. 1.4. (a) (b) (c)
Fig. 1.5
~...,_24_i"-'-I:~-~ ~ .!4 : - - - ........!n. ' ~
+ '"+ +
'' Etaj n • Rezistenţele de intrare/ieşire în TEC-al ideal (rc1, ~ <X)) la semnal mic, frecvenţe
' Etaj 1 : Etaj 2
.. f
R ' lf- Va joase (vezi Fig. 1.6)
'
' R gs = R ds = R,1g ~ oo (fig. 1.6a, b, c)
'
' -
' _ _...., "'T' I
R;;.._ ' Rsg = R.,·t1 = - (fig. 1.6b, C)
gm
Fig. 1.4
>" Amplificarea de tensiune se poate calcula prin inspecţie directă:

A _v 0 =v 0 .i0 i 2 .i1 .i;
V • • ••••• ' '
V; 10 ln 11 I; V;
Rapoartele din relaţia de mai sus se determină folosind:
• Legea lui Ohm, de exemplu (vezi fig. 1.4)
(a) (b) (c)
Fig. 1.6
• Regula divizorului de curent, de exemplu (vezi fig. 1.4)
R
>" Rezistenţele de intrare/ieşire în/din amplificator se deduc, deasemenea direct pe
schema de regim dinamic (vezi fig. 1.4)
i1 R+R;2
Ri = Ra Ro = Ron
• Relaţiile între curenţii tranzistorului bipolar la semnal mic, frecvenţe joase >" Restul amplificarilor A,.g, A;, A ;.~, etc, se calculează cunoscând A,., R;, R„ cu formulele
!.!...=/3. +1 ~=/3. ~=___f!g_=l (l.14 .... 1.22).
ih o jh o ie /Jo+J Dacă rezistenţa de ieşire a tranzistorului nu poate fi neglijată aceasta se plasează ca
• Ecuaţia de transfer a TEC la semnal mic, frecvenţe joase rezistenţă exterioară a tranzistorului ideal, cum se ilustrează în fig. 1.7 pentru tranzistorul bipolar.
jd =gm ·Vds
• Amplificatorul diferenţial (AD) are două intrări şi este proiectat să amplifice
r ~ <X)) d~ferenţa dintre semnalele aplicate pe intrări. ~D funcţ~on:a~ă într: două moduri extr~me: u~u~
• Rezistenţele de intrare/ieşi.re în tranzistorul bipolar ideal (rb=
O, r
µ
=
"
1 dmtre ele, modul pur diferenţial, presupune aplicarea pe mtran a doua semnale de aceeaşi forma ş1
semnal mic, frecvenţe joase (fig. 1.5)
mărime, dar în antifază. În acest caz, se definesc: amplificarea de mod diferenţial (Â;,,1) şi rezistenţa
Rt,e = r,r +(/30 +l) ·RE (fig. l.5a, b) diferenţială (R;)- Cealaltă situaţie înseamnă modul pur comun, când, pe cele două intrări se aplică
Rhe = r,r când RE = OQ semnale identice. Acum se definesc amplificarea pură de mod comun (A ;) şi rezistenţa de intrare
12 Circuite electronice fundamentale - ProblemicAPITOLUL 1 - Amplificatoare de semnal mic 13
de mod comun (R;,J- Factorul de rejecţie a modului comun, CMRR = A;,c/A;,<1 , exprim/
performanţele AD.
i;,d
lii,c
R ;,c
vc-
'
Fig. 1. 7
• Amplificatorul operaţional este un circuit integrat (cu simbolul din fig. 1.8) cu doui
Fig. Pi.l a
intrări ( etajul de intrare este un AD), ce are un câştig de mod diferenţial şi rezistenţă de intran
diferenţială de valori foarte mari. În această lucrare amplificatorul operaţional este utilizat foart1 Din relaţiile de mai sus se obţine după calcule elementare:
rar, când se va face uz numai de proprietăţile:
v: v7 +v;-
=
a) v7 v;-; V;,d = -V; V;,c =
2
b) curenţi de intrare neglijabili;
proprietăţi ce rezultă din valorile ridicate ale amplificării şi rezistenţei de intrare în mod diferenţial . i( - ;; . i( +;;
l; ,d =--2- l ; ,c =- -2-
0 excitaţie pură de mod diferenţial înseamnă, ,..Vi,c = O şi i; c = O. În acest caz circuitul
vt~v+
de intrare se simplifică (vezi fig. Pl.lb) .
v;- - 'li
-v-
l j. =O
.J; 1,C
Fig. 1.8
v;+ R;,c
• Clasa de funcţionare se defineşte pentru un etaj de amplificare atacat cu un semna
periodic (sinusoidal). În acest mod se limitează analiza comportării circuitului la un interval d1 .c....__ _ _ _+"°4'v \.-- - - -- - "
timp egal cu perioada semnalului (7). V;,d
În clasa A de funcţionare tranzistorul amplifică toată perioada. Etajul lucrează în clasa l l
când tranzitorul conduce (amplifică) o jumătate de perioadă şi este blocat în cealaltă jumătate. Fig. Pl .Jb
În clasa AB timpul de conducţie e mai mare de T/2 şi, evident, superior timpului d1
blocare. Pe circuit se deduce:
În clasa C situaţia se inversează, timpul de blocare fiind mai mare. + - V;,d ·+ ·- . V ·d
V· =-V· = - - l; = -I; = l;,d R i,d -
- -
. '·-
' l 2 l;,d
PROBLEME
unde R ;,d este rezistenţa de intrare pe mod diferenţial. Circuitul de intrare la o funcţionare pură pe
. . ~rob~ema 1.1. ?esenaţi circui~l de i~tnu:e al unui amplificator _diferenţ~~l (AD~ P~ carimod comun ( v; d =o, i; d =o) este dat în fig. P l.lc.
ev1denţiaţ1 rezistenţa de mtrare de mod d1ferenţ1al ş1 mod comun. Deduceţi expresnle tensrnrulor ş · · ·
curenţilor de mod diferenţial şi mod comun. j. d= O
~ R ;,d
~.,----==--c=:1-----
REZOLVARE
v;+
În fig. P I.l a este reprezentat circuitul de intrare pentru un AD. v7 şi v; sunt semnaleli
aplicate pe cele două intrări iar i+ şi i- curenţii de intrare. Atât tensiunile cât şi curenţii au câte c
componentă comună ( v;,c, respectiv i;,c ) şi alta care le (îi) diferenţiază ( v ;,<1 , respectiv i;,d
evidenţiate în figură. Rezultă prin aplicarea teoremelor Kirchkoff:
V·d - vi .d
v7 = V;,c +-'·-
2
V · = V·
' l,C
---
2 Fig. Pi .le
14 Circuite electronice fundamentale - ProblemcAPITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 15
În această situaţie:
+ ·+ ·- . V; c·
V; = V;- = vi.c I; =I; =l;,c R-l,C =-·
,
l;,c
în care R;,c este rezistenţa de intrare pe mod comun. + Vo,d
Problema 1.2. Să se deducă expresiile pentru amplificarea de tensiune şi rezistenţa d

intrare pe mod diferenţial şi respectiv mod comun pentru AD cu două ieşiri din fig. P 1.2a. S
neglijează efectul rezistenţelor de bază şi ieşire ( rb =O , r0 =oo) ale tranzistoarelor, presupus
identice. Aplicaţie numerică: Vcc = VEE = 5V, Q1 =Q2 : VBE = 0,6V, PF = Po = 200
RE = 2,2k.Q, Re = Jk.Q, RL = 2k.Q.
REZOLVARE
Schema de regim dinamic a AD din fig. PI.2a este reprezentată în fig. Pl.2b. Pe intrare s
aplică semnalul v;,J I 2 iar pe cealaltă intrare -v;,d I 2 ceea ce înseamnă excitaţie pură de m0i Fig. Pl .2b
diferenţial. Tranzistoarele sunt identice şi din motive de simetrie rezultă:
Pentru determinarea rezistenţei de intrare pe mod diferenţial se apelează la circuitul din
Vbel = -vbe2
fig. Pl.2c pe care se obţine:
Î;,d = ibl = -i,,2
,.
V· d V·d V· d
R i,d --'·---'·---'·-=2·r
- . - . - ,r] =2·r7t
t;,d lbJ vbel
r:r1
-VEE
Fig. Pl.2a
Cum din fig. Pl.2b se obţine v;,,1:;; vbel -vbel rezultă:

i d
?-
"--------'-----+':'1"v -
vi.d
= -vbe2 =2
V;,1
V bel
Fig. Pl.2c
Relaţia de mai sus demonstrează că
emitoarele tranzistoarelor sunt virtual la masă în funcţionarei
pe mod diferenţial. Altfel spus tranzistoarele se comportă ca etaje EC separate. Schema de regim dinamic la funcţionarea pe mod comun este reprezentată în fig. Pl.2d.
Ca iumare, Identitatea tranzistoarelor conduce la egalităţile:
+ -
.
1cJ = g ml · V bel :;; gm ·
V;,d
Vi,c - V bel = V;,c -vbe2 V bel = vbe2 = V;,c ic1 = Îc2 Vo = V o
2 şi la curenţi nuli prin sarcină ( i1 = O ) şi între emitoarele tranzistoarelor ( i = O). Ca urma.re, pentru
. V;,J
lc2 = 8m2 ·Vbe2 = - gm · o excitaţie pură de mod comun AD se compune din două etaje cu sarcină distribuită, identice. Pe
2 circuitul din fig. Pl .2d se scrie:
deoarece tranzistoarele au aceeaşi pantă.
Pe circuitul din fig. P 1.2b pentru tensiunea de ieşire se obţine: =vb 1
v,,c e
+2·RE ·ic1 =(-
1
8ml
-+2·RE)·ic1 :2·RE ·ic1
v0 .d = (ic2 -ici) . (RLjj2Rc )= -gm · (Rljj2Rc )·v;,d
În consecinţă, amplificarea de mod diferenţial va fi:
16 Circuite electronice fundamentale - ProbleniiCAPITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 17
Rezultă pentru amplificarea de tensiune pe mod comun: VDD+Vss =R-ID6+VGs6 (2)
A = vo,c = v; +v; _ 2v; _ Re Din relaţiile de mai sus, după înlocuiri numerice, se obţine:
v,c V;,c v: + v, - 2v: = - 2RE VGs6 =3V>Vro =IV
JD6 =0,2mA
·+
v/~
+
vbtl i=O> - - - - - - - - - - • - - - -
ic{
Fig. Pl.2d
Rezistenţa de intrare este:
-Vss
. + - +
Vi,c + V;
V; V; Vi,c ( )
R;,c = -.-
l;,c
= ·+ .-
l; + l;
=-:-;- = -.- = r,r1 + /Jo+ 1
l; lbl
· 2RE =2/J0 RE Fig. Pl .3 •
Factorul de rejecţie al modului comun are expresia: Cum Q5 şi Q6 constituie o oglindă de curent. Rezultă:
__ IA.,.t1! __ 2 R (2RcllRJ VGs6 =VDs6 =VGs5 =3V' 105 =lo6 =0,2mA
C'MMR
-jA I gm E R Dar,
v,c C I DJ+ I D2= 1D5• VGs1=VGs2, kn1 =kn2
Numeric, se calculează: Ic 1 = Ic2 =lmA, VCEJ = VcEi = 4,6V , gm = 40mA/V, de unde se obţine:
., !1r == 5k.Q . ~e,zul~: Âv.d ::::-40, R;,d =.]Ok.Q, Av,c =:: - 0,23, Ri,c = 880k.{), CMMR =176. . !Dl= ID2 = I D3 = 10 4 =O,JmA
· i" · · • · Ecyaţiile de dispozitiv pentlu Q, şi Q3 dau:
.\\,(·'.,'"·'.i..\~ ·,:~ ,:&"~.!··;ii-·.Aţ-;'(i~, ~p}i(!f~Qţţtl..Aiferel?,~~l·(A:D.,;<;MOS), cq. re~~~;nesi:m~trifă, din VGsJ =VGs 2 = 3V şi VsG 3 =VsG 4 =Vso3 =6V
' ·.- . fig. · · .P 1:3,,/ .. pentru ·_care · se. cunosc: VDD =.Yss =6V , · !> =45kQ, RL = JOOk_ .Q , Aplicând din nou teorema Kirchhoff pe circuitul din fig. P 1.3a se deduce:
. ~-.Vro:.n =)V1·0A -?-Vro·= IV' k'j,3 = kp4 =8µAIV2' kn5 = kn6 =2. k;,1 = 2. kn2 = JOOµA / V2 ,· . Se VDD = VsD4 =6V' deoarece Vo =OV .
·. ; . -·n~glijează ef~cttil sc\111~·ii caiialului. (efectul Early). Să se determine: . Pe de altă parte,
a) Pu · de c.1uncţ1onare
, nete le statice · ale tranzistoare
· lor, cons1·deran
• d că amp1·fi
1 1catoruI nu Voo =VsD3 + VDsJ -VGsJ
: · modifică nivelul de curent continuu ( V1 =VO = OV );
de unde,
b) Amplificarea pe mod diferenţial: Av d = _ vo
_.;;.__
· v7-v1 Vos1 =Vos2 = 3V
Pentru toate tranzistoarele se verifică _funcţionarea în saturaţie: JvDsl ~ JVGs - Vro I·
REZOLVARE
b) Analiza în curent alternativ
a) Analiza de curent continuu . . . . . . .
Se va determina amplificarea pe mod d1ferenţ1al, d1rect pe c1rcmt. Dm schema dm fig.
În schema AD, Q, şi Q1 amplifică, Q3 şi Q4 constituie o sarcina activă. Tranzistoarele Q5, Pl.3 rezultă:
Q6 şi R formează un generator de curent constant pentru u·anzistoarele amplificatoare.
Expresia curentului de drenă pentru Q 6 este: io =iD2 - iD4 =io2 - iDJ
Folosind ecuaţiile de dispozitiv pentru Q, şi Q2 se obţine ( k n1 = k nz ):
kn6- - (VGs6 - Vro )2
ID6 = - (1)
2
io = kn2 . [(vGS2 - Vro )2 - (vGSJ -Vro )2 ]
Aplicând teorema Kirchhoff pe ochiul cu R, rezultă: 2
18 Circuite electronice fundamentale - Problelll;APITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 19
Cum vid =V;+ -v;- =v051 -v052 rezultă:

4 ·i o/ - 4 . io J • I ss + (VID
2
· k; - l ss J2 = 0
2 · V;
, _ k112 ( + -) ( + _ )
10 - -v; · V; +v; +2V051 -2Vro
,oluţia acceptată pentru această ecuaţie este:
Condiţia de semnal mic pentru TEC-MOS, conduce 1
simplificarea relaţiei lui i0 : i = lss + lss ·[k" ·v11/

k n2 . VI~4 )2
2 2 I ss
i0 =gml ·(v(-v1) Dl 4 . lss
<leoarce \ceastă soluţie impune condiţia:
1
gml =gm2 =kn ·(Vcs1-VTO).
Cum v O =-i RL , ţinând cont de ecuaţia de mai sus, rezultă:
0 v ID ~ ( 4 ~:ss y
În mod similar se obţine:
1
Numeric se calculează:
8m1 = JOOµA!V şi A,.,d =JO.
io2 = l ss - lss
2 2
·[k" ·vw2 - k~ ·v,~412
I ss 4 · I ss
Problema 1 4 Să se deducă ecua•: t .· t· .. d ,.. . , . , . În expresiile de mai sus primul termen reprezintă componenta continuă a curenţilor de
. , ,. fla carac eus 1c11 e trans1er ş1 caşt1gul m tensiune [ . . . . , . .
semn.al mic pentlu amplificatorul diferenţial, cu ieşire asimetrică, din fig. Pl. 4a. Se consideră ch'enă iar la doilea componenta dinamică. In regIID staţ10nar, v( =v1 = v;0 =O şi rezultă pentru
trariz1toarele nMOS, respectiv pMOS au aceiaşi parametri. Se neglijează efectul Early. ;omponentele continue ...
I ss kn ( )2
r----------+VoD 101 =102 =--=-·Vas-Vro
2 2
Jnde, Vcs =V cs 1 =Vcs 2 este tensiunea de polarizare a porţilor ti·arizistoarelor amplificatoare.
Componentele dinamice au forma:
1
ldl
. .
=-zd2 VID [1
= 8m · 2 · k,, ·vJ )2 0
4. lss
unde g m = g ml = ~2 · k
I Dl = ~ k 11 • I ss = g m 2 este panta de semnal mic a tranzistoarelor Q1 şi
11
•
Q1. Pe baza relaţiilor de mai sus, expresiile curenţilor se rescriu sub forma următoare:
kn . V ID
4 · I ss
li
2
= !.JJ._
2
·[1+_}jQ_ ·[ 1
LIVGS
Fig. Pl.4a
REZOLVARE
Expresia tensiunii de intrare pe mod diferenţial este:

4· I,., l
k n ·VID 2 2
1
I
=_]§_· [ 1-_}jQ_· j
2 ,1Vc., [
2
VID
4(,1Vc.sJ' l1
2
/
VID= v: -v
1
În fig. P 1.4b se reprezintă, pe baza relaţiilor de mai sus, dependenţa curenţilor i 01 şi i02
Din fig. Pl.4a rezultă:
V10 =vcs1-Vcs2, iDI +io2 =lss de tensiunea vlD. Pent:J.1.1 valori de semnal mic ale tensiunilor de intrare v(,v; <<2(Vcs -Vro)
Ecuaţiile de dispozitiv pentrn trarizistoarele amplificatoare Q1 şi Q1 sunt: rezultă:
. 1
vlD « 2 · (V05 -VTO) = 2 · LIV05
Vcs1 -VTO = (2 ·ioif kn )2
şi curenţii au valori apropiate de / ss / 2 şi variază liniar cu v ID .
1
Vcs2 -Vro =(2·im/kJ2 · I ss VID
Din r.xpresiile de mai sus se deduce: !Dl ~ 2 + gm·2
20 Circuite electronice fundamentale - Probleq:APITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 21
. I ss VID Când Q1 sau Q 1 este blocat, v0 este limitat la valoarea RL · I ss , respectiv ( - R l · I ss ). În
1v1 = - - g · -
2 m 2
;ondiţii de semnal mic vlD << 2 · (Vas -VTO) v0 variază liniar cu vlD :
Vo =gm ·RL · VID

iDJ,iD2
dv 0
A,. d =- - = g ,n . RL
.-----,~------------ Iss ---------~ - - - · dv;v
'
' S-a reobţinut expresia amplificării de mod diferenţial dedusă în problema precedentă.
''
''
Problema 1.5. Să se determine amplificarea pe mod diferenţial la semnal mic, pentru
i ''
AD-ul cu ieşire nesimetrică din problema precedentă (fig. Pl.4a). Se va lua în considerare efectul
Early. Tranzistoarele Q 1 şi Qi, respectiv Q3 şi Q 4 au aceeaşi parametrii şi în plus
'
___ __ ;'' __ --- --
Vro. = jvTO.p
11
I= Vro . Se vor trata două situaţii:
a) AD funcţionează în gol;
Fig. Pl.4b b) AD lucrează pe o sarcină finită ( Rl ). Estimaţi în acest caz şi rezistenţa de ieşire şi
domeniul de variaţie pentru tensiunea de ieşire.
Pentru vID =fi· (Vas - Vro)= Jkins.s

2
se obţine: REZOLVARE
iDl = I ss şi in2 =O (vezi fig. Pl.4b) a) Se deduce mai întâi ecuaţia caracteristicii <de transfer a AD. Expresiile curenţilor de
ce corespunde cazului în care Q1 conduce la curent constant iar Q2 este blocat. Această situatie drenă pentru tranzistoare funcţionând în saturaţie au forma:
menţine pentrn domeniul: fi · LlVas ~ v ID ~ 2. LlVGS . kn (v _ V )2 (1 + Â.n . vDSJ )
2 · aSJ TO .
• · _
~ . lo1-
Cand - ,2 · LIVas ~ vID ~ -fi· LIVas , QI se blochează (iDl =O) iar Q2 conduce la cure
constant Civi = I ss) (vezi fig. Pl .4b). iJJ2 =~·(vas2 -Vro)2 ·(l+Â.,, ·Vvs2)
2
. Pentru car~cteristica de transfer se exprimă tensiunea de ieşire în funcţie de curen'
tranzistoarelor amplificatoare (vezi fig. P 1.4a): iv3 =~·(vsa3-IVrolY -(l+ÂP ·vsD3)
2
va =RL ·(iDJ -io2)
. S-a avut în vedere că iDJ =i 03 = i 04 . Ţinând cont de relaţiile deduse pentru iDJ şi in io; = ~ · (vsa4 -IVrolY · (1 + Â.JJ · Vso4)
se obţme 2
Se consideră că AD lucrează în gol. Pe schema din fig. P 1.2a rezultă:
Vo = gm-RL·VID·
(
1-
kn . VID 2
4·lss
)f =gm-RL ·Vw·
4·(L1Va5 )2
[ 1-
V
ID
2 ]!. 2
Vsa4 = Vsa3 = Vsv3
Vsv4 = Voo -v.o
Ecuaţia de mai sus, reprezentată în fig. P 1.4c, reprezintă caracteristica de transfer a AD ~
io1 +i02 = lss
ieşire nesimetrică (fig P 1.4a). v0 creşte cu v 1D pentru: - fi. LlVas <- v ID < r::;2 . LJ"Vas ·
- -V L
S-au neglijat v; şi v 1 deoarece în condiţii de semnal mic vt, v 1 << 2 · (vas1.2 -Vro).
Folosind relaţiile de mai sus în expresiile curenţilor se obţine:
. j k"
2 · 1v1 }y;
{
-_2_6.....,v.
....a_"S_ _-_.fi_2....!)._v;_a_'S___,,l'---i----- .........~v1D
····· ·····- - R LISS
Fig. Pl.4c
22 Circuite electronice fundamentale - Problelll CAPITOLUL 1 -Amplificatoare d.c semnal mic 23
Prin eliminarea curenţilor din ultimele relaţii se deduce: Comparând expresia pentru Av.,/ cu cea determinată în problema precedentă se constată
diminuarea câştigului pe mod diferenţial când se ţine cont de efectul Early (datorită rezistentelor
VID=
2 · I ss [( F
kn ·(F+l) l+Â.n ·(VDD +vcs1 -vsc3)
)1 (
-
J
l+Â.n ·(va +Vcs2)
)1] de ieşiie ale tranzistoarelor legate la ieşire Q4 , şi Qi). Pe de altă parte se verifică şi penu-u AD
relaţia:
S-a avut în vedere că:

A,..d = g m • (R„ li RL)
valabilă penu·u orice etaj de amplificare.
Valoarea maximă şi minimă a tensiunii de ieşire se stabilesc impunând ca tranzistoarele
Folosind aproximările, (1 + x). (1- y) =1 + x _ y , (l + x )1 =1 + ~, =
_l_ l - Q4 şi respectiv Q1 să fie la limita zonei de saturaţie:
1
2 l+x i2
valabile pentru x << 1
. .
şi neglijând în raport cu unitatea termenul Â. . (v 0
P
- v
SG3
-V ) ultirn
DD
. -V -V
Vo.max - DD -VSD4.sat - DV -VSG4 + TO - DV
IV I-V
-
( / ss )
--
ecuaţie care reprezmtă caracteristica de transfer a AD se simplifică şi devine: kP
v 0 =Vvv-Vse3+2~:::. Â.,,v:Â.,, + Â.,,~Â.P ·vw vo.min =v(vs2 ..,,),,;Vcs2 =-Vro

1
Este cunoscut că: căci, vscJ =Vro+ ss dacă se neglijează efectul Early.
8ml = 8m2 = ~k,, ·lss = 8m kl'
-,1. l ss lss Problema 1.6. Se consideră amplificatorul diferenţial CMOS cu ieşire simetrică, din fig.
2 , 8d,,p -
_1
8ds,n - n · /1.p ·
2 Pl.6, pentru care se cunosc: VDv =Vss =5V ',.. Vcc =2V, Vrn.11 = IV ro.p l= Vr o =IV,
Ca urmare, caracteristica de transfer capătă forma:
2
-V 8m+gd,,n
k„ 1 =k„2 =48µA/V 2 , k„ 5 = JOOµAIV 2
, k/1 3 = k/14 = 20µA IV , Â.n =0,0JV-1 ,
Vo = DD -vGS3 + . "w
g ds,n + g d.v,p .Â./1 = 0,028V-1 • Să se determine:
Cum, a) PSF-ul dispozitivelor dacă Vw =V00 =OV ;
A..d = dv
dva din ecuaţia Va (v[I)) Se obţine (ţinând cont Că g d << g ) b) Limitele de variaţie pentru potenţialul continuu al intrărilor;
D s,11 m
1 c) Amplificarea pe mod diferenţial, A,.,,1 , pe schema generală.
b) Dacă amplificatorul lucrează pe o sarcină (R L ) se poate scrie:

va = -io ·RL, io =iv2 -iv4
+ Q2
de unde rezultă: ...,.--_.,9J Vi
iv1
.
102
-- F cu F
1 1 =F - -.io-
1DJ
._______ VDS2
____.
,~,
- - VGS2
După o serie de neglijări se obţine pentru caracteristica de transfer ecuaţia:

1
Vo=VvD-Vsc3+ gm ·vw+ . .. ·i0
g ds,n + g ds.p g tl.v.n + g ds,p
Ţinând cont de relaţiile de definiţie:
Fig. Pl.6
A..d = dvo , Ro =- d~o' REZOLVARE
dvw dz 0
vw=O
pe baza ecuaţiei de mai sus se obţine: a) În schema AD, Q5 este generator de curent constant pentru tranzistoarele
amplificatoare Q 1 şi Q1 . Din fig. Pl.6 se deduce
A,.,d = gm J , Ro = J 5
g /· + gd +- 8ds,n + 8ds,p Vcs5 =Vss -Vcc =3V,
I D5 = k" · (vcs5 - Vro )2 = 200µA
2
"·" s.p R
L
Vw = OV implică Vcsi = Vc si iar V0 D = O implică Vs0 3 = Vs0 4 = V5 c4 = Vsc3
24 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 25
Dar, di03 _ di03 _ di04 _ di04
Vso3 + Vvs1 =Vvs2 + Vsc4 g m3 = -d--' g tls3 - -d-- , 8,n4 - -d-- , 8,t,·4
•
- - -
d Vsv4
V GS3 Vso3 Vcs4
ceea ce conduce la Vvs 1 =Vvs 2 . Ca urmare: Dar,
I 8ml = 81112 ., 8J.d = 8t1s2, 81113 = 8m4, 8J"3 = 8Js4
I Dl =I D2 =I D3 = I D4 =_J}J_
2
=JOOµA
Vcs1 -vGS2 =VID, Vvs1 -Vvs2 = V5c4 -VSG3 = Vov
Din ecuaţia de dispozitiv scrisă pentru Q1 şi Q3 se deduce: Scăzând relaţiile (1) şi (2) şi înlocuind expresiile de mai sus, rezultă:
I v1-
_ k„1 ·Vcs1-Vr1
( )2 ·I+
( Â,,·Vvs1 ) = k p3 ·\Vs03-Vr1
(. )2 ·l+ÂP·Vsv3
( ) A I =- dv
d
OD =- 8 ml
2 2 \!l
, VID 8t1sJ+8,n3+8t1.d
Se deduce: V0s1 =3V, Vs03 =Vvs I= 4V. Cum,
Din ecuaţia: 81111 = k„1 · (Vcs1 -Vro )= 96 µA/V, 81113 = kp3 · (V„03 - IVrol)=60 µA/ V
V/ =VcsJ +Vvss -Vss =OV rezultă Vvss =2V. g dsl =Â" · f Dl = f µA/V , g tls3 = Â1, · JD3 = 2 µA /V
lucrează la limita de saturaţie căci Vvss.sa, = 2V . Se
I Q5
neglijat efectul Early în cazul acestui tranzistor.
explică motivul pentru care s-a
Se calculează A,..tl = -J,52.
Se verifică funcţionarea în saturaţie a tuturor tranzistoarelor Problema 1. 7. Pentru amplificatorul diferenţial, cu ieşire simetrică, din fig. P l. 7 se
I jvvsl ~ l"cs -Vro I cunosc: Vvv = V55 = 5V, I I
Vro. 11 = Vro.,, =Vro= IV ,
'
k = 24µA /V · ,
11
1 '
k l' = 8µAIV ,
2
I
I
b) Pentru stabilirea limitelor de variaţie ale tensiunii de intrnre se porneşte de la ecuaţia:
v; = Vos1 -vDSJ -Vso3 + VDD
(:l =(:\ =~~;:., (:)3 =(:)4 =:;:i' ~:)5 =(: l =;~:::, (:l 2
= ~~::
Parametrul Â. este acelaşi la toate tranzistoarele nMOS ( Â.11 = O,Olv - 1 ), iar pentru pMOS are
I La limita de saturaţie pentru Q1 rezultă: v051 -v 051 =Vro. Se obţine v7,111m
Pentru limita inferioară a tensiunii de intrare se
= 2V.
pleacă de la valorile: Â.3 = Â.4 = 0,028V- , Â.6 = 0,014V- . Să se determine:
1 1
relaţiav; =V05 ; +v 0s5 -V55 impunând ca tranzistornl Q,; să funcţioneze la limita de saturaţie, a) PSF -ul tranzistorilor dacă oglinda de curent oferă un curent constant I ss = 200µA şi
rezultă: (Vw = V00 = OV );
Vvs s =Voo +Vss -Vrn =2V b) Limitele de variaţie pentru tensiunea continuă de intrare;
c) Amplificarea pe mod diferenţial, A,,,d .
VJ.min =OV
REZOLVARE
c) Se scriu ecuaţiile de dispozitiv pentru Q1 şi Q3 în cazul general.
a) Din datele din enunţ rezultă simetria circuitului. Ca urmare:
iv1 = k;, · (vcs1 -VroY · (I+Â,, ·Vvs1) I
/Dl =102 =103 =104 =__şş_= JOOµA
2
iv3 = ~·(vsc3 -1Vrol)2 .(J+Â.1, ·Vsc3) Se scriu ecuaţiile de dispozitiv:
2 .
iv1 =iv3 lss = k„s ·(Vcss -Vro)2 ·(l+Â." ·Vvss)
2
Se derivează egalitatea de mai sus în rapo1t cu vlD. Rezultă:
dvcs1 dvvs1 ( ) dvsc3 I ss = k p6 . (Vsc6 -IVrol)2 .(1 + Âr, . Vsvr,)
g ml · -d-- + g Jsl · -d-- = g rn3 + g tls3 · -d- - (1 ) 2
VID VID VID
I ss -k n 1 · (Vos1 -Vro )2 · (I +Â,, · Vvs1 )
--=
Procedând similar pentru egalitatea i02 = iv4 , rezultă: 2 2
dvos2 dvvs2 _ ( ) dvsc4
g m2 · -d--+ g Js2 · -d-- - g m4 + g Js4 · -d-- (2) I
I ss = k p3 ·(Vsc3-Vro 1)2 · (l+Â.3·VsD3 )
VID VID Vw 2 2
S-au folosit relaţiile: Aplicând teoremele lui Kirchhoff pe circuitul din fig. PI. 7 rezultă:
diDI _ diDJ _ diD2 dim Vcss = Vos7 = Vvs7 , Vvv + Vss = Vsvr, +Vas?= Vso3 + Vvs1 + Vvss
8ml =-d--, 8Jsl - -d--, 8m2 --d-- , 8t1s2 =-d-- ,
Vcs1 VDSJ Vcs2 VDS2 Pentru echilibrul oglinzii de curent QJ, Q7 se ia V 055 = V vs? . Ţinând cont de aceste
relaţii, se obţine:
Vcs7 =Vvs7 =Vvs5 =Vcs5 =3V, Yso6 =7V Se calculează

A,..J = -26,23
Vsc6 = Vsc3 = Vsc4 =4V
Comparând expresiile deduse pentru amplificare în această problemă şi în problema
Vsv3 = 3,5V , Vvs1 =d,5V ' Vcs1 = Vcs2 = 3V . anterioară se constată că în ambele situaţii tranzistoarele amplificatoare sunt Q, şi Q1• Sarcina pe
care ele lucrează este constituită din rezistenţa de ieşire a acestor tranzistoare în paralel cu
+Voo
rezistenţa sarcinilor active realizate cu Q/Q4 • În circuitul din fig. Pl.6 Q.1 şi Q4 sunt conectate ca
I
diode având rezistenta iar în schema din fig. P 1. 7 rezistenţa lor este mult mai mare
8m3 + 8J.d
(_!_).
8,u3
Se explică astfel valoarea mai mare a amplificării calculată în ultimul caz.
Problema P 1.8. Pentru amplificatorul parafază din fig. P l .8a determinaţi amplificările de
I tensiune, curent şi de putere precum şi rezistenţele de intrare şi ieşire. Tranzistoarele au aceeaşi
parametrii: V8E =0,6V, PF = Po = 240, rb =O , rµ = r,. ~ oo. Se cunosc: Vcc =6V,
.1
VEE =3V, R1 = 2,8k.il, R2 =RL = 3k.il.
I
+ + +Vcc
I Voss Vos1
I
I
Fig. Pl.7
I
Se verifică, la toate tranzistoarele, condiţia de saturaţie. În continuare, pe fig. Pl.7 se
deduce:
~
V1 + = V1 - =V cs1+Vvs5 - Vss = IV +
V o+ = V o - =V DD - V SD3 =I ,5V R2 Vo RL
b) Procedând ca în problema anteri oară se obţine : î
V1.11 "c/ = 2,5V, v,.min + = OV. Fig. PI.Sa Fig. P l.8b
c) Se va proceda ca în problema anterioară. Se vor diferenţia egalităţile i01 = iv3, REZOLVARE

·
lv · ţman
= lv 4
· ' d cont ca- gml -- 8m2, 8dsl -- g ds2, g 1113 -- g m4, g d.d = g ds4 · Rezultă·· Analiza de curent continuu
2
d(vc5 1 - Vcs2) _d(vvs1- Vvs2 ) = _d (vsc3-vSG4)+g. _d(vsv3-vSD4 Neglijând efectul curenţilor de bază pe circuitul din fig . P 1.8a se deduce:
g' ii . + g dsl g m3 d ds3 d
I dv 1D dv ID V JJ) V JJ)
_ Vcc +VEE -VHE _ J,nA
I C3 -_ 1C4 = -
Dar, R1
Vcs1 -vcs2 = vw, Vsc3 =Vsc4, Vos1 -vvs2 = "os4 -vso3 = Vov
Înlocuind, se obţine: Ic1 = Ic2 = lc3 = J,5mA
2
dvav gml căci, VBEJ =VBE2 .
A,..<1 = dv10 = 8iJ.d
+ 8Js3
Pentru tensiunile VCE se obţine:
Cum, VcEJ =Vcc + VBEJ =6,6V
8ml =k„1 · (Vcs1 -VTo) · (l+Ân ·Vos1) = IOOµA/V
VcE2 =Vcc + VnE2 -R2 ·lc2 =2 .JV
8t1sl =Â-4 ·101 =lµA/V, 8ds2 =Â-3 ·103 =2,8µA/V
VcE3 =VEE -VnE = 2,4V I c1 =I D3 = 1vss = 2mA deoarece VcsJ =OV
VcE4 = VBE4 = 0,6V lc4 =Ici= ICI= 2mA
Analiza de regim dinamic iar Ic5 =lc4 =2mA datorită efectului de oglindă (1 84 .5 e neglijabil în raport cu Ici pentru
Schema de regim dinamic este reprezentată în fig. PI. 8b. Rezistenţa oglinzii de curent Q.1, = =
fJF == 200 ). De asemenea Iz I c5 2mA > I z.min . Pentru validarea celorlalte presupuneri
Q, a fost eliminată deoarece este foa1te mare în comparaţie cu rezistenţa de intrare în etajul BC iniţiale, se determină tensiunile:
(realizat cu Q1) cu care e conectată în paralel. VEC5 =Vcc -Vz = 8,4V
Pentru determinarea amplificării de tensiune se preferă metoda bazată pe rapoarte de VEC4 = VEL/4 =0,6V
curenţi (vezi breviarul).
Vcn =Vcc-VEB4 -R1 · I ci +VBE2 -Vz =4,4V
A,. -A,._
8
- "
0
- ~" • i.c2 ·~el· ihl =-(R2IIRJ·( Po)· l VcEJ = Vz -VBE2 + VBEJ = 3,6V
v8 l ei lcl lhl v g R;
unde, VvsJ =vEE -vLIEJ = 4.4V > v vs.,·w =1vTI = 2v
1 .
R; = R1,cJ = r;r1 + (Po +1)· R.,, 2 = r;r 1 + (p0 +1)·-- = r;r 1 + r;r 2 =8k.Q
g mi
este rezistenţa de intrare. Folosind acest rezultat în expresia lui Ar se obţine:
A,.= f gml · (R2IIRJ= 45

deoarece g 1111 = g 1112 =60k.Q - 1 . Din relaţia de mai sus se constată că semnalul de ieşire ( v
în fază cu v; , ce justifică denumirea de amplificator paratază.
0
)este .
Celelalte amplificări se determină cu formulele din breviar:
R.
A =-A -~=-120
' ,. RL
A/1 = IA,.j,!A;I = 5400

ceea ce arată că amplificatorul parafază asigmă câştiguri atât în tensiune cât şi în curent şi evident
în putere. Valoarea maximă pentru IA;j în cazul amplificatorului parafază este:
IAi.111«rl =IA;cc.,rul\·l ·IAwc.,;uul =Po+ 1 =240 Fig. Pl.9a Fig. Pl.9b

Valoarea de două ori mai mică decât calculată mai sus se explică prin divizarea curentului
de ieşire (fig. PI .8b) pe rezistenţele R 2 , respectiv RL. Analiza de curent alternativ (regim dinamic)
Rezistenţa de ieşire este (fig. P 1. 8b) Fig. 1.9c prezintă schema de regim dinamic a amplificatorului. R<.4 reprezintă rezistenţa
R() =R i llRt'l>2 =R 2 =3k.Q de semnal mic a tranzistorului-diodă Q4 din sursa de curent constant şi poate fi estimată pe
circuitul din fig. P 1.9d. Se deduce:
Problema 1.9. Determinaţi amplificarea de tensiune, rezistenţele de intrare şi ieşire
pentru amplificatorul cascod din fig. P 1.9a. Tranzistoarele bipolare au aceiaşi parametrii: Rc4 = ':,
1
= r;r411r;r511-l- =_I_= 1 =12,5.Q
VHE = 0,6V , PF = Po = 200, r,, =O . rp = r,, ~ oo . Tranzistorul cu efect de câmp are: 1 gm4 gm4 40. JC4
lvss =2mA, VT =-2V, iar Dz are Vz = 3,6V şi l z .m;,, =lmA. Celelalte elemente ale schemei
fiind evidentă aproxima.rea Rc4 + R 1 =R1 .
. Circuitul din fig. Pl.9c are două etaje, un etaj EC şi altul BC conectate în cascadă. De aici
au valorile: R1 = 2k.Q, Vcc = 12V, VEE = 5V. denumirea de circuit cascod. Pe această schemă se determină
A A Vo Vo Î.·i ici ihl ( ) J
REZOLVARE v = v,g =-=-.-·-.-·-.-·-= -R1 ·Po ·-=-gml ·R1 =-160
Analiza de curent continuu
Vg lei lei lbJ V8 R;
Schema de curent continuu a amplificatorului este prezentată în fig. P 1.9b. Presupunând deoarece: R; = R,,. 1 = r;r1 = Po = 2,5k.Q . Rezistenţa de ieşire este:
toate tranzistoarele bipolare în regim activ normal. dioda Zener în străpungere şi tranzistorul cu gml
efect de câmp în saturaţie se pot scrie relaţiile: ' Ro = R1 li Rci = R, = 2k.Q
Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 1 -Amplificatoare de semnal mic 31
30
Pentru ambele tranzistoare V vs > Vcs -VT, ce evidenţiază funcţionarea lor în saturaţie.
+ + Analiza de regim dinamic

I
L
Schema de regim dinamic a amplificatorului cascod este prezentată în fig. Pl.lOb.
Amplificarea de tensiune se poate exprima prin produsul:
A.1 =!.!!_.~
• ,
...!.ii!_. vg,·J = -g m . (R lJ IIRL )= - 8
Fig. 1.9c Fig. Pl .9d t,12 l t1J V gs l V;
2-~J
Cascodul are aceiaşi parametri dinamici de joasă frecvenţă (A,., R; , R 0 ) cu etajul EC unde g m = l~r I·I DSS = 4kf2-
1
. Rezistenţa de intrare este infinită iar rezistenţa de ieşire este:
echipat cu Q, (polarizat în acelaşi PSF), atacat cu acelaşi generator ( v 8 ) şi având aceeaşi sarcină
R,, =~"I =RvllR,1,~

/.O V =0
2 = Rv =3kQ
Problema 1.10. Determinaţi amplificarea de tensiune, rezistenţele de intrare şi ieşire •
Circuitele cascod cu tranzistoare bipolare (problema 1.9) şi respectiv cu TEC-J (problema
pentru cascodul echipat cu tranzistoare TEC-J identice din fig. P 1.1 Oa. Se cunosc: I oss = 18mA, 1.1 O) au tranzistoarele polarizate la acelaşi curent şi lucrează pe sarcini egale. Pentru amplificarea
VT ::-: - 3V , r,1., ~ oe , V DD = JOV , V ss = 2V , R O = 3 kQ şi R L = 6 k.Q . de tensiune s-a obţinut aceeaşi expresie. Circuitul cu bipolare are un câştig mult mai ma.re datorită
pantei superioare a tranzistoarului bipolar (la curentul de 2mA: g m.TB =40 ), iar cascodul cu
8m.TEC
TEC-J are o rezistenţă de intrare foarte mare (rezistenţere de ieşire sunt comparabile).
Problema 1.11. Se consideră ca.scodul Bi-TEC din fig. Pl.l la pentrn care se cunosc:
QI
-
Îd1= id2
Q2
id2 la
+
Q1 : I oss
rµ=r0
Re
=8mA, Vr = -2V , r"" ~ 20k.Q; Q2 : VBE =0,6V , PF = Po = 200, rh =O ,
~00; D2 : V2 =4V, lz.111;,,=lmA; V00 =12V,
=3kQ, RL =6k.Q . Determinaţi amplificarea de tensiune şi rezistenţele de intrare şi ieşire.
V55 =1V , R 8 =2kQ ,
+ +
+
V;
RD Va
-
RL
___... +Voo
-Vss 1 1
Fig. Pl.JOa Fig. P J. JOb
REZOLVARE

În regim staţionar:
~ QI
Vcs1 =-Vss = - 2V
I 01 -- 1 oss ·(1- Vcs1)2 =2mA

Vr
-Vss
căci din datele problemei rezultă că efectul modulării lungimii canalului (Early) e neglijabil. Dar.
Fig. Pl.Jla
J 0 1 = I 02 şi rezultă:
REZOLVARE
Vcs1 =Vcs2 = - Vvs1 = - Vss =-2V
Analiza de regim continuu
Din ecuaţia
Vvv + Vss =Ro· 101 + Vvs2 + Vvs1 Tranzistorul Q1 şi sursa V55 sunt aceleaşi din problema precedentă. Ca urmare:
se determină: Vcs1 = -JV
Vvs2 = 4V .
32 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL l -Amplificatoare de semnal mic 33
b) Punctele statice de funcţionare dacă potenţialul continuu la ieşire este nul·

lv 1 = Ic 2 =2mA c) Amplificarea de tensiune la semnal mic, neglijând efectul scurtării ca:ialului la n •
Pe schema de regim staţionar se deduc relaţiile:
MOS (A =0 ).
Vvv -Vz
Iz= R =4mA > Iz.min
B +Voo
Vvs1 =Vz -VBE +Vss =2,4V
VcE2 =Vvv -Re· lc2 -Vvs1 + Vss = 2,6V Vso2- +
stabilizare.
Se constată că tranzistorul Q1 funcţionează în saturaţie, Q2 în RAN iar D în zona de
+Voo ~021Vso2
Vo
Analiza de regim dinamic Vso2 _ + +
VDS3 ~
La semnal mic schema cascodului Bi-TEC este reprezentată în fig. PI.I I b. Q 1 reprezintă +Voo~+ Q 1 Vso2 1 ~3111
un TEC-J ideal iar r,1.,J este plasată ca rezistenţă exterioară.
2
VGS3 - Vss
Amplificarea de tensiune este dată de produsul:
+
A,.=. V(}
V;
=.~".. :(} . ~c2
1„ 1,. 2 1, 2
. ~e2 . idl : Vksl
1,1 1 vgsl V;
=( RL) . . Re . r,1.,1
Re +RL r,1„ 1 +R, h2
. gml ~
v1 + Vos1
VG~
A,. =-gm 1 -(RJRc)=-8
~
· ie2 Q2 jc2
~
io -Vss -Vss
+ Fig. Pl.12a Fig. Pl .12b
QI
+ + rd,I Re Vo RL
Vgsl REZOLVARE
vi -
+
a) Limitele tensiunilor de intrare şi ieşire rezultă impunând funcţionarea tranzistori.for în
1 1 saturaţie.Se vor determina mai întâi limitele la etajul SC (fig. Pl.l2a).
Fig. PJ.llb Presupunând tranzistoarele conducţie, tensiunea de ieşire este minimă când Q,
funcţionează)a limita de saturaţie şi Q1 în saturaţie. Ca urmare:
că =- 1- . · kn ( )2
S-a avut în vedere Rc1,2 << r,1„ 1 .
2 · Vcs1 -Vro
1 01 =
gm2
Rezistenţa de intrare este infinită iar rezistenţa de ieşire este: Vos1.sa1 = Vcs1 -Vro
R = Re IIRhcl = 3k.Q . k I' ( VGS2 -Vro )2 . (l+Â.1, ·Vso2 )
0
deoarece Rhcl ~ oo . S-au obţinut acelaşi expresii şi valori pentru parametrii de semnal mic şi
iD2 =2·
joasă frecvenţă ( A,, , R; , R 0 cu cei determinaţi pentru cascodul echipat numai cu tranzistoare cu
)
Pe schema circuitului din fig. P l.l2a se deduce:
efect de câmp (fig. P 1.1 Oa) căci în ambele circuite s-au folosit aceleaşi tranzistoare în etajul de Vcs1 = V1 + Vss, VosI..w, = Vo.m;,, + Vss
intrare (SC) polarizat la acelaşi curent, iar RD =Re. Vsc2 =Vov -Vcc, Vso2 =Voo -Vo.mi11
Cum i01 =i02 din ecuaţiile de mai sus rezultă:
Problema 1.12. Pentru circuitele CMOS, etaj sursă comună (SC) şi respectiv cascod din
fig. P 1.12a şi b se cunosc: V DD = V ss = 5V , Vcc = 2,5V , - = - = - - , - = - - ,

W1 W3 7 ,5µm W2 15µm
Vo.min -= -Vss + V"C
(k;(· Voo -.Vcc -Vro )=-3,78V,
L1 L3 5µm L2 5µm
I dacă într-o pri.mă aproximaţie, în expresia curentului iD2 se consideră A.,, · v s0 2 <<I. Fără
• 2 ' 2
k,, = 24µA/V , k P = 8µAIV , Yn = 1,3V 2 , </J=0,6V, această neglij are se obţine prin iteraţii succesive Vo,min =-3,58V. Din ecuaţia curenţilor rezultă
Â.,, =O,OJv- 1
, Â.P =0.04V-1 . Să se determine şi să se compare: că atunci când VO este minimă ( v SDl este maximă) tensiunea la intrare este maximă:
a) Limitele de variaţie pentru VO şi V1 ; Vi.mm =Vo.min + Vro= -2,58V
34 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL l -Amplificatoare de semnal mic 35
Penim evaluarea tensiunii maxime la ieşire se consideră că Q1 funcţionează în saturaţie şi 101 =102, Vos1 =Vso2 =Voo =Vss =5V
Q1 la limita saturaţiei:
Vsc2 =Vov-Vcc =2,5V , v, =Vcs1-Vss
Vso2.sa1 =Vsc2 -Vro =Voo -Vcc -Vro =l,5V
Folosind ecuaţiile de mai sus se calculează:
Ca urmare, /Dl =1 02 =32,4µA, VcsJ =2,3V, V, =-2,7V
vO,/llllX =Voo -Vso2.sal =3,5V.
Pe circuitul cascod din fig. Pl.l2b se deduce:
Se calculează: ID/ =102 = 103, Vso2 =Voo =5V , VosJ +Vos3 =Vss
kp ( )2
2 · Voo-Vcc -Vro =27µA=1Dl .min
102.min = V1 = Vcs1 -Vss, Vsc2 = 2,5V
Utilizând ecuaţiile curenţilor de mai sus se deduc valori apropiate cu cele obţinute în
VoSJJntLt = Vss + Vo.mm = 8,5V cazul etajului SC:
2 · / D2,min /Dl =1 02 =1 03 =32,4µA, Vc53 =3,3V, VT3 =2V, Vcsl =2,3V
V1.min =-Vss +Vro+ k = -2,78V =
V1 -2,7V, Vos/ =1,7V, VOS3 =3,3V
n
În cazul circuitului CASCOD (fig. P 1.12b) se procedează similar. Tensiunea de ieşire este Se confirmă că toate tranzistoarele sunt polarizate în saturaţie.
minimă când Q1 şi Q1 lucrează în saturaţie iar Q3 este la limita de saturaţie.
c) În fig. Pl.l2c şi d se prezintă schemele echivalente de regim dinamic ale circuitelor
Vo.min =V DS3,,at - "cs3 =-VT3
analizate.
Cum tranzistorul Q3 nu are substratul legat la sursă (vezi fig. Pl.12b) tensiunea de prag
este afectată de polarizarea substratului: rc1s3
12 112
Vn = Vro + Yn -l~vas1J+,Y - , J
unde, v 853 = -v 051 .
Din egalitatea curenţilor rezultă:
2
(v, ,/ntlr + Vss - Vro )2 . [1 + Â.n . (vO,mi11 + Vss - V OS3,;-a, )] = v OS3,sm =
= :p .(Voo -Vcc -Vro)2 . [1 +A,,. (vDO -Vo.mJ]

n
Din condiţiile de mai sus, în urma unui calcul iterativ se V0 Jnin = -Vn = -1,95V,
obţine:
Fig. PJ.12c Fig. Pl.I2d
VGS3 = 3,34V ' VOS/ = 1,66V' v,.mm = -2,63V' I O.mm·= 102.mctr = l 03.mcLr = 34,5µA.
Tensiunea la ieşire maximă are pentru cascod valoarea dedusă pentru etajul SC căci
limitarea este datorată tot tranzistorului Qz, V0,,,u<r = 3,5V, I 03 ,min = 27µA , V051 = 1,8N, Într-o primă aproximaţie se neglijează efectul rezistentelor de ieşire a tranzistoarelor Q, şi
QJ (care au valori foarte mari, rdsl = r,1, 3 =
3Mf2 ). În acest caz pe schemele din fig. Pl.12c şi d se
V053 =6,69V, v,.min =-2,78V.
determină aceeaşi expresie pent111 câştigul de tensiune la frecvenţe joase şi medii:
Excursia tensiunii de ie şire este la circuitul cascod puţin mai mică în comparaţie cu etajul
SC datorită prezenţei unui tranzistor suplimentar. Tensiunea de intrare are acelaşi domeniu de AV =- Km! =-3715
,
variaţie. Kc1s2
deoarece Km!= ~2 · I Dl· k11 = 48,3µAIV, g,1„2 =Â.1, · 102 =/,3µA/V.
b) Se consideră că toate tranzistoarele lu crează în sa turaţie . Ca urmare, în regim staţionar
se poate scrie:
Se constată că circuitul cascod CMOS are acelaşi câştig cu etajul SC. Un rezultat similar
se obţine când se compară circuitul cascod cu tranzistoare bipolare şi etajul EC.
101 = ~·(Vcs1 -Vro)2 ·(l+Â.,, ·Vos1) Dacă se consideră şi rezistenţele rd,J şi r11s3 pe schema din fig. Pl.12c se determină un
2
câştig mai redus:
102 = k p )2 ( )
2 · Vscz -Vro · l+Â.JJ ·Vso2
(
j ~ . = __g_,,_,, __ =-30
K11s1+KcL,2
103 =~-(Vcs1 - Vnf ·(l+Â.n ·Vos2) În schimb, pentru amplificatornl cascod amplificarea rămâne practic aceeaşi:
.I 2
+
Vn = VTO r,,. (~vOSJ +,-#) AV =
______K""m..:. .t_ _ _ _ _ =_
K1111 =-37,15
Kc1,2 + Kc1,1 Kc1s2
Pe schema SC din fig. P 1.12a se obţine: Kc1,·2 +gc1,1 · - -= - ~~ -
Km3 + Kmb3 + Kt1s3
36 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL I -Amplificatoare de semnal mic 37
deoarece 8t1sZ + 8t1.d << 8m3 + 8mb3 + 8t1,3 (numeric se calculează gmb 3 = 20,72µAIV,
gt1_..1 = gd,·3 =0,32µAIV ).
Problema 1.13. Pentru cascodul CMOS din problema anterioară (fig. Pl.12b) să se
evalueze amplificarea de tensiune şi rezistenţa de ieşire cu modelul de semnal mare respectiv cu
modelul de senmal mic. Datele circuitului rămân cele specificate în problema P 1.12.
REZOLVARE
Av cu modelul de semnal mare
Câştigul de tensiune are expresia: Rezultă:
A,.= dvol
dv1 Q
unde derivata este calculată în psf - ul tranzistorilor, iar vO Iv I sunt tensiunile totale la
~Q = (g., + ,,,,){- d;~'l + g., { - d::,31 + ' '" A,
ieşire/inh·ai·e (componentele continue şi cele de semnal). Pe circuitul din fig. PI .12b rezultă:
Având în vedere că:
Vcs1 = v, + Vss Vvs3 = Vo + Vss -vvs1
VcS3 =Vss -vvs1 VsD2 =Vvv -vo Vsc2 =Vcc -Vvv ~ =~_l'vs1I r„
Ecuaţiile de dispozitiv la funcţionai·ea în saturaţie sunt: ~Q ~Q Q
iDl = kn · (v, + Vss -Vro)2 · (1 + Â" · Vvs1)

2 ~
~Q = (81113 +8mb3 +8d.d )· ( -dv~
vs 1 )I Q +8ds3 ·A,.
iv2 =~·(Vvv -Vcc -Vro)2 -[i+ÂP ·(Vvv -vo)]

2 ' Egalitatea curenţilor (i Dl =i02 =i03 ) implică:
iv3 =~·(Vss -Vvs1 -Vn)2 ·[l+Ân ·(vo +Vss -vDs1)]
2
unde s-a avut în vedere că Q3 nu ai·e subsh·atul legat la sursă. Ca urmai·e tensiunea de prag a
acestui tranzistor diferă de Vro şi depinde de v 8 s 3 = - v 0 s 1 prin relaţia:
Vr3 = Vro + Yn · [(vvs1 + ~ ) - ~ ]

112 112 Din. ecuaţiile de mai sus se determină ( după eliminarea derivatei dv vs 1 I )formula:
. ~I Q
Derivând în raport cu v 1 expresia curentului i01 se obţine:
div1 (v, +Vss - Vro ) . (J+/1,,, k,, · (v, +Vss -Vro. )2 ·/1,,, gml
--=k". 1
·Vvs1 ) +- 1
·dvvs1
-- = _
~ 2 ~ 8 t1.<2
+
8t1sl ·
_---=.8.:::d•:·2'..:-+__::8..::d:::.:s3 '--
. dvvs1 81113 + gmb3 + 8ds3
=k,,. (v, +Vss -Vro ) +tv1 ·Ân · - -
dv1 care este identică cu expresia pentrn A,. obţinută în problema precedentă.
unde s-a avut în vedere că v 0 s 1 depinde de v1 şi s-a considerat: Â-11 • v 0 s 1 << 1 . Ca urmare: Cum 8 dsl, 8 ds2, 8 tls3 << 8 3 + g 1111>3 , expresia lui A,. se simplifică:
111
dd;v, I dvDSI I A =- 8m1 = ~2k111. I Dl = -37,15

v, Q =81111+8,1.,1·-d--
v, Q v 8t1s2 - Â,, ·I02
Expresia simplificată ai·ată că amplificarea este independentă de curenţii de polai·izai·e
Procedând similai· p entru i0 2 rezultă:
dacă I L2 =I 01 când rezultă:
~ =-212
di021 =-ÂP ·I02. dvol =-gt1_.. 2 ·Av
dv 1 Q dv 1 Q Av,mm =
Â,p
S-a făcut neglijarea J,, · (V00 - v 0 ) << 1 . Plecând de la formula lui i03 se determină:
, pe baza datelor din problema precedentă.
A ,. cu modelul de semnal mic i,u = g ds2 · vo ,t + i

Câştigul A,. cu modelul de semnal mic a fost determinat în problema Pl.12 pe baza V u.1 = rd,3 · ~ - (g m3 + g mh3) · Vgs j
schemei din fig. P 1.12d. V gs3 = - rd.,1 · i
Prin rezolvarea sistemului se reobţine expresia determinată cu modelul de semnal mare.

Rezistenţa de ieşire cu modelul de semnal mare
Pentru determinarea rezistenţei de ieşire pe schema din fig. P 1.12b se face v1 = OV şi se

injectează în circuit un curent i0 „ la borna de ieşire (căruia îi corespunde tensiunea v 0 ., ).
Expresiile curenţilor de drenă devin:

2
iv1 =~·(Vss -Vm) ·(l+Ân ·Vvs1)
2
i 02 = kl' · (V00 -Vcc -Vr0 )2 · [1 + Â,, · (V00 -v0 ,)]

2 Vgs3
iv3 =~·(Vss -vvs1-Vr3)2 ·[l+Ân ·(vo, +Vss -vvs,)] +

2 Fig. Pl.13
Folosind aceste relaţii în egalitatea i01 = i02 +i0 „ se obţine prin derivare în raport cu
Vo.1 • Problema Pl.14. Să se determine banda de frecvenţă a etajului SC (fig. 1.12a) şi
respectiv a cascodului CMOS (fig. Pl.12b). Datele R,entru aceste circuite sunt specificate în
Â ·I
„ D1
dvDSI
· -di- = - 1 0 -, ·Â I' +R1- problema Pl.12 (cu precizarea că, pentru simplitatea calculelor în această problemă se consideră
Â.11 =O). În plus se cunosc capacităţile interne, aceleaşi pentru toate tranzistoarele: Cg, = 200fF ,
1 0.1 t1
căci, Cgd =40 fF , =C,,,, = 100fF . Se vor considera două valori pentru rezistenţa generatorului
C,,.,
dv „ care asigură semnalul de intrare ( v ; ): R g =0,5Ml2 şi respectiv R.~ =10kl2 .

R = - -0 -
o d'lo,1
REZOLVARE
Rezultă: Banda circuitelor CMOS este determinată numai de capacităţile interne ale tranzistoarelor
care fixeazăA'recvenţa limită de sus. Pentru etajul SC din fig. P 1.12a schema echivalentă la semnal
1 dv 0 s1
- = gclsl ·--+gds,2 mic şi frecvenţe înalte este dată în fig. Pl.14a. Q1 şi Q2 s-au înlocuit prin circuitul echivalent de
R„ dv 0 .,
semnal mic la frecvenţe înalte.
Analog, din i 03 = i01 se deduce: Efectul capacităţii de reacţie C gdl poate fi mai uşor analizat folosind teorema Miller. În
conformitate cu aceasta, o impedanţă legată între intrarea şi ieşirea unui circuit (sau porţiuni dintr-
un circuit) poate fi înlocuită prin două impedanţe I 1 şi I 2 plasate la intrare, respectiv la ieşire
dvo., g,Isl + gm3 + gm/,3 + gd,3 (cum este ilustrat în fig. Pl.14b) şi date de relaţiile:
z z
După eliminarea derivatei dvvsi se deduce: I1 = 1--A I2 = 1-1 I A
dv 0 „ -V -V
unde Av este funcţia de transfer (amplifica.rea) circuitului. Echivalarea este valabilă numai dacă
1 1 1
Ro= r,1,2 + r,1.,3 + rc11 + (g m3 + g mb3 )!(g dsl · g ds3) Av este practic independentă de prezenţa (absenţa) impedanţei I.
Datorită valorii reduse a capacităţii Cgdl (din circuitul din fig. l.l 4a ) câştigul calculat în
Ro = rc1,2 ll[rc1„1 + rc1.,.3 + (g m3 + g mb3) · rc1,1 · ri1,3] ;: rc1.,2 = 0,77MQ
problema Pl.12., penuu rdsl = rc1s 2 ~ oo şi notat acum altfel:
Rezisten/a de ieşire pe circuitul de semnal mic
A v.gO = -g m · rds2
Pe schema din fig. Pl.12d se pasivizează intrarea (v; =OV) şi se montează la ieşire un este practic neafectat de această capacitate. Ca mmare, folosind teorema Miller Cgdl poate fi
generator ideal care injectează în circuit un curent i0 •1 • Rezultă schema din fig. P 1.13 pe ca.re se
' înlocuită prin capacităţile:
deduce:
40
unde r 1 =R.~ ·C1 şi i- 2 =ri1.,·i ·C2 sunt constantele de timp "de mers în got' asociate
c' =C„t11 ·(l+gm ·rt1s2)
,:JJ 6
capacităţilor C1 şi C 2 • Se poate constata cu uşurinţă că R 8 este rezistenţa văzută la nodurile între

C"
••I
= C gd 1 · ( 1 +
•
1
g III • Ţds2
J= C g<i 1
•
care e conectat C1 când circuitul din fig. Pl.l2c este pasivizat (l'._ 8 =OV) şi toate capacităţile
( C1 şi C 2 ) sunt eliminate din circuit, iar rJ„ 2 este rezistenţa determinată între nodurile unde este
Cgdl
Yo plasat C 2 în aceleaşi condiţii. Având în vedere tocmai aceste condiţii se explică denumirea
"constante de timp în gof'.
Calcule numerice dau: r1 = 93711s şi i-2 = 78,84ns şi arată că r, >> i-2 • Ca urmare
relaţia lui IA„ Ise simplifică:
8
- A,.8 0
Fig. Pl.14a
z
IAvg I-( + J OJ
2
· Tj
')"2
Se spune că amplificatorul are un pol dominant introdus de C 1 • Frecvenţa limită de sus
+ I
( f. ) e definită de relaţia:
r',
Yi IyI l;1 = A,.8 0
I IA,·g li - W-W,
r:;
v2
Se obţine:
Fig. Pl.14b
OJ;. _!_, f/c = l = 170KHz
i-1 2n·R8 ·C1
În aceste condiţii, schema din fig. Pl.l4a se simplifică aşa cum se arată în fig. Pl.14c
unde s-a notat: Schema la frecvenţe înalte a cascodului CMOS din fig. P.l2b este reprezentată în fig.
P 1.14d unde s-a notat:
C1 = Cgsl + Cg,JJ . (1 + l{m . ri1.,2)
C2 =Ch<12 +C8 <12 +Cg<l3 +Chd3
C2 = chdl + cgdl + Cbc12 + cgt12
C3 = cb"' + c.~.d + ch,3
Câştigul în tensiune este:
V V V. = g ,n3 + g ,nh3
A
-v.ţ
=-
- .=!!... - .=!!... .
-V - V . V
g m3
-s -t -~lf Cgdl g~3Vgs3
~ ~ +« > - - - + - - -
ITT
+
m
Rg
Rg
+ C1 Y~
+
s
I v
v
g "
mt.!'.i Ţ
C
3
V
_gs3
Î
r
ds2 Ţ
C
2 j
Vo
yg
-
Fig. Pl.14d
Fig. Pl.14c
Amplificarea are o expresie similară cu cea distinctă pentru etajul SC:
Cum pe circuit se deduce, A,.gO
-gml · l'..gsl = gd,2 · }'.'._,, + JOJ· C2 · l'..o -vg
A=-- - -- ----~----,--,----~
(1 + jOJ · i- )· (1 + jOJ · f' ) · (1 + jOJ · rs} · (1 + jOJ · T4)
1 2
rezultă:
cu'
A = A ,."o
., T1 =Rg ·Cgsl• f'2 =rds2 ·C2, f'3 =C3/g;n3• f'4 ;R·C.~dl
- ' '8 (1 + j 0JR ~ · C J (1 + j OJ · r,L, 2 · C2 )
Dete1minarea rezistenţelor din constantele de timp în gol se face cu un algoritm ilustrat
relaţie care arată că la frecvenţe înalte câştigul în tensiune scade cu frecvenţa semnalului dat de pentru R în fig. P l. l 4e.
generator datorită polilor introduşi de capacităţile C1 şi C 2 . Aşadar, modulul amplificării este: Circuitul din această figură a rezultat din schema din fig. P 1.14d prin pasivizare
A„go (V
-8 ; OV) şi eliminarea capacităţilor (funcţionarea în gol). Între bornele unde era plasată C,,•dl
IA„gI= (l+OJ 2 2 )112 (
· T1
2 2 y12
. l+OJ ·'r2
s-a conectat un generator de semnal ideal ( v,) care injectează curentul (i,) în circuit. Rezultă :
R =:i_
• =R g .
11
(1 + g •ml ) + _l_
8m3 · 8m3
•
b) Tensiunile continue pe tranzistoare şi Wi
Li
dacă potenţialul continuu la ieşire este nul şi
V~G =OV;
c) Cât trebuie să fie J O ca să rezulte o creştere a amplificării de N ori ( N 2
= 20 ).
Calculaţi V~a în acest caz dacă V1 = V0 =O.
-
i
Fig. Pl.14e
Pentru evaluarea rezistenţelor asociate constantelor r1 , 1'2 şi 1'3 generatorul v, se

conectează pe rând între nodurile unde erau plasate pe schema din fig. Pl.14d Cg,J, C2 respectiv
C3 .
+Vâo >st-j
Nmneric se calculează
r 1 = lOOns, T 2 = 77,84ns, r 3 = 2.12ns, T4 = 35,5611s
Cum constantele r1 , T 2 şi r4 sunt comparabile nu se mai poate vorbi de un pol
(dominant). în acest caz se demonstrează că frecvenţa limită de sus depinde de toate componentele
de timp calculate în gol prin relaţia:
f sCAS = l
4
= 739kHz
2Jr· LT; -Vss
i=l
Fig. Pl.15
Frecvenţa limită de jos este nulă atât pentru etajul SC cât şi la cascod. Ca urmare banda
este chiar f s • Calculele de mai sus arată că: REZOLVARE
f.,CAS > J./C a) ~ Schema din fig. Pl.15 diferă de circuitul cascod CMOS standard (vezi fig. Pl.12b)
Circuitul cascod are aceleaşi performanţe Av, R;, R0 la semnal mic şi frecvenţe joase şi prin generatorul de curent 10 care injectează un curent în drena lui Q1 pentru a spori I 0 1 în
medii cu etajul SC (vezi problema Pl.12) dar o bandă de frecvenţa mai largă, superioritate plătită raport cu 102 = I 0 3 şi, în consecinţă, câştigul în tensiune.
prin folosirea unui tranzistor suplimentar ( Q 3 ). Întradevăr, în problema P 1.13 s-a obţinut pentrn amplificarea A.. :
Pentru o sursă de semnal cu rezistenţă mică ( Rg = ]Ok.Q) se determină:
A = - (2kn . [ Dl )112
J./c = 1,65MHz, f,cAs = 1,93MHz V Â.I' · I D2
În acest caz banda de frecvenţă nu mai diferă substanţial, efectul capacităţii de intrare
Av nu depinde de curenţii de polarizare ai tranzistoarelor dacă J 01 =1t2 • Cum (vezi fig. PI.15)
fiind neglijabil.
f 01 = lv2 + Io
Problema Pl.15. Se dă schema de cascod C-MOS cu amplificare mărită din fig. Pl.15 rezultă / 0 = 90µA. În aceste condiţii câştigul (notat cu A~) este:
pentru care se cunosc: ID2 = ID3 =l0µA, V0 D=V55 =5V, Vaa=2,8V. Tranzistoarele au (2 )J/2
• , 2 W1 JOOµm W3 l8J.bn
A' v = kn =-1095
2 Â.I'
Vro.11=IVro.1,l=Vrn = lV, kn=24µA/V' kl' = 8µA/V' -L =-JO·, -L =-10 '
I J.bll 3 J.b1l care este mai mare (în valoare absolută) decât A, = -346 (valoare ce se determină în absenţa
I generatorului 10 din circuit).
r n -- J, 3V 2 ,
Â.n = O' OJV- 1 ' Â.p = O' 02v-1 ' .m
"f'
= 0,6V . Să se determine:
a) JO astfel încât câştigul în tensiune să nu depindă de curenţii de polarizare ai b) V0 = OV implică V 502 = V00 = 5V . Pe de altă parte V:5a 2 = VDD - Vaa = 2,2V. Din
tranzistoarelor. Calculaţi A,. în acest caz; ecuaţia curentului:
44
2 (1)
102 =~·(Vsa2-VT0) ·(l+Â.l' ·Vso2)
2
Se obţine: Wi = 1,6 .
L2
Din ecuaţiile:
I Dl =Io+ I D3 = ~-(Vas1 -VT0)2 ·(1 +Â.n · V osl)
2
2
103 =~·(Vas3 -VT3) ·(l+Â.n ·VoS3)
2
VT3 = VTO + Yn. (~vDSl +<t>-../i)
V, =VGsl -Vss; Vvs1 =-VBS3; VasJ =Vss -Vos1 =VosJ
rezultă prin iteraţii succesive: Va53 =V053 :3V, VT3 2,lV, V 051 = =2V, Vas, =1,92V, R
V1 =-3,08V, I 03 =lOµA, I 01 = JOOµA.

c) Din relaţia amplificării A,, scrisă la punctul a) rezultă că o creştere a câştigului de N
ori este posibilă dacă J01 = N 2 · I 02 de unde rezultă / 01 =0,2mA . Cum V 1 = OV se obţine
=
V GSl = 5V iar din expresia curentului / 01 se calculează V 051 4,2V care asigură funcţionarea Fig. Pl.lfr
lui Q1 în saturaţie. Se recalculează:
Din rezolvarea lor rezultă:
VT3 = 2,84V, Vas3 =3,52V Vsos =5,8V' lvs =lo6 =105 =104 =I02 =103 =0,JmA
Ca urmare: V~a = Va53 + V 051 -V55 =2,72V, V053 =V053 -V~a = 0,8V. Având în vedere că Q 7 are un factor geometric de zece ori mai mare rezultă I 0 7 = JmA.
Cu aceste valori, din ecuaţia:
Problema 1.16. Se consideră circuitul cascod cu A,. mărită din fig. Pl.16. Se cunosc:
/07 = kn7 ·(VsG7 - VT0)2 ·(1+~ ·Vs07)
Wn = 4 0µm , kn. = 24µA!V 2 , Â.n = 0,01v-1 pentru tranzistoarele nMOS (excepţie Q1 ce are: 2
Ln JOµm rezultă: ~
w w
_1 = 200µm) şi -L = JOµm , k ,' =8µA!V 2 ,
.
Â.l' = 0,014V-1 pentrnpMOS, (excepţie făcând
l/507 = 9,6V.
1 Pentru tranzistornl „diodă" Q4 se scrie:
L1 lOµm LP lOµm ·
Q 7 ce are ce are W 7 =JO· w,, , ~ = 0,009V-1 ). De asemenea sunt cunoscute şi Yn = l,3V 112 , 104 =~·(VGS4 -vT0)2 ·(l+Â.,, ·Vos4)
2
0 L„ din care rezultă Vas 4 =V 054 = 2,42V
</> = 0,6V, VTO,n = IVTo,pl =·VT0 = JV, V00 =12V, R =62KQ. Să se determine: Din ecuaţiile
a) Punctele statice de funcţionare ale tranzistoarelor; 2
105 = ~ -(VGS5 - VT5 ) ·(l+Â.n · Vos5)
b) Amplificarea în tensiune ~ şi rezistenţa de ieşire. 2
REZOLVARE v,, ~ Vro +r. [ (?+IV,sslf, -;.i]

a) Circuitul din fig. P 1.16 are configuraţia cascodului din problema precedentă (fig.
Pl.15). Genera.torni I O este implementat cu Q 7 iar sursele Vc;c; şi v·c;c; cu subcircuitul format din IYas51 = Vos4 = 2,42V
Q4 , Q.i, Q6, Q8 şi R. Prin inspecţia schemei se pot scrie ecuaţiile de regim staţionar: rezultă VT5 = 2,26V, Va55 = V 055 =3,68V. Ca urmare,
Ysos =V sas =Ysa2 =VsG6 Yso6 = Voo -Voss -Vos4 = 5,9V
Vsos + I os · R =V oo Din relaţia,
Voo = Vvs1 + Vso2 + Vos3 = Vs07 + Vos1 rezultă
Vos3 = 3,77V ( Vso2 = Vso6 = 5,8V) Egalând curenţii şi ţinând cont de faptul că toate tranzistoarele au acelaşi factor de curent
.VosJ = 2,43V Vos7 =3,7V ( k,, =k P) şi că V0 =OV rezultă:
Din ecuaţiile: = =
I O =0,5n1A, Vscs = Vcss 3,04V, Vn = VT 6 2.42V, V0 s6 = Vsc 7 =4,46V.
VT3 = VTO + Yn · (~Vvs1 +(/J -#) Pentru partea din dreapta a circuitului, din motive de simetrie, se obţine:
101 =1 02 =1 03 =1 04 =0,5mA
103 =~·(VGS3 -VT3)2 ·(l+Ân ·VosJ
2 Vas1 =Vsc2 = Vvs1 = Vso2 = 3,04V
Se calculează: VT3 = 2,25V, V0 s 3 =3,67V. VcS3 =Vsc4 =Vvs3 =Vsv4 =4.46V
Pentru Q 1 se determină: / Dl = I 03 + I 07 = 1,1111.A. Rezultă: Se verifică funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor.
2 101
Vas1=Vro+ · =3,12V
kn · (J + Ân · VosJ)
Se verifică funcţionarea în saturaţie a tuturor tranzistoarelor.
b) Câştigul în tensiune se dete1mină cu formula stabilită în problema P 1.13 (şi folosită şi

în problema P 1.15).
A = (2knl . I Dl )112 = -734
V 1 /
/1./1 • 02
Rezistenţa de ieşire are formula stabilită, de asemenea, în problema Pl.13.

1
R0 =rc1s2 = =0,71Mf1
1,, ·102
Notă
Pe schema de regim dinamic a circuitului din fig. Pl.16 deduceţi expresia rezistenţei de
ieşire. Arătaţi că relaţia obţinută
se poate aduce la forma de mai sus. +
+
Problema 1.17. Se consideră cascodul CMOS cu A. şi R 0 mărite din fig. Pl.l 7a. Se
Voss
cunosc: VTO,n =-VTO,p = VTO = JV, 3 wn -- w,, -- 30 kn. = 24µA/V 2 , kl' . = 8µA!V 2 ,
Ln L" '
112 -Vss
Yn =l,25V , V00 =Vss =7,5V. Să se determine:
a) Punctele statice de funcţionare, în ipoteza unui potenţial continuu nul la ieşire. Se Fig. PI.Ila Fig. Pl.17b
ignoră efectul Early.
b) Amplificarea şi rezistenţa de ieşire dacă: Ân =O,DJV-1, Â" = 0,02V-1 . b) Amplificarea şi rezistenţa de ieşire se determină pe schema de regim dinamic din fig.
P 1.17b. Toate tranzistoarele diodă Q5 - Q8 au grila legată la drenă. Ca mmare, între drenă şi sursă
REZOLVARE se vede o rezistenţă r,;,; = rds .i l g ;;/; , iar tensiunea între aceste borne este v.~s.i ( i = 5,6,7,8 ).
a) Pe schema din fig. Pl.l 7a se obţin relaţiile: Pe de altă parte, în semicircuitul format din aceste diode (vezi fig. P 1.17b) borna de sus şi
Vas5 =Vos5 Vos6 =Vas6 Vso7 =Vsc7 cea de jos legate la masă. Ca urmare, curentul prin acest subcircuit este nul, vg.,,i = OV şi
] D5 = / D6 = l D7 = ] D8 = / D r~,.i = rds,i . Rezultă că tranzistoarele Qi, Q3 şi Q4 au grila la masă, iar circuitul din fig. P 1.17b se
Vos5 + Vos6 + Vso7 +Vsos =Vss + Voo simplifică, obţinându-se cel din fig. P l.l 7c. Este schema unui circuit cascod standard cu Q 1 etaj
Ecuaţiile de dispozitiv, de exemplu pentru Q6 sunt:
SC şi Q3 etaj GC. Grupul Q3, Q4 se comportă ca o rezistenţă ( R;, ) ce se poate deduce pe schema
lo6 =kn ( )2
- · Vcs6 -VT6
2
din fig. Pl. l 7d, (unde, g ;n4 = g m4 + g mh4 ):
' __ 2 _ g rn4 + g m/,4 + g ds4 + g ds2
VT6 =VTO +rn .(JvBS6 +(J-.ji) Ro . =r,1.-2 · g m4 + g mh4
Relaţii similare se scriu şi pentru Q5 , Q7 şi Q 8 .
z, 8,1,2 · 8ds4 8ds4
48 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL! -Amplificatoare de semnal mic 49
Parametrii dinamici ai tranzistoarelor au valorile: REZOLVARE
8ml = 8m2 = 8m3 = 8m4 =~2k,, · Iv = 490µA/V, 8mb3 = 8mb4 = 160,SµA/V, a) Analiza în curent continuu
g dsl = g ds3
= 5µAIV, g tL,·2 = g ds 4 = JOµA/V . Câştigul în tensiune şi rezistenţa de ieşire
Pentru circuitul din fig. P 1.18a rezultă:
deduse pe circuitul din fig. P 1.17c vor fi: V -V
Av =-g 1111 ·R;, =-3190 , JCl = /J. CC JJE =2mA
Rn
dacă se ignoră efectul rezistenţelor rdsl şi ri1s3 . Comparând formulele pentru A,. şi R; Curenţii tranzistoarelor circuitului din fig. Pl.18c sunt aceeaşi:
determinate pe cascodul CMOS standard (fig. Pl.12b) lei= lc2 = 2mA
Av =-gml · rd,2 De asemenea,
se constată o creştere cu factorul 8 m 4 + 8 mb 4 = 65,1 a ambelor mărimi. În fapt, prin includerea lz = Vcc -Vz =6,2mA
8tL,·4 Rz
tranzistorului Q4 se măreşte rezistenţa de ieşire şi, cum A,. este proporţională cu R„ creşte Pentru tranzistornl din fig. P 1.18b, curentul de colector este dat de relaţia:
corespunzător şi câştigul în tensiune. După cum s-a menţionat, grupul Qj .. , Q 8 asigură polarizarea le= Vcc -VBE =2mA
porţilor tranzistoarelor Q1 , Q3, şi Q4 • R'
R,. +_!!_
rds4
., PF
În cazul schemei din fig. P 1.18a:
Q3Pr ~ -it
+
Vsg4
VCE1 ;;;;Vcc -Re · (lei+ Vcc -Re ·lc1)=4V
Re +RL ..
V;fr ~~
"-Vo
_, Pentru tranzistorul Q, din fig. Pl.18b se scrie:
i
r·
R~
I
VCEJ = Vcc - Rg · l c1 - Re . (1 +el V cc - Re · l
Re +RL
Ci )=2,8V
Pentr cascodul din fig. P 1.18c tensiunile colector-emitor ale celor două tranzistoare sunt:
Fig. Pl.17c Fig. Pl.17d
VCE 1 = V2 -V8 E2 =2V
Dacă se include şi efectul rezistenţelor r dsl şi r,L„ 2 amplificarea şi rezistenţa de ieşire se Vcc -Re ·ICJ)
diminuează de circa două ori. VCE2 =Vcc - Re · ( 1c1 + . - VCEJ = 2V
Rc + RL
Problema 1.18. Pentru circuitele din fig. Pl.18 se cunosc: Q 1.1 : VliE =0,6V, în'toate cazurile tranzistoarele sunt în RAN. Dioda Zener este în stabili.zare.
/JF =/30 = 250, r,, ~oo, C" =18pF, Cµ =lpF şi Vcc=l5V, C0 =lµF, R 0=1,8MQ, R '0 = l ,65M.Q
Analiza de curent alternativ
Rc=5kQ, Rz= 2kf2, RL= 20kQ, Rg=600Q. Dz are Vz = 2,6V şi l z,,,;n = lmA. Se cere:
a) Punctele statice de funcţionare ale dispozitivelor; Schemele utilizate pentru analiza în curent alternativ la semnal mic, la o frecvenţă din
b) Amplificările Av0, A,,g0 şi rezistenţele R; si R" la semnal mic; bandă sunt date în fig. P 1.18d, e, f.
c) Frecvenţele limită/; şiJ;;
d) Utilizând rezultatele de la punctele precedente să se realizeze o comparaţie între
circuite. + +
Fig. Pl.18d Fig. PJ.1 8e Fig. Pl.18f
Deoarece curenţii prin tranzistoare sunt egali rezultă: g ml = g 1112 =80kf2-1 Şl
' 1r1 = '1r2 = 3,12kf2.

CiJcuitele sunt:
- Etaj EC- fig. Pl.18d;
- Etaj BC- fig. Pl.18e;
Fig. Pl.18a Fig. Pl.18b Fig. Pl.18c - Cascod care înseamnă succesiunea EC+BC (vezi problema Pl .8) - fig. Pl . l 8f.
b) Amplificările şi rezistenţa de intrare pentru etajul EC şi circuitul Cascod au aceleaşi unde, A,.0 : -g ml · ( Re IIRL ): -320 (vezi relaţia (1 )). S-a ţinut cont că R8 >> r,r1 şi s-au făcut
expresii
notaţiile: C1 :C1r1 +C~ 1 :339pF şi C2 :C:1 :lpF.
A,5F: -gm1 ·( RellRL) :-320 (1)
Pe schema din fig.l.l8h se deduce:
Ee - li
AvgO - -g„i/ ·( Re RL )· IIRr1rllRs+ R.~ (2) A V
-o
EC
Avo., O
. EC
A,.•., o
r1t B
-•·g : !'.'._g : [1 + jm· C 1 · (Rg hi)]. [1 + jm· C2 · (RellRJ: (1 + jm · T1 ).(1 + jm· i-2 )
R;: r;rjjR8 =r1rl = 3,J2k.G unde, Ai~ are expresia (2) iar T1 şi T2 sunt constantele de timp de g~l ale circuitului. Într-adevăr,
R,, :Re :5k.G
cu algoritmul dezvoltat la problema Pl.14 se determină rezistenţele la bornele lui C1 şi C1 la
Pentru etajul BC ( fig. Pl.l8e) rezultă relaţiile:
A,~e :gmi·(RellRL):320
=
funcţionarea în gol de forma Rm : Rg llr1r1 0,5k.G, R20 : Rc llRL : 4k.Q în deplină concordanţă
cu relaţia amplificării ( Avg ). Ca urmare T 1 :::: 170ns şi i-2 :::: 4ns .
1
,1Be --
•"VgO J gml ·gml' (R e IIR L J- RellRL - 6 7
:---: , (3)
- + Rg Rg
1
R; :-:12.5.G
gml
Fig. Pl.18h
...
Observa/ii Cum i-1 >> i-2 , înseamnă că etajul are un pol dominant dat de capacitatea de intrare.
l) Din relaţiile de mai sus reiese că cele trei circuite au acelaşi câştig A,-o în modul şi Frecvenţa limită de sus este fixată de acest pol (vezi problema P 1.14):
rezistenţe de ieşire la semnal mic egale;
2) Pentru etajul EC şi circuitul cascod şi rezistenţele de intrare sunt egale. Deosebirea J/C : -1- =936kHz
2t.. 1'1
între cele două circuite· va fi evidenţiată prin analiza la frecvenţe înalte;
Pentru calculul frecvenţei limită inferioare,fj, circuitul echivalent este cel din fig. P l.l 8i.
3) La etajul BC rezistenţă de intrare este mult mai mică decat la celelalte 2 circuite şi, în
La frecvenţe joase contează condensatoarele de cuplare şi decuplare cum este C0 (notate uzual cu
consecinţă, şi câştigul raportat la generator ( Avgo ).
C= ). Pe această schemă se deduce:
c) Pentru calculul frecvenţelor limită fj şi f. se vor utiliza, circuitele de semnal mic şi # A EC
vgO
frecvenţe joase, respectiv, înalte. A vg::::
1
1
Etajul EC + 1 + jm · C 8 · (r1r1 + Rg)
Circuitul echivalent de semnal mic şi înaltă frecvenţă pentru etajul EC (fig. P l.l 8a) este
reprezentat în fig. P 1.18g.
R
Fig. Pl.18i
Fig. Pl.18g La frecvenţa limită de jos câştigul scade de .fi ori. Rezultă:
. 1
Aplicând teorema Miller (vezi problema Pl.14) circuitul devine cel din fig. Fig. Pl.18h. J1Ee = =43Hz
Cµ 1 se înlocuieşte cu C'µ 1 şi C"µ 1 plasate între masa şi nodurile în care a fost conectat Cµ,· Pentru -2t. · C8 -~1ti + Rg)-
aceste capacităţi sunt valabile relaţiile (vezi problema P 1.14):
' EC
Cµ 1 : Cµ 1 ·( 1-A,.0 ) Etajul BC
• 1 Circuitul echivalent de semnal mic şi înaltă frecvenţă pentru etajul BC este detaliat în fig.
Cµ 1 :Cµ 1 · ( 1 - ~ ) Pl.18j. Rezistenţele de funcţionare în gol văzute la bornele capacităţilor C;r1 şi, respectiv, Cµ 1 au
A,.o
1 C~ 1 = Cµ 1
formulele Rm = - - - - şi R20 = RcllRi. Constantele de timp de gol asociate au valorile ·( l-f1.v1)
1
gm1+T „ 1
g Cµ 1 = Cµl · ( ] - - )
!1.1']
-r, =C1r1 · Rio =0,22ns, -r2 =4ns care arată că la etajul BC polul dominant este dat de capacitatea
de ieşire. Frecvenţa limită de sus este:' unde, !1_ 1•1 =- g ml =-1
este câştigul în tensiune al primului etaj ( echipat cu tranzistorul Q 1).
gml
f.Bc = (1 )=_l_::40MHz Repetând procedura folosită la analiza etajului EC (fig. P 1.18g) se deduce:
21!· T1 +T2 21t·T2
fCAS = ]
s 21t·(T1+'X'2+'X'j)
unde, -r1 =R10 ·(C1r1 +C µ1), -r2 =Cµ 2 ·R20 şi 'r3 =(C1r 2 +C .. µ1)· R 30
0
În acest caz pentru rezistenţele de funcţionare în gol, pe schema din fig. P 1.181 rezultă:
1
Fig. Pl.18j R10 = r1rillRg şi R 20 = Rc llRi (expresii identice s-au obţinu~ şi pentru etajul, EC) şi R30 =- -
8 mi
Schema de regim dinamic la frecvenţe joase a etajului BC este dată în fig. P 1. 18k. Numeric se calculează: 'r1 = 10,lns; 'r2 =4ns; -r3 =0,51ns. _
f.,cAs = 10,9MHz
Modul de calcul a frecvenţei de jos este identic cu cel de la EC. Tranzistoarele sunt
identice şi parcursţ de acelaşi curent. Condensatorul de cuplare a generatorului pentru etajul EC şi
cascod are aceeaşi valoare. Va rezulta pentru cascod a~eaşi valoare pentru Jfc.
d) Analizând calculele pentru cele trei ci.reuite se remarcă următoarele:

• în curent continuu, tranzistoarele sunt parcurse de acelaşi curent, deci, au aceeaşi pantă
Fig. Pl.18k
de semnal mic;
Pe acest circuit câştigul de tensiune rezultă: • la semnal mic şi funcţionarea în bandă, modulul amplificării ( A,.0 ) la cele trei ci.reuite
BC
este acelaşi;
A,•gO • se remarcă la etajul BC o rezistenţă de intrare mai mică. De aceea câştigul raportat la
1 generator la acest etaj este mai redus;
J+-------
l+jw·Co·Po·Rg • 'etajul EC şi cascodul are aceeaşi rezistenţă de intrare;
• frecveţa limită de jos este foarte mică (de ordinul hertzilor) la toate circuitele analizate.
Ca urmare, banda lor coincide practic cu frecvenţa/;;
unde ~~ este dată de relaţia (3). Frecvenţa limită de jos este, în consecinţă:
• etajul EC are frecvenţa limită superioară cea mai mică datorită efectului Miller care
sporeşte capacitatea de intrare;
• etajul BC are o comporta.re în frecvenţă excelentă. Aşa cum arată calculele frecvenţa de
sus este cu un ordin de mărime mai mare. De aceea, etajul BC se recomandă în
radiofrecvenţă. Rezistenţa mică de intrare se poate adapta uşor la tronsoanele de linie
Circuitul CASCOD coaxială cu impedanţe de son sau 75.Q;
• banda de frecvenţă la etajele EC şi BC depinde de capacităţile interne ale tranzistoarelor
În fig. 1.181 este dat circuitul de frecvenţe înalte pentru cascod.
şi de sarcină (cu efecte nedorite);
R M_. gm2Y112 • cascodul are rezistenţa de intrare a etajului EC şi frecvenţa de sus superioară cu un ordin
.----------<« >---........l:=.zfoo-1 + de mărime. În plus,fs este puţin dependentă de valoarea rezistenţei de sarcină.
Problema 1.19. Se consideră etajul de ieşi.re în clasă A din fig. Pl.19a pentrn care se
cunosc: V00= V..,-~;=J2V, R 1=R1=20kQ, RL= 50D, I=0,2mA. Tranzistoarele MOS au: V1;=JV, rd,--oo,
Fig. Pl.181 k„ 1 = k„ 2 = k„3 = 200mAIV 2 . Sursa de curent are rezistenţă infinită. Se cere:
a) PSF-ul tranzistoarelor şi puterea disipată pe Q1 şi Q2 da.că potenţialul continuu la
S-a făcut echivalarea Miller. Capacitatea CµI se substitue prin: ieşire este nul (V0 = rn:
b) Excursia tensiunii de ieşire (V0,., şi V0.M);
Vos3 =Va+ Vcs1 -Vcs2 + Vss
c) Puterea maximă în sarcină pentru un semnal sinusoidal;
Amplificarea de tensiune la semnal mic şi frecvenţe joase;
d)
e) Cw·entul maxim prin Q1 şi Q1 şi puterea disipată în acest caz;
Va I DI = - I D2 , Vcsi = R2 . (1 -
Vcs I )
RL R1
f) Să se încadreze etajul în strnctura generală a unui amplificator de audiofrecvenţă.
Când VO creşte cu valori pozitive, / Dl creşte
iar / 02 scade. Limita superioară a
+V~o tensiunii de ieşire (va.M ) este fixată de tranzistorul Q 1• Din condiţia de menţinere în saturaţie a
~ I acestui tranzistor
+V~o +Voo Vos1.111 =Vcs1.M -Vr
~ I cuplată cu ecuaţiile de mai sus rezultă ecuaţia:
QJ 2Vo.M = (Voo -
----'- Vo.M )2 - R2 . ( I - --'-----'----
Vvo-Va.M+Vr)2
~ -~ ~
R1 Vo=O
din care se calculează:
Va.M =10,5V, / 01 .M =232,6111A., ·102 .111 =22,6 mA , I a.M =21 0mA
RL
Se verifică faptul că Vcsi.M / R1 este neglijabil faţă de / Dl.M şi / 02 .111 •
Ql
Observaţie
R2 Valoarea maximă a tensiunii de ieşire determină şi valoarea sursei V~o ,
-Vss
v~D = Vo.M + VGSl.M + vi
..
Fig. Pl.19a Fig. Pl.19b unde, V 1 este tensiunea la bornele sursei de curent/.
REZOLVARE
Când VO variază cu valori negative, J02 creşte iar JDl scade. Scad, de asemenea, V052
şi V053 . Rezultă posibilitatea ieşirii din saturaţie pentru Q2 sau Q3 . Cum
a) Pe schema de curent'continuu din fig. PI. l 9b se deduce:
Vcs1 Vcs1 Vcs2 Vos3 = Vos2 + Vcs1 -Vcs2 < Vos2
/Dl =I02 +--, 103 = l - - - = - - ( deoarece JDl < ] 02 implică VGSI < VGS2 ) limita inferioară a tensiunii de ieşire ( Vo.m) este fixată
R1 R1 R2
Dacă se neglijează curentul prin R 1 în raport cu / 02 rezultă / 02 =I 01 . Având în vedere de Q3 . Tensiunea la ieşirea acestui tranzistor poate scade până la
că Q1 şi Q2 au aceeaşi parametri se obţine: .~ ~2~/---V-
cs-2-.M
- /_R_2~
Vos2.m = Va.m + Vss - Vcs1.111 -Vcs2.M = Vcs3.M -Vr = k
1 113
Vcs1 = Vcs2 = -· R1 ·/ = 2V
2 În acest caz ecuaţiile pentru curenţi (vezi. schema din fig. Pl.19b):
Ca urmare:
] = VGSJ,m + VGS2.M
IDJ =102 = k„2 1 · (Vcs 1 -V7 ) 2 =lOOmA R1 R2
Se verifică faptul că VGSl / R 1 = O,lmA « I 02 = JOOmA. Pe de altă parte, 2Vo.m

k .R = (Vcs1.m -Vr )2 - (Vcs2.M -
V
r
)2
103 = Vcs2
R2
=0,lmA' VcsJ =Vr +
k„3
IEI =
__QL 2V.
11) L
Din ultimele trei ecuaţii se calculează

Va.m = -9,5V, VGS1.m = 1,525V, VGS2 ,M = 2,475V
Dacă potenţialul continuu la ieşire este nul ( VO = OV ) se calculează:
I DJ,m = 27,6mA, I 02,M =2]7,6mA, I a.m =-190mA
Vos I = Vos 2 = VDS 3 VDD = Vss = 12V
P01 =V051 ·/Dl =l,2W, P02 =l,2W c) Excursia semnalului de ieşire este în domeniul [- 9,5V, 10,5V] şi limitează la
VO = 9 ,5V amplitudinea unui semnal sinusoidal. Cum toate tranzistoarele lucrează în clasă A se
b) Excursia tensiunii la ieşire este limitată de funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor. poate vorbi de un etaj de ieşire în clasă A. Curentul şi tensiunea prin sarcină se modifică prin
Pe circuitul din fig. P 1.19b rezultă I 01 -:t. I 02 (1 a -:t. O) dacă Va -:t. O . variaţia în antifază a curenţilor Q1 şi Q2 . De aici denumirea de etaj în contratimp (push-pull). Q3
Vos1 =Voo -Va, Vos2 =Vss + Va asigură polarizarea lui Q1 şi Q2 în conducţie ( clasă A). Puterea maximă a semnalului sinusoidal
este:
y2 Pe această schemă câştigul global este fixat de reţeaua de reacţie negativă.

Pa.max = 2; = 0,9W R4
l A., = l + -
R5
d) Schema de regim dinamic a etajului de ieşire este reprezentată în fig. P 1.19c. S-a avut în vedere şi inversarea de fază produsă de etajul de ieşire.
Pe acest circuit se scriu relaţiile:
- R .
V gsl - - 1 · ld3
i,11
=-- , V gs·2 =R2 • l,t3
. i,12
=--
gml gm2
vi =vgs2 +vg,3, vo =RL ·(idl -id2-i<13)
dacă se neglijează efectul rezistenţelor rd, la toate tranzistoarele.
Fig. Pl.19d
Problema 1.20. Pentru circuitul din fig. Pl.20a se cunosc: Vcc = 12V , R1 = 1,2kf2,
R2 = R3 = JkQ, R4 = R5 = JOQ, R6 =JkQ, RL ~ 1.2kf2. Tranzistoarele au la t0 = 20°C
parametrii: Q1 , Q3 : /JF = /30 = 500, V8 E =0,6V; Q4 , Q5 : /3F = /30 = 100, IVsEI = 0,6V iar Q2
Fig. Pl.19c
are Joss = J0,6mA şi Vr =-IV . Se neglijează efectul rezistenţelor de ieşire ale tranzistoarelor
Având în vedere , că R1 =R2 şi gm1 =g 1112 rezultă vgsl =-v8, 1 şi ( r0 la bipolare şi rds la TEC-J) precum şi al rezistenţei rb din circuitul echivalent de semnal mic
id 1 =-id 2 =-g ml • R1 • id3 , ceea ce confirmă că tensiunile şi curenţii tranzistoarelor Q1 şi Q2 al tranzistoarelor bipolare. Se cere:
sunt în antifază. Pentru amplificarea de tensiune se obţine a) Identificaţi subcircuitele componente ale amplificatorului;
b) Analizaţi comportarea amsamblului format din R 1 , R2 şi Q3 (diodă multiplicată) în
Av =~=- 2g,n} ·gm3 ·R1 ·Rl =-16
V; J+g1113·R1 regim statis; şi dinamic. . .
c} PSF-ul dispozitivelor şi puterea disipată pe tranzistoare pentru K deschis, respectiv
S-a ţinut cont că: gm1 =~2k„ 1 ·ID1 =200mA/V , gm 3 =~2k„3 ·1 03 =0,2 mA/V şi închis;
g ml · R1 >> 1 . Etajul este inversor şi are câştig supraunitar la semnal mic. Circuitul lucrează de d) Puterea disipată pe Q4 şi Q5 pentru K deschis în două situaţii: Q3 , Q4 , Q5 montate
obicei la semnal mare, unde IA..-1 are o valoare mai mică datorită scăderii pantei tranzistoarelor cu pe acelaşi radiator având t 1 = 80°C şi respectiv Q3 are temperatura t 0 iar Q4 şi Q5 sunt plasate
creşterea amplitudinii semnalului. pe un radiator având temperatura t1• Se cunoaşte: LIVBE / LIT = - 2mV /°C ;
e) Să se traseze şi să se discute caracteristica de transfer a circuitului pentru K închis şi
e) Cw-entul maxim prin Q1 sau Q2 este determinat de tensiunea maximă de comandă respectiv K deschis. Se dă: VCE.mt = V8 E pentru toate tranzistoarele.;
pe poarta acestor tranzistoare (care este pe schema din fig. Pl.l9b) R 1 · I= R 2 · I= 4V. Rezultă: f) Să se încadreze etajul în lanţul unui amplificator de audiofrecvenţă.
I Dl.max = I Dl.max= 0,9A
REZOLVARE
Po1,11UI.X = Pol.max = I Dl,11UI.X . V DD = 10,8W
Curentul şi puterea mai sus calculate sunt valori extreme care numai accidental pot fi a) Subcircuitele amplificatorului sunt:
);>, etajul prefinal în clasa A, echipat cu tranzistorul Q1 (repetor pe emitor) polarizat
atinse (nu în funcţionarea normală a etajului). Dacă Q1 şi Q2 nu sunt dimensionate pentru a le
putea suporta este necesar ca circuitul să fie adaptat (modificat) pentru evitarea obţinerii acestor de la sursa de curent realizată cu Q2 ;
valori extreme. );>, diodă multiplicată, compusă din Q3 , R1 , R 2 şi sursa de curent realizată cu Q2
(vezi fig . Pl.20b);
f) Etajul de ieşire analizat serveşte uzual la creşterea capabilităţii în curent a unui );>, etajul final în contratimp, având în componenţă Q4 şi Q5 , precum şi R3 - R 6 ce
amplificator operaţional după cum este ilustrat pe schema de (regim dinamic) din fig. Pl.19d. De
funcţionează în clasă B (K închis) sau AB (K deschis).
asemenea etajul sporeşte amplificarea în buclă deschisă.
. - - - - - - - - - + Vcc Po4 = Pos =OW

Pe Q1 şi Q 2 se consumă o putere redusă:
PD/ :P02 =Im ·VDsl =60mW
Fig. Pl.20b Fig. P J.20c

Fig. Pl.20a Pentru situaţia în care comutatorul este deschis, circuitul are schema din fig. Pl.20e (unde
b) Schema diodei multiplicate este redesenată în fig. Pl.20b. Considerând Q3 în RAN şi D este dioda multiplicată) pe care rezultă:
V
neglijând efectul curentului de bază pe circuitul din fig. Pl .20b se deduce:
R1 +R,
Va =_ff_=VeE4 :VEe5 =6V
2 ...
VCE = -.VBE = M . VBE
.--------91 + Vcc
R2
cu M = (R1 + R2 )/ R2 = 2,2 factorul de multiplicare al tensiunii V8 E. Se observă că .------...--fl! + Ycc
18 3 = Ie3//JF3 = 20µA << V8 e/R2 = 0,6mA (curentul prin R1 şi R 2 ). Calculele de mai sus arată
că tensiunea la ieşirea subcircuitului este un multiplu al tensiunii V BE . De aici denumirea de
diodă multiplicată.
Pe schema de semnal mic a diodei multiplicate din fig. P 1.20c se obţine,
r= R1 + '1r1 li R2 = R1 + R2 = 5 5 „
- - ',n~«
l+gm1·r1r3IIR2 g1111·R2
unde s-a ţinut cont că r,r3 = 50k.Q >> R2 şi g 1113 · R 2 >>I.
Valoarea extrem de mică a rezistenţei diodei arată că aceasta are un efect negliijabil în
c.a. (se comportă ca un scurtcircuit).
Fig. PJ. 20d Fig. PJ.20e
c) Când comutatorul este închis dioda multiplicată este şuntată iar schema se simplifică
ca în fig. Pl.20d. Având în vedere valorile mici ale rezistenţelor R4 şi R5 s-au eliminat din Ie 1 =I 02 =10,6mA
circuit. Pe această schemă se obţine
_ _ M ·VoE -VBE4 -VEB5 _ 6 nA
Ic1 =ID2 =IDss =10,6mA, VBE4 +Veos =0 Ie4 - Ies - - ,
R1 + Rs
V
Va = _g;__
2
=VeE4 =Vees =VeEJ =VDs2 = 6V VDsl = Va -R5 ·Ies -VEB5 =5,34V
Fixarea potenţialului continuu la ieşire la jumătate din valoarea tensiunii Vee se va Vee1 =Vee -Vo -VDS2 :5,4V
justifica ulterior (la punctul t). Tensiunea continuă la intrare trebuie să fie v, =VDS2 + VD + VBEJ =7,26V
V1 = VBE + Vos 2 = 6 ,6V pentru a asigura funcţionarea în RAN a lui Q1 . În acest caz Q4 şi Q5 sunt în conducţie şi curentul prin R 3 şi R6 este acelaşi,
În absenţa semnalului la intrare ( V; = O) circuitul este în regim staţionar iar egalitatea v8 E4/ R3 =0,6mA mult mai mic în comparaţie cu I e4 =Ies . Puterea disipată pe tranzistoare este
V8 e 4 + Ve8 5 = O se realizează numai dacă V8 e 4 = VE85 =O, ceea ce implică I e 4 =Ies =O, adică când K este deschis şi are valorile:
Q4 şi Q5 sunt blocate şi nu disipă putere. PD/ =Iei ·VeEI =56,6mW, Pm = Im ·V052 =56,6mW
Po4 =Pos =lc4 · VcE4 ::36mW

Puterea disipată pe tranzistoarele etajului în contratimp nu mai este neglijabilă.
12
d) La t~ = 80°C tensiunea V8 E a tranzistoarelor bipolare scade conform ecuaţiei: 11
10
v~E~l· )=VsE(to}+ LIVRE · (t-to)=0,48V 9
AT
8
Ca urmare curenţii şi puterile disipate pe (4 şi Q5 se reduc (K deschis, vezi circuitul din
7
fig. Pl.20e)
6
Clasă B ,
, , M ·V~E-V~E-V~B5 5 (K închis) ,,
lc4 =Ies= =48mA
R4 +Rs 4 '\. , /' \ Clas.1 AB
3 ., / / (K deschis)
P~4 = P~5 = 1~4. VCE4 = 288,nW
2 •. V 1 =6,6V
lucru remarcabil, deoarece este favorizat procesul de răcire a dispozitivelor. '
În cazul în care Q3 nu este "cuplat termic" cu tranzistorul de ieşire se obţine: 1 . ...,/vBE
.. .. M ·VRE -v~E4 -V~Es 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

lc4=lcs = =I80mA
R4 +Rs Fig. PJ. 20f
= =
P~ 4 P~5 1~4 · VcE 4 = J,08W
Aceste distorsiuni pot fi diminuate prin folosirea clasei de funcţionare AB pentru Q4 şi
Acest mod de cuplaj a condus la creşterea puterii disipate favorizând fenomenul nedorit
de ambalare termică a tranzistoarelor Q4 şi Q5 • Q
5
. Această situaţie se obţine când comutatorul K este d eschis. Dioda multiplicată polarizează Q4
şi Q în RAN chiar în absenţa semnalului de intrare (vezi analiza de la punctul c). Caracteristica de
5
e) Caracteristica de transfer se determină pe baza circuitelor din fig. P 1.20d şi e.
transfer are form a reprezentată cu linie punctată pe fig. Pl.20f. Neliniarităţile sunt acum datorate
În regim staţionar, când K este închis, aşa cum s-a demonstrat la punctul b), Q4 şi Q5
suprapunerii, tot în zona centrală, a porţiunilor de conducţie ale tranzistoarelor Q4 şi Q5 .
sunt blocate ( V RE4 = VEBS =-OV' ) · şi tensiunea continuă la intrare respectiv ieşi.re are valorile Funcţionarea etajului în clasa AB (fig. P l.20e) este în mare măsură similară cu cea
V1 = 6,6V şi V0 = 6V. Când v1 creşte peste această valoare creşte şi tensiunea bază-emitor a descrisă m ai sus. Când v1 creşte peste valoarea de regim staţionar (care în acest caz este
tranzistorului Q4 iar V0 rămâne constant până ce Q4 intră în conducţie (VRE 4 = 0,6V) cum este v1 = 7,26V) tensiunea v 8E4 creşte, iar vEB 5 scade cu aceleaşi valori (căci tensiunea la bornele
ilustrat în fig. P l.20f. diodei D, )'eZi fig . P l .20e, rămâne constantă, iar Q4 şi Q5 au aceeaşi parametrii până când
Apoi tensiunea la ieşire creşte liniar deoarece (4 funcţionează ca repetor pe emitor (vezi
curentul prin Q5 devine neglijabil. Corespunzător, ic4 creşte iar ic5 se reduce.
fig. P l.20f). Când VO =Vcc -
VRE = 11,4V Q4 se saturează iar tensiunea la ieşire se satw-ează la iL = ic4 - ic 5 creşte, de asemenea, v 0 creşte. Curentul de sarcină la care .ic 5 nu mai
rândul său la valoarea 11,4V (fig. Pl.20f). De observat că Q 5 este blocat cu o tensiune
conte az ă este
VE85 =-VBE4 < 0 · . M ·VBE - VBE4 -VEB5
- =0.12A
Pentru valori ale tensiunii de intrare mai mici decât V1 =6 ,6V caracteristica de transfer l
L.c - R4
are o formă asemănătoare. Pentru -v1 :5 V1 - V ER5 = 6V , Q5 funcţionează ca repetor pe emitor şi corespun de unui tensiuni la ieşire
până când tensiunea la ieşire
scade la valoarea V0 = VE85 = 0,6V când Q5 se saturează (vezi fig. vo.c = Vo + iL.c · RL = 7V
Pl.20f). Tranzistorul Q4 este blocat cu o tensiune negativă V8E4 = - VERS <O. Prin creşterea în continuare a tensiunii de intrare numai repet orul pe emitor constituit cu
Caracteristica de transfer evidenţiază că tranzistoarele etajului de ieşire funcţionează în Q dă curentul prin sarcină, forţează v 0 să urmărească v1 până la saturarea tranzistorului (vezi
4
clasă B. Modul de lucru a etajului în clasa B poate fi mai uşor înteles dacă se consideră semnalul fig. P l .20f). .
de intrare de formă sinusoidală (suprapus peste potenţialul continuu V1 ). Fiecare tranzistor Dacă v
I
scade Q4 şi Q5 modifică curentul prin sarcină până când v O = 5V . Mai departe
conduce timp de o jumătate de perioadă ( Q4 în alternanţă pozitivă şi Q5 în alternanţa negativă) un Q funcţionează ca rep etor pe em itor furnizând curent sar cinii, iar Q4 conduce un curent foarte
5
curent care se închide prin sarcină. mic.
Caracteristica din fig . P l .20f pune în evidenţă o zonă de mărime 2V RE (centrată pe
f) în fig. Pl.20g circuitul analizat în această problemă (vezi fig. P l.20a) este plasat în
v1 = V1 ), unde Q4 şi Q5 sunt simultan blocate şi curentul de sarcină rămâne nul. Această zonă structura unui amplificator ca etaj final. El nu modifică câştigul în tensiune ( Q1 şi Q4 sau Q5
determină apariţia distorsiunilor de racordare (de trecere) tipice etajelor în clasa B. funţionează ca repetoare de tensiune), dar sporeşte semnificativ capabilitatea în curent pe sarcină.
62 Circuite electronice fundamentale - Probleme
+Vcc
R1
R9 vi
CAPITOLUL 2
c„T Q4
Ra
]
Rg
Vg: 'v R1
Q3
R3
K Vo
R4
ClR,
AMPLIFICATOARE CU REACŢIE
BREVIAR
R2 • Reacţia negativă este larg utilizată în amplificatoare datorită unor avantaje

R5
R6 importante şi anume:
stabilizează câştigul la modificările paramt:trilor dispozitivelor semiconductoare
din structura amplificatorului, la variaţiile surselor de alimentare, la variaţiile de
Q5 temperatw-ă, etc;
extinde semnificativ banda de frecvenţă a amplificatorului;
modifică convenabil rezistenţele de intrare şi ieşire;
reduce distorsiunile semnalului util şi nivelul de zgomot.
Aceste avantaje sunt acompaniate de două limitări :
reducerea câştigului (amplificării) în ac.eeaşi măsură în care se extinde banda şi/sau
se modifică rezistenţele de intrare/ieşire;
posibilitatea de autooscilaţie datorită prezenţei unei căi prin care semnalul se
Fig. Pl.20g întoarce de la ieşire la intrare.
• Configuraţia ideală de amplificator cu reacţie (AR) este dată în fig. 2.1. Semnalele
Reţeaua de reacţie negativă realizată de R10 şi Ru are dublu rol: s.~ , s;, s1 , etc. pot fi tensiuni sau curenţi. Circuitul conţine amplificatorul de bază (AB), prin
- în curent continuu fixează potenţialul la ieşire la jumătate din valoarea tensiunii de care semnalul circulă (după cum indică săgeţi.le) de la intrare la ieşi.re şi reţeaua de reacţie (RR)
alimentare. Rezistenţele R7 şi R8 sunt egale şi ca urmare tensiunea continuă pe intrarea prin care semnalul se întoarce la intrare (vezi, din nou, săgeţile).
neinversoare a amplificatorului operaţional este Vcc/2. Cum v+ =V- =Va (curentul prin Ru r------- ------- ------ -- --,
AR
este neglijabil) rezultă Va = Vcc/2 .
- în regim dinamic RJ() şi Ru fixează amplificarea de tensiune la valoarea: AB Sarcina
a RL
R
A,.=J+.....lL
Rw
Aplicaţie numerică: R7 = R8 = 50k.Q, R10 = Jk.Q, R9 = 75k.Q, Ru = JOOk.Q. Rezultă RR
Sf r So
A,. = 101. De asemenea, reacţia reduce distorsiunile semnalului de ieşire.
L------------- --- --------
Fig. 2.1
AB are amplificarea a, iar RR funcţia de transfer f de obicei liniară ( depinde numai d,..
rezistenţe) nmnită factor de reacţie. Configuraţia din fig. 2.1 este ideală căci AB şi RR sunt
independente ( câştigul a şi factorul f nu se modifică când AB şi RR sunt conectate pentru a realiza
AR, respectiv separate unul de altul). Această independenţă atrage denumirile: circuitul a pentru
AB şi circuitul f pentru RR. Reacţia este negativă când în comparatorul (C) se face diferenţa
semnalelor s 8 şi s I astfel încât:
(2.1)
64 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 2 -Amplificatoare cu reacţie 65
Ecuaţia fundamentală a amplificatorului cu reacţie este: din fig. 2.1 sunt noduri) sau pe buclă (C şi CE sunt bucle) rezultând patru configuraţii de AR
denumite:
A=.:.!!.= a =-a- (2.2) p-p, paralel - paralel sau comparare şi eşantionare în nod;
s8 l+a·f l+T
s-s, serie - serie sau comparare şi eşantionare pe buclă;
şi se deduce uşor având în vedere relaţiile de definiţie a = sO / s; şi f = s f / s" şi ecuaţia (2. l ). p-s, paralel - serie sau comparare în nod şi eşantionare pe buclă;
• Transmisia pe buclă este câştigul în jurul buclei de reacţie (redesenată în fig. 2.2a). s-p, serie - paralel sau comparare pe buclă şi eşantionare în nod.
Topologia paralel la intrare/ieşire presupune că intrările/ieşirile AR şi RR sunt conectate
T =a· f (2.3)
în paralel (între nodul de intrare/ieşire şi masă); mărimea ce se compară/eşantionează este curentul,
este o mărime adimensională. Reacţia este: iar mărimea comună este tensiunea. Pentru generatorul de semnal este necesară echivalarea paralel
>
- negativă dacă T O , deoarece câştigul se diminuează IAI < !al ; (fig. 2.1).
- pozitivă dacă -1 < T <O, caz în care IAI >!al; Topologia serie la intrare/ieşire corespunde dispunerii în serie, pe o buclă (care conţine şi
generatorul de semnal la intrare pentru care se foloseşte echivalarea serie (vezi fig. 2.1), respectiv
- pozitivă dacă T = -1 , caz în care AR devine oscilator (A ~ oo). sarcina la ieşire) a intrărilor/ieşirilor circuitelor AB şi RR. Acum mărimea ce se
Sft, Sf S compară/eşantionează este tensiunea iar mărimea comună este curentul.
T=a·f=-·-=...!!.!!... • Câştigul A (vezi ecuaţia (2.2)) este definit prin raportul:
sf sft, sft,
mărimea comună la ieşire
A= mărimea generatorului
AB
a So
cu precizarea că mărimea generatorului este tensiunea v8 în cazul unei configuraţii serie la intrare
© @
V
sau curentul ( i = - 8 ) pentru o topologie paralel. Îh tabelul 2.1 se indică tipul câştigului A
RR 8
f So
Rs
Sf
pentru fiecare topologie de AR. Amplificarea a este de acelaşi tip cu A, după cum se precizează în
(a) tabel. În funcţie de tipul amplificării rezultă factorul de reacţie astfel încât transmisia pe buclă să
fie adimensională (tabelul 2.1 ).
© AB RR Sf _ s sf sf
Formulele pentru rezistenţele de intrare/ieşire din tabelul 2.1 arată că topologia serie
0
T-af= -·-=- determină creşterea acestor rezistenţe iar configuraţia paralel diminuarea lor.
a r S; so S;
• La AR reale, circuitele AB si RR nu sunt independente. Teoria reacţiei negative
(TRN) stabileşte modalitatea prin care plecând de la schemele AB şi RR se obţin circuitele
(b) independeifte a şi f pentru care sunt valabile relaţiile (2.1) - (2.4) şi formulele pentru R; şi R0 din
@ AB RR
tabelul 2.1.
Sfa • Algoritmul de analiză a AR pe baza teoriei reacţiei negative are următoarele etape:
a r ~ Se desenează schema de cc a AR şi se determină psf-urile şi parametrii dinamici
ai dispozitivelor ( gm, rtr ,etc.);
Sf ~ Se desenează schema de ca a AR pe care se identifică:
• nodurile de intrare (I) şi ieşire (O), (unde sunt conectate generatorul, respectiv
(c) sarcina);
• elementele reţelei de reacţie negativă (RR), sau o parte din ele (sunt elementele
Fig. 2.2 AR prin care o parte din semnalul de ieşire se întoarce la intrare).
~ Se stabileşte topologia de reacţie la intrare şi ieşire, deci, tipul reacţiei. Astfel:
În fig. 2.2 se indică două noduri unde poate fi întreruptă bucla pentru a determina • dacă RR este conectată la borna I, la intrare avem o configuraţie paralel/nod,
transmisia T (se indică în fiecare situaţie relaţia de calcul pentru 'I). Condiţia T J înseamnă >> mărimea comună fiind tensiunea V; . Pentru generatorul de semnal trebuie
reacţie negativă putemică, situaţie în care din relaţia (2.2) se obţine:
utilizată reprezentarea paralel;
A:I_ (2.4) • dacă RR nu e conectată la nodul I, la intrare este o configuraţie serie/buclă,
f
mărimea comună este curentul i; . Dacă i; nu este mărimea comună pe circuitul
Cum uzual f depinde numai de rezistenţele din RR, elemente stabile şi de valori precise, şi
câştigul A este, datorită reacţiei, bine definit şi uşor de controlat/modificat. de intrare se fac echivalări, folosind teoremele electrotehnicii, pentru ca i; să
• Topologiile de AR rezultă ţinând cont de modul de comparare la intrare respectiv devină mărime comună. Pentrn generatorul de semnal trebuie utilizată
tipul de eşantionare la ieşire. Compararea/eşantionarea se poate face în nod (caz în care C şi CE reprezentarea serie;
CAPITOLUL 2 -Amplificatoare cu reacţie 67
• Cu teoria reacţiei pentru fiecare topologie se determină conform tabelului 2.1 o
• dacă RR este legată la borna O, configuraţia la ieşire este paralel/nod. Mărimea
anumită amplificare. Orice altă amplificare poate fi dedusă ulterior folosind relaţiile
c0mună la ieşire este tensiunea VO ; generale între aceste mărimi.
• ·dacă 1lR nu este legatăla borna O, atunci configuraţia la ieşire este serie/buclă.
lMărimea comună este curentul i0 • Dacă i0 nu e mărimea comună, cu teoremele Tabelul 2.1
.electrotehnicii, se modifică circuitul de ieşi.re astfel încât i0 să devină mărime Tipul
f a A Ri Ro
,comună. eaţtiei
> Se !Eles:enează separat circuitul RR pe ,care se calculează:
• factill111 de reacţie: iif
f.v=- a = voa A z.g =~ R':-1 = ,.I-1 ·( 1 + T )-R-1 1 1
f =,m.n.i.l p-p
Vof
z .
l!/
.
lg
I g R; = r;; ·( l +T )- K;_1
1·/f=O
,mu:.o. m.c.i.=O
• renstenţa de intrare:
vif io
' s-s fz =-.- a=~ = - Ri = r; ·( 1 + T )- R8 R0 =r0 ·( l+T )-RL
'11ul
'if = . ' 1 .V A y.g
vg
oJ · =O
'if
vs
ii/
. ;, rn.c.o.=O
~
• rezi~ţattle ieşire:
i
p-s /; = a.=..!!!!.. A,,g= ~
. R':-1 = ,I -1 . ( 1 + T )- R-1
!/ R0 = r0 ·( l + T )- R L
. I ' I
,f lg lg
'of= vif=O
,n.c.i.=O
..
~
unde:
m.c.ih- mărimea c-OOPMi(tle intrare/ieşire; s-p f,, = a = voa A v,g =~ Ri = r; ·( 1 + T )- R
V 8 R; 1 = r,;1 ·(] +T ) -K;_1
m.n.i...lo- mărimea necammâ de intrare/ieşire. . -=()
tif
vg vs
)> Se stabilqk: ·schema circuitulw :a denumit şi talţ/1/jficator în buclă riles.chisă
(ABD). PalR111 aceasta amplifialtorul de bază -AB ~ este ceea ce rămâne din
AR după îndq>ărtarea RR) se ooavtletează: PROBLEME
• la intrare cu R 8 şi rif care se diivlun:
- în paralel. mtre nodul / şi masf clacă configuraţia la iattrare este paralel; Problema 2.1. Determinaţi efectul reacţiei negative asupra rezistenţelor de intrare şi
- în serie cu iatrarea AB, în cazul in care configuraţia la iintrare este serie. ieşire la o structură ideală de amplificator cu reacţie (AR). Aplicaţie numerică: T = 35,
• la ieşire cu RL şi r01 care se di.spam: ri =l,8kd, r0 =190.Q ( r; şi r0 rezistenţele de intrare şi ieşire ale amplificatorului de bază).
- în paralel întR: nodul O şi masă dacă configuraţia la iqilie este paralel; Generatorul de semnal se consideră ideal.
- în serie cu ieşirea AB dacă configmaţia la ieşire este serie.
Circuitul a se atacă cu un generator ideal: REZOLVARE
- de curent ( i8 ) in cazul în care configuraţia la intrare este paralel; În cazul structurii ideale de AR, amplificatorul de bază (AB) şi reţeaua de reacţie (RR)
sunt independente şi coincid cu circuitele a şi respectiv f. Reprezentările din fig. P2. la, b servesc la
- de tensiune ( v8 ) în cazul în care configuraţia la intrare este serie. determinarea rezistenţei de intrare. În cazul unei topologii paralel la intrare, intrările AB şi RR
)> Pe schema circuitului a se calculează: sunt conectate în paralel (fig. P2. la) iar generatorul furnizează curentul i8 care se compară cu i1 ,
.fi m.c.o.
• ampI1 1carea: a = - - ; cmentul de intrare în RR ( i; =i8 - i1 ). Rezistenţa de intrare în AR este în acest caz:
m.g.
• rezistenţele de intrare/ieşire: r; I r0 • vi
V· i, V·
Se determină mărimile asociate AR (vezi Tabelul 2.1 ): R-' =.....!..=--'
. .- = - 'i -
)>
.
• transmisia pe buclă: T = a · f ; lg li+ l i 1 + .L
i;
• amplificarea: A= _a_ ·
l+T ' Cum ri = vi I ii şi T =i I I ( sunt rezistenţa de intrare în AB respectiv transmisia pe
• rezistenţele de intrare/ieşire: R; I R0 • bucla AR (formată din AB şi RR) rezultă:
Observaţii R. =...!L.
• · T e o mărime adimensională. Pentru reacţie negativă trebuie T > O. I l+T
Pentru o topologie serie la intrare, intrările AB şi RR sunt dispuse în serie pe o buclă ce S-a avut în vedere că r0 = v oa I i 0 şi T = vof I v,w . Relaţiile obţinute arată că o topologie
mai include şi generatorul de semnal care furnizează tensiunea v 8 (fig. P2.l b). Se poate scrie: paralel la intrare/ieşire conduce la reducerea rezistenţei de intrare/ieşire de (1+ T) ori, iar o
R-' = - •
Vg
=
V;+ V f =- V;
·( 1 + -V f) = (1 + T)
r.l ·
configuraţie serie la creşterea rezistenţelor de (1 + T) ori. Numeric se calculează: 1 + T = 36 ,
R; =50.Q pentru topologia paralel la intrare şi R; =6 ,84k.Q pentru configuraţia serie. Rezistenţa
• •
l; I; l; V;
deoarece în acest caz transmisia pe buclă este raportul: de ieşi.re are valorile R 0 =64,Bkfl şi R 0 = 5,27Q pentru topologiile serie, respectiv paralel.
vf
T=-
V;
Problema 2.2. Determinaţi amplificarea de tensiune, rezistenţa de intrare şi de ieşi.re
pentru amplificatorul cu reacţie din fig. P2.2a. Tranzistoarele bipolare au aceiaşi parametri:
ig . i I·
IV0E l= 0,6V, PF = P0 =200, rb=OQ, r0 = rµ~ oo. Tranzistorul TEC-J, Q5, are următorii parametri:
-"7 : -4 ~ 1 -4 V1r= -1V, Ivss =3mA, rds~ oo. Dioda Zener, Dz, are parametrii: Vz = 3,6V, I1,n,;n =lmA, Rz = OQ.
Generator
+ AB + AB Celelalte elemente ale schemei au valorile: R,= lkQ, R 2 =3kQ, R 3 = 0,6kQ, R4 =0,15kQ, Rs= 0, 3kQ,
vi Generator vi
a a Rg=O,lkQ, RL= 3kQ, Vcc- 14V.
so so
~
+ RR + RR
R-P:I :
Vr
f RP: I :
Vr
f
Fig. P2.la F ig. P2.lb
Pentru rezistenţele de ieşi.re se folosesc reprezentările din fig. P2. l c şi d. Generatorul de

la intrare s-a transferat la ieşirea amplificatorului cu reacţie . Pentru o topologie paralel la ieşire
(fig. P2. l c) acesta injectează în AR curentul i0 • Rezultă:
vo
Ro =~ = ioa ro f
. .
V()
. = - -- = --
10 •• 10 " + 1,,J iof 1+T
1+-
Fig. P2.2a
unde, r" =v O I i0 a este rezistenţa de ieşire din AB iar T = i01 I i 0
" , transmisia pe buclă. În cazul
unei topologii serie la ieşire (fig. P2.ld) se obţine : REZOLVARE
~
Ro = o = . V o. ~. (1 + of )
V = ro . (1 + T)
10 10 " + 1,,J 10 " V"" Se vor considera t:ranzistrnuele bipolare în RAN , dioda zener în stabilizare şi TEC-J în
=
saturaţie. Tranzistorul Q 5 are: V0 55 ;;;; OV . În consecinţă: I v s = I vss5 ;;;; 3mA şi I D5 Ic 1 = 3mA
~ =~
: ia
~ ~ (s-a considerat I 85 << I D5 ).
AB + + G enerator
AB + + G enerator Pentru tranzistorul Q4 :
Voa Vo Va, Vo
a a
_ V z -VBE4 - lOmA
l c4 - -
R5
J2f ~ Pentru tranzistorul Q 3 :
RR + RR + Vz -VBEI
r Vof ~ r -Vor ~
: R lc3 ;;;; f c4 + (
- : Ro : o R3
Ultimul transistor Q2 are:
Fig. P2.lc F ig. P2. ld - 4mA
1C2 -- V EB3
-
R4
Curentul de polarizare al diodei Zener este:
=
Iz I c 2 =4mA >> I Zmin (s-a presupus I 81.4 << I C2)
Pentru calculul tensiunilor continue de la ieşirea tranzitoa1ilor se folosesc ecuaţiile:
VcEJ= Vcc -VEB3 -VEB2 -Vz + Vsn = 9,8V
VEC2 = Vcc - Vz -VEB3 = 9,8V
VcE4 =Vz -VBEJ +R2 {Vz ~~BEJ -lc1 )-R5 ·lc4 =6V
V EC3 = Vcc - V CE4 - R 5 . ] C4 = 5V

,., = ~"'I
1
oJ •·v=O
=R, =3ki1
V DS5 = V EB3 + VEB2 = 1,2V Schema amplificatorului în buclă deschisă (circuitul a) este prezentată în fig. P2.2d.
Toate tranzistoarele bipolare funcţionează în RAN şi tranzistorul TEC-J în regim de
saturaţie.
Jsi ~
Parametrii de interes ai tranzistoarelor în regim dinamic sunt: +
=
Q1: gm1=l20mA/V, rm l,7kQ; Q2: gm2= 160mAIV, rnJ= l,3kQ; Q3 : gm3 =480mA!V, ~
Q3
rm= 0,4kQ. .!i4 Q2
+
Rg fof Rt v••
Analiza în curent alternativ (regim dinamic)
fjf R3
Schema de regim dinamic a circuitului din fig. P2.2a este prezentată în fig. P2.2b. Q4 nu R1
apare în schemă. Acest tranzistor are baza şi emitorul (prin R 5) legate la masă în regim dinamic iar
rezistenţa "văzută" în colector este infinită (r;= rµ -> oo).
f ... î
Fig. P2.2d
La intare s-a făcut o echivalare Norton a subcircuitului format din generatorul (vg, Rg) şi
1+ rezistenţa R1• Rezultă:
, I
I
I
. vg
I '8 =
I R 8 +R1
I Vo
I
I Pe schema amplificatorului din fig. P2.2d se determină:
I
I
I
r;a·"=~-ia :(Rg +R1~hrllR1IIRebl :Rebl =-1-=8,3.il
'f 18 • 8ml
'ot1•0
AR
Fig. P2.2b
Bucla de .reacţie, (calea prin care o parte din semnalul de ieşire se întoarce la intrare)
formată din R 2, este legată la nodurile de intrare (I) şi ieşire (O). Ca urmare, amplificatorul (AR)
delimitat în fig. P2.2b are reacţie negativă paralel-paralel. Pe fig. P2.2c, unde s-a reprezentat
reţeaua de reacţie, se obţin următorii parametri:
iif R2 ior
~ :-2690k.il
+ + Mărimile caracteristice pentru amplificatorul cu reacţie sunt:
T = azg · f y = 895
1
R;a = ~;~ · (1 + T)-(Rg + R 1f
1
j 1 =9,3m.il
Fig. P2.2c
R 0 u =kf ·(l+T)-Rz
1
t1 ::1,7.il
lm =lossJ =8mA; 104 =lvss4 =16mA

Azg = ~ = ~ : : - R2 =-3k.Q Regimul static al lui Q 5 este descris de sistemul de ecuaţii:
i8 l+T
2
Intrarea în amplificatorul real nu coincide cu intrarea amplificatorului cu reacţie (datorită Vcs 5 )
l05=fvss· ( 1 - ~ : Vcs5=-Rs·los
rezistenţei R 1 cuplată în serie cu generatorul de semnal fig. P2.2b). De aceea:
V·
R; =-f-=Rici +R1 =R1 =lk.Q cu soluţia:
l; ! 05 =4mA; Vcss =-]V
Ieşirea amplificatorului cu reacţie coincide cu cea a amplificatorului real. Rezultă: Curentul de drenă al tranzistorului Q 1 este: I 01 =I 05 (s-a neglijat I 86 ). Rezultă curentul
R0 =l ~ol0 ·
.
=Roa =],7.Q
de drenă al tranzistorului Qz:
! 02 =1DJ-Io5 =4mA
· i, =O
Câştigul în tensiune este:

deci: Vcs1 =Vcs2 =-IV
Pentru tranzistoarele Q7, Q6 :
l
A„8 =
t R
L
vo ig ·
=-;--·-=Azg
18 v8
1
·---=-2,7
· R 1 +R8
Ic7 =1 04 =16mA
Ie7
lc6 =-=0,08mA
Observaţie PF
Pentru calculul tensiunii V0 SJ se foloseşte ecuaţia:
Dacă la intrarea acestui amplificator se cuplează un generator cu Rg<<R1 atunci
amplificarea în tensiune este dată numai de raportul rezistenţelor R2 şi R1 .
Vcc = R3 · 1C7 +
R1 + R2 ( )
. VDS 3 + VGS 1
R1
Problema 2.3. Determinaţi amplificarea de curent, rezistenţa de intrare şi cea de ieşire (s-a neglijat curentul prin rezistorul R1 ). Rezultă:
pentrn amplificatorul cu reacţie din fig P2.3a. Tranzistoarele TEC-J au următorii parametri: Q1,
R1
Q2, Q4, Q5: (Vr=-2V, 1nss=16mA, r,,.~ C1J), Q3 : (Vr=-2V, lvss=8mA, rd.,~ C1J). Tranzistoarele Vvs1 = ·(Vcc -R3 ·Ie7)-Vcs1 =9V
I
bipolare au aceiaşi parametri: VBJ, l=0,6V, PF= P.=200, rb=OQ, r 0 = rµ~C1J. Celelalte elemente R1 +R2
ale schemei au valorile: R 1=R/=50kQ, R 3 =0,5kQ, R4 =JMQ, R 5 =0,25kQ, Rg=50k Q, RL=2.Q, De asemenea,
Vcc= 24V Vvs2 =Vcc -VvsJ =15V
Vvs4 =Vvs1+Vcs2 =8V
V EC?=Vcc - R 3 • I C7 - Vvs 4 = 8V (s-a neglijat curentul prin rezistorul R 1)
v:c6 =Vcc -R1 · 1 c7 -VEB7 = 15,4V
Vvss = R3 · Ie7 + VEB7 + VEB6 +Vcs5 = 8,2V
Vos1 =Vvs2-Vos5+Vcs5 =5,8V
Valorile obţinute arată că toate tranzistoarele bipolare funcţionează în RAN ş1
tranzistoarele TEC-J în regim de saturaţie.
Coo coo Parametrii de interes ai tranzistoarelor în regim dinamic sunt: Q1: g"' 1=8mAIV; Q1 :
+I
lRL
1
gmz=8mAJv, Rsd2 = - - = 0,125k.Q.
gm2
Rg vi Q4
f Schema de regim dinamic a circuitului din fig. P2.3a este prezentată în fig. P2.3b.
Reţeaua de reacţie negativă include R 1 şi nu este conectată la nodul de ieşire (O). Ca urmare,
Fig. P2.3a topologia la ieşire nu este paralel. O topologie serie propriu-zisă se obţine la ieşire după includerea
rezistenţei R 4 în sarcină (sarcina echivalentă devine R~ = RLIIR4 ). Pe de altă parte R 1 este cuplată
REZOLVARE la nodul de intrare (I). În consecinţă, amplificatorul din fig. P2.3b are reacţie negativă paralel-serie
Analiza de curent continuu (R,dz este rezistenţa echivalentă a tranzistorului Q2 pasiv din punct de vedere al amplificării) .
Configuraţia serie la ieşire solicită includerea rezistenţei R 3 în reţeaua de reacţie (fig.
Tranzistoarele Q3, Q4 au VcsJ = Vcs4 = OV . În consecinţă: P2.3c). Pe schema din fig. P2.3c se obţin următorii parametri pentru RR:
. • • V
loa 11,7 1dJ gs l V;,,
= - · - · - - ·- - · -
1
aig =(- /J 7 ) · /Jo6 · 8 ml · J
0 R · r;a =-2672000
+gml' sd2
Mărimile caracteristice pentru amplificatorul cu reacţie sunt:
T = a;8 · /; =26720
I
R;a = k 1
· (1 + T)-R; 1 t1 =60m.Q
I
I
I
Roa = roa. (1 + T)-RL IIR4 =oo
I
li;: io O . =iE_=~=-
A,g -
R3 +R2 =-100
-
+ I + ig J+T R3
I
I Intrarea în amplificatorul real coincide cu intrarea amplificatorului cu reacţie, astfel că:
Rg V; I R4 Vo RL V·
=-!- = Ria =60m.Q
f f
R;
I; ..
Ieşirea amplificatorului cu reacţie nu coincide cu cea a amplificatorului real. Aplicarea
teoriei reacţiei a fost condiţionată de echivalarea R~ = RLIIR4 . Astfel spus, ieşirea AR este şuntată
de R4 (vezi fig. P2.3b). Ca urmare:
AR R0 = ~o I = R4IIR a =0,5k.Q
0
Fig. P2.3c ~i=O

Fig. P2.3b
'
Schema amplificatorului în buclă deschisă (circuitul a) este prezentată în fig. P2.3d. Problema 2.4. Pentru amplificatorul cu reacţie din fig. P2.4a tranzistoarele au aceiaşi
parametriJV0El = 0,6V, fJp = /J,.=200, rb=O, r = r,,~ oo. Elementele schemei au valorile:
0
R1 R 1=0,7kQ, R2 =0,5kQ, R.i=180kQ, R4 =0,3kQ, R:, =R6 =lkQ, Vcc= 12V. Determinaţi amplificarea
~ . de tensiune, rezistenţa de intrare şi de ieşire.
+
Q7
Voa
for
f
Fig. P2.3d Fig. P2.4a
Ţinând cont de topologia paralel de intrare, circuitul a s-a atacat cu generator ideal de REZOLVARE
curent. Pe schema amplificatorului din fig. 2.3d se determină:
r.Ul =
~' vn ll=D bază:
Pentru curenţii de colector ai tranzistoarelor Q1, Q2 rezultă (neglijind efectul cmenţilor de
l 8 .1<<Ic1, 18 2 << Ic:,):
76 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 2 - Amplificatoare cu reacţie 77
VE83
I CI = - - = 2mA
R4
şi I CI =I EI = I E2 =I c2 =2mA ----=
1
2
Potenţialul în punctul median al divizorului de tensiune format de R 1 şi Ri, presupunând
11u>>ly 1 este:
R2
VR2 = . Vcc = 5V
R1 +R2
VR2 vof
I Rl =-- = JOmA >> I 81 = O,OlmA r01 =-.- =R 5 +R6 =2kf2
R2 tof ·
'if~o
Presupunând le3 > > lyz rezultă:
Amplificatorul în buclă deschisă (circuitul a) este prezentat în fig. P2.4d. Semnalul de
- VR2 - ( ; ; ·R3 +VBEJ +VE82) intrare este dat de un generator ideal de tensiune deoarece topologia reacţiei la intrare este serie. Pe
schema din fig. 2.4d se determină:
lc3 - = 2111A >> ! 82
R6
Pentru tensiunile Vrn se obţine:
VcEJ =Vcc -(VEB3 + VEB2 + VR6 )= 8,8V
VEc2 =Vcc -(VEB3 +VcE1)=2,6V
VEc3 = Vcc -(Rs + R6 )· lc3 = 8V
Se verifică funcţionarea în RAN a tuturor tranzistoarelor.
Parametrii tranzistoarelor în regim dinamic sunt aceiaşi: g"'=80mA/V, r"= 2,5kQ.
Analiza de curent alternativ (regim dinamic)

Schema de regim dinaf!liC a circuitului este prezentată în fig. P2.4b. Bucla de reacţie, care
include rezistenţele R 5 , R 6 şi tranzistorul Q6 , este legată la nodul de ieşire (O) şi nu este conectată
la nodul de intrare. Astfel, circuitul delimitat de verticalele punctate este llll amplicator cu reacţie
negativă serie-paralel. Generatorul de semnal este o sursă ideală de tensiune v , suplimentar ~ ~
încărcată cu circuitul de polarizare R1 - R3 . Sarcina amplificatorului este o rezi~tenţă infinită !.124 Q3
+
(circuitul funcţionează în gol). e. ~ Voa

Reţeaua de reacţie este desenată în fig. P2.4c.
+
vi f of
rif R4
1. f f
li o
I Îi Fig. P2.4d
I
I +
+ I
+ Q3 I
I
Vo
V; R4 I
T =avg · f v = 1OOO
f f R;a = 'ia · (1 + T) =5,5Mf2

RO(l =~=2f2
/+T-
A =~=....s:._=_!_=l+R5 =2
vg Vg J+T fv R6
AR Amplificatorul real are intrarea şuntată de circuitul R, -R.i (vezi fig. P2.4b). Din acest
Fig. P2.4b Fig. P2.4c
motiv rezistenţa de intrare în circuit (văzută de generatorul vg), are valoarea:
R; =Riali(R3 +R1IIR2 ):180kf2
Pe fig. P2.4c se calculează: Prezenţa circuitului de polarizare în paralel pe generatorul ideal de tensiune nu modifică
tensiunea de intrare în amplificatorul cu reacţie şi nici câştigul acestuia.
Problema 2.5. Determinaţi amplificarea de tensiune, rezistenţa de intraTe şi de ieşire VcEJ =Vcc -VcE2 + V8 E2 = 10,4V
pentru amplificatorul cu reacţie din fig. P2.5a. Parametrii dispozitivelor active sunt:
Vvs4 = Vcc -VcEJ = 9,6V
Qu./ (I Vw,: I=0,6V, ~ ;·= /J,,=300, rb = OQ, r = rµ~CYJ); Q/ (V1' =-2V, I1>SS= 3mA, rd,~); D 1, D 2 :
0
Toate tranzistoarele bipolare funcţionează în RAN iar Tranzistorul TEC-J funcţionează în
(Vn = 0,6V, r,1 = OQ); Celelalte elemente ale schemei au valorile: R 1= 4kQ, Ri =2kQ, R 3 = 40kQ,
R 4= lkQ, R.,= 3kQ, RR = O,JkQ, R1. = JOkQ, Vcc= 20V
regim de saturaţie.
Parametrii de interes ai tranzistoarelor în regim dinamic sunt: Q 1: g"' 1= 120mAIV,
r,r1=2,5kQ; Qi: gmi=400mA/V, rm=0,75kQ; Q.i: gm 3=8mAIV, rm=37,5kQ.

Q4 Schema de regim dinamic a circuitului din fig. P2.5a este prezentată în fig. P2.5b. Q4 nu
apare în schemă având rezistenţă infinită în regim dinamic. Analizând circuitul rezultă că acesta
Q2 este un amplificator cu reacţie negativă paralel-paralel deoarece bucla de reacţie constituită din R 3
Coo R1 coo şi Q3 este cuplată la nodurile de intrare şi ieşire. Topologia paralel la intrare solicită pentru
Ql aplican:a kurit:i reacţiei includerea lui R 1 în rezistenţa generatorului.
+ + Pentru gruparea (vi:, Rw R1) se foloseşte echivalarea Norton. Parametrii acestui generator
echivalent de curent sunt:
Vi Rs Vo R1 . Vg
lg =
R 8 +R1
î f R~ = R 1 + R 8
Fig. P2.5a Reţeaua de reacţie a amplificatorului este detaliată în fig. P2.5c.Din fig. P2.5c se obţin
următorii parametri pentru circuitul f:
REZOLVARE
Tranzistorul Q 4 are Vcs4 =OV. Rezultă:

I D4 = I vss = 3mA
Pentru Q3 ( considerând I Bi << I C3) se calculează:
VBEJ
lc3 =Rs=0,2mA
Diodele D 1 şi Di sunt în conducţie. Rezultă V Dl = V 02 = V O . Pentru determinarea

curentului de colector al tranzistorului Qi se scrie ecuaţia:
2Vv +VEB3 +R3 ·lc3 =R4 ·(lc2 -lc3) Q2
Rezultă: I ci = I Om.A . Ii; Îo O
Considerând I 82 << I 04 rezultă: + +

Vo
V; Rr:
I Ci =I D4 = 3m.A
Diodele D 1, Di sunt polarizate direct la curentul:
Vcc - 2Vv
f
R4
I
!Dl = 1 02 _ = 9,4mA R3
R2 Q3
AR
Pentru verificarea funcţionării în RAN a tranzistoarelor bipolare, respectiv în saturaţie a
TEC-J se folosesc ecuaţiile: Fig. P2.5b Fig. P2.5c
VcE2 = Vcc -R4 ·(!ci - Ic 3 )= 10,2V
Schema amplificatorului în buclă deschisă (circuitul a) este prezentată în fig. P2.5d. Pe
VEc3 = R4 · (I c2 -I C3 ) - R 3 · I C3 -V8 El = 1,2V
schema amplificatorului din fig. 2.5d se determină:
Răspuns
PSF-ul nu se modifică. Transmisia pe buclă scade foarte mult (scade la aproximativ 10

faţă de 940) şi în consecinţă performanţele amplificatorului (amplificare controlată numai de
raportul R/ R1 şi rezistenţe de intrare şi ieşire foru.1e mici) se degradează.
+
Problema 2.6. Să se calculeze amplificarea de tensiune, rezistenţa de intrare şi cea de

ieşire pentru amplificatorul cu reacţie din fig. P2.6a. Pentm tranzistoare se cunosc Q1, Q1 : (V1.= 1V,
1
k,12=lmAIV1, r,l,=oo); Q.1 , Q6 : {V1.=1V, k/2=20mA/V1, r,,.= 00) ; Q4 : (V1r]V, k/2=2mAIV , rd.,=ooJ;
f rl
Q.i: (VrlV. k/2=JOmA/V1, r,,,=oo); Q7: VBI:' l=0,6V, A= f3o~200, rb=OQ, r,,=JOOkQ, rµ~oo) .
Fig. P2.5d Dioda Zener Dl are: Vz=2V, 1:t.,;.= lmA, Rl = OQ. Elementele pasive ale schemei au valorile:
R1=10MQ, R1=2MQ, R 3=10MQ, R 4=15MQ, R 5=30MQ, R6=0,6kQ, R7= JkQ, RL=JOOQ, Rg=5MQ,
Vcc.:= 24V.
ra = ~ oa I
0 =R4 llr 1 IIR =1kfl
0 L
1,w i =O
•
S-a avut în vedere că Rec2 = r,c 2 + rol ~ oo.
/3o +1 +
,..
Vo
r 4
= l-R li r,1 liRL )· (""'/302 )(-1 )· /301 · • R~ IIR5lhr =-37670
.
Rg 11 R5 11 rif + Rbel
î
Mărimile caracteristice amplificatornlui cu reacţie sunt:
T = a zg · f_v 940= Fig. P2.6a
1
R;a =k ·(l+T)-R; t1 =.lfl 1 &
REZOLVARE
R0 a =k~ ·(l+T)-R_z t1 =.Jfl 1 Analiza de curent continuu

Tranzistoarele Q4, Q5, Q6 au:
A =~=~=-R3 VGs4 = VGs5 = VGS6 =Vz = 2V
zg ig l+T -
În consecinţă:
Avg =~=~·~= • -
R3 ---- R3 =-10
1D4 = 5!... (VGs -Vr )2 = 2mA
vg 18 v8 R1 +R8 R1 2
Amplificatornl real are intrarea influenţată de circuitul de polarizare. Din acest motiv În acelaşi mod rezultă:
rezistenţa de intrare în circuit văzută de generatorul real vg, are valoarea: 1D5 = JOmA; I D6 =20mA
R; =R1 +R;a :4kfl Neglijând curentul de bază al tranzistorului Q 7 şi curentul prin R 5=30MQ rezultă:
Rezistenţa de ieşire a amplificatornlui real coincide cu cea a amplificatornlui cu reacţie. I D5 = I C7; I D6 =1 D3
Ca urmare: Pentru tranzistoarele Q1, Q1 se obţine:
R0 =R0 " =.lfl V
I Dl = EB7 =lmA; I D2 = I D4 - I Dl = lmA; VGSJ =VGS2 =2V
Observaţie
R6
Cw-entul diodei Dz este:
înlocuiţi tranzistorul Q4 cu o rezistenţă de 3,2kfl . Observaţi efectul acestei modificări
1 Dz =
Ycc -Vz = 22mA > I Zmin (rezultă că Dl funcţionează în stabilizare).
asupra performanţelor circuitului.
R7
Pentru determinarea tensiunilor Vvs şi VCE se folosesc ecuaţiile : Din fig. P2.6c se obţin următorii parametri:
R2 V if V if . .!.!il_ . V gs 2 . !.!i_
VDS4 = Vcc . - VGS I = 2V J,. = -
R2 +R1 vof . -o ( 12 Vgs2 i,,f vof
'if -
Vvs1 =Vcc -VEB7 -Vvs4 = 21,4V
1 1
Vvs2 =Vcc -Vvs4 =22V
3
V DS6 = R5 +R4 . ( Vcc . R2 + VGS I - VGS 2 ) = 12V

R4 R2 +R1
VvsJ =Vcc -VDS6 =12V
VEC7 = VDS3 - VGS3 = 1ov vof
r,1 =-.- =R4 + R 5 =45MQ
Vvs5 =Vcc -VEc7 = 14V 1
vJ 'lf~o
·
Toate tranzistoarele MOS funcţionează în regim de saturaţie iar cel bipolar funcţionează
înRAN. Schema amplificatorului în buclă deschisă (circuitul a) este prezentată în fig. P2.6d. Se
Parametrii de interes ai tranzistoarelor în regim dinamic sunt: Q1, Q1 : g„ 1= g„1=2mAIV; determină:
Q3 : g„ 3=40mA/V; Q7: g„ 7= 400mAIV, rm=0,5kQ.

Schema de regim dinamic a circuitului din fig. P2.6a este prezentată în fig. P2.6b.
Tranzistoarele Q4 , Q 5, Q 6 dispar din schemă deoarece, în alternativ, sunt scm1circuitate între grilă
şi sursă de dioda Zener Dz iar din drenă către masă au rezistenta rd, care se consideră infinită.
R1
Q3
;o
1+
I
f
I
Q7 ro1 I
I
Fig. P2.6d
I I
I
+ R3 I
:vo R1
Q2 II
V;
R2 R1 I
I
R4 ,-
I
r :f
I
AR I
'
Fig. P2.6b
Din inspecţia circuitului rezultă că amplificatorul (delimitat în fig. 2.6b) are reacţie
negativă serie-paralel. Bucla de reacţie, formată din Q1, R 1, R1• R 4, şi R 5 (desenată în fig. P2.6c) 6
= (ro1 IIR J.gm3' ro( li r (-Po1 )· R · (-gm1)· R3 ·_!_ =7000
este legată direct numai la nodul de ieşire (O). J + g m3 . ruf RL R6 + Rhe7 r;a
iif'
~ T = av8 • f ,. =2333
+ R;a = r;a · (l+T)-R 8 = 58,3GQ
R2
vif'
R0a = [r :,J · (1 + T)- RZ1
0
t1 =0,009mQ
1 1 A,,s = : o = / ;sT =3
Fig. P2.6c. g
Amplificatorul cu reacţie analizat mai sus coincide cu amplificatorul real. În consecinţă,
nu sunt necesare corecţii la calculele de mai sus. VEc4 =VCEs -VBE5 -Vz2 =3V
Vvs1 =Vzi +VEB4 =3V
Problema 2. 7. Determinaţi amplificarea de tensiune, rezistenţa de intrare şi de ieşire =
VDSJ Vcc - V vs 3 - VSG2 - VCE6 - R4 · I C6 3V =
pen~u amplificato~·ul cu re.acţie di.n_?g, P2. 7a~Par~metri tr~istoa~elor sunt: Q1'. Q1, Q3 : ~ V~= J ~ Vsm =Vcc-Vvs1-Vvs1-Vz1 =3,6V
lvss-5mA, ri1,-m), Q4, Q5 • (I V8 E I-0,6V, A,- P0 -200, r1,-0Q, r 0 - rµ~ CX)), D10dele Zene1 D 1 şi
Toate tranzistoarele TEC-J funcţionează în satura/ie iar cele bipolare în RAN.
D 1 au: Vz=2,4V, lz,,,;.=lmA, Rz=OQ. Elementele pasive ale schemei au valorile: R 1=JMQ,
Parametrii de interes ai tranzistoarelor în regim dinamic sunt: Q1: g„1=JOmAIV;
R1=1MQ, R_1=JOMQ, R 4=60.Q, R5= 300Q, RL=JOO.Q, Rg=5MQ, Vc? 12 V.
Q1: g„1=10mA/v,· Q4 : g„r80mAff, r1r4=2,5kQ; Q5 : g„5=1120mA/v, r,?0, J8kQ.
....-~~..-~....-~~...-~~--llf+\lcc
Schema de regim dinamic a circuitului prezentată în fig. P2.7b are o structură similară cu
cea din problema precedentă (a se compara circu~tele din !ig: P2.6b şi_ P2.?b). Rezultă_ ~ă
coo amplificatorul are reacţie serie-paralel. Bucla de reacţie, formata din Q1, R 1 ş1 R1 ş1 reprezentata m
+ fig. P2.7c are următorii parametri:
vif id2 vs,2 ( li ) 1 - J
+ fv = =-. · - · - = R1 R2 '8m2' ( li )=
. _ ld2 Vgs2 Vof l+g m2\R1 R2
'if-0
f 1
Fig. P2.7a
REZOLVARE

Din fig. P2.7a rezultă pentru tranzistorul Q3: Vas3 = OV. Ca urmare:
] D3 = ]DSS3 =5 mA
Tranzistoarele Q1, Q1 , Q3 împreună cu Dz1 sunt dispuse în "serie". Considerând i
-
Qt
I 84 << I 03 şi / 86 << I 02 rezultă: + R3 Îjf Îd2
R1 - -Vgs2 j f
I Dl = I D2 = I DJ = I Zl =5mA > I Zmin (Dz1 în stabilizare) şi VasJ =Vas2 =VGSJ =OV + +~
Presupunând 186< <lz1 rezultă:
Vi Q2 Q2 +
R2 R1 vif R2 R1 Vof
I c6 = Vz1 -VBE6 =30111.A -
R4 1 f 1 1
AR
În ipoteza că I85<<le4, rezultă:
V Fig. P2.7b Fig. P2.7c
I c4 "' ;E5 =2mA = I 22 > I z.min (Du în stabilizare)
5
Schema amplificatorului în buclă deschisă (circuitul a) este prezentată în fig. P2.7d. Pe
I C5 = I C6 - I C4 = 28mA
această schemăse determină:
I
I B5 = --9... =0,14mA << I C4
PF r.-
"' =~g
.
l·
=_l·
-Vgsl
Vgsl
· l ;a
=[(Rs +RJ_i_
R
+(gml +J__)·rif]R3 :15M.Q
3
R 3
Pentru determinarea tensillllÎlor V05 şi VcE se folosesc ecuaţiile: za ioa=O
VcE6 =Vcc · R 2 - Vas1 -Vsa2 -lc6 ·R4 =4,2V r,,r5IIR5 + oo

R1 +R2 ( Reb5 = R ~ oo )
VcE5 =Vcc -VcE6 -R4 ·lc5 =6V

Po + 6 +1
R 5 + r:r
CAPITOLUL 2 -Amplificatoare cu reacţie 87
· l =25200
(Rg +RJJ___+(gmJ +J___)·rif
R3 R3
T = avg · f,. = 25200
Fig. P2.8a
R;a =ria ·(l+T)-R8 :378012
Ro" =~ 0; · (1 + T)-RZJ t1 =3,96m.G REZOLVARE

V Q
A ,·g =-2- = ___::§__ =- 1 Pentru tranzistorul Q4 se observă că: Vcs4 =OV . Rezultă: 1v4 = I vss4 = 2mA. Şi în cazul
V
g
J+T
tranzistorului Q5 tensiunea Vcs5 =OV . Deci, I v5 = I vss5 =8mA.
-24
Neglijând curentul de bază al lui Q1 rezultă: .
I CJ = I D4 = 2mA
..
I +
~ I
I
Potenţialul bazei tranzistorului Q1 are valoarea:
~ Os 1
R
VBJ =vcc. . 2 -R3 . I BJ = 2,6V
I
Q4
~ ~ R2 +RJ
Se poate determina cmentul de emitor al lui Q3 :
+ Rebs
Vjo
r;r R1 IE3 =le3 =lv5 +IR5 =lv5 +(VBJ ;:BEJ -lcJ) = JOmA
Prţsupunând 103< <ICl rezultă:
1 1
VBJ -VBEJ +R5 -( VBJ ;:BEJ -lv4 )+vBE3
Fig. P2.7d
lc2= =2mA:IDJ
R1
Observaţii Pentru determinarea tensiunilor de la ieşirea tanzistoarelor se folosesc ecuaţiile:
Acest circuit este un "adaptor" de impedanţă. El permite cuplarea unui generator cu Vvs4 =VDJ +VEB2 =1,2V
rezistenţa serie mare la o sarcină de valoare mică, f'ară o pierdere de tensiune. Rezistenţa de intrare, VEC2 = Vcc -VDl - R7 1ci = 16,8V (D 1 este în conducţie)
neuzual de mare pe care acest circuit o are, se datorează tipului de tranzistor folosit la intrare VcE3 =VEc2 + VDJ + VBE3 -R6 ·lc3 = 8V
(TEC-J) şi modului cum se cuplează circuitul de polarizare al grilei. Ea este o rezistenţă pur
teoretică. În cazul real nu se poate atinge această valoare, apărând interferenţe nedorite cauzate de VcEJ =Vcc -Vvs4 -R4 ·14 =20,BV
rezistenţele de izolaţie ale capsulelor şi ale materialelor pe care se cablează circuitul. Tranzistorul TEC-J funcţionează în regim de saturaţie iar cele bipolare funcţionează în
RAN.
Problema 2.8. Determinaţi amplificarea transadmitanţă, rezistenţa de intrare şi cea de Parametrii de interes ai tranzistoarelor în regim dinamic sunt: Q1: gm1= 80mAIV,
ieşi.re pentru amplificatorul cu reacţie din fig. P 2.8a. Tranzistoarele Q 1, Qi, Q3 au: I V06 I=O, 6V. rm=2,5kQ; Q1 : gm 1=80mAIV, rm=2,5kQ; Q3 : g.,3=400mAIV, rm= 0,5kQ„
/JF = /30 =200, rb=OQ, r0 = rµ~ oo. Tranzistorul Q4 are parametrii: V,;=-JV. lvss=2mA, r,1, ~ oo, iar
Q5 are: V1;,= -J V. I 0 s~;,= 8mA, rd, ~· Dioda redresoare D 1 are V01=0,6V pentru polarizare directă.
Elementele pasive ale schemei au valorile: R 1=20,4kQ, R1= 3,6kQ, R 3= 100kQ, R 4= 0,5kQ, R 5=2kQ, Schema de regim dinamic a circuitului din fig. P2.8a este prezentată în fig. P2.8b. Q4 , Q5
R? lkQ, R 7= 3,3kQ, RL= JOQ, Rg= JOOkQ, Vcc= 24 V dispar din schemă, având rezistenţe infinite în regim dinamic.
Reţeaua de reacţie formată din R5, şi gruparea paralel R1> R2. R4 (desenată în fig. P2.8c) nu
este legată direct nici la nodul de intrare (I) şi nici la nodul de ieşire (O). Ca urmare, amplificatorul
(delimitat în fig. 2.8b) are reacţie negativă serie-serie. Aplicare teoriei reacţiei solicită delimitarea
buclei de intrare prin includerea lui R.1 în Q1 şi a celei de ieşire prin substituierea grupului (R6> RL)
cu R~ = RLIIR6 .
Pe circuitul din fig. P2.8c se obţin următorii parametri:
!, = ~ ... = R, IIR, IIR, =0,43kQ = (- Po3). R7

R7 + r,c3 + Po3 · rof
. (- Po2). Po1 . (r;(I t 1=290klr1
~ +
~
Q2
Ql
r;r
o
+
f
Q3
Fig. P2.8d „
I
Mărimile caracteristice pentru amplificatorul cu reacţie au valorile:
+ I
Rg I
I
I T = ayg · fz= 125
I
V·I II R;" =r;;, ·(l+T)-R8 :23,SM.Q
I
-1
I
Ro" =ro" ·(l +T) -RLIIR6 =oo
r: I
I
AR
f A
. a J . .
=2...=~=-=2,3k.Q-1
yge vg l +T fz
Fig. P2.8b
Infrarea în amplificatorul real coincide cu intrarea amplificatorului cu reacţie deci:
V·
=--:- = R;a
-
R;
Î;r Îof l;
Rs f-'-'-
Pentru evaluarea rezistenţei de ieşire a amplificatorului real se are în vedere că ieşi.rea AR
+ +
este şuntată de R 6 • Rezultă:
R1IR2IR4
=~
V;r Vof
- Ro
0
I = R6 IIRoa = Jk.Q
f f , ~vg=O
Fig. P2.8c Problema 2.9. În fig. P2.9a,b sunt date două exemple de amplificator cu două reţele de
reacţie negativă (schema bloc). Reţelele de .reacţie ( f 1 şi f 2 ) sunt independente de etajele
Schema amplificatorului în bucla deschisă este prezentată în fig. P2.8d. Rezistenţa R1 a
fost eliminată deoarece efectul ei asupra circuitului este nesemnificativ (R 1=JOOkQ >> r.3). Pe amplificatoare a 1 , a 2 , a3 iar s g , su , s f 1 , etc. sunt semnale electrice (tensiuni sau curenţi).
schema din fig. 2.8d se determină: Să se deducă formulele pentru amplificarea cu reacţie, .rezistenţa de intra.re şi ieşire.
Generatorul de semnal se consideră ideal şi se ignoră efectul sarcinii.
REZOLVARE
În cazul schemei din fig. P2.9a se poate scrie:

(2)
sfi s12
!1 = - , !2 = - - , si1 =sg -sfi , si2 = so1 -s12 Observaţii
so2 so
Amplificarea cu reacţie va fi: a) Teoria reacţiei negative prezentată în toate lucrările de specialitate se aplică numai
amplificatoarelor cu o singură buclă de reacţie negativă.
A=.:!!...= s„ b) Ecuaţia obţinută pentru A, în prezenţa a două reţele de reacţie negativă (1) sau (2), are
sg s JI +su
aceeaşi formă cu (2.2) ce corespunde amplificatorului cu o singură reţea de reacţie.
Folosind relaţiile de mai sus rezultă: c) Reţelele asigură reacţie negativă dacă T1 , T2 > O.
sf I = f1. soi = f1 . s" Pentru rezistenţele de intrare este necesar să se precizeze topologia la intrare. Dacă de
a3 exemplu pe schema din fig. P2.9a se compară curenţi ( s g , su şi s 11 sunt curenţi) se scrie:
f2 ·So+ -
so
--
s12+s;2 =_!l!__ r-1 = 21..
S"J
=-----''----- =a2·a3·f2+l ·s"
a2·a3 I •
su =- = 1+-
ifl lu
~ a1 ~ ~-~-~
iu
Introducând în expresia lui A se obţine:
unde, ru este rezistenţa de intrare în etajul a1 .
A= a1 ·a2 ·a3 Cu relaţiile deduse pe circuitul din fig. P2.9a se obţine:
(I)
l+T1 +T2 '
unde, T1 şi T2 (mărimi adimensionale) sunt transmisiile pe buclă asociate reţelei de reacţie

realizată cu / 1 respectiv / 2 (fig. P2.9a).
s,
(3)
Când mărimea comparată la intrare este tensiunea (topologie serie) se deduce:

e.
• Vg V;J +V f 1 Vf 1 vil
R; :::: -:-= . = ru ·( J+ - ) , ru =-.-
1; 1i vil zi
Sa S.,
T I +T1 +T2
Fig. P2.9a R. = Y·1 . (} + - 1- ) = f .J . ( ) (4)
I I 1 + T2 I I + T2
Pentru circuitul din fig. P2.9b procedând în acelaşi mod se obţine:
S,1 R- :::; ru (5)

I l+T1 +T2
a, când la intrare se compară cUienţi (topologie paralel) şi:
R; :::: ru ·( I + T1 + T2 ) (6)
pentru topologie serie la intrare.
Observaţie
s„ s. În cazul când ambele reţele de reacţie sunt legate la intrare (situaţia din fig. P2.9b)
Fig. P2.9b topologia este aceeaşi pentru ambele reacţii. Situaţia contrară nu are utilitate practică.
Rezistenţa de ieşire se determină pe schema din fig. P2.9c pentru circuitul din fig. P2 .9a
Procedând în acelaşi mod se obţine pentru schema din fig. P2.9b (în acest caz (s-a considerat o topologie paralel la ieşire). În reprezentarea din fig. P2.9c s-au avut în vedere
consideraţiile din problema P2.l (fig.P2.lb). Pe această schemă se obţine:
sg = Su + s11 + s12 ) o formulă similară: ,
Ro =2= v, . v, din problema P2. l. Din relaţiile (7) şi (8) se obţine R0 = r„3 căci reţeaua f 1 nu este legată la
. . =-
1, + I f 2 i„3
103 ieşire. Dacă f 1 =O din relaţiile (3) şi (4) se deduce R; = ril deoarece reţeaua f 1 nu afectează
Pe aceiaşi schemă se deduce: intrarea amplificatornlui (vezi fig. P2.9a). Formulele (7) şi (8) devin în acest caz expresiile (4) şi
s„J =a1 ·su =-al. f1 ·so2 (5) din problema P2.l.
Problema 2.10. Amplificatornl cu reacţie din fig. P2.10a primeşte semnal de la un

generator ideal de curent. Se cunosc: R 1 = R 3 = R 4 = 0,5k.Q, R 2 = JOk.Q, R 5 = 50.Q, R 6 = 5k.Q,
v, = ro3 ·Î„3 -a3 •S"2 RL = 5k.Q, Vcc = 12V. Tranzistoarele bipolare au aceeaşi parametri: I V8 E l=0,6V, /JF=/3 = 400, 0
Prin înlocuirea mărimilor s„ 1 şi s 02 din relaţiile de mai sus rezultă: rb=OQ, r =rµ~oo. De asemenea, tranzistorul TEC-J are IDss= 4mA, VT= -IV, r,,, ~oo. Diodele au
0
l+T
I I
în conducţie tensiunea: VD = V8E =0,6V. Să se determine:
V =r ·i I a) PSF-ul dispozitivelor;
I o3 ol J + TI + T2
Ca urmare: b) VCC.min . Arătaţi că V0 =V~c pentrn orice V cc ~ VCC .min ;
R = r„3 ro3 ·( l+T1)
(7) c) Amplificarea transimpedanţă, R0 şi Ri .
" l+_!j_ J+T, +T2
J+T1 +Vcc
Pentru o topologie serie la ieşire, procedând similar se obţine:
_ T J+T1 +T2
R,, - r,,3 . ( J + - 2- ) = r"3 . ---''---"- (8) R1
l + T1 l+T1
Q4 coo
Q2
Va
D2
QJ
R2 Q7 Q8 R6 RL
s. s., I
R4 Rs
Fig. P2.9c
Pentru schema din fig. P2.9b se determină aceleaşi relaţii ((7) şi (8)) pentru rezistenţa de
ieşire.
Observaţii
Fig. P2.10a
l. În prezenţa a două reţele de reacţie negativă expresiile pentrn Ri şi R0 au aceeaşi
formă (a se compara (3) cu (7) sau (4) cu (8)). REZOLVARE
2. Reţeaua ce nu este direct legată la intrare respectiv ieşire (de exemplu pe circuitul din
fig. P2.9a / 2 pentru intrare şi / 1 pentru ieşire) micşorează efectul de scădere/creştere a rezistenţei
datorat reacţiei cuplate la intrare respectiv ieşire. Dacă
se neglijează curenţii de bază, pe circuitul din fig. P2. l Oa se obţine:
3. Formula pentrn Ri (respectiv R0 ) se modifică (faţă de (3) respectiv (4)) dacă ambele Vv1 +VEB3 +VsE2 + R2 ·le2 +VsEJ =Vcc
reţele sunt legate la intrare (a se compara (3) cu (5) şi (4) cu (6)) respectiv la ieşire. În acest caz Ca mmare, ţinând cont că Q5 şi Q6 formează o oglindă de curent rezultă:
ambele reacţii contribuie la diminuarea/multiplicarea rezistenţei de intrare respectiv ieşiie (vezi
relaţiile (5)/(6)). lc 2 =Ic =Ic =Vcc -Vv1R2 -3IVsEI = 0,96mA
5 6
În absenţa uneia din reţelele de reacţie se reobţin formulele din problema P2.l pentrn Ri Din sistemul de ecuaţii:
şi R0 . De exemplu pentru f 2 =0 relaţiile (3), (4), (5), (6) din această problemă devin (2) şi (3) R1 · I09 +Vcs9=0
-v;-
I D9 = I DSS . ( 1 Vcs9 )
2
unde s-a folosit relaţia de calcul pentru I c6 . Alegând ~
6
2
= f se obţine:
1
se determină / 09 = lmA şi V0 s 9 =-0,5V . Deoarece R3 =R1 şi Q9 , Q10 au aceeaşi parametri Va =-·Vcc
2
rezultă: I 010 =lmA, VGSJO =-0,5V . Tot pe fig. P2. l Oa se determină:
pentrn orice Vcc 2:= V cc.min ·
lc1 =1 09 =lmA, le3 =lc7 =IDJo =lmA
R4 Analiza de regim dinamic
lc8 =-·le7 =lOmA
Rs Schema de curent alternativ a circuitului este dată în fig. P2. l Ob. S-a avut în vedere că
I c4 = I CP, + I c 6 =llmA rezistenţagrupului Q10 , Q7 , Q8 , R3 , R4 , R5 văzută în colectorul lui Q3 , respectiv în emitorul
VcEs =VJJEJ =VcE6 =VcE7 =VJJE7 =0,6V lui Q4 este infinită, iar rezistenţele dinamice ale diodelor sunt neglijabile. Din schema desenată în
VcE2 =Vcc -R2 · le2 -VJJEJ =1,8V fig. P2.l Ob rezultă că circuitul are trei etaje de amplificare realizate cu Q1 , Q3 şi Q4 şi două
VcEJ =Vcc -Vc82 =d0,8V bucle de reacţie negativă. Configuraţia din fig. P2. l Ob corespunde schemei bloc din fig. P2.9b a
VEC3 =Vcc -vDJ,ON -v/JE4 -vD2,0N -R6. Ic6 -VBE6 =4,8V unui AR cu două bucle de reacţie.
O reţea de reacţie, formată din Q1 şi R1 şi desenată în fig. P2. l Oe, asigură o reacţie locală
VcE4 =vDI.oN + VEc3 + VBE4 =6V paralel-paralel (pp). Pe această schemă se deduce:
VcEB = Vcc -VcE4 -Rs ·Ies= 5,5V 1
rif1 = R2 + --= R2
Vos9 =Vcc -R1 ·/09-VcEJ =0,7V 8m2
Vos10 =Vcc -Vo1 .oN .-VEC3 -(R3 +R4 )· Ie3 -VBE7 = 5V · rofl = r,r2 +(/3o + l} · R2 =/Jo ·R2 •
Se verifică pentru tranzistoarele Q1 -Q8 că IVcEI 2:: IVBEI , deci, funcţionează în RAN. Q9 1
fv1 = - -
şi Q 10 au Vos > Vcs - V7 , deci sunt polarizate în saturaţie. . R2
Tensiunea Vcc,nin şe determină condiţionând funcţionarea tranzistoarelor bipolare la
limita RAN, când IVcEI = jV8 EI şi a TEC-J la saturaţie incipientă, adică Vos =Vcs -V7 .
Din ecuaţia:
Vos9 + R1 · I D9 = Vos9 -Vcs9 = VEJJ3 + Vo1.0N = 2 ·IVBEI > -VT
rezultă că Q 9 lucrează în saturaţie indiferent de valoarea lui Vcc. Relaţiile de mai sus sunt
valabile şi pentrn Q10 căci tranzistoarele sunt identice, iar R 3 =R 1 •
Pe circuitul din fig. P2. l Oa se verifică că tranzistoarele Q1 , Q2 şi Q4 - Q8 nu se
saturează pentrn nici o valoare a tensiunii Vcc. Q3 limitează valoarea tensiunii de alimentare. Din
condiţia:
VEC3 =Vcc-Vo1-Vos10 -R3 ·lc3 -VBE7 -R4 ·lc3 =
=V cc-4 ·IV11El-(R3 + R4 )· lc3 2:= IV11EI
rezultă:
V cc 2:= 5VBE + R4 · 1C3 .
Cum R4 ·Ic 3 =R4 ·! 010 =0,5V se obţine: Vcc.min =3,5V. Fig. P2.10b
În cazul când R1 = R3 sunt variabile cazul cel mai defavorabil este: R1 = R3 =0.Q când
I D9 = I Dl0 = I OSS = 4mA şi R4 . I DSS = 2V . A doua reţea de reacţie, reprezentată în fig. P2. l Od, asigură o reacţie globală tot p-p. Se
deduc parametrii:
Rezultă VCC.min =5V . rif2 = oo
Potenţialul continuu de ieşire are expresia:
6
Va =Vm + R6 · I c6 + VBE6 = 2 · IVBEI+.&_· (vcc - 4 · jvBEI)= R ·Vcc
R2 R2
Q4 +
+
Q3
+
Ql
V2
ron V1
ig r ;n
+ + -
î î
V;f
Fig. P2.10e
Fig. P2.10c Fig. P2.10d

Valoarea foarte ridicată a transmisiei pe buclă T2 explică valorile foarte mici ale
Pentru calculul amplificării se va folosi formula (2) din problema 2.9: rezistenţelor de intrare şi ieşire din amplificator.
A = v = az1 ·a,.2 ·av3
0
Problema 2.11. Pentru circuitul din fig. P2.l la să se exprime semnalul de ieşire v0 în
Z .g ig l+T1 +T2
funcţie de tensiunea generatoarelor ( v g 1 şi vg 2 ). Calculaţi rezistenţa de ieşire. Se cunosc:
unde s-a considerat:
a1 = az1 a2=av2 a3=av3, Vcc = VEt: = 12V, R1 =0,5kQ, R 1 = JkQ, R3 = lkQ, R/( = 200kQ, R1. = JkQ, Q1 : (VBc:=0,6V,
2
T1 =az1 ·Jy1 T2 = az2 · f_,,2 =azl · a,,2 · av3 · Jy2 · /JF =/30 =300, r1,=0Q, r 0 =r1,-} rx>), Q1.3: (loss = 8mA, Vr = -2V, rtl.,-} rx>), Q4: (k 0 = 3mA!V ,
Vr = IV), iar dioda Dare în conducţie Vn = VBE'=0,6V.
T1 şi T2 sunt transmisiile pe buclă asociate celor două reacţii. Amplificările a zi , a,. 2 ,
av3 (şi implicit a zi ) se determină pe schema din fig. P2. l Oe. Rezultă: +Ycc
av2 =2=-gm3 ·/Jo~~ofz IIRJ=-40000

V1
+
f} ]
= -V = rof J=J DVo
0 ( )
a„3 li RL . o. (
V2 i r,r4 + /Jo . rofz li RL
az2 = az1 · a „2 · av3 = 80000MQ e
S-a avut în vedere că g mJ =40ktr1 . Ca urmare, T1 = 200, T2 = 16000000

r,r1 = r,r 3 = JOkQ,
valori foarte mari pentru transmisia pe buclă. Se calculează:
A
Z.g -
- az2
1 + T1 + T2
=aTz2 =-1-=5kQ
f y2
2
Rezistenţele de intrare si ieşire se calculează cu formulele stabilite în problema
precedentă pe schema din fig. P2.9b. Cum topologia la intrare este pentru ambele reacţii paralel se Fig. P2.lla
poate scrie (folosind relaţia (5) din problema P2.9).
__ r; _ ri/ 1 li r,r 1 REZOLVARE
R. --'---- = 0,3Jmf2
L 1 +T1 +T2 T2 Analiza de curent continuu
unde r; a fost determinată pe schema circuitului a din fig. P2. l Oe. Pentru calculul rezistenţei de
Pe schema de curent continuu se deduce:
ieşire se utilizează relaţia (7) din problema 2.9:
ICI =1D2 =2mA, Vc52 =-IV, V 052 =2V
T2
1+- - VcsJ =OV, In 3 =8mA
1 l+T1 1
= In4 = ! 03 -Ic 1 = 6mA, V5c 4 = 3V
Ro ro RL
Vos2 = Vsc4 + Vcs2 = 2V
cu r0 = r012 li RL. Rezultă R0 =3Jmf2.
Vcc = Vsc4 + VcEJ -VBEI => VcEJ = 6,6V
98 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 2 - Amplificatoare cu reacţie 99
VEE =Vvs3 +R2 ·Ici +VsEJ =:> Vvs3 =2,4V T ransmisia pe buclă este:
T1 = av1 · f „1 = 300
V 504 =Vcc = 9V, V0 =OV
din care rezultă că Q1 lucrează în RAN iar Q2, Q3 şi Q4 în saturaţie . De asemenea, se constată că iar câştigul de tensiune când v8 2 = OV rezultă:
potenţialul continuu la ieşire este zero ( V O = OV ), ceea ce determină un curent nul prin sarcină şi _ Vol _ a vl _ 1 _
A vi - - - - - = - = ]
în cazul în care aceasta este conectată f'ară condensator de cuplaj. VKI I +T1 fvJ
Rezistenţa de ieşire în absenţa generatorului vg 2 va fi:
Analiza de regim dinamic
Schema de regim dinamic este reprezentată în fig. P2. l l b. S-au eliminat sursele de curent 1 1 + T1 1 T1 R8 R 23
- = - - - - = - = g m 4 ·-=:>Ro1 = (1)
realizate cu Q1 şi Q3 deoarece au rezistenţele de ieşire infinite, precum şi dioda D cu rezistenţă Rol RL RL RL R23 gm4 · Rg
dinamică nulă.
Se pasivizează acum pe schema din fig. P2.1 l b generatorul v81 . Rezultă circuitul din fig .
Semnalul la ieşire P2. l le, care este un amplificator cu reacţie p-p. Pentru a evidenţia configuraţia paralel de la
intrare, pentru generator s-a folosit reprezentarea paralel. Câştigul în tensiune se scrie sub forma:
Circuitul este atacat cu două generatoare de semnal. Pentru a determina efectul lor la
ieşire se consideră că circuitul lucrează la semnal mic. În aceste condiţii se poate aplica teorema A 2 = v„2 = v„2 . _.!__ = Az2
superpoziţiei. Se pasivizează pe rând fiecare dintre generatoare. v v
82
i82 R8 R
8
Pasivizând generatorul v82 , rezultă schema din fig. P2.l lc care este un amplificator cu Pentru determinarea amplificării transimpedanţă se apelează la teoria reacţiei. Reţeaua de
reacţie are schema din fig. P2.11 f pe care se deduce factorul de reacţie.
reacţie s-p. Reţeaua de reacţie include grupul R 2, R3 şi are factorul de reacţie f..i =1 .
Amplificatorul în buclă deschisă are schema din fig. P2.l ld unde R 23 = R2 + R3 . Pe
această schemă se deduce amplificarea:
_ v;)J id4 vgs4 (1 ibl _ R /Jo· Rg _

a I--·--·--·-·-- g 4. L. ;:;;
v id4 vg,4 (.1 ibl V8 1 m r1r1+(/Jo+l)·R23
Fig. P2.Jlf
R8
=g ,n4 . R L . - - = 300
R23 1 1 I
----=---;:;;--
r1r1
- +R23
/Jo
+
Pe _!chema din fig. P2.l lg a circuitului a se calculează :
i Vo2
•
Vo2 ld4
•
gs4
. V
( )
i az2 =-.- = - . - · - - · -:-=-gm4 ·R8 · RL IIR23 = -960kQ.
1 g2 1d4 Vgs4 1g2
QI
Transmisia pe buclă în acest caz are valoarea:
T2 =az 2 · f.r 2 = 240.
R2 R3
Ca urmare:
Fig. P2.Jlb Fig. P2.Jlc a 2 1
Az2 = -z-=--=-4kQ.
1 +T2 Jy2
+ Se obţine:
Q4
+ 1 1
+ Av2 =Az2 ·R= - 50
Vo2 ,g
RL
RL Vol i82 ~ Rs Rezistenţa
de ieşire este în acest caz:
1 l +T2 I R23
- --= - -=>R 2 = - - - - - (2)
:î i i Ro2 R23 IIRL RL o - gm4 ·Rg +J
Tensiunea la ieşire
Fig. P2.lld Fig. P2.Jle Pe baza teoremei superpoziţiei se poate scrie:

Vo =Voi+ Vo2 aproximează (destul de bine) formula exactă a rezistenţei de ieşire. În acest caz, teoria reacţiei
Ca urmare, se deduce: oferă rezultate aproximative deoarece reţeaua de reacţie, fiind rezistivă, nu este unidirecţională.
Numeric, rezultă folosind formula (3), R0 = 3,33.Q.
vg2
vo =vgl - 50
Semnalul v0 repetă practic la ieşire semnalul v 81 al primului generator. Efectul la ieşire
al celui de-al doilea generator este un semnal puternic atenuat şi în antifază cu vg 2 . Dacă v 81 şi
v 82 sunt comparabile rezultă:
Rezistenţa de ieşire
Determinarea rezistenţei de ieşire este o problemă interesantă deoarece datorită celor
două generatoare de semnal circuitul a fost tratat pe rând, ca un amplificator cu reacţie s-p şi
respectiv p-p. S-au obţinut în cele două situaţii relaţii similare pentrn R0 (a se vedea formulele (1)
şi (2)), lucru explicabil având în vedere că rezistenţele de ieşire se determină prin pasivizarea
surselor v 81 şi v82 • Pe de altă parte R0 poate fi determinată direct, fară teoria reacţiei, plecând de
la schema pasivizată din fig. P2. l l b. Făcând pe acestă schemă v 81 = v 8 2 = OV rezultă circuitul din
fig. P2. l lh, pe care se scrie: ...
. V g.,·4
lc1 =-R g
. . . Vgs4
Iz =ld4 -1c1 = 8m4 ·Vgs4 +--
Rg
~
(3)
i d4 i1
~ ~
~
i d4
Q4
+
+ Q4 Rg
Ţie! "'-' vt
Vgs4 R23 RL v;2 R21
Rg
-
i i
Fig. P2.llg Fig. P2.llh
S-a reobţinut formula (2) ce a rezultat pentru amplificatorul p-p. Identitatea între formula
obţinută cu teoria reacţiei şi formula exactă a lui R0 se explică prin aceea că amplificatorul cu
reacţie p-p (fig. P2. l le) îndeplineşte condiţiile în care este valabilă teoria reacţiei negative, în
sensul că atât circuitul a cât şi circuitul f sunt unidirecţionale (datorită tranzistoarelor din structura
lor). În cazul amplificatorului cu reacţie s-p (fig. P2.l lc) se obţine pentru R formula (1) ca.re 0
CAPITOLUL 3
STABILIZATOARE DE TENSIUNE
BREVIAR
• Stabilizatorul de tensiune este circuitul de ieşire din componenţa smselor de

alimentare pentru aparatura electronică de larg consum. Acest circuit asigură la ieşire o tensiune
continuă constantă la variaţiile (între anumite lirnite) ale: (a) - tensiunii de intrare L1v1 = v;; (b) -
cmentului de ieşire (sarcinii), (L1i 0 =- i,,) şi (c) - temperatmii ( l!..T ).
În Fig. 3.1, pe schema bloc a stabilizatorului, s-au evidenţiat tensiunile/curenţii de intrare
şi ieşire precum şi variaţiile acestora.
+
Vr STABILIZATORUL
DE1ENSIUNE
L1v1
Fig. 3.1
• Parametrii statici ai stabilizatorului sunt:

-:" tensiunea de ieşire, V0 ;
- curentul de ieşire, 10 şi limitele sale (/0 m , 10 M) ;
- tensiunea de intrare, V1 şi limitele sale (Vim, Vm) ;
- curentul de intrare, 11 şi limitele sale (11m, lw);
Va ·Io
- randamentul 7J = - - - .
V1 ·1 1
• Parametrii dinamici sunt inclusi in ecuaţia:
L1v0 =!__·L1v 1 +R0 ·(-L1iJ+ST ·L1T (1.1)
s
};>- factorul de stabilizare cu tensiunea (1.2)
>"" rezistenţa de ieşire (1.3)
};>- factorul de stabilizare cu temperatura - L1vo

ST- I
/JŢ Llv1=0(v1=const)
(1.4)
Ll10 =0 (1 0 =const)
104 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 3 - Stabilizatoare de tensiune 105
În expresia (1.3) s-a considerat (-L1i0 ) deoarece o creştere a tensiunii de ieşire conduce la I
o scădere a curentului şi invers (L1v0 < O implică Lli0 > O).
• Schema stabilizatorului conţine întotdeauna o referinţă de tensiune ( descrisă in V
breviarul capitolului 2 din lucrarea [ 1]) şi un element regulator care este plasat în serie ···········-·· Iz,...
(stabilizatoare serie) sau în paralel (stabilizatoare paralel) cu sarcina. Referinţa de tensiune se 1.
Rz
bazează pe o diodă Zener iar regulatornl este de obicei un tranzistor sau grnp de tranzistoare.
Stabilizatoarele performante mai au în componenţă un amplificator de eroare (stabilizator cu :'............... Iz,M
reacţie), un circuit de protecţie la suprasarcină (creşterea accidentală a curentului de ieşire) şi/sau (A)
un circuit de pornire.
Fig. P3.la Fig. P3.lb Fig. P3.lc
• Problemele de stabilizatoare se tratează după următorul algoritm:
» Pe schema generală se determină: Ţinând seama de datele problemei, jumătate din puterea maximă disipată corespunde unui
• tensiunea de ieşire (V0 );
curent:
• limitele curenţilor de ieşire (10 "' , 10 M) şi intrare (11"' , lw);
p /2
• limitele tensiunii de intrare ( Vj,,, , VIM); iz= Z,max =25,nA,
• factorul de stabilizare cu temperatura S7 . Vz
» Se desenează schema de regim dinamic a stabilizatorului la intrarea căruia se Ca urmare rezultă:
plasează sursa de semnal V; =L1v1• Pe aceasta schemă se determină factornl de Vz.K =Vz -Rz ·Iz =9,93V.
stabilizare cu tensiunea şi rezistenţa de ieşire pe baza relaţiilor:
: =::li O
=O, Ro=~: 'v=O
I
(1.5)
unde v0 şi i0 sunt mărimile de semnal mic de la ieşire. În cazul stabilizatoarelor cu

b) Tensiunea de intrare minimă trebuie să asigure:
- curentul maxim prin sarcină;
- curentul minim prin dioda Zener Ui.m). Cufi':i, V0 = Vz = JOV iar sarcina minimă este
RLm =100.Q, se deduce:
reacţie se folosesc ecuaţiile:
Va
= -v;, I ,
loM =--=JOOmA
S = s (1 + T ) , -1 R 0 = -r0- (1.6) R,_m
s V; l+T
iu'!:o Ştiind că IZn,=8mA rezultă:
unde s este factorul de stabilizare calculat în absenţa amplificatorului de eroare iar =
vim = VO + R · (1 z ,m + 1OM ) 14 ,2V .
T transmisia pe buclă a amplificatorului de eroare care are uzual reacţie negativă şi
intrarea la nodurile unde este plasată referinţa de tensiune (r este rezistenţa de
0 c) Tensiunea de intrare maximă este impusă de puterea maximă disipată de dioda Zener:
ieşire din circuitul a asociat acestui amplificator cu reacţie). ~ p
J;,M = ~max =50mA
PROBLEME z
Problema 3.1. Pentru stabilizatorul cu diodă Zener din fig. P3. I a se cunosc: D=: Vz =IO V, V1M =V0 +R· ( Va
R,_ +lz.M )-
=J5,9V.
Rz=2,5Q, txz=5,85mV!°C, lz,n,=8 mA, PZ,max = 0,5W, R=39Qşi Vj = 15V. Să se determine:
a) Valoarea tensiunii de cot Vz.k a diodei Zener;
b) Tensiunea de intrare minimă pentru RL E[] 00.Q; I k.QJ; d) V0 =Vz
c) Tensiunea de intrare maximă pentru Ru,, =I 00.Q;
d) Deriva termică a tensiunii de ieşire (S7 ); S7 = - --2 =az =5,85mV ;oe
LIV-0 =LIV
L1T L1T
e) Factorul de stabilizare cu tensiunea pentru RL,,, = I 00.Q şi rezistenţa de ieşire.
e) Pentru calculul parametrilor dinamici se utilizeză circuitul de semnal mic din fig.
REZOLVARE
P3.ld.
a) În fig. P3.lb este prezentată caracteristica Iz {Vz) a diodei Zener iar în fig. P3.lc
circuitul echivalent în zona de stabilizare. Pe acest ci.reuit se deduce:
Vz =Vz.k +Rz ·Iz
Observaţie
Foaia de catalog a unei diode Zener prezintă valoarea Vz pentru o putere disipată egală cu
Fig. P3.Jd
jumătate din puterea maximă admisă pe diodă: P = V2 · 1z .
CAPITOLUL 3 - Stabilizatoare de tensiune 107
(1)
Pe baza relaţiil or (1.5) din breviar pe schema din fig. 3.ld se obţine : =V,,, ·ln(n · p)
Rz
s
adică:
Observaţie
Un factor de merit pentru stabilizatoare îl reprezintă o derivă cât mai mică a tensiunii de
ieşire cu temperatura, în domeniul de temperaturi de lucru.
O soluţie costisitoare pentru rezolvarea acestei probleme, utilizată numai în aplicaţii
speciale, este termostatarea montajului. O alternativă ieftină şi eficientă este înserierea cu dioda
Zener a uneia sau mai multor componente cu derivă termică de semn opus faţă de Vz.
în fig P3. I g este prezentată o asemenea soluţie în care s-au utilizat trei diode cu joncţiune
pn. Deriva termică a tensiunii directe a diodelor este de circa -2m V/'C. Rezultă:
Fig. P3.2a
..
Conform schemei din fig. 3.2a, expresia tensiunii de ieşire VREF este:
L1Vo = L1Vz +3· L1VnE :a::OmV 1°C
L1T L1T L1T VREF =a1 · VoE +a2 ·V,h · ln(n · p) (2)
Singurul inconvenient este creşterea tensiunii de referinţă echivalente. Acesta poate fi depăşit prin unde, n este raportul curenţilor de colector iar p rapo1:tul invers al _c':11'enţilor de saturaţie.
reducerea corespunzătoare a tensiunii Zener. Caracterul de tensiune de referinţă al acesteia este dat de satisfacerea ecuaţ1e1:
avREF =O (3)
R
dT
+ pentiu orice temperatură în domeniul de tempera~ri de lucru.
Ţinând seama de (2) egalitatea (3) se scne:
, avBE dVoE
a2 -ay =- dT (4)
al av,h · ln(n · p) v,h · ln(n · p)
dT T
presupunând a1 şi a1 constante cu temperatura. . . . •
Fig. P 3.lg Pe de altă parte, pentru un tranzistor bipolar, polar12at la curent de colect01 constant m
regim activ normal, tensiunea V8 E are expresia:
Problema 3.2. Tensiunea VREF de la ieşirea circuitului principial din fig. P3.2a poate avea (5)
caracterul unei tensiuni de referinţă. Să se determine condiţiile în care acest fapt este posibil, VBE =v,h . In( ~: )
expresia analitică a acestei tensiuni şi valoarea ei la temperatura camerei (T = 300.K) pentru
unde curentul de saturaţie J5 este dependent de temperatură după legea:
=
a 1 = I . Se cunosc: tensiunea termică la T = 300K, V,h 25,9m V şi tensiunea de bandă interzisă a
siliciului extrapolată la Oabsolut Vc0 =1,205V
fs = B ·AE ·T J · exp( - -VGo-
V,h
J (6)
REZOLVARE
în care:
Presupunând tranzistoarele Q1 şi Q1 cu aceiaşi parametri, în afara ariilor de emitor, rezultă B - constantă;
pentru diferenţa tensiunilor bază-emitor expresia: Ae - aria emito111lui;
T - temperatura absolută;
L1VBE =VBEJ - VBE2 = V,h · ln(Ic1)- v,h ·ln(Ic2)= v,h ·ln(Ic1 . l s2)= v - tensiunea de bandă interzisă a Si extrapolată la zero absolut.
l s1 l s2 f c2 l s1 D~~·ivând tensiunea V8 e cu temperatura (relaţia (5)), rezultă:
avBE
oT
= VBE -v,,. __i__[zn(B· AE )+3 ·lnT- Vao = VBE -3V,,. -Vao
T oT IC v,,,
l T
(7)
1
R3
I
I 2 = -V,1r · ln(p), unde p = _Ş1_ = 8
ls1
ceea ce arată că_ variaţia_cu temperatma a tensiunii V0 R- este negativă, deoarece V„1;. < V.c;u + 3 v Pentru tensiunea V11a se poate scrie:
v 111
pentrn un tranzistor cu S1. R
. . Introducând (_7) în e~uaţia (4). se obţine condiţia pe care trebuie să o îndeplinească
VREF =VBE3 + R: . v,,. · ln(p) = l,282VjT=300K.
crrcUitul pentru ca tensrnnea la teşire să aibă caracter de referinţă de tensiune: R
avnE Expresia obţinută este similară cu cea dată de (2) în care a 1 = 1, a 2 = R; şi n = 1 iar
oT - VaE-3Vr1,-Vao
(8) valoarea tensiunii estimată la T = 3 OOK este foai·te apropiată de cea calculată pe baza ecuaţiei (9)
_v,_h · ln(n . P) - V,,. ·ln(n . p) T=fi.rat ceea ce sugerează un comp011ament de tip de referinţă de bandă interzisă. Pentru a înlătura orice
T T=fi.wt dubiu trebuie estimat coeficientul termic al acestei tensiuni.
. . E~uaţia (_8) trebuie îndeplinită pentru orice temperatură în gama temperatmilor de lucru a Deriva termică a tensiunii VJJE.l .este, conform (7):
unui crrcuit de tip referinţă. Precizarea unei temperaturi, considerată de obicei nominală s ~ =Vm,;3 -3V,1t -Vcol =-l,94mV
datorează utilizării relaţiei (8) ca principală ecuaţie de dimensionare a acestor circuite. în a~es~ ~IT=300K T T=300K K
scop . sunt necesare valori numerice pentrn mărimile dependente de temperatură v,h şi v0 E,
folosmdu~se cele cunoscute la temperatm·a nominală. ceea ce conduce la o valoai·e a coeficientului de temperatura a tensiunii VHEF:
Mai departe, pentru obţinerea expresiei analitice a tensiunii VxEF, se înlocuieşte raportul
calculat cu (8) în ecuaţia (2): , avREFI =av8E31 +l1·tn(p)·v'"I =-I,I3·µV
aT T=300K oT T=300K R3 T T=300K "c
VREF = a 1 ·[VaE + aa2 • V,11 • ln(n · p)] = a 1 · (Vao +3V,,.~ T-fua1
_ (9) valoare foarte mică, cai·e certifică faptul că schema din fig. P3.2b reprezintă o referinţă de tensiune
1 de bandă interzisă. ,,.
. Ecuaţia C?) _arată că VIIEF este practic determinată doar de tensiunea de bandă interzisă a
semiconductorului ş1 de valoarea tensiunii termice, ceea ce justifică denumirea de "referinţă de Problema 3.3. Circuitul din fig. P3 .3a este o referinţă de tensiune de bandă interzisă în
ban~ă i~terzisă" dată acestor circuite fundamentale. Pentru a1 = I şi la T = 300K, valoarea acestei tehnologie CMOS. Să se determine valoai·ea rezistenţei R4 pentru care coeficientul termic al
tensmm este VxHF = 1,283V; , tensiunii V0 se anulează la T = 300K. Să se calculeze, de asemenea, valoarea tensiunii de referinţă
. Expres~a d~ mai sus (9) reprezintă forma analitică cea mai generală a tensiunii de ieşire a astfel obţinută. Se cunosc: R1 = JkQ, R1 = R3 = 15kQ, V,)/)= 5V, V,,, = 25,9mV, iai· pai·ametrii de
unui astfel de circuit. Ea arată că se pot obţine cu acest principiu tensiuni de referinţă având atât interes ai dispozitivelor active sunt următorii:
valori mai mici decât cea "clasică" de 1,283V (pentru a 1 < 1), cât şi mai mari decât 1,283V • Tranzistoarele bipolai·e: AE2 = AE3 = p · AE1, p = 8, [v8E3~T=300K = 0,7V (AE=aria emitorului)
(pentru a1 > 1).
Fig. P3.2b prezintă o posibilă implementare a unei referinţe de bandă interzisă. ~ .wl
• Tranzistoai·ele nMOS: VTOn = 0,5V, kn = 100- 2
µ4.
, -
4µm
=--;
Presupunem că tranzistoarele Q1 şi Q3 sui1t identice iar Q1 are curentul de satm·aţie / 52 =8. / 51 • L V 1...4 Jµm
, -wl wl
Rezistenţele au valorile R 1 = R 1 = 10,8kQ şi R.1= lkQ, curentul de polarizare/ este dimensionat
pentru a satisface relaţia / = 3 · 12 iar la T= 300K se cunoaşte VBt..l. = O• 7V• • TranzistoarelepMOS: VTOp =-0,5V,kP =50- . µ4. = -sµm
- , - sµm
=2x--.
V2 L 5___ 8 lµm L 9 .1 0 lµm
Pentru tranzistoarele bipolai·e se neglijează efectul curenţilor de bază iai· pentru cele MOS
efectele de substrat.
REZOLVARE
Pe ochiul de circuit care conţine tranzistoai·ele M 1, M1 , Q„ Q1 şi rezistenţa R 1 se poate

scrie:
Vas1 +VEBl =Vas2 +VELn +R1 ·12.
Tinând seama că M 1 =
M 2 şi M 7 =M 8 rezultă egalitatea de cmenţi / 1 = I 2 şi, de
asemenea, VcsJ = Vas 2 . De aici:
I 1 = I 2 = V,,. · ln(p), unde p = 8 este rapo11ul curenţilor de saturaţie ls1 şi lsi·

Fig. P3.2b R1
Tranzistorul My ai·e factorul geometric dublu faţă de M8 , aflat pe ramura de referinţă a
~galitatea -~ 1 = R!, ~eterm~nă egalitatea între curenţii / 1 şi 11 . În aceste condiţii şi oglinziipMOS, astfel că:
presupunand curenţu de baza ai tranzistoarelor neglijabili, curentul 11 are expresia:
prin intermediul unui circuit de pornire (un asemenea circuit va fi analizat în acest capitol în
problema 3.9).
Observaţia 2
Deoarece buna funcţionare a circuitului din fig. P3.3a se bazează pe obţinerea precisă a
rapoartelor de oglindire de curenţi, s-a recurs la utilizarea structurilor de oglindă de tip cascodă cu
excursie mărită. Rezistenţele R 2 şi R.1 în acest context au rolul de a coborî tensiunile Vvs ale
tranzistoarelor oglindă sub valoarea care poate fi obţinută la cascadele clasice, păstrând în acelaşi
timp aceste tranzistoare în saturaJie.
Astfel, pentru oglinda nMOS se poate scrie:
VosJ = VDS2 =Vas1 + R2 · I 1 - VGS3, unde curentul are valoarea / 1 =54µA . Ignorând
efectele de substrat şi observând că tranzistoarele implicate în această ecuaţie au aceeaşi
+
=
geometrie, deci VasJ VGSJ, se obţine:
_VREF Vos1 =Vos2 =R2 · 11 :0,8/V >Vos1sm =Vas1-Vron =0,52V.
1 Un raţionament similar se poate aplica şi pentru oglinda pMOS. Acesta, împreună cu
verificarea plasării în saturaţie pentru toate dispozitivele MOS îi sunt propuse cititorului drept
exerciţiu.
Ql Problema 3.4. Pentru referinţa de tip "bandgap" din figura P3.4a se cunosc: Qu:
~
(A1) ....__.__ _ _ ___,,
/JF =300, AEJ=pAE2,p=4 , =-2,2,trV!°C, VBE21r=300K,lc=0,125mA = 0,623V,
JTIT=300K
Fig. P3.3a R1=R2, R4=2,62k.Q, R.1=285.Q. Să se determine:
a) Valoarea tensiunii de referinţă, ~u,,.·;
Expresia tensiunii de ieşire devine: b) Variaţia cu temperatura a tensiunii de referinţă.
R'
VREF = VEB3 + 2 · _f_ · V,1, · ln(p), +Vcc
R1
având aceeaşi formă cu ecuaţia (2) de la problema 3.2. În acest caz: a 1 =1, a 2 =2 · R4 , n = 1.
R1 R1 R,
Condiţia de anulare a coeficientului de· temperatura al acestei tensiuni la T = 300K este: '
~ +2· R4 ·ln(p)-~ =0, +
a'Tlr=JOOK R1 Tlr=JOOK V REF
din care se extrage direct ecuaţia de dimensionare a rezistenţei R4 pentru a îndeplini

tensiune de referinţă:
condiţia de
Ql
r
avEB3 mAE AE
R4 =-Ri ._ ___;a:..::r'----1 R3
2 · ln(p) · V,,.
T T=300K
Se calculează pentru tensiunea Vi;83 : R4
VEB3 -3V,,. -Vao mV
= =-1,94-,
Fig. P3. 4a
T=300K T T=300K K
rezultând în final R 4 =5,4Jk.Q şi tensiunea de ieşire VREF 1.283V .=
REZOLVA.RE
Observaţia 1
a) Curenţii de saturaţie ai tranzistoarelor sunt direct propoqionali cu ariile emitoarelor.
În general, acest tip de structură cu două oglinzi care debitează curent una pe cealaltă ' Rezultă:
("cap în cap") prezintă o stare stabilă în care toţi curenţii sunt zero. Ieşirea din această stare se face
Tranzistoarele Q, şi Q1 au bazele legate la ieşirea operaţionalului şi sunt incluse în bucla V

de reacţie a acestuia. Dacă reacţia negativă este mai puternică decât reacţia pozitivă atunci. 10 =_Q_ = lOOmA.
RL
v+ =v- şi dacă R1 = R2 , atunci I cJ =Ici. În continuare se pot scrie relaţiile:
V b) V1"' este cea mai mică valoare a tensiunii de intrare pentru care dispozitivele Q şi Dz se
VR4 = R4 ·( lc1 +Ici)= 2 · lc1 ·R4 = 2· R4 .-fil. găsesc în regimul de lucru dorit pentrn funcţionarea corectă a stabilizatornlui.
R3
Astfel, condiţia de funcţionare în RAN a tranzistornlui Q conduce la:
VR3 =VBE2-VBEJ =V,,. ./J Ic2 . ls1) VJ,n.J =Vo +VCE,m =5,6V
'\ lc1 ls2 Funcţionarea în zona de stabilizare a diodei Zener impune: 1z ~ I z,m . Rezultă:
Din cele două relaţii scrise mai sus rezultă:
VR4 =2· R4 ·V,1, ·ln(p) V1m.2 =Vz +R·(lz.111 +lB)=Vz +R{lz.m + R~~p )=7V
R3
Bineînţeles, cele două condiţii trebuie simultan îndeplinite, astfel că:
iar tensiunea de referinţă are valoarea:
R4 V1111 = max{Vim.J ;V1111.2}= 7V
VREF =VR4 +V11E2 =VBE2 +2·- ·V,1r ·/n(p):!,283V
R3
c) Pentru calculul lui Vw se aplică un raţionament similar celui de la punctul b).
Deosebirea este dată de natura limitelor care sunt luate în considerare; mai sus se aplicau condiţii
b) Raportul ariilor celor două tranzistoare şi raportul celor două rezistenţe din expresia de de ordin funcţional (păstrarea în RAN sau străpungere), în acest caz criteriile sunt de tip
mai sus sunt două mărimi foarte slab dependente de temperatură, astfel că: "funcţionare sigură" şi presupun păstrarea mărimilor electrice la bornele dispozitivelor sub limitele
avREF = avBE.2 + 2 . R4 · ln(p) V,1r =0.5µV maxim admisibile.
clT clT R3 T "C Pentru tranzistorul Q ml poate fi depăşită tensiunea maximă Vct'.m,m astfel că:
Va.riaţia cu temperatw·a a tensiunii de referinţă este aproape nulă deoarece deriva v,M ,l = Vo + VCE.mm =50V
tensiunii VBE este practic total compensată de deriva cu sens contrar a tensiunii V,1r . Similar, prin dioda Zener curentul nu poate depăşi valoarea ft.M= 20mA. Rezultă cea dea
doua limită a valorii maxime pentru tensiunea de intrare:
Problema 3.5. Pentru-stabilizatorul cu element regulator serie din figura P3.5a se cunosc:
v,M.2 =Vz +R·(lz.M + Vo )=15,5V
Q: PF =Po =100, =
VBJ;' 0,6V, vef:,n,ax = 45V, V,1=100V; Dz: Vz=5,6V, lt,.,=2mA, lt.Ar20mA PF · RL
a.z= im V!C, Rz = 2,512. Se mai cunosc: R =470.Q, V1= 12V, RL = 50.Q. Rezultă:
Să se determine:
a) Valoarea tensiunii de ieşire V0 şi curentul de ieşire 10 ; VIM = min{V,M .J ,VIM .2} =]5,5V
I
b) Tensiunea de intrare minimă;
c)
d)
Tensiunea de intrare maximă;
Deriva termică a tensiunii de ieşire;
d) S = dVo = dVz - c)VllE =3mV !"C
T dT dT dT
e) Factorul de stabilizare cu tensiunea;
t) Rezistenţa de ieşire a stabilizatorului, R0 ; e) Schema echivalentă de curent alternativ este prezentată în fig. 3.5b. Parametrii de
g) Randamentul în cazurile cel mai favorabil şi cel mai defavorabil. interes ai tra112istornlui sunt:
ro = VA
I = JkQ , g
m
= 40. Ic= 4000kQ- 1 , r_„ = g/Jo = 0,025k.Q
C m
..... ..... Pentru calculul factorului de stabilizare se aplică teorema superpoziţiei . În acest scop se
I1 Io +
Rt va considera schema echivalentă a generatorului din fig. P3 .5c unde v;1 = v; 2 =V; . Răspunsul total
vx Va R
al circuitului este dat de suma răspunsurilor pai1iale la fiecare din cei doi stimuli:
Dz
vo =voi iV; 2--o+Vu2I.li] -o·
-
Primul răspuns parţial se calculează astfel:
Fig. P3.5a Fig. P3.5b rn + Rz IIR )IIRL

( /Jo +I
REZOLVARE
a) Vo =Vz -VBE =5V

Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 3 - Stabilizatoare de tensiune 115
114
Problema 3.6. Pentru stabilizatorul cu element regulator paralel din figura P3.6a se
cunosc: Q:, /31.. = /30 = 100, Vl:.'8 E0,6V, Vu ,:11111 ,= 45V, lc,ma,= JA, V,1=100V; D,,: V,r5,6V, I,,,,,,=2mA,
fz.u = 20mA, a,,=2mV/IC, RLE:10.Q; VJN=12 V. R 1=39f2, R 1=300.Q.
Să se determine:
a) Valoarea tensiunii de ieşire şi curenţii în circuit pentru R1, = 62.Q,
b) Tensiunea de intrare minimă, admiţând că prin tranzistorul Q curentul minim este
1cm = JOOµA;
c) Tensiunea de intrare maximă;
d) Deriva termică a tensiunii de ieşire, S 1;
e) Factorul de stabilizare cu tensiunea;
f) Rezistenţa de ieşire a stabilizatorului;
g) Randamentul în cazurile extreme;
-v; dacă se ţine seama de inegalităţile: şi

1 1
v"1l .. =--
;,=O
gm · ~
1, RzllR<<r,r, - -<<RL
Bm
R1
+ -+ -+
1 I1 R2 Io
-<<ro. + +
Bm Q Q
î VI RL Vo ro R L Vo
Pentru cel de-al doilea se poate scrie:
I =----,,--[
Voi ,· 11 =0
R· _l_+
_ ____,c::.__l--
1 +
~2
1 + 1 +l
Dz
...
Rz Rz ·( rollRL J- 8m 'n ·( rnllRL J- 8111 ( rollRL )· 8111 Fig. P3.6a Fig P3.6b
sau, cu neglijările de rigoare:
REZOLVARE
V I :::_2iL__
"2 ,·"=O - R a) Valoarea tensiunii de ieşire este dată de relaţia:
-+J
Rz VO = VEB + Vz = 6 ,2V
Sumând cele două contribuţii se obţine : Rezultă curenţii:
1 1 1 Vo V1 -V V
V"=---· V;+---· V; E : - - - · V; I 0 = - = lOOmA, o :149mA , IR =JJL :::2mA
RL R1 , R2
8m ·r,, _!!_+J _!!_+J ~
Rz Rz
şi apoi, aplicând definiţia factorului de stabilizare:
Ic = IE = I1 - IO - IR, = 47 mA
S =-3__ =..!!_ + 1 =189 .
v
0 Rz b) Deoarece, atunci când tensiunea de intrare scade, curentul 11 scade, (şi odată cu el şi
11.), rezultă că valoarea minimă V1111 este atinsă pentru Ic = 10 ,, = I OOµA . Cum în această situaţie
f) Circuitul pe care se estimează rezistenţa de ieşire a stabilizatornlui este cel din figura curentul de bază 111 este neglijabil în raport cu fx z rezultă:
P3.5d. Se obţine: v,m- Vo =102mA
1,111 = I o + IR, + Ic min = R
R =~= r li r,r +(RIIRz) r,r + R2
--"--=- =275mfl I
" . o
lt
R
/JO+
]
/Jo Iar de aici, tensiunea de intrare minimă:
V,rn = VO + R1 · I Im 1O,2V=
g) Randamentul depinde de valoarea tensiunii de intrare, cazul cel mai defavorabil fiind
dat de v,=VIM. c) Creşterea tensiunii de intrare are ca efect creşterea curentului Ic al elementului
regulator şi, prin intermediul lui 18 , creşterea curentului prin dioda Zener. Tensiunea de intrare
771 [%]= Vo·lo ·100:27% maximă poate fi calculată punând condiţiile de funcţionare sigură pentru dioda Dz şi tranzistorul
v,M VIM .JIM
Q.
Pentru V, = V,"' rezultă:
Astfel, Ic ~ I c.,,uu = 1A conduce la obţinerea limitei:
111 [%]= Vo · Io -100 :70% V/Ml :Vo +R1 ·Vc.rn,Lr +Il<i +Io):::49,2V
V Im v,111 ' I /,n
. . , . J C.m<Lr d) Deriva termică a tensiunii de ieşire;

acestei valon corespunzandu-1 un curent Iz =--+IR
/JF 2
=12m.A < Iz M, ceea ce mseamnă că
•
,
e) Factorul de stabilizare cu tensiunea şi valoarea rezistenţei de ieşire;
f) Randamentul în cazul în care tensiunea de intrare ia valori extreme;
v 1M = v,M 1 =49,2V . g) Să se indice o modalitate de extindere a capabilităţii în curent a stabilizatornlui (o
dublare a curentului maxim la ieşire) ştiind că lc,nlllxt= 600mA.
QI ;----------------···----------, our
IR1l R, R3
l1o IN :
.--0---!---.
Q2 AB
:r
+
e) Schema pentru determinarea factornlui de stabilizare cu tensiunea de intrare este + + : ol
prezentată în figura P3.6b. Înlocuind tranzistorul prin circuitul său de semnal mic se deduce: v, Rr., Vo
/Jo+ I +-r,r_
S = V· =-R1
- + R1 ------='---+ I
_..!...
R2
R4 R3
v„ RLllr„ r,r + Rz + Rz . _r,r_ , __________________RRN_ ;
R2
Se calculează r:c =_f!g__ =53.2.Q , r0 = VA =2,13k.Q. Cu aceste valori formula lui S se Fig. P3.7a Fig. P3.7b
40·/c Ic
simplifică: REZOLVARE
S =.!!J... + /Jo . RJ +I = /Jo în schema din fig. 3.7a: Q1 este elementul regulador, D:1. referinţa de tensiune, Q3
RL r:c + Rz r,r + R2 constituie o sursă ce asigură curentul minim prin D:1. illt grupul Q1, R1, R3 este amplificatornl de
eroare.
f) Rezistenţa de ieşire se determină pe aceiaşi schemă. Se obţine: a) Se presupun tranzistoarele în RAN şi dioda Zener în stabilizare. În aceste condiţii :
VR4 =Vz + VBE2
Ro =\'."I
l v=O
= r„IIR11i r:c + Rz
/Jo +J
=0,63.Q Pe de altă parte, considerând un curent de bază neglijabil pentru tranzistorul Q1 (/Jr200)
(} RL -.oo "" se poate scrie:
Observaţie R4
VR4 :V0 ·---'--
R3 +R4
I
Dacă R2 << r:c rezultă: S =gml · R1 =73,3.Q R,, =-- = 0.53.Q. Din egalarea celor două relaţii rezultă:
e
gml
V0 . =(V2 + V8E2 ){1 + ~;) = 12V
· 100 în cazurile extreme, se obţine:
10
g) Aplicând formula randamentului, 17[%] = Va ·
V1 ·11 Va
10 =--=500mA
P0 V0 ·1 0 Run
17nuLr =--·100 = ·JOO =.60%
v,m .J,m V0
p/min J 'I= JR 4
R.
::::
- R +R
= 2,85mA, lv 3 = lvss = 2m.A
Po Vo ·la 3 4
=--·100= ·100:11,4%
17min
P1m,ur VIM ·l1M IEI= 10 +JR 3 + lvsS3 =505mA
Problema 3. 7. Componentele stabilizatorului cu reacţie negativă şi element regulator
I li/ =fJFJ =]Om.A
I
_E_
serie din fig. P3.7a au parametrii: Q1: v/JE =

0,6V, /JFl=/Jo,=50, V,1=80V, Vc.,;.nlllx/=80V;
Q1: v/JE =0,6V, f]Fl =/Joi =200, V,1=80V, lc.maxl =50mA; Q3: lm.1· =2mA, V1;== -2V, r,1,,= oo; IR1 = Vi -(Vo + VBEJ) =J5,5m.A
Dz: Vz:5,JV, lz_.,=lmA, txz=2mV/'C, R:1.E:O.Q. De asemenea sunt cunoscute: Vi=16V, R 1=220.Q, R1
R3=2,2k.Q, R4=2k.Q, R1,,.,=24fl. l cz = ]Rl -]BI= 5,5m.A
Să se determine:
a) Valoarea tensiunii de ieşire V0 şi curenţii prin circuit ; J 82 = 1c 2 =27µA (se verifică I 8 2 << I R 3 )
b) Tensiunea de intrare minimă; /JF2
Pentru verificarea funcţionării corecte a dispozitivelor se calculează:
c) Tensiunea de intrare maximă;
Iz = 1c 2 + I vss 3 = 7,45m.A, I z > I z.m , deci D:1. funcţionează în regim de stabilizare,
VcE2· =VIN-/ RJ · R1 -Vz =7,5V , VcE2 > VnE2 r; :

r 2 +ri/
:I9,5312
VcEJ =V1 -V0 =4V , VCEJ > VnEJ, rezultă că Q, şi Q1 funcţionează în RAN. 1(
/302 +1
VvS3 =V0 -Vz =6,9V, Vv53 > Vc53 -V7 , tranzistorul Q3 este în satura/ie. Mărimile de interes pentru amplificatorul cu reacţie sunt:
b) Tensiunea de intrare este limitată inferior, în primul rând, de tensiunea minimă pe T =a,. · f,. =9,2 >O, A. a.
= 1 + f,. · a„
=19
,
elementul regulator:
v,m.1 ;;;:;Vo +VcEl.m =12,6V R-1 = (1 + T) · r-1 - RZ1 = J+ T _ _!_ , adică R,, =370mfl .
În al doilea rând: " " ro RL
v,111.2 = Vo + VBEI + R1 · I Bl = 14,BV. Conform relaţiei ( 1.6) din breviarul acestui capitol, S = s · (1 + T) , unde s se estimează pe
În acest caz s-a considerat că prin R 1 circulă, la limită, doar curentul de bază al tranzistorului Q, schema din figura P3.7d, în care reacţia negativă a fost înlăturată (contribuţia ei manifestându-se
necesar susţinerii curentului 10 la valoarea impusă de sarcina minimă. Rezultă în final: doar prin prezenţa rezistenţelor rif, r,,t).
v,m =maxfVtml• V1m2 J=14,BV
+
c) Pentru estimarea tensiunii maxime de intrare se procedează similar: +
v,M 1 =Vo + VcE.llllLîl = 92V
V1M 2 = Vo + VBEJ + R1 · (1 CJm«2 + 1 ) = 25,BV

/Jn
Fig. P3. 7c Fig. P3.7d
VIM = min{V1M 1,VIM 2 } =25,BV
...
Urmând tehnica bazată pe superpoziţie ilustrată în problema 3.5, rezultă:
d) Conform definiţiei, deriva termică a tensiunii de ieşire este:
0 3)] = (J+-
R3)· (AVz
I,.,
v;,( v; ) =v~ 1 2=0 + v~2 j ,.11 =<'i
--;;;:; - LI [(V2 +V8 E2 ) · ( J+-
S 7 =LIV R -8
- - +AV E) : OmV / o C
-
&' AT R4 R4 AT &'
e) Stabilizatorul prezentat este cu reacţie negativă, bucla de reacţie fiind formată din
rezistenţele R3 , R4 . Amplificatorul cu reacţie (de tip serie-pa.ralel)are schema din fig. 3. 7b.
Semnalul de intrare, v;., se aplică între nodurile unde este conectată referinţa de tensiune
(dioda D 2 ) . Pe această schemă se calculează:
f,. = _l'; I = R4 =0,475

;,:-j;o =(J R4 + R3 iar în final :
rif = R3 IIR4 :lkn
S = s · (1 +T) 77 . =
r01 = R3 + R4 =4,2k.Q g) Estimarea randamentelor în condiţiile specificate în enunţ este lăsată ca temă
În figura P3.7c este prezentată schema amplificatorului în buclă deschisă, pe care se obţine: cititorului. Se obţine:
VO R RI - (/302 +]) = =
1'/min 43,6% , 1'/MA){ 78,7%
a,.= -
(
=- RLllr01 11r01 ·,-,01·
)
fa )f
R1 + r,r1 + \Prn + 1 · \Tof li RL
).
r,r2 + rif
=
f) Se înlocuieşte tranzistornl Q, cu gruparea din figura P3.7e. În acest mod ~apabi~itatea
V;
_ f301 · /Jo2 ·R1 ·RL în curent se dublează. R 11 = R 11 sunt rezistori de egaliz~e a curenţilor de col~ct~r dunens10nate
A
;;;:; (R1 + r,r 1 + /301 · RJ · (r,r 2 + rif) astfel încât, la curentul de ieşi.re maxim, căderea de tensmne pe ele să fie cupnnsa mtre [0,5V .. ·
IV] .
Se calculează: g ml =40 · I CI =20200kn-1; g m2 = 220k.Q - l şi
r1r 1 = /Joi = 2,47 -10-3 k.Q; r1r 2 = 0,917k.Q ; r0 1 = VA =

O,J58k.Q rezultând a,.= 19,4 .
g~ I~
Pentru rezis tenţele de intrnre/ieşire ale amplificatorului în buclă deschisă se poate scrie:
r1r1 +R1 R1 B
r0 = r01 li IIRL llr„ 1 = - IIRL =3,72.Q
/301 + ] /301 Fig. P3.7e
Problema 3.8. Se consideră stabilizatornl cu reacţie şi element regulator serie din fig. Estimarea curenţilor de colector pentru Q4•.1 pleacă de la estimarea curenţilor
P3.8a. Se cunosc: Q1: V81;::0,7V, /3,..,=/301=19, V,1=100V, Pv.nwx=60W, Ic.nu,x=20A; Qi: V8 EE:0,6V, tranzistoarelor care formează elementul regulator serie (Q,.1.1) . Pentru început, se observă că:
=
/3n= /301 =50, r 0= 00; Q1 : VEJJ 0,6V, /3n= /301 =25, r,,= 00; Q4.s.6.Y.Jo: V8 H= 0,6V, /31•. =/Ji,= 100, r.,= co, V8 E6 =R,,·1 0 :0.4V,
VCE.max =20V; Q7,8: IJ)S.\'7=4mA, I1)SSX=2mA, V1;=-l V, r.,,,= 00; Du: Vo:0,6V, L1Vi/LJ.T=-2m V! C; Dz: ceea ce arată că în acest regim de funcţionare tranzistorul Q6 este blocat. Apoi:
Vz=4,8V, lz.m=2mA, <Xz =+4mV/iC, Rz:Ofl, R1=Ri=lkf1, RL.min=l,212. IEI =lo +JR1.1 +Im :IOA
Se cere:
a) V0 şi curenţii prin circuit pentru Rp =40mll, - ] - l CI - 500,nA J - 1 - l ci - 25mA ] - ] - JC3 - JmA
l 81 = C2 - PF1 +] = • 82 - C3 - /JF2 = • 83 - C4 - PF3 =
b) Rolul dispozitivelor şi funcţionarea circuitului;
c) Tensiunea de intrare minimă; Rezultă pentrn Qs:
d) Tensiunea de intrare maximă;
e) Deriva termică a tensiunii de ieşire;
=
JC5 = JD8 - JC4 JmA ·
f) Rezistenţa de ieşire; b) Rolurile dispozitivelor din circuit:
g) Randamentul în cazurile extreme ale tensiunii de intrare; • Grupul Q,, Q1, Q.1 constituie elementul regulator serie. Deoarece Q, este un
h) Valoarea lui Rp pentru limitarea curentului de ieşire la valoarea: Io.fim= 10,5A. tranzistor de putere (/JF redus) acesta este capabil să asigure un curent mare în
sarcină. Tranzistoarele Q1 şi Q1 au rolul de demultiplicare a curentului de bază al
R
lui Q, şi fac posibilă funcţionarea amplificatornlui de eroare la curenţi
acceptabili.
• Etajul diferenţial Q4 , Q., polarizat de la sursa de curent realizată cu Q8 împreună
+ cu rezistorii R1 şi R1 alcătuiesc amplificatorul de eroare;
• D1, Di, D.1 reprezintă referinţa de tensiune iar Q7 este o sursă de curent constant
ce polarizează referinţa. D,, D 1 au ~rivă termică negativă (-2m V! C) şi sunt
utilizate pentru a compensa termic dioda Zener;
• Ansamblul Q6, R„ realizează protecţia la supracurent. Curentul prin sarcină (10 )
V
este limitat de protecţie la valoarea 1O.Jim =;
p
E =15A . Cum 1 0 < 1o.nm
circuitul de protecţie nu acţionează nici la RL,m .
c) Tensiunea de intrare minimă este impusă de menţinerea în RAN a tranzistoarelor Q,,

Q1 şi Q.1• Co~siderând IvCE.m I=IVBEI rezultă:
vi.ml =Vo +VCEJ.m =12,7V
Fig. P3.8a V;,m2 =Vo +VCE2.m +V8El =14V
vi,m3 = Vo + VEC3.m +V8EJ +V8E2 =13,9V
REZOLVARE
V;,m = max{V;,mJ,Vi.m2 , Vi.m3}= 14V
a) Se presupune că Q4 şi Q.1 lucrează la curenţi de colector identici. În acest caz,
potenţialul în bazele tranzistoarelor este acelaşi:
d) Ţinând
seama de limitele de funcţionare maxime absolute precizate în enunţ rezultă:
V8 = 2 · V0 +Vz = VA p
Dacă, în plus, curentul IIJ5 este neglijabil în rapmt cu cel prin divizorul rezistiv R 1, R1 , V/Ml= D.m,ul +Va= 18V
rezultă: Ici
VJM2 = VEB3 + VcE5,nuu + VDS8:::: 26V
V0 =(l+ ;; } VA= (1 + ;; }(2 · V 0 +Vz} = 12V V1M =min{V1M1,V1Mi} = I 8V
Curenţii prin circuit sunt:
Va
10 = - =lOA,JR =R1 Vo+R2 =6mA e) ST = L1Vo =(1 +.!!.L)·(2·L1Vo + L1Vz ) = Om V1°c
RL / ,1 L1T R 2 tJT L1T
107 = I DSSl =4mA , I 08 = 1vssB =2mA (deoarece VGSl =VcsB =OV şi tranzistoarele
f) Calculul rezistenţei de ieşire a stabilizatorului se face după un algoritm similar celui
=
sunt presupuse în saturaţie ), 101 = I 0 2 = 1DZ I v 7 = 4mA .
utilizat la problema precedentă. În fig. P3.8b se prezintă schema amplificatorului de eroare, cu
reacţie negativă a cărei rezistenţă de ieşire coincide cu rezistenţa de ieşire a stabilizatorului. Se • R 4, R 5 - reţea reacţie negativă;
obţine: • R1, D;,1, D 1 alcătuiesc circuitul de pornire. Elimină al doilea PSF stabil al
T =a,. · f =174 > O , A., =i_ =2 şi R =5m11 .
v 0
circuitului în care toate dispozitivele sunt blocate. În regim normal de
funcţionare este izolat de nodul de referinţă prin D 1 (invers polarizat). La pomi.re
f,.
sau când V,,= O polarizează baza lui Q3•
+·
Fig. P3.8b Fig. P3.9a
g) Randamentul calculat pentru v,,,,, şi v,.M dă : b) Punctele statice de funcţionare se evaluează.pornind de la tensiunea de ieşire:
1Jmill =59,4% , 1Jnuu: =84% Vo =(Vzi -VBE3 + VBE4 )-(1 + ~: )= JOV, Io=~: =IA
h) Dacă tranzistornl ~ 6 este considerat deschis Ia V8 E =0,6V, se deduce: Ie3+Ic4 =Vzz-VBE3 =lOmA
R6
Rp = VBE :0,05711.
I O Jim lzi = Vo -Vzz -VDZ = 3 8mA
R3 ,
Problema 3.9. În circuitul stabilizator cu reacţie şi element regulator serie din fig. P3 .9a e V0 V V0
componentele au parametrii: Q,: ri"·
=ro= 20; VuE-=O 6V·' P,,,'11CIX =60W·' Vc-1·! ,nt(IX =25V· I El =I C4 + 1Z2 + +- 0 =- = 1A (I )
=~,2:·
vCE,~1in
' '
Q~: /Jn =/J~i =l~O; Vu~ =O!V,· ~D.rllll~ =3~· vCE,nrax :30V,·. Vc~,min :0,2V,·
Qu flF /Jo 100, I VuE I= 0,6V, D,, D 1 . V0 .0 ,,,-0,6V, Dz1. Vz, -4,2V, lz,.,-lmA, Dzi. Vzi-5,6V,
J
-
Ici= IEI _48mA
R4 +R5 RL RL
(2)
lz..,=lmA; R 1=3k11; R 1=12011, R3 =lk11, R,=4,4k11, R 5=5,6k11, R 6=50011. /3Fl + 1
Se cere:
a) Rolul elementelor;
Iz1 = v, -VzI =3,6mA (3)
R1
b) Tensiunea la ieşire, curenţii în circuit şi puterea disipată pe Q, şi Q1 pentru V1= 15V şi
R,. =JOll, V CEI = v, -VO = 5V (4)
c) Curenţii prin ·circuit în condiţii de scurtcircuit la ieşire (R1, = 011) dacă V1=J5V; VEc2 = VcEJ - VBEI = 4,4V (5)
d) Analiza pornirii circuitului; =
Pv(Q1 )= VcEJ ·ICI 5W < Pv.11uJQ1)
e) Limitele tensiunii de intrare (RL =1Oll);
f) Limitele curentului prin sarcină pentru V1= 15V; Pv (Q 2 ) =VcE2 · I cz =0,22W < PD.nu« (Q 2)
g) Rezistenţa de ieşire (RJ

c) Dacă V0 =O rezultă că dioda D:a se blochează. În absenţa circuitului de pornire
REZOLVARE format din R 1, Dz1, D 1 se poate deduce că Ic1=Ic1 =lc3=0, circuitul este blocat şi perfect protejat la
a) Elementele constitutive ale stabilizatorului sunt: scurcircuit dar nici nu mai iese din această stare când RL;e O.
• Q 1, Q1 - elementul regulator serie ce controlează curentul de ieşire;
În prezenţa circuitului de pornire însă:
• ansamblul Q3 , Q 4, R 4, R5 constituie amplificatorul de eroare; _ Vzi-VBE3-VDI _ 6mA
• grupul Dn, Di, şi R3 este referinţa de tensiune;
I C3 = R6
-
De asemenea I0 u este limitat de curentul maxim prin Q3 . Ca
Ic2 = /3n -( C3 - I V;: 2 ) = JOOmA
Ul ·1nar·e / 82 ,mllX R =5mA . I c 3 mlL< =JOmA
= ic 3 max -V--
EB3 (Q4 la 1·1m1ta
. biocru:11
• ·'" ) . R ez,1 1ta.
•.
3
lc1 =f3FJ ·10 =2A
=
loM /31 · /32 · I s211uix = IOA
=
VcEJ vi = 15V, Po(Q1 )= VcEJ · Ic1 30W = În final: 10 M =]OA .
VCE2 =V1 -VEBJ =14,4V, P0 (Q 2 )=VEci ·lc2 =l,5W Pentru V1 = J5V nu există nici o restricţie pentru funcţionar·ea în gol a stabilizatorului
deci, l om= O.
d) La pornire, tensiunea de ieşire este V0 =O deci, este echivalentă condiţiilor de
funcţionare de la punctul (c). Circuitul va injecta în sarcină un curent:
g) Procedând ca în problemele 3.7 şi 3.8 se obţine :
10 =lc 1 =2A
Dacă la acest curent tensiunea V0 depăşeşte VDl = 3,6V , dioda D1 se
valoarea V21 -
=
R 0 0 ,055mil .
deschide şi un curent suplimentar se injectează în baza lui Q.,. Ca urmare, lc.i, le1 şi / 0 cresc Problema 3.10. Pentru stabilizatorul cu element regulator par·alel şi reacţie negativă din
determinând creşterea lui V0 • Urmează un proces cumulativ până când V0 atinge valoarea de figura P3 .10a se cunosc: Q 1 : Ivs..;= 6mA, V/= -2V, rd.,= 00; Q1..1.4. J, 6: /JF =/Jo=IOO; IVnt: l=0.6V;
regim staţionar (V0 =JOV). Pornirea circuitului este asigurată dacă RL > 1,8.Q. I I
Q7: /JF =/J0=50; Vm,: =0, 6V; Dâ : VL= 3V, l z.m= 2mA; R 1=4,7Q; R2=600Q, R3=20kQ, R4=JOkQ.
Se cere:
e) În ecuaţia (4) se pun condiţiile: VcEJ $ VcEl.max şi PDJ $Pol.max. Atunci: a) Rolul componentelor şi tensiunea V0 ;
Vi $Va +VcEJ.,nax =35V b) Curenţii din circuit pentru V1=15V şi RL=9Q,
c) Să se discute cazul cel mai defavorabil pentru tranzistorul Q 7 şi să se determine
p
vi$ Dl.mm +Vo =70V curentul maxim suportat de Q 7 dacă V1ftt= 20V; ..
Io d) Să se analizeze cazul unui scurtcircuit la ieşire.
De asemenea, în ecuaţia (5) se pun condiţiile: VECl $VECl.M şi P02 $ P02 .m,n ceea ce R1
implică:
vl $ Vo +V EC2.m,u + YBEI = 40,6V
p +
Vi$ f3FJ. D2,rn<u +Vo :70V
Io
Cea mai mică dintre aceste valori reprezintă tensiunea maximă de intrare, V1M =35V .
Pentru calculul tensiunii minime se pune condiţia VcEI ~ VCEJ.mi" în ecuaţia (4). Rezultă:
vi ~ Vo + VCEJ,min = 11,2V
De asemenea, se impun şi condiţiile VECl ~ VEClJnin în ecuaţia (5) ceea ce implică:
Fig. P3. 10a
vi ~ Vo + VBEI + VcE2,min = 10,8V
Rezultă V1m = 11,2V . REZOLVARE
S-a considerat IVCE.mi" I=IVHE I=0,6V . a) Elementele constitutive ale stabilizatorului sunt:
• Q 7 , Q 6 (conexiune Darlington) - element regulator paralel (ERP), controlează
f) Curentul de ieşire este limitat superior de puterea maximă disipată pe Q 1 şi Q1 . curentul de ieşire;
Rezultă: • grupul Q 1 , Q .1, Q4. Q5 şi R3, R 4 - amplificator de eroare;
• Dzi - Referinţă de tensiune polarizată în curent constant asigurat de Q 1;
I OM ,J = Po1.mcix ::: 12A , respectiv
.
• Rr rezistenţă de balast care preia variaţiile tensiunii de intrare.
Vi - Vo
1
(vi -Vo -vBEl )· /3 o $ Po2.m,ix. Vo =(Vz1 . VnE2 + VBE3) -(1 + ; ; )= 9V
FI
b) Cur entul prin sarcină este dat de relaţia:

Vo
10 = - = IA
RL
IDJ =.lz1 =lvss =6mA

IR2 = Vz1 -VBE2 =4mA
Rz
V
I R3.4 = o = 0,3mA
R3 +R4
V1 -Va
IR1 = =1,28A
R1
I C7 =I E7 = I RJ - I Dl - I R2 - I R3.4 - I o = I Rl - I o =270mA
I C7
lc 6 =--=5,4mA
Pn
Fig. P3.lla
c) Regimul de lucru cel mai defavorabil pentru tranzistorul Q 7 este acela în care
stabilizatorul paralel lucrează în gol (rezistenta de sarcină este infinită) şi tensiunea la intrarea b) Tensiunea de referinţă este aplicată pe borna nemversoare a amplificatorului
stabilizatorului este maximă. Şi în acest caz tensiunea la ieşire trebuie să fie constantă, la valoarea operaţional şi
are valoarea:
calculată. Tranzistorul ERP va prelua tot curentul ce trece prin rezistorul R 1 • VR =V+ = R4 . Vz + VBE . (R3 - 2R4) = 2V
vl.M -Vo R3+R4
le7 =.JR]= =2,34A
R1 Deoarece y+ =v- rezultă: ...
Trebuie ales un tranzistor de putere al cărui curent maxim admisibil de colector să fie mai
mare decât curentul calculat mai sus. Va =VR {1+ ;~ )=12V
d) În cazul unui scurtcircuit la ieşire toate tranzistoarele vor fi blocate. Întregul curent va .
fi suportat de rezistorul R1 . Pentru acest caz se determină puterea pe rezistor, considerând o Mai departe, lvQJ =lvss =121 = JOmA , lc 2 :;:: IDJ =lv 2 = VzR3-3VBE
+R4
=J,4mA
tensiune maximă la intrare. '
y2
_ -J .lnllX
PRl - -= - 85W
R1
c) periva termică a tensiunii de ieşire este dictată de deriva termică a referinţei de
Problema 3.11. Pentru stabilizatorul cu amplificator de eroare integrat (A O) şi element
tensiune.
regulator serie din figura P3. l la se cunosc: AO: a,0 = 30000, r; = oo, r0 =O; Q 1: 10 :;r JOmA,
V1.=-2V, rt1.r= 00; Q1..u: [J,.. =/Jo =100; VJJJ,: =0,6V; Q4 : /JJ: =/Jo =50; VJJJ; =0,6V,· Dz,: Vz=8,8V, Sr= - avo = J [ R4 ·-+R
aVz ( -R ) ·avBE
- -];OmVI o C
ar R3 +R4 ar 3 4 ar
lz..,=2mA, Rz=O, a 2 =4mV/°C; Du: Vv =V8 E =0,6V R1=5kf2; R1=lkf2, R 3=4kf2, R 4=Jkf2,
Rj=0,3f2, V1 =18V d) Circuitul de protecţie Qj, R5 este acelaşi cu cel folosit în problema 3.8 şi limitează
Se cere: curentul de ieşire Ia o valoare fixă dată de relaţia:
a) Rolul elementelor din circuit;
I SC=- V BE5-2A
b) Tensiunea de ieşire V0 şi curenţii prin circuit pentru RL = 12f2; -
R5
c) Deriva termică a tensiunii de ieşire;
Calculul s-a realizat considerând că tranzistorul Q5 este blocat atât timp cât
d) Să se reprezinte caracteristica curent-tensiune;
V BE5 < 0,6V şi se deschide când V8 E5 depăşeşte această valoare. În această ipoteză, caracteristica
e) Rezistenţa de ieşire.
V0 = f(lo) ar fi de tipul celei din fig P3.l l b, în care tensiunea de ieşire rămâne aproximativ
REZOLVARE constantă până la valoarea 10 = Isc , după care "trece" brusc în zero.
a) Părţile componente ale stabilizatorului sunt: În realitate, prin tranzistor va circula un cw·ent semnificativ şi la tensiuni V8 e cuprinse în
intervalul (0,5V - 0.6V) motiv pentru care tensiunea de ieşire începe să "cadă" înainte de Isc iar
• Q,, Q1, Dz,, D,, D1, R 3, R4 formează referinţa de tensiune;
caracteristica reală va fi de tipul celei din fig.P3.l lc.
• AO şi R 1, R1 formează amplificatorul de eroare;
• Q3 , Q4 este elementul regulator serie (ERS); e) Schema de curent alternativ pentru calculul rezistenţei de ieşire a stabilizatorului este
• Qj, R 5 asigură protecţia la scurtcircuit.
desenată în fig. P3. l ld. Se obţine: R" =2,4mf2.
Domeniu de stlbilizare Domeniu de s1abili.zate V

0
î
y 0I 1Domeniu de slabilizare
----------,
Isc Isc Io
Domeniu de limilare
Fig. P3.llb Fig. P3.llc cu în toarcere
Rs
+ Isc I cor
Vo RL Fig. P3.12b
Relaţia de mai sus poate fi utilizată pentru calculul curentului de cot ( curentul de la care
începe întoarcerea caracteristicii) şi a ciirentului de scurtcircuit.
Curentul de ieşire atinge valoarea de cot atunci când tranzistorul Q5 din circuitul de
=
protecţie intră în conducţie ( VBE5 0,6V ) iar tensiunea la ieşire păstrează valoarea constantă
...
Fig. P3.lld ( VO = 12V ) din domeniul de stabilizare. Rezultă:
Problema 3.12. Stabilizatorul din fig. P3. l 2a are schema şi datele din problema lcoT = R6 +R5 VBE+---·Vo
R5
:2A
precedentă. S-au adăugat: R 6=JOkQ şi R 7=I Q iar R5 s-a modificat la valoarea de 1,11 kQ.. Să se R6 ·R7 R6 ·R7
reprezinte caracteristica curent~ tensiune (I O - VO). Cănd I O tinde să depăşească I COT circuitul de protecţie intră în funcţiune. Q5 preia o
parte din curentul de ieşire din AO reducând 183 . Se explică astfel scăderea (întoarcerea) curentului
de ieşire (fig. P3.12b). Tensiunea V0 scade corespunzător. Când tensiunea la ieşire ajunge la zero
se obţine curentul de scurtcircuit.
R6 +Rs
I s<! = V BE =0,667mA.
R6 ·R7
+
V.I î
+
Fig. P3.Jia
REZOLVARE
În fig. P3. l 2a se foloseşte un circuit de protecţie cu întoarcerea curentului realizat cu Q5,

R5 şi R 6 • În prezenţa acestei protecţii caracteristica de ieşire a stabilizatorului are forma din fig.
P3.12b. Pe schema din fig. P3. 12a se deduce:
R6
VB=VA· ' VA=Vo+R7 ·lo
R6 +R5
şi combinând cele două relaţii rezultă tensiunea bază-emitor a tranzistorului de protecţie:
CAPITOLUL 4
OSCILATOARE ARMONICE
BREVIAR
•Oscilatorul armonic este circuitul care generează un semnal sinusoidal

= V,,,,c · COS W0 t
VO (4. l)
prin conversia în putere de semnal a unei părţi din puterea continuă primită de la sursa de
alimentare.
Parametrii oscilatorului sunt:
~ amplitudinea de oscilaţie, V0 sc;
~ frecvenţa/pulsaţia de oscilaţie, fo = ; ; ;
..
~ variaţiile relative ale tensiunii/frecvenţei LJV,, /V,, , LJ/0 / fo .
• Configuraţia oscilatorului, în majoritatea situaţiilor, corespunde unui amplificator cu
reacţie pozitivă (fig. 4.1) cu transmisia pe buclă unitară:
A· f!._(Wo) =1 (4.2)
r------------------------ ,
1
I
Oscilator •I
I
Amplificator ,· ~~~~
Sarcina
;+H=H A=~ R1,
I Sj=Sg+St S·
I
L- --- --- -- -- --- --- - --- -- -j
Fig. 4.1
Relaţia de mai sus reprezintă condiţia de oscilaţie sau condiţia Barkhausen. A. este
câştigul amplificatorului iar f!._ este funcţia de transfer a reţelei de reacţie pozitivă (RRP). RRP
este, de obicei, o reţea pasivă cu structură cunoscută, formată din rezistenţe şi condensatoare
(oscilatoare RC) sau bobine şi condensatoare (oscilatoare LC). De aceea, · funcţia de transfer a RRP
depinde de frecvenţă şi fixează frecvenţa de oscilaţie. Pe de altă parte, cum banda amplificatorului
include fo câştigul A. este independent de frecvenţă. Ca urmare condiţia de oscilaţie (4.2) impune
Jm{f!._(w0 )}=0 (4.3)
ecuaţie care permite calculul frecvenţei de oscilaţie. Notând IA.I =A şi jf!._(Wo ~ = /3(Wo) condiţia
Barkhausen se explicitează astfel:
Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 4 - Oscilatoar e armonice 133
132
• Amorsarea şi stabilizar ea oscilaţiilor solicită dependenţa câştigului amplificatorului
A · P(01o)= 1
(4.4) de amplitudinea de oscilaţie :
(ţ)A +(ţ)B =0/2;r A = A(V ) (4.5)
0
unde rpA şi f/)8 sunt defazajele (care pot fi numai O sau 1t radiani) introduse la / = / 0 de Concret, amplificarea trebuie să scadă cu amplitudinea cum se ilustrează în fig. 4.2. Practic acest
amplificator respectiv, RRP. lucru se obţine prin variaţia pantei unuia din tranzistoar ele din amplificator cu V., sau prin folosirea
în schema amplificatmului a unei rezistenţe comandate în tensiune/putere.
Tabelul 4 1
Denumirea Schema electrică/ funcţia de transfer
A
A(O) M
AC\1asc) --------- ,
I
Reţea Wien cu
transfer de Vase Va
tensiune 1
p (w) = v,1r =----,-----,- Fig. 4. 2
_., V
if -I of =O 3 +1· -· (OJ - -Wo)
OJo OJ • Reţelele de reacţie pozitivă RC, cele mai folosite, sunt date în tabelul 4. 1 unde se
precizează: denumirea, schema electrică, funcţia de transfer. În toate situaţiile :
Lr ~ I
Rr
R {J) --- (4.6)
R·C
0 -
Yir c R Yrt este pulsaţia pentru care funcţia de transfer are un ma~ m şi este reală. De pildă pentrn reţeaua TT
Reţea Wien cu l Ţ l maximul lui /J are expresia:
- V
transfer de curent
( ) k · (2 k -I) (4.7)
fJ. (w) = (,r 1 /!_,. Wo = 2k 2 +k+J
_, I =----.,....----
if V
- of
=O . ( -0J - -
3 +1· Wo) care depinde de constanta k. La rândul său această expresie are un maxim pentrn k = 0,207,
Wo a, /3,. (ma)= -1/10,66 . Ca urmru·e, ecuaţia (4.6) serveşte la determinarea frecvenţei de oscilaţie .
li
Reţelele TT şi de defazare sunt cu transfer de tensiune. Reţeaua Wien este, fie cu transfer de
14 R li
C ~ tensiune, ije cu transfer de curent.
+ li
+
Reţeaua dublu T
Yir
l
~~kl Ţ
Rk
R Yr1
l
• Oscilatoarele LC în 3 puncte au schema bloc din fig. 4.3.
+ Amplificator +
(TT) ~1 Q) ~2
2k - _w_; + j(2k _w_ - Wo )
Wo Wo a,
=- - - - -- " ---=--'---'--- - - '' - - - - - =
2+ 2k + !_k _ _wa,_: + j[(2+ 2k + l).

k
_w_ - _w
w
_]
0 OJ0 0
z
Reţe a de defazare
f~R
~RICr~ I
Impedanţele
I RRP
L - -- - - - - -- --- - - ...J
Fig. 4.3
r ' r 1şi r2 ' explicitate în tabelul 4.2., dau numele oscilatorului.

Amplificatorul din schema din fig. 4.3 are, uzual, numai un tranzistor amplificator care
1
/J (01)= Vor
_ ,. V =- -- - - ~ lucrează la semnal mare. Frecvenţa de oscilaţie este dată de relaţia:
if L,,, =O 3 + J·( -0J - -Wo ) 1
fo = (4.8)
OJo OJ
2;rr~Le · c.
134 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 4 - Oscilatoare armonice 135
unde expresiile pentru L. şic. sunt date în tabelul 4.3. • RRP are o structură cunoscută: reţea Wien, reţea de defazare, reţea dublu T, etc.
(tabelul 4.1)
Tabelul 4.2 • ieşirea amplificatorului coincide cu intrarea RRP, iar intrarea amplificatorului
Denumirea z Z, Z, corespunde ieşirii RRP, astfel încât:
Colpitts //J&&/11 ~-u-~ ~+~ V
- oct =Vif
- i '
I =-lif
-oa _, şi -V ui
. =V-u.f , / . =-1- of ·
-w
standard L,r„ C1 C2 • ieşirea oscilatorului poate să coincidă cu ieşirea amplificatorului.
Colpitts modificat
//Jqp/1/ ~~ iz,-j~
• amplificatorul poate avea reacţie negativă. Există scheme de oscilatoare la care
reţeaua RC ( care determină frecvenţa de oscilaţie) asigură reacţia negativă, iar
L, r,,,C3 C1 C2 RRP este o reţea rezistivă.
};> se desenează separat schema RRP pe care se determină:
III ;_;_ ,~
~~ ~~
Clapp • foncţia de transfer /!_ (m) (vezi tabelul 4.4 şi respectiv 4.1). Din ecuaţia:
L,r,,,C3 C1 C2
Im {f!..(mJ}= O rezultă expresia frecvenţei de oscilaţie (J,,);
Hartley ~~
-
- 1/J
- -
III
• impedanţele de intrare/ieşire şi modulul lor:

C L1, r1,1 L2, r1,2
I?:.if (wo) I ' I?:.()J (w()) I
};> se desenează schema amplificatorului pe care se calculează amplificarea (vezi
Tabelul 4 3
tabelul 4.4) şi rezistenţele de intra.re/ieşire (R;/R„J;
Oscilatorul L" c_ l> se verifică condiţiile din tabelul 4.4, care asigură independenţa amplificatorului de
C1 ·C2 RRP;
Colpitts standard L
C1 +C2 };> dacă aceste condiţii sunt îndeplinite, f. are expresia determinată mai sus şi depinde
C C1. C2 numai de RRP, iar Vm·c • amplitudine'ă semnalului de ieşire, este fixată numai de
Colpitts modificat L 3+ elementele amplificatorului.
C1 +C2
Clapp - L ( 1 1 1
Ci+ C2 + C3
rJ Tabelul 4 4
Tipul reţelei I!.. A Condiţii
-- -
Hartley L1+li C Cu transfer de (1
/3.=-
_, I _, /.
A.=~
Ria <' l?:.,1 ((1)(} > I
curent
În obţinerea relaţiilor din acest tabel s-a neglijat efectul reactanţelor amplificatorului şi în cazul ,
if V
- nf =0 - ia r..,=o Rm, » l?:.1r (a,JI
oscilatorului Hartley şi inductanţa mutuală dintre L1 şi L1 .
• Oscilatoarele LC cu circuit oscilant şi reacţie magnetică se tratează de obicei cu Cu transfer de :!'.'. of
f!..v = - - A= ~V
_,. I
R;" » l?:. 1 (w,,
0 )I
teoria reacţiei negative (vezi breviarul de la capitolul 2). Frecvenţa de oscilaţie coincide cu tensiune :!'.'..if Ln1=0 - i« I
-""
=0 Rn« « l?:.if (wJI
frecvenţa circuitului oscilant. _:......J
• Analiza oscilatoarelor RC se face în următoarele etape:

};> se stabileşte schema de cc pe care se determină psf-urile şi parametrii dinamici ai
Din tabelul 4.4 rezultă că o reţea cu transfer de curent solicită un amplifici ~)r de cw·ent,
dispozitivelor. iar o reţea cu transfer de tensiune necesită un amplificator de tensiune.
};> se stabileşte schema de ca şi se reprezintă ca în fig. 4.4. • Probleme de oscilatoare LC în 3 puncte se abordează cu algoritmul:
};> se stabileşte schema de cc pe care se determină psf şi paran1et.r11 dinamici ai
La dispozitivelor.
~ ~
+ + };> se stabileşte schema de ca pe care se identifică:
Yia AMPLIFICATOR Yoa • cele 3 puncte:

:c- ri CD - corespunde electrodului BIG
~ - corespunde electrodului C/D
~ Jl ® - corespunde electrodului E/S
+ RRP + • impedanţele
Yia=Yct (RC) Y;r=Yoa ?:. între CD şi ~
:c- ri
?:.1 între CD şi ®
Fig. 4.4 ?:_ 2 între ~ şi ®.
~ se completează impedanţele (I, ~1 , I 2 ) cu elementele circuitului echivalent de PROBLEME

semnal mare al tranzistorului amplificator (în care se consideră C 21 =C 12 -=O,
-
g 12 =O) şi sarcina RL. Ca urmare: Problema 4.1. Pentru circuitul din fig. P4.la se cunosc: Vi)/)=20V, L 1= IOOµH, L2=JOnH,
C1=JOnF, R1.= 1 OkQ. Bobinele L 1 şi L1 au un cuplaj ideal (k = I ). Trai12istorul Q ai·e parametrii:
Z 1 -+ z~, z 2 -+ z~ I,mF 12mA, V/=-2V, r,1,= oo. Să se determine:
~ se obţine schema generală din fig. 4.5 pentru oscilatorul în 3 puncte. a) PSF-ul tra112istorului;
b) Frecvenţa semnalului sinusoidal generat de circuit la bornele lui R1. ş1 panta
trai12istorului în regim de oscilaţie;
c) Să se verifice îndeplinirea condiţiilor de pornire a oscilaţiilor.
+Voo Q
L, C1 Grn Ysit
RL s «
D
el J!i
* +
* Ys, * Ţc1 Yo RL
Q L2 L1
RL * * +
Fig. 4.5 }.G l
L2 L1ŢC1
~ pe schema din fig. 4.5 se deduce: [~ + [~ + [~ . [~ . z + G"' = f_ = O
Fig. P4.la Fig. P4.lb Fig. P4.lc
~ din ecuaţia Im {f_} =O se determină frecvenţa de oscilaţie. Se obţine: ...
1 REZOLVARE
a) Analiza în curent continuu

L. , c.
sunt inductanţa echivalentă şi capacitatea echivalentă (vezi tabelul 4.3) ale
În absenţa oscilaţiilor (V =0JI) pe schema din fig. P4. la rezultă:
0
circuitului din fig. -4.5.
Vcs =OV, Iv =lvss =12mA
~ din ecuaţia Re {f_} = O se determină panta de semnal mare a tranzistorului ( Gin ).
VDS =VDD =20V
Se calculează, de asemenea, panta de semnal mic cu una din relaţiile:
Tranzistorul este polarizat în saturaţie.
2Ivss
gtn{) =Yrr' pentrn TEC-J I,
b) Analiza de regim dinamic
g m = 40 · Ic , pentru tranzistorul bipolar Schema de regim dinamic a circuitului este reprezentată în fig. P4. l b. Circuitul este un
~ folosind valorile obţinute pentru G111 şi g m se determină V1 , amplitudinea oscilator LC cu circuit acordat în drenă şi reacţie cu cuplaj indutiv spre sursă. El poate fi tratat cu
semn_alului alternativ între nodurile CD şi Q) (fig. 4.5). V1=Vx, dacă tranzistornl algoritmul din breviar sau ca un amplificator cu reacţie pozitivă. În continuare va fi prezentată
amplificator e TEC-J, respectiv V,= Vh, pentru un tranzistor bipolar. rezolvarea în ambele moduri.
~ pe schema din fig. 4.5 se determină raportul dintre amplitudinile V1 şi Vi precum şi
legătura între aceste mărimi şi amplitudinea semnalului de ieşire (V,,,,.). Se obţine: Varianta I
V2 Ci Se foloseşte algoritmul din breviar. Pe schema din fig.P4. l b se înlocuieşte Q cu circuitul
V C= la oscilatoarele Colpitts, său echivalent de semnal mare. Capacităţile interne ale tra11Zistorului se consideră neglijabile.
1 2
Rezultă schema din fig. 4.1 c. Pe acest circuit rezultă:
pentru oscilatorul Hartley, respectiv V
-Gin ·Vgs =!_ 1 +jw-C1 ·!::'..,, +;:
V"'c = V 2 dacă RL e plasată între nodurile Q) şi Q)
V
=
V,,,c V1 + V2 când RL este între nodurile CD şi d:i. I - -o
-1 - jW·L1
~ Dete_rminările ai:teri?ar.e permit ca~culul frecvenţei şi amplitudinii de oscilaţie;
L 1 şi Li sunt bobine cuplate cu rezistenţa serie neglijabiţă. Inductai1ţa mutuală M are
Acest algontm este aphcabtl ş1 pentrn oscilatoarele LC cu reacţie pozitivă magnetică.
expresia:
M =~L1 ·L2 =lµH
căci factorul ·ie cuplaj este maxim (k = 1).
138
Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 4 - Oscilatoare armonice 139
1., - jw~ c, IIRL = RL

2
L1 ja>·L, +-.-1-IIRL jW·L, -w ·L, ·C, ·RL+RL
JW· C 1
1
Fig. P4.ld =---------
2 L. C . L,
1 -a,. 1· ,+Ja>·-
Se constată că L 1<< M << L În acest dl. b b' RL
Ţinând cont de această echivalare pe ~chema dm~ cfio1gn P1411 l o me1e pot~ echivalate ca în fig. P4.ld. Rezultă că:
· . c se poate scne·
. M . jm · M
!:::.,.
,,. =-1<:o ·M ·1
- 1 =--·V
L1 _,, f =-----"-----
l 1-a,-.
' LI. CI+ JW·-
. L1
Din relatle scrise mai sus rezultă expresia lui E (vezi brevianil): RL
f. =-.--L-+ j<:o·C,-Gm . M +...!_ Circuitul este un oscilator atunci când: T =a_.· f , = -1. Înlocuind relaţiile obţinute pentru
JOJ· 1 L1 RL a.v şi fz rezultă:
Din condiţia lm(E)=O se obJine:
I ja>·M ·Gm
Wo=~== 1
~L1 · C1 2 . L,
1-<:o · L1 ·C1 + JW ·-
RL
iar din Re(E)= O rezultă panta de semnal mare a tranzistorului:
Această ecuatie este echivalentă cu:
G=~ ....
m M·Rl 2
ja>·M ·Gm =J-a, · L 1 ·C1 + jW· ~
1
L
Varianta II Egalând cu zero partea reală a ecuaţiei de mai sus rezultă frecvenţa de oscilaţie:
1 1
Acum, analiza şi rezolvarea se vo fi · · · Î a,v = ,;;-;-;
fn = ,;;-;- =
160k.Hz
amplificatorul de bază este format din tran:ist~~~l cu !eona re~cţm .. n schema din fig. P4. I b vC1 ·L, 2ff·vC1 · L,
alcătuită de restul componentelor din schemă . l . ~ n~mon!aJ GC, i~· reţe~ua de reacţie este Din paitea imaginară se obţine panta de semnal mare a tranzistorului ce corespunde
Pe circuitul de semnal mare i~c us1v 1.: ea~ţ1a este de hp serie-serie. regimului permanent de oscilaţie:
vedere tipul reacţiei): al amphficatorulm dat m fig.P4.1 e se calculează (având în
a-"
_ m.c.o.
---=--=-Gm
!.,H, G.n =~=JLi ·...!_=!!:.!_·...!_=JOmA/V
M · RLRL n 2 RL
L2
m.g. !:'.:;" Se constată că cele două metode de rezolvare (varianta I şi respectiv II) dau aceleaşi
Schema reţelei de reactie pozitivă reprezentată în fig P4 1f ~ t ld . rezultate (aceleaşi expresii pentru w0 şi Gm ).
' · · , are ,ac oru e reacţie:
fz = m.n.i.,
--
!:::if -
!:::,if I
= - . ..=L c) La pornirea circuitului amplitudinea oscilaţiilor este nulă. În consecinţă, panta
m.c.o. · 0 I J J
m.c.1. = -of I if = O _, -vf
Pe schema din fig.4.lfse deduce:
-· 2Ivss
tranzistorului este panta de semnal mic gmo =Yrf=I2mAI V. Cum ay =-g,,,0 , produsul
!:'.'.if
-=ja>·M la-" ·f z I este supraunitar şi amplitudinea semnalului sinusoidal de frecvenţă Io, iniţial foarte mică,
!., este favorizată să crească în timp.
Panta tranzistorului scade odată cu amplitudinea oscilaţiilor. Când panta ajunge la
~s GmYI!' valoarea G.,=JOmAIV şi T =-1, creşterea amplitudinii semnalului de ieşire încetează, circuitul
D b Ji_ I
llJ
+
)21
+ ~ " /li
+
~ atinge un punct de echilibru şi generează oscilaţii de amplitudine constantă.
+ Observaţie
Yia
1
Yss
iG
Yoa
~' j0MI,? •
L1 Ţc1
RL Yor Reactanţa reflectată în primar de bobina secundară este în cel mai defavorabil caz:
1 1
Fig. P4.le -1 ·-n 2 =0,812 . Această valoai·e nu influenţează comportarea înfăşurării primare cai·e are o
Fig. P4.lf Gm ni
reactanţă mult mai mare (a,= /0012).
140 141
Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 4 - Oscilatoare armonice
Problema 4.2. Pentru circuitul din fig. P4.2a se cunosc: V,)/)= 12V, L 1= JOnH, Pe această schemă se determină funcţia de transfer:
L=L1=JOOµH, C=22nF, Cj=JOOpF, R 1=300k0.. Bobinele L 1, L 1 şi L sunt perfect cuplate (k=l) cu
înfăşurările montate pe acelaşi miez Tranzistornl are parametrii: IDs.F20mA, V/=-2V, r,1,.= oo. Dioda f z= m.n.i., le', le, !. I
D se va considera ideală cu V/)= 1 V în conducţie. m.c.o. m.d.=f/ = !..of L1 =f/ = !.. . !..of !.1=0
Să se determine:
a) Frecvenţa semnalului sinusoidal generat de circuit la ieşire; unde,
b) Să se explice modul de amorsare a oscilaţiilor la conectarea sursei v,JIJ; l'..if . M
-::;-J(J)·
c) Amplitudinea semnalului la bornele sarcinii. I
REZOLVARE
I 1
1
Lf jOJ·L+RLII-.-
a) Circuitul este un oscilator cu circuit acordat în drenă şi reacţie magnetică spre poartă. JOJ·C
Tranzistornl este polarizat dinamic de redresorul monoalternanţă D„ R 1, C 1 împreună cu L . Rezultă:
1
Schema de regim dinamic a circuitului este reprezentată în fig. P4.2b. S-a considerat că -j(Jj ·M
redresorul monoalternanţă are o impedanţă neglijabilă în circuit şi că tensiunea de semnal la fz= 2 L
bornele lui C1 este neglijabilă. 1-0J · L·C+ JOJ·-
RL
+VDD Circuitul oscilează dacă T =a fz=-1 (reacţie pozitivă şi stabilitate <=) T =-1). Rezultă
* ecuaţia:
L1 L C Q
2 . L
el
* jOJ·M -G111 =1-0J ·L·C+ ;m- Ri ,,.
D1
Q Egalând cu zero partea reală a ecuaţiei, rezultă puls aţia şi frecvenţa de oscilaţie:
* RL
* (J)o ; _1_ ::::, !o ; ~ ; ] 07k.Hz
L2 R1 ~L-C 2~ - L ·C
* La această frecvenţă reactanţele elementelor reactive ~in circui_tul echivalent al
Fig. P4.2a tranzistorului Q sunt foarte mari, ceea ce justifică neg~ij_a.rea lor !n analiza de 1:1a1 sus ..
Fig. P4.2b
Egalând cu zero partea imaginară a ecuaţ1e1, rezulta panta tranzistorului ia care este
Circuit1Il va fi tratat ca un amplificator cu reacţie pozitivă (analiza şi rezolvarea se vor îndeplinită condiţia de oscilaţie:
face cu teoria reacţiei).
G ·$ ===-L-= f I ._!_=!2_. _l_=lOmA IV
Amplificatorul de bază include tranzistorul Q. Reţeaua de reacţie este compusă din L , L
şi C. Se presupune că Q lucrează în saturaţie. 1 rn - M · RL VLi RL n1 RL
Pe schema amplificatorului din fig. P4.2c se calculează (având în vedere că reacţia e de
tip serie-serie) pentru circuitul a: Regimul tranzitoriu de pornire
a =!!!::!:.!!..= !.. 0 " ::;G b) La pornirea circuitului amplitudinea oscilaţiilor este nulă. În aceste condiţii : Vcs =OV
Y m.g. .!:'._;" m
Inductanţa mutuală a celor două bobine (M) este dată de relaţia:

IO ::; I OSS = 20mA
Vvs = VDV = 12V
M = ~L1 ·L ::; JµH (k=J)
Panta tranzistorului Q este:
Se constată că L 1<< M << L. Atunci cele două bobine cuplate se pot echivala ca în
2-lvss IV
problema 4.1 (vezi fig. P4. l d). Rezultă schema reţelei de reacţie din fig. P4.2d. 8mo = hi = 20mA
I În concluzie, tranzistorul Q lucrează în saturaţie. ~
~ G D k I
. . . .
f 1~ fc ~Re{•
flf
+
~
+ +-=- k Se observă că, la porni.rea circuitului, panta tranz1storult11 este mai ma.i e deca.t panta
Y,a pentru care se obţin oscila.ţii staţionai·e, adică produsul la.v . f zI este mai mai·e decât I , iar acest
Yoa
jroM!+ fapt va determina o tendinţă de creştere a amplitudinii. osci.laţ~ilo!·· . _ . .
Din schema de regim dinamic (fig. P4.2e) se observa ca grupai·ea. L-L1 (t.J.ansform ~tor ~I. I)
1 1
·a tensiunea. de pe R şi O va a.duce pe catodul diodei D. Aceasta va conduce ?oai· JUmatate
Fig. P4.2c Fig. P4.2d ' ~: ~o!~oadă (cât timp ten~iunea de pe catod este mai mică decât -VD) . Când d10da conduce
condensatorul C1 se va încarcă la tensiunea -V + Vn, Căderea de tensiune de pe acest condensator,

0
scurtcircuit la frecvenţa de 1ucru.
este identică cu Vc;s ( Vcs =Vv - V0 ) şi comandă curentul prin Q. Când amplitudinea oscilaţiilor
creşte, tensiunea Vc;s se apropie de Vr, iar curentul IIJ şi panta tranzistorului vor scade. În R1
consecinţă, produsul la-" ·fz I scade. Când panta atinge valoarea G"', creşterea amplitudinii R2
semnalului de ieşire încetează, circuitul atinge un punct de echilibru şi generează oscilaţii de *
amplitudine constantă. L1
D
Q
*
+
R4ŢC2
D R,r C3
*
*
L2
îl R1
+
\'.g,
l
L
Te Yo
l
RL
Fig. P4.3a Fig. P4.3b

Fig. P4.2e
c) Se presupune că în regim permanent de oscilaţie tranzistornl lucrcază la semnal mic. În Inductanţa mutuală a bobinelor L1 şi Li are valoarea: M = ~L1 · L2 = JOOnH . Se observă
aceste condiţii, între tensiunea continuă de poartă şi pantă există relaţia: că L1 << M << L 2 şi grupul de bobine cuplate L 1, Li poate fi echivalat ca în problema 4.1. Rezultă
schema din fig. P4.3c pe care se poate scrie:
gm = g mO { f - ;; )
V
Gml ·rg,J = R:-l.2 + j(J)·C, ·(ro -j(J) •M ·l.2 )
Cum g,,,= G,,,= 1OmAIV, rezultă Vc;l" -1 V. În consecinţă, amplitudinea la ieşire are valoarea ,.
v 0 = v 0 .,.c = v v - vcs = 2v
12
-
r"
=----
j(J)· L2
Verificări
Cum Vn.1:= V/)0 = 12V tranzistorul este polarizat în saturaţie. Amplitudinea semnalului pe -j(J)· M · l.2 = rg.'1
poartă este (vezi fig. P4.2e): L, şi r.ţ.'1 se obţine expresia funcţiei f...:
Prin eliminarea tensiunilor
L1 L1
vgs =vosc · - =vosc · - = 20mV « 2(Vcs -VT) = 2V ·c ·cM
L L2 -F =1- - G M
111/ ·-+ J(J)• I+ J{J) · I·-+-.- -
1
Rl L2 L2 J{J)· L2
Se verifică astfel că tranzistorul lucrează la semnal mic.
Djn Im (E) =O rezultă:
1 _ 1 . 1
( M)=~,
Problema 4.3. Pentru circuitul din fig. P4.3a se cunosc: V/)/)= 14V, L 1= lnH, L 1= JOµH,
k=l, C 1=100pF, C 1=200pF, C 3=100nF, R 1=20k0., R1= R3=2Mf:2, R4= RL= JOOk0.. Tranzistoarele
au parametrii: Q1: k111 =200µAIV1 , VT= 1V, r",.= oe, Q2: k„ 1= 50µA IV2, V/= 1 V, r,1,= 00• Dioda D se va L2. C1. 1 + L2
considera ideală cu VD.= J V în polarizare directă. Să se determine:
a) Frecvenţa semnalului sinusoidal generat de circuit la bornele lui RL şi panta lui Q1 în Aceasta este practic frecvenţa de .rezonanţă a circuitului derivaţie C 1L1 (s-a ţinut cont că
regim permanent de oscilaţie; M«L1).
b) Să se explice procesul de amorsare a oscilaţiilor; Egalând cu zero partea reală a funcţiei E, rezultă panta tranzistorului la care amplitudinea
c) PSF-u1 tranzistoarelor şi amplitudinea semnalului de ieşire în regim permanent de de oscilaţie este constantă:
oscilaţie.
Gm1 =~= (Li" ·_!_=~·_!_=im.A / V
REZOLVARE
M ·Rl V°i; RL n1 Rl
a) Analiza de regim dinamic

b) Analiza pornirii oscilatorului
Pe schemă se pot identifica următoarele subcircuite:
• Oscilatorul propriu-zis, de tip Hartley, compus din Q 1, Li, L1 şi C1 ; • Redresorul monoalternanţă şi generatorul de curent comandat Q1
• Circuih1l de polarizare pentru Q1 format din Q1, R1, R1, R1 ; Oscilaţiile la bornele lui R1, sunt aplicate intrarea redresorului monoalternanţă cum se
• Redresorul monoalternanţă ce conţine D, R4 , C1 , folosit la polarizarea dinamică a arată
în fig. P4.3d.
tranzistorului Q1 . Condensatorul Ci se încarcă în timpul alternanţelor pozitive ale tensiunii de ieşire (când
Schema de regim dinan1ic a oscilatorului este prezentată în fig. P4.3b. S-a considerat că diodaD este în conducţie) la valoarea maxi.mă:
redresorul monaalternanţă şi circuitul de polarizare pentru Q1 nu încarcă oscilatorul iar C 3 este un
Amplitudinea tensiunii sinusoidale din poarta tra11Zistorului Q 1 în acest regim este (vezi
fig. P4.3c):
G S M
+ + Yssl --- - -+-- V~. 1 == - · V0 „c == 40mV << 2(Vcsi -VTI) == JOV
. L2
'I
I Tranzistorul Q 1 funcţionează la semnal mic. Celelalte mărimi din psf au valorile:
D
J2 == 2,5mA
r
I DI == f5:& ·(Vcs1 -Vr1
+ 2
jroMii Yo C2 Ţ R~ Vvs 1 == V1)1) == 14V
·+----' ( -----*-·_.,
î =
VDS2 VDV - R1 · I D2 == 12V
T e l2Î L2 Se confirmă pola.t·izarea tranzistoarelor în saturaţie.
l· Observaţie
Fig. P4.3c Fig. P4.3d Alegen:a unui raport mare între inductanţ e le bobinelor cuplate (vezi valorile inductanţelor
din problemele 4.l - 4 .3) asigură funcţionarea la semnal mic a tranzistorului amplificator, şi
Deoarece Wo · R4 · C 2 >> 1 , condensatorul se descarc ă foarte puţin în timpu l unei respectiv un semnal la ieşire de amplitudine rezonabilă (volţi) cu distorsiuni minime
alternanţe negative a semnalului şi valoarea tensiunii VG.l'J se păstrează aproape constantă.
. La pornirea cir cuitului, când amplitudinea oscila\iilor este foarte mică, D este blocată şi Problema 4.4. Pentru circuitul din fig. P4.4a se cunosc: Vm>= J5V, L ==L 1== 100µH,
tensrnnea de comandă pe poa.tia tra.t1Zistorului Q2 nulă ( Vcs 2 == OV) şi tra11Zistorul este blocat nln1= 1. k==l, C1== 100nF: C1= /0nF, R1= lk0., R1= R1.= lkO.. Tra11Zistoa.t·ele au parametrii: Q1:
(I D2 == OmA ). kn== 5mA/V1, V7-= IV, r ,1,= ex7, Q1 : lvsr 20mA, V7-=-2V, r ,1.,-= oo. Dioda D se consideră ideală cu V0 = 1 V
în conducţie. Dioda Zener D/, are: Vr. 9V, I /,,,,;,,= lmA, R.= 00.. Să se determine:
Tensiunea continuă de comandă a tranzistorului a.tuplificator este:
a) Frecvenţa de oscilaţie şi panta lui Q1 în regim permanent de oscilaţie;
R3 b) Să se explice pornirea oscilaţiilor;
Vcs1 == VDv . == 7V > VTJ
R3 + R2 c) PSF-ul tranzistoarelor şi amplitudinea semnalului de ieşire în regim permanent de
S-a avut în vedere că R 1<<.: R2 • Rezultă: oscilaţie.
2 ·
I Dl -- k„J ( Vcs1 - Vr )2 == 3,6 mA şi. VvsJ == V052 == Vvv ==14V REZOLVARE
În concluzie, Q1 lucrează în saturaţie, iar QJ este blocat. Panta tranzistorului Q1 este: a) Analiza de regim dinamic
81111 ==k„1 ·(Vc51 - VT 1 )==l,2mAIV Pe schema din fig. P4.4a se pot identifica următoarele subcircuite:
Cum G 1111 < g 1111 oscilaţiile de frecvenţă fo cresc în amplitudine. Corespm1Zător creşte şi • 6scilatorul propriu-zis, de tip Colpitts, format din Q1, L, C1, C1 (fig. P4.4b);
Vc;s2· Când Vcs2 > Vn , Q1 intră în conducţie. Curentul Im şi căderea de tensiune pe R1 cresc. În • Circuitul de polarizare pentru Q1, format din Q1 ( cc funcţionează ca sursă de curent
comandată în tensiune);
consecinţă, Vr;s1 şi g,,, 1 scad. Când g 1111 == G1111 == lmA I V se obţine regimul permanent de oscilaţie.
• Redresorul monoalternanţă format din D, R1 , c.,, ca.i·e împreună cu L 1 asigură
polariza.i·ea dinamică a tra.i12istorului Q1 .
c) În regim permanent de oscila\ie ambele tranzistoare funcţionează în regim de saturaţie: Schema de regim dinamic a oscilatorului este prezentată în fig. P4.4b. S-a C"nsiderat că
R3 redresorul monoalternanţă şi circuitul de polarizare pentru Q1 nu încarcă oscilatorul.
VGS I =( VDV - R1 · I D' ) .
- R2 + R3
> VT J
+Voo
Vcs2==Vo- Vv > Vr1
S-a. n eglijat în raport cu Im curentul prin grupul scrie R2 , R 3 • Presupunând că Q 1 lucrează R,
la senmal mic se determină L
VGSJ -V G1111 == 6V
- Tl +--
.. Q,
k„1
c, coo
r·
Folosind egalităţile de mai sus rezultă lm== 1OOµA şi ca urmare:
Dz C,
VGS2 -_ V.T2 + ~2ID2 -JV D ~Re L
- --
k„2 R2 L1
Rezultă valoarea amplitudinii tensiunii de ieşire: Vo == Vo.\c. == Vcsi + VDon == 4V ·
Fig. P4.4a Fig. P4.4b
Acest circuit va fi tratat atât cu teoria oscilatoarelor cât şi cu teoria reacţiei.

unde ie= RL\l -
1
li( 1
jW · L+-.-- ) este impedanţa pe care debitează semnal generatorul
Varianta I JW · C2 ~ JW·C1
Urmând algoritmul dat în breviar pentrn oscilatoarele în trei puncte se redesenează Gm1 · tg,1 ·
schema ca în fig. P4.4c numerotând nodurile. Funcţia de trnnsfer a reţelei de reacţie este:
Se identifică impedanţele (vezi fig. 4.3 din breviar): w2 · L · C1
i=jm·L fV = m.n.i.l j w· L
= jw·L+-1- -
_
m.c.o. m.c.i.=O w2 ·L·C1 -1
1 j{t) · C1
Z1=---
- j{t)· C1 Conform teoriei reacţiei, condiţia de oscilaţie este:
z2 - RL a,.· f,. =-1
l
- - l+ jw-C2 ·RL adică,
Tranzistorul Q, s-a înlocuit prin circuitul echivalent (s-au neglijat capacităţile inteme). Pe oi -L-C1 1 . ( C,
schema din fig. P4.4c rezultă (vezi breviarnl): 2 ·Gml =Gml +-+ J{t)• C2 2
m ·L·C1 -1 RL w ·L·C1 -1
Egalând cu zero partea imaginară, respectiv, partea reală a ecuaţiei de mai sus se obţin
(j) z G)
pentru / 0 şi .Gm 1 expresiile determinate la varianta I.
+ +
Z1 Y1 Z2 b) Oscilaţiile la bornele lui L (tensiunea de intrare în amplificator) sunt aplicate prin
cuplajul L 1 (k= J) la intrarea redresorului monoalternan!! cum se observă în fig. P4.4e.
G)
+ + Y.gsl - +
Fig. P4.4c
-·1
y.
Gm!Ygst
Yo
Î
f._ = G,,,J + K.1 + K_i + i. L .L = Q AB
sau, explicitând impedanţele:
Gm1 + Jw·C1 +_!_+ }W·C2 + }W·L·( Jw·C1 )·(_!_+ jw-c2 )=0

RL RL # L
Egalând partea imaginară a ecuaţiei anterioare cu zer~ se obţine frecvenţa de oscilaţie: RRP
fo = - 1 · ~
- - :170kHz cu Ce= C1 ·C2 Fig. P4.4d Fig. P4.4e
2:,r L·Ce C 1 +C2
Aceasta este expresia frecvenţei de rezonanţă a circuitului format din L şi C 1 şi C2 cuplate Condensatorul C_1 se încarcă în timpul alternanţelor negative (când dioda D este în
în serie. conducţie) la valoarea:
Panta tranzistorului la care amplitudinea oscilaţiei este stabilă se obţine egalând partea Vcs2 = V; -Vv
reală a lui F cu zero: Deoarece m0 . R2 · C3 >> J, condensatorul se descarcă foarte puţin în timpul unei
=> Gm1 =--- C1

= lOmAIV semiperioade a semnalului şi valoarea tensiunii Vc;si se păstrează aproape constantă. La pornirea
C2 ·RL circuitului, când amplitudinea oscilaţiilor este foarte mică, D este blocată şi tensiunea de comandă
pe poru.ta tranzistorului Q 2 este nulă:
Varianta II Vcs2 =OV => lv2 = lvss =20mA
În continuare se face rezolvarea folosind teoria reacţiei. Schema de semnal mic este Acest curent este identic cu curentul de drenă al tranzistorului Q,: I v1 = I v2 = 20mA şi
prezentată în fig. P4.4d. îi corespunde o tensiune de comandă Vcs 1 =3 ,82V şi o pantă g m l = 14,14mA I V .
Funcţia de transfer a amplificatorului (reprezentat în partea de sus a figurii) este:
Vvs1 =Vvv-Vz +Vcs1 =9,82V
m.c.o.
av = - - =-=
r" G1111 · ie
=
Gm1
Vvs2 =Vvv -Vvs1 = 5,18V
m.g · r; 1 + G„,1 · ~e K.e + Gm1 Se verifică faptul că toate tranzistoarele lucrează în satura/ie în absenţa oscilaţiilor.
Deoarece g ml > Gml din semnalul de zgomot din sarcină componenta de frecvenţă f0 S-a avut în vedere că reacţia este de tip serie-serie. Inductanţa mutuală a bobinelor L 1 şi L 2
va fi favorizată. Ca urmare pe RL amplitudinea semnalului fc, va creşte ceea ce conduce la are valoarea (k= 1): M = ~ L1 · L 2 =400nH
scăderea tensiunii de comandă a Q1 •
Când panta ajunge la valoarea G,,. 1 creşterea amplitudinii semnalului de ieşire încetează,
circuitul atinge un punct de echilibru şi generează oscilatii de amplitudine constantă.
c) La echilibru, tensiunea Vc;si are următoarea expresie: C

Gm1
Vas1 =Vr +--=3V
k„
Rezultă:
r·
k„1- · (VGSJ - VT )2
IDl= = IO mA
2
I v2 = I Dl =:> Vas 2 = -0,6V
Vvs I =Vvv - Vz + VGSJ =9V
Vvs2 =Vvv -Vvs1 =6V Fig. P4.5a Fig. P4.5b
Se verifică ipoteza că tranzistoarele funcţionează în saturaţie. Rezultă valoarea
amplitudinii lui ~; în regim de oscila\ie: Se observă că L 1 << M << L 2 şi grupul de bobine cuplate L 1,L1 poate fi echivalat ca în problema
V; = Vv +IVa.d
=1,65V 4.1. Rezultă pentru reţeaua de reacţie schema din fii P4.5d pe care se calculează funcţia de
Tensiunea de ieşire a oscilatorului are amplitudinea: transfer:
V; C1
V{) =V//Sl' =7:=V; . C1 +C2 :::l,5V
f . = m.n.i.l :!::'.4
=--
• ni.c.o. m.c.i.=0
Problema 4.5. Pentru circuitul din fig. P4.5a se cunosc: Vcc= 14V, L 1=4nH, L 1=40µH,
L.1=40µ1-I, C=4nF, C' =300pF, R 1=5kD., R1=100kD., RL=0,5k O . Bobinele L, L1 şi L3 sunt perfect
cuplate şi montate pe acelaşi cadru. Tranzistoarele au parametrii: Q 1: (I V111:: f=0,6V, /JF= /3 =200,
rh=O, r„-foo; Q2: (IJJs.{"20mA, Vr=-2V, r,1_,= oo). Pentru dioda Zener se cunosc: Dz: (Vz =5,6V, lz111 =
0 f,=
e
jm ( 1
l+jm·(M+L2 )· RL +jm·C
l
ImA, R;t=OO). Dioda D se va considera ideală cu VJJ = 1 Vîn conducţie. Să se determi11e:
a) Frecventa semnalului sinusoidal generat la ieşire şi panta de semnal mare a lui Q 1;
b) Să se explice modul de amorsare a oscilaţiilor;
I·
« ~c+
c) Amplitudinea semnalului la bornele sarcinii în regim permanent de oscilaţie. =14 E
+
GmYn
REZOLVARE Yia Yn r„ Yoa
a) Analiza de regim dinamic - + B
l
.Pe schemă se pot identifica următoarele subcircuite:
• oscilatorul propriu-zis, de tip Hartley cu tranzistorul amplificator Q1 şi reţeaua L 1, L2 Fig. P4.5c Fig. P4.5d
şi C;
• circuitul de polarizare pentru baza lui Q 1 format din R 1, Dz; Din condiţia de oscilaţie ay · fz = -1 rezultă ecuaţia:
• sw-sa de curent pentru Q1 realizată cu Q2 polarizat dinamic prin grupul L.1, D, R.1 şi C ·.
Schema de regim dinamic a oscilatorului este prezentată în fig. P4.5b. S-a considerat că
redresorul monoalternanţă şi circuitul de polarizare pentru Q2 nu încarcă oscilatorul.
jm·M -G111 =l+ jm·(M +L 2)-(:L + jw·C)
· Rezolvarea va folosi teoria reacţiei. Amplificatorul de bază este etajd BC echipat cu Q1 Egalând cu zero partea reală a ecuaţiei de mai sus rezultă frecvenţa de oscilaţie:
(fig. P4.5c). Pe această schemă se calculează :
1
a V = m.c.o. = l.oa = -G,n !. = :::400kHz
o - 2JC·~C-(M+L2J
· m.g. !'.'..;a
Din partea imaginară rezultă panta tranzistorului în regim permanent de oscilaţie: Q 2 : 10 =4mA, Vas =-IV, V05 =l,8V.
G
III
1
=(LiM +M)
·R
=ft·_!_=
L R
200mA/V
Se verifică funcţionarea în RAN a lui Q1 (Vc1;> VBJ:;), repectiv în saturaJie a lui Q1
CVm> Vc;.I'" V1). Se determină parametrii dinamici ai tranzistoarelor:
L 1 L
r;:: f3o =15kf2 =2loss.(1-Vcs)-8kf2-1
b) Regimul tranzitoriu de pornire :r] 40 ·1c ' 8m2 1vT1 VT
Deoarece L 2 = L 3 şi indicele de cuplaj k= 1, tensiunea pe inductanţele L 1 şi L 3 va fi

Analiza de ca
aceeaşi.
Redresorul monoaltemanţă D, R1, C' (discutat în problema 4.3) va polariza poarta lui Q1 Schema de regim dinamic este d~senată în fig. P4.6b, unde s-a notat R 1 = R3 I R4 .
cu tensiunea:
Vcs2 = Vu + Vo =-V"+ Vo
La pornirea circuitului amplitudinea oscilaţiilor este foarte mică, iar tensiunea de r - - --
I
---c-- -----m ~
comandă a tranzistorului Q2 este zero:

Vc52 =DV ==>1 02 =1 0552 =20mA=lc 1 :~
: R
I
Ca urmare, panta tranzistorului Q1 este: g 1111 =401c 1 =800mA/V şi transmisia pe buclă I
ITI
supraunitară ( > 4 ). Datorită valorii lui ITI
amplitudinea semnalului de ieşi.re V0 va creşte,
L ------- --- ------
o J
IVcs I creşte către

2 I
IVT determinând scăderea curentului de polarizare I CJ . Ca urmare, panta lui I
l
Q1 şi, corespunzător, !a... vor scădea până când se atinge echilibrul.
L---c=:i----+-~
Rr
c) Oscilaţiile
de la ieşire se vor stabiliza la o amplitudine constantă pentru Rs
G1111 = 200mA/V, adică pentru un curent de colector Ic1=5mA. Tensiunea de comandă a
tranzistorului Q2 corespunzătoare acestui curent este:
Vas2 =Vn -(1-J lei

J DSS2
i:-Jv Fig. P4.6a Fig. P4.6b
Reţeaua de reacţie pozitivă (RRP) este o reţea Wien cu transfer de curent (vezi tabelul
Acestă tensiune de comandă se obţine pentru o amplitudine a oscilaţiei egală cu: 4.1), reprezentată în fig. P4.6c. Funcţia de transfer are expresia:
V() =Vosc =IVcs2l+Vo = 2V
Amplitudinea tensiunii sinusoidale din baza tranzistorului Q, în regim permanent de ,8.·=L.·I
_, !..if
= Ir~,+Is
V =O
oscilaţie este: -of
V 1 1
V = n.« = 2mV f). este real pentru (J);:: 0)0 = - -, când /J. ((J)J = -- .
RC _, 3
:r - MI L2 - 1
Impedanţele de intrare/ieşire ale reţelei se deduc tot pe schema din fig. 4.6c.
deci, tranzistorul funcţionează la semnal mic.
Problema 4.6. Pentru oscilatorul Wien din fig. P4.6a parametrii dispozitivelor sunt: Iif I
=V~:if
-if
~of=() =I„ IIIs '
Q1 : V8E = 0,6V, /JF = /30 = 180, r,, = O, r,, ~ oo; Q2 : Im...= 16mA, V1;,=-2V, r,L, ~ oo, iar
restul componentelor au valorile :R=0,8k0.; R 1=2kD., R1=4,8k0., R 3= 300kD., R 5= 5kD.. C=20nF,
Vcc=25V Să se determine frecvenţa de oscilaţie şi să se arate că aceasta depinde numai de
z
-of =~""'I
/
-of
!;1 =() =Z
-s +Z
-I'·
elementele reţelei Wien. Calculaţi valoarea mini.mă a rezistenţei R4 pentru întreţinerea oscilaţiilor La (J) = 0)0 modulul acestor impedanţe este:
în circuit.
REZOLVARE
~if((J)0 ~= 1: ·R=0,38kf2
Analiza de curent continuu liof ((J)o ~ = ~. R =J,7kf2.

Pe schema de cc se determină psf-urile tranzistoarelor. Se obţine: Amplificatorul oscilatorului are schema din fig. P4.6d. Este un amplificator cu reacţie
Q1 : Ic ;::J,nA , VcE =4,6V ; negativă paralel-serie.
(;:ih:uite.·cle:dronice fundamcntalit - Probleme CAPITOLUL 4 - Oscilatoare armonice 153
152
Pentru circuitul de reacţie negativă dat în ffg, P.41.6e: se determină:
A =_5_= A(R1 )
R5 I l+T I
J; =-R +R
f 5 T şi A; sunt funcţii de R 1 . În regim permanent de oscilaţie trebuie ca A;_
·/3 ,. (m0 ) = 1, de
I
o
~ Rr: jcf+
unde se obţine:
A;(R1 )=-3.
Rezolvarea acestei ecuaţii în raport cu R Î este practic imposibilă deoarece A; este o
r
I
I
,,
I
-----------,
~~~---·-- - ----~
.
I
fii
V!t,r
-
TI
R
5
Vâ:f
-
l
funcţie complicată
implică:
de R1 . De aceea se preferă o soluţie inginerească. Se presupune T > > 1 ceea ce
F1$.P4.6tl 1Fug. P4.6e

Fig. P4.6c de unde R 1 =2·R5 =lOkfl .
Acum pot fi calculate amplificarea a; şi transmisia pe buclă:
vif a;=-95 , T=31,66>>1
rif=-.- =Rr+R5
1
if -O
1·01-
Se verifică astfel presupunerea făcută.
Rezistenţele de intrare şi ieşire ale amplificatorului au valorile:
'of =~of\lof '°if={)

= RfllR, R = rifh :42Q
"' l+T ...
Fig. P4.6f prezintă schema circuitului a. Pe această schemâi se calculează amplifiicarea Roa --7 oo
de curent: Se verifică condiţiile pentru RRP cu transfer de curent:
R;a =42Q « ~,if (m0 ~ = 1700Q
Roa » 1~if (mo ~

Ca urmare, frecvenţa de oscilaţie depinde numai de elementele reţelei Wien ş1 are
i·
-4 valoarea:
1
fif
f o;;::.
2lr·R·C
=JO kHz .
Pentru a avea oscilaţii staţionare în circuit trebuie ca:
R1 =JOkQ = R1IIR4
Fig. P4.6f
de unde, rezultă R 4.min :ă; JOkQ .
Ţinând cont că (fig. P4.6f): Când R4 < 1Okfl circuitul nu oscilează. Dacă R4 > 1Okfl în circuit sunt oscilaţii a căror
amplitudine va creşte până când forma lor va fi distorsionată de intrarea în zona de neliniarităţi a
unuia din tranzistoare ( Q1 trece în saturaţie sau blocare şi/sau Q2 iese din satura/ie). Deci
se obţine: singura valoare acceptabilă este R4 = 1OkD.. De obicei R4 este o rezistenţă neliniară, care îşi
1 rif modifică valoarea cu amplitudinea semnalului de ieşire.
a; = -- - -· (-R1)·/3o · '
1 rif + rlfl
rof +-- Problema 4.7. Pentru circuitul din fig. P4.7a se cunosc: Vce,;::J2V, C=O,JµF, R=3k.Q,
g m2
R1=100Q, R 1 =120.Q, R3 =150.Q, R4 = 800.Q, Rj =300Q, R~ 30.Q, R 7=5k.Q, R,y= R 9 =JM.Q,
Rezistenţele de intrare/ieşire ale circuitului a au expresiile (fig. P4.6f):
RL=Jk.Q. Tranzistoarele au parametrii: Q 1: (VE8 =0,6V, /3F = /30 =200, rb=O, r 0 =I00kfl); Qz - Qj,
r; = r;rl\rlfl Q8 şi Q9 : (V8 E =0,6V, /3F = /30 =200, rb=Ofl, r 0 ~ oo); Q6. Q7 şi Q10: (V.r-2V, lvss=8mA, r11,= 00);
ro ~ oo (rds --7 oo) . . . ... .
Diodele D 1 - D 4 au Vv = 0,6V în polarizare directă. Se cere:
Trecând la parametrii amplificatorului cu reacţie negativa se scne: a) Să se determine frecvenţa şi amplitudinea semnalului la bornele rezistenţei de sarcina;
b) Să se explice modul de amorsare a oscilaţiilor.
T = a; · J; =T(R f )
VcE2 =Vcc -R1 · I c1 -VECI -VcE3 -R2 · I C3 =4,8V

Vos6 =Vcc -(Vo1+VD2+V03)-R3·ID6 =9V
VcE4 =Vo1 +V02 +V03-VsE2 =l,2V
VcE5 =V8 E5 =0,6V
Tranzistoarele bipolare funcţionează în RAN, Q7 şi Q8 în saturaţie, iar Qw este blocat.
R Analiza de regim dinamic

Schema de regim dinamic este dată în fig . P4.7b. Este un oscilator Wien cu amplificator
cu reacţie negativă p -p şi reţea Wien simet:rică. S-a notat eu r,1 - rezistenţa echivalentă de regim
dinamic a sursei de curent realizate cu Q1, R1 şi R3 şi cn r,2 - rezistenţa echivalentă de regim
dinamic a grupului Q10, D4 , R8 şi R9•
Reţeaua Wien este transadmitanţă. Este comandată în tensiune şi răspunde în curent aşa
cum se arată în fig. P4.7c.
Notă: Pentru Li
(fig. P4.7c) nu s-a folosit convenţia de :,ens de la cuadripoli. Curentul
!_~, iese din reţeaua Wien având sensul curentului de intrare în amplificator (vezi fig. P4.7d).
Funcţia de transfer a reţelei Wien este:
R C
fJ = - Of
I = i,1 . L 1 = 1 1
- Y V. fif f 'of ( OJi,,J . R
OJ
Fig. P4.7a - iJ \'of=() 3+ j ---
(t)() (J)
REZOLVARE
a) Analiza de regim static

Pentru curenţii tranzistoarelor în regim staţionar se deduce:
R
I C3 -- VD1 +VD2 -VBE3 -SmA
= Ra
R2
I D6 = I Dss 6 = 8mA ( V as 6 = OV ) f .~ rs1 R1 .kf~
+ + +
-J _ JD6 ·R3-VEBI _ mA ~ f CŢ Y~r ":_r

I CI= C2 -
R1
- 6
r - r
Q4 r,2
- VBE8 -2mA
I Dl= - (Vcs1 =-IV)
Rs
R C
Ic9 =Vw +VD2 - VBE9 =20mA
R6
Fig. P4.7b Fig. P4.7c
I c4 =I cs =I c 2 - I C3 =ImA
Ic 8 =Ic 9 - ID7 +Ic5 =19mA 1
Pentru OJ = OJ0 = - - , fJ este real:
În absenţa semnalului de ieşire ( V0 = OV ), D4 şi Q10 sunt blocate şi au curenţii nuli. R ·C - .v
Corespunzător, pentru tensiuni se determină:
VcE9 :.VBE5 +(R4 +R7)·lc5 -R6 ·lc9 =5,8V
/J I
-Y lll=%
= -]
93R
=!_kfrl
V CE 8 =V cc - V CE9 - R6 . I C9 = 5,6V Ca urmare, frecvenţa de rezonanţă a reţelei este:
VDS7 =VCEB -VBEB =5V 1
f0 = =.530Hz
VECI =VDs7 -Vcs1 -R1 · I c1 = 5,4V 21r·R·C
VcE3 =Vw +VD2 +VD3 -VsE 2 - R 2 ·Ie3 =0,6V La această frecvenţă, impedanţele de intrare şi de ieşire în reţea au expresiile:
156 Circuite electronice fundamentale - Probleme CAPITOLUL 4 - Oscilatoare armonice 1S7
3 rJrZ = ra8 liR5

.a /Jos · Rs
ŞI 1-'0e ::::: -'-""'---"-
:::::-·R · R5 + 'as
]+ j '
parametrii grupării Qa, R5 •
S-a avut în vedere că:
1'..af -3 I~oi Wo ljJ= .Js
3
·R = 4,02kf2
~of( Wo)::::: - -
1
::::: + j · R
2 'ofjjRL >> 1 şi r,if llRL >>-l-
-of !:'..if =0 gm7 · /Joe . gm8
Amplificatorul cu reacţie p-p are schema de regim dinamic din fig. P4.7d. Reţeaua de Pentru amplificatorul cu reacţie rezultă:
reacţie negativă este desenată în fig. P4.7e. T=a z· f.v>>l
R
+
Considerând R 7 >> R4 ll,:.2 , rezultă:
Vo RL iif
=_!_ =R7 ·(l + R4 )
R1
+ Az
I vif
Q4
f .v 's2
În cazul unei reţele (RRP) transadmitanţă independenţa de amplificator este asigurată
1 i dacă la (J) = (J)0 impedanţele de intrare/ieşire ale RRP sunt mult mai mari decât rezistenţele de
r,2 ieşire/intrare ale amplificatorului. În cazul schemei din fig. 4.7b aceste condiţii sunt îndeplinite.
Ria < lm!2 << 1~of( Wo ~ ,.
Fig. P4.7d Fig. P4. 7e R00 < 211 << ~if( % ~
Pe această schemă se determină:
b) Rezistenţa rs 2 este funcţie de amplitudinea semnalului de ieşire după cum se constată
fv=.i._ = '•2 . J din fig. P4.7f.
. vof -
vif-0
R4 + r,2 R7 + R4llr,2
'if ::::: _\'ici = 00 +

t;lVof=O
'of Vof
= -.- = R7 +( rs2 liR4) -= 5,2kf2
1of
Vif=O
Fig. P4.7f
dacă se ·neglijează rezistenţa dinamică a tranzistorului-diodă Q5 • Pentru amplificatorul în buclă
deschisă rezultă:
Tensiunea de comandă pentru tranzistorul Q10 este dată de redresorul monoalternanţă
a l = r,1 . _ _ _ _'ofllRL
...:....cc___ _ _ _ =' sl D4 , C.. , ~, R7 care este atacat cu semnalul de ieşire. Dacă amplitudinea semnatului de ieşire
-- 1 - + - rtre +(r0 f liRd este suficientă pentru deschiderea diodei D4 , se poate scrie:
g m7 · /Joe /Joe
R1
' s1 ::::: ' 01 . (1 + /Jo1 . R1
'a1 +R9 + R1
J=1,95Mf2 VGS/0 =-<V.. -VIU)· R6 +R7
Tranzistorul Q10 lucrează în regiunea liniară a caracteristicii. Ca urmare, se comportă ca
r.- ::::: _!zg__ = 103,6m!2 un rezistor a cărui valoare depinde de Vas10 :
I /Jo2 +1 -
VT VT
ro =RLllrofll-l-=J,135!2 , 2·/DSS _ 2·/DSS
gmech r2
s
= _ Vos10 - _ VDl- Vo
unde s-a notat cu: 1 1
VT VT
Rezultă că r.,. 2 şi amplificarea Az depind de V0 • Amplitudinea oscilaţiilor la pornire este 2

-VBE4 ) _
nulă ( V,, = OV ). În consecinţă: lv3 =Ivss3. ( 1-v;-- =4mA
Vcs 10 =0V; r, 2 =125.Q; Az=.25k.Q
V
Produsul /3.v · Az este supraunitar, oscilaţiile pe frecvenţa fo sunt favorizate să crească în IDJ= EB 8 =2mA ; Vcs1=-lV
R1
amplitudine. Pe măsura creşterii acestora rezistenţa echivalentă r,1 creşte, iar amplificarea AR
Iv2-;;;.Iv3-Iv1=2mA; Vcsz=-JV
scade. Sistemul are un punct de echilbrn stabil când: /3z · Ay =1 şi Az =9k.Q . Pe baza relaţiilor de
Iv3 =Ic4 =4mA
mai sus se calculează:
Tranzistoarele Q4 -Q6 formează o oglindă de curent multiplă asimetrică pentru care, dacă
V0 = V0 ,c = 2,6V rs 2 = 250.Q VcsIO = -IV
se neglijează curenţii de bază, rezultă:
Circuitul generează în regim staţionar un semnal cu amplitudinea de 2,6V şi frecvenţa
0,53kHz.
Ies= Ic4 Ic5 =4mA =
=
Ie7 Ic6 -;;;. 20 · Ic 4 =80mA
Problema 4.8. Pentru circuitul din fig. P4.8a se cunosc: Vcc = VEE = 9V, C=JOnF, Tensiunea statică de ieşire (la bornele sarcinii) a circuitului este:
R = l 6k.Q, R1=300.Q, R1=l 6k.Q, R4=100.Q, RL= 100.Q, iar R3 este un termistor NTC cu următorii Va= Vcs2 -Vcs1 = OV
l,= l,=
parametri: R 3 25.c =lOk.Q; R3 150.c =0,2k.Q; coeficientul de proporţionalitate putere Circuitul nu are nevoie de condensator de decuplare pentru sarcină deoarece componenta
continuă a curentului prin aceasta este nulă.
disipată/temperatură DC=0,16mW!'C. Tranzistoarele au parametrii: QrQ3: (V1;=-2V, 1Dss=8mA, Pentru tensiuni se determină:
rc1,= 00) ; Q4 -Qs: VBErl '= =
O, 6V, /3F /Jo= 500, rb= O.Q, r.= 00), iar tranzistoarele Q4 •Q5 au ariile =
VCE6 Vo - VEE = 9V
emitorilor de 20 de ori mai mici decât Q6 . Dioda D 1 are VD = O, 6V în polarizare directă.
a) Să se determine frecvenţa şi amplitudinea semnalului de ieşire; VcE7 =Vcc-Vo =9V
b) Să se explice modul de amorsare a oscilaţiilor şi de stabilizare a amplitudinii de =
VEcs VcE7 -VBE7 =8,4V
...
oscilaţie.
VcE5 =Vcc-VEE-VEcs -;;;.9,6V
Vvs1 =Vcc-VEB8+Vcs1 =7,4V Vvs1 =Vvs2 = 7,4V
VvsJ =-VEE -VBE4 -Vcs1 =10,4V
VcE4 -;;;.VBE4 =0,6V
Rezultă că toate tranzistoarele bipolare sunt în RAN şi toate TEC-J-urile în saturaţie.

~
Schema de regim dinamic a circuitului este reprezentată în fig. P.4.8b. RRP este o reţea
de defazare cu transfer de tensiune iar amplificat01ul a.re reacţie negativă s-p. Dacă se consideră
reţeaua independentă de amplificator, atunci parametrii reţelei se determină pe schema din fig.
P.4.8c. Funcţia de transfer a reţelei este:
. Fig. P4.8a
Fig. P4.8c
Fig. P4.8b
REZOLVARE
a) Analiza de regim static V 1

/Jv = ;of =------.,.-
Din ecuaţiile de circuit şi de dispozitiv rezultă:
-if I =0 3+ j·(-{,() __WoJ
VGS3 =-VBE4 = -0,6V - •f
Wo {,()
/Jv este real numai pentru OJ = OJo = _I__ Ria = 00

>> liofl
fJ)OJo) = 1
R·C
-=
1
\I(l+T )--~ 1
R 0 " =68,3mf2 << iif
I I
Roa RL R3 +R4 RL
Rezultă frecvenţa de rezonanţă: Inegalităţile de mai sus asigură independenţa amplificatmului de reţeaua de reacţie
1 pozitivă.
f,,= ::.lkHz. R., este rezistenţa unui termistor. Valoarea determinată mai sus pentru această rezistenţă
Lrne,s:~;:::~, t: i:~arqil~: ,::"t:::~: •:• •

2ll·R·C
=
corespunde temperaturii: T1 150° C şi unei puteri disipate: P0 =DC· ( T1 -T0 ) = 20m W.
impeda:e de Tensiunea efectivă pe R3 este, în aceste condiţii:
- 2 +J 1 ~5 I I v3,ef =~PD ·R3 =2V'
Jof=O
iar tensiunea efectivă la ieşire are valoarea:
vof
Zof(OJo)==
1,,J
1+2 1·
= - - ·R;
3j
liof (OJo = ~ 11 · R = l 1,92kQ. Vo,ef
R3+R4
=V3.ef. R
3
= 3V.
-~=O Circuitul generează un semnal sinusoidal cu amplitudinea: V" =Vnsc =Va,ef ·fi= 4,2V şi
. Amplificatorul
. cu reacţie s-p are schema de regim dinamic din fig . p .4 .8d . R e ţeaua de
frecvenţa: fo= 1kHz.
reacţie negativă, desenată în fig. P.4.8e, are parametrii :
_ R4 • J b) Pornirea circuitului
fv = ' 1 =--·
rif
R4 +R3 8m2 '
Amplitudinea oscilaţiilor este iniţial foarte,.. mică ( V0 =OV ). În consecinţă avem
următoarele relaţii :
Îo +
Q7 iif 1
Q8 R2 R IR3 =OmA; P0 =OW; R 3 :::lOkQ; Av =-=100.
R1 3 iof
f,.
Vo + Produsul /J,. · A,. este supraunitar, oscilaţiile pe frecvenţa J;, sunt favorizate să crească în
R Vof
3 R
4
amplitudine. Pe măsura creşterii acestora rezistenţa echivalentă a termistorului R3 scade
R4
I I I (dispozitivul se încălzeşte şi la bornele lui va apare o parte din tensiunea sinusoidală de ieşire) , iar
amplitudinea V0 creşte. În regim permanent de oscilaţie, R 3 = 200.Q şi /Jv ·A,.= 1 .
~
Fig. P4.8d Fig. P4.8e
Problema 4.9. Pentru oscilatorul cu reţea Wien din fig. P4.9a se cunosc: Vvv= 22V,
C =O,lµF, R = R 1=100k.Q, R3=0,6kf2, R 4=250k.Q, Rr 40kfl, Rr,= 5kf2, R =Jkf2, RL=JOkfl.
Corespunzător, amplificatorul în buclă deschisă are parametrii : 1
1 1
Tranzistoarele au parametrii: Q1, Q1 : (V1;=JV, k,, =2mAIV , r,1,.= oo); Q3: ( V1;=JV, k11 =4mA/V ,
a,.= /Jos. (fJ01 +1)· [< R3 + R4 ~jRJ R1 1
8ml. 8m2 rd.,=ooJ; Q/(VE/J=0,6V, /Jr/Jo=300, r,,=lOOkQ); Q5: (V1;=]f°, k. =20mAIV , rd,.= 00) ; Q6: (V1;=-2V,
R1 + r,r8 8ml + 8m2 1 2
k =4µA/V1); Q7 : (V1;=JV, k,,=4,34µA/V ); Qs, Q 9: (V1;= J V, k11=40mA/V , r,1,= 00). 810da Dz are :
11
Vz =2V, lz,,,;11=lmA, Rz=OI2, iar pentru D se consideră VD =0,7V în polarizare rtirectă. Să se
=RLll(R3 + R4)
ro determine:
a) Frecvenţa semnalului sinusoidal de ieşire şi modul de funcţionare a circuitului;
Se consideră T= aJ,.> > 1, rezultă Av =f v-l . În regim permanent de oscilaţie: b) Să se explice modul de amorsare al oscilaţiilor şi să se determine amplitudinea de
/Jv ·A,= J oscilaţie în regim permanent de funcţionare.
Această ecuaţieeste echivalentă cu:
A,= 3 de unde rezultă R 3 = 200.Q REZOLVARE
Cu această valoare a rezistenţei R 3 se calculează: a) Analiza de regim static

=
a v 3290; ri =; = r0 = 75.Q Presupunând că amplitudinea semnalului la ieşire este nulă (V0 = OV) pe schema din fig.
T=avfv =1097>> 1
P4.9a se deduce:
. în ac~ste co~di~i, se . ~alculează rezistenţele de intrare, respectiv de ieşire ale VcsJ = Vcs5 =Vcs9 =Vz = 2V
ampbficatorulm. Se venfica cond1ţ11le pentru o RRP cu transfer în tensiune (vezi breviarul):
kn9
IDs=ID9=-·(Vcs9-VT9) 2
= 20mA
2 În schema de regim dinamic din fig. P4.9b, s-a notat cu r rezistenţa dinamică a
Vcss =2V tranzistornlui Q 7 • Circuitul este constituit dintr-o reţea Wien cu transfer de tensiune şi un
amplificator cu reacţie negativă s-p.
+Voo
C Rs
Ro +
Os coo
Rs +
D1
Va
R1 1
C R
Q9
I r R
Fig. P4.9b
Fig. P4.9a Reţeaua de reacţie Wien are: ...

1 1
S-a neglijat curentul prin rezistorul R4 :
f3v =3 la (t)=(t)o = R-C
Oscilatorul va funcţiona la frecvenţa:
lc4 = /D5 = k"5 ·(Vcs5 -Vn / = JOmA . 1
2 - Io= :l,6kHz
2·JT·R·C
kn3 ·(Vcs3- Vr3) 2 = 2mA
ID3=- La această frecvenţă, impedanţele de intrare/ieşire au modulul:
2
V
!Dl= EB4 =lmA => Vcs1 =IV 1~4~(%~= ;-R=2,12k.Q
R3
. .fi
I D2 = I D3 - I Dl = 1mA => Vcs 2 = JV Iz.of (Wo ~ =J ·R = 0,47k.Q
VDD VDD
Va =
R 1 +R2
. R 2 + VGS 2 - V GS 1 =--
2
= llV Amplificatorul cu reacţie are schema de regim dinamic din fig. P4.9c. Reţeaua formată
din Q2, R5 şi r asigură o reacţie negativă S:JJ· Parametrii reţelei de reacţie negativă sunt:
VDS9 =Va= llV r
Iv= R5 + r
VDS3 -- ---Vcs1
VDD -= lOV
2
rif =-1- =50.Q
VDSJ = VDD - VEB4 -VDS3 =11,4V 8ml
VDS8 =VDD -VDS9 =llV r,1 = R5 + r
VEC4 = VvD -Va -Vcss= 9V Penfru amplificatorul în buclă deschisă se deduce:
VDS2 =VDD-VDS3 =12V a= RLWR5+r)·gm8 ·r
4
.1304 . R3 8m1·8m2
Vsc6 =VvD -(Va +vo )+VDJ =ll,7V v 1 + 8m8 ·( R5 + r AIRL ce R3 + f,r4 8ml + 8m2
Im =ID6 = kn6 ·(Vsc6 -VT6 / =0,2mA Presupunând că RJ( R5 + r )- g mB >> 1 se calculează av =15624 . Rezistenţele de
2 intrare şi ieşire sunt:
Vcs1 = Vn + ~ =5V
Presupunând că T >> 1, se poate scrie:
1 R5 Cu valoarea:
Av =-=1+-=l+gm7 ·R5
r =- - = 20kQ , se calculează:
fv r 1
. - 1 81117
unde, s-a ţmut cont ca r = - - .
gm7 r 1
fr = r+R =
3 3;
av =.15624
b) Pornirea circuitului T =a,,· f " =5228; r0 =8,57kQ

La pornire, amplitudinea oscilaţiilor este nulă (V,,= OV). În consecinţă, curentul prin Q7 R;" ~ oo; R 0 " = 1,6412.
este cel calculat anterior ( 1 D7 = 0,2mA ) şi pentru panta tranzistorului rezultă: Reţeaua Wien se comportă ca o sursă ideală de tensiune la intrarea amplificatorului şi ca
un receptor ideal de tensiune la ieşirea acestuia deoarece:
g m7 = ~2kn7 . I D7 = O,lmA/V
VasJ = Vas5 = Vas9 = Vz = 2V
,~of I« Ri<, şi 1~i{ I» Roa
Calculând câştigul amplificatorului, se obţine Av =5 , o valoare mai mare decât Cu alte cuvinte reţeaua Wien este independentă de amplificator şi frecvenţa de oscilaţie este
determinată numai de R şi C.
atenuarea introdusă de reţeaua Wien ( ;v = 3 ). Ca urmare, oscilaţiile de frecvenţă J;, sunt
Problema 4.10. Pentru circuitul din fig. P4.10a se cunosc: Vcc = 12V, C =lOOnF,
favorizate să crească în amplitudine. Pe măsura creşterii acestora, tensiunea de comandă pe poarta R=JOkQ, k=0,2, R 1=1,8kf2, R 1=300kf2, R 3=100kQ, R 4=150kQ, Rs= lOOkQ, R 6 =0,6kf2, R 1 =lkQ,
tranzistorului Q 6 se modifică. Redresorul monoalternanţă format din D, R 4 şi C~ (fig. P4.9d) face R8 =2kQ,. Tranzistoarele au parametrii: Q, - Q1 : V7=2 V, kn = 8mA/V1, r,1,.= 00; Q.1 - Qs:
ca tensiunea pe poarta lui Q6 să fie proporţională cu amplitudiea V01 după cum reiese din relaţia I I
V85 =0,6V, A= /3,,=500, r -7 oo. Dioda D are: V/J=0,6Vîn conducţie.
0
(vezi fig. P4.9d). a) Să se determine frecvenţa de oscilaţie;

b) Să se explice modul de amorsare al oseilaţiilor ş1 să se determine amplitudinea
+ semnalului generat;
c) Cum se realizează stabilizarea oscilaţiilor?
D
~
+
I I
I
I R R
r r!I
coo
r
I
e C ~+
I I R1 Vo
Vsc6 =Vvv -(Vo +v,J+Vv

IŢ
D
Rs r-
Când V0 creşte, V5 c;6 şi în consecinţă I v 6 = ID? scad. Panta g m? şi amplificarea Av
Fig. P4.10a
variază corespunzător (scad). În concluzie, circuitul redresor polarizează dinamic tranzistorul Q6 ,
determinând un câştig al amplificatorului cu reacţie dependent de amplitudinea semnalului de
REZOLVARE
· ieşire.
V0 creşte până când amplificarea scade la Av =3 când este îndeplinită condiţia Analiza de regim static
Barkhausen ( /Jv · A,. = 1) . Această valoare a amplificării se obţine pentrn: Amplitudinea oscilaţiilor la ieşire este iniţial nulă (V0 = OV ). În aceste condiţii, pentru
8m? =50µA/V şi Vs06 =6,8V psf-urile tranzistoarelor şi tensiunea continuă de ieşire V0 rezultă (vezi fig. P4. l Oa):
Se calculează:
R3 -
V0 =Vnsc =V DD - V O -Vs06 + V D = 4,9V, care reprezintă amplitudinea de oscilaţie. Vas2 = ·Vcc -3V
R3+R2
În regim permanent de oscilaţie, psfpentru Q6 şi Q7 devin:
I v 6 =I 07 =50µA VsD 6 = 19V V0 s 7 =Vvs? =3V J01 =/D2 =~·(V0 s 2 -Vr )2 =4mA =:> V0 s1 =3V
Pentru celelalte tranzistoare psfnu se modifică. 2
VEH5 Pentru k = 0,2, /Jv are un maxim pronunţat de valoare:

lc3 =lc4 =--=lmA
R6 1
R5
/3,1=0.i =- 10,66
Vcc · -VHE3 -VEH4 Pentru w = lua şi k = 0,2 impedanţele de intrare şi ieşire din reţea sunt aproximativ egale
R4 +R5
lc5 = = l,8mA
Rs cuR:
Va=( R7 +R8 )·le5 =5,4V ~if (Wo ~ =~,if (Wo ~ =R = 1 Ok.Q
Va 1 =Va= 5,4V Amplificatorul (fig. 4.lOc) conţine un etaj sursă comună (SC) echipat cu tranzistorul Q 1 şi
VDS2 =VGJ -VGSJ = 2,4V un amplificator cu reacţie negativă s-p, format din QrQ5 şi R6-R8 •
Vvs1 =Vcc -R1 · IDJ -Vvs2 =2,4V

R5
VEc4 = Vcc · -VHE3 = 4,2V
R5 +R4
VcE3 =Vcc -VEH5 -VEc4 =7,2V
VEcs =Vcc -Va =6,6V +
Se constată că Q 1 şi Q2 sunt polarizate în saturaţie, iar Q3 , Q 4 şi Q 5 în regim activ normal. V
Dioda D este blocată, tensiunea la bornele sale fiind:
Vv =Vas 2 -Va =-2,4V
În calculele de mai sus s-a neglijat efectul curenţilor de bază. De exemplu:
I
f I ...
IH3 =_Q_=2µA Fig. P4.10c
/JF
este mult mai mic decât curentul prin divizorul R 5 şi R 4. Câştigul etajului SC este:
V
154 = Vcc 48µA. A,. =-=-8m1 · R1
R5 +R4 V;
S-a avut în vedere că: R 4, R 5 >> R 1•
Analiza de regim dinamic Parametrii reţelei de reacţie negativă formată din R7 , R8 şi Q4 sunt:
Schema de regim dinamic a oscilatorului este dată în fig. P4. l Ob. Circuitul este echipat cu J,.t-= R8 2
o reţea de reacţie pozitivă TT simetrică. Funcţia de transfer în tensiune a reţelei este reală numai · R7 +R8 3
pentru:
- r1r4 +R7JiRs =25,.....
1 rif - R +1 - .u:
W = Wo = R·C JJ04 .
când (vezi breviarul), r01 = R7 + R 8 =3k.Q

k · ( 2k -1) Amplificatorul în buclă deschisă are w·mătoarele caracteristici:
/J,. = 2k 2+ k + 1 R6 1
a,. 0 - · /303 · r1r3 +( fJ03 + 1) · r;J =2383
= r 1 · /Jos · R6 + rx5
r; = ( /J03 +l)·rif +rx3 =25k.Q
R R r0 = r01 = R 7 + R 8 =3k.Q
Pentru ampificatorul cu reacţie se obţine:
+ T = av · f v 1589 =
QI Va V
r-
R1 R4 R s R; 2 =-:= r; ·( l+T )=39,8M.Q
C kR l
kŢ r
R 00 = - 0 - = J,9m.G
l+T
Fig. P4.10b
V0 J R7 Stabilitatea frecvenţei ( f O ) se explică prin maximul pronunţat al funcţiei de transfer al

A..2 =-=-=l+-=1,5
V fv Rs reţelei TT (având k = 0,2) caracteristic frecvenţei f = fo . Pentru o frecvenţă puţin diferită de fo,
deoarece T >> 1. Amplificarea totală va fi: rejecţia reţelei este mult mai mare. Aceasta justifică utilizarea oscilatoarelor cu reţea TT la
generarea de semnale de frecvenţă fixă. Controlul precis al frecvenţei se realizează prin selecţia
A,, =Avl ·Avz =-gml ·R1 {1+ ;:) atentă a rezistoarelor şi condensatoarelor din componenţa reţelei.
Rezistenţa de intrare în amplificator (rezistenţa de intrare în etajul SC) este infinită, iar
rezistenţa de ieşire are valoarea R 00 = J,9mQ . Se verifică 1~,if I<< R;" şi 1~if I>> R 0
", ceea ce
asigură independenţa amplificatorulu{ de reţeaua TT. ·
a) Frecvenţa de oscilaţie este:

1
fo = =160Hz
2tr·R·C
b) La porni.re, amplitudinea oscilaţiilor este nulă ( V0 = OV ). Cu valorile psf calculate

anterior se determină:
gml =kn ·(Vos1 -VT )= 8mA!V şi
A,, =-21,6
Produsul A,, · f3v este supraunitar. Ca urmare, semnalul de frecvenţă fo creşte. Când ...
amplitudinea sa ( V0 ) atinge valoarea necesară deschiderii diodei D, grupul D, R1 , R 3 şi C,,
polarizează suplimentar poarta tranzistorului Q1 (fig. P4. l Oa). Este o polarizare dinamică ce
determină scăderea tensiunii V GS2 şi, corespunzător, a curentului 1 D2 = I Dl. Scade, deasemenea,
panta g ml a tranzistorului amplificator din etajul SC.
Ca urmare, Av1 şi Av sunt funcţii scăzătoare de V0 ( Av = AJV 0
) ). Amplificarea scade
până se realizează condiţia de oscilaţie. În această situaţie rezultă:
Vos1 = VT + gml = 2,5V =Voş2

kil
]Dl =lD2 =lmA
Amplitudinea tensiunii de ieşire se stabilizează la valoarea (vezi fig. P4.1 Oa):
Vo =Vosc =Vo+VD-VGS2 =3,5V
unde s-a avut în vedere că VD = 0,6V (dioda D este în conducţie).
c) Creşterea accidentală a amplitudinii V0 determină scăderea tensiunii de comandă a

tranzistorului Q2 ( Vcsi ). În consecinţă, curenţii de polarizare pentru Q1 şi Q 2 scad şi g ml se
reduce. Av1 şi A,, scad, ceea ce conduce la micşorarea amplitudinii V0 la valoarea de 3,5V. Cele
de mai sus pot fi ilustrate prin următoarele secvenţe:
Vo Î Vcs2 ! !Dl =lvz ! gml ! Avl ! A,,! Vo !
Când v. tinde să scadă, se poate scrie:
Va ! Vcs2 Î lv1 =lv2 Î gml Î A~1 Î A,, Î V" Î
Cu alte cuvinte, dependenţa amplificării Av de amplitudinea de ieşire asigură stabilizarea
lui V0 la valoarea ce corespunde regimului permanent de oscilaţie ( V0 = 3,5V ).
BIBLIOGRAFIE
I..._ '. \ •
I. G. Brezeanu, G. Dilimoţ, F. Mitu, F. Drăghici, Probleme de dispozitive şi circuite electronice,

Ed. IT Grup, Bucureşti 2002.
2. G. Brezeanu, Circuite electronice, Ed. Albastră, Cluj-Napoca, 1999.
3. P. R. Gray, P. J Hurst, S. H. Lewis, R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated

Circuits, J. Wiley & Sons, 2001.
4. T. H. Lee, The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits, Cambridge Univcrsity

Press, Cambridge 1998.
S. R. L. Geiger, P. E. Allen, N. R. Strader, VLS/ Design Techniques for Analog and Digital
Circuits, McGraw-Hill, New York, 1990.
6. K. R. Laker, W. M. C. Sansen, Design of Analoi:,Jntegrated Circuits and Systems, McGraw-

Hill, New York, 1994.
7. R. F. Pierret, G. W. Neudeck, Modular Series on Solid State Devices, Addison- Wesley, New
York, 1990.
8. R. Muller, T. Kamins, Devices Electronics for Integrated Circuits, Wiley and Sons, New York,
1988.
t
9. D. Dascălu, A.Rusu, M. Profirescu, I. Costea, Dispozitive şi circuite electronice, Ed. Didactică
şi Pedagogică, Bucur~şti, 1983.
10. D. Dascălu şi alţii, Dispozitive şi circuite electronice - Probleme, Ed. Didactică şi Pedagogică,
Bucureşti, 1982.
11. D. Dascălu. L. Turic, I. Hoffman, Circuite electronice, Ed. Ed. Didactică şi Pedagogică,
Bucureşti, 1981.
12. C. Bulucea, M. Vais, H. Profeta, Circuite integrate liniare, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1975.
13. M. Ciugudean, Proiectarea unor circuite electronice, Editura Facla, Timişoara, 1983.
14. A. S. Sedra, K. C. Smith, Microe/ectronics Circuits, ediţia a V-a, Oxford Univ. Press, 2004.

CEF Probleme Brezeanu-Draghici PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CEF Probleme Brezeanu-Draghici PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Gheorghe Brezeanu Florin Mitu

Florin Drăghici Gheorghe Dilimoţ

Editura ROSETTI EDUCATIONAL

Amplificatoarele cu reacţie sunt analizate în Capitolul 2. După o problemă în care s,

Bucureşti, Martie 2008 Autorii

AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

• Amplificatorul este un circuit electronic ce realizează funcţia de amplificare de

• Parametrii electrici ai amplificatorului şi relaţiile lor de definiţie sunt:

Amplificarea de tensiune (1.2a)

Amplificarea de tensiune raportată la generator (1.2b)

Amplificarea transimpedanţă raportată la generator A

A ,, = -Po = I A,.· A; I= Av2 · -R i (1.21)

• Analiza unui amplificator foloseşte ecuaţiile dispozitivelor din componen r1r + R 8

schema generală: _ r,r _ 1

>" Amplificarea de tensiune se poate calcula prin inspecţie directă:

Problema 1.2. Să se deducă expresiile pentru amplificarea de tensiune şi rezistenţa d

Cum din fig. Pl.2b se obţine v;,,1:;; vbel -vbel rezultă:

Cum vid =V;+ -v;- =v051 -v052 rezultă:

simplificarea relaţiei lui i0 : i = lss + lss ·[k" ·v11/

Expresia tensiunii de intrare pe mod diferenţial este:

Vo =gm ·RL · VID

Pentru vID =fi· (Vas - Vro)= Jkins.s

····· ·····- - R LISS

S-a avut în vedere că:

v 0 =Vvv-Vse3+2~:::. Â.,,v:Â.,, + Â.,,~Â.P ·vw vo.min =v(vs2 ..,,),,;Vcs2 =-Vro

b) Dacă amplificatorul lucrează pe o sarcină (R L ) se poate scrie:

După o serie de neglijări se obţine pentru caracteristica de transfer ecuaţia:

Vcs7 =Vvs7 =Vvs5 =Vcs5 =3V, Yso6 =7V Se calculează

c) Se va proceda ca în problema anterioară. Se vor diferenţia egalităţile i01 = iv3, REZOLVARE

A,.= f gml · (R2IIRJ= 45

A/1 = IA,.j,!A;I = 5400

IAi.111«rl =IA;cc.,rul\·l ·IAwc.,;uul =Po+ 1 =240 Fig. Pl.9a Fig. Pl.9b

+ + Analiza de regim dinamic

R,, =~"I =RvllR,1,~

Analiza de curent continuu

I 01 -- 1 oss ·(1- Vcs1)2 =2mA

b) Punctele statice de funcţionare dacă potenţialul continuu la ieşire este nul·

fig. P 1.12a şi b se cunosc: V DD = V ss = 5V , Vcc = 2,5V , - = - = - - , - = - - ,

= :p .(Voo -Vcc -Vro)2 . [1 +A,,. (vDO -Vo.mJ]

Av cu modelul de semnal mare

Câştigul de tensiune are expresia: Rezultă:

iDl = kn · (v, + Vss -Vro)2 · (1 + Â" · Vvs1)

iv2 =~·(Vvv -Vcc -Vro)2 -[i+ÂP ·(Vvv -vo)]

Vr3 = Vro + Yn · [(vvs1 + ~ ) - ~ ]

dd;v, I dvDSI I A =- 8m1 = ~2k111. I Dl = -37,15

A ,. cu modelul de semnal mic i,u = g ds2 · vo ,t + i

schemei din fig. P 1.12d. V gs3 = - rd.,1 · i

Prin rezolvarea sistemului se reobţine expresia determinată cu modelul de semnal mare.

Pentru determinarea rezistenţei de ieşire pe schema din fig. P 1.12b se face v1 = OV şi se

Expresiile curenţilor de drenă devin:

i 02 = kl' · (V00 -Vcc -Vr0 )2 · [1 + Â,, · (V00 -v0 ,)]

iv3 =~·(Vss -vvs1-Vr3)2 ·[l+Ân ·(vo, +Vss -vvs,)] +

dv „ care asigură semnalul de intrare ( v ; ): R g =0,5Ml2 şi respectiv R.~ =10kl2 .

capacităţilor C1 şi C 2 • Se poate constata cu uşurinţă că R 8 este rezistenţa văzută la nodurile între

-s -t -~lf Cgdl g~3Vgs3

Pentru evaluarea rezistenţelor asociate constantelor r1 , 1'2 şi 1'3 generatorul v, se

V1 =-3,08V, I 03 =lOµA, I 01 = JOOµA.

REZOLVARE v,, ~ Vro +r. [ (?+IV,sslf, -;.i]

b) Câştigul în tensiune se dete1mină cu formula stabilită în problema P 1.13 (şi folosită şi

Rezistenţa de ieşire are formula stabilită, de asemenea, în problema Pl.13.

Fig. Pl.18d Fig. PJ.1 8e Fig. Pl.18f

Deoarece curenţii prin tranzistoare sunt egali rezultă: g ml = g 1112 =80kf2-1 Şl

' 1r1 = '1r2 = 3,12kf2.