Sunteți pe pagina 1din 243

DISPOZITIVE

ELECTRONICE
¾ 2 C Prof.dr.ing. Gabriel Oltean

1 / 11
Obiectivul cursului

Dezvoltarea abilităţilor pentru:

¾ analiza şi înţelegerea principiilor de funcţionare ale


dispozitivelor electronice

¾ utilizarea dispozitivelor în diverse circuite electronice

¾ analiza şi (re)proiectarea de circuite electronice


simple

2 / 11
Descriere curs

¾ structură unitară - aceeaşi metodologie de tratare pentru


dispozitivele electronice : diode, tiristoare, amplificatoare
operaţionale şi tranzistoare.

¾ principiul de funcţionare - model puternic simplificat (ideal).

¾ se revine cu modele mai complexe, sau se studiază efectele


proprietăţilor neideale şi eventuale mijloace de contracarare a lor.

3 / 11
Descriere curs

¾ sunt deduse modurile de utilizare ale fiecărui dispozitiv: în


comutare (toate dispozitivele), respectiv în conducţie
permanentă (diode) sau ca amplificator (amplificatoare
operaţionale şi tranzistoare).

¾ pentru fiecare dispozitiv este analizat mai întâi modul de


utilizare în comutare, iar mai apoi modul de utilizare în
conducţie permanentă sau ca amplificator.

¾ utilitatea dispozitivelor electronice: aplicaţii reprezentative.

4 / 11
Continut
FUNDAMENTE
Semnale electrice
Relaţii si teoreme de circuite electrice
Condensatorul şi bobina
Generalizarea relaţiilor si teoremelor de circuite electrice
Circuite RC - răspunsul în frecvenţă si in timp

Diode:
„ Tipuri, principiul de functionare, caracteristici,
parametri.
„ Circuite cu diode.
„ Dioda Zener
TIRISTOARE

5 / 11
Continut
Amplificatorul operational (AO):
„ AO ideal, principiul de functionare,
caracteristici, parametri.
„ Moduri de utilizare
„ Comparatoare de tensiune cu AO.
„ Amplificatoare cu AO.

6 / 11
Continut
Tranzistoare (cu efect de camp si
bipolare):
„ Tipuri, principiul de functionare,
caracteristici, parametri.
„ Circuite cu tranzistoare in comutare.
„ Polarizarea tranzistoarelor (PSF).
„ Amplificatoare fundamentale cu
tranzistoare.

7 / 11
Desfasurare activitate curs
¾ Implicare cat mai mare a studentilor
¾ Fiecare student pregateste (invata) apriori tematica cursului
¾ Curs: prezentare teorie, dezbatere, intrebari, comentarii, schimburi
de idei, rezolvare probleme, etc.

¾ http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/de/de.htm
¾ prezentari de curs
¾ lucrari de laborator
¾ tematica pentru examen
¾ exemple de probleme date la examene
¾ diverse

8 / 11
9 / 11
Notare
¾ Examen scris final (E) + Laborator (L) + Teste (T)
¾ E: scris – teorie 30% + probleme 70%: 0…10 puncte
¾ L: prezenta integrala + activitate: 0…10 puncte
¾ T: 3 teste la curs: 0…10 puncte

E≥4p Da
L ≥5 p Da

0,6E+0,2L+0,2T ≥ 4.5
Da
Nota =1… 4.49 Nota=0,6E+0,2L+0,2T+1
respins Admis
10 /10 10 / 11
11 / 11
Fundamente

Text integral
1 / 20
Scopul capitolului:

Să fim înarmaţi cu mijloace şi


instrumente de lucru tocmai potrivite
pentru înţelegerea principiilor de
funcţionare ale dispozitivelor electronice şi
a principalelor lor aplicaţii.

2 / 20
Conţinut

¾ semnale electrice

¾ relaţiile şi teoremele utilizate în circuitele electronice

¾ surse de tensiune şi curent

¾ componentele pasive

¾ circute RC - comportare in frecventa si in timp

3 / 20
Semnale electrice

4 / 20
Surse.
Notaţii

5 / 20
Relatii si teoreme de circuite electrice
¾ Legea lui Ohm
¾ Teoremele lui Kirchhoff (TKV si TKI)
¾ Conectarea rezistoarelor
¾ Divizoare rezistive

6 / 20
¾ Metoda suprapunerii efectelor

V0 = V01+V02
7 / 20
¾ Teorema lui Thevenin
(generatorul echivalent de tensiune)

8 / 20
¾ Teorema lui Millman (potenţiale la noduri)

¾ Teorema lui Millman


(potenţiale la noduri)

VN = ?

9 / 20
¾ Puterea. Transferul de putere

10 / 20
Condensatorul si bobina

¾Relaţia tensiune – curent

¾Conectarea serie şi paralel

¾Comportarea în cc

¾Comportarea în ca

11 / 20
¾ Circuit RC cu sursa de tensiune

Ecuația condensatorului

C ⋅ dvC (t ) = iC (t ) ⋅ t

−t −t
vC (t ) = vC (0)e σ + (1 − e σ )vC (∞)
12 / 20
Circuit RC cu sursa de tensiune

−t −t
vC (t ) = vC (0)e σ + (1 − e σ )vC (∞)

13 / 20
Circuit RC - răspunsul în timp
i (t ) = vI (t ) − vO (t )
CdvO (t ) = i (t )dt ;
dvO (t )
i (t ) = C
dt
dvO (t )
Ri (t ) + vO (t ) = v I (t ) RC + vO (t ) = v I (t )
dt

vO (t ) = ?

14 / 20
T T
5σ << ; σ <<
2 10

T
= 5σ
2 15 / 20
σ >> T Calculeaza valoarea medie a tensiunii de intrare

A B

A B

16 / 20
¾ Încărcarea C la curent constant

1
vC (t ) = It
C
17 / 20
¾Comportarea în c.a.
1
XC = ; pentru condensator
Reactanţa ωC
X L = ωL; pentru bobină

Impedanţa Z = R + j(X L − X C )

Z C = R − jX C ; Z L = R + jX L

1
Elemente Zc = ; Z L = jωL
reactive ideale jωC

18 / 20
Circuit RC - răspunsul în frecvenţă

1
F ( jω ) =
1 1 + (ωRC ) 2

F ( jω ) =
1 + jωRC
Φ(ω ) = −arctg(ωRC)
19 / 20
Reprezentarea răspunsului în frecvenţă
1
F ( jω ) =
1 + jωRC

FTJ

20 / 20
Dioda
semiconductoare

1/5
Introducere

Simbol Asocierea sensurilor


pentru curent şi tensiune
2/5
Dioda ideală
Modelul ideal (dioda ideală ) conţine doar proprietatea de
conducţie unilaterală a curentului

Caracteristica diodei ideale


3/5
Dioda ideală
Dioda ideală se comportă ca un comutator automat care
interzice total trecerea curentului dacă tensiunea la borne este
negativă (b), respectiv permite trecerea curentului dacă tensiunea
la borne tinde să devină pozitivă (c).

Modele echivalente ale D ideale

Conductie Blocare
4/5
Regimuri de functionare
Regim de comutare - dispozitivul comută (automat,
semicomandat sau comandat) între două stări extreme:

¾ blocare, când împiedică complet trecerea curentului

¾ conducţie puternică când permite trecerea curentului,


valoarea acestuia fiind stabilită de alte elemente din circuit
(surse, R, C,etc.)

Regim de conducţie permanentă (moderată) când


dispozitivul controlează (determină) valoarea diferită de zero
a curentului ce trece prin el.

5/5
Diporţi DR în comutare

Analiza diporţilor DR
CSTV - caracteristica statică de transfer în tensiune

¾ se consideră toate situaţiile posibile din combinarea stărilor de


conducţie şi blocare ale diodelor în circuit

¾ pentru fiecare situaţie se determină :


• schema echivalentă
• valoarea vO
• domeniul de valori ale vI pentru situaţia respectivă
¾ se desenează CSTV.
1/12
Exemplificare

vD < 0 iD = 0 iD > 0 vD = 0
vO = 0 vI vO = v I
iD =
v D = v I − vO R
vI < 0 vI > 0
2/12
0 vI < 0
vO =
vI vI > 0

CSTV – Caracteristica
statica de transfer in
tensiune

3/12
4/12
Alte modalităţi de conectare
¾ Inversarea locului diodei si rezistenţei
¾ Iesirea de pe D

Diport DR, conectare paralel ?

Structura echivalentă pentru vI > 0


situaţie de avarie

Important Niciodată nu vom conecta o sursă de


tensiune astfel încât în timpul functionării normale a
circuitului să fie pusă în scurtcircuit
5/12
Diporţi cu rezistenţă de sarcina

Aceasi CSTV
Comparatie

6/12
Modelul diodei cu cădere de
tensiune constantă in conductie

Pentru polarizarea directă vD>0:

¾ când vD<0.7V; D-(b); iD=0


¾ când vD=0.7V; D-(c); iD>0
7/12
Efectul căderii de
tensiune pe dioda
in conducţie

8/12
9/12
Aplicaţii ale diporţilor DR

¾Redresoare monoalternanţă

10/12
Aplicaţii ale diporţilor DR
¾ Selector de impulsuri

11/12
Aplicaţii ale
diporţilor DR

¾ Limitatoare de tensiune

12/12
Multiporţi DR în comutare
Multiporţi de maxim spaţial

vA < vB vO = vB vA > vB vO = vA
vO (t)= max(vA(t); vB(t))
1/8
vO= max(vA , vB , 0).
vO= max(vA – 0,7; vB – 0,7V; 0).

D- ideala
D – cu cadere de tensiune

2/8
Multiporţi de
minim spaţial

vO= min(vA, vB, VAl)


vO= min(vA+ 0.7V, vB+ 0.7V, VAl) vO(t) ?
3/8
Aplicaţii ale
multiporţilor DR

Redresare dublă alternanta

VI>0V VI<0V 4/8


Alimentarea de rezervă de la acumulator

5/8
Circuite logice DR
Semnal analogic logic

“0” logic fals scăzut


sau sau
“1” logic adevărat ridicat

0V→ “0”logic
10V→”1”logic
6/8
Circuit “SAU” cu două intrări

7/8
Circuit “si” cu trei intrări

8/8
Diporţi DC în comutare
Proprietătile de regim static (cum ar fi CSTV) ale diportului
DC nu prezintă interes în aplicaţii.
Este util să studiem comportarea lor în domeniul timp în
regim variabil

Diporţi DC de extrem temporal


vD tinde să fie pozitivă, dioda
conduce, vC(t) creşte

vD<0V, dioda este blocată,


vC (t)=constant
1 /13
vD (t) = vI (t) – vO(t)

Detector de varf
pozitiv

2 /13
Diporţi DC de
translatie

vO(t)=vI(t)-vC(t)

Translatie spre
valori negative

3 /13
vO = vI+vC
VC > 0

Translatie spre
valori pozitive

4 /13
Aplicaţii ale diporţilor DC
• Dublor de tensiune – varianta 1

5 /13
• Dublor de tensiune
– varianta 2

6 /13
V+
V-

V
V
C1 D2
V01 V02
V1 = +5V Vi 22n D1N4448
V2 = -5V D1 C2
PER = 1ms D1N4448 22n

7 /13
V+
V-

V
V
C1 D2
V01 V02
V1 = +5V Vi 22n D1N4448
V2 = -10V D1 C2
PER = 1ms D1N4448 22n

8 /13
Triplorul de tensiune - facultativ

9 /13
Redresoare cu filtru capacitiv

RC >> T
pentru Δv << VˆI
Curentul de descarcare VˆI
I=
poate fi aproximat R

Δt d = T − Δti ≈ T
Δv - ondulatie
(riplu)
T ˆ 1 ˆ
CΔv = IΔt Δv = VI Δv = VI
RC fRC
10 /13
Exemplificare
VˆI = 10V f=50Hz, RL = 100Ω Δv < 1.5 V

C=?

alegem un condensator electrolitic


C=1500µF/25V .

11 /13
Demodulator
pentru modularea
în amplitudine

12 /13
Restabilirea componentei continue - facultativ

Ca şi aplicaţie considerăm un semnal dreptunghiular care a fost


transmis pe o linie cu cuplare capacitivă. Datorită cuplării capacitive
semnalul şi-a pierdut componenta continuă iniţială. După trecerea prin
circuitul de translaţie spre valori pozitive nivelul de curent continuu al
semnalului este restabilit.

13 /13
Circuite cu diode în conducţie
permanentă

Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia


de funcţionare a diodei
¾ o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea
curentului prin ea

¾ o valoare a curentului prin diodă determină căderea de


tensiune pe ea

1 /14
Caracteristica diodei

Caracteristica curent-tensiune, pentru o diodă


semiconductoare cu Si.

2 /14
Polarizare directă
vD
nVT Ecuatia este valabila in regiunea de polarizare
i D = I S (e − 1) directa, vD > 0.
IS - curentul de saturaţie

KT
VT = tensiunea termica
q

VT = 25mV la temp ambianta


(aprox 20O C)
n=2 pentru diode discrete
n=1 pentru diode din CI

i D >> I S
vD
nVT
iD ≅ I S e
3 /14
Dependenţa de temperatură
vD
nVT
iD ≅ I S e IS, VT - depind direct de temperatura
la curent constant, la o
creştere a temperaturii cu
10C , tensiunea pe diodă
scade cu 2mV
CT = −2mV/ Ο C

v D (T2 ) = v D (T1 ) + CT ⋅ (T2 − T1 ) I


D − cst
4 /14
Analiza circuitelor cu diode
ID=?
VD=?
VD
nVT
ID = ISe
VI = I D R + VD
VD

⇒ Ecuaţie transcendentă VI − VD = RI S e nVT

Două metode aproximative de rezolvare:


1. Metoda grafică
2. Metoda analitică (aproximări succesive)
5 /14
Metoda
grafică
Ecuatia dreptei de
sarcina:
VI = I D R + VD
Ecuatia diodei:
VD
nVT
ID = ISe

6 /14
Metoda grafică
Efectul rezistentei asupra PSF
(punct static de functionare)

7 /14
Metoda analitică
1. Se consideră o valoare iniţială a tensiunii pe diodă, de ex.
VD(0) =0,7V şi se determină curentul prin diodă ID(0) folosind
ecuaţia dreptei de sarcină.

(VD(0), ID(0)) – soluţia initiala

2. Cu valoarea ID(0) se calculează tensiunea pe diodă din ecuaţia


diodei VD(1), apoi curentul ID(1) din ecuaţia dreptei de sarcină.

(VD(1) , ID(1)) – soluţia dupa prima iteraţie

Astfel am parcurs o iteraţie. Dacă este necesară o precizie mai


bună se mai efectuează alte interaţii.

In analiza manuala, rapida se utilizeaza


in general solutia initiala !
8 /14
Metoda analitică - Exemplu
Se considera VI=3V, R=0,5KΩ, iar D este 1N400x cu IS=14nA şi n=2.
ID
VD = nVT ln VD( 0 ) = 0,7V
IS

V − VD I D( 0) =
3 − 0,7
= 4,6 mA
ID = I 0,5
R (1) I (0)
4,6mA
VD = nVT ⋅ ln D
= 2 ⋅ 0,025⋅ ln = 0,635V
IS 14nA
VI − VD(1) 3 − 0,635
I D(1) = = = 4,73mA
R 0,5
I D(1) 4,73mA
V D( 2 ) = n ⋅ VT ⋅ ln = 2 ⋅ 0,025 ⋅ ln = 0,637 V
IS 14nA

VI − VD(2) 3 − 0,637
I D(2) = = = 4,726mA
R 0,5 9 /14
Parametrii diodei

Parametrii se definesc in punctul static de functionare (PSF)

¾ Parametrii statici – se definesc in regim static (c.c.)

¾ Parametrii diferenţiali – se definesc in regim variabil


(parametrii de semnal mic)

10 /14
Parametrii statici
VD
rD = rezistenţa statică a diodei
ID Q

1 ID conductanţa statică a diodei


gD = =
rD VD
Exemplu:
0 ,7
Q1(0,7V; 16,8mA) r D 1 = = 42 Ω gD1=24mS
16 , 8
0,65
Q2(0,65V; 2,3mA) rD 2 = = 283 Ω gD2=3,5mS
2,3
Cu cresterea curentului, dioda este in conductie mai
puternica, asadar rezistenta statica este mai redusa.
11 /14
Parametrii diferenţiali (de semnal mic)
Un semnal variabil mic este suprapus peste marimile de cc OPTIONAL
vD(t)= VD+vd(t)
iD(t)=ID+id(t)

Rezistenta diferentiala:
vd δv D
rd = rd = Q
id
Q
δi D
nVT
rd = Aproximarea de semnal mic:
ID regiune liniară in jurul lui Q 12 /14
Interpretarea rD şi rd OPTIONAL

Modelarea diodei in PSF


curent continuu semnal mic (variatii)

13 /14
Exemplificare OPTIONAL

vi

a) Care este circuitul echivalent in curent continuu?


b) Considerand Q(0,64V; 4,7mA), ce valoare are rezistenta statica?
c) Ce valoare are rezistenta de semnal mic in Q?
d) Care este circuitul echivalent pentru variatii?
e) Cum arata cronogramele vD(t), si iD(t)?

14 /14
Dioda Zener

Factorul relativ de
stabilizare al DZ
ΔvZ
VZ rz
FZ =
Δ iZ FZ =
IZ rZ 1 /8
Exemplu

Pentru trei diode de 0,4 W la acelaşi curent nominal IZ = 5 mA avem :


1) DZ 3V6 VZ = 3,6V; rzmax = 95Ω; rZ = 0,72 KΩ
2) DZ 5V1 VZ = 5,1V; rzmax = 60Ω; rZ = 1,02 KΩ
3) DZ 10 VZ = 10V; rzmax = 15Ω; rZ = 2 KΩ

95
FZ 1 = = 0,132
720
60
FZ 2 = = 0,059
1020
15
FZ 3 = = 0,0075
2000
2 /8
Domeniul de stabilizare al DZ

Pd max
I Z max =
VZ

3 /8
Dependenţa de temperatură
¾ Diodele Zener au un coeficient de temperatură CT care depinde
atât de tensiune cât şi de curentul la care lucrează.
¾ Diodele cu efect Zener (2…5V) au un coeficient de temperatură
negativ (la creşterea temperaturii scade VZ,).
¾ Diodele cu multiplicare în avalanşă au coeficient de temperatură
pozitiv.
¾ În particular diodele Zener cu VZ = 5,1V, au CT~0mV/°C la
curent mic.

¾ Pe de altă parte pentru DZ de 6,8V, au CT ~ 2mV/°C.

Echivalentul unei diode Zener de


7,5V cu coeficientul de temperatură
foarte scăzut.

4 /8
Aplicaţii ale DZ

¾ Stabilizator parametric de tensiune – studiem la CEF

¾ Referinta de tensiune

¾ Limitatoare duble de tensiune

¾ Ajustarea nivelului de curent continuu al unui


semnal variabil

5 /8
Referinţa de tensiune

Io << Iz
6 /8
Limitatoare duble de tensiune

7 /8
Ajustarea componentei continue
a unui semnal variabil

8 /8
Amplificatoare operationale (AO)
¾ CI ce conţin un număr relativ mare de tranzistoare şi
componente pasive (în general rezistoare) pe aceeaşi
pastilă de siliciu (popularul 741 conţine 24 T, 12 R, 1C);
¾ Sunt împachetate în diverse capsule de plastic sau metal
ce prezintă mai multe terminale (8,14 sau 16);
¾ Foarte populare datorita versatiliatii lor;
¾ AO are caracteristici la terminale care il fac sa se
comporte ca un amplificator (aproape) ideal;
¾ Optimizate pentru viteză / precizie / zgomot redus /
consum redus / amplificare mare / excursia maximă a
ieşiri (linie la linie) / stabilitate termică / tensiuni reduse
de alimentare, etc;
¾ Studiul din p.d.v. al caracteristicilor la terminale si al
principalelor aplicatii
1/5
Terminalele AO

Conectarea in circuit

Observatie:
În multe circuite nu se
desenează terminalele de
alimentare ale AO ci doar
intrările şi ieşirea,
considerându-se implicit că
există o alimentare corectă. 2/5
Funcţionarea AO
+
vD = v − v _

vO = av D
Modelul pentru variatii rezistenta
de iesire

• tensiunea de intrare vD
• dacă nici una dintre intrări
nu este legată la masă nu
avem un terminal comun între
intrare şi ieşire
sursa de tensiune comandata in tensiune
rezistenta
de intrare (STCT) - pseudosursa
3/5
AO ideal

™ Rezistenţă de intrare ri=∞. Aceasta are ca efect faptul că AO


nu absoarbe curent pe intrări: i+=i-=0
™ Rezistenţa de ieşire ro=0. Aceasta înseamnă că tensiunea de
ieşire este independentă de curentul furnizat în sarcină.
™ Banda de frecvenţă infinit B=∞, adică amplificarea a este
constantă în tot domeniul de frecvenţe, inclusiv în cc.
™ Amplificarea infinit: a=∞

4/5
? Care este valoarea tensiunii de iesire, având în vedere
ecuaţia de funcţionare a AO, care devine: vO=avD=∞·vD ?
• Utilizarea ca si comparator, în comutare.
vD >0; vO → +∞, vO va fi limitată vO=VOH ≈ +VAl
vD<0, vO → -∞, vO va fi limitată vO=VOL≈-VAl
vO poate lua doar două valori extreme

• Utilizarea ca amplificator
vOЄ(VOL ; VOH)
vO poate lua o infinitate de valori intre cele doua valori extreme
este necesar cavD=0. Apare nedeterminarea: vO=avD=∞·0
vD poate fi ţinută la 0 prin conectarea unor rezistenţe în exteriorul AO
într-o configuraţie cu reactie negativă. Aceste rezistenţe împreună cu
AO menţin vD la zero şi stabilesc valoarea tensiunii de iesire ⇒
amplificatoare cu AO 5/5
AO – comparator
AO este utilizat in comutare => comparatoare cu AO
Comparator de tensiune: circuit care semnalizează prin două
valori diferite ale tensiunii de ieşire starea relativă a două
tensiuni aplicate la intrare
9 compararea tensiunilor: prin semnul diferentei dintre ele
9 in functie de semn, comparatorul raspunde cu una sau alta
dintre cele doua valorile disponibile la iesire
9 pentru comparator putem considera o singură intrare şi
anume diferenţa între v+ şi v-, adică vD
vD>0, adică v+>v- , vO=vOH
VO Є {VOL , VOH}
vD<0, adică v+<v- , vO=vOL
1 / 11
Modelare AO in comutare

CSTV ?

Potrivit pentru AO linie-la-linie

2 / 11
Comparatoare simple
¾ Comparatoare simple, fara reactie, cu o singura
tensiune de prag;
¾ Comparatoare cu histerezis (cu reactie pozitiva), cu doua
tensiuni de prag;

Tensiunea de prag VP : acea valoare particulară a


tensiunii de intrare vI pentru care are loc comutarea
tensiunii de iesire, (pentru care vD=0).

Determinarea tensiunii de prag:


• se determina expresia vD
• se pune conditia vD=0 si se inlocuieste vI cu VP
• se determina VP
3 / 11
Comparatoare cu VP = 0
• neinversor

vD = v + − v −
+ −
v = vI ; v = 0
vD = vI
v D = 0; VP = 0
4 / 11
Comparatoare cu VP = 0
• inversor

Cum arata tensiunea de iesire daca tensiunea de


intrare este o tensiune sinusoidala cu amplitudine de
3V si alimentarea este ±V Al = ±12V ?
5 / 11
vD = v + − v −
Comparatoare cu VP ≠ 0
v D = v I − VREF
v D = 0; VP = VREF

CSTV ?

i+ << crt prin divizorul


R1, R2 (i+≅0)
R1
VREF = V Al
R1 + R2
6 / 11
Exemplificare

Reproiectare:
9 inversor
9 Vp= +6V

? CSTV
? vO(t)
7 / 11
AO speciale pentru comparatoare

¾ amplificatoarele operaţionale uzuale – comparatoare


¾ clasă specială de AO destinate utilizării ca şi
comparatoare, cum ar fi: LM 306, LM 311 ,LM 399, LM
393, LM 339 :
¾ tensiuni diferenţiale de intrare mari
¾ răspuns foarte rapid (viteză foarte mare de creştere
a tensiunii de ieşire)
¾ uzual comparatoarele au ieşirea de tip colector în
gol (necesita conectarea la ieşire a unei rezistenţe
externe R către un potenţial pozitiv)
¾ pot prezenta terminal de masă, care nu se
întâlneşte la AO uzuale
8 /11
Aplicaţii ale comparatoarelor simple

¾ Circuite logice
¾ Interfaţare între circuite analogice şi circuite
logice
¾ Formarea de semnal dreptunghiular din semnalul
sinusoidal (sau triunghiular)
¾ Indicator optic de nivel
¾ Modularea în durată a impulsurilor
¾ Circuitele de semnalizare şi comandă, convertoare
analog-digitale, circuite de modulare a
impulsurilor în lăţime, etc.

9 /11
Indicator optic de nivel

10 /11
Interfaţare între circuite analogice şi circuite logice

Circuit
logic

11 /11
Comparatoare cu
histerezis
Comparatoarele simple, fără
reacţie au două dezavantaje:
¾ Pentru un semnal de intrare
cu variaţie lentă comutarea
ieşirii dintr-o valoare în alta
poate fi lentă.
¾ Dacă semnalul de intrare
conţine zgomot la ieşire vom
avea comutări multiple
nedorite, când semnalul de
intrare trece prin valoarea de
prag.

Nu mai sunt comutari nedorite


Cum implementam
aceasta CSTV ?
1/8
Solutie:

¾ Doua praguri de comparare VPH si VPL


¾ Doua valori distincte ale vO: VOH si VOL
¾ comutarea are loc la VPH numai daca vO=VOH
¾ comutarea are loc la VPL numai daca vO=VOL
⇒ Valorile tensiunilor de prag sa depinda de valoarea tensiunii
de iesire → Tensiunea de iesire adusa la intrare: reactie
pozitiva (sa intareasca efectul):
ƒ aducerea unei fracţiuni din tensiunea de ieşire la intrarea
neinversoare a AO prin intermediul unui divizor rezistiv

2/8
Comparator inversor vO
cu histerezis

CSTV ?

vI

+ R1 R1
v = vO vD = 0 vO = VP
R1 + R2 R1 + R2
v _ = vI R1
VPH = VOH
R1 + R2
R1 R1
vD = vO − v I VPL = VOL
R1 + R2 R1 + R2 3/8
R1
ΔV P = V PH − V PL = (VOH − VOL )
R1 + R2
¾ sensul de parcurgere al histerezisului
¾ la un anumit moment este „activ” doar un singur prag
¾ comparatoarele cu histerezis sunt circuite bistabile
¾ semnalul de intrare declanşează acţiunea de comutare a ieşirii,
procesul de comutare fiind continuat de reacţia pozitivă:
consideram vO=VOL , vI>VPL vI ↓; cand vI trece prin VPL:
vI ↓, vD ↑, vO ↑, v+↑, vD↑, vO ↑ RP
procesul va continua de la sine datorită RP până când ieşirea ajunge
în cealalta stare, VOH ⇒ comutare rapidă
¾ circuite basculante bistabile (CBB) sau trigger Schmitt
4/8
Exemplificare

CSTV ?

5/8
Comparator
Comparator inversor
inversor cu
cu
praguri
praguri nesimetrice
nesimetrice
Circuit ?

+ R1 R2
v = vO + VREF
R1 + R2 R1 + R2
+ − R1 R2
vD = v − v = vO + VREF − vI
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2
VPL = VOL + VREF
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2
V PH = VOH + V REF
R1 + R2 R1 + R2
6/8
Comparator neinversor cu histerezis

+ − R1 R2
vD = v − v = vO + vI − 0
R1 + R2 R1 + R2 R1
R1 R2 VPL = − VOH
vO + VP = 0 R2
R1 + R2 R1 + R2
R1 R1
VP = − vO VPH = − VOL
R2 R2
7/8
Exemplificare

+ − R1 R2
vD = v − v = vO + v I − VREF
R1 + R2 R1 + R2

8/8
AMPLIFICATOARE ELECTRONICE
Amplificatorul electronic: triport activ ce furnizează la ieşire un
semnal xo(t) (tensiune sau curent) cu aceeaşi formă de variaţie în
timp ca a semnalului de intrare xi(t) şi care este capabil să furnizeze
o putere mai mare dacă lucrează pe o sarcină adecvată..

¾ Circuit liniar:
¾ x0 proportional cu xi

A - amplificare
A<0 inversor
x o ( t ) = A ⋅ xi ( t ) A>0 neinversor
1/11
Alimentarea amplificatoarelor
¾ cu surse de tensiune continuă şi/sau surse de curent continuu.
¾ mai frecvent cu surse de tensiune

Alimentare unipolara

Alimentare bipolara
(diferentiala simetrica)

2/11
Circulaţia şi bilanţul puterilor
¾ puterea medie a semnalului de ieşire Pout este mai mare decât
puterea medie a semnalului de intrare Pin.
¾ Surplusul de putere la ieşire este preluat din sursele de alimentare

Palim+Pin=Pout+Pdisipată

Palim ≈ Pout+Pdisipată

η=Pout/Palim

¾ un transformator
ridicător de tensiune
nu este amplificator

3/11
Tipuri de amplificatoare

4/11
CSTV
amplificator in tensiune, alimentat diferential simetric
¾ regiunea activa (de amplificare):
⎛V V ⎞
v I ∈ ⎜⎜ OL ; OH ⎟;

⎝ Av Av ⎠
v O ∈ (V OL ; V OH )
dvO
Av = Q
¾ amplificator ideal: dv I
VOL=-VAl VOH=+VAl

¾ AO uzuale
vO ∈ (−V Al + 1V...2V;
+ V Al − 1V...2V)
¾ AO linie la linie (bara
la bara, rail-to-rail):
vO ∈ (− V Al ;+V Al ) 5/11
Transferul
semnalului de
amplificat

Observaţie: Semnalul de intrare


suficient de mic pentru ca
amplificatorul să lucreze în
regiunea liniară din jurul PSF:
aproximare de semnal mic 6/11
Modele ale amplificatoarelor
¾ diport: se referă explicit doar la comportarea la porţile de intrare şi
ieşire, alimentarea fiind considerată implicit
¾ valabile indiferent de complexitatea internă a amplificatoarelor pe
care le modelează
¾ valabile în domeniul frecvenţelor din banda de trecere
Surse comandate liniare (SCL)
¾ diporţi activi - un singur parametru finit şi nenul: transferul direct
¾ semnalul de iesire este comandat de semnalul de intrare
¾ pseodosurse
Exemplu: STCT

vO = av • vi

7/11
Modelarea amplificatorului in tensiune
Ri - va absoarbi curent de
vo la sursa de semnal,
av = Ro - diminuarea tensiunii
vi de iesise la lucrul in
sarcina

Conectarea amplificatorului cu o sursa reala de semnal si cu sarcina

vo
Av =
vs

Ri RL
Av = ⋅ ⋅ av Amplificator ideal ?
Rs + Ri RL + Ro 8/11
Av este cu atât mai apropiată de amplificarea la mers în gol av cu cât
se reduc pierderile de tensiune la intrare (pe Rs) şi la ieşire (pe Ro)

¾ Ri>>Rs - toată tensiunea sursei sa ajungă la intrarea amplificatorului


¾ Ro<<RL - toată tensiunea SCL să ajungă pe rezistenţa de sarcină
amplificator în tensiune ideal
Ri = ∞; Ro = 0

9/11
Determinarea parametrilor amplificatoarelor
¾ amplificarea (factorul de transfer direct)
¾ rezistenta de intrare
¾ rezistenta de iesire
Amplificarea
¾ analiza circuitului folosind teoreme şi relaţii de circuite electrice
(Kirchhoff, Ohm, etc.) şi ecuaţii ce descriu funcţionarea dispozitivelor active.
¾ se determină mărimea de ieşire în funcţie de cea de intrare şi prin raportul
lor se deduce amplificarea

Rezistenta de intrare

vi
Ri =
ii
10/11
Rezistenţa de ieşire ¾ Se pasivizeaza sursa de
semnal de intrare
1. ¾ Se aplica la iesire o sursa de
test
vtest
Ro =
itest
2.
gol scurtcircuit

vo , gol
Ro =
io , sc 11/11
AO – amplificator

vO=a·vD=∞·vD

Utilizarea ca amplificator
¾ vOЄ(VOL ; VOH)
¾ este necesar ca vD=0. Apare o nedeterminare:
vO=a·vD=∞·0
¾ vD poate fi ţinută la 0 prin conectarea unor impedante în
exteriorul AO într-o configuraţie cu reacţie negativă.
Aceste impedante împreună cu AO menţin vD la zero şi
stabilesc valoarea tensiunii de ieşire ⇒ amplificatoare
cu AO 1/16
AO cu reactie negativa - amplificator
vD = 0 v D ↑, vO ↑, v − ↑, v D ↓

RN, mentine automat


vD la zero

Ce posibilitati avem pentru conectarea intrarilor ?

2/16
Amplificator neinversor

CSTV ?

− R1
v = vO
R1 + R2
R1
vD = v + − v − = vI − vO = 0
R1 + R2
R1 vO R2
vI = vO Av = = 1+
R1 + R2 vI R1
3/16
• Alta metoda de a determina amplificarea

vD = 0

v + = vI v = vI
i
• acelaşi curent prin R1 şi R2
vO R2
Av = = 1+
vI R1 i
¾ amplificarea este dată doar de raportul a două rezistenţe
¾ valoare precisă a amplificării
¾ amplificarea este independentă de AO, nefiind
influenţată de dispersia tehnologică a valorilor
parametrilor AO.
¾ consecinţă directă a folosirii RN în cazul unui amplificator
cu amplificare proprie foarte mare ( a → ∞ in cazul AO)
4/16
Rezistentele de intrare si de iesire

• se determina pe modelul echivalent

vI vede întrerupere, deci Ri = ∞


vOgol vOgol
Ro = = =0
iOsc ∞
5/16
Exemplificare
Avv=6
•A =?
•Modelul echivalent al amplif.

•vO(t) pentru vI(t)


•CSTV triunghiulara cu
amplitudunea 1,5V
axata pe zero

•vO(t) pentru vI(t)


triunghiulara cu
amplitudinea 2V
axata pe 0,5V ?
6/16
Reglarea amplificarii

R2
Av max = 1 +
R1

R2 + P R2
Avmax = 1+ Avmin = 1 +
R1 R1 + P
Avmin =0
Ce se obtine pentru valori extreme (0 sau ∞) ale rezistentelor
pentru amplificatorul inversor ?

vO = ? daca R1 = 0
cursorul la extrema stanga
7/16
Repetor de tensiune

vO = v I

¾ RN totală
¾ nu există amplificare în tensiune
¾ amplificare infinită în curent
¾ etaj tampon pentru a conecta o sursă (sau ieşirea unui
circuit electronic) cu rezistenţa de ieşire mare (poate debita
curent redus) cu o rezistentă de sarcină scăzută (care solicită
curent mare).
8/16
Amplificator inversor

Circuit ? CSTV ?

+ − R2 R1
v =0 v = vI + vO
R1 + R 2 R1 + R 2
+ − R2 R1
vD = v − v = 0 − vI − vO = 0
R1 +Amplificare
R2 R?1 + R2
vO R2
Av = =−
vI R1
9/16
Alternativă pentru
înţelegerea funcţionării
amplificatorului inversor

v+ = v−
v+ = 0

v =0
masa virtuala
0 − vO
i2 =
i1 = i2 R2

vI − 0 vI vO vO R2
i1 = =− Av = =−
R1 R1 R2 vI R1
10/16
Rezistenţele de intrare şi ieşire

Ri = R1 Ri = ?
Ro = 0 Ro = ?

¾ În comparaţie cu amplificatorul neinversor la care


Ri →∞ pentru amplificatorul inversor avem o
rezistenţă mai mică de intrare.
¾ Uzual aceasta este de ordinul K, zeci de K.
¾ Dacă într-o aplicaţie se solicită o rezistenţă mare de
intrare vom folosi conexiunea neinversoare.

11/16
Exemplificare R1=10K, R2=100K, alimentare ±12V
9 Ri, Ro, Av
9 Modelul echivalent
9 Domeniul vi, a.i. AO amplificator

Ri = R1 = 10 k Ro = 0
R2 100
Av = − =− = −10
R1 10
Domeniul vI: (−1,2V; + 1,2V)

12/16
Exemplu de Proiectaţi un amplificator inversor cu R >8k si
i
proiectare amplificarea |Av| reglabilă în domeniul [10,18]
R2
Av min = = 10
R1
R2 + P
Av max
= = 18
R1
R2 = 10R1 R2 + P = 18R1
Din condiţia pentru Ri: Ri = R1 ≥ 8kΩ Alegem R1 = 10kΩ
R2 = 10 ⋅10 = 100 kΩ P = 18 ⋅10 − 100 = 80 kΩ
Deoarece nu există potenţiometru de 80K, alegem 100K şi
refacem calculele. Păstrând R2=100K, rezultă:
R2 + P 100 + 100
R1 = = = 11,1kΩ R2=100kΩ P=100kΩ
18 18

Verificare: Av = 9.1 Av max


= 18 Acceptabil ?
min
13/16
Exemplu de
proiectare (cont.)
R2
Av min
= = 10
R1 R2 + P
Av max
= = 18
R1
R2 = 10R1 R2 + P = 18R1

P = 100k R 2 = 10 R1 R1 = 12.5k
R 2 + 100 k = 18 R1 R2 = 125k

Verificare: Av min
= 10 Av max
= 18

14/16
Repetor de tensiune
inversor

vO
Av = = −1
vI
Ri = R

15/16
Amplificare si rezistenta mare de intrare
OPTIONAL
R2
Av = Ri = R1
R1

vO ⎛ R21 + R22 R21 R22 ⎞


Av = = −⎜⎜ + ⎟⎟
vI ⎝ R1 R1 R3 ⎠

⎛ 10 + 10 10 ⋅10 ⎞
Av = −⎜ + ⎟ = −1020
⎝ 1 1 ⋅ 0,1 ⎠
Acelasi curent prin R1 si R21
vO ⎛ R21 R21 R22 ⎞
Av = ≅ −⎜⎜ + ⎟⎟ Aceasi tensiune pe R3 si R21
vI ⎝ R1 R1 R3 ⎠

Av ≅ −1010 16/16
Sumatorul inversor

Expresia tensiunii ⎛R R ⎞
vO = −⎜⎜ v I 1 + v I 2 ⎟⎟
de iesire ? ⎝ R1 R2 ⎠

Ce relatie trebuie sa existe intre rezistente


pentru a obtine media aritmetică a tensiunilor R1 = R2 = 2 R
de intrare ?

1/7
Problema
a) Expresia vO(vi1, vi2) considerand ca
AO lucreaza in regiunea liniara? Ce
aplicatie realizeaza circuitul?
b) Considerand vi1=2V, cum arata
CSTV vO(vi2) a circuitului pentru
vi2∈[-5V; 5V]? In aceasta situatie
pentru ce interval de valori ale vi2
avem functionare in regiunea activa?
c) Pentru valorile rezistentelor din
figura, cum arata vO(t) pentru
tensiunile din figura alaturata?
d) Dimensionati R1, R2, R3, R4 a.i.
circuitul sa realizeze functia de
sumator inversor vO= -(vi1+ vi2). Cum
trebuie modificat circuitul pentru a
obtine functia de sumator neinversor,
vO= vi1+ vi2? 2/7
Sumatorul
neinversor

⎛ R4 ⎞⎛ R2 R1 ⎞
vO = ? vO = ⎜⎜1 + ⎟⎟⎜⎜ vI 1 + vI 2 ⎟⎟
⎝ R3 ⎠⎝ R1 + R2 R1 + R2 ⎠

Relatia intre rezistoare pentru vO = vI 1 + vI 2


R1 = R2 si R3 = R4

Uzual: R1 = R2 = R3 = R4
3/7
Amplificatorul
diferential

Aplicam suprapunerea efectelor

R4 ⎛ R2 ⎞ R2
vO1 = ⎜⎜1 + ⎟⎟v I 1 vO 2 =− vI 2
R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ R1

R4 ⎛ R2 ⎞ R2
vO = vO1 + vO 2 = ⎜⎜1 + ⎟⎟v I 1 − vI 2
R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ R1 4/7
Cum amplificam vI1-vI2 ?

R4 ⎛ R2 ⎞ R2
vO = ⎜⎜1 + ⎟⎟vI 1 − vI 2
R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ R1
R4 ⎛ R ⎞ R
⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ = 2
R3 + R 4 ⎝ R1 ⎠ R1

R1 R3 R2
=
R2 R4
vO = (v I 1 − v I 2 )
R1
pentru vI1=vI2 se obţine vO=0
circuitul amplifică doar diferenţa tensiunilor şi
rejectează semnalele de mod comun.
in cazurile practice se pune R1=R3 şi R2=R4
5/7
Exemplificare
De la un senzor se primeste
un semnal variabil vi cu
componenta continua VI =5V.
Dorim sa amplificam doar
partea variabila a semnalului
(cea care contine informatie),
de 10 ori. Ce solutie se poate R4 ⎛ R2 ⎞ R2
vO (t ) = ⎜⎜1 + ⎟⎟vI (t ) − VREF
utiliza ? R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ R1
R4 ⎛ R2 ⎞
⎜⎜1 + ⎟⎟(VI + vi (t )) − VI
R2
vO (t ) =
R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ R1

R4 ⎛ R2 ⎞ R2 R4 ⎛ R2 ⎞
⎜⎜1 + ⎟⎟ − =0 ⎜⎜1 + ⎟⎟ = 10
R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ R1 R3 + R4 ⎝ R1 ⎠

R1 R3 R1 R3 1 R1 = R3 = 2,5kΩ vo (t ) = 10vi (t )
= = =
R2 R4 R2 R4 10 R2 = R4 = 25kΩ 6/7
Amplificator de instrumentatie standard
¾ rezistenţă mare de intrare Optional
¾ rejecţie cât mai bună a semnalului de mod comun

AO1 şi AO2:
rezistenţa de intrare mare
asigură amplificarea,
AO3:
amplificarea unitară
trecerea de la două tensiuni
vO1 şi vO2 la o singură
tensiune vO.
rejecţie suplimentară a
tensiunii de mod comun

⎛ 2 R2 ⎞
vO = ⎜⎜1 + ⎟⎟(v I 1 − v I 2 )
⎝ R1 ⎠ 7/7
TRANZISTOARE
¾ Dispozitive semiconductoare
active (cu trei terminale)
¾ Principiul de funcţionare:
utilzarea unei tensiuni între două
din terminale (de comandă)
pentru a controla intensitatea
curentului prin al treilea terminal
(de execuţie).
¾ Tranzistoarele: surse de
curent comandate în tensiune

1/9
Categorii de tranzistoare

2/9
Principiul si regiuni de functionare
Tranzistorul – sursă de curent comandată
• Modelul in cc – sursa ideala de curent comandata in tensiune
Tip n Tip p
TECMOS TECMOS
cu canal n cu canal p
TB npn TB pnp

Surse comandate
neliniare:
exponentiala – TB

Tensiune patratica - TMOS


de prag

3 /9
Utilizarea in
circuit a
tranzitorului Tn
De ce este necesara R ?
Marimi de iesire: IO, VO
CST: IO(VCT), VO(VCT)

• alimentare serie cu sursa de tensiune


• alimentare paralel cu sursa de curent
4 /9
Caracteristici de transfer
• VCT<VPn, Tn – blocat, IO=IT=0
• VCT>VPn, Tn – conduce, IO=IT>0

VAl=RIO+VO ; VO= VAl - RIO

VCT ↑, IO ↑, VO ↓
V Al
VO,min=0 I Oex =
R

5 /9
• Două regiuni extreme, regiuni pasive:
- blocare (b) IT=0; VO>0; comutator ideal blocat
- conducţie extremă (cex) IT=IOex; VO=0; comutator ideal în
conducţie.
Dacă VCT<VPn sau VCT>VCTex tranzistorul - regim de comutare

• O regiune intermediară, regiunea activă directă aF


VCT∈(Vpn; VCTex), - tranzistorul - regim de amplificare
6 /9
Utilizarea Tp. Circuit. CST

- blocare (b) VCT > VPP


- conducţie extremă (cex) VCT < VCTex
- regiunea activa (aF) VCTex < VCT < VPP
7 /9
Cine determină graniţele între cele trei regiuni?
Tn Tp

• graniţa (b) - (aF) tranzistorul prin tensiunea de prag


• granita (cex) - (aF), VCT=VCTex tranzistor, R şi VAl:
T prin funcţia IT(VCT)
VAl
R şi VAl prin valorea extrema a curentului de iesire I Oex =
R 8 /9
Exemplu

i) VAl=10V; R=1KΩ
ii) VAl=15V; R=1kΩ
iii) VAl=10V; R=2.5kΩ
9 /9
TECMOS
Tranzistoare cu efect de câmp
metal-oxid-semiconductor
¾ Simboluri
¾ Structura fizica
¾ Principiul de functionare
¾ Caracteristici de transfer si de iesire
¾ Regiuni de funcţionare
¾ Plasarea PSF

pentru TMOS cu canal n indus şi canal p indus. 1 / 18


Structura fizica
canal n indus

Ce conditii trebuie realizate pentru a


avea curent intre drena si sursa?
• Formarea unui canal cu purtatori
majoritari de tip n de la drena la sursa
• Crearea unei diferente de potential
pozitive drena – sursa care sa antreneze
purtatorii 2 / 18
Optional

3 / 18
Optional

ID = 0

4 / 18
Optional

Curentul depinde liniar de VGS

5 / 18
Optional

Curentul depinde neliniar de VGS2 6 / 18


Curentul prin tranzistor

Curentul prin tranzistor depinde de


• VGS - formarea canalului
I D = f (VGS , VDS )
• VDS – deplasarea dirijata a purtatorilor
7 / 18
Simboluri

D – drena
G – grila
S – sursa
B – baza
(substrat)

8 / 18
Principiul de funcţionare
Pentru a înţelege funcţionarea
TMOS vom studia
caracteristicile statice la
terminalele TMOS cu canal n:

• Familia de caracteristici i D + iG = iS nod de curent


de transfer
iG = 0
i D (vGS ) cu parametru v DS
i D = iS
• Familia de caracteristici
de iesire vGS = vCo
i D (v DS ) cu parametru vGS v DS = v Al
9 / 18
Caracteristici de transfer
i D (vGS ) cu parametru v DS
VDSsat = vGS − VP

• Regiunea liniara
vDS – mic, vDS < VDSsat
iD = β [2(vGS − VP )vDS − vDS ]
2

iD – depinde liniar de tensiunea de comanda vGS,


- depinde de tensiunea de iesire vDS,

• Regiunea de saturatie
vDS< vDSsat vDS > VDSsat
iD = β (vGS − VP ) 2
iD – depinde doar de patratul vGS

VP=0,58V, β=104μA/V2 10 / 18
Caracteristici de iesire
i D (v DS ) cu parametru vGS

i D (v DS ) cu parametru vGS
• Regiunea liniara

iD = β [2(vGS − VP )vDS − vDS ]


2

vDS < VDSsat

• Regiunea de saturatie (activa)

iD = β (vGS − VP ) 2

vDS > VDSsat 11 / 18


Exemplificare

5V

Ce valori au VGS, ID, VDS, VGD, VDSsat pentru


urmatoarele valori ale VCo?
VCo1 = 2V
VCo 2 = 2.5V
VCo 3 = 2.8V
Plasati punctele statice de functionare Q(VDS, ID),
in planul caracteristicilor de iesire.
In ce regiuni de functionare lucreaza tranzistorul?
12 / 18
Regiunea activă: Regiunea liniara:

iD = β[2(vGS −VP)vDS −v ]
2
i D = β (vGS − VP ) 2
DS

β – parametru constructiv al tranzistorului TMOS;


– factorul beta se măsoară în µA/V2, mA/V2, A/V2;
– pentru tranzistoare discrete se poate extrage din
caracteristicile de catalog
Pentru tranzistoarele integrate avem:
K W KW
β= ⋅ iD = (vGS − VP )2 regiunea
activă
2 L 2 L
K - parametrul transconductanţă şi se măsoară în µA/V2
W - lăţimea canalului prin care circulă iD
L - este lungimea canalului prin care circulă iD
13 / 18
Plasarea PSF: Q(ID, VDS)

Dreapta de sarcină:
vDS =VAl -RD iD

VDS

Q(ID, VDS) se află la intersecţia dreptei de sarcină cu


caracteristica corespunzătoare tensiunii vGS 14 / 18
Regiuni de functionare
T – (b): VGS<VP
IDex T – (aF): VP<VGS<VGS3
T – (cex): VGS>VGS3

(cex) şi (aF) sunt


separate de curba
VDSsat=VGS –VP
VDS

Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea


sistemului de axe sau de una dintre axe.
in comutare (b) (cex)
Moduri de ca amplificator (aF), eventual (aR)
utilizare
rezistenta liniara comandata in tensiune
15 / 18
Exemplificare
β=2mA/V2
a) În ce regiune se află T pentru: VP=1V
1.vGS=0,8V; 3.vGS =4V
2.vGS=2,5V;
b) Valoarea minimă a vGS pentru
care T mai este în (cex)?

1. vGS<VP, deci T (b)


iD =2·(2,5 -1)2= 4,5mA
2. vGS>VP, deci T (cex) sau (aF) vDS =20-3 · 4,5= 6,5V
comparam vDS cu vDSsat vDS sat= vGS –VP=1,5-1= 0,5V
vDS =VAl -RD ·iD
vDS>vDssat, T este în (aF).
Presupunem T în (aF)
vGD=vGS-vDS=1,5-6,5= -4V < VP
iD= β (vGS –VP)2
16 / 18
3. vGS=4V>VP, deci T (cex) sau (aF)
iD =2·(4-1)2 =18mA
vDS =20-3·18= -34V
presupunerea T - (aF) este falsă
T este în (cex)

Altă modalitate: compararea valorii iD in (aF) cu iDex

VAl − vDS ,ex VAl 20


iDex = ≈ = = 6,67 mA
R R 3
iD=18mA > iDex=6,67mA ⇒ T - (cex)

17 / 18
b) valoarea minimă vGSmin pentru care T este în (cex) corespunde
plasării lui T pe curba vDSsat

vDSsat =VAl -R·iD


R β(vGSmin –VP)2+ (vGSmin-VP) -VAl = 0
vDSsat =vGSmin-VP
din soluţia vGSmin –VP >0
VAl -R·iD=vGsmin –VP
VGSmin =2,744V
iD =β·(vGSmin-VP)2 18 / 18
TECMOS IN COMUTARE
In cazul tranzistoarelor în comutare,
apar două stări extreme:

(b) (cex)
curentul de iesire stabilit (aproape) în
(iD ) zero totalitate de circuitul
extern tranzistorului
stabilita de circuitul
tensiunea de foarte apropiata de
extern tranzistorului
ieşire (vDS) zero (ideal zero)
(alimentare)
regiunea TECMOS: TECMOS:
specifica de
functionare blocat regiunea liniara
1/13
Tn Tp

VCTex,n VCTex,p

Modelul
intrerupator
comandat

vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO≈0 vCT >VPp ; T- (b) ; iOT=0


vCT <VPn ; T- (b) ; iO =0 vCT <VCTex,p ; T- (cex) ; iO>0 ; vO≈0

Intrerupatoarele comandate sunt complementare 2/13


Comutatoare analogice
CA este un circuit care permite sau blochează trecerea
semnalului de intrare către ieşire în funcţie de un semnal de
comandă.

vCo - două nivele:


VCoL<VPn
VCoH> VCTex,n

vCo=VCoL ; Tn-(b) ; vO=0 blocheaza trecerea vI


vCo=VCoH ; Tn- (cex) ; vO= vI permite trecerea vI
3/13
CA cu două întrerupătoare
comandate complementare vCo=VCoH

vCo=VCoL ; CA-(b) ;
vCo=VCoH ; CA- (c) ; 4/13
C=0; CA-blocat; vO=0
C=1; CA-conduce; vO=vI

CA – implementare CMOS VCoH=VDD; VCoL=VSS


vI ∈(VSS; VDD)

CI 4066 - 4 porţi de
±
transfer;
alimentat la
±10V, ron=150Ω

DG400 de la
Siliconics
ron=20Ω

5/13
Aplicatie: MUX cu trei canale

6/13
Circuite logice cu
tranzistoare MOS
¾ Modelul întrerupător comandat ideal

¾ Implementare cu tranzistoare
MOS complementare – circuite logice CMOS

7/13
Inversorul logic 0 logic - 0V
1 logic - VAl
Cu Tn si R

Cu Tp si R

8/13
Analiza critica a inversorului cu intrerupator
comandat si R
Tn – (c)
Tn – (b)

Diminuarea dezavantajului
R cât mai mică, ideal R→0; R cât mai mare, ideal R→∞

Solutie: înlocuirea R cu întrerupator comandat


9/13
Două solutii:
întrerupătoare comandă
complementare complementară

Specifica TMOS Specifica TB


10/13
• Inversorul CMOS

VGSn=vI ;
vGSp=vI-VDD

11/13
CSTV a inversorului CMOS Optional

Ideala din punct


de vedere al Reala
intrarii

12/13
Margini de zgomot
NM H = VOH min − VIH min
NM L = VIL max − VOL max

Nivelele tensiunii şi
marginile de zgomot
pentru familia logică
CMOS alimentata la
+5V

NM L = 1,5V − 0 ,5V = 1V

NM H = 4 ,5V − 3,5V = 1V

13/13
Tranzistoare bipolare (TB)

¾ Simbolurile
¾ Structura simplificata
¾ Caracteristici de intrare, transfer, iesire
¾ Principiul de functionare
¾ Regiunile de funcţionare
¾ Curentii prin TB
¾ Saturatia TB
pentru TB npn şi pnp
1 / 14
npn pnp
Simboluri

Simboluri uzuale

“Ce vede” un
ohmmetru la
terminalele TB

Există interacţiune între cele două diode


2 / 14
npn pnp

¾Terminalele TB se numesc:
B – bază (corespondent G la TECMOS)
C – colector (corespondent D)
E – emitor (corespondent S)
Săgeata indică sensul pozitiv al curentului prin tranzistor
de la C la E (npn) şi de la E la C (pnp).
3 / 14
Structura
simplificata,
tranzistor npn

Efectul de tranzistor:
Trecerea curentului printr-o regiune polarizată invers (bază-
colector) datorită interacţiunii ei cu o joncţiune polarizată direct
(bază-emitor) situată în imediata ei vecinătate.
• regiunea bazei foarte îngustă; considerabil mai îngustă decât
lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în bază;
• regiunea de emitor mai puternic dopată decât regiunea
bazei;
• regiunile de emitor şi colector mai late decât lungimea de
difuzie a purtătorilor minoritari în aceste regiuni. 4 / 14
Caracteristici
statice la
terminalele

v BE
IS iC =βiB v BE
iB = e VT

β Valabila in regiunea activa


iC = I S e VT

5 / 14
Caracteristica de intrare Caracteristica de transfer
Caracteristici de ieşire

Regiunea
activă:
iC=βiB

Saturaţie:
iC <βiB
VCEsat≈0,2V
Blocare:
iC=βiB =0 6 / 14
Regiunile de funcţionare ale TB, npn
vBE>0,6V
rareori folosită vBC>0,6V

vBE<0,6V vBE>0,6V
vBC<0,6V vBC<0,6V

Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de


axe sau de una dintre axe.

Moduri de in comutare (b) (cex)


utilizare ca amplificator (aF), eventual (aR) 7 / 14
Curenţii prin TB
iE =iC+iB
Valabila in toate
regiunile de
functionare

În regiunea activă (aF), cu iC=βiB

1 1
iE = iC + iC = iC (1 + )
β β
iE=(β+1)iB ≈βiB

Relaţiile nu sunt valabile la saturaţia TB (cex)


unde iC <βiB 8 / 14
Limitarea curentului de comanda prin TB
¾ deosebire TB – TECMOS: joncţiune în circuitul de comandă
¾ se impune folosirea unei rezistenţe serie pentru stabilirea
(limitarea) curentului de bază, fie în bază, fie în emitor

9 / 14
Saturaţia TB
9valorile rezistoarelor şi surselor de alimentare astfel
încât tranzistorul să lucreze în regiunea dorită
9 TB poate fi privit ca o sursă de curent comandată prin
curent după relaţia iC=βiB în regiunea activă (aF).

iCex
i Bsat =
β 10 / 14
ƒExemplificare
A.În ce regiune se află T pt RB=50k cu
i) vCo=0,4V; ii) vCo=1,7V;
iii) vCo=5V

B. Se dau vco=2,7V şi β∈(25…200)


Domeniul RB astfel încât T
i) (aF); ii) (cex).

Rezolvare:
i) deoarece vCo=0,4V < VP=0,6V T-(b)

ii) vCo >VP ⇒ T fie în (aF) fie în (cex).


Vom considera vBE=0,7V în conducţie şi β=100. Presupunem T
în (aF) astfel ca iC =βiB.
Vom compara iB cu iCex /β. Dacă iB >iCex /β, T - (cex),
dacă iB <iCex /β, T - (aF) 11 / 14
V Al − vCEsat 12 − 0,2
iCex = = = 5,9 mA
RC 2
vCo − v BE 1,7 − 0,7
iB = = = 0,02 mA
RB 50
iCex 5,9
= = 0 ,059 mA
β 100

iCex
Cum iB=20μA < = 59 μA, ⇒ T este în (aF)
β
iC = β iB = 100 ⋅ 0,02 = 2mA
PSF
vCE = V Al − RC ⋅ iC = 12 − 2 ⋅ 2 = 8V

v BC = v BE − vCE = 0,7 − 8 = −7,3V < 0,6V


12 / 14
iii)
vCo − vBE 5 − 0,7
iB = = = 0,086mA
RB 50

Cum iB =86µA>iCex /β=59µA, rezultă că T este în (cex);


vBE ≈0,8V; vBC=vBEsat -vCEsat ≈0,8V-0,2V=0,6V=VP

Puteam rezolva problema presupunând T în (aF) ⇒ iC=βiB=8,6mA


vCE=VAl - RCiC =12-2·8,6=-5,2V
Evident o valoare imposibilă (vCE nu poate fi decât pozitivă)
deci presupunerea făcută este falsă. Aşadar T este în (cex) 13 / 14
B. i) Pentru T în (aF) trebuie să ne
asigurăm că iB<iCex /β indiferent
de valoarea lui β din domeniul
specificat; cea mai defavorabilă
situaţie β=βmax= 200.
iCex vCo − v BE i Cex
iB < <
β max RB β max
vCo − vBE 2,7 − 0,7
RB > βmax ⋅ = 200⋅ = 67,8KΩ
iCex 5,9
ii) Pentru saturaţie trebuie îndeplinită condiţia: iCex
vCo − v BEsat
iB >
>
iCex β min
RB β min
vCo − vBEsat 2,7 − 0,8
RB < β min = 75 ⋅ = 24KΩ
iCex 5,9 14 / 14
TB IN COMUTARE
In cazul tranzistoarelor în comutare,
apar două stări extreme:

(b) (cex) (sat)


stabilit (aproape) în
curentul de iesire
zero totalitate de circuitul
(iC )
extern tranzistorului
stabilita de circuitul
tensiunea de foarte apropiata de
extern tranzistorului
ieşire (vCE) zero (VCE,sat ≈0,2V)
(alimentare)
regiunea TB: TB:
specifica de
functionare blocat saturatie

1/8
Tn

VCTex,n

Modelul
intrerupator
comandat

vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO≈0


vCT <VPn ; T- (b) ; iO =0

2/8
0 logic - 0V
Circuite logice bipolare
1 logic - VCC
Tehnologie RTL
• Inversorul logic

• SAU - NU

3/8
Circuite logice bipolare TTL
(Tranzistor-Tranzistor Logic)

• Inversorul logic
• din motive tehnologice în circuitele logice integrate este
preferată folosirea doar a tranzistoarelor npn.
• se adoptă varianta cu tranzistoare identice comandate
complementar

4/8
Poarta TTL standard OPTIONAL

5/8
Nivelele tensiunilor şi marginile de
zgomot pentru familia logică TTL

6/8
Subfamilii TTL cu performanţe îmbunătăţite:
OPTIONAL

viteze mai mari, disipare (consum) redusa de putere

Tranzistor Schottky Dioda Schottky: joncţiune metal


semiconductor, în conductie ≈0,5V

vBE=0,8V; vBC=0,5V; vCE=0,3V


• tranzistorul Schottky nu
intra în saturatie
• creste viteza de comutare 7/8
Structura simplificată a porţii ŞI-NU în
tehnologie Schottky de mică putere
OPTIONAL

8/8
Polarizarea
tranzistoarelor
in curent continuu
tranzistorul lucrează în regiunea activă (aF) in jurul PSF
alimentare în curent continuu (surse de tensiune / curent)

Amplificatoare fundamentale cu un tranzistor:


• Conexiunile SC şi EC
• Conexiunile GC şi BC
• Conexiunile DC şi CC
• Conexiunea cu degenerare în emitor

Caracteristici importante:
amplificarea in tensiune (curent)
rezistenta de intrare
rezistenta de iesire
banda de frecventa
2/19
Functionarea amplificatorului cu un tranzistor
(SC sau EC)
• polarizarea în cc: PSF aproximativ la mijlocul regiunii active

VAl – alimentare in cc
VI – stabilirea PSF: (IO,VO)
vi – tensiune de amplificat
(de intrare)
vo – tensiune amplificata
(de iesire)
• Suprapunerea
semnalului variabil peste
regimul de curent
continuu
3/19
Functionarea amplificatorului (SC, EC)

Cine determina amplificarea ?


4/19
Caracteristica de transfer în tensiune vO(vI ) a unui
amplificator inversor

Semnal mic:
functionarea
amplificatorului
în regiunea
liniară îngustă
din jurul PSF

Excursia maximă a semnalului de


intrare: adeseori determinată din
considerente de liniaritate 5/19
Polarizarea în curent continuu – fixarea PSF

Functionarea tranzistorului ca amplificator:


• tranzistorul polarizat cât mai aproape de mijlocul regiunii active

• punctul instantaneu (mobil) de funcţionare să fie ţinut în


regiunea activă (liniara in jurul PSF)

• semnalul de intrare să fie păstrat suficient de mic.


PSF:
stabil şi predictibil
independent de parametrii tranzistorului

6/19
Polarizarea TECMOS
Varianta 1
RG 2
VGS = VAl
RG1 + RG 2
I D = β (VGS − VP ) 2

V DS = V Al − R D I D
☺ foarte simplă
curentul din PSF, ID depinde
puternic de parametrii
tranzistorului, β si VP
nu asigură stabilitatea
punctului static de funcţionare
7/19
Polarizarea TECMOS
Varianta 2
RG 2
VGG = V Al
RG1 + RG 2
VGS = VGG − R S I D

I D = β (VGS − V P ) 2
necunoscute: VGS şi ID
sistem de ecuaţii de gradul 2
se alege dupa calcul valoarea
convenabila a ID
V DS = V Al − ( R D + R S ) I D
8/19
Polarizarea TECMOS
Varianta 2 - continuare

VGS = VGG − R S I D
I D = β (VGS − V P ) 2

VGS este determinată şi de curentul


de drenă ID
ID ↑, RSID ↑, VGS ↓, ID ↓ circuitul
se opune tendinţei de modificare a ID.
• reacţie negativă datorita prezentei RS
☺ asigură stabilitatea PSF la variaţia
diverşilor parametrii
creşte complexitatea relaţiilor de
calcul. 9/19
Exemplificare 1
RG1=3MΩ; RG2=1MΩ;
RD=3KΩ; RS=1KΩ; VAl=20V
VP =2V; β =0,5mA/V2.
? Care este PSF ?

RG 2 1
VGG = V Al = ⋅ 20 = 5V
RG1 + RG 2 3 +1
I D = β (VGS − VP ) 2 VGS = VGG − I D RS
ID2-8ID+9=0; ID in mA
ID1 nu convine;
ID1=6,65mA şi ar rezulta VGS<0
VDS = V Al − I D ( RD + RS ) =
ID2=1,35mA ID=ID2=1,35mA
= 20 − 1,35(3 + 1) = 14,6V

VD =? VS =? Q (14,6V; 1,35mA)
10/19
Exemplificare 2
TMOS: VP =2V; β =0,25mA/V2, VAl=20V
? Cum dimensionam circuitul
pentru PSF cu ID=1mA ?

I D = β (VGS − VP ) 2
ID 1
VGS = VP + =2+ = 4V
β 0,25
VDSsat=VGS-Vp=2V
T- regiunea activă VDS∈(2V; 20V).
PSF : VDS=7V
VAl −VDS 20 − 7
VDS = V Al − ( RD + RS ) I D RD + RS = = = 13KΩ
ID 1
11/19
Exemplificare 2 – cont.
TMOS: VP =2V; β =0,25mA/V2, VAl=20V
? Cum dimensionam circuitul
pentru PSF cu ID=1mA ?

RD şi în funcţie de amplificarea dorita.


Neavând valoarea amplificării putem
considera VS=4V pe RS :
VS 4
RS = = = 4KΩ
ID 1
RD = 13 − 4 = 9KΩ

VGG = VGS + VS = 4 + 4 = 8V
RG1 = 300 KΩ; RG 2 = 200 KΩ
12/19
Polarizarea TECMOS
Varianta 3
• Uzual in circuitele integrate: polarizare cu surse de curent
• ID independent de parametrii tranzistorului amplificator

V DS = V Al − R D I + VGS − VGG
VDS = V Al − RD I + VGS
Tensiunea pe sursa de curent: VGG -VGS
13/19
Polarizarea TB, varianta uzuala in circuite discrete
Faţă de analiza pentru TECMOS, la TB apare:
- curentul de bază IB, diferit de zero
- prin colector şi emitor nu trece exact acelaşi curent

I C = βI B
β +1
I E = I C + I B = ( β + 1) I B = IC
β

Se poate aproxima IC ≈ I E

• Calcul exact:
exact se utilizeaza IB
• Calcul aproximat:
aproximat se neglizeaza
IB fata de curentul prin divizorul
din baza (nu se considera IB=0)
14/19
• Calcul aproximat
RB 2
VBB = V Al
RB1 + RB 2
VBB − VBE
IC ≈ I E =
RE
VCE = V Al − I C RC − I E RE ≈
≈ V Al − I C ( RC + RE )

• RE este deosebit de important în


stabilirea si stabilizarea PSF, prin
mecanismul de RN introdus
IB mult mai mic decât curentul
prin divizorul din bază IC↑; IE↑; VRE↑; VBE↓; IC↓
15/19
• Calcul exact IC=IE+IB ≈ IE
VCE = V Al − I C RC − I E RE ≈
≈ V Al − I C ( RC + RE )
• IE insensibil la variaţiile β:
RB RB
RE >> RE > 10
( β + 1) β
RB1, RB2 valori mici cerute de
independenţa PSF de β
Teorema Thevenin: VBB, RB RB1 şi RB2 valori mari cerute de
VBB = RB I B + VBE + RE I E rezistenţa de intrare

IE=(β+1)IB • IE insensibil la variaţiile temperaturii (VBE)

VBB − VBE VBB >> 0,1V


IE =
RE + RB /( β + 1) o variaţie ΔVBE de 0,1V poate fi neglijată
faţă de VBB=3…5V 16/19
Exemplificare 3 VAl=15V; RB1=10kΩ; RB2=4,7kΩ;
RE =1,5kΩ; RC=1,8kΩ; β =150

Calcul aproximat
IC = ? IC = 2,73mA
VCE =? VCE = 6V
VC = ? VC = 10,1V
VE = ? VE = 4,1V

Calcul exact

IC = ? IC = 2,7mA

17/19
Exemplificare 4 Uzual 1 1
VBB = VAl = 12 = 4V
alegem: 3 3
VBB − VBE (1/ 3) ⋅12 − 0,7
RE = = = 1,65 ≈ 1,6KΩ
IE 2
IC 2 1 V AL
IB = = = 20μA IB <
β 100 10 RB1 + RB 2
VAl 12
R B1 + R B 2 < = = 60KΩ
10 I B 10 ⋅ 0,02
RB 2 1
VBB = V Al = V Al R B1 = 2 R B 2
RB1 + RB 2 3

Valorile rezistentelor RB2=18KΩ; RB1=36KΩ


Verificare:
astfel incat T in aF la
IC=2mA. VBB − VBE 4 − 0,7
IE = = = 1,92mA
V =12V, β=100 RE + RB /( β + 1) 1,6 + 12 /(100 + 1)
Al
18/19
Polarizarea TB, alimentare diferentiala

IE = I

RB
V Al − VBE VCE = VAl − RC I C + VBE + I
IE = β +1
RE + RB /( β + 1)
Tensiunea pe sursa de curent:
RB
VCE = 2V Al − RC I C − RE I E V Al − V BE − I
β +1
19/19
Modele de semnal mic
ale tranzistoarelor

¾ funcţionarea la semnal mic (variatii)


¾ parametrii de semnal mic

¾ modele de semnal mic


Modelul de semnal mic necesar pentru a deduce
vo in functie de vi 2/13
Funcţionarea la semnal mic
Tranzistorul pentru regimul de semnal mic:
¾ parametrii diferenţiali (sau parametrii de semnal mic)
¾ valorile parametrilor diferenţiali depind de PSF
¾ modelul de semnal mic al tranzistorului.

• Modelul tranzistorului la frecvente joase:


¾ rezistenta de intrare
¾ rezistenta de iesire
¾ sursa comandata care arata transferul intrare-iesire

• La frecvente inalte modelul se completeaza cu


capacitatile parazite dintre terminale

3/13
TECMOS la semnal mic Conexiunea SC

Schema completa a amplificatorului cu


1 TMOS (polarizare + semnal variabil)

Schema echivalenta pentru


semnal mic:
- pasivizarea surselor de
tensiune continua sau curent
continuu

4/13
Parametrii de semnal mic
iD = β (vGS − VP )
2

• Transconductanţa diferenţială
∂i D id
gm = vDS =cst = vDS =cst
∂vGS v gs

∂ ( β (vGS − VP ) 2
gm = Q = 2 β (vGS − VP ) Q
∂vGS

2I D
gm = = 2 β ID
VGS − VP

tranzistoare integrate: W
g m = 2K I D
L

id = g m v gs TECMOS: sursă de curent


comandată în tensiune (SCCT)
pentru semnal mic 5/13
• Rezistenta diferentiala de intrare
¾ grila este izolată electric de restul structurii: rezistenţa
diferenţială de intrare este infinit (intrerupere)
• Rezistenta diferentiala de iesire
caracteristicile de iesire nu sunt
perfect orizontale, curentul de drenă
creşte uşor cu tensiunea drenă-sursă
lavGS = cst.

1 ∂v DS vds
ro = = vGS = cst = vGS = cst
go ∂i D id

VA – tensiunea Early
⎛ vDS ⎞ VA
iD = β (VGS − VP ) ⎜⎜1 +
2
⎟⎟ ro =
⎝ VA ⎠ ID
6/13
TMOS:
regim static regim variabil
id = g m v gs

g m = 2β (VGS − VP ) =
2I D
= = 2 β ID
vGS − VP

I D = β (VGS − V P ) 2 id = 2 β (VGS − VP )v gs

VDS VA
RO = ro =
ID ID
7/13
Modelul de semnal mic al TECMOS

• la frecvente joase :

g m = 2β (VGS − VP ) =
2I D
= = 2 β ID
vGS − VP
VA
ro =
ID
• la frecvente inalte:

apar capacitătile parazite interne


între terminale; tipic de ordinul
pF sau fractiuni de pF
8/13
Parametrii de semnal mic ai TB
• Transconductanţa diferentiala
∂iC ic
gm = vCE =cst = vCE =cst
∂v BE vbe
iC = I S e vBE / VT • Amplificarea în curent
VT ≈ 25mV @ 20 o C ∂iC ic
β= vCE =cst = vCE =cst
∂i B ib
IC
gm = ≈ 40 I C @ 20o C Deşi pot exista diferenţe între
VT
amplificarea în curent continuu şi
amplificarea diferenţială in curent,
KT vom folosi aceeaşi notaţie şi aceeaşi
VT =
q valoare (orientativ β=100).

temp. ↑ g m ↓
9/13
Parametrii de semnal mic ai TB - continuare
• Rezistenţa de ieşire

∂vCE vce
ro = vBE =cst = vBE −cst
∂iC ic
vBE
⎛ vCE ⎞ • Rezistenţa de intrare
iC = I S e VT
⎜⎜1 + ⎟⎟
⎝ VA ⎠ ∂v BE vbe
rbe = vCE =cst = vCE =cst
∂i B ib
VA
ro =
IC β
rbe =
gm

10/13
Modele de semnal mic ale TB la joasa frecventa
g m = 40 I C
β
rbe =
gm
VA
ro =
IC

modelele
π hibrid
simplificat

11/13
Modele de semnal mic ale TB la inalta frecventa

modelul
π hibrid

¾ apar capacitatile parazite intre terminalele tranzistorului


¾ efectul acestor capacitati: reducerea amplificarii la
frecvente inalte
¾ se poate folosi si modelul cu sursa de curent
comandata in curent
12/13
Exemplul numeric pentru TECMOS
TECMOS : K=100μA/V2 , W/L=1, VA=100V ; polarizat la ID=100μA.
Care sunt valorile parametrilor de semnal mic şi joasă frecvenţă?
W
g m = 2K I D = 2 ⋅100 ⋅ 1 ⋅ 100 = 0.14mS
L
V A 100
ro = = = 1MΩ
ID 0,1

Exemplul numeric pentru TB


TB polarizat în PSF la IC=100μA, VA=100V, β=100.
Care sunt valorile parametrilor de semnal mic şi joasă frecvenţă?

gm=40IC=40·0,1=4mS
V A 100
β 100 ro = = = 1MΩ
rbe = = = 25KΩ IC 0,1
gm 4
13/13