Electronica Aplicată

Partea I-a 1. Noţiuni introductive

Curentul electric
Semnale sinusoidale
Semnale rectangulare
c) Alte tipuri de semnale
1.2 Legi privind circuitele electrice
Legile lui Kirchoff
2. Componente pasive de circuit 3
2.1 Rezistoare
2.1.1 Clasificare. Parametrii. Simboluri
2.1.2 Conectarea rezistoarelor
2.1.3 Comportarea rezistorului în curent alternativ
2.1. 4 Aplicaţii ale rezistoarelor fixe 6
Divizorul de tensiune
Divizorul de curent
2.2 Condensatoare
2.2.1 Capacitatea unui condensator
2.2.2 Clasificarea si simbolizarea condensatoarelor 8
2.2.3 Capacitatea echivalentă a condensatoarelor 9
Conectarea în serie a condenstoarelor
Conectarea în paralel a condenstoarelor
2.3 Bobina 10
2.3.1 Inductanţa bobinei
[Link] bobinelor în curent alternativ
In regim sinusoidal
Vectori asociaţi tensiunii si curentului
Puterea instantanee
Puterea activă
Variaţia in timp a energiei magnetice
2.3.3. Caracteristici principale si circuite echivalente 12
Inductivitatea (inductanţa)
Rezistenţa totală la pierderi R
Factorul de calitate Q
Capacitatea (parazită) proprie
Stabilitatea (parametrilor bobinei)
Puterea, tensiune, si curentul maxim admise
2.3.4 Aplicaţii ale bobinelor
A. Transformatorul
B. Circuitul RLC serie
C. Circuitul RLC paralel
3.2 Dioda semiconductoare 16
3. 2.1. Structură si funcţionarea diodelor redresoare 18
3.2.2 Descrierea analitică a caracteristicii diodei
3.2.3 Dreapta de sarcină si punctul static de funcţionare
3.2.4 Dioda în regim variabil de semnal mare 19
Redresor monofazat monoalternanţă
 Redresor monofazat bialternanţă
3.2.5 Dioda în regim de curent alternativ, semnal mic 22
[Link] Dioda în regim de comutaţie 23
3.2.2 Dioda stabilizatoare (Zener) 25
4. Tranzistorul bipolar
4.1 Structura si funcţionarea tranzistorului bipolar 27
4.3. Regimuri de funcţionare ale tranzistoarelor bipolare 30
[Link] tranzistorului bipolar 31
[Link] statice ale tranzistorului bipolar 33
4.4 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar
4.5 Regimul de comutaţie al tranzistorului 35
1. Starea (regimul) închisă
2. Starea(regimul) de saturaţie(comutatorul este închis)
4.5. Aplicaţii – Etaje de amplificare cu tranzistor 37
5. Tranzistoare cu efect de câmp (TEC) 39
5.1 Structură si funcţionare
5.2. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiuni (TECJ) 40
5.3 Tranzistoarele cu efect de câmp de tipul MOS (metal-dielectric-semiconductor)
5.4 Regimul dinamic al TEC 44
6. Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) 45
[Link]ă si funcţionare
6.2 Caracteristica statică a tranzistorului unijoncţiune 46
6.3 Aplicaţii ale TUJ
Oscilator de relaxare cu TUJ 47
Partea a -II-a [Link] de redresare
1.1. Noţiuni generale 50
1.2. Redresoare monofazate 51
1.2.1 Redresorul monofazat monoalternanţă cu sarcină rezistivă
1.2.2 Redresorul monofazat dublă alternanţă cu sarcină rezistivă 54
1.2.3 Redresorul monofazat monoalternanţă cu sarcină RC 56
1.2.4. Redresorul monofazat monoalternanţă cu sarcină RL 58
1.3 Redresoare trifazate 60
2. Circuite de stabilizare 63
2.1 Noţiuni generale 64
2.2 Stabilizatoare de tensiune continuă cu diode Zener 66
2.3 Posibilităţi de stabilizare a tensiunii pe baza diodei Zener
2.3.1 Stabilizatoare în paralel de tensiune
2.3.2 Stabilizatoare serie de tensiune 68
2.3.3 Stabilizatoare de tensiune cu curent mare de sarcină 70
2.4 Scheme de stabilizare a curentului 71
2.5 Scheme de protecţie la suprasarcină
2.6 Scheme de transformare a tensiunii continue 72
2.6.1 Convertor cu reacţie inversă pe un transformator 73
2.5.2 Convertor cu două transformatoare 74
3. Amplificatoare 75
3.1. Noţiuni generale
[Link] amplificatoarelor
3.1.2. Amplificarea 76
3.1.3. Distorsiunile amplificatoarelor
3.2. Amplificatoare cu tranzistoare bipolare
3.2.1. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiune emitor comun
[Link]. Caracteristica de transfer a etajului cu tranzistor în emitor comun
[Link]. Regimul de repaus în etajul cu emitor comun 78
[Link]. Reacţii inverse si stabilizarea regimului de repaus 81
[Link]. Schema echivalentă si parametrii principali ai etajului cu emitor comun 82
[Link]. Etajul diferenţial 85
3.2.2. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiune colector comun
(CC) 88
3.4. Amplificatoare operaţionale 89
3.4.2. Amplificator operaţional neinvertor cu reacţie inversă 90
3.4.3. Amplificatorul operaţional inversor cu reacţie inversă 92
3.4.4. Scheme operaţionale 93
A). Sumatorul inversor
B). Sumatorul neinversor
C). Schema de scădere a semnalelor
D). Integratorul
3.4.6. Scheme neliniare pe amplificatoare operaţionale 95
[Link].Comparatoare
[Link] Comparatoare cu histerezis 96
[Link] Redresoare de precizie 97
[Link] Redresoare de precizie 98
3.4.7. Amplificatoare selective si generatoare de oscilaţii sinusoidale
3.4.8. Amplificatoare conectate prin capacitate 100
3.5. Etaje de amplificare în putere 102
3.5.1 Etajul de amplificare în putere clasa A
3.5.2 Etajul de amplificare într-un singur timp de putere clasa B 103
3.5.3 Etajul de amplificare în doi timpi de putere clasa B 104
 Partea I-a
1. NoŃiuni introductive

Semnale electrice
În general se numete semnal, orice variabilă în timp purtătoare de informaŃie.
Semnalul electric este orice semnal de natură electrică.
- se întâlnesc două tipuri de semnale electrice i anume tensiunea electrică i intensitatea curentului electric (pe
scurt curentul electric).
• Tensiunea electrică - diferenŃa de potenŃial dintre două puncte.
Pentru tensiunea electrică se vor folosi notaŃiile U i u.

Se definete ca sens convenŃional al tensiunii electrice dintre două puncte, sensul orientat de la punctul cu potenŃial
electric mai ridicat spre punctul cu potenŃial electric mai scăzut ( ambele potenŃiale fiind raportate unui punct de referinŃă
oarecare comun).
• Curentul electric constă în micarea ordonată a purtătorilor mobili de sarcini electrice pozitive sau negative în
raport cu corpul care-i conŃine.
Se definete ca sens convenŃional al curentului electric, sensul micării ordonate a unor purtători mobili de sarcini
electrice pozitive ce ar produce acelai efect cu micarea purtătorilor mobili care formează de fapt curentul electric
considerat.
Când valoarea numerică a intensităŃii curentului este negativă, sensul lui convenŃional este opus sensului pozitiv
ales.
Intensitatea curentului electric (I) este egală cu sarcina totală (Q) a purtătorilor mobili ce străbat o suprafaŃă în
unitatea de timp.
În funcŃionarea circuitelor, mărimile electrice (tensiuni, curenŃi, etc.) nu rămân constanŃi, ci variază. Se prezintă în
continuare semnalele cele mai întâlnite în practică.
a) Semnale sinusoidale
Semnalele sinusoidale sunt frecvent utilizate atât în descrierile teoretice, cât i în verificările experimentale privind
circuitele electrice.
- expresia generală: s(t) = A sin ( ωt + φ) cu ω = 2πν = 2π/T
unde A – amplitudinea semnalului, ω – pulsaŃia semnalului, φ – faza iniŃială, ν – frecvenŃa semnalului, T – perioada
semnalului.
De obicei semnalele urmărite în practică sunt tensiuni, caz în care amplitudinea se măsoară în volŃi (V).
FrecvenŃa semnalului se măsoară în Hz, pulsaŃia (ω) în rad/s.
Pentru exprimarea amplitudinii unui semnal periodic se utilizează uneori valoarea efectivă Uef.
Aceasta este egală cu valoarea tensiunii continue (sau a curentului continuu), care ar dezvolta într-o rezistenŃă dată
aceeai putere ca i tensiune periodică (curentul periodic) considerată.
În cazul semnalului sinusoidal de forma: u = Umsin( ωt + φ) ,
Um
relaŃia dintre tensiune efectivă Uef i amplitudinea Um a unei tensiuni este: Uef = ≅ 0,707 U m
2
Im UmIm
Analog pentru curenŃi: Ief = ≅ 0,707I m rezultă putere efectivă : P = Uef Ief =
2 2
b) Semnale rectangulare
În fig. următoare s-au reprezentat semnale de tip rectangular numite i impulsuri. Aceste impulsuri sunt definite
prin durata (lăŃimea impulsului) i amplitudine.
În fig. a i b sunt reprezentate impulsuri pozitive iar în fig. c i d – impulsuri negative, reprezentate deasupra
respectiv sub nivelul de referinŃă.
După sensul de variaŃie pe durata primului front se disting – impulsuri crescătoare( u1 i u4) i impulsuri căzătoare
( u2 i u3).
 (a) (b)

(c) (d)

c) Alte tipuri de semnale

• semnale treaptă unitate – pentru care se folosete notaŃia γ (t), simulează comutarea la momentul to a unui
întrerupător.

γ(t)
u

• semnale dinte de fierăstrău

t
• semnale triunghiulare

1.2 Legi privind circuitele electrice

Legile lui Kirchoff
• Prima lege a lui Kirchoff sau legea pentru curenŃi afirmă că suma algebrică a curenŃilor care intră într-un nod
oarecare de circuit este totdeauna nulă.

∑ Ik = 0
În această sumă, curenŃii care au sensurile orientate spre nod apar cu semnul plus, iar cei care au sensurile orientate
dinspre nod, cu semnul [Link]ă lege exprimă faptul că nu poate avea loc o acumulare sau o dispariŃie de curent
într-un nod al unui circuit.
 • Legea doua a lui Kirchoff sau legea pentru tensiuni afirmă că suma algebrică a tensiunilor sau a tensiunilor
electromotoare de-a lungul unui contur închis, într-un sens dat, este nulă.

∑ Uk = 0
sau această lege se poate scrie exprimând separat tensiunile electromotoare i tensiunile la borne, Ńinând cont de
convenŃiile de semn:

∑ E = ∑ RI
Legile lui Kirchoff permit calculare curenŃilor i tensiunilor într-un circuit oarecare, totui analiza unui circuit poate
fi adesea simplificată prin utilizarea următoarelor teoreme.

2. Componente pasive de circuit

Se numesc pasive acele elemente de circuit care nu pot realiza funcŃia de amplificare. În continuare se vor trata
următoarele componente: rezistoare, condensatoare, bobine.

2.1 Rezistoare
2.1.1 Clasificare. Parametrii. Simboluri
Sunt componente pasive de bază în aparatura electronică reprezentând 30-40% din numărul pieselor unui aparat
electronic. Ele au dimensiuni i forme variate fiind de tipuri diferite. Rezistoarele se pot clasifica după mai multe criterii:
• în funcŃie de intensitatea curenŃilor care le străbat pot fi:
- rezistoare pentru curenŃi tari;
- rezistoare pentru curenŃi slabi.
• după tipul constructiv pot fi:
- rezistoare fixe;
- rezistoare variabile (potenŃiometre, semireglabile)
• după destinaŃie pot fi:
- rezistoare profesionale:
- rezistoare de uz general.
Elementul conductor care realizează funcŃia de rezistor propriu zis este un alt criteriu de clasificare în funcŃie de
domeniul de curent pentru care este construit rezistorul. Astfel pentru curenŃi slabi rezistoarele pot fi: de volum, peliculare
i bobinate.
O categorie aparte o constituie rezistoarele neliniare care folosesc proprietăŃile semiconductoare în realizarea unor
caracteristici tehnice. Acestea sunt: termistoarele, varistoarele, i fotorezistenŃele.
Rezistoarele sunt reprezentate convenŃional printr-o serie de simboluri, iar semnificaŃia lor este dată în continuare.

- rezistor (semn general) :

- rezistor (semn tolerat) :

- rezistor cu rezistenŃă variabilă:

- rezistor cu contact mobil:

 - termistor
(rezistor cu rezistenŃă neliniară, dependentă de temperatură)

- varistor
(rezistor cu rezistenŃă neliniară, dependentă de tensiune)
Rezistorul este marcat clar sau codificat( prin inele, benzi, puncte) sau prin simboluri alfanumerice codificate
internaŃional; indiferent de modalitatea adoptată, în mod obligatoriu se înscrie pe orice tip de rezistor:
- rezistenŃa sa nominală, Rn cu unitatea ei de măsură în clar, în cod sau codul culorilor;
- toleranŃa valorii nominale în clar (%), în cod literal sau în codul culorilor.
Se tie că pentru un conductor de secŃiune S i de lungime l realizat dintr-un material caracterizat prin rezistivitatea
l
ρ, rezistenŃa lui electrică este dată de relaŃia următoare: R =ρ
S
Unitatea de măsură în S.I pentru rezistenŃa electrică este  (ohm).

2.1.2 Conectarea rezistoarelor

În circuitele electronice, uneori este nevoie de o anumită valoare nominală în seriile de valori; prin conectarea în
serie, paralel sau mixtă a mai multor rezistoare, se poate ajunge la valoarea dorită.
Pentru n rezistoare legate în serie, rezistenŃa echivalentă este dată de suma rezistenŃelor componente:
n
Re = R1 + R2 + …..+ Rn = ∑ Ri
i =1
Pentru n rezistoare legate în paralel rezistenŃa echivalentă este dată de relaŃia:
n
1 1 1 1 1
= +
R e R1 R 2
+ ... +
Rn
=
R ∑
i =1 i

2.1.3 Comportarea rezistorului în curent alternativ

Se consideră circuitul din fig.2.1, unde un generator de tens. alternativă va debita pe rezistorul R un curent i(t).

(a) (b)

Fig.2.1
RelaŃia dintre tensiunea uR care apare la bornele rezistorului R i curentul i(t) care îl străbate este, conform legii
lui Ohm: uR = R i(t)
Dacă i(t) = I sin ω t,
 2π
unde I = amplitudinea (valoarea maximă) a curentului, ω = = 2πν = pulsaŃia, T - perioada, ν - frecv. semnalului
T
sinusoidal, i, u – valoarea instantanee a curentului i respectiv a tens., atunci expresia tensiunii la bornele rezistorului
devine:
uR(t) = RI sin ωt = UR sin ωt , UR = RI
Rezultă, deci, la bornele rezistorului o tensiune sinusoidală în fază cu curentul. Pentru rezistorul R parcurs de
curentul i(t) = I sin ω t, diagrama fazorială este ilustrată în fig.1.7b.
Puterea absorbită de rezistor este o funcŃie de timp i se poate pune sub forma:

P=ui= UR sin ωt ⋅ I sin ωt = URI sin 2 ωt =

URI
2
(
1 − cos 2 ωt )
UR I
Valoarea medie a puterii este: P= = U ef I ef
2
UR I
unde Uef i Ief sunt valori eficace ale mărimilor sinusoidale i sunt date de relaŃiile: Uef= ; Ief= R
2 2
Valoarea eficace Ief a curentului i(t) = I sin ω t, este numeric egală cu intensitatea unui curent continuu care
străbătând aceeai rezistenŃă ca i curentul alternativ timp de o perioadă, dezvoltă aceeai cantitate de căldură.
Expresia instantanee a curentului devine: i(t) = I sin ω t = Ief 2 sin ωt

Dacă o mărime sinusoidală are i fază iniŃială, expresia instantanee devine: a(t) = A 2 sin (ωt + ϕ) .

În calculele circuitelor electronice a păstra acest mod de scriere este dificil, mai ale s când apar relaŃii ample i complicate.
S-a trecut la o scriere simplificată care folosete proprietăŃile numerelor complexe.
Folosind scrierea simplificată în complex, mărimea a(t) va fi caracterizată numai de valoarea eficace A i de faza iniŃială:
a(t) → A e iϕ , j = − 1
Introducerea operatorului j uurează operaŃiile de derivare i integrare;
π
astfel reactanŃa inductivă i defazajul de introduse de bobină în circuit vor putea fi scrise : j XL = j ωL iar pentru
2
XC 1
condensatoare: = − jX C = .
j jω C
Din analiza proceselor tehnologice ale diferitelor tipuri de rezistoare rezultă că rezistorul real reprezintă o serie de
elemente parazite care modifică funcŃionarea lui, mai ales la frecvenŃe înalte.
Schema echivalentă a rezistorului real se prezintă în fig.2.2.

Fig.2.2

Dacă se notează cu C12 capacitatea parazită echivalenta intre extremităŃile rezistorului, cu C1 si C2 capacităŃile
parazite ale elementelor faŃă de masă, si cu L inductivitatea parazita datorata câmpului magnetic ce apare prin fenomen de
inducŃie magnetică în elementul rezistiv străbătut de curent, se poate calcula o impedanŃă, respectiv o admitanŃă
C1C 2 1 1 1 1
echivalentă astfel: C =C12+ Y= = +j = + jω C
C1 + C 2 Z R + jX L X C R + jωL
1 1 ω 1
Dacă notăm ωr = , expresia admitanŃei se poate scrie: Y= +j
LC ω L ωr L
R+j
ωr C C
1 L
Rezultă:- pentru < 1, admitanŃa are caracter capacitiv la orice frecvenŃă;
R C
1 L
- pentru > 1 admitanŃa are caracter inductiv la joasă frecvenŃă i capacitiv pentru frecvenŃe înalte,
R C
existând o frecvenŃă ωo pentru care circuitul se comportă aproximativ ca o rezistenŃă pură;

1 L
- pentru ≅ 1 circuitul se comportă aproximativ ca o rezistenŃă pură în domeniul pentru care ω < 0,3 ωr .
R C

2.1. 4 AplicaŃii ale rezistoarelor fixe

• Divizorul de tensiune
Pentru un circuit ca cel din fig.2.3, cu două rezistoare legate în serie R1 i R2, cu R2 legat cu un terminal la masă,
R2
relaŃia corespunzătoare dintre tensiuni este: U2 = U1
R1 + R 2

Fig.2.3 Fig.2.4

În cazul în care nici unul din rezistorii divizorului nu este legat la masă (fig.2.4, tensiunea U poate fi scrisă pe baza
principiului suprapunerii efectelor. Considerăm pe rând câte un terminal legat la masă li se va scrie în sensul relaŃiei de
mai sus "efectul" celeilalte "cauze". În final se adună "efectele".
R2 R1
U = U1 +U2
R1 + R 2 R1 + R 2

• Divizorul de curent
R1 R2
I1 = I , I2 = I
R1 + R 2 R1 + R 2

Fig.2.5
 2.2 Condensatoare
2.2.1 Capacitatea unui condensator
Condensatorul este o componentă pasivă care este frecvent utilizat în circuitele electronice cu proprietatea de–a
acumula sarcini electrice.
Dacă se aplică unui condensator o tensiune continuă U, acesta se va încărca cu o sarcină Q, raportul dintre ele fiind
o mărime constantă i caracteristică pentru condensatorul considerat; acest raport se numete capacitatea condensatorului.
Q
C=
U
În regim armonic, condensatorul este componenta pentru care, dacă i se aplică o tensiune variabilă în timp uc, între
tensiunea aplicată i curentul i care străbate condensatorul, există relaŃia:
1
u c=
C ∫
idt

1
Condensatorul de capacitate C introduce în circuit o reactanŃă capacitivă măsurată în Ω , XC = , iar defazajul
ωC
dintre tensiune i curent este de 90o, tensiunea fiind defazată în urma curentului (fig. 2.6).
Unitatea de măsură pentru capacitate este faradul, simbol F; frecvent utilizaŃi sunt submultiplii săi:
1 µF = 10 −6 F ; 1nF=10-9F; 1pF= 10-12F
Constructiv, condensatorul este alcătuit din două suprafeŃe metalice numite armături, între care se află un mediu
dielectric de permitivitate ε (constanta dielectrică de material).
εS ε o ε r S
Pentru un condensator plan, capacitatea C este dată de relaŃia: C= =
d d
unde: ε o = permitivitatea dielectrică absolută a vidului; ε = permitivitatea absolută a dielectricului condensatorului;
ε
εr = = permitivitatea relativă a dielectricului; S = suprafaŃa armăturilor plane; d = distanŃa dintre armături.
εo

Fig.2.6 RelaŃia curent-tensiune pentru un condensator

Din relaŃiile date se observă importanŃa permitivităŃii dielectricului în obŃinerea unui condensator de
ε S
capacitate dorită. Un condensator cu capacitatea Co= o , deci cu armături plane plasate în vid, va avea o
d
capacitate de ε r ori mai mare decât Co dacă între armături se va plasa un dielectric caracterizat prin
ε
permitivitate absolută ε ( sau prin cea relativă ε r = ).
εo
ε S
C= = ε r Co
d
În câmpuri electrice puternice, dielectricul îi pierde proprietăŃile izolante (datorită unor fenomene interne
specifice crete curentul de conducŃie în dielectric); fenomenul se numete străpungerea dielectricului.

2.2.2 Clasificarea i simbolizarea condensatoarelor

A. Din punct de vedere constructiv, există:
- condensatoare fixe (care-i menŃin constantă valoarea capacităŃii
nominale tot timpul funcŃionării);
- condensatoare reglabile;
- condensatoare variabile.
B. După natura dielectricului, există:
- condensatoare cu dielectric gazos (aer, vid, gaze electronegative);
- condensatoare cu dielectric lichid (ulei);
- condensatoare cu dielectric solid organic i anorganic;
- condensatoare cu dielectric peliculă de oxizi metalici.
Condensatoarele sunt reprezentate convenŃional printr-o serie de simboluri,

- condensator:

- condensator (simbol tolerat):

- condensator electrolitic:

- condensator electrolitic (simbol tolerat):

- condensator variabil:

- condensator semireglabil:

Condensatoarele sunt marcate în clar sau codificat, prin culori ( inele , benzi sau puncte), prin simboluri
alfanumerice, sau cod literal, normalizate internaŃional. Marcarea în codul culorilor este aplicată mai ales
condensatoarelor ceramice.

2.2.3 Capacitatea echivalentă a condensatoarelor

Condensatoarele pot fi conectate în serie, paralel, sau mixt, în funcŃie de necesităŃi i disponibilităŃi.
Conectarea în serie a condenstoarelor
Un grup de n condensatori conectaŃi în serie, alimentaŃi la borne cu tensiunea UAB, poate fi înlocuit cu
un condensator, a cărui capacitate echivalentă este Ce, acumulează sarcinile ±q, atunci când este alimentat cu
tensiunea UAB.
 Schema electrică de legare în serie a condensatoarelor.

Prin aplicarea pe conturul Γ a legii conservării sarcinii, (contur format din armătura negativă a
condensatorului C1 i armătura pozitivă a condensatorului C2), cele două cantităŃi de sarcini acumulate vor fi
egale: − q1 = + q2 = q ,
iar tensiunea aplicată la bornele de intrare se va distribui pe fiecare condensator în parte:
U AB = U1 + U 2 +,...,+ U n ,
q q q q
care cu ajutorul relaŃiei (1.17), va deveni: = + +,...,+ ,
C e C1 C 2 Cn
1 1 1 1
iar după simplificare: = + +,...,+ ,
C e C1 C 2 Cn
n
1 1
=∑ .
C e k =1 C k

Conectarea în paralel a condenstoarelor

Un grup de n condensatori conectaŃi în paralel, alimentaŃi la borne cu tensiunea UAB, poate fi înlocuit cu
un condensator, a cărui capacitate echivalentă este Ce, acumulează sarcinile ±q, atunci când este alimentat cu
tensiunea UAB.

Schema electrică de legare în paralel a condensatoarelor.

La conectarea în paralel, (în conformitate cu legea conservării sarcinii), suma sarcinilor acumulate pe armăturile
pozitive ale condensatoarelor va fi egală cu sarcina acumulată pe armătura pozitivă a condensatorului
echivalent: q = q1 + q2 +,..., + qn , care cu ajutorul relaŃiei va deveni:
C e U AB = C1 U AB + C 2 U AB +,...,+C n U AB ,
iar după simplificare: Ce = C1 + C2 +,...,+Cn ,
n
Ce = ∑ Ck .
k =1
 2.3 Bobina
2.3.1 InductanŃa bobinei

Bobina este o componentă pasivă de circuit pentru care – în mod ideal - între tensiunea la bornele sale, u(t) i
curentul ce o străbate i(t), există relaŃia:
di
u= L unde L [H ] = inductanŃa bobinei
dt
Există două interpretări ale noŃiunii de inductanŃă:
a) ca proprietate a unui circuit electric de a se opune oricărei variaŃii a curentului electric ce-l parcurge.

Într-ucât fluxul magnetic i curentul electric variază direct proporŃional, inductanŃa reprezintă coeficientul de
proporŃionalitate respectiv, conform relaŃiei
Φ (t ) [Wb ] = L[H ] i(t) [A ]
LI 2
b) ca proprietate a bobinei de a acumula energie în câmp magnetic. Wm =
2
inductanŃa depinde de temperatură conform relaŃiei: L=Lo [1 + α L (T − To )]
unde: L0 – inductanŃa bobinei la temperatura T0, α L - coeficientul termic al inductanŃei.

[ ]
InductanŃa unei bobine fără miez, de lungime l [cm] , (sau secŃiune S cm 2 ) i având N spire se poate calcula cu relaŃia:

4πN 2S
L [µH] = dacă l >>D
l
µN 2S
n cazul unei bobine cu miez magnetic ( de permeabilitate magnetică µ ) se utilizează relaŃia generală: L=
l

[Link] bobinelor în curent alternativ

In regim sinusoidal bobina străbătută de curentul sinusoidal : i = I 2 sin(ωt + ϕ)

di π
are tensiunea la borne: uL = L = ωLI 2 cos(ωt + ϕ) = ωLI 2 sin(ωt + ϕ + )
dt 2
Prin urmare, valoarea efectivă are tensiunii u L este: U L = ωLI
π
i faza iniŃială are valoarea : β=γ+
2
Mărimea ωL = X L se numete reactanŃa inductiva cu simbolul X. ReactanŃa se măsoară în ohmi  (ohm).
Concluzii privitoare la bobină :
π
- curentul este defazat în urma tensiunii la borne cu radiani,
2
- valoarea efectivă a curentului este egală cu valoarea efectivă a tensiunii la borne împărŃită la reactanŃa bobinei
U
( I = L ).
XL
ObservaŃii:
1) În curent continuu tensiunea la bornele unei bobine este nulă, deoarece derivata unei mărimi invariabile in
timp este nulă (viteza ei de variaŃie este nula). Se spune că pentru curentul continuu bobina reprezintă un
scurtcircuit.
 2) În curentul alternativ la o tensiune la borne dată , curentul este limitat de reactanŃa bobinei, care este
proporŃională cu frecventa. De aceea o bobină blochează trecerea curentului la frecvenŃe înalte si reprezintă un
scurtcircuit la frecvente suficient de joase.
3) ReactanŃa bobinei nu are sens decât in curent alternativ (in regimul in care este definita ).

 Vectori asociaŃi tensiunii si curentului

π r
u L = U L 2 sin(ωt + ϕ + )  U L : U L / π / 2 + ϕ;
2
r
i = I 2 sin(ωt + ϕ)  I : I / σ
r
Vectorul U este rotit cu unghiul π/ rad în sens trigonometric faŃ de vectorul I . La bobina curentul este defazat
cu π/ 2rad în urma tensiunii (respectiv tensiunea este defazată cu π/2 înaintea curentului)

 Puterea instantanee la bornele bobinei are expresia :

p = ui = 2ωLI 2 2 sin(ωt + ϕ) cos(ωt + ϕ) = ωLI 2 sin 2(ωt + ϕ)

i este variabilă sinusoidal in timp, de frecvenŃăă dublă .

 Puterea activă

Pe durata unei perioade, într-o semiperioada puterea instantanee este primită de bobina, iar în semiperioada imediat
următoare puterea instantanee este cedată de bobină spre exterior (de exemplu sursei la care este conectată ). În medie, pe
o perioadă energia primită pe la borne este nulă. Puterea activă este deci de asemenea nulă. În bobină nu au loc
transformări inversabile ale energiei în căldură.

Bobina nu este numai un consumator de putere activă ; ea schimba energia cu exteriorul . Putem caracteriza acest
schimb de energie prin amplitudine puterii instantanee (care este oscilată ). Numim aceasta mărime puterea reactiva
inductivă ;
Q L = ωLI 2 = X L I 2
Puterea reactivă are simbolul Q , se măsoară în VAR( volt-amper-reactiv).

UL

i
UL i
r r
L UL ⊥ I
π
0 ωt
2
r
π I
2

 VariaŃia in timp a energiei magnetice

1 2
Wm ( t ) = LI
2
Atunci când puterea instantanee este negativă, de exemplu în intervalul (T/4; T/2), energia magnetică acumulată
în bobină scade la zero de la valoarea maximă LI 2 , egală cu aria haurată de sub graficul puterii instantanee.
Atunci când puterea instantanee este pozitivă, în intervalul (T/4; T/2), energia magnetică acumulată crete de la
zero la valoarea maximă. În acest interval bobina primete energie.
Bobina schimbă energia pe la borne fără a o consuma; cea ce primete într-un interval cu durata T/4 se cedează
în intervalul imediat următor. Valoarea medie în timp, pe o perioadă, a energiei magnetice este însă:
r 1 ~ 1
Wm = L i 2 = LI 2
2 2
ca i când bobina ar fi parcursă de un curent continuu cu intensitatea egală cu valoarea efectivă a curentului
alternativ.
~
Comparând expresia puterii reactive cu cea a energiei magnetice medii, constatăm că Q = 2ωW
ceea ce arată că puterea reactivă inductivă este proporŃională cu valoarea medie pe o perioadă a energiei
magnetice acumulate in câmpul magnetic al bobinei.

2.3.3. Caracteristici principale i circuite echivalente

Elementele componente ale unei bobine sunt (în caz general): carcasa, înfăurarea, miezul i ecranul.
Carcasa - suportul pe care se înfăoară conductorul bobinei. Ea are în general formă tubulară i este
realizat din materiale uor de prelucrat, dar cu proprietăŃi izolatoare deosebite i rezistenŃă mecanică
bună(carton electroizolant, textolit, bachelită, polistiren, teflon, etc).
Înfăurarea (bobinajul) – elementul principal i indispensabil al oricărei bobine. Se caracterizează prin:
diametru/secŃiunea conductorului, număr de spire, pas, număr de straturi, număr de secŃiuni. Cel mai frecvent se
utilizează conductoare de cupru.
Miezul – intră în componenŃa majorităŃii bobinelor deoarece permit obŃinerea unor inductivităŃi de valori
mai mari i reglabile. Se utilizează miezuri magnetice (din materiale magnetodielectrice sau ferite) i materiale
nemagnetice ( alamă sau cupru).
Ecranul – este facultativ i se utilizează pentru a înlătura potenŃialele cuplaje parazitare - electrice sau
magnetice – cu generatoare/receptoare exterioare.
Cei mai importanŃi parametrii caracteristici ai unei bobine reale, cu pierderi sunt:
• Inductivitatea (inductanŃa) L [H ] – definită ca raportul dintre fluxul magnetic propriu Φ i curentul I
Φ
care parcurge bobina: L=
I
Acest parametru depinde de forma, dimensiunile, numărul de spire al bobinei, de permeabilitatea relativă a
mediului (miezului) i de temperatura de lucru. El caracterizează o bobină ideală i are valori uzuale de
ordinul nH…H.
• RezistenŃa totală la pierderi R [Ω] - determinată de pierderile prin conductor ( prin efect Joule – în
cc/ca. i efect pelicular în c.a.) cât i de pierderile în materialul magnetic i de rezistenŃa de izolaŃie.
• Factorul de calitate Q [−] - definit la o anumită frecvenŃă de lucru ca raportul dintre energia maximă
existentă în câmpul magnetic al bobinei i energia disipată sub formă de căldură într-o perioadă. (
Q=0…300).
• Capacitatea (parazită) proprie, Cp [pF] - determinată de suma capacităŃilor distribuite între spirele
bobinei precum i dintre acestea i masă.
• Stabilitatea (parametrilor bobinei) – definită prin variaŃia parametrilor de mai sus în funcŃie de timp.
• Puterea, tensiune, i curentul maxim admise pentru a nu produce transformări ireversibile în bobină.
 Orice bobină reală (fig.2.9) poate admite două tipuri de circuite echivalente:
• Circuit echivalent - serie (LS, RS) - (fig.2.9b);
• Circuit echivalent – paralel (LD, RD) - (fig.2.9c);
R S2 + ω2 L2S R S2 + ω2 L2S ωL S R
Se demonstrează că : LD = ; RD = ; Q= = D
2
ω LS RS RS ωL D
Prin conectarea în serie a două înfăurări- având inductivităŃile L1 i L2 - se obŃine o bobină cu inductanŃa
echivalentă L = L1+ L2 (dacă cele două înfăurări nu sunt cuplate prin câmp magnetic).
În cazul existenŃei unui cuplaj magnetic între bobinele conectate în serie, inductanŃa echivalentă L = L1+
L2 + 2M – dacă bobinele au acelai sens (fig.2.10a) i L’ = L1+ L2 - 2M - dacă bobinele au sensuri opuse
(fig.2.10b).

(a) (b) (c)

Fig.2.9 Circuite echivalente ale bobinei
Sensul unei bobine se referă la curentul electric ce o parcurge, deci la fluxul magnetic obŃinut.

Fig.2.10 Circuitul echivalent al unei bobine cu două înfăurări conectate în serie i cuplate magnetic

2.3.4 AplicaŃii ale bobinelor

A. Transformatorul
Constă din două sau mai multe bobine cuplate – amplasate pe acelai miez magnetic. FuncŃionarea
transformatorului se bazează pe fenomenul de inducŃie: câmpul magnetic variabil al curentului din înfăurarea primară
determină apariŃia unei tensiuni electromotoare în înfăurarea secundară.

În varianta cea mai simplă (fig.2.11) transformatorul conŃine două bobine L1 , L2 – independente cuplate exclusiv prin
câmp magnetic.
 Fig.2.11Circuitul echivalent în T al unui transformator

Aplicând la bornele de intrare 1-1’ a înfăurării primare L1, o putere electrică P1 ( sub tensiunea U1 i curentul I1), rezultă
la bornele de la ieire 2-2’ ale înfăurării secundare L2, puterea electrică P2 (sub tensiunea U2 i curentul I2), astfel încât,
dacă
U2 > U1 → I2< I1 i dacă U2 < U1 → I2> I1.

Considerând în mod ideal, că P1 = P2 ( în realitate P1 > P2 datorită pierderilor în miezul magnetic i în înfăurări), rezultă
U 2 I1
raportul de transformare: n= =
U1 I 2
Dacă se cunoate inductanŃa mutuală M se poate determina schema echivalentă a unui transformator ( fig.2.11).
În funcŃie de destinaŃia lor, transformatoarele se pot clasifica astfel:
• transformatoare de alimentare;
• transformatoare de semnal (de audiofrecvenŃă sau de radiofrecvenŃă).

Cele două funcŃii importante ale transformatorului, în blocurile de alimentare, sunt:

• transformă tensiunea reŃelei într-o tensiune de valoare adecvată
• asigură " separarea galvanică " a circuitelor alimentate faŃă de reŃeaua de alimentare.

B. Circuitul RLC serie

Conectând în serie o bobină reală L (cu rezistenŃa la pierderi rL) i un condensator real C (cu rezistenŃa la pierderi rC) la
bornele unui generator de tensiune Eg (de frecvenŃă f i rezistenŃă Rg), rezultă un circuit echivalent RLC serie (fig.2.12).

Fig.2.12 Circuite LC i RLC serie

S-au notat: r= rL + rC + Rg = rezistenŃa totală la pierderi;
1
fo = = frecvenŃa de rezonanŃă;
2π LC
ω L 1
Qo = o = = factorul de calitate.
r ωo Cr
1 1
Cu XL= ωL i XC = - rezultă reactanŃa circuitului echivalent serie XT = ωL -
ωC ωC

ImpedanŃa echivalentă a unui circuit RLC serie este ( în complex):

  1  2 jϕ
Z=Z ( jω) = R+ j  ωL − 2
 = R + X e =|Z| ⊥ ϕ
 ω C 
ω L 1 f f o 2∆ f
Notând : Qo = o = ; β= − ≈ (la ∆f mic); x = β Q o , rezultă: Z = R (1+ jx )
R ωo CR fo f fo
Comportarea remarcabilă a circuitului RLC serie în jurul frecvenŃei de rezonanŃă fo face ca acesta să lucreze numai la
frecvenŃe f ≈ fo. Circuitele rezonante RLC serie pot fi utilizate pentru generarea unor oscilaŃii neamortizate, pierderile
fiind compensate prin conectarea periodică a circuitului rezonant la o sursă de t.e.m. capabilă să introducă în circuit
energia echivalentă pierderilor. Totodată circuitele RLC serie se pot utiliza i pentru adaptarea de impedanŃă/rezistenŃă.

C. Circuitul RLC paralel

Conectând în paralel o bobină reală L (cu rezistenŃa la pierderi rL) i un condensator real C (cu rezistenŃa la pierderi
rC) la bornele unui generator de curent Ig, rezultă circuitul RLC paralel din fig.2.14. În schema echivalentă, pierderile sunt
concentrate în rezistenŃa r, iar elementele reactive sunt considerate ideale. S-au notat:
rL rC 1 r
r= = rezistenŃa totală de pierderi; Z( ω) = = = impedanŃa circuitului;
rL + rC 1 1 1 + jx
+ j ωC +
r jω L
1 r
fo = = frecvenŃa de rezonanŃă; Q= = ωo Cr = factor de calitate
2π LC ω oL
x = β Q = variabilă normată.
ImpedanŃa echivalentă a circuitului RLC paralel rezultă astfel (presupunând impedanŃele ramurilor reactive de
forma Ri+jXi):

Z ( jω) =
(R1 + jX1 )(R 2 + jX 2 ) − X1X 2 − X1X 2 1 −R
≈ = ⋅ =
R 1 + R 2 + j(X1 + X 2 ) R s + jX s Rs 1 + jx 1 + jx
Xs
deoarece, în general R1«X1 i R2 «X2 cu notaŃiile Rs=R1+R2; Xs=X=01+X2, x= = β Q ; |Z ( jωo ) | =R (impedanŃa la
Rs
rezonanŃă).

Fig.2.14 Circuitul RLC paralel

La rezonanŃă (f=fo, β =0):

- impedanŃa echivalentă are un caracter pur rezistiv (x=0, |Z| =R) i este maximă, în aceste condiŃii curentul este minim;
- faza echivalentă ϕ este nulă, astfel încât tensiunea la bornele circuitului i curentul prin circuit sunt în fază.
Comportarea bună a circuitului RLC paralel în jurul frecvenŃei de rezonanŃă face ca în aplicaŃii acesta să lucreze
numai la frecvenŃe f=fo. Îndepărtându-ne de frecvenŃa de rezonanŃă, circuitul RLC paralel are un comportament inductiv
(la frecvenŃe mai joase) sau capacitiv (la frecvenŃe mai înalte), deci invers circuitului RLC serie.
În cazul circuitului RLC paralel la rezonanŃă această condiŃie implică satisfacerea relaŃiei:
1 L
Zg=Z(j ωo ) unde Z(j ωo ) = ωo LQ = Q= =R
ωo C CR s
S-a notat: Rs=R1+R2=rL+rC, iar R = impedanŃa pur rezistivă a circuitului RLC paralel la rezonanŃă.
 3.2 Dioda semiconductoare
Diodele semiconductoare sunt dispozitivele electronice a căror funcŃionare este bazată pe o joncŃiune
pn. Proprietatea comună tuturor diodelor este redresarea.
Structura tipică de diodă (realizată prin difuzie planară) este prezentată în fig:

A K
contacte
metalice

p SiO2

regiune
n de
trecere

Cel mai răspândit procedeu tehnologic este difuzia. Într-un substrat dopat p sau n se execută o difuzie de tip
opus. Conectarea electrică cu exteriorul se face prin contacte metalice (). Difuzia planară (contacte alăturate,
pe suprafaŃa semiconductorului) poate fi în cazul diodelor de mare putere modificată, prin plasarea unuia dintre
contacte pe partea opusă a substratului.

3. 2.1. Structură i funcŃionarea diodelor redresoare

Diodele redresoare se aplică la redresarea curenŃilor electrici, în conversia ca-cc (curent alternativ-curent
continuu).
În unul dintre sensuri de la semiconductorul de tip p către semiconductorul de tip n, pe care-l denumim
sens direct, dioda conduce bine curentul, prezentând o rezistenŃă electrică mică. În sensul opus, de la
semiconductorul de tip n la cel de ti p (sens invers), dioda conduce rău curentul, prezentând in consecinŃă o
rezistenŃă electrică mare. Această proprietate a diodei semiconductoare se ilustrează pe caracteristică statică
unde s-a folosit scări grafice diferit. Sensul curentului prin diodă este opus sensului iniŃial i de valoare mult
mai mică.

A I p n lA C A lA pn I C

UA
UA

+ +
- -
mA µA

Ed El

u A = +E d u A = −E l
iA = I i A = −I
Dioda are simbolul unei săgeŃi semnificând circulaŃia uoară a curentului de la anod spre catod (fig.3.4).
 (a) (b)
Fig.3.4. Structura internă - (a) i simbolul diodei semiconductoare - (b)

Se consideră curentul prin diodă ca fiind pozitiv iD>0, dacă acesta intră în anod, iar tensiunea la borne
este pozitivă uD>0, dacă potenŃialul anodului este mai mare decât cel al catodului.
Dacă tensiunea uD are plusul la anod i minusul la catod prin dispozitiv trece un curent iD care crete o
dată cu tensiunea aplicată, caz în care se spune că dioda este direct polarizată.
DependenŃa curentului direct iD de tensiunea uD este puternic neliniară, aa cum se vede în figura 3.5. O
diodă de putere mică cu siliciu începe să conducă semnificativ (se deschide) abia pentru valori ale tensiunii
directe uD>0,5V. În continuare, curentul crete exponenŃial cu tensiunea aplicată. Diodele cu germaniu se
deschid la tensiuni directe mai mici, uD ≅ 0,2V.
Dimpotrivă, o tensiune aplicată din exterior cu plusul la catod i minusul la anod determină creterea
barierei de potenŃial de la nivelul joncŃiunii. Se spune că dioda este invers polarizată.
La tensiuni inverse de zeci i chiar sute de volŃi, curentul invers prin dispozitiv rămâne infim. Valoarea
tipică pentru o diodă redresoare cu siliciu este de 1nA. Acest curent este neglijabil pentru majoritatea
aplicaŃiilor.

Fig.3.5 Caracteristica curent- Fig.3.6 Montajul pentru

tensiune a diodei cu Si ridicarea caracteristicii statice tensiune-curent

Datorită modului de realizare, o diodă cu siliciu realizează densitate de curent de 60-80 A/mm2, i
constituie un înlocuitor eficace a diodei cu vid. Alegerea dispozitivelor se face pe baza cataloagelor de firmă în
funcŃie de parametrii necesari diodei pentru cazurile concrete de utilizare.
Parametrii de bază ai diodelor redresoare sunt:
-valoarea medie a curentului maxim admis pentru o perioadă, care este determinată de încălzirea
admisă a dispozitivului la aplicarea tensiunii directe;
-valoarea tensiunii inverse sub forma impulsurilor repetabile, care este egală cu aproximaŃii 0,7 din
valoarea tensiunii de străpungere i care limitează valorile admise de tensiune inversă pe diodă;
-valoarea impulsului de tensiune directă, care caracterizează diferenŃierea faŃă de situaŃia reală a
curbei directe a caracteristicii volt-amper i se determină pentru cazul valorii maxime admise a curentului
mediu direct;
-curentul maxim invers, care caracterizează situaŃia de neliniaritate a curbei inverse a caracteristicii
volt- amper;
 Diodele redresoare sunt de două tipuri: cu germaniu (Ge) i cu siliciu (Si), ultima a căpătat o largă
răspândire datorită faptului că temperatura lor admisă de lucru este de 120oC (faŃă de 55oC la germaniu), că au
curenŃi inveri mai mici i admit tensiuni inverse mai mari. De remarcat faptul că diodele cu siliciu au cădere de
tensiune directă mai mare de circa 1V (faŃă de 0,3V la germaniu) pentru că parametrii diodelor cu siliciu sunt
determinaŃi de lăŃimea mai mare a zonei interzise, în comparaŃie cu diodele cu germaniu.
Din punct de vedere a puterii, diodele redresoare se împart în:
- diode de mică putere, (la care curentul este până la 0,3A);
-diode de putere medie, când curentul este mai mare de 10A putând lua valori de peste1000A.
Valoarea maximă a tensiunii inverse poate atinge câteva mii de volŃi în cazul diodelor de siliciu.
Diodele de avalană de mare putere au căpătat utilizări frecvente datorită faptului că prin execuŃie
tehnologică deosebită se obŃine o joncŃiune omogenă p-n în care sunt eliminate scurgerile de curent pe marginile
structurii semiconductorului în condiŃiile menŃinerii constante a densităŃii de curent pe toată suprafaŃa joncŃiunii.
Se obŃine astfel micorarea încălziri dispozitivului i reducerea probabilităŃii de străpungere.

3.2.2 Descrierea analitică a caracteristicii diodei

Atât teoretic cât i experimental se constată că, o mare parte din caracteristica statică tensiune-curent a diodei
redresoare poate fi modelată prin relaŃia:

  UD  
ID= IS exp  − 1 ,
 kU
  T  
în care s-a notat cu: IS – curentul de saturaŃie(rezidual) al diodei polarizată invers; UT – tensiunea termică având valoarea
tipică de 25mV la 25oC; k – coeficient dependent de tehnologie, cu valori cuprinse între 1 i 2.
Pe porŃiuni, relaŃia poate fi aproximată prin expresii mai simple.
Considerând pentru simplitate, k= 1 se constată că pentru UD> 0,1V, exp (UD/UT) >>1 i deci se poate scrie
relaŃia: ID ≅ IS exp(UD/UT) , pentru UD> 0,1V

1V
sau ID ≅ IS exp( ⋅ U D ) = IS exp(40 UD), unde UD intervine aici ca număr adimensional
25mV
de volŃi.
Dimpotrivă, în domeniul UD < - 0,1V, exp (UD/UT) <<1 i, ca urmare, expresia(1.3.1) poate fi aproximată prin:
ID ≅ - IS , pentru UD<-0,1V.
Expresia caracteristicii statice a diodei conŃine implicit influenŃa temperaturii prin parametrii IS i UT. Ca o bună
aproximare pentru practică, se consideră că la fiecare cretere a temperaturii cu 10oC, curentul rezidual se dublează. De
asemenea, se constată că dacă temperatura crete, acelai curent direct prin diodă corespunde unei tensiuni UD mai mică.
∆UD o
Această comportare se reflectă printr-un coeficient de temperatură negativ: I = const. = −2,5mV / C .
∆T D
3.2.3 Dreapta de sarcină i punctul static de funcŃionare

Metoda dreptei de sarcină este un procedeu grafic util în analiza circuitelor care conŃin elemente neliniare. În
cazul de faŃă considerăm montajul din fig. 3.6. Comportarea diodei este descrisă prin caracteristica statică curent-tensiune.
Pe de altă parte, se poate scrie relaŃia impusă de circuit între aceleai mărimi:
E = RID + UD
Geometric ecuaŃia reprezintă dreapta de sarcină i aceasta poate fi trasată grafic prin tăieturi la axe. Astfel,
pentru ID = 0 rezultă UD = E, iar pentru UD = 0 se obŃine ID=E/R.
 Deoarece curentul prin diodă i tensiunea la bornele acesteia
trebuie să satisfacă simultan relaŃiile (3.8) i (3.12), urmează că
tensiunea i curentul prin dispozitiv corespund intersecŃiei dintre
caracteristica diodei i dreapta de sarcină. Punctul P(UoD, IoD) se numete
punct static de funcŃionare (PSF) al diodei. Similar, deoarece mărimile
electrice din circuit nu variază, dreapta de sarcină se numete statică.
În figură sunt reprezentate i dreptele de sarcină pentru R1<R,
respectiv pentru E1<E. Se poate remarca deplasarea dreptei de sarcină i
modificarea PSF la schimbarea tensiunii E sau a rezistenŃei de sarcină R.
În această interpretare, ridicarea experimentală a caracteristicii statice a
diodei revine la determinarea mărimilor UoD i IoD pentru PSF obŃinute la
diferite valori ale tensiunii E.

3.2.4 Dioda în regim variabil de semnal mare

Regimul de semnal mare este acela în care punctul static de funcŃionare se plimbă pe zone întinse ale
caracteristicii, cu liniarităŃi diferite.
Utilizarea specifică a diodelor semiconductoare este în domeniul redresării tensiunilor alternative
sinusoidale.
Redresarea se bazează pe faptul că dioda conduce într-un sens i este blocată în celălalt.

• Redresor monofazat monoalternanŃă

Cea mai simplă instalaŃie de redresare este cea reprezentată în fig.3.9.
Dacă se consideră un transformator fără pierderi de flux, alimentat în primar cu tensiunea :
e1 = E ⋅ sin(ω ⋅ t )
în secundar se obŃine : e 2 = E 2 ⋅ sin(ω ⋅ t ) (3.13)

RezistenŃa de pierderi a transformatorului poate fi calculată cu formula :

2
n 
R T = r2 +  2  ⋅ r1 (3.14)
 n1 

[Link] electrică a redresorului monofazat monoalternanŃă

Într-un redresor, dispozitivul semiconductor lucrează la semnal mare, neliniarităŃile producând efectul de
redresare.
Pentru redresorul prezentat în fig. 3.9, în alternanŃa (+) a tensiunii electromotoare alternativ sinusoidale din
secundarul transformatorului, dioda D este polarizată direct permiŃând trecerea curentului prin sarcină, iar în
alternanŃa (-) dioda D este blocată.
- formele de undă care corespund funcŃionării unui redresor monoalternanŃă fără filtru.

Curentul prin rezistorul de sarcină RS se deduce analitic:

iS = IS sin (ωt) , pt. 0 < ωt < π
iS = 0 , pt. π< ωt < 2π (3.15)
E2 E2
unde IS - valoarea maximă a curentului prin sarcină si are valoarea: I S = = (3.16)
RT + RD + RS Ri + RS
RD - rezistenŃa diferenŃială a diodei care rezultă din liniarizarea caracteristicii acesteia i Ri reprezintă rezistenŃa
internă a redresorului.
Tensiunea pe sarcina rezistivă RS are expresia :
uS = RS iS = RS IS sin (ωt) , pt. 0 < ωt < π
uS = 0 , pt. π< ωt < 2π (3.17)
2⋅π
1 US
Tensiunea medie (redresată) în sarcină : U0 =
2⋅π
⋅ ∫ U S ⋅ sin(ω ⋅ t )d(ω ⋅ t ) = π
(3.18)
0
1
 1 2⋅π U 2 U
iar tensiunea efectivă : Uef =  ⋅ ∫ U S ⋅ sin(ω ⋅ t )d (ω ⋅ t ) = S  = S (3.19)
 2⋅π π  2
 0

• Redresor monofazat bialternanŃă

Schema electrică a unui redresor dublu alternanŃă cu priză
mediană este prezentată în fig.3.11. În alternanŃa pozitivă a
tensiunii e2, conduce dioda D1 (dioda D2 este blocată), iar în
alternanta negativă conduce D2 (dioda D1 este blocată). Curentul
prin sarcină are acelai sens în ambele alternanŃe. Dezavantajul
acestei configuraŃii îl reprezintă faptul că tensiunea inversă
maximă pe dioda blocată este dublul tensiunii maxime din
secundarul transformatorului.
Fig.3.11 Schema electrică a redresorului monofazat bialternanŃă
Acest dezavantaj este eliminat de redresorul bialternanŃă în punte.

Fig.3.12 Redresorul bialternanŃă în punte

În alternanŃa (+) a tensiunii e2 conduc diodele D1 i D4 (D2 i D3 sunt blocate), iar în alternanŃa (-) conduc
diodele D2 si D3 (D1si D4 sunt blocate).
Formele de undă ale tensiunilor din secundarul transformatorului si din sarcină:

Tensiunea medie (redresată) la ieirea redresorului bialternanŃă este :

2U S
U0 = (3.20)
π
U
iar tensiunea efectivă : Uef = S (3.21)
2
cu US reprezintă valoarea maximă a tensiunii din sarcină i are valoarea:
R ⋅E
US = S 2 (3.22)
R1 + R S
3.2.5 Dioda în regim de curent alternativ, semnal mic (Regimul dinamic al diodei)

Se consideră circuitul :

Fig.3.14 Circuit cu diodă în regim dinamic

semnalul aplicat fiind de forma: u G (t ) = E + u g (t ) (3.23)
unde E reprezintă partea constantă (continuă) a semnalului, iar u g (t ) reprezintă partea variabilă, care poate fi de
tip sinusoidal: u G (t ) = E + U g sin ωt (3.24)
Răspunsul diodei la acest semnal depinde de valorile amplitudinii i frecvenŃei.
În funcŃie de acestea se pot defini mai multe regimuri de funcŃionare :
● regim de semnal mic, joasă frecvenŃă ( cvasistaŃionar),
● regim de semnal mic, înaltă frecvenŃă,
● regim de semnal mare joasă frecvenŃă,
● regim de comutaŃie.
Un regim cvasistaŃionar poate fi considerat ca o succesiune de regimuri statice. Nu se manifestă efecte de
acumulare de sarcină electrică i energie ( capacitive i inductive).
FuncŃionarea diodei în regim de semnal mic cvasistaŃionar este ilustrat în fig.:

Fig.3.15 Regimul dinamic al diodei

Dacă porŃiune de caracteristică M 1M 2 fi aproximată printr-un segment de dreaptă, atunci :

u D ~ i D → u D = R ii D
unde R i este rezistenŃa internă sau rezistenŃa diferenŃială a diodei.
Pentru a deduce care este condiŃia de semnal mic se consideră că fiecare în moment :
   qu (t )  
i D (t ) = I 0 exp D  − 1 (3.25)
  mkT  
unde tensiunea este dată de : uD(t) = UA +ua(t) deci ea conŃine o parte constantă (regim static) i o parte
variabilă (regim dinamic). Se poate scrie :
  qU   qu (t )  
i D (t ) = I 0 exp D  ⋅ exp D  − 1 (3.26)
  mkT   mkT  
x x2
Dacă se utilizează dezvoltarea în serie: ex=1+ + + ... , pentru x<<1 se obŃine o bună aproximare a
1! 2!
mkT mkT
exponenŃialei printr-o relaŃie liniară: ex=1+x. astfel pentru : uD(t)<< sau UD<< (3.27)
q q
  qu (t )    qU  qu (t )
i D (t ) = I o exp D  − 1 + I o exp D  D =
  mkT    mkT  mkT
se poate face aproximarea: (3.28)
 (I + I o )q 
= ID +  D  u D (t ) = I D + i D (t )
 mkT 
 (I + I o )q 
Comparând relaŃiile: i D (t ) =  D  u D (t )  i iD = R i i D
 mkT 
mkT
se obŃine Ri = (3.29)
q(I D + I o )
Un circuit electronic se studiază mai întâi în regim static ( sau permanent), calculându-se pentru fiecare
dispozitiv punctul static de funcŃionare (de repaus).
De ex. pentru diodă se determină punctul static de funcŃionare Po (ID,UD), apoi se trece la studiul regimului
dinamic, studiu ce comportă alegerea modelelor dinamice, calculul parametrilor dispozitivelor i construcŃia
modelului dinamic al circuitului.
Pentru o diodă, Ri este un parametru de model dinamic care poate fi calculat dacă se cunoate poziŃia punctului
static de funcŃionare. Pentru circuitul din fig. 3.14a, circuitul echivalent dinamic este dat în fig.3.14b unde sursa
de tensiune este înlocuită în regim dinamic cu un scurtcircuit.
Ri u g (t )
Se obŃine astfel: uD(t) = u g (t ) i iD(t) = (3.30)
R + Ri R + Ri

[Link] Dioda în regim de comutaŃie

ComutaŃia reprezintă trecerea cât mai rapidă a unei diode din starea de conducŃie în starea blocată
(comutaŃie inversă) sau din starea blocată în cea de conducŃie (comutaŃie directă). Acest regim de funcŃionare
este specific circuitelor de impulsuri din aparatura numerică.
A. ComutaŃia inversă
Pentru analiza fenomenelor care au loc într-un astfel de regim se
consideră circuitul din fig.3.16.
IniŃial tensiunea Ui polarizează direct dioda D. La momentul to,
tensiunea Ui suferă o variaŃie bruscă trecând într-un interval extrem de scurt de
la valoarea +Ui1 la valoarea –Ui2.

Fig.3.16
 În figura 3.17a se prezintă formele de variaŃie în timp ale curentului ale tensiunii pe diodă, iar în
fig.3.12b,c,d se prezintă evolutiv fenomenele care au loc în interiorul semiconductorului.

Fig.3.17 ComutaŃia inversă

În fig.3.17b este descrisă starea iniŃială a joncŃiunii pn. În zona neutră p se va afla stocată o sarcină ns
datorată electronilor injectaŃi masiv din zona n i recombinaŃi aici cu golurile majoritare. La fel în zona n se va
găsi o sarcină stocată ps. Din momentul mutării polarizării va trebui să treacă un interval de timp ts numit timp
de stocare, până când sarcinile stocate vor fi evacuate din zonele neutre. ExistenŃa acestui interval de timp se
explică prin aceea că evacuarea sarcinilor reprezintă un curent electric invers prin diodă a cărui valoare este ID
Ui
= 2 , fiind limitat de valoarea rezistenŃei R. Rezultă că timpul de stocare este cu atât mai mare cu cât dioda
R
este mai puternic saturată, deci cu cât curentul prin dioda în conducŃie este mai mare. După evacuarea sarcinii se
ajunge la situaŃia din fig.3.17c, după care începe derularea unui interval de timp tr numit timp de revenire, în
care zona de trecere a joncŃiunii se lărgete până se ajunge la situaŃia din fig.3.17d care corespunde regimului
permanent. Timpul de comutaŃie inversă va fi:
tci = ts + tr
Pentru obŃinerea unor timpi de comutaŃie inversă cât mai mici, se poate acŃiona numai asupra intervalului
ts. Pentru aceasta, dioda va trebui polarizată direct la tensiuni cât mai mici.

B. ComutaŃia directă
i în acest caz, când dioda trece din starea blocată în cea de conducŃie, fenomenele se stabilizează după un
interval de timp numit timp de cretere. Pentru obŃinerea unor comutaŃii rapide se recomandă folosirea diodelor
cu contact punctiform numite diode de comutaŃie. Acestea au o suprafaŃă a joncŃiunii foarte mică ceea ce
determină timpi de revenire i timpi de cretere de valori mai mici.
 3.2.2 Dioda stabilizatoare (Zener)
Este o diodă realizată pe baza unei joncŃiuni pn obinuite i care se utilizează în circuite de străpungere
a caracteristicii, la polarizare inversă.
S-a arătat că la tensiuni inverse mari, într-o diodă obinuită au loc ruperi ale legăturii covalente i
generarea de perechi electron-gol. Dacă sunt accelerate, aceste perechi produc fenomenul de multiplicare în
avalană care determină o cretere rapidă a curentului invers, curent care devine periculos pentru joncŃiune.
Acest efect poartă denumirea de efect Zener.
Există o categorie de diode care sunt astfel constituite încât să poată lucra normal în zona caracteristicii
unde se produce efectul Zener, adică pentru tensiuni mai mari decât UZ, în zona de străpungere. Pentru a realiza
acest lucru cei doi semiconductori p, n se dopează mult mai puternic i aceasta dă natere la o lăŃime a joncŃiunii
mult mai mică. Datorită acestui fapt, dioda intră în zona de străpungere la tensiuni inverse reduse i produce o
cretere pronunŃată a curentului invers (dar nepericulos pentru diodă) atunci când tensiunea inversă variază
∆U Z
relativ puŃin, (fig.3.18), fapt caracterizat prin rezistenŃa dinamică rZ = ( cu valori tipice de 1…20Ω).
∆I Z
La polarizare directă dioda Zener se comportă ca o diodă redresoare. Caracteristica statică la polarizare
în sens direct este identică cu a unei diode obinuite.
La polarizarea joncŃiunii în sens invers, caracteristica prezintă o porŃiune abruptă situată la tensiunea
u = − U z , unde o variaŃie mică a tensiunii provoacă o variaŃie mare a curentului fără ca dioda să se străpungă.
Datorită acestei proprietăŃii, dioda Zener se utilizează în redresoarele stabilizatoare de tensiune (surse de c.c
stabilizate ). Calitatea stabilizării este cu atât mai bună cu cât rezistenŃa diferenŃială rZ măsurată în jurul unui
punct de funcŃionare PF, este mai mică i caracteristica de străpungere mai verticală.
O diodă Zener funcŃionează în zona de străpungere având simbolul din figura 3.18a, fiind polarizată
invers (+ la catod C i – la anod A). În cazul în care dioda Zener se conectează direct aceasta funcŃionează ca
una normală. Deoarece dioda Zener funcŃionează polarizată invers i deoarece curentul prin ea va circula da la
catod la anod, se alege ca sens pozitiv al tensiunii i curentului cel de la catod la anod.
FuncŃionarea diodei este limitată în domeniul Imin (1…3mA) i Imax (20mA, 2A) i la tensiuni inverse în
domeniul (1,5…150V).

(a) (b)
Fig.3.18 Simbolul diodei Zener - (a), caracteristica tensiune-curent - (b)
 Datorită faptului că dioda Zener are tensiunea la borne constantă i egală cu UZ, pentru variaŃii ale
curentului Imin…Imax, se folosete ca stabilizator de tensiune, conectând-o în paralel cu sarcina. Deoarece
interesează numai fenomenul de stabilizare, se reprezintă numai partea utilă a caracteristicii denumită,
caracteristica de ieire a diodei Zener Montajul pentru ridicarea caracteristicii de ieire i forma caracteristicii
de ieire a diodei Zener sunt prezentate in fig.(fig.3.19).

(a) (b)
Fenomenul de stabilizare se explică prin prezenŃa rezistenŃei R în amonte de diodă i pe care cade
surplusul de tensiune apărut ca urmare a variaŃiei tensiunii Unestab. De precizat că pentru stabilizare Ustab< Unestab.
Aplicând teorema a II-a a lui Kirchoff se obŃine:
U
Unestab= Ustab + ∆U = Ustab+ R(I + I1), cu I1= stab (3.31)
RS
RS R ⋅ RS
Înlocuind i explicitând se obŃine: Ustab = Unestab ⋅ − ⋅I (3.32)
RS + R RS + R
Aceasta este ecuaŃia dreptei de sarcină a diodei Zener i care se translatează cu variaŃia tensiunii Unestab..
Punând condiŃia ca această curbă să treacă prin punctele limită se obŃin ecuaŃiile:
RS R ⋅ RS
Ustab = Uminnestab ⋅ − ⋅ I max (3.33)
RS + R RS + R
RS R ⋅ RS
Ustab = Umaxnestab ⋅ − ⋅ I min (3.34)
RS + R RS + R
Cunoscând Ustab i Uminnestab , Umaxnestab, RS i se adoptă Imin, se calculează R i Imax, pe baza căruia se
alege dioda [Link] disipată P = UZ⋅IZ este principalul factor restrictiv în utilizarea diodelor Zener.
Cunoscând Pmax i UZ, curentul maxim admisibil este IZ max = Pmax /UZ . Pentru aprecierea influenŃei asupra
1 dU z
Uz se introduce coeficientul de temperatură: K TUz = ⋅
Vz dT

Efectul Zener i multiplicarea prin avalană coexistă, iar temperatura are o influenŃă diferită asupra lor.
La tensiuni mai mici de 6V predomină influenŃa efectului Zener, iar coeficientul KTUz este negativ. La tensiuni
mai mari de 8V predomină multiplicarea prin avalană iar KTUz este pozitiv. Cele mai bune diode Zener se obŃin
prin urmare pentru tensiuni de 6 ...8 V, la care KTVz se compensează singur. Principalii parametrii de catalog ai
diodelor Zener sunt cei deja menŃionaŃi: UZ, IZ max, Pdmax , rZ i [Link]Ńiile diodelor Zener de obicei au ca
scop obŃinerea unor tensiuni de referinŃă stabilizate. Se poate obŃine o stabilizare suplimentară a tensiunii,
polarizând dioda printr-un curent constant IPF. Se elimină astfel în mare parte erorile provocate de rezistenŃa
dinamică nenulă (de obicei de ordinul ohmilor).
 4. Tranzistorul bipolar

Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actuală, tranzistorul bipolar (TB) cu joncŃiuni. Acest
dispozitiv a fost inventat de Shockley în 1949.
Denumirea de tranzistor provine din limba engleză: TRANSFER – RESISTOR, cuvinte ce desemnează
funcŃia de bază a dispozitivului.
Tranzistoarele se împart în două categorii: bipolare i unipolare.
FuncŃionarea TB se bazează pe ambele categorii de purtători: majoritari i minoritari, în timp ce
tranzistoarele unipolare (sau cu efect de câmp) funcŃionează numai pe baza purtătorilor majoritari. Istoric
primul TB a fost cel cu contacte punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain în 1948, dar nu s-a impus din
cauza puterii foarte mici. În continuare prin TB vom înŃelege de fapt TB cu joncŃiuni.
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare capabile de a amplifica semnale electrice. Prin semnal
electric înŃelegem o mărime electrică (tensiune sau curent) care prezintă o variaŃie în timp, purtătoare de infor-
maŃie.
Amplificarea fiind o operaŃie esenŃială pentru prelucrarea i transmiterea la distanŃă a semnalelor electrice,
tranzistoarele sunt dispozitive de maximă importanŃă, prezente practic în toate circuitele electronice. La această
oră se produce o gamă largă de tranzistoare, pornind de la tranzistoarele din componenŃa circuitelor integrate pe
scară foarte mare, având suprafaŃa de câŃiva microni pătraŃi, până la tranzistoare de mare putere, pentru curenŃi
de sute de amperi i tensiuni de mii de volŃi sau tranzistoare de frecvenŃe foarte mari, capabile să funcŃioneze la
sute de MHz sau chiar GHz.
La realizarea tranzistoarelor se pot identifica două tehnologii de bază:
- tehnologia bipolară, prima din punct de vedere cronologic;
- tehnologia bazată pe efectul de câmp, mai modernă i mai eficientă, care pare să fie tehnologia viitorului.
Descoperirea tranzistorului a marcat începutul unei etape importante în dezvoltarea electronicii cu
implicaŃii importante în aproape toate sferele activităŃii umane. Primul tranzistor a fost realizat în anul 1948 de
americanii J. Bardeen i W. Brattain. În anul următor W. Shockley anunŃă realizarea tranzistorului bipolar cu
joncŃiuni punând i bazele teoretice ale funcŃionării acestuia.

4.1 Structura i funcŃionarea tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar constă dintr-o structură monocristalină cu trei straturi pnp sau npn i două joncŃiuni
p-n una polarizată în sens direct i cealaltă polarizată invers.
Stratul din mijloc este slab impurificat i foarte subŃire (aprox.5m), mai subŃire decât lungimea de difuziune a
purtătorilor care difuzează prin joncŃiuni.
Cele două joncŃiuni npn i pnp sunt astfel denumite după poziŃia relativă a semiconductoarelor de tip n i p:
tranzistorul npn prezintă două regiuni de tip n separate printr-o regiune de tip p, în timp ce în tranzistorul pnp
regiunea de tip n este încadrată de două regiuni de tip p.
Deoarece purtători de sarcină majoritari i minoritari sunt diferiŃi în cele două tipuri de materiale
semiconductoare, mecanismul intern al conducŃiei curentului în cele două tipuri de tranzistoare este diferit .
Tranzistorul se numete bipolar deoarece conducŃia electrică este asigurată atât de purtătorii majoritari
cât i de cei minoritari. Cele trei zone pnp sau npn sunt conectate la 3 electrozi care se numesc:
• Emitor (E), - corespunde zonei puternic dopate, deoarece are proprietatea de a emite o mare cantitate de
purtători de sarcină.
 • Baza (B), zona din mijloc, deoarece primele tranzistoare se realizau prin alierea unui semiconductor de
bază cu impurităŃi donoare de o parte i de alta.
• Colector (C), - corespunde zonei externe de suprafaŃă mai mare, având proprietatea de a colecta
sarcinile emise de emitor.
În această triplă structură există două joncŃiuni de electroni i de goluri i anume: joncŃiunea de emitor
(EB) dintre emitor i bază i joncŃiunea de colector (CB) dintre colector i bază.
În figura 4.1 a i b se arată modul de realizare a celor două joncŃiuni i schema tranzistoarelor de tipul p-n-p i
n-p-n.

(a) (b)
Fig.4.1 Structura i reprezentarea în schemă a tranzistorului de tip p-n-p - (a) i n-p-n - (b)

Simbolul tranzistorului pune în evidenŃă prin sensul săgeŃii existenŃa unei circulaŃii uoare de curent într-o
joncŃiune p-n. Materialul de bază pentru realizarea tranzistoarelor este germaniul sau siliciul.
Structura TB este echivalentă cu două diode conectate în serie dar în sens opus, astfel încât pentru
oricare dintre cele două variante, pnp sau npn i pentru orice polarizare, una dintre diode va fi blocată,
împiedicând stabilirea unor curenŃi între E i [Link] cu două joncŃiuni care formează tranzistorul bipolar
este diferită în funcŃionare faŃă de structura a două diode legate în serie datorită grosimii foarte mici a bazei.
Efectul de tranzistor constă din trecerea unui curent important printr-o joncŃiune polarizată invers,
datorită vecinătăŃii unei joncŃiuni polarizate direct.
Se creează astfel posibilitatea controlării curentului din circuitul de colector prin curentul injectat în
bază cu ajutorul circuitului de polarizare a joncŃiunii EB.
Această polarizare se asigură cu circuite de polarizare exterioare structurii tranzistorului (fig.4.2).
Aa cum se constată din figură, modul de polarizare a tranzistorului pnp este invers faŃă de cel npn.

(a)
(b)
Fig.4.2 Modul de polarizare a tranzistorului pnp - (a) i npn - (b)
Pentru obŃinerea efectului de tranzistor trebuiesc luate două măsuri constructive esenŃiale prin care se
creează condiŃii ca influenŃa joncŃiunii de emitor să se extindă peste regiunea bazei, asupra colectorului:
a) baza trebuie să fie foarte îngustă în comparaŃie cu lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în ea;
b) joncŃiunea EB trebuie asimetrizată prin doparea mult mai puternică a emitorului.
InfluenŃa tensiunii de polarizare a joncŃiunii CB asupra curentului este foarte mică, deoarece golurile
circulă oricum în direcŃia câmpului EC.
Tensiunea de polarizare inversă a joncŃiunii CB poate fi crescută până aproape de străpungere, adică la
zeci sau sute de volŃi, în timp ce tensiunea de polarizare directă a joncŃiunii EB este doar de 0,6...0,7V. łinând
cont de faptul că cele două joncŃiuni sunt parcurse practic de acelai curent, rezultă că puterea disipată în
circuitul de colector, sau într-o sarcină externă din circuitul de colector, este mult mai mare decât puterea
dezvoltată în circuitul de emitor. Cu alte cuvinte, cu ajutorul unui semnal de mică putere aplicat joncŃiunii BE,
poate fi obŃinut un semnal mai puternic, în circuitul de colector.
Se obŃine astfel amplificarea semnalelor electrice. Din cele de până acum se relevează numai posibilitatea
amplificării în putere sau tensiune (curentul fiind practic identic în joncŃiuni). Se va vedea în continuare, în
secŃiunea referitoare la conexiunile TB, că este posibilă i amplificarea curentului.
Pentru tranzistoarele npn funcŃionarea este identică, inversându-se doar polarităŃile tensiunilor i tipul
purtătorilor. Există o mare diversitate de tehnologii de realizare a tranzistoarelor, în continuare prezentându-
se pentru exemplificare doar tranzistorul obŃinut prin dublă difuzie planară, tipic mai ales pentru circuitele
integrate bipolare.
În fig. 4.3 este prezentată o secŃiune transversală printr-un astfel de tranzistor. Formele difuziilor i metalizărilor
văzute de sus nu sunt relevante i depind de destinaŃia tranzistorului i de proiectant.

C B E C B E

Si O2

difuzia p de difuzia n de bază difuzia n de emitor difuzia p de bază

emitor substrat p - colector
substrat n - colector
Fig. 4.3. Tranzistoare dublu difuzate pnp i npn
Cele mai mari grosimi de bază sunt de ordinul zecilor de microni în cazul tranzistoarelor de putere,
bazele tranzistoarelor obinuite având doar câŃiva microni. Ariile de Si ocupate sunt de asemenea foarte
diferite, de la mm2 până la zeci de m2.
Tehnologia prezentată permite acoperirea unui cip cu mii de tranzistoare interconectate conform unor
scheme impuse. Totodată se produc i tranzistoare individuale, protejate de capsule metalice sau de plastic.
Pentru tranzistoarele de putere capsulele sunt metalice, sau au aripioare sau flane metalice pentru a putea fi
montate pe radiatoare, în vederea răcirii. Unele tranzistoare de înaltă frecvenŃă au capsulă metalică pentru
ecranare, conectată la un terminal suplimentar, pentru conectarea la masa circuitului.
 4.3. Regimuri de funcŃionare ale tranzistoarelor bipolare
În cele de mai sus s-a considerat joncŃiunea CB polarizată invers i joncŃiunea EB polarizată direct,
regim în care tranzistorul este capabil de amplificare. Această polarizare nu este însă unica. În tabelul următor
vor fi prezentate toate posibilităŃile de polarizare, fiecare dintre ele corespunzând câte unui regim diferit de
funcŃionare.
Regim de funcŃionare Polarizarea joncŃ. EB Polarizarea joncŃ. CB
activ normal directă inversă
blocat inversă inversă
saturat directă directă
activ invers inversă directă
♦ Regimul activ normal este utilizat pentru amplificarea lineară a semnalelor; joncŃiunea CB este
blocată iar joncŃiunea EB este deschisă.
♦ Regimul blocat se caracterizează prin curenŃi foarte mici, ambele joncŃiuni fiind blocate; tensiunile
dintre terminale sunt determinate de circuitele externe.
♦ Regimul saturat se caracterizează prin tensiuni mici între terminale, ambele joncŃiuni fiind deschise;
curenŃii sunt determinaŃi de circuitele externe.
♦ Regimul activ invers este asemănător cu cel activ normal, dar eficienŃa tranzistorului este mult mai
slabă (E îi schimbă rolul cu C).
După cum se va vedea în secŃiunea referitoare la polarizarea tranzistoarelor, blocarea se obŃine prin
anularea curentului de bază, iar saturarea apare atunci când curentul de colector iese de sub controlul bazei.
În foarte multe aplicaŃii actuale, atât din domeniul conversiei energiei cât i în calculatoarele numerice,
tranzistoarele operează în regim de comutaŃie între regimurile blocat i saturat, trecând prin regimul activ numai
pe durata scurtă a comutaŃiilor.

[Link] tranzistorului bipolar

Tranzistorul este caracterizat de 6 parametrii, 3 curenŃi i 3 tensiuni, dar nu sunt independenŃi, căci sunt
legaŃi de relaŃiile de mai sus. Pentru aceasta dacă se cunosc 4 parametrii se pot determina i ceilalŃi doi.
Deoarece tranzistorul are 3 terminale, este convenabil să se aleagă unul dintre acestea ca electrod de
referinŃă i să se conecteze la potenŃial zero (masă), faŃă de acest electrod se vor măsura toate tensiunile în
schemă. În raport cu electrodul de conectat la masă(comun) se disting 3 scheme: bază comună (BC), emitor
comun (EC), colector comun (CC) (fig.4.7).
IC IC
IB C IE IC IB E

B E C B

UBE UCE UEB UCB UBC UEC

E B C
Emitor comun Bază comună Colector comun
Fig. 4.7. Conexiunile tranzistorului bipolar: (a) - emitor comun(EC), (b) - bază comună (BC), (c) - colector
comun(CC)
 Tranzistorul este caracterizat prin două relaŃii între cele patru variabile. Fiecare relaŃie exprimă o
variabilă în funcŃie de alte două, i poate fi reprezentată printr-o reŃea de curbe, numită reŃea (familie ) de
caracteristici. Alegând o variabilă ca parametru, se pot trasa curbele reprezentând dependenŃe între celelalte
două variabile, pentru fiecare valoare a parametrului. Există mai multe posibilităŃi de a trasa caracteristicile, dar
numai câteva prezintă interes practic.
Cele două tensiuni i doi curenŃi alei pentru a descrie starea electrică a unui tranzistor, corespund
tensiunilor i curenŃilor de intrare i de ieire corespunzătoare unui montaj particular. Cel mai utilizat montaj
este montajul (conexiune) emitor comun (EC) pentru care tensiunea de intrare este Ube, curentul de intrare este
IB, tensiunea de ieire este UCE i curentul de ieire IC.
În tabelul următor se compară cele trei conexiuni, cu menŃiunea că parametrii implicaŃi sunt definiŃi în capitolul
următor, la secŃiunea referitoare la amplificatoare.
Tabel 4.2
Mărime Conexiune EC Conexiune BC Conexiune CC
Amplificare de curent mare subunitară mare
Amplificare de tensiune mare (defazaj π) mare (defazaj 0) subunitară
ImpedanŃă de intrare relativ mare mică mare
ImpedanŃă de ieire relativ mare mare mică
Se remarcă avantajele conexiunii EC care este singura capabilă de a amplifica simultan semnalele de
tensiune i de curent.
Mărimile de intrare în această conexiune sunt curentul de bază iB i tensiunea bază-emitor uBE iar cele de
ieire sunt curentul de colector iC i tensiunea colector-emitor uCE.
În conexiune EC, TB este abordat ca un amplificator de curent comandat prin iB, amplificarea de tensiune fiind
obŃinută prin circuitul extern. În continuare vom considera această conexiune implicită.

[Link] statice ale tranzistorului bipolar

Starea electrică a unui tranzistor bipolar este definit de patru mărimi electrice doi curenŃi ( al treilea se
deduce din relaŃia IE= IC+IB) i două tensiuni (a treia se deduce din relaŃia UCE=UCB+UBE).
Cele patru variabile nu sunt independente; dacă valorile a două dintre ele sunt fixate de către un circuit pentru
un tranzistor dat, celelalte capătă valori perfect determinate. De exemplu, dacă circuitul fixează valorile
tensiunilor pe joncŃiuni (UBE i UCB), curenŃii tranzistorului sunt perfecŃi determinaŃi.În figura 4.8 sunt
prezentate toate cele 6 mărimi caracteristice pentru TB. Sensurile curenŃilor i tensiunilor prezentate sunt cele
reale i corespund regimului activ normal, pentru ambele tipuri de tranzistoare, npn respectiv pnp.

C IC IC C

IB UCB IB UBC

B B
UCE UEC
UBE UEB
IE IE
E E
Între aceste mărimi există din start două relaŃii de interdependenŃă, impuse de legea conservării sarcinii electrice
i de Legea a II-a a lui Kirchoff:
iE = i C + iB
UCE = UCB + UBE pentru npn, respectiv UEC = UBC + UEB pentru pnp (4.8)
Mai practice sunt caracteristicile grafice comunicate de producători în cataloage, pentru fiecare tip de
tranzistor în parte. Caracteristicile sunt statice, adică sunt ridicate punct cu punct, în puncte de funcŃionare
stabile ale tranzistorului, aspect subliniat de literele mari cu care sunt notate mărimile.
Cele 4 mărimi independente pot fi alese în orice mod. Pentru conexiunea EC se preferă excluderea UCB
care nu influenŃează funcŃional tranzistorul (deoarece este o tensiune de polarizare inversă a joncŃiunii CB) i a
lui IE care poate fi de regulă aproximat cu IC. Oricum IE se obŃine uor din suma celorlalŃi doi curenŃi, între care
există relaŃia esenŃială (4.7). Rămân caracteristicile din fig. 4.9, tipice pentru un tranzistor npn în conexiune
EC:
- familia de caracteristici statice de ieire sau de colector Ic = f(UCE), când IB = const.. variind în trepte, în
cadranul I;
- caracteristica statică de intrare IB= f(UBE), cu parametrul UCE = const.în cadranul III;
- caracteristica statică de transfer în curent IC=f(IB), în cadranul II;
- caracteristica statică de transfer în tensiune UCE = f(uBE) cu parametrul UCE=constant (cadran IV), o
dependenŃă mai puŃin interesantă, deoarece interdependenŃa celor două tensiuni este neglijabilă.
IC
IB2 = 2· IB1

UCE constant
II IB1 ≠ 0 I

IB IB = 0 UCE

UCE constant 0,6V IB constant

III IV
UBE

Fig. 4.9 Caracteristicile unui tranzistor npn în conexiune EC

Familia de caracteristici IC(UCE) are o importanŃă primordială, deoarece determină interacŃiunea

tranzistor-sarcină. De regulă proiectarea unui circuit electronic se face în sensul ieire→intrare, tocmai pentru a
garanta deservirea optimă a sarcinii.
♦ Pentru IB=0, tranzistorul este blocat. Singurul curent existent este ICE0, iar tensiunea UCE este dictată de
circuitele exterioare.
♦ Pentru IB≠0, caracteristicile IC se prezintă sub forma unor drepte cvasiparalele cu axa UCE, indicând faptul că
UCE influenŃează într-o măsură foarte mică curentul de colector, care este dependent în principal de curentul de
bază (IC≅β⋅IB).
 În cazul creterii UCE peste valoarea limită indicată în catalog, tranzistorul se va distruge prin
străpungerea joncŃiunii CB.
Tranzistoarele bipolare sunt comandate în curent i deci consumă putere din circuitul de intrare, motiv
pentru care nu pot fi utilizate pentru amplificarea semnalelor de putere mică.

4.4 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Pentru fiecare din mărimile electrice asociate unui tranzistor se poate separa partea care descrie regimul
continuu (static) de partea care descrie regimul variabil (dinamic). Astfel valorile totale se pot scrie ca sume
între valorile de regim static i de cele de regim dinamic:
uBE(t)= UBE+ubc(t) (4.9)
iC(t)= IC+ic(t)
iB(t)= IB+ib(t)
uCE(t)= UCE+ube(t)
Caracteristica de intrare iB=f(uBE) este asemănătoare caracteristicii diodei, deci comportarea dinamică
kT
(semnal mic de joasă frecvenŃă Ube<< ) a tranzistorului între bază i emitor poate fi modelată printr-o
q
rezistenŃă notată rbe.
Între valorile totale ale curenŃilor de colector i de bază există o relaŃie de proporŃionalitate, care se
regăsete i pentru părŃile variabile ale acestora: ic = β o ⋅ i b (4.10)

Caracteristica de transfer: iC=ICS exp BE  permite exprimare raportului dintre variaŃiile curentului de
qu
 kT 
colector i variaŃiile tensiunii bază–emitor, raport ce poartă denumirea de transconductanŃă, gm:
ic di C qI  qU  qI
gm= = = CS exp BE  = C (4.11)
u BE du BE I kT  kT  kT
C
Pentru temperaturi ambiante uzuale (25oC), kT/q=0,025V, deci se poate face aproximaŃia:
 mA 
gm ≈ 40 IC  
 V 
VariaŃiile curentului de colector se pot exprima în două moduri:
u
IC = β o ⋅ i b = β o ⋅ be = g m ⋅ u be (4.12)
rbe
βo
Rezultă că între parametrii de regim dinamic ai tranzistorului există relaŃia: Rbe = (4.13)
gm
VariaŃiile curentului de colector datorate variaŃilor tensiunii colector – emitor (înclinaŃia caracteristicilor
de ieire) sunt modelate cu ajutorul rezistenŃei rce.
łinând seama de cele de mai sus se poate construi circuitul echivalent dinamic al tranzistorului în
regim de semnal mic, joasă frecvenŃă. Acest circuit este prezentat în fig.4.13. Se remarcă prezenŃa unui
generator de curent care să poată fi controlat fie de către curentul de bază fie de către tensiunea bază-emitor.
 Fig.4.13 Circuitul echivalent dinamic al tranzistorului

În regim de înaltă frecvenŃă, trebuie să se Ńină cont de defazajele (întârzierile) care apar între tensiuni i
curenŃi. Aceste fenomene reactive sunt datorate comportărilor capacitive ale joncŃiunilor i sunt modelate cu
ajutorul capacităŃilor Cb’e, Cb’c i Cce. De asemenea trebuie să se Ńină cont de existenŃa unei rezistenŃe între
contactul bazei tranzistorului i baza internă a acestuia. Această rezistenŃă se notează rbb’. Modelul astfel obŃinut
(numit modelul Giacolleto) este prezentat în fig.4.14.

Fig.4.14 Modelul Giacolletto

• Parametrii hibrizi
Dacă amplitudinile semnalelor sunt mici, legăturile între variaŃiile tensiunilor i curenŃilor sunt liniare.
Ele pot fi scrise sub forma:
ube = hie ib + hre uce
ic = hfe ib + hoe uce (4.14)
EcuaŃia ube = hieib + hreuce reprezintă teorema a II-a a lui Kirchoff în poarta de intrare. Cea de-a doua
ecuaŃie, ic = hfeib + hoe uce reprezintă prima teoremă a lui Kirchoff în poarta de ie[Link]Ńii hie, hre, hfe, i
hoe, denumiŃi parametrii hibrizi, se definesc astfel:
u ∆u ∆u BE
hie= be u ce =0 = BE ∆u CE =0 = u =const .
ib ∆i B ∆i B CE
u be ∆u BE ∆u BE
hre= i b =0 = ∆i B =0 = i B =const .
u ce ∆u CE ∆u CE
ic ∆i C ∆i C
hfe= u ce =0 = ∆u CE =0 = u CE =const . (4.15)
ib ∆i B ∆i B
ic ∆i C ∆i C
hoe= i b =0 = ∆i B =0 = i B =const .
u ce ∆u CE ∆u CE
SemnificaŃia acestor parametrii rezultă din schema echivalentă sub formă de diport a tranzistorului,
indicată ca în fig.4.15:
hie= impedanŃa de intrare (input) cu bornele de ieire c, e în scurtcircuit;
hre = factorul de transfer invers (reverse) în tensiune;
hfe = factorul de transfer direct (forward) în curent;
 hoe = admitanŃa de ieire (output) cu intrare în gol.
În aceste notaŃii primul indice este iniŃiala cuvântului în limba engleză indicat între paranteze, iar al doilea se
referă la modul de conexiune al tranzistorului (emitor comun).

Fig.4.15

4.5 Regimul de comutaŃie al tranzistorului

O utilizare largă au căpătat etajele cu emitor comun. În figura 4.16 se arată caracteristica de ieire a
tranzistorului, pe care este trasată linia de sarcină, care întretaie axele coordonatelor în punctele (uC=EC, iC=0) i
E
(uC=0, iC = C ). În acest regim tranzistorul se poate găsi în două situaŃii de bază:
RC
1. Starea (regimul) închisă

(a) (b)
Fig. 4.16 Comutator cu tranzistor : (a) - schema; (b) – traiectoria punctului de lucru

Prin tranzistor curge curent minim. Această stare corespunde punctului A de pe diagrama din fig. 4.12, iC = ICBi
= 0, tensiunea pe tranzistor uC ≈ EC. În acest regim, schema de
substituŃie a tranzistorului se arată în figura 4.17a, care constituie
numai o sursă de curent ICBi, cuplată între bază i colector.

Fig. 4.17 Schema de substituŃie a tranzistorului:în regim închis -

(a) i de saturaŃie - (b)

(a) (b)
 Pentru ca tranzistorul să se găsească în stare închisă(comutator deschis), este necesară îndeplinirea
condiŃiei: să se deplaseze în sens opus joncŃiunea de emitor a tranzistorului sau pentru tranzistoarele n-p-n să se
îndeplinească condiŃia: uB<0 (4.16)
Puterea care se pierde pe tranzistor în regimul comutatorului deschis, PC= uCiC este mică, pentru că
curentul este mic.

2. Starea(regimul) de saturaŃie(comutatorul este închis)

Tensiunea minimă pe tranzistor uC=UCE,S ≈ 0 corespunde punctului B pe diagrama din figura 4.17b.
Curentul prin tranzistor este limitat de rezistorul RC i se determină:
E − U CES E C
ICS = C ≅ (4.17)
RC RC
În regim de saturaŃie ambele joncŃiuni ale tranzistorului sunt deplasate în sens direct, din care cauză
tensiunile dintre electrozii tranzistorului sunt mici. Tranzistorul în regim de saturaŃie este arată în schema de
substituŃie fig.4.17b, care corespunde scurt-circuitului dintre toŃi electrozii tranzistorului (se spune că
I
tranzistorul este restrâns intr-un punct). Regimul de saturaŃie se obŃine chiar atunci când: iB = IBS= CS
h ∗ 21E
Creterea în continuare a curentului bazei iB>IBS nu modifică curentul din circuitul de colector, astfel,
condiŃia de saturare a tranzistorului se scrie sub forma:
I E
i B ≥ I BS = CS unde ICS ≅ C (4.18)
h 21E RS
Pentru saturarea fermă a tranzistorului este necesar ca condiŃia (4.18) să se îndeplinească pentru h21E = h21Emin.
i
Mărimea SS= B ≥ 1 se numete coeficient de saturaŃie a tranzistorului. În regim de saturaŃie, puterea care se
I B,S
pierde pe comutatorul cu tranzistor, PC = UCiC este mică, pentru că tensiunea este mică. Tensiunea UCES este
dată în cataloage. Pentru realizarea comutatoarelor electronice se recomandă alegerea tranzistorilor cu
UCES<<EC. Trecerea comutatorului dintr-o poziŃie în alta se face în salt iar pierderile de putere în acest caz sunt
neglijabile. În mod frecvent se folosete schema comutatorului cu tranzistor din figura 4.18a. La aplicarea
tensiunii pozitive uint tranzistorul intră în regim de saturaŃie. Când uint = 0, sursa de tensiune -Ed, legată in baza
tranzistorului prin rezistorul R2, asigură regimul de comutator deschis.

(a) (b) (c)

Fig.4.18 Comutator cu tranzistor cu alimentare bipolară - (a) i schema de substituire în regimul
comutatorului deschis - (b) i de saturaŃie - (c)
 4.5. AplicaŃii – Etaje de amplificare cu tranzistor

• Etaj de amplificare cu tranzistor în conexiune emitor comun

Schema electrică a unui amplificator cu TB în conexiune emitor comun este prezentată în figura 4.19.

EC
RB1 RC
C2
Ui C1 Uo

RB2 T

Dacă condensatoarele de decuplare C1 i C2 au o valoare suficient de mare se obŃine pentru semnal mic circuitul
din fig.4.20.

dUi d iB diC dUo

RB1 RB2 rBE SdUBE rCE RC

Fig.4.20
Parametrii acestui tip de amplificator se calculează pornind de la circuitul echivalent din fig.4.20.
S ⋅ R C ⋅ rCE
= -S (R C rCE )= -
dU o
• Amplificarea în tensiune : AU= ≈ −S ⋅ R C
dU i R C + rCE
dI C rCE
• Amplificarea în curent : AI = = β⋅ ≈β
dI B R C + rCE
dU I dU BE
• RezistenŃa de intrare : RI = = = R B1 R B2 rBE ≈ rBE
dI I dI I
dU O
• RezistenŃa de ieire : RO = dUi =0 = R C rCE ≈ R C
dI O
Circuitul din fig.4.21 are dezavantajul unei dependenŃe de temperatură a punctului static de funcŃionare,
respectiv a parametrilor dinamici ai tranzistorului.

EC
RB1 RC
C2
Ui C1 Uo

RB2
T
RE

Fig. 4.21
Dezavantajul se înlătură prin introducerea rezistenŃei RE în emitorul tranzistorului (fig.4.21).În acest caz
parametrii se modifică astfel :
dU o S⋅ RC R
• Amplificarea în tensiune : AU= = ≈− C
dU i 1+ S⋅ RE RE
• Amplificarea în curent : AI = β
• RezistenŃa de intrare : RI = RB1 R B2 [rBE + (β + 1)R E ]
• RezistenŃa de ieire : RO = [rCE ⋅ (1 + S ⋅ (rBE R E ))] RC

• Etaj de amplificare cu tranzistor în conexiune colector comun

Schema electrică a unui amplificator în conexiune colector comun este prezentată în fig.4.23. Circuitul de
polarizare al tranzistorului este identic ca i în conexiune emitor comun. Parametrii dinamici ai amplificatorului
S⋅ RE
sunt : Amplificarea în tensiune : AU = ≈1
1+ S⋅ R E

• Amplificarea în curent : AI = β +1
• RezistenŃa de intrare : RI = RB1 R B 2 [rBE + (β + 1)R E ]
rBE r 1
• RezistenŃa de ieire : Ro =RE ≈ BE ≈
β +1 β +1 S

EC

RB1

Uo
Ui C1
T C
RB2 RE 2

Fig.4.23
• Etaj de amplificare cu tranzistor în conexiune bază comună
Schema electrică a unui amplificator în conexiune bază comună este prezentată în fig.4.24.
EC
C3 RC
Ui Uo

RE T C2
RB2 RB1

C1

Fig.4.24
Dacă se consideră cele trei condensatoare în scurtcircuit la frecvenŃa de lucru, se obŃine:
 • Amplificarea în tensiune : AU SRC
≈
β
• Amplificarea în curent : AI = ≈1
β +1
rBE r
• RezistenŃa de intrare : RI = RE ≈ BE
β +1 β +1
• RezistenŃa de ieire : RO ≈ R C

5. Tranzistoare cu efect de câmp (TEC)

5.1 Structură i funcŃionare

Tranzistoarele cu efect de câmp FET (engl. Field Effect Transistor) sau TEC în unele lucrări româneti,
asigură circulaŃia purtătorilor majoritari de sarcină printr-un canal, a cărui conductivitate este modulată prin
intermediul unui câmp electric.
În funcŃie de tipul purtătorilor există FET-uri cu canal n, respectiv cu canal p. Tranzistoarele cu efect de
câmp au ca principiu de funcŃionare efectul de câmp , i anume curentul care circulă între extremităŃile ( sursă
i drenă) unui canal conductor stabilit în sau la suprafaŃa unui semiconductor este controlat de câmpul electric
creat de o tensiune aplicată pe electrodul de control ( poarta).
În principiu un tranzistor cu efect de câmp, pe scurt TEC sau FET (field effect transistor) este constituit
din două joncŃiuni p-n, semiconductorul comun celor două joncŃiuni constituind calea de circulaŃie a curentului,
iar prin semiconductorii laterali se controlează curentul de circulaŃie (fig.5.1.)

Fig.5.1 Structura tranzistorului cu efect de câmp

Două terminale, drena D (engl. drain) i sursa S (engl. source) sunt conectate la canal, între ele circulând
curentul util ID (curentul de drenă). Câmpul electric modulator este obŃinut prin aplicarea unei tensiuni de
comandă între al treilea terminal, poarta G (engl. gate) i S. În funcŃie de tipul purtătorilor există FET-uri cu
canal n, respectiv cu canal p. Din cauza mobilităŃii sporite a electronilor faŃă de goluri, FET-urile cu canal n
sunt mai rapide decât cele cu canal p.
După modul de aranjare a joncŃiunilor canalul poate fi de tip p sau n. Curentul prin canal IDS este
controlat de tensiunea aplicată pe grilă, adică de câmpul electric care se stabilete în semiconductorul ce
constituie canalul, câmp perpendicular pe canal. Acest lucru justifică denumirea de TEC i care sunt dispozitive
semiconductoare comandate în tensiune asemănătoare cu tuburile electronice.
Purtătorii minoritari nu participă la conducŃia tranzistoarelor FET, numite de aceea i monopolare, spre
deosebire de TB la care i purtătorii minoritarii participă într-o oarecare măsură la conducŃie. Tipică pentru
tranzistoarele FET este proprietatea de a fi comandate în tensiune, spre deosebire de TB care sunt comandate în
curent. Acest gen de comandă ridică unele probleme (sensibilitate la perturbaŃii i la acumularea de sarcini
electrostatice), dar avantajul de a nu consuma practic curent pentru comandă, este fundamental. Un prim avantaj
este simplificarea circuitelor de comandă pe poartă, mai ales în cazul dispozitivelor de mare putere.
Tranzistoarele cu efect de câmp au câteva proprietăŃi importante, i anume:
- impedanŃă de intrare foarte mare;
- timp scurt de tranzit al purtătorilor;
- zgomot redus;
- tensiuni admisibile mai mari;
- construcŃie mai simplă.
După modul de construcŃie TEC se împart în 3 grupe:
a) Tranzistoare cu efect de câmp i grilă joncŃiune (TECJ sau JFET) pentru care sunt controlate dimensiunile
geometrice ale canalului.
b) Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată (TECMOS sau MOSFET) pentru care sunt controlate
concentraŃiile de purtători mobili de sarcină din canal.
c) Tranzistoare cu efect de câmp cu straturi subŃiri (TFET)

5.2. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncŃiuni (TECJ)

Structura acestui tip de tranzistor este următoarea: pe o bară de semiconductor de tip p se realizează prin
dopare cu impurităŃi două pelicule de tip n la care se fixează contactele grilei G, iar la capetele barei p se
fixează contactele sursei S i a drenei D. Acest tranzistor are structura prezentată schematic în figura 5.2.a, iar
simbolurile în figura 5.2 b i c. Prin S se injectează purtători majoritari în bară, prin D se culeg acetia iar prin G
se controlează câmpul din interiorul canalului.
Principiul de funcŃionare la tipurile n i p este acelai, deosebirea constă în aceea că direcŃia curenŃilor i
polaritatea tensiunilor aplicate sunt opuse. În fig.5.2.d se prezintă familia caracteristicilor de drenă (de ieire) a
dispozitivului ID = f(UDS) în condiŃia când UGS = constant.
FuncŃionarea tranzistorului cu efect de câmp este determinată de procesele care au loc la joncŃiunile dintre
canal i straturile vecine. Astfel când tensiunea de comandă UGS = 0 i se cuplează sursa de tensiune între drenă
i sursă UDS, prin canal curge curentul a cărui valoare este determinată de rezistenŃa canalului. Tensiunea UDS
uniform aplicată pe lungimea canalului provoacă deplasarea inversă a joncŃiunii p-n între canalul de tip p i
stratul de tip n, astfel încât tensiunea inversă mai mare la joncŃiunea p-n se găsete în zona apropiată de drenă,
iar în apropierea sursei joncŃiunea p-n se aplică în stare de echilibru.

Fig.5.2 Structura - (a), reprezentarea în schemă (b)- cu canal tip p, (c)- cu canal tip n i caracteristica
de drenă - (d) ale tranzistorului cu efect de câmp cu joncŃiune p-n
 Cea mai folosită schemă este cu sursa comună SC, prezentată în fig.5.3.

Fig.5.3 Schema cu JFET cu sursă comună

Prin creterea tensiunii UDS domeniul stratului electric dublu din joncŃiunea p-n, sărăcit de purtători mobili
de sarcină se va lăŃii (fig.5.4 a). În mod deosebit lăŃimea joncŃiunii apare în apropierea drenei, nule există
tensiune inversă mai mare pe joncŃiune. LăŃimea joncŃiunii p-n determină îngustarea canalului conductor de
curent a tranzistorului i astfel rezistenŃa canalului crete, datorită creterii rezistenŃei canalului, când crete
UDS, caracteristica de drenă a tranzistorului cu efect de câmp este neliniară (fig.1.6.2d), pentru o valoare anume
a lui UDS graniŃele joncŃiunii p-n se suprapun iar creterea curentului ID încetează prin mărirea valorii lui UDS
(fig.5.4).

(a) (b)
Fig.5.4 Îngustarea canalului tranzistorului cu efect de câmp la aplicarea tensiunii

Când se aplică tensiune pozitivă pe grilă (UGS> 0) joncŃiunea p-n se deplasează i mai mult în zona
tensiunii inverse iar lăŃimea joncŃiunii crete, cum se observă din fig.5.4.b. Ca rezultat se îngustează canalul
conductor de curent i curentul de drenă ID se micorează (fig.5.2d).
Pentru o anumită valoare a lui UGS care se numete tensiune de blocare, curentul de drenă dispare
practic. Raportul dintre variaŃia curentului de drenă ∆ID i variaŃia tensiunii dintre grilă i sursă ∆UGS care o
provoacă se numete pantă, în condiŃia când UDS = constant.
∆I D
S= U =const (5.1)
∆U GS DS
Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, cele cu efect de câmp sunt comandate în tensiune iar prin
circuitul de grilă există numai curentul nul de origine termică IG a joncŃiunii p-n care se găsete sub influenŃa
tensiunii inverse caracteristice de drenă cu două sectoare distincte ca i caracteristicile de colector de la
tranzistoarele bipolare, adică unul de cretere rapidă i altul de cretere lentă. Sectorul de cretere rapidă a
caracteristicii se folosete în schemele de comutare, iar sectorul al doilea pentru amplificarea semnalelor.
Curentul de drenă a tranzistorului cu efect de câmp este puternic influenŃat de temperatura de
funcŃionare pentru că pe măsura creterii temperaturii, conductivitatea electrică a semiconductoarelor cu
impurităŃi în spectrul temperaturilor de lucru se micorează. De asemeni prin încălzire, lăŃimea joncŃiunii p-n se
micorează, iar canalul se lărgete. Ca rezultat al acŃiunii combinate a acestor doi factori prin încălzirea
tranzistorului pentru UGS = constant, curentul de drenă se poate modifica în ambele sensuri, adică poate crete
sau să se micoreze. FrecvenŃele de lucru sunt mari (de ordinul MHz) valoarea acestora fiind limitată de
capacitatea joncŃiunii pn, a cărei suprafaŃă este relativ mare.

5.3 Tranzistoarele cu efect de câmp de tipul MOS (metal-dielectric-semiconductor)

Aceste tipuri de tranzistoare au grila izolată. La suprafaŃa cristalului semiconductor care reprezintă
suportul cu conductivitate de tip p sunt formate două zone cu conductivitate de tip n, legate între ele printr-o
punte subŃire care reprezintă canalul. Zonele de tipul n sunt prevăzute cu borne pentru cuplarea în circuitul
exterior (drena i sursa). Cristalul semiconductor este acoperit cu o peliculă de oxid dielectric pe care se
dispune grila metalică G legată în circuitul exterior. În acest fel grila este izolată din punct de vedere electric de
circuitul drenă sursă.
Suportul se leagă cu sursa, legătura se face în interiorul acestuia sau în exteriorul acestuia.
Caracteristicile de drenă (de ieire) ID = f(UDS) pentru UGS=constant sunt prezentate în fig.5.5.b. În lipsa
tensiunii de comandă când UGS=0, prin canal între zonele de tipul n trece curentul ID. Prin creterea tensiunii
sursei UDS, joncŃiunea p-n dintre substrat i canal se deplasează în sens invers, astfel încât tensiunea inversă mai
mare pe joncŃiune se realizează în apropierea drenei. Prin deplasarea inversă a joncŃiunii p-n se produc lărgirea
stratului electric dublu, sărăcit de purtătorii mobili de sarcină i se îngustează canalul care conduce curentul. Pe
măsura creterii UDS rezistenŃa canalului se mărete, creterea curentului de drenă se încetinete i atunci când
joncŃiunea acoperă secŃiunea canalului prin creterea lui UDS, curentul ID practic se stabilizează. În acest regim
de funcŃionare procesele care au loc în tranzistorul MOS sunt similare proceselor care au loc în tranzistorul cu
efect de câmp cu joncŃiunea p-n.
Când se aplică tensiunea pozitivă pe grilă se produce atragerea electronilor din suport, electronii care se
acumulează în zona canalului, rezistenŃa acestuia se micorează iar curentul de drenă crete (regimul de
îmbogăŃire pe caracteristica din fig.1.6.5b pentru UDS >0). În cazul când pe grilă se aplică tensiune negativă,
câmpul electric respinge electronii din canal în suport, rezistenŃa canalului crete iar curentul ID scade (regim de
sărăcire). În acest fel prin modificarea tensiunii de comandă UGS se modifică curentul de ieire a tranzistorului
ID, astfel încât raportul dintre creterile mărimilor de ieire i intrare sunt determinate de panta
∆I D
S= U = const.
∆U GS DS
Datorită faptului că grila este izolată de restul circuitului, curentul acesteia este foarte mic IG i este
determinat numai de rezistenŃa izolării, motiv pentru care puterea necesară pentru comanda tranzistoarelor MOS
este practic nulă.
În mod analog funcŃionează i tranzistoarele MOS cu canal de tip p, la care suportul este de tip n, sensul
curenŃilor i polaritatea tensiunilor fiind inversă faŃă de cazul analizat anterior (MOS de tip p).
Canalul unui tranzistor cu poartă izolată poate exista chiar în absenŃa unei tensiuni aplicate pe poartă
(UGS=0). Acest tip de tranzistor poartă numele de tranzistor cu canal iniŃial.
Se disting deci patru tipuri de tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată:
• tranzistoare cu canal n indus;
• tranzistoare cu canal n iniŃial;
• tranzistoare cu canal p indus;
• tranzistoare cu canal p iniŃial;
 Fig. 5.5 Structura - (a) i caracteristica de drenă (b) - cu canal încorporat, (c)- cu canal indus la
tranzistoarele MOS

Marcarea tranzistoarelor MOS de tipul n i p se arată în fig. 5.6a i respectiv b. Ambele tipuri de
tranzistoare au canalul încorporat.

(a) (b) (c) (d)

Fig.5.6 Reprezentarea în schemă a tranzistoarelor MOS

O variantă constructivă a tranzistoarelor MOS se referă la acelea prezentate în fig.5.6 c i d care au

canalul insus de tipul n respectiv p. În construcŃia acestor dispozitive nu există un canal între zonele legate de
drenă i sursă, astfel că pentru UGS =0 curentul de ieire este nul ID =0 . Acest tip de dispozitiv poate funcŃiona
numai în regim de îmbogăŃire, când câmpul grilei atrage purtătorii de sarcină corespunzătoare, care realizează
canalul conductiv dintre zonele sursei i drenei.
Familia caracteristicilor de drenă a tranzistoarelor MOS cu canal indus de tipul n este prezentată în
fig.5.6 c. În cazul când tensiunea pe grilă este mai mică decât tensiunea de bariere, curentul ID este practic nul.
FaŃă de tranzistoarele bipolare, MOSFET-urile au o serie de avantaje, dintre care cele mai importante
sunt: impedanŃă de intrare extrem de mare, dimensiuni reduse i tehnologie avantajoasă.
În schimb ele prezintă între D i S o rezistenŃă relativ mare, care împiedică obŃinerea unor amplificări
mari de tensiune i a unor impedanŃe mici de ieire. DependenŃa neliniară dintre ID i UGS produce distorsiuni de
neliniaritate. Puterea maximă disipată este redusă, având în vedere volumul redus de semiconductor care
participă la conducŃie. Din aceste motive, tranzistoarele MOS convenŃionale reprezintă nu atât o alternativă cât
un produs complementar tranzistoarelor bipolare. În amplificatoare este foarte avantajoasă combinarea celor
două tranzistoare, MOS-FET-ul fiind recomandabil pentru etajele preamplificatoare de tensiune pentru semnale
extrem de slabe. În acest caz impedanŃa mare de intrare este hotărâtoare, iar nivelul mic al semnalelor reduce
nivelul distorsiunilor.
Prin diferite dezvoltări tehnologice tranzistoarele MOS au fost mult îmbunătăŃite în ultimele două
decenii, majoritatea dezavantajelor lor fiind depăite. Exist două linii de dezvoltare, una vizând creterea
frecvenŃelor iar cealaltă creterea puterii. Au apărut i componente hibride (tranzistoarele IGBT, tiristoarele cu
poartă MOS, etc.) care cumulează avantajele celor două tehnologii.

5.4 Regimul dinamic al TEC

Modelul dinamic de semnal mic i joasă frecvenŃă, cel mai simplu care poate fi utilizat atât pentru TEC
cât i pentru TECMOS este reprezentat în fig.5.7.

Fig.5.7 Modelul pentru TEC în regim dinamic, semnal mic, joasă frecvenŃă

Dacă se compară acest circuit echivalent cu modelele utilizate pentru tranzistoarele bipolare, se constată
o diferenŃă importantă. Pentru TEC, electrodul de comandă (poarta) este reprezentat printr-un punct izolat
fiindcă nu există curenŃi prin aceasta, spre deosebire de baza tranzistoarelor bipolare care necesită un curent.
Puterea necesară comenzii unui TEC este deci neglijabilă, amplificarea de putere fiind foarte mare (practic
infinită).
Controlul variaŃiilor curentului de drenă de către semnalul aplicat pe poartă se face prin intermediul
parametrului gm numit transconductanŃă (conductanŃă de transfer). TransconductanŃa depinde de punctul static
de funcŃionare i se obŃine prin derivarea expresiei curentului de drenă.
În regim de saturaŃie, pentru TECJ, acest parametru este dat de:
∂i D ∂   u GS 
gm= I = I DSS 1 −  I = 2I DSS ⋅ 1 − VGS
∂u GS D ∂u GS   U T 
D VT VT

2 I DSS
gm= ⋅ ID (5.2)
VT
Pentru TECMOS expresia transconductanŃei este:

gm=
∂i D
I
∂u GS D
= ∂
∂u GS
[
β(u GS − U T )2 I D ] =2 β (u GS − U T ) (5.3)

gm=2 β I D

Parametrul rd exprimă legătura întra variaŃiile tensiunii drenă sursă i variaŃiile curentului de drenă.
În regim de semnal mic, frecvenŃă forte înaltă trebuie să se Ńină cont de efectele capacitive care apar între
bornele tranzistorului i care sunt modelate prin Cgs, Cgd i Cds (fig.5.8). Aceste efecte capacitive au un rol
important în procesele de comutaŃie al TEC, rapiditatea răspunsului tranzistorului, respectiv frecvebŃele de lucru
ale circuitelor care le folosesc, fiind invers proporŃionale cu mărimea acestor capacităŃi.

Fig.5.8 Modelul pentru REC în regim dinamic,semnal mic, frecvenŃă înaltă

6. Tranzistorul unijoncŃiune (TUJ)

[Link]ă i funcŃionare
În prezent, în locul tuburilor electronice cu vid i ionice, care pot prezenta caracteristică cu regiune de
rezistenŃă negativă, sunt utilizate dispozitive semiconductoare speciale. Se vor prezenta două tipuri de astfel de
dispozitive, realizate tehnologic pe structuri de siliciu: tranzistor unijoncŃiune – prescurtat TUJ i tranzistor
unijoncŃiune programabil - TUJP. Ambele tipuri de dispozitive prezintă regiune de rezistenŃă negativă,
proprietate ce le face utilizabile în schemele de oscilatoare de relaxare, circuite de comandă a tiristoarelor i a
triacurilor, circuite de temporizare.
Structura tranzistorului unijoncŃiune (TUJ) este următoarea: o bară de siliciu de tip n având rezistivitatea
ρ =100 Ω cm, cu lungimea mult mai mare decât celelalte două dimensiuni este dopată într-un punct pe lungime
cu atomi acceptori formând o regiune de tip p i în acea zonă o joncŃiune p-n.
Dispozitivului astfel construit i se ataează 3 terminale corespunzător capetelor barei i regiunii p,
denumite respectiv baza B1, baza B2 i emitorul E, având reprezentarea în fig.6.1.
Tensiunea aplicată între B1 i B2 este în jur de 10V. Se consideră că poziŃia joncŃiunii p-n în bara de
siliciu n este poziŃionată la distanŃele l1, l2 faŃă de capete. Se notează cu r1, r2 rezistenŃele ohmice ale barei pe
lungimile l1 i l2, cu ajutorul cărora se definete raportul
r
intrinsec de divizare al barei η = 1 .
r1 + r2
Deoarece baza este omogenă, raportul teoretic
η ∈ (0,1) i dă poziŃia joncŃiunii pe lungimea barei de siliciu
i care practic ia valori în domeniul (0,4…0,9).
Dispozitivul astfel construit este o diodă cu două baze
deoarece are o singură joncŃiune i se numete – diodă cu
două baze sau tranzistor unijoncŃiune.

Fig.6.1 Structura - (a) i simbolul -(b) tranzistorului unijoncŃiune

 6.2 Caracteristica statică a tranzistorului unijoncŃiune
Se consideră schema din fig. 6.2 în care cele două baze au fost polarizate cu tensiunea UB1B2 iar între
emitorul E i B1 este tensiunea pozitivă UEB1. Prin tranzistor circulă curentul IB2B1 dat de relaŃia:
U B2B1
I B2B1 = (6.1)
r1 + r2
iar căderea de tensiune pe bară între joncŃiune i B1 este dată de relaŃia:
r
∆U = I B 2 B1 ⋅ r1 = 1 ⋅ U B 2 B1 = η ⋅ U B 2 B1 (6.2)
r1 + r2
Se constată că tensiunea UEB1 i ∆U = η ⋅ U B2B1 sunt în opoziŃie ceea ce înseamnă că atâta cât ∆U >UEB1
între emitorul E i B1 nu circulă decât un curent foarte mic, tranzistorul fiind blocat deoarece joncŃiunea este
polarizată invers adică IE ≈ 0. dacă UEB1 crete devenind mai mare ca ∆ U atunci joncŃiunea este polarizată direct
i rezistenŃa sa devine neglijabilă ceea ce înseamnă că r1 ≈ 0 i ∆ U ≈ 0, curentul IE prin circuitul EB1 crete
brusc la valoarea maximă, tranzistorul comportându-se ca o diodă polarizată direct.

Fig.6.2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii TUJ-ului

În cazul în care bazele B1B2 se leagă între ele, ceea ce înseamnă că UB2B1=0 tranzistorul unijoncŃiune se
comportă ca o diodă (caracteristica 1, fig. 6.3).
Caracteristica statică a TUJ-ului este IE = f(UEB1) pentru diferite valori UB2B1 i este prezentată în fig.6.3.
Tensiunile UEB1,UEB2 sunt tensiuni de deschidere sau basculare a TUJ-ului i ele cresc o dată cu creterea
tensiunilor UB2B1.

Fig.6.3 Caracteristica statică a tranzistorului unijoncŃiune

PorŃiunile ab, a’b’ din caracteristici se numesc porŃiuni cu rezistenŃă negativă. Aceste porŃiuni dau o
caracteristică deosebită TUJ-ului fiind utilizat ca generator de oscilaŃii comandat.
 Din analiza funcŃionării TUJ-ului rezultă că acesta funcŃionează ca o diodă a cărei rezistenŃă r1 este
controlată prin tensiunea UEB1. Acest lucru permite să se construiască o schemă echivalentă pentru TUJ în care
variaŃia rezistenŃei r2 se face printr-un montaj cu 2 tranzistoare complementare T1 , T2. Raportul de divizare se
stabilete din rezistenŃele R1,R2 (fig.6.4a).

(a) (b)
Fig.6.4 Schema echivalentă a tranzistorului unijoncŃiune - (a),
simbolul pentru TUJ complementar cu bara de Si i joncŃiune n - (b)

Există i TUJ complementar cu bara de siliciu p i

zona joncŃiunii de tip n, cu simbolul dat în fig.6.4b.
Un caz special de TUJ este aa zisul TUJ
programabil care conŃine 4 straturi de semiconductor
alternant în succesiunea p1- n1- p2 - n2 i o singură joncŃiune
p1- n1. Se realizează apoi 3 terminale la p1,n1 i n2 denumite
anod A, catod C i grilă G. Între G i C se montează un
divizor R1, R2 exterior dispozitivului care constituie factorul
de divizare η i care factor poate fi programat din alegerea
acestor rezistenŃe. Va rezulta un TUJ programabil având
schema i simbolul de conexiune în fig.6.5.

Fig.6.5 Schema - (a) i simbolul - (b) a TUJ-ului programabil

6.3 AplicaŃii ale TUJ

• Generator de impulsuri
În fig.6.6 se prezintă o aplicaŃie a TUJ-ului în circuitul de realizare a unui oscilator, generator de
impulsuri în dinŃi de ferăstrău, sincrone cu tensiunea alternativă u2.
 Fig.6.6 Generator de impulsuri
Tensiunea alternativă U2 este redresată prin puntea de diode D apoi stabilizată la o valoare maximă Uz
prin dioda Zener DZ i aplicată prin circuitul PC pe emitorul TUJ-ului. Condensatorul C se încarcă cu constanta
de timp PC i când tensiunea pe condensator devine egală cu tensiunea de basculare Uo a TUJ-ului acesta intră
în conducŃie i C se descarcă peste R1 producând un impuls. Fenomenul se repetă, frecvenŃa impulsurilor se
modifică prin potenŃiometrul P.

• Oscilator de relaxare cu TUJ

Analizând caracteristica tranzistorului unijoncŃiune se observă că acesta nu se poate afla în regim stabil
decât în una din cele două stări: fie conduce fie este blocat. Forma caracteristicii în prezenŃa zonei de rezistenŃă
negativă permite realizarea unui oscilator de relaxare ca în fig.6.7.

Fig.6.7 Oscilator de relaxare cu TUJ

După conectarea tensiunii E, la un moment dat to se va stabili un potenŃial Up prin divizorul rezistiv
format din R2, RB2, RB1 i R1, unde RB1 i RB2 sunt rezistenŃele corespunzătoare divizării rezistenŃei totale a
porŃiunii B1 B2 a tranzistorului.
Tensiunea pe condensatorul C va crete mai lent decât tensiunea Up, astfel încât imediat după momentul
to=0, TUJ-ul este blocat deoarece potenŃialul anodului diodei va fi mai mic decât al catodului iar schema
echivalentă a circuitului va fi cea din fig.6.8.
R B1 + R 1
Up= ⋅ E = η⋅ E (6.3)
R 2 + R B2 + R B1 + R 1

 −
t 

uC(t)=E ⋅ 1 − e RC  (6.4)
 
 
Când tensiunea pe condensator este uC(t)= Up+0,6V, dioda D va intra în conducŃie iar TUJ ajunge
foarte repede în stare de conducŃie. După intrarea în starea de conducŃie, schema echivalentă a circuitului este
cea din fig.6.8b. Se observă că în acest interval de timp, condensatorul C, încărcat iniŃial la valoarea uC(t)=
Up+0,6V, se va descărca prin intermediul joncŃiunii pn pe rezistenŃa R1. Datorită faptului că R1 are valoare
mică, descărcarea are loc rapid. Descărcarea continuă până când tensiunea pe condensator ajunge la valoarea
0,6V, moment în care joncŃiunea se va bloca i va începe un proces de încărcare a condensatorului prin R de la
sursa E conform relaŃiei (6.4).

Fig.6.8 Scheme echivalente pentru oscilatorul cu TUJ

FrecvenŃa de oscilaŃie se poate calcula din relaŃiile (6.3) i (6.4), dacă se consideră momentul iniŃial to=0
iar t1 intervalul de timp în care se încarcă condensatorul i punând condiŃia t=t1.
 t 
− 1 

E ⋅ 1 − e RC  = η ⋅ E + 0,6 (6.5)
 
 
E 1
t1=RC ⋅ ln ≅ RC ⋅ ln (6.6)
E(1 − η) − 0,6 1− η

Se observă din relaŃia (6.6) că intervalul de pauză dintre impulsurile de ieire poate fi dimensionat prin
alegerea adecvată a rezistenŃei R i a capacităŃii C. Dacă se urmărete obŃinerea de timpi mai mari nu este bine
să se aleagă valoarea lui C mare deoarece la descărcare s-ar obŃine impulsuri de curent de valoare mare care
poate distruge TUJ-ul. Similar se poate calcula i intervalul t1-t2 care este de obicei mult mai mic. De aceea,
perioada impulsurilor generate de acest oscilator poate fi aproximată ca fiind egală cu t1 dat de relaŃia (6.6).
 Partea a -II-a

[Link] de redresare

1.1. NoŃiuni generale

Procesul de redresare constă în transformarea energiei electromagnetice de curent alternativ în energie

electromagnetică de curent continuu.
Redresoarele sunt utilizate pentru alimentarea de la reŃeaua de curent alternativ a diferitelor instalaŃii
industriale care funcŃionează cu curent continuu cum ar fi :reŃelele de tracŃiune electrică în curent continuu,
băile de electroliză, acŃionările electrice ale mainilor de curent continuu etc. Puterile consumate de aceste
instalaŃii pot să ajungă uneori la sute i mii de kilo-waŃi. De asemenea, redresoarele intră în componenŃa
aparatelor electronice de măsurare, reglare i control sau a echipamentelor de telecomunicaŃii.
Schema bloc a unui redresor monofazat este prezentată în figura 1.1.

Fig.1.1 Schema bloc a unui redresor monofazat

Redresorul propriu-zis, R, este separat de reŃeaua de alimentare prin intermediul unui transformator, care
oferă totodată posibilitatea obŃinerii unei game largi de tensiuni redresate (prin modificarea raportului de
transformare). Transformatorul T are rolul de a separa consumatorul de reŃea i de a modifica tensiunea reŃelei
la valoarea necesară pentru a obŃine o anumită tensiune continuă. În anumite cazuri, transformatorul T poate să
lipsească.
Dispozitivul redresor R este constituit din elemente electronice (neliniare) care permit trecerea curentului
numai pentru o anumită polaritate a tensiunii alternative aplicate. Datorită acestei proprietăŃi, de conductibilitate
într-un singur sens, curentul din circuitul redresorului va fi un curent pulsatoriu. Filtrul F servete la netezirea
pulsaŃiilor tensiunii (curentului) redresate, în vederea obŃinerii unei tensiuni (sau unui curent) cît mai aproape de
forma continuă. În unele redresoare (în special, în cele polifazate), filtrul poate să lipsească.
Se deosebesc două categorii de redresoare monofazate :
-redresoare care redresează o singură alternanŃă, numite i redresoare monoalternanŃă;
-redresoare care redresează ambele alternanŃe, numite i redresoare dublă alternanŃă.
În funcŃie de natura sarcinii, redresoarele monofazate pot fi de mai multe tipuri:
-redresoare cu sarcină rezistivă (R);
-redresoare cu sarcină inductivă (RL);
-redresoare cu sarcină capacitivă (RC);
-redresoare cu sarcină R, sau RL, sau RC, conŃinind însă i o tensiune contraelectromotoare E
 1.2. Redresoare monofazate

1.2.1 Redresorul monofazat monoalternanŃă cu sarcină rezistivă

Schema electrică a unui redresor monoalternanŃă cu sarcină rezistivă fără filtru este prezentată în figura
1.2. Dacă presupunem că redresorul este alimentat printr-un transformator fără pierderi (impedanŃă de
scurtcircuit nulă), alimentat în primar cu tensiunea : u1 = U1 ⋅ sin (ω ⋅ t )

în secundar se obŃine: u 2 = U 2 ⋅ sin (ω ⋅ t )

2
n 
RezistenŃa de pierderi a transformatorului poate fi calculată cu formula : R T = r2 +  2  ⋅ r1
 n1 

Fig.1.2 Schema electrică a redresorului cu sarcină rezistivă fără filtru

Într-un redresor, dispozitivul semiconductor lucrează la semnal mare, neliniarităŃile producând efectul
de redresare. Pentru redresorul prezentat în figura 1.2, în alternanŃa pozitivă a tensiunii din secundarul
transformatorului, dioda D este polarizată direct permiŃând trecerea curentului prin sarcină, iar în alternanŃa
negativă dioda D este blocată. În figura 1.3 sunt prezentate formele de undă care corespund funcŃionării unui
redresor monoalternanŃă fără filtru. Curentul prin sarcină se deduce analitic din figura 1.3 :
iS = IS sin (ωt) , pentru 0 < ωt < π
iS = 0 , pentru π< ωt < 2π
unde IS reprezintă valoarea maximă a curentului prin sarcină i are valoarea:
U2 U2
IS = =
RT + R D + RS Ri + RS
unde RD reprezintă rezistenŃa diferenŃială a diodei care rezultă din liniarizarea caracteristicii acesteia i Ri
reprezintă rezistenŃa internă a redresorului.
Tensiunea pe sarcina rezistivă RS are expresia :
uS = RS IS = US sin (ωt) , pentru 0< ωt < π
uS = 0 , pentru π< ωt < 2π
Tensiunea medie (redresată) în sarcină este:
1 2⋅π U
U0 = ⋅ ∫ US ⋅ sin(ω ⋅ t )d (ω ⋅ t ) = S
2⋅π 0 π
iar tensiunea efectivă :
1
 1 2⋅π U 2 U
Uef =  ⋅ ∫ US ⋅ sin(ω ⋅ t )d (ω ⋅ t ) = S  = S
 2⋅π π  2
 0
 Fig.1.3 Formele de undă pentru un redresor monoalternanŃă
cu sarcină rezistivă fără filtru

La proiectarea unui redresor sînt cunoscute, de obicei, tensiunea i curentul redresat U d i I d i

valoarea efectivă a tensiunii alternative de alimentare U. Cu aceste date se pot determina parametrii electricii ai
redresorului, cu ajutorul cărora se alege elementul redresor i se dimensionează transformatorul de reŃea.
În cazul unei tensiuni de alimentare sinusoidale u = U m sin ωt , curentul mediu redresat are valoarea:
π
1 U I
Id =
2π ∫
sin ωtd(ωt) = m = dm
πR s π
0
Um
în care: Idm =
Rs
Tensiunea inversă maximă pe diodă apare în timpul alternanŃei negative, când elementul redresor nu
conduce, i este egală cu valoarea maximă (de vârf) a tensiunii secundarului transformatorului :
Um
U i max = U m = 2U 2 = πU d cu Ud =
π
Valoarea efectivă a curentului din înfăurarea secundară este :

1 π 2 1 U2 π I dm
I2 = ∫ d
i (ωt ) = = I d =
2π 0 2 Rs 2 2
Dacă Ńinem seama că fluxul rezultant din circuitul magnetic al transformatorului este compus dintr-o
componentă alternativă i o componentă continuă, putem scrie expresia curentului din primar sub forma:
i1 = n(id − Id ) + iµ = n(i2 − Id ) + iµ
în care n este raportul de transformare, iar i µ -curentul de mers în gol. Neglijând curentul de mers în gol iµ ,
obtinem valoarea efectivă a curentului primar:

1 2π 2 1 2π i d − I d 2 1.21
I1 = ∫ i 1 d(ωt ) = ∫ ( ) d(ωt ) = Id
2π 0 2π 0 n n
 Puterea de curent continuu sau puterea utilă este :
U 2m 2U 2 2U 2
Pd = R s I d2 = = ⋅ = Ud Id
π2 R s π πR s
Puterea aparentă în secundar este:
π π
P2 = U 2 I 2 = ⋅ I d U d = 3.49I d U d = 3,49Pd
2 2
Puterea aparentă în primar, dacă neglijăm curentul de mers în gol, are valoarea
πn 1.21
P1 = U1I1 = U 2 nI1 = ⋅ ⋅ U d I d = 2,69Pd
2 n
Media aritmetică a acestor puteri dă puterea de gabarit a transformatorului:
P2 + P1 3,49 + 2,69
PT = = Pd = 3,09Pd
2 2
În cazul unor valori mari ale curentului de mers în gol, puterea de gabarit poate ajunge la valoarea
PT = 4Pd În funcŃie de această valoare a puterii se calculează secŃiunea miezului transformatorului.
Dezvoltînd expresia curentului redresat în serie Fourier se obŃine:
1 1 2 2 
id = Idm  + sin ωt − cos 2ωt − cos 4ωt...
π 2 3π 15π 
I dm
Primul termen al seriei este componenta continuă sau medie a curentului redresat, adică: Id =
π
Raportul dintre valoarea efectivă a componentelor alternative ale curentului redresat (sau ale tensiunii
redresate) i valoarea medie a acestuia (acesteia) se numete factor de ondulaŃie Ω .
Observând că valoarea efectivă a unei unde compuse din mai multe armonici este rădăcina pătrată a
sumei pătratelor valorilor efective ale diferitelor componente inclusiv componenta continuă (care este o
componentă armonică de frecvenŃă nulă), putem scrie expresia factorului de ondulaŃie Ω sub forma:
2
I 22 − I d2  I2   π
2
Ω= =   − 1 =   − 1 = 1,21
Id  Id   2
Randamentul redresării în cazul unui element redresor ideal se calculează facînd raportul dintre puterea utilă
de curent continuu:
U 2m
Pd = = Ud Id
π2 R s
i puterea medie primită de circuitul redresor:
1 π 1 π (Um sin ωt )2 U 2m
Pm = ∫ uid d(ωt ) = ∫ d(ωt ) = , adică: ri =
Pd 4
= 2 = 40,6 0 0
2π 0 2π 0 Rs 4R s Pm π
DiferenŃa dintre Pm i Pd se datorează armonicelor care circulă în rezistenŃa R s . Pentru redresoare
reale randamentul este i mai mic.
 În circuitul redresorului monoalternantă, curentul de sarcină i d = i 2 traversează bobinajul secundar al
transformatorului i produce o tensiune magnetomotoare continuă în miezul de fier. Deoarece curentul primar
i1 nu conŃine o componentă continuă, dacă i 2 are componentă continuă din ecuaŃia tensiunilor
magnetomotoare :
i1W1 = i 2 W2 + i µ W1
în care W1 , W2 reprezintă numărul de spire al celor două înfaurări, rezultă că curentul de magnetizare iµ
trebuie să conŃină deasemenea o componentă continuă Iµ . Practic însă apariŃia componentei continue Iµ
conduce, de obicei, la deplasarea oscilaŃiilor fluxului magnetic în porŃiunea de saturaŃie a curbei de
magnetizare. În acest caz apar pulsuri mari de curent în curba curentului de magnetizare i în curba curentului
primar. Aceasta conduce la înrăutăŃirea condiŃiilor de funcŃionare a transformatorului, deoarece saturaŃia
miezului contribuie la creterea puternică a pierderilor în fier i la încălzirea sa exagerată. Pentru a evita aceste
inconveniente este necesar să se mărească secŃiunea miezului, ceea ce este echivalent cu creterea puterii
transformatorului.
Greutatea relativ mare a transformatorului, folosirea neraŃională a fierului i cuprului i pulsaŃiile mari
de curent sînt dezavantajele principale ale redresorului monoalternanŃă.
El poate fi utilizat numai atunci cînd curenŃii redresaŃi au valori reduse i cînd randamentul scăzut al
transformatorului este compensat de economia obŃinută prin utilizarea unui singur element redresor.

1.2.2 Redresorul monofazat dublă alternanŃă cu sarcină rezistivă

O îmbunatăŃire esenŃială a formei de undă a curentului redresat se poate obŃine prin folosirea schemelor
de redresare dublă alternanŃă. Aceste scheme sunt de două categorii:
-scheme de redresare cu priză mediană, în secundarul transformatorului de reŃea;
-scheme de redresare în punte .
Schema electrică a unui redresor dublu alternanŃă cu priză mediană este prezentată în figura 1.4 în
care se utilizează un transformator monofazat cu priză mediană în secundar, această priză având rolul de punct
neutru. AdmiŃînd ca sens pozitiv sensul de la punctul median spre capetele exterioare se observă că tensiunile
celor două secŃiuni ale înfăurării secundare sunt în opoziŃie de fază. Ca urmare, curentul electric va circula într-
o semiperioadă prin dioda D1 (dioda D2 este blocată), iar în
cealaltă semiperioadă, prin dioda D 2 (dioda D1 este blocată).

Fig.1.4 Schema de redresare cu priză mediană în

secundarul transformatorului de reŃea

Curentul prin sarcinã are acelai sens în ambele alternanŃe. Curentul prin rezistenŃa de sarcină R
reprezintă suma curenŃilor prin diodele D1 i D 2 Dezavantajul acestei configuraŃii îl reprezintă faptul că
tensiunea inversă maximă pe dioda blocată este dublul tensiunii maxime din secundarul transformatorului.
 Se observă că atunci când una dintre diode conduce, potenŃialul catodului său devine practic egal cu al
anodului, astfel că cealaltă diodă (în stare de blocare), al cărui catod este legat direct cu catodul primei diode,
este supusă unei tensiuni aproximativ egale cu dublul tensiunii de fază în valoare instantanee. Rezultă deci că
valoarea maximă a tensiunii inverse aplicate unei diode este:
U i max = 2 2 U 2 = πU d
Deoarece suprafaŃa cuprinsă de curba curentului redresat este de două ori mai mare decît în cazul
redresorului monoalternanŃă, valoarea medie se dublează, iar valoarea efectivă se inmulŃete cu 2 , astlel că
factorul de ondulaŃie devine:
2 2
I   π 
Ω =  2  − 1 =   − 1 = 0.48
 Id  2 2 
În circuitele de redresare dublă alternanŃa, curentul de sarcină traversează bobinajul secundar în sensuri
opuse de la priza mediană spre extremităŃi. Dacă cele două elemente redresoare i cele două secŃiuni ale
înfăurării secundare sunt identice; tensiunile magnetomotoare continue sunt egale i de semne contrare,
anulându-se reciproc. Astfel nu apare saturaŃie în miezul de fier, fiind posibilă o utilizare mai bună a acestuia.
Acest dezavantaj este eliminat de redresorul dublă alternanŃă în punte. În schema din figura 1.5 se
utilizează un transformator fără priză mediană i un număr dublu de elemente redresoare.
Elementele sunt montate în punte, astfel încît curentul să treacă prin rezistenŃa de sarcină (conectată în
una din diagonalele punŃii) totdeauna în acelai sens, indiferent de polaritatea tensiunii de alimentare. Valorile
medii ale tensiunii i curentului redresat, precum i valorile curentului anodic prin fiecare element sunt aceleai
ca i în cazul schemei precedente. Tensiunea inversă maximă, însă, este de două ori mai mică, deoarece în
fiecare semiperioadă a tensiunii de alimentare, curentul trece prin două elemente redresoare legate în serie.
π
Rezultă deci : U i max = 2 U 2 = U d
2
Cu alte cuvinte, la aceeai tensiune redresată, schema de redresare în punte este mai avantajoasă decât
schema cu priză mediană, într-ucât tensiunea inversă maximă a unui element poate fi de două ori mai mică.

Fig.1.5 Redresorul monofazat dublă alternanŃă în punte

Ĩn alternanŃa pozitivă a tensiunii u2 conduc diodele D1 i D4 (D2 i D3 sunt blocate), iar în alternanŃa
negativă conduc diodele D2 si D3 (D1si D4 sunt blocate). Formele de undă ale tensiunilor din secundarul
transformatorului i din sarcină sunt prezentate în figura1.6.
2U S
Tensiunea medie (redresată) la iesirea redresorului dublă alternanŃă este : U0 =
π
 US
iar tensiunea efectivă: Uef = unde US reprezintã valoarea maximă a tensiunii din sarcină i are valoarea:
2
RS ⋅ U2
US =
R1 + R S

Fig.1.6 Formele de undă pentru un redresor dublă alternanŃă fără filtru

PerformanŃele redresorului dublă alternanŃă fără filtru :

2U 2
a) Caracteristica externă: U0 = − R i Io
π
P 8
b) Randamentul redresării : η = cc = = 80%
Pca π 2
US
U ef π
c) Factorul de ondulaŃie : γ== 2 = = 1,11
Uo 2 U S 2 2
π
d) Tensiunea inversă maximă pe diodă este tensiunea maximă din secundarul transformatorului

1.2.3 Redresorul monofazat monoalternanŃă cu sarcină RC

Schema unui redresor monoalternanŃă cu sarcină RC este prezentată în figura1.7.

Fig. 1.7
Formele de undã ale semnalelor din figura 1.7 sunt prezentate în figura1.8.
 Fig.1.8

Din figura 1.8 se observă că dioda D conduce doar o parte din alternanŃa pozitivă, când tensiunea din
secundarul transformatorului este mai mare decât tensiunea de pe condensator. Condensatorul se încarcă spre
vârful tensiunii e2, când dioda conduce, interval în care uR = u2. Când dioda este blocată condensatorul se
descarcă prin sarcină. Timpului de conducŃie al diodei îi corespunde unghiul de conducŃie, definit cu formula :
θC = ω ⋅ t C
Notând cu U2 amplitudinea tensiunii din secundarul transformatorului i cu Uo tensiunea medie de pe
rezistenŃa de sarcină, variaŃia tensiunii din sarcină se poate scrie astfel :
∆U 0 = 2 ⋅ (U 2 − U 0 )
Tensiunea la bornele diodei redresoare este egală cu: u a = u 2 − u c i de aceea dioda nu este străbătută
de curent în tot timpul alternanŃei pozitive, ci numai în timpul în care u 2 > u c . În perioada de timp în care
u 2 < u c , condensatorul se descarcă pe rezistenŃa de sarcină, tensiunea la bornele sale variind după legea:
−t
u c = U c e RC
în timpul de conducŃie a diodei curentul are valoarea :
i = iR + ic
Um
în care: IR = sin ωt
R
du
iar ic = C = ωCU m cos ωt
dt
1
i = Um 2
+ (ωC )2 ⋅ sin (ωt + ϕ)
R
unde ϕ = arctgωCR
În momentul încetarii procesului de încărcare a condensatorului începe descărcarea condensatorului pe
rezisteŃa de sarcină. Dacă circuitul are o constantă de timp RC suficient de mare, descărcarea are loc destul de
lent i curentul prin sarcină îi păstrează o valoare diferită de zero până la începerea unei noi perioade de
conducŃie a elementului redresor.
Datorită efectului de netezire a undei curentului i tensiunii redresate condensatoarele sunt utilizate
frecvent ca elemente de filtraj în redresoarele monofazate cu sarcina rezistivă.
PerformanŃele redresorului monoalternanŃă cu sarcină RC:
a) Caracteristica externă se determină punând condiŃia de regim staŃionar, adică sarcina acumulată de
condensator la încărcare să fie egală cu sarcina pierdută la descărcare.
-pentru încărcare : ∆q = C ⋅ ∆U 0
2 ⋅ π ⋅ I0
-pentru descărcare : ∆q = I 0 ⋅ t C = I 0 ⋅ T =
ω
 Din aceste relaŃii se obŃine caracteristica externă a redresorului monoalternanŃă cu filtru
π
capacitiv : U 0 = U 2 − ⋅ I0
ω⋅C
∆U 0 2⋅π
b) factorul de ondulaŃie : =
U0 ω⋅C⋅ R

c) raportul dintre curentul maxim prin diodă i curentul mediu prin sarcină se determină presupunând
curentul maxim prin condensator constant în intervalul de conducŃie al diodei.
θC
-pentru încărcare: ∆q = I D max ⋅ t C = I D max ⋅
ω
2 ⋅ π ⋅ I0
-pentru descărcare: ∆q =
ω
I D max 2 ⋅ π
deci : =
I0 θC

d) tensiunea maximă pe diodă este dublul tensiunii maxime din secundarul transformatorului.
ObservaŃii :
a) diminuarea factorului de ondulaŃie are ca efect creterea curentului maxim prin diodă ;
b) pentru redresorul dublă alternanŃă cu filtru capacitiv, se deduce
π
- caracteristica externă : U 0 = U 2 − ⋅ I0 ;
2 ⋅ ω⋅ C
∆U 0 π
- factorul de ondulaŃie : = .
U0 ω⋅ C ⋅ RS

1.2.4. Redresorul monofazat monoalternanŃă cu sarcină RL

Schema redresorului monofazat monoalternanŃă cu sarcină RL este arătată în figura 1.9. InductanŃa L
poate aparŃine consumatorului (motoare de curent continuu, electrornagneŃi, relee etc.) sau poate fi introdusă ca
element separat în serie cu rezistenŃa de sarcină, pentru "netezirea" undei curentului redresat. FuncŃionarea
schemei este ilustrată de formele de undă din figura 1.9 . Curba curentului este diferită de curba tensiunii de
alimentare, curentul circulând i în cursul unei fracŃiuni din alternanŃa negativă. Aceasta se explică prin faptul
că inductanŃa L absoarbe o anumită cantitate de energie în timpul alternanŃei pozitive, pe care o cedează atunci
cînd tensiunea tinde să-i schimbe sensul. Deci, pe lângă tensiunea exterioară, în circuit mai acŃionează
tensiunea electromotoare de autoinducŃie:
d
e L = −L i
dt
di
în timpul conducŃiei elementului redresor, este valabilă ecuaŃia : e = L + iR = U m sin ωt
dt

Um  − t
R
a cărei soluŃie este de forma : i = sin (ωt − ϕ) + sin ϕe L 
R 2 + (ωL )2 



 ωL
în care: ϕ = arctg
R

Fig.1.9 Redresorul monoalternanŃă cu sarcină RL

Fig.1.10 Formele de undă pentru schema din figura 1.9

În cazul redresorului monoalternanŃă, inductanŃa mărete durata impulsurilor de curent, prin elementul
redresor, dar nu poate asigura în permanenŃă o tensiune la bornele rezistenŃei de sarcină.
Efectul de netezire exercitat de inductanŃă este mai puternic dacă se folosete o redresare dublă-
alternanŃă(fig. 1.11a). Din formele de undă prezentate în figura 1.11b se observă că acest curent redresat nu
scade la zero la sfîritul unei alternanŃe.

(a)

Fig.1.11 Redresorul dublă alternanŃă cu sarcină RL:

a) schema de principiu; b) forme de undă
 Din analiza lor se constată că odată cu creterea inductanŃei, pulsaŃiile curentului redresat scad foarte
mult. Aceasta se explică, prin impedanŃa mare opusă de inductanŃă la trecerea armonicilor curentului redresat,
care are ca efect reducerea amplitudinilor acestora faŃă de componenta medie. Din aceste motive, inductanŃa
este folosită ca filtru de netezire curentului redresat.
O netezire mai bună a curentului redresat se poate obŃine i cu un redresor monoalternanŃă cu sarcină
RL untată de o a doua diodă, montată ca în figura 1.12a. Această schemă permite ca prin folosirea unei
inductanŃe mari să se obŃină un curent cu un factor de ondulaŃie mic (pe seama energiei înmagazinate în câmpul
magnetic al bobinei L) i să se elimine astfel necesitatea unor filtre complicate. Forma curentului redresat de
această schemă se prezintă în figura 1.12b. Avantajul principal al acestei scheme constă în puterea de calcul
mai redusă a transformatorului de reŃea. Ea este utilizată pentru alimentarea bobinelor de curent continuu ale
releelor, contactoarelor sau ale altor dispozitive din schemele de automatizare.

(a) (b)

Fig. 1.12 Redresorul monofazatcu sarcină RL untată de o diodă de decărcare (diodă de nul): a) schema de
principiu; b) forme de undă

1.3 Redresoare trifazate

În aplicaŃii industriale sunt necesare tensiuni i curenŃi continue mari, care alimentează instalaŃii
industriale, acŃionări cu motoare de curent continuu, baterii de acumulatoare i altele i atunci se utilizează
redresoare trifazate care conŃin un transformator trifazat i în secundar un număr de trei sau ase diode de
putere.
La aceste scheme, sunt necesare pentru fiecare fază câte o diodă (schema monoalternanŃă) sau două
diode (schema bialternanŃă). Aceasta permite micorarea curentului prin fiecare diodă (adică utilizarea diodelor
de putere mai mică) i mărirea frecvenŃei pulsaŃiilor (simplificarea filtrelor).
În figura 1.13 se prezintă schema trifazată în stea care implică trei diode redresoare. Prin fiecare diodă
curge o treime din curentul total de ieire, i frecvenŃa pulsaŃiilor este de trei ori mai mare decât a redresorului
corespunzător monoalternanŃă, i prin urmare este de trei ori mai mare decât frecvenŃa reŃelei.
 Fig. 1.13 Schema redresorului trifazat monoalternanŃă

Valoarea medie a tensiunii redresate are expresia:

+
π π
3 2 U 2 sin
1
Ud = 2 U 2 cos ωtd (ωt ) = 3 =1,17U
2π ∫π
2
π
−
3 3 3
Id
Valoarea medie a curentului printr-un element redresor se calculează cu relaŃia: IA = , iar valoarea
3
maximă a curentului prin element Iam=Idm este legată de valoarea medie Id prin relaŃia:
π
Id
Iam= 3 =1,21Id = 3,63 IA
π
sin
3

Valoarea maximă a tensiunii inverse este: Uimax = 3 ⋅ 2 U 2 = 2,09 Ud

La schema trifazată bialternanŃă (punte trifazată) din figura 1.14 se folosesc ase diode redresoare.
Această schemă realizează tensiune dublă de ieire în aceleai condiŃii de funcŃionare a transformatorului.

Fig.1.14 Schema redresorului trifazat bialternanŃă

 Prin fiecare redresor curge o treime din curentul total de ieire i frecvenŃa pulsaŃiilor este de trei ori mai
mare decât la schema corespunzătoare bialternanŃă (sau de ase ori mai mare decât frecvenŃa reŃelei).
Schema stea de ase faze care conŃine de asemeni ase redresoare se prezintă în figura 1.15. Numai a
asea parte din curentul total de ieire curge prin fiecare redresor.

Fig. 1.15 Schema redresorului în stea cu ase faze

Schema trifazată dublă în stea cu transformator interfază conŃine ase redresoare monalternanŃă legate în
paralel. Aceasta realizează dublarea curentului de ieire în comparaŃie cu schema monoalternanŃă (fig.1.16), iar
frecvenŃa pulsaŃiilor este de ase ori mai mare decât frecvenŃa reŃelei.

Fig.1.16 Schema redresorului trifazat în stea

cu transformator interfază
 2. Circuite de stabilizare

2.1 NoŃiuni generale

Tensiunea nominală care poate fi asigurată de sursa de alimentare, este determinată de tensiunea iniŃială
existentă (de reŃea sau de transformator) i de căderea de tensiune pe redresoare i pe filtru.
Stabilizatoarele sunt circuite electronice intercalate între sursa de alimentare i consumator, cu rolul de
a stabiliza tensiunea, curentul sau puterea furnizate con sumatorului, faŃă de variaŃiile tensiunii sursei, ale
rezistenŃei sarcinii, ale temperaturii i ale altor factori perturbatori.
Indiferent de structura lui, in stabilizator poate fi reprezentat ca un biport, la care mărimea de ieire
(tensiune, curent, etc.) depinde de tensiunea de intrare E, de rezistenŃa sarcinii RS, de temperatura θ i de alŃi
factori perturbatori mai puŃin însemnaŃi. De exemplu, la stabilizatoarele de tensiune U = U(E, RS, θ) = U (E, I,
∂U ∂U ∂U
θ), deci: dU = dE + dI + dθ
∂E ∂I ∂θ
CoeficienŃii din această relaŃie sunt adesea indicaŃi ca performanŃe ale stabilizatorului:

 ∂U 
- RezistenŃa internă: r = -   definită cu semnul (-) pentru a rezulta pozitivă, deoarece la
 ∂I  E,θ=cons tan te
orice generator când I crete, U scade;
 ∂U 
- Coeficientul de variaŃie cu temperatura Kθ =   ;
 ∂θ  E ,I=cons tan te
 ∂E 
- Coeficientul de stabilizare (absolut) So =  
 ∂U  I,θ=cons tan te
definit astfel pentru a rezulta supraunitar, căci este mai intuitiv să se exprime că un stabilizator bun are
stabilizare mare, i în orice caz supraunitară.
Pentru majoritatea consumatorilor contează variaŃia relativă a tensiunii, aa că cel mai adesea se indică
la stabilizatoare factorul de stabilizare (relativ) Fo:

 ∆E 
 
Fo =  E 
 ∆U 
 
 U  I,θ=cons tan te

Elementele filtrului asigură într-un anumit grad stabilizarea sursei de alimentare. Dacă tensiunea de
ieire începe să scadă, atunci condensatoarele descărcându-se vor menŃine această tensiune constantă. În mod
similar scăderea tensiunii produce micorarea câmpului magnetic, existent în jurul filtrului.
Schimbarea câmpului magnetic induce curent în bobină, a cărui sens este invers curentului care a
provocat modificarea câmpului. Prin urmare, droselul filtrului se împotrivete oricărei modificări a amplitudinii
tensiunii. Această stabilizare provocată de circuitul de filtrare în unele cazuri poate fi suprimată. În alte cazuri
însă regimul de ieire a sursei de alimentare trebuie menŃinut în limitele valorilor cerute ale tensiunii i
curentului. Pentru asigurarea stabilizării tensiunii i curentului există diferite scheme cu semiconductoare.
 2.2 Stabilizatoare de tensiune continuă cu diode Zener
FuncŃionarea stabilizatoarelor parametrice de tensiune se bazează pe caracteristica în regim de avalană
a diodei Zener. În anumite limite dioda Zener menŃine la terminalele sale tensiunea constantă, indiferent de
mărimea curentului.
În forma cea mai simplă această schemă dioda Zener se compune din rezistenŃa serie RS i dioda D1
cuplată în paralel (fig.2.1). Valoarea rezistenŃei RS se alege din condiŃia referitoare la capacitatea de sarcină.
Dacă valoarea rezistenŃei RS este mai mare, atunci dioda Zener nu asigură stabilizarea la curenŃi de sarcină
mare.

Fig.2.1 Stabilizator cu diodă Zener

• Tensiunea de ieire = tensiunea diodei Zener;

• puterea de disipaŃie a diodei Zener = tensiunea × curentul diodei Zener;
• tensiunea de intrare minimă > 1,4 x tensiunea diodei Zener;
• tensiunea diodei Zener ≈ 0,7 × tensiunea minimă de intrare;
• puterea de lucru a diodei Zener ≈ 3 × puterea sarcinii;
• RS (Ω) ≈ ( tensiunea de intrare a diodei Zener - tensiunea diodei Zener )2 / puterea de lucru de
disipaŃie;
• abaterea tensiunii de intrare < 30% din tensiunea maximă de intrare;
• curentul de sarcină = tensiunea diodei Zener / rezistenŃa de sarcină;
• puterea sarcinii = tensiunea diodei Zener × curentul de sarcină;
• curentul de lucru al diodei Zener ≈ 3 × curentul de sarcină.
Dacă RS este mică, atunci puterea permisă de disipaŃie a diodei Zener poate fi depăită pentru valori mici
a curentului de sarcină. Uneori este necesar o astfel de stabilizare a tensiunii, care se deosebete de tensiunile de
stabilizare ale diodei Zener. Această problemă poate fi rezolvată cu ajutorul diferitelor scheme de cuplare a
diodelor Zener. De exemplu, diodele Zener pot fi cuplate în serie aa cum se arată în figura 2.2, tensiunea
generată de stabilizator este egală cu suma tensiunilor pe diodele Zener componente. Pentru valorile nominale
indicate în figura 2.2 (5, 10 i 15V) tensiunea totală de stabilizare este de 30V. Parametrii de putere însă a
fiecărei diode trebuie să fie aceeai. În mod similar trebuie să fie identic i diapazonul curenŃilor de lucru sau să
se aleagă sarcinile astfel încât să se evite posibilitatea ieirii din
funcŃiune a vreunei diode.

Fig.2.2.

Dioda Zener poate fi cuplată de asemenea i în serie aa cum se arată în figura 2.3.
 Fig.2.3. Schema serie de stabilizare a căderilor mici de tensiune

Această schemă se folosete numai în acele cazuri când este necesară asigurarea căderilor relativ mici de
tensiune. Schema din figura 2.2 paralelă se folosete la căderi mari de tensiune. La schema serie (fig.2.3)
căderea de tensiune pe dioda Zener este de 5,6V, ceea ce permite scăderea tensiunii de intrare de la 28 până la
22,4V. De menŃionat că întregul curent de sarcină plus curentul prin rezistenŃa RS curge prin dioda Zener serie.
În acest fel pe baza acestui curent total se calculează indicatorii de putere ai diodei.
Diodele separate se pot cupla în serie i astfel să se realizeze divizorul cu ajutorul căruia se pot obŃine
tensiuni stabilizate. Schema unui asemenea divizor se prezintă în fig.2.4.

Fig.2.4. Schema divizorului

de tensiune cu diode Zener

Se poate astfel realiza cuplarea diodelor, încât tensiunile de ieire stabilizate să fie mai mici. O asemenea
schemă compusă din două diode Zener se prezintă în figura 2.5. Tensiunea de ieire a acesteia reprezintă
tensiunea stabilizată de diferenŃă (8,2-6,8=1,4). O asemenea structură asigură compensarea bună de
temperatură a tensiunii de ieire, pentru că tensiunile ambelor diode Zener în diapazonul temperaturilor se
modifică în acelai fel i prin urmare, diferenŃa de tensiune se menŃine aceeai.

Fig.2.5. Schema de stabilizare a tensiunii, la valori mai mici decât tensiunile diodei Zener

Diodele Zener se pot utiliza de asemeni i pentru realizarea tensiunilor stabilizate reglabile. O asemenea
schemă se prezintă în fig.2.6.
 Fig.2.6. Schema cu diode Zener pentru tensiune reglabilă stabilizată

Pentru obŃinerea diapazonului necesar de reglare a tensiunii de ieire se admite orice fel de cuplare cu diode
Zener .

2.3 PosibilităŃi de stabilizare a tensiunii pe baza diodei Zener

Această posibilitate există, dacă se folosete dioda Zener pentru reglarea punctului de lucru al
tranzistorului sau a grupului de tranzistoare.
Există două tipuri de bază de stabilizatore cu tranzistoare: paralel i serie. Stabilizatorul paralel se
cuplează în paralel cu ieirea sursei de alimentare, iar dioda în serie cu acestea.

2.3.1 Stabilizatoare în paralel de tensiune

• În figura 2.7 se prezintă structura simplă a stabilizatorului paralel cu tranzistor.
Tranzistorul T1 se montează la ieirea sursei de alimentare în mod similar cu rezistorul variabil „auxiliar
de sarcină”, a cărui curent curge pe traseul emitor – colector. Curentul bazei trece prin D1, ambii curenŃi,
precum i curentul de sarcină trece prin rezistorul serie R1. Dacă sarcina pe sursa de alimentare crete, atunci
prin rezistorul R1 începe să treacă un curent mare i tensiunea de ieire se micorează. În acest caz curentul
micorat se aplică la dida D1, se micorează deplasarea directă prin tranzistorului T1 i se culege curent mai mic
de la sursa de alimentare de către circuitul emitor-colector al tranzistorului. Aceasta duce la micorarea căderii
de tensiune pe rezistorul R1 i provoacă creterea
tensiunii de ieire a sursei de alimentare. În acest caz se
obŃine micorarea iniŃială a tensiunii.
Când curentul preluat din sursa de alimentare se
modifică în limite mari, diodele paralel se cuplează de
obicei în cascade pentru sporirea eficienŃei.
[Link] paralelă de stabilizare

• Schema tipică a stabilizatorului paralel în cascadă se prezintă în figura 2.8.

Tranzistoarele T1 i T2 sunt montate la ieirea sursei de alimentare i acŃionează ca rezistoare variabile.
Curentul bazei tranzistorului T1 trece prin stabilizatorul D1, iar curentul bazei tranzistorului T2 depinde de
curentul care trece prin rezistorul R2. Tensiunea pe rezistorul R2 se determină este determinată de curentul care
curge prin aceasta. ToŃi aceti curenŃi precum i curentul de sarcină, trec prin rezistorul serie R1.
 [Link] paralelă de stabilizare în cascadă

La micorarea sarcinii pe sursa de alimentare prin rezistorul R1 trece un curent mai mic i prin urmare,
tensiunea de ieire crete, ceea ce va determina un curent mai mare i prin stabilizatorul D1 i joncŃiunea bază-
emitor a tranzistorului T1. Aceasta provoacă mărimea polarizării directe pe tranzistorul T1, ceea ce va face să
crească curentul din circuitul emitor-colector, care se culege de la sursa de alimentare. În continuare, curentul
mai mare trece prin rezistorul din emitor R2, ceea ce provoacă creterea căderii de tensiune pe acesta.
Polarizarea directă a tranzistorului T2 crete i curentul mai mare se scurge în circuitul emitor-colector din sursa
de alimentare. Acest curent care se mărete prin tranzistoarele T1 i T2 produce creterea căderii de tensiune pe
rezistorul R1, ceea ce face să scadă tensiunea de ieire a sursei de alimentare. În acest fel are loc compensarea
abaterii iniŃiale a tensiunii de ieire. Astfel de stabilizator paralel cu tranzistoare se poate utiliza pentru tensiuni
mai mari sau mai mici decât tensiunea diodei stabilizatoare.

• Schema sursei paralele a stabilizatorului pentru formarea tensiunilor de ieire care depăesc
tensiunile diodei Zener se arată în figura 2.9.
Dacă se neglijează influenŃa rezistenŃei RS sau dacă se consideră că tensiunea iniŃială este tensiunea în
punctul de legătură a rezistenŃelor RS i R1, atunci tensiunea de ieire este determinată de raportul rezistenŃelor
R1 / R2 sau (R1+R2) / R2. Spre exemplu, dacă rezistenŃele R1 i R2 au aceeai valoare, atunci tensiunea de ieire
depăete de două ori tensiunea diodei Zener.

Fig. 2.9. Stabilizator paralel de tensiune

Rezistorul R3 este destinat pentru compensarea abaterii alimentării schemei de stabilizare. Valoarea
mare a rezistenŃei R3 conduce la supracompensare, iar valoarea prea mică a acesteia poate să nu compenseze
complet. Valoarea rezistenŃei R3 se determină de obicei experimental cu ajutorul potenŃiometrului.
 • Schema stabilizatorului paralel care asigură tensiuni de ieire mai mici decât tensiunea diodei
Zener se arată în figura 2.10.
PotenŃiometrul R2 se folosete ca divizare variabilă de tensiune i stabilete valoarea tensiunii stabilizate de
ieire.

Fig.2.10. Stabilizator paralel de tensiune mai mică decât tensiunea stabilitronului

Polarizarea directă a tranzistorului T1 este determinată de căderea de tensiune pe rezistorul R1 (sau de

curentul prin aceasta). Dacă însă tensiunea sursei are tendinŃe de cretere, atunci prin D1 i rezistorul R1 curge
curent mare care face să crească polarizarea directă a tranzistorului T1. Acesta cretere de curent în circuitul
colector-emitor al tranzistorului T1, care curge de asemenea i prin rezistorul RS, produce cădere mare de
tensiune pe rezistorul RS, face să crească căderea de tensiune fie rezistenŃa tensiunii sursei se compensează.

2.3.2 Stabilizatoare serie de tensiune

Aceasta schemă se folosete de obicei în cazurile când este necesară asigurarea stabilizării tensiunii la
variaŃii mari de curent. Schema acestui stabilizator se prezintă în figura [Link] T1 este cuplat în serie
cu ieirea sursei de alimentare i cu rezistorul serie R1. El acŃionează ca „rezistor variabil serie”, a cărui curent
curge prin circuitul colector – emitor. Acest curent trece i prin rezistorul R2 i dioda D1, care i determină
tensiunea pe baza tranzistorului T1. Tensiunea în baza tranzistorului T1 este determinată de curentul care curge
prin rezistorul R2. Această tensiune de bază rămâne fixată în raport cu borna pozitivă a sursei de alimentare,
însă se modifică în raport cu borna negativă a acesteia.

Fig.2.11. Schema serie de stabilizare

La creterea deplasării directe în circuitul bază – emitor a tranzistorului T1 se micorează „rezistenŃa”

emitor – colector, care este cuplată în serie cu ieirea sursei de alimentare. Aceasta la rândul ei provoacă
creterea căderii de tensiune pe rezistenŃa emitor – colector i mărete tensiunea de ieire a sursei de alimentare.
Spre exemplu, dacă se mărete sarcina pe sursa de alimentare, atunci curentul mai mare începe să curgă prin
rezistorul serie, precum i prin rezistenŃa de emitor – colector a tranzistorului T1, care ar duce la micorarea
tensiunii de ieire a sursei de alimentare. În aceste condiŃii curentul mai mic curge prin dioda D1 i rezistorul R2
mărind în acest fel polarizarea directă a tranzistorului T1. La rândul ei mărirea rezistenŃei emitor – colector a
tranzistorului T1 mărete tensiunea sursei de alimentare.
• Cu toate că funcŃionarea elementelor cu semiconductoare nu este legată de tensiuni mari, există totui
posibilitatea utilizării acestor scheme pentru stabilizarea surselor de alimentare, care au la ieire
tensiuni mari. O asemenea schemă se prezintă în figura 2.12.

Fig.2.12. Schemă de stabilizare a tensiunilor înalte

Tranzistorul T1 este cuplat în serie cu ieirea sursei de alimentare i acŃionează ca rezistor variabil serie.
Curentul trece prin rezistorul R1 care determină tensiunea în baza tranzistorului T1. Această tensiune este
determinată de curentul care curge prin rezistorul R1 i prin circuitul emitor -colector a tranzistorului T2. La
micorarea polarizării directe pe tranzistorul T1 rezistenŃa sa de emitor-colector cuplată în serie cu sursa de
alimentare crete. Aceasta duce la apariŃia căderii mari de tensiune pe rezistenŃa emitor -colector i micorează
tensiunea de ieire a sursei de alimentare. Curentul circuitului emitor – colector a tranzistorului T2 se determină
de tensiunea existentă pe rezistorul R2 care îl polarizează direct. Această tensiune este dată de curentul
circuitului emitor – colector al tranzistorului T3. Tensiunea pe emitorul tranzistorului T2 se menŃine fixă, pentru
că este determinată de dioda D1. Tranzistoarele T3 i T4 se folosesc pentru stabilirea tensiunii de comandă a
circuitului de stabilizare. Tensiunea pe baza tranzistorului T4 se menŃine fixă cu ajutorul diodei D2. Curentul
circuitului emitor-colector al tranzistorului T4 rămâne constant, iar tensiunea de emitor fixă. Pentru că emitorul
tranzistorului T3 este legat direct cu emitorul tranzistorului T4, atunci acesta de asemenea lucrează cu tensiune
fixă. Tensiunea pe baza tranzistorului T3 se modifică în funcŃie de tensiunea de ieire a sursei de alimentare.
Dacă însă se modifică tensiunea de ieire a sursei de alimentare atunci se modifică i polarizarea directă a
tranzistorului T2, care conduce la modificarea căderii de tensiune pe rezistorul R2. Această oscilaŃie a deplasării
directe pe baza tranzistorului T2 provoacă oscilaŃii în circuitul emitor-colector. Pentru că, curentul circuitului
emitor-colector a tranzistorului T2 trece i prin rezistorul R1 căderea de tensiune pe acesta se schimbă, făcând ca
tensiunea pe baza tranzistorului T1 să fie mai mult sau mai puŃin negativă. Aceasta schimbă polarizarea directă a
tranzistorului T1 i rezistenŃa circuitului emitor-colector cuplată în serie cu ieirea sursei de alimentare. La
rândul ei aceasta conduce la apariŃia căderii de tensiune mai mari sau mai mici pe rezistenŃa circuitului emitor-
colector i schimbă tensiunea de ieire a sursei de alimentare astfel că, creterea sau scăderea tensiunii iniŃiale
este compensată. Tensiunea de ieire a sursei de alimentare se stabilete cu ajutorul potenŃiometrului R3 care
formează tensiunea de polarizare pe baza tranzistorului T3. În condiŃii reale tensiunea la ieirea sursei de
alimentare se controlează cu voltmetru, cuplat la contactele sale de ieire (de obicei cu sarcina cuplată) i se
stabilete la valoarea necesară cu ajutorul potenŃiometrului R3.

2.3.3 Stabilizatoare de tensiune cu curent mare de sarcină

Dacă este necesară menŃinerea stabilizării în cazul curentului foarte mare i întreg acest curent trece
printr-un singur tranzistor serie, atunci acest tranzistor poate să nu asigure disipaŃia corespunzătoare a căldurii
degajate, chiar i în cazul montării acesteia pe radiator. În această situaŃie tranzistorul se poate defecta. Pentru
rezolvarea acestei probleme este necesar să se cupleze câteva tranzistoare în paralel. Acest ansamblu de
tranzistoare se cuplează apoi în serie cu sursa de alimentare aa cum se arată în figura 2.13.
Tranzistoarele T3-T6 cuplate în serie cu tensiune sursei de alimentare i în paralel între ele acŃionează ca
„rezistoare” variabile serie. Curentul se împarte în mod egal între aceste patru tranzistoare astfel că fiecare
dintre acestea degajă un sfert din puterea totală.

Fig.2.13. Schemă de stabilizare a tensiunii la curent mare de sarcină

La baza tranzistorului T1 se aplică tensiunea fixată (în raport cu emitorul) care este determinată de dioda
D1. Însă tensiunea circuitului emitor-colector a tranzistorului T1 se schimbă simultan cu schimbarea tensiunii
sursei de alimentare. Dacă însă dintr-o anumită cauză sa modificat tensiunea sursei de alimentare, atunci acesta
provoacă modificarea tensiunii pe rezistorul R2 i a polarizării directe a tranzistorului T2. La rândul său se
modifică curentul care curge prin rezistorul R3. Datorită faptului că tensiunea pe rezistorul R3 determină
deplasarea directă pe toate cele patru tranzistoare T3-T6, atunci acesta determină mărirea rezistenŃei realizate de
tranzistoarele T3-T6. Modificarea căderii pe tranzistoarele T3-T6 provocă o asemenea deplasarea tensiunii de
ieire a sursei de alimentare care compensează modificarea iniŃială a tensiunii. Tensiunea de ieire a sursei de
alimentare se stabilete prin reglarea potenŃiometrului R2, care determină polarizarea directă a bazei
tranzistorului T2.
 2.4 Scheme de stabilizare a curentului

Aceste scheme servesc la menŃinerea unui curent constant la ieire, în prezenŃa variaŃiilor sarcinii,
tensiunii de la reŃea i a temperaturii ambiante.
Pentru stabilizarea sursei de alimentare se pot utiliza dispozitive semiconductoare astfel că, aceasta să
furnizeze un curent de valoare constantă. Schema acestui stabilizator de curent se prezintă în figura 2.14.

Fig.2.14. Schema de stabilizare a curentului

Tranzistorul T1 îndeplinete rolul de element de reglaj serie sau „rezistor serie” variabil în circuitul de
ieire al sursei de alimentare. Există două ramuri paralele de parcurgere a curentului. O ramură este formată din
dioda stabilizatoare D1 cuplat în serie cu rezistorul de polarizare R3. O altă ramură este formată din rezistorul R1
i tranzistorul T1. Dacă apare modificarea curentului de ieire a sursei de alimentare, atunci se modifică i
curentul prin rezistorul R3 i polarizarea directă pe tranzistorul T1. La rândul ei se modifică rezistenŃa circuitului
emitor-colector a tranzistorului T1, care i asigură corectarea mărimii curentului care trece prin acesta. Efectul
util al acestui mod de cuplare constă în aceea că oricărei schimbări a curentului prin rezistorului R3 îi
corespunde modificarea egală ca valoare dar contrară ca sens a curentului prin tranzistorul T1. Curentul de ieire
la această schemă este determinat de potenŃiometrul R1. Curentul însă rămâne constant (în anumite limite),
indiferent de modificările oarecare ale rezistenŃei de sarcină. De menŃionat însă că tensiunea de ieire a sursei se
schimbă împreună cu modificarea sarcinii.

2.5 Scheme de protecŃie la suprasarcină

Majoritatea stabilizatoarelor de tensiune funcŃionează cu limitare de curent. Aceasta înseamnă că atunci

când curentul de sarcină depăete o anumită valoare (fixă sau reglabilă) tensiunea de ieire începe să scadă
tinzând rapid spre zero, pe măsură ce curentul crete.
Suprasarcinile la stabilizatorul serie pot conduce la scoaterea acestuia din funcŃiune. Acesta se produce
ca urmare fie a aplicării tensiunii înalte de intrare fie sarcinii prea mare la ieire. În orice caz tranzistorul serie
iese din funcŃiune. Orice aplicare de lungă durată a tensiunii înalte de intrare duce la străpungerea primului
element al sursei iniŃiale de alimentare (dacă stabilizatorul serie a fost elaborat la condiŃiile limită de
funcŃionare). Pe de altă parte, sarcina prea mare la ieire (rezistenŃă mică a sarcinii i curent mare de ieire)
reprezintă totui situaŃii banale (deranjamente de acest tip pot să apară la scurtcircuitarea întâmplătoare a
contactelor de ieire ale stabilizatorului). Stabilizatorul serie poate fi dotat cu o oarecare protecŃie la suprasarcini
datorate curentului de sarcină prea mare.
În figura 2.15 se prezintă schema de protecŃie la suprasarcini utilizate la stabilizatoarele serie.
 Fig.2.15. ProtecŃia la suprasarcină a stabilizatorului serie

FuncŃionarea schemei de protecŃie la suprasarcini este determinată de tensiunea pe rezistorul R3. Întreg
curentul de sarcină curge prin rezistorul R3 i creează pe acesta căderea corespunzătoare de tensiune.
Când curentul de sarcină este mai mic de o anumită valoare (la nivelul nepericulos sau puterea este mai
mică decât puterea maximă calculată a stabilizatorului serie) căderea de tensiune pe rezistorul R3 este
insuficientă pentru aplicarea polarizării directe pe tranzistorul T2. Prin urmare, tranzistorul T2 rămâne în regim
de blocare atâta timp cât curentul de sarcină se găsete la nivelul nepericulos.
Pentru tranzistoarele cu siliciu T2 i dioda D1 căderea de tensiune pe rezistenŃa R3 ≈ 1,1V pentru curentul
maxim de sarcină, tensiunea de ieire ≈ tensiunea de ieire a stabilitronului-1V, curentul i puterea de ieire sunt
aceleai ca ale stabilizatorului:
R 2 ≈ 10 ⋅ R S pentru curentul maxim de sarcină;
Ui 1,1V
RS ≈ ; R3 ≈ ; PR 3 ≈ (I Mi )2 ⋅ R 3
Ii I Mi
unde: RS = rezistenŃa de sarcină pentru curentul maxim; Ui = tensiunea de ieire; Ii = curentul de sarcină;
IMi = curentul maxim de sarcină (în A); PR3 = puterea rezistenŃei R3 .
În cazul utilizării diodei de siliciu D2, căderea de tensiune între contactul de ieire i emitorul
tranzistorului T2 este de circa 0,5V. Similar pentru cuplarea tranzistorului de siliciu T2 este necesară căderea de
tensiune de 0,5V. În acest fel, căderea de tensiune pe rezistorul R3 trebuie să fie de aproximativ 1V sau mai
mult (în caz tipic 1,1V) înainte ca tranzistorul T2 să se cupleze nominalul rezistorului R3 se alege din
considerentul, că această cădere de tensiune să fie de 1,1V la nivelul maxim admis al curentului de sarcină.
La cuplarea tranzistorului T2, o parte din curentul prin rezistorul R1 trece i prin tranzistorul T2 i prin
urmare, se culege o parte din curentul bazei tranzistorului T1. Tranzistorul T1 se găsete în regim de blocare (sau
parŃial de blocare) i în acest fel se preîntâmpină (sau se limitează), curentul care trece prin sarcină. Atunci când
parametrii sarcinii se stabilizează, căderea de tensiune pe rezistorul R3 devine mai mică decât 1,1V i
tranzistorul T2 se decuplează. Tranzistorul T2 funcŃionează la tensiunea totală de ieire, însă condiŃiile în ceea ce
privete curentul (sau puterea) nu depăesc condiŃiile corecte pentru tranzistorul T1. În afara regimului de
suprasarcină, tranzistorul T2 se găsete în stare decuplată. La suprasarcini curentul prin tranzistorul T2 este
limitat de rezistenŃa R2 din circuitul de emitor.

2.6 Scheme de transformare a tensiunii continue

Dispozitivele semiconductoare pot fi utilizate destul de eficient în schemele de transformare a tensiunii
continue pentru înlocuirea dispozitivelor vibratoare din convertoarele mecanice i la invertoare. De obicei
termenul de invertor se referă la schema, care se folosete pentru transformarea puterii de curent continuu în
putere de curent alternativ. Dacă însă în continuare acest semnal de ieire alternativ se redresează i se filtrează,
adică la ieire se formează din nou semnalul de curent continuu, atunci această schemă se numete convertor
(transformator de tensiune continuă).
Invertorul comutabil în doi timpi reprezintă cea mai răspândită schemă de transformare a puterii. În
acest caz semnalul acesteia de ieire are forma dreptunghiulară. Când invertorul este destinat transformării
curentului continuu în curent continuu, tensiunea dreptunghiulară se aplică de obicei la redresorul în punte i la
filtru.

2.6.1 Convertor cu reacŃie inversă pe un transformator

În fig.2.16. se arată schema convertorului reacŃie inversă pe transformator care asigură puterea de ieire
în diapazonul de la 15 la 55 W.
Orice dezechilibru de tensiune în această schemă face ca unul din tranzistoare (spre exemplu tranzistorul
T1) să înceapă să conducă un curent oarecare. În continuarea procesului comută tranzistorul T2 în stare
decuplată iar tranzistorul T1 în stare de saturaŃie. Curentul de colector al tranzistorului T1 se mărete. Pe timpul
cât se produce saturaŃia, miezului transformatorului TR1, curentul colectorului tranzistorului T1 crete rapid i se
limitează numai de rezistenŃa din circuitul de colector i de parametrii proprii ai tranzistorului Tensiunea indusă
în bobina transformatorului TR1 când miezul este saturat este egală cu zero. Datorită acestui fapt dispare
excitaŃia din baza tranzistorului T1, acesta se decuplează i curentul său de colector scade la zero.
Când însă miezul ajunge la saturaŃia sa negativă, tranzistorul T2 se decuplează i curentul său devine nul,
caz în care se cuplează tranzistorul T1. Ciclul nou începe de fiecare dată atunci când se atinge nivelul de
saturaŃie la unul din cele două tranzistoare. În schemă sunt introduse rezistoarele RB i RS, care stabilesc
polarizarea pe bazele ambelor tranzistoare T1 i T2.

Fig.2.16. Convertor pe un singur transformator

Parametrii convertorului sunt: - tensiunea de intrare –12V;- tensiunea de ieire 100V, - puterea 55W, - N1=29
spire;N2=275 spire; NB=6 spire.

Această polarizare asigură curentul iniŃial i reduce influenŃa oscilaŃiilor tensiunii în circuitul bază–
emitor. FrecvenŃa de comutare este determinată de construcŃia transformatorului TR1. Tensiunea de ieire pe
înfăurarea secundară se redresează cu ajutorul punŃii redresoare i se filtrează cu condensatorul C1.
 2.5.2 Convertor cu două transformatoare
În figura 2.17. se prezintă o schemă ce conŃine două transformatoare, care asigură puterea de ieire în
diapazonul de la 100 la 250 W. Cu toate că se folosesc două transformatoare, numai transformatorul TR1
lucrează în saturaŃie. Prin urmare, curentul suplimentar necesar pentru saturare este mult mai mic decât curentul
de sarcină. Aceasta permite utilizare transformatorului prealabil relativ de dimensiuni mici (cu miez care se
saturează) pentru stabilizarea regimului transformatorului de putere de dimensiuni mari, relativ necostisitor TR2
(cu miez nesaturabil), care mărete tensiunea de ieire până la valoarea necesară.

Fig.2.17. Convertor cu două transformatoare

Parametrii convertorului sunt: tensiunea de intrare = 12 V, tensiunea de ieire = 500 V, puterea = 250 W; TR1:
N1=35 spire, N2=140 spire; TR2: miez magnetic E1-125; înfăurarea primară 28 de spire, înfăurarea secundară
623 de spire. Spirele în straturi: înfăurarea primară 7/4, înfăurarea secundară 63/10. Dimensiunile
conductoarelor: înfăurarea primară-2 paralele nr. 13, bobinare bifilară; înfăurarea secundară nr. 24;
Dimensiunile miezului A = 30 mm, B = 95 mm, C = 80 mm, D1 = 16 mm, D2 = 16 mm, D3 = 48 mm.
Când unul dintre tranzistoare (spre exemplu tranzistorul T1) conduce curent, tensiunea sa de colector
variază de la tensiunea sursei de alimentare până la valoarea nulă (de saturaŃie). Această tensiune se dezvoltă în
înfăurarea primară a transformatorului TR2 i se aplică pe înfăurarea primară a transformatorului TR1 prin
rezistorul de reacŃie inversă RF. În acest fel de la tranzistorul T2 polarizarea se elimină, iar tranzistorul T1 începe
să conducă curent. În momentul când miezul transformatorului T1 atinge saturarea, acest curent care crete
provoacă căderea suplimentară de tensiune pe rezistorul RF i provoacă saturaŃia tranzistorul T1 i blocarea
tranzistorului T2. Tranzistorul T2 continuă să rămână în această stare până când se atinge saturarea inversă a
transformatorului. În continuare schema se comută în starea iniŃială i ciclul se repetă.
Curentul de colector al tranzistorului în conducŃie se compune din curentul sarcinii, curentul de
magnetizare al transformatorului TR2 i curentul de reacŃie inversă, necesar pentru excitarea corespunzătoare a
schemei. Curentul de magnetizare a transformatorului TR2 nu depăete niciodată curentul nominal de sarcină,
pentru că nu se admite regimul de saturaŃie al transformatorului TR2. Rezistoarele RB i RS sunt destinate pentru
stabilirea polarizării în bazele tranzistoarelor T1 i T2. Această polarizare asigură curentul iniŃial i micorează
influenŃa oscilaŃiilor tensiunii în circuitul bază-emitor. FrecvenŃa de comutare este determinată de construcŃia
transformatorului TR1 i de valoarea rezistorului de reacŃie inversă RT.
 3. Amplificatoare

3.1. NoŃiuni generale

Circuitul în care semnalul de la intrare, de mică putere comandă transmiterea unei puteri mult mai mari
din sursa de alimentare în sarcină, se numete amplificator.
Amplificatoarele se pot realiza cu elemente amplificatoare semiconductoare sau cu tranzistori bipolari i
cu efect de câmp. În acelai scop se folosesc i circuitele integrate amplificatoare care încorporează totalitatea
componentelor de bază ale schemei electronice. Celula de baza cea mai simplă care realizează amplificarea se
numete etaj amplificator.
Semnalele electrice emise la intrarea amplificatoarelor pot fi de mărime variabilă în mod continuu, în
mod particular sub forma oscilaŃiilor armonice, precum i sub forma impulsurilor de polaritate diferită. Se poate
considera ca în regimuri stabilizate, majoritatea mărimilor fizice sunt constante sau sunt variabile, cum sunt spre
exemplu tensiunea si frecvenŃa reŃelei, viteza de rotire a motorului, presiunea apei la hidrocentrale. În regimuri
tranzitorii, i îndeosebi în caz de avarie, aceleai mărimi fizice se pot modifica rapid.
Un amplificator poate fi considerat ca un cuadripol i reprezentat ca în figura 3.1.

Fig.3.1. Reprezentarea unui amplificator – schema cuadripolară

Cele mai des utilizate în practică sunt amplificatoarele care pot funcŃiona atât cu semnale variabile cât i
cu semnale continue sau lent variabile. Aceste amplificatoare se numesc de curent continuu, cu toate că ele
amplifică i componenta alternativă i în marea lor majoritate ele sunt amplificatoare de tensiune i nu de
curent. Amplificatoarele de curent continuu nu pot lega sursa de alimentare cu receptorul de semnal prin
transformatoare i capacităŃi care nu permit trecerea componentei continue a semnalului. Această dificultate la
prima vedere este rezolvată prin soluŃii tehnice astfel încât microelectronica realizează în cadrul circuitelor
integrate semiconductoare totalitatea componentelor necesare amplificatoarelor de curent continuu.

[Link] amplificatoarelor

După banda de frecvenŃă se împart în:

• Amplificatoare de curent continuu, care amplifică semnale cu variaŃie în timp oricât de lentă;
• Amplificatoare de joasă frecvenŃă, cu banda de funcŃionare cuprinsă între 20Hz-20kHz;
• Amplificatoare de videofrecvenŃă sau bandă largă funcŃionând de la frecvenŃe de ordinul hertzilor până
la ordinul MHz;
• Amplificatoare de radiofrecvenŃă, care amplifică semnale de frecvenŃe foarte înalte.

După lărgimea benzii de frecvenŃă există:

• Amplificatoare aperiodice sau neacordate, care permit amplificarea unor semnale cuprine într-o bandă
largă de frecvenŃe;
• Amplificatoare selective sau acordate, care amplifică semnale într-o bandă îngustă de frecvenŃe;

După mărimea semnalului amplificat se disting:

• Amplificatoare de semnal mic (amplificatoare de curent sau de tensiune) ;
 • Amplificatoare de semnal mare (amplificatoare de putere).

Clasificarea amplificatoarelor se poate face duă regimul de funcŃionare al dispozitivului electronic

amplifictor i anume: amplificatoare clasă A, clasă B sau clasă C. Deosebirea dintre ele se face după durata
de conducŃie a dispozitivului electronic amplificator într-o perioadă(2π) a semnalului amplificat.

3.1.2. Amplificarea

Amplificarea sau câtigul se definete ca raportul dintre mărimea semnalului de ieire a amplificatorului
i măriea semnalului de intrare, i poate fi de tensiune, curent sau putere. Amplificarea este o mărime care
depinde de frecvenŃa semnalului de intrare, datorită dispozitivelor electronice care prezintă reactanŃe în
circuitele lor echivalente, precum i a folosirii în schemele amplificatoarelor de elemente reactive, astfel se
poate scrie expresia: A= Aejϕ
unde A reprezintă modului amplificării, iar ϕ defazajul între mărimile de intrare i ieire. Valoarea amplificării
se poate exprima adimensional sau în unităŃi logaritmice: decibeli sau neperi.

3.1.3. Distorsiunile amplificatoarelor

• Distorsiunile de amplitudine
Datorită dependenŃei de frecvenŃă a modulului amplificării, componentele de diferite frecveŃe ale
semnalului vor fi neuniform amplificate, apărând distorsiuni de amplitudine. Aprecierea distorsiunilor de
A
amplitudine se face cu ajutorul valorii normate M a amplificării: M= , unde Ao se numete amplificarea la
Ao
frecvenŃe medii sau centrale.
• Distorsiunile de fază
Între răspunsul amplificatorului i semnalul de intrare există un defazaj, datorat atât elementelor reactive
din circuit cât i datorită dispozitivului electronic. Distorsiunile de amplitudine i de fază se numesc distorsiuni
liniare, deoarece sunt produse de elemente reactive din scheme i care au un comportament liniar.
• Distorsiuni neliniare
Aceste distorsiuni apar datorită prezenŃei elementelor neliniare în circuitul amplificatorului ca:
dispozitive electronice, transformatoarele i bobinele realizate pe miezuri feromagnetica. Din această cauză,
dacă la intrarea amplificatorului se aplică un semnal sinusoida, forma răspunsului se abate de la sinusoidă, fiind
un semnal periodic, cu aceeai perioadă ca a semnaluluide la intrare. De aceea poate fi descompus într-o serie
Fourier, de unde rezultă că este format dintr-o componentă fundamentală i o infinitate de armonici. Astfel, apar
la ieirea amplificatoarelor componente de frecveŃe care nu existau la intrare.

3.2. Amplificatoare cu tranzistoare bipolare

Un circuit amplificator primete la intare semnalul de amplificat, furnizat de un generator de semnal i
furnizează la ieire pe o sarcină un semnal amplificat. FuncŃionarea tranzistorului ca amplificator depinde de
modul său de conectare, de impedanŃa internă a generatorului de semnal i de impedanŃa de sarcină. Pentru
simplifiare se consideră în continuare un generator de semnal cu impedanŃa internă nulă.

3.2.1. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiune emitor comun

[Link]. Caracteristica de transfer a etajului cu tranzistor în emitor comun

În figura 3.2. se prezintă schema amplificatorului cu emitor comun cu tranzistorul de tipul n-p-n.
Semnalul de intrare se amplifică în baza tranzistorului sub forma tensiunii uBE i curentului iB.
 Fig 3.2. Schema simplă de cuplare a tranzistorului înconexiune emitor comun

RelaŃia uCE = f(uBE) se numete caracteristica de transfer a etajului. Prin creterea tensiunii uBE crete
curentul iB precum i curentul iC conform relaŃiei:
iC = (β+1)IcBi + βiB (3.1)
Ca rezultat se mărete căderea de tensiune pe rezistorul Rc i se micorează tensiunea:
uCE = Ec - R ic (3.2)
Când tensiunea uCE ajunge la valoarea UCES creterea în continuare a lui uBE nu mai provoacă
modificarea tensiunii uCE si a curentului iC, care curge prin rezistenŃa de sarcină Rc.
În acest regim, pe rezistenŃa de sarcină RC se aplică tensiunea EC - UCES i din acest motiv curentul de
E − U CES
colector este egal cu: iC = ICS = C (3.3)
RC
Caracteristica de transfer a etajului arată că, prin variaŃia tensiunii uBE sau a curentului iB în circuitul de
mică putere a sursei de semnal se pot varia valorile curentului iC si a tensiunii uCE din circuitul sursei Ec de mai
mare putere.

Fig. 3.3. Caracteristica de transfer a etajului cu tranzistor

în emitor comun

Tensiunea de colector se poate schimba numai in limitele:UCES = uCE = EC (3.4)

E C − U CES
iar curentul in limitele: ICBi = iC = (3.5)
RC
care corespunde secŃiunii a II-a pe caracteristica de transfer din figura alăturată. Pentru valori negative ale lui
uBE si pe secŃiunea I a caracteristicii de transfer, prin tranzistor trece numai curentul mic recomandat al
joncŃiunii de colector, iar pe secŃiunea a III a, uCE = UCES iar tranzistorul îi pierde calitatea de amplificator. De
asemeni, se constată din secŃiunea a II-a că prin creterea lui uBE se micorează uCE.
Regimurile de funcŃionare ale etajului de amplificare se numesc clase de amplificare i pot fi analizate
pe baza caracteristicii de transfer.
 În figura de mai sus, la intrarea etajului se aplica semnalul de intrare uint(t) de forma oarecare cu ambele
polarităŃi i forma tensiunii pe colector uCE(t) în diferite clase de amplificare.
Clasa de amplificare B este caracterizată de uBE = uint. Datorită neliniarităŃii caracteristicii de transfer a
etajului în clasa B, la ieirea acestuia se transmite semnalul numai de o singura polaritate pentru uint>0. Aceasta
clasă de amplificare se folosete atunci când este necesară amplificarea impulsurilor de o singură polaritate.
În cazul transmiterii semnalului cu ambele polarităŃi la intrare, forma acestuia la ieire este distorsionată, iar o
parte din informaŃia conŃinută în semnal este pierdută definitiv.
În cazul funcŃionării etajului în clasa de amplificare A, la intrarea acestuia se aplică pe lângă semnalul
uint(t) i o tensiune constantă care deplasează punctul de lucru pe caracteristica de transfer, astfel încât:
uBE = uint + Ud (3.6)
Datorită tensiunii de deplasare, semnalul de intrare se poate reproduce în totalitate, fără distorsiuni de
formă, pentru că valoarea lui uBE corespunde în mod continuu secŃiunii a II-a pe caracteristica de transfer.
Regimul de repaus corespunde regimului de funcŃionare al amplificatorului, când la acesta se aplică tensiunea
sursei de alimentare i tensiunea de deplasare, dar în lipsa tensiunii de semnal.
În acest regim, uBE = UBEr i iB = IBr iar uCE = UCEr. Când se aplică tensiunea uint negativă sau pozitivă, se
micorează sau respectiv se măresc curenŃii iB si iC precum i căderea de tensiune pe Rc in mod corespunzător,
astfel încât uCE se mărete sau respectiv se micorează: uCE = UCEr+ ∆ UCE, (3.7)

unde: ∆ UCE = uiesire reprezintă efectul de amplificare.

În regimul de funcŃionare cu semnal mare la intrare, modificarea tensiunii de intrare cuprinde toate
secŃiunile caracteristicii de transfer (I-III), iar forma semnalului transmis este distorsionată i limitată în
amplitudine. Asemenea situaŃii sunt specifice în tehnica impulsurilor, unde limitarea amplitudinii impulsurilor
dreptunghiulare nu are urmări semnificative. Alegerea clasei de amplificare i a regimului de repaus determină
nu numai forma semnalului transmis, dar i pierderile de putere care produc încălzirea tranzistorului, astfel:
1T
PC= ∫ u CE ⋅ i C dt
T0
(3.8)

Pe diagrama din figura 3.3. cu linie punctată se arată variaŃia puterii P în regim de repaus, în funcŃie de
tensiunea de deplasare UBEr. Se constată că prin alegerea valorii lui UBEr, în mijlocul secŃiunii a II-a, pe
caracteristica de transfer, corespunde pierderilor maxime de putere in tranzistor.

[Link]. Regimul de repaus în etajul cu emitor comun

Pentru analiză se consideră că etajul cu emitor comun funcŃionează în clasa A de amplificare.

Schema din figura 3.4 conŃine suplimentar rezistenŃa sarcinii de colector RCS pe care se aplică tensiunea
de ieire uie iar circuitul de intrare este reprezentat în mod convenŃional sub forma cuplării în serie a două surse
de tensiune uint i Ud.
În figura 3.5 se prezintă diagramele de timp ale tensiunilor i curenŃilor pentru etajul de amplificare cu
emitor comun. Când uint = 0, în regimul de repaus prin tranzistori există curenŃii continui, IBr, ICr, IEr, iar pe baza
i pe colectorul tranzistorului se aplică tensiunile continue UBEr, i UCEr ≠ 0. Pentru ca Uies= 0, în regim de
repaus, în circuitul sarcinii RS este necesară introducerea sursei de tensiune continuă, pentru compensare Ucomp
= UCEr.
La aplicarea tensiunii de intrare, curenŃii i tensiunile în tranzistori se modifică cu valorile ∆ UBE = uint,
∆ I B, ∆ I C, ∆ IE, ∆ UCE = Uies, care sunt arătate în figura 3.5 pentru cazul când semnalul la intrare are o formă
oarecare. Valorile instantanee ale curenŃilor i tensiunilor în tranzistor se pot determina cu ajutorul metodei
grafice, care reprezintă una dintre metodele eficiente de analiză a circuitelor neliniare.
Fig. 3.4. Etaj cu emitor comun Fig. 3.5. Diagramele de
timp ale curenŃilor i tensiunilor la etajul cu emitor comun

Caracteristica de ieire a schemei din figura 3.2. care conŃine un singur element neliniar - tranzistorul, se
determină astfel:
iC = f (uCE) pentru I B = constant (3.9)
Dacă se consideră că în circuitul de sarcină se cuplează sursa tensiunii de compensare Ucomp = UCEr,
atunci în regim de repaus, curentul, în circuitul de sarcina (RS, Ucomp) nu se divide, iar ecuaŃia părŃii lineare a
schemei de serie este de forma:
E − u CEr
iC= C (3.10)
RC
Pentru realizarea sistemului de ecuaŃii compus din (3.9) i (3.10) se folosete metoda grafică în care scop
pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (fig. 3.6) se trasează linia de sarcină în curent continuu,
E
descrisă de ecuaŃia (3.10). Astfel, se obŃine că, pentru iC = 0, uCE = EC, iar pentru uCE = 0, iC = C . Prin aceste
RC
două puncte stabilite, se trasează linia dreaptă.
Dacă curentul bazei în regim de repaus este IBr, atunci intersecŃia dreptei de sarcină pe curent continuu
cu caracteristica de ieire a tranzistorului pentru iB = IBr va corespunde soluŃiei de rezolvare a sistemului de
ecuaŃii, respectiv punctului de repaus O (UCEr, I Cr).
 Fig. 3.6. Calculul grafic al etajului cu emiter comun - caracteristica de ieire când IB= IBr i este încălzire

În mod general condiŃia Ucomp = UCEr nu se îndeplinete i curentul de colector se împarte i prin
circuitul RS. În acest caz, partea lineară a schemei compusă din EC, RC, Ucomp, RS se înlocuiete cu valorile
rezistenŃelor i tensiunilor echivalente Rechiv i Eechiv , care se determină pe baza teoremei generatorului
echivalent astfel:
R CRS
R echiv =
(R C + R S )
 R R  U E 
E echiv =  C S  echiv + C 
 R C + R S  R S RC 
Valorile lui Rechiv i Eechiv se introduc în locul lui RC i respectiv EC în ecuaŃia (3.10) i pe această bază
se construiete linia de sarcină în curent continuu.
Analiza grafică a etajului în prezenŃa semnalului la intrare se face în mod analog. În acest scop se
urmărete circuitul de trecere al curentului ∆ IC prin partea lineară a schemei. Acest curent poate trece prin RC i
EC, precum i prin Ucomp i RS. Având în vedere ca rezistenŃa surselor de tensiune continuă pentru modificarea
curentului ∆ I, adică rezistenŃa acestora la acŃiunea componentei alternative a curentului este egală cu zero, iar
ecuaŃia părŃii lineare a schemei are forma:
∆U CE (R C + R S ) ∆U CE
I C= = ) (3.11)
R CRS RC RS
unde, RC RS reprezintă valoarea rezistoarelor respective legate în paralel.
În continuare, se rezolvă în comun ecuaŃiile (3.9) i (3.11) în care scop pe familia caracteristicilor de
ieire ale tranzistorului (fig.3.6.) se trasează dreapta de sarcină pe curent alternativ AOB prin punctul de repaus
în concordanŃă cu expresia (3.11). Pentru că RC>(RC RS), linia dreapta AOB este mai înclinată decât dreapta
de sarcina pe curent continuu.
Prin creterea curentului iB, punctul de lucru al etajului determinat de valorile lui uCE i iC, se deplasează
în sus pe dreapta OA, curentul iC crete iar tensiunea uCE scade. Prin micorarea curentului din bază, punctul de
lucru se deplasează pe dreapta OB, curentul iC scade iar tensiunea uCE crete. Dreapta AOB reprezintă traiectoria
punctului de lucru al etajului.
Metoda grafică de analiză permite studierea neliniarităŃii caracteristicilor tranzistorului i permite
analiza acŃiunii semnalelor oarecare în orice clasă de amplificare. Metoda grafică este totui greoaie i nu
permite alegerea parametrilor elementelor constitutive ale etajului pe baza condiŃiilor date apriori. Calitatea
esenŃială a metodei grafice de analiză constă însă în aceea că oferă o reprezentare concludentă asupra
funcŃionării etajului ca schemă cu elemente neliniare.
Trebuie de remarcat că prin creterea temperaturii, crete valoarea lui Icr iar caracteristica de ieire se
deplasează în sus prin menŃinerea egalităŃii IB = IBr, aa cum se vede în figura 3.6., cu linie întreruptă. Punctul de
repaus se deplasează în sus pe linia de sarcină pe curent continuu din punctul O in O', ceea ce face ca
modificările de semnal să iasă din secŃiunea a II-a a caracteristicii de transfer (fig. 3.5.) iar forma curbei
semnalului să fie distorsionată (curba uies în cazul încălzirii pe fig. 3.6.).
Datorită acestui fapt, la amplificatoarele cu tranzistoare este necesară stabilizarea punctului de repaus; în
mod practic nu se folosesc etaje cu tranzistoare fără măsuri corespunzătoare de stabilizare a punctului de repaus.
Această stabilizare este de asemeni necesară i pentru prevenirea situaŃiilor în care prin înlocuirea
tranzistoarelor se modifică de regulă regimurile de lucru, datorită faptului că marja de variaŃie a caracteristicilor
tranzistoarelor este mare in jurul datelor de catalog.

[Link]. ReacŃii inverse i stabilizarea regimului de repaus

Pentru stabilizarea regimului de repaus se introduce legătura de reacŃie inversă care se referă la
transmiterea informaŃiei sau energiei de la ieirea etajului sau sistemului la intrarea acestuia. Cu ajutorul
legăturii inverse se pot obŃine scheme noi, cu calităŃi deosebite. Teoria legăturilor inverse constituie baza teoriei
reglării automate. Semnalul de legătura inversă depinde de unul din parametrii de ieire ai instalaŃiei de
tensiune, de curent, de frecvenŃa de rotire a motorului, de temperatură, i altele. La intrarea schemei are loc
însumarea semnalului de intrare i a semnalului de legătură inversă. Dacă aceste semnale se însumează astfel
încât tensiunile lor se însumează algebric, atunci legătura inversă se numete în serie. Dacă se însumează
curenŃii algebric, atunci legătura inversă este paralelă. Dacă la intrare se adună semnale de semne diferite,
legătura inversă este negativă, iar semnalul rezultat este mai mic decât semnalul de la intrare. În acest caz,
semnalul la ieire se micorează însă sporete stabilitatea mărimii de ieire.
În cazul legăturii inverse pozitive la intrare, se aplică suma semnalului de intrare i semnalul invers.
Semnalul la ieire se mărete, dar stabilitatea parametrilor de ieire scade. ReacŃia inversă pozitivă se folosete
pentru accelerarea proceselor tranzitorii precum i în schemele generatoarelor si ale instalaŃiilor cu funcŃionare
în impulsuri.
Pentru stabilizarea punctului de repaus al etajului cu emitor comun, se introduce in schema acestuia
rezistorul RE pe care cade tensiunea uE = iERE ≈ iCRE i care se aplică la intrarea tranzistorului astfel:
UBE = uin t+ Ud - uE (3.12)
Tensiunea uE reprezintă semnalul de reacŃie inversă care este proporŃională cu curentul de ieire a
tranzistorului iE ≈ iC, adică în cazul dat, reacŃia inversă este pe curent. La intrare se produce scăderea tensiunilor,
din care motiv reacŃia inversă este de tip serie i negativă.
S-a arătat că prin încălzirea tranzistorului se mărete β i ICr, datorită cărui fapt crete componenta
continuă a tensiunii de reacŃie inversă : UEr = IEr·RE ≈ ICrRE
În conformitate cu (3.12), -UBEr = Ud – UEr se micorează, se reduce tensiunea directă pe joncŃiunea de
emitor i, ca rezultat, se micorează curenŃii tranzistorului IBr, ICr i IEr.
Astfel, reacŃia inversă stabilizează curenŃii tranzistorului în regim de repaus, cu atât mai mult cu cât este
mai mare RE, pentru că în acest fel crete semnalul de reacŃie inversă. Stabilizarea punctului de repaus se face
însă cu pierderi. Astfel, când la intrarea etajului se aplică semnal de intrare pozitiv, sau negativ uint, se măresc
sau respectiv se micorează curenŃii iE si iC, precum i căderea de tensiune pe RE care reprezintă semnalul de
reacŃie inversă.
Din expresia (3.12) se determină modificarea de tensiune dintre bază i emitor:
∆ UBE = uint - ∆ UE
Tranzistorul se comandă cu tensiunea | ∆ UBE| < |uint|, din care cauză ∆ IB, ∆ IC i ∆ UCE devin mai mici,
se micorează astfel i uies i coeficientul de amplificare al etajului
Pentru limitarea acŃiunii negative a reacŃiei inverse asupra amplificării etajului, se limitează în practică
tensiunea UEr la nivelul de maximum 0,1 EC, chiar dacă i în acest caz acŃiunea reacŃiei inverse este suficient de
mare. ContradicŃia dintre cerinŃele de stabilitate ale punctului de repaus i de obŃinere a unei amplificări cât mai
mari, se rezolvă în etajul diferenŃial.
La alegerea punctului de repaus în clasa A este necesară eliminarea distorsiunilor semnalului în care
scop traiectoria punctului de lucru trebuie limitată la sectorul AOB din figura 3.6.
În acest caz, puterea dirijată pe tranzistor trebuie sa fie minimă. Pentru îndeplinirea acestor condiŃii este

suficientă alegerea următoare:UCEr = UCES+ ∆ UC r+ Uiemax (3.13)

ICr = (β+1)ICbi + Uiesmax /(RC RS) (3.14)

unde, UCES este valoarea tensiunii care corespunde intersecŃiei sectorului de cretere rapidă a caracteristicilor de
ieire ale tranzistorului; ∆ UCr este rezerva la deplasarea punctului de repaus O, datorită încălzirii; ∆ Uiesmax este
amplitudinea maximă a semnalului de ieire.
Prin respectarea relaŃiilor (3.13) i (3.14), traiectoria punctului de lucru a etajului nu depăete domeniul
uC>UCES, iC>iCBi(β+1) care corespunde sectorului II pe caracteristica de transfer din fig 3.5. atât pentru
temperaturi minimale cât si maximale.
Când: Ucomp= UCEr

E C − U CEr − U Er
atunci I Cr =
RC
RezistenŃa din circuitul colectorului se determină din rezolvarea acestei ecuaŃii împreună cu (3.14.) astfel:

E C − U CEr − U ie max

RC =
U ie max
I CBi (β + 1) +
RS

[Link]. Schema echivalentă i parametrii principali ai etajului cu emitor comun

Pentru calculul parametrilor de amplificare a etajelor se folosete metoda bazată pe liniarizarea
caracteristicilor volt-amper a tranzistorului. Prin metoda liniarizării caracteristicilor neliniare, se pierd
informaŃii despre elementul real i despre limitările determinate de neliniaritate. Analiza amplificatoarelor se
poate face numai pentru componentele alternative de curent si tensiune, în clasa de amplificare A.
Pentru calculul componentelor alternative, elementul de amplificare se înlocuiete cu schema lineară
echivalentă. În zona în care caracteristicile de ieire sunt paralele cu abscisa, tranzistorul funcŃionează ca sursă
∆U CE
de curent iC, a cărei variaŃie se poate scrie sub forma: ∆I C= β∆I B+ (3.15)
rC*
∆U CRE
unde: rC* = (3.16)
∆I C
este rezistenŃa dinamică de ieire a tranzistorului cu emitor comun când IB = constant, cauzată de înclinarea
secŃiunii caracteristicilor de ieire. RezistenŃa rC* este de ordinul104 Ω .
În acest fel, circuitul de ieire, de colector a tranzistorului reprezintă o sursă comandata de curent cu
rezistenŃa internă egala cu rC*. Circuitul de intrare în baza tranzistorului este descris de ecuaŃia următoare:
∆U BE
∆I B= , (3.17)
rint E
unde, rintE este rezistenŃa dinamică de intrare a tranzistorului cu emitor comun. Pentru tranzistoarele de putere
mică, această rezistenŃă are valoarea de ordinul 10k Ω , iar pentru tranzistoarele de putere, ea este mai mică.
Schema echivalentă a tranzistorului pentru componentele alternative se prezintă în figura 3.7:
 Fig. 3.7. Schema de substituŃie a tranzistorului cu
emitor comun pe componentă alternativă

Schema are o serie de avantaje faŃă de alte scheme de substituŃie, prin aceea că parametrii ei se
determina relativ uor din caracteristicile volt-amper a tranzistorului, reprezentarea elementelor din schemă
corespunde unităŃilor de măsură a mărimilor respective, iar formele de calcul sunt simple i corespund
interpretării fizice.

(a)
(b)
Fig. 3.8. Schema de substituŃie a tranzistorului cu emiter comun pe componentă alternativă: cu parametrii h -

(a); cu parametrii fizici- (b)

Etapele de calcul pentru componentele variabile ale curenŃilor i tensiunilor etajului este următoarea:
• Se înlocuiete tranzistorul cu schema de substituŃie din figura 3.7.
• Se înlocuiete partea lineară a schemei etajului cu rezistenŃele
echivalente pentru curentul alternativ, având în vedere că sursele de tensiune constantă (EC, Ud, Ucomp ) pentru
componenta variabilă a curentului au rezistenŃa nulă i deci se pot pune în scurt-circuit.
• Se calculează pe baza schemei de substituŃie obŃinută a etajului, parametrii electrici ai circuitului linear
prin metode cunoscute.
În figura 3.9a, se prezintă schema de substituŃie a etajului cu emitor comun pe baza figura 3.4.

(a) (b)
(b)
La colectorul tranzistorului se cuplează în paralel rezistoarele RC (sursa EC prin scurtcircuitarea
punctelor 1 i 2 din figura 3.4) i RS (prin scurtcircuitarea Ucomp) la emitor se cuplează rezistorul RE, iar între
bază i punctele 1,2 se cuplează sursa semnalului de intrare. Pe baza schemei de substituŃie a etajului din fig.3.9
a, se determină parametrii care caracterizează calităŃile lui de amplificator, fără a lua în considerare influenŃa lui
rC* datorită faptului că valoarea acesteia este mare.
 • Determinarea rezistenŃei de intrare

Se definete rezistenŃa de intrare prin relaŃia:

u
Rint = int (3.18)
i int
uint= ∆ IB rintE + ∆ I ERE = ∆ IB[rintE+(β+1)RE], (3.19)
pentru că ∆ IE = ∆ IB+ ∆ IC = (β+1) ∆ IB. (3.20)

Astfel: Rint = rintE + (β+1)RE (3.21)

Când RE=0, adică atunci când etajul nu are stabilizare a punctului de repaus, Rint = rintE
Valoarea lui Rint la etajele cu emitor comun de putere mică, este de ordinul a 10kΩ.

• Determinarea coeficientului de amplificare pe tensiune în regim de mers în gol KU0

u
KU0 = ies pentru RS= ∞ se face prin exprimarea tensiunii prin curenŃi astfel:
u int
∆I C ⋅ R C βR C
KU0= = (3.22)
∆I B ⋅ R int rint E + (β + 1)R E

Când RE = 0, atunci KU0= βRC / rintE.

Valoarea lui KU0 este de ordinul 10kΩ la etajele la care RC>>RE. RelaŃia (3.22) arată că prin mărirea lui
RE, adică prin creterea stabilităŃii punctului de repaus, coeficientul de amplificare pe tensiune scade mult.

• Determinarea rezistenŃei de ieire Ries

RezistenŃa de ieire se determină pe baza teoremei generatorului echivalent. Această rezistenŃă se

găsete între bornele de ieire ale amplificatorului când sunt decuplate toate sursele de semnal, adică sunt
întrerupte sursele de tensiune i sursele de curent sunt scurtcircuitate.
Se consideră că: uint = 0, atunci β ∆ IB = 0

Rezultă : Ries = RC (3.23)

Coeficientul de amplificare pe tensiunea etajului, când RS este diferit de 0 se determină astfel:
u R int RS
K U = ies = K Uo = K Uo γ int ⋅ γ ie (3.24)
Eg R S + R g R S + R ie
unde: γint si γies sunt coeficienŃii care iau în considerare pierderea de semnal în circuitul de intrare pe rezistenŃa
Rg i respectiv în circuitul de ieire pe rezistenŃa Ries.
Întotdeauna coeficientul KU<KUo, deci:
Coeficientul de amplificare a etajului pe curent se determină din:
i K R
KI = ies = uo int (3.25)
i int R S + R ies
Dacă se are în vedere că la etajul de amplificare cu emitor comun KUo>1, atunci KI>1. Coeficientul de
amplificare in putere:
P
Kp = ies = KU KI >>1 (3.26)
Pint
Pentru obŃinerea amplificării maxime în tensiune este necesar ca Rint>> Rg i Ries<<Rg.
 [Link]. Etajul diferenŃial

După cum s-a arătat, utilizarea etajelor cu emitor comun este dificilă pentru că, stabilizarea regimului de
repaus cu ajutorul rezistenŃei RE este însoŃită de reducerea substanŃială a coeficientului de amplificare al
etajului.
De asemenea, cuplarea etajelor de amplificare este însoŃită de micorarea amplificării datorită pierderilor
pe elementele rezistive pentru eliminarea micorării lui KU, fiind necesară utilizarea schemei cu sursa de
alimentare complexă i costisitoare în condiŃiile totui de existenŃă a dreifului nulului. DificultăŃile arătate pot fi
substanŃial reduse în etajul diferenŃial, a cărei schemă în forma cea mai simplă se prezintă în figura 3.10.
Tranzistoarele T1, T2, i rezistoarele RC1 si RC, formează
puntea în una din diagonalele cărora se cuplează sursa de
alimentare +EC1 i –EC2 iar în cealaltă diagonală se cuplează
sarcina. Etajul diferenŃial se mai numete i etaj paralel balansat.
Parametrii superiori se pot însă obŃine în condiŃiile asigurării înalte
a simetriei punŃii.

Fig.3.10. Etaj simetric diferenŃial

În etajul simetric trebuie ca RC1 = RC2 = RC iar tranzistorii

trebuie să fie identici, condiŃie care se poate respecta prin realizarea
tranzistoarelor pe un singur cristal i cu aceeai tehnologie, motiv
pentru care etajele diferenŃiale se utilizează în prezent numai sub
forma sau în componenŃa circuitelor integrate. Regimul de repaus
corespunde situaŃiei când Uint1= Uint2 = 0.
Tensiunea de deplasare la ambele tranzistoare este aceeai:
UBEr1 = UBEr2 = -UE (3.27)

UEr= -EC2 + (I Er1 + IEr2)RE <0 (3.28)

Datorită faptului că tensiunile pozitive de deplasare pe bazele tranzistoarelor sunt egale, curenŃii vor fi
egali: IBr1= IBr2, ICr1= Icr2 i IE1= IEr2.
CurenŃii de conector dau natere la căderi de tensiune pe rezistoarele RC1 si RC2 motiv pentru care:
UCEr1 = UCEr2 = EC1-Icr1Rc1 - UEr = EC1 - ICRr2RC2 - UEr (3.29)

La ieirea etajului: u ies = UCE2 –U CE1 = 0

În acest etaj se realizează stabilizarea regimului de repaus. Dacă prin încălzire ICr1 si ICr2 cresc, atunci
cree si curentul care curge prin rezistenŃa RE, iar tensiunea UEr crete. Tensiunea UBEr1 = UBEr2 = UEr se
micorează, funcŃiunile de emitor ale tranzistoarelor vor permite trecerea unui curent mai mic i ca rezultat
curenŃii de colector Icr1 si Icr2 se vor stabiliza.
Tensiunea ∆ UEr reprezintă semnalul care stabilizează curentul total (IEr1 + IEr2).
La etajul diferenŃial, RE este mare, datorită cărui fapt stabilizarea punctului de repaus se face cu mare
precizie, astfel încât se poate considera că IEr1 + IEr2 = const. adică prin rezistorul RE se transmite în schema
etajului un curent stabilizat. FuncŃionarea etajului nu se modifică dacă se înlocuiete RE cu o sursă
corespunzătoare de curent (IEr1 + IEr2).
Pentru analiza derivei nulului se consideră că sursa de alimentare EC1 este instabilă i că ea se modifică
prin cretere astfel încât se mărete tensiunea pe colectoare cu valoarea ∆ UCE1 = ∆ UCE2. În acest caz, deriva
nulului este zero, pentru că ∆ Uies este zero.
Dacă prin încălzire se mărete curentul de colector ∆ IC1 = ∆ IC2, pentru că tranzistorii sunt identici. În
acest caz, ∆ UCE1 = ∆ UCE2, ∆ Uie = 0 i deriva nulului este de asemeni 0. În acest fel orice modificare simetrică
care apare în schemă nu produce deriva nulului. Este de remarcat faptul ca în realitate simetria elementelor
componente ale schemei este totui relativă astfel încât deriva nulului nu se anulează complet, însă ea devine
atât de mică încât semnalul pe care îl produce este mult mai mic decât semnalul de amplificat care se aplică la
intrarea etajului diferenŃial.

Prin aprecierea cantitativă a parametrilor de amplificare a etajului diferenŃial, se utilizează schema de

substituire a etajului pentru componente alternative. În acest scop, tranzistorii sunt înlocuiŃi cu schemele de
substituire din figura 3.7.,neglijând rC*= ∞ , se scurtcircuitează sursa de curent continuu EC1 si –EC2 i se desface
circuitul de curent continuu IE1+IE2, se înlocuiete RE prin desfacerea circuitului respectiv, pentru că prin RE
trece curentul în care lipsesc modificările variabile pentru care rezistenŃa acesteia este infinită.
Schema de substituire a etajului diferenŃial este arătată în figura 3.11:

Fig.3.11. Schema de substituire a etajului diferenŃial simetric pe componenta alternativă

Pentru că iE1+ iE2=const.,

i +i
atunci iB1 + iB2 = E1 E 2 = const, (3.30)
β +1
astfel încât: ∆ IB2 = - ∆ IB1.
Modificările curentului de intrare al sursei uint1 trece prin tranzistorul T1, prin circuitul de emitor a lui T2
i se închid prin sursa de semnal uint2, care are punct comun cu sursa uint1. Pe circuitul de substituŃie acest traseu
al curentului este marcat prin linie punctată. Aplicând legea lui Ohm la acest circuit, se obŃine relaŃia:
u − u int 2
IB1= int 1 = - ∆ IB2 (3.31)
2rint E
u − u int 2
IC1= β ∆ IB1 = β int 1 = - ∆ IC2 (3.32)
2rint E
Când RS = ∞ , atunci ∆ UCE1= - RC1 ∆ IC1
i ∆ UCE2= - RC2 ∆ IC2 = - ∆ UCE1
u ies ∆U CE 2 − ∆U CE1 βR C
astfel, KU0= = = (3.33)
u int 1 − u int 2 u int1 − u int 2 rint E
Se confirmă astfel din nou că circuitul de emitor care servete pentru stabilizarea regimului de repaus nu
influenŃează asupra coeficientului de amplificare în etajele diferenŃiale. ReacŃia inversă pe componenta
alternativă în aceste etaje nu există. Prin compararea formulelor (3.7.7) cu (3.5.8) se constată că ele coincid dacă
se consideră că RE = 0.
u − u int 2
Rezultă deci că: Rint = int 1 = 2rintE (3.34)
∆I int
unde ∆ Iint = ∆ IB1.
Comparând expresia (3.34) cu (3.21) se constată creterea de două ori a Rint, determinată de trecerea
curentului surselor de semnal prin ambele tranzistoare. Prin egalarea lui Uint1= 0 i a Uint2 = 0, se determină Ries.
În cazul semnalelor nule de intrare, rezistenŃa etajului din partea de ieire este:
 Ries = 2RC (3.35)
În situaŃia aceasta rezistenŃa de ieire a crescut de două ori în comparaŃie cu valoarea determinată cu
ajutorul expresiei (3.23).
Valorile obŃinute pentru KU0 fără semnal la intrare, pentru Rint si Ries se utilizează pentru realizarea
schemei generalizate de substituŃie a etajului diferenŃial, la intrarea căruia se aplică diferenŃa semnalelor uint1-
uint2. Calculul parametrilor de amplificare ai etajului se face în continuare pe baza expresiilor (3.24) (3.26).
Etajul diferenŃial amplifică diferenŃa semnalelor, din care motiv

uies = KU(uint1-uint2) = 0 (3.36)

atunci când la ambele intrări ale etajului diferenŃial se aplică semnale egale uint1= uint2.
În aceeai situaŃie amplificatorul funcŃionează în regimul semnalelor în fază. Datorită faptului că etajul
nu poate fi în principiu complet simetric în condiŃii reale, la ieirea acestuia în regimul semnalelor defazate se
obŃine semnal diferit de zero:
Uies= kSuint
unde ks este coeficientul de transfer pentru semnalul difazic.
Capacitatea de reducere a semnalului sinfazic este caracterizată de coeficientul:
k
Kred,sf = 20 log ( S ) (3.37)
KU
Datorită simetriei înalte a etajelor realizate sub forma circuitelor integrate, Kred,sf = 80÷100dB, ceea ce înseamnă
K
că U = 104 ÷105 .
kS
În figura 3.12a se prezintă schema etajului diferenŃial realizat sub forma circuitului integrat
semiconductor:
RezistenŃa de valoare mare RE, care este dificil de realizat în compunerea circuitului integrat, este
înlocuită cu sursa de curent (iE1+ iE2) realizată cu tranzistorul T3 în circuitul său de emitor se introduce rezistenŃa
de valoare mica R'E care asigură amplificarea pe joncŃiunea de emitor a semnalului de reacŃie inversă negativă.
La încălzire se mărete tensiunea u'E = i'E R'E sub influenŃa căreia, curentul prin joncŃiunea de emitor a
tranzistorului T3 se micorează. Dioda D0 servete de asemeni pentru stabilizarea curentului. Prin creterea
temperaturii, tensiunea pe această diodă, i ca urmare i pe baza lui T3 se reduce, micorându-se astfel curentul
prin joncŃiunea de emitor T3.

Fig.3.12 Scheme practice pentru etajele diferenŃiale:

simetrice - (a)i nesimetrice - (b).

DeficienŃa etajului diferenŃial constă în lipsa punctului comun dintre sursele de semnal i sarcină.
Această deficienŃă este eliminată în etajul diferenŃial nesimetric din figura 3.12b, la care semnalul se culege de
pe colectorul tranzistorului T2.
 Schema aceasta are de asemeni stabilizarea punctului de repaus, pentru că iE1 + iE2 = const., în condiŃiile
când la aceasta nu există reacŃia inversă pe componenta alternativă, pentru că nici circuitul de emitor nu
influenŃează asupra coeficientului de amplificare. În amplificatoarele cu mai multe etaje, primul etaj se
realizează sub forma etajului diferenŃial simetric, care asigură amplificarea iniŃiala a semnalului în mod practic
fără derivă. Amplificarea ulterioară se poate obŃine în etajul diferenŃial nesimetric.

3.2.2. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar în conexiune colector comun (CC)

Amplificatorul în conexiune CC se mai numete i repetor pe emitor deoarece tensiunea de intrare este
reprodusă la ieire.
Etajul cu emitor comun, aa cum s-a arătat, nu permite obŃinerea amplificării superioare pe tensiune,
pentru care ar trebui ca Rint → ∞ i Ries → ∞ . Datorită valorii mici a lui Rint, aceste amplificatoare consumă
putere semnificativă din sursa de alimentare. Valoarea mare a lui Ries nu permite funcŃionarea etajului pe sarcină
cu rezistenŃa mică datorită pierderii semnalului pe Ries.
În etajul cu colector comun se obŃin valori mari a lui Rint pentru valori mici a lui Ries. Acest avantaj însă
se obŃine prin sacrificarea parametrului de amplificare, care la aceste scheme este KU<1. Etajul cu colector
comun nu permite amplificarea pe tensiune a semnalului.
Etajul se folosete numai ca etaj auxiliar ajutător, de legătură a schemei cu emitor comun cu sursa
semnalului de mică putere sau cu rezistenŃa de sarcină de mică valoare. Dei rolul acestui etaj este auxiliar,
utilizarea sa este totui frecventă. Schema etajului cu colector comun este prezentată în figura 3.13.a.
Colectorul tranzistorului este cuplat la sursa Ec de alimentare. În circuitul de emitor se introduce
rezistorul RE care formează reacŃia inversă negativă care stabilizează punctul de repaus.
Sarcina R3 se cuplează spre circuitul de emitor. În clasa A de amplificare, la intrare se aplică tensiunea
uint i tensiunea de deplasare Ud. Sursa de semnal uint se leagă între baza i conductorul comun iar sarcina între
emitor i conductorul comun.
Acesta, prin sursa de alimentare Ec, care are rezistenŃa nulă pentru componentele alternative, este legat cu
colectorul. Schema cu colector comun se mai numete i repetor pe emitor.

Fig.3.13(a) Etaj cu colector comun

În regim de repaus uint=0. Tensiunea Ud provoacă

curentul din bază IBr, în circuitul emitorului apare curentul IEr,
care provoacă căderea de tensiune pe RE. Este necesar ca în
regim de repaus uies= 0, în circuitul de sarcină să se introducă
sursa tensiunii de compensare Ucomp= UEr. În regim de repaus
la joncŃiunea de emitor se aplică tensiunea UBEr = Ud - UEr.
În cazul când semnalul de intrare uint este pozitiv, sau
negativ, curenŃii în bază i emitor se măresc sau respectiv se
micorează, i în mod corespunzător i căderea de tensiune pe RE. Polaritatea semnalelor de intrare i ieire în
schema cu colector comun coincid, etajul fiind amplificator neinvertor. La joncŃiunea de emitor a tranzistorului
se aplică tensiunea de comandă ∆ UBE = uint - uies. Semnalul uies se
aplică la intrare ca semnal de reacŃie inversă negativă: ∆ Uri= uies.
u ie
Dacă uBE este pozitivă, atunci: uies<uint, adică Ku = <1.
u int
Schema de substituire a etajului cu colector comun este prezentată
în figura 3.13.b.
Parametrii de amplificare a etajului cu colector comun se determină astfel:

1) RezistenŃa de intrare
Rint= uint/ ∆ Iint

Rint = rintE + (β+1)(RE Rg) (3.38)

2) Coeficientul de amplificare pe tensiune în regim de mers în gol:

∆I E R E (β + 1)R E ∆I B (β + 1)R E
K U0 = =
[
B int E + (β + 1)R E
∆I B R int (0 ) ∆I r ]
=
rint E + (β + 1)R E
(3.39)

Însă datorită faptului că rintE<<(β+1) RE, valoarea lui KU0 ≈ 1.

3) RezistenŃa de ieire
Se determină pe baza teoremei generatorului echivalent, în care scop se consideră ca Eg = 0. Astfel, pe
baza schemei de substituŃie:
 ∆I 
(
∆ Uies = ∆ IB(rintE + Rg) =  E  ⋅ rint E + R g )
 β + 1
rint E + R g
R ies = R E || (3.40)
β +1
CeilalŃi parametrii de amplificare pot fi determinaŃi pe baza expresiilor (3.24) - (3.26)
Datorită faptului că semnalul de comandă în schema cu colector comun este mic, forma semnalului
transmis nu este distorsionată decât pentru tensiuni de intrare foarte mari, când amplitudinea semnalului este de
(0,2-0,4)Ec.

3.4. Amplificatoare operaŃionale

Dezvoltările în domeniul microtehnologiei au modificat metodele de proiectare i realizare a

dispozitivelor amplificatoare. La proiectarea acestora se caută utilizarea circuitelor integrate care, din punct de
vedere al eficienŃei economice, a soluŃiilor tehnice utilizate, sunt mai elaborate în comparaŃie cu soluŃiile
discrete de realizare a amplificatoarelor. Înainte se urmărea în proiectare reducerea numărului componentelor i
asigurarea fiabilităŃii în funcŃionare. Astăzi se realizează în producŃie de masă circuite integrate pentru utilizări
universale, ceea ce face ca preŃul acestora să scadă substanŃial. De aceea, în prezent criteriul de producŃie i
valorificare constă în obŃinerea calităŃii i universalităŃii superioare i mai puŃin în realizarea soluŃiilor celor mai
simple. Utilizarea circuitelor integrate este recomandabilă i în situaŃiile când în soluŃii concrete nu este utilizată
în totalitate capacitatea acestora.
Printre cele mai frecvent utilizate sunt, circuitele integrate de tipul amplificatoarelor operaŃionale, în
care sunt concentrate calităŃile funcŃionale ale schemelor de amplificare.
Amplificatorul operaŃional ideal are coeficientul de amplificare pe tensiune foarte mare KU =
u ies
→ ∞ , rezistenŃa de intrare foarte mare Rint → ∞ , rezistenta de la ieire foarte mică Ries→0.
u int
Amplificatorul operaŃional este i de curent continuu dacă este amplificator cu spectru foarte larg, în
condiŃiile în care deriva nulului este foarte mică. Amplificatorul operaŃional are intrare diferenŃială, astfel se
scrie uint = KU (uint1 - uint2), iar când semnalul se aplică la intrarea directă, tensiunea la ieire este uies= -KUuint1,
când semnalul se aplică la intrarea inversoare, la ieire tensiunea este uies= - KUuint2.
În figura 3.16 se arată modul de reprezentare a amplificatorului operaŃional (AO)în schemă:
 (a) (b)
[Link] în schemă - (a) i simplificată a AO - (b)

În figura 3.16b se prezintă schema structurala a AO. Primul etaj se realizează pe baza schemei simetrice
diferenŃiale în care se face compensarea maximală a derivei nulului. În al doilea etaj se folosete frecvent
amplificatorul diferenŃial cu ieire nesimetrică. Ultimul etaj se realizează pe schema repetorului pe emitor (cu
colector comun) ceea ce asigură rezistenŃa mică la ieire. AO utilizează scheme mult mai complexe în raport cu
cele analizate, elementele suplimentare având rolul de cretere a valorii rezistenŃei de intrare, de stabilizare
suplimentară a regimului static, de cretere a coeficientului de amplificare. Aceste amplificatoare se pot construi
chiar din câteva zeci de tranzistoare.

3.4.2. Amplificator operaŃional neinvertor cu reacŃie inversă

Amplificatoarele operaŃionale nu pot fi folosite însă singure în schemele de amplificare datorită faptului
U
că secŃiunea lineară AOB pe caracteristica de transfer este limitată de valori relativ mici a tensiunilor ies max .
K Ur
Prin creterea tensiunii de intrare în afara acestor limite, tensiunea de ieire nu se modifică, cu alte cuvinte se
constată distorsionarea neliniară a semnalului. De asemeni, coeficientul de amplificare a amplificatorului
operaŃional KU variază în limite mari de la un exemplar la altul, i acesta depinde de regimul de funcŃionare, în
special de temperatura de lucru, determinată de dependenŃa puternică a lui β de temperatura rezistoarelor, care
compun AO. Pentru îmbunătăŃirea parametrilor dispozitivelor de amplificare cu AO se folosete reacŃia inversă.
În figura 3.19a se arată schema amplificatorului neinvertor cu AO:

(a) (b)

Fig. [Link] operaŃional neinversor cu reacŃie inversă negativă - (a) i caracteristica sa de

transfer - (b)

De la ieirea AO se culege tensiunea pentru reacŃia inversă uri care se aplică la intrarea inversoare a AO.
În acest fel la intrarea AO acŃionează tensiunea de intrare uint i tensiunea uri, adică reacŃia inversă se obŃine prin
însumarea tensiunilor care se referă la reacŃia inversă. Tensiunea la ieirea AO se determină din diferenŃa (uint-
uri), iar această reacŃie inversă este negativă.
 Coeficientul de amplificare se determină pe baza schemei din fig. 3.19a. În acest scop se consideră că
Rg>>Ries, Rint>>R1 i că R2>>Ries, condiŃii care sunt îndeplinite în AO.
Tensiunea de reacŃie inversă este egală cu:
R1
u ri = u ie = u ie ⋅ γ (3.44)
R1 + R 2
Tensiunea de ieire se determină din diferenŃa tensiunilor la intrarea AO astfel:
uies = Ku (uint - uri) = Ku (uint - γuies),
R1
unde γ=
R1 + R 2
În acest fel, coeficientul de amplificare a AO cu reacŃie inversă negativă se determină:
u ie KU
K u ri = = ≤ KU (3.45)
u int 1 + γK U
Datorită faptului ca la AO KU este foarte mare, atunci din expresia (3.45) pentru KU→∞ se obŃine:
1 R + R2
K U ri = = 1 (3.46)
γ R1
adică KUri se determină numai din raportul rezistenŃelor i nu depinde de valoarea lui KU. În acest fel
introducerea reacŃiei negative inverse permite stabilizarea coeficientului de amplificare a circuitului integrat.
Astfel, dacă KU se micorează, se micorează i uies i uri, crete diferenŃa acestor valori, ceea ce face ca uies să
crească, compensând micorarea iniŃială a tensiunii de ieire.
Tensiunea la ieirea AO este uies<< Uiesmax, coeficientul de amplificare a circuitului integrat KU → ∞ ,
U
rezultă că uint - uri = ies = 0 adică uint ≈ uri. Astfel, luând în considerare expresia 3.44, se obŃine expresia 3.46. În
KU
regim de amplificare lineară, tensiunea între intrările AO este foarte mică iar această calitate apare în toate
schemele de utilizare a AO.
Dei coeficientul de amplificare al schemei depinde numai de raportul rezistenŃelor R1 i R2, rezistenŃa
minimă a acestora este limitată de capacitatea de sarcină a circuitului integrat. De asemeni valoarea maximă a
rezistorului este limitată pentru că curenŃii mici care curg prin rezistenŃe de mare valoare, vor fi comparabili cu
curenŃii de intrare a AO i aceasta situaŃie amplifică influenŃa faptului ca AO nu este ideal asupra funcŃionarii
schemei. Practic, valoarea rezistenŃei se găsete în limitele 103-106 Ω .
Stabilizarea coeficientului de amplificare a AO datorită introducerii reacŃiei inverse face ca rezistenŃa de
ieire a schemei din fig. 3.19a să fie mai mică decât rezistenŃa de ieire a AO însui: Riesri<< Ries, ceea ce
reprezintă de asemeni o calitate obŃinută datorită reacŃiei inverse.
u
RezistenŃa de intrare a schemei din figura 3.10.3a se determină din: Rintri = int
i int
unde iint este curentul dintre intrările AO:
u − u ri
iint = int ,
R int
unde Rint este rezistenŃa de intrare a AO.
Dat fiind că (uint-uri) ≈ 0, atunci i iint ≈ 0, iar rezistenŃa de intrare se mărete substanŃial: Rint ri >>Rint, ceea
ce de asemeni reprezintă o calitate cauzată de reacŃia inversă. Tensiunea de ieire a AO este limitată de valorile
± Uies max.
În schema din figura 3.19a, regimul de amplificare lineară corespunde tensiunilor de intrare limitate de
valorile ± Uiesmax / KUri. Dat fiind că KUri << KU, caracteristica de transfer a AO cu reacŃie inversă are un
domeniu mare de amplificare lineară (fig.3.19b). Înclinarea caracteristicii de transfer în sectorul linear AOB
este determinată de coeficientul de amplificare KUri, linia 1 este trasată pentru KUri = 4, linia 2 pentru KUri=10. În
acest fel introducerea reacŃiei inverse permite lărgirea domeniului linear a caracteristicii de transfer i
micorarea distorsiunilor neliniare.
 3.4.3. Amplificatorul operaŃional inversor cu reacŃie inversă

În cazul transmiterii tensiunii sinusoidale se realizează deplasarea fazei semnalului amplificat la 180 de
grade. Este larg utilizată schema AO inversor cu reacŃie inversă negativă prezentată în fig. 3.20.
Semnalul de intrare i semnalul reacŃiei inverse negative se aplică la intrarea inversoare a AO i are loc
însumarea curenŃilor iint si iri, adică are loc reacŃia inversă negativă cu însumarea curenŃilor, care se numete
reacŃie inversă paralelă. Pentru însumarea curenŃilor este necesară eliminarea posibilităŃii de cuplare nemijlocită
la intrarea AO a surselor de alimentare, adică este necesar să se asigure că R1 si R2 diferit de zero. Pentru
determinarea parametrilor de amplificare, se consideră RS>>Ries, Rint>>R1, Ries <<R2, condiŃii care sunt realizate
în AO. Pentru că la circuitele integrate Rint → ∞ , atunci iint= -iri = i.
Tensiunea dintre intrările AO este nulă pe sectorul linear al caracteristicii sale de transfer, atunci se scrie:
uint = iintR1 = iR1 (3.47)

uies = iriR2 = -iR2 (3.48)

(b)

Fig.3.20. (a) - Amplificator

operaŃional inversor cu reacŃie

negativă i (b) -caracteristica sa

de transfer

u ie R2
Coeficientul de amplificare al schemei din figura 3.21 se determină astfel: KUri = =− (3.49)
u int R1
Semnul minus arată că polaritatea semnalelor la intrare si ieire este diferită. Coeficientul de amplificare
KUri <<KU, dar KUri depinde numai de raportul rezistenŃelor R2/R1, datorită cărui fapt stabilitatea sa este
foarte mare.
u
RezistenŃa de intrare a AO cu reacŃie inversă negativă se determină astfel: R int ri = int (3.50)
i int
Deoarece: iint= i ⇒ Rintri = R1.
Deosebirea, dintre AO analizat i schema din figura 3.19a constă în faptul că valoarea rezistenŃei de
intrare este finită prin stabilizarea coeficientului de amplificare, rezistenŃa de ieire se micorează astfel încât
Ries ri <<Ries, ceea ce reprezintă o calitate obŃinută datorită reacŃiei inverse negative:
R ie
R iesri = (3.51)
1 + γ∗K U
R1
unde γ∗ =
R1 + R 2
Când KU → ∞ ,atunci Rieri=0.
 3.4.4. Scheme operaŃionale

Cu ajutorul AO se pot constitui scheme care să realizeze operaŃii matematice asupra semnalelor de
intrare: însumarea, scăderea, integrarea, extragerea modulului funcŃiei, .a.
Aceste scheme sunt frecvent utilizate în instalaŃiile de conducere automată i constituie baza
matematică a calculatoarelor analogice. Dintre aceste scheme, prezintă interes deosebit schemele cu AO pentru
însumare i integrare, precum i schemele în care AO se folosete în regim neliniar.

A). Sumatorul inversor

În figura 3.22a se arată schema sumatorului inversor realizată pe baza AO cu intrare inversoare i circuit
paralel de reacŃie inversă negativă.

(a) (b)

Pentru că Rint a AO este mare: i1+i2+i3 = - iri (3.52)

u
- se exprimă curentul iri = ies .
R ri
CurenŃii de intrare se determină având în vedere că între intrările circuitului integrat AO tensiunea este nulă:
u u u
i1 = int1 ; i2 = int 2 ; i3 = int 3 .
R R R
u int 1 + u int 2 + u int 3 u
Din expresia aceasta rezultă: = − ies
R R inv
( u int1 + u int 2 + u int 3 )R inv
de unde: u ies = − (3.53)
R
Semnul minus indică că pe lângă sumarea semnalelor se produce i inversarea polarităŃii.

B). Sumatorul neinversor

În figura 3.23a se arata schema sumatorului neinversor cu amplificator operaŃional. La baza realizării
acestei scheme stă AO neinversor cu reacŃie inversă din figura 3.19a. Prin înlocuirea acestuia cu schema de
substituire care conŃine Rint ri = ∞ i sursa de tensiune KUri usum (rezistenŃa de ieire este nulă) se obŃine schema
din figura [Link] Rint ri = ∞ , atunci i1+i2+i3=0 i pe baza legii lui Ohm rezultă că:
u int1 − u sum u int 2 − u sum u int 3 − u sum
+ + =0
R R R

u int 1 + u int 2 + u int 3

de unde = u sum , unde n = numărul de intrări ale sumatorului.
n
Tensiunea la ieirea AO se determină având în vedere expresia 3.46 astfel:
R + R 2 u int 1 + u int 2 + u int 3
u ies = K Uri u sum = 1 (3.54)
R1 n
 (c)
Fig 3.23. Sumator neinversor cu AO -(a);schema de substituŃie - (b); schema scăzătorului - (c);

Rezultă că tensiunea de ieire este proporŃională cu suma semnalelor de intrare. Coeficientul de transfer pe
tensiune a schemei din fig. 3.22a depinde însă de numărul intrărilor n. Tensiunea de ieire uies este determinată
de valoarea medie a semnalelor de la intrare.

C). Schema de scădere a semnalelor

În figura 3.23c se prezintă schema de scădere a semnalelor realizată cu AO. Pentru analizarea acestei
scheme se folosete metoda superpoziŃiei. Pentru început se consideră ca uint2=0, adică se scurtcircuitează sursa
uint2, în care caz schema devine neinversoare, (fig.3.19a), la intrarea căreia se cuplează divizorul de tensiune cu
R4
coeficientul de transfer egal cu: γ=
R3 + R4
 R 4  R 1 + R 2 
Având în vedere (3.46) se poate scrie:Uies= u int1 ⋅    (3.55)
R
 3 + R 4  R 1 
În continuare se consideră că uint=0, schema transformându-se astfel în AO inversor, pentru că cuplarea
la intrarea directă a rezistoarelor R3 i R4 nu modifică potenŃialul la intrarea directă a AO ideal, la care curentul
u R
de intrare este foarte mic. În acest caz : u"ies = − int 2
R1
Ca rezultat al acŃionării ambelor semnale, tensiunea de ieire a AO este egală cu:
 R 4  R 1 + R 2  R
u ies = u 'ies + u ' 'ies = u int1 ⋅    - u int 2 2
 R 3 + R 4  R 1  R1
R2
Atunci când R1=R3 i R2=R4, se obŃine: uies= (u int1 − u int 2 )
R1
Sursa de tensiune comandată în curent se obŃine din schema din figura 3.21a pentru R1=0. În acest caz
Rint = 0 i sursa de semnal uint funcŃionează în regim de sursă a curentului iint. Tensiunea de ieire se determină
având în vedere că u*=0, astfel: uies= iriR2 = -iintR2
Sursa de curent comandată în tensiune, se obŃine de asemeni din schema 3.21a, dacă se cuplează sarcina
u
în calitate de R2, atunci: i ies = i iri = −i int = − int (3.56)
R1
 D). Integratorul
Integratorul cu AO se realizează de asemeni pe baza AO inversor din fig 3.24a. În circuitul de reacŃie
inversă se cuplează condensatorul C, astfel încât tensiunea pe acesta este egală cu:
1
uC =
C
∫ i C (t )dt (3.57)

u
pentru că Rint = 8, atunci iC = - iint = - int (3.58)
R
Tensiunea între intrările circuitului integrat cu AO este egală cu zero, din care motiv uies = uC. Având în
vedere expresiile (3.57) i (3.58) , se obŃine:
1 u (t ) 1
uies= − ∫ int dt = −
C R RC
∫ u int (t )dt (3.59)
În acest fel schema realizează operaŃia matematică de integrare, care în forma determinată se poate scrie:
1 t
uies = uies(0) -
RC 0
∫ u int (t )dt (3.60)

Tensiunea de ieire depinde de condiŃiile iniŃiale adică de tensiunea iniŃială pe condensator în momentul t =0,
uies(0).

Fig 3.24. Integrator cu AO - (a);diagramele de timp ale semnalelor la intrarea i ieirea acestuia - (b);

În figura 3.24b se prezintă diagramele de timp care ilustrează funcŃionarea integratorului. Când la
intrarea acestuia se aplică tensiune constantă, la ieire se obŃine tensiune liniar variabilă.

3.4.6. Scheme neliniare pe amplificatoare operaŃionale

[Link].Comparatoare

Comparatorul este acea schemă electrică care compară două tensiuni de intrare i elaborează
semnalul de ieire, care depinde de starea intrărilor. Schema principială de bază a comparatorului se
prezintă în figura 3.25a.
Amplificatorul operaŃional funcŃionează cu circuitul de legătură inversă deschis. La una din intrările sale se
aplică tensiunea de referinŃă, iar la cealaltă se aplică tensiunea necunoscută de comparat. Semnalul de ieire
al comparatorului arată dacă nivelul semnalului necunoscut este mai mare sau mai mic decât nivelul
semnalului de referinŃă.Tensiunea de referinŃă Vr se aplică la intrarea neinversoare iar la intrarea inversoare
se aplică semnalul de comparat Vi .
Când Vi > Vr la ieirea comparatorului se stabilizează tensiunea V0 = −Vs (tensiunea negativă de
saturaŃie). În caz contrar, Vi < Vr ,se obŃine V0 = + Vs . Dacă se schimbă, intre tensiunile de la intrare, se
produce inversia semnalului de ieire.
 (a) (b)
Fig.3.25. Comparator simplu: schema de principiu - (a); caracteristica de transfer - (b)
În figura 3.25b se prezintă caracteristica de transfer a comparatorului. Comparatorul trebuie să se cupleze
dintr-o stare în alta cu o viteză maximă posibilă. Pentru că comparatorul dat lucrează cu legătura inversă
întreruptă, nu mai este necesară stabilizarea buclei de legătură inversă i corecŃia de frecvenŃă a acestuia.
CorecŃia de frecvenŃă reduce viteza de acŃiune i de cretere a tensiunii la ieire i mărete timpul de
comutare. Timpul de comutare este timpul necesar pentru comutarea ieirii comparatorului dintr-o stare
iniŃială măsurată din momentul sosirii semnalului de pornire de la intrare. Viteza maximă de cretere a
tensiunii la ieire arată, cât de repede se poate schimba semnalul la ieirea amplificatorului pe timpul unei
astfel de comutări.

[Link] Comparatoare cu histerezis

Dacă tensiunea Vi care se aplică la intrarea comparatorului (fig.3.26) conŃine componente de zgomot,
atunci tensiunea de ieire V0 va fluctua foarte repede între nivele + Vs i − Vs . Eliminarea acestor fluctuaŃii
este posibilă prin realizarea în comparator a circuitului de legătură inversă pozitivă, datorită căreia o parte din
tensiunea de ieire se aplică la intrarea neinversoare. Schema de principiu a comparatorului cu histerezis se
arată în figura 3.26.

Prin introducerea în schemă a rezistorului R2, la rezistorul R1 apare tensiunea de legătură inversă
pozitivă. Dacă nivelul tensiunii de ieire este mare, rezistorul R2 transmite de la ieire la intrare tensiunea care
se însumează cu cea de referinŃă. În acest caz tensiunea de referinŃă crete cu mărimea:
(V − Vr )R 1
∆Vr = s
R1 + R 2
În acest fel se obŃine o nouă valoare mai mare a tensiunii de referinŃă: ∆Vr + = Vr + ∆Vr
Din aceasta cauză comparatorul se comută (din starea cu nivel înalt a tensiunii de ieire) pentru o nouă
valoare a lui Vi , mai mare decât Vr cu mărimea tensiunii pozitive a legăturii inverse, care vine de la ieirea
comparatorului.
 Imediat ce tensiunea de intrare Vi depăete noua valoare a tensiunii de referinŃă Vr + ∆Vr , tensiunea
de ieire a comparatorului începe sa scadă. Această micorare se transmite prin rezistorul R 2 la intrarea
neinversoare i tensiunea pe aceasta se micorează de asemeni stimulând astfel scăderea în continuare a
tensiunii de ieire. Datorită legăturii inverse pozitive, acest proces are loc în avalană i comparatorul comută
rapid în starea inversă. Pentru ca la ieirea comparatorului acŃionează acum tensiunea V0 = −Vs , atunci la
intrarea acestuia prin circuitul de legătură inversă se transmite tensiunea:
(−Vs − Vr )R 1
∆Vr =
R1 + R 2
În acest caz se stabilete o nouă valoare a tensiunii de referinŃă pentru starea cu nivel scăzut de ieire:
∆Vr − = Vr − ∆Vr

[Link] Redresoare de precizie

Redresoarele simple cu diode i rezistoare funcŃionează necorespunzător pentru redresarea tensiunilor mai
mici de 0.7V, pentru că nu se toate elimina influenŃa căderii de tensiune pe diodă. Cuplarea diodei în bucla
de legătură inversă care cuprinde amplificatorul operaŃional, permite rezolvarea problemei redresării
tensiunilor mici, pentru că datorită amplificării mari a amplificatorului operaŃional se reduc limitările
referitoare la mărimea tensiunii.
A) Redresoare de precizie monosemiperiodice
În figura 3.27 se arată schema de principiu a redresorului monoalternanŃă care elaborează copia inversată a
semiperioadei negative a semnalului de intrare Vi .

Când Vi este negativă, dioda D1 este deplasată în sens direct iar dioda D2 în sens invers i schema
funcŃionează ca amplificator inversor obinuit cu coeficientul unitar de amplificare. Pentru tensiuni pozitive Vi
dioda D1 este închisă iar dioda D2 se găsete în starea de conducŃie, datorită cărui fapt apare legătura inversă
negativă care stabilete la ieirea amplificatorului operaŃional tensiunea de blocare pentru dioda D1. Această
tensiune mică de blocare este egală cu căderea directă de tensiune pe dioda D2. Evident că la ieirea redresorului
însui în acest caz V0 = 0 . Dacă dioda D2 nu ar fi existat, atunci la ieirea amplificatorului operaŃional s-ar fi
stabilit tensiunea de saturaŃie -VS, însă tensiunea de ieire a redresorului ar fi fost ca înainte, egală cu 0V.

B) Redresoare de precizie bialternanŃă

În figura 3.28 se prezintă schema de principiu a acestui tip de redresor de precizie. Semnalul pozitiv de la
intrare se transmite nemijlocit la intrarea redresorului prin circuitul de legătura inversă. Când tensiunea de
 intrare este mai mare decât 0V, la ieirea amplificatorului inversor acŃionează tensiunea negativă. Din această
cauză, dioda D1 este blocată i amplificatorul operaŃional nu participă la transferul semnalului de intrare.
Când la intrare acŃionează semiperioada negativă, schema funcŃionează ca amplificator obinuit inversor cu
R
coeficientul de amplificare egal cu − 2 . Se poate obŃine simetria semnalului la ieirea redresorului cu
R1
ajutorul potenŃiometrului R 3 .

[Link]. Limitatoare de amplitudine

Limitarea nivelului semnalului de ieire este bine să se facă înaintea amplificării semnalului, pentru a evita
trecerea amplificatorului în regim de saturaŃie i apoi revenirea acestuia în regim liniar de funcŃionare, care
se face pe timpul de refacere relativ mare.
Schemele numerice logice funcŃionează cu impulsuri pozitive sau negative, care au nivele mici (5V) în
comparaŃie cu amplitudinile semnalelor de la ieirea amplificatorului operaŃional (-13V...+13V). Această
problemă se rezolvă cu ajutorul limitatorului.
În figura 3.29 se prezintă schema de principiu a limitatorului de amplitudine cu legătura inversă, care constă
din amplificatorul inversor, în circuitul de legătură inversă al căruia se cuplează dioda stabilizatoare.

Fig. [Link] de amplitudine

Tensiunea de stabilizare i tensiunea directă a diodei determină limitele de modificare a tensiunii de ieire. Dacă
la intrare acŃionează tensiunea negativă Vi, atunci tensiunea de ieire a amplificatorului operaŃional este pozitivă
i pe diodă se aplică tensiune inversă. El trece în regim de străpungere i fixează tensiunea de ieire a
limitatorului la nivelul tensiunii de stabilizare Vz .Dacă tensiunea de intrare este pozitivă, atunci la ieirea
amplificatorului operaŃional acŃionează tensiune negativă. Stabilitronul se deplasează în sens direct i la ieire se
stabilete nivelul de limitare, egal cu căderea directă de tensiune pe diodă (valoarea tipică este de 0,6÷0,7V).
Tensiunea de ieire se determină de tensiunea de stabilizare a stabilitronului utilizat i poate fi inversată prin
schimbarea polarităŃii de cuplare a diodei stabilizatoare.

3.4.7. Amplificatoare selective i generatoare de oscilaŃii sinusoidale

Sistemul care are coeficientul de transfer maxim în bandă îngustă de frecvenŃă în apropierea frecvenŃei
fo, se numete amplificator selectiv.
În afara limitelor acestei benzi spectrale înguste, coeficientul de amplificare se micorează rapid. Au
căpătat o largă utilizare amplificatoarele selective realizate pe baza AO. După cum s-a arătat în paragrafele
precedente, coeficientul de amplificare al AO cu reacŃie inversă negativă este determinat numai de parametrii
circuitului de reacŃie inversă. Dacă în circuitul reacŃiei inverse se folosesc celule RC al căror coeficient de
amplificare i unghi de deplasare depind de frecvenŃă, atunci se poate asigura dependenŃa necesară a
coeficientului de transfer de frecvenŃă.
 În figura 3.30a se prezintă schema amplificatorului selectiv cu punte, care e evidenŃiată cu linie punctată.
Când se aplică tensiune nesinusoidală uint(t) de frecvenŃă f0 la intrarea amplificatorului, la ieirea acestuia se
obŃine semnal sinusoidal (fig.3.30b).

(a) (b)
Fig. 3.30 Amplificator selectiv - (a) i diagramele de timpa semnalelor la intrarea i ieirea circuitului - (b)

Puntea se compune din celule serie (C'R') i paralel (C"R"). La trecerea prin punte, semnalul de joasă
frecvenŃă se pierde pe condensatorul C', iar semnalul de înaltă frecvenŃă se atenuează pe divizorul de tensiune
compus din celule serie i paralel, pentru că prin creterea frecvenŃei, rezistenŃa condensatorului C" scade. În
acest fel, coeficientul maxim de transfer al punŃii este corespunzător unei anumite frecvenŃe f0.
Deplasarea fazei, introdusă de punte la frecvenŃa f0 este nulă. În cazul raporturilor optime C'=C"=C,
R'=R"=R, frecvenŃa f0=1/(2πRC); la f=f0, coeficientul de transfer al punŃii este γp=1/3.
R
Schema are coeficientul de amplificare determinat de expresia (3.46), K' = - 2 . La frecvenŃa f0,
R1
coeficientul de transfer al punŃii este maxim. Prin puntea de intrare a AO se transmite semnalul de reacŃie
inversă pozitivă, care mărete puternic coeficientul de amplificare al schemei Km în raport cu K'. Caracteristica
de frecvenŃă a amplificatorului selectiv se arată în figura 3.31b. Cu cât este mai mare coeficientul de amplificare
R2 K 'm
K' = - , cu atât este mai îngustă banda de frecvenŃă a amplificării i este mai mare .
R1 K'

(a) (b)

Fig. 3.31 Caracteristicile de frecvenŃă ale punŃii Wien - (a) i a amplificatorului selectiv - (b)

R2
Atunci când = 2 se îndeplinesc condiŃiile de autoexcitaŃie iar coeficientul de amplificare al schemei Km la
R1
frecvenŃa f0 devine infinit, ceea ce înseamnă că la ieirea schemei vor exista semnale sinusoidale de frecvenŃă f0
i atunci când la intrare semnalul este nul. În această situaŃie, schema din figura 3.30a se transformă în generator
de tensiune sinusoidală iar circuitul sursei tensiunii de intrare poate fi decuplat. Există o multitudine de variante
de realizare a amplificatoarelor selective i generatoarelor sinusoidale pe baza altor celule RC care depind de
frecvenŃă.
 3.4.8. Amplificatoare conectate prin capacitate

Calitatea esenŃială a amplificatoarelor legate prin capacitate constă în lipsa derivei nulului, pentru că
condensatoarele nu permit trecerea componentei continue i implicit a derivei nulului.
În figura 3.32 se prezintă pentru exemplificare amplificatorul realizat pe baza AO, cu legătura prin
sarcină. Conectarea prin capacitate se utilizează însă rar pentru că aceste capacităŃi relativ mari sunt dificil de
realizat în structura circuitelor integrate.
Când la intrare se aplică semnal fără componentă continuă, aa cum se arată în fig.3.33a, semnalul la
ieire reprezintă ca formă, copia semnalului de la intrare.

(a) (b)

Fig. 3.32 Amplificator cu cuplaj capacitiv - (a) i schema sa de substituŃie - (b)

În cazul aplicării semnalului de intrare care conŃine componenta continuă (fig.3.32b), aceasta prin
condensatoarele C1 i C2 nu se transmite la ieire, iar forma semnalului la ieire nu mai corespunde celui de la
intrare.
Limitarea spectrală, specifică amplificatoarelor cuplate prin condensator, reprezintă principala deficienŃă
a acestora, pentru care utilizarea lor a devenit tot mai rară.

(a) (b)
Fig.3.33 Diagramele de timp ale semnalelor la intrarea i ieirea amplificatorului cu cuplaj capacitiv - (a, b)

Domeniul de frecvenŃă la amplificatoarele cuplate prin capacitate se poate împărŃi în trei zone astfel:
• zona frecvenŃelor medii corespunzătoare benzii de trecere, se caracterizează prin aceea că rezistenŃa
1 1
condensatoarelor, i este mică, ceea ce face ca semnalul să se transmită la ieire fără
ωC1 ωC 2
pierderi. Amplificarea în aceasta zonă spectrală este constantă.
• zona frecvenŃelor înalte, când apare influenŃa inerŃiei tranzistorului, coeficientul de amplificare scade i
apare întârzierea fazei între semnalele de intrare i ieire ale amplificatorului.
• zona frecvenŃelor joase, o parte din semnalul de intrare se consumă pe condensatoare, iar coeficientul
de amplificare scade.
Analiza amplificatorului din schema 3.32 se face prin înlocuirea acestuia în schema generalizată de substituire,
compusă din rezistenŃa de intrare Rint, sursa de tensiune KU0 uint i rezistenŃa de ieire Ries. Expresia care descrie
funcŃionarea acestei scheme este următoarea:
U
KU = ies = γ K U 0 γ (3.61)
E int int ies

unde γ este coeficientul de transfer al circuitului de intrare, γ este coeficientul de transfer al circuitului de
int ies
ieire
U int R int
γ = = (3.62)
int E int 1
Rg + + R int
jωC1
U ies RS
γ ies = = (3.63)
K U 0 U int 1
R ies + + RS
jωC 2
Analiza coeficienŃilor de transfer se face prin transformarea expresiilor divizând numitorul i
numărătorul cu (Rint+ Rg).
R int
R int + R g γ int 0
γ int = = (3.64)
1 1
1+ 1+
(
jωC1 R int + R g ) jωτ1
R int 1
unde γ int o = reprezintă coeficientul de transfer al circuitului de intrare când = 0, ceea ce
R int + R g jωC1
corespunde zonei frecvenŃelor medii i înalte; τ1 = C1 (R 1 + R int ) -reprezintă constanta de timp a circuitului de
încărcare al condensatorului C1
Modulul coeficientului de transfer γ este indiciul care arată de câte ori se micorează coeficientul de
int
transfer la frecvenŃa ω. Din (3.63) se obŃine:
1
M j1 = 1 + (3.65)
ωτ o
Când frecvenŃa se micorează, crete Mj1 iar γ scade, pentru că se mărete rezistenŃa condensatorului
int
C1 pe care se pierde o parte din semnalul sursei Eint. În acest caz prin circuitul R1C1Rint trece curentul capacitiv
care provoacă pe rezistenŃa Rint căderea de tensiune Uint care devansează Eint. Din expresia (3.13.4) se obŃine:
1
φ = arctg (3.66)
jωτ j1
Aceeai analiză se poate face i pentru circuitul RiesC2R2. În acest scop în expresiile (3.65)–(3.66) în
locul lui τ1 se introduce τ 2 = C2(Ries+RS), unde τ 2 reprezintă constanta de timp de încărcare a condensatorului
C2. În acest fel se obŃine expresia pentru Mj2 i φ2 care sunt similare ca structură cu expresiile (3.65) i (3.66)
Coeficientul de amplificare al schemei conectate capacitiv, este următorul:
γ γ γ K γ
K U = int o K Uo ieso = int o Uo ieso (3.67)
M j1 M j2 Mj
unde Mj = Mj1Mj2 – reprezintă parametrul care arată de câte ori se micorează coeficientul de amplificare în
raport cu valoarea maximă Ko, pentru frecvenŃa ω = 2πf . Distorsiunile de fază introduse de condensator se
însumează astfel: φ = φ1 + φ2
 3.5. Etaje de amplificare în putere

Puterea pe care o disipă circuitul integrat pe sarcină este relativ mică. Astfel, spre exemplu, circuitul
integrat de tipul amplificatorului operaŃional 140UD7 are la ieire tensiune de maximum 11,5V, rezistenŃa
U 2 ies max
minimă de sarcină de valoare 2kΩ, iar puterea maximă în sarcină este de PS= = 0,0024W. La acest
RS
nivel mic de putere, randamentul amplificatorului nu prezintă o importanŃă esenŃială, fiind numai transmiterea
informaŃiei în condiŃiile amplificării corespunzătoare a semnalului pe tensiune, a stabilităŃii amplificării,
absenŃei distorsionării formei semnalului; deci a transmiterii cât mai complete a benzii sale spectrale.
În cazul când amplificatorul este folosit pentru acŃionări, problema randamentului i asigurării puterii
necesare devine de prima importanŃă. În proiectarea acestor amplificatoare, parametrii energetici la ieire se
consideră esenŃiali, pentru că numai în condiŃiile randamentelor superioare pot fi reduse pierderile de energie
din sursa de alimentare, poate fi micorată încălzirea tranzistoarelor i redusă puterea acestora. Etajele de
putere se deosebesc de cele analizate anterior nu numai prin componenŃa lor, dar i prin metodele de calcul.
Etajele de putere se clasifică pe baza acestor regimuri de funcŃionare.
3.5.1 Etajul de amplificare în putere clasa A

În figura 3.35a se prezintă, etajul de amplificare în putere clasa A, caracteristic pentru acesta fiind
cuplarea sarcinii prin transformator.

(a) (b) (c)

Fig. 3.35 Amplificator într-un singur timp de putere clasa A:schema-(a); construcŃia liniei de sarcină-(b);

diagramele de timp ale curenŃilor i tensiunilor-(c)

Transformatorul nu transmite componenta continuă a semnalului, motiv pentru care caracteristica de

frecvenŃă a etajului este similară caracteristicii respective a etajelor legate capacitiv.
În regim static (uint = 0),datorită tensiunii de deplasare Ud, care se aplică în bază, apar curenŃii IBr i ICr
= βI Br + (β + 1)I CB0 .
Se consideră că transformatorul este ideal, în sensul că pierderile sunt neglijabile, inductivitatea de
magnetizare foarte mare i inductivitatea de disipare foarte mică. În acest caz rezistenŃa înfăurării primare a
transformatorului la curent continuu este nulă i în regim static UCr= EC. Pe caracteristicile de ieire ale
tranzistorului se trasează linia de sarcină pe curent continuu, care reprezintă o dreapta dispusă vertical
(fig.3.35b). Punctul static (de repaus) O are coordonatele UCr, ICr. Când se aplică semnalul de intrare uint se
produce modificarea curenŃilor bazei ∆I B i a colectorului ∆I C = β∆I B .
 ' R S ω12
Sarcina tranzistorului constă din rezistenŃa R S = , unde ω1 i ω2 reprezintă numărul de spire din
ω2 2
înfăurarea primara i respectiv secundară a transformatorului.
Trasarea liniei de sarcină pe curent alternativ se face prin punctul O de repaus, la unghiul de înclinare
determinat de R S' . Când semnalul la intrare este pozitiv, curentul prin colector crete, astfel încât crete i
căderea de tensiune pe înfăurarea primară a transformatorului, iar tensiunea pe colector scade (secŃiunea OA
din fig.3. 14.1b).
Prin micorarea tensiunii uint, se micorează curentul iC, tensiunea pe colector crete (secŃiunea OB) iar
pe tranzistor se aplică nu numai tensiunea sursei Ec, dar i tensiunea inversă a transformatorului. Pentru valori
mari ale lui uint, valoarea lui uC la limită atinge 2EC, valoare ce trebuie avută în vedere la alegerea tranzistorului.
În figura 3.35c se prezintă curbele tensiunilor uint, uC, uies i a curentului de colector iC în cazul
transmiterii semnalului dreptunghiular.
P
Determinarea coeficientului de randament η = S , unde PS este puterea pe sarcină iar P0 este puterea
P0
consumată din sursa de alimentare Ec, se face considerând transformatorul ideal i pentru semnalul uint, din
figura 3.35c:
U 2 iesm ∆U 2 C (ξE C )
2
PS = = = (3.68)
RS R 'S R 'S
∆U C
unde ξ = ; Uiesm este amplitudinea lui uies care în cazul de faŃă este egală cu valoarea efectivă. În clasa de
EC
amplificare A, întotdeauna se scrie:
P0 = EC · ICr (3.69)
E
Pentru obŃinerea amplitudinii maxime Uiesm ( ξ → 0 ), este necesară alegerea I Cr = C , astfel încât :
R 'S
E 2C
P0 = (3.70)
R 'S
Din expresiile (3.68) i (3.70) se obŃine: η = ξ 2
Concluzii:
∆U C
1) Coeficientul maxim de randament se obŃine pentru valori mari ale lui ξ = , adică în cazul
EC
amplificării semnalelor mari.
2) Puterea consumată din sursa P0 nu depinde de semnalul transmis.
3) Pierderile maxime de putere PC=P0-Ps au loc în regim static, de repaus, când uint=0. Puterea pierdută
reprezintă puterea care se consumă pentru încălzirea tranzistorului, cu alte cuvinte, pentru tranzistor, regimul cel
mai greu îl reprezintă regimul de repaus i pentru acest regim trebuie alei tranzistorii:
PCmax ≥ P0 = ICr EC
În cazul transmiterii semnalelor de formă oarecare, valoarea coeficientului de randament este
determinată de valoarea medie a coeficientului ξ care este mult mai mică în comparaŃie cu cele obŃinute când
ξ→1. Astfel, spre exemplu, în cazul semnalului sinusoidal uint, forma tensiunilor ∆UC i uies sunt sinusoidale, ξ
pe durata unei semiperioade se modifică de două ori în limite de la 0 la 1.

3.5.2 Etajul de amplificare într-un singur timp de putere clasa B

Etajul cu funcŃionare într-un singur timp din clasa B, se prezintă în figura 3.36 a. Sarcina se cuplează
direct în circuitul de conductor al tranzistorului. În regim de repaus, când uint = 0, pe bază nu este tensiune de
deplasare i ICr = ICE0 ≅ 0, PC = 0, ceea ce înseamnă că în regim de repaus nu apare încălzirea tranzistorului.
 (a) (b)

Fig. 3.36 Amplificator într-un singur timp de putere clasa B:

schema - (a); diagramele de timp ale curenŃilor i tensiunilor - (b)

La aplicarea semnalului de intrare pozitiv în baza tranzistorului, curentul de colector se mărete, apare
căderea de tensiune pe sarcina uies = iCRS. La aplicarea tensiunii negative la intrare, tranzistorul se blochează
uies = 0. Un asemenea amplificator din clasa B poate amplifica numai semnale de o singura polaritate, ceea ce
elimină necesitatea utilizării transformatorului la ieire pentru conectarea sarcinii. În fig.3.36b se prezintă
curbele tensiunilor de intrare i ieire ale etajului în cazul semnalelor de polaritate unică.
Puterea transmisă în sarcină se determină având în vedere că în cazul de faŃă valoarea efectivă a
U 2 iesm (ξE C )
2
tensiunii de ieire este Uies = Uiesm: PS = = (3.71)
RS RS
Puterea consumată din sursa de alimentare depinde de curentul mediu care curge prin sarcină:
U iesm ξE 2
P0 = ECIC = EC = (3.72)
RS RS
Astfel, se obŃine: η=ξ (3.73)
Se pot face următoarele aprecieri:
1. Randamentul etajului în clasa B este mai mare în comparaŃie cu schema din figura 3.35a, în mod
special pentru valorile mici i medii ale semnalelor de intrare uint.
2. Puterea consumată de la sursa Ec este minimă în regim de repaus, ise mărete odată cu creterea
uint.
3. Pierderile de putere sunt maxime la valori medii ale lui ξ, dar mult maimici în comparaŃie cu
pierderile maxime în schema 3.35a. Pentru valori mici ale lui ξ, PC este mică, pentru că sunt mici curenŃii prin
tranzistor, pentru valori mari a lui ξ, puterea PC este tot mică pentru căderea de tensiune pe sarcină este mare, iar
căderea de tensiune pe tranzistor uC = EC - uies este mică.
Se poate concluziona asupra avantajului utilizării etajelor de amplificare în putere, clasa B în comparaŃie
cu etajele din clasa A. Necesitatea amplificării semnalelor bipolare este eliminată la amplificatoarele de putere
în doi timpi.

3.5.3 Etajul de amplificare în doi timpi de putere clasa B

Etajul în doi timpi de amplificare a puterii clasa B la care sarcina este nemijlocit cuplată se prezintă în
figura 3.37a. În regim de repaus ambii tranzistori sunt închii. Când se aplică uint pozitiv se mărete curentul iC1
al tranzistorului n-p-n T1, polaritatea tensiunii pe sarcină se arată în figura 3.37.
Schema funcŃionează cu tranzistorul T2 este închis.
Când tensiunea la intrare uint<0, T1 este închis, curentul iC2 al tranzistorului p-n-p T2, care curge prin
sarcină, se mărete (polaritatea tensiunii pe sarcină este inversă celei din fig.3.37a). Astfel, tranzistoarele intră în
funcŃiune pe rând, în funcŃie de polaritatea semnalului amplificat. La tranzistorul închis se aplică tensiunea uC =
Ec + uies, care la limită pentru ξ mari tinde la 2Ec, ceea ce trebuie avut în vedere la alegerea tranzistorului.
Pentru schema în doi timpi este valabilă relaŃia (3.73).
Amplificatoarele în doi timpi, clasa B se pot realiza i cu tranzistoare cu acelai tip de conducŃie. În
figura 3.37b se arată schema cu cuplarea sarcinii fără transformator.

(a) (b)

Fig. 3.37 Etaje de amplificare de putere în doi timpi clasa B:cu sarcina nemijlocit cuplată – (a) i cu cuplarea
sarcinii fără transformator – (b)

Când uint>0, se deschide tranzistorul T1. Tranzistorul T2 este închis de tensiunea inversă de la intrare -
kUint. Curentul de colector T1 iC1 curge prin sarcina Rs i se închide prin sursa de alimentare Ec1. Schema
funcŃionează la fel ca i în cazul etajului din figura 3.14.3a.
Când uint<0, tranzistorul T1 se închide, tensiunea pozitiva -kUint pe baza T2 îl deschide pe acesta.
Curentul de emitor iE2 curge prin sarcina Rs i se închide prin sursa de alimentare EC2. Tranzistorul T2
funcŃionează pe schema cu colector comun i deci este valabilă relaŃia (3.73) i graficele din figura 3.36.
Pentru ca coeficienŃii de transmisie ai semnalului pozitiv i negativ uint în sarcină să fie egali, este
necesară îndeplinirea condiŃiei KUEC = kKUCC, unde KUEC este coeficientul de amplificare pe tensiunea bazei, cu
emitor comun pe tranzistorul T1, iar KUCC este coeficientul de amplificare pe tensiune a schemei cu colector
comun pe tranzistorul T2. Pentru îndeplinirea acestei condiŃii, semnalul de la intrare se aplică la T2 prin
amplificatorul inversor cu coeficientul de amplificare k. Schemele din figura 3.37a i b, atunci când este
necesară decuplarea galvanică cu sarcina i modificarea nivelului tensiunii de ieire în raport cu Ec, pot fi
prevăzute cu transformator în circuitul de sarcină. Schema din figura 3.37c are o sursă de alimentare, însă
existenŃa transformatorului în aceasta este necesară.

Fig. 3.37 (c) Amplificator de putere în doi timpi clasa B cu transformator în circuitul de sarcină