Amplificatoare

Amplificatoare electronice

Definit n modul cel mai general, un amplificator este un cuadripol la intrarea cruia dac se aplic un semnal variabil, la ieire se obine un semnal de aceeai form i frecven dar cu amplitudine mai mare. Este evident c sporul de putere la ieirea amplificatorului este obinut datorit unei surse de energie electric cu care este prevzut acesta. Amplificatoarele se pot realiza cu elemente amplificatoare semiconductoare adic cu tranzistoare bipolare i cu efect de cmp. n acelai scop se folosesc i circuitele integrate amplificatoare care ncorporeaz totalitatea componentelor de baz ale schemei electronice. Celula de baz cea mai simpl care realizeaz amplificarea se numete etaj amplificator. Semnalele electrice la intrarea amplificatoarelor pot fi variabile continuu, n mod particular sub forma oscilaiilor armonice, sau sub forma impulsurilor de polaritate diferit. Se poate considera c, n regimuri stabilizate, majoritatea mrimilor fizice sunt constante sau lent variabile, cum sunt, de exemplu, tensiunea i frecvena reelei. n regimuri tranzitorii i ndeosebi n caz de avarie, acelai mrimi se pot modifica rapid. Amplificatoarele care pot funciona att cu semnale variabile ct i cu semnale continue sau lent variabile sunt cele mai universale i deci i cele mai des utilizate n practic. Aceste amplificatoare se numesc de curent continuu, cu toate c ele amplific i componenta alternativ i, n marea lor majoritate, ele sunt amplificatoare de tensiune i nu de curent.

Fig. 1 Schema de cuplare cu emitor comun a tranzistorului bipolar

n figura 1 este prezentat schema amplificatorului cu emitor comun cu tranzistor de tipul n-p-n. Semnalul de intrare se aplic n baza tranzistorului sub forma tensiunii uBE i curentului iB. Relaia uCE = f(uBE) se numete caracteristica de transfer a etajului. Prin creterea lui uBE, crete curentul iB, precum i curentul iC, astfel: iC = (+1)ICB0 + iB. Ca rezultat, crete cderea de tensiune pe rezistorul RC i se micsoreaza tensiunea uCE = EC iCR. Cnd uCE ajunge la valoarea UCES, creterea n continuare lui uBE nu mai provoac modificarea tensiunii uCE i a curentului iC, care trece prin rezistena de sarcin RC (figura 2). n acest regim, pe rezistena de sarcina RC se aplic tensiunea EC UCES i, din acest motiv, curentul de colector este egal cu

Fig. 2 Functia de transfer a amplificatorului cu tranzistor n montaj emitor comun

Caracteristica de transfer a etajului arat c prin variaia tensiunii uBE sau a curentului iB n circuitul de mic putere a sursei se semnal se pot modifica valorile curentului iC i tensiunii uCE din circuitul sursei EC de putere mai mare. Tensiunea uCE poate varia numai n limitele: UCES uCE EC, iar curentul iC n limitele: care corespunde zonei a II-a pe caracteristica de transfer din figura 2. Pentru valori negative ale lui uBE i n zona I a caracteristicii de transfer, prin tranzistor trece numai curentul mic necomandat al jonctiunii baz-colector, iar n zona a III-a, uCE = UCES, iar tranzistorul i pierde calitatea de amplificator. De asemenea, se constat din sectiunea a II-a c, prin creterea lui uBE, se micoreaz uCE. Amplificatorul la care variaia semnalului la ieire este de sens opus variaiei semnalului de la intrare se numete amplificator inversor. Regimurile de funcionare ale etajului de amplificare se numesc clase de amplificare i pot fi analizate pe baza caracteristicii de transfer. n figura 2, este reprezentat semnalul de intrare uint(t) de form oarecare cu ambele polariti i tensiunea uCE(t) n diferite clase de amplificare. Clasa de amplificare B este caracterizat de egalitatea uBE = uint. Datorit neliniaritii caracteristicii de transfer a etajului n clasa B, la ieirea acestuia se transmite numai alternana pozitiv a semnalului, pentru uint > 0. Aceasta clas de amplificare se folosete atunci cnd este necesar amplificarea impulsurilor de o singur polaritate. n cazul aplicrii la intrare a unor semnale cu ambele alternane, forma acestuia la ieire este distorsionat, iar o parte a informaiei coninute n semnal este pierdut definitiv. n cazul funcionrii etajului n clasa de amplificare A, la intrarea acestuia se aplic, pe lng semnalul uint(t) i o tensiune constant, care deplaseaz punctul de lucru pe caracteristica de transfer, astfel nct:

uBE = uint + Ud.

Datorit tensiunii de deplasare, Ud, semnalul de intrare se poate reproduce n totalitate, fr distorsiuni de form, pentru c valoarea lui uBE corespunde n mod continuu zonei a II-a pe caracteristica de transfer. Regimul de repaus corespunde regimului de funcionare a amplificatorului cnd acestuia i se aplic tensiunea sursei de alimentare i tensiunea de deplasare, dar nu i o tensiune uint. n acest regim, uBE = UBEr i iB = IBr, iar uCE = UCEr. Cnd se aplic tensiunea uint negativ sau pozitiv, se micoreaz sau respectiv se mresc curenii iB i iC, precum i cderea de tensiune pe RC n mod corespunzator, astfel nct uCE = UCer + UCE, unde UCE = uies reprezint efectul de amplificare. n regimul de funcionare cu semnal mare la intrare, modificarea tensiunii de intrare cuprinde toate sectiunile caracteristicii de transfer (I III), iar forma semnalului transmis este distorsionat i limitat n amplitudine. Asemenea situaii sunt specifice n tehnica impulsurilor, unde limitarea amplitudinii impulsurilor dreptunghiulare nu are urmri semnificative.

Alegerea clasei de amplificare i a regimului de repaus determina nu numai forma semnalului transmis, dar i pierderile de putere care produc nclzirea tranzistorului, astfel:

Pe diagrama din figura 2, cu linie punctat este reprezentat variatia puterii P n regim de repaus n funcie de tensiunea de deplasare, UBer. Se constat c, alegerea valorii lui UBer n mijlocul seciunii a II-a pe caracteristica de transfer corespunde pierderilor maxime de putere n tranzistor. Regimul de repaus la amplificatorul cu tranzistor n montaj cu emitor comun Pentru analiz, s considerm c etajul cu emitor comun funcioneaz n clasa de mplificare A. Schema din figura 3 conine suplimentar fa de schema din figura 1 rezistorul de sarcin din colector RS, la bornele cruia se culege tensiunea de ieire, uies, iar circuitul de intrare este reprezentat n mod conventional sub forma cuplrii n serie a dou surse de tensiune, uint i Ud.

Fig. 3 Amplificator n montaj emitor comun

\

n figura 4 se prezint diagramele de timp ale tensiunilor i curenilor pentru etajul de amplificare cu emitor comun. Cnd uint = 0, n regimul de repaus, prin tranzistor circul curenii continui IBr, ICr, IEr, iar pe baza i pe colectorul tranzistorului se aplic tensiunile continue UBEr i UCEr 0. Pentru c, n regim de repaus, uies = 0, n circuitul sarcinii RS este necesar introducerea unei surse de tensiune continu pentru compensare: Ucomp = UCEr. La aplicarea tensiunii de intrare, curenii i tensiunile n tranzistor se modific cu valorile UBE = uint, IB, IC, IE, UCE = Uies, care sunt reprezentate n figura 4.4, pentru cazul cnd semnalul la intrare are o form oarecare. Valorile instantanee ale curenilor i tensiunilor n tranzistor se pot determina cu ajutorul metodei grafice, care reprezint una dintre metodele eficiente de analiz a circuitelor neliniare. Caracteristica de ieire a schemei din figura 3, care conine un singur element neliniar tranzistorul, se exprim astfel:

iC = f(uCE) pentru IB = ct.

(1)

Dac se consider c n circuitul de sarcin se cupleaz sursa de tensiune de compensare, Ucomp = UCEr, atunci, n regim de repaus, curentul de colector este:

(2)

Pentru rezolvarea sistemului de ecuaii se folosete metoda grafic, n care scop, pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (figura 5), se traseaza dreapta de sarcin n curent continuu, descrisa de ecuatia (2). Astfel, se obtine c, pentru iC = 0, uCE = EC iar pentru uCE = 0,

. Prin aceste dou puncte stabilite se traseaz dreapta de sarcin. Intersecia dreptei de sarcin n curent continuu cu caracteristica de ieire a tranzistorului pentru iB = IBr va corespunde soluiei sistemului de ecuaii, respectiv punctului de repaus, numit i punct static de functionare, O(UCEr, ICr) (figura 5). n general, conditia Ucomp = UCEr nu se ndeplinete i curentul de colector se mparte, trecnd i prin RS. n acest caz, partea schemei compuse din EC, RC, Ucomp, RS se nlocuiete cu rezistena i tensiunea echivalente, Rechiv i Eechiv, care se determin pe baza teoremei generatorului echivalent astfel:

Valorile lui Rechiv i Eechiv se introduc n locul lui RC i respectiv EC n ecuaia (2) i, pe aceast baz, se construiete dreapta de sarcin n curent continuu.

Fig. 4 Diagramele tensiunilor si curenilor n amplificatorul n montaj emitor comun

Analiza grafic a etajului n prezena semnalului la intrare se face n mod analog. n acest scop, se urmrete circuitul de trecere a curentului IC. Acest curent poate trece prin RC i EC, precum i prin Ucomp i RS. Avnd n vedere c rezistena surselor de tensiune continu la variaia curentului I, adic rezistena acestora n componenta alternativ a curentului este egal cu 0, se obine: (3)

n continuare, se rezolv sistemul ecuaiilor (1) i (3), n care scop, pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (figura 5), se traseaz dreapta de sarcin n curent alternativ, AOB, prin punctul de repaus O, n concordan cu relaia (4.3). Pentru c dreapta AOB este mai nclinat dect dreapta de sarcin n curent continuu.

Fig. 5 Calculul grafic al etajului de amplificare cu tranzistor n montaj emitor comun; dreapta de punctului de repaus

sarcin i influena variaiei de temperatura asupra

Prin creterea lui iB, punctul de lucru al etajului, determinat de valorile lui uCE i iC, se deplaseaz n sus pe dreapta OA, curentul iC creste, iar tensiunea uCE scade. Prin micsorarea curentului bazei, punctul de lucru se deplaseaza pe dreapta OB, curentul iC scade, iar tensiunea uCE creste. Dreapta AOB reprezint traiectoria punctului de lucru a etajului. Metoda grafic de analiz permite studierea neliniaritii caracteristicilor tranzistorului si analiza aciunii semnalelor oarecare n orice clasa de amplificare. Metoda grafica este totusi greoaie i nu permite alegerea parametrilor elementelor constitutive ale etajului pe baza condiiilor initiale date. Calitatea esenial a metodei grafice de analiza const n aceea ca ofer o reprezentare concludent asupra funcionrii etajului ca schema cu elemente neliniare. Trebuie de remarcat faptul c, prin creterea temperaturii, crete valoarea lui Icr iar caracteristica de ieire se deplaseaz n sus prin meninerea egalitatii IB = IBr, asa cum se vede n figura 5 (reprezentare cu linie ntrerupt). Punctul de repaus se deplaseaz n sus pe linia de sarcin n curent continuu din punctul O n O, ceea ce face ca modificarile de semnal s ias din zona a II-a a caracteristicii de transfer (figura 2), iar forma curbei semnalului s fie distorsionat (curba uies n cazul nclzirii n figura 5). Datorit acestui fapt, la amplificatoarele cu tranzistoare este necesar stabilizarea punctului de repaus. n mod practic nu se folosesc etaje cu tranzistoare fr msuri corespunztoare de stabilizare a punctului de repaus. Aceast stabilizare este de asemenea necesar i pentru prevenirea situaiilor n care, prin nlocuirea tranzistoarelor, se modific de regula regimurile de lucru, datorit faptului c marja de variaie a caracteristicilor tranzistoarelor este destul de mare n jurul datelor de catalog.

Schema echivalenta si parametrii principali ai etajului amplificator cu tranzistor n montaj emitor comun Pentru calculul parametrilor de amplificare ai etajelor de amplificare se folosete metoda bazat pe liniarizarea caracteristicilor tranzistorului. Prin metoda liniarizrii caracteristicilor neliniare se pierd informaii despre elementul real i despre limitrile determinate de neliniaritate. Analiza amplificatoarelor se poate face numai pentru componentele alternative de curent i tensiune n clasa de amplificare A. Pentru calculul componentelor alternative, elementul de amplificare se nlocuiete cu schema liniar echivalent. n zona n care caracteristicile de ieire sunt paralele cu abscisa (figura 7.a), tranzistorul funcioneaz ca surs de curent iC, a crei variaie se poate scrie sub forma:

este rezistenta dinamic de ieire a tranzistorului cu emitor comun, determinat de panta caracteristicilor de ieire. Rezistenta rC* este de ordinul a 104 . n acest fel, circuitul de ieire, de colector al tranzistorului reprezint o surs de curent comandat, cu rezistenta intern egal cu rC*. Circuitul de intrare, din baza tranzistorului este descris de expresia: unde rintE este rezistena dinamic de intrare a tranzistorului cu emitor comun, determinat de panta caracteristicilor de intrare ale tranzistorului, aa cum se arat n figura 7.b, pentru UCE > UCES. Pentru tranzistoarele de putere mic, aceast rezisten are valoarea de ordinul 103 , iar pentru tranzistoarele de putere mare ea este mai mic. Schema echivalent a tranzistorului n curent alternativ este prezentata n figura 6. Aceasta schem are o serie de avantaje fa de alte scheme echivalente (figura 7.a,b) prin faptul c parametrii ei se determina relativ uor din caracteristicile tranzistorului, reprezentarea elementelor din schem corespunde unitilor de msur a mrimilor respective iar formulele de calcul sunt simple i corespund interpretarii fizice.

Fig.6 Schema echivalenta n curent alternativ a tranzistorului cu emitor comun

n tabelul 1 se arat corespondena dintre parametrii schemei echivalente din figura 6 i respectiv din figura 7.

Fig. 7 Schema echivalenta n curent alternativ a tranzistorului cu emitor comun: cu parametrii hibrizi (a); cu parametrii fizici (b)

Tabel .1 Corespondenta dintre parametrii schemei echivalente din figura 6, respectiv 7

Succesiunea de calcul pentru componentele variabile ale curenilor i tensiunilor etajului este urmtoarea: 1. Se nlocuiete tranzistorul cu schema sa echivalenta din figura 6; 2. Se nlocuiete partea linear a schemei etajului cu rezistentele echivalente pentru curentul alternativ, avnd n vedere c sursele de tensiune constant (EC, Ud, Ucomp) pentru componenta variabil a curentului au rezisten nul i deci, se, pot pune n scurt circuit. 3. Se calculeaz, pe baza schemei echivalente a etajului, parametrii electrici ai circuitului liniar, prin metodele cunoscute. n figura 8.a este prezentat schema echivalent a etajului cu emitor comun realizat pe baza figurii 3. La colectorul tranzistorului se cupleaz n paralel rezistoarele RC i RS (prin scurtcircuitarea Ucomp), la emitor se cupleaz rezistorul RE, iar ntre baz i punctele 1 i 2 se cupleaz sursa semnalului de intrare.

Fig. 8 Schema echivalenta n curent alternativ a etajului cu tranzistor cu emitor comun (a); schema echivalenta generalizata a amplificatorului (b)

Pe baza schemei echivalente din figura 4.8.a, se determin parametrii ce caracterizeaz calitatile de amplificator ale etajului, fr a lua n considerare influenta lui rC*, datorit faptului c valoarea acesteia este mare: 1. Determinarea rezistentei de intrare

uint = IBrint E + IERE = IB[rint E + ( + 1)RE] pentru ca IE = IB + IC = ( + 1)IB. Astfel: Rint = rint E + ( + 1)RE (4) Cnd RE = 0, adic atunci cnd etajul amplificator nu are stabilizare a punctului de repaus, Rint = rint E. Valoarea lui Rint la etajele cu emitor comun de putere mic este de ordinul a 103 .

2. Determinarea amplificrii n tensiune n regim de mers n gol, adic

se face prin exprimarea tensiunii n functie de curenti, astfel:

(5) Cnd RE = 0, valoarea lui Au0 este de ordinul a 102 la etajele la care RC >> RE. Relatia (5) arat c, prin mrirea lui RE, adic prin creterea stabilizrii punctului de repaus, amplificarea n tensiune scade mult. 3. Rezistenta de ieire Ries se determin pe baza teoremei generatorului echivalent. Aceast rezisten se msoar ntre bornele de ieire ale amplificatorului cnd sunt decuplate toate sursele de semnal, adic sunt ntrerupte sursele de tensiune i sursele de curent sunt scurtcircuitate. Se consider c uint = 0; atunci, IB = 0. Ries = RC (6) La amplificatoarele de putere mic, Ries este de ordinul a 103 . Cu ajutorul schemei echivalente generalizate din figura 8.b, se pot determina i ceilali parametri ai etajului de amplificare cu emitor comun, parametri derivai din Au0, Rint i Ries. Se consider c generatorul de semnal Eg are rezistena interna Rg. Amplificarea n tensiune a etajului cnd RS 0 se determin astfel: (7) unde: int i ies sunt coeficienti care iau n considerare pierderea de semnal n circuitul de intrare pe rezistenta Rg i respectiv n circuitul de ieire pe rezistena Ries. ntotdeauna deci: Au < Au0. Amplificarea etajului n curent se determin cu relaia: (8) Avnd n vedere c, la etajul de amplificare cu emitor comun, Au0 > 1, atunci Ai > 1. Amplificarea n putere este: (9) Pentru obinerea amplificrii maxime n tensiune este necesar ca Rint >> Rg i Ries << Rg. La etajele cu emitor comun este dificil ndeplinirea acestor condiii.

Reacia negativ Pentru stabilizarea regimului de repaus se introduce o legtur invers (reacie), care const n transmiterea informaiei sau energiei de la ieirea etajului sau sistemului la intrarea acestuia. Cu ajutorul legturii inverse (reaciei) se pot obine scheme noi, cu caliti deosebite. Teoria legturilor inverse constituie baza teoriei reglrii automate. Semnalul de reacie depinde de unul din parametrii de ieire ai sistemului: tensiune, curent, frecven, etc. La intrarea sistemului are loc nsumarea semnalului de intrare i a semnalului de reacie. Dac aceste semnale se nsumeaz astfel nct tensiunile lor se nsumeaz algebric, atunci legtura invers se numete n serie. Dac se nsumeaz algebric curenii, atunci legtura invers este paralel. Dac la intrare se adun semnale de semne diferite (n opozitie de faz), reacia este negativ, iar semnalul rezultat este mai mic dect semnalul initial de la intrare. n acest caz, semnalul la ieire se micoreaz, ns sporete stabilitatea mrimii de ieire. n cazul reaciei pozitive, la intrarea sistemului se aplic suma dintre semnalul de intrare i semnalul de reacie. Semnalul la ieire se mrete, dar stabilitatea parametrilor de ieire scade. Reactia pozitiv se foloseste pentru accelerarea proceselor tranzitorii, precum i n schemele generatoarelor i a instalatiilor cu funcionare n impulsuri. Pentru stabilizarea punctului de repaus al etajului cu emitor comun, se introduce n scheme acestuia rezistorul RE (figura 3), pe care cade tensiunea uE = iERE iCRE si care se aplica la intrarea tranzistorului astfel: Tensiunea uE reprezint semnalul de reacie, care este proporional cu curentul de ieire al tranzistorului, iE iC, adic, n cazul dat, reacia este n curent. La intrare, se produce scderea tensiunilor, din care motiv reacia este de tip serie i negativa. Conform relatiei (4), UBEr = Ud UEr se micoreaz, se reduce tensiunea direct pe jonciunea emitor-baz i, ca rezultat, se micoreaz curenii tranzistorului, IBr, ICr si I Er. Astfel, reacia stabilizeaz curenii tranzistorului n regim de repaus, cu att mai mult cu ct este mai mare RE, pentru c, n acest fel, crete semnalul de reacie. Stabilizarea punctului de repaus se face nsa cu pierderi. Astfel, cnd la intrarea etajului se aplic un semnal de intrare pozitiv sau negativ uint, se mresc sau se micoreaz curenii iE i iC, precum i cderea de tensiune pe RE, care reprezint semnalul de reacie. Din expresia (4), se determin variaia de tensiune dintre baz i emitor: UBE = uint UE Tranzistorul se comand cu tensiunea , din care cauz IB, IC i UCE devin mai mici, se micoreaz astfel i uies i amplificarea etajului. Pentru limitarea actiunii negative a reaciei asupra amplificrii etajului, n practic se limiteaza tensiunea UEr la nivelul de maximum 0,1EC, chiar dac i n acest caz aciunea reaciei este suficient de mare. Contradictia dintre cerinele de stabilitate a punctului de repaus i cele de obinere a unei amplificri ct mai mari se rezolv n etajul diferential. La alegerea punctului de repaus n clasa A este necesar eliminarea distorsiunilor semnalului, n care scop traiectoria punctului de lucru trebuie limitat la sectorul AOB din figura 5. n acest caz, puterea disipat pe tranzistor trebuie s fie minim. Pentru ndeplinirea acestor condiii este suficient alegerea urmtoare: (10) (11) unde UCES este valoarea tensiunii care corespunde interseciei sectorului de cretere rapid a caracteristicilor de iesire a tranzistorului (figura 1.7.a), Ucr este rezerva la deplasarea punctului de repaus O datorit nclzirii i Uies max este amplitudinea semnalului de ieire.

Prin respectarea relaiilor (5) i (6), traiectoria punctului de lucru al etajului nu depete domeniul uC > UCES, IC > (_ + 1)ICB0, care corespunde sectorului II pe caracteristica de transfer din figura 2, att pentru temperaturi minime, ct i maxime. Cnd

Rezistenta din circuitul colectorului se determin din rezolvarea acestei ecuaii mpreun cu (6) astfel:

Amplificatorul diferential Dup cum s-a artat, utilizarea etajelor cu emitor comun este dificil pentru c stabilizarea regimului de repaus cu ajutorul rezistentei RE este nsoit de reducerea substanial a amplificrii etajului. De asemenea, cuplarea etajelor de amplificare este nsoit de micorarea amplificrii datorit pierderilor pe elementele rezistive, pentru eliminarea scderii amplificrii fiind necesar utilizarea unei scheme cu surs de alimentare complex i costisitoare, totui n condiiile de existen a derivei nulului.

Fig. 9 Etaj simetric diferenial

Dificultile artate pot fi substanial reduse n etajul diferenial, a crui schem n forma cea mai simpl este prezentat n figura 9. Tranzistoarele T1, T2 i rezistoarele RC1 si RC2 formeaz o punte pe una din diagonalele creia se cupleaz sursele de alimentare +EC1 si EC2, iar pe cealalt diagonal cupleaz sarcina. Etajul diferenial se mai numete i etaj paralel. Parametrii superiori se pot ns obine n condiiile asigurrii simetriei nalte a punii. n etajul simetric, RC1 = RC2 = RC iar tranzistoarele trebuie s fie identice, condiie care se poate respecta prin realizarea tranzistoarelor pe un singur cristal i cu

aceeai tehnologie, motiv pentru care etajele difereniale se utilizeaz n prezent numai sub forma sau n componenta circuitelor integrate. Regimul de repaus corespunde situaiei cnd uint1 = uint2 = 0. Tensiunea de deplasare la ambele tranzistoare este aceeai: UBEr1 = UBEr2 = UE iar UEr = EC + ( IEr1 + IEr2)RE < 0. Datorit faptului c tensiunile pozitive de deplasare pe bazele tranzistoarelor sunt egale, curenii vor fi egali: IBr1 = IBr2, ICr1 = ICr2 si IEr1 = IEr2. Curenii de colector dau natere la cderi de tensiune pe rezistoarele RC1 si RC2, din care motiv: UCEr1 = UCEr2 = EC1 ICr1RC1 UEr = EC ICr2RC2 UEr. La ieirea etajului, uies = UCE2 = UCE1 = 0. n acest etaj se realizeaz stabilizarea regimului de repaus. Dac prin nclzire ICr1 si ICr2 cresc, atunci crete i curentul IEr1 + IEr2, care trece prin rezistenta RE iar tensiunea UEr crete, UEr > 0. Tensiunea UBer1 = UBer2 = UEr se micoreaz, jonciunile baz - emitor ale tranzistoarelor vor permite trecerea unui curent mai mic i, ca rezultat, curenii de colector ICr1 si Icr2 se vor stabiliza. Tensiunea UEr reprezint semnalul de reacie care stabilizeaz curentul total (IEr1+IEr2). La etajul diferenial, RE este mare, datorit crui fapt stabilizarea punctului de repaus se face cu mare precizie, astfel nct se poate considera c IEr1 + IEr2 = ct. adic prin rezistorul RE se transmite n schema etajului curent stabilizat. Funcionarea etajului nu se modific dac se nlocuiete RE cu o sursa corespunztoare de curent (IEr1 + IEr2). Pentru analiza derivei nulului, se consider c sursa de alimentare este instabil i c EC se modific prin cretere, astfel nct se mrete tensiunea pe colectoare cu valoarea UCE1 = UCE2. n acest caz, deriva nulului este zero, pentru c Uies = 0. Dac prin nclzire se mrete curentul de colector, IC1 = IC2, pentru c tranzistoarele sunt identice. n acest caz, UCE1 = UCE2, Uies = 0 i deriva nulului este de asemenea zero. n acest fel, orice modificare simetric ce apare n schem nu produce deriva nulului. Este de remarcat faptul c, n realitate, simetria elementelor componente ale schemei este totui relativ, astfel nct deriva nulului nu se anuleaz complet, ns ea devine att de mic, nct semnalul pe care l produce este mult mai mic dect semnalul de amplificat, ce se aplic la intrarea etajului diferenial. La analiza proprietilor de amplificare, se remarc faptul c etajul permite cuplarea surselor de semnal n diferite moduri: a) sursa de semnal se cupleaz ntre bazele tranzistoarelor, aa cum este reprezentat punctat n figura 9. La intrarea tranzistorului T1, se aplic uint1 = e/2. Dac e > 0. atunci, sub influena tensiunii pozitive pe baz, apare o variaie pozitiv IB1 si IC1 = ( + 1)IB1. Creterea curentului iC1, care trece prin RC1, micoreaz tensiunea uCE1, iar UCE1 < 0. La intrarea tranzistorului T2 se aplica tensiunea uies2 = e/2, care produce micorarea curentului n baz cu IB2 i micorarea curentului colectorului lui T2 cu IC2 = ( + 1)IB2. Tensiunea uCE1 se mrete: UCE > 0. Pe sarcin, tensiunea uies = UCE2 UCE1 = 2UCE2. n situaia cnd uint1 = uint2, IE1 = IE2 si, din acest motiv, iE1 + iE2 = ct., adic semnalul de reacie UE = 0, iar cderea de tensiune pe RE nu influeneaz asupra amplificrii. Se poate trage concluzia c, n etaj, este eliminat contradicia dintre necesitatea stabilizrii regimului de repaus i reducerea amplificrii, datorit reaciei negative. b) Sursa de semnal se cupleaz numai la intrarea lui T1: uint1 = e, iar intrarea celui de-al doilea tranzistor se scurtcircuiteaz: uint2 = 0. Sub influena semnalului de intrare, se modific curentul bazei cu IB1 > 0 cnd e > 0, crete iC1 i cderea de tensiune pe RC1 la colector UCE1 < 0. Prin creterea lui iB1, se mrete i iE1. Reacia negativ corespunztoare curentului (iE1 + iE2) stabilizeaz acest curent, care trece prin rezistorul RE, adic iE1 + iE2 = ct., din care cauz IE2 = IE1. n acest fel, rezult IB2 = IB1, IC2 = IC1, UCE2 = UCE1. Pe sarcin, tensiunea de ieire este egal cu uies = UCE2 UCE1 > 0. Astfel, prin aplicarea semnalului util numai la o intrare, se modific tensiunile i curenii la ambele tranzistoare, datorit stabilizrii curentului iE1 + iE2. n acelai fel, se poate analiza i situaia cnd semnalul se aplic la intrarea tranzistorului T2: uint2 = e, iar uint1 = 0. Cnd e > 0, UCE1 > 0, UCE2 < 0, iar pe sarcina, uies = UCE2 UCE1 < 0.

Fig. 10 Schema echivalent n curent alternativ a etajului diferenial simetric

Prin aplicarea semnalului la intrarea lui T1, polaritatea semnalului de ieire corespunde cu polaritatea celui de la intrare, motiv pentru care intrarea lui T1 se numete intrare neinversoare (direct). n cazul aplicrii semnalului la intrarea lui T2, polaritatea semnalului de ieire este invers celei a semnalului de la intrare, iar intrarea respectiv se numete intrare inversoare. c) la ambele intrri ale amplificatorului diferenial se pot cupla surse de semnal independente: uint1 si uint2, n regim de amplificare liniar de clas A. Tensiunea de ieire se poate determina prin metoda superpoziiei, pentru fiecare dintre semnale. Pentru aprecierea cantitativ a parametrilor de amplificare ai etajului diferenial se utilizeaz schema echivalenta n curent alternativ (figura 10). Pentru c suma curenilor iE1 i iE2 este constant, rezult c astfel nct IB2 = IB1. Variaiile curentului de intrare Iint, datorate variaiilor tensiunii uint1 trec de la T1 la T2 circuitul lor nchizndu-se prin sursa de semnal uint2 (figura 9). Pe circuitul echivalent, acest traseu este marcat cu linie punctat. Aplicnd legea lui Ohm pentru acest circuit, se obine relaia: (12) De aici : (13) Cnd RS = , atunci: Astfel : (14)

Se confirm astfel din nou c circuitul de emitor, care servete pentru stabilizarea regimului de repaus, nu influeneaz amplificarea etajului diferenial. n aceste etaje, nu exist reacie n componenta alternativ. Prin compararea relaiilor (14) i (5), se constat c ele coincid, dac se consider c RE = 0. Din relaia (10), rezult c:

(15) unde Iint = IB1. Comparnd relaia (15) cu relaia (4), se constat dublarea lui Rint, datorit trecerii curentului surselor de semnal prin ambele tranzistoare. Punnd Uint1 = 0 i Uint2 = 0, se determin Ries. n cazul semnalelor de intrare nule, IB1 = 0 i IB2 = 0, rezistenta de ieire a etajului este: Ries = 2RC (16)

n aceast situaie, rezistena de ieire crete de dou ori n comparaie cu valoarea determinat cu relaia (9). Valorile obinute pentru Au0 (fr semnal la intrare) pentru Rint i Ries se utilizeaz pentru realizarea schemei echivalente generalizate a etajului diferenial (figura 11.b), la intrarea cruia se aplic diferena semnalelor uint1 uint2. Calculul parametrilor de amplificare ai etajului se face n continuare pe baza relaiilor 9 11. Etajul diferenial amplific diferena semnalelor de intrare i, din aceast cauz, semnalul la ieire este uies = Au(uint1 uint2) = 0, atunci cnd la ambele intrri ale etajului diferenial semnalele sunt egale: uint1 = uint2. n aceast situaie, amplificatorul funcioneaz n regim de semnale n faz. Datorit faptului c etajul nu poate fi, n principiu, absolut simetric, n condiii reale, la ieirea acestuia n regim de semnale n faz se obine semnal diferit de zero: uies = Asuint, unde As este factorul de transfer pentru semnale n faz. Capacitatea de reducere a semnalelor n faz este caracterizat de factorul:

Datorit bunei simetrii a etajelor realizate sub form integrat, se obin valori Kred, sf = 80 100 dB.

Fig. 11 Scheme practice pentru etajele difereniale simetric (a) si asimetric (b)

n figura 11.a este prezentat schema etajului diferenial realizat n form integrat. Rezistena de valoare mare, RE, care este dificil de realizat n componena circuitului integrat, este nlocuit cu sursa de curent (iE1+iE2), realizat cu tranzistorul T3. n circuitul de emitor al acestuia, se introduce o rezisten R'E de valoare mic, ce asigur aplicarea pe jonciunea de emitor a semnalului de reacie negativ. La nclzire, crete tensiunea uE = iERE, sub influena creia curentul prin jonciunea baz-emitor a lui T3 scade. Dioda D servete, de asemenea, pentru stabilizarea curentului. Prin creterea temperaturii, tensiunea pe aceast diod i, ca urmare, i cea pe baza lui T3 se reduce, micorndu-se astfel curentul prin jonciunea baz - emitor a lui T3. Deficiena etajului diferenial const n lipsa punctului comun dintre sursele de semnal i sarcin. Aceasta deficien este eliminat n etajul diferenial asimetric din figura 4.12.b, la care semnalul se culege de pe colectorul lui T2. Schema aceasta are de asemenea stabilizarea punctului de repaus, pentru c iE1 + iE2 = ct., n condiiile cnd la aceasta nu exista reacie n componenta alternativ, pentru ca nici circuitul de emitor nu influeneaz asupra amplificrii. n amplificatoarele cu mai multe etaje, primul etaj se realizeaz sub forma etajului diferenial simetric, ce asigur amplificarea iniial a semnalului, practic fr deriv. Amplificarea ulterioar se poate obine ntr-un etaj diferenial asimetric. Etajul amplificator cu tranzistor n montaj colector comun Aa cum s-a artat, etajul amplificator n montaj cu emitor comun nu permite obinerea unei amplificri superioare n tensiune, pentru care ar trebui ca Rint i Ries . Datorit valorii mici a lui Rint, aceste amplificatoare consum o putere semnificativ din sursa de alimentare. Valoarea mare a lui Ries nu permite funcionarea etajului n sarcin cu rezisten mic, datorit pierderii semnalului pe Ries. n etajul de amplificare cu tranzistor n montaj colector comun se pot obine valori mari ale lui Rint pentru valori mici ale lui Ries. Acest avantaj se obine ns prin sacrificarea amplificrii, la aceste scheme aceasta fiind subunitar, Au < 1. Etajul cu colector comun nu permite amplificarea n tensiune a semnalului. Etajul se foloseste numai ca etaj auxiliar, de legtur ntre etajul cu emitor comun i sursa semnalului de mic putere (Rg este mare), sau cu rezisten de sarcin de mic valoare. Dei rolul acestui etaj este auxiliar, utilizarea sa este totui frecvent. Schema etajului cu colector comun este prezentat n figura 12.a. Colectorul tranzistorului este cuplat la sursa de alimentare EC. n circuitul de emitor se introduce rezistorul RE, care formeaz reacia negativ de stabilizare a punctului de repaus. n clasa A de amplificare, la intrare se aplica tensiunea uint i tensiunea de deplasare, Ud. Sursa de semnal uint se leag ntre baz i mas, iar sarcina RS ntre emitor i mas. Schema cu colector comun se mai numete i repetor pe emitor.

Fig. 12 Etaj amplificator cu tranzistor n montaj colector comun (a) i schema sa echivalent n curent alternativ (b)

n regim de repaus, uint = 0; tensiunea Ud determina curentul IBr, n circuitul emitorului apare curentul IEr, care determin o cdere de tensiune pe RE. Este necesar ca, n regim de repaus, uies = 0, n circuitul de sarcin s se introduc o surs de tensiune de compensare, Ucomp = UEr. n regim de repaus, pe jonciunea baz-emitor se aplic tensiunea UBEr = Ud UEr. Cnd semnalul de intrare uint este pozitiv sau negativ, curenii n baz i emitor se

mresc sau se micoreaz i, n mod corespunztor, se modific i cderea de tensiune pe RE. Polaritatea semnalelor de intrare i ieire n schema cu colector comun coincid, etajul fiind amplificator neinversor. Pe jonctiunea baz-emitor a tranzistorului se aplic tensiunea de comand UBE = uint uies. Semnalul uies se aplic la intrare ca semnal de reacie negativ: Ur = uies. Pentru c, ntotdeauna tensiunea UBE este pozitiva, uies < uint, adica Au = uies/uint < 1. Schema echivalent a etajului cu colector comun este prezentat n figura 12.b. Parametrii de baz ai montajului se determina astfel: 1. Rezistenta de intrare,

(17) Cnd

este mare, Rint atinge valori de ordinul 104 . 2. Amplificarea n tensiune la mers n gol,

se determin prin exprimarea tensiunilor n funcie de cureni, astfel:

(18) Cum rint E << ( + 1)RE, Au0 1. 3. Rezistenta de ieire se determin pe baza teoremei generatorului echivalent; considera eg = 0. Atunci:

Pe baza schemei echivalente:

de unde:

(19) La etajele cu colector comun, Ries este de ordinul 10 102 . Ceilali parametri de amplificare pot fi determinai pe baza expresiilor (4.10) (4.12). Datorita faptului c semnalul de comand n schema cu colector comun este mic, forma semnalului transmis nu este distorsionat dect pentru tensiuni de intrare foarte mari, cnd amplitudinea semnalului este de (0,2 0,4)EC.

Amplificator cu tranzistor MOS

Schema amplificatorului este prezentat mai jos.

Fig.13 Rezistenele RG1, RG2, RD i RS formeaz circuitul de polarizare al tranzistorului. Rolul circuitului de polarizare este de a polariza tranzistorul MOS n regiunea de saturaie. Condensatoarele CG i CL se numesc condensatoare de cuplare. Rolul lor este de a cupla n regim variabil generatorul de semnal Vg-Rg, respectiv rezistena de sarcin Rl la amplificator. n regim staionar, cele 2 dou condensatoare izoleaz amplificatorul de generatorul de semnal i de rezistena de sarcin, astfel nct punctul static de funcionare al tranzistorului nu este afectat de acestea. OBSERVAIE: deoarece n circuitul de mai sus exist 2 surse independente Vg i VCC, analiza acestuia se va realiza pe baza teoremei suprapunerii efectelor - TSE. Aceasta este aplicabil numai dac circuitul este liniar. Singurul element de circuit care ridic probleme este tranzistorul, deoarece acesta este un element de circuit neliniar i din acest motiv circuitul de mai sus NU este liniar. Totui, n anumite condiii restrictive dac considerm c tranzistorul funcioneaz n regim variabil de semnal mic, tranzistorul poate fi considerat un element de circuit liniar iar circuitul de mai sus devine un circuit liniar, caz n care se poate aplica TSE.

Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic: Scopul este determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului: Av amplificarea n tensiune a amplificatorului n gol (cnd acesta nu este conectat la rezistena de sarcin Rl i la generatorul de semnal Vg-Rg) Ri rezistena de intrare a amplificatorului Ro rezistena de ieire a amplificatorului Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic este realizat pe baza unui circuit echivalent care modeleaz comportamentul circuitului iniial n regim variabil de semnal mic. Acest circuit se obine astfel: 1: n circuitul iniial, condensatoarele de cuplare (CG i CL) se nlocuiesc cu fire (scurtcircuite) ntre armturi (deoarece condensatoarele respective, fiind caracterizate de capaciti mari de ordinul microfarazilor - au reactana XC foarte mic zero la frecvena de analiz care este cel puin de ordinul hertzilor). 2: n circuitul iniial se pasivizeaz toate sursele continue independente. 3: tranzistorul se nlocuiete cu modelul su echivalent, valabil n regim variabil de semnal mic, n domeniul frecvenelor joase i medii. n cazul circuitului de mai sus condensatoarele CG i CL se scurtcircuiteaz, iar sursa de tensiune continu VCC se pasivizeaz (se nlocuiete cu un scurtciruit ntre + i -). Rezult circuitul intermediar de mai sus. Prin nlocuirea tranzistorului MOS cu modelul su echivalent, valabil n regim variabil de semnal mic, n domeniul frecvenelor joase i medii, va rezulta circuitul echivalent care modeleaz comportamentul circuitului iniial n regim variabil de semnal mic. Acesta este prezentat mai jos:

Fig.14 Panta tranzistorului MOS are valoarea: g M = 2 k I D (20) Determinarea amplificrii n tensiune a amplificatorului n gol (cnd acesta nu este conectat la rezistena de sarcin RL i la generatorul de semnal Vg-Rg). Formula de calcul pentru amplificarea n tensiune este: V0 AV = (21) Vi

Tensiunea Vo este tensiunea pe RD (n cazul n care RL nu exist n ciruit). Deoarece trebuie determinat un raport, mrimile implicate n acesta se vor exprima n funcie de o necunoscut comun acest necunoscut va fi Vgs. Aplicnd legea lui Ohm pentru RD rezult: V0 = g M Vgs R D - Aplicnd TK2 pe bucla Vi, Vgs, Rs rezult: unde

Vi = Vgs + g M Vgs R S

g M Vgs
AV = V0 Vi

este curentul prin RS.

g M RD 1 + g M RS

Rezult:

(22)

Determinarea amplificrii n tensiune a circuitului cu generator de semnal i rezisten de sarcin. Schema amplificatorului i cea echivalent este prezentat n figura de mai jos:

Fig.15 Amplificarea se determin pe baza circuitului n care amplificatorului, modelat ca mai sus, i se aplic generatorul de semnal i rezistena de sarcin:

Fig.16

Formaula amplificrii este:

A vg =

Vl Vg

(23)

Se observ c la ieire exist un divizor de tensiune: tensiunea AvVi se divide pe Ro i RL RL Vl = A v Vi RL + Ro Se observ c la intrare exist un divizor de tensiune: tensiunea Vg se divide pe Rg i Ri Ri R + Rg Vi = Vg Vg = i Vi R i + Rg Ri

RL Ri A v (24) RL + Ro Ri + Rg Ideal ar trebui ca Avg = Av, dar, datorit rapoartelor rezistive din faa lui Av, valoarea lui Av va fi mai mic dect a lui Avg. pentru ca Avg s fie egal cu Av ar trebui ca cele 2 rapoarte rezistive s fie unitare dar:
De unde:

A vg =

Amplificatorul operational
Utilizarea circuitelor integrate este recomandabil chiar i n situaiile cnd, n soluii concrete, nu este utilizat n totalitate capacitatea acestora. Printre cele mai frecvent utilizate circuite integrate este i amplificatorul operaional, n care sunt concentrate calitile fundamentale ale schemelor de amplificare. Amplificatorul operational neinversor cu reactie Amplificatoarele operaionale nu pot fi folosite ns singure n schemele de amplificare, datorit faptului c regiunea liniar AOB pe caracteristica de transfer este limitat de valori relativ mici ale tensiunilor Prin creterea tensiunii de intrare n afara acestor limite, tensiunea de ieire nu se modific, cu alte cuvinte se constat distorsionarea neliniar a semnalului.

Fig. 17 Amplificator operaional neinversor cu reactie negativ (a) i caracteristica sa de transfer (b)

De asemenea, amplificarea Au variaz n limite mari de la un exemplar la altul i ea depinde de regimul de funcionare, n special de temperatura de lucru, datorit dependenei puternice de temperatur a lui al tranzistoarelor care compun amplificatorul operaional. Pentru mbuntirea parametrilor dispozitivelor de amplificare cu amplificator operaional se foloseste reacia. n figura 17.a este reprezentata schema amplificatorului neinversor cu amplificator operaional. De la ieirea amplificatorului operaional se culege tensiunea pentru reacia negativ, care se aplic la intrarea inversoare a amplificatorului operaional. n acest fel, la intrarea neinversoare a amplificatorului operaional acioneaz tensiunea de intrare, uint, iar la intrarea inversoare tensiunea uri. Tensiunea la ieirea amplificatorului operaional este determinat de diferena (uint uri), iar reacia este negativ. Amplificarea se determin pe baza schemei din figura 17.a. n acest scop, se consider c RS >> Ries, Rint >> R1 i R2 >> Ries, condiii care sunt ndeplinite n amplificatorul operaional. Tensiunea de reacie este: (25) Tensiunea de ieire se determin de diferena tensiunilor la intrarea amplificatorului operaional astfel: uies = Au(uint uri) = Au(uint uies) (26) n acest fel, amplificarea amplificatorului operaional cu reacie negativ este: (27) Datorit faptului c la amplificatoarele operaionale Au este foarte mare, din expresia (27), pentru Au , se obine: (28) adic Auri este determinat numai de raportul rezistenelor i nu depinde de valoarea lui Au. n acest fel, introducerea reaciei negative permite stabilizarea amplificrii circuitului integrat. Astfel, dac Au se micoreaz, se micoreaz i uies i uri, crete diferena acestor valori, ceea ce face ca uies s creasc, compensnd scderea iniial a tensiunii de ieire. Tensiunea la ieirea amplificatorului operaional uies Uies max, amplificarea circuitului integrat Au , de unde rezult c: (29) adic uint uri. n regim de amplificare liniar, tensiunea diferenial ntre intrrile amplificatorului operaional este foarte mic, iar aceast calitate apare n toate schemele de utilizare a amplificatorului operaional. Dei amplificarea schemei depinde numai de raportul rezistentelor R1 i R2, rezistena minim a lui R1 este limitat de capacitatea de sarcin a circuitului integrat. Pe de alt parte, valoarea maxim a lui R2 este limitat, ntruct curenii mici care trec prin rezistene de mare valoare sunt comparabili cu cei de intrare ai amplificatorului operaional i aceast situaie amplific influena faptului c amplificatorul operaional nu este ideal asupra funcionrii schemei. Practic, valoarea rezistentei R2 se gsete n limitele 103 106 . Stabilizarea amplificrii amplificatorului operaional datorit introducerii reaciei face ca rezistena de ieire a schemei din figura 17.a s fie mai mic dect rezistena de ieire a amplificatorului operaional nsui: Ries ri << Ries, ceea ce reprezint de asemenea o calitate obinut datorit reaciei. Rezistena de intrare a schemei din figura 17.a se determin cu relaia

(30) unde iint este curentul diferenial dintre intrrile amplificatorului operaional:

Rint fiind rezistena de intrare a AO. Dat fiind c uint uri 0, iint 0, iar rezistena de intrare se mrete substanial: Rint ri >> Rint, ceea ce, de asemenea, reprezint o calitate datorat reaciei.

(31) Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional este limitat de valorile Uies max. n schema din figura 17.a, regimul de amplificare liniar corespunde tensiunilor de intrare limitate de valorile:

Dat fiind c Auri << Au, caracteristica de transfer a amplificatorului operaional cu reacie negativ are un domeniu mare de amplificare liniara (figura 17.b). nclinarea caracteristicilor de transfer n sectorul liniar AOB este determinat de amplificarea Auri: linia 1 este trasat pentru Auri = 4, linia 2 pentru Auri = 10. n acest fel, introducerea reaciei negative permite lrgirea domeniului liniar al caracteristicilor de transfer i micorarea distorsiunilor neliniare.

Fig. 18 Forma semnalelor la intrarea si iesirea AO din figura 17 pentru diferite valori ale amplificarii

n figura 18 este prezentat forma tensiunii de intrare uint, care se aplic la intrarea AO din schema din figura 17.a i cea a tensiunii de ieire, uies, pentru diferite valori ale amplificrii Auri: Auri1 < Auri2 < Auri3. Lrgirea domeniului de amplificare liniar se obine datorit reducerii amplificrii.

Amplificatorul operational inversor cu reactie Schema amplificatorului operaional inversor cu reacie negativ este prezentat n figura 19. Semnalul de intrare i semnalul de reacie negativ se aplic la intrarea inversoare a amplificatorului operaional, unde are loc nsumarea curenilor iint i iri, adic se produce reacia negativ paralel. Pentru nsumarea curenilor este necesar eliminarea posibilitii de cuplare nemijlocit la intrarea amplificatorului operaional a surselor de alimentare, adic este necesar sa se asigure ca R1 0 si R2 0.

Fig.19 AO inversor cu reacie negativ (a) i caracteristica de transfer a acestuia (b)

Pentru determinarea parametrilor de amplificare, se consider c sunt satisfcute condiiile: RS >> Ries, Rint >> R1, Ries << R2, condiii care sunt realizate n mod obinuit n amplificatorul operaional. Pentru c la circuitele integrate: Rint , iint = iri = i. Tensiunea diferenial dintre intrrile amplificatorului operaional, u* este nul pe sectorul liniar al caracteristicii de transfer. Atunci:

(32) Amplificarea schemei din figura 19 se determina astfel:

(33) Semnul minus arat c polaritatea semnalelor la intrare i ieire este diferit, ele fiind n opoziie de faz, motiv pentru care montajul este inversor. Amplificarea Auri_ << Au, dar Auri depinde numai de raportul rezistenelor, datorit crui fapt stabilitatea montajului este foarte mare. Rezistena de intrare a AO inversor este:

(34) Folosind relaia (28), rezulta: Rint ri = R1. Deosebirea dintre amplificatorul operaional analizat i cel din figura 17.a const n faptul c valoarea rezistenei la intrare este finit. Prin stabilizarea amplificrii, rezistena de ieire se micoreaz, astfel nct Ries ri << Ries, ceea ce reprezint o calitate obinut datorit reaciei negative.

Cnd Au , Ries ri 0. Caracteristica de transfer a amplificatorului inversor este prezentat n figura 19.b. Ea se deosebete de caracteristica din figura 17.b prin aceea c este dispus n cadranele al II-lea i al IV-lea, ceea ce caracterizeaz schemele inversoare a polaritii semnalului. Zona liniar a caracteristicii este limitat de tensiunile

(35)

Pentru c Auri_ << Au, partea liniar a caracteristicii de transfer se lrgete datorit introducerii reaciei negative, iar semnalele de amplitudine mare se transmit fr distorsiuni. n acest mod, introducerea reaciei negative n schema amplificatorului operaional inversor permite mbuntirea parametrilor acestuia astfel: se mrete amplificarea, se micoreaz rezistena de ieire, se lrgete domeniul liniar al caracteristicii de transfer i se reduc distorsiunile n cazul semnalelor mari. Aceleai rezultate se obin i prin introducerea reaciei negative n amplificatoarele operaionale neinversoare cu singura deosebire referitoare la valoarea rezistenei de intrare. Deci, cu ajutorul reaciei negative, prin mbuntirea unui singur parametru de reducere a amplificrii, se pot mbunti ceilali parametri. n cazul cnd se dorete amplificarea puternic a semnalelor, se folosesc mai multe etaje de amplificare, fiecare dintre etaje fiind realizat cu amplificatoare operaionale cu reacie negativ. Amplificatoare de radio frecven (ARF) Amplificatorul de radio frecven este un amplificator pe frecven fix - frecvena sau variabil format din mai multe etaje de amplificare i filtre trece band (FTB). Amplificarea se realizeaz cu TB, TEC sau CI. Ca filtre trece band se folosesc circuite LC acordate, filtre piezoelectrice, filtre mecanice sau filtre active. Numrul de etaje din AFI depinde de amplificarea necesar, de frecvena de lucru i de lrgimea benzii de trecere. Pentru schema prezentat n figura 19 polarizarea TB se face prin ocurile de RF din colector (SC) i din baz (SB), de la sursele EC i EB cu RB (EB cu RB este format din EC prin divizor rezistiv). Sarcina RL este cuplat prin circuit rezonant de adaptare, n acest caz considerat echivalent cu circuitul LLCL paralel, conectat prin C1 la colector. In paralel cu LL i CL apare rezistena (echivalent) RLe, format din rezistena de sarcin reflectat n paralel cu rezistenele de pierderi ale LL i CL; evident, RLe are sens numai pentru semnalele sinusoidale cu frecven egal sau foarte aproape de frecvena de rezonan a circuitului LC, obinuit frevena fundamentalei semnalului din colector1.

Fig.19

Banda de trecere a amplificatorului reprezint domeniul de frecven n care amplificarea nu scade sub 3 dB fa de valoarea maxim (adic de 2 ori). Aceasta determin banda ntregului receptor i fidelitatea acestuia. Pentru a nu apare distorsiuni, trebuie ca banda ARF s fie mai mare dect banda semnalului Selectivitatea fa de canalul adiacent reprezint raportul (n dB) dintre amplificarea la frecvena medie din band i amplificarea la un anumit dezacord f, egal cu diferena ntre dou canale vecine: (36) Coeficientul de rectangularitate al caracteristicii de amplificare-frecven se definete ca raportul dintre banda la o atenuare i banda la 3dB: (37) Cu ct kr este mai apropiat de unitate, cu att AFI este mai selectiv. Banda de trecere i selectivitatea se impun prin gabaritul caracteristicii amplificare-frecven (fig. 20).

Fig.20 Amplificarea n tensiune Amplificarea n tensiune pe un etaj la frecvena de rezonan a circuitului (fi), de forma:

Amplificarea n tensiune pe un etaj la o frecven oarecare (f) este de forma: