Punctul static de functionare la tranzistoare bipolare

1. Structura fizica a tranzistorului bipolar

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni formate printr-o succesiune de 3 zone
pnp sau npn. Zona din mijloc a tranzistorului se numete baz (B) i este realizat cu urmtoarele proprieti: este foarte
ngust de ordinul micronilor sau c!iar zecimi de micron" i are o dopare cu impuriti mult mai mic dec#t regiunile
laterale. $ zon e%trem& cu cea mai mare dopare cu impuriti se numete emitor (E). 'ealalt zon e%trem se numete
colector (C).
'ele dou jonciuni ale unui tranzistor se numesc jonciunea emitorului& respectiv jonciunea colectorului. (a
funcionarea n regiunea activ n care se manifest proprietile de amplificare ale tranzistorului"& jonciunea emitorului
este polarizat n sens direct& iar jonciunea colectorului n sens invers.


2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
)n sc!emele de amplificare& precum i n alte circuite electronice& tranzistorul este tratat ca un cuadripol activ& av#nd
dou borne de intrare i dou borne de ieire. *ar tranzistorul are numai trei borne terminale". +ezult c& pentru a fi
utilizat ntr-un anumit circuit& de e%emplu de amplificare& este necesar ca o born a tranzistorului s fie comun at#t
circuitului de intrare c#t i circuitului de ieire. )n funcie de electrodul folosit ca born comun& tranzistorul are trei
cone%iuni posibile: baz comun BC"& emitor comun EC" i colector comun CC".
'aracteristicile statice ale unui tranzistor e%prim legturile dintre curenii prin tranzistor i tensiunile aplicate& n
regim staionar. *ependenele se pot e%prima analitic& ns cel mai frecvent se dau sub form grafic.
,rincipalele caracteristici ale tranzistoarelor sunt:
- familia caracteristicilor de ieire& care d dependena curentului din circuitul de ieire n funcie de tensiunea la bornele
de ieire i curentul din circuitul de intrare ca parametru": iE = fuE, ii"-
- familia caracteristicilor de intrare reprezint dependena curentului din circuitul de intrare ca funcie de tensiunea de
intrare i tensiunea de la bornele de ieire ca parametru": ii = f'ui, uE"-
,entru reprezentarea complet a caracteristicilor tranzistorului bipolar& se dau uneori& ntr-o diagram cu patru
cadrane& patru familii de caracteristici. ,e l#ng cele dou familii prezentate cele de ieire i cele de intrare" se mai dau
i dou familii pentru caracteristici de transfer:

iC = f3 iB , uCB "-
uEB = f. uCB ,iB"-
'aracteristicile tranzistorului depind de sc!ema de conectare. /n circuitele electronice& cea mai utilizat sc!em de
cone%iune a tranzistorului bipolar este EC. /n aceast cone%iune& familiile caracteristicilor de ieire i de intrare
reprezint dependenele:
iC = f uCE ,iB"-
iB = ! uBE , uCE"-
,entru a stabili dependena curentului de ieire iC n funcie de curentul de intrare iB & folosim relaiile:
iC =0" iE # $CB1
iB 23 0" " iE $CB1
*in cea de-a doua relaie e%tragem iE i nlocuim n prima relaie:

"
CB B
E
$ i
i

+
=
3
1

+ezulta:

1
1
3 3
CE B "
"
CB
B
"
"
C
$ i
$
i i + =

-
"
CB
CE
$
$

=
3
1
1
/n care
"
"
"

=
3
se numete factor de amplificare static n curent al tranzistorului& n cone%iunea EC. 'um 0"
este foarte apropiat ca valoare de 3 0" 2 1&45& 6& 1&445"& factorul 7" este relativ mare& ntre 31 i 3111. 'reterea
tensiunii aplicate invers n circuitul colectorului produce o uoar cretere a factorului 0" .8ceasta provoac ns o
modificare mult mai pronunat a lui 7" .

+egiunea de saturaie a caracteristicii de ieire este situat n cadranul /. /n aceast regiune& caracteristicile de ieire
ale tranzistorului sunt foarte apropiate. ,entru scri obinuite& regiunea de saturaie se reduce practic la o dreapt& cu
nclinaie apropiat de 419& numit dreapt de saturaie.
+egiunea de blocare tiere"& corespunde situaiilor de polarizare invers a jonciunii emitor - baz. +iguros& regimul de
tiere se obine pentru iB = $CB1.
*ac se consider situaia n care emitorul i colectorul i inverseaz rolurile& caracteristicile se e%tind n cadranul
/// tranzistor inversat". 8pare regiunea activ invers.
,entru cone%iunea EC se poate da o reprezentare n patru cadrane prin introducerea a dou familii de caracteristici
de transfer:
iC = f' iB , uCE"
uEB = f'' uCE , iB"

3. Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului
'oncentraiile purttorilor minoritari din cele trei regiuni ale tranzistorului bipolar depind e%ponenial %
3:;
" de
temperatura cristalului. 8ceast particularitate determin o influen important a temperaturilor jonciunilor asupra
caracteristicilor statice ale tranzistorului. *intre efectele cele mai importante menionm:
- creterea curentului de colector iC cu temperatura& av#nd ca efect deplasarea spre n sus a curbelor din familia
caracteristicilor de ieire. $ influen deosebit o are creterea substanial cu temperatura a curentului de purttori
minoritari $CB1 . (a tranzistoarele cu <i& curentul rezidual este e%trem de mic& de ordinul n8& astfel c ponderea sa&
c!iar la temperaturi ridicate& este mai mic dec#t la tranzistoarele cu =e.
- micorarea tensiunii emitor baz pentru iE 2 ct sau iB 2 ct"& av#nd ca efect modificarea caracteristicilor de intrare& at#t
n sc!ema BC& c#t i n EC.
- creterea coeficientului static de amplificare 0" i implicit a coeficientului 7" la majoritatea tranzistoarelor.

4. Stabilirea punctului static de funcionare al tranzistorului
,entru funcionarea corect a tranzistorului bipolar ntr-un etaj de amplificare& tranzistorul trebuie s fie alimentat n
serie cu rezistena de sarcin& astfel nc#t s fie asigurat funcionarea n regiunea activ a caracteristicilor de ieire.
8sigurarea unui punct static de funcionare n regiunea activ normal a caracteristicilor& caracterizat de curentul de
baz iB1 & curentul de colector iC1 i tensiunea colector - emitor uCE1 & necesit polarizarea n sens de conducie a jonciunii
emitoare i a jonciunii colectorului n sens de blocare. 8ceasta se poate realiza cu ajutorul a dou surse EC i EB .
+ezistena &B din circuitul bazei se alege astfel ca pentru o rezisten de sarcin &' > &C i o tensiune de colector EC date&
s se impun un punct de funcionare convenabil& n regiunea activ admisibil a caracteristicii statice.
<c!ema din ?ig. 3 are dezavantajul c necesit dou surse de alimentare care s asigure funcionarea montajului& de
aceea se folosete rar.
,entru realizarea etajului de amplificare& se poate utiliza i o singur surs de alimentare& prin care se stabilete at#t
polarizarea jonciunii colectorului& c#t i polarizarea jonciunii emitorului. 'ea mai simpl situaie const n alimentarea
bazei de la sursa de colector EC & printr-o rezisten &B care asigur valoarea iB1 a curentului de baz ?ig. ;".

,resupunem c sunt date caracteristicile de ieire ale tranzistorului ca n ?ig. 3" iC = f uCE ,iB" precum i mrimile
EC, &B i rezistena de sarcin de colector". <e pune problema determinrii punctului static de funcionare& definit prin
mrimile iB1 , iC1 i uCE1. )n acest scop& se scrie legea a //-a a lui @irc!!off pe circuitul de colector i pe circuitul de
alimentare a bazei.
EC = &C iC # uCE
EC = &B iB # uBE
*eoarece AuBE ABB EC & putem scrie: EC &B iB

,entru deducerea punctului static de funcionare n sc!ema din ?ig. ;& se rezolv grafic sistemul:
iC = f uCE ,iB"
EC = &C iC # uCE
EC &B iB
*in ultima ecuaie a sistemului rezult imediat:
iB1 EC : &B
/n planul caracteristicilor de ieire se face reprezentarea grafic a dreptei statice de sarcin ecuaia EC = &C iC # uCE".
/ntersecia dreptei statice de sarcin cu caracteristica corespunztoare curentului iB1& determin punctul static de
funcionare (& de coordonate uCE1 , iC1 .

*e asemenea& dac se d tensiunea EC i punctul static de funcionare& se pot calcula rezistenele &C i &B care s
asigure punctul static de funcionare dat.
<-a artat c variaia temperaturii produce modificarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor. 'onsider#nd
modificarea temperaturii la o valoare mai ridicat& punctul static de funcionare se modific din ( n (' ?ig. 3".
'urentul de colector crete& iar AuCE Ascade. $ cerin important impus circuitului de polarizare a tranzistorului& care nu
este ndeplinit de sc!ema din ?ig. ;& este asigurarea stabilitii punctului static de funcionare la variaia temperaturii.
Cin#nd seama de influena temperaturii asupra curentului rezidual $CB1& tensiunii uEB corespunztoare unui curent iE
2 const." i asupra factorului 7" & precum i de efectul acestor mrimi asupra curentului de colector e%primat de relaia:
iC = iC $CB1 , )EB , 7""&
se obine variaia total a curentului de colector& prin diferenierea relaiei i trecerea la diferene finite:


"
"
C
EB
EB
C
CB
CB
C
C
i
)
)
i
$
$
i
i

= A A
A A
1
1
sau:
" EB ) CB $ C
' ) ' $ ' i

+ + = A A
1 , unde

1 CB
C
$
$
i
'

=
;
A A
EB
C
)
)
i
'

=
;
"
C
i
'

=

sunt factorii de sensibilitate ai curentului de colector& n raport cu $CB1 , A)EBA i 7". Dicorarea variaiei EiC & la
modificarea temperaturii& se realizeaz cu ajutorul unor sc!eme de polarizare a tranzistorului& care asigur stabilizarea
termic a punctului static de funcionare.
5. esfasurarea lucrarii
8" 'ircuitul de test

J 8
1
2
0
R 5
P O T
R 3
2 . 2 m e g J 1 1
1 2
R 4
1 8 k
0
R 2
5 k 6
C 1
1 u
J 9
1
2
C 2
1 u
0
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
J 1
1
2
J P 1
1
2
3
4
R 1
1 k 5
J 7
1
2
C 3
2 2 u
J 6
1
2
0
0
J 1 0
1
2
!i". 4
F" 'ircuite de polarizare
F.3 <tudiul circuitului de polarizare cu rezistenta serie in baza
a# <e realizeaza montajul din ?ig. G pentru tranzistorul H3-


R 3
1 . 5 K
0
V 1
1 5 V
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
R 1
1 8 K
0
R 2
5 . 6 K
!i". 5
b# <e alimenteaza de la sursa I''23GI -<e masoara I'J si se deduce valoarea lui i' -
c# <e repeta punctul b dupa ce in prealabil tranzistorul a fost incalzit& prinzandu-l intre degete si asteptand ; K 3
minute -
d# /n circuitul de polarizare calculat si realizat pentru tranzistorul H3 se inlocuieste H3 cu unul de acelasi tip dar cu
F1 diferit H; sau H3". <e repeta masuratorile si se determina i' precum si diferentele Ei'& EI'J fata de valorile masurate
cu tranzistorul initial.
+ezultatele masuratorilor se vor sistematiza in tabelul de mai jos. <e va indica de fiecare data sensul in care trebuie
modificate rezistentele de polarizare pentru a readuce p.s.f al tranzistorului respectiv la ic2 ;.L m8& I'J 2 . I- M
$ranzistorul %& $emperatura
capsulei
'() 'C) 'C( iC
H3 311 ;1N'
H3 311 3LN'
H; 311 ;1N'
H3 ;1N'
H3 311 ;1N'
H3 311 3LN'
H; ;1N'
H3 ;1N'
Tabelul 3
F.; <tudiul circuitului de polarizare cu rezistenta in emitor
a# <e realizeaza montajul din ?ig. O pentru tranzistorul H3-

!i". *
b# <e alimenteaza de la sursa I''23GI. <e masoara tensiunea pe rezistenta din emitor IJD" si tensiunea intre
colector si masa I'D". <e deduce I'J si i' -
c# <e repeta punctele F.3 c si d pentru noua configuratie de circuit. +ezultatele se sistematizeaza in Tabelul 3. <e
compara rezultatele obtinute cu cele din paragraful F.3 -
F.3 <tudiul circuitului de polarizare cu divizor de tensiune in baza
a# <e realizeaza montajul din ?ig. L pentru tranzistorul H3-

!i". +
b# <e repeta masuratorile pentru noua configuratie -
*. Simularea circuitelor de polarizare a tranzistorului bipolar
'ircuitul de polarizare al tranzistorului trebuie sa indeplineasca urmatoarele conditii :
- <a asigure punctul static de functionare cerut /c &Ice" specificat la o temperatura ambianta data -
- <a asigure stabilitatea p.s.f. la variatia parametrilor tranzistorului cu temperatura si datorita dispersiei de
fabricatie a parametrilor -
*.1 Circuitul de polarizare cu rezistenta serie in baza
a# +ezistenta de intare
,entru a calcula rezistenta de intrare se seteaza analiza <mall-signal transfer function din meniul urmator:

(a intrarea circuitului se introduce o sursa de e%citatie in c.c care sa nu modifice ,<? al circuitului.8stfel
se va calcula rezistenta de intrare la /P/3.
+ezultatele simularii sunt :
QQQ<D8((-</=R8( 'S8+8'TJ+/<T/'<
I$TT":/P/3 2 -4.3L5JU1G
/R,TT +J</<T8R'J 8T /P/3 2 3.44LJU13
$TT,TT +J</<T8R'J 8T I$TT" 2 G.35;JU13
b" 8naliza parametrica in functie de rezistenta din baza
Iom observa cum variaza punctul static de functionare al tranzistorului cu rezistenta din baza +b".
'ircuitul pentru simularea analizei :
o u t
0
R b
{ R }
0
V 2
R ! Q # 1 k
V $ % P & # 1
V O # 0
R e
1 . 5 k
0
V ' '
1 5
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
C 1
1 u
R '
5 . 6 k
Deniul pentru setarea analizei:
+ezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
V( Q1: c)
0V
5V
10V
15V
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
I C( Q1)
0A
1. 0mA
2. 0mA
3. 0mA

b# 8naliza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare
8ceasta analiza ne permite sa vedem influenta circuitului asupra semnalului de iesire la variatii ale
amplitudinii semnalului aplicat la intrare
'ircuitul pentru analiza :
o u t
R '
5 . 6 k
0
V ' '
1 5
0
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
V 2
R ! Q # 1 k
V $ % P & # { $ }
V O # 0
0
R b
2 m e g
C 1
1 u

Deniul pentru setarea analizei:

a# +ezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare

Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
V( OUT)
0V
5V
10V
15V

Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
I C( Q1)
0A
1. 0mA
2. 0mA
3. 0mA
b# 8naliza de temperatura
'ircuitul pentru simularea analizei

R b 1
2 m e g
C 2
1 u
R ' 1
5 . 6 k
( ' '
0
V 3
R ! Q # 1 k
V $ % P & # 1 0 0 m
V O # 0
0
o u t 1
Q 2
Q 2 N 2 2 2 2
8naliza s-a efectuat pentru -.1 -;1& 1& ;1& 3L& G1& 311 grade 'elsius.
+ezultatele analizei de temperatura :

Temper at ur e
- 40 - 20 0 20 40 0 !0 100
ma"( #( $ut 1) )
14. %4
14. %
14. %!
15. 00

Temper at ur e
- 40 - 20 0 20 40 0 !0 100
ma"( - I ( &c1) )
2. '41m
2. '42m
2. '43m
2. '44m

*.2 Circuitul de polarizare cu rezistenta in emitor
a# +ezistenta de intrare
'ircuitul pentru simularea analizei :
0
o u t
R b
1 8 k
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
R e
1 . 5 k
0 0
R '
5 . 6 k
V 1
1 5
) 1
0 $ * '
+ezultatele analizei :
QQQQ <D8((-</=R8( 'S8+8'TJ+/<T/'<
I$TT":/P/3 2 3.14GJU13
/R,TT +J</<T8R'J 8T /P/3 2 3.3.5JU13
$TT,TT +J</<T8R'J 8T I$TT" 2 3.33.JU13
b# ,naliza parametrica in functie de rezistenta din baza-
'ircuitul pentru simularea analizei:

o u t
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
0
V 2
R ! Q # 1 k
V $ % P & # 1
V O # 0
R e
1 . 5 k
V ' '
1 5 R b
{ R }
0
C 1
1 u
R '
5 . 6 k
0
a# +ezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza:
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
V( OUT)
0V
4V
!V
12V
1V
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
I C( Q1)
- 1. 0mA
0A
1. 0mA
2. 0mA
3. 0mA
b# ,naliza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare
'ircuitul pentru simularea analizei :

R '
5 . 6 k
V
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
V ' '
1 5
V 2
R ! Q # 1 k
V $ % P & # { $ }
V O # 0
0
0
R b
2 . 2 m e g
0
R 3
1 . 5 k
C 1
1 u
o u t
a# +ezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
V( OUT)
V
!V
10V
12V
14V
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
I C( Q1)
0
5
10
15
c# ,naliza de temperatura
'ircuitul pentru simularea analizei

( ' '
R ' 1
5 . 6 k
o u t 1
R 4
1 . 5 k
C 2
1 u
V 3
R ! Q # 1 k
V $ % P & # 1 0 0 m
V O # 0
0 0
Q 2
Q 2 N 2 2 2 2
R b 1
2 . 2 m e g
8naliza s-a efectuat pentru -.1 -;1& 1& ;1& 3L& G1& 311 grade 'elsius.
+ezultatele analizei de temperatura :
Temper at ur e
- 40 - 20 0 20 40 0 !0 100
ma"( #( $ut 1) )
!
%
10
11
12
Temper at ur e
- 40 - 20 0 20 40 0 !0 100
ma"( - I ( &c1) )
0. m
0. !m
1. 0m
1. 2m
1. 4m
*.3 .'ircuit de polarizare cu divizor in baza si rezistenta in emitor
a" +ezistenta de intrare
'ircuitul pentru simularea analizei :
0
o u t
R b 1
1 8 k
R b 2
4 . 7 k
R '
5 . 6 k
) 1
0 $ * '
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
R e
1 . 5 k
V 1
1 5
0
0
0
+ezultatele simularii :
QQQQ <D8((-</=R8( 'S8+8'TJ+/<T/'<
I$TT":/P/3 2 -3.3..JU1.
/R,TT +J</<T8R'J 8T /P/3 2 3.OO5J
$TT,TT +J</<T8R'J 8T I$TT" 2 G.G53JU13
b# ,naliza parametrica in functie de rezistenta din baza./
b1
#
'ircuitul pentru simularea analizei:
R b 2
4 . 7 k
0
R '
5 . 6 k
V
0
V ' '
1 5
R e
1 . 5 k
0 0
V 2
R ! Q # 1 k
V $ % P & # 1
V O # 0
C 1
1 u
R b 1
{ R }
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
o u t
+ezultatele analizei parametrice in functie de rezistenta din baza+
b3
"
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
V( OUT)
4V
!V
12V
1V
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
I C( Q1)
- 1. 0mA
0A
1. 0mA
2. 0mA
c# ,naliza parametrica in functie de amplitudinea sursei de la intrare -
'ircuitul pentru simularea analizei :
V ' '
1 5
R e
1 . 5 k
0
V 2
R ! Q # 1 k
V $ % P & # { $ }
V O # 0
o u t
C 1
1 u
R b 1
2 0 k
0
R '
5 . 6 k
R b 2
4 . 7 k
Q 1
Q 2 N 2 2 2 2
0
0
+ezultatele analizei parametrice in functie de amplitudinea sursei de la intrare
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
V( OUT)
. V
. !V
'. 0V
'. 2V
'. 4V
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms 1. 5ms 2. 0ms 2. 5ms 3. 0ms 3. 5ms 4. 0ms 4. 5ms 5. 0ms
I C( Q1)
1. 35mA
1. 40mA
1. 45mA
1. 50mA

d# ,naliza de temperatura
'ircuitul pentru simularea analizei

R b 4
4 . 7 k
0
V 3
R ! Q # 1 k
V $ % P & # 1 0 0 m
V O # 0
R ' 1
5 . 6 k
R e 1
1 . 5 k
Q 2
Q 2 N 2 2 2 2
0 0
C 2
1 u
o u t 1
R b 3
2 0 k
( ' '
8naliza s-a efectuat pentru -.1 -;1& 1& ;1& 3L& G1& 311 grade 'elsius.
+ezultatele analizei de temperatura.
Temper at ur e
- 40 - 20 0 20 40 0 !0 100
ma"( #( $ut 1) )
. !
'. 2
'.
!. 0
Temper at ur e
- 40 - 20 0 20 40 0 !0 100
ma"( - I ( &c1) )
1. 40m
1. 45m
1. 50m
1. 55m
1. 0m


%I%0I12/,!!I(-

1# $vidiu 8urel ,op -V,roiectare asistata de calculatorW&Jditura Dediamira ;11L
2# '. Diron& ?. @oos - V*ispozitive si circuite electroniceW& /nstitutul ,olite!nic
'luj K Rapoca& 3451
3# <erban (ungu& Riculae K 'orvin ,alag!ita - W*ispozitive si circuite electronice : indrumator de laboratorW&
/nstitutul ,olite!nic 'luj K Rapoca& 3453
4# !ttp:::XXX.utgjiu.ro:ing:doXn:dce3-lucrarea1O.pdf