Tranzistorul bipolar

Scurt istoric Primul tranzistor bipolar a fost inventat la Bell Labs de ctre William Shockley, Walter Brattain, i John Bardeen n 1948 (de fapt, 1947, dar invenia a fost publicat doar n 1948). Pentru aceast descoperire, cei trei au fost recompensai cu premiul Nobel pentru fizic n anul 1956.

Definiia tranzistorului Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu dou jonciuni n succesiune npn sau pnp. Cele trei zone se numesc emitor (E), baz (B),colector (C). Se folosete n circuitele electronice att digitale ct i analogice, de obicei pentru amplifica sau transmite un semnal electric. Simbolul unui tranzistor bipolar PNP este n figura alturat. Tranzistorul se numete bipolar deoarece conducia este realizat de dou tipuri de purttori de sarcin electric, de semn diferit: electronii, respectiv golurile.

Structura tranzistorului bipolar NPN

Structura tranzistorului bipolar PNP

Funcionare n principiu un tranzistor bipolar este o pastil de siliciu dopat astfel inct s se creeze trei straturi dopate diferit, i deci dou jonciuni pn; astfel, tranzistoarele pot fi pnp (zona din mijloc dopat cu elemente donoare de electroni - cu valena 5, celelalte dou dopate cu elemente acceptoare, cu valena 3) sau npn (dopat invers). Totui, din cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza), cele dou jonciuni nu funcioneaz independent i ntre terminalele extreme (colector i emitor) poate aprea un curent, aceasta fiind i proprietatea cea mai important a tranzistorului, i aceea care permite folosirea lui pe post de amplificator. Particulariti constructive:

E este mult mai impurificat dect B sau C B este mult mai subire dect E i C. Polarizarea jonciunii baz-colector

n mod normal, jonciunea baz-colector a tranzistorului este polarizat invers (b). Acest lucru duce la creterea regiunii de golire. Aceast tensiune poate fi de civa voli pn la zeci de voli pentru majoritatea tranzistorilor. n acest caz, nu exist curent n circuitul colectorului, exceptnd curentul de dispersie de o valoarea foarte mic. Polarizarea jonciunii emitor-baz

Putem aduga o surs de tensiune i n circuitul emitor-baz al tranzistorului (figura alturat). n mod normal, jonciunea emitor-baz este polarizat direct, n ncercarea de depire a barierei de potenial de aproximativ 0,6 V. Acest lucru este similar polarizrii directe a jonciunii diodei. Tensiunea acestei surse trebuie s depeasc valoarea de 0,6 V pentru ca majoritatea purttorilor de sarcin (electroni pentru NPN) s treac din emitor spre baz, devenind purttori de sarcin minoritari n semiconductorul de tip P. Dac regiunea bazei ar fi mult mai mare, ca i n cazul poziionrii spate-n-spate a dou diode, tot curentul ce intr n baz prin emitor, ar iei prin contactul bazei spre borna pozitiv a bateriei.

Totui, tranzistoarele sunt confecionate cu o baz foarte subire. O mic parte a purttorilor de sarcin majoritari din emitor, injectai ca i purttori de sarcin minoritari n baz, se recombin cu golurile acesteia (figura alturat). De asemenea, o mic parte a electronilor ce intr n baz pe la emitor trec direct prin baz spre borna pozitiv a bateriei. Dar majoritatea curentului din emitor trece prin suprafa subire a bazei direct n colector. Mai mult, modificarea curentului mic al bazei duce la modificri importante ale curentului din colector. Dac tensiunea bazei scade sub aproximativ 0.6 V, curentul emitor-colector scade la zero.

Explicaie

S privim ns mai ndeaproape la acest mecanism de amplificare al curentului. Considerm o jonciune NPN mrit, cu accentul pus pe baz. Chiar dac nu sunt prezentate n figur, presupunem c jonciunea emitor-baz este polarizat direct de o surs de tensiune, iar jonciunea baz-colector este polarizat invers. Electronii, purttorii de sarcin majoritari, intr n emitor de la borna negativ a bateriei. Deplasarea electronilor dinspre baz corespunde cu deplasarea acestor dinspre baz spre borna pozitiv a bateriei. Acesta este un curent foarte mic fa de curentul din emitor.

Majoritatea purttorilor de sarcin n emitorul de tip N sunt electronii, ce devin purttori de sarcin minoritar la intrarea n baza de tip P. Aceti electroni au patru posibiliti dup ce intr n baza de tip P. O mic parte cad n goluri (figura de sus (a)), lucru ce contribuie la curentul nspre terminalul pozitiv al bateriei. Dei nu este reprezentat pe figur, golurile pot trece din baz spre emitor, unde se recombin cu electronii, contribuind i acetia la curentul bazei. O alt mic parte din electroni (b) trec direct prin baz nspre terminalul pozitiv al bateriei, ca i cum baza ar fi un rezistor. Att (a) ct i (b) contribuie curentului foarte mic al bazei. Curentul bazei este aproximativ 1% din curentul emitor-colector, pentru tranzistoarele mici.

Majoritatea electronilor din emitor ns (c), trec direct prin zona ngust de golire, nspre colector. Putem observa polaritatea zonei de golire ce nconjoar electronul (d). Cmpul electric intens trage electronul rapid n colector. Puterea cmpului electric este direct proporional cu tensiunea de alimentare a bateriei. astfel, 99% din curentul emitorului trece n colector. Aceast trecere este ns controlat de curentul bazei, ce reprezint aproximativ 1% din curentul

emitorului. Acest lucru reprezint o amplificare de curent de 99, reprezentat de raportul dintre curentul colectorului i curentul bazei (IC/IB), cunoscut i ca .

Difuzia electronilor emitorului prin baz i nspre colector este posibil doar dac baza este foarte subire. Ce s-ar ntmpla cu aceti purttori de sarcin dac baza ar fi de 100 de ori mai groas? Este foarte posibil ca majoritatea dintre ei, 99% n loc de 1%, s cad n goluri, nemaiajungnd la colector. Prin urmare, curentul de baz poate controla 99% din curentul emitorului, doar dac 99% din curentul emitorului trece nspre colector. Dac ntreg curentul iese pe la baz, controlul nu este posibil. Un alt motiv pentru care 99% dintre electroni trec din emitor, peste bariera de potenial i n colector, este c jonciunile bipolare reale folosesc un emitor mic dopat puternic. Concentraia mare a electronilor din emitor foreaz trecerea acestora n baz. Concentraia mic a dopajului din baz nseamn c exist mult mai puine goluri ce trec n emitor (lucru ce doar ar crete curentul bazei). Difuzia purttorilor de sarcin dintre emitor spre baz, este puternic favorizat. Eficiena emitorului Faptul c baza este subire iar emitorul puternic dopat, in foarte sus eficiena emitorului, 99% de exemplu. Acest lucru corespunde ramificaiei curentului emitorului de 100% n 1% baz i 99% colector. Eficien emitorului se exprim astfel:

Jonciunea PNP Tranzistoarele bipolare pot fi confecionate i sub forma PNP. Diferena dintre PNP i NPN poate fi vzut n figura alturat. Diferena const n polaritatea jonciunilor baz-emitor, polaritate semnalat cu ajutorul sgeii emitorului n simbolul tranzistorului. Direcia sgeii este asemenea direciei anodului jonciunii unei diode, mpotriva sensului real de deplasare al electronilor. Pentru tranzistorii NPN, direcia sgeii este dinspre baz spre emitor, iar n cazul tranzistorilor PNP, direcia este dinspre emitor spre baz. Colectorul nu este reprezentat n niciunul dintre cazuri cu ajutorul vreunei sgei. Totui, polaritatea jonciunii baz-colector este aceeai cu polaritatea jonciunii baz-emitor n comparaie cu o diod.

Structura

Emitorul tranzistorului bipolar cu jonciune de mai jos este puternic dopat, dup cum indic i notaia N+. Baza are un nivel de dopaj P normal, dar aceasta este mult mai subire n realitate dect este prezentat n aceast figur (a). Procentul de dopaj al colectorului este sczut, dup cum indic notaia N-, pentru ca tensiunea de strpungere a jonciunii colector-baz s fie ct mai mare, ceea ce nseamn c sursa de tensiune poate alimenta tranzistorul la tensiuni mai mari. Tranzistoarele de siliciu mici, au o tensiune de strpungere de 60-80 V, dar aceasta poate ajunge la sute de voli pentru tranzistoarele de tensiune nalt. Dar, colectorul trebuie s fie n acelai timp dopat puternic pentru minimizarea pierderilor ohmice (datorit rezistenelor), n cazul n care tranzistorul trebuie s

conduc cureni mari. ndeplinirea acestor cerine contradictorii se realizeaz prin doparea mai puternic a colectorului spre partea de contact metalic, i doparea mai uoar a colectorului n apropierea bazei n comparaie cu emitorul. Tensiunea de strpungere a jonciunii emitor-baz scade pn la aproximativ 7 V datorit doprii puternice a emitorului, n cazul tranzistorilor mici. i tot datorit acestei dopri puternice, jonciunea emitor-baz se comport precum o diod Zener polarizat invers. Fabricarea mai multor tranzistoare pe acelai cip d natere unui circuit integrat, o reprezentare aproximativ a acestuia este dat n figura de mai sus (c).

Observaie Calitatea tranzistorilor discrei de tip PNP este aproape la fel de bun precum cea a tranzistorilor NPN. Totui, tranzistorii PNP integrai nu sunt la fel de buni precum cei de tipul NPN, prin urmare, circuitele integrate folosesc tranzistori de tipul NPN n marea lor majoritate.

Exemple de tranzistoare

Tranzistoare cu siliciu

Tranzistoare cu germaniu (vechi)

Tnas Alexandru Grupa: 1132 C Profesor coordonator:Pazaru Tiberiu