TRANZISTOARE BIPOLARE

5.1 STRUCTURA ȘI REGIMURILE DE BAZĂ

Dispozitivul electronic cu două joncțiuni, trei regiuni consecutive cu diferite

mecanisme de conductivitate, cu trei și mai multe terminale, funcționarea căruia
este bazată pe fenomenele de injectare și extragere a purtătorilor se numește
tranzistor bipolar.
Tranzistorul (trioda semiconductoare) a fost creat de oamenii de știință
americani John Bardeen, Walter Brattain și William Shockley în anul 1948.
Acest eveniment a avut o mare însemnătate pentru electronica cu
semiconductori. Tranzistoarele pot funcționa cu tensiuni considerabil mai mici ca
triodele cu vid și reprezintă niște dispozitive care pe lângă amplificarea și generarea
semnalelor electrice mai pot îndeplini și funcția de comutare a circuitelor.
Denumirea de „bipolar” provine de la faptul că funcționarea tranzistorului este
bazată pe două tipuri de purtători; electroni și goluri.
Structura unui tranzistor bipolar este prezentată în fig. 5.1. El reprezintă un
monocristal semiconductor în care sunt create trei regiuni cu tipuri alternative de
conductivitate electrică. La granițele acestor regiuni, apar joncțiuni electron-gol. De
la fiecare zonă a semiconductorului, se realizează conducte de curent (contacte
ohmice) . Regiunea centrală a tranzistorului, situată între joncțiunile electron-gol, se
numește bază (B). Regiunile adiacente bazei sunt realizate de obicei nu la fel. Una
dintre regiuni este fabricată astfel încât din ea injecția purtătorilor de sarcină în bază
să procedeze cel mai eficient, iar cealaltă este făcută astfel încât joncțiunea p-n
dintre bază și această regiune să colecteze în cel mai bun mod purtătorii injectați în
bază, adică să efectueze extragerea purtătorilor de sarcină din bază.

Figura 5.1 – Structura tranzistorului bipolar

Regiunea tranzistorului, al cărei scop principal este de a introduce purtătorii
de sarcină în bază, se numește emitor (E), iar joncțiunea p-n între bază și emitor –
joncțiune emitor (JE). Regiunea tranzistorului, care are scop principal de colectare,
extragere a purtătorilor de sarcină din bază se numește colector (C), iar joncțiunea p-
n între bază și colector se numește joncțiune colector (JC). În funcție de tipul de
conductivitate electrică a regiunilor externe (emitor și colector), tranzistoarele se
disting în tipurile p-n-p și n-p-n. La ambele tipuri de tranzistoare, procesele fizice
sunt similare, ele diferă doar prin tipul de purtători injectați și extrași și sunt la fel de
utilizate pe scară largă.
În circuitele electrice, tranzistoarele sunt reprezentate prin simboluri grafice
convenționale prezentate în fig. 5.2.

Figura 5.2 –Simbolul tehnic al tranzistoarelor:

a - tranzistor p-n-p; b – tranzistor n-p-n
Structural, tranzistoarele bipolare sunt realizate în carcase de metal, plastic
sau ceramică (fig. 5.3, a).
Când tranzistorul funcționează, la terminalele sale sunt aplicate tensiuni de la
sursele externe de alimentare. În funcție de polaritatea tensiunii aplicate electrozilor
tranzistorului, fiecare dintre joncțiunile p-n poate fi polarizată direct sau indirect, pe
baza acesteia, sunt posibile patru moduri de funcționare a tranzistorului (Tab. 5.1).

Tabelul 5.1 - Moduri de funcționare a unui tranzistor bipolar

Regimul de funcționare
Joncțiunea emitor Joncțiunea colector
a tranzistorului
direct indirect activ (de amplificare)
direct direct de saturație
indirect indirect de blocare
indirect direct inversat

Dacă tensiunea la joncțiunea emitor este tensiune directă și el injectează

purtători în bază iar la joncțiunea colector, tensiunea este inversă și colectează
purtători din bază, atunci o astfel de conexiune se numește normală și tranzistorul
funcționează într-un regim activ (de amplificare).
În regimul de saturație, ambele joncțiuni p-n sunt polarizate direct,
joncțiunile sunt saturate cu purtători de sarcină, rezistențele lor sunt mici.
În regimul de blocare ambele joncțiuni p-n sunt polarizate indirect. Prin
electrozii tranzistorului circulă curenții termici ai joncțiunilor polarizate indirect.
 Dacă tensiunea la joncțiunea colectorului este directă și injectează purtători în
bază iar la joncțiunea emitor, tensiune indirectă, și el efectuează extragerea purtătorii
din bază, atunci o astfel de conexiune a tranzistorului se numește inversă, iar
tranzistorul funcționează în regim inversat.

Figura 5.3 – Vederea generală a tranzistorului (a) și construcția unuia

din tranzistoarele bipolare (b)
Pentru conexiunea inversată a tranzistorului, trebuie luate în considerare
următoarele caracteristici:
1. Deoarece joncțiunea emitor este mai mică ca suprafață decât joncțiunea
colector, atunci din numărul de purtători care sunt injectați de joncțiunea colector, o
mai mică cantitate este colectată de joncțiunea emitor, ceea ce reduce valoarea
curentului acestei joncțiuni.
2. Aceasta duce la schimbarea sarcinilor purtătorilor în bază, în consecință, la
o modificare a capacității de barieră a joncțiunilor, și deci la o modificare a
proprietăților de frecvență ale tranzistorului.
3. La o mai mică suprafață a joncțiunii emitor, este necesară reducerea
valorii curentului său pentru a lăsa aceeași temperatură de încălzire a structurii
semiconzductoare.
5.2 Procesele fizice din tranzistorul bipolar
Vom lua în considerare procesele fizice într-un tranzistor bipolar pentru
amplificarea semnalelor electrice folosind exemplu din fig. 5.4. Către tranzistor sunt
conectate două surse de alimentare: E1 – TEM a sursei de intrare și E2 – TEM al
sursei de alimentare (sursă puternică). TEM E1 este conectat astfel, încât joncțiunea
emitor să fie polarizată direct, iar TEM E2 trebuie să polarizeze joncțiunea
colectorului indirect. Atunci, în lipsa curentului în circuitul sursei de semnal, de
intrare (în circuitul de intrare al tranzistorului), nu există curent nici în circuitul de
alimentare (în circuitul de ieșire). Strict vorbind, în circuitul de ieșire va circula un
curent foarte mic - curentul indirect al joncțiunii colector blocate Icbo, însă datorită
micii sale, valori poate fi neglijat. Dacă, sub influența sursei E1, se creează un curent
Ie în circuitul de intrare al tranzistorului, atunci golurile care sunt purtători majoritari
în regiunea p a emitorului vor fi injectate în regiunea bazei, unde devin deja purtători
minoritari. Cei din ei care se încadrează în zona de acțiune a câmpului electric al
joncțiunii colectorului, vor avea o acțiune de accelerație, fiind atrași transferați în
regiunea colectorului unde golurile sunt deja purtători majoritari. Astfel, un
circuitul sursei de alimentare apare curent - curentul colectorului Ic, care, circulă
prin rezistență sarcinii Rs, creând acolo o cădere de tensiune:
U = Ic·Rs,
care este semnalul de ieșire al amplificatorului și repetă exact toate
modificările din semnalul de intrare.

Figura 5.4 – Mișcarea purtătorilor de sarcină și curenții în tranzistorul bipolar

în regim activ de funcționare
Reținem că nu toți purtătorii, injectați din emitor în bază, ajung la joncțiu-
nea colectorului: o parte din ei recombină în bază de-a lungul mișcării de la joncțiu-
nea emitor spre joncțiunea colectorului , creând curentul Ib.rec . Prin urmare, curentul
colectorului Ic principial este mai mic decât curentul emitorului Ie.
Raportul acestor curenți, caracterizează coeficientul de transfer în curent:
 𝐼𝑐
𝛼= ;
𝐼𝑒
Pentru a mărirea coeficientului de transfer curent, regiunea bazei se face
subțire, pentru ca mai puțini purtători să se recombine în ea, și, în plus, suprafața
joncțiunii colectorului este făcută mai mare ca suprafața joncțiunii emitor pentru a
îmbunătăți procesul de extracție a purtătorilor din bază. Astfel, este posibilă
atingerea valorii coeficientului de transfer în curent a = 0,95 ... 0,99 și mai mult.
În ciuda, că în circuitul considerat nu există amplificare în curent (a <1), cu
toate acestea, coeficientul de transfer în putere poate fi mult mai mult mai mare
decât unitatea datorită câștigului mare în tensiune. La urma urmei, chiar și cu o mică
valoare a curentului de colector Ic provoacă o căderea semnificativă de tensiune pe
rezistorul sarcinii IcRc, datorită marii tensiuni de alimentare.
Rețineți că în tranzistoarele n-p-n toate procesele se desfășoară în același
mod, dar polaritățile surselor E1 și E2 trebuie să fie opuse, iar din emitor în bază vor
fi injectați electronii, tot electronii vor forma curentul colectorului în circuitul sursei
E2.
Trebuie remarcat faptul că, procesul de amplificare a semnalului electric în
tranzistor, se produce datorită modificării lățimii stratului bazei W, întrucât sub
acțiunea surselor externe E1 și E2 grosimile joncțiunilor p-n se modifică, ceea ce în
condițiile unei lățimi mici a stratului bazei, are loc modularea acestuia (acest
fenomen se numește efectul Earley). Acest lucru duce la o serie de caracteristici:
1. Cu cât mai îngustă devine regiunea bazei cu atât mai mică cantitate de
purtători injectați se recomandă în ea, prin urmare, mai mulți vor ajunge la
joncțiunea colectorului și vor participă la formarea colectorului Ic. Acest lucru va
duce la o modificare a coeficientului de transfer în curent ɑ.
2. Schimbarea curentului Ic la Ie = const duce la o dependență a Ic de E2,
adică la schimbarea rezistenței joncțiunii colector.
3. Întrucât acest lucru schimbă sarcina purtătorilor în bază, atunci aceasta
duce la o schimbare a capacității joncțiunii p-n.
4. O modificare a lățimii stratului bazei duce la o modificare a timpului de
deplasare a purtătorilor prin bază, adică la schimbarea proprietăților de frecvență a
tranzistorului.
5. Modificarea lățimii bazei afectează curentul emitorului Ie la neschimbarea
valorii E1.
Ca un grad extrem de manifestare a modulației lățimii bazei, trebuie
considerat ca fenomenul numit străpungerea bazei. Străpungerea bazei apare atunci
când, sub influența unei valori mari TEM sursei E2, lățimea joncțiunii colector crește
atât de mult încât se suprapune joncțiunea emitor, ceea ce este foarte probabil în
condițiile micii lățimi a regiunii bazei. În acest caz ɑ = 1, iar tranzistorul se
străpunge.
Parametrii de bază ai tranzistoarelor bipolare:
1. Coeficienții de transfer curenților emitorului și bazei:
𝑑𝐼𝑐 𝑑𝐼𝑐
ℎ21𝑒 = � 𝑈𝑐𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; ℎ21𝑏 = � 𝑈 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;
𝑑𝐼𝑏 𝑑𝐼𝑒 𝑐𝑏
2. Rezistența diferențială a joncțiunii emitor (unități-zeci de Ω):
𝑑𝑈𝑒𝑏
𝑟𝑒.𝑑𝑖𝑓 = � 𝑈𝑐𝑒=𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
𝑑𝐼𝑏
3. Curentul indirect al joncțiunii colector la o tensiune indirectă dată (unități
de nanoamper – zeci de miliamperi)
𝐼𝑐𝑏𝑜 = 𝐼𝑐 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑒 = 0; 𝑈𝑐𝑏 < 0.
4. Rezistența de volum a bazei .... (zeci – sute Ω).
5. Conductivitatea de ieșire h22 ori rezistența diferențială a joncțiunii
colector (fracțiuni – sute µS);
1 𝑑𝑈𝑐𝑒 1 𝑑𝑈𝑐𝑏
𝑟𝑐.𝑑𝑖𝑓 = = � 𝐼𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; 𝑟𝑐.𝑑𝑖𝑓 = = � 𝐼 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;
ℎ22𝑒 𝑑𝐼𝑐 ℎ22𝑏 𝑑𝐼𝑐 𝑒
6. Curentul maximal admisibil Ic.max (sute de miliamperi – zeci de amperi);
7. Tensiunea de saturație colector – emitor Uce.sat (zecimi de volt - un volt);
8. Puterea maximală de disipație la colector Pc.max (milivați - zeci de wați).
9. Capacitatea joncțiunii colector Cc (unități – zeci de picofarad).
Concluzii:
1. La o tensiune directă, aplicată joncțiunii emitor, bariera potențială scade și
în bază injectează purtători de sarcină.
2. Purtătorii injectați în bază difuzează spre joncțiunea colectorului.
3. Ca o consecință, că lățimea bazei tranzistorului este mică și concentrația
purtătorilor de sarcină în ea este joasă, aproape toți minoritarii injectați în bază ajung
la joncțiunea colectorului și sunt transferați de câmpul barierei potențiale E2 în
colector, formând curentul colectorului comandat.
4. O mică parte a purtătorilor de sarcină injectată dovedește să se recombine
în bază, formând componenta de recombinare a curentului emitorului, care circulă
prin circuitul bazei.
5. Prin circuitul bazei, circulă și o mică componentă a curentului emitorului,
formată din datorită difuziei purtătorilor minoritari de sarcină din bază în emitor și
curentul indirect al joncțiunii colector.
5.3 Schemele de conexiune ale tranzistoarelor bipolare
După cum a fost luat în considerare printr-un exemplu, pentru a amplifica
semnalul electric în circuitul tranzistorului, este necesar să se includă două surse -
semnalului de intrare E1 și sursa de alimentare Е2. Deoarece tranzistorul are trei
terminale (emitor, bază, colector) și două surse de alimentare au patru terminale,
atunci unul dintre terminalele tranzistorului va fi comun pentru ambele surse, va
aparține simultan atât circuitului de intrare, cât și circuitului de ieșire. Conform
acestei caracteristici, se disting trei scheme de conexiuni posibile: cu baza comună,
cu emitorul comun și cu colectorul comun.

5.3.1. Schema cu baza comună

Exemplul considerat mai sus de a construi un amplificator de semnale
electrice folosind un tranzistor este un circuit de cuplat cu baza comună. În fig. 5.5
este prezentat circuitul conexiunii tranzistorului cu bază comună.

Figura 5.5 – Circuitul conexiunii tranzistorului cu bază comună (BC)

Parametrii de bază care caracterizează acest circuit sunt obținuți în

următoarele moduri:
Factorul de amplificare în curent:
𝐼𝑐
𝐾𝑖.𝑏 = 𝛼 = ≈ 0,95 … 0,99.
𝐼𝑒
Indicele „b” indică relația acestui parametru pentru conexiunea cu bază
comună.
Rezistența de intrare:
𝐸1
𝑅𝑖𝑛.𝑏 = .
𝐼𝑒
Din relația de mai sus rezultă că rezistența de intrare a unui tranzistor
conectat într-un circuit cu baza comună este foarte mică și este determinată, în
principal, de rezistența interioare a joncțiunii p-n polarizată direct. În practică, ea
constituie unități – zeci de ohmi. Acest lucru ar trebui atribuit dezavantajelor etajului
amplificator, deoarece duce la încărcarea sursei semnalului de intrare.
Factorul de amplificare în tensiune:
 𝑈𝑖𝑒ș 𝐼𝑐 ∙ 𝑅𝑠 𝑅𝑠
𝐾𝑢.𝑏 = = =𝛼∙ .
𝑈𝑖𝑛 𝐼𝑒 ∙ 𝑅𝑖𝑛.𝑏 𝑅𝑖𝑛.𝑏
Factorul de amplificare în tensiune poate fi destul de mare (zeci - sute de
unități), întrucât este determinat în principal de raportul dintre rezistența sarcinii Rs
și rezistenţă de intrare.
Coeficientul de amplificare în perete:
𝑅𝑠
𝐾𝑝.𝑏 = 𝐾𝑖.𝑑 ∙ 𝐾𝑢.𝑏 = 𝛼 2 ∙ .
𝑅𝑖𝑛.𝑏
Pentru circuite reale, factorul de amplificare în putere este egal cu zeci - sute
de unități.

5.3.2. Circuitul conexiunii emitor comun

În acest circuit (fig. 5.6), ca și mai înainte, sursa semnalului de intrare E1este
inclusă pentru polarizarea directă a joncțiunii emitor, iar sursa de alimentare este E2,
este inclus în direcția indirectă în raport cu joncțiunea colector și direct în raport cu
joncțiunea emitor. Sub acțiunea sursei semnalului de intrare E1, prin circuitul bazei
trece curentul Ib; se produce injecția purtătorilor din regiunea emitor în regiunea
bazei; o parte din ei sub acțiunea câmpului joncțiunii colector sunt transferați în
regiunea colectorului, formându-se. astfel, curentul Ic, care circulă sub acțiunea
sursei de alimentare E2 prin emitor și bază. Prin urmare: Ie = Ib + Ic.

Curentul de intrare este curentul bazei Ib, iar cel de ieșire este curentul
colectorului Ic. Tensiunea de ieșire este căderea de tensiune de pe rezistența la
sarcinii Rs. Parametrii de bază care caracterizează acest circuit pot fi determinați din
expresiile:
1. Coeficientul de amplificare în curent β:
𝐼𝑐 𝐼𝑐
𝐾𝑖.𝑒 = 𝛽 = = ,
𝐼𝑏 𝐼𝑒 − 𝐼𝑐
 împărțind în această expresie, numărătorul și numitorul fracției la curentul Ie
obținem:
𝐼𝑐
𝐼𝑒 𝛼
𝛽= = .
𝐼𝑒 − 𝐼𝑐 1 − 𝛼
𝐼𝑒
Din relația de mai sus se poate observa că în conexiunea emitor comun,
amplificarea în curent este destul de mare, deoarece ɑ - valoare, apropiată de unitate,
și se ridică la zeci – sute de unități.
2. Rezistența de intrare a tranzistorului în conexiunea emitor comun:
𝐸1 𝐸1
𝑅𝑖𝑛.𝑒 = = ,
𝐼𝑏 𝐼𝑒 − 𝐼𝑐
împărțind în această expresie, numărătorul și numitorul la curentul emitorului
Ie, obținem:
𝐸1
𝐼𝑒 𝑅𝑖𝑛.𝑏
𝑅𝑖𝑛.𝑒 = = .
𝐼𝑒 − 𝐼𝑐 1 − 𝛼
𝐼𝑒
De aici, rezultă că Rin.e » Rin.b, adică prin acest parametru, circuitul cu emitor
comun depășește mult circuitul cu o bază comună. Pentru un circuit cu emitor
rezistența de intrare se include în gama de sute Ohmi – unități kOhmi.
3. Factorul de amplificare în tensiune:
𝑈𝑖𝑒ș 𝐼𝑐 ∙ 𝑅𝑠 𝐼𝑐 ∙ 𝑅𝑠 𝛼 𝑅𝑠
𝐾𝑢.𝑒 = = = = ∙
𝑈𝑖𝑛 𝐸1 𝐼𝑏 ∙ 𝑅𝑖𝑛.𝑒 1 − 𝛼 𝑅𝑖𝑛.𝑒
Înlocuind aici Rin.e din relația de mai sus obținem:
𝛼 𝑅𝑠 𝑅𝑠
𝐾𝑢.𝑒 = ∙ =𝛼∙ ,
1 − 𝛼 𝑅𝑖𝑛.𝑒 𝑅𝑖𝑛.𝑏
Adică factorul de amplificare în tensiune în acest circuit este același ca în
conexiunea bază comună – Ku.e = Ku.b , și atinge valori de zeci – sute de unități.
4. Factorul de amplificare în putere:
𝛼2 𝑅𝑠
𝐾𝑝.𝑒 = 𝐾𝑖.𝑒 ∙ 𝐾𝑢.𝑒 = ∙ .
1 − 𝛼 𝑅𝑖𝑛.𝑏
Ceea ce este esențial mai mare ca în conexiunea bază comună (sute – zeci de
mii de unități).
5.3.3 Circuitul conexiunii cu colectorul comun
 Reieșind din proprietățile de deosebire a schemelor de conexiune ale
tranzistorului conexiunea colector comun trebuie să arate ca în fig. 5.7. Cu toate
acestea, în acest caz, tranzistorul se dovedește a fi conectat în mod inversat, ceea ce
nu este de dorit din cauza mai multor caracteristici menționate mai sus. Prin urmare,
în schemă (fig. 5.7.a), este pur și simplu mecanic se schimbă cu locurile terminalele
emitorului și colectorului și se obține o conexiune normală a tranzistorului (fig. 5.7,
b). În acest circuit, rezistența sarcinii Rs este inclusă în circuitul de ieșire: curentul
de intrare curentul bazei Ib; curentul de ieșire este curentul emitorului Ie = Ib + Ic.
Principalii de bază ai acestui circuit sunt următorii:
1. Factorul de amplificare în curent:
𝐼𝑒 𝐼𝑒
𝐾𝑖.𝑐 = 𝛾 = = .
𝐼𝑏 𝐼𝑒 − 𝐼𝑐

Împărțind numărătorul și numitorul acestei relații la curentul emitorului Ie,

obținem:
𝐼𝑒
𝐼𝑒 1
𝛾= = ,
𝐼𝑒 − 𝐼𝑐 1 − 𝛼
𝐼𝑒
Adică factorul de amplificare în conexiunea colector comun este aproape
același, ca în circuitul emitor comun: 𝛾 ≈ 𝛽.
2. Rezistența de intrare:
𝐸1 + 𝐼𝑒 ∙ 𝑅𝑠
𝑅𝑖𝑛.𝑐 = .
𝐼𝑏
Transformând această expresie obținem:
 𝐸
𝐼𝑒 � 1 + 𝑅𝑠 � 𝑅
𝐼𝑒 𝑖𝑛.𝑏 + 𝑅𝑠
𝑅𝑖𝑛.𝑐 = =
𝐼𝑒 ∙ (1 − 𝛼 ) 1−𝛼
Din relația de mai sus rezultă că rezistența de intrare în acest circuit se
dovedește a fi cea mai mare dintre circuitele studiate (zeci – sute de kOhm).
3. Coeficientul de amplificare în tensiune:
𝐼𝑒 ∙ 𝑅𝑠
𝐾𝑢.𝑐 = .
𝐼𝑏 ∙ 𝑅𝑖𝑛.𝑐
Transformăm această expresie luând în considerare expresiile de mai sus,
atunci putem spune, Ku.c ≈ 1, adică amplificare în tensiune în acest circuit nu există.
𝑅𝑠 𝑅𝑠
𝐾𝑢.𝑐 = = .
(1 − 𝛼 ) ∙ 𝑅𝑖𝑛.𝑐 𝑅𝑖𝑛.𝑏 + 𝑅𝑠
Deoarece Rin.b reprezintă o valoare foarte mică, atunci se poate considera, că
Ku.c ≈ 1, adică amplificare în tensiune nu există.
4. Coeficientul de amplificare în putere:
1 𝑅𝑠
𝐾𝑝.𝑐 = 𝐾𝑖𝑝 ∙ 𝐾𝑢.𝑐 = ∙ .
1 − 𝛼 𝑅𝑖𝑛.𝑐 + 𝑅𝑠
în practică, el este de zeci – sute de unități.
Schema cu colectorul comun este deseori numită repetor pe emitor, deoarece,
în primul rând, sarcina este inclusă în emitor, în al doilea rând, tensiunea de ieșire
repetă exact tensiunea de intrare în mărime (Ku.c ≈ 1)și în fază.

Tabelul 3.1 - Parametrii circuitelor pentru diferite conexiune ale tranzistorului b/p
Parametrul Conexiunea BC Conexiunea EC Conexiunea CC
Factorul de amplificare Puțin mai mic ca Zeci – sute
Zeci – sute unități
în curent Ki 1 unități
Factorul de amplificare Puțin mai mic ca
Zeci – sute unități Zeci – sute unități
în tensiune Ku 1
Factorul de amplificare Sute-zeci de mii de Zeci – sute
Zeci – sute unități
în putere Kp unități unități
Rezistența de intrare
Unități – zeci Ω Sute Ω – zeci kΩ Zeci – sute kΩ
Rin
Sute kΩ – unități Sute kΩ, unități
Rezistența de ieșire Rieș Unități – zeci kΩ
MΩ MΩ
Defazajul dintre
180o 0o 0o
Uieș și Uin

Concluzii:
 1. Spre deosebire de circuitul cu bază comună, circuitul cu emitorul comun
pe lângă amplificarea în tensiune asigură și amplificarea curentului. Tranzistorul,
conectat în conexiunea emitor comun, amplifică curentul bazei de zeci – sute de ori.
Amplificarea în tensiune în acest circuit rămâne același ca și în circuitul cu baza
comună. Prin urmare, câștigul în putere al circuitului cu emitorul comun este mult
mai mare decât cel al circuitului cu baza comună.
2. Circuitul cu emitorul comun are valori mai acceptabile ale rezistențelor de
intrare și ieșire - intrarea este mai mare iar rezistența de ieșire este mai mică decât în
circuitul cu baza comună.
3. Datorită avantajelor indicate, circuitul cu emitorul comun găsește cea mai
mare aplicație în practică.
4. Circuitul cu baza comună, deși are un câștig în putere mai mic și are o
rezistență de intrare mai mică, este încă uneori folosit în practică, deoarece are cele
mai bune proprietăți de temperatură.
5. Circuitul cu colectorul comun oferă câștig în curent și putere, dar nu dă
câștig în tensiune.
6. Circuitul cu colector este adesea utilizat ca etaj de intrare in amplificator
datorită impedanței sale mari de intrare și a capacității de a nu încărca sursa
semnalului de intrare și, de asemenea, acest circuit are cea mai mică impedanță de
ieșire.

5.4. Caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar

Caracteristicile statice sunt dependențele dintre curenții și tensiunile de
intrare și ieșire ale tranzistorului atunci când nu există sarcină. Fiecare din circuitele
de conexiune a tranzistorului este caracterizat de patru familii de caracteristici
statice:
1. Caracteristicile de intrare – dependențele curentului de intrare față de
tensiunea de intrare la o tensiune constantă de ieșire:
Iin = f (Uin) / Uieș = const
1. Caracteristicile de ieșire – dependența curentului de ieșire de tensiunea de
ieșire la un curent de intrare constant:
Iieș = f (Uieș) / Iin = const
2. Caracteristicile de reacție în tensiune:
Uin = f (Uieș) / Iin = const
3. Caracteristicile de transfer în curent:
Iieș = f (Iin) / Uieș = const
Cel mai des, în practică, sunt utilizate caracteristicile de intrare și ieșire, care,
de obicei, sunt redate în literatura de referință și reprezintă dependențele medii ale
unui număr mare de tranzistoare de același tip. Ultimele două caracteristici sunt
utilizate mai rar, de asemenea, ele poate fi construite conform caracteristicilor de
intrare și ieșire.

5.4.1. Caracteristici statice pentru conexiunea bază comună

1. Familia caracteristicilor statistice de intrare (fig. 5.8) este o dependență Ie
= f (Ueb) / Ucb = const.
Când Ucb = 0, caracteristica de intrare este o ramură directă a caracteristicii
curent-tensiune a joncțiunii emitor. La Ucb < 0 această caracteristică se mută puțin
mai sus de axa absciselor, deoarece în absența semnalului de intrare (E1= 0), prin
joncțiunea colector închisă circulă un mic curent indirect Icbo, care creează pe
rezistența de volum a regiunii bază rb o cădere de tensiune aplicată joncțiunii emitor
polarizată direct (fig. 5.8. a). Această cădere de tensiune face ca un mic curent direct
să curgă prin joncțiunea emitor și să deplasare caracteristica de intrare în sus (fig.
5.8, b).
Când Ucb > 0, joncțiunea colectorului se polarizează direct, prin el circulă un
curent direct și, prin urmare, căderea de tensiune pe rezistența bazei rb își schimbă
polaritatea în opus, ceea ce duce, în absența semnalului de intrare, la trecerea unui
curent mic indirect prin joncțiunea emitor și, prin urmare, deplasează caracteristica
de intrare în jos (fig. 5.8. b).

Figura 5.8 – Caracteristicile de intrare ale tranzistorului în conexiunea bază comună

2. Caracteristicile statice ale ieșire (fig. 5.9) reprezintă dependența Ic =

f(Ucb) / Ie = const.
Dacă Ie = 0, atunci caracteristica de ieșire reprezintă ramura indirectă a
caracteristicii curent-tensiune a joncțiunii colector. Când Ie > 0, curentul din
circuitul colectorului va circula chiar și în absența sursei din colector (E2 = 0)
datorită extragerii purtătorilor injectați în bază de câmpul joncțiunii colectorului. Cu
creșterea tensiunii Ucb, curentul colectorului practic nu se modifică, deoarece

Figura 5.9 – Caracteristicile de ieșire ale tranzistorului în conexiunea bază comună

numărul de purtători

injectați în bază nu se modifică (Ie = const), dar se schimbă doar viteza de mișcare a
acestora prin joncțiunea colectorului. Cu cât este mai mare curentul Ie, cu atât, este
mai mare și Ic.
La schimbarea polarității Ucb în opus se schimbă și polarizarea joncțiunii
colector de la indirect la direct. De aceea curentul Ic la început brusc scade până la
zero, apoi își schimbă direcția în opus.

5.4.2. Caracteristici statice ale tranzistorului în conexiunea emitor comun

1. Familia caracteristicilor statistice de intrare în conexiunea EC reprezintă
dependența Ib = f(Ueb) / Uce = const
Forma acestor caracteristici este prezentată în fig. 5.10.
Când Uce = 0, această caracteristică reprezintă o ramură directă a
caracteristicii curent-tensiune a joncțiunii emitor. În acest caz, joncțiunea
colectorului se dovedește a fi polarizată direct de tensiunea sursei E1 (fig. 5.11.a)
Când sursa E2 este exclusă (Uce < 0) caracteristica va trece puțin mai jos
decât cea precedentă, deoarece în cazul lui Ube = 0 (fig. 5.11, b), sursa E1 lipsește și
prin joncțiunea colector circulă un curent indirect Ico sub acțiunea sursei E2,
tensiunea căreia în bază este opusă la cea când este inclusă sursa E1. Cu toate
acestea, în literatura de referință, această mică valoare a curentului este neglijată și
caracteristicile de intrare își iau începutul din origine.
 Figura 5.10 – Caracteristicile de intrare pentru conexiunea emitor comun

Figura 5.11 – Circuitele de conexiune ale tranzistorului, care caracterizează

caracteristicile de intrare în conexiunea emitor comun
2. Familia caracteristicilor statice de ieșire (fig. 5.12) reprezintă dependența
Ic = f (Uce) / Ib = const.
Când Ib = 0, această caracteristică reprezintă o ramură a caracteristicii curent-
tensiune a joncțiunii polarizate indirect. Caracteristicile când Ib > 0 au o abruptitate
mare în regiunea valorilor mici Uce, - deoarece pentru condiția E2 < E1 (fig. 5.11, a),
joncțiunea colectorului este polarizată direct: prin urmare, rezistența sa este
nesemnificativă și o schimbare destul de mică a tensiunii în ea, schimbă curentul Ic
puternic. Mai mult, la Uce = 0, toate caracteristicile, cu excepția celei inițiale (Ib = 0),
nu provin din originea coordonatelor, ci mai jos (fig. 5.13), deoarece curentul
joncțiunii colectorului în acest caz este direct și are o direcție opusă curentului
obișnuit al colectorului.
Dar această mică deplasare a caracteristicilor este neglijată, și în cataloagele
de referință sunt prezentate caracteristicile cu începutul din origine. Pentru valori
mari ale Uce caracteristicile merg semnificativ mai plat, întrucât practic toți purtătorii

Figura 5.12 – Caracteristicile de ieșire ale tranzistorului în conexiunea EC

injectați din emitor în bază, participă la formarea curentului colector și o creștere
suplimentară Uce nu duce la o „creștere” proporțională a curentului Ic. Cu toate

Figura 5.13 – Specificul caracteristicilor de ieșire în conexiunea emitor comun

acestea, există totuși o mică înclinare a caracteristicii, deoarece odată cu o creșterea

Uce, lățimea joncțiunii colectorului crește, iar lățimea regiunii bazei, luând-o în
considerare, și așa valoarea sa mică, scade. Acest lucru duce la o scădere a
numărului de recombinări a purtătorilor injectați în bază, și prin urmare, la o creștere
a numărului de purtători transferați în regiunea colectorului. În plus, din același
motiv se micșorează ușor și curentul bazei Ib, însă deoarece caracteristicile sunt
ridicate în condiția că Ib = 0, în acest caz este necesar să se crească ușor tensiunea
Ube, ceea ce duce la Încă un motiv de o anumită creștere a curentului emitorului Ic
este și faptul că cu creșterea Uce crește și acea parte a sa care este aplicată joncțiunii
emitor polarizând-o direct. Acest lucru duce de asemenea la o oarecare creștere a
curentului emitorului Ie și prin urmare, curentului colectorului Ic.
 Caracteristicile statice ale unui tranzistor în conexiunea colector comun sunt
similare cu cele ale tranzistorului în conexiunea emitor comun.
Cele două caracteristici statice rămase, caracteristica de reacție în tensiune și
caracteristica de transfer în curent, pot fi construite pentru toate circuitele de
conexiune a tranzistorului din caracteristicile de intrare și ieșire. Un exemplu de
astfel de construcție pentru un circuit cu emitorul comun pentru tranzistorul KT201Б
este prezentat fig. 5.14.

Figura 5.14 – Familia caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar

În primul cadran sunt amplasate caracteristicile statice de ieșire ale tranzistorului Ic
= f (Uce) /Ib = const. În cadranul 3 sunt amplasate caracteristicile de intrare Ib = f
(Ube) / Uce = const, ridicate la tensiuni fixe ale tensiunii Uce ≠ 0. În cataloagele cu
tranzistoare cel mai des sunt prezentate caracteristicile pentru Uce = 0, Uce = 5V.
Atunci amplasând în partea stângă față de origine pe axa absciselor curentul bazei Ib,
se poate construi caracteristica de transfer în curent Ic = f (Ib) / Uce =5V. Pentru
aceasta din punctul Uce = 5V trasăm perpendiculară până la intersecția cu
caracteristicile de ieșire (punctele 1,2, 3, 4. 5, 6) și apoi proiectăm aceste puncte
până la intersectarea cu perpendicularele corespunzătoare curenților bazei la care au
fost ridicate caracteristicile de ieșire (Ib = 0,06, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5 µA). Pentru
aceste puncte de intersecție și construim caracteristica căutată Ic = f (Ib) / Uce = 5V.
Analog pentru Uce = 2V. Și acum putem trasa caracteristicile de reacție în tensiune:
Ube = f (Uce) / Ib = const. Pentru aceasta, alegând valori discrete ale tensiunii Uce, pe
axa absciselor și trasând perpendiculare din aceste puncte, transferăm punctele de
intersecție cu caracteristicile respective de ieșire în al patrulea cadran, utilizând în
acest caz în calitate de caracteristică de transfer Ic = f (Ib) și caracteristica de intrare
Ib = f (Ube). În acest caz, presupunem că pentru Uce > 5V toate caracteristicile de
intrare sunt atât de apropiate una de cealaltă încât practic se suprapun cu
caracteristica la Uce = 5 V.
 5.6. Tranzistorul ca cuadripol activ
Tranzistorul cu parametrii săi interni, determinați printr-un circuit echivalent,
poate fi reprezentat ca un cuadripol liniar (fig. 5.17) – o „cutie neagră” cu o
structură arbitrară dar neschimbată, care determină dependențele corespunzătoare
dintre parametrii de intrare și ieșire (U1, I1, U2, I2).

Figura 5.17 – Circuitul cuadripolului

În funcție de care dintre aceste valori sunt luate ca variabile independente și
care sunt dependente, cuadripolul se poate descrie de către șase sisteme de ecuații
diferite, însă din cele mai des răspândite este sistema în care variabilele necunoscute
sunt primite; curentul de intrare I1 și tensiunea de ieșire U2, iar dependente –
curentul de ieșire I2 și tensiunea de intrare U1. Atunci sistemul de ecuații, care leagă
între ele variabilele dependente și independente arată în următorul mod:
U1 = h11I1 + h12U2
I2 = h21I1 + h22U2
Sensul fizic al coeficienților h11, h12, h21, h22, numiți h – parametri îi stabilim
în următorul mod.
Dacă în prima ecuație U2 = 0 (scurt circuit la ieșire), atunci parametrul h11 se
determină:
𝑈1
ℎ11 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈2 = 0 − rezistența de intrare la scurtcircuit la ieșire.
𝐼1
Dacă în aceeași ecuație I1 = 0 (mers în gol la intrare), atunci parametrul h12
este egal cu:
𝑈1
ℎ12 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼1 = 0 −Factorul reacției interne în tensiune când la intrare
𝑈2
mers în gol;
În mod similar, din ecuația a doua găsim:
𝐼2
ℎ21 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈2 = 0 − factorul de transfer în curent când la ieșire
𝐼1
scurtcircuit;
𝐼2
ℎ22 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼1 = 0 − conductivitatea de ieșire când la intrare mers în
𝑈2
gol.
 Luând în considerare h – parametrii, schema echivalentă a tranzistorului
poate fi redată astfel (fig. 5.18).

Figura 5.18 – Circuitul echivalent al tranzistorului pentru h parametri

Aici în circuitul de intrare este inclus generatorul de tensiune h12U2, care ia în

considerare interacțiunea dintre joncțiunile colector și emitor ca urmare a modulației
lățimii bazei, iar generatorul de curent h21I1 din circuitul de ieșire ia în considerare
proprietățile de amplificare ale tranzistorului, atunci când sub acțiunea curentului de
intrare I1, în circuitul de ieșire apare o valoare proporțională lui h21I1. Parametrii h11
și h22 – aceștia sunt respectiv, rezistența de intrare și conductivitatea de ieșire a
tranzistorului. Pentru diferite tipuri de conexiuni, h – parametrii vor fi diferiți.
Așa dar pentru circuitul cu o bază comună, valorile de intrare și ieșire sunt
(fig .5.19): U1 = Ueb; I1 = Ie, U2 = Ucb, I2 = Ic.

Figura 5.19 – Schema echivalentă a cuadripolului pentru

conexiunea bază comună
Deoarece tranzistorul mai des amplifică semnalul de curent alternativ, atunci
și h – parametrii ar trebui să fie determinați nu ca statici, ci ca dinamici (diferențiali).
Pentru conexiunea cu baza comună, aceștia se determină de expresiile:
∆𝑈𝑒𝑏
ℎ11𝑏 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑐𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝐼𝑒
∆𝑈𝑒𝑏
ℎ12𝑏 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝑈𝑐𝑏
∆𝐼𝑐
ℎ21𝑏 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑐𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝐼𝑒
 ∆𝐼𝑐
ℎ22𝑏 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡..
∆𝑈𝑐𝑏
Indicele „b” indică faptul că acești parametri aparțin unei scheme cu baza
comună.
Pentru un circuit cu un emitorul comun, valorile de intrare și ieșire sunt (fig.
5.20): U1 = Ube; I1 = Ib, U2 = Uce, I2 = Ic.

Figura 5.20 – Schema echivalentă a cuadripolului pentru

conexiunea emitor comun
Pentru conexiunea cu emițător comun, parametrii h sunt determinați din
următoarele relații:
∆𝑈𝑏𝑒
ℎ11𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑐𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝐼𝑏
și constituie sute de Ω până la unități de kΩ;
∆𝑈𝑏𝑒
ℎ12𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝑈𝑐𝑒
și de obicei egal cu 10-3 … 10-4, adică tensiunea transmisă de la ieșire la
intrare datorită reacției constituie miimi ori zecimi din tensiunea de ieșire;
∆𝐼𝑐
ℎ21𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑐𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝐼𝑏
și constituie zeci – sute de unități;
∆𝐼𝑐
ℎ22𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝑈𝑐𝑒
și este egală cu zecimi – sutimi µS, iar rezistența de ieșire 1/h22, se obține de
la unități la zeci de kΩ.
Utilizând familia de caracteristici de intrare și ieșire h – parametrii pot fi
determinați grafic. Așa pentru conexiunea emitor comun, familiile de caracteristici
de intrare și ieșire sunt prezentate în fig. 5.21.
 Figura 5.21 – Familiile caracteristicilor tranzistorului bipolar;
a – de intrare, b – de ieșire

Caracteristicile de intrare ale tranzistorului în cataloagele de referință sunt de

obicei reprezentate de două curbe, ridicate la Uce = 0 și Uce = 5V (fig. 5.21, a). Toate
celelalte caracteristici de intrare la Uce > 5 V sunt atât de apropiate una de cealaltă
încât practic se suprapun într-o caracteristică. Pentru determinarea parametrilor de
intrare construim triunghiul caracteristic ABC la mijlocul familiei, de unde se
determină ∆Ib, ∆Ube și ∆Uce = 5V – 0V. Pe caracteristicile de ieșire se alege punctul
optimal de funcționare K, de la el se trasează perpendicular segmentul KL până la
intersecția cu caracteristica statică vecină, de unde determinăm ∆Ic, ∆Ib. Apoi luăm
două puncte egal depărtate de K, m și n, de unde determinăm ∆Uce și ∆I’c (fig. 5.21,
b). Variația curentului bazei ∆Ib în acest caz corespunde diferenței:

∆Ib = Ib3 – Ib2.

Înlocuind valorile găsite ∆Ic și ∆Ib în relația pentru factorul de transfer în

curent obținem:
∆𝐼𝑐
ℎ21𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑐𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝐼𝑏

Determinând diferența Ic.n și Ic,m, obținem:

∆I’c = Ic.n – Ic.m.

 Înlocuind valorile găsite în expresia pentru conductivitatea de ieșire obținem:
∆𝐼𝑐′
ℎ22𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑏 = 𝐼𝑏2 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝑈𝑐𝑒
Mai departe, folosind caracteristicile de intrare determinăm variația tensiunii
∆Ube: ∆Ube = Ube.B – UbeA și variația curentului bazei ∆Ib = IbD – IbA.
Înlocuind valorile găsite ∆Ube și ∆Ib în expresia pentru rezistența de intrare
obținem:
∆𝑈𝑏𝑒
ℎ11𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑐𝑒 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝐼𝑏
Pentru a găsi parametrul h12, sunt necesare două caracteristici de intrare,
ridicate pentru Uce ≠ 0.
Coform triunghiului caracteristic ABC construit între caracteristicile statice
ridicate pentru Uce = 5V și 0V determinăm variațiile ∆Ube și ∆Uce:
∆Ube = Ube.B – Ube.A și ∆Uce = 5V – 0V =5 V,
Înlocuind valorile găsite în relația pentru determinarea factorului de reacție în
tensiune obținem:
∆𝑈𝑏𝑒
ℎ12𝑒 = 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑏 = 𝐼𝑏𝐴 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ;
∆𝑈𝑐𝑒
Utilizarea caracteristicii de intrare la Uce = 0 V pentru a găsi acești parametru
dă o eroare mare, deoarece la valori mici Uce, caracteristicile de intrare sunt situate
departe una de cealaltă și atunci frecvența lor crește și deja la Uce ≈ 5V ele practic se
suprapun. Deoarece în cataloagele de referință caracteristica de intrare este de obicei
dată doar pentru o valoare Uce ≠ 0, este imposibil să se determine cu exactitate
parametrul h12.

6. Tranzistoare cu efect de câmp (TEC)

Tranzistorul cu efect de câmp este un dispozitiv semiconductor ale căror
proprietăți de amplificare se bazează pe fluxului purtătorilor majoritari de sarcină
care circulă prin canalul conductor și sunt controlați de câmpul electric. Deoarece
numai purtători majoritari de sarcină sunt implicați în crearea curentului electric,
tranzistoarele cu efect de câmp sunt denumite în alt mod tranzistori unipolari.
Tranzistoarele cu efect de câmp sunt împărțite în două tipuri:
 tranzistori cu efect de câmp cu grilă-joncțiune p-n;
 tranzistori cu efect de câmp cu grilă (poartă) izolată.
Structural, tranzistoarele cu efect de câmp sunt realizate în carcase de metal,
plastic sau ceramică, construcțiile lor practic nu diferă de cele ale tranzistoarelor
bipolare. În fig. 6.1 sunt prezentate câteva modele de tranzistoare cu efect de câmp.
 6.1. Tranzistor cu efect de câmp cu grilă-joncțiune
Tranzistorul cu efect de câmp cu grilă-joncțiune – este un tranzistor cu efect
de câmp, controlul fluxului de purtători majoritari are loc cu ajutorul câmpului
joncțiunii electrice redresoare polarizată indirect.

Figura 6.1 – Construcțiile unor tranzistoare cu efect de câmp

Vom lua în considerare principiul funcționării unui astfel de tranzistor cu efect de
câmp folosind exemplul din fig. 6.2. El reprezintă un monocristal al semiconductorului de
tipul n; la capetele sale prin metoda pulverizării sunt formați electrozii, iar în mijloc pe
ambele părți, se creează două zone cu tipul opus de conductivitate și, de asemenea, cu
terminal electric de la aceste regiuni. Atunci, la interfața dintre regiuni cu diferite tipuri de
conductivități apar joncțiuni p-n. Terminalele electrice de la capetele suprafețele
semiconductorului se numesc sursă (S) și drenă (D), iar terminalul de pe suprafața laterală
cu conductivitate opusă se numește grilă (poartă) (G).

Figura 6.2 – Structura simplificată a tranzistorului cu efect

de câmp cu grilă-joncțiune
Conectăm surse externe Ugs și Uds astfel încât, sursa Ugs – sursa semnalului de
intrare să polarizeze joncțiunea p-n indirect, iar în circuitul sursei Uds includem rezistența
sarcinii (consumatorului) Rc. Sub influența tensiunii acestei surse va circula curentul
datorită purtătorilor majoritari de sarcină între suprafețele finale ale semiconductorului. Se
formează așa-numitul canal conductiv. Aria secțiunii transversale a acestui canal și, prin
urmare, rezistența lui, depinde de lățimea joncțiunea p-n. Modificând valoarea tensiunii
sursei Ugs se schimbă tensiunea indirectă la joncțiunea p-n și de aici lățimea acesteia.
Odată cu creșterea acestei tensiuni, lățimea joncțiunii p-n crește, iar secțiunea
transversală a cablului dintre sursă și drenă scade. Se poate alege o astfel de valoare
a tensiunii grilei, care complet blochează canalul, iar curentul prin sarcină se va opri.
Această tensiune se numește tensiune de întrerupere. Astfel, în circuitul surse puternice
Uds, circulă curentul Id, valoarea căruia depinde de valoarea semnalului de control –
tensiunea sursei Ugs și repetă toate modificările din acest semnal. Căderea tensiunii pe
rezistența sarcinii la trecerea curentului Id este semnalul de ieșire, puterea căreia este mult
mai mare decât puterea cheltuită, în circuitul de intrare Diferența fundamentală între
tranzistorul cu efect de câmp și tranzistorul bipolar este că sursa semnalului de intrare este
conectată la joncțiunea p-n polarizată indirect, direcția de blocare și, prin urmare,
rezistența de intrare este foarte mare, iar curentul consumat de la sursa de semnal este
foarte mic. Într-un tranzistor bipolar, controlul se efectuează printr-un curent de intrare, iar
într-un tranzistor cu efect de câmp – printr-o tensiune de intrare. Trebuie remarcat faptul
că, din moment ce potențialul de la sursă spre drenă crește, atunci respectiv crește și
tensiunea indirectă la joncțiunea p-n și, în consecință, lățimea acesteia crește, de asemenea.
La fel ca tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de câmp pot fi de diferite tipuri. În
cazul analizat, este un tranzistor cu efect de câmp cu canal n de conducție și în schemele
electrice de principiu el se simbolizează cu simbolul din fig. 4.3, a.
Dacă canalul are conductivitate de tipul p, atunci simbolizarea este aceeași.
Însă săgeata grilei este direcționată în opus (fig. 6.3, b).

Figura 6.3 – Simbolurile grafice ale tranzistorului cu efect de câmp,

cu canal de tipul n (a) și canal de tipul p (b)
Dacă tranzistorul cu efect de câmp amplifică semnalul de curent alternativ, atunci
în circuitul grilei trebuie introdusă o polarizare sub forma unei surse TEM de valoare
suficientă, astfel încât tensiunea totală la joncțiunea p-n să nu-și schimbe semnul în
pozitiv, întrucât joncțiunea p-n într-un astfel de tranzistor cu efect de câmp trebuie
întotdeauna să fie polarizată indirect. Atunci câmpul electric al joncțiunii p-n, transversal
față de canal se va modifica precis în conformitate cu schimbarea semnalului de intrare,
lărgind și îngustând canalul. În circuitul drenei, apare componenta curentului alternativ,
care va reprezenta semnalul de intrare amplificat.
Concluzii:
1. Tranzistorul cu efect de câmp este un dispozitiv semiconductor, proprietățile de
amplificare ale căruia sunt determinate de fluxul purtătorilor majoritari de sarcină care
circulă prin canalul conductibil și controlat de câmpul electric.
2. Tranzistorul cu efect de câmp, spre deosebire de cel bipolar, este uneori numit
unipolar, deoarece funcționarea sa se bazează doar pe purtătorii majoritari de sarcină – fie
electroni, fie goluri. Ca urmare, în tranzistorul cu efect de câmp lipsesc procesele de
acumulare și resorbție a purtătorilor de sarcini spațiale minoritare, care influențează asupra
rapidității tranzistorului bipolar.
 3. Procesul de bază, al deplasării purtătorilor de sarcină, care alcătuiesc curentul în
tranzistorul cu efect de câmp, este deriva în câmpul electric. Stratul conductibil, în care
apare curentul de lucru al tranzistorului cu efect de câmp, se numește canal conductibil de
curent.
6.2. Circuite de conexiune ale tranzistoarelor cu efect de câmp
La fel, ca și tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de câmp pot, să aibă trei
circuite de conexiune cu sursă comună, grilă comună și cu drenă comună. Circuitul de
conexiune este determinat prin care dintre cei trei electrozi ai tranzistorului este comun
pentru circuitele de intrare și ieșire. Este evident că exemplul pe care l-am analizat (fig.
6.2) este o schemă cu sursa comună (fig. 6.4, a).
Circuitul conexiunii cu grilă comună (fig. 6.4, b) este similar cu circuitul cu
bază comună pentru tranzistoarele bipolare. Nu asigură amplificarea curentului, iar
rezistența de intrare este mică, deoarece curentul de intrare este curentul sursei, în urma
căruia acest circuit nu este utilizat în practică.
Circuitul conexiunii cu drenă comună (fig. 6.4, c) este similar cu circuitul unui
repetor pe emitor pentru un tranzistor bipolar și se numește repetor pe sursă. Pentru
circuitul dat, factorul de amplificare în tensiune este apropiat de unitate. Tensiunea de
ieșire după valoare și fază repetă intrarea. Acest circuit are o rezistență de intrare foarte
mare și o rezistență de ieșire foarte mică.

Figura 6.4 – Circuitele de conexiune ale tranzistoarelor cu efect de câmp

 6.3. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor cu efect de câmp
Caracteristicile statice ale unui tranzistor cu efect de câmp cu grilă-joncțiune
p-n constituie caracteristici de control și de ieșire. Valoarea foarte mică a curentului
de intrare (practic lipsa acestuia) a tranzistorului cu efect de câmp exclude prezența
caracteristicilor de intrare și a caracteristicilor acțiunii inverse.
1. Caracteristicile de control (drenă-grilă). Aceste caracteristici arată
acțiunea de control a porții și reprezintă dependența curentului drenei de tensiunea
porții, la o tensiunea drenei constantă:
Id = f (Ugs) / Uds = const.
În figura 6.5, a sunt reprezentate caracteristicile tranzistorului cu efect de
câmp cu grilă-joncțiune, cu canal de tipul n.

Figura 6.5 – Caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de câmp

cu grilă joncțiune p-n și canal de tipul n
2. Caracteristicile de ieșire (drenei).
Familia acestor caracteristici reprezintă dependența curentului drenei de
tensiunea drenă sursă la o tensiune constantă a grilei:
Id = f (Uds) / Ugs = const.
Vederea generală a acestor caracteristici este redată în fig. 6.5, b.
Cu o creșterea Ud, curentul la început crește destul de repede, dar apoi
creșterea acestuia încetinește și apare un fenomen asemănător saturației, deși cu o
creștere a Ud. curentul drenei tot ar trebui să crească. Acest lucru se explică prin
faptul că odată cu creșterea Ud, crește și tensiunea indirectă la joncțiunea p-n și
mărește lățimea stratului de blocare, iar lățimea canalului scade în consecință. Acest
lucru duce la o creștere a rezistenței sale și la o scădere a curentului Id. Astfel, există
două influențe reciproc opuse asupra curentului, ca urmare a căreia rămâne aproape
neschimbat. Cu cât tensiunea de blocare aplicată pe poartă este mai mare, cu atât
mai jos se coboară caracteristica de ieșire. Creșterea tensiunii drenei, în cele din
urmă, poate duce la străpungerea electrică a joncțiunii p-n iar curentul drenei începe
să crească prin avalanșă. Tensiunea de străpungere este unul dintre parametrii limită
ai tranzistorului cu efect de câmp.
4.4. Parametri de bază ai tranzistoarelor cu efect de câmp
1. Panta caracteristicii:
∆𝐼𝑑
𝑆= 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑑𝑠 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡,
∆𝑈𝑔𝑠
unde ∆Id – variația curentului drenei; ∆Ugs – variația tensiunii grilei.
Panta caracteristicii caracterizează controlul grilei. Acest parametru este
determinat din caracteristicile de control.
2. Rezistența interioară (de ieșire):
∆𝑈𝑑𝑠
𝑅𝑖 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑔𝑠 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡,
∆𝐼𝑑
unde ∆Uds – variația tensiunii drenei; ∆Id – variația curentului drenei.
Acest parametru reprezintă rezistența tranzistorului dintre drenă și sursă
(rezistența canalului) pentru curent alternativ. În domeniile plate ale caracteristicilor
de ieșire, Ri – atinge sute de kΩ și se dovedește a fi de multe ori mai mare decât
rezistența tranzistorului pentru curentul continuu Ro.
3. Factorul de amplificare în tensiune:
∆𝑈𝑑𝑠
𝜇= 𝑐â𝑛𝑑 𝐼𝑑 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡,
∆𝑈𝑔𝑠
Factorul de amplificare arată de câte ori mai puternic acționează la curentul
drenei variația tensiunii grilei decât schimbarea tensiunii de drenei, adică este
exprimat prin raportul acestor modificări ∆Uds și ∆Ugs, care se compensează
reciproc, ca urmare a cărui curentul rămâne constant. Pentru o compensare similar
∆Uds și ∆Ugs trebuie să aibă semne diferite, ceea ce determină prezența semnului „ -
” în partea dreaptă a expresiei.
Acești trei parametri sunt legați între ei prin exptesia:
µ = S∙Ri
4. Rezistența de intrare Rin:
∆𝑈𝑔𝑠
𝑅𝑖𝑛 = 𝑐â𝑛𝑑 𝑈𝑑𝑠 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡,
∆𝐼𝑔
unde ∆Ugs – variația tensiunii porții; ∆Id – variația curentului drenei.
Deoarece curentul de poartă este curentul indirect al joncțiunii p-n, care este
foarte mic, această rezistență de intrare se dovedește a fi foarte mare, ceea ce este
principalul avantaj al tranzistorului cu efect de câmp.
5. Capacitatea de intrare între poartă și sursa Cgs, care este o capacitate de
barieră a joncțiunii p-n și constitui unități – zeci de pF, în funcție de metoda de
fabricație a tranzistorului cu efect de câmp.
Valorile tipice ale parametrilor tranzistoarelor cu efect de câmp din siliciu
cu grilă joncțiune p-n:
𝑚𝐴
𝑆 = 0,3 … 3 ; 𝑅𝑖𝑛 = 1010 𝛺; 𝑅𝑖 = 0,1 … 1 𝑀𝛺; 𝐶𝑔𝑠 = 0,2 … 10𝑝𝐹.
𝑉
Un alt avantaj important al unui tranzistor cu efect de câmp este o dependență
de temperatură mult mai mică în comparație cu tranzistoarele bipolare. Acest lucru
se datorează faptului, că curentul Id în tranzistorul cu efect de câmp este cauzat de
mișcarea purtătorilor majoritari, a căror concentrație este determinată în principal de
concentrația impurităților și de acea puțin influențat de temperatură. Tranzistorul cu
efect de câmp este mai rezistent. Dezavantajul tranzistoarelor cu efect de câmp este
panta insuficient de mare S, care limitează oarecum aria de utilizare.

6.5. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată

Tranzistorul cu efect de câmp cu grilă izolată este un tranzistor care are una
sau mai multe grile, izolate electric de canalul conductiv.
O dezvoltare ulterioară a tranzistoarelor cu efect de câmp sunt cele cu grilă
izolată. La ele grila metalică este separată de canalul semiconductor cu un strat
dielectric subțire. Deoarece grila metalică este separată de semiconductor printr-un
strat de dielectric, rezistența de intrare este mare (pentru tranzistoarele contemporane
atinge 1017 Ω).
Tranzistoarele cu efect de câmp cu grilă izolată sunt de două tipuri:
 cu canal (propriu) încorporat (inițial);
 cu un canal indus (cu inversiune).
Structura în ambele tipuri de tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată
este aceeași: metal – oxid (dielectric) – semiconductor, atunci acești tranzistori mai
sunt numiți tranzistori MOS (metal – oxid – semiconductor), tranzistori MDS
(metal – dielectric – semiconductor), tranzistori MIS (metal – izolator –
semiconductor).

6.5.1 Tranzistor cu efect de câmp cu grilă izolată cu canal încorporat

Structura tranzistorului cu efect de câmp cu grilă izolată și canal încorporat
este prezentată în fig. 6.6. Reprezintă un monocristal al unui semiconductor, de
obicei siliciu, unde se creează un anumit tip de conductivitate electrică, în cazul dat
de tipul p. În ea, sunt create două regiuni cu conductivitate electrică de tip opus (în
cazul nostru, tip n +) care sunt interconectate între ele cu un strat subțire aproape de
suprafață de același tip de conductivitate. Din aceste două zone, se formează
terminalele electrice, care se numesc sursă și drenă. Pe suprafața canalului, există un
strat dielectric (de obicei dioxid de siliciu SiO2) cu o grosime de aproximativ 0,1 μm
și o peliculă subțire de metal este depusă pe ea prin pulverizare, din care se face și
un terminal electric – grala. Uneori de la bază (B) (numită suport) de asemenea se
face un electrod care este scurtcircuitat la sursă.

Figura 6.6 – Structura tranzistorului cu efect de câmp cu grilă izolată

cu canal încorporat, canal de tipul n
Dacă, în absența unei tensiuni la grilă, se aplică o tensiune de orice
polaritate între sursă și drenă Uds, atunci prin canal va circula curent, care este un
flux de electroni. Prin suport curent nu va circula, deoarece una dintre joncțiunile p -
n se va afla sub acțiunea unei tensiuni indirecte.
Când se aplică o tensiune negativă la poartă relativ la sursă și, prin urmare, la
cristal, în canal apare un câmp electric transversal, care va împinge electronii din
zona canalului în bază. Canalul devine sărăcit de purtători majoritari - electroni,
rezistența acestuia crește și curentul drenei scade. Cu cât este mai mare tensiunea
negativă a porții, cu atât mai mic este acest curent. Acest regim se numește regim de
sărăcire.
Când se aplică o tensiune pozitivă la poartă, în raport cu sursa, direcția
câmpului electric transversal se va schimba în opus și, dimpotrivă, va atrage
electroni din regiunile sursei și drenei, precum și din cristalul semiconductor.
Conductivitatea canalului crește și curentul drenei crește. Un astfel de regim se
numește regim de îmbogățire.
Prin urmare, tranzistorul considerat poate funcționa atât în regim de sărăcire
cât și îmbogățire a canalului conductibil de curent, ceea ce este ilustrat de
caracteristicile sale de ieșire (fig. 6.7, a) și caracteristica de control (fig. 6.7, b).
 Caracteristicile de ieșire ale tranzistorului MOS sunt similare cu
caracteristicile de ieșire ale tranzistorului cu efect de câmp cu grilă-joncțiune.
Aceasta se explică astfel că, cu creșterea tensiunii Uds de la zero, la început
acționează legea lui Ohm și curentul crește aproape direct proporțional cu tensiunea,
iar apoi, la o anumită tensiune Uds, canalul începe să se îngusteze, mai ales în
apropierea drenei, deoarece la joncțiunea p-n dintre canal și cristal, crește tensiunea
indirectă, regiunea acestei joncțiuni sărăcește în purtători, se extinde și crește
rezistența canalului. Ca urmare, curentul drenei este influențat de două procese
reciproc compensatoare în rezultat el rămâne practic constant până la o anumită
tensiune Uds, la care apare străpungerea electrică.

Figura 6.7 – Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

cu canal încorporat de tipul n
Dacă cristalul semiconductor al tranzistorului cu efect de câmp are
conductivitate electrică de tipul n, canalul prin care circulă curent trebuie să fie de
tipul p. În acest caz, polaritatea tensiunilor trebuie schimbate în opus.
Tranzistoarele cu efect de câmp cu un canal încorporat în circuitele electrice
sunt simbolizate grafic conform fig. 6.8.

Figura 6.8 – Simbolul grafic al tranzistorului MOS cu canal încorporat

canal de tipul n (a); canal de tipul p (b)
 În unele cazuri de la regiunea bazei se extrage terminal în exterior B.

6.5.2. Tranzistor cu canal indus (inversat)

Dispozitivul unui astfel de tranzistor este prezentat în fig.6.9. Se deosebește
de tranzistorul anterior prin faptul că nu are un canal încorporat între cele 2 zone ale
sursei și drenei. Dacă nu există tensiune la poartă, curentul dintre sursa și drenă nu
va circula pentru nici într-un fel de polaritate a tensiunii, deoarece una dintre
joncțiunile p-n va fi neapărat blocată. Dacă la poartă se aplică o tensiune de
polaritate pozitivă față de sursă, atunci sub acțiunea câmpului electric transversal,
electronii din regiunile sursei și grilei, precum și din regiunea cristalului, se vor
deplasa către regiunea apropiată a suprafeței porții. Când tensiunea la poartă
depășește o anumită valoare de prag, atunci lângă stratul de suprafață, concentrația
electronilor va crește atât de mult încât va depăși concentrația golurilor din această
regiune și va avea loc o inversare a tipului de conductivitate electrică aici, adică se
formează un canal subțire de tipul n și în circuitul drenei apare curent. Cu cât este

Figura 6.9 – Structura tranzistorului cu efect de câmp cu grilă izolată

cu canal indus de tipul n
mai mare tensiunea pozitivă a porții, cu atât conductivitatea canalului este mai mare
și curentul drenei este mai mare. Canalul se îmbogățește cu purtători adică
tranzistorul funcționează în regim de îmbogățire.
În acest fel, un astfel de tranzistor poate funcționa numai în regim de
îmbogățire. Dacă în exterior se extrage și terminalul de la regiunea bazei B atunci
tranzistoarele pot avea 4 pini (terminale). Forma caracteristicilor sale de ieșire și de
control sunt prezentate în fig. 6.10.
 Dacă cristalul semiconductor are o conductivitate electrică de tipul n, atunci
regiunile sursei și drenei trebuie să fie de tipul n. În acest caz o asemenea
conductivitate se va inducta în canal dacă la grilă se va aplica tensiune negativă în
raport cu sursă.

Figura 6.10 – Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

cu canal indus de tipul n
O reprezentare grafică a tranzistoarelor cu efect de câmp cu poartă izolată
este prezentată în fig. 6.11.

Figura 6.11 – Simbolul grafic al tranzistorului MOS cu canal indus

de tipul n (a); canal de tipul p (b)
În ultima perioadă, tranzistoarele MOS sunt din ce în ce mai des denotate prin
termenul din literatura străină – MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Rield Effect
Transistor) (tranzistor cu efect de câmp semiconductor cu oxid de metal).
Concluzii:
1. Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată este un dispozitiv semiconductor,
în care electrodul de comandă este separat de canalul conductor de un strat dielectric.
2. Spre deosebire de tranzistorul cu efect de câmp cu grilă joncțiune p-n, rezistența
de intrare a tranzistorului câmp cu grilă izolată rămâne foarte mare pentru orice polaritate
a tensiunii aplicate intrării.
 3. Tranzistorul cu efect de câmp cu canal încorporat pot funcționa atât în regim de
sărăcire cât și îmbogățire a canalului cu purtători liberi de sarcină.
4. Tranzistoarele cu efect de câmp cu canal indus pot funcționa numai în regim de
îmbogățire.
5. Avantajele de bază ale tranzistorului cu efect de câmp sunt marea rezistență a lor
la curent continuu și o tehnologitate înaltă. Datorită acestui fapt ele sunt folosite pe larg în
elaborarea microcircuitelor integrate.

6.5.3. Compararea tranzistoarelor MOS cu tranzistorului bipolar

Tranzistoarele MOS și bipolare îndeplinesc aceleași funcții: funcționează în
circuite ori în calitate de amplificator liniar ori în calitate de comutator. În tabelul 6.1 sunt
redate diferențele restrânse dintre aceste două tipuri de tranzistoare.
Tabelul 6.1 – Proprietățile tranzistoarelor bipolare și MOS
Tranzistoare bipolare Tranzistoare MOS
Proprietăți fizice
Procesul fizic de comandă – injectarea Procesul fizic de comandă – efectul de
purtătorilor de sarcină minoritari: câmp, care schimbă concentrația purtătorilor
modificarea curentului de comandă – de sarcină din canal: se schimbă tensiunea
modifică fluxul purtătorilor de sarcină de comandă – se schimbă conductivitatea
injectați ceea ce modifică curentul de canalului, ceea ce duce la modificarea
ieșire. curentului de ieșire.
Curentul de ieșire se datorează Curentul de ieșire se datorează purtătorilor
purtătorilor de ambele polarități (goluri și de sarcină majoritari de o singură polaritate
electroni). (ori goluri ori electroni).
Stabilitate termică redusă: cu mărirea Stabilitate termică ridicată: mărirea
curentului crește temperatura structurii, temperaturii provoacă mărirea rezistenței
ceea ce provoacă o mai mare creștere a canalului, și curentul se micșorează.
curentului.
Caracteristici de exploatare
Dispozitivul este comandat de curent, Dispozitivul este comandat de tensiune,
deoarece la intrare se află o joncțiune p-n rezistența de intrare este foarte mare,
polarizată direct și rezistența de intrare deoarece circuitul de intrare este separat de
este mică. cel de ieșire prin dielectric.
Comparativ mic factor de amplificare în Foarte mare factor de amplificare în curent.
curent.
Necesitatea unor măsuri speciale asupra Mari imunități la zgomot.
măririi imunității la zgomot.
Marea probabilitate de auto încălzire și Joasă probabilitate de auto încălzire și
străpungerii secundare: îngustarea străpungerii secundare: lărgirea regiunii de
regiunii de funcționare în siguranță. funcționare în siguranță.
Înaltă sensibilitate asupra suprasarcinilor Joasă sensibilitate asupra suprasarcinilor de
de curent. curent.