Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar 1.4.1.

Modalitatile caracteristicilor statice Caracteristicile statice indica legatura functionala ntre curentii si tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Pentru fiecare schema de conectare n regim activ exista o familie de 515i85f caracteristici, ce arata legatura ntre curentii si tensiunile aplicate la tranzistor. Patru modalitati de caracteristici descriu proprietatile oricarui dispozitiv cu trei borne:

caracteristicile de intrare:

caracteristicile de iesire:

caracteristicile de transfer:

caracteristicile reactiei inverse:

. 1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj baza comuna n cuplaj baza comuna (BC) tranzistorul poseda urmatoarele caracteristici:

familia caracteristicilor de intrare (fig.1.6,a)

familia caracteristicilor de iesire(fig.1.6,b) ;

variatia curentului colectorului trebuie sa fie constanta la transferul de la o caracteristica la alta, adica

; caracteristicile de transfer (fig.1.6,c); caracteristicile reactiei inverse (fig.1.6,d).

Fig.1.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar. a) caracteristicile de intrare; b) caracteristicile de iesire; c) caracteristicile de transfer; d) caracteristicile reactiei inverse Referindu-ne la modelul Ebers-Moll si rezolvnd ecuatia (1.20) fata de relatiile pentru caracteristicile de intrare idealizate: , obtinem

. Relatia (1.23) prezinta caracteristica de intrare a tranzistorului cuplat n circuitul BC. Relatia pentru caracteristicile de iesire sunt obtinute utiliznd (1.21):

(1.23)

; ;

(1.24)

, unde: este coeficientul de amplificare a curentului emitorului n regim activ; de amplificare a curentului colectorului n regim de inversie. - coeficientul

Dependenta pozitiei caracteristicilor de intrare, caracteristicilor de transfer si caracteristicilor de reactie inversa n functie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explica prin efectul de modulare a grosimii bazei, din cauza caruia cu majorarea tensiunii a jonctiunii colector, invers polarizata, grosimea stratului cu concentratie redusa a purtatorilor de sarcina se mareste. Frontiera jonctiunii colectorului se deplaseaza n directia jonctiunii emitorului. Drept rezultat, grosimea bazei de concentratie a purtatorilor de sarcina curentul de difuzie (fig.1.7). si devine mai mica. Concomitent creste gradientul n baza tranzistorului si se mareste valoarea

Fig.1.7. Efectul de modulare a grosimii bazei Efectul de modulare a grosimii bazei provoaca aparitia reactiei interne n tranzistor. La marirea modulului tensiunii de iesire curentul de intrare n schema cu baza comuna creste. De aceea pentru unul si acelasi curent al emitorului, odata cu cresterea tensiunii pe colector, tensiunea pe emitor trebuie micsorata. n caz ideal caracteristicile de iesire trebuie sa fie paralele axei tensiunii caracteristicii este datorata efectului de modulare a grosimii bazei. . Devierea

Prezenta curentului n circuitul colectorului cnd (fig. 1.6,b) prezinta o particularitate a caracteristicilor de iesire pentru tranzistorul bipolar cuplat n schema BC, asigurata de interactiunea jonctiunilor. n baza are loc deplasarea purtatorilor de sarcina prin procedura de difuzie spre jonctiunea colectorului dirijata de gradientul de concentratie. Apoi purtatorii sunt accelerati de cmpul electric al jonctiunii. nsa la un nivel major de injectie ( ), pentru aproape de zero. , coeficientul tinde spre zero si curentul colectorului tot este

1.4.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun Cele mai ntrebuintate sunt caracteristicile tranzistorului bipolar n cuplaj emitor comun (EC), deoarece n acest caz curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare si caracteristicile de transfer si ca parametru pentru celelalte.

n fig.1.8 si fig.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici pentru tranzistorul bipolar cuplat n schema EC:

familia caracteristicilor de intrare (fig.1.8,a)

familia caracteristicilor de iesire (fig.1.8,b)

familia caracteristicilor de transfer dupa curent (fig. 1.12,a)

familia caracteristicilor de reactie inversa (fig. 1.12,b)

. Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este conditionata de efectul de modulare a grosimii bazei. Tensiunii mai mari pe colector i corespunde o grosime mai mica a bazei. Rezulta o probabilitate mai redusa de recombinare a purtatorilor n baza si un curent mai mic.

Pentru cazul cnd avem scurtcircuit la intrare ( , fig.1.9,a), curentul bazei este aproximativ de doua ori mai mare dect n regim activ, deoarece jonctiunile emitorului si colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare , asa cum este aratat n fig. 1.9.

Fig.1.8. Caracteristicile de intrare si iesire n cuplaj EC Regiunea caracteristicilor de iesire din fig.1.8,b ce se afla n interiorul granitei hasurate, corespunde regimului activ limitat de parametri electrici maximi permisi: , , . Portiunea cu panta nalta a caracteristicii de iesire corespunde granitei ntre regimul de saturatie

si regimul activ, deoarece pentru polari-zate direct (fig.1.10), adica

jonctiunile emitorului si ale colectorului sunt .

Fig. 1.9. Conectarea jonctiunilor p-n pentru

Fig. 1.10. Conectarea jonctiunilor p-n pentru Regimului de blocaj, ilustrat n fig.1.8,b , corespunde regiunii ce se afla sub caracteristica de iesire pentru , unde curentul colectorului este determinat conform relatiei

. n schema EC pentru circuitul deschis ( ) curentul de scurgere n circuitul

colectorului este de ori mai mare dect curentul invers al colectorului . Aceasta se explica prin conectarea directa a jonctiunii emitorului, asa cum este prezentat n fig.1.11. Caracteristicile de transfer si reactie inversa (fig.1.12) reflecta actiunea efectului de modulare a grosimii bazei. Cu majorarea modului tensiunii aplicate la colector, grosimea bazei se micsoreaza, probabilitatea recombinatiei purtatorilor de sarcina scade si curentul bazei se micsoreaza. Curentul bazei ramne constant la marirea tensiunii aplicate la baza tranzistorului.

Fig.1.11. Conectarea jonctiunilor n cuplaj EC

Fig. 1.12. Caracteristicile de transfer (a) si de reactie inversa (b) pentru tranzistorul bipolar n cuplaj EC Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de baza ai tranzistorului bipolar si sunt utilizate pentru calculul etajelor de amplificare n circuitele electronice