Sunteți pe pagina 1din 72

1.

TRANZISTORUL BIPOLAR
1.1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile
tranzistorului bipolar

Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei


pini şi două sau mai multe joncţiuni p-n ce interacţionează între
ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru
care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial -
planară se formează regiunile colectorului (C), bazei (B) şi
emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce
serveşte ca colector, prin metoda difuziei este formată regiunea
bazei Si-p. În această regiune, prin metoda difuziei locale, este
format emitorul Si-n cu concentraţie majoră a impurităţilor
donoare.
C B1 E1 C
n Joncţiunea
p emitorului
n Joncţiunea
Si-i colectorului

Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n

La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei şi de asemenea


la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formează două
joncţiuni p-n – emitor şi colector (după denumirea regiunilor
laterale ale structurii). Joncţiunile interacţionează dacă distanţa
între ele WB , numită lăţimea bazei, este cu mult mai mică ca
lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină mobili ( WB  L p ,n ).
Lungimea de difuzie L p ,n este distanţa pe care o parcurge
electronul sau golul din momentul apariţiei în semiconductor până
la recombinare.
De regulă, suprafaţa joncţiunii colectorului este mai mare ca
suprafaţa joncţiunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie să
3
posede o electroconductibilitate mai înaltă ca cea a bazei şi a
colectorului. Concentraţia impurtăţilor în regiunile tranzistorului
bipolar trebuie să respecte inegalitatea
N E  100N B  N C . (1.1)

1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului

În dependenţă de alternarea regiunilor, după tipul de


electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p şi n-p-n.
În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p şi n-p-n ale
tranzistorului bipolar şi reprezentarea lor în circuitele electrice.

JE JC JE JC
E C E C
p n p n p n

B B
E C E C

p-n-p n-p-n
B B

Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare

Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este


utilizat în aşa mod, ca unul din pini să fie conectat la intrare, iar
altul – la ieşire. Al treilea pin este comun. În dependenţă care din
pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale
tranzistoarelor bipolare:
- bază comună (BC);
- emitor comun (EC);
- colector comun (CC).

4
În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modificări de cuplare a
tranzistorului bipolar în circuitul electric.

BC IC CC IE
IE IC EC
IB IB
Iieş. Iieş. Iieş.
Iintr. Iintr.
IB Iintr. IE IC

Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare

1.3. Regimul de lucru şi procesele


fizice în tranzistorul bipolar
1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare

În timpul funcţionării tranzistorului, la bornele sale este


aplicată o tensiune de la sursa de alimentare în curent contionuu.
În dependenţă de polaritatea tensiunii aplicate, fiecare din
joncţiunile p-n ale tranzistorului bipolar poate fi polarizată direct
sau indirect, adică sunt posibile patru modalităţi de funcţionare a
tranzistorului (tab.1.1).

Tabelul 1.1

Modalităţile de funcţionare a tranzistorului bipolar

Conectarea Denumirea regimului de


Denumirea joncţiunii
joncţiunii funcţionare a tranzistorului
Joncţiunea emitorului Inversă
Regim de blocaj
Joncţiunea colectorului Inversă
Joncţiunea emitorului Idirectă
Regim de saturaţie
Joncţiunea colectorului Idirectă
Joncţiunea emitorului Directă
Regim activ
Joncţiunea colectorului Dnversă
Joncţiunea emitorului Inversă Regim de inversie
5
Joncţiunea colectorului Directă

1.3.2. Regim de blocaj

În regim de blocaj ambele joncţiuni p-n sunt polarizate


indirect. Prin bornele tranzistorului circulă curenţii de scurgere a
joncţiunilor polarizate indirect, care reprezintă parametrii statici ai
regimului dat. În fiecare din cele trei scheme de conectare a
tranzistorului aceşti parametri posedă valori determinate. Ele sunt
prezentate sub forma următoare:
 pentru circuitul cu BC - I EB 0 , I CB 0 , I EBS , I CBS ;
 pentru circuitul cu EC - I BE 0 , I CE 0 , I BES , I CES ;
 pentru circuitul cu CC - I BC 0 , I EC 0 , I BCS , I ECS .
Primul indice în reprezentare determină pinul prin care
circulă curentul, al doilea – schema de conectare, al treilea,
condiţiile în regiunea rămasă a schemei („0” – lipsa curentului,
adică mers în gol; „S” – scurtcircuit).

1.3.3. Regim de saturaţie

În regimul de saturaţie ambele joncţiuni p-n sunt polarizate


direct, joncţiunile sunt saturate cu purtători de sarcină mobili,
rezistenţele lor sunt reduse. Regiunea E-C posedă o
conductibilitate înaltă şi poate fi considerată ca scurtcircuitată.
Parametrii statici reprezintă curenţii de saturaţie I E sat , I C sat
, I B sat şi tensiunile de rest ( U BE sat , U CE sat ).
Raportând mărimile tensiunilor şi curenţilor, obţinem
rezistenţa de saturaţie:
U CE sat U BE sat
R C sat  ; R B sat  .
I C sat I B sat

1.3.4. Regimul activ

6
În fig.1.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al
tranzistorului bipolar, joncţiunea emitor a căreia este polarizată
direct, iar cea a colectorului indirect. Această conectare
corespunde regimului activ.

JC IEp
IEp=IE
JE
p n p
IE IC

IEn I ICB0
B rec
UEB IB UCB

Fig.1.4. Mişcarea purtătorilor de sarcină şi curenţii în tranzistorul


bipolar (regim activ)

Principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar în regim


activ se bazează pe utilizarea următoarelor fenomene:
- injecţia purtătorilor de sarcină prin joncţiunea emitorului;
- purtătorii injectaţi prin bază care circulă drept rezultat al
fenomenelor de difuzie şi drift;
- recombinarea purtătorilor de sarcină în regiunea bazei;
- extragerea purtătorilor minoritari din bază în regiunea
colectorului prin intermediul câmpului electric, format de
joncţiunea colectorului.
Injecţia purtătorilor de sarcină duce la trecerea prin joncţiunea
emitorului a curenţilor de difuzie (a golurilor I E p şi electronilor
I E n ). În circuitul extern al emitorului circulă curentul de injecţie:
U EB
q . (1.2)
I E  I E p  I E n  I EB 0 (e kT
 1)

7
Pentru structura tranzistorului tip p-n-p relaţia între
concentraţiile impurităţilor din regiunile emitorului  N acc  E şi
bazei  N don  B se determină ca:
 Nacc  E  100   N don  B .
Din aceste considerente se obţine I E p  I E n .
Relaţia între componentele curentului emitorului pot fi
apreciate cu ajutorul coeficientului de injecţie
IE p IE p
   1. (1.3)
IE IE p  IE n
Injecţia purtătorilor de sarcină din emitor în bază măreşte
concentraţia purtătorilor minoritari în regiunea bazei. Concentraţia
lor la frontiera joncţiunii emitorului pentru structura tip p-n-p se
determină din relaţia:
qU E

p n  p n 0 e kT . (1.4)
Sarcina golurilor, apărute momentan în apropierea joncţiunii
emitorului (~ 10-17 s), se compensează cu sarcina electronilor, ce
pătrund în bază de la sursa de alimentare UEB. Circuitul emitor –
bază devine blocat şi asigură circulaţia curentului emitorului.
Majorarea concentraţiei electronilor şi a golurilor în apropierea
joncţiunii emitorului formează gradientul concentraţiei purtătorilor
de sarcină în bază ( p şi p ). Sub acţiunea gradientului
concentraţiei purtătorilor de sarcină se produce mişcarea de difuzie
a golurilor şi electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre
colector.
Concomitent cu difuzia golurilor în bază, are loc şi recombi-
narea lor cu electronii. În locul electronilor care se recombină în
regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt
injectaţi alţi electroni, formând curentul de recombinare al bazei
I B rec , alături de curentul electronilor injectaţi I En . Deoarece
lăţimea bazei este considerabil mai mică ca lungimea de difuzie a
purtătorilor de sarcină  WB  L p ,n  , micşorarea concentraţiei
purtătorilor de sarcină în regiunea bazei din cauza recombinării

8
este nesemnificativă, iar curentul de recombinare I B rec este mai
mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-două.
Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de
joncţiunea colectorului polarizată indirect, nimerind în câmpul de
accelerare a acestei joncţiuni şi sunt transferate în colector. În aşa
mod se formează componenta dirijată a curentului colectorului:
I C p  I E  I B rec  I E n  I E p  I B rec .
Procesul de tranziţie a purtătorilor de sarcină minoritari prin bază
este caracterizat de coeficientul de transfer  .Coeficientul de
transfer depinde de lărgimea bazei WB şi lungimea de difuzie a
golurilor L p
I Cp WB2
 1 . (1.5)
I Ep ( 2L p ) 2
Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în bază, cu
atât mai major este curentul colectorului. Din aceste considerente
curentul I C este proporţional cu curentul emitorului şi se numeşte
p

curentul dirijat al colectorului. Utilizând relaţiile (1.3) şi (1.5), se


obţine
I C p  I E   E I E . (1.6)
Coeficientul  E este numit coeficient integral de transfer al
curentului emitorului în circuitul colectorului. Dacă apelăm la
relaţiile (1.3), (1.5), primim:
I I I
E  C p  C p  E p     . (1.7)
IE IE p IE
Posibilitatea de dirijare cu curentul de ieşire al tranzistorului,
modificând valoarea curentul de intrare, este o proprietate
importantă a tranzistorului bipolar, ceea ce oferă posibilitatea de a-
l utiliza în calitate de element activ în circuitele electronice.
În afară de componenta dirijată a curentului colectorului I C p

prin electrodul colectorului circulă şi componenta nedirijată a


curentului, numită curentul de scurgere a joncţiunii p-n polarizate
indirect. El este analogic curentului diodei semiconductoare

9
cuplate indirect şi de aceea a primit denumirea de curentul de
scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii „C” indică curentul
joncţiunii colectorului cuplate indirect; „B” – măsurările au loc în
schema de cuplare BC; 0 – măsurările au loc pentru I E  0 , adică
pentru regim mers în gol la intrare. Direcţia curentului de scurgere
a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijată a
curentului colectorului şi de aceea
I C    I E  I CB 0 . (1.8)
Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers
curentului de recombinare în bază I B rec şi curentului de injecţie
I n inj
I B  I B rec  I CB 0  I n inj .
(1.9)
În circuitul emitorului curentul de injecţie se determină ca
suma curentului colectorului I C şi curentul bazei I B :
IE  IC  IB . (1.10)
Relaţiile (1.8) şi (1.10) determină legătura dintre curenţii
tranzistorului şi sunt adecvate pentru oricare din circuitele de
conectare.
Procese analogice au loc şi în tranzistorul tip n-p-n, cu unică
deosebire că în loc de goluri trebuie să vorbim despre electroni şi
invers. Direcţiile curenţilor continui şi polarizarea tensiunilor de
alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.1.3.
În circuitele EC şi CC (fig.1.3) curentul de dirijare este
curentul bazei, iar relaţia pentru curentul colectorului (1.8) poate fi
scrisă în felul următor:
I C    I E  I CB 0     I C  I B   I CB 0 ;
I C    I C    I B  I CB 0 ;
 1
IC   IB   I CB 0    I B  I CE 0 , (1.11)
1  1 
unde:

10

  este coeficientul de amplificare după curent în schema
1 
1
de cuplare EC;  I CB 0   1    I CB 0  I CE0 - componenta
1 
nedirijată a curentului colectorului în schema EC, sau curentul de
scurgere a tranzistorului bipolar.
Pentru schema CC curentul de ieşire este curentul emitorului.
Din aceste considerente
I E  I B  I C    I E  I CB 0 ;
1 I
IE  I B  CB 0 ,
1  1 
sau
I E  K I I B  I CE 0 ,
unde
1
KI  1. (1.12)
1 

1.3.5. Regim de inversie

În regim de inversie joncţiunea emitorului este cuplată invers,


iar joncţiunea colectorului direct. De aceea, în comparaţie cu
regimul activ, în regim de inversie injecţia purtătorilor de sarcină
este înfăptuită de joncţiunea colectorului, iar extracţia purtătorilor
de joncţiunea emitorului. Practic, emitorul şi colectorul îşi schimbă
funcţia şi poziţia în circuit.
Pentru schema de cuplare BC:
I E   i  I C  I EB 0 , (1.13)
unde  i este coeficientul de transfer invers.
Deoarece suprafaţa joncţiunii emitorului este cu mult mai mică
decât cea a joncţiunii colectorului şi N C  N B , atunci  i   .
Pentru schema CC

I E   i  I B   1   i  I EB 0 . (1.14)

11
Pentru schema EC

I C   1   i  I B   1   i  I EB 0 . (1.15)

1.3.6. Coeficientul diferenţial de amplificare după curent

În relaţia (1.7) pentru coeficientul static de amplificare a


curentului emitorului  E  M :
 coeficientul de injecţie  caracterizează eficacitatea
joncţiunii emitorului;
 coeficientul de transfer de difuzie  caracterizează
procesele ce au loc în bază – difuzia şi recombinarea
purtătorilor de sarcină;
 coeficientul M se introduce pentru a lua în considerare
procesele în joncţiunea colectorului şi, de regulă, M  1 .
Relaţia pentru curentul colectorului I C   E  I E  I CB 0 , unde
 IE este parametrul static al regimului activ, indică legătura
dintre componentele respective în curent continuu. Coeficientul 
este determinat de relaţia   (I C  I CB 0 ) I E . Această formulă
arată legătura dintre componentele curentului de dirijare I E şi
valoarea curentului de ieşire I C .
Pentru semnale alternative, amplitudinea cărora este cu mult
mai mică ca valoarea tensiunii de alimentare, legătura dintre
curenţii colectorului şi emitorului este determinată de relaţia
diferenţială (1.7) ca funcţie de două argumente pentru
I CB 0  const , adică
dI C   E  dI E  I E  d E
sau
dI C d
   E  IE E , (1.16)
dI E dI E

12
unde   este coeficientul diferenţial de amplificare după curent în
schema BC, care întotdeauna este mai mare decât  E .

1.3.7. Modelul Ebers-Moll

Legătura dintre curenţii şi tensiunile tranzistorului bipolar


pentru cele patru modalităţi de cuplare în circuit pot fi studiate cu
ajutorul modelului matematic Ebers-Moll, bazat pe schema
echivalentă formată din două diode conectate una în întâmpinarea
celeilalte şi a două surse de curent continuu care indică
interacţiunea dintre aceste diode (fig.1.5).
iI2 I1

IE IC
E C
I1 I2
B

Fig.1.5. Schema echivalentă a tranzistorului bipolar


după modelul Ebers-Moll

I E  I 1   i I 2 ; I C  I1  I 2 ; (1.17)
 qUEB 
I 1  I EBC  e kT  1  ; (1.18)
 
 qUkTEB 
I 2  I CBC  e  1  , (1.19)
 
unde I EBC şi I CBC prezintă curenţii de scurgere ai joncţiunilor
emitorului şi colectorului, măsurate în regim scurtcircuit în partea
corespunzătoare a schemei. Luând în considerare (1.18) şi (1.19)
relaţiile (1.17) pot fi scrise sub forma:
 qUEB   qUEB 
I E  I EBC  e kT  1    i I CBC  e kT  1  ; (1.20)
   

13
I EB 0  kTEB   qUEB 
qU
I
IC  e  1   CB0  e kT  1  ; (1.21)
1   i   1   
 i 

IC 
 1    I EB0  e kT  1    1   i  I CB 0  e kT  1 
qU EB qU EB

1   i   1   i   . (1.22)
 

1.4. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar


1.4.1. Modalităţile caracteristicilor statice

Caracteristicile statice indică legătura funcţională între


curenţii şi tensiunile la bornele tranzistorului bipolar. Pentru
fiecare schemă de conectare în regim activ există o familie de
caracteristici, ce arată legătura între curenţii şi tensiunile aplicate la
tranzistor.
Patru modalităţi de caracteristici descriu proprietăţile oricărui
dispozitiv cu trei borne:
 caracteristicile de intrare:
I Ies  const
I Int  f  U Int  sau ;
U Ies  const
 caracteristicile de ieşire:
I Int  const
I Ies  f  U Ies  sau ;
U Int  const
 caracteristicile de transfer:
I Ies  f  I Int  ;
U Ies  const
 caracteristicile reacţiei inverse:
U Int  f  I Ies  .
I Ies  const

14
1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj bază comună

În cuplaj bază comună (BC) tranzistorul posedă următoarele


caracteristici:
 familia caracteristicilor de intrare (fig.1.6,a)
I E  f  U EB 
U CB  const ;
 familia caracteristicilor de ieşire(fig.1.6,b)
I C  I E  I CB 0 ;
variaţia curentului colectorului trebuie să fie constantă la transferul
de la o caracteristică la alta, adică I E  const ;
 caracteristicile de transfer (fig.1.6,c);
 caracteristicile reacţiei inverse (fig.1.6,d).
Regim de saturaţie

UEB IC IE
UEB=0

UEB≠0

IE=0
IE
Regim de blocare UCB
a) b)
IC IC IE
UEB≠0
UEB=0

IE UCB
Fig.1.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.
a) c)
caracteristicile de intrare; b) caracteristicile
d) de
ieşire; c) caracteristicile de transfer;
d) caracteristicile reacţiei inverse
15
Referindu-ne la modelul Ebers-Moll şi rezolvând ecuaţia
(1.20) faţă de U EB , obţinem relaţiile pentru caracteristicile de
intrare idealizate:
U EB  f  I E 
U CB  const ;

kT  I E  qUCB 
U EB  ln   1   e kT  1   . (1.23)
q  I EB 0   
Relaţia (1.23) prezintă caracteristica de intrare a tranzistorului
cuplat în circuitul BC.
Relaţia pentru caracteristicile de ieşire sunt obţinute utilizând
(1.21):
 qUCB 
I C  I E  I CB 0  e kT  1  ; (1.24)
 
I CB 0  I CBC  1   i  ;
I EB 0  I EBC  1   i  ,
unde:  este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în
regim activ;  i - coeficientul de amplificare a curentului
colectorului în regim de inversie.
Dependenţa poziţiei caracteristicilor de intrare,
caracteristicilor de transfer şi caracteristicilor de reacţie inversă în
funcţie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explică prin
efectul de modulare a grosimii bazei, din cauza căruia cu
majorarea tensiunii U CB a joncţiunii colector, invers polarizată,
grosimea stratului cu concentraţie redusă a purtătorilor de sarcină
se măreşte. Frontiera joncţiunii colectorului se deplasează în
direcţia joncţiunii emitorului. Drept rezultat, grosimea bazei WB
devine mai mică. Concomitent creşte gradientul de concentraţie a
purtătorilor de sarcină p şi n în baza tranzistorului şi se
măreşte valoarea curentul de difuzie I E (fig.1.7). U U
UC CB CB

IE IC
UCB
16 x
UEB UCB UC UC
UCB
UCB B B
Fig.1.7. Efectul de modulare a grosimii bazei

Efectul de modulare a grosimii bazei provoacă apariţia


reacţiei interne în tranzistor. La mărirea modulului tensiunii de
ieşire U CB curentul de intrare I E în schema cu bază comună
creşte. De aceea pentru unul şi acelaşi curent al emitorului, odată
cu creşterea tensiunii pe colector, tensiunea pe emitor trebuie
micşorată.
În caz ideal caracteristicile de ieşire trebuie să fie paralele
axei tensiunii U CB . Devierea caracteristicii este datorată efectului
de modulare a grosimii bazei.
Prezenţa curentului I C în circuitul colectorului când
U CB  0 (fig. 1.6,b) prezintă o particularitate a caracteristicilor de
ieşire pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema BC, asigurată de
interacţiunea joncţiunilor. În bază are loc deplasarea purtătorilor de
sarcină prin procedura de difuzie spre joncţiunea colectorului
dirijată de gradientul de concentraţie. Apoi purtătorii sunt
acceleraţi de câmpul electric al joncţiunii. Însă la un nivel major de
injecţie ( p n  N P ), pentru U CB  0 , coeficientul  tinde spre
zero şi curentul colectorului tot este aproape de zero.

1.4.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun

17
Cele mai întrebuinţate sunt caracteristicile tranzistorului
bipolar în cuplaj emitor comun (EC), deoarece în acest caz
curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare şi
caracteristicile de transfer şi ca parametru pentru celelalte.
În fig.1.8 şi fig.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici
pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC:
 familia caracteristicilor de intrare (fig.1.8,a)
U BE  f  I B 
U CE  const ;
 familia caracteristicilor de ieşire (fig.1.8,b)
I C  f  U CE 
I B  const ;
 familia caracteristicilor de transfer după curent (fig. 1.12,a)
IC  f  IB 
U CE  const ;
 familia caracteristicilor de reacţie inversă (fig. 1.12,b)
U BE  f  U CE  .
I B  const
Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este
condiţionată de efectul de modulare a grosimii bazei. Tensiunii
mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mică a bazei.
Rezultă o probabilitate mai redusă de recombinare a purtătorilor în
bază şi un curent I B mai mic.
Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE  0 ,
fig.1.9,a), curentul bazei este aproximativ de două ori mai mare
decât în regim activ, deoarece joncţiunile emitorului şi
colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB ,
aşa cum este arătat în fig. 1.9.
Regim de saturaţie

UBE IC
UCE
ICmax
UCE I BV
I BIV
I B
I B
UCE=0 PCmax
18 I B
IB IB=0

Regim de blocaj UCEmax UCB


a) b)
Fig.1.8. Caracteristicile de intrare şi ieşire în cuplaj EC

Regiunea caracteristicilor de ieşire din fig.1.8,b ce se află în


interiorul graniţei haşurate, corespunde regimului activ limitat de
parametri electrici maximi permişi: I C max , PC max , U CE max .
Porţiunea cu pantă înaltă a caracteristicii de ieşire corespunde
graniţei între regimul de saturaţie şi regimul activ, deoarece pentru
U CE  U BE joncţiunile emitorului şi ale colectorului sunt polari-
zate direct (fig.1.10), adică U CP  U BE  U CE .
IC
IB p
JE JC
n
UBE p UBE
a) b)

Fig. 1.9. Conectarea joncţiunilor p-n pentru U CE  0, U BE  0


IC
IB p JE UCE JC
n UCE
UBE p UBE

Fig. 1.10. Conectarea joncţiunilor p-n pentru U CE  0, U BE  0


Regimului de blocaj, ilustrat în fig.1.8,b , corespunde regiunii
ce se află sub caracteristica de ieşire pentru I B  0 , unde curentul
colectorului este determinat conform relaţiei

19
IB  0
I C    I B     1 I CB 0 .
I CE0     1 I CB 0
În schema EC pentru circuitul deschis ( I B  0 ) curentul de
scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de    1 ori mai
mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 . Aceasta se
explică prin conectarea directă a joncţiunii emitorului, aşa cum
este prezentat în fig.1.11.
Caracteristicile de transfer şi reacţie inversă (fig.1.12) reflectă
acţiunea efectului de modulare a grosimii bazei. Cu majorarea
modului tensiunii aplicate la colector, grosimea bazei se
micşorează, probabilitatea recombinaţiei purtătorilor de sarcină
scade şi curentul bazei se micşorează. Curentul bazei rămâne
constant la mărirea tensiunii aplicate la bază tranzistorului.
C
p
JC UBE
ICE0 n
UCE JE
UBE IB=0 p
E
Fig.1.11. Conectarea joncţiunilor în cuplaj EC

IC 
U EC UBE
I BIV
  U EC
U EC  I B
a) b) I B
  U EC
U EC  I B
IB UCE

Fig. 1.12. Caracteristicile de transfer (a) şi de reacţie inversă (b)


pentru tranzistorul bipolar în cuplaj EC

Caracteristicile statice permit de a determina parametrii de


bază ai tranzistorului bipolar şi sunt utilizate pentru calculul
etajelor de amplificare în circuitele electronice cu tranzistoare.

20
1.5. Sistemul de parametri diferenţiali
ai tranzistorului bipolar
1.5.1. Tranzistorul ca cuadripol activ

Variaţiile mici ale tensiunii pe joncţiunile tranzistorului aduc


la schimbări liniare în valoarea curenţilor şi tranzistorul devine
cuadripol liniar activ. Cuadripol activ este numit circuitul electric
format din elemente pasive (R, C, L) şi generatoare echivalente de
tensiune electromotoare sau curent, ce posedă două perechi de
borne (fig.1.13). Perechii de borne de intrare îi corespunde
curentul I 1 şi tensiunea U  . Perechii de borne de ieşire îi
1

corespunde curentul 2 şi tensiunea U
I  .
2

I 2

I1 I2 I1 C


U 2
B
U 1 U 2 U 1 E

Fig.1.13. Reprezentarea tranzistorului ca cuadripol

Sub curenţi şi tensiuni se subânţeleg dependenţe de tipul


i t   I m sin t    ; u t   U m sin t    ; (1.25)
           
I  I me j t  U e
; U m
j t
. (1.26)
Există şase sisteme posibile de ecuaţii pentru descrierea
tranzistorului bipolar ca cuadripol, care sunt prezentate în tab.1.2.

Tabelul 1.2

Sisteme de ecuaţii pentru descrierea tranzistorului

21
Argumentul I1 ; I 2 U 1 ; U 2 U1 ; I 2 U 2 ; I 1 I 1 ; U 1 I 2 ; U 2
Funcţiile U1 ; U 2 I1 ; I 2 I 1 ; U 2 U1 ; I 2 I 2 ; U 2 I 1 ; U 1

Cele mai întrebuinţate în practică sunt trei sisteme de


parametri şi anume: Z, Y, H
U   Z I  Z I
1 11 1 12 2

U  Z   Z I ;
I
(1.27)
 2 21 1 22 2

 I 1  Y11 U 1  Y12 U
  
2
 ; (1.28)
I
 2  Y  Y U
U
21 1 22

2

U H U
1 11 1  H 12 I 2
 
  . (1.29)
 I 2  H 21I 1  H 22 U 2

Parametrii diferenţiali (Z, Y, H) sunt determinaţi din


condiţiile mers în gol sau scurtcircuit după curent alternativ în
dependenţă de sistemul de parametri. Rezistenţa joncţiunii
emitorului polarizată direct este mică şi pentru obţinerea stării de
mers în gol, la intrarea tranzistorului în circuitul bazei se
conectează un rezistor cu rezistenţă înaltă. De aceea sistemul de
parametri H este cel mai comod pentru măsurări. Între sistemele de
parametri Z şi H există o interdependenţă. Transferul de la un
sistem la altul este uşor de efectuat conform relaţiilor din tab.1.3.
Valorile numerice ale parametrilor diferenţiali ai
tranzistorului ca cuadripol depind de schema de conectare. De
aceea parametrii diferenţiali se notează cu indici suplimentari: b –
parametrii tranzistorului în cuplaj BC; e – parametrii tranzistorului
în cuplaj EC;c – parametrii tranzistorului în cuplaj CC.
Tabelul 1.3

Legătura dintre parametrii Z,Y,H

Z Y  H

22
Y22 Y12 H H12
Z11 Z12 
Y Y H 22 H 22
 Z
Z 21 Z 22 Y Y11 H 1
 21  21
Y Y H 22 H 22
Z 22 Z 1 H
 12  12
Z Z Y11 Y12 H11 H 11
 Y
Z 21 Z11 Y21 Y22 H 21 H

Z Z H11 H 11
Z Z12 1 Y12

Z 22 Z 22 Y11 Y11 H 11 H 12
 H
Z 21 1 Y21 Y H 21 H 22

Z 22 Z 22 Y11 Y11

În tab.1.4. sunt prezentate relaţiile de bază pentru parametrii


H la conectarea tranzistorului EC şi BC.
Tabelul 1.4

Parametrii H pentru diferite scheme de conectare

H11 b H 11 b H 22b
H11 e  H 12e   H 21b
1  H 21b 1  H 21b
H 21b H 22b
H 21e  H 22e 
1  H 21b 1  H 21b
H 11 c  H 11 e H 12c  H 21e  1
H 21c  H 21e  1 H 22c  H 22e

Tabelul 1.4 (continuare)

H11 e H 11 e H 22e
H11 b  H 12b   H 21e
1  H 21e 1  H 21e

23
H 21e H 22e
H 21b   H 22b 
1  H 21e 1  H 21e

La frecvenţe joase, când tranzistorul nu introduce defazaj


între curent şi tensiune, parametrii H complexi sunt substituiţi cu
valori reale
 U m1  h11 I m1  h12 U m 2
 . (1.30)
 I m 2  h 21I m1  h 22 U m 2
Sistemul de ecuaţii (1.30) poate fi scris sub forma:
 U1  h11 I 1  h12 U 2
 . (1.31)
 I 2  h 21I 1  h 22 U 2
Pentru determinarea parametrilor h11 şi h 21 la ieşirea
cuadripolului asigurăm regim scurtcircuit după curent alternativ (
U m 2  0 sau U 2  0 ) şi, utilizând relaţia (1.30) sau (1.31),
obţinem:
U m1 U 1
h11   ; (1.32)
I m1 U m 2  0 I 1 U 2  0
Im2 I 2
h 21   . (1.33)
I m 1 U m 2  0 I 1 U 2  0
Pentru determinarea parametrilor h12 şi h 22 la intrarea
cuadripolului asigurăm regim mers în gol după curent alternativ (
U m1  0 sau U 1  0 ) şi, utilizând relaţia (1.30) sau (1.31),
obţinem:
U m1 U 1
h12   ; (1.34)
U m 2 I m 1  0 U 2  I 1  0
Im 2 I 2
h 22   . (1.35)
U m 2 I m 1  0 U 2  I 1  0
Coeficienţii h 12 şi h 22 exprimaţi în aşa mod, au următoarele
denumiri şi unităţi de măsură:
h12 - coeficient de reacţie inversă după tensiune, când la
intrarea tranzistorului este asigurat regim mers în gol;
24
h22 - conductibilitatea de ieşire pentru regim mers în gol la
intrarea cuadripolului  Sm  .
Avantajele sistemului de parametri h se explică prin
comoditatea determinării lor experimental şi întrebuinţarea pe larg
pentru proiectarea diverselor rezolvări tehnice ce utilizează
tranzistoare bipolare. Acest sistem permite prin măsurarea
nemijlocită să determinăm cel mai important parametru al
tranzistorului – coeficientul de amplificare după curent.

1.5.2. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului

Descrierea proprietăţilor tranzistorului pentru semnale


alternative cu amplitudini reduse cu ajutorul ecuaţiilor
cuadripolului nu este comodă la calculul schemelor practice.
Pentru simplificarea calculelor se introduc schemele echivalente
formale. Fiecărui sistem de parametri îi corespunde o schemă
echivalentă.
Pentru sistemul de parametri Z, putem scrie
U 1  Z 11 I 1  Z 12 I 2 ;
 (1.36)
 U 2  Z 21I 1  Z 22 I 2 .
Tensiunea de intrare U  prezintă suma căderilor de tensiune
1

U1  Z11 I 1 pe impedanţa Z11 la circulaţia curentului I 1 şi


 
tensiunii generatorului cu impedanţa diferită de zero U    Z I ,
1 12 2
care indică reacţia inversă în tranzistor, adică influenţa curentului
de ieşire asupra circuitului de intrare (fig.1.14).

I1 Z 11 Z 22 I 2

U 1  Z 11 I1 U 2  Z 22 I 2
U 1 U 2
U 1  Z 12 I 2 U   Z I
2 21 1

Fig.1.14. Schema formală de substituire a tranzistorului


în sistemul de parametri Z
25
Tensiunea la ieşire U 
2 este determinată de tensiunea

generatorului U2  Z 21I 1 care arată proprietăţile de amplificare


 
ale tranzistorului şi căderii de tensiune U    Z I pe impedanţa
2 22 2

de ieşire a tranzistorului Z 22 . Subliniem că impedanţa


generatorului cu tensiunea U    Z I pentru curentul I 2 este
2 21 1
egală cu zero.
Pentru sistemul de parametri Y, putem scrie
 I 1  Y11 U 1  Y12 U
2
 2.
I 2  Y21U  1  Y22 U
Curentul de intrare I 1 este format din curentul I 1  Y11 U  ce
1

circulă prin admitanţa Y11 şi curentul generatorului I1  Y12 U


  ,
2
care determină reacţia inversă în tranzistor (fig.1.15). Curentul de
ieşire I 2 este format din curentul generatorului I 2  Y21U  ce
1
caracterizează proprietăţile de amplificare ale tranzistorului şi
curentul I 2  Y22 U
 , care circulă prin admitanţa de ieşire.
2

I1 I 2

I1  Y11U 1 I 2  Y22U 2


U 1 Y11 Y22 U 2
I1  Y12U 2 I 2  Y21U 1

Fig.1.15. Schema formală de substituire a tranzistorului


în sistemul de parametri Y
Pentru sistemul de parametrii H sau h putem scrie
U H U
1 11 1  H 12 I 2 ;
 

 I 2  H 21I 1  H 22 U
 2.
Tensiunea de intrare prezintă suma căderilor de tensiune
U  H I pe impedanţa de intrare H 11 şi tensiunea
1 11 1

26
generatorului U    H U  , care caracterizează reacţia inversă în
1 12 2
tranzistorul bipolar (fig. 1.16).

I1 H 11 I 2

U 1  H 11 I1 I 2  H 22U 2


U 1 H 22 U 2
U 1  H 12 I 2 I 2  H 21U 1

Fig.1.16. Schema formală de substituire a tranzistorului


în sistemul de parametri H

Curentul de ieşire I 2 prezintă suma curenţilor I 1  H 21I 1 ce


caracterizează proprietăţile de amplificare ale tranzistorului şi
curentul I 2  H 22 U
 care circulă prin admitanţa de ieşire H 22 .
2

Subliniem că admitanţa H 22 nu este egală cu admitanţa Y22


, deoarece H 22 este determinat în condiţii de mers în gol la
intrarea cuadripolului, iar Y22 - în regim de scurtcircuit la intrarea
cuadripolului.

1.5.3. Determinarea parametrilor diferenţiali ai


tranzistorului după caracteristicile statice

Parametrii diferenţiali sunt determinaţi pentru punctul de


funcţionare stabilit iniţial cu utilizarea familiilor de caracteristici
statice de intrare şi ieşire ale tranzistorului bipolar. Pentru aceasta
se foloseşte metoda grafică.
În fig.1.17 şi fig.1.18 este arătată metoda grafică care permite
determinarea parametrilor h ai tranzistorului bipolar în punctul
de funcţionare definit O.
Pentru schema EC relaţia (1.30) poate fi scrisă sub forma
 U B  h 11 e I B  h 12e U C ;

 I C  h 21e I B  h 22e U C .
(1.37)
27
Pentru amplitudinile tensiunilor şi curenţilor, conform
relaţiilor (1.25), (1.26), putem scrie:
 U mb  h 11 e I mb  h 12e U mc ;

 I mc  h 21e I mb  h 22e U mc .
(1.38)

IC
I B  I B  I B
I B
I C D
I C A B I B
O A
B
I B
D

U CE U CE U CE

Fig.1.17. Determinarea parametrilor h 22 e şi h 21e după


caracteristicile de ieşire

Substituind amplitudinile mici ale curenţilor şi tensiunilor


pentru semnalele variabile cu devieri finite obţinem
U mb  U BE ; U mc  U CE ;
I mb  I B ; I mc  I C ;
U BE
h11 e  ;
I B U CE  const
U BE
h12e  ;
U CE U B  const
I C
h 21e  ;
I B U CE  const
I C
h 22 e  .
U CE I B  const

28
  U CE
U CE   U CE

IB
  U CE
U CE  U CE 
U CE  0 
U CE

U CE
B

U CE
I B
A O
I B A
B

U BE
U BE U BE

Fig.1.18. Determinarea parametrilor h11 e şi h12 e după


caracteristicile de intrare

În fig.1.17, lângă punctul O sunt construite două triunghiuri


mici OAB şi OA’B’ cu valori echivalente pentru U CE ,
ipotenuza cărora o prezintă caracteristica pentru curentul continuu
al bazei I B  IB . Din fiecare triunghi determinăm
conductibilitatea de ieşire ce corespunde curentului bazei IB
I C
h 22e 
U CE I B  const .
Apoi determinăm media aritmetică a acestui parametru. Din
punctul dat O se trasează o linie verticală până la intersecţia cu
caracteristica de sus în punctul D şi cu cea de jos – în punctul D’.
Pentru fiecare segment (OD şi OD’) se determină parametrul
h 21e  
OD OD
h21e  ; h21
e  .
IB  IB IB  IB
Apoi calculăm media aritmetică pentru parametrul dat
h  h21 e
h 21e  21e .
2
29
Parametrii h11 e şi h12 e se determină după caracteristicile de
intrare ale tranzistorului (fig.1.18). Pe grafic determinăm punctul
dat O ce corespunde mărimilor U CE şi I B asemănător cu cel din
desenul cu caracteristicile de ieşire. În apropierea punctului O se
construiesc două triunghiuri mici OAB şi OA’B’. Apoi din fiecare
triunghi găsim parametrii şi calculăm media lor aritmetică. De
exemplu, pentru coeficientul de reacţie inversă h12 e
OA O A h12e  h12 e
h12e  ; h12
e  ; h  .
UCE
  UCE UCE
  UCE
 12 e
2

1.6. Schemele echivalente ale tranzistorului


la frecvenţă joasă

Sistemele de parametri diferenţiali Z, Y, H se numesc externe


deoarece ele se măsoară la bornele cuadripolului şi mărimile
acestor parametri depind de schema de conectare a tranzistorului.
La analiza funcţionării circuitelor o întrebuinţare deosebită au
obţinut-o parametrii fizici ai tranzistorului, legaţi de procesele
fizice care au loc în tranzistor şi care nu depind de schema de
conectare. Utilizându-se aceşti parametrii, poate fi alcătuită
schema echivalentă fizică a tranzistorului la semnale mici. La
trecerea de la o schemă de conectare la alta mărimile numerice ale
parametrilor fizici nu se modifică, se modifică doar poziţia în
schema echivalentă.

1.6.1. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea


joncţiunii emitorului

Rezistenţa diferenţială a joncţiunii emitorului rE se


determină ca relaţia dintre tensiunea aplicată pe joncţiunea
emitorului U E şi curentul emitorului I E , când în circuitul
colectorului este asigurat regim de scurtcircuit după curent
alternativ.

30
U E
rE  .
I E U C  0
Dacă substituim devierile curenţilor şi tensiunilor cu
echivalent diferenţial, se obţine
 U E   U E ;  I E  I E ;  U C   U C .
U E
rE  ,
I E  U C  0
unde: U E este tensiunea între emitor şi bază; I E - curentul
joncţiunii emitorului; U C - tensiunea între colector şi bază.
Curentul joncţiunii emitorului polarizate direct se determină
conform relaţiei
 qUE 
I E  I E 0  e kT  1  , (1.39)
 
unde I E 0 este curentul de scurgere al joncţiunii emitorului.
În aşa mod, pentru rezistenţa diferenţială a joncţiunii
emitorului, putem scrie:
1 1
1  U E   qUE
 q qI E
   kT 
 
rE  I E    I E 0 e  kT kT .
 
Pentru T  300 K , kT q  0,026  V  şi rezistenţa
diferenţială a joncţiunii emitorului este mică
kT 26 mA
rE   ,  . (1.40)
qI E I E ,  mA 
De exemplu, pentru I E  1 mA şi T  300 K , rE  26 Ohm .
Din cauza valorii mici a rezistenţei rE , capacitatea joncţiunii
emitorului polarizată direct ( CE ) la frecvenţă joasă este şuntată de
rezistenţa rE şi influenţa ei asupra funcţionării tranzistorului este
nesemnificativă. La frecvenţă joasă, în schema echivalentă fizică
mărimea CE poate fi neglijată.

1.6.2. Rezistenţa diferenţială şi


capacitatea joncţiunii colectorului

31
Rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului rC se
determină ca relaţia între tensiunea aplicată pe joncţiunea
emitorului U C şi curentul colectorului I C , când în circuitul
emitorului avem mers în gol după curent alternativ
U C
rC  .
 I C I E  0
Se efectuează trecerea:
 U C   U C ;  I C  I C ;  U E  U E .
U C
rC  ,
I C  I E  0
(1.41)
unde: U C este tensiunea între colector şi bază; I C - curentul
colectorului; I E - curentul joncţiunii emitorului.
Curentul colectorului I C circulă prin joncţiunea colectorului
polarizată indirect şi depinde slab de tensiunea aplicată la
colectorul U C . Mărimea rC este majoră (de obicei rC  0,1 M 
). Rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului este determinată,
în general, de efectul de modulare a grosimii bazei şi de curentul
de scurgere.
Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C
frontiera joncţiuni colectorului se deplasează. Joncţiunea de parcă
s-ar mişca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C şi
se retrage la micşorarea ei (fig.1.7). În rezultat, gradientul
concentraţiei golurilor din bază creşte la micşorarea grosimii bazei
şi descreşte la mărirea grosimii bazei. Respectiv se modifică viteza
mişcării de difuzie a purtătorilor minoritari din bază şi numărul de
goluri ce recombină în procesul mişcării de difuzie de la emitor
spre colector. Aceasta, la rândul său, conduce la dependenţa
coeficientului de transfer de difuzie a golurilor  şi, prin urmare,
la dependenţa coeficientului de amplificare după curent  de
tensiunea aplicată pe joncţiunea colectorului. Drept rezultat al
modificării valorii  (când I E  const ), cu schimbarea tensiunii
pe colector se modifică şi valoarea curentul colectorului I C .
32
Aceasta condiţionează majorarea totală a rezistenţei diferenţiale a
colectorului rC , ce poartă un caracter de difuzie
1 I C   WB
  IE  IE  . (1.42)
rC U C I E  0 U C WB U C
Joncţiunea colectorului polarizată indirect posedă capacitatea
CC care este determinată de raportul dintre modificarea valorii
sarcinii spaţiale în joncţiune şi valorii tensiunii colectorului când în
circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. De obicei
capacitatea colectorului CC este cu mult mai mică decât
capacitatea joncţiunii emitorului polarizată direct CE . Însă
capacitatea CC şuntează o rezistenţă mai mare ( rC ), de aceea cu
majorarea frecvenţei această capacitate are o influenţă
considerabilă asupra funcţionării tranzistorului.

1.6.3. Rezistenţa de volum a bazei

Materialul semiconductor din regiunea bazei şi contactul


ohmic al bazei posedă o oarecare rezistenţă rB . Cum arată
calculele, valoarea rezistenţei bazei rB poate fi determinată
conform relaţiei
1
rB  ,
8q n N  WB
unde: q este sarcina electronului;  n - mobilitatea purtătorilor
majoritari în bază; N  - concentraţia donorilor în bază; WB -
grosimea bazei.
Cu majorarea valorii grosimii bazei şi concentraţiei
impurităţilor rezistenţa de volum a bazei se micşorează. Majorarea
rB măreşte pierderile în circuitul de intrare, ceea ce micşorează
eficacitatea emitorului. Conform legilor fizice, majorarea rB
trebuie să micşoreze curentul emitorului pentru tensiune constantă
între emitor şi bază, deoarece această tensiune este distribuită între
joncţiunea emitorului şi rezistenţa rB . Pentru majorarea

33
eficacităţii emitorului şi micşorarea pierderilor de putere a
semnalului de intrare, rezistenţa bazei trebuie redusă la minim.
Introducerea rezistenţei rB în circuitul bazei ia în
considerare reacţia internă în tranzistor şi influenţa modulaţiei
grosimii bazei asupra curentului emitorului. Însă aceste
consideraţii nu ne dau precizia necesară şi necesită introducerea
rezistenţei adăugătoare rB , numită de difuzie, de aceea circuitul
bazei este caracterizat de rezistenţa totală:
rB  rB  rB . (1.43)

1.6.4. Schema echivalentă pentru cuplaj bază comună

Utilizând parametrii analizaţi anterior, poate fi construită


schema echivalentă în T de conectare a tranzistorului cu bază
comună. Acest circuit echivalent este prezentat în fig.1.19.
În schema echivalentă joncţiunile emitorului şi colectorului
sunt reprezentate prin rezistenţele lor diferenţiale rE şi rC .
Efectul de transfer al curentului emitorului I E în circuitul
colectorului pe schema echivalentă este indicat sub formă de
generator de curent I E , unde  prezintă coeficientul de
transfer al curentului emitorului. Polaritatea relativă a curentului
generatorului I E în schema echivalentă este determinată de
sensul pozitiv al curentului emitorului.
CC

IE
I E rE IC
E C
B rC

U E rB U C

B B

Fig.1.19. Schema echivalentă a tranzistorului tip n-p-n


34
cu generator de curent I E la conectare BC

În cazul orientării curentului emitorului I E de la punctul


B spre punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real
în tranzistorul bipolar tip n-p-n), direcţia pozitivă a curentului
I E trebuie orientată spre punctul B . Pentru direcţia inversă a
curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea
generatorului I E este inversă. Legea descrisă este determinată
de procedeele fizice care au loc în tranzistor. De aceea orientarea
curentului emitorului condiţionează direcţia tuturor curenţilor
rămaşi aşa cum este arătat în fig.1.19, unde direcţiile pozitive ale
curenţilor şi tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul
bipolar tip n-p-n. În schema echivalentă a tranzistorului tip p-n-p
direcţiile curenţilor vor fi inverse (fig.1.20). Trebuie de remarcat
că rezistenţa internă a generatorului de curent I E pentru
curentul de ieşire I C tinde spre infinit.
În schema echivalentă, prezentată în fig.1.19, coeficientul de
transfer după curent  este socotit independent de efectul de
modulare a grosimii bazei. Prezenţa rezistenţei rB în circuitul
bazei evidenţiază legătura internă în tranzistorul bipolar şi
influenţa modulării bazei asupra curentului emitorului.
Schema echivalentă fizică a tranzistorului bipolar, prezentată
în fig.1.19, conţine un generator de curent I E , un număr
minim de elemente şi reflectă procesele fizice ce au loc în
tranzistorul bipolar real. Ea este utilizată pe larg în calculul
ingineresc.
Uneori este mai comod de utilizat schema echivalentă în care
în locul generatorului de curent I E funcţionează generatorul
echivalent de tensiune I ErG . Această schemă este prezentată în
fig.1.20, unde rG este rezistenţa ce reflectă proprietăţile de
amplificare ale tranzistorului.
CC
I E rE I E rG IC
E C
B rC
35
U E I B rB U C

B B
Fig.1.20. Schema echivalentă a tranzistorului tip p-n-p
cu generator I ErG (conectare BC)

Echivalenţa regiunilor din schemă B - C pentru fig.1.19 şi


fig.1.20, rezultă din egalitatea căderilor de tensiune create de
curentul I 
E pe rezistenţa rC (fig.1.19) şi tensiunea

generatorului I ErG (fig.1.20)
I E rC  I E rG ; rG  rC .
(1.44)

1.6.5. Schema echivalentă pentru conectarea


emitorului comun

Schemele prezentate în fig.1.19 şi fig.1.20 rămân valabile


pentru conectarea tranzistorului cu EC, dacă bornele de intrare de
schimbat cu locul aşa, cum este arătat în fig. 1.21.
În astfel de circuit curentul generatorului I E este comod
de înlocuit prin curentul bazei I B şi nu prin curentul emitorului
 . Pentru aceasta este analizată tensiunea U
I   între punctele
E BC

B - C, care este determinată ca suma căderilor de tensiune pe


rezistenţa rC din cauza curenţilor I E şi I C
   I Z  Z I  Z  I  I  ,
U BC C C C E C C E

(1.45)
unde
1 C1
 C jCC . (1.46)
Z C rCI
E

I B rB IC
B C
B 36rC
U B I E rE U C

E E
Fig.1.21. Schema echivalentă a tranzistorului tip p-n-p
cu generator I E (conectare EC)

Din cauză că I E  I C  I B ,    /(1   ) , unde  -


coeficientul de transfer al curentului bazei la conectarea
tranzistorului după schema EC, tensiunea între punctele B - C
poate fi scrisă sub forma
U   Z I    I  I   
BC C C B 
 1  C 
      
 ZC I C  1 
1  
 
1   1
Z

 
I B   C I C   I B . (1.47)
   
Introducem notaţia
Z CE  Z C /(1   ) . (1.48)
Dacă luăm în considerare (1.48), relaţia (1.47) capătă forma
   Z  I   I  ,
U (1.49)
BC CE C B

unde Z CE este impedanţa în punctele B - C la înlocuirea


generatorului de curent I E cu generatorul  I B .
Cum se observă din relaţiile (1.45) şi (1.49), direcţia
generatorului de curent  I B trebuie să coincidă cu direcţia
generatorului de curent I E . Impedanţa Z CE posedă
componente activă şi reactivă
1 1
 *  jC*C .
Z CE rC

37
Luând în considerare relaţiile (1.46) şi (1.48) pentru schema
echivalentă a tranzistorului bipolar cuplat EC, unde între punctele
B - C este conectat generatorul de curent  I B , putem scrie
rC
rC*  ; (1.50)
1
C*C  CC  1    . (1.51)

CC 1   

I B C C 1   

I B rB IC I E rG*
B C B C
B rC rC
U B I E rE 1  U C 1 

E E
Fig.1.22. Schema echivalentă a tranzistorului tip n-p-n
cu generator de curent  I B şi generator de
tensiune I B rG* (conectarea EC)
Relaţiile (1.49), (1.50), (1.51) permit de a trece de la schema
prezentată în fig.1.21 la schema tranzistorului cu generator de
curent  I B (fig.1.22). În schema din fig.1.22 direcţia curentului
generatorului  I B este aceeaşi ca şi în schema cu bază comună,
rezistenţa rC* este de zece ori mai mică ca rC , iar capacitatea
C*C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC . Însă constanta de
timp a joncţiunii colectorului rămâne aceeaşi pentru ambele
scheme de conectare.
Uneori în schema echivalentă de conectare a tranzistorului cu
emitor comun în locul generatorului de curent  I B se foloseşte
generatorul de tensiune I B rG* . În fig. 1.22 este arătată porţiunea
de schemă între punctele B - C. Partea rămasă a schemei rămâne
neschimbată. Rezistenţa generatorului rG* , ce determină

38
proprietăţile de amplificare ale tranzistorului, se determină din
relaţia
rG*   rC* .
Cum se observă din analiza schemelor formale de înlocuire a
tranzistorului (fig.1.14...fig.1.16) şi schema echivalent fizică a
tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig.1.22)
direcţiile pozitive ale curenţilor şi tensiunilor coincid cu direcţiile
mărimilor de intrare şi ieşire pentru schemele formale.

1.7. Legătura dintre parametrii fizici ai


tranzistorului şi parametrii h
1.7.1. Rolul parametrilor h în schema
echivalentă şi calculul lor

Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor


electronice permite de a obţine legătura dintre procesele fizice care
au loc în tranzistor şi parametrii circuitelor. Aceasta este posibil
dacă sunt cunoscute mărimile fizice ale parametrilor tranzistorului
în circuitele prezentate în fig.1.19 şi fig.1.22.
Pentru determinarea relaţiilor de legătură între parametrii
fizici şi parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza
concomitent sistemul de ecuaţii a parametrilor h (1.37), (1.38)
 U mb  h11 e I mb  h 12e U mc ;

 I mc  h 21e I mb  h 22e U mc ,
şi schema echivalentă, prezentată în fig.1.22. În presupunere că
tensiunea de ieşire în această schemă este egală cu zero, adică
U mc  0 , tensiunea la intrare poate fi determinată ca
r r* r r*
U mb  I mb rB  I me rE  I mb rB  I mb E C *   I mb E C * ;
rE  rC rE  rC
 r r* 
U mb  I mb rB  E C *  1     . (1.52)
 rE  rC 
Dacă comparăm relaţiile (1.38) şi (1.52), obţinem

39
rErC*
h11 e  rB  1   . (1.53)
rE  rC*
Luând în considerare faptul că rE  rC* , obţinem formula de
legătură a parametrului h11 e cu parametrii fizici:
h11 e  rB  rE  1    . (1.54)
h
Parametrul 12 e se defineşte în schema din fig.1.22 ca
divizor de tensiune format de rezistenţele rE şi rC* dacă I mb  0 ,
adică
U mb rE
h12 e   . (1.55)
U mc I mb  0 rE  rC*
Coeficientul de transfer după curent al tranzistorului cuplat
EC se determină cu ajutorul ecuaţiei lui Kirghoff pentru circuitul
colectorului din schema echivalentă (fig.1.22)
U mc   I mbrC*  I mc (rE  rC* ) ,
Pentru U mc  0 , obţinem
 I mb rC*  I mc (rE  rC* ) .
Din aceste considerente
I mc  rC*
h 21e   .
I mb U mc  0 rE  rC*
Luând în considerare că rE  rC* se obţine
h 21e   . (1.56)
h
Parametrul 22 e după definiţie prezintă conductibilitatea de
ieşire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului. Din relaţia
(1.55), presupunând că amplitudinea curentului bazei este egală cu
zero ( I mb  0 ), primim
U mc  I mc (rE  rC* ) ;
I mc 1 1
h 22e    * . (1.57)
U mc I mb  0 rE  rC rC
*

Relaţiile (1.53)...(1.57) indică legătura dintre parametrii fizici


şi parametrii h ai tranzistorului – cuadripol. Analogic putem obţine

40
legătura dintre parametrii fizici şi parametrii h ai tranzistorului –
cuadripol în schema de cuplare BC
h11 b  rE  rB (1   ) ; h 11 b   ;
r 1
h11 b  B ; h 22b  . (1.58)
rC rC

1.7.2. Determinarea parametrilor fizici după parametrii h

În practică apare problema inversă – după parametrii h


cunoscuţi de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar.
Rezolvarea concomitentă a ecuaţiilor (1.54) şi (1.57) faţă de
mărimea rE primite de a obţine formula de calcul pentru
rezistenţa joncţiunii emitorului
h
rE  12e . (1.59)
h 22e
Remarcăm că formula dată poate fi utilizată doar în cazul
când coeficientul diferenţial de reacţie inversă h12 e posedă o
valoare semnificativă. Dacă acest parametru este aproape sau egal
cu zero, se utilizează formula (1.40). Relaţiile (1.57) şi (1.59)
permit de a calcula rezistenţa joncţiunii colectorului după curent
alternativ
h12e 1
 rC*  ;
h 22e h 22e
rC  (1   )rC*  (1  h 21e )rC* ;
1  h 21e
rC  (1  h 21e ) .
h 22e
(1.60)
Relaţiile (1.52), (1.54), (1.57) permit de a obţine formula pentru
calculul rezistenţei bazei
h
rB  h11 e  21e (1  h 22e ) . (1.61)
h 22e
În îndrumare mărimile rE , rB , rC nu sunt întotdeauna
incluse. De regulă, ele sunt calculate după parametrii h cunoscuţi
41
ai tranzistorului cuplat după schema EC conform relaţiilor (1.56),
(1.59), (1.60), (1.61). Parametrii h ai tranzistorului sunt măsuraţi
experimental sau determinaţi conform caracteristicile statice.
Analogic poate fi găsită legătura dintre parametrii h şi
elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea
tranzistorului BC.

1.8. Dependenţa parametrilor tranzistorului


de temperatură
1.8.1. Influenţa temperaturii asupra
parametrilor semiconductorilor

Dependenţa parametrilor şi caracteristicilor dispozitivelor


semiconductoare de temperatură este condiţionată de faptul că
proprietăţile fizice ale materialului semiconductor într-o măsură
mare se modifică sub influenţa temperaturii. De exemplu,
conductibilitatea specifică a semiconductorului este determinată de
relaţia
  q( n n  p p ) , (1.62)
unde:  n ,  p prezintă mobilitatea purtătorilor de sarcină ce sunt
funcţie de temperatură; n , p - concentraţia purtătorilor de
sarcină.
Dependenţa tipică a conductibilităţii specifice a semiconduc-
torului de temperatură este prezentată în fig.1.23.

 ,   cm 1

N 3  N 2  N1
103
N3
102
N1 N2
10

1 0 10 20 30 40 50
1000
T, K
42
Fig.1.23. Dependenţa electroconductibilităţii specifice a
semiconductorului cu impurităţii de temperatură

La temperatură foarte joasă în semiconductor electronii ce se


află pe ultimul nivel energetic interacţionează între ei foarte
puternic. Cu majorarea temperaturii la are loc ionizarea atomilor
de impurităţi şi majorarea concentraţiei purtătorilor de sarcină
mobili. Majorarea valorii conductibilităţii specifice are loc după
legea Tn , unde n este un număr întreg sau fracţionar. Cu mărirea
de mai departe a temperaturii toţi atomii de impurităţi sunt ionizaţi,
concentraţia purtătorilor de sarcină intrinseci rămâne să fie
nesemnificativă şi, ca urmare, conductibilitatea specifică scade din
cauza micşorării mobilităţii purtătorilor de sarcină   f ( T  3 2 ) .
Majorarea de mai departe a conductibilităţii specifice cu creşterea
temperaturii are loc din cauza apariţiei perechilor electron – gol în
semiconductorul intrinsec.

1.8.2. Modificarea parametrilor tranzistoarelor


bipolare la variaţia temperaturii

Practic toţi parametrii schemei echivalente a tranzistorului,


prezentate în fig.1.19...fig.1.22, depind de temperatură.
Rezistenţa joncţiunii emitorului depinde de temperatură în
modul următor
kT
rE  , (1.63)
qI E
unde: k este constanta lui Boltzman; T - temperatura; q -
sarcina electronului; I E - curentul emitorului.
Se observă că odată cu majorarea temperaturii pentru curentul
emitorului constant rezistenţa rE creşte.
Rezistenţa bazei este determinată de relaţia
kT
rB   rE   , (1.64)
qI E

43
unde  este coeficientul de transfer după curent în cuplarea
tranzistorului EC.
Rezistenţa colectorului tranzistorului (fără drift) în cazul
joncţiunii abrupte
U  WB
rC  CE ,
I ELC
(1.65)
unde: U CE este tensiunea între bază şi colector; WB - grosimea
bazei; L C - grosimea joncţiunii colectorului.
Pentru tranzistorul cu drift
3U CE WB
rC  . (1.66)
I ELC
Pentru a determina influenţa temperaturii asupra rezistenţei
joncţiunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în
funcţie de temperatură a parametrilor ce intră în componenţa
relaţiei (1.66). Se cunoaşte că

 . (1.67)
1 
Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC  este
determinat de relaţia
  M , (1.68)
unde: este coeficientul de injecţie;  - coeficientul de transfer;

M - eficacitatea colectorului.
Cu majorartea temperaturii creşte puţin şi valoarea
coeficientului de transfer   1  WB 2L n ,p , deoarece se măreşte
2 2

neesenţial şi lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină L n ,p .


Aceasta provoacă majorarea coeficientului de transfer după curent
 . Majorarea valorii lui  provoacă creşterea lui  .
Modificarea valorii  constituie 0,03...0,05% o C .
Curentul emitorului depinde de temperatură
qU EB
I E  I EB 0e kT , (1.69)
unde I EB 0 este curentul termic al joncţiunii emitorului.

44
Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului creşte din
cauza modificării valorii I EB 0 , după legea exponenţială, şi este
mai evidenţiat la temperaturi înalte (se măreşte de două ori la
fiecare 10 grade în variaţia temperaturii).
Joncţiunea colectorului este asimetrică şi grosimea poate fi
exprimă prin relaţia
2 0  C  U CB
LC   , (1.70)
q N
unde: N este concentraţia impurităţilor în regiunea joncţiunii
colectorului;  C - bariera de potenţial.
Fiindcă U CB   C asupra grosimii joncţiunii influenţează
nivelul concentraţiei purtătorilor de sarcină cu modificarea
temperaturii. Deoarece concentraţia purtătorilor de sarcină se
măreşte odată cu creşterea temperaturii, grosimea joncţiunii scade.
În aşa mod, la o temperatură nu prea înaltă cea mai mare influenţă
o va avea majorarea coeficientului de transfer  , ceea ce va
provoca mărirea rezistenţei joncţiunii colectorului. La temperatură
mai înaltă va avea loc micşorarea rC din cauza influenţei tot mai
mari a curentului emitorului
I CT  I CT0 e  T ,
(1.71)
unde
E
T  T  T0 ;   .
kT02
La T  300 (K ) ,   0,1 (K 1 ) pentru germaniu şi
  0,16( K 1 ) pentru siliciu. Dacă vom trece de la logaritmul
natural la cel in baza 2, obţinem
T

I CT  I CT0 2 TY ,
(1.72)
ln 2
unde TY   este temperatura de dublare a curentului termic.

45
Pentru joncţiunea fabricată din germaniu, TY  7 K , din
siliciu - TY  4,5 K . Dependenţa de temperatură a parametrilor
din schema echivalentă analizaţă este prezentată în fig.1.24.

un. rel .
 1   
2,0
I CB 0 rB
rC rE  1   
1,0
rE
0,5
rB I CB 0 rC
0
80 40 0 40 T , oC

Fig.1.24. Dependenţa parametrilor fizici de temperatură


pentru tranzistorul bipolar

După cum se cunoaşte, tranzistorul bipolar poate fi prezentat


ca cuadripol liniar. Parametrii h ai tranzistorului sunt legaţi de
parametrii schemei echivalente prin relaţiile următoare
r 1
h11 b  rE  rB (1   ) ; h 11 b   ; h12b  B ; h 22b  ;
rC rC


h11 e  rB  rE (1   ) ; h 21e  ; (1.73)
1 
rE 1 1
h12e  ; h 22e   * .
rC* rC (1   ) rC

În practică, de obicei, apare problema inversă – după


parametrii h cunoscuţi se determină parametrii fizici
h un. rel . h 1  h 21e
rB  h11 e  12e  1  h 22e  ; rE  12e ; rC  . (1.74)
h 22e h 22e h 22h12e e
4,0
Dependenţa de temperatură a parametrilor h22 e h pentru
3 ,0
tranzistorul bipolar esteh11 eprezentată în fig.1.25.
2,0
h21e
1,0 46
0
40 20 0 20 40 T , oC
Fig.1.25. Dependenţa parametrilor h de temperatură
pentru tranzistorul bipolar

1.8.3. Dependenţa caracteristicilor tranzistorului


bipolar de temperatură

Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului se măreşte


esenţial şi caracteristica de intrare pentru schema de conectare BC
are forma indicată în fig.1.26. Deplasarea caracteristicilor are loc
aproximativ cu 1...2mV o C .
Curentul de ieşire (curentul colectorului) se determină
conform relaţiei
I C  I E  I CB 0 . (1.75)
Rezultă că pentru curent constant al emitorului modificarea
absolută a curentului colectorului va fi următoarea:
dI C  I Ed  dI CB 0 . (1.76)
Modificarea relativă pentru curentul colectorului este

dI C I E dI d I CB 0 dI CB 0
 d  CB 0    . (1.77)
IC IC IC  I C I CB 0

Din cauza că modificarea coeficientului  nu este majoră,


iar I CB 0 I C este de ordinul 10 6...10 3 , atunci devierea
caracteristicilor de ieşire cu temperatura pentru schema BC este
nesemnificativă (fig.1.26).

47
Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este
curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele
Ebers – Moll în modul următor:

 UE   UC 
I B   1     I ECB  e T  1    1   i   I CBC  e T  1  , (1.78)
   
   

unde:  prezintă coeficientul de transfer în regim activ;


 i - coeficientul de transfer în regim de inversie;  T  kT q -
potenţialul termic; I ECB , I CBC - curenţii inverşi ai joncţiunii
emitorului şi colectorului.
Caracteristicile de intrare, măsurate pentru diferite
temperaturi, se intersectează, deoarece unele componente din
relaţia (1.78) depind în mod diferit de temperatură (fig.1.27).

I C , mA 60 oC
50 oC
I E , mA
50 oC 20 oC
4 12 I E  10 mA
80 oC
3 9
I E  6 mA
2 6
20 oC I E  2 mA
1 3
0 0
100 200 U EB , mV 5 10 15 U CB , mV
I B , A de temperatură a parametrilor h
Fig.1.26. Dependenţa 45 oC 20 oC
100
80
60
40
20
0
48

100 U BE , mV
Fig. 1.27. Dependenţa de temperatură a caracteristicilor
de intrare în schema de cuplare EC

Curentul colectorului pentru schema de conectare EC se scrie


în forma următoare:
I C   I B     1 I CB 0 . (1.78)

I C , mA

I B  40 A
12
30 A
10 60 oC
20 A
8 10 A
I B  40 A
6 30 A
20 oC
4
10 A
2
0 5 10 U CE ,V

Fig.1.28. Dependenţa de temperatură a caracteristicilor de


ieşire în schema cu EC

Instabilitatea relativă a curentului colectorului pentru I B  0


dI C d I CB 0 dI CB 0 dI
    1       1 C , (1.80)
I C EC  IC I CB 0 I C BC

49
adică se măreşte în comparaţie cu conectarea BC de    1 ori.
Din relaţia (1.80) se observă că modificarea caracteristicilor de
ieşire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativă.
De exemplu, dacă în diapazonul dat de temperaturi în schema BC
modificarea formei caracteristicilor de ieşire va fi de câteva
procente, atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de
procente. În fig.1.28. sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale
tranzistorului bipolar conectat în schema EC, obţinute pentru
câteva valori ale temperaturii.

1.8.4. Regimul limită de funcţionare pentru tranzistoarele


bipolare la variaţia temperaturii

Se cunoaşte că odată cu majorarea temperaturii considerabil


se măreşte concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari în funcţie
de lărgimea benzii interzise a semiconductorului. Când
concentraţia purtătorilor de sarcină minoritari se apropie de
concentraţia purtătorilor de sarcină majoritari, funcţionarea
dispozitivului semiconductor se dereglează. Temperatura maximă
de lucru este determinată de energia de ionizare a
semiconductorului şi concentraţia impurităţilor. Pentru
tranzistoarele fabricate din germaniu temperatura maximă de
funcţionare variază în limitele 70...100o C , iar pentru cele din
siliciu în limitele 125...200o C . Aceasta se datorează diferenţei
dintre lărgimea benzii interzise (pentru germaniu 0,72 eV , siliciu
1,1 eV ). Limita de jos a temperaturilor de lucru este determinată
de energia de ionizare a impurităţilor ( 0,05...0,01 eV ), şi
reprezintă aproximativ  200o C . Practic diapazonul minim al
temperaturilor de lucru este limitat de diferiţi factori tehnologici şi
de particularităţile constructive şi se plasează în limitele
70...  60o C .
Dintre toate regiunile din structura tranzistorului cea mai
mare putere este disipată pe joncţiunea colectorului, deoarece ea
posedă rezistenţă electrică mai majoră. Pentru funcţionarea
normală tranzistoarele de putere sunt utilate cu radiatoare iar
50
puterea disipată de joncţiunea colectorului poate fi determinată
conform relaţiei
Tn  TC
PC  , (1.81)
R T  R TC
unde: Tn este temperatura joncţiunii colectorului; TC -
temperatura mediului; R T - rezistenţa termică a joncţiunii colector
- carcasă ; R T C - rezistenţa termică radiator – mediu.
Rezistenţa termică este un parametru important al
tranzistorului şi este indicată în îndrumarele respective. De obicei
ea se exprimă în grade celsius pe miliwat sau grad celsius pe wat şi
pentru majoritatea tranzistoarelor se plasează în limitele
30...200 o C W .
Temperatura maxim admisibilă determină regimurile de limită
după curent, tensiune şi putere. Cu creşterea temperaturii, curba
puterilor admisibile se deplasează în jos (fig.1.29). Suprafaţa
radiatorului este determinată de relaţia
S R  BPC , (1.82)
unde B este coeficientul termic cm 2
W .
IC , A PC max

I B  200 mA
I C max
T1
4 150 mA
T2
3 100 mA
2 50 mA

1 25 mA

0
5 10 U CE max U CE , V
Fig. 1.29. Dependenţa de temperatură a regimurilor de
funcţionare a tranzistorului

51
Dependenţa experimentală care leagă variaţia de temperatură
t p şi coeficientul termic B este prezentată în fig.1.30. Curba 1
corespunde convecţiei libere a aerului, iar curba 2 – răcirii forţate
(viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).
B, cm 2 W

80
60

40
2 1
20

0 20 40 60 80 t , oC
p

Fig.1.30. Dependenţa de temperatură a coeficientului termic


În aşa mod la proiectarea aparatajului radioelectronic cu
tranzistoare ce lucrează într-un diapazon larg de temperaturi şi este
important de a cunoaşte ce influenţă are temperatura asupra
parametrilor şi caracteristicilor elementului activ şi care sunt
limitele în funcţionarea acestui dispozitiv electronic.

1.9. Dependenţa parametrilor tranzistorului de frecvenţă


1.9.1. Dispersia purtătorilor de sarcină în bază

Proprietăţile de amplificare a tranzistoarelor sunt determinate


de: proprietăţile materialului din care sunt confecţionate,
construcţia, tehnologia de fabricare, regimul de lucru şi schema de
conectare.
Cu majorarea frecvenţei, proprietăţile de amplificare ale
tranzistorului bipolar se înrăutăţesc. Asta înseamnă că:
 scade puterea de ieşire;
 apare defazajul, adică întârzierea oscilaţiilor curentului de
ieşire faţă de cel de intrare.

52
Asupra diapazonului frecvenţelor de lucru a tranzistoarelor
influenţează următorii parametri:
 timpul de difuzie al purtătorilor de sarcină minoritari în
regiunea bazei de la joncţiunea emitorului la cea a
colectorului;
 capacitatea joncţiunii emitorului CE şi colectorului CC ;
 rezistenţa bazei rE , determinată de dimensiunile ei
geometrice.
Viteza de propagare a purtătorilor de sarcină în regiunea bazei
este diferită şi de aceea grupul de purtători de sarcină ce au intrat
concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp
diferit.

1.9.2. Dependenţa coeficientului de transfer


după curent de frecvenţă

Fie că tranzistorul bipolar de tip p-n-p este conectat BC şi


funcţionează în regim activ. Când la intrarea tranzistorului se
aplică semiperioada pozitivă a semnalului, atunci din joncţiunea
emitorului se injectează în bază un număr mare de goluri. O parte
din ele ajung destul de rapid la joncţiunea colectorului, altă parte,
ce posedă o viteză de mişcare mai mică, se reţine puţin. Pentru o
frecvenţă majoră a semnalului, când timpul mediu de mişcare a
golurilor în regiunea bazei este comparabil cu perioada acestui
semnal, semiperioada pozitivă va trece în cea negativă. În timpul
acţiunii semiperioadei negative numărul golurilor injectate se va
micşora şi o parte din ele va ajunge la joncţiunea colectorului
odată cu cele întârziate de la semiperioada pozitivă. Drept rezultat,
semnalul la ieşirea tranzistorului va fi unul mediu. Dispersia
vitezelor golurilor în bază aduce la aceea că odată cu mărirea
frecvenţei are loc înrăutăţirea efectului de amplificare şi
micşorarea coeficientului de transfer după curent  . Cu cât mai
53
mare este grosimea regiunii bazei şi, prin urmare, timpul de
parcurgere a bazei de către goluri, cu atât este mai pronunţată
întârzierea purtătorilor de sarcină şi cu atât mai mic va fi
coeficientul de transfer după curent. Nivelul de micşorare a
coeficientului de transfer după curent cu creşterea frecvenţei este
determinat de grosimea bazei WB .
Influenţa dispersiei vitezei purtătorilor de sarcină se manifestă
şi asupra formei semnalului. Dacă la intrarea tranzistorului aplicăm
impulsuri dreptunghiulare de durată redusă, atunci la ieşirea lui
frontul din spate şi cel din faţă a fiecărui impuls va fi întins şi
impulsurile posedă formă de trapez. La fel are loc şi distorsionarea
semnalului sinusoidal, aplicat la intrarea tranzistorului.
Vom analiza defazajul între curentul emitorului şi curentul
colectorului. Modificarea curentului colectorului va avea loc mai
târziu decât modificarea curentului emitorului, cu valoarea
timpului mediu de propagare a procesului de difuzie prin bază  D
.
I E IC
IE
IC
t
D

Fig. 1.31. Diagramele în timp a curenţilor de intrare


şi ieşire la frecvenţă înaltă

În fig.1.31 este prezentată diagrama temporală a componentei


alternative a curentului colectorului. Mărimea  D este
determinată de grosimea bazei şi de coeficientul de difuzie. Pentru
tranzistoarele bipolare tip p-n-p timpul mediu de tranziţie a
procesului de difuzie sau timpul mişcării de difuzie se determină
ca

54
WB Dp WB2
D  ; p  ; D  , (1.83)
p WB Dp
unde:  p este viteza purtătorilor de sarcină minoritari, injectaţi în
bază; WB - grosimea bazei; Dp - coeficientul de difuzie al
golurilor în baza-n.
Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1.83) indicii
respectivi trebuie indicaţi pentru electroni.
Până când frecvenţa semnalului nu este mare şi perioada de
repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie
 D , putem socoti că schimbarea formai curentului colectorului are
loc practic momentan după legea de schimbare a curentului
emitorului. Întârzierea  D  T poate fi neglijată. Cu creşterea
frecvenţei semnalului, perioada T se micşorează şi devine
comparabilă cu timpul de difuzie  D . Semnalul în circuitul
colectorului este în defazaj faţă de cel în circuitul emitorului cu
unghiul de defazaj  B
W2
 B   D  2f B . (1.84)
Dp
Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie
 D mai major. De aceea pentru aceeaşi frecvenţă distanţei mai
mari între joncţiunile tranzistorului îi corespunde un unghi de
defazaj mai mare între curentul de intrare şi ieşire. Dacă curentul
emitorului variază după legea
i E  t   I E  I m e sin  t  , (1.85)
atunci curentul colectorului, luând în considerare defazajul, poate
fi scris ca
i C  t   I C  I m c sin  t   B  . (1.86)
Deoarece coeficientul de transfer după curent a tranzistorului
 în schema BC reprezintă raportul dintre curentul semnalului în
circuitul colectorului şi curentul semnalului în circuitul emitorului,
 depinde de frecvenţă şi este caracterizat de modulul   şi
faza  B    :

55
I C I m c sin t   B  I m c e e B
 jt  j

   , (1.87)
IE I m e sin t  I m e e  jt
unde:
Im c
    este modulul coeficientului de amplificare;
Im e
 B    - defazajul coeficientului de amplificare a curentului
emitorului în schema cu BC.
      e  j B    . (1.88)
În domeniul frecvenţelor joase coeficientul de transfer după
curent  este constant. Cu majorarea frecvenţei, coeficientul 
poartă un caracter complex (1.88), micşorându-se cu mărirea
frecvenţei, după o lege complicată. Cu o eroarea admisibilă pentru
calculele tehnice mărimea coeficientului de transfer după curent
poate fi aproximată cu ajutorul relaţiei următoare
0
 j  
0     f   2
f f  .
1  j ; 1   
(1.89)
f  f 
 f 
 B      B  f   arctg  - defazajul coeficientului .
 f 
Identic pentru conectarea tranzistorului EC:
0
 j 
0       f  
2
f ; f  . (1. 90)
1  j 1   
f  f 
 f 
 E      E  f   arctg  - defazajul coeficientului  .

 f 
În relaţiile (1.89) şi (1.90) utilizăm următoarele notări:
 0 ,  0 - modulele coeficienţilor de transfer după curent la
frecvenţă joasă pentru schemele de conectare BC şi EC respectiv;
f  , f  - frecvenţele de tăiere pentru tranzistorul cuplat BC şi EC
respectiv.

56
1.9.3. Frecvenţa de tăiere, CAF, CPhF şi alţi
parametrii ai tranzistorului

Frecvenţă de tăiere pentru tranzistorul cuplat în BC ( f  ) este


numită frecvenţa pentru care modulul coeficientului de transfer
după curent se micşorează de 2 ori ( adică cu 3 dB), în
comparaţie cu valoarea lui la frecvenţe joase

f   0 .
2
Dependenţa modulul coeficientului de transfer după curent de
frecvenţă se numeşte caracteristica amplitudine - frecvenţă (CAF)
     sau      . Dependenţa unghiului de defazaj de
frecvenţă            este numită caracteristica fază –
frecvenţă (CPhF) a coeficientului de transfer. Exemple de astfel de
caracteristici sunt prezentate în fig.1.32. Ele sunt construite în
coordonate normate   0 şi f f 0 , iar unghiul de defazaj este
plasat în unităţi absolute.
În schema EC coeficientul de transfer al curentului bazei
depinde mai tare de frecvenţă, decât în schema BC, iar frecvenţa
de tăiere f  este considerabil mai redusă decât f  .
Frecvenţa de tăiere a tranzistorului în schema EC ( f  ) se
numeşte frecvenţa la care modulul coeficientului de amplificare
după curent se micşorează de 2 ori ( adică cu 3 dB), în
comparaţie cu valoarea lui la frecvenţe joase:
0
f  .
2
unităţi
relative  o
1
0 30
0,8
0,707 B 60
0,6
90
0,4
57
10 2 10 1 1 10 f
f  f f
Fig. 1.32. CAF şi CPhF pentru coeficientului
de transfer după curent

Să exprimăm frecvenţa de tăiere f  prin mărimea f 


 0 1 0
    
1   1  j f 1  0 f
1  j  0
f f f
1 j
f
0

 
 1   0   1  j f  . (1.91)
  1   0  f 
Compararea relaţiilor (1.90) şi (1.91), cu consideraţia că
 0   0  1   0  , ne permite să obţinem formula pentru legătura
dintre frecvenţele de tăiere în schemele BC şi EC
f  f   1    .
În aşa mod frecvenţa de tăiere a coeficientului de transfer a
curentului bazei f  este de  1    ori mai mică ca frecvenţa de
tăiere în schema cu BC sau:
 1  0  0 1
1  0  1  0   ;
1  0 1  0 1  0

58
f
f  . (1.92)
1  0
Cauza principală a micşorării bruşte a coeficientului  cu
creşterea frecvenţei (cum indică relaţia (1.91)) nu este micşorarea
valorii  , ci majorarea valorii defazajului. Pentru schema EC,
f
tg  E   , (1.93)
f  1   0 
în timp ce pentru schema BC
f
tg  B   .
f
Luând în considerare (1.93) obţinem
1
tg  E   tg  B  ;
1  0
 tg  E   tg  B 
1
E  B .
1  0

I B
I B I E E
I E  I m e
IC
I B  I m b
I E
 IC
I  I
C mc
B
a) b)

Fig.1.33. Diagramele vectoriale ale curenţilor tranzistorului la


frecvenţă joasă (a) şi înaltă (b)

La frecvenţă joasă curenţii emitorului şi colectorului coincid


după fază (fig. 1.33,a), aşa încât
Im e  Im b  Im c .

59
Aici I m e , I m c , I m b prezintă amplitudinile curenţilor
alternativi ai emitorului, colectorului şi bazei respectiv. Deoarece
  1 , atunci la frecvenţe joase curentul colectorului se
deosebeşte puţin de cel al emitorului şi curenţii tranzistorului pot fi
reprezentaţi sub forma vectorilor care coincid după direcţie I E ,
 , I
I C
 , cu lungimea I m e , I m c , I m b respectiv. Amplitudinea
B

curentului bazei este egală cu diferenţa între I m e şi I m c .


Cu creşterea frecvenţei, curentul colectorului rămâne în urmă
de curentul emitorului şi vectorii acestor curenţi formează un
triunghi (fig.1.33,b) în care modulul vectorului I C se micşorează,
iar a modulului vectorului I B se măreşte de câteva ori. Deoarece
dI C dI m c
 sau   dI dU  0 ,
dI B dU C  0 mb mc

atunci la frecvenţa f  f  coeficientul de transfer  se


micşorează de câteva ori, aşa cum este arătat în fig.1.33,b.
Frecvenţele de tăiere f  , f  reprezintă parametrii
importanţi ai tranzistorului bipolar
1
f  f   1   0  sau f  f   1   0  f .
1  0

, 
0
0,707   0
 f 

1
0  f 
0,707   0
f
f fT f

Fig.1.34. Caracteristicile de amplitudine – frecvenţă ale


coeficienţilor de transfer după curent , 
60
În fig.1.34 sunt prezentate dependenţele de frecvenţă a
modulelor  şi  . Variaţia mai rapidă a modulului    cu
creşterea frecvenţei în comparaţie cu   se explică prin faptul
că diferenţa 1  () în relaţia
  
   
1    
se modifică mai rapid decât   .
În afară de această cauză principală de micşorare pentru  , cu
creşterea frecvenţei este determinată de majorarea defazajului  E .
La determinarea frecvenţei de tăiere f  a fost utilizată
dependenţa aproximativă pentru  de frecvenţă (1.89), de aceea
legătura între f  şi f 
1
f  f   1   0  f ,
1  0
este la fel aproximativă.
Pentru a obţine un reziltat concret, se introduce coeficientul
de corecţie k :
k
f  f   1   0  kf .
1  0
Valoarea acestui coeficient depinde de construcţia tranzistorului şi
tehnologia lui de fabricare (de regulă, k  1,1...2 ).
În practică, pentru calcule se foloseşte frecvenţa f T (adică
frecvenţa de tăiere a tranzistorului sau frecvenţa limită de
amplificare după curent), pentru care coeficientul de transfer a
curentului bazei  în schema EC este egal cu unitatea.
Analiza relaţiei (1.90) indică că la frecvenţe ce depăşesc de
trei-patru ori frecvenţa de tăiere f  , adică f   3...4  f , produsul
 f  f este o valoare constantă şi nu depinde de frecvenţă. În acest
produs f este frecvenţa la care este efectuată măsurarea valorii
coeficientului de transfer  f :

61
0
f 
f2 ,
1
f2
f2 0 f 0
2
 1   f  
pentru f f2 f , f f  f 0  const  fT .
1
f2
Deoarece  f  const pentru f   3...4  f şi f f  f 0  fT ,
atunci frecvenţa de tăiere în schema EC este de  0 ori mai mică
decât valoarea frecvenţei de tăiere a tranzistorului f  fT  0 .
Pentru schema BC frecvenţa de tăiere f  întotdeauna este
mai mare ca frecvenţa de tăiere a tranzistorului f T :
kf kfT k  1   0  fT
f    , (1.94)
1  0 0  1  0  0
pentru   10  f  kfT   1,1...2 f T .
La analiza dispozitivelor confecţionate în baza tranzistoarelor
cu ajutorul schemelor echivalente şi utilizarea parametrilor Y este
folosită frecvenţa de tăiere a pantei tranzistorului f S , pentru care
modulul de conductibilitate directă, egal cu
I ies
Y21  ,
U int U ies  0
se micşorează de 2 ori în comparaţie cu valoarea lui la frecvenţă
joasă. Dependenţa modulului conductibilităţii directe Y21 de
frecvenţă este identic cu dependenţa de frecvenţă a mărimilor 
şi  . Mărimea f S este întotdeauna mai mare ca f  .
Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau
amplificator, dacă coeficientul de amplificare după putere K p  1 .
De aceea un parametru important dependent de frecvenţă este
frecvenţa maximă de generare sau frecvenţa maximă de
amplificare după putere, pentru care coeficientul de amplificare
după putere este egal cu unitatea

62
 0f 
fmax  ,  MHz  ,
30rB CC
(1.95)
unde: f  este frecvenţa de tăiere a coeficientului de transfer în
schema BC, MHz, rB - rezistenţa de volum a bazei, Ω ; CC -
capacitatea joncţiunii colectorului, pF.
În relaţia (1.95) produsul rezistenţei de volum a bazei la
capacitatea colectorului este numit constantă de timp a circuitului
de reacţie inversă rB CC   C . Această constantă caracterizează
reacţia inversă la frecvenţă înaltă şi este un parametru de bază al
tranzistorului. Pentru majorarea frecvenţei de regenerare este
necesar de a mări valoare f  şi de a micşora constanta de timp
rB CC .
În aşa mod tranzistorul destinat funcţionării în domeniul
frecvenţelor înalte trebuie să posede grosimea bazei, rezistenţa de
volum a bazei, şi capacitatea colectorului cu valori reduse. Aceste
cerinţe sunt contradictorii – micşorarea grosimii bazei WB
măreşte rezistenţa de volum rB , micşorarea rezistenţei rB
(mărirea concentraţiei în bază ) măreşte capacitatea joncţiunii
colectorului CC şi micşorează valoarea tensiunii U C max . Din
aceste considerente frecvenţele de tăiere pentru tranzistoarele
bipolare fără drift sunt relativ reduse.

1.9.4. Metode de îmbunătăţire a caracteristicilor


de frecvenţă. Tranzistoare bipolare cu drift

Majorarea valorii frecvenţei de tăiere a tranzistorului necesită


micşorarea timpului de transfer de către purtătorii de sarcină în
bază. Este cunoscut că viteza electronilor  n este mai mare ca
viteza golurilor  p . De aceea utilizarea la frecvenţe înalte a
structurilor tip n-p-n este preferabilă.
Timpul de transfer ale purtătorilor de sarcină prin regiunea
bazei, conform relaţiei (1.83), se micşorează odată cu micşorarea
63
grosimii bazei şi cu majorarea valorii vitezei purtătorilor de sarcină
injectaţi în bază. Micşorarea grosimii bazei este condiţionată de
posibilităţile tehnologiilor contemporane, ce limitează caracteris-
ticile de frecvenţă a tranzistoarelor. De aceea în bază, prin
intermediul procedurilor tehnologice, se formează un câmp de
accelerare pentru purtătorii de sarcină injectaţi, care permite de a
mări viteza lor. În acest scop, în regiunea bază se formează un
câmp electric intercalat.

N acc N don , cm 3

10 21
E
N don

B
N acc

C
1015
N don

0 1 2 3  , m
JE JC
Fig.1.35. Distribuţia impurităţilor în structura
tranzistorului cu drift

În fig.1.35 sunt prezentate curbele de distribuţie a


concentraţiei impurităţilor donoare şi acceptoare în structura
tranzistorul tip n-p-n, format prin procedura de difuzie. Între
joncţiunile emitorului şi colectorului se formează o regiune de
bază tip-p compensată, grosimea căreia este determinată de
adâncimea de difuzie a impurităţilor acceptoare. În urma
distribuirii neregulate a concentraţiei impurităţilor în bază apare
gradientul concentraţiei purtătorilor de sarcină care provoacă un
câmp electric intercalat.

64
Câmpul electric intercalat accelerează electronii injectaţi în
baza tip-p. Rezultă că purtătorii de sarcină obţin adăugător
componenta de drift a vitezei. Viteza totală a electronului se
măreşte, frecvenţa de tăiere a tranzistorului de asemenea se
majorează. Tranzistoarele care posedă un câmp electric intercalat
în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. Ele se folosesc
la frecvenţe înalte.
1.9.5. Schemele echivalente ale tranzistorului
bipolar la frecvenţe înalte

La frecvenţe înalte în schema echivalentă (fig.1.19) este


necesar de a lua în considerare elementele parametrii cărora sunt
funcţie de frecvenţă şi dependenţa de frecvenţă a coeficientului de
transfer după curent  j  , în corespundere cu relaţia (1.89). În
fig.1,36,a este prezentată schema echivalentă pentru tranzistorul
bipolar la frecvenţe înalte.
Dependenţa coeficientului de transfer  de frecvenţă se
modelează cu ajutorul circuitului, format din generatorul de curent
 0 I E independent de frecvenţă, conectat la schema echivalentă
între punctele 1  1 prin circuitul RC, curentul de ieşire al căruia
este dependent de coeficientul de transfer după curent a
(fig.1.36,b).

  j  I E

a) 1 1 b)
CC
I E IC R   j  I E
rE 
E C 1
C E B
rC  0 I E
U E rB U C C U IES

B B 1

Fig. 1.36.Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă


înaltă (a) şi circuitul RC ce modelează
65
dependenţa coeficientului  de frecvenţă (b)

U
I IES   j  I E  IES ; 
U INT   0 I E Z RC ;
 (1.96)
R
R
jC R
Z RC   ;
1 1  jCR
jC  R

U  0 I E R 1 0
I IES   j  I E  IES     I E ;
R 1  jRC R 1  jRC
0
 j   . (1.97)
1  jRC
Pentru identitatea relaţiilor (1.89) şi (1.97) este necesar de a
îndeplini următoarele condiţii:
1 1
RC  ;    2 f   . (1.98)
 RC
Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă înaltă cu
generator de curent independent de frecvenţă  0I E este
prezentată în fig.1.37. Pentru o precizie mai înaltă trebuie să luăm
în considerare defazajul la frecvenţe apropiate de  (sau mai
majore decât  ) şi să introducem factorul de corecţie
exp  j    , care asigură o corecţie liniară de fază:
 f
 B  m m .
 f

 0 I E

C
b)
a) R    B
CC 1
a a
I E rE IC 0,707
E C
C E B
rC 
U E rB U C 
66 1
B
Fig.1.37. Schema echivalentă a tranzistorului
la frecvenţă înaltă cu generator  0I E (a) şi
CAF, CPhF pentru coeficientul  (b)
În aşa mod aproximarea dependenţei coeficientului de transfer
obţine forma
  
 0 exp  jm   jm

     e 
 j   0 . (1.99)
 
1 j 1 j
 
Pentru tranzistoarele formate prin aliere, m  0,2 ; prin drift,
m  0,8 . În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent
va fi
  
I E  0 exp  jm  .
  
Dacă joncţiunea emitorului este polarizată direct, capacitatea
de difuzie a emitorului, de regulă, este mai mare decât capacitatea
sarcinii spaţiale. În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în
considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC:
0,8
CEdif  . (1.100)
 rE

Pentru schema EC

1
CEdif  . (1.101)
TrE
După simplificarea respectivă, schema din fig.1.37 posedă
formă, prezentată în fig.1.38. Prioritatea principală a acestei
scheme constă în faptul că elementele ei posedă un sens fizic bine
determinat şi permit de a efectua legătura între parametrii
tranzistorului cu datele constructive, constante fizice şi procese de

67
bază ce au loc în structura analizată. Din aceste considerente
circuitul poartă denumirea de schemă echivalentă fizică.
Parametrii fizici ai schemei analizate se determină prin
parametrii h, folosind formulele prezentate în tab.1.5.


j 0, 2

I E  0 e
0,8
CE 
 rE 1
R
CC dif  CC dif
I E rE IC
E C
B
CC bar
U E rB U C

Fig.1.38. Schema echivalentă fizică simplificată


a tranzistorului la frecvenţă înaltă

În unele cazuri se utilizează schemele echivalente în P,


tranzistorul fiind prezentat formal ca un dispozitiv dirijat de
tensiune. Aici se foloseşte sistemul de parametrii Y. Schema de
substituire a tranzistorului în acest caz este prezentată în fig.1.39.
Particularităţile schemei echivalente în P constau în faptul că
curentul la ieşirea generatorului este determinat nu de tensiunea de
intrare U , dar de tensiunea punctului intern al circuitului U  .
B 1

Tensiunea U  depinde de frecvenţă, adică reprezintă o parte din


1

tensiunea de intrare U  , determinată de elementele r  , C ,


B B B

g U
g BE . De aceea sursa de curent S 1 de asemenea depinde de
frecvenţă. În schemă uneori se introduce şi capacitatea colector –
emitor CCE , conectată paralel conductibilităţii g CE . Schema
echivalentă din fig.1.39 conţine capacităţile de tranziţie a reacţiei
inverse CC1 şi CC 2 , care sunt determinate de constanta de timp a

68
circuitului colectorului  C  rB CC . Aceste capacităţi se calculează
conform relaţiilor
CC
C C1  C C 2  C C  C C1 .
 2...3 ; (1.102)
Tabelul 1.5

Formulele de calcul pentru parametrii fizici ai


tranzistorului conform parametrilor
diferenţiali pentru diferite scheme de conectare

Parametrul EC BC
h 21b
 h 21e
1  h 21b

rE
h 12 e
h 22e
h11 b 
h12b
h 22b
1  h 21b 
rC  1  h 21e  1  h12e 1
h 22e h 22b
h12e h12 b
rB h11 e   1  h 21e 
h 22e h 22 b
h 21e
  h 21b
1  h 22e
rB h 11 eh 22 e
  h12 e h12 b
rC 1  h 22 e

Elementele schemei din fig.1.39 se determină cu ajutorul


parametrilor h cu ajutorul relaţiilor:
1  h12e h12e
g BE  ; g CB  ;
h11 e  rE h11 e  rE
h12e  h  r h 
g BE  h 22e   h 21e  11 e B 21e  ; (1.103)
h11 e  h11 e  rB 

69
h 21e  h12e
gS  ,
h11e  rB
unde g S  Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar.

CC 2 CCB g CB
JC
B B
g CE
I B
JE g S U 1
U 1 C BE g BE

E
CC 2

C C1
I E rB IC
B
B g CB C
g CE
U BE U CE
U 1 g BE C BE
g S U 1
E

Fig.1.39. Schema fizică echivalentă simplificată a tranzistorului


bipolar la frecvenţă înaltă, conectat cu
emitor comun (schema Djacoletto)

Capacitatea de difuzie a joncţiunii emitorului se determină


conform relaţiei
70
1
CBE  g BE .

Pentru a ne convinge de aceasta, este deajuns de a determina
relaţia pentru frecvenţa de tăiere cu ajutorul schemei echivalente.
Curentul generatorului echivalent I ~ se determină ca:
I ~  g S U ; U
1
  I Z  ;
1 B BE

1 g S I B
I ~  g S I B Z BE  g S I B 
jCBE  g BE  C  ;
 1  j BE g BE
 g BE 
gS gS
I g BE g BE
 j    ~  
I C  ,
B 1  j BE 1  j
g BE 
g BE
unde   CBE .
Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele conţin
următorii parametri:  C - constanta de timp a circuitului de reacţie
internă în tranzistor; rB - rezistenţa bazei; CC  CC 2 - capacitatea
circuitului de reacţie internă în tranzistor; f T - frecvenţa de tăiere
pentru conectarea EC; CCE - capacitatea de ieşire pentru
conectarea EC; CCB  CC1 - capacitatea joncţiunii colectorului.

71
BIBLIOGRAFIE

1. Sandu D. Electronica fizică şi aplicată. – V.1. – Iaşi; Editura


A.I.Cuza:1994, - 615 p.
2. D.Dascălu, A.Rusu, M.Profirescu, I.Costea Dispozitive şi
circuite electronice. – Bucureşti; Editura Didactică şi
Pedagogică: 1982, – 679 p.
3. Zamfir V. Bazele radioelectronicii. – Timişoara; Facla:
1987, – 279 p.
4. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы
схемотехники электронных устройств. – М.; Додэка:
2001, – 368 c.
5. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. – М.; Радио и
связь,: 1990, – 512 с.
6. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Основы радиоэлектроники. – М.:
Высшая школа, 1991. – 622 с.
7. Батушев Б.А. Электронные приборы. – М.; Высшая
школа: 1980, – 383 с.
8. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. – М.;
Высшая школа: 1981, – 432 с.
9. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – Мocква-
Санкт-Петербург; Лаборатория Базовых Знаний : 2001,
- 488 с.
10. Дулин В.Н. Электронные приборы. – М.; Энергия: 1977,
– 424 с.
11. Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
Справочник/ Под ред. Н.Н.Горюнова. – М.;
Энергоатомиздат: 1985, – 864 с.
12. ЛавриненкоВ.Ю. Справочник по полупроводниковым
приборам. – Киев; Техника: 1984, – 419 с.
13.Морозова И.Г. Физика электронных приборов. – М.
Атомиздат, 1980. - 392 с
14.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х
книгах. - М., Мир: 1984, - 912 c.
72
CUPRINS

1. TRANZISTORUL BIPOLAR........................................... 3
1.1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile
tranzistorului bipolar.......................................................... 3
1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului.................... 4
1.3. Regimul de lucru şi proceselefizice în tranzistorul
bipolar................................................................................ 5
1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare.................... 5
1.3.2. Regim de blocaj................................................................ 6
1.3.3. Regim de saturaţie............................................................ 6
1.3.4. Regim activ...................................................................... 6
1.3.5. Regim de inversie............................................................ 11
1.3.6. Coeficientul diferenţial de amplificare după curent ........ 12
1.3.7. Modelul Ebers – Moll........................................................13
1.4. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar.............14
1.4.1. Modalităţile caracteristicilor statice……………………..14
1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj bază comună……………..15
1.4.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun………..….. 18
1.5. Sistemul de parametri diferenţiali ai tranzistorului
bipolar..............................................................................21
1.5.1. Tranzistorul ca cuadripol activ.........................................21
1.5.2. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului .......25
1.5.3. Determinarea parametrilor diferenţiali aitranzistorului
după caracteristicile statice...............................................27
1.6. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecvenţă
joasă .................................................................................30
1.6.1. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea
joncţiunii emitorului..........................................................31
1.6.2. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea joncţiunii
colectorului.........................................................................32
1.6.3. Rezistenţa de volum a bazei ..............................................33
1.6.4. Schema echivalentă pentru cuplaj bază comună................34
73
1.6.5. Schema echivalentă pentru conectarea emitorului
comun.................................................................................36
1.7. Legătura dintre parametrii fizici ai tranzistorului şi
parametrii h ........................................................................39
1.7.1. Rolul parametrilor h în schemaechivalentă şi calculul
lor........................................................................................39
1.7.2. Determinarea parametrilor fizici după parametrii h ..........41
1.8. Dependenţa parametrilor tranzistorului de temperatură....42
1.8.1. Influenţa temperaturii asupra parametrilor
semiconductorilor...............................................................42
1.8.2. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la
variaţia temperaturii............................................................44
1.8.3. Dependenţa caracteristicilor tranzistorului bipolar de
temperatură.........................................................................47
1.8.4. Regimul limită de funcţionare pentru tranzistoarele
bipolare la variaţia temperaturii..........................................50
1.9. Dependenţa parametrilor tranzistorului de frecvenţă.........53
1.9.1. Dispersia purtătorilor de sarcină în bază............................53
1.9.2. Dependenţa coeficientului de transfer după curent de
frecvenţă.............................................................................54
1.9.3. Frecvenţa de tăiere, CAF, CPhF şi alţiparametrii ai
tranzistorului.......................................................................57
1.9.4. Metode de îmbunătăţire a caracteristicilorde frecvenţă.
Tranzistoare bipolare cu drift ............................................64
1.9.5. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la
frecvenţe înalte..................................................................66
Bibliografie........................................................................73

74