Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
TRANZISTORUL BIPOLAR
1.1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile
tranzistorului bipolar
JE JC JE JC
E C E C
p n p n p n
B B
E C E C
p-n-p n-p-n
B B
4
În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modificări de cuplare a
tranzistorului bipolar în circuitul electric.
BC IC CC IE
IE IC EC
IB IB
Iieş. Iieş. Iieş.
Iintr. Iintr.
IB Iintr. IE IC
Tabelul 1.1
6
În fig.1.4 este reprezentat modelul plan unidimensional al
tranzistorului bipolar, joncţiunea emitor a căreia este polarizată
direct, iar cea a colectorului indirect. Această conectare
corespunde regimului activ.
JC IEp
IEp=IE
JE
p n p
IE IC
IEn I ICB0
B rec
UEB IB UCB
7
Pentru structura tranzistorului tip p-n-p relaţia între
concentraţiile impurităţilor din regiunile emitorului N acc E şi
bazei N don B se determină ca:
Nacc E 100 N don B .
Din aceste considerente se obţine I E p I E n .
Relaţia între componentele curentului emitorului pot fi
apreciate cu ajutorul coeficientului de injecţie
IE p IE p
1. (1.3)
IE IE p IE n
Injecţia purtătorilor de sarcină din emitor în bază măreşte
concentraţia purtătorilor minoritari în regiunea bazei. Concentraţia
lor la frontiera joncţiunii emitorului pentru structura tip p-n-p se
determină din relaţia:
qU E
p n p n 0 e kT . (1.4)
Sarcina golurilor, apărute momentan în apropierea joncţiunii
emitorului (~ 10-17 s), se compensează cu sarcina electronilor, ce
pătrund în bază de la sursa de alimentare UEB. Circuitul emitor –
bază devine blocat şi asigură circulaţia curentului emitorului.
Majorarea concentraţiei electronilor şi a golurilor în apropierea
joncţiunii emitorului formează gradientul concentraţiei purtătorilor
de sarcină în bază ( p şi p ). Sub acţiunea gradientului
concentraţiei purtătorilor de sarcină se produce mişcarea de difuzie
a golurilor şi electronilor prin regiunea bazei de la emitor spre
colector.
Concomitent cu difuzia golurilor în bază, are loc şi recombi-
narea lor cu electronii. În locul electronilor care se recombină în
regiunea bazei din circuitul extern al sursei de alimentare UEB sunt
injectaţi alţi electroni, formând curentul de recombinare al bazei
I B rec , alături de curentul electronilor injectaţi I En . Deoarece
lăţimea bazei este considerabil mai mică ca lungimea de difuzie a
purtătorilor de sarcină WB L p ,n , micşorarea concentraţiei
purtătorilor de sarcină în regiunea bazei din cauza recombinării
8
este nesemnificativă, iar curentul de recombinare I B rec este mai
mic decât curentul emitorului I E cu un ordin-două.
Golurile injectate de emitor în regiunea bazei se apropie de
joncţiunea colectorului polarizată indirect, nimerind în câmpul de
accelerare a acestei joncţiuni şi sunt transferate în colector. În aşa
mod se formează componenta dirijată a curentului colectorului:
I C p I E I B rec I E n I E p I B rec .
Procesul de tranziţie a purtătorilor de sarcină minoritari prin bază
este caracterizat de coeficientul de transfer .Coeficientul de
transfer depinde de lărgimea bazei WB şi lungimea de difuzie a
golurilor L p
I Cp WB2
1 . (1.5)
I Ep ( 2L p ) 2
Cu cât mai multe goluri sunt injectate din emitor în bază, cu
atât mai major este curentul colectorului. Din aceste considerente
curentul I C este proporţional cu curentul emitorului şi se numeşte
p
9
cuplate indirect şi de aceea a primit denumirea de curentul de
scurgere al colectorului I CB 0 . Aici indicii „C” indică curentul
joncţiunii colectorului cuplate indirect; „B” – măsurările au loc în
schema de cuplare BC; 0 – măsurările au loc pentru I E 0 , adică
pentru regim mers în gol la intrare. Direcţia curentului de scurgere
a colectorului I CB 0 corespunde cu componenta dirijată a
curentului colectorului şi de aceea
I C I E I CB 0 . (1.8)
Curentul I CB 0 în circuitul bazei este orientat invers
curentului de recombinare în bază I B rec şi curentului de injecţie
I n inj
I B I B rec I CB 0 I n inj .
(1.9)
În circuitul emitorului curentul de injecţie se determină ca
suma curentului colectorului I C şi curentul bazei I B :
IE IC IB . (1.10)
Relaţiile (1.8) şi (1.10) determină legătura dintre curenţii
tranzistorului şi sunt adecvate pentru oricare din circuitele de
conectare.
Procese analogice au loc şi în tranzistorul tip n-p-n, cu unică
deosebire că în loc de goluri trebuie să vorbim despre electroni şi
invers. Direcţiile curenţilor continui şi polarizarea tensiunilor de
alimentare ce corespund regimului activ sunt prezentate în fig.1.3.
În circuitele EC şi CC (fig.1.3) curentul de dirijare este
curentul bazei, iar relaţia pentru curentul colectorului (1.8) poate fi
scrisă în felul următor:
I C I E I CB 0 I C I B I CB 0 ;
I C I C I B I CB 0 ;
1
IC IB I CB 0 I B I CE 0 , (1.11)
1 1
unde:
10
este coeficientul de amplificare după curent în schema
1
1
de cuplare EC; I CB 0 1 I CB 0 I CE0 - componenta
1
nedirijată a curentului colectorului în schema EC, sau curentul de
scurgere a tranzistorului bipolar.
Pentru schema CC curentul de ieşire este curentul emitorului.
Din aceste considerente
I E I B I C I E I CB 0 ;
1 I
IE I B CB 0 ,
1 1
sau
I E K I I B I CE 0 ,
unde
1
KI 1. (1.12)
1
I E i I B 1 i I EB 0 . (1.14)
11
Pentru schema EC
I C 1 i I B 1 i I EB 0 . (1.15)
12
unde este coeficientul diferenţial de amplificare după curent în
schema BC, care întotdeauna este mai mare decât E .
IE IC
E C
I1 I2
B
I E I 1 i I 2 ; I C I1 I 2 ; (1.17)
qUEB
I 1 I EBC e kT 1 ; (1.18)
qUkTEB
I 2 I CBC e 1 , (1.19)
unde I EBC şi I CBC prezintă curenţii de scurgere ai joncţiunilor
emitorului şi colectorului, măsurate în regim scurtcircuit în partea
corespunzătoare a schemei. Luând în considerare (1.18) şi (1.19)
relaţiile (1.17) pot fi scrise sub forma:
qUEB qUEB
I E I EBC e kT 1 i I CBC e kT 1 ; (1.20)
13
I EB 0 kTEB qUEB
qU
I
IC e 1 CB0 e kT 1 ; (1.21)
1 i 1
i
IC
1 I EB0 e kT 1 1 i I CB 0 e kT 1
qU EB qU EB
1 i 1 i . (1.22)
14
1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj bază comună
UEB IC IE
UEB=0
UEB≠0
IE=0
IE
Regim de blocare UCB
a) b)
IC IC IE
UEB≠0
UEB=0
IE UCB
Fig.1.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.
a) c)
caracteristicile de intrare; b) caracteristicile
d) de
ieşire; c) caracteristicile de transfer;
d) caracteristicile reacţiei inverse
15
Referindu-ne la modelul Ebers-Moll şi rezolvând ecuaţia
(1.20) faţă de U EB , obţinem relaţiile pentru caracteristicile de
intrare idealizate:
U EB f I E
U CB const ;
kT I E qUCB
U EB ln 1 e kT 1 . (1.23)
q I EB 0
Relaţia (1.23) prezintă caracteristica de intrare a tranzistorului
cuplat în circuitul BC.
Relaţia pentru caracteristicile de ieşire sunt obţinute utilizând
(1.21):
qUCB
I C I E I CB 0 e kT 1 ; (1.24)
I CB 0 I CBC 1 i ;
I EB 0 I EBC 1 i ,
unde: este coeficientul de amplificare a curentului emitorului în
regim activ; i - coeficientul de amplificare a curentului
colectorului în regim de inversie.
Dependenţa poziţiei caracteristicilor de intrare,
caracteristicilor de transfer şi caracteristicilor de reacţie inversă în
funcţie de valoarea tensiunii aplicate pe colector se explică prin
efectul de modulare a grosimii bazei, din cauza căruia cu
majorarea tensiunii U CB a joncţiunii colector, invers polarizată,
grosimea stratului cu concentraţie redusă a purtătorilor de sarcină
se măreşte. Frontiera joncţiunii colectorului se deplasează în
direcţia joncţiunii emitorului. Drept rezultat, grosimea bazei WB
devine mai mică. Concomitent creşte gradientul de concentraţie a
purtătorilor de sarcină p şi n în baza tranzistorului şi se
măreşte valoarea curentul de difuzie I E (fig.1.7). U U
UC CB CB
IE IC
UCB
16 x
UEB UCB UC UC
UCB
UCB B B
Fig.1.7. Efectul de modulare a grosimii bazei
17
Cele mai întrebuinţate sunt caracteristicile tranzistorului
bipolar în cuplaj emitor comun (EC), deoarece în acest caz
curentul bazei este argument pentru caracteristicile de intrare şi
caracteristicile de transfer şi ca parametru pentru celelalte.
În fig.1.8 şi fig.1.12 sunt prezentate familiile de caracteristici
pentru tranzistorul bipolar cuplat în schema EC:
familia caracteristicilor de intrare (fig.1.8,a)
U BE f I B
U CE const ;
familia caracteristicilor de ieşire (fig.1.8,b)
I C f U CE
I B const ;
familia caracteristicilor de transfer după curent (fig. 1.12,a)
IC f IB
U CE const ;
familia caracteristicilor de reacţie inversă (fig. 1.12,b)
U BE f U CE .
I B const
Forma de evantai a caracteristicilor de intrare este
condiţionată de efectul de modulare a grosimii bazei. Tensiunii
mai mari pe colector îi corespunde o grosime mai mică a bazei.
Rezultă o probabilitate mai redusă de recombinare a purtătorilor în
bază şi un curent I B mai mic.
Pentru cazul când avem scurtcircuit la intrare ( U CE 0 ,
fig.1.9,a), curentul bazei este aproximativ de două ori mai mare
decât în regim activ, deoarece joncţiunile emitorului şi
colectorului sunt conectate paralel la sursa de alimentare U EB ,
aşa cum este arătat în fig. 1.9.
Regim de saturaţie
UBE IC
UCE
ICmax
UCE I BV
I BIV
I B
I B
UCE=0 PCmax
18 I B
IB IB=0
19
IB 0
I C I B 1 I CB 0 .
I CE0 1 I CB 0
În schema EC pentru circuitul deschis ( I B 0 ) curentul de
scurgere în circuitul colectorului I CE 0 este de 1 ori mai
mare decât curentul invers al colectorului I CB 0 . Aceasta se
explică prin conectarea directă a joncţiunii emitorului, aşa cum
este prezentat în fig.1.11.
Caracteristicile de transfer şi reacţie inversă (fig.1.12) reflectă
acţiunea efectului de modulare a grosimii bazei. Cu majorarea
modului tensiunii aplicate la colector, grosimea bazei se
micşorează, probabilitatea recombinaţiei purtătorilor de sarcină
scade şi curentul bazei se micşorează. Curentul bazei rămâne
constant la mărirea tensiunii aplicate la bază tranzistorului.
C
p
JC UBE
ICE0 n
UCE JE
UBE IB=0 p
E
Fig.1.11. Conectarea joncţiunilor în cuplaj EC
IC
U EC UBE
I BIV
U EC
U EC I B
a) b) I B
U EC
U EC I B
IB UCE
20
1.5. Sistemul de parametri diferenţiali
ai tranzistorului bipolar
1.5.1. Tranzistorul ca cuadripol activ
I 2
Tabelul 1.2
21
Argumentul I1 ; I 2 U 1 ; U 2 U1 ; I 2 U 2 ; I 1 I 1 ; U 1 I 2 ; U 2
Funcţiile U1 ; U 2 I1 ; I 2 I 1 ; U 2 U1 ; I 2 I 2 ; U 2 I 1 ; U 1
I 1 Y11 U 1 Y12 U
2
; (1.28)
I
2 Y Y U
U
21 1 22
2
U H U
1 11 1 H 12 I 2
. (1.29)
I 2 H 21I 1 H 22 U 2
Z Y H
22
Y22 Y12 H H12
Z11 Z12
Y Y H 22 H 22
Z
Z 21 Z 22 Y Y11 H 1
21 21
Y Y H 22 H 22
Z 22 Z 1 H
12 12
Z Z Y11 Y12 H11 H 11
Y
Z 21 Z11 Y21 Y22 H 21 H
Z Z H11 H 11
Z Z12 1 Y12
Z 22 Z 22 Y11 Y11 H 11 H 12
H
Z 21 1 Y21 Y H 21 H 22
Z 22 Z 22 Y11 Y11
H11 b H 11 b H 22b
H11 e H 12e H 21b
1 H 21b 1 H 21b
H 21b H 22b
H 21e H 22e
1 H 21b 1 H 21b
H 11 c H 11 e H 12c H 21e 1
H 21c H 21e 1 H 22c H 22e
H11 e H 11 e H 22e
H11 b H 12b H 21e
1 H 21e 1 H 21e
23
H 21e H 22e
H 21b H 22b
1 H 21e 1 H 21e
I1 Z 11 Z 22 I 2
U 1 Z 11 I1 U 2 Z 22 I 2
U 1 U 2
U 1 Z 12 I 2 U Z I
2 21 1
I1 I 2
26
generatorului U H U , care caracterizează reacţia inversă în
1 12 2
tranzistorul bipolar (fig. 1.16).
I1 H 11 I 2
IC
I B I B I B
I B
I C D
I C A B I B
O A
B
I B
D
U CE U CE U CE
28
U CE
U CE U CE
IB
U CE
U CE U CE
U CE 0
U CE
U CE
B
U CE
I B
A O
I B A
B
U BE
U BE U BE
30
U E
rE .
I E U C 0
Dacă substituim devierile curenţilor şi tensiunilor cu
echivalent diferenţial, se obţine
U E U E ; I E I E ; U C U C .
U E
rE ,
I E U C 0
unde: U E este tensiunea între emitor şi bază; I E - curentul
joncţiunii emitorului; U C - tensiunea între colector şi bază.
Curentul joncţiunii emitorului polarizate direct se determină
conform relaţiei
qUE
I E I E 0 e kT 1 , (1.39)
unde I E 0 este curentul de scurgere al joncţiunii emitorului.
În aşa mod, pentru rezistenţa diferenţială a joncţiunii
emitorului, putem scrie:
1 1
1 U E qUE
q qI E
kT
rE I E I E 0 e kT kT .
Pentru T 300 K , kT q 0,026 V şi rezistenţa
diferenţială a joncţiunii emitorului este mică
kT 26 mA
rE , . (1.40)
qI E I E , mA
De exemplu, pentru I E 1 mA şi T 300 K , rE 26 Ohm .
Din cauza valorii mici a rezistenţei rE , capacitatea joncţiunii
emitorului polarizată direct ( CE ) la frecvenţă joasă este şuntată de
rezistenţa rE şi influenţa ei asupra funcţionării tranzistorului este
nesemnificativă. La frecvenţă joasă, în schema echivalentă fizică
mărimea CE poate fi neglijată.
31
Rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului rC se
determină ca relaţia între tensiunea aplicată pe joncţiunea
emitorului U C şi curentul colectorului I C , când în circuitul
emitorului avem mers în gol după curent alternativ
U C
rC .
I C I E 0
Se efectuează trecerea:
U C U C ; I C I C ; U E U E .
U C
rC ,
I C I E 0
(1.41)
unde: U C este tensiunea între colector şi bază; I C - curentul
colectorului; I E - curentul joncţiunii emitorului.
Curentul colectorului I C circulă prin joncţiunea colectorului
polarizată indirect şi depinde slab de tensiunea aplicată la
colectorul U C . Mărimea rC este majoră (de obicei rC 0,1 M
). Rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului este determinată,
în general, de efectul de modulare a grosimii bazei şi de curentul
de scurgere.
Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul U C
frontiera joncţiuni colectorului se deplasează. Joncţiunea de parcă
s-ar mişca în întâmpinarea golurilor la majorarea tensiunii U C şi
se retrage la micşorarea ei (fig.1.7). În rezultat, gradientul
concentraţiei golurilor din bază creşte la micşorarea grosimii bazei
şi descreşte la mărirea grosimii bazei. Respectiv se modifică viteza
mişcării de difuzie a purtătorilor minoritari din bază şi numărul de
goluri ce recombină în procesul mişcării de difuzie de la emitor
spre colector. Aceasta, la rândul său, conduce la dependenţa
coeficientului de transfer de difuzie a golurilor şi, prin urmare,
la dependenţa coeficientului de amplificare după curent de
tensiunea aplicată pe joncţiunea colectorului. Drept rezultat al
modificării valorii (când I E const ), cu schimbarea tensiunii
pe colector se modifică şi valoarea curentul colectorului I C .
32
Aceasta condiţionează majorarea totală a rezistenţei diferenţiale a
colectorului rC , ce poartă un caracter de difuzie
1 I C WB
IE IE . (1.42)
rC U C I E 0 U C WB U C
Joncţiunea colectorului polarizată indirect posedă capacitatea
CC care este determinată de raportul dintre modificarea valorii
sarcinii spaţiale în joncţiune şi valorii tensiunii colectorului când în
circuitul emitorului este asigurat regim mers în gol. De obicei
capacitatea colectorului CC este cu mult mai mică decât
capacitatea joncţiunii emitorului polarizată direct CE . Însă
capacitatea CC şuntează o rezistenţă mai mare ( rC ), de aceea cu
majorarea frecvenţei această capacitate are o influenţă
considerabilă asupra funcţionării tranzistorului.
33
eficacităţii emitorului şi micşorarea pierderilor de putere a
semnalului de intrare, rezistenţa bazei trebuie redusă la minim.
Introducerea rezistenţei rB în circuitul bazei ia în
considerare reacţia internă în tranzistor şi influenţa modulaţiei
grosimii bazei asupra curentului emitorului. Însă aceste
consideraţii nu ne dau precizia necesară şi necesită introducerea
rezistenţei adăugătoare rB , numită de difuzie, de aceea circuitul
bazei este caracterizat de rezistenţa totală:
rB rB rB . (1.43)
IE
I E rE IC
E C
B rC
U E rB U C
B B
B B
Fig.1.20. Schema echivalentă a tranzistorului tip p-n-p
cu generator I ErG (conectare BC)
(1.45)
unde
1 C1
C jCC . (1.46)
Z C rCI
E
I B rB IC
B C
B 36rC
U B I E rE U C
E E
Fig.1.21. Schema echivalentă a tranzistorului tip p-n-p
cu generator I E (conectare EC)
37
Luând în considerare relaţiile (1.46) şi (1.48) pentru schema
echivalentă a tranzistorului bipolar cuplat EC, unde între punctele
B - C este conectat generatorul de curent I B , putem scrie
rC
rC* ; (1.50)
1
C*C CC 1 . (1.51)
CC 1
I B C C 1
I B rB IC I E rG*
B C B C
B rC rC
U B I E rE 1 U C 1
E E
Fig.1.22. Schema echivalentă a tranzistorului tip n-p-n
cu generator de curent I B şi generator de
tensiune I B rG* (conectarea EC)
Relaţiile (1.49), (1.50), (1.51) permit de a trece de la schema
prezentată în fig.1.21 la schema tranzistorului cu generator de
curent I B (fig.1.22). În schema din fig.1.22 direcţia curentului
generatorului I B este aceeaşi ca şi în schema cu bază comună,
rezistenţa rC* este de zece ori mai mică ca rC , iar capacitatea
C*C tot de atâtea de ori este mai mare ca CC . Însă constanta de
timp a joncţiunii colectorului rămâne aceeaşi pentru ambele
scheme de conectare.
Uneori în schema echivalentă de conectare a tranzistorului cu
emitor comun în locul generatorului de curent I B se foloseşte
generatorul de tensiune I B rG* . În fig. 1.22 este arătată porţiunea
de schemă între punctele B - C. Partea rămasă a schemei rămâne
neschimbată. Rezistenţa generatorului rG* , ce determină
38
proprietăţile de amplificare ale tranzistorului, se determină din
relaţia
rG* rC* .
Cum se observă din analiza schemelor formale de înlocuire a
tranzistorului (fig.1.14...fig.1.16) şi schema echivalent fizică a
tranzistorului tip n-p-n conectat cu emitor comun (fig.1.22)
direcţiile pozitive ale curenţilor şi tensiunilor coincid cu direcţiile
mărimilor de intrare şi ieşire pentru schemele formale.
39
rErC*
h11 e rB 1 . (1.53)
rE rC*
Luând în considerare faptul că rE rC* , obţinem formula de
legătură a parametrului h11 e cu parametrii fizici:
h11 e rB rE 1 . (1.54)
h
Parametrul 12 e se defineşte în schema din fig.1.22 ca
divizor de tensiune format de rezistenţele rE şi rC* dacă I mb 0 ,
adică
U mb rE
h12 e . (1.55)
U mc I mb 0 rE rC*
Coeficientul de transfer după curent al tranzistorului cuplat
EC se determină cu ajutorul ecuaţiei lui Kirghoff pentru circuitul
colectorului din schema echivalentă (fig.1.22)
U mc I mbrC* I mc (rE rC* ) ,
Pentru U mc 0 , obţinem
I mb rC* I mc (rE rC* ) .
Din aceste considerente
I mc rC*
h 21e .
I mb U mc 0 rE rC*
Luând în considerare că rE rC* se obţine
h 21e . (1.56)
h
Parametrul 22 e după definiţie prezintă conductibilitatea de
ieşire pentru regim mers în gol la intrarea tranzistorului. Din relaţia
(1.55), presupunând că amplitudinea curentului bazei este egală cu
zero ( I mb 0 ), primim
U mc I mc (rE rC* ) ;
I mc 1 1
h 22e * . (1.57)
U mc I mb 0 rE rC rC
*
40
legătura dintre parametrii fizici şi parametrii h ai tranzistorului –
cuadripol în schema de cuplare BC
h11 b rE rB (1 ) ; h 11 b ;
r 1
h11 b B ; h 22b . (1.58)
rC rC
, cm 1
N 3 N 2 N1
103
N3
102
N1 N2
10
1 0 10 20 30 40 50
1000
T, K
42
Fig.1.23. Dependenţa electroconductibilităţii specifice a
semiconductorului cu impurităţii de temperatură
43
unde este coeficientul de transfer după curent în cuplarea
tranzistorului EC.
Rezistenţa colectorului tranzistorului (fără drift) în cazul
joncţiunii abrupte
U WB
rC CE ,
I ELC
(1.65)
unde: U CE este tensiunea între bază şi colector; WB - grosimea
bazei; L C - grosimea joncţiunii colectorului.
Pentru tranzistorul cu drift
3U CE WB
rC . (1.66)
I ELC
Pentru a determina influenţa temperaturii asupra rezistenţei
joncţiunii colectorului este necesar de a analiza caracteristicile în
funcţie de temperatură a parametrilor ce intră în componenţa
relaţiei (1.66). Se cunoaşte că
. (1.67)
1
Coeficientul de transfer al curentului în cuplaj BC este
determinat de relaţia
M , (1.68)
unde: este coeficientul de injecţie; - coeficientul de transfer;
M - eficacitatea colectorului.
Cu majorartea temperaturii creşte puţin şi valoarea
coeficientului de transfer 1 WB 2L n ,p , deoarece se măreşte
2 2
44
Cu majorarea temperaturii, curentul emitorului creşte din
cauza modificării valorii I EB 0 , după legea exponenţială, şi este
mai evidenţiat la temperaturi înalte (se măreşte de două ori la
fiecare 10 grade în variaţia temperaturii).
Joncţiunea colectorului este asimetrică şi grosimea poate fi
exprimă prin relaţia
2 0 C U CB
LC , (1.70)
q N
unde: N este concentraţia impurităţilor în regiunea joncţiunii
colectorului; C - bariera de potenţial.
Fiindcă U CB C asupra grosimii joncţiunii influenţează
nivelul concentraţiei purtătorilor de sarcină cu modificarea
temperaturii. Deoarece concentraţia purtătorilor de sarcină se
măreşte odată cu creşterea temperaturii, grosimea joncţiunii scade.
În aşa mod, la o temperatură nu prea înaltă cea mai mare influenţă
o va avea majorarea coeficientului de transfer , ceea ce va
provoca mărirea rezistenţei joncţiunii colectorului. La temperatură
mai înaltă va avea loc micşorarea rC din cauza influenţei tot mai
mari a curentului emitorului
I CT I CT0 e T ,
(1.71)
unde
E
T T T0 ; .
kT02
La T 300 (K ) , 0,1 (K 1 ) pentru germaniu şi
0,16( K 1 ) pentru siliciu. Dacă vom trece de la logaritmul
natural la cel in baza 2, obţinem
T
I CT I CT0 2 TY ,
(1.72)
ln 2
unde TY este temperatura de dublare a curentului termic.
45
Pentru joncţiunea fabricată din germaniu, TY 7 K , din
siliciu - TY 4,5 K . Dependenţa de temperatură a parametrilor
din schema echivalentă analizaţă este prezentată în fig.1.24.
un. rel .
1
2,0
I CB 0 rB
rC rE 1
1,0
rE
0,5
rB I CB 0 rC
0
80 40 0 40 T , oC
h11 e rB rE (1 ) ; h 21e ; (1.73)
1
rE 1 1
h12e ; h 22e * .
rC* rC (1 ) rC
dI C I E dI d I CB 0 dI CB 0
d CB 0 . (1.77)
IC IC IC I C I CB 0
47
Pentru schema de conectare EC curentul de intrare este
curentul bazei care aproximativ este determinat din formulele
Ebers – Moll în modul următor:
UE UC
I B 1 I ECB e T 1 1 i I CBC e T 1 , (1.78)
I C , mA 60 oC
50 oC
I E , mA
50 oC 20 oC
4 12 I E 10 mA
80 oC
3 9
I E 6 mA
2 6
20 oC I E 2 mA
1 3
0 0
100 200 U EB , mV 5 10 15 U CB , mV
I B , A de temperatură a parametrilor h
Fig.1.26. Dependenţa 45 oC 20 oC
100
80
60
40
20
0
48
100 U BE , mV
Fig. 1.27. Dependenţa de temperatură a caracteristicilor
de intrare în schema de cuplare EC
I C , mA
I B 40 A
12
30 A
10 60 oC
20 A
8 10 A
I B 40 A
6 30 A
20 oC
4
10 A
2
0 5 10 U CE ,V
49
adică se măreşte în comparaţie cu conectarea BC de 1 ori.
Din relaţia (1.80) se observă că modificarea caracteristicilor de
ieşire a tranzistorului conectat în schema EC este semnificativă.
De exemplu, dacă în diapazonul dat de temperaturi în schema BC
modificarea formei caracteristicilor de ieşire va fi de câteva
procente, atunci pentru conectarea EC ea va constitui sute de
procente. În fig.1.28. sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale
tranzistorului bipolar conectat în schema EC, obţinute pentru
câteva valori ale temperaturii.
I B 200 mA
I C max
T1
4 150 mA
T2
3 100 mA
2 50 mA
1 25 mA
0
5 10 U CE max U CE , V
Fig. 1.29. Dependenţa de temperatură a regimurilor de
funcţionare a tranzistorului
51
Dependenţa experimentală care leagă variaţia de temperatură
t p şi coeficientul termic B este prezentată în fig.1.30. Curba 1
corespunde convecţiei libere a aerului, iar curba 2 – răcirii forţate
(viteza fluxului de aer aproximativ 300 m s ).
B, cm 2 W
80
60
40
2 1
20
0 20 40 60 80 t , oC
p
52
Asupra diapazonului frecvenţelor de lucru a tranzistoarelor
influenţează următorii parametri:
timpul de difuzie al purtătorilor de sarcină minoritari în
regiunea bazei de la joncţiunea emitorului la cea a
colectorului;
capacitatea joncţiunii emitorului CE şi colectorului CC ;
rezistenţa bazei rE , determinată de dimensiunile ei
geometrice.
Viteza de propagare a purtătorilor de sarcină în regiunea bazei
este diferită şi de aceea grupul de purtători de sarcină ce au intrat
concomitent în regiunea bazei ating regiunea colectorului în timp
diferit.
54
WB Dp WB2
D ; p ; D , (1.83)
p WB Dp
unde: p este viteza purtătorilor de sarcină minoritari, injectaţi în
bază; WB - grosimea bazei; Dp - coeficientul de difuzie al
golurilor în baza-n.
Pentru tranzistoarele bipolare în formulele (1.83) indicii
respectivi trebuie indicaţi pentru electroni.
Până când frecvenţa semnalului nu este mare şi perioada de
repetare a procesului considerabil întrece timpul mediu de difuzie
D , putem socoti că schimbarea formai curentului colectorului are
loc practic momentan după legea de schimbare a curentului
emitorului. Întârzierea D T poate fi neglijată. Cu creşterea
frecvenţei semnalului, perioada T se micşorează şi devine
comparabilă cu timpul de difuzie D . Semnalul în circuitul
colectorului este în defazaj faţă de cel în circuitul emitorului cu
unghiul de defazaj B
W2
B D 2f B . (1.84)
Dp
Bazei cu grosimea mai mare îi corespunde un timp de difuzie
D mai major. De aceea pentru aceeaşi frecvenţă distanţei mai
mari între joncţiunile tranzistorului îi corespunde un unghi de
defazaj mai mare între curentul de intrare şi ieşire. Dacă curentul
emitorului variază după legea
i E t I E I m e sin t , (1.85)
atunci curentul colectorului, luând în considerare defazajul, poate
fi scris ca
i C t I C I m c sin t B . (1.86)
Deoarece coeficientul de transfer după curent a tranzistorului
în schema BC reprezintă raportul dintre curentul semnalului în
circuitul colectorului şi curentul semnalului în circuitul emitorului,
depinde de frecvenţă şi este caracterizat de modulul şi
faza B :
55
I C I m c sin t B I m c e e B
jt j
, (1.87)
IE I m e sin t I m e e jt
unde:
Im c
este modulul coeficientului de amplificare;
Im e
B - defazajul coeficientului de amplificare a curentului
emitorului în schema cu BC.
e j B . (1.88)
În domeniul frecvenţelor joase coeficientul de transfer după
curent este constant. Cu majorarea frecvenţei, coeficientul
poartă un caracter complex (1.88), micşorându-se cu mărirea
frecvenţei, după o lege complicată. Cu o eroarea admisibilă pentru
calculele tehnice mărimea coeficientului de transfer după curent
poate fi aproximată cu ajutorul relaţiei următoare
0
j
0 f 2
f f .
1 j ; 1
(1.89)
f f
f
B B f arctg - defazajul coeficientului .
f
Identic pentru conectarea tranzistorului EC:
0
j
0 f
2
f ; f . (1. 90)
1 j 1
f f
f
E E f arctg - defazajul coeficientului .
f
În relaţiile (1.89) şi (1.90) utilizăm următoarele notări:
0 , 0 - modulele coeficienţilor de transfer după curent la
frecvenţă joasă pentru schemele de conectare BC şi EC respectiv;
f , f - frecvenţele de tăiere pentru tranzistorul cuplat BC şi EC
respectiv.
56
1.9.3. Frecvenţa de tăiere, CAF, CPhF şi alţi
parametrii ai tranzistorului
58
f
f . (1.92)
1 0
Cauza principală a micşorării bruşte a coeficientului cu
creşterea frecvenţei (cum indică relaţia (1.91)) nu este micşorarea
valorii , ci majorarea valorii defazajului. Pentru schema EC,
f
tg E , (1.93)
f 1 0
în timp ce pentru schema BC
f
tg B .
f
Luând în considerare (1.93) obţinem
1
tg E tg B ;
1 0
tg E tg B
1
E B .
1 0
I B
I B I E E
I E I m e
IC
I B I m b
I E
IC
I I
C mc
B
a) b)
59
Aici I m e , I m c , I m b prezintă amplitudinile curenţilor
alternativi ai emitorului, colectorului şi bazei respectiv. Deoarece
1 , atunci la frecvenţe joase curentul colectorului se
deosebeşte puţin de cel al emitorului şi curenţii tranzistorului pot fi
reprezentaţi sub forma vectorilor care coincid după direcţie I E ,
, I
I C
, cu lungimea I m e , I m c , I m b respectiv. Amplitudinea
B
,
0
0,707 0
f
1
0 f
0,707 0
f
f fT f
61
0
f
f2 ,
1
f2
f2 0 f 0
2
1 f
pentru f f2 f , f f f 0 const fT .
1
f2
Deoarece f const pentru f 3...4 f şi f f f 0 fT ,
atunci frecvenţa de tăiere în schema EC este de 0 ori mai mică
decât valoarea frecvenţei de tăiere a tranzistorului f fT 0 .
Pentru schema BC frecvenţa de tăiere f întotdeauna este
mai mare ca frecvenţa de tăiere a tranzistorului f T :
kf kfT k 1 0 fT
f , (1.94)
1 0 0 1 0 0
pentru 10 f kfT 1,1...2 f T .
La analiza dispozitivelor confecţionate în baza tranzistoarelor
cu ajutorul schemelor echivalente şi utilizarea parametrilor Y este
folosită frecvenţa de tăiere a pantei tranzistorului f S , pentru care
modulul de conductibilitate directă, egal cu
I ies
Y21 ,
U int U ies 0
se micşorează de 2 ori în comparaţie cu valoarea lui la frecvenţă
joasă. Dependenţa modulului conductibilităţii directe Y21 de
frecvenţă este identic cu dependenţa de frecvenţă a mărimilor
şi . Mărimea f S este întotdeauna mai mare ca f .
Tranzistorul poate fi utilizat în calitate de generator sau
amplificator, dacă coeficientul de amplificare după putere K p 1 .
De aceea un parametru important dependent de frecvenţă este
frecvenţa maximă de generare sau frecvenţa maximă de
amplificare după putere, pentru care coeficientul de amplificare
după putere este egal cu unitatea
62
0f
fmax , MHz ,
30rB CC
(1.95)
unde: f este frecvenţa de tăiere a coeficientului de transfer în
schema BC, MHz, rB - rezistenţa de volum a bazei, Ω ; CC -
capacitatea joncţiunii colectorului, pF.
În relaţia (1.95) produsul rezistenţei de volum a bazei la
capacitatea colectorului este numit constantă de timp a circuitului
de reacţie inversă rB CC C . Această constantă caracterizează
reacţia inversă la frecvenţă înaltă şi este un parametru de bază al
tranzistorului. Pentru majorarea frecvenţei de regenerare este
necesar de a mări valoare f şi de a micşora constanta de timp
rB CC .
În aşa mod tranzistorul destinat funcţionării în domeniul
frecvenţelor înalte trebuie să posede grosimea bazei, rezistenţa de
volum a bazei, şi capacitatea colectorului cu valori reduse. Aceste
cerinţe sunt contradictorii – micşorarea grosimii bazei WB
măreşte rezistenţa de volum rB , micşorarea rezistenţei rB
(mărirea concentraţiei în bază ) măreşte capacitatea joncţiunii
colectorului CC şi micşorează valoarea tensiunii U C max . Din
aceste considerente frecvenţele de tăiere pentru tranzistoarele
bipolare fără drift sunt relativ reduse.
N acc N don , cm 3
10 21
E
N don
B
N acc
C
1015
N don
0 1 2 3 , m
JE JC
Fig.1.35. Distribuţia impurităţilor în structura
tranzistorului cu drift
64
Câmpul electric intercalat accelerează electronii injectaţi în
baza tip-p. Rezultă că purtătorii de sarcină obţin adăugător
componenta de drift a vitezei. Viteza totală a electronului se
măreşte, frecvenţa de tăiere a tranzistorului de asemenea se
majorează. Tranzistoarele care posedă un câmp electric intercalat
în regiunea bazei sunt numite tranzistoare cu drift. Ele se folosesc
la frecvenţe înalte.
1.9.5. Schemele echivalente ale tranzistorului
bipolar la frecvenţe înalte
j I E
a) 1 1 b)
CC
I E IC R j I E
rE
E C 1
C E B
rC 0 I E
U E rB U C C U IES
B B 1
0 I E
C
b)
a) R B
CC 1
a a
I E rE IC 0,707
E C
C E B
rC
U E rB U C
66 1
B
Fig.1.37. Schema echivalentă a tranzistorului
la frecvenţă înaltă cu generator 0I E (a) şi
CAF, CPhF pentru coeficientul (b)
În aşa mod aproximarea dependenţei coeficientului de transfer
obţine forma
0 exp jm jm
e
j 0 . (1.99)
1 j 1 j
Pentru tranzistoarele formate prin aliere, m 0,2 ; prin drift,
m 0,8 . În acest caz valoarea curentului generatorului echivalent
va fi
I E 0 exp jm .
Dacă joncţiunea emitorului este polarizată direct, capacitatea
de difuzie a emitorului, de regulă, este mai mare decât capacitatea
sarcinii spaţiale. În astfel de cazuri este în deajuns de a lua în
considerare numai componenta de difuzie pentru schema cu BC:
0,8
CEdif . (1.100)
rE
Pentru schema EC
1
CEdif . (1.101)
TrE
După simplificarea respectivă, schema din fig.1.37 posedă
formă, prezentată în fig.1.38. Prioritatea principală a acestei
scheme constă în faptul că elementele ei posedă un sens fizic bine
determinat şi permit de a efectua legătura între parametrii
tranzistorului cu datele constructive, constante fizice şi procese de
67
bază ce au loc în structura analizată. Din aceste considerente
circuitul poartă denumirea de schemă echivalentă fizică.
Parametrii fizici ai schemei analizate se determină prin
parametrii h, folosind formulele prezentate în tab.1.5.
j 0, 2
I E 0 e
0,8
CE
rE 1
R
CC dif CC dif
I E rE IC
E C
B
CC bar
U E rB U C
g U
g BE . De aceea sursa de curent S 1 de asemenea depinde de
frecvenţă. În schemă uneori se introduce şi capacitatea colector –
emitor CCE , conectată paralel conductibilităţii g CE . Schema
echivalentă din fig.1.39 conţine capacităţile de tranziţie a reacţiei
inverse CC1 şi CC 2 , care sunt determinate de constanta de timp a
68
circuitului colectorului C rB CC . Aceste capacităţi se calculează
conform relaţiilor
CC
C C1 C C 2 C C C C1 .
2...3 ; (1.102)
Tabelul 1.5
Parametrul EC BC
h 21b
h 21e
1 h 21b
rE
h 12 e
h 22e
h11 b
h12b
h 22b
1 h 21b
rC 1 h 21e 1 h12e 1
h 22e h 22b
h12e h12 b
rB h11 e 1 h 21e
h 22e h 22 b
h 21e
h 21b
1 h 22e
rB h 11 eh 22 e
h12 e h12 b
rC 1 h 22 e
69
h 21e h12e
gS ,
h11e rB
unde g S Y21 este panta caracteristicii tranzistorului bipolar.
CC 2 CCB g CB
JC
B B
g CE
I B
JE g S U 1
U 1 C BE g BE
E
CC 2
C C1
I E rB IC
B
B g CB C
g CE
U BE U CE
U 1 g BE C BE
g S U 1
E
1 g S I B
I ~ g S I B Z BE g S I B
jCBE g BE C ;
1 j BE g BE
g BE
gS gS
I g BE g BE
j ~
I C ,
B 1 j BE 1 j
g BE
g BE
unde CBE .
Pentru calculul schemei echivalente în P îndrumarele conţin
următorii parametri: C - constanta de timp a circuitului de reacţie
internă în tranzistor; rB - rezistenţa bazei; CC CC 2 - capacitatea
circuitului de reacţie internă în tranzistor; f T - frecvenţa de tăiere
pentru conectarea EC; CCE - capacitatea de ieşire pentru
conectarea EC; CCB CC1 - capacitatea joncţiunii colectorului.
71
BIBLIOGRAFIE
1. TRANZISTORUL BIPOLAR........................................... 3
1.1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile
tranzistorului bipolar.......................................................... 3
1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului.................... 4
1.3. Regimul de lucru şi proceselefizice în tranzistorul
bipolar................................................................................ 5
1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare.................... 5
1.3.2. Regim de blocaj................................................................ 6
1.3.3. Regim de saturaţie............................................................ 6
1.3.4. Regim activ...................................................................... 6
1.3.5. Regim de inversie............................................................ 11
1.3.6. Coeficientul diferenţial de amplificare după curent ........ 12
1.3.7. Modelul Ebers – Moll........................................................13
1.4. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar.............14
1.4.1. Modalităţile caracteristicilor statice……………………..14
1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj bază comună……………..15
1.4.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun………..….. 18
1.5. Sistemul de parametri diferenţiali ai tranzistorului
bipolar..............................................................................21
1.5.1. Tranzistorul ca cuadripol activ.........................................21
1.5.2. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului .......25
1.5.3. Determinarea parametrilor diferenţiali aitranzistorului
după caracteristicile statice...............................................27
1.6. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecvenţă
joasă .................................................................................30
1.6.1. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea
joncţiunii emitorului..........................................................31
1.6.2. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea joncţiunii
colectorului.........................................................................32
1.6.3. Rezistenţa de volum a bazei ..............................................33
1.6.4. Schema echivalentă pentru cuplaj bază comună................34
73
1.6.5. Schema echivalentă pentru conectarea emitorului
comun.................................................................................36
1.7. Legătura dintre parametrii fizici ai tranzistorului şi
parametrii h ........................................................................39
1.7.1. Rolul parametrilor h în schemaechivalentă şi calculul
lor........................................................................................39
1.7.2. Determinarea parametrilor fizici după parametrii h ..........41
1.8. Dependenţa parametrilor tranzistorului de temperatură....42
1.8.1. Influenţa temperaturii asupra parametrilor
semiconductorilor...............................................................42
1.8.2. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la
variaţia temperaturii............................................................44
1.8.3. Dependenţa caracteristicilor tranzistorului bipolar de
temperatură.........................................................................47
1.8.4. Regimul limită de funcţionare pentru tranzistoarele
bipolare la variaţia temperaturii..........................................50
1.9. Dependenţa parametrilor tranzistorului de frecvenţă.........53
1.9.1. Dispersia purtătorilor de sarcină în bază............................53
1.9.2. Dependenţa coeficientului de transfer după curent de
frecvenţă.............................................................................54
1.9.3. Frecvenţa de tăiere, CAF, CPhF şi alţiparametrii ai
tranzistorului.......................................................................57
1.9.4. Metode de îmbunătăţire a caracteristicilorde frecvenţă.
Tranzistoare bipolare cu drift ............................................64
1.9.5. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la
frecvenţe înalte..................................................................66
Bibliografie........................................................................73
74