7 Tranzistoare Semiconductoare

28.01.2023, 11:38 Incepe cursul - Elearning Bestcor.
ro
  40 MINUTE INSTRUCTOR
BESTCOR
TRANZISTOARE SEMICONDUCTOARE
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare care indeplinesc condiţiile necesare

amplificarii unor semnale. Dupa tipul de purtători ce contribuie la funcţionarea lor ele sunt:
bipolare, purtători de ambele polarităţi, majoritari (electroni) si minoritari (goluri), unipolare,
purtatori de o singură polaritate, electroni sau goluri.
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de

trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiasi cristal semiconductor, regiunea centrala fiind
mult mai ingusta si de tip diferit fata de regiunile laterale. Regiunea centrala este mult mai slab
dotata cu impuritati decât celelalte regiuni si se numeste baza (B). Una dintre regiunile laterale,
puternic dotata cu impuritati, se numeste emitor (E), iar cealalta, mai saraca in impuritati decât
emitorul, se numeste colector (C). Regiunile TB formeaza cele doua jonctiuni ale acestuia. In
figura 1. sunt reprezentate cele doua structuri ale TB si simbolurile acestora.
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 1/24
28.01.2023, 11:38 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
Fig.1 Structura si simbolul TB de tip: a) pnp; b) npn
Tranzistorul transfera curentul din circuitul de intrare de rezistenta mica in circuitul de iesire de
rezistenta mare, de unde si denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER RESISTOR). Cele
doua jonctiuni ale tranzistorului sunt: jonctiunea de emitor sau emitor-baza (EB) pentru TB
pnp, baza-emitor (BE) pentru TB npn, jonctiunea de colector sau colector-baza (CB) pentru TB
pnp, baza-colector (BC) pentru TB npn. TB este un dispozitiv activ care are ca functie de baza
pe cea de amplificare. Proprietatea de amplificare a TB se datoreaza asa-numitului efect de
tranzistor. Pentru TB se pot defini trei curenti si trei tensiuni asa cum sunt prezentate in figura
2.
Fig.2 Marimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn
Tensiunile sunt legate prin relatia: vCB = vCE + vEB, iar curentii prin relatia iE = iC + iB. TB este
asimilat cu un nod in care suma algebrica a curentilor este zero. Ca urmare, numai doua
tensiuni si doi curenti sunt marimi independente. Alegerea marimilor electrice care descriu
comportarea tranzistorului se poate face in moduri diferite. Borna comuna defineste
conexiunea tranzistorului.
1. Principiul de functionare al tranzistorului bipolar.
Formarea curentilor prin tranzistor
La functionarea normala a TB jonctiunea de emitor se polarizeaza direct, iar cea de colector

invers (figura 3).
Fig.3 Formarea curentilor in TB pnp
Presupunem pentru inceput ca este polarizata doar jonctiunea colectorului. Prin aceasta
jonctiune va circula numai curentul invers de purtatori minoritari notat cu ICB0. Regiunea de
trecere a jonctiunii are o largime mare datorita polarizarii inverse, extinzându-se mult in zona
bazei intrucât aceasta este slab dotata cu impuritati. Daca se polarizeaza direct si jonctiunea de
emitor, regiunea de trecere a acesteia se ingusteaza si un numar apreciabil de goluri difuzeaza
din E in B formând curentul ipE. In acelasi timp electronii din baza difuzeaza in emitor,
obtinându-se curentul inBE, care, datorita slabei impurificari a bazei, este mult mai mic ca
valoare decât ipE. Golurile injectate din emitor in baza devin purtatori minoritari in baza, unde o
mica parte dintre ele se recombina cu electronii de aici, generând curentul ipEB de valoare
mica. Cea mai mare parte a lor , datorita grosimii mici a bazei , va fi transportata de câmpul
intern din zona de trecere B-C, câmp de intensitate mare, in colector, formând curentul ipEC,
care este un curent de valoare mare. Trecerea unui curent de valoare mare printr-o jonctiune
(jonctiune de colector) polarizata invers datorita cuplarii electrice cu o jonctiune polarizata
direct (jonctiunea de emitor) poarta denumirea de efect de tranzistor. Având in vedere cele
aratate, rezulta urmatoarele relatii intre curenti prin TB pnp: iE = ipE + inBE, iC = ipEC + ICB0, iB = ipEB
+ inBE – ICB0. Insumând pe iC cu iB si tinând cont ca: ipE = ipEC + ipEB, se obtine: iC + iB = ipEC + ICB0 +
ipEB + inBE – ICB0 = ipE + inBE = iE. Curentul ICB0 este curentul rezidual (de saturatie) caracteristic
jonctiunii colectorului. La aceasta contribuie atât electronii minoritari injectati din colector in
baza, cât si golurile minoritare injectate din baza in colector. Pentru TB npn modul cum se
polarizeaza jonctiunile si iau nastere curentii este explicat in figura 4.
Fig.4 Formarea curentilor in TB npn
2 Conexiuni fundamentale ale tranzistorului bipolar
Asa cum am mai spus TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar având doar trei borne, una
dintre ele va fi comuna circuitelor de intrare si iesire. TB are trei noduri de conectare
fundamentale: conexiunea BC (cu baza comuna) (figura 5.a), conexiunea EC (cu emitorul
comun) (figura 5.b), conexiunea CC (cu colectorul comun) (figura 5.c).
Fig.5 Conexiunile fundamentale ale TB: a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC
3. Tranzistorul bipolar in regim static
Factorul de amplificare in curent in conexiunea EC
Daca se doreste controlul curentului de colector prin curentul de baza trebuie considerata
conexiunea EC. In regim stationar se scrie IE = IC + IB, IC =αF IE + ICB0 si va rezulta:
Notand cu factorul de amplificare in curent
in conexiunea emitor comun (EC), si cu

curentul rezidual de colector in conexiunea emitor comun (EC) (masurat cu baza in gol), vom
avea: Deoarece se poate considera, si
va rezulta: Facand aproximatia ecuatiile
fundamentale vor fi:
In cazul TB se pot realiza urmatoarele regimuri (regiuni) de lucru:
1)regimul normal de lucru (regiunea activa directa) când jonctiunea emitorului este polarizata
direct si cea a colectorului invers;
2)regimul inversat de lucru (regiunea activa inversa) când jonctiunea emitorului este polarizata
invers si cea a colectorului direct, iar E si C isi inverseaza rolurile; acest regim nu este folosit in
mod practic deoarece parametrii atinsi de TB sunt inferiori celor corespunzatori regimului
normal (C este mai slab dopat decât E);
3)regimul de blocare (de taiere) (regiunea de blocare sau taiere) când ambele jonctiuni sunt
polarizat invers; curentul prin TB este practic nul;
4)regimul (regiunea) de saturatie când ambele jonctiuni sunt polarizate direct; poate exista
atât regim de saturatie normal cât si invers; tensiunile pe cele doua jonctiuni sunt mici si nu
pot varia decât foarte putin.
Primele doua regiuni de lucru sunt regiuni active, deoarece TB permite obtinerea unei
amplificari. Ultimele doua regiuni de lucru nu sunt regiuni active deoarece TB nu poate
amplifica. Totusi aceste regiuni permit utilizarea TB ca element de comutatie, deoarece in
aceste cazuri puterea disipata de tranzistor este mica din cauza valorii reduse a curentului (TB –
blocat), respectiv a tensiunii (TB – saturat).
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
In cazul neglijarii rezistentelor domeniilor semiconductoare, tensiunile de polarizare se aplica

direct pe jonctiunile unui tranzistor numai la conexiunea BC. In general, curentii dintr-un
tranzistor real difera de curentii din tranzistorul intern, in primul rând datorita faptului ca
tensiunile care ajung pe jonctiuni difera de tensiunile aplicate intre electrozi. Pentru calcule
practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaza caracteristicile statice ridicate experimental.
Exista trei tipuri de caracteristici in TB: caracteristicile de intrare care coreleaza doua marimi de
intrare, parametru fiind o marime de iesire, caracteristicile de transfer care coreleaza o marime
de iesire cu una de intrare, ca parametru putând fi, in principiu, oricare alta marime,
caracteristicile de iesire care coreleaza doua marimi de iesire, parametru fiind o marime de
intrare.
1)Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare in conexiunea EC. Vom considera cazul
unui TB npn de mica putere. In schema EC, tensiunile au ca nivel de referinta potentialul
emitorului. Ca marimi de intrare avem: VBE = –VEB si IB, iar ca marimi de iesire pe VCE si IC.
a) Caracteristici de intrare. Consideram caracteristica IB = IB(VBE) cu VCE = ct. In figura 6 sunt

reprezentate caracteristicile de intrare tipice pentru un TB cu Si.
Fig.6 Caracteristica statica de intrare
IB=IB(VBE) cu VCE=ct.
Examinând caracteristicile, observam ca daca plecam de la VBE = 0 si marind valoarea acestei

tensiuni, curentul IB este practic nul pâna la o anumita valoare VBED numita tensiune de
deschidere sau de prag. In jurul acestei valori curentul creste exponential cu VBE, dupa care
variatia acestuia poate fi considerata practic liniara. Trebuie remarcat ca TB in montaj EC,
datorita variatiilor mici al lui IB, poseda o rezistenta diferentiala de intrare de valoare mare spre
deosebire de cazul montajului BC pentru care Rin,BC are o valoare foarte mica
b) Caracteristici de transfer. Consideram caracteristica IC = IC(IB) pentru VCE = ct. (figura 7).
Fig.7 Caracteristica de transfer
(conexiune EC) IC=IC(IB) pentru VCE=ct.
c) Caracteristici de iesire. In figura 8 este reprezentata familia caracteristicilor experimentale de

iesire IC = IC(VCE) cu IB = ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.
Fig.8 Caracteristicile de iesire IC = IC(VCE) cu IB = ct.
Caracteristica IB = 0 nu este, de fapt, limita regiunii de taiere. Pentru a bloca tranzistorul este
necesara blocarea jonctiunii emitorului. Functionarea TB in regim de saturatie este intalnita
frecvent in circuitele digitale, deoarece in aceasta regiune se asigura o tensiune de iesire bine
specificata care reprezinta o stare logica. In circuitele analogice se evita in mod uzual regiunea
de saturatie, deoarece factorul de amplificare al TB este foarte mic.
2)Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului. Consideram caracteristica de transfer IC = IC(VBE)

pentru tranzistorul npn cu Ge, respectiv cu Si (figura 9).
Fig.9 Valori tipice ale tensiunilor pe jonctiunile tranzistorului npn
Polarizarea tranzistorului intr-un punct dat de functionare, in regiunea activa normala. Ca si in

cazul tuburilor electronice, circuitele de polarizare au rolul de a plasa functionarea
tranzistorului in PSF ales in cadrul regiunii permise de pe caracteristicile statice ale TB.
Consideram cazul TB in conexiune EC. Punctul static de functionare (PSF) se gaseste la
intersectia unei caracteristici IC = IC(VCE) pentru o anumita valoare IB cu dreapta de sarcina
28.01.2023, 11:38
C) p Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
C( C p
statica. PSF al TB trebuie sa fie situat in regiunea permisa (figura 10), delimitata de urmatoarele
curbe:
Fig.10 Delimitarea zonei permise
Dreapta IC = ICmax pentru a feri TB de distrugerea jonctiunilor; hiperbola de disparitie maxima

corespunzatoare puterii maxime admisibile; dreapta VCE = VCEmax pentru a nu aparea
fenomenul de strapungere a TB; dreapta IC = ICmin pentru mentinerea jonctiunii emitorului
polarizata direct si in prezenta semnalului; ICmin este situata in regiunea activa a
caracteristicilor; dreapta VCE = VCEmin = VC,sat; pentru ca tranzistorul sa nu intre in regim de
saturatie este necesar ca VCE sa fie mai mare decât tensiunea corespunzatoare acestui regim.
Mentinerea unei functionari liniare a TB este legata de fixarea PSF in regiunea liniara a
caracteristicilor statice. PSF se fixeaza pe dreapta de sarcina astfel incât in regim dinamic, in
functie de amplitudinea semnalului care se aplica la intrare, tranzistorul sa nu intre nici in
blocare nici in saturatie (figura 11). Ecuatia dreptei de sarcina statica este: VCC = IC(RC + RE) + VCE.
Fig.11 Stabilirea PSF pentru TB
In practica exista trei tipuri fundamentale de retele care asigura polarizarea TB.
Fig.12 Polarizare TB
Ca metode de insensibilizare a PSF utilizate se pot mentiona: metode bazate pe introducerea

de elemente liniare, metode bazate pe introducerea de elemente neliniare. Cel mai raspândit
procedeu liniar consta in introducerea rezistentei RE. In cazul in care tranzistorul este folosit
pentru variatii mari ale tensiunii si curentului de la iesire, nu se recomanda sa se utilizeze
rezistenta RE, in acest caz stabilizarea facându-se prin polarizarea bazei cu ajutorul unei
rezistente conectate intre colector si baza (figura 13).
Fig.13 Stabilizarea PSF prin intermediul rezistentei RB
Metodele neliniare de insensibilizare a PSF prin utilizarea de elemente neliniare sunt

prezentate in figura 14. Circuitele sunt prevazute cu elemente liniare de insensibilizare, iar
elemente neliniare imbunatatesc performantele acestor circuite la modificarea conditiilor de
functionare.
Fig.14 Stabilizarea PSF cu elemente neliniare: a) cu dioda polarizata direct;
b) cu dioda polarizata invers; c) cu termistor
In figura 14.a rezistenta R2 a divizorului este inseriata cu dioda D polarizata direct. Tendinta de
crestere a curentului de baza si implicit a celui de colector, datorita scaderii tensiunii VBE, este
compensata de scaderea tensiunii de pe dioda. In figura 14.b este prezentata o schema de
compensare cu dioda polarizata invers. Dioda este parcursa de un curent Iinv care are valoarea
aproximativ constanta intr-o gama mare de variatie a tensiunii inverse. Daca se alege dioda
astfel incât sa se asigure Iinv = = ICB0, curentul rezidual ICB0 se inchide prin dioda si nu va mai
influenta polarizarea bazei tranzistorului, deci punctul static de functionare. O compensare mai
generala se poate realiza introducând in divizorul de polarizare un termistor (figura 14.c) cu
coeficient de temperatura negativ. Acesta determina scaderea tensiunii de polarizare aplicate
in circuitul de intrare, deci compenseaza cresterea curentului de colector datorita variatiei
tensiunii VBE in principal. Aceasta solutie se utilizeaza, in special, in etajele amplificatoare de
putere.
Tranzistorul in scheme de comutatie
O alta utilizare a tranzistorului este aceea de comutator. Circuitul folosit este cel prezentat in
figura 15.
Fig.15 Comutator cu tranzistor npn
Tranzistorul comuta curentul prin rezistenta RC. Daca tranzistorul este blocat, nu curge un
curent important, iar daca tranzistorul este deschis atunci prin RC trece curentul de colector.
Tranzistorul ca si comutator, va lucra, de regula, in urmatoarele doua stari: starea de blocare,
când comutatorul este deschis si nu curge curent, starea de saturatie când comutatorul este
inchis si curge curent.
Modele cuadripolare
Tranzistorul bipolar poate fi reprezentat ca un cuadripol (figura 16).
Fig.16 Tranzistorul ca si cuadripol
a) Modelul cuadripolar impedanta (z)
In acest caz, ecuatiile cuadripolare sunt: v1 = z11 i1 + z12 i2, v2 = z21 i1 + z22 i2, unde:
z11 = – impedanta de intrare cu iesirea in gol;
z12 = impedanta de reactie cu intrarea in gol;
z21 = – impedanta de transfer cu iesirea in gol;
z22 = – impedanta de iesire cu intrarea in gol.
Impedantele z11, z22 caracterizeaza proprietatile in regim variabil ale circuitelor de intrare si
iesire considerate separat, iar generatorul de tensiune z12i2, respectiv z21i1 reprezinta
dependenta tensiunii de intrare de curentul de iesire (deci reactia) respectiv a tensiunii de
dependenta tensiunii de intrare de curentul de iesire (deci reactia), respectiv a tensiunii de
iesire de curentul de la intrare (deci transferul de semnal).
Fig.17 Schema echivalenta cuadripolara z
Definitiile de baza ale parametrilor z sunt valabile, in principiu, pentru orice tip de conexiune.
Intrucât insa, de la un anumit tip de conexiune la altul, marimile curentilor si tensiunilor din
expresii se modifica (spre exemplu, la schema BC i1 este curentul de emitor, in timp ce la
schema EC este curentul de baza), rezulta ca, spre deosebire de parametrii naturali, marimile
parametrilor cuadripolari sunt diferite de la o conexiune la alta si trebuie calculate sau
masurate pentru fiecare caz in parte.
b) Modelul cuadripolar admitanta (y)
In acest caz ecuatiile cuadripolare sunt: i1 = y11 v1 + y12 v2, i2 = y21 v1 + y22 v2, unde:
y11 = – admitanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit;
y12 = – admitanta de reactie cu intrarea in scurtcircuit;
y21 = – admitanta de transfer cu iesirea in scurtcircuit;
y22 = – admitanta de iesire cu intrarea in scurtcircuit.
Fig.18 Schema echivalenta cuadripolara y
c) Modelul cuadripolar hibrid (h)
Ecuatiile cuadripolare sunt: v1 = h11 i1 + h12 v2, i2 = h21 i1 + h22 v2.unde:
h11 = – impedanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit;
h12 = – factorul de reactie cu intrarea in gol;
h21 = – factorul de amplificare in curent cu iesirea in scurtcircuit;
h22 = – admitanta de iesire cu intrarea in gol.
Fig.19 Schema echivalenta cu parametri hibrizi
Modelarea cu parametrii hibrizi se aplica tranzistorului in orice conexiune. Setul de parametri h

ales este cel corespunzator conexiunii EC, care sunt relativ frecvent indicati in cataloage.
Cuadripolul care trebuie avut in vedere este cel din figura 20.
Fig.20 Tranzistorul bipolar in conexiune
Ecuatiile cuadripolare sunt: vbe = h11e ib + h12e vce, ic = h21e ib + h22e vce. Se observa ca parametrilor
h li s-a adaugat la indice litera e, care indica conexiunea EC. Factorul de reactie h12e (denumit si
factor de transfer invers de tensiune), care este de ordinul 10–4, este o masura a influentei
tensiunii vce asupra curentului ib,
Fig.21 Circuitul echivalent
4. Tranzistoare cu efect de câmp (tranzistoare unipolare)
Functionarea tranzistoarelor cu efect de câmp (TEC) se bazeaza pe variatia conductantei unui

strat de material semiconductor, numit canal, sub actiunea câmpului electric creat de
tensiunea aplicata unui electrod de comanda numit grila (G) sau poarta. Spre deosebire de
tranzistorul bipolar, curentul prin TEC se datoreaza deplasarii numai a purtatorilor majoritari,
electroni sau goluri, dupa cum canalul este de tip n, respectiv p. De aceea, TEC se numeste si
tranzistor unipolar. Pentru desemnarea tranzistoarelor cu efect de câmp, se utilizeaza adesea
prescurtarea FET (Field Effect Transistor). Exista doua tipuri de TEC:
1. TEC cu jonctiune (sau cu grila jonctiune) – TECJ (JFET);
2. TEC cu grila izolata, sau TEC metal–izolator–semiconductor–TECMIS (MISFET), TEC metal–
oxid–semiconductor–TECMOS (MOSFET).
5. Tranzistorul cu efect de câmp cu jonctiune
Consideram cazul TEC cu canal n. Structura sa este prezentata in sectiunea din figura 22.
Fig.22 TEC cu canal n
Structura prezentata in figura 22 pune in evidenta urmatoarele zone: zonele n+ difuzate in

stratul epitaxial n, una din ele numita sursa, iar cealalta drena, apoi zona p+ centrala numita
grila sau poarta care, impreuna cu substratul p+ delimiteaza canalul n. In tranzistor iau nastere
doua jonctiuni p+n, una intre poarta si canal, iar a doua intre substrat si canal. Jonctiunea
poarta – canal este polarizata invers, iar grosimea regiunii de sarcina spatiala asociata acestei
jonctiuni face ca sectiunea conductiva a canalului (regiunea n neutra) sa fie mai mica decât
distanta dintre cele doua jonctiuni. Aceasta sectiune este controlabila electric prin diferenta de
potential care exista intre poarta si canal. In procesul de conductie electronii sunt emisi de
sursa si colectati de drena. Si substratul p+ poate fi folosit ca grila. Daca se leaga la acelasi
potential cu grila propriu-zisa, cazul cel mai des intâlnit, atunci se obtine un „efect de câmp”
aproximativ simetric fata de axa longitudinala a dispozitivului. Substratul poate fi folosit insa si
ca un al patrulea electrod de comanda, caz in care se obtine tetroda cu efect de câmp. TECJ are
avantaje importante fata de TB, dintre care amintim: dependenta de temperatura a
caracteristicilor mai redusa, deoarece in conductia TECJ nu mai intervin purtatorii minoritari,
rezistenta de intrare (pe electrodul grila) foarte mare, datorita jonctiunii grilei polarizate invers,
lucru care este util in anumite aplicatii, inexistenta tensiunii de decalaj, adica tensiune drena–
sursa nula pentru curent de drena zero, zgomot mai redus.
Ca dezavantaje putem aminti: TEC nu amplifica in curent, iar amplificarea in tensiune este mica
in raport cu a TB. In circuitele electronice cu componente discrete, dar si in anumite circuite
integrate (de exemplu, in anumite amplificatoare operationale), TEC se intâlneste impreuna cu
TB, exploatându-se avantajele ambelor tipuri de tranzistoare. Simbolurile folosite pentru
tranzistoarele cu efect de câmp cu jonctiune sunt reprezentate in figura 23.
Fig.23 Simbolul TECJ: a) cu canal n; b) cu canal p

Se remarca faptul ca si in cazul TECJ sageata desemneaza o jonctiune pn (sensul este de la

semiconductorul p la semiconductorul n). Curentul de grila iG este foarte mic (de ordinul
nanoamperilor) si va fi considerat practic nul.
6. Tranzistorul cu efect de câmp cu grila izolata (tranzistorul MOS)
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic la care conductia curentului electric se produce
la suprafata semiconductorului. Proprietatile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt
controlate de un câmp electric ce ia nastere ca urmare a aplicarii unei tensiuni pe electrodul
poarta.
Fig.24 Tranzistor MOS
Izolatorul folosit este un strat subtire de oxid (SiO2) obtinut prin oxidarea termica a suprafetei
de Si. Poarta este realizata, de regula, din aluminiu, dar poate fi realizata si din alte materiale, ca
de exemplu, Si policristalin puternic dopat. Conductia se realizeaza la suprafata substratului de
Si, intre doua zone de tip opus substratului, cele doua zone numindu-se sursa (S) si drena (D).
In figura 24 substratul se considera de tip p, sursa si drena fiind de tip n+. Pentru a se putea
stabili un curent electric intre sursa si drena, suprafata semiconductorului trebuie inversata ca
tip, adica sa devina de tip n. In acest fel, la suprafata apare un canal de tip n care leaga sursa de
drena. Inversarea tipului de conductivitate a suprafetei, precum si controlul rezistivitatii
canalului se face prin câmpul electric ce ia nastere prin aplicarea tensiunii pe poarta. Când
electrodul poarta este lasat in gol sau i se aplica o tensiune negativa (vGS < 0) in raport cu sursa,
nu exista practic conductie intre sursa si drena, deoarece regiunile sursei si drenei, impreuna
cu regiunea din substratul semiconductor cuprinsa intre aceste regiuni, formeaza doua
jonctiuni pn+ legate in opozitie, astfel ca, indiferent de polaritatea tensiunii aplicate intre sursa
si drena, una din jonctiuni va fi polarizata invers, blocând calea de conductie intre sursa si
drena.
Cand poarta este pozitivata (vGS > 0) fata de sursa si drena in stratul de oxid de sub electrodul
Cand poarta este pozitivata (vGS > 0) fata de sursa si drena, in stratul de oxid de sub electrodul
poarta ia nastere un câmp electric (figura 25) orientat dinspre metal (grila) spre semiconductor
(substrat), câmp care respinge de la interfata golurile, marind concentratia electronilor
minoritari. Peste o anumita valoare VP a tensiunii vGS, numita tensiune de prag, concentratia
electronilor la interfata devine mai mare decât concentratia golurilor, adica s-a inversat tipul de
conductibilitate. Stratul superficial de la interfata, in care, sub actiunea câmpului electric
generat de tensiunea de grila, a fost inversat tipul de conductibilitate a semiconductorului (in
cazul de fata de la plan) se numeste strat de inversie sau canal indus (aici, canal n). Formându-
se stratul de inversie intre D si S, cu acelasi tip de conductibilitate ca si regiunile respective, se
asigura conductia electrica intre drena si sursa.
Fig.25 Tranzistorul MOS cu grila pozitivata in raport cu sursa
Aplicând atunci o tensiune vDS, prin circuitul de drena va trece un curent iD cu sensul
corespunzator polaritatii lui vDS. Daca dupa formarea canalului marim tensiunea vGS,
conductanta canalului va creste, deoarece se mareste intensitatea câmpului electric si un
numar mai mare de electroni se acumuleaza in canal. Prin urmare, conductanta canalului va fi
comandata de catre vGS prin intermediul câmpului electric dintre grila si substrat. Cu alte
cuvinte, curentul iD este controlat de tensiunea vGS când aceasta depaseste valoarea de prag
VP. In jurul sursei, al drenei si al canalului apare o zona de sarcina spatiala.
7 . Tranzistorul unijonctiune
Tranzistorul unijonctiune (TUJ) (dioda cu baza dubla) este un dispozitiv de comutatie de putere
mica, cu structura simplificata reprezentata in figura 26.a.
Fig.26 Tranzistorul unijonctiune: a) structura; b) simbol
O bara de siliciu monocristalin de tip n se contacteaza la cele doua extremitati realizând bazele
B1 si B2. In regiunea centrala se difuzeaza o zona p, care formeaza emitorul E. In felul acesta se
realizeaza central o jonctiune pn. Simbolul si sensurile pozitive pentru curenti si tensiuni sunt
aratate in figura 26.b. Caracteristica de intrare este caracteristica de intrare IE = IE(VE),
prezentata in figura 27. Pentru VBB = 0 (scurtcircuit intre B1 si B2) se obtine o caracteristica de
dioda având o rezistenta serie mare. Rezistentele rB1 si rB2 sunt rezistentele distribuite ale barei
de Si intre cele doua baze si punctul O din figura 26.a).
Fig.27 Caracteristicile IE=IE(VE) ale TUJ
Functionarea TUJ se poate explica pe schema echivalenta de regim static din figura 28.
Fig.28 Schema echivalenta a TUJ in regim static
Punctul O din schema din figura 28, corespunde punctului interior O din figura 26, a, situat
aproximativ in dreptul jonctiunii de emitor. Consideram caracteristica statica din figura 29.
Fig.29 Caracteristica statica a TUJ
Pe caracteristica statica, la polarizarea directa a emitorului in raport cu B1, se disting regiunile:

de blocare (AB), de rezistenta dinamica negativa (BC) si de conductie (CD), specifice
dispozitivelor de comutatie. In functionarea cu emitorul nepolarizat, daca baza B2 are o
polarizare pozitiva in raport cu baza B1 (VBB > 0), prin corpul dispozitivului trece un curent mic
determinat de tensiunea VBB aplicata pe rezistenta interbaza rBB = rB1 + rB2. Presupunem ca se
aplica o tensiune VE<V0, ceea ce determina ca dioda D sa fie polarizata invers, rezultând un
curent IE negativ de valoare foarte mica (regiunea AB’). Daca tensiunea VE > V0, dar insuficienta
pentru deschiderea diodei D, curentul IE este pozitiv dar de valoare foarte mica. In cazul in care
VE=V0+VD, unde VD este tensiunea de deschidere a diodei, dioda D se deschide, fiind traversata
de un curent IE mare, limitat doar de rezistenta circuitului exterior. Curentul de emitor
injecteaza purtatori de sarcina in zona cuprinsa intre punctul O si baza B1, unde are loc un
proces de multiplicare in avalansa, o scadere apreciabila a rezistentei rB1 si a tensiunii V0 care
devin r’B1<<rB1 si V’0<<V0. Ca urmare, potentialul VE = VD + V’0 are o valoare foarte mica, iar TUJ
se comporta intre emitor si baza B1 ca o dioda in conductie (punctul D de pe caracteristica).
Tensiunea de amorsare (punctul B) se determina cu relatia: VB = VD + h VBB.
TUJ-urile se folosesc, in majoritatea aplicatiilor in regim de comutatie, data fiind caracteristica

sa statica tipica dispozitivelor de comutare. Exemple tipice de aplicatii sunt: oscilatoare, relee
etc., cu viteze mari de comutatie. Tranzistorul unijonctiune complementar (TUJC) poate fi privit
drept complementul unui TUJ. Având in comparatie cu acesta, aceeasi comportare pe care o
are tranzistorul npn fata de pnp. Simbolul este prezentat in figura 30.
Fig.30 Simbolul TUJ
Atasamente " 31


7 Tranzistoare Semiconductoare

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

7 Tranzistoare Semiconductoare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

28.01.2023, 11:38 Incepe cursul - Elearning Bestcor.

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare care indeplinesc condiţiile necesare

Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de

Fig.1 Structura si simbolul TB de tip: a) pnp; b) npn

Fig.2 Marimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn

1. Principiul de functionare al tranzistorului bipolar.

Formarea curentilor prin tranzistor

La functionarea normala a TB jonctiunea de emitor se polarizeaza direct, iar cea de colector

Fig.3 Formarea curentilor in TB pnp

Fig.4 Formarea curentilor in TB npn

2 Conexiuni fundamentale ale tranzistorului bipolar

3. Tranzistorul bipolar in regim static

Factorul de amplificare in curent in conexiunea EC

Notand cu factorul de amplificare in curent

in conexiunea emitor comun (EC), si cu

avea: Deoarece se poate considera, si

va rezulta: Facand aproximatia ecuatiile

fundamentale vor fi:

In cazul TB se pot realiza urmatoarele regimuri (regiuni) de lucru:

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

In cazul neglijarii rezistentelor domeniilor semiconductoare, tensiunile de polarizare se aplica

a) Caracteristici de intrare. Consideram caracteristica IB = IB(VBE) cu VCE = ct. In figura 6 sunt

Fig.6 Caracteristica statica de intrare

Examinând caracteristicile, observam ca daca plecam de la VBE = 0 si marind valoarea acestei

Fig.7 Caracteristica de transfer

(conexiune EC) IC=IC(IB) pentru VCE=ct.

c) Caracteristici de iesire. In figura 8 este reprezentata familia caracteristicilor experimentale de

Fig.8 Caracteristicile de iesire IC = IC(VCE) cu IB = ct.

2)Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului. Consideram caracteristica de transfer IC = IC(VBE)

Fig.9 Valori tipice ale tensiunilor pe jonctiunile tranzistorului npn

Polarizarea tranzistorului intr-un punct dat de functionare, in regiunea activa normala. Ca si in

Fig.10 Delimitarea zonei permise

Dreapta IC = ICmax pentru a feri TB de distrugerea jonctiunilor; hiperbola de disparitie maxima

Fig.11 Stabilirea PSF pentru TB

Ca metode de insensibilizare a PSF utilizate se pot mentiona: metode bazate pe introducerea

Fig.13 Stabilizarea PSF prin intermediul rezistentei RB

Metodele neliniare de insensibilizare a PSF prin utilizarea de elemente neliniare sunt

Fig.14 Stabilizarea PSF cu elemente neliniare: a) cu dioda polarizata direct;

b) cu dioda polarizata invers; c) cu termistor

Tranzistorul in scheme de comutatie

Fig.15 Comutator cu tranzistor npn

Tranzistorul bipolar poate fi reprezentat ca un cuadripol (figura 16).

Fig.16 Tranzistorul ca si cuadripol

a) Modelul cuadripolar impedanta (z)

z11 = – impedanta de intrare cu iesirea in gol;

z12 = impedanta de reactie cu intrarea in gol;

z21 = – impedanta de transfer cu iesirea in gol;

z22 = – impedanta de iesire cu intrarea in gol.

Fig.17 Schema echivalenta cuadripolara z

b) Modelul cuadripolar admitanta (y)

y11 = – admitanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit;

y12 = – admitanta de reactie cu intrarea in scurtcircuit;

y21 = – admitanta de transfer cu iesirea in scurtcircuit;

y22 = – admitanta de iesire cu intrarea in scurtcircuit.

Fig.18 Schema echivalenta cuadripolara y

c) Modelul cuadripolar hibrid (h)

Ecuatiile cuadripolare sunt: v1 = h11 i1 + h12 v2, i2 = h21 i1 + h22 v2.unde:

h11 = – impedanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit;

h12 = – factorul de reactie cu intrarea in gol;

h21 = – factorul de amplificare in curent cu iesirea in scurtcircuit;

h22 = – admitanta de iesire cu intrarea in gol.

Fig.19 Schema echivalenta cu parametri hibrizi

Modelarea cu parametrii hibrizi se aplica tranzistorului in orice conexiune. Setul de parametri h