TRANZISTORUL BIPOLAR

Definiţie:
 tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu 3 borne si 2 joncţiuni. Este numit bipolar
deoarece in procesele fizice ce au loc in interiorul lui, un rol important îl joacă atât purtătorii
majoritari, cât si cei minoritari.
 în esenţa [T.B.] este un monocristal semiconductor (Ge,Si) având 2 joncţiuni între straturi n-p-n
sau p-n-p succesive si 3 zone de conductibilitate, având fiecare un contact ohmic si care se
numesc in ordine Emitor, Baza, Colector. În funcţie de rolul lor, joncţiunile se numesc de Emitor
sau de Colector.

Clasificare:
Se face in funcţie de tipul zonelor N sau P care alternează.
Astfel avem:

a. TIP PNP – la care emitorul si colectorul sunt de tip P, iar baza este de tip N.
Se considera ca tranzistorul funcţionează in regim activ-normal, adică joncţiune de emitor este
polarizata direct, iar joncţiunea de colector este polarizata invers.
- reprezentarea structurala (model unidimensional, idealizat).

- reprezentarea simbolica.

UEB>0
UCB<<0

Obs: Săgeata din simbol corespunde joncţiunii E-B; vârful merge întotdeauna de la P la N si
indica sensul pozitiv al curentului principal prin tranzistor(sensul curentului IE ).

b. TIP NPN – la care emitorul si colectorul sunt de tip N.

De asemenea joncţiunea de emitor este polarizata direct, iar cea de colector invers.
- Reprezentare structurala:
 - Reprezentare simbolica:

UEB<0
UCB>>0
Indicative ale Tz
Cuprind 2 – 3 litere si un număr:
 Prima litera : natura materialului ( A= germaniu; B = siliciu ; C = GaAr ; D = antimonoid de indiu)
 A doua litera: semnifica domeniul de amplificare (C = T2 de joasa frecventa, D = T2 de putere de j
F, F = T2 de înalta frecventa , L = Tz de putere de IF , S = T2 de comutaţie , U = T2 de putere de
comutatei.
 Numărul indica tipul tranzistorului

3.2. FUNCTIONARE

a. Condiţii:
1. Gradul de dotare cu impurităţi străine al celor 3 zone este diferit, a.î. cele 2 joncţiuni sa se
influenţeze si sa apară Efectul de TRANZISTOR.
( cel mai puternic dopat este emitorul, apoi colectorul si ultima baza)
2.Baza trebuie sa fie foarte subţire, ea având grosimea mai mica decât lungimea de difuzie a
purtătorilor; daca ar fi mai groasa, cele 2 joncţiuni înseriate ar funcţiona independent.
3.Polarizare:
 PNP-BE se polarizează direct cu tensiune mica (fracţiuni de volt)
-BC se polarizează invers cu tensiune mare (V, zeci V,suteV).
 NPN-EB se polarizează direct cu tensiune mica.
-CB se polarizează invers cu tensiune mare.

Deci, prima joncţiune se polarizează direct cu tensiune mica, iar cea de-a doua invers cu tensiune
mare.

b. Funcţionare la echilibru termic.

Un tranzistor este la echilibrul termic, daca:
 Este la temperatura mediului ambiant.
 Nu este polarizat.
 In aceste cazuri prin joncţiuni nu trece nici un curent (Itot =ID-IC=0)
Fenomenele sunt identice cu cele de la joncţiunea PN la echilibru.
Cele 2 joncţiuni funcţionează independent una de alta. In interiorul bazei se formează o regiune
neutra, fără sarcina spaţiala, deci fără câmp electric.

c. Tranzistorul bipolar polarizat normal

I2>I1 (joncţiunea BC fiind polarizata invers).

Deoarece joncţiunea E-B este polarizata direct, emitorul injectează in baza un număr mare de purtători
majoritari(goluri).-P1M,P2M.
Pentru ca baza este foarte îngusta si dopata sărac in comparaţie cu emitorul, numai un nr mic de goluri
(P2M) se recombina in baza formând curentul direct de recombinare Ir, de valoare foarte mica.
Marea majoritate a golurilor majoritare (P1M) străbat prin difuzie zona neutra a bazei (Wu) si ajung in
regiunea de trecere BC, unde găsesc câmpul accelerator E2 care va favoriza puternic trecerea spre colector
a acestor goluri, astfel fluxul de goluri injectate cuprinde întreg tranzistorul, ducând la apariţia curentului
principal al tranzistorului, (Iw).

Efectul care constă in faptul ca purtători majoritari injectaţi de emitor intr-un circuit cu rezistenta
scăzuta (joncţiunea EB polarizata direct) ajung în cea mai mare parte in circuitul de rezistenţă ridicată
(joncţiunea CB polarizata invers) a colectorului, poarta numele de EFECT DE TRANZISTOR.

Din in emitor sunt injectaţi electronii majoritari, dând naştere unui curent direct de valoare mica I n,
deoarece baza este dotata sărac.(In)
Joncţiunea CB fiind polarizata invers, exista o circulaţie de purtători minoritari (P 3m,Pm) care conduc la
apariţia curentului invers de colector (ICB0) foarte slab.

Schema curenţilor din tranzistor

Emitor :
 Majoritarii din emitor trec prin baza in colector. O parte din ei se recombina in baza. Apar deci
IW curentul principal al I2 ce străbate EB si intra in colector si I r – curent direct(de
recombinare)dat de purtătorii majoritari ce se recombina in baza.
 Minoritarii sunt blocato in emitor.
Baza :
 Majoritarii trec din baza in emitor - Iu
 Minoritarii trec din baza in colector - IcBo (curent invers de colector)
Colector :
 Majoritarii rămân in colector
 Minoritarii trec in baza – IcBo.
 IB = Ir + Iu –ICB0
IC = IW + ICB0
IE = IP + IN dar IP = IW + Ir
IE = I W + I r + I U
Se poate vedea ca
IB + IC = Ir + IU – ICB0 + IW + ICB0 = Ir + IU +IW
Sau IE = IB + IC relaţia fundamentala a funcționare. tranzistorului

3.3 Moduri fundamentale de conectare a tranzistorului

a. Cu baza comuna:

 Mărimile de intrare sunt IE si UEB, iar cele de ieşire sunt IC si UCB.

 Impedanţa de intrare este mica.
U EB
Z INT  RINT   mica
I E mare

 Impedanţa de ieşire este foarte mare

U
Z IES  RIES  CB = mare ceea ce ne permite ca in circuitul de colector sa conectam o RS mare.
IC
 Amplificarea in tensiune este relativ mare
U IES I R R
AU   C S   S 1000
U INT I E RINT RINT
IC
 Amplificarea in curent. AI  1
IE
Realizează insa in primul rând o amplificare in putere.
R
AP  AU  AI  2  S 1
RINT
b. Cu emitorul comun.
 Mărimile de intrare sunt IB si UBE iar cele de ieşire IC si UCE.
  Impedanţa de intrare este relativ mare(300 Ω)

U BE
Z int  Rint   medie 
I Bmic
 Impedanţa de ieşire este mai mica decât in montaj BC

IC
 Amplificarea in curent Ai = f. mare
IB
 Amplificarea in tensiune nu este prea mare
I C  RS R
AU   AI  S
I B  RINT RINT
 Amplificarea in putere este destul de mare
R
AP  AU  AI  B 2  S foarte mare
RINT

c. Cu colectorul comun (repetor pe emitor)

 Mărimile de intrare sunt IB si UBC iar cele de ieşire sunt IC si UCE.

 Rintr este de valoare foarte mare
 Riesire este de valoare mica.
 Amplificarea in curent este buna dar cea in tensiune este mai mica decât unu. Astfel
amplificarea in putere este de ordinul sutelor. Se foloseşte pentru adaptarea intre etaje.

3.4 Caracteristici statice (regimuri de funcţionare)

REGIMUL STATIC – regimul in care mărimile de intrare si de ieşire nu variază in timp, sau sunt
lent variabile.

CARACTERISTICILE STATICE – exprima grafic relaţia de legătura dintre curenţii din tranzistor
si tensiunile aplicate intre terminale, in regim static.
Caracteristicile grafice se reprezintă in familii de curbe, descrise de 3 variabile electrice(curenţi si
tensiuni).
Luam pentru exemplificare un tranzistor in montaj emitor comun, care are ca mărimi de intrare I B si
UBE iar ca mărimi de ieşire IC si UCE.
 Definim in acest caz următoarele familii de caracteristice:

1. Caracteristica de intrare: IB=f(UBE)/UCE=ct

2. Caracteristica de transfer: IC = f(IB)/UCE = ct
3. Caracteristica de ieşire: IC= F(UCE)/IB = ct

1. Caracteristica de intrare IB=(UBE)/UCE=ct

 Deoarece joncţiunea emitorului este polarizat in sens direct, dependenta I B = f(UBE) are aceeaşi
aliura caracteristica: curent tensiune, ca a unei diode semiconductoare.
 Odată cu creşterea tensiunii UCE (spre valori negative mari);IB scade deoarece purtătorii sunt
atraşi in colector un număr tot mai mic recombinându-se in baza.

2. Caracteristica. de transfer: IC=f(IB)/UCE=ct

Este o caracteristica aproape liniara cu excepţia porţiunii regiunii iniţiale.(in regiunea iniţiala
daca IB=0,IC=ICB,curent rezidual)
La creşterea tensiunii UCE, curentul de baza creste.

3. Caracteristica de ieşire : IC=f(UCE)/IB = ct

 IC depinde foarte puţin de UCE IC depinde practic de IB si deci de UBE. Caracteristicile se prezintă
sub forma de drepte echidistante cu o înclinare mica fata de orizontala, care se datorează creşterii lui 
(IC/IE) cu tensiunea UCB. Acesta face ca grosimea zonei neutre a bazei sa se micşoreze cu creşterea lui
UCB(tensiune inversa).

Pe aceasta caracteristica de ieşire se pot studia REGIMURILE DE FUNCTIONARE ALE

TRANZISTORULUI.
Din punct de vedere al modului de polarizare al celor 3 joncţiuni, exista 3 regimuri de funcţionare:
A. Regim activ normal R.A.N.
Tranzistorul are joncţiunea B.E. polarizata direct si joncţiunea B.C. polarizata invers.
Limitele acestui regim sunt determinate de condiţia creşterii uneia din tensiunile de polarizare aşa
cum am văzut si la caracteristica de ieşire curentul de colector IC este controlat practic de circuitul bazei.
B. Regimul de blocare (taiere )- zona 3
La care atât joncţiunea emitorului cat si cea a colectorului sunt polarizate in sens invers curenţii care
circula sunt curenţi reziduali de valoare mica.(minoritari generaţi termic IC=ICB). Se foloseşte in calitate de
întrerupător deschis ce poate fi comandat.
C. Regimul de saturatie (zona 1)
Atât joncţiunea baza emitor cat si cea baza colector sunt polarizate direct. curentul ce trece prin
tranzistor in cazul saturaţie iar valori relativ mari dar mai mici decât in cazul R.A.N. pentru ca prin
joncţiunea emitorului in afara de Iw trece I difuzie dat de golurile din colector, ce se scade din IW.
D. Regimul activ invers (RAI)
In acest caz joncţiunea E-B este polarizata invers iar joncţiunea CB este polarizata direct. In acest
caz Emitorul joaca rolul Colectorului iar Colectorul pe cel al Emitorului. Joncţiunea colectorului fiind
polarizata direct injectează goluri in baza, iar Emitorul a cărei joncţiune este polarizata invers, le
colectează.
Datorita faptului ca in acest regim coeficientul de amplificare in curent este mai mic decât in cazul
RAN, el este folosit destul de rar.
Se utilizează câteodată in regim de comutaţie statica.

3.5 POLARIZAREA TRANZISTORULUI.

Funcţionarea unui tranzistor este posibila numai daca I se asigura o corecta polarizare in c.c.
Pentru aceasta joncţiunea emitorului trebuie polarizata direct, iar joncţiunea colectorului trebuie polarizata
invers.
A SCHEME DE POLARIZARE:

a. polarizarea cu 2 surse (EB , EC).

Schema nu se utilizează in practica fiind in general costisitoare.

Am desenat-o in scop scolastic pentru a vedea polarizările la care ar trebui sa ajungem.

b. Polarizarea cu o sursa EC (curent de baza constant)

Intre polul negativ al sursei de polarizare si baza tranzistorului s-a introdus o rezistenta RB.
Se formează astfel un circuit închis -EC, RB, jonct E-B, RE ,masa, +EC.
In acest circuit apare un curent ce străbate joncţiunea B-E creând la borne o tensiune cu – pe baza si + pe
emitor.
Calculul RB se poate face aplicând teorema a II- a lui Kirchhoff in ochiul de circuit deschis.
EC  U BE  R E I E
EC=RbIb+UBE+REIE  RB= IB

c. polarizarea de tip H (polarizare cu divizor de tensiune)

Polarizarea este asigurata prin folosirea divizorului rezistiv R b1,Rb2 din care se leagă la un pol iar
cealaltă la celalalt pol al bateriei.

Valoarea Rb1 si Rb2 se calculează tot cu th a II-a lui Kirchhoff.

U BE  R E I E
Rb2= ID / UBE =Rb1Id-IeRe
EC  U BE  R E I E
Rb1= IBID /EC=Rb1(IB+ID)=UBE+REIE

B ROLUL ELEMENTELOR DIN SCHEME:

a. Rezistenta de colector :
Aşa cum vom vedea la funcţionarea in regim dinamic, la aplicarea unui semnal alternativ de
intrare(pe baza) se obţine in circuit un c.a. de ieşire ce variază in faza cu semnalul de intrare, dar are o
amplitudine mult mai mare. Pentru a transmite aceste variaţii unui alt circuit sub forma unei tensiuni, este
necesara o rezistenta care străbătuta de acest curent sa ofere la borne o tensiune proporţionala.
In acest scop se introduce in circuitul de colector, rezistenta de colector(de sarcina). Se calculează
cu Th a II- a lui Kirchhoff:

EC = RCIC + UCM
E C  U CM
R C= IC
 b. Rezistenta de emitor :
La variaţiile temperaturii mediului ambiant se înregistrează variaţia curentului I CBO dat de
minoritari datorita lui, curentul de colector creste puţin depăşind valoarea maxima permisa, având drept
consecinţa distrugerea tranzistorului.
Pentru a evita aceasta situaţie se pot folosi mai multe metode de compensare termica(cu un tranzistor,
cu o dioda) dar cea mai folosita este cea a rezistentei introdusa intre emitor si masa.(vezi fig.anterioare)
La creşterea temperaturii creste ICBO si deci si IC căci:

IC=IW+ICBO; implicit creste si IE căci IE=IB+IC

Prin creşterea lui IE creste căderea de tensiune ce se obţine pe R E. deci si potenţialul emitorului fata
de masa:
UEM=REI
Dar, potenţialul bazei fata de masa nu a fost influenţat de temperatura, el rămânând constant
valoarea lui este:

UBM = UBE+UEM = ct
Suma celor doi termeni fiind constanta, creşterea unui termen antrenează scăderea celuilalt.
Deci UBE scade, scăzând si IB si IE deci si IC( UBE = tensiunea de polarizare directa a tranzistorului).
Scăderea lui IC duce la compensarea creşterii iniţiale.

c. Condensatorul de decuplare a emitorului.

La aplicarea unui semnal alternativ de intrare (intre B si E),aceasta este introdusa in circuitul
joncţiunii BE. Curentul alternativ rezultat va da căderi de tensiune, producând deci o pierdere de semnal
util la bornele rezistentei de emitor.
Pentru a evita acest consum inutil de semnal alternativ, la bornele rezistentei de emitor se
montează condensatorul CE. valoarea lui este astfel aleasa încât reactanţa sa capacitiva la frecventele cele
mai joase ale semnalului sa fie mult mai mica decât rezistenta de emitor.
1
XCE= 2fc  RE

Si cu cat creste frecventa cu atât reactanţa creste si mai mult.

Deci, pentru un semnal alternativ( cu f. Mai mic decât cel continuu) R E este semicircuitată de XCE ,
emitorul putând fi considerat legat direct la masa.

3.6 FUNCTIONARE IN REGIM DINAMIC

La funcţionarea in regim dinamic, curenţii si tensiunile pe electrozii tranzistorului sunt variabile in
timp vom considera in cele ce urmează frecventa semnalului alternativ de intrare destul de joasa, deoarece
la frecventele înalte intervin capacităţile interne, inerţii de deplasare a purtătorilor in interiorul
tranzistorului, iar sul de intrare nu va mai fi reprodus identic de cel de ieşire.
Vom analiza funcţionarea tranzistorului in montajul cu EC (cel mai frecvent utilizat in practica)din
figura :
 Reprezinta cel mai simplu etaj de amplificare de joasa frecventa echipat cu un T2 cu EC.
Semnalul de intrare se afla intre punctele 1 si 2 in serie cu sursa de polarizare E1.
Semnalul amplificat este luat de pe rezistenta de sarcina RS.

Cb1 si Cb2 au capacităţi mari si se afla legate in paralel pe sursele de c.c., având rolul de a împiedica
1
trecerea componentei alternative prin surse.(XC = 2fc deci la frecvente mari sul. trece prin conductor
nu prin sursa).
Pentru a explica mai bine funcţionarea tranzistorului vom reprezenta caracteristica de ieşire a
acestuia(întâi cea statica).

Din figura se vede ca tensiunea E2 se distribuie pe porţiunea dintre colector-emitor si pe rezistenta

de sarcina, putând scrie :
E 2= UCE+URS = UCE + ICRS  UCE = E2 - ICRS
Din ecuatia dreptei de sarcina, determinam coordonatele următoarelor puncte:
EC
Pct A UCE=0  IC= R
C

Pct B IC=0  EC  U CE pe care le reprezentam obţinând dreapta de sarcina.

IN REGIM DINAMIC, dacă peste tensiunea de polarizare a bazei E1 se suprapune o componenta de

tensiune alternativa U3,curentul de baza IB va varia luând valori intre IB2 si IB4.
- Caracteristica dinamica a tranzistorului este locul geometric al P.S.F. in planul caracteristicii de ieşire
atunci când la intrare se aplica semnal alternativ.
Aceasta variaţie a lui IB determina in circuitul de colector variaţia lui I C I C si a tensiunii colector-emitor
 UCE
Deci, daca in circuitul de intrare (circuitul bazei)se aplica un semnal de c.a., in circuitul de ieșire
(colector) se obţine un semnal de aceeiasi faza dar amplificat si in antifaza cu semnalul de intrare.