Tranzistorul bipolar

Regimurile de funcţionare ale

tranzistorului
Joncţiunea emitor-bază Joncţiunea emitor-
polarizată direct bază polarizată invers
Joncţiunea colector- Regiunea de saturaţie Regiunea activă
bază polarizată direct inversă
Joncţiunea colector- Regiunea activă normală Regiunea de blocare
bază polarizată invers

IC[mA] IB[μA]
UCE=-0,1
8 200 UCE=0 UCE=-0,2
IB=30μA
6 IB=20μA

4 IB=10μA 100

IB=0μA
2
UCE[V] UBE[V]
10 20 30 0,1 0,2 0,3

Figura 4.13. Figura 4.14.

Tranzistorul bipolar

cuadripol = 2 teminale pt intrari + 2 pt iesiri

Tranzistor – 3 terminale : B, E, C

baza comuna emitor comun colector comun

Tranzistorul bipolar

Tranzistor saturat

Tranzistor blocat
 Tranzistorul bipolar –
blocarea tranzistorului
conexiunea cu emitorul comun
Starea blocată - valorile curenţilor de emitor şi colector să fie nule.
În realitate există curenţi reziduali, cel mai important este IC0 (care nu
are valori prea mari).
IE + IB+IC =0 I = I +I
E B C
IE = 0 IC=IC0
IB= - IC0 IB= - IC0

Din această cauză blocarea tranzistorului nu se asigură simplu prin

întreruperea circuitului bazei (IB = 0), ci prin asigurarea unei polarizări
a bazei care să genereze un curent de bază invers IBC0 = IC0

Cele 2 joncţiuni (bază-emtor şi bază-collector) sunt polarizate invers.

- se caracterizează prin relaţiile UBE ≤0, şi UBC = UBE – UCE  0.
 Tranzistorul bipolar –
saturarea tranzistorului
Starea de saturare - implică polarizarea directă a ambelor joncţiuni.
Relaţiile ce caracterizează funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de
saturaţie:
UBE > UCE

IC < ß·IB
Prima relaţie rezultă din existenţa unei polarizări directe şi a joncţiunii
colector-bază (UBC = UBE – UCE  0). Valori tipice pentru tensiunile baza-
emitor şi colector-emitor la saturaţie pentru tranzistoare cu siliciu: UCEs≈
0,2V şi UBEs ≈0,7V
A doua relaţie se datorează limitării creşterii curentului de colector la o
valoare ce nu depinde de curentul de bază, ci doar de tensiunea de
alimentare a circuitului, EC şi rezistenţa echivalentă de colector
(ICs≈EC/RC), relaţia IC = ß·IB fiind valabilă doar pentru regiunea activă
normală.
Regim dinamic
Ui
U1
0.9·U t
U
0.1·U
U2

IC ICS
0.9·ICS

t
0.1·ICS

ti tr ts tf
tcd tci

UCE EC
0.9·EC
t
0.1·EC

IB
U1
RB t

U2 IC0
RB
Figura 4.16.
 Accelerarea comutării

• supraacţionarea la deblocare pentru micşorarea

timpului de comutare directă
• supraacţionarea la blocare pentru reducerea
timpului de comutare inversă
• evitarea intrării în saturaţie pentru anularea
timpului de stocare.
 Accelerarea comutării
+EC

C RC

IB Rg RB
ICS ui Ui T

βN0 U1
Nd·ICS Nb·IC0
βN0 IC0 t ti t

U2

UCE IB
IBd0
UCES EC IBd t
t IC0
tcd tci IBi
Figura 4.17
Accelerarea comutării
+EC
UB-UC=UD2-UD1=0.7V-0.3V=0.4V
RC
D2
Rg
Ui T
D1
RB . +EC

-EB
RC
+EC
RB
Ui T2
RC T1
DS
R2
R1
Ui T
 Tranzistoare cu efect de camp

Gate
Source Drain
SIO2
n n
p
Substrate
Tranzistoare cu efect de camp
 MOSFET-simboluri

MOS cu canal indus Canal N canal P General

+VD -VD VD

+VG -VG VG

VS(GND) VS(GND) VS(GND)

MOS cu canal initial

+VD -VD VD

+VG -VG VG

VS(GND) VS(GND) VS(GND)

Inversor MOS

VD VD

D D
G T1 O G T1
S S
Ue Ue
D D
G T2 G T2
VG VG
S S
 Inversor MOS

VD Ui
VD
T1 U
Vr
I1 ti t
RS
Ue VD
T2 0.9·VD
I2 Ue t
Cp 0.1·VD
Ui tc tr
Figura 4.31.
Figura 4.30.
Circuit inversor
cu tranzistor bipolar

E C - U CEs
RC = +EC
ICso
UBEb ≤ 0V şi IB = IC0 RC
C
IR + IC0 = IRB Ue
R IR IC0
Ui T
U BEb U BEb + E B IRB IBd
− + I C0 =
R RB RB
E
RB 
B -EB
I C0 Figura 4.32.
Circuit inversor

IR - IRB = IBd

+EC
IBd ≥ IBs = ICs/ßN0

C RC
E C - U BEs
R Ue
EC U BEs + E B R IR IC0
+ Ui T
 N0 R C RB IRB IBd
RB

-EB
Figura 4.32.
 Circuitul inversor

Parametrii dinamici
– la deblocarea tranzistorului: tr=f(IBd)
– la blocare : tc=f(IBi) , ts=f(IBi)
- Tranzistorul se debloceaza in intervalul Δt egal cu tr
- Blocarea tranzistorului in Δt egal cu tc+ts

deblocare :
Ic=IBd0-IBd
duc E C
 duc EC
I = C = C N d I Cs I Cs =
dt t c
dt t db I Bd0 = = Nd N d I Bd
N 0 N 0
- IBd curentul direct in baza corespunzator intrarii in saturatie
- IBd0 curentul de supraactionare la deblocare:
 Circuit inversor

• - Rezulta o prima valoare pentru capacitatea C:

( I Bd0 - I Bd ) t db
C1 =
EC
In mod similar se va calcula C2 , valoarea capacitatii C calculata
pentru a indeplinii parametrii dinamici la blocare.
Valoarea finala pentru C
C = max (C1 , C2 )