Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
E B C E B C
NPN PNP
Figura 5.36 Structura tranzistoarele bipolare cu diode
O joncţiune (BE sau BC) este întreruptă dacă multimetru în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă foarte mare (sau infinită).
O joncţiune (BE sau BC) este străpunsă dacă multimetru în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă mică.
O joncţiune (BE sau BC) este scurtcircuitată dacă multimetru în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă foarte mică (sau infinită).
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Ub
+
4.938 V Tensiunea în bază UB = 3,52 V
-
+
BC546BP
-
3.527 V
Tensiunea în colector UC = 4,93 V
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Dacă s-a întrerup joncţiunea BE,
Emitorul sau Baza, tranzistorul se
Uce
Q1 blochează, iar tensiunile sunt:
+
9.999 V
Ub -
+
V
BC546BP Tensiunea în bază UB = 3,58 V
3.588
-
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Dacă s-a întrerup joncţiunea BC, sau
Colectorul, tranzistorul se blochează,
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω Tensiunea în colector UC = 9,99 V
VCC
10V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea BC,
tranzistorul se comportă ca o diodă
polarizată direct prin care circulă curent,
Q1 Uce
+
iar tensiunile sunt:
3.991 V
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în bază UB = 3,99 V
3.991 V
-
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea
CE, tranzistorul se comportă ca un
conductor prin care circulă curent, iar
Uce
Q1 tensiunile sunt:
+
3.590 V
Ub
+
-
Tensiunea în bază UB = 3,58 V
BC546BP
3.588 V
-
Rb1 Rc
Acest defect duce la dispariţia
10kΩ 1kΩ
tensiunilor din baza şi emitorul
tranzistorului, iar tranzistorul se
Q1 Uc BLOCHEAZĂ
+
9.999 V
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în bază UB 0 V
2.542n V
-
Ue
Ub -
3.799 V Tensiunea în bază UB = 4,49 V
+
BC546BP
4.495 V
-
Ue
Tensiunea în emitor UE = 3,79 V
Rb2 Re +
3.780 V
5.6kΩ 560Ω -
Tensiunea în colector UC = 3,78 V
Rb2 Re +
3.161 V
5.6kΩ 560Ω -
Rb2 Re +
0.390 V
5.6kΩ 560Ω -
Uc
care determină deteriorarea
Q1
+
V
acestei joncţiuni.
9.198
Ub -
+
BC546BP
Tranzistorul se BLOCHEAZĂ.
10.000 V
-
Ue
Tensiunea în bază UB = 10 V
Rb2 Re +
V
Tensiunea în emitor UE = 9,1 V
9.190
5.6kΩ 560Ω -
Tensiunea în colector UC = 9,1
VCC
10V
Acest defect duce la dispariţia
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ curentului şi tensiunii în baza
tranzistorului, iar tranzistorul se
BLOCHEAZĂ
Q1 Uc
+ Tensiunea în bază UB = 0 V
9.999 V
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în emitor UE 0 V
0.000 V
-
Ue
Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb2 Re +
6.310n V
5.6kΩ 560Ω -
VCC
10V
Ub -
spre zona de blocare)
+
BC546BP
3.531 V Tensiunea în bază UB = 3,53 V
-
Ue
Tensiunea în emitor UE = 2,84 V
Rb2 Re +
5.6kΩ 560Ω -
2.849 V
Tensiunea în colector UC = 10 V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Acest defect duce la funcţionarea
tranzistorului în zona de
SATURAŢIE.
Q1 Uc
+
0.025 V Tensiunea în bază UB = 0,7 V
-
Ub
+
BC546BP
0.730 V Tensiunea în emitor UE = 0 V
-
Ue
Tensiunea în colector UC = 25 mV
Rb2 Re +
0.000 V
5.6kΩ 560Ω -