Sunteți pe pagina 1din 7

5.4.

DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE


Funcţionarea anormală a unui circuit cu tranzistoare bipolare, se datorează unui
defect intern al unui tranzistor, sau defectării unui rezistor din circuitele de polarizare
a tranzistoarelor. La tranzistor, un defect intern apare în cazul întreruperii unei
joncţiuni sau străpungerii unei joncţiuni a tranzistorului (rezistenţa electrică a
joncţiunii scade foarte mult). În cazul rezistoarelor pot apare întreruperi ale acestora.
În majoritatea cazurilor aceste defecte aduc tranzistorul în regimul de blocare sau de
saturaţie. Pentru depanarea defectului se măsoară tensiunile şi curenţii din circuit şi
în funcţie de valorile acestora se poate localiza defectul respectiv.

5.4.1 DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTORULUI


Cea mai rapidă metodă de a afla dacă joncţiunile unui tranzistor sunt întrerupte sau
străpunse este măsurarea rezistenţelor joncţiunilor cu un multimetru digital.
Pentru aceasta vom considera structura tranzistorului bipolar ca un ansamblu de
două diode conectate ca în figura 5.36

E B C E B C
NPN PNP
Figura 5.36 Structura tranzistoarele bipolare cu diode
O joncţiune (BE sau BC) este întreruptă dacă multimetru în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă foarte mare (sau infinită).
O joncţiune (BE sau BC) este străpunsă dacă multimetru în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă mică.
O joncţiune (BE sau BC) este scurtcircuitată dacă multimetru în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă foarte mică (sau infinită).

Joncţiunea bază-emitor întreruptă.


În ambele sensuri de măsurare
multimetru digital indică valoarea 1

Figura 5.37 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(joncţiune întreruptă)

Joncţiunea bază-emitor scurtcircuitată.

În ambele sensuri de măsurare

multimetru digital indică valoarea 0

Figura 5.38 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(joncţiune scurtcircuitată)


Altă metodă de verificare a stării joncţiunilor unui tranzistor este măsurarea valorilor
tensiunilor din baza şi colectorul unui tranzistor în circuit.
VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ

Pentru montajul din figura 5.39 la


funcţionarea în condiţii normale:
Q1 Uce

Ub
+
4.938 V Tensiunea în bază UB = 3,52 V
-
+
BC546BP
-
3.527 V
Tensiunea în colector UC = 4,93 V
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω

Figura 5.39 Tranzistor polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale


tensiunilor
VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Dacă s-a întrerup joncţiunea BE,
Emitorul sau Baza, tranzistorul se
Uce
Q1 blochează, iar tensiunile sunt:
+
9.999 V
Ub -
+
V
BC546BP Tensiunea în bază UB = 3,58 V
3.588
-

Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω Tensiunea în colector UC = 9,99 V

Figura 5.40 Circuit cu tranzistor bipolar defect (întreruperea joncţiunii BE)


VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Dacă s-a întrerup joncţiunea BC, sau
Colectorul, tranzistorul se blochează,

Q1 Uce iar tensiunile sunt:


+
9.999 V
Ub - Tensiunea în bază UB = 1,09 V
+
BC546BP
1.091 V
-

Rb2 Re Tensiunea în colector UC = 9,99 V


5.6kΩ 560Ω

Figura 5.41 Circuit cu tranzistor bipolar defect (întreruperea joncţiunii BC)


VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ

Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea


Uce BE, tranzistorul se blochează, iar
Q1
+
9.999 V
tensiunile sunt:
Ub -
+
BC546BP
0.484 V Tensiunea în bază UB = 0,48 V
-

Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω Tensiunea în colector UC = 9,99 V

Figura 5.42 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea joncţiunii BE)

VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea BC,
tranzistorul se comportă ca o diodă
polarizată direct prin care circulă curent,
Q1 Uce
+
iar tensiunile sunt:
3.991 V
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în bază UB = 3,99 V
3.991 V
-

Rb2 Re Tensiunea în colector UC = 3,99 V


5.6kΩ 560Ω

Figura 5.43 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea joncţiunii BC)


VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea
CE, tranzistorul se comportă ca un
conductor prin care circulă curent, iar
Uce
Q1 tensiunile sunt:
+
3.590 V
Ub
+
-
Tensiunea în bază UB = 3,58 V
BC546BP
3.588 V
-

Rb2 Re Tensiunea în colector UC = 3,59 V


5.6kΩ 560Ω

Figura 5.44 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea joncţiunii CE)


5.4.2 DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE
VCC
10V Pentru montajul din figura 5.45,
Rb1 Rc la funcţionarea în condiţii
10kΩ 1kΩ
normale, valorile tensiunilor la
terminalele tranzistorului bipolar
Q1 Uc sunt:
+
4.938 V
Ub
Tensiunea în bază UB = 3,52 V
-
+
BC546BP
3.527 V
-

Tensiunea în colector UC = 4,93 V


Rb2 Re + Ue
2.844 V
5.6kΩ 560Ω -
Tensiunea în emitor UE = 2,84 V

Figura 5.45 TB polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale tensiunilor

DEFECT 1. REZISTORUL Rb1 ÎNTRERUPT


VCC
10V

Rb1 Rc
Acest defect duce la dispariţia
10kΩ 1kΩ
tensiunilor din baza şi emitorul
tranzistorului, iar tranzistorul se
Q1 Uc BLOCHEAZĂ
+
9.999 V
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în bază UB  0 V
2.542n V
-
Ue

Rb2 Re + Tensiunea în emitor UE  0 V


6.310n V
5.6kΩ 560Ω -

Tensiunea în colector UC = 9,99 V

Figura 5.46 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (întrerupere circuit Rb1)

DEFECT 2. REZISTORUL Rb2 ÎNTRERUPT


VCC
10V

Rb1 Rc Acest defect duce la creşterea


10kΩ 1kΩ
tensiunii şi curentului din bază, iar
tranzistorul intră în SATURAŢIE
Q1 Uc
+

Ub -
3.799 V Tensiunea în bază UB = 4,49 V
+
BC546BP
4.495 V
-
Ue
Tensiunea în emitor UE = 3,79 V
Rb2 Re +
3.780 V
5.6kΩ 560Ω -
Tensiunea în colector UC = 3,78 V

Figura 5.47 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (întrerupere circuit Rb2)


DEFECT 3. REZISTORUL RE ÎNTRERUPT
VCC
10V
Acest defect duce la dispariţia
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ curenţilor prin tranzistor, iar
tranzistorul se BLOCHEAZĂ

Tensiunea în bază UB = 3,58 V


Q1 Uc
+
9.999 V Tensiunea în emitor UE = 3,16 V
Ub -
+
BC546BP
3.588 V Tensiunea în colector UC = 9,99 V
-
Ue

Rb2 Re +
3.161 V
5.6kΩ 560Ω -

Figura 5.48 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (întrerupere circuit Re)

DEFECT 4. REZISTORUL RC ÎNTRERUPT


Acest defect duce la dispariţia
VCC
10V curentului prin colector. Valorile
Rb1 Rc tensiunilor din colector şi emitor ne
10kΩ 1kΩ
determină să presupunem că
tranzistorul este saturat dar în
Uc realitate tranzistorul nu conduce.
Q1
+
0.386 V
Tensiunea în bază UB = 1,09 V
Ub -
+
BC546BP
Tensiunea în emitor UE = 390 mV
1.091 V
- Tensiunea în colector UC = 386 mV
Ue

Rb2 Re +
0.390 V
5.6kΩ 560Ω -

Figura 5.49 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (întrerupere circuit Rc)


DEFECT 5. REZISTORUL Rb1 SCURTCIRCUITAT
VCC
10V
Tensiunea bază-emitor este
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ egală cu tensiunea de
alimentare a tranzistorului fapt

Uc
care determină deteriorarea
Q1
+
V
acestei joncţiuni.
9.198
Ub -
+
BC546BP
Tranzistorul se BLOCHEAZĂ.
10.000 V
-
Ue
Tensiunea în bază UB = 10 V
Rb2 Re +
V
Tensiunea în emitor UE = 9,1 V
9.190
5.6kΩ 560Ω -
Tensiunea în colector UC = 9,1

Figura 5.50 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rb1)

DEFECT 6. REZISTORUL Rb2 SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Acest defect duce la dispariţia
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ curentului şi tensiunii în baza
tranzistorului, iar tranzistorul se
BLOCHEAZĂ
Q1 Uc
+ Tensiunea în bază UB = 0 V
9.999 V
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în emitor UE  0 V
0.000 V
-
Ue
Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb2 Re +
6.310n V
5.6kΩ 560Ω -

Figura 5.51 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rb2)


DEFECT 7. REZISTORUL RC SCURTCIRCUITAT

VCC
10V

Rb1 Rc Acest defect duce la creşterea


10kΩ 1kΩ
tensiunii pe joncţiunea colector-
emitor a tranzistorului.
Funcţionarea tranzistorului nu este
Q1 Uc
+ stabilă (PSF-ul se deplasează
10.000 V

Ub -
spre zona de blocare)
+
BC546BP
3.531 V Tensiunea în bază UB = 3,53 V
-
Ue
Tensiunea în emitor UE = 2,84 V
Rb2 Re +

5.6kΩ 560Ω -
2.849 V
Tensiunea în colector UC = 10 V

Figura 5.52 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rc)

DEFECT 8. REZISTORUL RE SCURTCIRCUITAT


VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Acest defect duce la funcţionarea
tranzistorului în zona de
SATURAŢIE.
Q1 Uc
+
0.025 V Tensiunea în bază UB = 0,7 V
-
Ub
+
BC546BP
0.730 V Tensiunea în emitor UE = 0 V
-
Ue

Tensiunea în colector UC = 25 mV
Rb2 Re +
0.000 V
5.6kΩ 560Ω -

Figura 5.53 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Re)

S-ar putea să vă placă și