TRANZISTORUL DE PUTERE

1
 Structuri verticale ale tranzistorilor de putere

Fig.1 Secţune verticală printr-un BJT npn de putere. Simbolul pentru tranzistor. 2
Fig.2 Secţiune verticală printr-un tranzistor npn cu emitor multiplu
3
Fig.3 Tranzistori de putere în configuraţie Darlington pentru a obţine un factor de amplificare în
curent efectiv mai mare . Diodele discrete sunt adăugate pentru a ajuta dezamorsarea (D 1) şi pentru
aplicaţii în punte completă (D2).

  M D  M  D 1
4
Fig.4 Secţiune verticală printr-o pereche de tranzistori bipolari conectaţi Darlington monolitic.
Perturbaţia de dioxid de siliciu prin stratul p superior (regiunea bazei ambilor tranzistori)
izolează electric cele două baze, una faţă de alta.

5
 Cracteristici I –V

Fig.5 Caracteristici curent – tensiune ale unui BJT npn de putere prezentând a doua strapungere
şi cvasi-saturaţie. 6
 Principiile fizice ale funcţionării BJT
Mecanismul fundamental de amplificare şi
beta

I C  I nc 2
I B   I C  I E   I nc  I ne  I pe 3
I B 1 I ne  I nc I pe
   4
IC  I nc I nc
Fig.6 (a) Model simplificat al BJT-ului. (b) Distribuţia sarcinii
stocate care există în BJT polarizat în regiunea activă normală.
Componentele curentului intern care circulă în regiunea activă
sunt prezentate în model. 7
Fig.7 Variaţia amplificării în current  şi a lui VCE(sat) a BJT în funcţie de curentul de
colector ce arată scăderea lui beta şi creşterea lui VCE(sat) la curenţi mari de colector.

8
9
Fig.8(a) Reprezentarea unei aglomerări a curentului de emitor la polarizarea directă şi (b)
polarizarea inversă (fenomene tranzitorii la dezamorsare) provocate de tensiunea laterală
indusă de curenţii de bază mari. 10
 Cvasi-saturaţie

vCE
iC  5 
Rd

Fig.9 Distribuţia sarcinii stocate

în regiunea de deplasare a
bazei şi a colectorului ale unui
BJT de putere: (a) secţiune
transversală prin tranzistorul
de putere; (b) activ; (c) cvasi-
saturat; (d) puternic saturat (Q1
este mărimea sarcinii stocate
care îl aduce pe BJT la limita
saturaţiei puternice şi Q2 duce
şi mai tare tranzistorul în
saturaţie puternică) 11
 Caracteristici de comutaţie
Amorsarea BJT

Fig. 10 Circuit de comutaţie cu BJT cu sarcină inductivă cu o diodă de limitare liberă. Constanta de
timp L/R a sarcinii inductive este mai mare comparativ cu frecvenţa de comutaţie astfel că ea
aproximează o sursă de curent constant I0 . Se remarcă că BJT de putere este un dispozitiv cu
patru terminale ce are două terminale de emitor, unul pentru curenţii de colector mari şi altul
pentru curentul de bază. 12
Fig.11 Creşterea distribuţiei de sarcină stocată într-un BJT de putere pe durata
fenomenelor tranzitorii la amorsare.
13
Fig.12 Formele de undă ale curentului şi tensiunii unui BJT de putere la amorsarea
tranzistorului în circuitul cu sarcină inductivă cu limitare din fig.10. 14
 Dezamorsarea tranzistorului

Fig.13 Formele de undă ale curentului şi tensiunii unui BJT de putere la amorsarea
tranzistorului într-un circuit cu sarcină inductivă cu limitare. 15
Fig.14 Formele de undă ale curentului şi tensiunii ale unui BJT de putere la amorsarea
tranzistorului în circuitul cu sarcină inductivă cu limitare din fig.10 cu un curent de bază
invers sub forma unei funcţii treaptă mari. Se remarcă „coada” lungă a curentului ce
conduce la o disipare excesivă de putere. 16
Fig.15 Scăderea distribuţiilor de sarcină stocată într-un BJT de putere pe durata regimului
tranzitoriu de amorsare pentru un curent de bază invers IB(off) funcţie treaptă abruptă
17
Comutaţia Darlington-urilor monolitice

Fig.16 Formele de undă

ale curentului şi tensiunii
unui Darlington de
putere la dezamorsare în
circuitul cu sarcină
inductivă cu limitare din
fig.10.

18
 Tensiuni de străpungere

BVCB 0
BVCEo  6 
 1/ n

19
 Străpungere secundară

Fig.17 Dispozitiv semiconductor cu regiuni cu neuniformităţi ale densităţii de

curent ce pot duce la formarea de filamente de curent şi o posibilă străpungere
secundară. 20
Pierderi în stare de conducţie

Pon  I CVCE  sat  7 

VCE(sat) =VBEon  -VBC(sat) + Vd  I C  Re  RC  8 

Fig.18 Secţiune verticală

printr-un BJT de putere ce
prezintă originea
componentelor tensiunii C-E
VCE(sat) în stare de conducţie.

21
 Zonele de funcţionare în siguranţă

Traiectorie idealizată a unui circuit cu

sarcină inductivă cu diodă de limitare.

Fig.19 FBSOA a unui BJT de putere. FBSOA este prezentată haşurat şi extinderea ariei
pentru funcţionarea în impulsuri a BJT este prezentată pentru timpii de comutaţie mai mici
ce duc la FBSOA mai mari. 22
Fig.20 RBSOA a unui BJT de
putere.
23
 Concluzii:
1. BJT de putere are o structură orientată vertical cu o structură B-E cu segmente
intercalate şi o regiune de deplasare a colectorului slab dopată.
2. Regiunea de deplasare stabileşte tensiunea de blocare nominală a BJT-ului şi provoacă
aşa numita regiune de cvasi-saturaţie a caracteristicii I-V.
3. BJT este un dispozitiv blocat în mod normal care este amorsat prin amplificarea unui
curent de bază suficient de mare ca să provoace injecţia unui mare număr de purtători
minoritari în bază din regiunea emitorului. Difuzia ulterioară a acestor purtători prin bază
spre colector formează curentul de colector.
4. BJT-urile de putere au amplificare în curent mică, în special la valori mari ale tensiunilor
de străpungere nominale. Aceasta a dus la dezvoltarea tranzistoarelor Darlington
monolitice ce au amplificări de curent mai mari.
5. Circulaţia laterală a curentului în bază este cel mai important factor de limitare a
performanţei BJT. Ea determină căderi de tensiuni laterală care duc la aglomerarea
curentului de emitor care la rândul său determină scăderea amplificării decurent. Dacă
aglomerarea de curent este excesivă are loc străpungerea secundară şi distrugerea
dispozitivului.
6. Modulaţia puternică a conductivităţii regiunii de deplasare pentru a micşora pierderile în
stare de conducţie necesită durate de viaţă mari ale purtătorilor. Dar aceasta duce la timpi
de dezamorsare lungi, astfel încât trebuie să se facă un compromis la proiectarea BJT între
pierderi mici în stare de conducţie sau timpi de comutaţie mai scurţi.
7. Dezamorsarea unor tipuri de BJT-uri trebuie făcută cu o viteză controlată de variaţie a
curentului de bază negativ pentru a evita izolarea excesivă a sarcinii stocate în BJT, care
duce la timpi excesivi de lungi de dezamorsare şi o disipaţie mare de putere.
8. SOA a BJT este limitată de străpungerea secundară. RBSOA este în mod normal factorul
de limitare.
9. BJT-uri cu SOA-uri limitate pot necesita ca traiectoria lor de comutaţie să fie controlată
cu circuite de siguranţă atât la amorsare cât şi la dezamorsare. 24