Metode de modelare ale

componentelor şi
dispozitivelor electronice de
putere
Principalele metode de modelare
a dispozitivelor electronice
• Model de tip întrerupător cu două poziţii:
– deschis, cu rezistenţa ROFF ridicată
– închis, cu rezistenţa RON scăzută.
Utilizat în cadrul unor analize evaluative.
• Modele interne (intrinseci).
• Macromodelare:
– Macromodelare structurală
– Macromodelare comportamentală.
Utilizate în analizele de detaliu.
 Model de tip întrerupător

• Comandat în tensiune • Comandat în curent

dispozitive de putere dispozitive de putere

comandate în tensiune: comandate în curent:
– tranzistorul MOS, – tranzistorul bipolar,
– IGBT, – tiristorul,
– MCT – GTO
 Modele interne (intrinseci)
• Utilizate pentru dispozitive pasive şi active.

• Avantaj: uşor de utilizat.

• Dezavantaj: conduc la erori pentru nivele

ridicate de tensiune şi curent (pentru că au
fost dezvoltate pentru dispozitive de mică
putere.
 Macromodelele
sunt
circuite echivalente realizate
cu dispozitive intrinseci
 Macromodelarea structurală

utilizează circuite echivalente construite cu

dispozitive pasive şi active standard:
rezistoare,
capacităţi,
inductanţe,
diode,
tranzistoare,
surse de tensiune şi curent:
independente sau
comandate liniar
Macromodelarea comportamentală

realizează modelarea ecuaţiilor electrice

interne ale dispozitivelor prin utilizarea
surselor de tensiune şi curent
comandate neliniar.
Corelarea tipului de analiză cu
metoda de modelare utilizată
 Structura generală a unui sistem
electronic de putere

Intrare Convertor Ieşire

Sarcină
de putere de putere de putere

Măsurători
Controler
Referinţă
• Sarcina este un dispozitiv electro-mecanic.

• Controlerul este un circuit de mică putere

utilizat în reglarea comenzii dispozitivelor de
putere ale convertorului în funcţie de valorile
unor semnale de referinţă, ce sunt comparate cu
semnalele măsurate pe sarcină.
 Principalele etape în
proiectarea unui
echipament de putere
 Etapele principale
• Alegerea topologiei convertorului de putere.
• Proiectarea controlerului.
• Implementarea funcţiei de transfer a
controlerului la nivel de componentă
electronică.
• Verificarea performanţelor întregului sistem
în buclă închisă.
• Proiectarea de detaliu a convertorului de
putere.
• Analize globale în buclă închisă.
 Alegerea topologiei
convertorului de putere

Tipul de Analiză de semnal în buclă deschisă

analiză
Scopul Obţinerea formelor de undă de
principiu ale tensiunilor şi curenţilor
Modele Modele idealizate de tip comutator
utilizate
 Proiectarea controlerului

Tipul de analiză De semnal mic în buclă închisă

Scopul Se studiază stabilitatea şi
răspunsul dinamic al sistemului
la variaţii mici ale intrării, sarcinii
şi ale semnalelor de referinţă
Modele utilizate Modele de tip funcţie de
transfer.
 Implementarea funcţiei de
transfer a controlerului la nivel
de componentă electronică

Tipul de Analiză de detaliu a controlerului

analiză descris de schemă de detaliu.
Scopul Estimarea performanţelor
controlerului.
Modele Modele de înaltă precizie pentru
utilizate dispozitivele din circuit.
 Verificarea performanţelor
întregului sistem în buclă închisă

Tipul de Analiză de semnal mare în domeniul

analiză timp, pe o durată ce cuprinde mai multe
cicluri de comutaţie.
Scopul Verificarea performanţelor întregului
sistem în buclă închisă la aplicarea unor
perturbaţii de semnal mare.
Modele Modele evoluate de tip comutator
utilizate
 Proiectarea de detaliu a
convertorului de putere
Tipul de Analiză de semnal mare în buclă
analiză închisă.
Scopul Determinarea supratensiunilor şi
supracurenţilor din circuit, a pierderilor
în dispozitive, precum şi efectelor
inductanţelor şi capacităţilor parazite.
Modele Se aleg dispozitive de putere în funcţie
utilizate de solicitările maxime în tensiune,
curent şi putere; proiectarea circuitelor
de protecţie.
 Analize globale în buclă închisă

Tipul de Analiză globală în buclă închisă.

analiză
Scopul Determinarea performanţelor cele mai
apropiate de realitate ale sistemului
proiectat.
Modele Pentru toate componentele se utilizează
utilizate modele de înaltă precizie .
Instrucţiunea OPTIONS din PSpice

• ABSTOL = precizia maximă de calcul a

curenţilor
• VNTOL = precizia maximă de calcul a
tensiunilor
• CHGTOL = precizia maximă de calcul a
sarcinii
• RELTOL = eroare relativă maximă
• ITL4 = numărul maxim de iteraţii la fiecare
punct al analizei de regim tranzitoriu
 Modelarea dispozitivelor
semiconductoare de putere cu
ajutorul comutatoarelor
 Este o metodă simplistă care consideră
doar elementele de bază ale procesului de
comutaţie:
- dispozitivului blocat îi corespunde starea
deschis (OFF), iar
- dispozitivului în conducţie îi corespunde
starea închis (ON).
Sunt modelate:
- rezistenţa în starea blocat (ROFF) şi în
starea de conducţie (RON),
- nivelele corespunzătoare pentru tensiunea
sau curentul de comandă.
 Dispozitive SPICE intrinseci de tip comutator
• Comutatorul • Comutatorul
comandat în tensiune comandat în curent
V Com + In +
Out + Out +

S R ec W R ec

= =
+ + +
I com
- - -

V Com - In -
Out - Out -

Notaţie Denumire Unit. de Valoare Notaţie Denumire Unit. de Valoare

SPICE parametru măsură implicită SPICE parametru măsură implicită
Rezistenţa în Rezistenţa în
RON starea ON
Ohm 1 RON starea ON Ohm 1
Rezistenţa în Rezistenţa în
ROFF starea OFF
Ohm 1E+6 ROFF starea OFF
Ohm 1E+6
Tensiunea de Curentul de
VON control în V 1 ION control în starea A 1E-3
starea ON ON
Tensiunea de Curentul de
VOFF control în V 10 IOFF control în starea A 0.0
starea OFF OFF
 Ambele tipuri de comutatoare sunt dispozitive cu 4 terminale:
Comutator tip S Comutator tip W

Două terminale Se conectează tesiunea de Se află o sursă de tensiune

de intrare comandă nulă, ce are rol de a măsura
curentul de comandă
Intrarea este chivalentă cu
un scurtcircuit
Două terminale Rezistenţa variază în funcţie Rzistenţa variază în funcţie
de ieşire de valoara tensiunii de de valoarea curentului de
comandă comandă
Funcţie de cele două praguri de comandă aplicate la bornele de intrare
cele două tipuri de comutatoare sunt:

Comutator tip S Comutator tip W

Comutatoare controlate Comutatore controlate
în tensiune în curent

VON > VOFF ION > IOFF

Comutator VCOM < VOFF Rec = ROFF ICOM < IOFF Rec = ROFF
normal
deschis VCOM > VON Rec = RON ICOM > ION Rec = RON

Comutator VON < VOFF ION < IOFF

normal
închis VCOM < VON Rec = RON ICOM < ION Rec = RON
VCOM  VOFF Rec = ROFF ICOM  IOFF Rec = ROFF
Pentru tensiuni de comandă cuprinse în intervalul (VOFF, VON)
rezistenţa echivalentă Rec este dată de o expresie ce racordează
cele două ramuri orizontale ale caracteristicii Rec = f(V). Pe acest
inteval dispozitivul prezintă un câştig proporţional cu panta
caracteristicii Rec = f(V).
Cu cât intervalul (VOFF, VON) este mai îngust cu atât panta este mai
mare şi deci câştigul dispozitivului este mai ridicat.
Câştigul dispozitivului ridicat poate duce la probleme de convergenţă.
Valoarea maximă admisă pentru intervalul (VOFF, VON) este:
VON – VOFF = RELTOL * MAX{VON,VOFF} + VNTOL
Pentru comutatorul W, intervalul ION –IOFF minim admis:
ION – IOFF = RELTOL * MAX{ION,IOFF} + ABSTOL

Dispozitivele de tip comutator nu au timpi de comutaţie.

Timpul în care se face trecerea din starea OFF în starea ON şi invers

este practic timpul în care comanda variază între cele două praguri.
 Modelarea dispozitivelor
semiconductoare de putere
cu ajutorul comutatoarelor
 Modelarea de tip comutator a
diodelor semiconductoare
Starea dispozitivului este determinată de tensiunea aplicată între cele două terminale:

Tensiunea aplicată Tipul de plarizare Starea diodei

pozitivă directă conducţie
negativă
(mai mică decât valoarea de deschidere) inversă blocată

Alegerea tensiunilor VON, VOFF şi a rezistenţelor ROFF, RON

Anod Tensiunea de prag ON (VON) = cu tensiunea de deschidere a

diodei (Vd)
S dioda Tensiunea VOFF = 0,9 Vd, astfel ca intervalul
+ + VON-VOFF să fie rezonabil de >.
- -
Rezistenţa în starea OFF funcţie de curentul de scurgere al
ROFF = VDRM/IDRM diodei IDRM
Rezistenţa în starea ON funcţie de căderea de tensiune
Catod RON = Vd tipic/ID tipic
 Modelarea de tip comutator a
dispozitivelor cu comandă permanentă

Dispozitivele cu comandă permanentă sunt acelea pentru care semnalul de

comandă trebuie menţinut pe toată perioada cât dispoitivul este în conducţie.
 Modelul de tip comutator al este alcătuit din:
tranzistorului bipolar - comutator W bipolar comandat în curentul
de bază,
- diodele D bază şi D colector.

Curenţii de bază şi colector circulă în sensul

Colector funcţionării în regim activ normal (RAN).

Alegerea curenţilor:
D colector - curentul de prag IOFF = curentul de bază
corespunzător tensiunii bază-emitor de tăiere
(VBEt), la care tanzistorul intră în conducţie;
D bazã Wbipolar - curentul de prag ION = curentul de bază
+ corespunzător limitei de trecere din regimul
activ normal în regimul saturat de funcţionare.
Bazã -
Rezistenţele:
ROFF se calculează în funcţie de curentul
rezidual al tranzistorului;
Emitor RON se alege corespunzător tensiunii
colector-emitor de saturaţie.

Valoarea tipică a curentului:

VCE V 
ROFF  ; RON   CE sat tipic
I rezidual  I C sat 
 Modelul de tip comutator al este alcătuit din:
tranzistorului MOS şi IGBT
comutator S mos comandat în tensiunea
grilă-sursă de bază,
rezistenţa R gs ce modelează curentul de
Drenã scurgere al grilei. Rezistenţa R gs este
obligatorie, pentru că ea asigură o cale de
Grilã curent continuu către masă pentru
S mos terminalul de grilă.
+ +
R gs Alegerea tensiunilor:
- -
tensiunea VOFF = tensiunea de prag;
tnsiunea VON = tensiunea grilă-sursă
corespunzătoare limitei de trecere din
regimul de saturaţie a curentului de drenă
în regimul liniar de funcţionare, pentru
Sursã tensiunea drenă-sursă tipică.
Rezistenţele:
ROFF se calculează în funcţie de curentul
de scurgere al tranzistorului;
RON se alege corespunzător căderii de
tensiune drenă-sursă pentru valoarea tipică
a curentului de drenă.
 Modelarea de tip comutator a
dispozitivelor cu comandă în impuls

Dispozitivele cu comandă în impuls sunt acelea care nu necesită menţinerea

permanentă a semnalul de comandă, trecerea dintr-o stare în alta făcându-se
sub influenţa unui impuls de tensiune sau curent aplicat pe terminalul de control
(poartă). După încheierea procesului de comutaţie, semnalul de comandă poate
dispare, dispozitivul rămânând în noua stare.

Modelarea acestor dispozitive implică pe lângă comutatorul comandat în

tensiune sau curent şi un circuit de modelare a comenzii de impuls.
 Modelul de tip comutator al tiristorului

este format din:

- diodele Danod şi Dpoartă, care permit
circulaţia curenţilor doar în sensul real;
sursele de tensiune nulă, Vanod = 0 şi
Anod Vpoartă = 0, ce au rolul de a măsura
D anod curentul anodic, respectiv curentul de
D poartã comandă pe poartă;
S tiristor - sursa de curent Gcomut, care modelează
Poartã +
-
+
-
rămânerea tiristorului în starea de
conducţie după dispariţia comenzii pe
V poartã V anod poartă;
- comutatorul comandat în tensiune
Stiristor, ce modelează rezistenţa
R comut
C comut
Catod echivalentă a tiristorului;
G comut - rezistorul Rcomut de pe care se culege
tensiunea de comandă a comutatorului
Stiristor;
- condensatorul Comut, care determină
constanta d timp a varia’iei tensiunii de
comandă a comutatorului Stiristor, prin
care se modelează timpii de comutaţie
directă şi inversă.
 Funcţionarea modelului:
Modelul de tip comutator al tiristorului la apariţia unui curent pe poartă, superior valorii
IGT, sursa de curent Gcomut determină apariţia
pe rezistorul Rcomut a unei tensiuni superioare
Expresia de comandă a sursei de curent Gcomut: pragului VON al comutatorului Stiristor. Acesta
IGT trece din starea ON şi prin circuitul anodic apare
Gcomut  I (Vpoartă )  * I (Vanod ) un curent de valoare ridicată (măsurat de sursa
unde:
IH Vanod), ce va menţine tensiunea de pe rezistorul
Rcomut peste pragul VON şi după dispariţia
IGT este curentul de comandă pe poartă pentru comenzii pe poartă.
trecerea în starea de conducţie a tiristorului, La polarizarea inversă a tiristorului, curentul
IH este curentul de menţinere, sub care tiristorul anodic este blocat de către dioda Danod şi
s eblochează, chiar dacă este direct polarizat. tensiunea de pe rezistorul Rcomut scade sub
pragul VOFF. Comutatorul Stiristor se deschide,
Anod modelând comutaţia inversă a tiristorului.
Acest model simulează şi blocarea tiristorului la
D anod scăderea curentului anodic sub valoarea de
D poartã menţinere IH. În această situaţie curentul furnizat
S tiristor de sursa Gcomut scade sub valoarea IGT, iar
tensiunea de pe rezistorul Rcomut scade sub
Poartã +
-
+
- valoarea pragului VOFF, determinând
deschiderea comutatorului Stiristor.
V poartã V anod Avantajele modelului: timpi de analiză scăzuţi.
Dezavantaje: - precizia de simulare este
modestă;
R comut
C comut
Catod -Fenomenele de străpungere sunt neglijate;
- timpul de comutaţie directă este corelat cu cel
G comut
de comutaţie inversă prin intermediul aceleaşi
constante de timp:
 încăncărc   descăescăr  Rcomut  Ccomut
 Modelul evoluat de tip ţine seama de: străpungerea directă şi inversă a tiristorului,
comutator al tiristorului curenţii de scurgere şi timpii comutaţie directă şi inversă.
Anod Străpungerea directă şi inversă este modelată de două
diode conectate opoziţie-serie, pentru care tensiunile de
D anod Dinv străpungere sunt egale cu cele corespunzătoare
D poartã tiristorului, iar curenţii de saturaţie sunt egali cu cei doi
S tiristor
Poartã +
-
+
- curenţi de scurgere directă şi inversă ai tiristorului:
V poartã V anod Ddir VDRM  BV ( Ddir ); VRRM  BV(Dinv)
IDRM  IS(Dinv); IRRM  IS(Dinv)
R on
G comut C comut Catod Modelarea timpilor de comutaţie directă şi inversă se
D on realizează prin decuplarea constantelor de timp de
încărcare şi descărcare a capacităţii Ccomut.
Roff

Comutaţia directă Comutaţia inversă

sursa de curent Gcomut activă inactivă

dioda Don conducţie, şuntând rezistorul ROFF blocată

de încărcare a capacităţii Ccomut: de descărcare a capacităţii Ccomut:

Constanta de timp
 încăncărc  Ron  Ccomut  încăncărc  ( Ron  Roff )  Ccomut
 Probleme de simulare la utilizarea modelelor de tip comutator
- probleme de convergenţă, datorită câştigului ridicat în intervalul de tranziţie între stările ON şi OFF;
- nu prezintă un prag de comandă, ci un interval de comutaţie.

Subcircuite echivalente ale comutatoarelor sintetizate analogic,

ce au prag fix de comandă
Out + In + Out +
V Com + Fcurent
Gcomut Gcomut
+ + +
- Roff Icom - - Roff

V Com - In -
Out - Out -
Comutator analogic comandat în tensiune Comutator analogic comandat în curent
Modelele au la bază o sursă de curent comandată de Sursa Fcurent transformă curentul de comandă într-o
produsul între tensiunea la borne şi funcţia tensiune.
STEP(Vcom-Vprag). Vcom > Vprag Modelarea stării închis a comutatorului
Vprag = 0 pentru Vcom < Vpag
Vprag = 1 pentru Vcom > Vprag Gcomut echivalentă cu o rezistenţă Ron
Gcomut = V(Out+,Out-)* STEP(Vcom-Vprag)/Ron Gcomut = V(1,2) * STEP(Vcom – Vprag) / Ron
Vcom < Vprag Modelarea stării deschis a V (1,2)
Req   Ron
comutatorului Gcomut
Gcomut = 0, echivalentă cu un circuit deschis, Rezistenţa totală între bornele de ieşire devine
rezistenţa echivalentă între bornele de ieşire este
Roff Ron Roff  Ron
 Exemplu
redresor monoalternaţă necomandat cu sarcină rezistivă

S1 S2
- - - - 10V
+ + + +

VOFF = 0.0V VOFF = 0.0V

VON = 0.8 VON = 0.8 8V
ROFF = 1e6 ROFF = 1e6
RON = 1.0 RON = 1.0
V+
6V

V2
VOFF = 0 R2
VAMPL = 10
FREQ = 50 20 4V

0
2V

S3 S4
- - - -
+ + + + 0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V- V(S2:2, N164714)
VOFF = 0.0V VOFF = 0.0V Time
VON = 0.8 VON = 0.8
ROFF = 1e6 ROFF = 1e6
RON = 1.0 RON = 1.0
Modele SPICE intrinseci
Ecuaţiile matematice ale modelelor intrinseci sunt implememtate prin subrutine
scrise în limbajul C++.

Utilizarea unui model SPICE intrinsec se realizează prin apelarea simbolului

corespunzător tipului de dispozitiv dorit, amplasarea acestuia în cadrul circuitului
şi în final definirea valorilor parametrilor de model. Atunci când valoarea unui
parametru nu este specificată, simulatorul SPICE îi atribuie valoarea implicită,
care este valoarea tipică pentru dispozitivele de mică putere.

Includerea în modelele dispozitivelor de putere a:

 regiunii de drift care este simulată prin introducerea în modelul intrinsec a

unei rezistenţe serie a dispozitivului: RS pentru diodă, RC pentru tranzistorul
bipolar, RD pentru tranzistorul MOS.

 sarcinii din regiunea de drift care este realizată prin considerarea unor valori
ridicate pentru timpii de tranzit ai dispozitivelor: TT pentru diodă, TF şi TR
pentru tranzistorul bipolar.

 curenţii de saturaţie şi capacităţile de barieră vor fi mari. (Pentru a asigura

o înaltă capabilitate în curent dispozitivele de putere au joncţiunile de arii mari.)
 Modelul SPICE intrinsec al diodei semiconductoare

Modelul SPICE static al diodei semiconductoare la nivele moderate de injecţie are la bază
ecuaţia lui Shockley:

 Vd 
I d  I injec  IS   exp  1
 N  Vt 
unde: Vd este tensiunea pe diodă, Vt este tensiunea termică, Id este curentul static prin diodă.

La nivele scăzute de injecţie curentul rezultat din procesul de recombinare a purtătorilor

în regiunea de sarcină spaţială a joncţiunii este pus în evidenţă în modelul SPICE prin
adăugarea unui termen suplimentar:

 Vd   Vd 
I d  I injec  I rec  IS   exp  1  ISR   exp  1
 N  Vt   NR  Vt 
La nivele ridicate de injecţie în model se introduce parametrul suplimetar IKF (curent de cot).
 Parametrii modelului static al diodei semiconductoare

Notaţie Denumire parametru Unitate măsură Valoare implicită

SPICE
IS Curentul de saturaţie amp 1E-14

N Coeficientul de emisie 1.0

ISR Curentul de recombinare amp 0.0

Coeficientul de emisie al curentului de

NR 2.0
recombinare

IKF Curentul de cot la nivel mare de injecţie amp infinite

RS Rezistenţa serie ohm 0.0

EG Lăţimea benzii interzise eV 1.11

Modelarea străpungerii inverse a diodei semiconductoare se realizează prin
introducerea unor parametrii suplimentari care pot fi utilizaţi şi la modelarea diodei Zener.
Curentul prin diodă la polarizare inversă are expresia:

 Vd  BV   Vd  BV 
I d inv  IBV  exp   IBVL  exp 
 NBV  Vt   NBV  Vt 
unde primul termen predomină la nivele ridicate de curent, când joncţiunea intră în
conducţie, iar al doilea termen predomină în regiunea de străpungere incipientă.
Parametrii de model ai străpungerii inverse a diodei semiconductoare

Notaţie Unitate Valoare

Denumire parametru
SPICE măsură implicită
BV Tensiunea de cot la străpungere inversă volt infinite

IBV Curentul de cot la străpungere inversă amp 1E-10

NBV Factorul de idealitate al străpungerii inverse 1.0

Curentul de cot la nivel mic al străpungerii

IBVL amp 0.0
inverse

Factorul de idealitate la nivel mic al străpungerii

NBVL 1.0
inverse

TBV1 Coeficientul liniar de temperatură al BV °C-1 0.0

TBV2 Coeficientul pătratic de temperatură al BV °C-2 0.0

 Modelul de semnal mare al diodei semiconductoare
Trecerea diodei din starea de blocare în starea de conducţie şi invers este afectată de
întârzieri. Acestea sunt datorate timpului finit necesar stocării şi apoi eliberării
sarcinilor din structură.
Tipurile de sarcini stocate în joncţiunea p-n

Sarcina: Modelul în SPICE

de purtători minoritari stocată Stocarea şi eliminarea sarcinii este descrisă de capacitatea

în regiunile neutre de de difuzie Cd.
semiconductor Modelat cu ajutorul timpului de întârzier TT conform relaţiei

QS  TT  I d
Spaţială de ioni necompensaţi Modelat prin intermediul capacităţii de barieră conform relaţiei
din regiunea de barieră
M
 Vd 
C j  CJO  1  
 VJ 
De purtători mobili din Neglijată în model
regiunea de tranziţie
 Particularităţile modelului intrinsec al diodelor de putere

• Curentul de saturaţie (IS) este mult mai mare, datorită ariei mari a joncţiunii
• Rezistenţa ohmică serie (RS) este mult mai mică, datorită ariei mari a secţiunii prin
regiunile neutre de semiconductor
• Curentul de cot (IKF) de la care apar fenomenele de nivel mare de injecţie, este mult
mai mare (cu unul sau două ordine de mărime)
• Capacitatea de barieră a joncţiunii (CJO) este mult mai mare, datorită ariei mari a
joncţiunii
• Coeficientul de gradare M = 0,33 datorită formării unei joncţiuni liniar gradate între
regiunea puternic dopată de anod şi regiunea de drift a diodei
• Timpul de tranzit (TT) este mult mai mare (cu două sau chiar trei ordine de mărime),
datorită cantităţii mari de sarcină stocată în regiunea de drift a diodei.
 Particularităţile modelului intrinsec al diodelor Schottky
• Curentul de saturaţie (IS) este mult mai mare, datorită ariei mari a joncţiunii
• Rezistenţa ohmică serie (RS) este mult mai mare (cu un ordin de mărime),
datorită prezenţei în diodele Schottky a unei regiuni slab dopate străbătută
doar de purtători majoritari. Nu apare fenomenul de modulare a rezistenţi
regiunii de drift de către curent
• Capacitatea de barieră a joncţiunii (CJO) este mult mai mare (cu două
ordine de mărime), datorită grosimii foarte reduse a regiunii de tranziţie ce
se formează la interfaţa metal-semiconductor
• Coeficientul de gradare (M) la diodele Schottky este de aproximativ 0,5
datorită formării unei joncţiuni PN abrupte
• Tensiunea de străpungere (BV) a structurilor Schottky este redusă (tipic
zeci de volţi)
• Timpul de tranzit (TT) este practic nul, pentru că în structura Schottky nu
există sarcină de purtători minoritari în exces, stocată în regiunile neutre
• Lăţimea benzii interzise EG este de 0,69V la diodele Schottky, faţă de
1,1eV la diodele p-n din siliciu
• Fenomenele de recombinare în regiunea de tranziţie de mici dimensiuni ce
se formează sunt practic neglijabile şi deci parametrul ISR = 0
 Parametrii modelului de semnal mare al diodei semiconductoare

Notaţie
SPICE Denumire parametru Unitate măsură Valoare implicită

CJO Capacitatea de barieră la polarizare nulă farad 0.0

VJ Bariera internă de potenţial a joncţiunii volt 1.0

M Coeficientul de gradare al joncţiunii 0.5

Coeficientul capacităţii de barieră la

FC 0.5
polarizare directă

TT Timpul de tranzit sec 0.0

Schema echivalentă a modelului SPICE intrinsec al diodei semiconductoare

Anod

RS Id este sursă de curent

comandată de tensiunea la
borne, care împreună cu
Id rezistenţa RS modelează
+
capacitatea statică a diodei şi
- Cd Cj
capacităţile de barieră Cj şi de
difuzie Cd, care modelează
sarcinile stocate în dispozitiv.

Catod
Modele SPICE intrinseci
Modelul SPICE intrinsec al
tranzistorului bipolar
 Modelul Ebbers-Moll static
Regimul activ normal (RAN) Regimul activ invers (RAI)
 V   V 
I C  IS   exp BE  1 I E  IS   exp BC  1 
 NF  VT   NR  VT 
I I
IB  C IB  C
BF BR
Parametrii SPICE corespunzători modelului Ebbers-Moll static al tranzistorului bipolar
Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură
IS Curentul de saturaţie de transport 1E-16 A
BF Câştigul direct maxim în curent 100
BR Câştigul invers maxim ideal în curent 1
NF Coeficientul de emisie direct 1
NR Coeficientul de emisie invers 1
VAF Teniunea EARLY directă infinită V
VAR Tensiunea EARLZ inversă infinită V
RC Rezistnţa ohmică a colectorului 0 
RB Rezistenţa ohmică a bazei 0 
RE Rezistenţa ohmică a emitorului 0 

directă, VAF modelează efectul de modulare (variaţie) VCB în regim activ normal
Tensiunea Early a grosimii bazei de către tensiunea
inversă, VAR V în regim activ inversat
 Diodele Dbe şi Dbc modelează cele
Schema electrică a modelului intrinsec două joncţiuni ale dispozitivului, sursa
Ebbers-Moll al tranzistorului bipolar de curent Ic comandată în tnsiunile de
polarizare modelează efectul de
Colector amplificare în curent al trenzistorului şi
rezistenţele serie ale terminalelor RB,
RC şi RE.
RC
Aproximaţiile
modelului Ebbers-Moll:
Dbc
Ic - Câştigurile direct (BF) şi invers
RB + (BR) în curent sunt considerate
constante, independente de
-
Dbe curentul prin tranzistor.

Bazã - Rezistenţele ohmice RB, RC şi

RE sunt considerate constante.

- Caracteristicile exponenţiale de
RE transfer trasate la scară
logaritmică sunt considerate ca
Emitor având pantă constantă pentru
toată gama de curenţi de lucru.
 Modelul Gummel-Poon

îmbunătăţeşte precizia de descriere a caracteristicilor statice şi dinamice ale tranzistoarelor

bipolare.

Colector
RC

Dbc neid Schema electrică a modelului

Dbc intrinsec Gummel-Poon al
Rb Ic tranzistorului bipolar
+
Bazã -
Conţine în plus faţă de modelul
Ebbers-Moll două diode Dbe neid şi
Dbe
Dbe neid Dbc neid care modelează
componentele neideale de nivel
scăzut ale curenţilor celor două
joncţiuni.

RE

Emitor
Regimul activ normal de funcţionare a
tranzistorului: F
(1) Zona curenţilor direcţi scăzuţi, unde se
BF
constată o scădere importantă a câştigului în
curent BF, datorită fenomenului de recombinare
în regiunile de sarcină spaţială ale joncţiunilor.
Modelarea SPICE a acestui fenomen se face
prin introducerea parametrilor ISE şi NE. (1) (2) (3)
(2) Zona curenţilor medii, unde câştigul în
curent BF este constant; în această zonă sunt IL IKF IC
valabile cu bună aproximaţie ecuaţiile Ebbers-
Variaţia câştigului BF cu valoarea
Moll.
curentului de colector
(3) Zona curenţilor mari, unde se manifestă
fenomene de injecţie puternică, concentraţia
purtătorilor minoritari în bază devenind Aceleaşi fenomene se constată şi
comparabilă cu cea a majoritarilor. pentru caracteristicile statice în
Conductivitatea bazei creşte şi câştigul în regim activ inversat, parametrii
curent scade. În această zonă coeficientul de SPICE fiind: ISC, NC, IKR şi NR.
emisie devine NK=2. Curentul de la care începe Variaţia bazei cu valoarea curentului
zona (3) (IKF) este numit curent de cot (knee) prin tranzistor este modelată prin
la nivel mare de injecţie. parametrii RB, RBM şi IRB.
Parametrii SPICE corespunzători modelului Gummel-Poon static al tranzistorului bipolar

Notaţie Valoare Unitate de

Denumire parametru
SPICE implicită măsură
ISE Curentul de saturaţie la nivel mic al joncţiunii BE 0 A
ISC Curentul de saturaţie la nivel mic al joncţiunii BC 0 A
NE Coeficientul de emisie la nivel mic al joncţiunii BE 1,5
NC Coeficientul de emisie la nivel mic al joncţiunii BC 2
Curentul de cot al câştigului invers în curent (BF) la nivel
IKF Infinit A
mare de injecţie
Curentul de cot al câştigului invers în curent (BR) la nivel
IKR Infinit A
mare de injecţie
NK Coeficientul de emisie la nivel mare de injecţie 0,5
RB Rezistenţa ohmică de bază maximă 0 
RBM Rezistenţa ohmică de bază maximă RB 
Curentul la care rezistenţa de bază se înjumătăţeşte faţă
IRB infinit A
de valoarea maximă
ISS Curentul de saturaţie al joncţiunii de substrat 0 A
NS Coeficientul de emisie al joncţiunii ed substrat 1
Parametrii SPICE corespunzători modelului Ebbers-Moll de semnal mare care
se adaugă la modelul static

Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură

Capacitatea de barieră a joncţiunii BE la 0
CJE F
polarizare nulă
VJE Potenţialul de barieră al joncţiunii BE 0,75 V
MJE Coeficientul de gradare al joncţiunii BE 0,33
Capacitatea de barieră a joncţiunii BC la
CJC 0 F
polarizare nulă
VJC Potenţialul de barieră al joncţiunii BC 0,75 V
MJC Coeficientul de gradare al joncţiunii BC 0,33
Capacitatea de barieră a joncţiunii de
CJS 0 F
substrat la polarizare nulă
Potenţialul de barieră al joncţiunii de
VJS 0,75 V
substrat
Coeficientul de gradare al joncţiunii de
MJS
substrat
TR Timpul de tranzit direct ideal 0 Sec.
TF Timpul de tranzit invers ideal 0 Sec.
 Parametrii SPICE corespunzători modelului Gummel-Poon de semnal mare

Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură

Fracţiunea din capacitatea Cbe 1
XCJC
conectată la baza intrinsecă
Coeficientul de dependenţă a
XTF timpului de tranzit direct (TF) de
polarizare a tranzistorului
Coeficientul de dependenţă a lui TF
VTF infinit V
de tensiunea VBC
Coeficientul de dependenţă a lui TF
ITF 0 A
de curentul Ic
Faza în exces datorată fenomenelor
APTF 0
distribuite în bază

Modelul Gummel-Poon de semnal mare ia în considerare şi următoarele efecte secundare:

- Capacitatea bază – colector se consideră între baza intrinsecă şi baza extrinsecă.
- Se consideră variaţia timpului de tranzit direct (TF) cu polarizarea tranzistorului (prin
parametrul XTF), cu tensiunea VBC (prin parametrul VTF) şi cu valoarea curentului IC
(prin parametrul ITF).
- Se consideră defazajul suplimentar datorat fenomenelor distribuite din bază (parametrul
PTF).
 Utilizarea modelului SPICE intrinsec în simularea
tranzistoarelor bipolare de putere

Particularităţi în comparaţie cu tranzistoarele de mică putere:

- curenţii de saturaţie IS, ISC, ISE cresc odată cu creşterea puterii tranzistorului, datorită
ariilor joncţiunilor;

- curentul ISC este mult mai mare decât ISE, deoarece regiunea de tranziţie a joncţiunii
colectoare (în care au loc recombinările) este mult mai mare decât regiunea de tranziţie a
joncţiunii emitoare;

- câştigul de curent direct BF scade mult la creşterea puterii tranzistorului, datorită

creşterii grosimii bazei;

- tensiunea Early directă (VAF) scade odată cu creşterea puterii, tot datorită creşterii
grosimii bazei;

- rezistenţele ohmice serie ale terminalelor (RC,RB,RE) scad mult cu creşterea puterii
datorită creşterii ariei secţiunii regiunilor neutre de semiconductor;

- capacităţile CJC şi CJE cresc cu creşterea puterii, datorită creşterii ariei joncţiunilor;

- timpii de tranzit direct (TF) şi invers (TR) cresc pronunţat la creşterea puterii
dispozitivului datorită creşterii volumului de sarcină stocată în acesta.
 Modelarea SPICE a fenomenului de cvasi-saturaţie a tranzistorului bipolar
Colector
Bază Emitor Bază Emitor

N P N+ N+

Substrat N- Regiunea de drift

N+
Structura internă de tip planar a Colector
tranzistorului de mică putere
Structura internă de tip vertical a
tranzistorului bipolarde putere
Efectul de cvasi-saturaţie este datorat introducerii unei regiuni slab dopate în
regiunea de colector, necesară pentru a asigura înalta capabilitate de blocare a
tesiunilor directe.

Regimul de cvasi-saturaţie este acel regim de funcţionare al tranzistorului

bipolar în care joncţiunea internă bază-colector este direct polarizată (pe
regiunea de tranziţie cade o tensiune pozitivă), în timp ce tensiunea între
terminalele bază şi colector este inversă (negativă la tranzistoarele npn).
Această situaţie apare datorită căderii importante de tensiune pe regiunea slab
dopată (de drift) a colectorului.

Sarcina stocată în regiunea de drift a colectorului poate fi modelată prin

intermediul timpului de tranzit direct TF. Aceasta conduce la o descriere relativ
corectă a timpului fde comutaţie inversă, insă formele de undă ale tensiunilor şi
curenţilor prin tranzistor obţinute prin simulare, diferă relativ mult de cele reale.

Modelul intrinsec conduce la erori de evaluare a puterii dinamice disipate pe

tranzistor.
 Regimul activ normal (a), situat la
Caracteristica statică de ieşire a dreapta liniei de pantă Rp+Rdrift, în care
tranzistorului bipolar de putere joncţiunea colector-bază este invers
polarizată la terminale. Rp este
rezistenţa parazită serie a tranzistorului,
care cuprinde rezistenţele de contactare
cu terminalele şi rezistenţele regiunilor
Rp Rp+Rdrif
IC puternic dopate (n+) de emitor şi de
(c) (b) (a) colector, iar Rdrift este rezistenţa
ohmică serie a regiunii de drift a
colectorului.
Regimul de cvasi-saturaţie (b),
cuprins între dreptele de pantă Rp şi
Rp+Rdrift. În acest regim joncţiunea
intrinsecă (regiunea de tranziţie) bază-
colector este direct polarizată, dar
joncţiunea extrinsecă bază-colector
VCE rămâne în continuare invers polarizată.
Regimul de saturaţie propriu-zis (c)
este dat de dreapta cu panta Rp, în
care joncţiunea bază-colector
extrinsecă este direct polarizată.
 Parametrii de model corespunzători fenomenului de cvasi-saturaţie

sunt obţinuţi din cei ai modelului standard Gummel-Poon la care se adăugă încă patru parametrii.

Notaţie
Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură
SPICE
RCO Rezistenţa regiunii epitaxiale (de drift) 0 OHM
Factorul sarcinii din regiunea
QCO 0 COULOMB
epitaxială
Tensiunea de cot a mobilităţii
VO 10 V
purtătorilor
Factorul de dopare al regiunii
GAMMA 1E-11
epitaxiale
Modelul SPICE intrinsec al
tranzistorului MOS
Drenã
CBD
RD
CGD
Id
RG + DBD Substrat
- DBS
Poartã RB

CGS
RS
CBS

CGB Sursã
În cadrul programului SPICE există trei nivele de bază de modelare a tranzistoarelor MOS:

bazat pe ecuaţiile timp de analiză precizia simulării utilizat

Shichman- simulare rapidă, cu

Nivelul 1 (Level1) foarte redus modestă
Hodges caracter estimativ.
Produce probleme de
Nivelul 2 (Level2) Meyer îndelungat ridicată
convergenţă
Nu produce probleme
Nivelul 3 (Level3) Dang redus ridicată
de convergenţă
 Modelul static al tranzistorului MOS (Level1) are la bază ecuaţiile:

KP  Wef  V 
în regim nesaturat (liniar): I D  VGS  VTH  DS   VDS  1  LAMBDA  VDS  VDS
Lef  2 
KP  Wef
în regim de saturaţie a curentului de drenă I D  VGS  VTH 2  1  LAMBDA  VDS 
Lef

unde: Lef şi Wef sunt lungimea, respectiv lăţimea efectivă a canalului, care se obţine din
dimensiunile geometrice ale canalului prin scăderea dimensiunilor difuziilor
laterale LD şi WD
Lef = L – 2LD Wef = W - 2WD
Curentul de substrat afectează valorile reale ale curenţilor de drenă şi sursă (I D şi IS)
ID’ = ID -IDBD IS’ = IS - IDBS
Curenţii de substrat sunt curenţi prin joncţiuni invers polarizate, fiind descrişi de ecuaţia lui
Shockley
 Vd 
I d  I injec  IS   exp  1
 N  Vt 
unde IS este curentul de saturaţie şi N este coeficientul de emisie.

Parametrii JS şi JSSW modelează dependenţa de arie şi perimetru a curentului de saturaţie.

 Parametrii modelului static al tranzistorului MOS (Level1)

Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură

LEVEL Nivelul de modelare 1
L Lungimea geometrică a canalului DEFL m
W Lăţimea geometrică a canalului DEFW m
LD Lungimea difuziei laterale 0 m
WD Lăţimea difuziei laterale 0 m
VTO Tensiunea de prag la polarizare nulă a 0
V
substratului (VBS=0)
KP Coeficientul transconductanţei 2E-6 A/V2
Parametrul de modulare a lungimii
LAMBDA 0 1/V
canalului cu tensiunea VDS
RD Rezistenţa ohmică a drenei 0 
RG Rezistenţa ohmică a grilei 0 
RS Rezistenţa ohmică a sursei 0 
RB Rezistenţa ohmică a substratului 0 
RDS Rezistenţa parazită drenă – sursă Infinit 
RSH Rezistenţa pe pătrat 0 
 Parametrii modelului static al tranzistorului MOS (Level1)

Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură

IS Curentul de saturaţie al joncţiunii p-n de 1E-14
A
substrat
JS Densitatea de arie a curentului de 0
A/m2
saturaţie al joncţiunii p-n de substrat
JSSW Densitatea pe perimetru a curentului de 0
A/m
saturaţie al joncţiunii p-n de substrat
N Coeficientul de emisie al joncţiunii p-n de 1
substrat
Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS se obţine prin
adăugarea la parametrii statici, a parametrilor ce descriu sarcinile stocate
în tranzistor.
Tranzistorul MOS funcţionează pe baza transportului de purtători
majoritari, el nu conţine sarcină stocată de purtători minoritari. Singurele
sarcini stocate în tranzistoarele MOS sunt:
• sarcina de barieră a joncţiunilor invers polarizate sursă-drenă şi drenă-
substrat,
• sarcinile corespunzătoare capacităţilor de suprapunere între grilă şi
sursă (QGSO), grilă şi drenă (QGDO), respectiv grilă şi substrat (QGBO).

Corespunzător acestor sarcini, modelul de semnal mare al tranzistorului

MOS conţine:
• capacităţile de barieră CBS şi CBD;
• capacităţile de suprapunere CGSO, CGDO, CGBO formate de grilă cu
celelalte trei terminale, prin intermediul stratului izolator de oxid.

Capacităţile sursă-substrat şi drenă-substrat pot fi definite:

 direct prin parametrii CBS şi CBD,
 prin intermediul capacităţii de barieră la polarizare nulă pe unitatea de
arie CJ, respectiv pe unitatea de perimetru CJSW.
 Parametrii modelului de semnal mare al tranzistorului MOS

Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură

Capacitatea de barieră pe unitatea de 0
CJ F/m2
arie a joncţiunilor p-n de substrat
Capacitatea de barieră pe unitatea de
CJSW 0 F/m
perimetru a joncţiunilor p-n de substrat
Coeficientul de gradare al capacităţii de
MJ barieră de suprafaţă pentru joncţiunile 0,5
de substrat
Coeficientul de gradare al capacităţii de
MJSW barieră de perimetru pentru joncţiunile 0,33
de substrat
Coeficientul capacităţii de barieră a
FC 0,5
substratului la polarizări directe
CBD Capacitatea de barieră drenă-substrat la 0
V
polarizare nulă
Capacitatea de barieră sursă-substrat la
CBS 0 V
polarizare nulă
Timpul de tranzit al joncţiunilor de
TT 0 S
substrat
 Parametrii modelului de semnal mare al tranzistorului MOS

Notaţie SPICE Denumire parametru Valoare implicită Unitate de măsură

Capacitatea de suprapunere grilă-sursă 0
CGSO F/m
pe unitatea de lăţime a canalului
CGDO Capacitatea de suprapunere grilă-drenă 0
pe unitatea de lăţime a canalului F/m

CGBO Capacitatea de suprapunere grilă- 0

substrat pe unitatea de lungime a
F/m
canalului
Utilizarea modelului SPICE intrinsec în
simularea tranzistorului MOS de
putere
Tranzistorul MOS de putere este realizat prin conectare în paralel a unui
număr foarte mare (zeci de mii) de structuri elementare realizate pe acelaşi
cip de siliciu.

Modalităţi de modelare a tranzistoarelor MOS de putere:

• modelarea structurii elementare a tranzistorului MOS, urmând ca în
fereastra de simbol a dispozitivului să se precizeze factorul de multiplicitate
al acestuia (ex. M=100000). Această variantă de modelare este utilizată în
cazul în care parametrii SPICE de model sunt determinaţi plecând de la
parametrii tehnologici ai tranzistorului MOS de putere;
• Modelarea întregii grupări de structuri MOS elementare, conectate în
paralel, prin intermediul unui singur tranzistor echivalent. Această variantă
este utilizată în cazul în care parametrii SPICE de model sunt determinaţi
plecând de la datele de catalog ale tranzistorului.
Fenomenele neglijate de către modelul SPICE intrinsec al tranzistorului
MOS:
• Rezistenţa regiunii de drift, ce afectează caracteristicile statice,
• Scăderea transconductanţei tranzistorului la nivele ridicate de curent,
• dioda antiparalel ce apare între drenă şi sursă,
• fenomenele de străpungere,
• variaţia neliniară cu tensiunea la borne a capacităţii grilă-drenă.

Parametrii de model specifici tranzistorului MOS de putere:

 lungimea canalului este redusă,
 lăţimea canalului este mult mai mare (0,1..0,5mm), datorită conectării în
parale a unui număr mare d structuri MOS elementare, lăţimea echivalentă
este suma perimetrelor tuturor regiunilor de sursă ale celulelor
componente,
Parametrul transconductanţei (KP) este comparabil cu cel al
tranzistoarelor de mică putere, deoarece el este egal cu parametrul unei
singure celule elementare,
Capacităţile parazite totale CGD şi CGS, sunt mult mai mari, deoarece ele
sunt formate prin punerea în paralel a capacităţilor individuale ale
structurilor MOS elementare; parametrii CGDO şi CGSO sunt comparabili,
pentru că reprezintă capacităţile parazite de suprapunere pe unitatea de
lăţime a canalului şi depinde doar de grosimea stratului de oxid (TOX).
 Modelul PSPICE intrinsec al IGBT

• Timp redus de analiză.

Avantajele modelului:
• Precizie înaltă de simulare.
Circuit echivalent Schema electrică echivalentă a
modelului intrinsec a IGBT
Colector
Qpnp Colector

MOSFET N
Poartã Ib Irez
Emitor - +
+ -

Cgd Imos Imult Ic

+ + Cdif
- -
Poartã
Cgs

Emitor
Este formată din surse de curent comandate, care modelează caracteristicile
statice ale tranzistorului bipolar şi ale tranzistorului MOS, la care se adaugă
o serie de capacităţi parazite constante şi surse de curent comandate,
echivalente cu capacităţile neliniare ale IGBT.
 Sursa Imos modelează caracteristica statică de transfer dată de expresiile:
 2 
KF  VDS
KF  KP  VGS  VT   VDS  
 2  V  VT
Im os  pentru VDS  GS
1  THETA  VGS  VT  KF

KP  VGS  VT 2 V  VT
Im os  pentru VDS  GS
1  THETA  VGS  VT  KF
Parametrul THETA descrie scăderea mobilităţii purtătorilor în canal datorită câmpului
electric intens creat de grilă şi
parametrul KF, care descrie modificarea transconductanţei tranzistorului la
funcţionarea în regim liniar: KPlin  KF  KP
Tranzistorul bipolar Qpnp din circuitul echivalent este modelat cu ajutorul a două
surse de curent Ic şi Ib, care descriu expresiile curenţilor de colector, respectiv de
bază:
1 VCE b 4  Dp Unde: Qeb este sarcina în exces instantanee
IC      Q eb aflată în regiunea de bază,
1  b Rbază 1 b 2
W
QB este sarcina de purtători mobili a
substratului,
2
Q eb Q eb 4  NB2 b este raportul mobilităţilor celor două
Ib     JSWE  AREA
TAU QB e SI tipuri de purtători de sarcină.
Modelul intrinsec al IGBT modelează fenomenele:

• de străpungere a dispozitivului prin mecanismul avalanşelor este modelat prin

intermediul unei surse de curent Imult, care corespunde curentului suplimentar de
multiplicare:

Imult  M  1  Imos  IC   M  Igen

unde: M este factorul de multiplicare în avalanşă,
Igen este curentul de generare de purtători al
joncţiunii colector - bază a tranzistorului bipolar.

• de modulare a rezistenţei regiunii de bază de către valoarea curentului prin

dispozitiv. Aceasta conduce la o descriere a tensiunii pe dispozitiv în starea de
conducţie (VCEon) şi a puterii statice disipate.
Timpii de comutaţie, datoraţi sarcinilor stocate în structură, sunt modelaţi fie prin
intermediul unor capacităţi constante, fie prin capacităţi variabile, generate de către
surse de curent comandate.
Capacitatea parazită grilă-sursă este dată de suprapunerea între metalizarea de
grilă şi regiunea N de sursă, parametrul corespunzător fiind CGS, considerat
constant.
Capacitatea neliniară între grilă şi drenă este dată de înserierea capacităţii
constante de suprapunere între metalizarea de grilă şi regiunea de bază slab
dopată, cu capacitatea de barieră a zonei de tranziţie ce apare în regiunea de bază
la aplicarea unor tensiuni grilă-drenă negative.
Capacităţile de barieră ale joncţiunilor colectoare şi emitoare ale tranzistorului
Qpnp din circuitul echivalent sunt neglijate, fiind luată în considerare numai
capacitatea de difuzie (Cdif) corespunzătoare sarcinii de purtători minoritari în
exces stocată în regiunea de bază. Parametrul de model este TAU, timpul de viaţă
al purtătorilor de sarcină în exces stocaţi în regiunea de bază a IGBT.
Modelul intrinsec al IGBT

• descrie cu precizie:
- procesele de comutaţie directă şi inversă,
- caracteristicile statice şi dinamice ale dispozitivului real.

• neglijează:
- variaţia cu temperatura a parametrilor de
model,
- scăderea transconductanţei la valori ridicate
ale curentului.
 Parametrii modelului intrinsec al IGBT
Notaţie Valoare Unitate de
Denumire parametru
SPICE implicită măsură
Aria de suprapunere între metalizarea de grilă şi 5E- 6
AGD regiunea de bază (drift), ce constituie drena m2
tranzistorului MOS
AREA Aria secţiunii transversale active a dispozitivului 1E- 5 m2
VT Tensiunea de prag a IGBT 4,7 V
Tensiunea grilă-drenă de prag la care apare zona de
VTD 1E – 3 V
golire în regiunea de bază
WB Lăţimea metalurgică a bazei 9E – 5 m
KP Transconductanţa tranzistorului MOS în regim de
0,38 A/V2
saturaţie a curentului de drenă
Factorul de multiplicare a transconductanţei în regim
KF 1 -
liniar de funcţionare
MUN Mobilitatea electronilor 1,5 E ^ 3 cm2 / Vs
MUP Mobilitatea golurilor 4,5 E ^ 2 cm2 / Vs
NB Concentraţia de dopare a bazei 2 E ^ 14 1 / cm3
Densitatea curentului de saturaţie al joncţiunii
JSWE 6,5 E - 13 A / cm2
emitoare
Notaţie Valoare Unitate de
Denumire parametru
SPICE implicită măsură
BFV Factorul uniform al procesului de multiplicare în
1 -
avalanşă
BVN Exponentul procesului de multiplicare în avalanşă 4 -
CGS Capacitatea de suprapunere grilă-sursă pe unitatea
1,24 E - 8 F / cm2
de arie
COXD Capacitatea de suprapunere grilă-drenă pe unitatea
3,5 E - 8 F / cm2
de arie
TAU Timpul de viaţă ambipolar corespunzător fenomenului
7,1 E - 6 secunde
de recombinare în regiunea de bază
 Macromodelarea structurală a
dispozitivelor semiconductoare de putere
• Dioda de putere
• Tranzistorul bipolar de putere
• Tranzistorul unijoncţiune
• Tranzistorul MOS de putere
• Tiristorul
• IGBT
• MCT
Macromodelarea structurală constă în construirea unui subcircuit
echivalent realizat cu ajutorul dispozitivelor SPICE intrinseci, care să se
comporte la nivel de terminale cât mai aproape de dispozitivul real.
Avantajele metodei:
- poate fi utilizată în cadrul tuturor simulatoarelor compatibile SPICE ,
- subcircuitul echivalent se construieşte relativ uşor, pornind de la structura
tehnologică internă a dispozitivului de putere.
Timpul de analiză este fixat de numărul de dispozitive de nivel ridicat
(tranzistoare) şi este proporţional cu pătratul numărului de noduri al
subcircuitului macromodelului.
Dezavantajul principal este că ecuaţiile interne ale unui dispozitiv de putere
nu pot fi simulate precis prin intermediul unei combinaţii de ecuaţii ale
dispozitivelor SPICE intrinseci.
Calitatea unui macromodel este dată de precizia de descriere a ecuaţiilor
interne ale dispozitivului corespunzător şi de uşoara extracţie a parametrilor
de model.
 Macromodelarea structurală a diodelor de putere

Cpar

Dcap

Dstat
Lpar Rs Rdrift
Anod Catod
Mdrift
Hcurent Gscurgere
+ +

- -

Rdir Cdir
Rezistenţa Rs modelează rezistenţele de contactare cu terminale şi rezistenţele
regiunilor de anod şi catod puternic dopate. Acestea sunt componente
independente de curent ale rezistenţei în starea de conducţie a diodei.
Rezistenţa Rdrift modelează rezistenţa regiunii de drift în absenţa fenomenului
de injecţie. Ea se manifestă în primele momente ale comutaţiei directe,
conducând la apariţia unei supratensiuni pe diodă. Fenomenul de scădere
(modulare) a rezistenţei regiunii de drift pe măsura apariţiei fenomenului de
injecţie în diodă este modelat prin intermediul tranzistorului MOS cu canal n,
Mdrift.
În primele momente ale comutaţiei directe, tranzistorul Mdrift este blocat,
rezistenţa globală a regiunii de drift este egală cu Rdrift. Pe frontul crescător al
curentului prin diodă, tranzistorul Mdrift se deschide, şuntând progresiv
rezistorul Rdrift şi modelând procesul de modulare a rezistenţei regiunii de drift.
Timpul de comutaţie directe este modelat prin intermediul circuitului Rdir Cdir,
ce determină creşterea exponenţială a tensiunii de poartă a tranzistorului Mdrift.
Timpul de întârziere Ton este dat de timpul în care tensiunea pe condensatorul
Cdir variază de la zero până la valoarea de prag VTO a tranzistorului Mdrift.
Timpul de creştere Tr este dat de intervalul de timp între intrarea în conducţie a
tranzistorului Mdrift şi trecerea în regim liniar de funcţionare.
Inductanţa Lpar modelează inductanţa parazită a terminalelor diodei.
Dioda Dcap modelează capacitatea de barieră a diodei de putere, care are
curentul de saturaţie mult mai mic decât cel al diodei Dstat.
Curentul static prin Dcap este neglijabil, dioda fiind echivalentă cu o capacitate de
barieră (modelată prin parametrii CJO, M şi VJ. Diodele Dstat şi Dcap modelează
caracteristicile statice şi dinamice, astfel că la nivel de macromodel dispunem de
valoarea curentului static prin diodă, care este măsurat de sursa Hcurent şi
utilizat pentru comanda sursei de curent Gscurgere care modelează variaţia
curentului de scurgere cu tensiunea efectivă pe joncţiune.
Condensatorul exterior Cpar modelează capacitatea parazită a capsulei, care nu
este inclusă în modelul intrinsec al diodei.
Pentru a utiliza macromodelul la simularea diodelor Schottky pentru parametrii
diodei Dstat trebuie făcute următoarele modificări:
• timpul de tranzit (parametrul TT) trebuie setat nul, pentru că diodele Schottky nu
conţin sarcini stocate de purtători minoritari;
• lăţimea benzii interzise pentru dispozitivele cu barieră Schottky este
EG=0.69eV, faţă de 1,1eV în cazul joncţiunilor semiconductoare din siliciu;
• coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de saturaţie este mai redus
XTI=2, faţă de XTI=3 pentru joncţiunile din siliciu;
• diodele Schottky nu prezintă fenomene de recombinare în regiunea de tranziţie
şi nici fenomene de nivel ridicat de injecţie, în consecinţă parametrii ISR, NR şi
IKF trebuiesc setaţi nuli;
• curentul de saturaţie este cu câteva ordine de mărime mai mare, iar capacitatea
de barieră este cu mult mai ridicată, datorită dimensiunilor reduse ale regiunii de
tranziţie ce se formează la interfaţa metal-semiconductor;
• diodele Schottky sunt dispozitive unipolare în care nu apare fenomenul de
modulare în curent a rezistenţei regiunii de drift. În consecinţă se va elimina
gruparea Mdrift, Cdir, Rdir din cadrul modelului.
Avantajul macromodelului structural al diodelor de putere faţă de modelul
intrinsec, este că acesta simulează în plus timpul de comutaţie directă real,
modulaţia rezistenţei regiunii de drift de către curentul anodic şi variaţia
curentului de scurgere la polarizare inversă cu valoarea tensiunii aplicate la
borne.
Dezavantajul acestui macromodel este că nu simulează corect sarcina
stocată în regiunea de drift (pentru diodele PIN) şi din această cauză formele
de undă ale tensiunilor şi curenţilor la comutaţie inversă sunt afectate de erori.
 Macromodelarea structurală a tranzistorului bipolar de putere

are la bază modelul intrinsec al tranzistorului la care au fost adăugate alte

dispozitive intrinseci care modelează fenomenele specifice tranzistoarelor de
putere (fenomenele de străpungere, fenomenul de cvasisaturaţie)..
 Macromodelul structural al tranzistorului bipolar de putere ce modelează
fenomenul de străpungere
este format din:
• rezistenţele serie ale
• tranzistorul Qintrins ce Colector bazei Rb şi colectorului Rc
modelează caracteristicile au fost modelate prin
statice şi dinamice de bază Rc rezistoare exterioare
ale tranzistorului; modelului intrinsec al
• sursa de curent Fmnult ce tranzistorului, pentru a
măsoară curentul prin putea dispune de valoarea
tranzistor şi generează apoi F mult tensiunii direct pe
curentul de multiplicare prin + joncţiunea colector-bază,
avalanşă la intrarea în regim care determină valoarea
- curentului de multiplicare.
de srăpungere a tranzistorului;
• sursa de tensiune nulă
Gscal
Vimult +
Vimult=0 măsoară curentul
generat de sursa Fmult; -
• sursa de tensiune Gscal
Vscal
Rb
comandată de tensiunea pe Qintrins
joncţiunea bază-colector a
Bazã
tranzistorului, care generează
un curent egal cu factorul e Emitor
• sursa de tensiune nulă
scalare al curentului de
multiplicare (VCB/Vstrăp)3; Vscal=0 măsoară curentul
generat de sursa Gscal;
La apariţia fenomenului de multiplicare în avalanşă curentul prin tranzistor generează
străpungerea şi este dat de relaţia:
1
IC stap  M  IC ; M
N
unde: M este factorul de multiplicare,  VCB 
1-  
Vstrap este tensiunea de străpungere,  Vstrap 
 
N este un coeficient care depinde de geometria structurii tranzistorului.
Relaţia poate fi modelată prin intermediul unor surse comandate polinomial. Astfel
sursa Gscal va genera un curent proporţional cu termenul
N
 VCB 
 
 Vstrap 
 
iar sursa de curent Fmult va adăuga la componenta normală (în lipsa străpungerii)
a curentului de colector, componenta corespunzătoare fenomenelor de multiplicare
în avalanşă: Fmult  ICtotal  IC  (M  1)  IC
N N
 V   V 
 Fmult   CB   IC  Fmult   CB 
 Vstrap   Vstrap 
   
Se observă că sursa Fmult este comandată de către o expresie ce conţine şi
curentul generat de ea însăşi. Conform relaţiei, macromodelul se poate simplifica
prin introducerea în parale cu joncţiunea bază-colector a unei surse de curent
comandate neliniar.
 Macromodelul structural al tranzistorului bipolar de putere ce modelează
fenomenul de cvasisaturaţie

este format din: Colector

• tranzistorul principal Qprinc şi
tranzistorul secundar Qcvasi, ce
modelează fenomenele Rbazã
cvasisaturaţie; Qprinc Qcvasi
• rezistenţa Rbază dintre bazele Bazã
celor două tranzistoare determină
tensiunea de prag la care apare
fenomenul de cvasisaturaţie. Emitor

Această modelare oferă o precizie modestă de simulare. De aceea se recomandă

utilizarea modelului intrinsec al fenomenului de cvasisaturaţie.
 Macromodelarea structurală a tranzistorului unijoncţiune (UJT)

Tranzistorul unijoncţiune (UJT) este un dispozitiv special, utilizat de regulă în

oscilatoarele de relaxare, care generează impulsuri de comandă ale dispozitivelor
de putere.
Schema electrică echivalentă a Structura internă a tranzistorului
macromodelului structural al unijoncţiune
tranzistorului unijoncţiune, Bază 1
construit pe baza structurii interne
Bazã 1
Rb1

Rb1
Demitor Emitor Demitor

Emitor P
H emitor Gr bazã
+ + Crb
Rb2
- -
Rb2 N

Bazã 2
Baz ă 2
 Elementele componente ale modelului sunt:
• rezistenţele Rb1 şi Rb2, care modelează rezistenţa regiunilor neutre ale celor
două baze;
• dioda Demitor, care modelează joncţiunea dintre contactul P de emitor şi
regiunea centrală a semiconductorului de tip N;
• sursa Hemitor, care modelează curentul prin joncţiunea emitoare şi îl
transformă într-o tensiune corespunzătoare;
• sursa de curent comandată Grbază, care modelează fenomenul de scădere a
rezistenţei regiunii de bază 1 în urma injectării unui curent de emitor;
• capacitatea Crb care modelează constanta de timp de scădere a rezistenţei
regiunii de bază 1.
Sursa de curent Grbază este comandată de:
 tensiunea la borne
 tensiune furnizată de sursa Hemitor.
Aceasta este echivalentă cu o rezistenţă comandată de valoarea curentului de
emitor: Grbază  V Grbază   V Hemitor   Krb  Grb 
V Grbază  1
 R ec  
Grbază Krb  V Hemitor   Grb

unde: Krb este coeficientul de modulare în curent a rezistenţei bazei,

Grb este un parametru de potrivire cu datele experimentale.
 Macromodelarea structurală a tranzistorului unijoncţiune (UJT)

oferă o precizie satisfăcătoare şi un timp de analiză scăzut. Precizia poate fi

crescută prin considerarea unei legi neliniare de variaţie a rezistenţei bazei cu
valoarea curentului de emitor.
 Macromodelarea structurală a tranzistorului MOS de putere

S u r s ă G r il ă

N + N +
C g s N + N +
C g d

P P
Q p a r

R a c c e s

N -
N -
D s u b s tr R d r i ft

R e g iu n e a d e d r i ft

R s e r ie N +
N +

D r e n ă

Structura internă a tranzistorului MOS de putere

Schema electrică a macromodelului structural a tranzistorului MOS de putere
este extrasă din analiza structurii interne a dispozitivului.
Drenã

Rdrenã

Rmax
Cgd
Dsubstrat

Eneg Mneg
+ Epoz Mpoz
+
- Jfet
Dcap -
Lgrilã Rgrilã Mosn
Grilã

Lsursã

Sursã
La funcţionarea normală a tranzistorului de putere, grila este pozitivată faţă de
substrat şi în consecinţă, la interfaţa între oxid şi regiunea de drift apare o zonă
de acumulare de electroni. Aceasta constituie drena unui tranzistor MOS de
suprafaţă ce se comportă asemănător cu un tranzistor de mică putere.
La aceasta se adaugă o structură verticală, formată din regiunea de drift şi
regiunea N+ de drenă, care contribuie la asigurarea înaltei capabilităţi în
tensiune şi curent a tranzistorului de putere.
Regiunea de acumulare, împreună cu regiunea N+ de drenă formează drena,
respectiv sursa unui tranzistor Jfet vertical, regiunea de drift slab dopată jucând
rol de substrat. La valori ridicate ale curentului de drenă (la tensiune ridicată de
grilă) canalul tranzistorului Jfet se închide,conducând la limitarea curentului prin
structură. Astfel se modelează fenomenul de scădere a transconductanţei
tranzistorului MOS de putere la nivele ridicate de curent.
Dezavantajul utilizării unui tranzistor Jfet echivalent este acela că el conduce la
o scădere discontinuă a transconductanţei în timp ce în realitate aceasta se
produce în mod progresiv.
Rezistenţa în starea ON a tranzistorului este compusă din:
- Rezistenţa regiunii de drift, modelată de către rezistorul constant Rdrift,
- rezistenţa regiunii de acces la zona de drift, modelată de către rezistorul
Racces,
- rezistenţa canalului, care variază cu tensiunea grilă-sursă, modelată de către
tranzistorului intrinsec Mosn şi
- rezistenţele de contactate cu terminale de drenă şi sursă, precum şi
rezistenţele regiunilor N+ de drenă şi sursă, care sunt modelate compact prin
intermediul rezistorului Rserie.
Modelul poate fi simplificat prin considerarea unei singure rezistenţe
echivalente.
Inductanţele parazite ale terminalelor de grilă şi sursă sunt modelate de către
inductanţele Lgrilă şi Lsursă.
Diodele anti-paralel ce apare între terminalele de drenă şi sursă ale
tranzistorului MOS de putere este modelată de către diodele Dsubstr. Aceasta
contribuie la modelarea străpungerii tranzistorului la tensiuni drenă-coelector
prea ridicate.
Parametrii de model corespunzători sunt: BV, IBV, IBVL şi NBVL.
Capacitatea grilă-drenă variază neliniar cu tensiunea la borne, ceea ce
constituie o problemă a macromodelării tranzistorului MOS de putere.
La aplicarea unei tensiuni pozitive între grilă şi drenă, la interfaţa între stratul
de oxid şi regiunea de drfit apare o regiune de acumulare de electroni, care
joacă rolul celei de a doua armături a capacităţii plane între grilă şi drenă.
Capacitatea parazită între grilă şi drenă este constantă.
Pentru tensiuni de grilă-drenă negative, electronii din regiunea de drift sunt
respinşi către interiorul substratului dând naştere unei regiuni de golire, care
joacă rolul izolatorului condensatorului echivalent dintre grilă şi drenă. Cu cât
valoarea tensiunii grilă-drenă est mai mare, cu atât lăţimea regiunii de golire
creşte şi deci capacitatea corespunzătoare scade.
Comportamentul neliniar al capacităţii grilă-drenă este asemănător cu cel al
capacităţii de barieră a unei şi este modelat de parametrii: CJO, MJ, VJ şi FC ai
diodei Dcap.

În funcţie de valoarea tensiunii grilă-drenă, se elaborează un circuit care

să cupleze fie capacitatea constantă CGD, fie capacitatea de barieră a
diodei Dcap.
O soluţie este utilizarea a două tranzistoare MOS, Mpoz şi Mneg, care
au tensiunile de prag nule, VTO=0 şi coeficientul transconductanţei
foarte ridicat, KP=20. Ele au rol de comutatoare.
La tensiuni grilă-drenă pozitive, tranzistorul Mpoz intră în cnducţie, conectând
capacitatea constantă Cgd în circuit, iar tranzistorul Mneg este blocat.
La tensiuni grilă-drenă negative, tranzistorul Mpoz este blocat, iar tranzistorul
Mneg intră în conducţie, conectând în circuit capacitatea de barieră a diodei
Dcap.
Tensiunile de comandă ale celor două tranzistoare sunt furnizate de către
sursele Epoz şi Eneg, care copiază practic tensiunea grilă-drenă.
Avantajele utilizării acestui macromodel este că se obţine o descriere de înaltă
precizie a caracteristicilor statice şi dinamice ale tranzistoarelor MOS de putere.
Dezavantajul utilizării acestui macromodel este un timp de analiză ridicat.
Eliminarea acestui dezavantaj se face prin înlocuirea tranzistoarelor MOS care
au rol de comutator, cu două dispozitive intrinseci de tip comutator. Pentru a
evita problemele de convergenţă, se impune definirea unui interval de comandă
(VOFF-VON) al comutatoarelor suficient de mare, încât câştigul acestora pe
perioada de comutaţie să fie scăzut.
Având în vedere diferenţele mari între valoarea capacităţilor echivalente a unei
diode la polarizare directă şi inversă, capacitatea grilă-drenă poate fi modelată
prin înserierea capacităţii constante Cgd cu dioda Dcap. Rezistenţa Rmax
conectată în paralel cu capacitatea Cgd asigură o cale de curent continuu pentru
nodul dintre cele două capacităţi.
 Schema echivalentă a noului macromodel MOSFET

La tensiuni grilă-drenă Drenã

pozitive, capacitatea diodei
Dcap care este direct Rdrenã
polarizată, este mult mai
mare decât Cgd, astfel încât
capacitatea echivalentă a Rmax
grupării serie va fi tocmai Cgd
+
Cgd. Conditia initialã IC
Jfet
La tensiuni negative, dioda Dcap Dsubstrat
Dcap va avea capacitatea Lgrilã Rgrilã
redusă de barieră, fiind mult Grilã
Mosn
mai mică decât Cgd (care
va fi mai mare decât Lsursã
capacitatea echivalentă
grilă-drenă). Sursã

Problemele de convergenţă se elimină prin impunerea specificării

potenţialului iniţial al nodului de înaltă impedanţă dintre cele două capacităţi,
corespunzător stării iniţiale blocate sau în conducţie a tranzistorului. Aceasta
se realizează cu ajutorul dispozitivului IC, de specificare a condiţiilor iniţiale.
 Macromodelarea structurală a tranzistorului MOS de putere

Schema electrică a macromodelului structural a tranzistorului MOS de putere

este extrasă din analiza structurii interne a dispozitivului.
Drenã

Rdrenã

Rmax
Cgd
Dsubstrat

Eneg Mneg
+ Epoz Mpoz
+
- Jfet
Dcap -
Lgrilã Rgrilã Mosn
Grilã

Lsursã

Sursã
 Structura internă a tranzistorului MOS de putere
S u r s ă G r il ă

N + N +
C g s N + N +
C g d

P P
Q p a r

R a c c e s

N -
N -
D s u b s tr R d r i ft

R e g iu n e a d e d r i ft

R s e r ie N +
N +

D r e n ă
La funcţionarea normală a tranzistorului de putere, grila este pozitivată faţă de
substrat şi în consecinţă, la interfaţa între oxid şi regiunea de drift apare o
zonă de acumulare de electroni. Aceasta constituie drena unui tranzistor MOS
de suprafaţă ce se comportă asemănător cu un tranzistor de mică putere.

La aceasta se adaugă o structură verticală, formată din regiunea de drift şi

regiunea N+ de drenă, care contribuie la asigurarea înaltei capabilităţi în
tensiune şi curent a tranzistorului de putere.

Regiunea de acumulare, împreună cu regiunea N+ de drenă formează drena,

respectiv sursa unui tranzistor Jfet vertical, regiunea de drift slab dopată jucând
rol de substrat. La valori ridicate ale curentului de drenă (la tensiune ridicată de
grilă) canalul tranzistorului Jfet se închide, conducând la limitarea curentului
prin structură. Astfel se modelează fenomenul de scădere a transconductanţei
tranzistorului MOS de putere la nivele ridicate de curent.

Dezavantajul utilizării unui tranzistor Jfet echivalent este acela că el conduce la

o scădere discontinuă a transconductanţei în timp ce în realitate aceasta se
produce în mod progresiv.
Rezistenţa în starea ON a tranzistorului este compusă din:
- Rezistenţa regiunii de drift, modelată de către rezistorul constant Rdrift,
- rezistenţa regiunii de acces la zona de drift, modelată de către rezistorul
Racces,
- rezistenţa canalului, care variază cu tensiunea grilă-sursă, modelată de către
tranzistorului intrinsec Mosn şi
- rezistenţele de contactate cu terminale de drenă şi sursă, precum şi
rezistenţele regiunilor N+ de drenă şi sursă, care sunt modelate compact prin
intermediul rezistorului Rserie.
Modelul poate fi simplificat prin considerarea unei singure rezistenţe
echivalente.
Inductanţele parazite ale terminalelor de grilă şi sursă sunt modelate de către
inductanţele Lgrilă şi Lsursă.
Diodele anti-paralel ce apare între terminalele de drenă şi sursă ale
tranzistorului MOS de putere este modelată de către diodele Dsubstr.
Aceasta contribuie la modelarea străpungerii tranzistorului la tensiuni drenă-
colector prea ridicate.
Parametrii de model corespunzători sunt: BV, IBV, IBVL şi NBVL.
Capacitatea grilă-drenă variază neliniar cu tensiunea la borne, ceea ce
constituie o problemă a macromodelării tranzistorului MOS de putere.
La aplicarea unei tensiuni pozitive între grilă şi drenă, la interfaţa între stratul
de oxid şi regiunea de drfit apare o regiune de acumulare de electroni, care
joacă rolul celei de a doua armături a capacităţii plane între grilă şi drenă.
Capacitatea parazită între grilă şi drenă este constantă.
Pentru tensiuni de grilă-drenă negative, electronii din regiunea d drift sunt
respinşi către interiorul substratului. Dând naştere unei regiuni de golire, care
joacă rolul izolatorului condensatorului echivalent dintre grilă şi drenă. Cu cât
valoarea tensiunii grilă-drenă est mai mare, cu atât lăţimea regiunii de golire
creşte şi deci capacitatea corespunzătoare scade.
Comportamentul neliniar al capacităţii grilă-drenă este asemănător cu cel al
capacităţii de barieră a unei şi este modelat de parametrii: CJO, MJ, VJ şi FC ai
diodei Dcap.

În funcţie de valoarea tensiunii grilă-drenă, se elaborează un circuit care

să cupleze fie capacitatea constantă CGD, fie capacitatea de barieră a
diodei Dcap.
O soluţie este utilizarea a două tranzistoare MOS, Mpoz şi Mneg, cu rol
de comutatoar, care au tensiunile de prag nule, VTO=0 şi coeficientul
transconductanţei foarte ridicat, KP=20.
La tensiuni grilă-drenă pozitive, tranzistorul Mpoz intră în conducţie,
conectând capacitatea constantă Cgd în circuit, iar tranzistorul Mneg este
blocat.
La tensiuni grilă-drenă negative, tranzistorul Mpoz este blocat, iar tranzistorul
Mneg intră în conducţie, conectând în circuit capacitatea de barieră a diodei
Dcap.
Tensiunile de comandă ale celor două tranzistoare sunt furnizate de către
sursele Epoz şi Eneg, care copiază practic tensiunea grilă-drenă.
Avantajele utilizării acestui macromodel este că se obţine o descriere de înaltă
precizie a caracteristicilor statice şi dinamice ale tranzistoarelor MOS de putere.
Dezavantajul utilizării acestui macromodel este un timp de analiză ridicat.
Eliminarea acestui dezavantaj se face prin înlocuirea tranzistoarelor MOS care
au rol d comutator, cu două dispozitive intrinseci de tip comutator. Pentru a evita
problemele de convergenţă, se impune definirea unui interval de comandă
(VOFF-VON) al comutatoarelor suficient de mare, încât câştigul acestora pe
perioada de comutaţie să fie scăzut.
Având în vedere diferenţele mari între valoarea capacităţilor echivalente a unei
diode la polarizare directă şi inversă, capacitatea grilă-drenă poate fi modelată
prin înserierea capacităţii constante Cgd cu dioda Dcap. Rezistenţa Rmax
conectată în paralel cu capacitatea Cgd asigură o cale de curent continuu pentru
nodul dintre cele două capacităţi.
 Schema echivalentă a noului macromodel MOSFET

La tensiuni grilă-drenă Drenã

pozitive, capacitatea diodei
Dcap care este direct Rdrenã
polarizată, este mult mai
mare decât Cgd, asftel
încât capacitatea Rmax
echivalentă a grupării serie Cgd
+
va fi tocmai Cgd. Conditia initialã IC
Jfet
La tensiuni negative, dioda Dcap Dsubstrat
Dcap va avea capacitatea Lgrilã Rgrilã
redusă de barieră, fiind mult Grilã
Mosn
mai mică decât Cgd (care
va fi mai mare decât Lsursã
capacitatea echivalentă
grilă-drenă). Sursã

Problemele de convergenţă se elimină prin impunerea specificării

potenţialului iniţial al nodului de înaltă impedanţă dintre cele două capacităţi,
corespunzător stării iniţiale blocate sau în conducţie a tranzistorului. Aceasta
se realizează cu ajutorul dispozitivului IC, de specificare a condiţiilor iniţiale.
 Macromodelarea structurală a tiristoarelor
Analizând structura internă a tiristoarelor acestea pot fi echivalate cu un circuit format din
două tranzistoare bipolare, unul NPN şi altul PNP.
Tranzistoarele Qnpn şi Qpnp alcătuiesc
cel mai simplu macromodel structural al
Structura internă a tiristorului tiristorului.

Macromodelul structural simplu

al tiristorului
N + N +
Anod modelează
caracteristicile de
bază ale
dispozitivului real,
P

Qpnp
însă neglijează
străpungerea
Poartã Qnpn directă şi inversă,
sau curenţii de
N –

R e g iu n e a d e d r i f t
scurgere direct şi
P
Catod invers.

Acest model are o pecizie medie de

P +
simulare şi este recomandat în simulările cu
caracter evaluativ sau în cele la nivel de
sistem.
Schema electrică a macromodelului evoluat al tiristorului

Anod

Dinv
Rinv

Qpnp
Rdir
Ddir
RG
Qnpn
Poartã
Dpc
Rpc

Rc

Catod
 Schema electrică a macromodelului evoluat al tiristorului
are la bază modelul simplist al tiristorului la care pe lângă cele două tranzistoare
sunt adăugate elemente care modelează fenomenele secundare din dispozitiv.
Acestea sunt:
- diodele Ddir şi Dinv, modelează tensiunile de străpungere directă (VDRM) şi
inversă (VRRM) ale tiristorului: VDRM=BV (Ddir); VRRM =BV (Dinv)
- dioda Dpc modelează tensinea de străpungere inversă a joncţiunii poartă-catod
VRGM: VRGM = BV (Dpc);
- rezistoarele Rdir şi Rinv modelează curentul de scurgere direct (IDRM) şi invers
(IRRM) prin dispozitiv:
VDRM VRRM
R dir  BFQnpn  1  ; Rinv 
IDRM IRRM
- rezistorul Rpc modelează rezistenţa şunturilor catodice, dată de suprapunerea
între metalizarea de poartă şi regiunea N de catod;
- rezistorul Rc contribuie la ajustarea tensiunii pe rezistor în starea ON la valoarea
dată de catalog;
- rezistorul RG modelează tensiunea VGT şi curentul IGT de comandă pe poartă.
Baza tranzistorului Qnpn este mult mai subţire decât a tranzistorului Qpnp, asta
face ca la o primă aproximaţie se poate neglija sarcina stocată de aceasta.
Parametrii dinamici ai tiristorului sunt injumătăţiţi ceea ce uşurează extragerea
datelor de catalog. În această situaţie timpii de comutaţie directă (Ton) şi
inversă(Toff) ai macromodelului sunt determinaţi:
- de timpul de tranzit direct (TF) şi invers (TR) al tranzistorului Qpnp şi
- de câştigurile în curent (BF) ale celor două tranzistoare.
Considerând câştigurile în curent ale celor două tranzistoare BF(Qnpn) =100 şi
BF(Qpnp)=1, relaţiile pentru timpii de tranzit ai tranzistorului Qpnp şi timpii de
comutaţie ai tiristorului devin:
TF(Qpnp)=0,18Ton; TR(Qnpn)=1,7Toff
Modelarea efectului dv/dt se face de către capacitatea de barieră a joncţiunii
colectoare (CJC) a tranzistorului Qpnp. La un salt brusc al tensiunii anodice
pozitive, curentul prin capacitatea CJC devine curent de bază al tranzistorului
Qnpn, determinând intrarea în conducţie a celor două tranzistoare, deşi acest
lucru nu se doreşte.
Îmbunătăţirea converegenţei algoritmilor se face prin specificarea condiţiilor
iniţiale pentru cele două tranzistoare IC=Vbe, Vce care corespund stării blocate.
Tiristoarele cu blocare pe poartă GTO au aceeaşi schemă echivalentă cu
două tranzistoare bipolare. Ceea ce diferă sunt valorile parametrilor de model.
Tensiunea VGR şi curentul IGR de blocare pe poartă sunt determinate de
valoarea rezistenţei RG şi a câştigurilor în curent directe ale celor două
tranzistoare. Curentul pe poartă trebuie să fie suficient de mare, pentru ca să
conducă la scăderea produsului celor două câştiguri sub unitare, ceea ce
determină anihilarea reacţiei pozitive şi deci blocarea tiristorului.
Macromodelarea structurală a tranzistoarelor bipolare cu poartă izolată IGBT

Cel mai simplu macromodel structural IGBT este fiormat din tranzistorul MOS şi
tranzistorul bipolarconectate în conexiune de tip Darlington.
Acest tip de macromodel neglijează fenomenele secundare (zăvorârea la curenţi
ridicaţi, străpungerea directă şi inversă, variaţia rezistenţei regiunii de drift şi
variaţia neliniară a capacităţii grilă-drenă a tranzistorului MOS component. Este
recomandat a fi utilizat în analizele cu caracter evaluativ, având o precizie de
simulare redusă
Avantajul modelului:precizie de simulare relativ ridicată atât a caracteristicilor
statice, cât şi a celor dinamice.
Dezavantajul modelului este că nu modelează variaţia neliniară cu tensiunea la
borne a capacităţii grilă-drenă a tranzistorului MOS component. De aceea
formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor la comutaţie sunt diferite de cele
reale, macomodelul conducând la erori de evaluare a puterii dinamice disipate
pe dispozitiv.
Structura internă a tranzistorului Schema electrică a macromodelului
IGBT structural al tranzistorului IGBT

P o a rtă E m i to r P o a rtă

Colector

N + P N +
Ddir

Grdrift
+ Qpnp

-
Dsubstrat
R e g iu n e a d e d r i f t
Dinv
Jfet

N – Mosn Qnpn Rzav

N +
Poartã
Emitor
P +

C o l e c to r
Macromodelul structural al IGBT are la bază structura intrenă. El cuprinde pe
lângă tranzistorul bipolar Qpnp şi tranzistorul MOS cu canal N (Mosn):
- tranzistorul bipolar Qnpn împreună cu Qpnp formează o structură de tip
tiristor şi modelează fenomenul de zăvorâre a IGBT la nivele ridicate de
curent;
- rezistorul Rzav fixează valoarea curentului de zăvorâre:

VBE qNPN 0.6 V

Ilatch  
Rzav Rzav

-tranzistorul Jfet modelează scăderea transconductanţei IGBT la nivele

ridicate de curent ;
- dioda Dsubstrat modelează dioda de substrat a tranzistorului MOS;
sursa de curent Grdrift este comandată de tensiunea de la bornele sale şi de
curentul de drenă al tranzistorului MOS. Este echivalentă cu o rezistenţă care
scade invers proporţional cu creşterea valorii curentului. Ţine seama de
procesul de modulare în curent a rezistenţei regiunii de drift:

Grdrift  V (Grdrift )  Gd  Kgd  IMosn

V (Grdrift ) 1
(Rdrift )ec  
Grdrift Gd  Kgd  I(Mosn)
unde Gd este conductaţa regiunii dedrift la echilibru, Kgd este coeficientul de
modulare a conductanţei regiunii de drift de curentul de drenă al tranzistorului
MOS;
- diodele Ddir şi Dinv modelează tensiunile de străpunger directă şi inversă:
curenţii de saturaţie ai celor două diode trebuiesc aleşi mult mai mici decât ai
joncţiunilor tranzistoarelor Qpnp şi Qnpn, astfel încât la funcţionarea normală
a IGBT cele două tranzistoare să fie blocate chiar dacă sunt direct polarizate.
- capacităţile parazite ale IGBT sunt modelate prin intermediul capacităţilor
interne constante ale tranzistorului MOS (parametrii CGS şi CGD), respectiv
ale tranzistorului Qpnp (parametrii CJE şi CJC).
 Macromodel structural evoluat al
tranzistoarelor bipolare cu poartă izolată IGBT

Colector

Dpoz Cgd
Rcolector

Cgc
Rmax
Dinv
Rdrift
Dcap Qpnp
Egd Rneg Fcgd
+ +
+
- - - Ddir
Dneg

Qnpn

Lpoartã Rpoartã Mosn

Poartã Rzav

Cge Remitor

Emitor
Din schema electrică a modelului structural capacitatea grilă-drenă este
modelată astfel :
Sursa de tensiune comandată Egd copiază tensiunea grilă-drenă şi o aplică
reţelei de comutatoare formată din diodele Dpoz şi Dneg, care au tensiuni
directe foarte reduse.
La tensiuni grilă-drenă pozitive, dioda Dpoz este în conducţie, conectând
Cgd la sursa de tensiune Egd, iar dioda Dneg este şi ea în conducţie,
determinând limitarea tensiunii pe dioda Dcap la câteva zecimi de volt,
capacitatea sa echivalentă fiind redusă.
La tensiuni grilă-drenă negative, dioda Dpoz este blocată, lăsând în gol
capacitatea Cgd, iar dioda Dneg este şi ea blocată, permiţând accesul
tensiunii Egd spre dioda Dcap care este invers polarizată la o tensiune
egală cu tensiunea grilă-drenă, fiind echivalentă cu o capacitate de barieră.
Sursa Fcgd măsoară curentul prin capacitatea Cgd (constantă) la
polarizare directă şi cel prin capacitatea de barieră a diodei Dcap la
polarizare inversă. Curenţii sunt injectaţi între grila şi drena tranzistorului
MOS. Sursa de curent este echivalentă cu o capacitate neliniară şi
simulează cu precizie comportamentul real al dispozitivului.

Avantajele macomodelului structural evoluat al IGBT sunt:

- face o descriere corectă a proceselor de comutaţie ale dispozitivului;
- evaluează puterea dinamică disipată la comutaţie.
 Macromodelarea structurală a MCT

Tiristoarele controlate MOS (MCT = MOS Controlled Thyristor) sunt

dispozitive de tip tiristor, având o structură verticală de tip PNPN, la suprafaţa
căreia au fost integrate două tranzistoare MOS. Ele asigură atât cpmanda de
intrare în conducţie, cât şi cea de blocare a dispozitivului.
Dispozitivele MCT reale sunt formate din conectarea în paralel a unui număr
mare (tipic 1000.000) de celule elementare.
Structura verticală de tip tiristor a MCT este modelată cu ajutorul tranzistoarelor
bipolare Qnpn şi Qpnp, conectate cu reacţie pozitivă.
Extragerea parametrilor de model ai celor două tranzistoare se face asemănător
cu cea a tranzistoarelor din cadrul modelului structural al tiristorului.
Cele două tranzistoare MOS de suprafaţă sunt tranzistoare de dimensiuni mici,
cu canal scurt, ele fiind descrise cu înaltă precizie de către modelul SPICE
intrinsec al tranzistorului MOS.
 Schema electrică macromodelul Structura internă a MCT
structural MCT

P o a rtă A n o d
Anod

Ranod Mos_off
N + P

P +

Mos_on Rn-
Poartã Qpnp
Rp-
Qnpn N

Rcatod

Vac P -

P +
Catod
C a to d
Tranzistorul MOS p (Mos_on) asigură comanda de intrare în conducţie a MCT,
iar tranzistorul MOS n (Mos_off) asigură comanda de blocare aacestuia.
Rezistenţele Ranod şi Rcatod modelează rezistenţele regiunilor neutre de
semiconductor ale anodului, respectiv catodului.
Sursa de tensiune Vac asigură calibrarea tensiunii directe în starea ON a MCT
la valoarea determinată experimental. Tranzistorul NPN din structura verticală
de tiristor are baza groasă, tensiunea bază-emitor reală fiind superioară celei
obţinute prin simulare. Sursa Vac completează valoarea tensiunii în starea ON
pentru a asigura o bună suprapunere cu datele de catalog.
Rezistoarele Rn- şi Rp- modelează rezistoarele celor două regiuni centrale ale
structurii de tip tiristor, care sunt străbătute de către curenţii de drenă ai celor
două tranzistoare MOS pe durata comutaţiei directe, respectiv inverse.
Valorile celor patru rezistenţe parazite ale structurii MCT nu sunt date de
catalog, extragerea valorii acestora se realizează prin simulări succesive şi prin
compararea rezultatelor cu caracteristicile de catalog.
Dimensiunile L şi W ale canalelor celor două tranzistoare MOS, precum şi
caracteristicile electrice de transfer ale acestora nu sunt date de catalog. Pentru
L şi W se consideră valorile tipice. Tensiunile de prag VTO şi parametrii
transconductanţei KP se aleg în funcţie de tensiunile şi curenţii de comandă ai
structurii de tip tiristor.
Macromodelul structural MCT asigură o precizie înaltă de simulare a
caracteristicilor statice şi dinamice ale MCT reale, însă el necesită
cunoaşterea unor parametrii interni ai dispozitivului, care nu sunt date de
catalog.
 Schema electrică macromodelul Structura internă a MCT
structural MCT

P o a rtă A n o d
Anod

Ranod Mos_off
N + P

P +

Mos_on Rn-
Poartã Qpnp
Rp-
Qnpn N

Rcatod

Vac P -

P +
Catod
C a to d
Tranzistorul MOS p (Mos_on) asigură comanda de intrare în conducţie a MCT,
iar tranzistorul MOS n (Mos_off) asigură comanda de blocare a acestuia.
Rezistenţele Ranod şi Rcatod modelează rezistenţele regiunilor neutre de
semiconductor ale anodului, respectiv catodului.
Sursa de tensiune Vac asigură calibrarea tensiunii directe în starea ON a MCT
la valoarea determinată experimental. Tranzistorul NPN din structura verticală
de tiristor are baza groasă, tensiunea bază-emitor reală fiind superioară celei
obţinute prin simulare. Sursa Vac completează valoarea tensiunii în starea ON
pentru a asigura o bună suprapunere cu datele de catalog.
Rezistoarele Rn- şi Rp- modelează rezistoarele celor două regiuni centrale ale
structurii de tip tiristor, care sunt străbătute de către curenţii de drenă ai celor
două tranzistoare MOS pe durata comutaţiei directe, respectiv inverse.
Valorile celor patru rezistenţe parazite ale structurii MCT nu sunt date de
catalog, extragerea valorii acestora se realizează prin simulări succesive şi prin
compararea rezultatelor cu caracteristicile de catalog.
Dimensiunile L şi W ale canalelor celor două tranzistoare MOS, precum şi
caracteristicile electrice de transfer ale acestora nu sunt date de catalog. Pentru
L şi W se consideră valorile tipice. Tensiunile de prag VTO şi parametrii
transconductanţei KP se aleg în funcţie de tensiunile şi curenţii de comandă ai
structurii de tip tiristor.
Macromodelul structural MCT asigură o precizie înaltă de simulare a
caracteristicilor statice şi dinamice ale MCT reale, însă el necesită
cunoaşterea unor parametrii interni ai dispozitivului, care nu sunt date de
catalog.
 Macromodelarea comportamentală a
dispozitivelor semiconductoare de putere

Metoda de macromodelare comportamentală (ABM – Analog Behavioural

Modelling) impune ca toate mărimile interne ale unui model, electrice sau
neelectrice, să fie descrise prin tensiuni şi curenţi.
Orice dispozitiv poate fi descris cu ajutorul unei scheme electrice echivalente.
Utilizând macromodelarea comportamentală se poate descrie orice tip de sistem
complex, ce conţine eventual şi dispozitive neelectrice, precizia de modelare
depinzând doar de precizia modelului matematic dezvoltat (ecuaţiile fiind
implementate prin surse de tensiune şi curent comandate).
 Macomodelarea comportamentală în cadrul simulatorului PSPICE

Implementarea facilităţilor de macromodelare comportamentală în cadrul

simulatorului PSPICE s-a realizat prin extinderea posibilităţilor de comandă ale
surselor de tensiune comandate în tensiune (dispozitivul E) şi a surselor de
curent comandate în tensiune (dispozitivul G).
În prezent se poate introduce orice funcţie matematică neliniară (radical,
logaritm, exponenţială etc), precum şi aproximarea liniară pe porţiuni a
expresiilor de comandă prin definirea unor puncte de pe aceste caracteristici.
Cu toate că dispozitivele E şi G erau comandate în tensiune, facilităţile ABM
permit comanda atât în tensiune sau curent, cât şi cu o combinaţie de tensiuni şi
curenţi.
Facilităţile de modelare comportamentală ale simulatorului PSPICE pot fi
grupate în două categorii:
- modelarea în domeniul timp şi
- modelarea în domeniul frecvenţă.
 Modelarea comportamentală în domeniul timp

permite două modalităţi de definire a legilor de comandă:

- utilizând surse comandate de tip expresie matematică sau
- utilizând aproximarea liniară pe porţiuni.
Introducerea legii de control prin intermediul expresiei matematice
corespunzătoare se realizează cu ajutorul surselor comandate EVALUE şi
GVALUE.
Simulatorul PSPICE are implementată instrucţiunea specială .FUNC, cu
ajutorul căreia se poate defini o nouă funcţie de comandă, prin intermediul
unei relaţii ce conţine funcţiile PSPICE predefinite sau funcţiile definite de
utilizator.
Forma generală a instrucţiunii .FUNC este:

.FUNC nume_func’ie(argumente) corpul_funcţiei

Funcţiile de comandă predefinite în simulatorul PSPICE
Notaţie PSPICE Denumirea funcţiei Funcţia matematică
SQRT(x) Rădăcina pătrată x
PWR(x,a) Ridicare la putere xa
LOG(x) Logaritm natural ln x
LOG10(x) Logaritm zecimal lg x
x
EXP(x) Exponenţială e
SIN(x) Sinus sin x
COS(x) Cosinus cos x
TAN(x) Tangentă tg x
ASIN(x) Arc sinus arcsin x
ACOS(x) Arc cosinus arccos x
ATAN(x) Arc tangentă arctg x
ABS(x) Modul x
Notaţie PSPICE Denumirea funcţiei Funcţia matematică
= -1, pt. X < 0
SGN(x) Semnul
= 1, pt. X > 0
= 0, pt. X < = 0
STEP(x) Treaptă
= 1, pt. X > 0
SINH(x) Sinus hiperbolic sinh x
COSH(x) Cosinus hiperbolic cosh x
TANH(x) Tangentă hiperbolică tanh x
+ Adunare +
- Scădere -
* Înmulţire X
/ Împărţire /
Dacă t este adevărată,
IF(t,x,y) if then else
atunci x, altfel y
Exemplu de definire a funcţiilor Minimul şi Maximul a două semnale A şi B
(tensiuni sau curenţi) care fac apel la funcţia predefinită modul (ABS):
.FUNC MIN(A,B) A+B-ABS(A+B)/2
.FUNC MAX(A,B A+B+ABS(A+B)/2
Pentru utilizarea uşoară a funcţiilor definite de utilizator se recomandă ca toate
instrucţiunile de definiţie de tip .FUNC să fie salvate într-un fişier text special,
care să fie inclus în cadrul fişierului text de intrare cu ajutorul comenzii INCLUDE.
Forma generală de definire a generatoarelor de tip expresie matematică este:
Enume N+ N- VALUE ={expresie de comnadă}
Gnume N+ N- VALUE ={expresie de comnadă}
Definirea legii de comandă a surselor trebuie făcută cu precauţie, deoarece
analiza pierde convergenţa în momentul în care valoarea numerică a funcţiei
depăşeşte gama maximă permisă de algoritmii simulatorului. Sunt interzise
situaţiile în care numitorul unui raport de semnale sau argumentul unui logaritm
devine nul.
Aproximarea pe porţiuni a legii de control se efectuează utilizând surse
comandate de tip tabel (ETABLE şi GTABLE).
Astfel de surse sunt utile atunci când se cunoaşte forma grafică a legii de
comandă, însă nu se poate determina cu uşurinţă expresia matematică a
acesteia.
Forma generală de definiţie a generatoarelor de tip tabel este:
Enume N+ N- TAVLE {expresie intrare} = (intrre1, Vout1)(intrare2, Vout2) . . .
Gnume N+ N- TAVLE {expresie intrare} = (intrre1, Iout1)(intrare2, Iout2) . . .
unde ca expresie de intrare poate fi considerată orice tensiune sau curent din
circuit, eventual o combinaţie între acestea.
Definirea legii de control se efectuează punct cu punct, unde (intrare*, Vout*) şi
(intrare*, Iout*) sunt coordonatele puctelor corespunzătoare. La stânga primului
punct şi la dreapta ultimului punct introdus, caracteristica de comandă este
considerată orizontală, iar între punctele succesive introduse, caracteristica este
interpolată liniar.
Exemplu: modelul simplificat al unui amplificator operaţional conectat între
nodurile IN+, IN- şi OUT, ce are amplifiacrea de 105, iar ieşirea se saturează la
valoarea -10V, respectiv 10V
EAO OUT 0 TABLE {V(IN+, IN-)} (-100UV,10V)
Precizia cu care se realizează modelarea depinde de numărul de puncte de pe
caracteristica de transfer ce sunt specificate. Se recomandă ca numărul de
puncte să fie mai mare în regiunile puternic neliniare şi mai mic în regiunile
aproximativ liniare.
Sursele comanadate de tip TABEL sunt utile în modelarea dispozitivelor cu două
terminale, care prezintă regiuni cu rezistenţă sau conductanţă negativă. Astfel de
dispozitive sunt complet descrise de caracteristica volt-amper, ce poate fi
modelată direct cu ajutorul unei surse de tip TABLE.
Dispozitivele cu caracteristică V-I de tip S (univocă în curent), pot fi modelate cu
surse de tip ETABLE, iar dispozitivele cu caracteristivcă V-I de tip N (univocă în
tensiune) pot fi modelate cu surse de tip GVALUE.
 Modelarea comportamentală în domeniul frecvenţă

Permite două modalităţi de definire a legilor de comandă:

- utilizând expresia funcţiei de transfer în domeniul Laplace sau
- utilizând diagramele Bode modul-frecvenţă şi fază – frecvenţă.
Introducerea funcţiei de transfer prin intermediul expresiei matematice în domeniul
Lapalace se efectuează cu ajutorul surselor comandate ELAPLACE şi
GLAPLACE.
Forma generală a instrucţiunilor de definiţie a acestora este:
Enume N+ N- LAPLACE {expresie intrare} = {funcţie în S}
Gnume N+ N- LAPLACE {expresie intrare} = {funcţie în S}
unde funcţia de transfer în S poate fi atât o lege polinomială, cât şi o lege neliniară
construită cu ajutorul funcţiilor matematice predefinite.

Exemplu, un filtru ce are amplificarea în curent continuu egală cu 40, un zerou şi

trei poli:
EFILTRU OUT 0 LAPLACE {V(IN)}={1000000*(S+1)/(S+10)*(S+100)*(S+250))}
 Modelarea funcţiei de transfer prin aproximarea liniară a caracteristicilor Bode

modul – frecvenţă şi fază - frecvenţă se realizează cu ajutorul surselor comandate

EFREQ şi GFREQ.
Forma generală a instrucţiunilor de definiţie a acestora este :
Enume N+ N- FREQ{expresie intrare} = (frecvenţă1,modul1,fază1)
+ (frecvenţă2,modul2,fază2) . . .

Gnume N+ N- FREQ{expresie intrare} = (frecvenţă1,modul1,fază1)

+ (frecvenţă2,modul2,fază2) . . .
unde valoarea modulului se precizează în dB, iar valoarea fazei în grade, eventual
minute.
Exemplu: un filtru trece jos pentru care caracteristicile Bode au fost aproximate prin
trei segmente de dreaptă
EFTJ OUT FREQ(V(IN))=(0,0,0) (50kHz,0,57’60) (6kHz,60,-69’125)
sursele de tip FREQ sunt utile în modelarea unor blocuri pentru care nu se cunoaşte
expresia analitică a funcţiei de transfer în domeniul Laplace, dar se cunoaşte gabaritul
diagramelor Bode.
 Tehnici de macromodelare comportamentală

Dezvoltarea unui macromodel SPICE pentru dispozitivele ce nu au modele

intrinseci corspunzătoare comportă în general parcurgerea a două etape:
- dezvoltarea modelului matematic al dispozitivului şi eventuala aproximaţie a
ecuaţiilor interne puternic neliniare prin expresii simulabile SPICE,
- implementarea modelului matematic cu ajutorul surselor de tensiune şi curent
comandate neliniar.

Metodele de macromodelare comportamentală se disting prin modul în care

sunt modelate SPICE ecuaţiile modelului matematic:
- aproximaţia polinomială
- aproximaţia liniară pe porţiuni
- modelarea analitică.
 Aproximaţia polinomială

constă în modelarea unei legi de variaţie neliniară de tipul y = f(x) prin

intermediul unei legi de tipul polinomial. Baza matematică a acestei aproximaţii
este dezvoltarea în serie Taylor:

y f x f 0 x f 'x /x 0  x 2 f "x /x 0 

a0 a1x a2x 2 
Cu cât gradul polinomului este mai mare,cu atât şi precizia de simulare este
mai ridicată
Există două posibilităţi de specificare a surselor comandate cu legi de tip
polinomial:
- utilizând surse de tip POLY, acceptată de toate simulataorele compatibile
SPICE
- utilizând surse de tip VALUE, care sunt acceptate doar de către
simulataorele SPICE care au facilităţi ABM.
 Aproximarea liniară pe porţiuni

Constă în descrierea unei legi de variaţie neliniară de tipul y = f(x), prin intermediul
unor surse de tip TABLE. Această metodă se aplică în cazul în care pentru un
anumit fenomen se cunosc rezultatele experimentale date sub formă de
caracteristici grafice, însă nu s-a dezvoltat încă un model matematic
corespunzător. Astfel de dependenţe grafice pot fi modelate PSPICE prin simpla
specificare a coordonatelor punctelor măsurate experimental, între care
simulatorul efectuează o interpolare liniară.

Modelarea analitică

Presupune existenţa în prealabil a unui model matematic pentru dispozitivul

considerat,acărui ecuaţii sunt implementate direct prin intermediul unor surse
comnadate de tensiune şi curent de tipul “expresie matematică” (VALUE).
EXEMPLE de MACROMODELARE
COMPORTAMENTALĂ
 Macromodelul comportamental al diodelor de putere

Schema electrică echivalentă a Anod

macromodelului comportamental analitic al
diodelor de putere, în care sarcinile sunt
modelate cu ajutorul unor surse de tensiune
comandate neliniar.
Gid
Elementele componente: +
- Dioda Dcap, modelează capacitatea de - Dcap
barieră a diodei de putere prin intermediul
parametrilor CJO şi MJ. Curentul de saturaţie
este considerat foarte redus (IS=1E-21A),
astfel încât curentul diodei Dcap este V(Qtrans) V(Qdrift) Rs
neglijabil; Etrans Edrift Edirect
- rezistenţa Rs, modelează atât rezistenţa + + + + + +
ohmică a terminalelor, cât şi rezistenţa - - - - - -
regiunilor de semiconductor puternic dopate
(N+ şi P+), ele sunt independente de
valoarea curentuzlui prin diodă; Vcurent
- sursa de tensiune nulă Vcurent măsoară
Catod
curentul total prindioda de putere;
- Sursa de tensiune Etrans de tip VALUE modelează sarcina de purtători mobili
din regiunea d etranziţie a diodei:  V 
 1 
 N Vt 
Qtranzit  IS  TAU  e
V (Qtranyit )  Etranzit  IS  TAU  EXPV 1,2  / N Vt   1
unde IS este curentul de saturaţie, TAU este timpul mediu de viaţă al
purtătorilor înexces, N este coeficientul de emisie aldiodei de putere:
- Sursa de tensiune Edrift de tip VALUE, modelează sarcina d epurtători mobili
din regiunea de drift:
Qtrans dQtrans TT  TAU
Qdrift   
TT dt TT  TAU
V Qdrift   Edrift  V Qtranzit  / TT  DDT V Qtranzit  TT  TAU  / TT  TAU 

unde TT este timpul de tranzit al purtătorilor minoritari prin regiunea dedrift.

Sarcina totală în diodă este dată de difernţa între sarcina din regiunea de
tranziţie şi cea din regiunea de drift, fiind modelată între cele două noduri
Qtrans şi Qdrift: Qtotal = QTRANS – Qdrift = V(Qtrans, Qdrift)
- Sursa de curent Gid modelează expresia curentului total prin dioda de putere:
Macomodelul ia în considerare:
- componenta clasică a curentului şi
- cea datorată sarcinii din regiunea de tranziţie şi cea din regiunea de drift.
- Sursa de tensiune Edirect modelează suoratensiunea ce apare pe diodă la
comutaţia directă; aceasta este cauzată de rezistenţa ridicată a regiunii de drift în
primele momente ale comutaţiei inverse. Această rezistenţă scade progresiv cu
creşterea valorii curentului prindiodă. Sursa Edirect modelează practic rezistenţa
neliniară a regiunii de drift, care este comandată de curentul prin diodă
Id = I(Vcurent):
N  Vt  Rdrift  TT  I Vcurent 
Edirect 
V Qdrift  Rdrif  N  Vt  TT
Unde Rdrift este rezistenţa regiunii de drift în absenţa curentului prin dispozitiv.
EXEMPLE de MACROMODELARE
COMPORTAMENTALĂ
 Macromodelul comportamental al diodelor de putere

Schema electrică echivalentă a Anod

macromodelului comportamental analitic al
diodelor de putere, în care sarcinile sunt
modelate cu ajutorul unor surse de tensiune
comandate neliniar.
Gid
Elementele componente: +
- Dioda Dcap, modelează capacitatea de - Dcap
barieră a diodei de putere prin intermediul
parametrilor CJO şi MJ. Curentul de saturaţie
este considerat foarte redus (IS=1E-21A),
astfel încât curentul diodei Dcap este V(Qtrans) V(Qdrift) Rs
neglijabil; Etrans Edrift Edirect
- rezistenţa Rs, modelează atât rezistenţa + + + + + +
ohmică a terminalelor, cât şi rezistenţa - - - - - -
regiunilor de semiconductor puternic dopate
(N+ şi P+), ele sunt independente de
valoarea curentului prin diodă; Vcurent
- sursa de tensiune nulă Vcurent măsoară
Catod
curentul total prin dioda de putere;
- Sursa de tensiune Etrans de tip VALUE modelează sarcina de purtători mobili
din regiunea de tranziţie a diodei:  V 
 1 
 N Vt 
Qtranzit  IS  TAU  e
V (Qtranyit )  Etranzit  IS  TAU  EXPV 1,2  / N Vt   1
unde IS este curentul de saturaţie, TAU este timpul mediu de viaţă al purtătorilor în
exces, N este coeficientul de emisie al diodei de putere:
- Sursa de tensiune Edrift de tip VALUE, modelează sarcina de purtători mobili din
regiunea de drift:
Qtrans dQtrans TT  TAU
Qdrift   
TT dt TT  TAU
V Qdrift   Edrift  V Qtranzit  / TT  DDT V Qtranzit  TT  TAU  / TT  TAU 

unde TT este timpul de tranzit al purtătorilor minoritari prin regiunea dedrift.

Sarcina totală în diodă este dată de diferenţa între sarcina din regiunea de tranziţie
şi cea din regiunea de drift, fiind modelată între cele două noduri Qtrans şi Qdrift:
Qtotal = QTRANS – Qdrift = V(Qtrans, Qdrift)
- Sursa de curent Gid modelează expresia curentului total prin dioda de putere:
Macromodelul ia în considerare:
- componenta clasică a curentului şi
- cea datorată sarcinii din regiunea de tranziţie şi cea din regiunea de drift.
- Sursa de tensiune Edirect modelează suora tensiunea ce apare pe diodă la
comutaţia directă; aceasta este cauzată de rezistenţa ridicată a regiunii de drift în
primele momente ale comutaţiei inverse. Această rezistenţă scade progresiv cu
creşterea valorii curentului prin diodă. Sursa Edirect modelează practic rezistenţa
neliniară a regiunii de drift, care este comandată de curentul prin diodă
Id = I(Vcurent):
N  Vt  Rdrift  TT  I Vcurent 
Edirect 
V Qdrift  Rdrif  N  Vt  TT
Unde Rdrift este rezistenţa regiunii de drift în absenţa curentului prin dispozitiv.
 Macromodelul comportamental al tranzistoarelor MOS de putere

Neajunsurile modelelor SPICE intrinseci ale tranzistoarelor MOS de putere:

- Ecuaţiile sunt discontinue la trecerea din regim liniar în regim saturat, aceasta
putând determina apariţia problemelor de convergenţă la analiza circuitelor de
comutaţie;
- nu este modelată variaţia rezistenţei regiunii de drift la nivele ridicate ale
curentului;
- nu este modelată scăderea transconductanţei tranzistorului la nivele ridicate de
curent;
- nu este modelată variaţia neliniară cu tensiunea la borne a capactăţii între
drenă şi grilă;
- nu este modelată străpungerea tranzistorului.
Macromodelarea structurală nu poate descrie fenomenele puternic neliniare
specifice dispozitivelor de putere. Acestea pot fi simulate cu ajutorul unui
macromodel comportamental ce combină tehnicile de modelare analitică cu cele
de aproximare polinomială sau liniară pe porţiuni.
Schema electrică echivalentă a macromodelului comportamental al
tranzistorului MOS de putere
Drenã

G r baz ã
+

E c gd Hc gd G c gd
+ +
+ + Cgd
- - - -

G ilin G is at
+ +

G rilã - -

Hc gd E gfs
+ + +
- - -

S urs ã
Modelul matematic al variaţiei curentului de drenă al unui tranzistor MOS de
putere, ce asigură continuarea la trecerea din regimul liniar în cel saturat este:
2
KPLIN VDS
KPLIN  VGS  VTO   VDS  
IDlin  KPSAT 2  1  LAMBDA  V 
DS
1  TEHTA  VGS  VTO 

KPLIN
pentru VDS  VGS  VTO 
KPSAT

KPSAT  VGS  VTO 2

IDSAT   1  LAMBDA  VDS 
2(1  TEHTA  VGS  VTO )

KPLIN
pentru VDS  VGS  VTO 
KPSAT

unde VTO este tensiunea de prag, LAMBDA este parametrul de modelare a

lungimii canalului cu tensiunea Vdx, THETA este parametrul de reducere a
mobilităţii purtătorilor în canal cu creşterea tensiunii de grilă, iar KPLIN şi KPSAT
sunt parametrii transconductanţei în regim liniar, respectiv de saturaţie a
curentului de drenă.
Aceste relaţii pot fi modelate analitic prin intermediul a două surse de curent
GVALUE de tip If-Then-Else conectate în paralel.
GilinVALUE  IFV G, S  VTO, IDlin,0
GisatVALUE  IFV D, S  Vk, IDsat,0

Variaţia rezistenţei regiuni de drift cu valoarea curentului de drenă este

aproximată prin intermediul unui polinom de gradul I. O astfel de rezistenţă
controlată în curent este modelată de către sursa de curent Grdrift comandată
pe o parte de tensiunea la borne, iar pe de altă parte de curentul de drenă:
Grdrift  V Grdrift   1  Krd  Hcurent  / Rd
V Grdrift  Rd
R drift  
Grdrift 1  Krd  Hcurent
unde Rd este rezistenţa în absenţa curentului prin dispozitiv, iar Krd este factorul
de modulare în curent,
Scăderea transconductanţei la valori ridicate ale curentului de drenă este
modelată prin introducerea în serie cu terminalul de sursă a unei rezistenţe
controlate de curentul de drenă, ce este modelat de către sursa de tensiune
comandată Egfs: Egfs  IEgfs  Rs  Krs  Hcurent 
Egfs
Rsechiv   Rs  Krs  Hcurent
IEgfs
Scăderea transconductanţei la valori ridicate ale curentului de drenă este
modelată prin introducerea în serie cu terminalul de sursă a unei rezistenţe
controlate de curentul de drenă, ce este modelat de către sursa de tensiune
comandată Egfs:
Egfs  IEgfs  Rs  Krs  Hcurent 
Egfs
Rsechiv   Rs  Krs  Hcurent
IEgfs

unde parametrul Krs se deduce din valoarea tensiunii grilă – sursă la care
transconductanţa gfs atinge valoarea maximă (d gfs / d Vgs = 0).

La valori reduse ale curentului, rezistenţa echivalentă a sursei Egfs este nulă,
tranzistorul prezentând transconductanţa din modelul clasic.

La nivele ridicate ale curentului de drenă, rezistenţa echivalentă a sursei Egfs

devine importantă, conducând la scăderea pronunţată a transconductanţei
tranzistorului.
Capacitatea parazită grilă – sursă poate fi considerată constantă, deoarece ea
este dată de capacitatea oxidului din regiunea de suprapunere a terminalelor
de grilă şi sursă.
Capacitate parazită grilă – drenă prezintă o variaţie puternic neliniară cu
tensiunea la borne.
Implementarea în SPICE a acestei variaţii se face prin intermediul unei surse
Ecgd de tip TABLE ce aproximează liniar pe porţiuni caracteristica
determinată experimental.
Capacitatea controlată în tensiune este modelată de sursa de curent Gcgd de
tip VALUE, care este comandată:
-de curentul prin capacitatea constantă de referinţă Cgd şi
- de tensiunea Ecgd care aproximează liniar liniar pe porţiuni variaţia
capacităţii u tensiunea Vgd. În acest mod sursa Gcgd este echivalentă cu o
capacitate comandată de tensiunea Vgd, a cărei lege de variaţie este descrisă
prin intermediul aproximării liniare pe porţiuni.
 Macromodelarea combinată a dispozitivelor semiconductoare de putere

Se apropie de modelul ”optim” al dispozitivelor, care oferă atât un timp rezonabil

de analiză, cât şi o precizie ridicată de simulare. Astfel de modele se pot utiliza în
simulări al nivel de componentă, cât şi în cele la nivel de sistem.
Macomodelarea combinată de tip comportamental - comutator a unui triac

Realizarea unui macromodel de tip triac prin gruparea antiparalel a două modele
de tip comutator ale tiristorului conduce la două dezavantaje:
- nu simulează funcţionarea în cadranele 2 şi 4 şi
- necesită un timp relativ ridicat de analiză, datorită numărului mare de elemente
componente.
Funcţionarea triacului în toate cele patru cadrane poate fi modelată cu ajutorul
unor surse de tip comportamental, comutaţia directă şi inversă fiind descrisă în
continuare cu ajutorul unor dispozitive de tip comutator, ce asigură un timp scăzut
de analiză.
 E1

E c om 1_2
S tria c 1 _ 2 E c om 3_4
S tria c 3 _ 4
+ + + + + + + +
- - - - - - - -

Hc gd
P oartã + V ac
-

Modelul combinat al triacului este alcătuit din: E2

- sursa de tensiune Ecom1_2 de tip VALUE, ce modelează rămânerea în

starea ON a dispozitivului după dispariţia comenzii pe poartă, la funcţionarea în
cadranele 1 şi 2;
- sursa de tensiune Ecom3_4 de tip VALUE, ce modelează rămânerea în
starea ON a dispozitivului după dispariţia comenzii pe poartă, la funcţionarea în
cadranele 3 şi 4;
 comutatorul Striac1_2, controlat de tensiunea Ecom1_2, ce modelează
comutaţia triacului în cadranele 1 şi 2 (la polarizare directă);
- comutatorul Striac3_4 controlat de tensiunea Ecom3_4, ce modelează
comutaţia triacului în cadranele 3 şi 4 (la polarizare inversă);
- sursa Hpoartă, care măsoară curentul de comandă pe poartă ce este utilizat în
comanda surselor Ecom1_2 şi Ecom3_4:
- sursa de tensiune nulă Vanod ce măsoară curentul anodic.
Cele două comutatoare au rezistenţa ROFF egală cu dublul rezistenţei
corespunzătoare curentului de scurgere al triacului, iar rezistenţa RON dată de
tensiunea între cei doi electrozi ai triacului, la valoarea tipică a curentului pentru
aplicaţia dată.
Expresia de comandă a sursei de tensiune Ecom1_2 de tip If-Then-Else este:
Ecom1 _ 2 VALUE 
IFABSIVpoartă   IGF, STEPV E1,E2 * STEPIVanod  ABSIVpoartă  IH,0
Condiţia ABS(I(Vpartă)>IGF sesizează depăşirea pragului IGF de comutaţie la
polarizare directă, atât pentru curenţi pozitivi cât şi pentru curenţi negativi pe
poartă.
Expresia STEP(V(E1,E2)) este egală cu 1 la polarizarea directă şi egală cu 0 la
polarizarea inversă a triacului.
Atunci când se aplică un curent de comandă pe poartă (pozitiv sau negativ),
expresia
STEP( I (Vanod)+ABS( I (Vpoartă))-IH)
devine egală cu 1, iar dacă triacul este polarizat direct, sursa Ecom1_2
furnizează o tensiune de 1V, superioară pragului de închidere al comutatorului
Striac1_2. În consecinţă triacul intră în conducţie.
Apariţia unui curent anodic important va determina rămânerea expresiei
STEP( I (Vanod)+ABS( I (Vpoartă))-IH) = 1,
chiar şi după dispariţia comenzii de poartă. Ca urmare şi triacul rămâne în
starea ON.
Blocarea triacului se produce atunci când curentul anodic scade sub valoarea
de menţinere IH şi expresia
STEP( I (Vanod)+ABS( I (Vpoartă))-IH) =0.
Ca urmare tensiunea Ecom1_2 devine nulă şi comutatorul Etriac1_2 se
deschide.
În mod analog este modelată funcţionarea triacului în cadranele 3 şi 4 prin
intermediul sursei de tensiune Ecom3_4 şi a comutatorului Striac3_4.
Îmbinarea simplicităţii modelelor de tip comutator cu precizia şi flexibilitatea de
definiţie a surselor de tip comportamental, a dus la obţinerea unui model combinat
deosebit de eficace, care conduce la o precizie de simulare superioară celei din
cazul macromodelelor de tip comutator.
 Macromodelarea combinată de tip structural - comportamental

Macromodelul structural al IGBT prezentat anterior are dezavantajul că nu

modelează corect scăderea transconductanţei şi variaţia rezistenţei regiunii de
drift la valori ridicate ale curentului prin dispozitiv, precum nici variaţia neliniară a
capacităţii grilă – drenă a tranzistorului MOS din structura echivalentă.
Macromodelul structural al IGBT este perfecţionat prin introducerea unor surse
comandate de tip comportamental, care modelează efectele secundare.