TIRISTOARE CU STINGERE PE POARTA

1. Introducere

Tiristoarele pot fi considerate un comutator ideal pentru utilizarea în aplicaţii

electronice de putere. Ele pot bloca tensiuni înalte (câteva mii de volţi) în stare de blocare
şi pot conduce curenţi mari (câteva mii de amperi) în stare de conducţie cu doar o mică
cădere de tensiune în stare de conducţie (câţiva volţi). Cea mai utilă este capabilitatea lor
de a fi conectaţi când dorim prin intermediul unui terminal de comandă aplicat pe poarta
tiristorului.
Totuşi, tiristorul are o deficienţă serioasă ce impiedică utilizarea sa în aplicaţiile de
comutaţie: inabilitatea de a dezamorsa dispozitivul prin aplicarea unui semnal de
comandă pe poarta tiristorului. Includerea unei capabilităţi de dezamorsare într-un tiristor
necesită modificări ale dispozitivului şi unele compromisuri în capabilităţile funcţionale
ale dispozitivului. Tiristoarelor ce au o capabilitate de stingere pe poartă sunt numite
tiristoare cu stingere pe poartă, prescurtat de GTO.

2. Structura de bază şi caracteristici I-V

Secţiunea verticală printr-un GTO cu o structură poartă-catod puternic intercalată

este prezentată în fig.1. GTO păstrează structura de bază cu patru straturi a tiristorului şi
profilul său de dopare. Grosimea stratului bazei p2 este în general ceva mai mică la un
GTO decât la un tiristor convenţional.
Există trei diferenţe semnificative între un GTO şi un tiristor conventional. Prima,
structurile de poartă şi catod sunt puternic intercalate, fiind utilizate diverse tipuri de
forme geometrice pentru a configura porţile şi catozii, inclusiv structuri complicate în
enolventa. Scopul principal este de a maximiza periferia catodului şi de a minimiza
distanţa de la poartă la centrul regiunii catodului.
A doua, ariile catodului sunt de obicei formate prin corodarea siliciului din jurul
catozilor astfel încât ei să apară ca insule sau mesa (fig.1). Când GTO este capsulat,
insulele de catod sunt conectate direct cu un radiator de metal, care de asemenea
formează conexiunea catodului cu lumea de afară.
A treia, diferenţa majoră se remarcă în regiunea anodului GTO-ului. La intervale
regulate, regiunea n+ penetrează anodul de tip p (stratul p1 ) pentru a face contact cu
regiunea n- ce formează stratul bazei n1. Regiunile n+ sunt acoperite cu aceeaşi metalizare
care face contact cu anodul de tip p rezultând aşa numitul anod în scurtcircuit (fig.1).
Structura cu anod în scurtcircuit este utilizată pentru a accelera stingerea GTO-ului.
Unele GTO-uri sunt fabricate fără anodul în scurtcircuit astfel încât dispozitivul poate
bloca tensiunile inverse.

Fig.1

Fig.2

Caracteristica i-v a GTO-ului în sens direct este identică cu cea a unui tiristor
convenţional. Totuşi, în sens invers, GTO nu are virtual capabilitate de blocare din cauza
structurii cu anodul în scurtcircuit. Singura joncţiune care blochează în sens invers este
joncţiunea J3, şi are o tensiune de străpungere destul de scăzută (de obicei 20-30V) din
cauza densităţilor de dopare mari în ambele părţi ale joncţiunii. Simbolul pentru GTO
este prezentat în fig.2. Convenţia cu săgeata în două sensuri pe poartă s-a făcut pentru a
distinge GTO de tiristorul convenţional.
 3. Principiile fizice ale funcţionării la deconectare

3-1 Amplificare la deconectare

Funcţionarea de bază a GTO este aceeaşi cu cea a tiristorului convenţional.

Principalele diferenţe dintre cele două dispozitive constau în modificările realizate în
structura de bază a tiristorului pentru a realiza capabilitatea de stingere pe poartă.

Fig.3 Model simplificat de tiristor: circuit echivalent al unui tiristor cu două

Un punct de plecare convenabil pentru aprecierea diferenţei dintre structura GTO

şi a tiristorului convenţional şi ce compromisuri referitoare la performanţe trebuie făcute
este de a analiza condiţiile de deconectare la modelul cu doi tranzistori a tiristorului din
fig.23-3b. În circuitul echivalent, atât cât Q1 cât şi Q2 sunt saturaţi atunci când tiristorul
este în conducţie. Totuşi, dacă curentul de bază al lui Q 2 poate fi făcut rapid mai mic
decât valoarea necesară pentru menţinerea saturaţiei (IB2<IC2/2), atunci Q2 poate deveni
activ şi tiristorul va începe să se dezamorseze din cauza acţiunii regeneratoare prezente în
circuit atunci când unul sau ambele tranzistoare sunt active.
Utilizand circuitul echivalent din Fig.23-3b putem să-l scriem pe IB2 în funcţie de
curenţii la terminalele tiristorului ca:
IB2 = 1IA - I’G (1)
unde I G este negativul curentului normal de poartă. Din circuitul echivalent reiese că un
’

curent negativ de poartă I’G este singura modalitate prin care Q2 poate fi saturat. Curentul
de colector IC2 poate fi exprimat ca:
 IC2 = (1 - 1)IA (2)
Înlocuind în inegalitatea IB2<IC2/2 cu 2 = 2/(1 - 2) şi utilizând ecuaţiile (1) şi (2)
rezultă:
(3)
Parametrul off este amplificarea la deconectare şi este dat de:
(4)

3-2 Modificări structurale şi compromisuri referitoare la performanţe

necesare

Primul pas în transformarea unui tiristor convenţional într-un GTO este de a face
amplificarea la deconectare cât mai mare posibil astfel încât valorile prea mari ale
curentului negativ de poartă să fie evitate. Aceasta înseamnă că 2 trebuie să fie aproape
de unitate şi 1 trebuie să fie mic. Pentru ca 2 să fie aproape de unitate trebuie utilizat un
strat p2 îngust pentru tranzistorul npn Q2 şi o dopare puternică a stratului catodului n2
(emitorul lui Q2). Aceştia sunt aceeaşi paşi necesari pentru a obţine o valoare mare a lui
beta la un BJT convenţional şi ei sunt paşii normali utilizaţi la fabricarea unui tiristor
convenţional.
Pentru a-l face pe 1 mic, stratul n1 al tiristorului (baza tranzistorului Q1) trebuie
făcut cât mai gros posibil şi durata de viaţă a purtătorilor din acest strat trebuie să fie
scurăa. Un strat n1 gros este standard la fabricarea tiristoarelor din cauză că acest strat
trebuie să se adapteze cu stratul de golire al jonctiunii J2 în timpul funcţionării
dispozitivului în starea de blocare în sens direct. Totuşi, necesitatea unei durate de viaţă
lungi pentru a minimiza disiparea de putere în stare de conducţie în acestă regiune. Pentru
a realiza acţiunea de stingere pe poartă, trebuie acceptată o reducere a duratei de viaţă a
purtătorilor şi, în consecinţă, un GTO va avea o cădere mai mare de tensiune în stare de
conducţie la un nivel de curent dat decât un tiristor convenţional.
Din fericire cerinţele ce intră în conflict sunt rezolvate în mod substanţial de către
structura cu anod în scurtcircuit din fig.1. Pentru ca GTO să se stingă, purtătorii în exces,
în special golurile, trebuie îndepărtaţi din stratul n1 . Distribuţia iniţială de purtători în
exces la începutul deconectării este prezentată în fig.23-4. Din cauza structurii cu anod
scurtcircuitat, nu pot fi tensiuni anod-catod inverse şi deci curenţi de anod inverşi care să
îndepărteze purtătorii în exces prin transportul purtătorilor. Unica modalitate de a
îndepărta purtătorii în exces este prin recombinare internă şi prin difuzie. Din nefericire,
structura tiristorului convenţional arătată în fig.23-4 împreună cu distribuţiile de purtători
suprimă difuzia golurilor din stratul n1 din cauză că fiecare parte a acestui strat este o
regiune de tip p puternic dopată unde densităţile de goluri la echilibru sunt mai mari decât
densitatea golurilor în exces din regiunea n1. Aceasta suprimă difuzia golurilor din stratul
n1 într-unul din cele două straturi de tip p (p1 si p2). Prin urmare, unica modalitate de a
îndepărta golurile este prin recombinare internă.
Totuşi, regiunile n+ din structura anodului GTO îndepărtează bariera pentru difuzia
golurilor şi asigură un absorbant pentru golurile în exces. Aceasta permite ca difuzia
golurilor să aibă loc la o viteză substanţială astfel încât golurile în exces din stratul n1
sunt îndepârtate cel puţin prin difuzie şi prin recombinare internă. Rezultatul net este că
sarcina stocată totală este îndepărtată mult mai repede pe durata dezamorsării
dispozitivului şi GTO are deci şi o deconectare mai scurtă aşa cum se doreşte şi timpi de
recuperare în sens direct mai mici comparativ cu tiristorii convenţionali fără să-şi
compromită sever pierderile în stare de conducţie. Această structură cu anodul
scurtcircuitat este astfel eficientă pentru reducerea timpilor de deconectare şi de
recuperare încât este uneori utilizată în structuri speciale de tiristoare numite tiristoare ce
conduc în sens invers (RTC-uri), ce au timpi scurţi de dezamorsare şi de recuperare ca şi
GTO dar nu pot fi dezamorsate de un curent negativ de poartă din cauză că unele din
celelalte modificări structurale necesare nu sunt incluse.
Modificarea esenţială pentru capabilitatea de stingere pe poartă este utilizarea unor
structuri puternic intercalate de poartă şi catod care minimizează căderile de tensiune
laterală în stratul p2 în timpul conectării şi deconectării. Astfel de căderi de tensiune
laterală sunt remarcabile în special la structurile de tiristoare convenţionale. Astfel de
căderi de tensiune laterală duc la probleme de aglomerare a curentului şi limitări de di/dt.
Totuşi, utilizarea structurilor poartă-catod puternic intercalate, ce au distante relativ
scurte între contactele de poartă şi centrul regiunilor catodului, minimizează aceste
probleme. Necesitatea unei astfel de intercalări este o consideraţie bidimensională ce nu a
fost anticipată de modelul unidimensional cu doi tranzistori. Pentru a evita căderi de
tensiune semnificative pe metalizarea porţii cu curenţi mari de stingere pe poartă,
contactele cu metalul porţii sunt uniform distribuite pe suprafaţa plachetei.

4 Caracteistic de comutaţie ale GTO

GTO-urile trebuie utilizate în mod normal cu circuite de protecţie. Orice descriere

realistă a comportării la comutaţie a GTO-ului trebuie să includă efectele circuitelor de
protecţie.
Formele de undă la comutaţie a circuitul convertor coborâtor care utilizează GTO-
ul ca element de comutaţie sunt prezentate în fig.3. Este important de realizat ca GTO-
urile sunt utilizate doar în aplicaţiile de medie şi înaltă putere unde nu numai nivelele de
tensiune mari ci şi alte componente semiconductoare care pot fi utilizate în asociaţie cu
GTO-urile sunt mai lente. Astfel, dioda de regim liber prezentată în fig. 23-4 nu va fi o
diodă de recuperare foarte rapidă. Pe de altă parte, GTO va avea un timp rapid de creştere
a curentului la conectare comparativ cu timpul de recuperare în sens invers al diodei din
cauza structurii poartă-catod puternic intercalate a GTO-ului. Consecinţa acesteia este că
fără circuite protectoare, pot să circule supracurenţi foarte mari atât prin GTO cât şi prin
diodă din cauza recuperării în sens invers relativ lente a diodei. Aşadar, inductorul
circuitului de protecţie prezentat în fig.3 este inclus în circuit cu rol de a conecta circuitul
de protecţie.
Când GTO este deconectat, viteza de creştere a tensiunii poartă-catod dv/dt trebuie
să fie limitată la nivelele specificate. Astfel declanşarea GTO din nou în stare de
conducţie poate avea loc ca şi pentru tiristoarele convenţionale. Din această cauză este
inclus în circuitul de comutaţie un circuit de protecţie la deconectare (fig.3). Un circuit de
comandă a porţii capabil să întrunească condiţiile de poartă recomandate sugerate de
către fabricanţii de tiristoare GTO este prezentat în fig.4.

4-2 Regim tranzitoriu la amorsarea GTO-ului

Când GTO din fig.3 este blocat, curentul circulă liber prin dioda Df . Amorsarea
este iniţiată de impulsul de curent pe poartă (fig.5). Secvenţa evenimentelor ce se
desfăşoară în interiorul GTO în timpul procesului de conectare este în esenţă aceeaşi ca
cea descrisă la tiristorul convenţional. La amorsare atât viteza de creştere a curentului de
poartă diG/dt cât şi valoarea de vârf a curentului de poartă trebuie să fie mari pentru a
asigura ca toate insulele catodului încep să conducă şi că este o bună repartizare dinamică
a curentului de anod. Astfel doar un mic număr de insule pot transporta curentul total şi
poate avea loc o ambalare termică localizată, ce poate avea ca efect distrugerea GTO-
ului.
O valoare IGM mare este furnizată pentru o perioadă destul de mare de timp, de
exemplu 10 s, pentru a asigura ca procesul de amorsare este încheiat. După terminarea
amorsării, trebuie să circule un curent de poartă cuntinuu minim IGT pe toată durata
conducţiei pentru a preveni o blocare nedorită. Curentul IGT este uneori numit “umbra
posterioară” a curentului. Dacă curentul de poartă este zero şi curentul de anod devine
prea mic, unele din insulele catodului nu mai conduc şi dacă curentul de anod creşte
ulterior, insulele conductoare rămase pot să nu fie capabile să facă faţă curentului şi
GTO-ul poate să fie distrus prin ambalare termică.
Impulsul iniţial mare al curentului de poartă este furnizat de circuitul de comandă
al porţii din fig.4 prin amorsarea ambilor tranzistori TG1 şi TG2. Inductanţa parazită din
circuitul pozitiv de comandă a porţii trebuie menţinută la minim pentru a obţine o valoare
mare diG/dt la amorsare. După durata de timp tw1, curentul de poartă este redus de la IGM la
IGT prin blocarea lui TG1.
 Pe durata creşterii curentului de anod, tensiunea de intrare este divizată între
inductanţa circuitului de protecţie în conducţie şi GTO. Dacă di/dt a curentului de anod
este limitat de către această inductanţă din cauza valorii sale mari, atunci tensiunea pe
GTO va scădea rapid la o valoare destul de joasă (fig.5). Supracreşterea curentului de
anod provine de la recuperarea în sens invers a diodei de regim liber Df.

4-3 Regimul tranzitoriu la stingerea GTO

GTO este blocat prin aplicarea unui curent negativ mare pe poartă (fig.6). Formele
de undă rezultante pentru GTO-ul din circuitul din fig.3 sunt prezentate în fig.6. Există
mai multe intervale distincte pe timpul stingerii.
Circuitul de comandă a porţii din fig.4 furnizează curentul negativ de poartă prin
amorsarea tranzistorului TG3. Curentul de poartă trebuie să fie foarte mare, de ordinul 1/5 –
1
/3 (corespunzător la amplificări la blocare de 3-5ori) a curentului de anod ce este blocat,
dar din fericire acest curent negativ mare este necesar doar pentru un timp relativ scurt.
MOSFET-urile de tensiune joasă sunt o alegere aproape ideală pentru TG3. diG/dt negativ
trebuie să fie mare pentru a avea un timp de stocare scurt şi un timp scurt de scădere a
curentului de anod şi de a reduce disiparea de putere pe poartă. Totuşi, o valoare prea
mare a diG/dt negativ va avea ca efect un curent de amortizare de anod. Prin urmare,
diG/dt trebuie să fie menţinut în domeniul specificat de către fabricantul dispozitivelor.
diG/dt negativ este comandat de către VGG  şi LG şi porţiunea de comandă a porţii
negative din circuitul din fig.4. Aici VGG  trebuie să fie ales mai mic decât tensiunea de
străpungere a joncţiunii poartă-catod. Cunoscând VGG  , LG este selectat pentru a da diG/dt
specificat. Pentru GTO mari, inductanţa de pierderi în circuitul negativ de comandă a
porţii poate fi egală cu LG necesar.
Pe durata primului interval de timp, timpul de stocare ts, curentul negativ de poartă
ce creşte înlătură sarcina stocată în straturile p2 şi n2 la periferia insulelor catodului
(fig.7). Pe măsură ce sarcina stocată continuă să fie îndepărtată de la periferie, mărimea
regiunii libere de plasmă creşte şi ea se extinde în direcţie laterală spre centrele insulelor
catodului cu aşa numita viteză de comprimare. În esenţă această îndepărtare a plasmei
este inversă modului în care s-a format în timpul conducţiei. Când o cantitate suficientă
de sarcină stocată a fost îndepărtată, acţiunea regeneratoare în GTO se termină şi curentul
de anod începe să scadă. Aceasta marchează sfârşitul intervalului de timp de stocare.
Odată ce acţiunea regeneratoare a GTO s-a terminat, curentul de anod începe să
scadă rapid. Curentul Io  iA comută la condensatorul Cs al circuitului de protecţie la
stingere, care este destul de mare în aplicaţiile GTO. Are loc simultan o creştere rapidă a
tensiunii pe GTO din cauza inductanţei de pierderi din bucla circuitului de protecţie la
stingere. Această inductanţă de pierderi (L în fig.3) trebuie menţinută la minim pentru a
menţine vârful impulsului de tensiune pe durata intervalului timpului de scădere a
curentului de anod la o valoare specificată. Intervalul de timp de scădere a curentului de
anod tfi se termină când purtătorii în exces la joncţiunea poartă-catod au fost transportaţi
şi joncţiunea îşi recuperează capabilitatea de blocare în sens invers.
Pe măsură ce joncţiunea poartă-catod îşi recuperează capabilitatea de blocare în
sens invers, tensiunea poartă-catod începe să crească către valori negative şi curentul
negativ de poartă începe astfel să descrească rapid ca amplitudine (fig.6). Tensiunea
indusă în inductanţe LG forţează curentul de sarcină să circule în continuare şi joncţiunea
poartă-catod ajunge la străpungere în avalanşă. Joncţiunea poartă-catod funcţionează
acum ca o dioda zenner şi diG/dt în acest interval se obţine cu
(5)
Această străpungere în avalanşă este de dorit pentru o durată scurtă tw2 (timpul de
străpungere în avalanşă a joncţiunii poartă-catod) pentru a transporta cât mai multă
sarcină stocată posibil de la poartă şi din stratul p2. Acest interval depinde de diG/dt, care
este comandat prin alegerea lui LG si VGG . Intervalul tw2 trebuie menţinut mai mic decât o
valoare maximă specificată pentru a evita distrugerea joncţiunii poartă-catod.
La sfârşitul intervalului tw2 va mai fi încă sarcină stocată în exces în cele două
regiuni ale bazei (straturile n1 şi p2) GTO-ului. Un curent mic de anod, de obicei numit
curent de amortizare de anod va continua să circule între anod şi poarta polarizată
negativ, care se datorează transportării sarcinii stocate rămase. Acest curent este
comandat de către diferenţa de tensiune în creştere dintre anod şi poartă. Intervalul de
timp în care circulă acest curent de amortizare este numit timp al curentului de anod de
amortizare ttail. În cea mai mare parte a intervalului de amortizare, tensiunea porţii este
VGG , valoare pe care o va avea pe durata intregului interval de deconectare.
Pe durata intervalului de amortizare, tensiunea pe GTO creşte cu o viteză constantă
dată de
(6)
Acest interval are o contribuţie majoră la pierderile la deconectare din cauză că
acest interval este relativ lung şi tensiunea pe GTO în acest interval este destul de mare.
Supratensiunea la deconectare, redată în forma de undă a tensiunii anod-catod din
fig.6 se datorează inductanţei parazite din circuitul de putere. Supratensiunea anod-catod
poate fi redusă cu ajutorul unui circuit de protecţie la supratensiune.

4-3 Timpi minimi în stare de conducţie şi în stare blocată

 Se recomandă ca GTO-ul să fie amorsat până când nu a fost blocat un timp
specificat din cauza posibilităţii unei repartiţii slabe de curent între diversele insule ale
catodului. Unii purtători minoritari în exces vor rămâne în GTO timpi destul de lungi din
cauza duratelor lor de viaţă lungi şi aceşti purtători rămaşi vor face ca puţinele insule ale
catodului din vecinătatea purtătorilor să aibă o caracteristică de conducţie mai bună decât
restul insulelor de catod. Aşadar, dacă se încearcă amorsarea înainte ca toţi purtătorii să
se fi recombinat sau să fie transportaţi, atunci cea mai mare parte a curentului va fi
transportată de aceste câteva insule (repartiţie slabă de curent) şi poate avea loc
distrugerea dispozitivului.
În mod similar, GTO trebuie menţinut în stare de conducţie o perioadă specificată
de timp înainte ca dezamorsarea să fie iniţiată. Din nou, motivul este că altfel poate fi o
repartiţie slabă de curent între diversele insule ale catodului.
Proiectantul circuitului trebuie de asemenea să recunoască că circuitele de protecţie
la amorsare şi la stingere necesită un timp minim de blocare şi respectiv un timp minim
de amorsare pentru a funcţiona corect.

4-5 Curent de anod maxim controlabil

Purtătorii în exces, în special cei din stratul p2 reprezintă sursa de purtători pentru
curentul negativ de poartă. Pe măsură ce curentul negativ de poartă creşte şi regiunea de
plasmă liberă creşte (fig.7), apare o tensiune substanţială pe joncţiunea poartă-catod din
cauza circulaţiei laterale a curentului de poartă în stratul p2. Tensiunea pe joncţiune este
cea mai mare la periferia catodului aproape de contactul de poartă. Dacă tensiunea
depăşeşte tensiunea de străpungere a joncţiunii, atunci curentul negativ de poartă va
circula doar la periferia catodului unde a avut loc străpungerea şi nici una din sarcinile
stocate nu este îndepărtată şi deci GTO nu va fi blocat. Din acest motiv, tensiunea VGG
trebuie menţinută mai mică decât tensiunea de străpungere a joncţiunii poartă-catod.
Limitarea referitoare la tensiunea negativă poartă-catod înseamnă că există un
curent maxim de poartă ce poate fi la ieşirea GTO-ului. Pe măsură ce îndepărtarea
sarcinii stocate intră în faza finală, regiunea purtătorilor în exces s-a restrâns la o arie
mică lângă centrul insulelor catodului şi este cea mai mare distanţă de la contactul de
poartă. În aceste condiţii, tensiunea inversă pe joncţiune atinge valoarea sa maximă.
Rezistenţa ohmică laterală prezentată în fig.7b, care este o funcţie de geometria
dispozitivului şi nivelul de dopare al stratului p2, împreună cu tensiunea de străpungere a
joncţiunii determină cât de mare poate fi curentul maxim negativ de poartă. Acesta de
asemenea înseamnă că există un curent maxim de anod deconectat deoarece după ec.3,
IA<offIG ,max. Curentul maxim controlabil de anod este dat în filele de catalog ale GTO-
urilor de către fabricant.
 5 Protecţia la supracurenţi a GTO-urilor

La un MOSFET şi un BJT un supracurent accidental determină dispozitivul să iasă

din saturaţie şi să intre în regiunea activă. Dispozitivul insuşi limitează curentul maxim
dar tensiunea pe dispozitiv devine mare. Aşadar, condiţia de supracurent poate fi uşor
detectată prin măsurarea tensiunii în stare de conducţie. Supracurenţii pot fi detectaţi şi cu
ajutorul unui senzor de curent sau în cazul MOSFET-ului prin utilizarea unui
SENSEFET. Odată ce supracurentul este detectat, BJT-urile şi MOSFET-urile pot fi
protejate blocându-le timp de câteva microsecunde.
Protecţia la supracurent a unui GTO este mai complicată. Cum este prezentat în
fig.8a, GTO este proiectat pentru un curent de funcţionare de vârf admisibil ce este
selectat să fie mai mic decât curentul maxim controlabil cu un factor de siguranţă.
Supracurentul într-un GTO trebuie să fie detectat de către un senzor de curent. Dacă
supracurentul detectat este mai mic decât curentul maxim controlabil, de exemplu la
punctul A din fig.8a, atunci GTO poate fi blocat de către curentul negativ de poartă.
Totuşi, dacă supracurentul detectat este mai mare decât curentul maxim
controlabil, de exemplu la punctul B din fig.8a, atunci o încercare de a bloca GTO-ul cu
un curent negativ de poartă va avea ca efect deteriorarea GTO-ului. Aşadar GTO este
protejat prin tehnica numită scurtcircuit, unde un tiristor în paralel cu GTO, cum este
arătat în fig.8b, este amorsat rapid şi apoi arde fuzibilul. Fără scurtcircuit, unica
modalitate de a proteja GTO din circuitul din fig.8b ar fi utilizarea unui GTO cu un
curent nominal mult mai mare, ceea ce este scump.
În cazul unei configuraţii trifazate, ce este indicata în fig.8c, scurtcircuitul poate fi
obţinut prin amorsarea simultană a tuturor celor şase GTO-uri. La funcţionarea normală
curentul prin siguranţă este în acelaşi domeniu ca şi curentul printr-un GTO. Prin
amorsarea tuturor celor trei picioare simultan, curentul prin siguranţă este repartizat pe
cele trei picioare, pe care GTO va fi capabil să-l transporte până la arderea fuzibilului.

REZUMAT

1. GTO are aceeaşi structură cu patru straturi ca şi tiristorul convenţional, dar sunt făcute
modificări speciale ale structurii pentru a permite porţii să blocheze dispozitivul.
2. Modificările majore includ o structură poartă-catod puternic intercalată cu lăţimi mici
ale catodului şi porţii, utilizarea anozilor în scurtcircuit şi o durată de viaţă mai scurtă a
purtătorilor din regiunea de deplasare decât este utilizată la un tiristor convenţional.
3. Porţiunea de polarizare în sens direct a caracteristicii i-v a GTO-ului este la fel ca la
tiristorul convenţional, dar GTO cu anodul în scurtcircuit are o capabilitate foarte limitată
de blocare în sens invers.
4. Amplificarea la stingere a GTO nu este mare (de obicei 5 sau mai mică) astfel încât
sunt necesare impulsuri mari de curent negativ pe poartă pentru a bloca dispozitivul.
5. Mărimea curentului negativ, de poartă ce poate fi aplicat este limitată de fenomenul de
aglomerare a curentului şi prin urmare există un curent maxim de anod care poate fi
deconectat în siguranţă.
6. Cerinţele speciale referitoare la poartă pentru GTO includ nu numai impulsurile mari
de curent de poartă negative sau pozitive ci un curent continuu de poartă în starea de
conducţie pentru a asigura amorsarea completă a tuturor insulelor catodului.
7. Tiristorii cu stingere pe poartă sunt utilizaţi aproape exclusiv pentru aplicaţii de putere
medie şi înaltă. Circuite de protecţie la deconectare trebuie utilizate. GTO trebuie
protejate în mod special împotriva supracurenţilor din cauză că poarta nu poate deconecta
curenţi ce depăşesc o anumită valoare specificată.