Electronică şi interfețe pentru sisteme încorporate – note de curs pentru uzul studenţilor

Regimul de comutație al tranzistoarelor bipolare

Curenţi reziduali în tranzistorul bipolar
În regim static ideal, când baza este neconectată (în gol), IB0 = 0 iar prin
joncţiunea CB polarizată invers circulă către masă (prin joncțiunea bază-emitor
polarizată direct) doar curentul rezidual foarte mic ICB0. Acesta este și are efect de
curent de bază, producând componenta IC0= βICB0 a curentului de colector IC.

În practică, baza neconectată acționează ca o antenă receptoare a câmpurilor electrice

și electromagnetice din ambianță, inclusiv radio, iar IB0 este preponderent alternativ.
Curentul de bază total este IB0 + ICB0, la care tranzistorul bipolar răspunde cu
curentul de colector: IC0 = β(IB0 + ICB0)
și curentul de emitor: IE0 = IB0 + IC0 = (β+1)IB0+ βICB0.
Curentul rezidual ICB0 are ordinul de mărime x10nA și este puternic dependent de
temperatură (la tranzistoarele uzuale se dublează la fiecare 6oC) determinând deriva
termică a punctului static de funcționare (drift termic).

Blocarea tranzistorului bipolar

Un tranzistor bipolar poate fi blocat în trei moduri:
1) Metoda teoretică: Întreruperea curentului prin bază: IB=0

+Ec
Rc
ICE0= (β+1 ) ICB0
ICB0

IB=0

Prin tranzistor circulă ICE0, astfel că, mai ales în punctele de funcţionare
corespunzătoare curenţilor de colector mici, blocarea tranzistorului este defectuoasă.
Faţă de regimul static, tranzistorul devine doar mai puţin conductiv, ceea ce înseamnă
diminuarea nu întotdeauna suficientă a curentului de colector.
2) Scurtcircuitarea joncţiunii B-E: UBE=0; IB=0

+Ec
Rc
ICB0 ICB0

Curentul ICB0 nu mai trece prin joncţiunea BE şi nu va mai fi amplificat. ICB0 ramâne
singura componentă a curentului de colector. Având în vedere valoarea foarte mică a
ICB0, această metodă de blocare foarte eficientă și economică este des utilizată în
practică, deși într-o variantă cu performanțe medii: înlocuirea scurtcircuitului BE cu
o rezistenţă de valoare relativ mică, lăsând astfel posibilitatea controlului
tranzistorului printr-un curent de bază nenul (un scurtcircuit permanent ar face
tranzistorul nefuncţional).

1/6
Electronică şi interfețe pentru sisteme încorporate – note de curs pentru uzul studenţilor

+Ec
Rc
ICB0
ICB0

Rb

RBE trebuie să fie suficient de mică pentru a oferi o cale preferenţială majorității
curentului ICB0, dar suficient de mare pentru a nu reprezenta o sarcină inacceptabilă
pentru sursa semnalului de comandă.

3) Polarizarea inversă a joncţiunii BE face ca sensul curentului prin această joncţiune

să se schimbe, circulând dinspre emitor spre bază; valoarea curentului invers prin
joncţiunea BE este foarte mică, atâta timp cât nu este depăşită valoarea tensiunii de
străpungere (5...6V la tranzistoarele uzuale).

Metoda este rar utilizată practic, doar în circuitele în care tranzistorul este
comandat de un amplificator operaţional cu alimentare bipolară. Pentru limitarea
tensiunii inverse aplicate joncţiunii BE, se montează o diodă antiparalel, ca în figura
următoare; tensiunea înversă aplicată joncțiunii BE nu va scădea sub -0,7V (căderea de
tensiune pe dioda D polarizată în sens direct) nepunându-i în pericol integritatea
fizică și/sau performanțele funcţionale.

Saturația tranzistorului bipolar

Regimul de saturaţie se obţine (riguros) când ambele joncţiuni ale tranzistorului sunt
polarizate direct şi UCEsat = UBC - UBE = 0

Tranzistorul se comportă ca un scurtcircuit imperfect (în realitate UCEsat ≠0).

Curentul de colector este limitat practic doar de valoarea rezistenţei RC:
E − UCEsat
IC = C
RC

2/6
Electronică şi interfețe pentru sisteme încorporate – note de curs pentru uzul studenţilor

Deşi curentul de colector poate avea valori mari (dar sub limita admisibilă din
specificațiile tranzistorului), UCEsat rămâne sub 1V (la tranzistoarele de mică putere
UCEesat ≈0,1...0,2V) iar puterea disipată de tranzistor e mică:
Pd = UCEsatIC
În practică, mai ales la frecvențe de comutație relativ mici, tensiunea UCEesat și
puterea disipată Pd de un tranzistor saturat pot fi considerate nule.
Curentul de bază de saturaţie este acela care poate scoate tranzistorul din r.a.n.
pentru a-l duce în regim de saturație:

În saturaţie β scade mult; saturaţia se asigură cu un curent de bază relativ mare.

Situaţia în care UCB=0 corespunde regimului de saturaţie incipientă, în care UCE=UBE.
Regimul de saturaţie ideal se distinge de funcţionarea în r.a.n. prin valoarea
raportului UCE :
U BE
UCE U CE
> 1  funcţionare în r.a.n. iar: < 1  saturaţie.
U BE U BE
Restricţiile vizează nedepăşirea valorilor maxime admisibile ale curenţilor de bază şi
de colector, pentru a nu distruge sau degrada materialul semiconductor.

Utilizarea unui transistor bipolar în comutaţie pentru comanda unui releu

Releul este un dispozitiv electromagnetic care permite comutarea mecanică vizibilă a
unui contact dintr-un circuit de putere mai mare folosind un curent mic. El este
alcătuit dintr-un echipament fix (şasiu, miez feromagnetic, soclu cu contacte fixe și
bobina de excitație) şi un echipament mobil, alcătuit de armătura electromagnetului,
elementele elastice şi contactele mobile. Bobina electromagnetului formează circuitul
de comandă şi este complet izolată de contactele releului, conectate în circuitul de
putere mai mare.

Releu electromagnetic

În figura următoare sunt reprezentate simboluri pentru câteva tipuri de relee

electromagnetice:
a) releu tip întrerupător cu un singur contact normal-deschis;
b) releu tip comutator cu două contacte: unul normal deschis (CA) şi unul normal-închis
(CB);
c) releu tip întrerupător bipolar, cu două contacte independente;
d) reprezintă un releu tip comutator bipolar, cu două contacte normal deschise (A1C1,
A2C2) şi două normal închise (C1B1, C2B2).
Schema tipică pentru comanda unui releu presupune că semnalul de comandă este produs de
un circuit electronic de mică putere, (de obicei un circuit numeric, un microcontroler
sau un procesor numeric de semnal) sub forma tensiunii Ucom.

3/6
Electronică şi interfețe pentru sisteme încorporate – note de curs pentru uzul studenţilor

Elementele schemei sunt: rezistenţa de polarizare şi protecţie Rp, condensatorul de

accelerare Ca, rezistenţa de blocare Rb, dioda de protecţie la polarizare inversă a
joncţiunii BE a tranzistorului, Dp, tranzistorul T, bobina de excitaţie a releului Lrel
şi dioda de nul Dn.

Funcționare: în lipsa tensiunii de comandă rezistenţa Rb menţine tranzistorul blocat

iar bobina releului nu primește curent. Dacă tensiunea de comandă este negativă, dioda
Dp limitează fracţia din aceasta aplicată bazei tranzistorului, protejând astfel
joncţiunea BE la polarizare inversă.
Când tensiunea Ucom atinge sau depășește valoarea de acţionare, rezistenţa Rp (împreună
cu Rb) limitează curentul prin joncțiunea BE a tranzistorului la o valoare
nepericuloasă dar suficientă pentru saturarea acestuia. Tensiunea UCE scade foarte mult
(UCEsat = x0,1V), şi aproape toată tensiunea de alimentare se aplică bobinei releului,
producând acţionarea fermă a acestuia. Condensatorul Ca, inițial descărcat, permite
injectarea, pentru foarte scurt timp, a unui surplus de curent în baza tranzistorului
pentru accelerarea intrării acestuia în saturaţie.
La dispariţia tensiunii de comandă, tranzistorul se blochează, curentul prin bobina de
acţionare a releului se întrerupe, cu tendinţa de a produce prin autoinducţie o
supratensiune tranzitorie care se adună cu tensiunea de alimentare și depăşește, de
regulă, UCEmax, producând distrugerea tranzistorului. Dioda de nul Dn oferă o cale de
evacuare a energiei câmpului electromagnetic prin închiderea curentului de autoinducţie
în bucla Lrel-Dn. Tensiunea colectorului este astfel limitată la valoarea nepericuloasă
Ec +0,7V.
Curentul de nul este limitat numai de rezistenţa dinamică a diodei şi de rezistenţa
bobinei releului. Deși durează suficient de puţin încât să nu aibă efecte termice
globale distructive, el poate depăși curentul maxim admisibil al diodei și face, de
aceea, obiectul dimensionării acesteia în etapa de proiectare.

Tranzistoare compuse. Conexiunea Darlington

Când factorul de amplificare în curent continuu al unui tranzistor nu este suficient
aplicaţiei, se recomandă mărirea amplificării prin utilizarea tranzistoarelor compuse –
conexiuni de două sau mai multe tranzistoare în care curentul de intrare este curentul
de bază al primului tranzistor (de mică putere), curentul de colector al acestuia este
curent de bază pentru al doilea tranzistor, iar curentul de ieşire este curentul de
colector al tranzistorului de putere de putere medie sau mare.

4/6
Electronică şi interfețe pentru sisteme încorporate – note de curs pentru uzul studenţilor

În primul caz, tranzistorul necesar este obţinut prin cuplarea în cascadă a două
tranzistoare “n-p-n”. Curentul de emitor al primului tranzistor (de mică putere)
reprezintă curentul de bază pentru al doilea tranzistor (de medie sau mare putere).
Aceste mărimi trebuie compatibilizate dimensional cu mare atenţie. Tensiunea bază-
emitor a tranzistorului echivalent al conexiunii Darlington este dublul tensiunii bază-
emitor a unui tranzistor normal: UBED = 1…1,5V.
Curentul de colector al conexiunii Darlington (al tranzistorului echivalent) este (cu
foarte bună aproximaţie) curentul de colector al tranzistorului de medie sau mare
putere.
IC1=β1ΙB1=β1ΙB
IE1=(β1+1)ΙB=ΙB2
IC2=β2ΙB=β2(β1+1)ΙB
IE2=(β2+1)ΙB2=(β2+1)(β1+1)ΙB=ΙE
IC=IC1+IC2=β1ΙB+β2(β1+1)ΙB= IB(1+β1+β1β2)=ΙBβD
IE=(β2β1+β1+β2+1)ΙB=(βD+β2)ΙB

Ambele tranzistoare trebuie să aibă aceeaşi tensiune maximă colector – emitor (UCEmax).
Diferenţa acestor tensiuni, corespunzătoare celor două tranzistoare, este egală cu
tensiunea bază-emitor (foarte mică) a tranzistorului de mică putere (0,5..0,7V), de
cele mai multe ori neglijabilă.
O tensiune cu nivel ridicat aplicată în baza primului tranzistor produce un curent de
colector semnificativ prin tranzistorul final și o tensiune mică în colectorul
acestuia. Conexiunea este, prin urmare, inversoare.

În al doilea caz, al unui tranzistor „p-n-p”, tranzistorul de comandă de mică putere

este de tip „p-n-p”, iar tranzistorul de medie sau mare putere este „n-p-n”. Curentul
de colector al primului tranzistor este curent de bază pentru al doilea. O tensiune cu
nivel ridicat pe baza primului tranzistor duce la lipsa curentului de bază al acestuia,
deci la blocarea sa, implicând blocarea celui de-al doilea, deci o tensiune nulă la
ieşire. Conexiunea este, deasemenea, inversoare.
Tipul conexiunii Darlington (al tranzistorului echivalent) este determinat de tipul
tranzistorului de mică putere.

Exemplu de utilizare a conexiunii Darlington

Porturile sistemelor numerice (receptoare ale telecomenzilor, laptop, sau chiar
dispozitive portabile) pot fi utilizate pentru comanda cu cuplaj direct a unor
interfețe de ieșire pentru diverse dispozitive de execuție.
zi. Bineînțeles, nu nemijlocit, deoarece porturile nu au puteri de comandă, furnizând
doar semnale (niveluri de tensiune, cu foarte slabe capabilități de debitare sau
absorbire a unor curenți semnificativi).
Pentru comanda unui releu cu semnal logic provenind dintr-un port numeric cu ieșire
TTL, poate fi folosită chiar tensiunea de 12V oferită de sursa PC tip desktop, ca în
figura următoare.

Ieșirea Y a portului numeric X poate avea nivelurile logice ridicat (Vcc) și coborât
(GND), suportate de circuite cu capabilități reduse de debitare a curentului. Pentru
anclanșări sigure și ferme, bobinele de acționare ale releelor necesită mai multe zeci
de miliamperi, pe care ieșirile numerice ale porturilor nu le pot asigura. Pentru unele
relee, tensiunile care reprezintă suport fizic al nivelului logic ridicat (5Vcc) nici
nu ar fi suficiente excitării bobinei de acționare.

5/6
Electronică şi interfețe pentru sisteme încorporate – note de curs pentru uzul studenţilor

În schema de mai sus este folosită o structură Darlington formată din perechea T1 - npn
și T2 - pnp, care, pe lângă faptul că asigură câștigul necesar, realizează și o
separație (ne-galvanică) între circuitul de comandă și cel “de putere” (reprezentat de
sursa de 12Vcc, T2, D1 și bobina de acționare a releului).
Se asigură astfel o protecție pe ieșire foarte eficientă a portului numeric al
echipamentului de calcul împotriva supracurenților sau scurtcircuitelor.
Conexiunile Darlington pot fi realizate și mixt, cu tranzistoare unipolare și bipolare.
Pentru obținerea unui tranzistor cu curent de intrare foarte mic, se conectează un FET
de mică sau medie putere cu un TBJ de putere medie sau mare. Un exemplu concludent îl
constituie modulele de putere integrate.

Ieșirea cu colectorul în gol (open-collector)

Pentru asigurarea compatibilității nivelurilor logice, ieșirile circuitelor numerice
pot fi aplicate pe baza unor tranzistoare „n-p-n” cu emitorul conectat implicit la masa
numerică (masa circuitului logic) și colectorul în gol, disponibil ca terminal de
ieșire (figura de mai jos).

Practic, dacă masa circuitului numeric este comună cu masa circuitului controlat,
acesta din urmă poate avea orice putere, cu condiția să nu depășească tensiunile UCB0
și UCE0 și curentul ICmax ale tranzistorului cu colectorul în gol.
Pentru ieșirile negate tranzistoarele de ieșire pot fi „p-n-p” având emitoarele
conectate la Vcc. Aceste ieșiri necesită rezistoare pentru „pull down”, pentru a
menține potențialele coborâte ale ieșirilor.

6/6