Tranzistorul bipolar de putere BJT

Necesitatea unei tensiuni mari de blocare în stare blocată şi a unei capabilităţi mari de
transport a curentului în stare de conducţie înseamnă că un tranzistor bipolar cu joncţiuni
(BJT) trebuie să aibă o structură substanţial diferită faţă de corespondentul său de nivel logic.
Structura modificată conduce la diferenţe semnificative ale caracteristicilor i-v şi a
comportării la comutaţie ale celor două tipuri de dispozitive.

Structuri verticale ale tranzistorilor de putere

Un tranzistor de putere are o structură orientată vertical, cu patru straturi cu dopare

alternativă de tip p şi de tip n (fig.1). Tranzistorul are trei terminale şi ele sunt denumite
respectiv colector, bază şi emitor. La majoritatea aplicaţiilor de putere baza este terminalul
de intrare, colectorul este terminalul de ieşire şi emitorul este comun între intrare şi ieşire
(aşa numita configuraţie emitor comun). Simbolul pentru BJT este prezentat în fig.1. Un
tranzistor pnp (fig.1) are un tip opus de dopare în fiecare din straturile prezentate în fig.1.
Tranzistorii npn sunt mult mai utilizaţi decât tranzistorii pnp drept comutatoare de putere.

Fig.1 Secţiune verticală printr-un BJT npn de putere. Este arătat şi simbolul pentru tranzistor.

1
 Structura verticală este preferată pentru tranzistorii de putere din cauză că ea
maximizează secţiunea transversală prin care circulă curentul prin dispozitiv. Aceasta
minimizează rezistenţa în starea de conducţie şi prin urmare disiparea de putere în tranzistor.
În plus, având o secţiune transversală mare este minimizată rezistenţa termică a tranzistorului
şi astfel pot fi menţinute sub control problemele legate de disiparea puterii.

Fig.2 Secţiune verticală printr-un tranzistor npn cu emitor multiplu

Nivelurile de dopare în fiecare strat şi grosimea stratului au un efect semnificativ

asupara caracteristicilor dispozitivului. Doparea în stratul emitor este destul de mare (de
obicei 1019cm-3) în timp ce doparea bazei este moderată (1016cm-3) regiunea n- ce formează
colectorul jumătate din joncţiunea C – B (colector – bază) este de obicei denumită regiune de
deplasare a colectorului şi are un nivel de dopare scăzut (1014cm-3). Regiunea n+ ce termină
regiunea de deplasare are un nivel de dopare similar cu cel găsit la emitor. Această regiune
serveşte drept contact al colectorului cu lumea exterioară. Grosimea regiunii de deplasare
determină tensiunea de străpungere a tranzistorului şi poate varia de la zeci la sute de
micrometrii ca extindere. Grosimea bazei este făcută cât mai mică posibil pentur a avea bune
capabilităţi de amplificare. Totuşi dacă grosimea bazei este prea mică, capabilitatea tensinii
de străpungere a tranzistorului este compromisă. Prin urmare grosimile bazei la dispozitivele
de putere reprezintă un compromis între aceste două consideraţii concurente şi sunt de obicei
de la câţiva zecimi de micrometri ca grosime comparativ cu o mică fracţiune de micrometru
ca grosime pentru tranzistoarele de nivel logic. În practică, tranzistorii de putere au emitorii
şi bazele intercalate ca degete subţiri (fig.2). Scopul acestei aranjări este de a reduce în
principal efectele aglomerării de curent, un fenomen care poate conduce la o a doua
stăpungere şi posibila defectare a dispozitivului. Această configuraţie cu emitor multiplu de
asemenea reduce rezistenţa ohmică parazită a căii de curent a bazei, ceea ce ajută la
reducerea disipării de curent în tranzistor.
2
Fig.3 Tranzistori de putere în configuraţie Darlington pentru a obţine un factor de
amplificare în curent efectiv mai mare . Diodele discrete sunt adăugate pentru a ajuta
dezamorsarea (D1) şi pentru aplicaţii în punte completă (D2).

Baza relativ groasă găsită la structurile de tranzistoare de putere face ca amplificarea

în curent  = IC/IB să fie destul de mică, de obicei 5 – 10. Aceasta este nedorit de mică pentru
unele aplicaţii şi prin urmare au fost dezvoltate proiecte monolitice de perechi BJT conectate
Darlington (fig.3). Amplificarea în curent a unei perechi Darlington este dată de

chiar dacă fiecare tranzistor are individual un  mic,  efectiv al perechii poate fi destul de
mare. Secţiunea verticală a unui Darlington monolitic este prezentată în fig.4. O diodă
discretă D1 este adăugată pentru a accelera timpul de dezamorsare al tranzistorului
principal. Dioda discretă D2 este adăugată pentru aplicaţii în semipunte şi în punte completă.

Fig.4 Secţiune verticală printr-o pereche de tranzistori bipolari conectaţi Darlington

monolitic. Perturbaţia de dioxid de siliciu prin stratul p superior (regiunea bazei ambilor
tranzistori) izolează electric cele două baze, una faţă de alta.
3
 Cracteristici I –V

Caracteristicile de ieşire (iC funcţie de vCE) ale unui tranzistor de putere npn tipic sunt
prezentate în fig.5. diversele curbe se disting între ele prin valoarea curentului .

Fig.5 Caracteristici curent – tensiune ale unui BJT npn de putere prezentând a doua
strapungere şi cvasi-saturaţie.

Caracteristicile Darlington monolitice prezintă unele caracteristici. Există o tensiune

maximă colector – emitor ce poate fi susţinută pe tranzistor atunci când el conduce un
anumit curent de colector substanţial. Această tensiune este denumită BVSUS. La limita unui
curent de bază zero, tensiunea maximă între colector şi emitor care poate fi susţinută creşte la
o valoare denumită BVCE0 , tensiunea de străpungere colector – emitor, când baza este în
circuit deschis (în gol). Această ultimă tensiune este adesea utilizată ca o măsură a
capabilităţii tranzistorului de a suporta tensiuni mari în starea de blocat din cauză că de
obicei singurul timp în care pe tranzistorul sunt aplicate tensiuni mari este atunci când
curentul de bază este zero şi BJT este în stare de blocare. Tensiunea VCB0 este tensiunea de
străpungere colector – bază când emitorul este în circuit deschis (în gol). Faptul că această

4
tensiune este mai mare decât VCE0 este utilizat ca avantaj în circuite de dezamorsare a
tranzistorului cu emitor în gol.
Regiunea denumită străpungere primară se datorează străpungerii în avalanşă
convenţionale a joncţiunii C – B şi circulaţiei mari de curent însoţitor. Această regiune a
caracteristicii trebuie evitată din cauza disipării mari de putere ce însoţeşte o astfel de
străpungere. Regiunea denumită de străpungere secundară trebuie de asemenea evitată din
cauza disipării mari de putere ce o însoţeşte. În particular în zona localizată din
semiconductor. Originea străpungerii secundare este deferită de cea a străpungerii prin
avalanşă. Defectarea tranzistoarelor bipolare cu joncţiuni este adesea asociată cu
străpungerea secundară.
Diferenţa majoră observabilă între caracteristicile i – v ale unui tranzistor de putere şi
cele ale unui tranzistor de nivel logic este regiunea numită de cvasi-saturaţie a
caracteristicilor tranzistoarelor de putere din fig.5. Tranzistorii de nivel logic nu au această
regiune de deplasare şi nu prezintă cvasi-saturaţie. Toate celelalte proprietăţi majore ale
caracteristicilor tranzistoarelor de putere se regăsesc la celelalte dispozitive de nivel logic.

Principiile fizice ale funcţionării BJT

Mecanismul fundamental de amplificare şi beta

O înţelegere a modului în care BJT asigură amplificarea curentului (puterii) este mai
uşoară considerând structura de tranzistor simplificată unidimensională (fig.6a.). În acest
model, ce reprezintă în esenţă structura unui tranzistor de nivel logic, nu există regiunea de
deplasare a colectorului slab dopată. Se presupune că tranzistorul este în regiunea activă. În
modul activ de funcţionare al BJT-ului, regiunea de deplasare nu joacă un rol major şi
abordarea ei ar complica inutil.

Fig.6 (a) Model simplificat al BJT-ului. (b) Distribuţia sarcinii stocate care există în BJT
polarizat în regiunea activă normală. Componentele curentului intern care circulă în regiunea
activă sunt prezentate în model.
5
 În regiunea activă de funcţionare joncţiunea B – E (bază - emitor) este polarizată direct
şi joncţiunea C – B este polarizată invers. Electronii sunt injectaţi în bază din emitor şi
golurile sunt injectate din bază în emitor. Aceasta produce distribuţiile de purtători minoritari
prezentaţi în fig.6b. Aceste distribuţii au gradienţi de densitate mari, în special în regiunea
bazei, care susţin semnificativ curenţii de difuzie. De fapt, deplasarea totală de curent pe
joncţiunea B-E va fi aproape în întregime curent de difuzie, la fel ca şi pentru dioda cu
joncţiune pn. Spre deosebire de dioda cu joncţiune pn polarizată direct curentul de bază ce
intră prin zona de tip p a joncţiunii B-E din joncţiunea B-E nu va fi egal cu curentul (curentul
de emitor) care părăseşte zona de tip n.
Curenţii vor fi inegali pentru că structura tranzistorului oferă o alternativă în afară de
terminalul bazei pentru electronii injectaţi în bază din emitor pentru a ieşi din regiune.
Electronii injectaţi în bază din emitor vor părăsi baza mai degrabă prin colector decât
prin terminalul bazei din trei motive. Primul, grosimea regiunii bazei este făcută destul de
mică comparativ cu lungimea de difuzie a electronilor L nb = (Dnbnb)1/2 în bază şi prin urmare
este puţin probabil să se recombine acolo. Al doilea, aria colectorului este făcută mult mai
mare decât a emitorului sau a contactului bazei (fig.1) astfel că electronii ce difuzează din
emitor este mult mai probabil să întâlnească colectorul decât orice altceva din cauză distanţei
scurte dintre emitor şi colector. Al treilea, densitatea electronilor la joncţiunea C-B este în
esenţă zero (fig.6b), din cauza câmpurilor electrice mari din joncţiunea C-B care polarizează
invers şi îndepărtează toţi electronii difuzaţi la limita regiunii de sarcină spaţială pe joncţiune
şi în regiunea colectorului. Densitatea mare a electronilor injectaţi la joncţiunea B-E şi în
esenţă zero electroni în exces în bază pe partea dinspre colector înseamnă că un gradient
foarte mare de electroni există în bază (fig.6b). Acest gradient de densitate transportă
majoritatea electronilor injectaţi şi foarte puţini dintre ei ies din regiunea bazei prin
terminalul bazei.
Aceasta înseamnă: curentul de bază va fi mult mai mic decât curentul de emitor. Un
curent de bază mic duce la circulaţia unui curent mult mai mare între colector şi emitor şi
deci se obţine o amplificare substanţială între curentul de bază de intrare şi curentul de
colector de ieşire. Acesta este mecanismul de amplificare de bază al BJT. Amplificarea este
caracterizată cantitativ prin raportul dintre curentul de colector i C şi curentul de bază iB (beta
sau  al tranzistorului).
Proprietăţile structurii tranzistorului care conduc la valori mari ale lui  pot fi mai clar
înţelese analizând curentul care circulă intern în tranzistor. Aceşti curenţi pot fi divizaţi în
mod convenţional în cele patru componente prezentate în fig.6a. Curentul I pe este curentul de
difuzie datorat golurilor injectate din bază în emitor pentru a susţine distribuţia golurilor în
emitor. Similar Ine este curentul de difuzie datorat injecţiei de electroni din emitor în bază
pentru a susţine distribuţia de electroni în bază. Aceşti electroni difuzează apoi în bază şi cei
care supravieţuiesc recombinării ajung în zona de golire a C-B. Aceşti electroni în exces
împreună cu un număr mult mai mic ce sunt generaţi termic în zona de golire sunt
transportaţi prin zona de golire de către câmpurile electrice mari în regiunea colectorului.
Această deplasare de electroni este curentul Ine. Curentul Ipe provine din golurile ce sunt
generate termic în zona de golire C-B şi apoi sunt transportate în regiunea bazei de către
câmpurile electronice mari din regiunea de goluri. Este mult mai mic decât celelalte

6
componente ale curentului din cauză că densitatea golurilor în regiunea de sarcină spaţială a
C-B şi apoi sunt transportate în regiunea bazei de către câmpurile electrice mari din regiunea
de golire. Este mult mai mic decât celelalte componente ale curentului din cauză că
densitatea golurilor în regiunea de sarcină spaţială a C-B este mult mai mică decât densităţile
purtătorilor din alte regiuni. Prin urmare Ipe va fi neglijat în prezentarea următoare.
Curenţii la terminalele tranzistorului IC şi IB pot fi exprimaţi funcţie de aceşti curenţi
interni. Curentul de colector este dat de:

şi curentul bazei este dat de:

Beta poate fi exprimat funcţie de curenţii interni:

Pentru ca beta să fie mare, numărătorii celor doi termeni din relaţia (4) trebuie să fie mici
comparativ cu Inc . Termenul Ipe poate fi minimizat prin dopare foarte puternică a emitorului
pentru ca distribuţia de goluri stocate aici să devină mică. Termenul I ne – Inc reprezintă
diferenţa între electronii injectaţi în bază la joncţiunea B-E şi cei transportaţi prin joncţiune
C-B în colector. Această diferenţă se datorează recombinării unora dintre electronii injectaţi
în regiunea bazei şi este minimizată printr-o durată de viaţă mare a electronilor din regiunea
bazei şi printr-o grosime mică a bazei (fracţiuni de micrometru la BJT-urile de nivel logic)
comparativ cu lungimea de difuzie a electronilor.
În rezumat, există trei curenţi de bază pentru valori ale lui beta la un BJT. Acestea
sunt:
1. doparea puternică a emitorului,
2. durate de viaţă mari ale purtătorilor minoritari în bază şi
3. grosimi mici ale bazei.
Aceşti factori intră în conflict cu alte caracteristici dorite pentru tranzistor şi prin urmare va
fi necesar un crompromis între o amplificare mare şi alţi parametrii cum sunt timpii rapizi de
comutaţie. Consecinţa acestor compromisuri este că grosimea bazei la un tranzistor de putere
este mai mare decât la un tranzistor de nivel logic şi beta tranzistorului de putere este de
obicei 5 – 20.

Fig.7 Variaţia amplificării în current  şi a lui VCE(sat) a BJT în funcţie de curentul de colector
ce arată scăderea lui beta şi creşterea lui VCE(sat) la curenţi mari de colector.

7
 O altă caracteristică a BJT-urilor este scăderea amplificării în curent la valori ale
curentului de colector mai mari decât o anumită valoare care este caracteristică pentru un
anumit tip de tranzistor. Această scădere (fig.7) începe la curenţi mai mici decât 1A la
tranzistorii de nivel logic şi la nivele de curent de 100A la unele dispozitive de putere.
Câteva mecanisme de funcţionare în tranzistor contribuie simultan la această scădere a lui
beta, din care două cele mai semnificative sunt modulaţia conductivităţii în bază şi
aglomerarea curentului în emitor. Modulaţia conductivităţii bazei este în esenţă la fel ca
modulaţia conductivităţii regiunii de deplasare a diodei. În cazul regiunii bazei BJT,
modulaţia conductivităţii are loc când densitatea purtătorilor minoritari în bază are loc când
densitatea purtătorilor minoritari din bază devine comparabilă cu densitatea de dopare a
purtătorilor majoritari. De exemplu în diagrama BJT din fig.1 injecţia de nivel înalt în bază
are loc când densitatea electronilor în exces ajunge aproximativ 10 16cm-3 . Când densitatea de
electroni ajunge aşa de mare, golurile în exces de aceeaşi densitate trebuie de asemenea să fie
injectaţi în bază şi singurul mod ca aceasta să se întâmple este ca să le furnizeze curentul de
bază. Aceasta reprezintă o creştere a curentului de bază fără o creştere similară a curentului
de colector şi, prin urmare, o scădere a valorii lui beta. La valori mari ale curentului de
colector, beta este aproximativ invers proporţional cu curentul de colector.

Fig.8(a) Reprezentarea unei aglomerări a curentului de emitor la polarizarea directă şi (b)

polarizarea inversă (fenomene tranzitorii la dezamorsare) provocate de tensiunea laterală
indusă de curenţii de bază mari.
8
 Aglomerarea curentului de emitor este un alt mecanism ce are ca efect o scădere a lui
beta. Să considerăm secţiunea transversală simplificată prin BJT din fig.8a, unde sunt
prezentate căile curentului de bază şi ale curentului de colector, presupunând că BJT este în
regiunea activă. Din cauza geometriei dispozitivului există o cădere de tensiune ohmică
laterală în regiunea bazei care se datorează circulaţiei laterale a curentului de bază. Această
cădere de tensiune ohmică laterală se scade din tensiunea aplicată extern pe B-E şi aceasta
înseamnă că, căderea de tensiune pe joncţiunea B-E este mai mare la periferia emitorului
lângă contactul bazei decât este în centrul ariei emitorului. Aceasta în schimb are ca efect o
densitate mai mare de curent care circulă pe joncţiune, la limita emitorului aproape de
terminalul bazei comparativ cu densitatea de curent în centrul ariei emitorului. Aglomerarea
de curent înseamnă că începutul injecţiei de nivel ridicat şi reducerea aşteptată a lui beta are
loc la curenţi totali mai scăzuţi decât dacă densităţile de curent erau uniform repartizate pe
întreaga arie a emitorului. BJT-urile moderne de putere au emitoarele separate în mai multe
arii dreptunghiulare înguste (fig.2), pentru a minimiza aglomerarea de curent.

Cvasi-saturaţie

Pentru a înţelege fenomenul de cvasi-saturaţie, modelul unidimensional de BJT este

generalizat pentru a include regiunea de deplasare a colectorului (fig.9). Presupunem că
tranzistorul este iniţial în regiunea activă şi acum curentul de bază este permis să crească. Pe
măsură ce curentul de colector creşte ca răspuns la curentul de bază, tensiunea C-E scade din
cauza creşterii căderii de tensiune pe sarcina colectrului. Totuşi este o creştere simultană a
căderii de tensiune în regiunea de deplasare ca rezultat al rezistenţei sale ohmice din cauza
creşterii lui iC . Aceasta înseamnă că la polarizarea inversă a joncţiunii C-B reale, joncţiunea
n-p devine mai mică şi la un moment dat joncţiunea va deveni polarizată direct.
Când se întâmplă aceasta, începe injecţia golurilor din bază în regiunea de deplasare a
colectorului. În acelaşi timp, sarcina spaţială neutră necesită ca şi electronii să fie injectaţi în
regiunea de deplasare în aproximativ acelaşi număr ca şi golurile. Aceşti electroni sunt
obţinuţi în mod convenţional din numărul foarte mare de electroni ce sunt furnizaţi joncţiunii
C-B prin injecţie din emitor şi difuzia ulterioară în bază. Pe măsură ce acest exces de
purtători se formează în regiunea de deplasare, se intră în regiunea de cvasi-saturaţie a
caracateristicii i-v. Dacă rezistenţa ohmică a regiunii de deplasare este R d, atunci limita
regiunii de cvasi-saturaţie şi regiunea activă din fig.5 este dată de relaţia:

La cvasi-saturaţie are loc o dublă injecţie în regiunea de deplasare în mod similar cu

cea din regiunea de deplasare a unei diode de putere polarizată direct. Totuşi sarcina stocată
se acumulează în regiunea de deplasare doar dintr-o parte a regiunii de deplasare, din partea
joncţiunii C-B (sau partea pn-n), fig.9. În tranzistor injecţia de electroni prin joncţiunea n-n+
este mult mai puţin observabilă pentru că este o furnizare mult mai mare de electroni către
joncţiunea pn- (datorită electronilor injectaţi din emitor) joncţiunea pn unde nu există o astfel
de furnizare de electroni.
Pe măsură ce creşte numărul de purtători, regiunea de deplasare se micşorează treptat
şi tensiunea pe zona de deplasare scade deşi curentul de colector este mare.
9
Fig.9 Distribuţia sarcinii stocate în regiunea de deplasare a bazei şi a colectorului ale unui
BJT de putere: (a) secţiune transversală prin tranzistorul de putere; (b) activ; (c) cvasi-
saturat; (d) puternic saturat (Q1 este mărimea sarcinii stocate care îl aduce pe BJT la limita
saturaţiei puternice şi Q2 duce şi mai tare tranzistorul în saturaţie puternică)

Din fig.9c se observă şi că atunci când începe injecţia de goluri din bază spre joncţiunea C-B,
grosimea bazei efective sau virtuale creşte. Asta înseamnă că valoarea efectivă a lui beta
10
descreşte şi deci mărimea curentului de colector pe care un anumit curent de bază poate să-l
susţină de asemenea descreşte (fig.5). La cvasi-saturaţie regiunea de deplasare nu este total
îngustată de către injecţia de nivel înalt, deci puterea disipată în BJT este mai mare decât
atunci când intră în saturaţie puternică. Saturaţia puternică este atinsă când densitatea
purtătorilor în exces ajunge la cealaltă parte (partea n +) a regiunii de deplasare (fig.9d).
Aceasta necesită o cantitate minimă de sarcină stocată Q1 . În acest caz, grosimea efectivă a
bazei este aproximativ suma grosimii normale a bazei plus lungimea zonei de deplasare.
Unica sarcină adiţională stocată, acum este Q2 va conduce şi mai tare tranzistorul în saturaţie
puternică. Căderea de tensiune pe regiunea de deplasare este mică şi disiparea de putere în
stare de conducţie este minimizată comparativ cu cvasi-saturaţia.

Caracteristici de comutaţie

Amorsarea BJT

Din descrierea de bază a modului de funcţionare a unui transistor ştim că la comutarea

unui transistor din stare blocată în stare de conducţie este necesar să fie furnizată o sarcină
astfel încât distribuţiile de sarcină stocată similare cu cele din fig.9 să fie stabilite şi
menţinute în transistor. Caracteristicile tranzistorului şi ale circuitului în care este încorporat
dispozitivul interacţionează pentru a determina cum sarcina stocată rapid poate fi injectată şi
prin urmare cât de repede poate fi amorsat dispozitivul. Pentru a face această interacţiune cât
mai clară, presupunem că BJT este încorporat în circuitul cu dioda de limitare (fig.10a).

Fig. 10 Circuit de comutaţie cu BJT cu sarcină inductivă cu o diodă de limitare liberă.

Constanta de timp L/R a sarcinii inductive este mai mare comparativ cu frecvenţa de
comutaţie astfel că ea aproximează o sursă de curent constant . Se remarcă că BJT de
putere este un dispozitiv cu patru terminale ce are două terminale de emitor, unul pentru
curenţii de colector mari şi altul pentru curentul de bază.

11
 Circuitul extern determină curentul de colector ce poate circula în stare de conductie.
Această valoare a curentului de colector împreună cu duratele de viaţă ale purtătorilor în
tranzistor, în special în regiunea de deplasare a colectorului, determină cantitatea minimă de
sarcină stocată ce trebuie să fie menţinută în BJT pentru ca acesta să fie în conducţie.
Amplificarea de curent a tranzistorului stableşte apoi ce curent minim de bază trebuie să fie
furnizat dipozitivului pentru a stabili şi menţine această distribuţie de sarcină spaţială.
Curenţii de bază în exces la polarizare directă a acestei cantităţi minime vor forma
distribuţiile de sarcină stocată mai repede şi astfel vor scurta timpii de comutaţie de la starea
blocată la starea de conducţie. Totuşi, o astfel de supracomandă a curentului de bază va
forma sarcini stocate la valori mai mari decât cele necesare pentru a menţine saturaţia
puternică.

Fig.11 Creşterea distribuţiei de sarcină stocată într-un BJT de putere pe durata

fenomenelor tranzitorii la amorsare.

Modul aproximativ în care distribuţia de sarcină stocată creşte la amorsare este

prezentat în fig.11 pentru un curent de bază aplicat la t = 0 în stare de polarizare directă.
Tensiunea de intrare ce comandă curentul de bază, curentul de colector rezultat şi alte
tensiuni şi curenţi de interes ai tranzistorului în funcţie de timp sunt prezentaţi în fig.12.
Pentru o perioadă iniţială de timp numită timp de întârziere la amorsare nu se
formează sarcina stocată din cauză că sarcina negativă pe capacitatea de sarcină spaţială B-E
trebuie să fie descărcată şi joncţiunea polarizată direct pentru ca să poată începe injecţia de
purtători. În acest interval circulă doar curentul de bază şi doar tensiunea B-E se modifică.
După intervalul , joncţiunea B-E este polarizată direct şi începe creşterea sarcinii
spaţiale ca în diagrama din fig.11 şi curentul de colector creşte rapid, atingând valoarea sa de
conducţie într-un timp , timp de creştere a curentului. Tensiunea este neschimbată în
acest interval din cauza limitării diodei astfel încât tranzistorul este încă în regiunea activă.
12
După intervalul , tensiunea C-E scade rapid deoarece dioda nu mai acţionează ca un
limitator (nu există curent direct prin diodă). După un scurt interval de timp numit , se
ajunge la cvasi-saturaţie când începe injecţia de purtători în regiunea de deplasare de la
joncţiunea C-B. Pe durata cvasi-saturaţiei, viteza de scădere a tensiunii colectorului
încetineşte din cauza reducerii lui beta ce însoţeşte funcţionarea tranzistorului la cvasi-
saturaţie. Saturaţia puternică începe când purtătorii în exces au fost transportaţi complet din
regiunea de deplasare, ceea ce se întâmplă după intervalul de timp indicat pe formele de
undă la comutaţie.

Fig.12 Formele de undă ale curentului şi tensiunii unui BJT de putere la amorsarea
tranzistorului în circuitul cu sarcină inductivă cu limitare din fig.10.

Aria haşurată numită din fig.9 reprezintă sarcina stocată care aduce tranzistorul la
limita saturaţiei puternice. Aria numita Q din fig.9 reprezintă sarcina stocată în exces ce duce
tranzistorul mai profund în saturaţia puternică şi într-un sens reprezintă supra comanda
tranzistorului.

13
 Dezamorsarea tranzistorului

Dezamorsarea tranzistorului implică îndepărtarea întregii sarcini stocate în tranzistor.

Aceasta se poate realiza doar prin reducerea curentului de bază la zero şi bazându-ne pe
procesul de recombinare internă din tranzistor pentru a înlătura sarcina. Totuşi aceasta ar
dura prea mult în aplicaţiile practice, astfel încât curentul de bază este comandat să fie
negativ pentru a accelera îndepărtarea sarcinii prin procesul de transport al purtătorilor.
Procesul începe la timpul t = 0, când curentul de bază este fie abrupt (funcţie treaptă) sau mai
treptat (rampa cu controlat) modificat la o valoare de polarizare negativă, cum este
arătat în fig.13.

Fig.13 Formele de undă ale curentului şi tensiunii unui BJT de putere la amorsarea
tranzistorului într-un circuit cu sarcină inductivă cu limitare.

Alte tensiuni ăi curenţi de interes ai tranzistorului sunt precizaţi în aceeaşi figură.

Pentru un interval de timp numit timp de stocare tS în fig.13, curentul de colector
rămâne la valoarea sa de conducţie în timp ce sarcina stocată în exces Q 2 (fig.9) este
îndepărtată. După intervalul tS se ajunge la cvasi-saturaţie şi tensiunea începe să crească cu o
pantă mică.
14
 Când distribuţia de sarcină stocată este redusă la zero la capătul C-B al regiunii de
deplasare după intervalul de timp , tranzistorul intra în regiunea activă. Beta crescut al
tranzistorului face ca să-şi încheie creşterea la valoarea tensiunii de alimentare cu o
pantă mult mai abruptă pe măsură ce curentul de colector încă constant încarcă capacitatea
de sarcină spaţială a joncţiunii C-B. Creşterea lui se termină după intervalul arătat
în fig.13 şi curentul de colector începe să scadă când curentul este comutat la blocarea
diodei. După intervalul de timp restul sarcinii stocate este îndepărtată din tranzistor şi
curentul de colector devine zero. BJT ajunge acum la limitare şi capacitatea de sarcină
negativă pe măsură ce devine negativ.

Fig.14 Formele de undă ale curentului şi tensiunii ale unui BJT de putere la amorsarea
tranzistorului în circuitul cu sarcină inductivă cu limitare din fig.10 cu un curent de bază
invers sub forma unei funcţii treaptă mari. Se remarcă „coada” lungă a curentului ce conduce
la o disipare excesivă de putere.

15
Fig.15 Scăderea distribuţiilor de sarcină stocată într-un BJT de putere pe durata regimului
tranzitoriu de amorsare pentru un curent de bază invers funcţie treaptă abruptă.

Formele de undă arătate în fig.13 sunt estimate când curentul de bază face o tranziţie
controlată de la valori pozitive la valori negative. Dacă un curent de bază negativ de valoare
mare cu o tranziţie rapidă este realizat la , aşa cum este arătat în fig.14, răspunsul
curentului de colector va suferi o modificare semnificativă. Intervalul trebuie scurtat ca
două intervale de timp pentru din cauza curentului de bază negativ mare la timpii iniţiali
ai regimului tranzitoriu. Cea mai mare parte a sarcinii stocate în regiunea bazei va fi
îndepărtată comparativ cu tranzitoriu în rampă, cum este arătat în graficul din fig.15 al
distribuţiilor de sarcină stocată în acest caz. Totuşi, cantitatea de sarcină îndepărtată din
regiunea de deplasare nu va mai creşte în aceeaşi proporţie. Cea mai mare parte a sarcinii din
regiunea de deplasare este îndepărtată de curentul de colector şi nu de curentul de bază
crescut.
Cu cât va fi mai mică sarcina stocată rămasă în bază înseamnă că va fi necesar un timp
mai scurt pentru îndepărtarea unei sarcini stocate suficiente din bază astfel că joncţiunea B-E
să devină polarizată negativ cu curentul de emitor ajungând zero.
Dacă se întâmplă aşa, va mai rămâne sarcina stocată în regiunea de deplasare (zona
haşurată din fig.15) ce trebuie îndepărtată înainte ca curentul de colector să poată deveni zero
şi BJT să poată intra în limitare. Modalităţile pentru ca această sarcină rămasă să fie
îndepărtată sunt recombinarea internă şi curentul negativ de bază care circulă. Viteza de
transport a purtătorilor în acest caz va fi mică comparativ cu situaţia precedentă din cauză că
16
curentul de colector trebuie să fie egal cu curentul de bază negativ şi nu să fie de beta ori mai
mare, cum a fost în cazul precedent. Această pierdere a amplificării curentului produce coadă
lungă a formei de undă a curentului de colector din fig.14 în intervalul de timp numit .
Acest timp de coadă lungă nu este dorit pentru că ea conduce la pierderi crescute la
comutaţie.

Comutaţia Darlington-urilor monolitice

Comportarea tranzistorie a unui Darlington la amorsare (MD) încorporat în circuitul

din fig.10 va avea aceleaşi proprietăţi calitative ca cele care au fost descrise pentru BJT
singur. Totuşi, există două importante diferenţe calitative. Prima, tranzistorul principal nu
poate intra în saturaţie puternică din cauză că tensiunea în stare de conducţie a tranzistorului
de comandă menţine tensiunea între terminalele C-B ale tranzistorului principal destul de
mare ca el să poată sta în cvasi-saturaţie.
Aceasta înseamnă că disiparea de putere a MD-ului în stare de conducţie va fi mai
mare decât cea a unui BJT de putere singur comparabil. A doua, timpul total de comutaţie în
stare de conducţie va fi mai rapid pentru MD din cauză că tranzistorul principal va fi
comandat de un curent de bază mai mare decât un BJT singur comparabil. Curentul de bază
al BJT principal este (beta comenzii BJT) de câteva ori mai mare decât curentul de bază
furnizat unui BJT singur în acelaşi circuit (fig.10).
Cele mai semnificative diferenţe pe durata regimului tranzitoriu la dezamorsare
referitoare la formele de undă sunt prezentate în fig.16. Când tranzistorul de coamndă este
dezamorsat, curentul de bază al tranzistorului principal devine negativ si curentul său de
colector creşte deoarece el trebuie să transporte acum aceea porţiune a curentului de sarcină
pe care BJT de comandă o transportă.
Curentul negativ de bază către tranzistorul principal goleşte repede sarcina stocată din
regimurile de deplasare ale bazei şi colectorului astfel că tranzistorul devine activ şi termină
traversarea zonei de comutaţie către limitare. Ca şi în cazul tranzistorului de putere
convenţional o viteză controlată de modificare a curentului de bază negativ este de preferat
modificări în funcţie treaptă. Indiferent de ce fel de tip de comandă este aleasă pentru
dezamorsarea curentului de bază, timpul de dezamorsare global al MD-ului va fi ceva mai
lung decât al unui BJT de putere convenţional în acelaşi circuit.
Dacă dioda prezentată în circuitul din fig.3 nu este prezentă, timpul de
dezamorsare este mult mai lung. Aceasta se întâmplă din cauză că în circuitul MD-ului, de
îndată ce tranzistorul de comandă ajunge la limitare, curentul de bază negativ al
tranzistorului principal nu mai poate circula.
Singurul mecanism ce rămâne activ pentru a îndepărta sarcina stocată în tranzistorul
principal este recombinarea internă ce va dura mult mai mult decât îndepărtarea sarcinii prin
transportul purtătorilor prin curentul de bază negativ şi curentul de colector.

17
Fig.16 Formele de undă ale curentului şi tensiunii unui Darlington de putere la dezamorsare
în circuitul cu sarcină inductivă cu limitare din fig.10.

18
 Tensiuni de străpungere

Când BJT este în stare blocată, joncţiunea C-B trebuie să reziste tensiunii aplicate. Un
BJT nu poate bloca tensiunea de polaritate opusă din cauză că joncţiunea B-E are o tensiune
de străpungere mult mai mică decât joncţiunea C-B din cauza dopării foarte puternice a
emitorului utilizată pentru a creşte pe beta. Tensiunile de străpungere B-E tipice sunt 5-20V.
La proiectarea unui tranzistor care să reziste la o tensiune specificată, doparea din
regiunea de deplasare din partea colectorului a joncţiunii C-B este făcută mult mai mică
decât doparea bazei. Aceasta s-a realizat astfel încât regiunea de golire va fi predominant pe
partea colectorului, unde este loc pentru ea. Ca şiîin cazul diodelor de înaltă tensiune, o
regiune de deplasare slab dopată (regiunea de deplasare a colectorului) este proiectată cu
grijă pentru adaptarea lăţimii zonei de golire la tensiunea maximă aplicată fără ca să fie prea
lungă, ceea ce ar duce la pierderi crescute în stare de conducţie. Grosimea bazei trebuie
menţinută mică pentru a putea fi obţinute valori respectabile pentru beta.
Aceasta înseamnă că nu poate fi tolerată o avansare semnificativă a bazei prin zona de
golire C-B. O anume avansare nu poate fi evitată şi scade grosimea efectivă a bazei şi are ca
efect o creştere evidentă a lui beta. Acest efect este cunoscut ca modulaţia grosimii bazei şi
arată ca panta finită din porţiunea regiunii active a curbelor , cum este arătat în fig.5.
Dacă baza tranzistorului are o amorsare semnificativă prin zona de golire C-B, atunci ea
trebuie făcută mai groasă, ce are ca efect nedorit scăderea lui beta.
Totuşi principalul motiv pentru limitarea strictă a avansării zonei de golire C-B în bază
este evitarea străpungerii. Aceasta se întâmplă când zona de golire a joncţiunii C-B se
extinde complet prin regiunea bazei către joncţiunea E-B. Dacă se întâmplă aceasta, numărul
enorm de electroni din emitor (sau goluri pentru un BJT pnp) va fi atras din emitor în bază de
câmpurile electrice ridicate din zona de golire. Aceasta va duce la o circulaţie mare de curent
la o comportare similară străpungerii şi o disipaţie de putere estimată mare. Pentru a evita
străpungerea, grosimea bazei trebuie să fie destul de mare pentru a adapta avansarea estimată
pentru zona de golire şi nivelul de dopare în bază trebuie să fie destul de mare pentru a
menţine avansarea mică. Grosimea bazei la un BJT de putere este aşadar un compromis între
a fi mică pentru beta mare şi a fi mare pentru a minimiza problemele referitoare la
străpungere. Compromisul conduce la grosimi ale bazelor mai mari decât cele ale
tranzistoarelor de nivel logic şi în consecinţă beta mai mici, cu valori tipice 5-10.
În configuraţia emitor comun tensiunea de străpungere este mai mică decât
. Este o relaţie semi empirică între aceşti doi parametrii, ce este dată de

unde n = 4 pentru tranzistorii npn ;i n = 6 pentru tranzistorii pnp. Consecinţa acestei relaţii
este că tranzistorii cu tensiuni de străpungere mari vor avea valori mici ale lui beta. Pentru
tranzistorii npn de înaltă tensiune la care beta variază între 10 şi 20, valoarea lui este
aproximativ jumătate din .
Scăderea lui comparativ cu este rezultatul injecţiei de purtători în exces
în baza din emitor (în configuraţia emitor comun joncţiunea B-E este polarizată direct chiar
pentru datorită curentului polarizat invers a joncţiunii C-B).
19
 Aceşti purtători în exces cresc efectiv curentul polarizat invers (numit în
configuraţia emitor comun) a joncţiunii C-B spre curentul polarizat invers a aceleiaşi
joncţiuni când emitorul este în gol. Calitativ cu cât este mai mare valoarea lui
comparativ cu înseamnă că mai mulţi purtători traversează regiunea de golire C-B la
orice valoare dată a tensiunii. În consecinţă, viteza ionizării prin impact trebuie să fie mai
mare în modul emitor comun comparativ cu modul emitor în gol. O viteză mai mare a
ionizării prin impact înseamnă că tensiunea de străpungere va fi mai scăzută.

Străpungere secundară

Tranzistorii bipolari cu joncţiuni ş într-o anumită măsură dispozitivele cu purtători

minoritari au un mod potenţial de defectare, denumit de obicei străpungere secundară. Ea
apare la caracteristicile de ieşire ale BJT-ului ca o scădere precipitată a tensiunii C-E la
curenţi mari de colector. Pe măsură ce tensiunea pe colector scade, adesea apare o creştere
semnificativă a curentului de colector şi o creştere semnificativă a disipării de putere. Ceea
ce face această situaţie extrem de periculoasă pentru BJT este faptul că disiparea de putere
nu este uniform repartizată pe întreg volumul dispozitivului ci este concentrată în anume
regiuni unde temperatura locală poate creşte foarte repede la valori inacceptabil de mari.
Dacă această situaţie nu se termină într-un timp foarte scăzut, dispozitivul se poate
distruge. Când sunt analizate dispozitivele care au fost distruse în acest fel, adesea ele
prezintă urme ale disipării de putere localizate şi căldurii ce o însoţeşte sub formă de siliciu
topit şi apoi recristalizat.
Străpungerea secundară nu are originea în ionizarea prin impact şi străpungerea în
avalanşă a joncţiunii pn ce o însoţeşte. Este clar din faptul că o scădere de tensiune însoţeşte
străpungerea secundară, în timp ce astfel de scădere nu este observată la străpungerea în
avalanşă.
Mai multe aspecte intrinseci se combină pentru a crea această susceptibilitate a BJT la
străpungerea secundară. Primul, există o înclinaţie a dispozitivelor cu purtători spre
instabilitate termică când tensiunea pe ele este menţinută aproximativ constantă pe măsură ce
creşte temperatura dispozitivelor. Dispozitivele cu purtători minoritari au un coeficient
negativ cu temperatura al rezistivităţii (rezistivitatea scade pe măsură ce temperatura creşte
din cauză că densităţile purtătorilor minoritari sunt proporţionale cu densitatea purtătorilor
intrinseci ni , ce creşte exponenţial cu temperatura. Aceasta înseamnă că disipaţia de putere
va creşte cu scăderea rezistenţei atât timp cât tensiunea rămâne constantă. Dacă viteza de
creştere a disipaţiei de putere cu temperatura este mai mare decât creşterea liniară cu
temperatura (viteza de îndepărtare a căldurii este liniară cu temperatura, adică caracterizată
de o rezistenţă termică) atunci se va ajunge la o situaţie instabilă când puterea disipată
depăşeşte viteza cu care energia termică poate fi îndepărtată (o funcţie de rezistenţa termică).
Această situaţie devine un caz clasic de feedback pozitiv în care disipaţia de putere duce la o
creştere a temperaturii, care conduce la creşterea suplimentară a disipaţiei de putere şi tot aşa
până la distrugerea dispozitivului. Adesea şi destul de adecvat este numită potenţial de
instabilitate termică.

20
 Fig.17 Dispozitiv semiconductor cu regiuni cu neuniformităţi ale densităţii de curent ce pot
duce la formarea de filamente de curent şi o posibilă străpungere secundară.

Acest potenţial de instabilitate termică este mult mai periculos dacă densitatea de
curent în dispozitiv este neuniformă în secţiunea transversală a dispozitivului. La filamentele
de curent la care densitatea de curent este substanţial mai mare decât în zonele înconjurătoare
pot avea loc instabilităţi termice localizate. Să considerăm situaţia din fig.17 în care
densitatea de curent JA din regiunea A se presupune mai mare decât densitatea de curent JB
din regiunea B. Densitatea desipaţiei de putere va fi mai mare în A decât în B, ceea ce va
conduce la o creştere a temperaturii TA comparativ cu TB . Aceasta la rândul său va duce la
creşteri suplimentare ale lui JA comparativ cu JB şi temperatura TA va creşte în continuare.
Daca temperatura locală TA depăşeşte temperatura intrinsecă Ti (temperatura la care
densitatea de purtătorilor intrinseci ni este egală cu densitatea de dopare a purtătorilor
majoritari), atunci instabilitatea termică va progresa în acea regiune locală şi va conduce la o
încălzire puternică localizată şi deteriorarea dispozitivului dacă nu se termină foarte repede.
Formarea filamentelor de curent şi ulterior a instabilităţilor termice localizate necesită
doar neuniformitatea densităţii de curent şi destulă disipaţie de putere localizată pentru a
provoca o creştere substanţială a temperaturii filamentului. Într-adevăr, creşterea densităţii
21
purtătorilor în filamentul de curent pate adesea provoca o scădere a tensiunii externe pe
dispozitive dacă rezistenţa externă în serie cu dispozitivul este apreciabilă şi totuşi
dispozitivul se pate distruge.
Pentru evitarea străpungerii secundare trebuie să menţinem disipaţia totală de putere
sub control şi mai important să evităm neuniformităţile densităţii de curent în special la
amorsare şi la dezamorsare, când disipaţia instantanee de putere este cea mai mare. Totuşi,
construcţia de bază a tranzistorului conduce la constrângeri referitoare la curent prin
mecanisme cu aglomerarea curentului de emitor. În timp ce aglomerarea curentului poate fi
amânată până sunt atinse nivelele de curent specifice, o dată ce aceste nivele sunt depăşite,
constrângerea referitoare la curent poate fi destul de severă pentru formarea unui curent de
filament şi posibile instabilităţi termice localizate.
La iniţierea dezamorsării dispozitivului, circulaţia curentului de bază negativ induce o
cădere de tensiune laterală de polaritate opusă faţă de cea descrisă în fig.8a. Aceasta are ca
efect o aglomerare a curentului de emitor către centrul emitorului, ca în fig.8b şi încă o dată
condiţiile sunt favorabile instabilităţii termice. Dacă totuşi grosimea emitorului este făcută
mică, atunci căderea de tensiune laterală va fi mai mică ( o rezistenţă mai mică pentru fluxul
lateral al curentului de bază pentru a dezvolta o cădere de tensiune pe ea). Aceasta înseamnă
că severitatea aglomerării curentului va fi mai mică şi posibilitatea unei străpungeri
secundare va fi mai mică. Din acest motiv, BJT – urile de putere sunt construite cu mai multe
degete înguste ale emitorului (fig.2), în paralel degrabă decât câteva emitoare cu arii
transversale mari. Alte măsuri pentru reducerea posibilităţilor de străpungere secundare
includ utilizarea unei viteze controlate de variaţie a curentului de bază la dezamorsare,
utilizarea unui circuit de protecţie ca dispozitivele de siguranţă şi diode în regim liber şi
poziţionarea traiectoriei de comutaţie în limitele ariei de funcţionare sigură (SOA).

Pierderi în stare de conducţie

Cu excepţia frecvenţelor de comutaţie înalte, aproape toată puterea disipată la

funcţionarea unui BJT în regim de comutaţie are loc când tranzistorul este în stare de
conducţie, de obicei la saturaţie puternică. În acest caz disiparea de putere este dată de
(ignorând pierderile curentului de bază)

Tensiunea de saturaţie colector – emitor VCE(sat) creşte cu creşterea curentului de

colector,
Câteva căderi de tensiune interne la un tranzistor de putere contribuie la V CE(sat) . Aeste
căderi de tensiune şi unele din originile lor sunt indicate schematic în secţiunea verticală
printr-un tranzistor de putere în fig.18. Adunându-le rezultă:

Tensiunile VCB(on) şi VBC(sat) sunt tensiuni ce apar pe joncţiunile polarizate direct B-E,
respectiv C-B. Aceste tensiuni diferă între ele prin 0,1 – 0,2V din cauză că joncţiunile diferă
semnificativ între ele. Joncţiunea C-B are o arie mult mai mare decât joncţiunea B-E şi

22
nivelele de dopare sunt mult mai mici pe joncţiunea B-E. Această diferenţă de tensiune este
relativ independente de curentul de colector.

Fig.18 Secţiune verticală printr-un BJT de putere ce prezintă originea componentelor

tensiunii C-E VCE(sat) în stare de conducţie.

Rezistenţele Re şi Rc reprezintă rezistenţe ohmice a regiunilor puternic dopate ale

emitorului, respectiv colectorului. La curenţi de colector scăzuţi până la moderaţi, căderile de
tensiune pe aceste rezistenţe sunt neglijabile. Dar la curenţi mari, aceste căderi devin
importante şi se adaugă creşterii lui VCE(sat) cu curentul de colector.
Contribuţia majoră la creşterea lui VCE(sat) cu curentul de colector o are căderea de
tensiune Vd pe regiunea de deplasare a colectorului. Această tensiune poate fi făcută
rezonabil de mică din cauza modulaţiei conductivităţii şi curentului de colector relativ
independent (ca la dioda de putere cu joncţiune pn ce are o regiune d deplasare analogă).
23
Totuşi la curenţi de colector mari, densităţile de purtători în exces în regiunea de deplasare se
apropie de mult de valorile la care durata d viaţă a purtătorilor încep să scadă (recombinare
Auger) şi de asemenea mobilitatea (difuzia purtător – purtător). Când se întâmplă aceasta V d
începe să crească semnificativ şi aşadar creşte VCE(sat) .Cum s-a întâmpla şi la diodă, mărimea
lui Vd este dependentă de durata de viaţă a purtătorilor în exces a cărei valoare este un
compromis între valori mari care minimizează Vd şi valori mici care micşorează timpii de
comutaţie.
Creşterea lui Vd cu curentul de colector va fi mai severă şi începe la valori scăzute ale
curentului de colector pentru BJT-urile de înaltă tensiune din cauza regiunii de deplasare
lungi pe care aceşti tranzistori trebuie să o aibă pentru a permite tensiuni C-E mari în stare
blocată. Acest aspect al comportării tranzistorului este analogă cu comportarea diodelor cu
joncţiune pn de înaltă tensiune. Pe baza acestor observaţii, se poate estima că capabilităţile
de curent ale BJT-urilor sunt similare cu cele ale diodelor cu aceeaşi tensiune nominală.
Totuşi BJT-urile au capabilitatea densităţii de curent semnificativ mai scăzută la
tensiuni de străpungere decât această estimare optimistă. Mecanisme ca aglomerarea
curentului de colector şi modulaţia conductivităţii bazei, care micşorează valoarea lui beta,
încep la densităţi de curent mai scăzute decât densităţile de curent pe care le pot prelua
diodele. Scăderea lui beta cu creşterea curentului de colector înseamnă că curentul de bază
trebuie să fie crescut cu o viteză mai mare decât curentul de colector pentru a menţine
dispozitivul la saturaţie puternică sau cel puţin aproape de ea astfel încât căderea de tensiune
pe tranzistor să nu fie prea mare. Tranzistorului nu i se poate permite să intre prea departe în
cvasi-saturaţie la curenţi mari de colector din cauză că V CE (şi prin urmare disipaţia de
putere) creşte foarte rapid (fig.7). deoarece există o limită practică a mărimii curentului de
bază pe care utilizatorul vrea să-l furnizeze tranzistorului, există o limită practică superioară
a curentului de colector şi deci a densităţii de curent.
Aproximativ, tranzistorul este utilizabil pentru curenţi de colector de 10 ori mai mari
decât valoarea la cere este vârful amplificării în curent şi începe să scadă cu creşterea
curentului de colector.
Aglomerarea curentului de emitor şi alte mecanisme care reduc beta la curenţi mari de
colector sunt atât de semnificativi încât fabricantul de tranzistoare proiectează structura
tranzistorului pentru o valoare specifică a curentului de colector pentru care bate începe să
scadă. O dată ce acest nivel de curent a fost determinat, proiectantul dispozitivului adaptează
durata de viaţă a purtătorilor din regiunea de deplasare astfel încât căderea de tensiune pe ea
să fie menţinută la nivelele dorite. În această abordare de proiectare sunt valabile aceleaşi
compromisuri de bază între tensiunea de străpungere, pierderile în stare de conducţie şi
vitezele de comutaţie descrise pentru diodele de putere; singura modificare de bază este că
ele au la densităţi de curent mai mici.

Zonele de funcţionare în siguranţă

Zonele de funcţionare în siguranţă sau SOA sunt o metodă convenabilă şi compactă de

a analiza valorile curentului şi tensiunii la care trebuie supus tranzistorul. Două SOA
24
separate sunt utilizate referitor la BJT-uri şi ambele sunt date de obicei în filele de catalog.
Aşa numita zonă de funcţionare în siguranţă la polarizare directă (FBSOA) este prezentată în
fig. 19 şi zona de funcţionare în siguranţă la polarizare inversă (RBSOA) este prezentată în
fig.20. Denumirile de polarizare directă şi inversă se referă la curentul de bază ce polarizează
invers (ceea ce ar fi adecvat pentru dezamorsarea BJT-ului).

Traiectorie idealizată a unui circuit cu

sarcină inductivă cu diodă de limitare.

Fig.19 FBSOA a unui BJT de putere. FBSOA este prezentată haşurat şi extinderea ariei
pentru funcţionarea în impulsuri a BJT este prezentată pentru timpii de comutaţie mai mici
ce duc la FBSOA mai mari.

Câteva mecanisme fizice participă activ la stabilirea limitelor FBSOA prezentată în

fig.19. Curentul ICM este curentul maxim de colector chiar ca impuls ce trebuie aplicat
tranzistorului. Depăşirea acestui curent poate provoca vaporizarea sau defectarea firului de
legătură sau a metalizărilor de pe plachetă. Această limită termică este limita dispozitivului
de putere stabilită de rezistenţa termică a tranzistorului şi temperatura maximă admisibilă a
joncţiunii. Limita sptrăpungerii secundare reprezintă combinaţiile maxime admisibile ale
tensiunii şi curentului fără a ajunge în regiunea planului i C-vCE unde poate avea loc
străpungerea secundară. Porţiunea finală a limitei FBSOA este limita tensiunii de
străpungere BVCE0.

25
 Dacă tranzistorul funcţionează ca un comutator atunci limitele FBSOA se extind cum
se arată în fig.20. Pe scurt, extinderea SOA are loc pentru funcţionarea la comutaţie din
acuză că placheta de siliciu şi ambalajul său are o capacitate termică şi deci o abilitate de a
absorbi o cantitate finită de energie fără ca temperatura joncţiunii să crească la nivele
excesive. Dacă tranzistorul se amorsează în câteva microsecunde sau mai puţin, cantitatea de
energie absorbită este prea mică pentru a provoca o creştere apreciabilă a temperaturii
joncţiunii şi în consecinţă FBSOA este în esenţă pătrată, fiind limitată doar de ICM şi BVCE0.

Fig.20 RBSOA a unui BJT de putere.

În mod similar este construită RBSOA prezentată în fig.20. Aria cuprinsă de RBSOA
ce este o SOA pulsatorie, este ceva mai mare decât FBSOA din cauza extinderii ariei
tensiunilor mai înalte decât BVCE0 până la BVCE0 la curenţi scăzuţi de colector. Funcţionarea
tranzistorului până la tensiuni înalte este posibilă din cauza combinării curentului scăzut de
colector şi curentului de bază invers ce a dus la un beta mic astfel încât tensiunea de
străpungere creşte spre BVCE0.

Rezumat

26
 S-a analizat structura şi caracteristicile funcţionale ale BJT-urilor destinate comutaţiei
în aplicaţiile de putere.
Concluzii:
1. BJT de putere are o structură orientată vertical cu o structură B-E cu segmente
intercalate şi o regiune de deplasare a colectorului slab dopată.
2. Regiunea de deplasare stabileşte tensiunea de blocare nominală a BJT-ului şi provoacă
aşa numita regiune de cvasi-saturaţie a caracteristicii I-V.
3. BJT este un dispozitiv blocat în mod normal care este amorsat prin amplificarea unui
curent de bază suficient de mare ca să provoace injecţia unui mare număr de purtători
minoritari în bază din regiunea emitorului. Difuzia ulterioară a acestor purtători prin
bază spre colector formează curentul de colector.
4. BJT-urile de putere au amplificare în curent mică, în special la valori mari ale
tensiunilor de străpungere nominale. Aceasta a dus la dezvoltarea tranzistoarelor
Darlington monolitice ce au amplificări de curent mai mari.
5. Circulaţia laterală a curentului în bază este cel mai important factor de limitare a
performanţei BJT. Ea determină căderi de tensiuni laterală care duc la aglomerarea
curentului de emitor care la rândul său determină scăderea amplificării decurent. Dacă
aglomerarea de curent este excesivă are loc străpungerea secundară şi distrugerea
dispozitivului.
6. Modulaţia puternică a conductivităţii regiunii de deplasare pentru a micşora pierderile
în stare de conducţie necesită durate de viaţă mari ale purtătorilor. Dar aceasta duce la
timpi de dezamorsare lungi, astfel încât trebuie să se facă un compromis la proiectarea
BJT între pierderi mici în stare de conducţie sau timpi de comutaţie mai scurţi.
7. Dezamorsarea unor tipuri de BJT-uri trebuie făcută cu o viteză controlată de variaţie a
curentului de bază negativ pentru a evita izolarea excesivă a sarcinii stocate în BJT,
care duce la timpi excesivi de lungi de dezamorsare şi o disipaţie mare de putere.
8. SOA a BJT este limitată de străpungerea secundară. RBSOA este în mod normal
factorul de limitare.
9. BJT-uri cu SOA-uri limitate pot necesita ca traiectoria lor de comutaţie să fie
controlată cu circuite de siguranţă atât la amorsare cât şi la dezamorsare.

27