Particularități ale amplificatoarelor cu tranzistoare

LDMOS
Oltean Ioan Dănuț - YO6BLM

1. Prezentare
Amplificatoarele RF de putere (PA – fig.1) cu tranzistoare LDMOS încep să ia
locul, tot mai mult al amplificatoarelor cu tuburi electronice în domeniul undelor
scurte și ultrascurte din aparatura de radioamatori.

Fig. 1 Principiul amplificatorului de radiofrevență (RF)

Evoluția în timp a tranzistoarelor de RF de putere (de acum 10 ani) referitor la

puterea obținută, amplificarea în putere AP (Gain), frecvența de lucru (Max
frequency), rezistența de transfer termic (Rth) și randament (Efficiency) se pot
urmării din imaginea din figura 2.

Fig. 2 Evoluția în timp a tranzistoarelor de RF de putere

 Funcționarea tranzistorului cu efect de câmp (MOS) are la bază câmpul electric
creat de grila G în zona canlului dintre drenă D și sursă S.
Condiții de funcționare pentru tranzistorului MOS (fig. 3):
• să existe un câmp electric longitudinal în zona canalului; condiţia este
satisfăcută dacă VD>VS;
• să existe purtători de sarcină liberi.

Fig. 3 Structura și simbolul unui tranzistor MOS

Curentul de la drena ID este controlat de un câmp electric vertical indus de către

grilă. Traseul curentului este în plan orizontal între drenă și sursa activă și lateral
de la sursa activă spre contactul ohmic al sursei aflat în partea inferioară a
structurii semiconductoare (fig.4).

Fig. 4 Principiul de funcționare al tranzistorului

Tranzistoarele LDMOS prezintă avantaje față de dispozitive bipolare:

 câștigul mai mare,

 eficiență și liniaritate,
 comportare buna la raport SWR,
 polarizarea simplificată.
 2. Principii de realizare a circuitelor amplificatorului

a) Circuitele de intrare și de ieșire

- să asigure adaptarea de impedanțe și defazarea de 180° (Push-Pull);

- Impedanțele de intrare și de ieșire având valoari reduse se impune adaptarea
acestora la valoarea de 50 ohm.

b) Circuitul de polarizare

- să permită reglajul tensiunii și să-și ajusteze valoarea în funcție de temperatura de

funcționare.

c) Circuitul de tranfer a energiei termice (răcire)

- să asigure disiparea unei puteri de ordinul zeci – sute Watt.

Pentru funcționarea în regim liniar tranzistorul trebuie polarizat cu o tensiune

pozitivă mai mare decât pragul Bias (fig. 5).

Fig.5 Dependența curentului prin tranzistor IDS în funcție de tensiunea de polarizare VGS

Tranzistoarele LDMOS se realizează, de obicei, cu structură dublă (fig.6), ceea

ce le face utile în amplificatoarele de bandă largă.
 Fig. 6 Structura unui tranzistoar dublu LDMOS

Circuitele de adaptare la intrare (input baloon) și la ieșire (ouput baloon) sunt

transformatoare de bandă largă. Majoritatea construcțiilor folosesc ferite tip 43 sau 61
cu raport 4:1, respectiv 1:9 (fig. 7).

Fig. 7 Schema de principiu a unui amplificator cu tranzistor LDMOS dublu

Amplificatorul de putere conține practic două module: circuitul de intrare și de

polarizare a grilelor G1, G2 ale tranzistorului cu polarizarea (Bias) și circuitul de ieșre
unde sunt conectate drenele D1, D2 cu circuitele de adaptare. Modulul de ieșire conține
partea de alimentare a drenelor și cea de adaptare de la impedanța de ieșire a
tranzistorului la impedanța de 50 ohm a antenei – RF Out.
Principiul de realizare a circuitelor amplificatorului cu cele două module se prezintă
în figura 8 (https://www.dxworld-e.com/product-page/ldmos-1-2kw-hf-linear-amplifier-
board-1-8-54mhz).
 Fig. 8 Principiul de realizare al amplificatorului cu două module

3. Variante de realizare a unui amplificator cu tranzistor LDMOS

Circuitele de intrare și de ieșire ale amplificatorului se realizează cel mai frecvent pe
cablaj imprimat (PCB) dublu placat (varianta W6PQL), așa cum se indică în figura 9.

Fig. 9 PCB-ul pentru circuitul de intrare (stanga) și de ieșire (dreapta)

 Modul de realizare a unui amplificator HF (https://www.dxworld-e) pe un PCB
asemanator celui din fig. 9 se indică în figura 10.

Fig. 10 Modul de realizare a amplificatorului HF (https://www.dxworld-e)

Circuitul de intrare asigură adaptarea de impedanțe de la 50 Ω la impedanța de

valoare redusă a tranzistorului. Modulul de intrare conține circuitul de polarizare al
grilelor: din tensiunea de 12 V se stabilizează la valoarea mai mică (Voltage regulator)
și se aplică la grile prin circuit de reglaj (R1, R2) respectiv cu potențiometru, din care se
poate regla curentul de repaus. Stabilizarea termică se impune deoarece cu creșterea
temperaturi tranzistorului curentul de drenă va crește și de aceea se impune o reducere
a tensiunii de polarizare. Compensarea termică se poate face cu diode
semiconductoare (fig. 11.a) sau cu termistoare NTC (fig. 11.b - varianta K1YP) care se
fixează langă capsula tranzistorului.
 Fig. 11 Variante de circuite de polarizare cu stabilizare termică a. cu diodă, b. cu termistor
NTC

In funcție de tranzistor (BLF 188) tensiunea de polarizare (bias) VGS=1,8...1,9V se

ajustează pentru un curent de repaus Iq=0,75...1,5A, care să asigure funcționarea în
regim liniar a amplificatorului (fig. 5). Amplificarea tranzistorului LDMOS (Max Gain -
BLF 188 xr) depinde de valoarea curentului de repaus (fig. 12).
 Fig. 12 Dependența amplificării de curentul de repaus la tranzistorul BLF 188xr

Schema electrică de a modulului de intrare a amplificatorului este indicată în

figura 13 (varianta EB 104). Aceasta conține:
 ATT - atenuator -3dB;
 L1, L2 transformator de adaptare(4:1) și de defazare;
 BIAS – circuit de polarizare a grilelor cu compensare termică cu diode.
 Circuit de protecție la supratensiune - TVS Diode (opțional la alte
variante).

Fig 13 Circuitul de intrare al amplificatorului cu tranzistor LDMOS (EB104 board)

 Variante de transformatoare de impedanță 1:4 de la intrare și respectiv de ieșie
folosite la amplificatoarele de unde scurte (HF) sunt indicate în figura 14.

Fig. 14 Principiul de realizare al unor transformatoare de adaptare cu cablu coaxial

La schema modulului de ieșire (varianta EB 104) sunt prezente următoarele:

 L4, L5 circuitul de alimentare al drenelor realizat prin intermediul a două bobine
pe miezuri toroidale de ferită.
 Circuitul de adaptare 1:9, realizat pe miezuri de ferită (bead ferrite) bobinate cu
câte 3 spire de cablu coaxial cu impedanța de 25 Ω pentru adaptarea
impedanței de ieșire a tranzistorului (aprox. 5,6 Ω) la valoarea de 50Ω (ieșirea
spre antena) (fig 15). La ieșire după adaptorul de impedanță se folosește un
baloon de curent.
 Fig. 15 Schema modulul de ieșire (EB 104) și modul de conectare (după PA0FRI)

Unii constructori folosesc în locul cablului coaxial cu impedanța de 25 Ω (mai

greu de procurat) doua bucăți de cablu coaxial de 50Ω (RG316) legate in paralel (fig.
16).
 Fig. 16 Modul de realizare al unor circuite de adaptare a) cu cablu coaxial de 25Ω; b) cu
paralel de două cabluri de 50Ω (RG 316);

Pentru adaptarea la antenă se folosește, de asemena și transformatorul 1:9 cu o

spiră în primar realizată din tub din cupru introdus în miezul de ferită cu două găuri
având capetele la drenele tranzistorului. În interiorul țevilor de cupru se bobinează 3
spire din conductor de cupru. Conductorul folosit este izolat cu teflon (fig. 17.a) sau unii
constructori (varianta pa0fri) folosesc în paralel cate 3 cabluri RG 316 (fig. 17.b) la
ieșirea spre antenă. Miezul constă din cilindrii de ferită (Bead Mx 61) câte două bucăți
pe fiecare parte (fig. 17).

Fig. 17.a.b Circuit de ieșire cu transformator 1:9, a) cu 3 spire din conductor izolat, b) cu 3
spire din cablu coaxial (3 în paralel).

4. Circuite de protecție

Pentru funcționarea corectă a amplificatorului trebuie asigurat:

 Transferului termic și protecție la supratemperatură;
  Limitarea puterii de intrare;
 Protecție la supracurent.

a) Protecția termică
Deoarece, la puterea nominală fluxul termic transferat de la capsula tranzistorului
spre radiator este suficient de mare (200...500W) se impune asigurarea unui bun
transfer termic. Literatura de specialitate recomandă menținerea temperaturii joncțiunii
Tj sub 170 °C. Între temperatura joncțiunii și radiator, în funcție de rezistența termică a
ansamblului, diferența de temperatură poate atige în regim dinamic zeci de grade.
Pentru răcire se recomandă amplasarea tranzistorului pe un disipator din cupru cu
dimensiuni egale sau mai mari decât a PCB-ului modulelor având grosime 5...10mm
(fig. 17).
La fixarea capsulei tranzistorului pe disipator unii constructori (W6PQL) folosesc
cositorirea (fig. 17.a). În prezent există paste termoconductoare care oferă un transfer
termic apropiat de cel la metalului, de exemplu pasta Thermal Grizzly liquid metal
(www.thermal-grizzly.com) (fig. 17.b).

Fig. 17.a.b Mod de amplasare al tranzistorului pe disipator

În apropierea capsulei tranzistorului se amplasează senzorul pentru

compensarea termică a polarizării grilelor și senzorul pentru supravegherea temperaturii
de funcționare (controller-ul de temperatură).
 Disipatorul din cupru se fixează pe suprafața plană a corpului de răcire (radiatorul
din aluminiu dimensionat corespunzător) prin strângere cu șuruburi pentru a obține un
bun transfer termic. Răcirea forțată a radiatorului se face cu ventilatoare cu un debit de
aer care să permită evacuarea căldurii și menținerea temperaturii acestuia sub valoarea
de 45...50 grade.

b) Limitarea puterii de intrare

Modulul de intrare al amplificatorului conține un atenuator de -3dB care permite
aplicarea la intrare a unei puteri mai mici de 7 W. Pentru a putea funcționa cu puteri mai
mari al intrare este necesar să se folosească un atenuator. Atenuatorul rezistiv
monobloc cu diferite grade de atenuare se poate utiliza și amplasa în apropierea intrării
(fig. 18).

Fig. 18 a. Plasarea atenuatorului rezistiv monobloc;

b. Atenuator monobloc de -10 dB.

Limitarea tensiunii de RF la grilele tranzistorului se poate face cu diode supresoare

de RF, ca la circuitul din figura 13.
Atenuatorul rezistiv se poate realiza in Pi sau T folosind rezistoare neinductive (de
exemplu rezistoare rusești tip MLT). Valorile rezistoarelor se obțin prin calcul în funcție
de atenauare (https://chemandy.com/calculators/matching-pi-attenuator-calculator.htm).
Pentru atenuarea de -10 dB valorile sunt date în figura 19.
 Fig. 19 Atenuator în Pi (valori calculate pentru -10dB)

c) Protecția la supracurent și SWR

Pentru protecția tranzistoarelor LDMOS în literatura de specialitate se pot gasi o

serie de circuite. Pentru protecția la supratensiune, supracurent și SWR se poate folosi
un circuit integrat care împreună cu câtena elemente poate realiza aceste protecții.
Acest circuit, relativ ieftin realizat de firma Infineon este BTS 660p
(https://datasheetspdf.com/datasheet/BTS660P.html). Schema bloc a circuitului este
indicată în figura 20.
În structura circuitului integrat așa cum este dată de producător (fig. 21) se găsesc
circuite de sesizare a supratensiunii, supracurentului, temperaturii, având posibilitatea
de a deconecta foarte rapid circuitul de sarcină (Load - tranzistorul LDMOS) atunci
când sunt depășiți parametrii de funcționare normali.
Protecția amplificatorului cu ajutorul circuitului BTS 660p se obține prin blocarea
alimentării la depășirea parametrului prestabilit, cum ar fi curentul maxim sau raportul
de unde staționare (SWR). Blocarea alimentării se obține prin schimbarea potențialului
IN (pinul 3) de la valoarea zero (circuit alimentat) la o valoare pozitivă – curent zero.

Tensiunea VIS de pe pinul 5 este proporțională cu valoarea curentului I L din circuitul

amplificatorului (al tranzistorului LDMOS). Prin rezistența RIS se poate supraveghea
curenrul IL

Fig. 20 Schema bloc a circuitului BTS660p

 Structura internă a circuitului BTS660p și modul de blocare al alimentării prin
modficarea tensiunii VbIN se indică în figura 22.

Fig. 22 Structura internă a circuitului BTS660p și modul de blocare al alimentării

Modul de realizare a unui circuit de protecție la raport de unde staționare universal

pentru P ≤ 1000W și curent I≤ 38A cu circuitul BTS 660p (Dutch Shop RF) este indicat
în figura 23. Circuitul universal de protecție la SWR permite decuplarea tensiunii de
alimentare la depășirea valorii maxime permise a raportului de undă staționară.
Circuitul de protecție se intercalează pe circuitul de antenă și cel de curent pentru ca
prin informația de SWR să se decupleze circuitul de alimentare al tranzistorului.
 Fig. 23 Circuit universal de protecție la SWR cu BTS 660p

Circuitul include un potențiometru din care se poate regla valoarea SWR la care să
se facă deconectarea tensiunii (fig. 23). Un LED care se conectează la bornele indicare
se activează când se produce blocarea curentului. În caz de deconectare datorită unui
raport SWR mare reconectarea tensiunii se obține prin tastare reset (reset switch) după
obținerea unui raport SWR normal la reacordul antenei.

Bibliografie
1. * * *, RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals, Philips
Semiconductors, 1998
2. http://www.w6pql.com/1_kw_sspa_for_1_8-54_mhz.htm
3. https://www.ebay.de/itm/LDMOS-1-2KW-HF-LINEAR-AMPLIFIER-BOARD-1-8-54MHz-
BLF188XR-MRF1K50H-
MRFX1K80H/163882073669?hash=item262821fe45:g:mScAAOSwoKhe-EAl
4. https://eb104.ru/karta-sayta/directory
5. http://www.digitaliontechnologies.com/downloads/datasheet/PAFM1000W144_Rev5.0.pd
f
6. https://pa0fri.home.xs4all.nl/Lineairs/BLF188%20HF%20amplifier/BLF188%20HF%20am
plifier%20Eng%20version.htm
7. https://www.qsl.net/kf8od/ldmos1.html
8. https://www.pcs-electronics.com/product-category/fm-amplifiers/