2.5.

Aplica]ii
1. S@ se proiecteze circuitul de comand@ n gril@ pentru un tiristor de tip T63N, a c@rui caracteristic@ vG=f(iG) este prezentat@ n fig. 2.1. Se impune ca amorsarea s@ fie realizat@ indiferent de temperatura virtual@ a jonc]iunii Tvj ale c@rei valori pot fi cuprinse, conform datelor de catalog [2], n intervalul (-40 ... +150)oC. Solu]ie: Configura]ia (principial@) a circuitului de comand@, precum }i rezolvarea pe cale grafic@ a problemei sunt prezentate n fig. 2.48. Conform datelor din enun], amorsarea trebuie s@ se produc@ indiferent de temperatura virtual@ a jonc]iunii (n limitele impuse de catalog) }i, evident, pentru orice dispozitiv din serie. In acest sens locul geometric al tuturor perechilor posibile de valori (vG, iG) trebuie s@ se g@seasc@ n interiorul ariei de amorsare sigur@ (AS), limitat@ de nivelele maxime ale puterii disipate pe gril@ PGM (Tab. 2.1), func]ie de durata impulsului.

2.5. - Aplica]ii
VG [V]
20 10

51

a b

AS
1

cd

Rg + E vg

0.1 0.01

0.1

10

100

IG [A]

E=10V; Rg=10

Fig. 2.48 Schema circuitului de comand@ }i determinarea pe cale grafic@ a parametrilor acestuia.

Din configura]ia circuitului (fig. 2.48) se poate scrie rela]ia evident@:

E = iG R G + vG

(2.5.1)

Transpus@ n planul (vG, iG) aceast@ ecua]ie reprezint@ o dreapt@, numit@ dreapta de sarcin@, care este deformat@ de sc@rile logaritmice ale axelor. Aceast@ dreapt@ trebuie s@ treac@ prin (AS). Proiectarea este iterativ@ deoarece trasarea unei drepte ntr-un plan cu axe logaritmice nu este att de evident@. Astfel se alege tensiunea E pentru iG=0 }i, evident, vG=E; fie aceast@ tensiune E=10V. Punctul de intersec]ie cu axa iG se alege cu condi]ia vG=0; fie iG=1A, din care rezult@ RG=10. Se dau apoi diverse valori tensiunii vG, calculndu-se curentul iG corespunz@tor din (2.5.1). In final se unesc punctele (vG, iG) astfel ob]inute }i se traseaz@ dreapta de sarcin@ (fig. 2.48). In cazul n care aceasta nu trece n totalitate prin (AS) se modific@ unul din parametrii ini]iali (E sau RG). Dac@ alimentarea circuitului de gril@ se realizeaz@ n impulsuri, dreapta de sarcin@ poate s@ treac@ n vecin@tatea limit@rilor impuse de catalog, f@r@ ns@ a le dep@}i. 2. S@ se proiecteze circuitul de comand@ al unui tiristor n diagonal@ de punte, realizat cu ajutorul unui tranzistor unijonc]iune tip ROS11C, n montaj de oscilator sincronizat, destinat modific@rii unghiului de comand@ n intervalul /10..., corespunz@tor unei frecven]e f = 50Hz

52 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2 Datele de catalog ale tranzistorului unijonc]iune sunt [8]: Ip=2mA, Iv=8mA, VEB1sat=5V, med=0,7, VB2B1max=35V. Schema de principiu este prezentat@ n fig. 2.49. Solu]ie: Proiectarea circuitului de comand@ presupune dimensionarea rezisten]elor R (valoarea minim@ }i maxim@ conform limitelor de reglaj pentru unghiul de comand@) }i R3, la alegerea valorii condensatorului C=0,22F (recomandat a se ncadra n gama 10nF...10F) }i a tensiunii de alimentare V=15V (ob]inut@ cu ajutorul diodei PL15Z). Func]ionarea circuitului este ilustrat@ n fig. 2.50. Valoarea minim@ a rezisten]ei R (Rmin) se determin@ astfel nct condensatorul C s@ se poat@ nc@rca la tensiunea de basculare Vc a tranzistorului TUJ (definit@ de raportul intrinsec furnizat de catalog, =0,7):

Vc = V
n timpul tmin corespunz@tor unghiului minim de comand@ (/10):

(2.5.2)

t min =

T 20 10-3 = = 1ms 2 10 20

(2.5.3)

n care T=20ms reprezint@ perioada corespunz@toare frecven]ei industriale de 50Hz.

V2
R1 DZ
PL15Z

R3

20k

150

V1
P

V3

TUJ
ROS11C

V4
R

1PM4

C
0,22

2 22

220V

RL

Fig. 2.49 Schema de comand@ cu TUJ a unui tiristor ^n diagonal@ de punte.

2.5. - Aplica]ii

53

In aceste condi]ii Rmin se calculeaz@ din rela]ia:

R min =

t min 1 C ln 1 -

10
-6

-3

1 0,22 10 ln 1 - 0,7

= 3,78k

(2.5.4)

In mod similar se determin@:

R max

10 10-3 1 0,22 10 ln 1 - 0,7

-6

= 37,8k

(2.5.5)

Func]ionarea n bune condi]iuni a oscilatorului impune ndeplinirea inegalit@]ilor:

V1

2202 V
t 10m s

V2
11V
0 t

V3
Vp

V4

Fig. 2.50 Formele de und@ ^n circuitul de comand@.

54 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

R min >

V - VEB1sat 15 - 5 = = 1,25k 8 10-3 IV

(2.5.6)

R max <

V(1 - ) Ip

15(1 - 0,7) = 2,25M 2 10-6

Rezisten]a R3 asigur@ polarizarea diodei Zener, limitnd curentul de lucru al acesteia la o valoare (aleas@ din caracteristicile de catalog) IZmax=15mA, suficient@ pentru a realiza stabilizarea tensiunii V pe de-o parte }i a nu disipa o putere mare pe rezisten]@:

R3 =

220 2 - 15 u1 max - V = 20k 15 10-3 I Zmax

(2.5.7)

Puterea disipat@ pe rezisten]a R3 rezult@ din:

P R3

( u1ef - V )2 R3

(220 - 15)2 = 1,9W 22 103

(2.5.8)

Aceast@ valoare reprezint@ un maxim deoarece este calculat@ n condi]iile n care unghiul de comand@ este = (tiristorul practic nu intr@ n conduc]ie). Pentru < , n momentul deschiderii tiristorului, circuitul de comand@ este scurtcircuitat (zona ha}urat@ din fig. 2.50), avnd ca efect sc@derea puterii disipate pe R3. Rezisten]ele R1=150 }i R2=22 s-au ales func]ie de recomand@rile date de catalog:

R1 =

0,4 R BB 0,4 3300 = = 150 0,8 11 V

(2.5.9)

R 2 = 15...60
3. S@ se proiecteze un circuit de comand@ pentru un redresor monofazat bialternan]@, realizat pe baza circuitului integrat AA145. Vor fi luate n

2.5. - Aplica]ii

55

considerare variantele f@r@ }i cu separare galvanic@ prin transformator de impuls, cu monoimpuls }i cu tren de impulsuri. Solu]ie: Schema de aplica]ie tipic@ a unui circuit de comand@ cu sincronizare de faz@ (conform principiului prezentat n fig. 2.8) realizat cu circuitul integrat AA145, recomandat@ de catalog [9], este ilustratat@ n fig. 2.51. Func]iunile acestui circuit sunt: - generarea impulsurilor de comand@ pentru tiristoare, sincronizate cu alternan]ele pozitiv@ }i negativ@ (pinul 14, respectiv 10 - ie}iri cu colector n gol cu capacitate maxim admisibil@ n curent de 100mA), prin intermediul intr@rii de sincronizare (pinul 9 - la un curent maxim admisibil de intrare de 20mA);
-15V 1.5k R61 R1 sincr. +15V

R62 R2

16 15 14 13 12 11 10 9
C2 47nF

R3 R4

AA145
1 2 3 4 5 6 7 8

+15V C1 100n

390 R51 R52

100F -15V

Fig. 2.51 Schema de aplica]ie tipic@ a circuitului integrat AA145.

tp
[ms]
4.5 6

V8=4V

1.5

0 40 80 120 160 200

R6 [k ]

Fig. 2.52 Durata tp a impulsului de comand@ func]ie de rezisten]a R6.

56 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

160

[ ] 120

80

40

20

60

100

140 R 5 [k ]

Fig. 2.53 Unghiul minim de conduc]ie func]ie de rezisten]a R5.

- reglarea duratei tp a impulsurilor de comand@, prin valoarea rezistorului R6 (R61+R62) - fig. 2.52; - reglarea unghiului minim de conduc]ie h, func]ie de valoarea rezistorului R5 (R51+R52) - fig. 2.53; - definirea unghiul de comand@ prin poten]ialul aplicat pe pinul 8 (fig. 2.54); - blocarea impulsurilor de comand@ prin intermediul pinului 6, la conectarea acestuia la sursa de alimentare pozitiv@ (+15V); - sincronizarea mai multor circuite integrate (de ex. la redresoare trifazate), prin conectarea pinilor 16, facilitnd posibilitatea comand@rii simultane, n condi]ii identice, cu un acela}i poten]ial aplicat pinului 8.

200 150 tp=0.5ms 100

h = 0

[]

50

V8 [V]

Fig. 2.54 Unghiul de comand@ func]ie de poten]ialul pinului 8.

2.5. - Aplica]ii
R1 V BB
10

57

+15V

AA145
14

R3

R4 TUJ

C R5

Fig. 2.55 Generarea trenurilor de impulsuri cu TUJ.

Dimensionarea divizorului R1, R3 are la baz@ recomand@rile catalogului: curentul de sincronizare s@ fie cuprins ntre 0,4...0,7mA }i R3 >> 22R1. Neglijnd astfel R3, pentru o tensiune de sincronizare de 220Vef, R1=470k }i R3=2M; dac@ se impune utilizarea unui transformator pentru separarea galvanic@, n cazul n care acesta este cobortor de tensiune, divizorul trebuie recalculat conform celor afirmate. Rezisten]ele R1 }i R2 (fig. 2.55 }i 2.51), n cazul n care tiristoarele sunt comandate direct de la pinii 14 }i 10, se dimensioneaz@ conform aplica]iei 1, cu respectarea curentului limit@ suportat de circuitul integrat (max. 100mA). Generarea semnalelor de comand@ sub form@ de trenuri de impulsuri se poate efectua cu ajutorul circuitelor prezentate n fig. 2.55 }i 2.56. In fig. 2.55 se utilizeaz@ un TUJ pe post de oscilator sincronizat cu impulsurile de ie}ire ale circuitului integrat AA145.
+15V 2x 1/4 MMC4081

R1
10

R2

AA145
14

T1

R1=R2=10k
astabil

Fig. 2.56 Generarea trenurilor de impulsuri cu por]i SI .

58 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2 Frecven]a de oscila]ie se alege n gama 1...5kHz. Astfel, pentru un condensator C de capacitate 26nF, cu ndeplinirea condi]iilor (2.5.6), pentru fosc = 1/Tosc = 3kHz, rezisten]a R = R1 + R3 rezult@ din:

R =

T 1 C ln 1 -

1 / 3000 1 26 10 ln 1 - 0,7
-9

= 10,6k

(2.5.10)

In aceste condi]ii, dac@ durata impulsului generat de circuitul integrat este tp = 2ms rezult@ c@ poarta tiristorului va fi atacat@ cu 6 impulsuri generate de TUJ. Rezisten]a R3 limiteaz@ curentul de desc@rcare al condensatorului C la valoarea limit@ admis@ de parametrii circuitului integrat (max. 100mA). Astfel, pentru o tensiune maxim@ pe condensator de Vc = 15V = 10,5V, pentru a limita curentul de desc@rcare la 50mA, rezult@ R1 = 210 }i n consecin]@ R3 = 10,4k. Rezisten]ele R4 }i R5 au valorile din aplica]ia anterioar@. In cazul n care circuitul de comand@ din fig. 2.55 necesit@ separare galvanic@ fa]@ de circuitul de for]@ va fi utilizat@ configura]ia din fig. 2.7b. In fig. 2.56 generarea trenurilor de impulsuri se realizeaz@ pe baza unor por]i (MOS) SI (MMC4081) [10] ale c@ror intr@ri sunt alimetate de ie}irile circuitului integrat pe de-o parte }i de un oscilator (astabil) realizabil cu circuite MOS ( de ex. MMC4047) sau liniare (de ex. E555) [11]. Ie}irile por]ilor SI nu sunt capabile s@ comande n mod direct circuitul de gril@ al tiristoarelor, astfel ^nct se impune utilizarea unui amplificator a c@rui structur@ a fost prezentat@ n fig. 2.9. Tranzistorul T1 poate fi de tip MOS sau tranzistor bipolar de medie putere ^n conexiune Darlington, cu un circuit de comand@ corespunz@tor. Pentru simplificare se transpun rezisten]a R1 }i condensatorul C n secundarul transformatorului, calculul fiind astfel pornit de la circuitul de comand@ al tiristorului. In aceste condi]ii, schema echivalent@ pentru alternan]a pozitiv@ a tensiunii din secundar este prezentat@ n fig. 2.57. Considernd tiristorul din aplica]ia 1, suma Rg = R1t + R2 = 10, se determin@ n mod similar dac@ se neglijeaz@ curentul prin R3 (R3 >> Rg, alegndu-se R3 = 100) }i, pentru a ]ine seama de VF(D2) , se ia V2 = 11V. Rezisten]a R2 se calculeaz@ func]ie de raportul IGTM/IGT (fig. 2.3). Astfel, pentru IGTM/IGT=4:

2.5. - Aplica]ii
Ct R2 D2 V2 R1t R3 VG IG

59

VF(D2)

Fig. 2.57 Circuitul echivalent de comand@ al tiristorului.

R2

R1t + R 2 = 2,5 4

(2.5.11)

Valoarea astfel ob]inut@ este aproximativ@ deoarece nu s-a ]inut seama de varia]ia tensiunii VG func]ie de IG. Pentru un calcul mai precis (care n general nu se justific@) se poate aplica o metod@ iterativ@. Condensatorul Ct determin@ durata (tIGTM) corespunz@toare aplic@rii vrfului impulsului de comand@. Dimensionarea sa implic@ stabilirea duratei impulsului. Pentru IGTM/IGT = 4, conform fig. 2.2 }i fig. 2.3 aceasta poate fi aleas@ (acoperitor) la valoarea de 50s (timpul de ntrziere la amorsare fiind pentru tiristorul T63N, tgd = 4,5s), cu supracre}terea de 30s. Considernd c@ nc@rcarea condensatorului Ct se realizeaz@ n 5 constante de timp, valoarea sa rezult@:

Ct

30 10 -6 30 10-6 = = 3,2F R 1t R 2 5 1,875 5 R 1t + R 2

(2.5.12)

Dac@ tensiunea pozitiv@ de alimentare a etajului de amplificare este aleas@ la valoarea V1=24V, raportul de transformare k rezult@:

k =

11 V2 = = 0,46 24 V1

(2.5.13)

rela]iilor:

Valorile din primar ale componentelor R1t }i Ct se ob]in cu ajutorul

60 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

7,5 R1t = = 35,44 2 0, 462 k C = Ct k 2 = 3,2 0, 462 = 0,67F R1 =

(2.5.14)

Dispunerea componentelor R1 }i C n primarul transformatorului prezint@ urm@toarele avantaje: a). Capacitatea C }i dimensiunile sale sunt mai mici (la transformator cobortor de tensiune). In plus, curen]ii ce o str@bat au valori reduse cu consecin]e pozitive asupra pierderilor n dielectric; b). Rezisten]a R1 limiteaz@ curentul prin tranzistor ^n cazul unei func]ion@ri defectuoase, protejndu-l. Tranzistorul T1 de tip MOS (fig. 2.56) ofer@ cea mai simpl@ modalitate de conectare la circuitul integrat MMC4081. El trebuie s@ suporte un curent maxim de dren@ IDM = IGTMk 2A }i o tensiune n stare blocat@ VDS 24V. In realitate aceste valori sunt mai mari (datorit@ faptului c@ elementele de circuit nu sunt ideale), astfel nct s-a optat pentru tranzistorul tip IRF 513 (ID = 3,5A, VDSS = 60V). Diodele D1 }i D2 sunt rapide (de comuta]ie) de tip BA157 (trr = 300ns). 4. S@ se proiecteze un circuit de comand@ cu separare galvanic@ (pe principiul prezentat n fig. 2.14) pentru un tiristor GTO cu urm@toarele caracteristici electrice principale: IGT = 100mA, VGT = 3V, ITQRM = 10A, ts = 0,5s, Goff = 2. Solu]ie: Schema concret@ a circuitului propus este prezentat@ n fig.2.58. Comanda este asigurat@ prin intermediul optocuplorului OC care, n momentul activ@rii sale, blochez@ tranzistorul MOS T2, permi]nd deschiderea tranzistorului bipolar T1 }i injectarea n circuitul de gril@ a curentului pozitiv de comand@ necesar deschiderii tiristorului GTO, limitat de rezisten]a R2. In aceast@ stare condensatorul C este nc@rcat la tensiunea limitat@ de c@tre dioda DZ. In cazul n care optocuplorul nu este activat, tranzistorul T2 se deschide, T1 se blocheaz@, condensatorul C furniznd sarcina necesar@ bloc@rii tiristorului. Dioda D asigur@ decuplarea circuitului de baz@ de cel de colector pentru tranzistorul T1. Se aleg ca date ini]iale: tensiunea de alimentare a circuitului VCC = 15V }i tensiunea pe dioda Zener DZ, VDZ = 10V.

2.5. - Aplica]ii

61

+VCC R1 R3 R2 T1 C G D DZ T2 OC A K

R4

Fig. 2.58 Schema circuitului de comand@.

Rezisten]a R2 rezult@ din condi]ia asigur@rii curentului de comand@ a deschiderii IGT, cu condensatorul C nc@rcat la tensiunea VDZ:

R2 =

15 - 10 - 3 Vcc - VDZ - VGT = = 20 0,1 IGT

(2.5.15)

Dimensionarea rezisten]ei R1 se poate efectua dup@ alegerea tipului tranzistorului T1. Acesta trebuie s@ suporte curentul maxim ce poate s@ apar@ n circuitul de comand@, n cazul n care condensatorul C este complet desc@rcat:

IGM =

15 - 3 Vcc - VGT = = 600 mA 20 R2

(2.5.16)

In acest scop se alege tranzistorul de comuta]ie tip 2N1613 (IC = 800mA, VCEO = 50V, hFE(sat) = 10). Astfel, cu VBE = 0,7V:

R2 =

( Vcc - VBE - VGT) h FE(sat) (15 - 0,7 - 3)10 = = 188 0,6 IGTM

(2.5.17)

Curentul IGT parcurge dioda DZ determinnd, mpreun@ cu tensiunea ce trebuie stabilizat@ (10V), tipul folosit: 10DZ10 (IZT = 250mA, IZM = 925mA, VZT = 10V). Capacitatea C trebuie s@ poat@ asigura sarcina QC necesar@ bloc@rii tiristorului GTO. In acest sens, n practic@, se ia QC=kQQGQ (kQ=2...10), valoarea minim@ fiind preferat@ la timpi mari de stocare }i curen]i mari de

62 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2 comand@, pentru a nu m@ri mult valoarea capacit@]ii, valoarea maxim@ oferind siguran]@ n func]ionare), astfel nct (kQ = 10):

C kQ

QGQ VGRM

kQ

ITQRM t s IGRM t s = kQ = VDZ Goff VDZ

(2.5.18)

= 10

10 0,5 10-6 = 2,5F 2 10

Se observ@ faptul c@ schema din fig. 2.58 nu con]ine rezisten]a de limitare a curentului de blocare. Teoretic, pentru valorile ITQRM }i Goff aceasta ar trebui s@ aib@ valoarea VDZGoff/ITQRM = 2. In mod practic ea se reg@se}te n rDS(on) (rezisten]a dren@ surs@, n stare de conduc]ie, a tranzistorului MOS), rezisten]ele conductoarelor de leg@tur@ etc. Tranzistorul MOS T2 este de tip IRF 511 (ID = 4A, IDM = 16A, VDSS = 60V, rDS(on)=0,6), iar dioda de comuta]ie D are codul D1F1 (trr = 300ns, VRRM = 100V, IFSM = 20A, IFAV = 1A). 5. S@ se realizeze simularea ^n SPice a circuitului de comand@ pentru tranzistoare bipolare de putere, prezentat ^n fig. 2.28. Solu]ie: *Comuta]ia tranzistoarelor bipolare de putere *Biblioteci apelate .lib eval.lib .lib bipolar.lib *Rezistente R2 4 1 R3 1 2 R4 2 3 R5 4 5 R6 5 8 R7 4 7 1k 2.7k 1.8k 3.3k 2.7k 150 *Diode D1 8 13 D1N4148 D2 10 12 D1N4148 R8 R9 R10 R11 4 11 8 10 5 14 15 3 10 270 62 10

*Condensatoare C1 4 11 0.22u C2 5 14 0.1u

*Tranzistoare de comanda Q1 5 2 3 Q2N2222A Q2 7 5 8 Q2N2222A Q3 11 8 10 Q2N2222A Q4 15 14 12 Q2N3906 *Tensiuni de alimentare V1 4 0 12V

2.5. - Aplica]ii

63

V2 V3 V4

3 0 -5V 16 0 12V 200 300 12V

.Model SWITCH VSWITCH +(RON=0.01) *Comanda Vcom101 0 PULSE(-2 2 2u 0 0 +15u 30u) Rvcom 101 0 1MEG * .TRAN 0.01u 30u 0 0.01 .PROBE .END

*Circuit de forta QBJT13 12 0 Q2N3055 Rs 16 13 4 *Circuit optocuplor Xopto pin1 pin2 3 1 pin6 A4N25 R1 pin6 3 39k Rd 200 pin1 100 SW pin2 300 101 0 SWITCH

6. S@ se proiecteze un circuit de comand@, utiliznd circuitul integrat specializat UAA4002, pentru un ansamblu Darlington de putere cu urm@toarele caracteristici principale: ICM = 30A, sat = 300, tsmax = 2ms, tf = 1s, VBE = 1,5V (la ICM), VCEmax = 300V. Solu]ie: Schema bloc intern@ a circuitului integrat UAA4002 [15] este prezentat@ n fig. 2.59, n care elementul central este procesorul logic ce preia spre analiz@ semnalele de intrare, comandnd deschiderea, respectiv blocarea tranzistorului de putere. Principalele func]iuni ale circuitului integrat sunt: - a). Adapteaz@ semnalele de comand@, furnizate prin transformator de impulsuri sau optocuplor, cu ajutorul interfe]ei de intrare. Astfel, c$nd comanda este furnizat@ sub form@ de "nivel" (utiliznd un optocuplor), intrarea "SE" (4) se conecteaz@ la un nivel logic "1" (se las@ liber sau se conecteaz@ prin intermediul unei rezisten]e de cel pu]in 4,7k la VCC), deschiderea tranzistorului declan}ndu-se cu un nivel logic "1" (compatibil TTL sau CMOS), iar blocarea cu un nivel logic "0", pe intrarea corespunz@toare pinului "E" (5). In cazul n care comanda trebuie s@ ac]ioneze la impulsuri scurte (tipice pentru cazul utiliz@rii unui transformator) "SE" se conecteaz@ la un nivel logic "0" (sau la mas@).

64 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

Semnalul aplicat tot la intrarea "E" trebuie s@ aib@ valoarea de cel pu]in 2V (n raport cu masa), dar s@ nu dep@}easc@ valorile VCC }i V-, iar durata pulsului s@ fie de cel pu]in 100ns. In aceste condi]ii deschiderea tranzistorului se declan}eaz@ pe frontul cresc@tor al impulsului pozitiv, iar blocarea pe frontul c@z@tor al impulsului negativ; - b). Stabile}te timpul minim de conduc]ie al tranzistorului ton min (n care sunt inhibate toate protec]iile oferite de circuitul integrat), necesar desc@rc@rii condensatorului din re]eaua de protec]ie la supratensiuni RCD (ntre colector }i emitor), prin intermediul unei rezisten]e RT conectate ntre pinul (7) }i mas@; ton min trebuie s@ fie mai mare dect 4 - 5 constante de timp ale acestei re]ele. Calculul rezisten]ei se face cu ajutorul rela]iei:

t on min [s] = 0,06 RT [k]

(2.5.19)

Uzual ton min=(1...12s). Rezisten]a RT are un rol important pentru ntreaga func]ionare a circuitului integrat, definind valoarea unui curent intern I, care are implica]ii la realizarea }i a altor func]iuni:

I[mA] =

5 R T [k]

(2.5.20)

Vcc
14

RT
7 t on min

R SD
11

V CE
13 15 V+

V verif. cc

E SE

5 4

Interfata intrare

Procesor logic

16 I 1 2

B1

B2

V- verif. 6 3

t 10

t on max 8

-0.2V 9

Vc

12 I

R-

INH

RD

CT

GND

Fig. 2.59 Schema bloc intern@ a circuitului integrat UAA4002.

2.5 - Aplica]ii 65

Definirea intervalului ton min nu poate fi anulat@. - c). Determin@ timpul maxim de conduc]ie ton max, indiferent de durata impulsului de comand@ (prezent la intrarea "E"), prin intermediul unei capacit@]i conectate ntre pinul (8) }i mas@, a c@rei valoare se determin@ din rela]ia:

t on max [s] = 2 RT [k] CT [nF]

(2.5.21)

Func]iunea poate fi anulat@ prin conectarea pinului (8) la mas@; - d). Genereaz@ timpul de ntrziere la deschidere tD, definit ca intervalul dintre frontul pozitiv al impulsului prezent la intrarea "E" }i frontul pozitiv al semnalului de ie}ire IB1 (16) care declan}eaz@ deschiderea, cu ajutorul unei rezisten]e RD conectate ntre pinul (10) }i mas@. Leg@tura dintre tD }i RD este exprimat@ de rela]ia:

t D [s] = 0,05 R D [k]

(2.5.22)

Aceast@ func]iune util@ pentru evitarea intr@rii n conduc]ie simultan@ a dou@ sau mai multe tranzistoare (de ex. n invertoare) poate fi anulat@ prin conectarea pinului (10) la VCC; - e). Protejeaz@ tranzistorul la dep@}irea unei valori impuse a curentului de colector, m@surabil prin intermediul unui }unt de rezisten]@ Rs, conectat ntre "GND" (9) }i "IC" (12). C@derea de tensiune pe }unt trebuie s@ fie negativ@ n raport cu masa, valoarea la care se produce activarea protec]iei, prin inhibarea comenzii pn@ la urm@torul ciclu, fiind de -0,2V, func]ie de care se alege perechea de valori (ICmax, Rs). Dac@ intrarea "IC" se leag@ la mas@ aceast@ func]iune este anulat@; - f). Impiedic@ ie}irea accidental@ din satura]ie a tranzistorului (din cauza unei eventuale suprasarcini sau a unui curent de comand@ insuficient), prin m@surarea pe durata conduc]iei a tensiunii colector-emitor a acestuia, prin intermediul unei diode conectate cu anodul la intrarea "VCE" (13) }i cu catodul la colectorul tranzistorului. Astfel poten]ialul pinului (13) va fi egal cu tensiunea colector-emitor la care trebuie ad@ugat@ c@derea de tensiune pe aceast@ diod@. Protec]ia va fi validat@ n cazul n care poten]ialul nregistrat la "VCE" dep@}e}te valoarea VRSD definit@ de:

VRSD [ V] = 2 I RSD = 10

RSD RT

(2.5.23)

66 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

n care RSD este o rezisten]@ conectat@ ntre "RSD" (11) }i mas@, restul m@rimilor fiind determinate anterior. Intervalul n care se poate modifica VRSD este (1...5,5)V. Dac@ pinul (11) este l@sat neconectat VRSD = 5,5V. Deosebit de important@ pentru aceast@ func]iune este m@rimea ton min. O valoare prea mic@ a acesteia (insuficient@ pentru desc@rcarea condensatorului de protec]ie din re]eaua RCD) conduce la o fals@ ac]iune, o valoare prea mare m@re}te inutil timpul n care tranzistorul nu este protejat. Func]iunea se poate anula prin conectarea pinului (11) la V+; - g). Testeaz@ valoarea tensiunii pozitive }i (op]ional) negative de alimentare (V+, respectiv V-) prin intermediul unor comparatoare interne. Astfel, pentru ca func]ionarea circuitului integrat s@ nu fie inhibat@, sursa de alimentare pozitiv@ trebuie s@ ndeplineasc@ condi]ia V+ > V+min = 7V. Aceast@ func]iune nu poate fi anulat@ }i nici nu se poate modifica pragul de basculare. In ce prive}te tensiunea negativ@, pragul de ac]iune poate fi stabilit cu ajutorul unei rezisten]e conectate ntre "R-" (6) }i "V-" (2), a c@rei valoare se stabile}te din rela]ia:

|V - |min [ V] = 10

RRT

-5

(2.5.24)

In cazul n care nu se dore}te testarea sursei negative de alimentare, "R-" se conecteaz@ direct la mas@ sau "V-"; - h). Men]ine func]ionarea tranzistorului n regimul de cvasisatura]ie prin intermediul conexiunii de la punctul f, curentul de baz@ pozitiv furnizat la ie}irea IB1 fiind dozat n direct@ leg@tur@ cu cel de colector. Valoarea maxim@ IB1max a acestui curent este limitat@ de o rezisten]@ RB conectat@ ntre "V+" (15) }i "VCC", conform rela]iei:

IB1 max [A ] =

VCC - VBE RB

(2.5.25)

n care VBE se refer@ la tranzistorul comandat. Valoarea limit@ absolut@ a acestui curent, ca dat@ de catalog a circuitului integrat UAA4002, este de 0,5A. La blocare, curentul negativ este asigurat prin ie}irea "IB2", cu o capabilitate maxim@ de 3A (valoare de vrf de scurt@ durat@); - i) Circuitul integrat se autoprotejeaz@ la supratemperatur@ (>150oC), prin inhibarea func]ion@rii, pn@ la sc@derea acesteia. Acela}i efect este ob]inut }i prin aplicarea unui nivel logic "1" la intrarea "INH" (3), compatibil MOS sau TTL, pn@ la comandarea unui nou ciclu. Aceast@ intrare, n caz de neutilizare, se conecteaz@ la mas@.

2.5 - Aplica]ii 67

Schema de comand@ propus@ este prezentat@ n fig. 2.60. Se observ@ faptul c@ nu au fost utilizate n ntregime func]iunile circuitului integrat. Alimentarea se realizeaz@ de la o surs@ de +10V }i -5V. Semnalul de comand@ este furnizat prin intermediul optocuplorului OC a c@rui ie}ire este inversat@ cu tranzistorul T de tip (uzual) BC171. Conform celor precizate la punctul a) se alege R2=1k, iar pentru un factor de amplificare al tranzistorului T, hFE=25, rezult@ R1=22k. Considernd constanta de timp t=RC=1,5s a circuitului RCD de protec]ie al tranzistorului la supratensiuni, n corela]ie cu func]iunea de la punctul b) rezult@:

RT [k] =

5 5 1,5 t on min [s] > = = 125k 0,06 0,06 0,06

(2.5.26)

Se alege astfel RT=150k. Intervalul TD trebuie s@ compenseze suma timpilor tsmax + tf precum }i alte ntrzieri posibile n circuit (timpii de comuta]ie ai optocuplorului OC }i tranzistorului T). Astfel, pentru TD=6s:

R D [k] =

6 TD [s] = = 120k 0,05 0,05 30 ICM = = 0,1A 300 sat

D C3 0,1F
R D

(2.5.27)

Curentul maxim de comand@ IB1max se calculeaz@ din:

I B1 max =

(2.5.28)
BA159

10V

R1 R 2
22k 1k

C1
10F

T
BC171

16 15 14 13 12 11 10

UAA4002
1 2 3 4 5 6 7 8

C4 0,1F E

6 1

5 2

4 3
NC

OC -5V

C2
10F

C5 0,1F

Fig. 2.60 Schema de comand@ implementat@ cu circuitul integrat UAA4002.

68 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

Astfel nct, conform celor exprimate la punctul h):

RB =

10 - 1,5 VCC - VBE = = 85 0,1 I B1 max

(2.5.29)

Dioda D trebuie s@ suporte tensiunea invers@ corespunz@toare st@rii de blocare a tranzistorului (VCEmax) }i s@ fie rapid@. In acest sens s-a ales tipul BA157 (trr=300ns, VRRM=400V). Func]iunile neutilizate ale circuitului integrat au fost inhibate. Condensatoarele prezente n circuit au rol de decuplare, valorile utilizate fiind uzuale. 7. S@ se alc@tuiasc@ circuitul pentru simulare numeric@ ^n SPice a comuta]iei tranzistoarelor MOS. Se vor analiza formele de und@ ale tensiunilor }i curen]ilor at$t prin circuitul de comand@ (gril@-surs@) c$t }i prin cel de for]@ (dren@-surs@). Solu]ie: Simularea comuta]iei tranzistoarelor MOS poate fi studiat@ cu ajutorul circuitului din fig. 2.61 descris ^n limbaj SPice. *Comutatia tranzistoarelor MOS Vgg 4 0 pulse (-20 20 1e-8 1e-8 1e-8 +2.5e-6 5e-5) Rg 4 1 100 Mtest 2 1 0 0 IRF150 Vid 3 2 dc 0 ; traductor id(t). Rs 5 3 10 Vs 5 0 100 .lib Eval.lib .probe .option vntol=1e-4 abstol=1e-6 .tran 1e-8 4e-6 .end

3 Rs 4 Rg 2 1 Mtest Vs Vgg

Fig. 2.61 Schema circuitului simulat.

2.5 - Aplica]ii 69

Bibliografie:
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. I. Str@inescu, M. Codruc - "Tiristorul - caracteristici comand@, proec]ie, utiliz@ri", Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1988; N. losif }.a. - "Tiristoare }i module de putere - catalog", Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1984; E. Ceang@, A. Saimac, E. Banu - "Electronic@ industrial@", Ed. Didactic@ }i pedagogic@, Bucure}ti, 1981; I. Matlac 1987; "Convertoare electroenergetice", Ed. Facla, Timi}oara,

M. Bodea }.a. - "Circuite intergate liniare - manual de utilizare", vol.4, Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1985; M. Ciugudean }.a. - "Circuite integrate liniare - aplica]ii", Ed. Facla, Timi}oara, 1986; M. Bodea }.a. - "Diode }i tiristoare de putere", vol.l-ll, Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1985; * * * - "Componente electrice semiconductoare - catalog", I.C.C.E. Bucure}ti, 1980; I. Ardelean, H. Giuroiu, L. Petrescu - "Circuite integrate CMOS manual de utilizare", Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1984;

10. M. Bodea }.a. - "Circuite intergate liniare - manual de utilizare", vol.3, Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1984; 11. A. P. Silard - "Tiristoare cu blocare pe poart@ GTO", Ed. Tehnic@, Bucure}ti, 1990; 12. * * * - "Power Bipolar Tranzistors - Databook", SGS Thomson, 1989; 13. R.L. Bronkowski - "A Technique for Increasing Power Transistors Switching Frequency", IEEE-IA, vol.22, nr.2, martie/aprilie 1986; 14. * * * - "Smart Power - Application Manual", SGS Thomson, 1989 15. * * * - "Power MOSFET Tranzistor Data", Motorola Inc., 1984; 16. * * * - "MOS-Gate Driver Databook", International Rectifier, 1992.