2.4.

Circuite de comandă pentru tranzistoare tip MOS și IGBT

Tranzistoarele MOS sunt dispozitive complet comandabile, deschiderea realizându-se cu
un nivel pozitiv de tensiune VGS între grila (G) și sursa (S) cu condiția VGS > VGS(th) (gate-source
threshold voltage), iar pentru blocare un nivel ≤ 0 (pentru tranzistoarele cu canal N, cele cu canal P
având nivelele inversate ca semn). In mod similar tranzistorului bipolar, se înregistrează și în acest
caz două zone distincte de funcționare în stare deschisă:
- a). Zona de saturație, reprezentând deschiderea maximă, caracterizată printr-o rezistență drenă - sursă
rDS(on) relativ mică (de ordinul ohmilor la elemente de mică putere, respectiv fracțiuni de ohm la
elemente de medie și mare putere). Mărimea este dependentă de tensiunea VGS (în general în jurul
valorii de 10V) și de temperatură, fiind definită de relația:
V (on)
rDS ( on)  DS (2.4.1)
ID
- b). Zona liniară, în care se înregistrează o dependență de directă proporționalitate între
nivelele tensiunii de comandă VGS și curentul de drenă ID, conform relației:
I
g fs  D (2.4.2)
VGS
în care gfs reprezintă factorul de amplificare.
Din considerente similare, exprimate la tranzistorul bipolar, în electronica de putere se
utilizează (evident, alături de starea blocată) prima zonă de funcționare.
Imaginea de ansamblu a legăturii dintre intrare (VGS) și ieșire (ID) este furnizată în
cataloagele firmelor producătoare printr-o reprezentare grafică (fig. 2.34) având ca parametri
tensiunea VDS și temperatura.
Importante la acest dispozitiv, în special pentru circuitele de comandă în grilă, sunt
capacitățile pe care tranzistorul MOS le prezintă între terminale și care sunt dependente de tensiunea
VDS (fig. 2.35).
În acest sens se definesc:
- Cgd capacitatea grilă-drenă;
- Cgs capacitatea grilă- sursă;
- Cds capacitatea drenă-sursă;
- Ciss = Cgd+Cgs (capacitatea de intrare);
- Coss = Cgd+Cds (capacitatea de ieșire);
- Crss = Cgd (capacitatea de transfer).

Fig. 2.34 Caracteristica de transfer a tranzistorului MOS.

 Fig. 2.35 Capacitățile tranzistorului MOS.

Fig. 2.36 Comutația tranzistorului MOS.

Având prezentate aceste prime elemente poate fi analizat fenomenul de comutație a

tranzistorului MOS cu ajutorul circuitului prezentat în Aplicația 7 pentru simularea numerică în
Spice. Formele de undă obținute se regăsesc în fig. 2.36. Se definesc timpii corespunzători [15]:
- a). Timpul de întârziere la deschidere td(on) (turn-on delay time), în care circuitul de
comandă încarcă capacitatea echivalentă Ciss la tensiunea VGS(th). La sfârșitul acestui interval
tranzistorul își manifestă tendința de deschidere;
- b). Timpul de creștere tr (rise time), în care capacitatea Ciss este încărcată la tensiunea
corespunzătoare saturației VGS(on), Coss se descarcă de la tensiunea VDS=VDD (corespunzătoare stării blocate) la
VDS=VDS(on) (în stare saturată), iar curentul ID atinge valoarea sa maximă. Datorită scăderii tensiunii VDS are
loc (fig. 2.35) modificarea (creșterea) capacităților dintre terminale, cu influențe atât în forma tensiunii
de comandă VGS cât și a variației curentului ID;
- c). Timpul de întârziere la blocare td(off) (turn-off delay time) corespunde descărcării
capacității Ciss de către circuitul de comandă la valoarea VGS(th);
- d). Timpul de descreștere tf (fall time) în care tensiunea VDS crește către valoarea VDD,
producând modificarea corespunzătoare a capacităților tranzistorului. Coss se încarcă la sfârșitul acestui
interval la tensiunea VDD.
 Proiectarea circuitelor de comandă pentru tranzistoare MOS trebuie să țină seama de
următoarele considerații:
- a). Pragul de tensiune definit de VGS(th) variază cu temperatura joncțiunii (fig. 2.37);
importantă este în primul rând valoarea sa minimă (la temperatura maximă) care nu trebuie depășită
de circuitul de comandă în cazul în care se dorește menținerea stării blocate. Din acest motiv, ca și
pentru reducerea timpilor de comutație și evitarea unor comenzi false prin intermediul capacității
Cgd (la creșterea rapidă a tensiunii VDS în regimul tranzitoriu de blocare) se practică și varianta
alimentării circuitului grilă-sursă cu tensiune negativă. Valoarea maximă a mărimii VGS(th) trebuie
depășită pentru asigurarea funcționării la saturație și obținerea în consecință a unei rezistențe RDS(on)
mici (fig. 2.38);
- b). Tensiunea de comandă VGS nu poate depăși valorile maximă și minimă (negativă)
precizate de către producător. In cazul în care aceste valori pot să apară ele vor trebui să fie limitate, în
general cu ajutorul unor diode Zener;
- c). Impedanța sursei care generează impulsul de comandă trebuie să fie redusă pentru a
putea încărca rapid capacitățile proprii ale tranzistorului.

Fig. 2.37 Variația tensiunii de amorsare cu temperatura joncțiunii grilă-sursă.

Fig. 2.38 Variația rezistenței rDS funcție de curentul de drenă pentru tranzistorul MTM8N40.

În aceeași ordine de idei, timpii de comutație pot fi controlați și prin înscrierea în circuitul
grilă-sursă a unei rezistențe (în general între 10...50Ω).
Pe baza acestor considerații sunt prezentate în continuare variante de circuite de comandă
pentru tranzistoare MOS, cu elemente de circuit particularizate.
Un circuit de comandă pentru tranzistoare MOS, având ca elemente principale două
tranzistoare bipolare ce lucrează în contratimp, este prezentat în fig. 2.39. Deschiderea tranzistorului
este inițiată în timpul tranziției pozitive a semnalului Vin. Amorsarea tranzistorului se face cu
impuls “ tare” , generat de circuitul RC din grilă, care furnizează și tensiune negativă pentru stingerea
rapidă a acestuia.

Fig. 2.39 Circuit de comandă cu tranzistoare bipolare.

Fig. 2.40 Circuit de comandă cu izolare galvanică prin transformator de impulsuri.

Pentru circuitul de comanda prezentat în fig. 2.40, se remarcă dezavantajele ce însoțesc

utilizarea transformatorului la semnale de comandă cu factor de umplere mai mare de 33% sau la
lățime de puls mică. In primul caz se produce saturarea miezului, cu apariția vârfurilor de curent în
primar. In cea de-a doua situație, inductivitatea transformatorului nu permite curentului de
magnetizare Im să crească destul de rapid, astfel ca nivelul energiei acumulate să fie suficient și
pentru stingerea tranzistorului MOS.
Varianta prezentată în fig. 2.41 este cea mai utilizată în comanda tranzistoarelor MOS.
Semnalul de comandă este trimis prin optocuplor și lățimea pulsului nu mai este limitată nici
superior nici inferior. Intârzierile care apar în comandă însă - cauzate de timpul relativ mare de
deschidere al fototranzistorului datorită impedanței de sarcină mici a acestuia - introduc limitare în
frecvența de lucru a tranzistorului MOS.
Circuitul din fig. 2.42 exemplifică interfațarea cu circuite integrate CMOS. Datorită
capabilității în curent mici a unui inversor CMOS, pentru a reduce timpii de comutație, se
recomandă conectarea în paralel a mai multor astfel de celule (în număr de 6 într-o capsulă).
Rezistența R1 este folosită pentru a echilibra capabilitatea în curent la amorsarea tranzistorului.
 Fig. 2.41 Separare galvanică cu optocuplor în comanda tranzistorului MOS.

Fig. 2.42 Circuit de comandă cu inversoare CMOS.

Pentru a obține o mai mare viteză în comandă, au fost proiectate circuite integrate
specializate.
Unul dintre acestea este MC1472 (fig. 2.43) - care conține într-o capsulă două circuite de
comandă dedicate interfațării logicii MOS cu elemente ce absorb un curent mare (relee, lămpi,
imprimante matriciale).

Fig. 2.43 Circuit de comandă cu integratul specializat MC1472.

 Cum fiecare dintre cei doi tranzistori din etajul de ieșire al integratului poate absorbi un
curent de 300mA, timpul de blocare al tranzistorului este relativ redus.
Rezistența de “ pull-up” este dimensionată la o valoare minimă, astfel că, pentru 25Ω la o
sursă de alimentare de 15V, se atinge capabilitatea în curent a ambelor tranzistoare de ieșire ale
circuitului de comandă. Incărcarea capacităților parazite ale tranzistorului MOS se face la curent
mare, deci intrarea lui în conducție are loc rapid.
Circuitul integrat IR2110 este destinat comenzii a două tranzistoare MOS (sau IGBT)
"JOS", "SUS", dintre care unul ("SUS") are sursa flotantă (max. 500V) în raport cu sursa de
alimentare [16]. Schema bloc internă a circuitului, diagramele semnalelor de intrare/ieșire și
aplicația tipică sunt prezentate în fig. 2.44 - 2.46 [16].
Circuitul "traduce" stările logice ale intrărilor în semnale de comandă corespunzătoare (fig.
2.45). Ieșirea "JOS" ("LO") se raportează la masa sursei de alimentare Vcc, iar ieșirea "SUS" ("HO") se
raportează la masa (flotantă) a sursei de alimentare VBS. Ieșirile "LO" și "HO" sunt în fază cu intrările
logice "HIN" respectiv "LIN" (trigger Schmitt, compatibile CMOS și LSTTL), având o capabilitate
în curent de puls de minim 2A.
Ambele ieșiri sunt aduse la zero printr-un nivel logic "1" aplicat intrării SD, păstrându-și
starea până la o nouă reactivare a intrărilor. In cazul în care tensiunile Vcc și VBS sunt mai mici decât
valorile limită minimă admisibilă (setate din construcția circuitului integrat), ieșirile sunt din nou aduse
la zero, înlăturându-se astfel posibilitatea furnizării unei comenzi incerte. Circuitul acceptă o
tensiune de offset între VSS și COM de ±5V.

Fig. 2.44 IR2110 - schema bloc internă.

Fig. 2.45 IR2110 - diagramele semnalelor de intrare/ieșire.

 Funcționarea circuitului poate fi urmărită pe baza fig. 2.46. Sursa de alimentare flotantă se
"formează" din cea fixă, Vcc (10...20V), cu ajutorul unei diode rapide D și al unui condensator C, a
cărui încărcare se produce atunci când tranzistorul "JOS" este deschis.
Dioda D trebuie să suporte tensiunea HV de alimentare a etajului de putere; o valoare de
0,1µF pentru condensatorul C este în general suficientă pentru aplicații cu o frecvență de comutație
mai mare de 5kHz. Sursa Vcc este decuplată cu ajutorul unui condensator C' (0,1µF ceramic în
paralel cu 1µF tantal).
 Fig. 2.46 IR2110 - Schema de aplicație tipică.

Tranzistoarele IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzistors) îmbină calitățile

tranzistoarelor MOS din punct de vedere al comenzii - impedanța de intrare (de grilă) mare, deci
putere necesară în comandă mică și timpi de comutație mici (<1µs), cu cele ale tranzistoarelor
bipolare pe partea de forță -tensiuni de saturație mici, capabilități superioare în tensiune (peste
2kV) și curent (sute de amperi). Se utilizează în aplicații de medie frecvență (10-50kHz).
Circuilete de comandă ale tranzistoarelor IGBT sunt similare cu cele ale tranzistoarelor
MOS. In cele ce urmează se va exemplifica modul de comandă al tranzistoarelor IGBT utilizând
circuitul specializat IR2110 (fig. 2.47). Acesta asigură și tensiune negativă de blocare pentru
tranzistoarele IGBT T1 și T2, în vederea evitării amorsărilor accidentale. Tensiunea negativă se
obține direct pentru sursa fixă și indirect, printr-o diodă stabilizatoare și o rezistență R, pentru
sursa flotantă. Valoarea acestei rezistențe este dependentă de tensiunea de alimentare HV. Astfel
pentru o tensiune HV=311V a fost determinată experimental R=47kΩ. Puterea acestei rezistențe
depinde de frecvența de lucru și de factorul de umplere al semnalului de comandă. In cazul sus
menționat o putere de 2W este acoperitoare.
Intrările de comandă sunt activate de un circuit logic de generare a impulsurilor și de
protecție. Acesta trebuie să asigure evitarea comenzilor simultane ale celor două tranzistoare,
implementarea timpului mort, protecția la supracurent etc.

Fig. 2.47 Comanda tranzistoarelor IGBT cu circuitul IR2110.