Tranzistorul MOS

1. Prezentare general Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei terminale, furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), un exemplu fiind prezentat n Figura 1. Cele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DREN, GRIL, respectiv SURS.

Figura 1. Tranzistorul MOS.

n funcie de structur, exist dou categorii principale de tranzistoare MOS: ca canal indus cu canal iniial n plus, n funcie de structura canalului, aceste tranzistoare MOS sunt de 2 tipuri i anume: cu canal de tip N cu canal de tip P Diferenele de funcionare ntre tranzistoarele MOS cu canal indus, respectiv cu canal iniial sunt minore, din acest motiv, n continuare se vor prezenta numai tranzistoarele MOS cu canal indus, fiind remarcate numai diferenele ntre cele 2 clase de tranzistoare. n circuitele electronice, tranzistoarele MOS sunt simbolizate ca n Figura 2.

Figura 2. Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS.

2. Mrimile electrice ale tranzistorului bipolar La nivelul tranzistorului MOS apar 4 mrimi electrice: 1 curent curentul care este generat ntre DREN i SURS: o iD curentul de dren 3 tensiuni tensiunile ntre terminalele tranzistoarelor: o vGS tensiunea gril-surs o vGD tensiunea gril-dren o vDS tensiunea dren-surs Sensul curentului de dren este de la dren i surs. Referinele tensiunilor depind de tipul canalului tranzistorului MOS. Astfel, sensul curentului, respectiv referinele tensiunilor sunt prezentate n Figura 3. n aceast figur s-a reprezentat i curentul din grila tranzistorului notat iG. Trebuie reinut ns c valoarea acestui curent este ntotdeauna nul.

Figura 3. Mrimile electrice ale tranzistoarelor MOS. Curentul i G=0 intotdeauna.

3. Funcionarea tranzistorului MOS. Relaiile dintre mrimile electrice ale tranzistorului MOS depind de regimul de funcionare al acestuia. Tranzistorul MOS poate funciona n 3 moduri distincte, numite regiuni de funcionare, stabilite de relaia dintre tensiunile tranzistorului. Regiunile de funcionare ale tranzistorului MOS sunt: REGIUNEA DE BLOCARE: o condiia de funcionare: vGS < VTH (canal N) unde VTH reprezint un parametru al tranzistorului MOS numit tensiune de prag; valoarea acestei tensiuni este: pozitiv pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip N, negativ pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip P; negativ pentru tranzistorul MOS cu canal iniial de tip N, pozitiv pentru un tranzistor MOS cu canal iniial de tip P; o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de ecuaia de funcionare:
iD = 0

5.7

o n aceast regiune, comportamentul tranzistorului MOS poate fi exploatat pentru prelucrarea sau generarea semnalelor digitale. REGIUNEA LINIAR:

o condiia de funcionare: vGS > VTH i vDS < vGS - VTH o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de ecuaia de funcionare:
v i D = 2 k vGS VTH DS 2 v DS

5.8

unde k este un parametru al tranzistorului care se msoar n

mA V2

(miliamperi mprit la voli la ptrat).

o n aceast regiune, tranzistorul MOS se comport ca o rezisten a crei valoare poate fi controlat de o tensiune tensiunea gril-surs. REGIUNEA DE SATURAIE: o condiia de funcionare: vGS > VTH i vDS > vGS - VTH o n aceast regiune, funcionarea tranzistorului MOS este descris de ecuaia de funcionare:
i D = k ( vGS VTH ) 2

5.9

o n aceast regiune tranzistorul MOS poate fi utilizat pentru prelucrarea analogic a semnalelor, fiind singura regiune de funcionare n care tranzistorul NOS poate AMPLIFICA LINIAR semnale;

Funcionare i utilizri
TEC-MOS sunt foarte mult utilizate n realizarea circuitelor integrate n

special n circuite digitale . Ele sunt utilizate att ca dispozitive active ct i ca rezistene sau capaciti . Circuitele integrate cu TEC pot fi produse cu un nivel mare de complexitate la preuri de cost reduse. Creterea gradului de integrare prin micorarea dimensiunilor duce la reducerea capacitilor parazite i la creterea vitezei de lucru. O aplicaie important a tranzistorului TEC - MOS este inversorul CMOS . Acesta face parte dintr-o familie de circuite care utilizeaz tranzistoare cu simetrie complementar . Avantajul principal al familiei CMOS este consumul

de putere foarte mic. Inversorul CMOS poate fi utilizat i ca amlificator de semnal mic. Pot fi folosite i n comutaie, un circuit CMOS important fiind comutatorul bilateral pentru semnale analogice,

Defecte
Un dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate fa de apariia unor tensiuni accidentale pe poart. Sarcini extrem de mici pot determina tensiuni de ordinul sutelor care pot distruge tranzistorul . Din aceast cauz la utilizarea TEC-MOS trebuie luate precauii speciale de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau contact ( mna operatorului, ciocanul de lipit) . Pentru a evita distrugerea componentelor MOS pinii acestora vor fi scurtcircuitai printr-un fir conductor pn dup introducerea n circuit toate intrrile neutilizate vor fi conectate la mas , la E S sau la ED utilizatorul va evita folosirea n mbrcminte a unor materiale care favorizeaz acumularea de sarcini electrice este indicat folosirea unei brri metalice prin care mna operatorului s fie conectat la potenialul de referin Trebuie precizat c unele dispozitive MOS sunt prevzute cu circuite de protecie ncapsulate.