Definitii

Litografie tehnica de transfer a copiei unei configuratii geomet

pe o suprafata

Fotolitorafie transferul copiei unei configuratii geometrice

suprafata unui material fotosensibil, prin expunere la radiatie UV
Etapele principale ale procesului de fotolitografie
Etalare fotorezist
Substrat

Radiatie UV
Masca

Fotorezist
Expunere
Substrat

Substrat Substrat Develo

Fotorezist negativ Fotorezist pozitiv

Etalarea

Definitie: procesul prin care se realiz
un strat uniform de fotorezist pe supra
unei plachete

Metode:
Centrifugare

Cea mai uitlizata

Polimerul este turnat pe suprafata plachete

Placheta se introduce intr-un spinner si este
rotita cu viteze de pana la 8000 rpm
Etalare prin centrifugare

Avantaje se pot obtine straturi foarte subt
uniforme
Turnare

Uniformitatea stratului greu de controlat
Pulverizare
Expunerea

Radiatia UV trece prin masca
placheta

La contactul razelor UV cu stratul
fotorezist are loc o reactie fotochimica:
Fotorezist pozitiv aria expusa devine
solubila in anumiti compusi chimici
Fotorezist negative aria expusa devine
rezistanta la anumiti compusi chimici
Expunere la radiatie UV
Expunerea

Lungimea de unda a sursei de
folosite:
Spectru indepartat 150 300 nm
Spectru apropiat 350 500 nm

Doza de expunere ( energia incid
Intensitatea luminii incidente mu
cu timpul de expunere
Fotorezist pozitiv vs fotorezist negativ

Fotorezist pozitiv: Fotorezist negativ:

Ariile expuse se elimina in solvent
Ariile ne-expuse se elimina in solve

Rezolutie submicrometrica
Rezolutie > 3m

Grosime 1- 10 m
Grosime 1- 500 m

PMMA, AZ
SU-8

+ -
Fotorezist Fotorezist

Substrat Substrat
Expunerea

Masca
dispozitiv folosit pentru transmi
unei configuratii pe suprafata
fotorezist prin expunere la radiatie U
Fabricata din sticla sau cuart, cu
layout realizat dintr-un mat
absorbant (Cr)
Masca pentru fotolitografie
Expunerea tipuri de expunere

De contact:
Masca este pusa in contact direc
stratul de resist
Transferul configuratiei geometrice
mai precis
Masca se contamineaza si
Masca de contact deterioreaza mai repede
Expunerea tipuri de expunere

De proximitate:
Masca este plasata la o distanta de 10-20
deasupra stratului de resist
Abateri in transferul configuratiei geometrice

Radiatie UV Masca

Masca de proximitate Intensitatea

luminoasa a
radiatiei UV
Expunerea tipuri de expunere

Lentila
Prin proiectie:
Masca Masca este proiectata pe placheta prin
sistem de lentil cu rezolutie inalta
Lentila Imaginea imprimata pe fotorezist poate fi re
Fotorezist la o scala 1:5 1:10 fata de imaginea de pe m

Fabricarea mastii mai usoara

Expunere prin proiectie

Expunere prin proiectie
Lumina refractata
D Masca

Lentila ro
Lumina difractata
Lentila focuseaza fascicolu
raze UV, reducand difracti

Intensitate luminoasa idea

Developarea

Prin developare se configureaza geom
de pe masca in stratul de fotorezist

Fotorezistul ramas va proteja zonele
care le acopera si va permite corod
selectiva a plachetei in zonele descoper

Doua variante:
Prin imersie
Developare prin imersie Prin pulverizare
in baie de solventi
Tehnica Lift-off

Realizarea de configuratii in straturi metal

Etape:
1. Se configureaza prin fotolitografie un stra
resist pe suprafata plachetei
2. Se depune un strat de metal, prin evapo
peste stratul configurat de resist
3. Se indeparteaza rezistul (chimic sau in plas
indepartandu-se astfel si metalul de deasup

Lift-off