UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI Catedra Microlectronica i Dispozitive cu Semiconductoare

RAPORT
despre lucrare de laborator nr. 6
Disciplina:Bazeletehnologice ale microelectronicii

Tema: Cercetarea procesului definirii configuratiilor geometrice la fabricarea circuitelor integrate prin metoda fotolitografiei

A efectuat: st.gr.MN-121 A verificat: prof. univ.

Pruteanu S. Trofim Viorel

Chisinau 2014

Scopullucrarii :studiereaprocesuluiformariiconfiguratiilorcircuiitelor integrate prinmetoda de profilare a stratului superficial peplacheta de Si, determinarearezolutieifotorezistuluisi a procesului de litografie in total. De facutcunostinte cu echipamentultehnologicsimaterialelenecearepentrulearizareaacestui process. Litografia se numesteprocesul de transpunere (transfer) a configuratiilorgeometrice , care suntpemasca , pesuprafataplachetelorsireprezinta o succesiune de procesefizico-chimice.Procesul de litografiecontineurmatoareleoperatiitehnologice , indeplinite consecutive. 2 a) 1 d)

b)

3 e)

4 c) 5 f)

Fig.1 Reprezentarea schematic a proceselor de transfer a configuratiilorprinlitografie : a)plachetainitiala (1) cu stratul de oxid de metal (2) ; b) stratul de fotorezist (3) depussiuscat ; o realizareaprocesului de aliniere expunere cu lumina ultraviolet (4) prinmasca (5) ; d) developareafotorezistului (estearatatprocesul de developare la folosireafotorezistuluipozitiv) ; e) coacereastratului de fotorezistsicorodareastratului superficial neaparat de fotorezist ; f) inlaturareastratului de fotorezist. Cum se vede din fig 1. Scopul principal al fotorezistuluiesteformareasectoarelor locale pesuprafatastratului , care da posibilitatea de a coroda selective aceststrat (sectoarelepesuprafatacarora a ramasfotorezistnu se corodeaza) . Fotorezistii se prepara din compusiorganicisireprezintaunlichid cu o anumitaviscozitate. Se intrebuinteazadouatipuri de fotorezisti :pozitivsinegativ. La fotorezistulpozitivsectoarele ,care au fostexpuse cu luminaultravioleta , se dizolva in developantdatoritadistrugeriilegaturilordintremoleculelepolimerului in timpulexpunerii. In fotorezistiinegativisectoareleexpusenu se dizolva in developant ,fiindcafotoniiabsorbitiduc la marirealegaturilordintremolecululepolimerului. Totifotorezistii se caracterizeaza cu ajutorulurmatoarelorproprietati :

Fotosensibilitatea estecapacitateafotorezistului de a-sischimbaproprietatile sub actiuneafluxului de lumina .Fotosensibilitateafotorezistului S-1/Et-1/H (E iluminareaenergetica , W/cm^2 ; t timpuliradierii ,secunde ; H expozitia W/cm^2*s) . O mare parte din fotorezistisuntfotosensibili la luminaultravioleta , adica la lungimile de undaintre 300 si 500 nm. Rezolutiaeste o masura a dimensiunilorminimece pot fi transformate in mod reproductibil in resist. Rezolutiareprezintanumarul maximal de linii ,latimeacaroraesteegala cu distantadintreele , care pot fi transferate in stratul de fotorezist , adica R=1000/2l lin/mm , unde l estelatimealiniei (intervaluldintreele), um. Rezolutiarezistului (Rr) de obiceiestemai mare decitrezolutiaglobala a procesului de litografie (Rf). Desigurrezolutiaglobala a procesuluilitograficeste determinate de rezolutiasistemului de alinieresi a rezistuluifolosit . O mare importanta in micsorareaRf o are patrunderealuminii sub zoneleopace ale mastiiprindifractiesipatrundereadevelopantului sub stratul de fotorezist. Rezistenta la corodarereprezintaproprietatilefotorezistului de a nu se dizolva in acid sibaze in timpulprocesului de corodare selective a stratuluirespectiv. Rezistenta la corodaredepindeatit de proprietatilefotorezistuluicitsi de procesul de prelucrare (temperature sitimpul de uscare a stratului de fotorezist ,temperature sitimpul de corodare a mastii din fotorezist). Corodantulfolosit la formareageometrieielementelor in stratuldattrebuiesa fie selective,adicasa nu dizolvefotorezistului ,plachetasaualtestraturi , care se afla sub stratul dat. Operatiileprincipale ale procesului de litografiesunt : 1. Pregatireaprearabila a suprafeteiplacheteiinainte de etalareastratului de fotorezist. Aceastaoperatie are o mare influentaasupracalitatiifotorezistuluidepussiadeziunealuipesuprafataplachetelor. Pentruacestscop se folosestedegrasareaplacheteisauprelucrareaei in plasma. Degrasarea se indeplinesteprinfierbereaplachetelorintr-un solvent organic saucuratarealor in vaporiiacestui solvent. Rezultatelemaibune se obtinprinprelucrarea in plasma (purificareauscata). 2. Etalareafotorezistului se executa automat la o instalatie de etalare (spinner)prevazuta cu un support rotativpe care plachetelesunttransportateuna cite unasi fixate prinsectiune cu vid. Dupafixareauneiplachete se picurapesuprafataei o cantitate (de exemplu circa 3 ml pentru o placheta de 75 mm) de fotorezistsiapoisuportulimpreuna cu plachetasuntrotiteacceleratpina la atingereauneiviteze de rotatie 3000-5000 rotatii/min , care estementinutacitevazeci de secunde. Grosimeastratului de fotorezistrezultat in urmacentrifugariieste invers proportional cu viscozitateafotorezistuluisiaproximativ invers proportional cu patratulrotatieiplachetei. Valoriletipicesuntcuprinseintre 0.45+2.0um. Uniformitateastratuluietalatdepinde de gradul de planitate al plachetei , de relieful existent pesuprafatasi de acceleratiaunghiulara a suportului . Operatia de etalareesteceamaicritica din punct de vedere al contaminarii cu particulestraine, deoarece in acestpunctfotorezistuleste viscos (lipicios) siretineorice particular din aer , care ajungepeplachetaetalata. 3. Uscareastratului de fotorezist are scopul de a diminuasolventul din fotorezezistsi a mariaderenta la substrat. Acesttratament se executuzualncuptoare cu bandtransportoare, cu nclzire cu raze infraroii (>3m), la temperaturintre 80 si 100C timp de 10-15 min. Temperaturi de uscarepreamici pot duce la pierdereaaderenteifotorezistului, iartemperaturipreamariduc la pierdereafotosensibilitaii. 4. Aliniereaiexpunereaplachetelor se realizeaz cu echipamentespeciale (maini de aliniere). Aliniereapoate fi fcut manual (sub microscop), operatoruldeplasndmascafat de plachet cu

ajutorulunormanipulatoareextrem de fine, pncndanumitesemne de aliniere, existentepetoatemtileunui circuit, suntcorectpoziionatesau automat cu ajutorulunorsemnespecialeiluminate cu o raz laser, acreireflexieestemsurat cu un fotodetector. Dupaliniere are locexpunem cu luminultravioletcolimatprodus de o lamp cu vapori de mercur. Energia de expunere (produsuldintreintensitatealuminiiincidenteitimpul de expunere) depinde do grosimeastratuluii de caracteristicilefotorezistului, de naturasubstratului, de caracteristiciledevelopantuluiicondiiile de developare, de caracteristicilemtiii de configuraiilegeometrice de pemasc. 5.Procesul de developare al fotorezistuluiconstndizolvareasectoareloriluminate (pentrupozitiv) ineiluminate (pentrunegativ). La developamfotorezitilornegativi se ntrebuineazacelai solvent organic (aceton, oluen), care a fostfolosit la fabricarealui. Developareafotorezitilorpozitivi se face nsoluiislabe (0.5%, NnOH, KaOH). 6.Operatiaimediaturmtoaredevelopriiestecontrolul. Placheteledevelopatesuntinspectatevizual sub microscopntotalitate (control 100%), urmrindu-se controlul dimensional de alinierei de defecte. Se determinirezoluiafotorezistului cu ajutorulelementelor do testare, care suntpesuprafaafiecreimti 7. Plachetele care trec de controlul post-developoresuntsupuseunuinoutratamenttermic postcoacerentr-un cuptor identic celuiutilizatpentruuscare. Temperaturatipicestengama 120-180 C, iartimpul de procesare-10-30 min. Scopulacesteioperaiiestemajorareaadeziuniistratului de fotorezistpeplachetsirezistenei la corodare. Temperaturipreamari ale tratamentuluiconducns la dificulti de nlturareulterioar a fotoreristuluisi la probleme de control dimensional datoritcurgeriisaucontracieipolimerului (peste 180 C). 8. Gravura (corodarea) stratului de la suprafaaplachetelor are locnumainzoneleneprotejate cu fotorezistntr-un corodant la care plachetaifotorezistultrebuies fie rezistente. La formamgeometrieielementelornstraturile de SiO2 se utilizeaz acidulflourhidric. Corodarea are locncorespundere cu reacia SiO2 + 4HF = SiF4 +H2O. Eliminareagazului SiF4poateaduce la dezlipireastratului de folorezistiptrundereacorodantuui sub strat, faptcemajoreazdimensiunilezonelorcorodate. Pentrunlturareaacestorbule de gaznacidulfluorhidric se adaugfluorid de amoniu( NH4f) i ca rezultatncorodant se ivescnoiatomi de K, care duc la formareacompusului solid SiF6. Pentrufiecarestratsupusprelucrriiprinmetodafotolitografieieste ales un anumitcorodant. 9. Dup ace fotorezistulsi-aindeplinitscopul (a transferatconfiguratiamastiipeplacheta), masca de fotoreistesteindepartataprinemisiaintr-un agented indepartaresau in plasma de oxygen. La indepartareafotorezistuluipozitivsefolosestedimetilformamid,dioxinsialtele.Inlaturareapoate fi indeplinitasi cu ajutorulaciziloroxidanti (acid azotic, acid sulfuric la fierbberesau acid sulfuric siapaoxigentala la 120 grade C). Dupa un control final al plachetelor ,procesul de fotolitografiestandartesteterminat. Fisatehnologicaaoperatiilorindeplinite: 1)Am primit de la profesorplachetele de Si pe care suntdepusestraturi de SiO2si de Al. Am curatitplacuta cu toluen. 2)Am pus plachetapemasuta rotunda a centrifugii, am conectatpompa cu vid apoi am ponectatcentrifugasi am depuspesuprafataplacheteicitevapicaturi de fotorezist,dupa 30 s ,deconectatcentrifugaapoipompa cu vid. 3)Amcontrolatcalitateastratului de fotorezist. 4)Amuscatstratul de fotorezist in instalatie cu incalzire in infrarosu. 5)Amindeplinitprocesul de expunere la instalatia-579. 6)Amefectuatdeveloparea.(in solutia de KOH de 5% ) si am uscatplacheta cu ajutorulcentrifugii.

7)Amcopt in thermostat stratul de fotorezisttimp de 15 minute. 8)Amcorodatzoneleneprotejate de fotorezist in corodant. 9)Aminlaturatstratul de fotorezist. 10)Amdeterminatcalitateaprocesuluiindeplinit.(imagineaobtinuta o comparam cu masca).