2 22 2

NOIUNI DE NOIUNI DE NOIUNI DE NOIUNI DE

FIZICA FIZICA FIZICA FIZICA
SEMICONDUCTOARELOR SEMICONDUCTOARELOR SEMICONDUCTOARELOR SEMICONDUCTOARELOR
2.1. Generaliti 2.1. Generaliti 2.1. Generaliti 2.1. Generaliti
Dispozitivele electronice moderne, pasive i active, i circuitele integrate sunt realizate
pe baza a trei tipuri de materiale solide, cunoscute sub numele de materiale electronice solide

:
conductoarele, semiconductoarele i izolatoarele. Dispozitivele electronice moderne i
circuitele integrate conin, n mod uzual, mai multe straturi suprapuse subiri din materiale
conductoare, semiconductoare i izolatoare. Datorit faptului c performanele electronice ale
dispozitivelor i circuitelor electronice sunt determinate, n principal, de conducia electric
prin straturile lor semiconductoare, acestea sunt cunoscute sub denumirea generic de
dispozitive i circuite semiconductoare.
Analiza i proiectarea dispozitivelor i circuitelor semiconductoare depind de
nelegerea profund a noiunilor de fizic corespunztoare acestor trei tipuri de materiale
electronice solide. Studiul funcionrii acestora implic studiul comportrii materialelor
electronice solide att n prezena unor factori externi perturbatori (cmpuri electrice, cmpuri
magnetice, radiaii electromagnetice sau nucleare etc), ct i n absena acestora. Pentru
aceasta se introduc dou concepte: echilibru termodinamic i neechilibru termodinamic.
Echilibrul termodinamic reprezint o condiie global ce const n ndeplinirea simultan a
patru condiii de echilibru:
echilibru termic ce const n pstrarea unei temperaturi uniforme i constante n tot
volumul materialului;
echilibru electric ce const n absena factorilor externi ce ar conduce la apariia unui
curent electric net prin material sau la generarea, recombinarea i captura oricrui tip
de purttori de sarcin;
echilibru chimic ce const n absena unui flux net de particule prin material i a
reaciilor ntre diferitele tipuri de particule atomice neutre;
echilibru mecanic ce const n considerarea unei presiuni hidrostatice constante.
Nendeplinirea uneia din cele patru condiii de echilibru plaseaz materialul n situaie
de neechilibru termodinamic.
Un material solid conine n jur de particule (electroni, ioni i atomi neutri) n 10
23
unitatea de volum (centimetrul cub), particule ce prezint distane extrem de mici ntre ele.
De aceea, comportarea acestora se studiaz pe baza a dou extensii ale fizicii clasice: cuantica
probabilistic, ce rezolv problema distanelor mici dintre particule, i mecanica statistic, ce
rezolv problema numrului mare de particule. Aceste extensii furnizeaz principalele
instrumente de studiu ale materialelor implicate n realizarea dispozitivelor i circuitelor
semiconductoare, i anume:
modelul benzilor energetice modelul benzilor energetice modelul benzilor energetice modelul benzilor energetice dezvoltat pe baza a dou postulate fundamentale cu
privire la caracterul dual al particulelor materiale i al radiaiei electromagnetice:
condiia lui Planck Planck Planck Planck - absorbia i emisia radiaiei electromagnetice se realizeaz n
cuante discrete, cunoscute sub numele de fotoni

; energia unui foton este dat de
relaia:
E = h f =
~
h
unde f reprezint frecvena radiaiei electromagnetice, h = 6, 6262 10
34
|J s |
(sau ) reprezint constanta lui Planck i ; h = 4, 1357 |eV fs |
~
h= h/(2 )
ipoteza lui de Broglie de Broglie de Broglie de Broglie - impulsul unei particule und (foton) este invers
proporional cu lungimea sa de und:
; p =
h

statistica Fermi-Dirac statistica Fermi-Dirac statistica Fermi-Dirac statistica Fermi-Dirac ce furnizeaz distribuia electronilor n funcie de energia
cinetic a acestora la echilibru termic.
Un alt instrument important n studiul acestor materiale l reprezint modelul chimic modelul chimic modelul chimic modelul chimic
al legturilor al legturilor al legturilor al legturilor. Acest model introduce dou noi particule conceptuale: electronii (ce au aceeai
sarcin ca i particulele reale i o mas efectiv ) i golurile (particule ce au sarcina egal m

dar de semn contrar celei a electronului real i o mas efectiv , diferit n cele mai multe m
+
cazuri de cea a electronului ), menite s descrie i s fac posibil analiza matematic a m

proprietilor a aproximativ electroni i atomi reali existeni n unitatea de volum. 10

23
Curentul continuu sau instantaneu ce apare prin dispozitivele sau circuitele
semiconductoare sub aciunea unor ageni externi perturb att echilibrul electric ct i pe cel
termic. Efectele agenilor perturbatori sunt descrise calitativ calitativ calitativ calitativ de modelul chimic al legturilor
i cantitativ cantitativ cantitativ cantitativ de modelul benzilor energetice, iar analiza i reprezentarea matematic a acestora
se realizeaz folosind ecuaiile lui Shockley ecuaiile lui Shockley ecuaiile lui Shockley ecuaiile lui Shockley, ecuaii dezvoltate pe baza modelului benzilor
energetice. Distribuia n spaiu a particulelor, viteza i energia lor se determin n
conformitate cu statistica Fermi-Dirac statistica Fermi-Dirac statistica Fermi-Dirac statistica Fermi-Dirac.
Corpurile solide se pot clasifica n funcie de proprietile lor geometrice, mecanice i
electrice. n funcie de configuraia reelei atomice corpurile solide se mpart n solide
cristaline, solide policristaline i solide amorfe. Solidele cristaline au o structur cristalin cu
atomii i moleculele distribuite ntr-o reea regulat, n care unitatea structural a reelei (cub,
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 5
tetraedru, etc) se repet periodic. Aceast periodicitate a reelei cristaline, n corpurile solide
reale, este ntrerupt aleator de defecte fizice (dislocarea unui atom din locul su din structura
cristalin) i de prezena unor atomi de impuritate. Solidele policristaline se compun din
multe cristale legate ntre ele i orientate aleator. Solidele amorfe au atomii i moleculele
plasate aleator i deci nu au n structura lor cristale.
n funcie de energia de legtur a atomilor din reea, corpurile solide se pot clasifica
din punct de vedere al proprietilor lor mecanice astfel:
Cristale bazate pe interaciune dipol-dipol (fore Van der Wall);
Cristale ionice la care energia de legtur este de 8 10

eV (fore electrostatice);
Cristale covalente la care energia de legtur este de 0,5 5

eV;
Cristale metalice la care concentraia electronilor delocalizai este mare;
Cristale bazate pe legturi de hidrogen la care energia de legtur este de 0,1 eV.
Semiconductoarele prezint legturi covalente sau slab ionice.
Din punct de vedere al proprietilor electrice corpurile solide se pot clasifica funcie
de conductivitatea electric sau rezistivitatea electric a acestora. O astfel de clasificare este
prezentat n continuare:
Tipul materialului Rezistivitate
[ohm-cm]
Densitatea
electronilor de
conducie
[cm
-3
]
Exemple
A
Superconductor
la temperaturi joase
0
10
23
Sn, Pb la temperaturi cuprinse ntre
0,1...4 K.
Superconductor
la temperaturi nalte 0
10
23
Oxizii la temperaturi nalte.
B Conductoare bune
10
6
10
5
10
22
10
23
Metale ca Na, K, Cu, Au.
C Conductoare
10
5
10
2
10
17
10
22
Semi-metale ca As, B, grafitul
D Semiconductoare
10
2
10
9
10
6
10
17
Ge, Si, GaAs, GaP, InP, Ga
x
As
y
P
z
E Semi-izolatoare
10
10
10
14
10
1
10
5
Si amorf
F Izolatoare
10
14
10
22
1 10
Diamantul, SiO
2
, Si
3
N
4
, dielectricele
2.2. Modele electronice pentru corpurile solide 2.2. Modele electronice pentru corpurile solide 2.2. Modele electronice pentru corpurile solide 2.2. Modele electronice pentru corpurile solide
n solide, electronii i proprietile lor electrice pot fi descrise folosind:
modelul calitativ calitativ calitativ calitativ al legturilor chimice i
modelul cantitativ cantitativ cantitativ cantitativ al benzilor energetice.
6 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
2.2.1. Modelul legturilor chimice 2.2.1. Modelul legturilor chimice 2.2.1. Modelul legturilor chimice 2.2.1. Modelul legturilor chimice
Modelul legturilor chimice ofer o reprezentare ilustrativ lucid a electronilor i
proprietilor chimice ale atomilor, moleculelor, polimerilor i solidelor amorfe i de aceea
este foarte popular n rndul chimitilor. Odat cu descoperirea tranzistorului n 1948 el a
nceput s fie folosit i de ctre fizicieni i electroniti ca model efectiv pentru ilustrarea
proprietilor electrice ale electronilor i, implicit, a particulelor fictive (electroni i goluri) ce
deriv din el, n semiconductoare i izolatoare.
n semiconductoarele elementare cristaline ca C (diamantul), Si i Ge forele de
legtur ntre atomi sunt asigurate de legturile ce apar ntre perechi de electroni de valen.
Fiecare legtur conine doi electroni de valen cu spini opui de la doi atomi vecini. De
aceea, aceste legturi se numesc covalente sau homo-polare. n reeaua cristalin a
semiconductoarelor elementare fiecare atom se nvecineaz la distan minim cu patru atomi
uniform distribuii n spaiu (figura 2.1.a). Legturile covalente sunt cele care conduc la
realizarea acestei structuri simetrice ce confer cristalelor o deosebit rigiditate i duritate.
Reprezentarea simbolic a acestei reele, ilustrat n figura 2.1.b pentru Si, este cunoscut ca
modelul Shockley pentru semiconductoarele elementare. n acest model legturile covalente
sunt reprezentate prin dou linii paralele pe care se indic sau nu prezena electronilor.
Cercurile, n care s-a inscris cifra +4, simbolizeaz atomii reelei fr electronii de valen
prini n legturile covalente, n conformitate cu figura 2.1.c.
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
Si
Si
Si
Si Si
a )
b)
+14
-10
-4
2A
o
+4
-4
0,5A
o
c)
Legtur
covalent
Orbita sp
2,35A
o
0,5A
o
3
Figura 2.1. Modelul legturilor chimice
a) Reeaua cristalin spaial; b) Modelul Shockley;
c) Reprezentarea atomilor din nodurile reelei.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 7
Ruperea unei legturi covalente se realizeaz prin transmiterea energiei de activare
unui electron al acesteia. Transmiterea energiei de activare se poate face fie prin excitarea
semiconductorului cu un agent extern, fie prin creterea temperaturii semiconductorului.
Creterea temperaturii semiconductorului conduce la creterea energiei de vibraie termic a
reelei atomice a acestuia. Prin ruperea unei legturi covalente unul din cei doi electroni ai
legturii devine electron liber n spaiul dintre atomii reelei i legturile covalente (figura
2.2). Prin plecarea electronului apare un exces de sarcin pozitiv, de valoare +q (-q
reprezint sarcina elementar a electronului), atomul care a pierdut acest electron devenind
ion pozitiv. Aceast sarcin pozitiv, ce reprezint o legtur covalent nesatisfcut, se
numete gol. Se observ c prin ruperea unei legturi covalente este generat o pereche
electron - gol.
+4
+4
+4
+4 +4 +4
+4 +4
Gol
Electron
Figura 2.2. Generarea unei perechi electron-gol.
Modelul legturilor chimice de valen poate fi folosit cu succes i n cazul unor
semiconductoare compuse (ex. GaAs, GaP etc) n ciuda caracterului lor uor ionic. n schimb,
pentru izolatoarele tip oxid i semiconductoarele compuse cu caracter ionic pronunat
modelul prezentat anterior nu mai este valabil deoarece legturile ntre atomi sunt de tip ionic
sau heteropolar.
2.2.2. Modelul benzilor energetice 2.2.2. Modelul benzilor energetice 2.2.2. Modelul benzilor energetice 2.2.2. Modelul benzilor energetice
Modelul legturilor chimice de valen nu poate constitui un punct de plecare pentru
dezvoltarea unei teori cantitative asupra proprietilor semiconductoarelor deoarece nu ofer
informaii cu privire la variaiile spaiale ale potenialului electric i cmpului electric n
semiconductor. De aceea, studiul micrii electronilor n cmpul periodic al ionilor reelei
monocristaline se realizeaz folosind legile mecanicii cuantice. Principalul rezultat al acesteia
l constituie modelul benzilor energetice.
Punctul de plecare n dezvoltarea acestui model l constituie diagrama energiei
poteniale a unui electron ntr-un atom izolat i apoi generalizarea acesteia pentru cazul mai
multor atomi. Considernd astfel cazul unui cristal de Si format din 11 atomi, s vedem cum
se repartizeaz din punct de vedere energetic cei electroni ai cristalului la . n 14 11 0
o
K
acord cu principiul de restricie al lui Pauli numai doi electroni pot avea aceeai energie i
funcie de und. n consecin, electronii se vor distribui cte doi pe nivelele energetice
determinate de strile energetice 1s, 2s, 2p, 3s i 3p corespunztoare Si astfel:
8 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
cei 140 de electroni ce intr n componena centrilor ionici ai reelei
22 de electroni pe cele 11 stri 1s,
22 de electroni pe cele 11 stri 2s,
66 de electroni pe cele 33 stri 2p,
i cei 44 electroni de valen
22 de electroni pe cele 22 stri 3s,
22 de electroni pe 22 stri din cele 66 stri 3p.
Aceste nivele energetice formeaz benzi energetice permise separate ntre ele de benzi
energetice interzise. Din enumerarea de mai sus se observ c nivelele energetice
corespunztoare strilor 1s, 2s, 2p i 3s sunt integral ocupate cu electroni, iar nivelele 3p sunt
parial ocupate cu electroni. Diagrama benzilor energetice corespunztoare electronilor de
valen n acest caz este ilustrat n figura 2.3.a. Convenia de semne cu privire la energia
electronului este:
pentru electronii din interiorul materialului i E< 0
pentru electronii extrai din material. E> 0
Evident, n studiul comportrii electronilor de valen, ce reprezint purttorii de
sarcin reali n mecanismele de conducie, intereseaz numai spectrul energiilor negative. Aa
cum relev figura 2.3.a, la electronii de valen ocup integral o band permis 0
o
K
(alctuit, pentru Si, din nivelele energetice corespunztoare strilor 3s i 3p) numit band
de valen. Energia nivelului superior al benzii se noteaz cu iar energia nivelului inferior E
V
al acestei benzi se noteaz cu . nlimea energetic a benzii de valen pentru Si este de E
V
. E
V
E
V
= 12eV
Banda permis format din o parte din nivelele energetice corespunztoare strii 3p
care la nu este ocupat cu electroni se numete band de conducie. Energia nivelului 0
o
K
minim al benzii de conducie se noteaz cu , iar energia nivelului maxim cu . nlimea E
C
E
C
energetic a benzii de conducie se numete afinitate electronic i se noteaz cu . Afinitatea
electronic pentru Si este . ntre cele dou benzi permise se gsete o
Si
=E
C
E
C
= 4, 02eV
band energetic interzis a crei nlime energetic se noteaz cu i a crei E
G
=E
C
E
V
valoare pentru Si este . E
G
Si
= 1.18eV
ntr-un cristal de 1cm
3
sunt n jur de 10
22
atomi i deci benzile de valen i de
conducie vor conine n jur de 10
23
nivele energetice. De aceea, n descrierea fenomenelor ce
apar n dispozitivele semiconductoare se folosete o diagram energetic simplificat ce este
cunoscut sub numele de diagrama energie-distan sau diagrama benzilor energetice E-x i
care este prezentat n figura 2.3.b.
Izolatoarele au acelai model de benzi energetice ca i semiconductoarele, dar au
nlimea energetic a benzii interzise mult mai mare. n general, solidele ce respect modelul
benzilor energetice prezentat anterior i au nlimea energetic a benzii interzise similar sau
mai mic dect energia unui foton din spectrul vizibil sau infrarou, adic n jur de pn 0, 1
la , se ncadreaz n categoria semiconductoarelor, iar solidele ce au nlimea benzii 3eV
interzise de cteva ori mai mare dect se ncadreaz n categoria izolatoarelor. Dac ns 3eV
se consider ca materiale izolatoare cele ce nu prezint electroni liberi n spaiul dintre
nodurile atomice al reelei cristaline i legturile chimice ale acestora, atunci grania dintre
izolatoare i semiconductoare devine imprecis, depinznd foarte mult de temperatur.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 9
E
E
G
=E
C
-E
V G
E =1,18eV
Banda de
conducie
Banda de
valen
Si=12eV
~
E
20

C
'
Banda
interzis
a.
Si
E
G
=E
C
-E
V
=1,18eV
Banda de
conducie
Banda de
valen

Si
=4,02eV
Banda interzis
=
b.
E
V
-
E
V
'
( )
Si
=
~
12eV
E
C
-
E
C
'
=
'

Si
= 4,02eV
E
C
- E
C
E
C
E
C
'
E
V
E
V
'
x
E
V
'
x
E
15
E
10
E
5
E
Figura 2.3. Diagrama benzilor energetice E-x: a) corespunztoare unui cristal format
din 11 atomi de Si; b) diagrama simplificat folosit n descrierea fenomenelor ce apar
n dispozitivele semiconductoare.
La metale diagrama benzilor energetice este compus dintr-o singur band energetic
parial ocupat cu electroni numit band de conducie. Aceast band conine un numr mare
de electroni liberi (sau electroni de conducie), independent de temperatur. De aceea,
metalele sunt bune conductoare de electricitate, conductibilitatea lor fiind puin dependent
de temperatur.
O alt diagram des folosit n descrierea proprietilor electrice ale
semiconductoarelor, mai ales n optoelectronic, este aa numita diagram E-k k k k sau
energie-factor de und. Punctul de plecare pentru determinarea acestei diagrame l constituie
ecuaia lui Schrdinger, dup care dezvoltarea se poate realiza folosind unul din cele dou
modele puse la dispoziie de fizic i anume:
modelul electronului aproape liber i
modelul legturilor compacte.
Ambele modele sunt excelente unelte pedagogice ce ajut la nelegerea conceptelor
de electron i gol i cu ajutorul crora pot fi anticipate i analizate caracteristicile
dispozitivelor electronice. Rezultate teoretice furnizate de modelul electronului aproape liber
pentru cazul 1-d i 3-d pentru Si sunt prezentate n figura 2.4. Figura 2.4.b prezint
dependena E-k kk k numai pentru dou direcii ale vectorului k kk k: <111> i <100>, dar i aa
ilustreaz complexitatea acestei diagrame n cazul solidelor reale tridimensionale (3-d). n
conformitate cu conveniile fizicienilor energiile n punctele de nalt simetrie sunt notate cu
litere greceti la k kk k = 0 i cu litere romane la k k k k = (k
x
, k
y
, k
z
) 0.
10 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
E[eV]
E
V
E
C
E'
C
E'
V
E[eV]
E
C
E
V
E'
C
K
5
4
3
2
1,18
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
E[eV]
L
k=0 <111> <100>0,85 1
k
min
/a
k
2
x

25'

15

2'
L
1
L
3'
x
4
x
1
a . b.
k=/a
x
Figura 2.4. Diagrama E-k kk k (energie-factor de und) pentru:
a) cazul 1-d (unidimensional); b) cazul 3-d (tridimensional).
Poziiile relative ale nivelelor energetice i n spaiul k kk k au un efect esenial E
C
E
V
asupra proprietilor optice ale solidelor. Astfel, n funcie de configuraia acestor nivele,
semiconductoarele se mpart n:
semiconductoare la care minimul nivelului i maximul nivelului sunt dispuse E
C
E
V
n acelai punct al zonei Brillouin (n mod obinuit n punctul k k k k = = = = 0) ca GaAs, ZnS,
InP etc., cunoscute sub numele de semiconductoare "direct energy gap" sau "direct
band gap" sau semiconductoare cu benzi "aliniate";
semiconductoare la care minimul nivelului i maximul nivelului sunt situate la E
C
E
V
k kk k diferite ca Si, Ge, GaP etc., cunoscute sub numele de semiconductoare "indirect
energy gap" sau "indirect band gap" sau semiconductoare cu benzi "nealiniate";
Materialele semiconductoare folosite cu precdere n realizarea dispozitivelor i
circuitelor optoelectronice sunt cele "direct energy gap" ce prezint o eficien mai mare att
n generarea ct i n absorbia undelor luminoase.
n figura 2.5. sunt prezentate cteva diagrame E-k kk k pentru materialele semiconductoare
cel mai des folosite n construcia dispozitivelor i circuitelor semiconductoare.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 11
Figura 2.5. Diagrame teoretice E-k kk k pentru diverse materiale semiconductoare:
a) Si; b) Ge; c) GaAs; d) InP; e) GaSb; f) ZnS.
12 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
2.2.3. Electroni i goluri n semiconductoare 2.2.3. Electroni i goluri n semiconductoare 2.2.3. Electroni i goluri n semiconductoare 2.2.3. Electroni i goluri n semiconductoare
n subcapitolul anterior am artat faptul c dac unui electron, prins ntr-o legtur
covalent, i se transfer o energie egal cu energia sa de activare, legtura covalent a
acestuia este rupt iar electronul este eliberat n spaiul reelei cristaline ce nu este ocupat de
ionii din ochiurile acesteia i de legturile covalente. Modul n care se descrie acest fenomen
cu ajutorul diagramei E-x este prezentat n continuare.
Un electron situat pe un anumit nivel energetic poate trece pe un nivel energetic
superior dac:
nivelul energetic superior este liber i
electronului i se transmite energia necesar saltului.
Saltul energetic n sens invers, de pe un nivel energetic superior pe unul inferior este
un proces natural, spontan, condiionat numai de existena unui nivel energetic inferior
neocupat.
Din cele expuse mai sus rezut faptul c pentru ca ntr-un corp solid s existe electroni
liberi, i deci acesta s permit fenomene de conducie, este necesar s existe cel puin o
band permis incomplet ocupat cu electroni.
Pentru semiconductoare, la temperaturi diferite de , electronii ce primesc, de la 0
o
K
reea, energie egal sau mai mare dect energia de activare trec n banda de conducie
devenind electroni liberi sau electroni de conducie. n felul acesta apar dou benzi permise
parial ocupate cu electroni: banda de valen i banda de conducie. Locul rmas liber pe
nivelul energetic corespunztor din banda de valen poate fi ocupat de un alt electron dintr-o
alt legtur covalent. Ca urmare, la aplicarea unui cmp electric extern, prin semiconductor
pot circula cureni electrici datorit a dou mecanisme de conducie diferite, corespunztoare
celor dou benzi permise parial ocupate:
deplasarea dirijat a electronilor de conducie i
deplasarea dirijat a electronilor din legturile covalente spre locurile libere din
legturile covalente incomplete ce au furnizat electronii de conducie.
Conducia curentului electric prin aportul a dou benzi energetice este specific
semiconductoarelor.
Pentru descrierea fenomenelor macroscopice de conducie s-au dezvoltat modele ce
folosesc particule fictive. Astfel:
micarea electronului liber n banda de conducie este descris de o particul fictiv,
numit tot electron, ce are aceeai sarcin ca particula real (notat cu ) i o mas q
efectiv ; m

micarea electronului n banda de valen (electronul care se desprinde dintr-o

legtur covalent pentru a ocupa locul liber dintr-o alt legtur covalent rupt) este
descris de o alt particul fictiv numit gol, particul cu sarcin electric egal cu
cea a electronului (notat cu ) i cu masa efectiv . +q m
+
n concluzie, n semiconductoare conducia curentului electric este asigurat de dou
tipuri de purttori de sarcin mobili, electronii i golurile.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 13
2.3. Semiconductoare omogene la echilibru termodinamic 2.3. Semiconductoare omogene la echilibru termodinamic 2.3. Semiconductoare omogene la echilibru termodinamic 2.3. Semiconductoare omogene la echilibru termodinamic
n acest subcapitol se prezint proprietile electronilor i golurilor att n
semiconductoarele pure ct i n cele impure. Pentru nceput ns se definete termenul de
omogen i se stablilesc aspecte fizice legate de termenul de echilibru termodinamic.
Un semiconductor este omogen cnd compoziia sa atomic este uniform distribuit n
spaiu, adic:
distana ntre atomii alturai ai reelei de baz este constant n cristalele pure,
unitatea structural a reelei se repet n ntregul cristal,
impuritile n semiconductor sunt uniform distribuite n ntregul cristal.
Prin impuriti uniform distribuite se nelege c acestea au concentraiile locale sau
macroscopice invariante funcie de poziia de observaie n solid.
n general, termenul de echilibru nseamn c proprietile aflate sub observaie nu se
modific n timp i deci transferul de energie este zero. n cazul nostru, ceea ce intereseaz
este echilibrul macroscopic (deci definit pentru valorile medii ale proprietilor de interes).
Acesta este un echilibru dinamic deoarece electronii i golurile se afl n continu micare.
Din punct de vedere operaional echilibrul macroscopic se mparte n:
echilibru electronic, ce se refer la echilibrul electrodinamic al electronilor i golurilor
i reprezint condiia ca ntre dou contacte conectate la solid curentul i tensiunea
msurate s fie zero;
echilibru atomic sau termodinamic al crui neles a fost prezentat ntr-o seciune
anterioar.
Din cele 4 aspecte ale echilibrului termodinamic se vor detalia numai dou: echilibrul
chimic i echilibrul termic.
Echilibrul chimic const n absena unui flux net de particule prin material i a
reaciilor ntre diferitele tipuri de particule atomice neutre. Aceasta se traduce n termeni
matematici n invariaia concentraiei de particule, notat generic cu c, att n timp ct i cu
direcia de observaie, adic:
(2.1)

c
t
= 0
c = 0 (sau
c
x
= 0 pentru cazul unidimensional)
Echilibrul termic const n pstrarea unei temperaturi uniforme i constante n tot
volumul materialului, deci a unui transfer nul de cldur. Transferul de cldur se realizeaz
prin propagarea undelor de vibraie atomic produse de oscilaia aleatoare a atomilor reelei n
jurul poziiei lor de referin din unitatea structural. Acestor unde de vibraie le sunt asociate
particule numite fononi (n mod similar cu asocierea fotonilor cu undele de energie
electromagnetic). Temperatura reelei descrie cantitativ energia cinetic medie de vibraie a
atomilor reelei. Astfel, ntr-un semiconductor pur condiia de echilibru termic este definit
cantitativ ca egalitatea ntre energia cinetic medie a elecronilor i ionilor reelei:
14 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
(2.2)

E
e
= E
i
E
e
=
3 k T
e
2
E
R
=
3 k T
R
2
T
e
= T
R
n care k reprezint constanta lui Boltzmann, reprezint temperatura electronilor iar T
e
T
R
temperatura ionilor reelei sau temperatura reelei.
Echilibrul termic ntre dou sau mai multe tipuri de particule ntr-un semiconductor
pur sau impur se exprim astfel:
(2.3) T
R
= T
n
= T
p
= T
D
= T
A
= ...
n care reprezint temperatura electronilor, este temperatura golurilor, este T
n
T
p
T
D
temperatura ionilor de impuritate provenii din atomi ce au o valen superioar atomilor
reelei de baz numii atomi donori i este temperatura ionilor de impuritate provenii din T
A
atomi ce au o valen inferioar atomilor reelei de baz numii atomi acceptori.
2.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci) 2.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci) 2.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci) 2.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci)
Un semiconductor pur este un semiconductor ce nu prezint n nodurile reelei
cristaline atomi de impuritate i nu prezint defecte cristaline. Semiconductoarele pure poart
denumirea de semiconductoare intrinseci. Aa cum am artat n seciunile anterioare la
temperaturi sczute foarte puine legturi covalente sunt rupte deoarece energia termic de
vibraie a atomilor reelei este mic. Astfel, foarte puini electroni i, respectiv, foarte puine
goluri se vor gsi n banda de conducie, respectiv n banda de valen, explicnd
conductivitatea redus a semiconductoarelor la temperaturi mici. Pe msur ce temperatura
crete, crete i energia de vibraie a reelei, iar o parte din aceast energie este transmis
elecronilor prini n legturile covalente. Electronii ce primesc o energie egal sau mai mare
ca energia de activare prsesc legturile covalente, aceast rupere a legturilor covalente
fiind echivalent cu generarea de electroni n banda de conducie i goluri n banda de
valen. Electronii i golurile generate pe aceast cale se numesc electroni i goluri intrinseci
i sunt responsabili de conductivitatea intrinsec a semiconductoarelor.
Datorit faptului c prin ruperea unei legturi se formeaz o pereche de particule
fictive electron-gol, concentraiile acestora n semiconductoarele intrinseci vor fi egale.
Notaiile standard pentru aceste concentraii sunt:
n [numr/cm
3
] pentru concentraia electronilor i
p [numr/cm
3
] pentru concentraia golurilor,
iar valoarea lor comun pentru semiconductoarele intrinseci se numete concentraie
intrinsec i se noteaz cu . Se poate deci scrie: n
i
(2.4) n = p = n
i
Concentraia intrinsec depinde puternic de temperatur i de lrgimea benzii interzise
. La concentraia intrinsec este n jur de pentru siliciu i n jur E
G
300
o
K n
i
1, 4 10
10
cm
3
de pentru germaniu. 2 10
13
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 15
2.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci) 2.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci) 2.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci) 2.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci)
Materialele semiconductoare reale difer de semiconductoarele intrinseci tocmai prin
puritatea chimic limitat i prin prezena unor defecte ale reelei cristaline. Prezena
impuritilor n concentraii controlabile i omogene n semiconductor este benefic deoarece
realizarea dispozitivelor electronice impune obinerea unor semiconductoare fie cu exces de
electroni, fie cu exces de goluri. Acest lucru se realizeaz prin procedee de impurificare
controlat ca:
dopare cu impuriti pe durata procesului de cretere a cristalului semiconductor;
difuzia impuritilor ntr-un cristal pur la temperaturi nalte;
implantarea ionilor de impuritate n straturile de suprafa ale unui cristal;
doparea cu impuriti pe parcursul creterii epitaxiale a unui cristal;
alierea cu un metal ce prezint valena necesar sau un metal ce conine impuritile
corespunztoare.
Controlul precis al concentraiei impuritilor este foarte important deoarece aceasta
influeneaz att mrimea conductivitii semiconductorului ct i tipul de conductibilitate al
acestuia. Dac datorit dopajului n semiconductor avem exces de electroni, adic , n > p
coductivitatea semiconductorului este de tip n (conducia curentului electric este asigurat n
principal de electroni), iar semiconductorul poart numele de semiconductor extrinsec de tip
n. Dac ns, semiconductorul este dopat astfel nct s avem exces de goluri, adic , p > n
conductivitatea semiconductorului este de tip p (conducia curentului electric este asigurat n
principal de goluri), iar semiconductorul se numete extrinsec de tip p.
Un atom de impuritate se poate plasa:
fie ntr-un nod al reelei cristaline, nlocuind un atom al reelei de baz, caz n care se
numete impuritate de substituie,
fie n spaiul dintre atomii din nodurile reelei de baz, caz n care se numete
impuritate interstiial.
Impuritile interstiiale au un efect redus asupra proprietilor electrice ale
semiconductorului.
Impuritile de substituie sunt cele ce dau att tipul ct i valoarea conductivitii
semiconductorului. Exist dou tipuri principale de astfel de impuriti: impuriti donoare i
impuriti acceptoare. n figura 2.6, pe sistemul periodic parial, sunt sintetizate posibilitile
diverselor elemente de a se constitui n impuriti de substituie donoare sau acceptoare, n
raport cu semiconductoarele elementare.
16 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Impuritile donoare i acceptoare n
semiconductoarele elementare
I II III IV V VI VII
Li
*
Be
*
B C N O F
Na
*
Mg
*
Al Si P S Cl
Cu Zn Ga Ge As Se Br
Ag Cd In Sn Sb Te I
Au Hg Tl Pb Bi Po At
Acceptor triplu Donor triplu
Acceptor dublu Donor dublu
Acceptor simplu Donor simplu
* Impuriti interstiiale
Atomii reelei de baz
i
Captori izoelectronici
Figura 2.6. Impuritile de substituie i captorii izoelectrici
n semiconductoarele elementare.
Se numesc impuriti de substituie donoare (sau donori) impuritile ce prezint o
valen superioar celei a atomilor reelei de baz. n funcie de diferena ntre valena
donorilor i cea a atomilor reelei de baz, donorii pot fi simpli, dubli i tripli. Aceast
diferen caracterizeaz capacitatea donorilor de a furniza electroni de conducie fr ruperea
unor legturi covalente, deci fr generarea simultan de goluri, caz n care avem , iar n > p
semiconductorul obinut prin impurificare cu donori este extrinsec de tip n. Pentru a explica
aceast proprietate a donorilor se consider cazul siliciului care pentru obinerea unei
conductiviti de tip n se dopeaz cu elemente din coloana a V-a a sistemului periodic (P, As,
Sb i Bi), ce sunt pentavalente (au cinci electroni de valen). Atomul donor va avea deci 4
electroni de valen prini n legturi covalente cu atomii vecini ai reelei de baz i un
electron de valen neprins ntr-o legtur covalent (figura 2.7.b). Energia de activare
necesar acestui electron, n exces fa de cei necesari formrii legturilor covalente cu atomii
reelei de baz, este mult mai mic dect a electronilor prini n legturile covalente (deoarece
acesta se gsete pe un nivel energetic superior). Modul n care un donor modific local
diagamele energetice E-x i E-k este ilustrat n figura 2.8.a. Energia de activare
corespunztoare electronului n exces este definit de relaia:
(2.5) E
1
=E
C
E
D
44 meV (pentru P)
i are o valoare mult mai mic ca dar apropiat de cea a energiei de vibraie a atomilor E
G
reelei de baz la temperatura camerei ( ). E
i
= (3/2) k T 39meV la T = 300
o
K
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 17
Dac electronului n exces i se transfer energia necesar activrii pe cale termic,
optic sau prin impact, acesta devine electron de conducie fr ns a se genera i un gol n
banda de valen ca n cazul ruperii unei legturi covalente (figura 2.7.a), iar donorul devine
ion pozitiv de sarcin . n cazul n care nivelul energetic este ocupat de un electron, se +q E
D
spune c impuritatea donoare este deionizat sau neutr, iar electronul respectiv se numete
electron capturat (figura 2.7.a).
Se numesc impuriti de substituie acceptoare (sau acceptori) impuritile ce prezint
o valen inferioar celei a atomilor reelei de baz. n funcie de diferena ntre valena
atomilor reelei de baz i cea a acceptorilor, acceptorii pot fi simpli, dubli i tripli. Similar,
aceast diferen caracterizeaz capacitatea acceptorilor de a furniza goluri n banda de
valen fr ruperea unor legturi covalente, deci fr generarea simultan de electroni, caz n
care , iar semiconductorul impurificat cu acceptori este extrinsec de tip p. Pentru a p > n
explica aceast proprietate a acceptorilor se consider din nou cazul siliciului care pentru
obinerea unei conductibiliti de tip p se dopeaz cu elemente din coloana a III-a a sistemului
periodic (B, Al, Ga, In i Tl), ce sunt trivalente (au trei electroni de valen). Atomul acceptor
va avea deci cei 3 electroni de valen prini n legturi covalente cu atomii reelei de baz i
o legtur covalent a unui atom al reelei de baz rmne nesatisfcut (figura 2.7.d).
Energia de activare necesar unui electron prins ntr-o legtur covalent pentru ocuparea
locului liber din legtura covalent nesatisfcut de impuritatea acceptoare este mult mai mic
dect cea de trecere n banda de conducie. Modul n care un acceptor modific local
diagramele energetice E-x i E-k kk k este ilustrat n figura 2.8.b, c.
Energia de activare corespunztoare electronului este definit de relaia:
(2.6) E
1
=E
A
E
V
45meV (pentru B)
i are o valoare mult mai mic ca dar, aa cum am artat mai sus, apropiat de cea a E
G
energiei de vibraie a atomilor reelei de baz la temperatura camerei.
Dac unui electron prins ntr-o legtur covalent i se transfer energia prin unul E
1
din mecanismele amintite anterior, acesta va ocupa nivelul energetic genernd astfel un E
A
gol fr ns a genera i un electron n banda de conducie (figura 2.7.c), iar impuritatea
acceptoare creia i aparine nivelul energetic devine ion negativ de sarcin . n cazul n q
care nivelul energetic este ocupat de un gol, se spune c impuritatea donoare este deionizat
sau neutr, iar golul respectiv se numete gol capturat (figura 2.7.c).
Impuritile de substituie ce au aceeai valen ca atomii reelei de baz se numesc
captori izoelectronici.
18 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
+4
+5
+5
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4 +4 +4 +4 +4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+3
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
a. b.
c. d.
Figura 2.7. Modelul legturilor chimice pentru Si dopat cu:
impuriti donoare a) ionizate, b) neutre i impuriti acceptoare c) ionizate, d) neutre.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 19
E
C
E
C
E
D
E
D
E
V E
V
E
D
k
44meV
x
E
a.
E
E
C E
C
E
A E
A
E
V
E
V
E
A
k
45meV
x
E
b.
E
E
A
E
C E
C
E
A
E
V
E
V
E
A
k
45meV
x
E
c.
E
Figura 2.8. Diagramele benzilor energetice E-x i E-k kk k pentru Si impurificat cu:
a) atomi donori (stnga-donorul a ionizat, dreapta-donor neutru);
b) i c) atomi acceptori (stnga-donorul a ionizat, dreapta-donor neutru).
2.3.3. Concentraiile electronilor i golurilor la echilibru termic 2.3.3. Concentraiile electronilor i golurilor la echilibru termic 2.3.3. Concentraiile electronilor i golurilor la echilibru termic 2.3.3. Concentraiile electronilor i golurilor la echilibru termic
Aa cum am artat n seciunea 2.3.1 n semiconductoarele intrinseci concentraiile
celor dou tipuri de purttori de sarcin, electroni i goluri, sunt egale iar valoarea lor comun
se numete concentraie intrinsec, . Pentru determinarea acestei concentraii la echilibru n
i
termic se utilizeaz dou concepte:
probabilitatea ca un nivel energetic E s fie ocupat de un electron sau funcia statistic
de distribuie Fermi-Dirac i
densitatea nivelelor energetice relativ la unitatea de energie dE i unitatea de volum,
D(E).
Conform statisticii Fermi-Dirac probabilitatea ca un electron s ocupe un nivel
energetic E la echilibru termic este:
(2.7) f (E) =
1
1 + exp
|
\
E E
F
k T
|

unde este energia (sau nivelul) Fermi, definit ca energia la care . E

F
f (E
F
) = 1/2
20 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Mrimea energiei Fermi depinde de temperatur i de modul de dopare a
semiconductorului. La echilibru termic nivelul Fermi este constant n tot volumul
semiconductorului. Funcia de distribuie Fermi-Dirac dat de relaia (2.7) este prezentat n
figura 2.9.
1
0,5
E
f(E)
T
2
T
1
T
2
T
1
>
T=0
o
K
Figura 2.9. Funcia de distribuie Fermi-Dirac.
Funcia de distribuie, ce caracterizeaz probabilitatea ca un nivel energetic E s fie
ocupat de un gol, conform statisticii Fermi-Dirac este:
(2.8) g = 1 f (E)
n concordan cu cele prezentate mai sus concentraia electronilor n banda de
conducie este:
, (2.9) n
0
=

E
C
E
C
f (E) D(E) dE = N
C
exp
|
\

E
C
E
F
k T
|

iar concentraia golurilor n banda de valen este:

(2.10) p
0
=

E
V
E
V
|1 f (E)| D(E) dE = N
V
exp
|
\

E
F
E
V
k T
|

n care i, respectiv, reprezint densitile efective ale nivelelor energetice din N

C
N
V
unitatea de volum din banda de conducie, respectiv din banda de valen, introduse prima
dat de Shockley, i care depind de temperatur n conformitate cu relaiile:
(2.11)
N
C
= const
1

|
\
T
300
|

3/2
|cm
3
|
N
V
= const
2

|
\
T
300
|

3/2
|cm
3
|
Folosind relaiile (2.4), (2.9) i (2.10) se obine expresia concentraiei intrinseci pentru
semiconductoarele pure:
(2.12)
n
i
= n
0
p
0
= N
C
N
V
exp
|
\

E
C
E
V
k T
|

= N
C
N
V
exp
|
\

E
G
2 k T
|

=
= const
|
\
T
300
|

3/2
exp
|
\

E
G
2 k T
|

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 21

Din relaiile (2.4), (2.9) i (2.12) se obine relaia analitic a energiei nivelului Fermi
pentru semiconductoare intrinseci, notat cu : E
Fi
(2.13) E
Fi
=
E
C
+ E
V
2
+
k T
2
ln
N
C
N
V
Relaiile (2.9) i (2.10) au fost determinate att pentru semiconductoare pure ct i
pentru semiconductoare impure. De aceea, putem afirma c la echilibru termic produsul
concentraiilor celor dou tipuri de purttori de sarcin este egal cu ptratul concentraiei
intrinseci indiferent de tipul semiconductorului (pur sau impur):
(2.14) n
0
p
0
= N
C
N
V
exp
|
\

E
G
k T
|

= n
i
2
Folosind relaiile anterioare se pot exprima concentraiile purttorilor de sarcin la
echilibru termic pentru semiconductoare extrinseci n funcie de mrimile i : n
i
E
Fi
(2.15)

n
0
= n
i
exp
|
\

E
F
E
Fi
k T
|

p
0
= n
i
exp
|
\

E
Fi
E
F
k T
|

Pentru a stabili relaiile analitice ale concentraiilor electronilor i golurilor funcie de

concentraiile impuritilor donoare, , i acceptoare, , se pleac de la condiia de N
D
N
A
neutralitate a semiconductorului la echilibru termic, exprimat prin relaia:
(2.16)
V
= p
0
n
0
+ N
D

N
A

= 0
n care reprezint densitatea de sarcin de volum ([C/cm
3
]), iar i reprezint
V
N
D

N
A

concentraiile ionilor de impuritate pozitivi, respectiv negativi, la temperatura considerat.

Folosind relaia (2.14) sub forma:
(2.17) p
0
=
n
i
2
n
0
i nlocuind-o n relaia (2.16) se determin concentraiile de electroni i goluri la echilibru
termic n semiconductoarele extrinseci:
de tip n
(2.18)
n
0
=
1
2

N
D

N
A

+ (N
D

N
A

)
2
+ 4 n
i
2 (

(
p
0
=
n
i
2
n
0
de tip p
(2.19)
p
0
=
1
2

N
A

N
D

+ (N
A

N
D

)
2
+ 4 n
i
2 (

(
n
0
=
n
i
2
p
0
22 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Un semiconductor i pstreaz caracterul extrinsec att timp ct este ndeplinit
relaia:
pentru semiconductoare de tip n
(2.20) N
D

N
A

10 n
i ( 10
11
cm
3
pentru Si la T = 300
o
K)
pentru semiconductoare de tip p
(2.21) N
A

N
D

10 n
i ( 10
11
cm
3
pentru Si la T = 300
o
K)
n semiconductoarele impure exist dou surse de purttori de sarcin:
o surs intrinsec, reprezentat de ruperea legturilor covalente, i
o surs extrinsec, reprezentat de ionizarea impuritilor semiconductorului.
Raportul dintre concentraiile purttorilor de sarcin generai intrinsec i extrinsec (n
conformitate cu relaiile 2.20 i 2.21) d caracterul semiconductorului: intrinsec sau extrinsec.
Aa cum am artat n seciunile precedente pe msur ce temperatura
semiconductorului crete, energia de vibraie a reelei crete i n consecin tot mai multe
legturi covalente se rup i impuriti ionizeaz. La o anumit temperatur toate impuritile
vor fi ionizate i concentraia purttorilor de sarcin generai pe cale extrinsec va rmne
aproximativ constant chiar dac temperatura va crete peste acest valoare. n schimb,
concentraia purttorilor de sarcin generai pe cale intrinsec va crete, astfel nct la o
anumit temperatur, numit temperatur intrinsec , semiconductorul i va pierde T
i
caracterul extrinsec. Temperatura intrinsec este un parametru foarte important pentru
materialele semiconductoare i, implicit pentru dispozitivele semiconductoare, fiind definit
de relaia:
(2.22) n
i
(T
i
) =

10 (N
D

N
A

) cand N
D

> N
A

10 (N
A

N
D

) cand N
A

> N
D

Pentru nivele de impurificare a semiconductorului mai mici de i n 10

18
cm
3
condiiile ndeplinirii relaiei (2.20) sau (2.21), n funcie de tipul semiconductorului,
concentraiile purttorilor de sarcin devin:
semiconductor extrinsec de tip n
(2.23)
n
0
=
1
2

N
D

N
A

+ (N
D

N
A

)
2
+ 4 n
i
2 (

(
N
D

N
A

N
D
N
A
la T = 300
o
K
p
0
=
n
i
2
n
0

n
i
2
N
D
N
A
semiconductor extrinsec de tip p
(2.24)
p
0
=
1
2

N
A

N
D

+ (N
A

N
D

)
2
+ 4 n
i
2 (

(
N
A

N
D

N
A
N
D
la T = 300
o
K
n
0
=
n
i
2
p
0

n
i
2
N
A
N
D
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 23
La nivele ridicate ale concentraiilor purttorilor de sarcin i la nivele ridicate de
dopare cu impuriti ( ) apar fenomene ce modific relaiile de determinare a > 10
18
cm
3
concentraiilor purttorilor de sarcin prezentate anterior.
Astfel, cnd concentraiile purttorilor de sarcin devin mai mari ca , respectiv 0.1 N
C
, caz n care semiconductoarele se numesc degenerate degenerate degenerate degenerate, relaiile (2.9) i (2.10) i 0.1 N
V
nceteaz valabilitatea, iar concentraiile electronilor i golurilor ntr-un semiconductor sunt
date de relaiile:
(2.25)
n
0
=

E
C
E
C
f (E) D(E) dE = N
C
F
1/2
|
\
E
F
E
C
k T
|

p
0
=

E
V
E
V
|1 f (E)| D(E) dE = N
V
F
1/2
|
\
E
V
E
F
k T
|

n care reprezint integrala Fermi-Dirac de ordin 1/2 definit, de exemplu, pentru F

1/2
()
banda de conducie, prin:
(2.26)
F
1/2
() =
2

0

1 + exp( )
d
=
E E
C
k T
n acest caz produsul concentraiilor purttorilor de sarcin este diferit de ptratul
concentraiei intrinseci:
(2.27) n
0
p
0
= N
C
N
V
F
1/2
|
\
E
F
E
C
k T
|

F
1/2
|
\
E
V
E
F
k T
|

< N
C
N
V
exp
|
\

E
G
k T
|

= n
i
2
i nu mai este independent de concentraiile purttorilor.
La nivele ridicate de dopare cu impuriti apar dou fenomene ce i pun amprenta
asupra expresiilor de calcul ale concentraiilor de purttori de sarcin n acest caz:
deionizarea impuritilor i
apariia unei benzi energetice a impuritilor n interiorul benzii interzise.
Astfel, datorit apariiei acestei benzi energetice a impuritilor, crete probabilitatea
ocuprii nivelelor intermediare cu purttori de sarcin. n consecin relaiile vehiculate
anterior, i anume , respectiv , nu mai sunt valabile la temperatura N
D

N
D
N
A

N
A
. Acestea vor fi nlocuite cu relaiile: T = 300
o
K
(2.28)

N
D

= (1 f
D) N
D
N
A

= (1 f
A) N
A
n care i sunt factorii de ocupare (probabilitile de ocupare) cu purttori de sarcin a f
D
f
A
nivelelor energetice corespunztoare impuritilor, date de relaiile:
(2.29)

f
D
=
1
1 +
1
g
D
exp
|
\
E
D
E
F
k T
|

f
A
=
1
1 +
1
g
A
exp
|
\
E
F
E
A
k T
|

unde i sunt factorii de degenerare corespunztori impuritilor folosite. g

A
g
D
24 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
La neechilibru, nici una din relaiile prezentate n aceast seciune nu mai este
valabil. Totui, pentru a se pstra formalismul relaiilor (2.15) Shockley a introdus dou
nivele energetice fictive (de calcul), numite cvasinivele Fermi, ce au valori diferite pentru
electroni i goluri i variaz n interiorul semiconductorului. Astfel concentraiile purttorilor
de sarcin la neechilibru sunt date de relaiile:
(2.30)

n = n
i
exp
|
\

E
Fn
E
Fi
k T
|

p = n
i
exp
|
\

E
Fi
E
Fp
k T
|

2.4. Fenomenele de generare, recombinare, captur i efect tunel ale 2.4. Fenomenele de generare, recombinare, captur i efect tunel ale 2.4. Fenomenele de generare, recombinare, captur i efect tunel ale 2.4. Fenomenele de generare, recombinare, captur i efect tunel ale
purttorilor de sarcin purttorilor de sarcin purttorilor de sarcin purttorilor de sarcin
Aa cum am artat n seciunile anterioare electronii i modific permanent starea
energetic. Generarea reprezint fenomenele de trecere dintr-o stare energetic n alta a
purttorilor de sarcin prin care electronii ajung n banda de conducie (generarea de
electroni) iar golurile n banda de valen (generare de goluri). Prin recombinare se definesc
fenomenele de schimbare a strii energetice a purttorilor de sarcin prin care dispar
electronii din banda de conducie i golurile din banda de valen. Fenomenele de captur
reprezint att fenomenele de deionizare a impuritilor din semiconductor ct i de trecere a
purttorilor de sarcin pe un nivel energetic corespunztor unui defect al reelei cristaline.
Efectul tunel reprezint fenomenul de trecere a purttorilor de sarcin printr-o barier de
potenial.
Majoritatea acestor fenomene implic schimbarea energiei purttorilor de sarcin i,
de aceea, se numesc inelastice. Exist ns i mecanisme (efectul de tunel elastic) n care
energia purttorilor de sarcin nu variaz, mecanisme cunoscute sub numele de elastice.
Mecanismele de schimb energetic n procesele inelastice pot fi: t tt termice ermice ermice ermice, optice optice optice optice, de impact de impact de impact de impact
Auger Auger Auger Auger i colective colective colective colective. De asemenea n aceste procese conteaz mult i variaiile impulsurilor
purttorilor de sarcin.
Tranziiile purttorilor de sarcin n aceste fenomene pot fi:
tranziii band-band sau interband sau directe ce nseamn trecerea direct a
purttorilor de sarcin ntre banda de valen i banda de conducie (recombinrile i
generrile interband a perechilor de electroni i de goluri),
tranziii indirecte sau tranziii band - nivel intermediar - band (recombinri i
generri indirecte datorate fenomenelor de emisie i de captur a purttorilor de
sarcin de impuriti sau de defectele cristaline),
tranziii ntre nivele intermediare sau tranziii internivel.
Simbolurile IEEE referitoare la fenomenele enunate mai sus sunt:
ratele de desfurare a mecanismelor, n sensul numrului de particule care se
genereaz/recombin/captureaz/emit n unitatea de volum i n unitatea de timp, se
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 25
noteaz cu: g-viteza de generare, r-viteza de recombinare, c-viteza de captur i
e-viteza de emisie a purttorilor de sarcin de pe nivelele intermediare (centre de
captur);
particularizarea acestor viteze pentru cazul electronilor sau golurilor se realizeaz prin
folosirea indicilor n, pentru electroni, i p, pentru goluri (de exemplu: g
n
-viteza de
generare a electronilor);
indicarea mecanismelor energetice implicate n desfsurarea fenomenelor se
realizeaz prin scrierea n partea superioar a simbolului pentru viteza fenomenului de
interes a literei ce simbolizeaz mecanismul: t-termic, o-optic, i n sau p, n funcie de
particula de impact, pentru impact Auger.
Procesele interband de generare/recombinare pe cale termic a purttorilor de sarcin
sunt cele ce determin concentraiile intrinseci , corespunztoare echilibrului termic, n n
i
semiconductoarele pure (intrinseci). n aceste procese electronii i golurile apar i dispar n
perechi, deci:
(2.31)
g
n,i
t
= g
p,i
t
r
n,i
t
= r
p,i
t
Energia necesar trecerii electronilor n banda de conducie (deci generrii de electroni
i goluri) este preluat de la reea, iar energia rezultat n urma recombinrii este cedat
reelei sub form de cdur. Aceste procese sunt descrise pe diagramele energetice E-x i E-k kk k
n figura 2.10. Ratele de desfurare a proceselor de generare n cazul siliciului sunt g
n,i
t
= g
p,i
t
foarte mici deoarece pentru fiecare tranziie este necesar aciunea simultan a mai mult de 20
de fononi (energia unui fonon este de aproximativ n comparaie cu nlimea 60meV
energetic a benzii interzise a Si de ). 1, 2eV
Timpul mediu de via pe care un electron l petrece n banda de conducie nainte de a
se recombina cu un gol se numete timp de via al electronilor i se noteaz cu . n mod
n 0
analog, timpul de via al golurilor, , reprezint timpul mediu ct exist un gol n banda de
p 0
valen. innd seama de modul n care s-au definit concentraiile purttorilor de sarcin i
vitezele de recombinare, se pot scrie relaiile:
(2.32)
r
n,i
t
=
n
0

n 0
r
p,i
t
=
p
0

p 0
|m
3
s
1
|
Absorbie
fononi
Emisie
fononi
E
x
E
C
E
V
Emisie
fononi
E
k
Absorbie
fononi
b. a.
Figura 2.10. Procesele interband de generare/recombinare pe cale termic
reprezentate pe diagramele: a) E-x, b) E-k kk k.
26 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Procesele interband de generare/recombinare pe cale optic sunt cunoscute sub
denumirea de absorbia optic interband sau intrinsec i, respectiv, recombinarea radiativ
interband sau intrinsec. Absorbia intrinsec const n ruperea unei legturi covalente prin
preluarea energiei de activare de la un foton. Procesul invers este recombinarea radiativ
intrinsec n care energia rezultat n urma acestui proces este eliberat sub forma unui foton.
i n aceste procese electronii i golurile apar i dispar n perechi, deci:
(2.33)
g
n,i
o
= g
p,i
o
r
n,i
o
= r
p,i
o
Aa cum artat n seciunea introductiv eficiena optic a unui material este dictat de
poziiile relative ale nivelelor energetice i n spaiul k kk k deoarece n cazul E
C
E
V
interaciunilor dintre radiaiile electromagnetice i purttorii mobili de sarcin din
semiconductor acioneaz att legea conservrii energiei ct i legea conservrii impulsului,
adic:
k kk k
f


k kk k
o
k kk k
f
k kk k
i
(2.34) =
~
h =
~
h
~
h
unde p pp p
o
i k kk k
o
reprezint impulsul i factorul de und al fotonului, iar k kk k
f
, respectiv k kk k
i
, reprezint
factorul de und iniial, respectiv final al purttorului mobil de sarcin.
La materialele semiconductoare cu benzi aliniate, deoarece extremele benzilor de
valen i de conducie sunt situate la acelai punct n spaiul k, k, k, k, k kk k k kk k
f
k kk k
i
i deci = = 0
eficiena optic este mare.
Siliciul i germaniul sunt materiale semiconductoare cu benzi nealiniate, la care pe
lng schimbarea energiei purttorilor de sarcinmobili se schimb i impulsul acestora
deoarece minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen se afl, pe diagrama E-k kk k,
la k kk k diferii, deci k kk k . Aceast variaie a impulsului purttorilor de sarcin cu greu poate fi 0
preluat sau cedat de un foton, explicndu-se astfel valoarea redus a ratelor de
generare/recombinare intrerband pe cale optic.
Aceste raionamente sunt ilustrate n figura 2.11 pentru cazul recombinrilor radiative
a purttorilor de sarcin. Astfel, pentru siliciu, impulsul pe care l-ar putea prelua un foton ar
fi:
p pp p
o
(2.35) =
h

=
h
|
\
h c
E
G
|

= 4 10
11
eVscm
1
iar schimbarea impulsului unui electron este
p pp p

k kk k

p pp p
o
. (2.36) =
~
h =
~
h
2
a
= 4 10
7
eVscm
1
>>
Pentru ca recombinrile radiative interband s aib loc este necesar o alt particul
care s preia acest impuls al electronului. De regul, aa cum este indicat i n figura 2.11,
aceast particul este un fonon.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 27
Emisia unui
foton
E
k
Emisia unui
fonon
K
electron E
x
E
C
E
V
a.
E
k
Emisia unui
foton
E
x
E
C
E
V
b.
Figura 2.11. Procesele interband de generare/recombinare pe cale optic reprezentate
pe diagramele E-x i E-k kk k pentru semiconductoare cu benzi:
a) nealiniate, b) aliniate.
Procesele interband de generare/recombinare prin impact/efect Auger sunt specifice
att semiconductoarelor crora li se aplic un cmp electric intens (jonciunilor p-n polarizate
invers), ct i semiconductoarelor puternic dopate i implic intervenia unei particule,
electron sau gol, care s cedeze, respectiv s preia, energia corespunztoare tranziiei. Aceste
procese au fost modelate de Shockley, iar modelul dezvoltat se numete modelul balistic.
Deoarece n urma acestor procese electronii i golurile apar i dispar n perechi avem:
(2.37)
g
n,im
n
= g
p.im
n
g
n,im
p
= g
p.im
p
r
n,A
n
= r
p.A
n
r
n,A
p
= r
p.A
p
Tranziiile termice indirecte de generare/recombinare/captur au fost studiate i
modelate analitic de Shockley, Reed i Hall. Impuritile i defectele reelei cristaline joac
un rol important n aceste procese. n funcie de poziia n sistemul periodic, acestea introduc
nivele energetice suplimentare n interiorul benzii interzise situate fie n imediata vecintate a
marginilor benzilor de conducie sau de valen (nivele superficiale introduc impuritile
clasice pentru Si: B, Al, P, As, etc.), fie aproape de mijlocul benzii interzise (nivele profunde
introduce Au n Si). Nivelele profunde sunt centre de generare-recombinare mai eficiente
dect cele superficiale. Nivelele intermediare pot fi implicate n urmtoarele procese:
recombinarea unui electron cu un gol se petrece cnd capturarea unui electron (figura
2.12.b) este urmat de capturarea unui gol (figura 2.12.c), caz n care impuritatea sau
defectul ce a introdus nivelul respectiv poart numele de centru de recombinare
electron-gol;
generarea unei perechi electron-gol se petrece cnd emisia unui electron (figura
2.12.a) este urmat de emisia unui gol (figura 2.12.d);
capturarea unui electron;
capturarea unui gol.
28 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
a. b. c. d.
E
x
Figura 2.12. Cele patru procese de tranziie indirecte caracteristice majoritii
semiconductoarelor impure.
n funcie de aceste procese, impuritile i defectele reelei cristaline se pot clasifica
n: centre de recombinare electron-gol, centre de generare electron-gol, centre de captur a
electronilor i centre de captur a golurilor.
Tranziiile termice indirecte de generare/recombinare electron-gol sunt descrise
satisfctor de modelul SRH (de la numele autorilor: Shockley, Read i Hall). Conform
acestui model vitezele nete de recombinare corespunztoare celor dou tipuri de purttori de
sarcin sunt date de relaiile:
(2.38)
R
n,SHR
= R
p,SHR
= U =
p n n
i
2

n 0
(p + p
t) +
p 0
(n + n
t
)
R
n,SHR
= r
n,SHR
g
n,SHR
R
p,SHR
= r
p,SHR
g
p,SHR
n care i sunt dou constante ce reprezint timpii medii de via ai electronilor,
n 0

p 0
respectiv golurilor, iar i reprezint concentraii fictive de electroni, respectiv goluri n
t
p
t
pentru un semiconductor n care nivelul Fermi se suprapune peste nivelul energetic
suplimentar ( ). E
F
= E
t
Din relaia (2.37) se desprind urmtoarele concluzii:
la echilibru termic ( ) viteza net de recombinare este nul; n p = n
i
2
la neechilibru, n condiii de exces de purttori de sarcin ( ) viteza net de n p > n
i
2
recombinare este pozitiv ( ), deci predomin recombinarea; U > 0
la neechilibru, n condiii de lips de purttori de sarcin ( ) viteza net de n p < n
i
2
recombinare este negativ ( ), deci predomin generarea. U < 0
Ca atare, se poate concluziona c un semiconductor aflat la neechilibru i dezvolt
mecanisme care tind s-l readuc la echilibru.
Pe baza acestor observaii pentru vitezele nete de recombinare s-au dezvoltat
formalisme mai simple i anume:
(2.39)
R
n
=
n n
0

n
R
p
=
p p
0

p
n care i se numesc timpi de via ai purttorilor de sarcin n exces fa de situaia de
n

p
echilibru termic. Aceti timpi de via reprezint o caracteristic important a unui
semiconductor i au valori de ordinul s. (10
3
10
9
)
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 29
Tranziiile optice indirecte de generare/recombinare/captur au fost de asemenea
studiate i modelate analitic de Shockley, Reed i Hall, iar modelul prezentat anterior (SRH)
este aplicabil i acestor fenomene.
Tranziiile indirecte de captur Auger, respectiv emisie prin impact implic prezena
unui purttor de sarcin care s preia energia de captur corespunztoare trecerii unui purttor
de sarcin pe nivelul intermediar, respectiv s cedeze energia de emisie necesar eliberrii
unui purttor de sarcin de pe nivelul intermediar. Exist 8 posibiliti de astfel de tranziii ce
sunt ilustrate n figura 2.13.
a. b. c. d. e. f. g. h.
Figura 2.13. Tranziiile indirecte de captur Auger, respectiv emisie prin impact.
Procesele de efect de tunel elastice prin tranziii interband, indirecte i internivel sunt
ilustrate n figura 2.14. Trebuie subliniat faptul c variaia de energie a purttorilor de sarcin
implicai n aceste procese este nul. Aceste mecanisme prezint importan n funcionarea
memoriilor EPROM i sunt principalele mecanisme implicate n mbtrnirea i defectarea
tranzistoarelor submicronice MOS din Si.
E
x
E
C2
E
C1
E
V1
E
V2
a. b.
E
C1
E
V1
E
C2
E
V2
Figura 2.14. Procesele de efect de tunel elastice prin tranziii:
a) interband, b) indirecte.
Procesele de efect tunel inelastice necesit prezena unei a treia particule care s preia
sau s doneze energia necesar acestora i de aceea ratele de desfurare corespunztoare
acestora sunt mai mici ca cele corespunztoare tranziiilor elastice prin efect tunel. n total
sunt 9 astfel de mecanisme, dar n figura 2.15 sunt ilustrate cele mai importante dintre
acestea.
30 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Fonon
E
C1
E
C2
E
V1
E
V2
Fonon
a.
E
C2
Foton
E
C1
E
V1
E
V2
b.
E
C2
E
C1
E
V1
E
V2
c.
Figura 2.15. Procesele interband de efect tunel inelastice:
a) termice, b) optice, c) impact Auger.
Tranziiile cu mecanism energetic colectiv se refer la tranziiile interband, indirecte
sau internivel la care energia necesar procesului, respectiv energia rezultat n urma
procesului, este furnizat, respectiv preluat, de aa numitele unde energetice colective
corespunztoare ansamblului electronilor de valen din solid. Undele energetice colective
sunt i ele cuantizate, iar cuanta de energie este cunoscut sub denumirea de plasmon (i este
n gama de ). 4eV30 eV
2.5. Mecanismele de transport corespunztoare purttorilor de sarcin 2.5. Mecanismele de transport corespunztoare purttorilor de sarcin 2.5. Mecanismele de transport corespunztoare purttorilor de sarcin 2.5. Mecanismele de transport corespunztoare purttorilor de sarcin
n semiconductor n semiconductor n semiconductor n semiconductor
ntr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii i golurile sufer
doar o micare de agitaie termic ce are un caracter haotic i este nsoit de ciocniri cu
reeaua. Aceast situaie duce la absena curenilor electrici macroscopici de conducie
(cureni medii nuli).
Starea de echilibru a unui semiconductor poate fi perturbat prin expunerea acestuia la
un agent fizic extern: cmpuri electrice, magnetice i electromagnetice, fluxuri de particule
etc. n funcie de micarea purttorilor de sarcin, mecanismele de transport la neechilibru se
pot clasifica n urmtoarele categorii fundamentale:
drift drift drift drift - deplasarea purttorilor de sarcin sub aciunea unui cmp electric;
difuzie difuzie difuzie difuzie - deplasarea purttorilor de sarcin este determinat de gradienii
concentraiilor purttorilor de sarcin;
generarea - recombinarea generarea - recombinarea generarea - recombinarea generarea - recombinarea purttorilor de sarcin;
captu captu captu capturarea rarea rarea rarea - emisia emisia emisia emisia purttorilor de sarcin;
efectul efectul efectul efectul tunel tunel tunel tunel.
Curentul de drift (sau de cmp) predomin n tranzistoarele unipolare, iar curentul de
difuzie n tranzistoarele bipolare i n jonciunile p-n. G GG Generarea, r rr recombinarea, c cc capturarea,
emisia i efectul de t tt tunel (GRCT GRCT GRCT GRCT) cauzeaz curenii de pierdere n jonciunile p-n, n
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 31
tranzistoarele bipolare i sunt responsabile de instabilitatea, mbtrnirea i strpungerea
dispozitivelor electronice. Deoarece n seciunea anterioar au fost prezentate mecanismele
GRCT GRCT GRCT GRCT, n acest subcapitol se vor analiza doar mecanismele de drift i de difuzie mpreun cu
modelarea matematic a acestora.
2.5.1. Micarea purttorilor de sarcin sub aciunea cmpului electric 2.5.1. Micarea purttorilor de sarcin sub aciunea cmpului electric 2.5.1. Micarea purttorilor de sarcin sub aciunea cmpului electric 2.5.1. Micarea purttorilor de sarcin sub aciunea cmpului electric
(drift) (drift) (drift) (drift)
n prezena cmpului electric purttorii de sarcin i pstreaz micarea haotic
datorat ciocnirilor cu atomii reelei de baz i cu cei de impuritate, dar se deplaseaz i n
direcia cmpului. Deplasarea n sensul cmpului are loc datorit faptului c n intervalul ntre
dou ciocniri apare o cretere a componentei de vitez orientat n sensul cmpului. Acest
efect de antrenare a purttorilor de sarcin n sensul cmpului electric se numete drift drift drift drift.
Antrenarea n sensul cmpului a purttorilor de sarcin se realizeaz cu o vitez medie
numit vitez de drift, i . Considernd un model unidimensional n care , v
dn
v
dp
v
dn
= v
nx
electronii ce se deplaseaz dintr-un volum de semiconductor n direcia (vezi figura Adx +x
2.16), n intervalul de timp , produc un curent electric : dt I
nx
, (2.40) I
nx
=
dQ
n
dt
=
q n A dx
dt
= q n A v
nx
iar densitatea curentului este: I
nx
. (2.41) J
nx
=
I
nx
A
= q n v
nx
Judecnd n mod similar i pentru goluri, se obine:
(2.42)
I
px
=
dQ
p
dt
=
q p A dx
dt
= q p A v
px
J
px
=
I
px
A
= q p v
px
v
x
dx
z
x
y
A
Figura 2.16. Sistemul de coordonate i elementul de volum folosite pentru calculul
curentului de drift.
32 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
n scopul determinrii vitezelor de drift corespunztoare celor dou tipuri de purttori
de sarcin s considerm mai nti deplasarea, supus legii lui Newton, a unui electron ntre
dou ciocniri succesive. Viteza final a acestuia, cptat n urma deplasrii, este dat de
relaia:
(2.43) v
x
= v
0

q
m

E
x

fn
n care reprezint timpul dintre dou ciocniri succesive i reprezint viteza iniial
fn
v
0
avut de electron nainte de deplasarea sub aciunea cmpului electric, cunoscut sub
denumirea de vitez termic.
Mediind att asupra ciocnirilor ct i asupra numrului de electroni de conducie din
unitatea de volum se obine:
(2.44)

v
x
=

v
0

q
m

E
x

fn
=
q
m

E
x

n
= v
dn
Aa cum se observ, n relaia de mai sus valoarea medie a vitezei termice a fost
considerat nul deorece direciile lui sunt aleatoare datorit vibraiilor aleatoare ale v
0
atomilor reelei i a ionilor de impuritate. n realitate, media vitezei termice este diferit de
zero, aceasta fiind cauza zgomotului termic n semiconductoare.
Mobilitatea electronului se definete ca viteza sa medie de drift pe unitatea de cmp
electric:
(2.45)
n
=
v
dn
E
x

q
n
m

Combinnd relaia (2.44) cu (2.45) expresia vitezei medii devine: v

dn
(2.46) v
dn
=
n
E
x
Judecnd n mod similar i pentru goluri, se obine:
(2.47)
p
=
v
dp
E
x

q
p
m
+
(2.48) v
dp
=
p
E
x
Mobilitile purttorilor de sarcin sunt un rezultat al ciocnirilor acestora cu atomii
reelei de baz i cu atomii de impuritate. Mobilitile depind deci de concentraia de
impuriti, de temperatur i de intensitatea cmpului electric aplicat. Datorit condiiilor
specifice n care se deplaseaz purttorii de sarcin mobilitatea electronilor este mai mare ca
mobilitatea golurilor, adic .
n
>
p
n figura 2.17 se prezint dependena mobilitilor purttorilor de sarcin funcie de
concentraia total de impuriti. Se observ c mobilitile scad odat cu creterea
concentraiei de impuriti deoarece crete numrul ciocnirilor cu atomii de impuritate iar
drumul mediu ntre dou ciocniri consecutive scade.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 33
14
10 10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
10
21
100
200
500
1000
N[cm
-3
]
Electroni
Goluri

[
c
m


/
V
s
]
2
.
Figura 2.17. Dependena mobilitilor purttorilor de sarcin n funcie de concentraia
total de impuriti pentru semiconductorul impur de Si la 300 .
o
K
Determinarea dependenei cu temperatura a mobilitiilor purttorilor de sarcin se
poate face folosind regula lui Matthissen:
(2.49)
1

=
1

1
+
1

2
n care reprezint mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii de impuritate i
1

2
reprezint mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii reelei de baz.
Mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii de impuritate crete odat cu creterea
temperaturii n conformitate cu relaia generic:
(2.50)
1
= A
I 0

T
3/2
N
unde reprezint o constant ( pentru electroni i pentru goluri) i A
I 0
A
I 0n
A
I 0p
N
concentraia ionilor de impuritate.
Mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii reelei de baz depinde de undele
longitudinale de vibraie ale reelei cristaline. Aceste unde longitudinale sunt de dou
categorii: cu frecvene cuprinse n gama acustic de frecvene, numite unde longitudinale
acustice, i cu frecvene mai nalte cuprinse n gama infrarou a spectrului optic, numite unde
longitudinale optice. Astfel, mobilitatea este relevat de expresia generic:
2
(2.51)
1

2
=
1

A
+
1

O
n care reprezint mobilitatea determinat de undele longitudinale acustice de vibraie:
A
, (2.52)
A
= A
A
T
3/2
reprezint mobilitatea determinat de undele longitudinale optice de vibraie:
O
, (2.53)
O
= A
O
T
1/2
exp
|
\

h
O
k T
|

|
iar i sunt constante ce au valori diferite pentru cele dou tipuri de purttori de A
A
A
O
sarcin.
34 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Dependena de intensitatea cmpului electric a mobilitilor purttorilor de sarcin este
relevat de relaia empiric generic dezvoltat de Shockley:
(2.54) =

0
1 +
|
\
E
E
C
|

n care reprezint valoarea critic a intensitii cmpului electric pentru care apare o E
C
saturare (limitare) a vitezei de drift a purttorilor de sarcin, iar este o constant empiric.
Micorarea mobilitilor purttorilor de sarcin odat cu creterea intensitii cmpului
electric se datoreaz scderii timpului de accelerare (ntre dou ciocniri succesive). n figura
2.18 este ilustrat dependena vitezelor de drift ale purttorilor de sarcin funcie de
intensitatea cmpului electric aplicat.
Electroni
Goluri
10
2
10
5
10
7
10
6
10
4
10
3
10
5
10
6
E [V/cm]
v
n
>
v
p
[
c
m
/
s
]
Figura 2.18. Dependena vitezelor de drift n funcie de intensitatea cmpului electric
aplicat pentru purttorii de sarcin din Si la 300 .
o
K
n consecin, densitatea curentului de drift total este:
(2.55)
j
c
= j
nc
+ j
pc
= q
(
p v
p
n v
n)
= q (p
p
+ n
n) E =
= (
n
+
p) E = E =
1

E
n care reprezint conductivitatea semiconductorului iar rezistivitatea acestuia.
Relaia
, (2.56) j
c
=
1

E
n care
, (2.57) =
1
q (p
p
+ n
n)
reprezint legea lui Ohm pentru semiconductoare.
Aa cum relev relaia (2.57) rezistivitatea semiconductoarelor este puternic
dependent de temperatur. Figura 2.19 prezint calitativ aceast dependen.
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 35
|cm]
T[ K]

300
I II III
Figura 2.19. Dependena de temperatur a rezistivitii unui semiconductor impur.
La semiconductorul este izolator perfect. La creterea temperaturii (poriunea I a 0
o
K
curbei) impuritile ionizeaz, deci concentraiile purttorilor de sarcin cresc, iar
rezistivitatea scade. La temperaturile uzuale de lucru (poriunea II a curbei) aproape toate
impuritile au ionizat, concentraiile de purttori de sarcin rmnnd practic constante, dar
mobilitile electronilor i golurilor scad, conducnd astfel la o uoar cretere a rezistivitii.
La temperaturi ridicate (poriunea III a curbei) crete n mod semnificativ numrul legturilor
covalente rupte, semiconductoarele i pierd caracterul extrinsec, generarea de perechi
electron-gol, pe aceast cale, conducnd la creterea concentraiei de purttori de sarcin i
deci la scderea rezistivitii.
2.5.2. Difuzia purttorilor de sarcin 2.5.2. Difuzia purttorilor de sarcin 2.5.2. Difuzia purttorilor de sarcin 2.5.2. Difuzia purttorilor de sarcin
Difuzia purttorilor de sarcin n volumul unui semiconductor apare atunci cnd exist
o distribuie neuniform a purttorilor de sarcin. Fluxul de purttori de sarcin ce se
deplaseaz din regiunile cu concentraie mai mare a acestora ctre regiunile cu concentraie
mai mic se numete flux de difuzie flux de difuzie flux de difuzie flux de difuzie, iar procesul se numete difuzie difuzie difuzie difuzie. Rata de difuzie a
purttorilor de sarcin este determinat de aceleai mecanisme de ciocnire cu atomii reelei de
baz i cu ionii de impuritate i de vibraie acustic i optic a atomilor reelei i a ionilor de
impuritate. Parametrul care msoar i caracterizeaz rata de difuzie este coeficientul de
difuzie, notat cu pentru electroni i cu pentru goluri. Deoarece difuzia i driftul sunt D
n
D
p
controlate de aceleai mecanisme, ntre constantele de difuzie i mobiliti exist o legtur
strns relevat de relaiile lui Einstein:
(2.58)
D
n
=
k T
q

n
= V
T

n
D
p
=
k T
q

p
= V
T

p
Mrimea ce apare n relaia (2.58) se numete tensiune termic i are V
T
= (k T)/q
valoarea de aproximativ la temperatura de . 26mV 300K
36 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor
Astfel, pentru cazul unidimensional, numrul de particule care traverseaz o suprafa
unitar perpendicular pe direcia de transport n unitatea de timp este dat de relaia:
(2.59) F
x
= D
dc
dx
Generaliznd obinem urmtoarea relaie ntre fluxul de particule i gradientul F
concentraiei de impuriti : c
(2.60) F = D c
Multiplicnd aceast relaie cu sarcina electronului, respectiv golului, obinem
expresiile densitilor de curent de difuzie:
(2.61)
j
nd
= q F
n
= q D
n
n
j
pd
= q F
p
= q D
p
p
2.6. Ecuaiile de baz ale unui semiconductor 2.6. Ecuaiile de baz ale unui semiconductor 2.6. Ecuaiile de baz ale unui semiconductor 2.6. Ecuaiile de baz ale unui semiconductor
Orice dispozitiv semiconductor, ale crui caracteristici depind de un numr mare de
particule, poate fi descris cu ajutorul unui sistem de ecuaii liniare i difereniale, numite
ecuaiile lui Shockley, n condiiile precizrii condiiilor la limit, iniiale, de dopare cu
impuriti i de mediu. Acest sistem cuprinde trei tipuri de ecuaii:
ecuaiile de densitate a curentului,
ecuaiile de continuitate i
ecuaia lui Poisson.
Ecuaiile de densitate a curentului Ecuaiile de densitate a curentului Ecuaiile de densitate a curentului Ecuaiile de densitate a curentului exprim analitic transportul purttorilor de sarcin
prin drift i difuzie. Astfel, n cazul aplicrii unui cmp de intensitate constant i a existenei
unor gradieni de concentraii de purttori de sarcin, densitatea total de curent este relevat
de expresiile:
(2.62)
j = j
n
+ j
p
j
n
= j
nc
+ j
nd
= q n
n
E + q D
n
n
j
p
= j
pc
+ j
pd
= q p
p
E q D
p
p
n cazul aplicrii unor cmpuri de intensitate variabil n timp, expresia densitii
totale de curent devine:
(2.63)
j = j
n
+ j
p
+ j
d
j
d
=

_
E
t
unde reprezint densitatea de curent de deplasare. j
d
Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor 37
Ecuaiile de continuitate Ecuaiile de continuitate Ecuaiile de continuitate Ecuaiile de continuitate descriu analitic variaia n timp a concentraiilor de purttori
de sarcin. Cauzele variaiei n timp a concentraiei de purttori pot fi:
generarea datorat unor ageni externi,
generarea-recombinarea intern,
fenomene de transport (prin intermediul curenilor),
iar aceast dependen este exprimat analitic astfel:
(2.64)
n
t
= G
Ln
R
n
+
1
q
j
n
p
t
= G
Lp
R
p

1
q
j
p
unde i reprezint ratele de generare pentru electroni i goluri sub aciunea unui G
Ln
G
Lp
factor extern.
Un caz particular al acestor relaii, ntlnit la majoritatea dispozitivelor
semiconductoare, este dat de absena sau de posibilitatea neglijrii efectului agenilor externi (
), de cazul unidimensional (desfurarea proceselor dup o singur direcie) i de G
L
= 0
considerarea unor relaii simplificate pentru vitezele nete de recombinare. Astfel, ecuaiile
(2.64) devin:
(2.65)
n
t
=
n n
0

n
+
1
q

j
n
x
p
t
=
p p
0

p

1
q

j
p
x
Ecuaia lui Poisson Ecuaia lui Poisson Ecuaia lui Poisson Ecuaia lui Poisson se refer la legtura dintre potenialul electrostatic, , dintr-un u
semiconductor i densitatea volumic macroscopic de sarcin, :
V
(2.66)
u =

V
= q (p n + N
D

N
A

)
Relaia ntre cmpul electric i potenialul este: u
(2.67)

E= u
Dispozitivele semiconductoare de dimensiuni submicronice, cu numr redus de
purttori de sarcin, pentru care statisticile folosite n dezvoltatea relaiilor precedente nu sunt
valabile, se analizeaz pornind direct de la legile mecanicii cuantice.
38 Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor