13.

Tipuri de lasere

Dup descoperirea efectului laser au fost fabricate un numr foarte mare de

surse coerente de radiaie [13.1]-[13.12]. Laserele pot fi mprii n mai multe
categorii: dup modul de funcionare (n regim continuu i n impulsuri), dup
natura mediului activ utilizat (lasere cu solid, lichid i gaz), dup domeniul spectral
n care emit etc.
De asemenea, laserele mai pot fi mprii dup natura electronilor
implicai n obinerea radiaiei laser: lasere cu electroni legai i respectiv lasere cu
electroni liberi.

13.1. Lasere cu electroni legai

Printre laserele cele mai des utilizate n tiin i tehnic se numr cele cu
electroni legai. n cazul acestora pentru producerea radiaiei laser sunt utilizate att
tranziiile electronilor de pe nivelele exterioare atomice, ionice i moleculare ct i
cele de pe nivelele inferioare atomice (emisia stimulat n domeniul razelor X).

13.1.1. Laserul cu rubin

Din punct de vedere istoric laserul cu rubin a fost primul realizat n anul
1960 de ctre T. H. Maiman i colaboratorii. Mediul activ utilizat la fabricarea
laserului cu rubin este cristalul de Al 2 O 3 (ce conine 0,05 % Cr 2 O 3 ) dopat cu
ionii de Cr

, care reprezint elementele active n emisia radiaiei laser.

3

25

-3

Concentraia ionilor de Cr
este de aproximativ 1,62 10 m .
Diagrama nivelelor energetice ale unui laser cu rubin este prezentat n
o

fig. 13. 1. Tranziiile laser cele mai importante avnd 1 6943 A i

o

2 6929 A au loc ntre nivelele 2 E 4 A 2 i respectiv 2 A4 A 2 .

4

Benzile largi F1 i F2 pot fi populate eficient prin pompaj optic cu

ajutorul unei lmpi cu descrcare n xenon (flash) (fig. 13. 2). Ionii astfel excitai se

OPTIC. LASERE

316

dezexcit n 10

s prin procese neradiative cu emisie de fononi trecnd pe strile

2
3
metastabile E i A ( 5 10 s ) de unde revin pe nivelul fundamental emind
2

radiaia laser, sistemul laser fiind tipic cu trei nivele.

Fig. 13. 1. Diagrama nivelelor energetice ale ionului de

Cr 3 .

Bara de rubin are diametrul de aproximativ 1 cm i lungimea de civa zeci

de centimetri. Una din oglinzile cavitii este total reflecttoare, iar cealalt este
parial reflecttoare i permite cuplajul radiaiei laser cu exteriorul.

Fig. 13. 2. Schema de principiu a unui laser cu rubin.

Oglinzile se obin fie prin depuneri de straturi subiri de argint sau

3

dielectrici cu indici de refracie alternani ca valoare. Ionii de Cr

sunt excitai de
lampa flash (durata de iluminare fiind de cteva ms, iar energia consumat de

~ 10 4 J ) care poate fi dispus sub forma unei spirale n jurul barei de rubin sau
montnd tubul flash ntr-unul din focarele unui cilindru eliptic i bara n cellalt
(fig. 13. 3).

Tipuri de lasere

317

Funcionare laserului cu rubin poate avea loc fie n impulsuri (Q-switched

sau mode-locking) sau n regim continuu. n regim de impulsuri s-au obinut puteri
8

de 10 W 10 W pentru o durat a pulsului de 10

s 10 7 s .

Fig. 13. 3. Schema de principiu a cavitii rezonante de forma unui cilindru eliptic.

13.1.2. Laserul cu sticl dopat cu Nd 3

Diagrama nivelelor energetice ale unui laser cu Nd:sticl este prezentat n
fig. 13. 4. Tranziia laser cea mai important avnd 1,06 m se produce ntre
4

subnivelele inferioare ale nivelelor F3/2 i I11/2 (lungimea de und de

aproximativ 1,06 m este funcie de compoziia sticlei). ntruct la temperatura
4

camerei populaia nivelului I11/2 este neglijabil, inversia de popula]ie se

realizeaz uor, sistemul laser fiind tipic cu patru nivele.

Fig. 13. 4. Diagrama nivelelor energetice ale ionului de Nd

OPTIC. LASERE

318

Ionii de Nd

excitai ca urmare a absorbiei n banda 0,5 m 0,8 m

se relaxeaz cu o eficien cuantic ridicat pe nivelul cu via lung

F3/2

obinndu-se astfel inversia de populaie n raport cu nivelul I11/2 .

Utilizarea sticlelor ca gazde pentru realizarea mediilor laser active prezint
numeroase avantaje: posibilitatea doprii uniforme cu concentraii variabile,
dimensiuni mari, pre redus, rezisten mecanic etc.
Un dezavantaj al sticlelor l constituie conductivitatea termic sczut, ceea
ce limiteaz rata de repetiie a impulsurilor i diametrele maxime ale barelor active
3

de Nd :sticl. Dintre sticlele utilizate (SiBaRb, Ba(PO 3 ) 2 , LaBBa, SiPbK,

LaAlSi) silicaii sunt cei mai indicai spre a fi utilizai ca gazde pentru ionii
de Nd

.
3

Din punct de vedere constructiv, laserul Nd :sticl ca i alte lasere cu

solid este pompat optic. Astfel se utilizeaz diferite sisteme de concentrare a
excitaiei optice furnizat de un tub flash (fig. 13. 3 i 13. 5).

Fig. 13. 5. Schema de principiu a unui laser de tip Nd

:sticl.

De exemplu, o cavitate sub forma unui cilindru eliptic are n focare bara de
sticl dopat cu Nd
dopat cu Nd

(B), respectiv tubul flash (F). Funcionare laserului cu sticl

poate avea loc fie n impulsuri (Q-switched sau mode-locking) sau

n regim continuu. Funcionarea n regim continuu pe lungimea de und de 1,06

m a acestui tip de laser a fost observat n anul 1963.
n prezent se realizeaz bare de Nd:sticl avnd lungimi aproximativ 2 m i
diametre de civa cm. S-au obinut pulsuri laser avnd energii de ordinul sutelor
de mii de J cu durate de ordinul zecilor de nanosecunde (SHIVA, NOVA).
Funcionarea laserului de tip Nd
Nd

:YAG.

:sticl este analoag cu ce a laserului

Tipuri de lasere

319

13.1.3. Laserul cu Ti:safir

Laserele cu lungimi de und variabile, n mod controlat, sunt necesare
pentru efectuarea de studii spectrale asupra proprietilor optice ale substanei, cum
ar fi de exemplu spectroscopia de absorbie atomic i molecular, spectroscopia de
fotoluminescen a semiconductorilor, optica neliniar, ca i pentru pompajul
laserelor cu fibre optice dopate cu ionii pmnturilor rare.
Pentru aplicaiile spectroscopice ale laserelor acordabile se remarc
avantajele oferite de laserele cu colorani i, mai recent, cele ale laserelor cu mediu
activ de Ti:safir.
Cea mai semnificativ dezvoltare n domeniul laserelor acordabile spectral,
att n ceea ce privete eficiena ct i uurina demanipulare o reprezint laserul cu
mediu activ cristalin de Ti:Al 2 O 3 (safir dopat cu titan). Acest tip de laser poate fi
acordat spectral n domeniul 650 nm 1050 nm, cu putere optic de pn la 5 W n
und continu, n jurul lungimii de und de 800 nm.
Printre avantajele de operare ale laserelor cu Ti:safir, fa de cei cu
colorani, este faptul c mediul activ de titan-safir poate fi pompat optic cu radiaie
din toate liniile spectrale de emisie ale unui laser cu argon ionizat, n timp ce
majoritatea coloranilor-medii active necesit pompaj riguros la 514 nm. De
asemenea, n vederea acoperirii ntregului domeniu spectral al emisiei laserului
sunt necesare trei pn la cinci seturi de oglinzi ale rezonatorului optic pentru titansafir, care sunt utilizate succesiv, ceea ce este oricum mult mai convenabil dect
schimbarea unui acelai numr de soluii de colorant i seturi de oglinzi, pentru
acoperirea unui interval spectral egal.
Pentru concentraii mici de Ti 2 O 3 (n proporie masic de ~0,05 %) ntr-o
3

topitur de safir (Al 2 O 3 ), ionii de Ti

substituie ionii de Al
n poziii
aleatorii din reeaua cristalin aflat n proces de formare, iar proprietile electrice
ale cristalului vor fi dominate de electronii 3d singulari din nivelele energetice
exterioare respective al ionilor dopani de Ti

Cmpul electric intern al reelei cristaline de Al 2 O 3 determin despicarea

pturii electronice exterioare, cu o degenerare de ordinul cinci a nivelelor
energetice ale ionilor de Ti

; termenul cubic al acestei interacii caracterizeaz

despicarea nivelelor energetice ntr-o stare excitat

2

E dublu degenerat i starea

fundamental T2 care, la rndul lor, sunt despicate prin cuplajul spin-orbit i o

distorsiune Jahn-Teller. Spectrul de absorbie al sistemului dopat indic prezena
unei benzi largi de stri excitate, accesibile de la starea fundamental,
corespunztor unui interval spectral de la 450 nm la 600 nm ceea ce se potrivete
cu lungimea de und a emisiei laserelor cu argon ionizat (fig. 13. 6)
Intervalul spectral corespunztor al fluorescenei cristalului este deplasat
ctre lungimi de und mari prin emisie de fononi de la purttorii de sarcin

320

OPTIC. LASERE
3

acceptai i se afl ntr-o band larg de la 650 nm la 1050 nm. Fluorescena Ti

rezint o scdere exponenial, cu timpul de via de 3 s, i are o seciune eficace
intermediar fa de aceea a coloranilor organici i aceea a vaporilor atomici, ceea
ce indic faptul c, pentru producerea efectului laser n acest cristal, este necesar o
combinaie a tehnicilor laser de baz utilizate pentru cele dou tipuri de medii
active.

3
Fig. 13. 6. Benzile energetice ale ionilor de Ti
n reeaua cristalin a Al 2 O 3 ;
caracterul indirect al fluorescenei se datoreaz despicrii Jahn-Teller.

ntr-un mediu activ laser cu corp solid apare ncalzirea cristalului datorit
interaciei cu radiaia de pompaj, de mare putere optic. Pstrarea unei temperaturi
constante, care s favorizeze proprietile ce confer cristalului eficiena de mediu
activ, impune utilizarea de cristale cu sectiune transversal mai mare i,
corespunztor, o seciune eficace redus la interacia cu radiaia, pentru a crete
posibilitatea redistribuirii cldurii generate pe o suprafa mai mare pentru cedare
ctre un disipator termic.
Cu posibilitatea de amplificare optic n ntreg cristalul, este necesar
pompajul de-a lungul unei direcii longitudinale din cristal i nu ntr-un singur
punct. Se ajunge astfel la o configuraie n care modurile transversale ale radiaiei
de pompaj i de emisie stimulat se propag coliniar, ntr-un focar extins pe axa
longitudinal a cristalului. Geometria rezonatorului optic este factorul hotrtor
pentru optimizarea surprapunerii dintre aceste moduri transversale, astfel nct s
rezulte un pompaj eficient, n vederea inversiei de populaie.
Eficiena pompajului optic poate fi redus prin opacitatea cristalului fa de
4

spectrul infrarou, datorit unei benzi energetice a impuritilor de ioni de Ti .

Prin metode recente de prelucrare a materialelor s-a ajuns la o bun diminuare a
acestor pierderi de mprtiere i, de asemenea, a tensiunilor termice ce apar n
cristalul mediului activ laser.

Tipuri de lasere

321

n rezonatorul optic, se introduce cristalul de Ti:safir, lung de 1 cm, cu

feele de acces ale radiaiei nclinate la unghi Brewster pentru minimizarea
pierderilor prin reflexie. Acest dielectric nclinat introduce un astigmatism
(seciune transversal necircular) pentru un fascicul iniial circular. Este
important generarea unui fascicul laser circular i cu o divergen mic ntruct
acest fascicul are un drum optic lung prin cavitate, astfel fiind posibil accentuarea
nedorit a acestor aspecte, la oglinda de ieire. Pentru a se compensa aberaia
fasciculului, se utilizeaz elemente optice de focalizare plasate excentric fa de
direcia fasciculului.
Pentru estimarea teoretic a parametrilor cavitii laser, se consider
intensitatea cmpului electric exprimat prin mrimea:

x, y , z u x, y , z e i0 t kz
(13.1)
unde u x, y , z este amplitudinea complex a cmpului, 0 este frecvena
2
unghiular a acestuia, t este timpul de propagare, k
este vectorul de und

( fiind lungimea de und), iar z este direcia de propagare a radiaiei

electromagnetice laser.
Utiliznd expresia (13.1) n ecuaiile Maxwell i presupunnd c profilul
transversal u x, y , z al undei are o dependen lent de direcia de propagare z,
rezult ecuaia paraxial de propagare:

2u
x 2

2u
y 2

2ik

u
.
z

(13.2)

n prezena efectelor de difracie (care apar mai pronunat atunci cnd

fasciculul este limitat spaial la dimensiuni transversale comparabile cu lungimea
de und), se demonsteaz c soluiile Hermite-Gauss ale ecuaiei (13.2) formeaz
un set de moduri normale de propagare.
Se evalueaz seciunea transversal a regiunii de amplificare n cristal i
obturarea fascicului prin diafragme n interiorul cavitii laser astfel nct modul de
propagare de cel mai mic ordin, TEM 00 este ampificat cel mai mult i are
contribuia preponderent n radiaia laser. Pentru modul TEM 00 se obine:

x2
y2
u x,y = u 0 exp ik

2q x 2q y

unde raza de curbur complex q q x

(13.3)

iq y a frontului de und este definit

de relaia:

1 1

i 2 ,
q R w

(13.4)

R fiind raza de curbur real a frontului de und, iar w estediametrul fasciculului

n modul TEM 00 . Aceast descriere este convenabil ntruct orice element optic

322

OPTIC. LASERE

din cavitate poate fi reprezentat printr-o matrice 2 2 ale crei patru componente
definesc o transformare a parametrului q care specific elementului optic
respectiv.
Modelarea numeric a cavitii laser nseamn exprimarea unei matrici
pentru fiecare component optic a cavitii i multiplicarea acestor matrici pentru
a se obine matricea optic a ntregului sistem laser. O cavitate stabil din punct de
vedere optic este aceea n care parametrii unui mod transversal sunt identici dup
un parcurs complet al cavitii. Conform acestei metode, s-a proiectat o
configuraie stabil de rezonator laser, pentru care a fost luat n considerare i
compensarea astigmatismului fasciculului.
n realizarea practic a laserului cu Ti:safir, componentele trebuie fixate pe
o mas holografic, pentru a se amortiza orice vibraii mecanice. Emisia laserului
de pompaj, cu argon ionizat, este stabilizat spectral i n intensitate prin utilizarea
unui detector de monitorizare pe care este incident o fraciune mic din radiaia
acestui laser; semnalul detectorului este cuplat n reacie pozitiv cu cavitatea
rezonant, pentru a se controla activ parametrii de emisie i a se determina valorile
optime ale acestora. Polarizarea radiaiei laserului cu argon ionizat este vertical i
deci, pentru a se reduce pierderile Fresnel pe parcursul optic pn la cristal, aceast
polarizare este rotit cu 90. S-a evaluat c, pentru o putere optic de 6 W a
ntregului spectru de emisie a laserului cu argon ionizat, puterea fasciculului
focalizat pentru pompajul Ti:safir este de 5 W.
ntruct operarea laserului se bazeaz pe suprapunerea a dou fascicule
focalizate ngust, la seciuni longitudinale cilindrice, sistemul este foarte sensibil la
dezalinierile componentelor optice i oglinzile care directioneaz fasciculul de
pompaj trebuie s fie montate pe supori rigizi. Focalizarea fasciculului de pompaj
se realizeaz cu ajutorul unei lentile cu depunere antireflexie i distan focal de
10 cm, plasat puin excentric fa de fascicul, pentru ca astigmatismul astfel
dobndit de radiaia de pompaj s compenseze astigmatismul pe care l impune
geometria cristalului de Ti:safir. Acest cristal se afl ntre dou oglinzi O1 i O2
(fig. 13. 7) cu transparen de 85% la spectrul radiaiei de pompaj dar cu nalt
reflexie fa de fluorescena Ti:safir. Pentru rcire, cristalul laser este montat, cu un
bun contact termic, ntr-un suport de cupru rcit cu jet de ap, care stabilizeaz
temperatura la ~8 C. Cilindrul cristalului de Ti:safir se poate roti n jurul axei sale
printr-o montare corespunztoare i, astfel, reflexia slab (100 mW) a fasciculului
de pompaj pe faa cristalului se poate orienta de-a lungul direciei de inciden a
acestuia. ntregul suport al cristalului se poate deplasa pe un dispozitiv de
translatie, n vederea selectrii unei direcii de propagare cu pierderi prin
mprtiere reduse n interiorul cristalului.
Cu ajutorul oglinzilor O1 i O2 se realizeaz o cavitate laser nfurat,
calculat astfel pentru compensarea astigmatismului impus fasciculului emergent
prin nclinarea Brewster a feelor cristalului de Ti:safir.
Alinierea laserului este obinut prin colimarea i direcionarea
fluorescenei din cele dou capete ale cristalului, ctre cele dou oglinzi ale
cavitii laser, OC1 i OC2 (Fig. 13. 7), urmat de suprapunerea fasciculelor
reflectate. Cu o putere optic de pompaj de 5 W, i o transmitan de 3% a oglinzii
OC2 de cuplaj exterior, se poate obine o putere de 750 mW n und continu

Tipuri de lasere

323

pentru laserul cu Ti:safir. Eficiena de conversie a laserului cu Ti:safir prezentat

mai sus la emisia n und continu este de ~19%, iar puterea de pompaj la pragul
de oscilaie este de 1,2 W.

Fig. 13. 7. Cavitatea laser pentru laserul cu Ti:safir cu emisie continu. Este prezentat
intersectarea fasciculelor de fluorescen a Ti:safir, pentru compensarea astigmatismului,
FP este fasciculul de pompaj, OP este oglinda de dircionare a FP, O1 i O2 sunt
oglinzile de colectare a semnalului de fluorescen de la cristalul de Ti:safir,
AFP este absorbant pentru fascicululde pompaj, FB este filtrul birefringent
pentru acordul spectral al laserului, OC1, OC2 sunt oglinzile cavitii laser.

Mediul activ are o curb larg de distribuie spectral a amplificrii i

cteva moduri longitudinale ale cavitii, avnd cea mai mare amplificare net, vor
oscila simultan. Pentru a selecta modul de oscilaie, se utilizeaz un filtru
birefringent construit dintr-o succesiune de plci de cuar cu suprafee optic plane.
Acset aranjament utilizeaz pierderile difereniale ntre componentele sagital i
tangenial ale polarizrii cmpului electric astfel nct, dac birefringena
introduce o rotaie a polarizrii, pierderile optice produse pentru anumite lungimi
de und, la diferitele suprafee nclinate la unghi Brewster, sunt accentuate.
Rotaiile sunt diferite pentru diferite lungimi de und, ntr-o grosime fixat a plcii
de cuar i este selectat pentru transmisie o singur lungime de und, prin rotirea
axei optice a plcilor, n jurul direciei fasciculului.
Numrul lungimilor de und pentru care polarizarea cmpului rmne
neschimbat dup transmisia printr-o plac de cuar birefringent este invers
proporional cu grosimea plcii. Spre deosebire de intervalul spectral restrns al
acordabilitii laserelor cu colorani, laserul cu Ti:safir are un domeniu de
acordabilitate mai vast. Pentru a se mbunti acordabilitatea fin, se mai adaug
dou plci birefringente ale cror grosimi sunt multipli ntregi ai grosimii primeia.

13.1.4. Lasere cu semiconductori

Dioda laser homojonciune. Radiaia laser poate fi produs i n urma
recombinrii electronilor i golurilor ntr-o jonciune semiconductoare p-n (diod
laser) dac ctigul depete pierderile [13.5]. Diodele laser constituie unicul
sistem laser n care emisia stimulat a radiaiei electromagnetice poate fi modulat

OPTIC. LASERE

324

n amplitudine direct, prin modularea energiei de pompaj. Astfel, prin modularea

temporal a densitii de curent electric de injecie, se realizeaz modularea
temporal simultan a intensitii radiante a undei laser, ceea ce permite
transmiterea informaiei pe cale optic, cu ajutorul unui fascicul laser modulat pe
baza unui procedeu care nu este foarte complicat.
ntr-un cristal semiconductor, nivelele energetice posibile ale electronilor
n cristal sunt distribuite n banda de valen i n banda de conducie, benzi
energetice separate printr-o band interzis de pn la 3 eV. Pentru creterea
artficial a conductivitii electrice la temperatura camerei, semiconductorul poate
fi dopat cu impuriti donoare de electroni, iar cristalul semiconductor are
electronii ca purttori de sarcin majoritari, sau cu impuriti acceptoare de
electroni, iar semiconductorul are golurile (absenele electronilor) ca purttori
majoritari. Considerm cazul unui dopaj peste o anumit limit a concentraiei de
impuriti, att donoare ct i acceptoare, astfel nct, att n banda de valen ct i
n banda de conducie, electronii nu pot avea energii dect pn la anumite valori,
denumite cvasinivele Fermi: WFC n banda de conducie i respectiv, WFV n
banda de valen. Acesta este cazul unui aa-numit semiconductor extrinsec
degenerat.
Cele mai importante caracteristici ale diodelor laser sunt determinate de
dimensiunile foarte mici (civa m ) ale acestor dispozitive precum i de
posibilitatea modulrii radiaiei prin varierea curentului. Pentru a descrie
funciuonarea unei diode laser homojonciune se consider jonciunea p-n avnd
grosimea zonei active d prezentat n fig. 13. 13.
n zona activ de lime d , numit i distana de confinare (de
aproximativ 1 m) se produce un numr suficient de mare de electroni i respectiv
goluri pentru ca dispozitivul s aib un ctig pozitiv. Dimensiunea zonei active
este mai mic dect cea corespunztoare modului cmpului D d .
n cazul unei diode laser ctigul la prag se poate exprima funcie de
curentul prin diod. Valoarea de prag a curentului electric pentru inversia de
populaie ntr-o diod laser rezult dintr-un sistem de dou ecuaii asociate,
respectiv, aspectelor fizice: condiia de prag la un parcurs complet al radiaiei n
cavitate i, respectiv, relaia dintre amplificarea optic i densitatea curentului
electric de pompaj.
Conform condiiei de prag, intensitatea I 0 a radiaiei electromagnetice
rezultate prin emisia stimulat trebuie s rmn neschimbat dup un parcurs
complet al cavitii laser:
I 0 R1 R2 exp 2g p L exp 2 L a 1 r I 0
(13.5)

unde R1 i R2 sunt reflectanele feelor polizate ale celor dou capete ale ghidului
de und semiconductor, este factorul de restrngere spaial a undei
electromagnetice n zona activ, g p reprezint amplificarea optic n unitatea de
volum a zonei active (ctigul), la pragul de oscilatie laser, L este lungimea
cavitii rezonante laser, a este coeficientul intern de pierderi optice n zona

Tipuri de lasere

325

activ, iar r este coeficientul de pierderi optice n zonele de restrngere spaial

a radiaiei.

Fig. 13. 13. Dioda laser homojonciune.

Ecuaia (13.5) poate fi rescris sub forma:

g p a 1 r

1
1
.
ln
2 L R1R2

(13.6)

Factorul de restrngere spaial optic are un rol determinant n

proiectarea structurii oricrui laser cu mediu activ semiconductor. Acest parametru
caracterizeaz suprapunerea spatial dintre unda de emisie stimulat ghidat optic
i regiunea cu inversie de populaie, conform formulei:
d / 2

E( z )
d / 2

E( z )

dz
(13.7)

dz

unde d este lrgimea gropii cuantice (dimensiunea gropii pe direcia z de cretere

a straturilor semiconductoare), iar E z este modulul intensitii cmpului electric
al undei.
Considernd c densitatea de goluri n regiunea activ este mare, deci
densitatea de electroni pe nivelul fundamental este suficient de mic pentru ca
absorbia unui foton s poat fi neglijat, ctigul poate fi scris sub forma:

2 A
8n 2

N 2 S

(13.8)

unde N 2 reprezint densitatea de electroni injectai in regiunea activ din banda

de conducie a semiconductorului de tip n , iar A este rata emisiei spontane

OPTIC. LASERE

326

corespunztoare recombinrii radiative. n centrul liniei laser, ctigul se poate

exprima sub forma:

g 0

2 AN 2
8 2 n 2 0

(13.9)

n scrierea relaiei (13.8) s-a presupus c tranziia laser are un profil de tip
Lorentz i are largimea 0 .
Ctigul la prag este dat de relaia:

gt

1
ln R1 R2
2l

(13.10)

unde l este lungimea mediului activ, R1 , R2 sunt reflectivitile oglinzilor, iar

reprezint pierderile pe unitatea de lungime datorit altor efecte dect reflexiile pe
oglinzile cavitii. Din condiia la prag g 0 g t se obine valoarea la prag
pentru densitatea de populaie de pe nivelul excitat sub forma:

N 2 t

8 2 n 2 0
1

ln R1R2 .

2
2l

(13.11)

n general la construcia diodelor laser nu se folosesc oglinzi pentru a

obine efectul de feedback ntruct indicele de refracie al materialului n este
suficient de mare pentru a determina fenomenul de reflexie total la interfaa
semiconductor-aer. innd seama de formulele lui Fresnel n cazul incidenei
normale, se poate calcula coeficientul de reflexie sub forma:

n 12
R
.
n 12

(13.12)

Aproximnd indicele de refracie al aerului cu unitatea i innd seama c

n cazul GaAs n 3,6 din relaia (13.12) se obine pentru coeficientul de reflexie al
2

oglinzilor valoarea R 2,6 / 4,6 0,32 .

Poliznd dou fee opuse ale diodei i lsndu-le pe celelalt dou rugoase
(astfel nct reflectivitile acestora s fie mici) oscilaia laser este favorizat de-a
lungul axei care unete feele polizate (fig. 13. 9).
Densitatea de populaie a nivelului excitat se poate exprima cu ajutorul
densitii de curent prin diod J . innd seama c pe unitatea de volum rata cu
care electronii sunt injectai n regiune activ este J / ed ;i c acetia sunt
absorbii datorit proceselor radiative i neradiative cu rata total Re, n stare
staionar se poate scrie J / ed Re / N 2 sau J edRe / N 2
Condiia de prag (13.10) poate fi scris cu ajutorul densitii de curent la
prag sub forma:

Jt

8 2 n 2 0
2

ed Re
A

ln R1 R2 .
2l

(13.13)

Tipuri de lasere

327

Relaia (13.13) nu ine seama de faptul c volumul modului este mai mare
dect volumul regiunii active de lime d . Cu ct densitatea purttorilor de sarcin
n regiunea activ este mai mare cu att indicele de refracie este mai mare
obinndu-se o mai bun confinare a radiaiei n regiunea activ. Acest efect de
ghidare a radiaiei este destul de slab i deci radiaia are un volum corespunztor
unui mod a crui lime este D d . Astfel, coeficientul de ctig efectiv este mai
mic dect cel dat de relaia (13.10) cu un factor d / D , iar densitatea de curent
corespunztoare pragului este mai mare dect cea dat de relaia (13.13), devenind:

Jt

8 2 n 2 0
2

eD Re
A

ln R1R2 .
2l

(13.14)
o

n cazul diodei laser cu GaAs pentru radiaia avnd 8400 A indicele de

13

refracie este n 3.6, iar 0 10 Hz. Raportul A / Re , se mai numete i

eficien cuantic i reprezint fraciunea din numrul de electroni injectai cere
sufer fenomenul de recombinare radiativ i este apropiat de unitate.
Considernd c n cazul diodei laser cu GaAs D =2 m, l =500 mi =10

cm -1 , se obine:
J t 500 A/cm 2 .

(13.15)
2

n cazul unei jonciuni avnd aria lw 500 250 m curentul de prag

este J t lw 1 A .
Considernd eficiena cuantic intern i a diodei laser ca fiind
probabilitatea ca un purttor de sarcin electric injectat n zona activ s se
recombine radiativ, puterea radiant Pe a undei electromagnetice rezultate din
emisia stimulat se exprim prin:

Pe i

I Ip
e

(13.16)

unde I este intensitatea curentului de injecie, I p este intensitatea curentului de

prag pentru oscilaia laser, e este sarcina electric elementar, iar este frecvena
unghiular a radiaiei emise.
O parte din Pe se disip n cristalul semiconductor, iar restul constituie
puterea radiant laser, P efectiv emis de dioda laser n exterior, prin feele
cristaline de reflectane R1 i, respectiv, R2 , ce constituie rezonatorul laser.
Dac se noteaz cu coeficientul de absorbie total n cristalul
semiconductor al diodei laser (ce include a i r ), puterea radiant a
fasciculului laser se scrie sub forma:

P i

I Ip
e

1/L ln1/R
1/L ln 1/R

(13.17)

328

OPTIC. LASERE

unde s-a considerat R1 R2 R .

Dioda laser cu dubl heterostructur. O mbuntire a performanelor
diodelor laser s-a realizat prin fabricarea de medii active din material
semiconductor cu dubl heterostructur. Heterostructura reprezint o jonciune
ntre dou cristale semiconductoare cu compoziie chimic diferit i cu dopaje de
tip diferit. Dubla heterostructur este o structur format din trei straturi de
material semiconductor, cele de la extremiti avnd formul chimic i
conductivitate electric (dopaj) diferite fa de cel din mijloc, care conine regiunea
cu jonciunea activ, de exemplu GaAlInP/GaInP/ GaAlInP (fig. 13. 9).

Fig. 13. 9. Reprezentare schematic a structurii mediului activ al diodei laser cu dubl
heterostructur de tip GaAlInP/GaInP/GaAlInP; cavitatea rezonant laser este
format din feele cristalului semiconductor perpendiculare pe planul jonciunii.

De asemenea, indicele de refracie al materialului central este mai mare

dect al straturilor laterale, ceea ce mijlocete ghidarea radiaiei rezultate din
emisia stimulat, prin zona activ a diodei.
Cele dou caracteristici eseniale ale unei duble heterostructuri
semiconductoare, ca mediu activ laser, sunt:
- a) posibilitatea ghidrii undelor electromagnetice prin zona activ cu
indice de refracie mai mare,
- b) posibilitatea realizrii inversiei de populaie cu un curent electric de
pompaj cu intensitate redus. Aceste proprieti fac ca o configuraie cu dubl
heterostructur (fig. 13. 10) s prezinte o mai mare eficien a generrii emisiei
stimulate, fa de dioda laser cu material omogen n zona activ. Materialele
semiconductoare cel mai des utilizate pentru fabricarea dioselor laser cu dubl
heterostructur sunt combinaii de tipurile A III B V sau A IV B VI .
O configuraie practic pentru obinerea inversiei de populaie ntr-un
mediu activ semiconductor este aceea a unei diode cu jonciune p-n n care
regiunile p i n sunt obinute prin doparea pn la degenerare a aceluiai cristal
semiconductor. Cvasinivelul Fermi al materialului de tip p se afl n banda de

Tipuri de lasere

329

valen, iar acela al materialului de tip n n banda de conducie. n absena unei

diferene de potenial electric la bornele diodei, cele dou cvasinivele Fermi
coincid (condiia de echilibru termodinamic).

Fig. 13. 10. Structura de benzi a unei duble heterostructuri; a) la echilibru, b) la prag.

La aplicarea unei diferene de potenial V , acestea se separ printr-un

interval energetic eV (unde e este sarcina electric elementar). n zona de sarcin
spaial a jonciunii se produce o inversie de populaie ntre electroni i goluri.
Acest fenomen face posibil amplificarea radiaiei prin emisie stimulat, la
recobinarea radiativ dintre un electron i un gol.
Indicele de refracie al majoritii materialelor semiconductoare, pentru
lungimile de und ale emisiei acestora, este suficient de mare astfel nct, la
interfaa semiconductor/aer, coeficientul de reflexie pentru radiaia emis s aib
valori ridicate pentru a determina formarea unei caviti Fabry-Prot pe feele
cristalului perpendiculare pe direcia emisiei. n multe tipuri de diode laser de mic
putere, nu este necesar nici lefuirea sau depunerea de straturi reflectoare pe
capetele mediului activ, ntruct clivajul cristalului dup planuri atomice determin
fee cu suprafee foarte netede. Acestui tip de configuraie de cavitate rezonant
laser i se aplic teoria general a rezonatorilor.
Diode laser cu gropi cuantice. n fig. 13. 9 regiunea activ de GaInP
mrginit de fiecare parte de GaAlInP n cazul unei duble heterojonciuni
acioneaz ca o capcan de electroni i goluri. Dac grosimea regiunii active este
o

micorat pn la o valoare d 200 A , electronii i golurile confinate manifest

efecte cuantice, energiile cuantificate i funciile de und ale acestora fiind
determinate n mod special de distana de confinare, d , laserele astfel obinute
numindu-se lasere cu gropi cuantice (Quantum Well-QW lasers). Aceleai efecte
se manifest i n cazul structurii de tip Al x Ga 1 x As/GaAs/ Al x Ga 1 x As cu

x ~ 0,3 (fig. 13. 11).

OPTIC. LASERE

330

Groapa cuantic ntr-o astfel de structur corespunde unui strat foarte

subire de semiconductor ~ 100 A cu o band interzis W g1 situat ntre dou

regiuni semiconductoare avnd banda interzis W g 2 W g1 . Regiunea cu band

interzis W g1 se comport ca o groap cuantic de potenial att pentru electroni
ct i pentru goluri, dac diferena ntre benzile de conducie i de valen este
convenabil mprit ntre cele dou materiale, iar densitatea de stri permise
devine o funcie treapt n locul celei de tip parabolic ca n cazul materialului
masiv, acesta fiind un efect cuantic de dimensiune.

Fig. 13. 11. Reprezentarea schematic a laserului de tip

Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As.

Dependena de distan a indicelui de refracie i a cmpului optic pentru

structura amintit mai sus este prezentat n fig. 13. 12.

Fig. 13. 12. Profilul indicelui de refracie i al cmpului optic n cazul structurii
de tip Al x Ga 1 x As/GaAs/Al x Ga 1 x As.

Tipuri de lasere

331
*

Micarea electronilor cu masa m me n banda de conducie, BC (fig.

13. 11) caracterizat de funcia de energie potenial V r poate fi descris cu

ajutorul unei funcii de tip anvelop r , (normat pe volumul cristalului) care

verific ecuaia Schrdinger [13.2]:

2 2

r V r r Wr .
2me

(13.18)

Considernd c electronii se mic dup axa z , (dup axele x i y

acetia rmnnd liberi) i c V r V z soluia ecuaiei (13.18) este de forma:

nk r exp i k x x k y y Z n z ,

(13.19)

unde n reprezint numrul cuantic, iar k k x , k y . Pentru a calcula funcia

Z n z se nlocuiete soluia (13.19) n ecuaia (13.18)

2 d 2 Z n z
2 k 2

V z Z n z W
Z n z

2me dz 2
2me

(13.20)

k x2 k y2 . Funcia Z n z este normat pe lungimea cristalului, L z n

unde k

direcia z . Considernd un potenial de forma:

z 0, L
0, pentru
V z
, pentru z 0, z L,

(13.21)

(dei n cazurile reale lrgimea benzii interzise este de ordinul eV, aceast
aproximaie fiind grosolan) din ecuaia (13.20) se obine funciile proprii

2Lz
nz
sin
L
L

Z n z

(13.22)

i valorile proprii
2

Wne

Wne

2k 2
2 n
2k 2

2me
2me L
2me

(13.23)

unde n este un nummr ntreg pozitiv. Confinarea n interiorul gropii cuantice

determin apariia unei benzi energetice cu structura dat de relaia (13.23), unde

Wne ia valori discrete, acestea fiind determinate de V z . Pentru fiecare valoare a

e

numrului n exist o dependen parabolic a valorii proprii Wn k de k ,

e

(curbele de dispersie), cu un minim n Wn (fig. 13. 13). Valoarea proprie a

e

energiei Wn k i funcia proprie asociat determin o sub-band energetic

e

electronic n . n fig. 13. 11 sunt prezentate i Z1 z i W1 .

OPTIC. LASERE

332

Densitatea de stri permise n cazul unui semiconductor cu gropi cuantice

devine o funcie de tip treapt n loc s fie de tip parabolic ca n materialul masiv
(fig. 13. 14).

Fig. 13. 13. Curbele de dispersie corespunztoare primelor trei sub-benzi electronice
n cazul gropii cuantice din fig. 13. 11.

Modelul teoretic prezentat mai sus n cazul electronilor poate fi aplicat i

golurilor din banda de valen, BV (fig. 13. 11) cu masa m g , energia golurilor

Wng k (msurat de la marginea benzii de conducie n jos) fiind de forma

e

(13.23), unde Wn se nlocuiete cu

2

Wng

2 n
Wg
,
2m g L

(13.24)

W g reprezentnd energia interzis a gropii cuantice. n fig. 13. 11 W g

corespunde valorii W g1 . Funciile de tip anvelop pentru goluri sunt identice cu
cele corespunztoare electronilor i determin mpreun cu valorile proprii ele
energiei o sub-band energetic a golurilor n .
n cazul cnd limea gropii cuantice, L este foarte mare valorile

n
L

formeaz un spectru cvasicontinuu, iar relaiile (13.22) i (13.23) corespund

micrii unor electroni liberi.
n cazul unui laser cu gropi cuantice condiia de prag pentru emisia laser
este dat de relaia:

g
unde

1
ln R1 R2 ,
2l

(13.25)

Tipuri de lasere

333

4 2 L2 nr nr

(13.26)

este factorul de restrngere spaial optic, ( nr fiind indicele mediu de refracie

nr fiind diferena indicilor de refracie

corespunztori regiunilor ghidului), l este lungimea mediului activ, R1 , R2 sunt
corespunztor zonei active,

-1

-1

reflectivitile oglinzilor cavitii, iar 10 cm 100 cm

reprezint
pierderile pe unitatea de lungime datorit altor efecte dect reflexiile pe oglinzile
cavitii.

Fig. 13. 14. Reprezentarea schematic a densitii de stri a sub-benzii electronice funcie
de energie n cazul gropii cuantice din fig. 13. 11, curba a) i n cazul
aterialului masiv, curba b).

n fig. 13. 15 este prezentat structura unei diode laser cu gropi cuantice de
tip InGaAs/GaAs/AlGaAs, (regiunea activ fiind In 0, 2 Ga 0,8 As), care emite
radiaia fundamental cu lungimea de und 0,96 m i armonica a doua cu
0,48 m [13.6].
n general lungimile de und de emisie sunt: 1, 2 m 1,6 m
pentru structura de tip InGaAsP i 0,65 m 0,9 m pentru cea de tip
AlGaAs.
Pe baza efectului cuantic de dimensiune n cazul heterostructurilor cu
confinare separat (Separate Confinement Heterostructure (SCH)) este posibil
selectarea lungimii de und de emisie prin ajustarea grosimii zonei active.
n ultimii ani au fost fabricate structuri de tip pictur cuantic (Quantum
Dot) n materiale dielectrice izolatoare care conin materiale semiconductoare sau
metalice cu dimensiunile 2,5 25 nm (picturile cuantice). n cazul acestor
structuri (de exemplu CdS, CdSe etc.) structura benzii energetice a materialului din
pictur este relevant n structura sa electronic, iar electronii sunt confinai dup
toate cele trei direcii. Spectrul de absorbie este format dintr-o serie de linii largi.

OPTIC. LASERE

334

Considernd o pictur de forma unui cub cu latura L mrginit de bariere

de potenial de nlime infinit, iar pictura i materialul izolator care o nconjoar
au volumul V p , strile unui electron pot fi descrise cu ajutorul unei funcii de tip
anvelop monoelectronice de forma:
3

nx
ly
mz
2
nlm r V p sin
sin
sin
L
L
L
L

(13.27)

crora le corespund valorile proprii ale energie

2

2
2
2
n l m

,
2me
L
unde n, l , m sunt ntregi pozitivi.
e
Wnlm

(13.28)

Fig. 13. 15. Reprezentarea schematic a laserului cu gropi cuantice de tip

InGaAs/GaAs/AlGaAs.

n cazul golurilor funciile de tip anvelop sunt cele date n relaia (13.27),
iar energiile corespunztoare sunt
2

2
2
2
n l m
g
Wnlm
Wg
.
2m g
L

n picturile cuantice metalice exist numai stri electronice.

(13.29)

Tipuri de lasere

335

Diode laser cu gropi cuantice multiple. n cazul unei structuri cu un

numr mare de gropi cuantice (Multiple Quantum Well (MQW)) fiecare groap
contribuie la creterea ctigului obinndu-se astfel unul maxim dorit.
o

Dimensiunile gropilor cuantice sunt de civa zeci de A (fig. 13. 16).

Fig. 13. 16. Reprezentarea schematic a laserului cu gropi cuantice multiple

de tip (Al x Ga 1 x ) 0,5 In 0,5 P avnd 0,626 m .

Raportul dintre ctigurile unui laser cu N gropi cuantice, g N i

respectiv unul cu o singur groap cuantic, g estre dat de relaia:

n
n
N f c , f v ,
gN
N
N

(13.30)
g
f c , n f v , n
I
unde n
reprezint densitatea purttorilor n laserul cu o singur groap
eL
cuantic, I este inyensitatea curentului, e este sarcina electronului, L limea
gropii i este timpul de via al electronilor.
Puterea la ieire a diodelor laser cu gropi cuantice multiple este limitat de
degradarea catastrofic a oglinzilor ca urmare a absorbiei luminii pe feele
structurii.
Un interes deosebit l prezint structurile care emit n domeniul lungimilor
de und 0,9 m 1,6 m ntruct acestea sunt utilizate n comunicaiile prin
fibr optic, fibrele avnd pierderi mici i dispersii bune n domeniul amintit mai
sus.
Laser cu semiconductori cu emisie vertical. Performanele
heterostructurilor pompate electric sunt limitate de pierderile optice i de nclzirea
dispozitivului, aceasta rezultnd n urma trecerii curentului prin dispozitiv. O
alternativ la obinerea efectului laser prin injecia de curent l reprezint pompajul

OPTIC. LASERE

336

optic. Prin utilizarea pompajului optic al purttorilor direct n regiunea activ se

reduce nclzirea dispozitivului i crete temperatura de operare.
Pe baza celor prezentate mai sus s-au fabricat lasere cu semiconductori cu
emisie vertical (Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL)). Pompajul
optic al unui laser cu semiconductori cu emisie vertical poate fi realizat i cu
ajutorul unei diode cu arie de emisie mare care opereaz la lungimea de und 980
nm, lungimea de und a emisiei laser fiind de 1,55 m (fig. 13. 17).
Regiunea activ a laserului cu semiconductori cu emisie vertical este
format din 6 diode laser cu gropi cuantice multiple de tip InGaAsP/InGaAsP.
Radiaia de pompaj provenit de la dioda laser este focalizat pe regiunea activ cu
ajutorul unei lentile. ntre lentil i zona activ exist un substrat de GaAs i 31 de
substraturi GaAs cu reflectori Bragg distribuii. La ieirea din zona activ sunt
dispuse 22 de substraturi GaAs cu reflectori Bragg distribuii. Zona activ i zonele
adiacente sunt fuzionate.
Laserul cu semiconductori cu emisie vertical prezentat mai sus poate fi
cuplat direct cu o fibr optic. n cazul regimului de lucru monomodal la
temperatura camerei puterea maxim a laserului la ieire este de 195 mW, la ieirea
o

din fibra optic de 1,95 mW, iar la temperatura de 125 C puterea maxim a
laserului la ieire este de 75 mW, aceste valori fiind de patru ori mai mari dect n
cazul cnd laserul este pompat electric.
Cavitatea semiconductoare cu emisie vertical poate funciona i ca
amplificator. Utiliznd o cavitate format din doi reflectori Bragg distribuii
nedopai de tip GaAs/Al 0,99 Ga 0, 01 As fuzionai cu o zon activ format din trei
seturi de cte apte gropi cuantice de tipul InAs 0,5 P 0,5 n cazul unei radiaii de
pompaj cu 0,98 m i o putere de 200 mW s-a obinut un ctig de 9 dB
pentru un semnal cu 1,3 m [13.8].

Fig. 13. 17. Srtructura unui laser cu semiconductori cu emisie vertical.

Tipuri de lasere

337

Diode emitoare de lumin. n telecomunicaiile optice ca surse mai sunt

folosite i diodele emitoare de lumin (Light Emitting Diodes-LED).
Radiaia provenit de la o astfel de diod este incoerent i este emis ntrun domeniu larg att al lungimilor de und (800 nm 1550 nm) ct i al
unghiurilor.
n cazul unei diode p-n homojonciune cea mai mare parte a radiaiei
rezultat n urma procesului de recombinare este generat n interiorul unui volum
din semiconductor avnd dimensiunea liniar proporional cu lungimea de difuzie
n timp ce n cazul unei heterostructuri duble radiaia este generat n interiorul
stratului activ. Radiaia este emis n ambele cazuri n toate direciile. Eficiena
cuantic este determinat de raportul dintre numrul de fotoni emii de materialul
semiconductor i numrul de purttori care trec prin jonciune.
Cu aproximaie destul de bun se poate considera c puterea emis de LED
este proporional cu curentul prin diod dei exist o tendin de saturaie la puteri
mari odat cu creterea temperaturii. Rata de modulaie este limitat la aproximativ
100 MHz.
O diod emitoare de lumin este astfel fabricat nct la o anumit
valoare de prag a curentului mecanismul de generare a luminii se modific. La
valori mici ale curenilor radiaia luminoas este produs n urma emisiilor
spontane. n apropierea pragului radiaia luminoas emis este dominat de emisia
stimulat. Ca urmare a acestui fapt radiaia emis devine mai direcional, mai
coerent i spectrul su se prezint sub forma unei sau unor linii foarte nguste.
Att valoarea de prag a curentului ct i spectrul sunt foarte sensibile la
variaiile de temperatur i se pot modifica funcie de condiiile mediului
nconjurtor sau n timpul operrii n impulsuri sau la valori mari ale puterii emise.
Printre avantajele pe care le prezint aceste dispozitive se numr aria emisiv mai
mic dect a diodelor laser precum i o frecven de modulaie utilizabil mai
mare.
Pentru fabricarea diodelor LED se utilizeaz semiconductori de tip GaAsP
sau GaP dopai cu N sau ZnO (fig. 13. 18).

Fig. 13. 18. Schema unei diode LED.

OPTIC. LASERE

338

Dei puterea unei diode LED de tipul celor trezentate mai sus crete cu
50% cu creterea temperaturii de la 90 o C la 100 o C temperatura jonciunii se
menine la 60 o C 70 o C. Cu ajutorul diodelor LED prezentate mai sus se poate
cupla o radiaie luminoas cu puterea de civa W ntr-o fibr optic avnd
diametrul de 50 m i o apertur numeric de 0,17.
Pentru a transforma diodele emitoare de lumin n lasere trebuie ca
inversia de populaie s ating valoarea de prag, iar pe fee s fie adugate oglinzi.
Fabricarea dispozitivelor cu heterojonciuni. Exist mai multe tehnici
de fabricare a dispozitivelor cu heterojonciuni: epitaxia n faz lichid, epitaxia n
faz gazoas, epitaxia prin jet molecular, depunerea chimic a vaporilor organometalici etc.
Epitaxia n faz lichid (Liquid Phase Epitaxy-LPE)) este tehnica cea mai
de utilizat i pe baza acesteia au fost realizate primii lasere cu dubl
heterostructur. n cazul acestei metode materialul care urmeaz a fi depus este
introdus ntr-o cuv (de grafit) cu solvent (de exemplu Ga pentru GaAs/GaAlAs) i
apoi ntr-un cuptor la o temperatur corespunztoare echilibrului lichid-solid al

soluiei ~ 850 C .

Scznd lent i controlat temperatura ~ 0,2 C / min prin deplasarea

cuvei pe substrat se depune (cristalizeaz) un strat din materialul solventului a crei
grosime variaz ntre civa m i civa zeci de m , aceasta fiind funcie de
variaia temperaturii i timpul n care se desfoar operaia. Introducnd succesiv
substratul n mai multe soluii se poate realiza o structur de tip sandwich a
pturilor corespunztoare heterojonciunii (fig. 13. 19). Dei aceast metod este
relativ simpl este destul de dificil controlul asupra reproductibilitii n cazul cnd
se depun mai multe straturi pe plci epitaxiale cu dimensiuni mai mari de civa

cm 2 . De asemenea, automatizarea acestor procese este destul de greu de realizat.

Fig. 13. 19. Reprezentarea schematic a epitaxiei n faz lichid.

Tipuri de lasere

339

n cazul epitaxiei n faz gazoas (Vapor Phase Epitaxy-VPE) straturile

epitaxiale sunt depuse pe substrat n urma reaciei cu vapori de halogenuri sau
hidruri. Aceast metod este utilizat n cazul unor structuri avnd suprafeele de
2

civa zeci de cm . Dei este des utilizat pentru producerea structuriilor de tip
GaAsP, GaAs, a tranzistorilor cu efect de cmp, aceast metod nu poate fi extin
la fabricarea GaAlAs, a heterostructurilor de tip GaAlAs/GaAs i a celor abrupte
pentru c n regiunea activ compoziia gazelor nu poate fi schimbat brusc.
Epitaxia prin jet molecular (Molecular Beam Epitaxy-MBE) se aplic mai
ales compuilor de tipul A III B V (de exemplu n cazul fabricrii laserului cu
GaAl/As/GaAs) i const n evaporarea separat a elementelor n ultravid n
vederea obinerii compoziiei cerute pentru strat. Prin utilizarea aceastei metode se
o

pot obine straturi foarte subiri avnd grosimi pn la civa zeci de A .

n cazul depunerii chimice a vaporilor organo-metalici (Metal-Organic
Chemical Vapor Deposition-MOCVD) se utilizeaz vapori organometalici de tipul:
trietil de galiu, Ga C 2 H 5 3 , dietil de zinc ZnC 2 H 5 2 pentru depunerea
elementelor din grupa III i a dopanilor acestora precum i vapori organometalici
de tipul hidrurilor, AsH 3 , PH 3 , H 2S pentru depunerea elementelor din grupa V
i a dopanilor acestora. Cu ajutorul acestei metode pot fi obinute straturi subiri
pentru majoritatea compuilor de tipul A III B V . n camera de reacie la presiunea
atmosferic sau mai mic cu 10 % substratul plasat pe un suport de grafit acoperit
o

cu carbur de calciu este meninut la temperatura de 500 C prin nclzire cu

ajutorul unei bobine de inducie de radiofrecven (fig. 13. 20).

Fig. 13. 20. Reprezentarea schematic a metodei de depunere chimic a

vaporilor organo-metalici.

Pentru depunerea compuilor amintii mai sus se utilizeaz un curent de

hidrogen, rata de depunere fiind de 2 m/h 5 m/h . Cu ajutorul acestei metode

OPTIC. LASERE

340

se pot depune straturi de material foarte pur avnd grosimea de 20 nm sau mai
mic.
Modularea direct prin curent a laserelor cu semiconductori. Una dintre
cele mai importante aplicaii ale laserelor cu semiconductori este ca surs optic n
telecomunicaiile optice. Modularea semnalului laser cu vitez mare n vederea
obinerii unor rate de informaii ridicate este de mare importan tehnologic i se
poate realiza prin variaia curentului de alimentare care produce variaia puterii
emise aproape instantaneu. Astfel, fasciculul de ieire poate fi modulat n
amplitudine pn la frecvene de ordinul sutelor de MHz.
Lasere cu semiconductori multimodali i monomodali. Laserele cu
semicondictori oscileaz n cele mai multe cazuri multimodal (fig. 13. 21 a) pentru
c odat cu creterea curentului de injecie (pompajului) electronii, (care n mod
natural fiind descrii de statistica Fermi-Dirac nu pot ocupa mai mult dect o stare
proprie) ncep s ocupe i strile adiionale determinnd lrgirea spectrului radiaiei
de recombinare (fig. 13. 21 b)i posibilitatea oscilaiei multimodale.
Mecanismele care determin variaia ctigului unui mod n prezena altor
moduri sunt depopularea selectiv a nivelelor energetice i oscilaia populaiilor
[13.2], [13.4]. Un cmp electric multimodal poate fi scris sub forma [13.9]:

1
E r , t E r , t e it c.c.
(13.31)
2
unde este frecvena purttoarei centrale, c.c. este complex canjugata, iar

E r , t reprezint amplitudinea complex care este funcie de vectorul de poziie

r i variaz foarte puin n timp (aproximaia anvelopei lent variabile).

a)

b)

Fig. 13. 21 a), b). Reprezentarea oscilaiei multimodale (a)) i a spectrului radiaiei de
recombinare pentru diferite valori ale curentului de injecie, I (b)).

Pentru a descrie operarea multimodal se consider la nceput mixarea

nesaturat ntr-un mediu semiconductor neliniar a trei moduri: unul central,

(pompaj) cu intensitate arbitrar, E 2 r i dou adiacente de mic intensitate,

Tipuri de lasere

341

unda semnal E1 r i unda conjugat E 3 r , a cror frecvene sunt de-o parte i

de alta a modului principal (fig. 13. 22).

Fig. 8 22. Reprezentarea interaciei nesaturate ntr-un mediu neliniar dintre o und
intens cu dou unde de mic intensitate.

De asemenea, se consider c aceste frecvene sunt suficient de mici astfel

nct n urma mprtierii purttorilor pe fononii reelei se menine distribuia de
temperatur la valoarea temperaturii purttorilor de sarcin.
n condiiile amintite mai sus anvelopa cmpului rezultat n urma mixrii
celor trei unde este de forma:

i K r t

E r , t E1 r e 1
E 2 r U 2 r E 3 r e i K 3 r t
(13.32)

unde K , U 2 r sin K 2 r n cazul mixrii a patru unde, sau

c

i K 2 r
U 2 r e
, n cazul mixrii a trei unde; iar este frecvena procesului de

bti dintre undele de pompaj i de semnal.

Sub aciunea cmpului dat de relaia (13.31) n mediul neliniar se induce
polarizaia

1
P r , t P r , t e it c.c.
2

(13.33)

Anvelopa complex a polarizaiei poate fi scris sub forma:

iK r t

P r , t P1 r e 1
P 2 r U 2 r P3 r e i K 3 r t .
(13.34)
Componentele polarizaiei P m acioneaz ca nite surse n ecuaiile

Maxwell, iar n cazul cnd amplitudinile cmpului variaz lent, rezult:

dE m iK
Pm
(13.35)
dz
2
unde este permitivitatea mediului, iar z este direcia de propagare a undei
semnal.
Este convenabil s se scrie variaia lent a anvelopei polarizaiei mediului

P r , t funcie de susceptibilitatea mediului sub forma:

P r , t N r , t E r , t .

Oscilaia populaiei n cazul undei semnal se poate scrie sub forma:

(13.36)

OPTIC. LASERE

342

N r , t N 0 n e it n e it
(13.37)
unde N 0 este diferena de populaie corespunztoare unei anvelope a cmpului
constant E1 E 3 0 , n este contribuia la oscilaia populaiei cu frecvena
*

btilor 2 1 , iar n n . Oscilaiile populaiei se datoresc densitii

neliniare de purttori care este funcie de modul rezultat din superpoziia
modurilor, care oscileaz cu frecvena corespunztoare btilor.
ntruct amplitudinile undei semnal E1 i undei conjugat E 3 sunt mici i
oscilaiile populaiilor n care sunt direct proporionale cu aceste amplitudinii
sunt de asemenea mici se poate dezvolta susceptibilitatea N n serie Taylor
lund numai termenul de ordinul nti:

N
N r , t N 0
n e it n e it .
N N 0

(13.38)

Considernd c susceptibilitatea modului, N 0 este cunoscut analitic

sau numeric, se poate calcula N r , t incluznd componentele undei semnal i

undei conjugate prin simpla calculare a componentelor oscilaiei populaiei.
nlocuind expresia pentru cmp (13.31) n ecuaia pentru populaii (1.47) i
pentru polarizaie (13.33), rezult succesiv:

2
E r , t
N N
Im d k* k .
(13.39)

2V k
unde reprezint pompajul optic, N corespunde proceselor de relaxare n
.

care sunt incluse att cele radiative ct i cele neradiative i

1
P r , t E r , t d k* k t
V k
unde d k este componenta k a momentului de dipol.

(13.40)

innd seama de relaiile (13.36) i (13.40) se obine expresia

susceptibilitii

1
V

d k* k t .

(13.41)

nlocuind relaiile (13.40) i (13.41) n (13.39), rezult:

.

N N

2
E r , t " .
2

(13.42)

Introducnd ecuaiile (13.32), (13.37) i (13.38) n ecuaia (13.40) i

pstrnd numai termenii proporionali cu e

it

se obine:

Tipuri de lasere

343

'' N 0
''
'
1*2 2 *3
i 1 n
n
N

(13.43)

unde pentru simplificarea scrierii s-au introdus notaiile:

1 E1 exp iK1r , 3 E 2U 2 r , 3 E 3 exp iK 3 r .

(13.44)

n urma rezolvrii ecuaiei (13.43) se obine componenta n1 a populaiei

oscilante sub forma:

'' N 0 1*2 2 *3
n

i 1'

(13.45)

'

unde 1 este rata de relaxare a puterii. Pentru diferite scheme de pompaj i

relaxare, aceast constant se modific corespunztor.
innd cont de ecuaiile (13.45), (13.36) i (13.38) se obine n cazul
polarizaiei semnalului expresia:
2

2 * 2iKz
2 '' N 0 N 0 E1 E 2 E 2 E 3 e
P1 z N 0 E1 z
(13.46)

N 0
i 1'

unde 2Kz 2 K 2 K1 K 3 r este dezacordul de faz n cazului mixrii a
trei unde, iar z este direcia de propagare a undei semnal. Introducnd ecuaia

polarizaiei (13.46), n ecuaia Maxwell pentru amplitudini lent variabile (13.35), se

obine ecuaia de propagare a undei semnal sub forma:

dE1
1E1 1E 3*e 2iKz
dz

(13.47)

unde

1
1 iK N 0 1
2

(13.48)

este coeficientul complex al ctigului semnalului, iar

iK" N 0 N 0 E 22
1
2
N 0 i 1'

(13.49)

este coeficientul de cuplaj al undei conjugate. Analog se poate obine ecuaia de

propagare a undei conjugate (nlocuind cu ) sub forma:

dE3*
*3E1 *3E1e 2iKz .
dz

(13.50)

Modul de variaie a prii reale a coeficientului de ctig, dat de formula

(13.48) funcie de dezacordul dintre energia corespunztoare modului de pompaj i
energia benzii interzise pentru diferite valori ale frecvenei Rabi, R

2I
c 0

(frecvena cu care oscileaz momentul de dipol, d ) este prezentat n fig. 13. 23.

OPTIC. LASERE

344

Fig. 13. 23. Variaia prii reale a coeficientului de ctig funcie de dezacord pentru
diferite valori ale frecvenei Rabi: R 0, 2 meV , R 0, 45 meV ,

1
2
R 0,7 meV .
3
n cazul cnd laserul opereaz pe mai multe moduri m relaiile (13.32)(13.34) pot fi generalizate sub forma:

E z, t

1
i K z m t
E m t e m
c.c.

2m

(13.51)

P z, t

1
i K z m t
P m t e m
c.c.

2 m

(13.52)

unde z reprezint direcia de propagare.

Procednd ca mai sus (n cazul mixrii a trei unde) n cazul operrii
laserului pe m moduri, se pot obine ecuaiile de micare pentru amplitudinile
cmpurilor i respectiv frecvenelor sub forma:

dEm
Em
i

Re m e m E

dt
2Qm

(13.53)

i
Im m e m E E E

dm
i
m Im m e m

dt

Re m e

i m

E
Em

E E E
Em

(13.54)

unde

1
m i N 0 S m
2

(13.55)

Tipuri de lasere

345

este coeficientul complex de ctig liniar,

1
m 3 N 0 F S m
2

(13.56)

sunt coeficienii compleci de cuplaj de ordinul trei, termenul

Em
corespunde
2Qm

pierderilor din cavitate, iar m reprezint frecvenele cavitii. n relaiile (13.55)

i (13.56) n cazul unui laser cu cavitate de lungime L format din dou oglinzi

S m

2L
sin K m z sin K zdz ,
L0
L

(13.57)

2
Sm cosKm K z cosKm K cosK K z cosK K dz (13.58)
L0

sunt factorii spaiali ai modurilor,

1
,
1 i

(13.59)

reprezint funcia complex de tip Lorentz,

m m t t m t

(13.60)

m m t t t t m t (13.61)
3
sunt unghiurile relative de faz, iar N reprezint susceptibilitatea neliniar
0

de ordinul trei (cap. 1).

Pentru rezolvarea ecuaiilor (13.53) i (13.54) se folosesc n general
metode numerice pentru fiecare structur n parte. n figura 13. 24 este prezentat
spectrul multimodal al emisiei laser corespunztor heterostructurii cu gropi
cuantice de tip InGaAs/GaAs/AlGaAs pentru opt valori ale curentului de injecie,
cel corespunztor pragului fiind ~16 mA.
n cazul unei caviti de lungime L care conine un mediu activ cu
indicele de refracie n distana dintre dou moduri adiacente, poate fi
calculat difereniind relaia L m

, din care rezult:

2n

dm
2 L 2 L dn
,
2
d
d

astfel c n cazul cnd m este foarte mare

2

.
dn
2nL 1
n d
n cazul operrii monomodale ecuaia (13.53) devine

(13.62)

(13.63)

OPTIC. LASERE

346

dEm

g m
m I m Em ,
dt
2Qm

(13.64)

unde

1
g m Re mm " N 0
2
reprezint

coeficientul

m Im mmmm

1
d

(13.65)
de

gm

ctig

" N 0
2
N 0
2d

corespunztor autosaturrii, I m

d k Em

este

modal,
coeficientul

este intensitatea, iar k ia valoarea

2 1

corespunztoare frecvenei la care opereaz laserul.

1. 0

1 4 .3 m A

16 m A

1 4 .6 m A

1 6 .5 m A

1 4 .9 m A

17 m A

1 5 .5 m A

18 m A

0. 8
0. 6
0. 4
0. 2
0. 0
1. 0
0. 8
0. 6
0. 4
0. 2
0. 0
1. 0
0. 8
0. 6
0. 4
0. 2
0. 0
1. 0
0. 8
0. 6
0. 4
0. 2
0. 0

977

978

979

9 80

98 1

98 2

W a ve le n g th (n m )

983 977

978

979

980

9 81

98 2

98 3

W a ve le n g th (n m )

Fig. 13. 24. Spectrul de emisie al heterostructurii de tip InGaAs/InGaAsP pentru opt valori
ale curentului de injecie, curentul corespunztor pragului ~16 mA.

n stare staionar din ecuaia (13.64) se poate calcula intensitatea modului

sub forma:

Tipuri de lasere

gm
Im

347

2Qm

N m - 1 ,
2Qm m

(13.66)

unde

Nm

2 g m Qm

(13.67)

reprezint excitaia relativ.

n telecomunicaiile optice este necesar ca numrul de moduri s fie
limitat, adesea la un mod. Operarea monomodal stabil se poate face utiliznd:
caviti cuplate, reacia selectiv a frecvenei, injecia blocat i geometria
controlat a cavitii. Cuplajul cavitilor se poate realiza n mai multe feluri:
cavitate cuplat tiat, cavitate cu oglind extern, cavitate cuplat cu an i prin
interferen n etalon integrat. Selecia lungimii de und ntr-un laser cu cavitate
cuplat se poate face pe lng controlul asupra curentului i temperaturii prin: reea
extern, reflector Bragg distribuit reacie distribuit.

13.1.5. Laserul cu He-Ne

Primul laser cu funcionare n regim de und continu, laserul cu He-Ne, a
fost realizat n anul 1961 de ctre A. Javan i colaboratorii, acesta fiind totodat i
primul laser cu gaz din lume. n anul 1962, a fost construit primul laser cu He-Ne i
n ara noastr, Romnia numrndu-se printre primele ri din lume care deineau
astfel de dispozitive.
Cele mai importante linii spectrale pe care funcioneaz laserul cu He-Ne
sunt cele ale neonului avnd =0,6328 m, 1,15 m i 3,39 m, numrul
tranziiilor laser cunoscute ale neonului fiind mult mai mare.
Schema simplificat a nivelelor energetice implicate n aceste tranziii este
prezentat n fig. 13. 25.

Fig. 13. 25. Diagrama nivelelor energetice ale unui laserului cu He-Ne.

OPTIC. LASERE

348
3

ntruct ntre nivelele energetice 2 S1 i 2 S 0 ale heliului i respectiv

nivelele 2 s i 3 s ale neonului exist o bun coinciden este posibil efectuarea
unui transfer rezonant de excitaie (n urma unor ciocniri atom-atom, de spea a
doua) ntre nivelele corespunztoare ale heliului (metastabile), care sunt excitate
direct prin ciocniri electron-atom (de spea nti) din starea fundamental i
nivelele specificate mai sus ale neonului, deterninnd inversii de populaie ntre
strile 2s 2 p , 3s 2 p i 3s 3 p ale neonului i emisii laser prin tranziii
3

stimulate din aceste stri. De exemplu, starea metastabil a heliului 2 S1 , are un

timp de via =100 s 200 s, n timp ce pentru nivelul laser superior 2 s ,
timpul de via este =100 ns, iar pentru nivelul laser inferior, 10 ns 20 ns.
Pe lng transferul rezonant de excitaie care constituie mecanismul
principal n realizarea inversiei de populaie, excitarea nivelelor laser superioare ale
neonului se poate face i direct prin ciocniri electronice.
Linia laser corespunztoare lungimii de und =1,152 m este cea mai
puternic din cele 30 de tranziii 2s 2 p permise n neon in domeniul 0,88
m 1,71 m.
n cazul tranziiilor ntre nivelele 3s 2 p , pot apare 9 linii diferite situate
ntre 0,5433 m i 0,7305 m, n timp ce pentru tranziiile ntre nivelele
3s 3 p sunt cunoscute 12 linii situate ntre 2,78 m i 3,98 m.
Din punct de vedere constructiv, laserul cu He-Ne este realizat sub forma
unui tub din sticl pyrex umplut cu un amestec de heliu i neon aflate in raportul
He:Ne=(710):1, la o presiune total de civa torri.
Tubul laser are ncorporai doi electrozi, un anod din nichel i un catod din
aluminiu, trecerile prin sticl fiind fcute cu ajutorul unor bare de wolfram. Un
astfel de tub de descrcare are lungimea cuprins ntre 0,1 m i 2 m i diametrul
cuprins ntre 0,8 cm 1,4 cm, extremitile fiind prevzute cu ferestre din cuar
optic, lipite la unghi Brewster (fig. 13. 26).

Fig. 13. 26. Laserul cu He-Ne.

Pompajul unui astfel de laser se face cu ajutorul unei descrcri n curent

continuu care produce electroni i ioni liberi n gaz, tensiunea de alimentare fiind
de ordinul a 2 kV3 kV, iar curentul descrcrii fiind de ordinul a 5 mA10 mA.

Tipuri de lasere

349

Electronii liberi ciocnesc atomii de heliu pe care-i excit pe nivelele

3

metastabile, 2 S1 i 2 S0 , popularea nivelelor 3 s i 2 s ale Ne fcndu-se

preponderent dup cum s-a artat mai sus prin transfer rezonant de excitaie. De
asemenea, excitarea laserelor cu He-Ne se poate face i n radiofrecven.
Rezonatorul optic pentru laserul cu He-Ne este realizat cu ajutorul a dou
oglinzi, situate axial la capetele tubului laser, reflectivitatea ridicat a acestor
oglinzi (99 %) asigurnd un ctig ridicat al cavitii optice al crei cuplaj cu
exteriorul se face prin una sau ambele oblinzi sub forma fasciculului transmis.
Pentru ca laserul s oscileze pe una dintre liniile prezentate mai sus, se utilizeaz
caviti rezonante selective pentru diferite domenii spectrale.
Laserele cu He-Ne emit puteri cuprinse ntre 0,5 mW50 mW, limitarea
acestor puteri datorndu-se diferitelor procese care determin saturarea inversiei de
populaie i deci a puterii emise stimulat cu creterea curentului de descrcare. Cele
mai importante procese care determin lrgirea liniei laser sunt: lrgirea natural
(20 Mz), lrgirea Doppler (2 GHz) i lrgirea colizional (0,7 MHz la 0,5 torr).
Parametrii tipici care caracterizeaz laserul cu He-Ne sunt urmtorii:

3 1015 rad/s, c 5 10 9 rad/s, c 10 7 s .

13.1.6. Laserul cu CO 2
Laserul cu CO 2 a fost fabricat pentru prima dat n anul 1964 de ctre C.
N. Patel utiliznd o descrcare n CO 2 pur. Radiaia laser rezult n urma
tranziiilor de vibraie-rotaie suferite de molecula de CO 2

00 o1 10 o 0, 02 o 0 I
9,4 m (fig. 4. 4).

10,6 m

ntre strile

00 o1 10 o 0, 02 o 0 II

O mbunire a funcionrii acestui tip de laser s-a obinut prin

introducerea de gaze aditive: N 2 i He aflate de regul n proporia

CO 2 : N 2 : He 1 : 1 : 6 , presiunea total a amestecului din cavitate fiind de 40

torr. Gazele aditive joac un rol foarte important n procesele de excitaredezexcitare.
o

Excitarea nivelului laser superior din banda 00 1 se poate face att direct
n urma ciocnirilor electronice de tipul:

CO 2 00 o 0 e CO 2 00 o1 e

(13.68)

ct i prin transfer rezonant de excitaie ntre N 2 v 1 i CO 2 00 0 :

CO 2 00 o 0 N 2 v 1 CO 2 00 o1 N 2 v 0 18 cm -1 , (13.69)
care este procesul dominant n laserele cu descrcare n CO 2 . Excitarea
vibraional a moleculelor de N 2 se face toto prin ciocniri electronice. Oxidul de

OPTIC. LASERE

350

carbon rezultat n urma descrcrii electrice joac acelai rol pe care l joac azotul
n excitarea nivelului laser superior.
Un rol important n producerea inversiei de populaie l joac procesele de
relaxare vibraional, pentru funcionarea eficient a laserului trebuind ca timpul de
via al nivelului laser superior s fie mult mai mare dect cel colizional, iar acesta
s fie mult mai mare dect cel corespunztor nivelului laser inferior. He joac un
rol determinant att n mrirea eficienei de conversie a proceselor de relaxare pe
nivelului laser inferior rezultate n urma ciocnirilor de tipul CO 2 - He n
comparaie cu cele de tipul CO 2 - CO 2 sau CO 2 - N 2 , ct i n mrirea ratei de
o

excitare a moleculelor de CO 2 pe nivelul laser superior 00 1 . Att gazele aditive

ct i cele rezultate n urma procesului de descrcare CO, O 2 , H 2 O produc
modificare parametrilor plasmei laser, a compoziiei i temperatura acesteia. Din
punct de vedere constructiv exist mai multe tipuri de lasere cu CO 2 : lasere cu
curgere de gaz longitudinal, lasere cu curgere de gaz transversal, lasere nchii,
lasere cu ghid de und, lasere cu excitare prin procese gaz-dinamice, lasere cu
excitare transversal, lasere pompai optic, lasere pompai prin reacii chimice etc.
n cazul laserului cu curgere de gaz longitudinal (fig. 13. 27) amestecul de
CO 2 , N 2 , He circul cu vitez redus printr-un tub de sticl (pyrex) cu
diametrul de civa cm, rcit cu ap care curge printr-un alt tub de sticl dispus
coaxial cu cel de descrcare.

Fig. 13. 27. Reprezentarea schematic a laserului cu

longitudinal.

CO 2

cu curgere de gaz

Amestecul de gaze din tubul de descrcare este excitat n curent continuu

sau alternativ, 25 mA 150 mA , prin intermediul a doi electrozi, tensiunea
fiind de 10 kV 15 kV , iar puterea radiaiei laser la ieire de ~ 150 W .

13.1.7. Alte tipuri de lasere cu electroni legai

Lasere ionice. n anul 1964 a fost fabricat primul laser ionic cu Hg II, la
realizarea inversiei de populaie participnd atomi simplu sau multiplu ionizai.

Tipuri de lasere

351

Apoi, efectul laser n medii active formate din ioni a mai fost obinut i pentru alte
elemente (32) care emit peste 400 linii spectrale, cele mai dezvoltate fiind laserele
cu gaze nobile, dintre care reprezentativ este laserul cu argon ionizat (Ar II).
Primul laser cu Ar II a fost fabricat n anul 1965. Pompajul pe nivelele
excitate se face prin ciocniri electronice n care sunt favorizate tranziiile p p
fa de cele p s , iar radiaia laser rezult n urma tranziiilor p s , care sunt
favorizate de regulile de selecie din mecanica cuantic fa de cele p p (fig.
13. 28). Astfel, n regimul de funcionare n und continu se obine efect laser
simultan pentru 11 linii spectrale cu lungimea de und cuprins ntre
o

4545 A 10923 A , cele mai intense avnd 4880 A i 5145 A .

Fig. 13. 213. Diagrama nivelelor energetice n cazul laserului cu Ar II.

Puterile emise de laserele cu Ar II sunt de 300 W n vizibil i 30 W n U V

pentru puteri ale surselor electrice de excitare de ordinul sutelor de kW. Din punct
de vedere constructiv un laser cu Ar II este format dintr-un tub de descrcare
(sticl, cuar, ceramic) rcit cu ap, cu diametrul cuprins ntre 5 12 mm, care
trebuie s reziste la cureni de excitare mari (25 A 400 A), presiunea gazului fiind
de cteva sute de torr.
Alte lasere ionice mai importante sunt cele cu: Kr II care emite 15 linii
o

spectrale n vizibil i I R (cea mai intens avnd 4696 A ), Xe II care emite 5

o

linii spectrale n vizibil (cea mai intens avnd 5315 A ), cu Ne II, Ar III, Ar
IV etc.
Lasere cu vapori metalici. Primul laser cu vapori metalici (cesiu) a fost
fabricat n anul 1962. Aceast realizare a fost urmat de obinerea efectului laser i
in medii active care conin vapori de Cu, Cd, Se, Zn, Tl, Sn, Pb pe un domeniu
spectral larg din Uv pn n IR.
Cel mai cunoscut laser cu vapori metalici este cel cu He-Cd care poate
funciona n regim continuu pe lungimile de und =441,6 nm, =448,2 nm,

OPTIC. LASERE

352

=502,6 nm sau n impulsuri n care pe lng liniile de mai sus s-a mai obinut
efectul laser i pentru =533,7 nm, =533,8 nm i =839 nm.
Rolul atolilor de He n tubul de descrcare este de a stabiliza descrcarea i
de a contribui la excitarea ionilor de Cd II pentru crearea inversiei de populaie prin
procese nerezonante de tip Penning:

He * Cd He Cd * e

(13.70)

sau prin ciocniri cu transfer de sarcin.

Acelai rol pe care l joac atomii de He mai poate fi jucat i de atomii de
Ne, Ag, Xe. Oscilaiile laserului cu He-Cd pe diferite linii se realizeaz n coloana
pozitiv n cazul laserului cu cataforez sau n regiunea luminii negative n cazul
laserelor cu catod cavitar, mecanismele de excitare fiind n esen de acelai tip.
o

Vaporii metalici se pot obine fie prin nclzirea Cd (la peste 250 C ,
presiunea fiind de civa torr), fie prin disocierea diferiilor compui chimici (de
exemplu CdI 2 ), fie prin pulverizarea catodului metalic. Puterea acestui tip de
laser este de cteva sute de mW pentru un curent de descrcare de ~100 mA.
Lasere chimice. n cazul laserelor chimice inversia de populaie se
produce n urma unei reacii chimice elementare. Liniile emise de laserele chimice
rezult n urma unei tranziii vibraional-rotaional ntr-o molecul (fig. 13. 29),
rezultnd o gam larg de lungimi de und cuprins ntre 2 m 126,5 m .
Printre laserele chimice cele mai utilizate se numr cel cu H 2 F2 ,
molecula activ fiind HF . Reaciile chimice care au loc sunt de tipul:
F H 2 HF * H ,

H F2 HF * F .

(13.71)
(13.72)

Fig. 13. 29. Reprezentarea schematic a nivelelor de vibraie-rotaie a unui laser chimic.

Un laser chimic trebuie s conin un sistem pentru amestecarea gazelor

care reacioneaz, o tehnic de iniiere a reaciei fie nainte fie dup amestecare, o

Tipuri de lasere

353

cavitate laser n care moleculele excitate sufer emisia stimulat i un sistem de

evacuare a gazelor expandate n cavitatea laser.
Iniierea reaciei se poate face prin urmtoarele metode:
- fotoliz UV h F2 2F ,
- electric e F2 e 2F ,

- termic ca ldura F2 2F i
- chimic NO F2 NOF F .
Printre alte lasere chimice fabricate pn n prezent care au o eficien de
conversie bun se numr: laserul cu HF DF (rotaional pur), laserul cu
HN 3 O 2 , laserul cu OH etc. Laserele chimice pot s funcioneze att n regim
continuu (de exemplu laserul cu H 2 SF6 cu puterea de ieire 4.500 W) ct i
pulsatoriu (de exemplu laserul cu XeF4 cu energia la ieire 10 J/puls).
Lasere vibronice. Laserele vibronice sunt lasere moleculare n care pentru
obinerea radiaiei laser se utilizeaz tranziiile dintre strile vibronice. Laserul cu
N 2 oscileaz la lungimea de und 337 nm (UV), cea mai intens, care
corespunde tranziiei ntre nivelele vibraionale cele mai joase ale strii excitate

C 3 u (starea C), pentru care timpul de via (radiativ) este 40 ns i B3 g

(starea B) al crui timp de via este de 0,01 ms, schema nivelelor energetice fiind
prezentat n fig. 13. 30.

Fig. 13. 30. Schema nivelelor energetcie a laserului cu

1

N2 .

Excitarea moleculelor de N 2 din starea X pe starea C se realizeaz cu o

probabilitate mai mare dect pe starea B i rezult n urma ciocnirii acestora cu

354

OPTIC. LASERE

electronii liberi. n cazul laserului cu N 2 s-au obinut puteri de vrf de ~1 MW

avnd durata de 10 ns, iar rata de repetiie de 100 Hz.
Laserele cu excimeri fac parte tot din categoria laserelor moleculare n care
sunt utilizate tranziiile vibronice pentru obinerea efectului laser. Pentru a explica
funcionarea unui laser cu excimeri se consider cazul unei molecule diatomice de
tip M 2 pentru care curbele de energie potenial n starea fundamental, (de
respingere) i respectiv excitat, (care prezint un minim), sunt prezentate n figura
13. 31. n stare fundamental molecula nu poate exista, fiind stabile numai speciile
M * n forma de monomer i M n stare fundamental. ntruct n stare excitat
curba de energie potenial prezint un minim, molecula M 2 poate exista, speciile

M existnd sub forma de dimer M 2 n stare excitat, M *2 , care se numete

excimer (denumirea rezultnd n urma contraciei cuvintelor excited dimer).

Fig. 13. 31. Curbele de energie potenial corespunztoare laserului cu excimeri.

*

Printre laserele cu excimeri cele mai utilizate se numr cele cu: Xe 2 care
emite pe lungimea de und =173 nm care este i acordabil ntr-o band de 5 nm,
ArF care emite pe lungimea de und =193 nm, KrF care emite pe lungimea
de und =248 nm etc. Puterea medie laserelor cu excimeri este de 1 W 2 W In
UV, rata de repetiie de 10 Hz, iar puterea de vrf de 10 MW 15 MW.
Comportament analog excimerilor se ntlnet i la unii compleci
moleculari, molecula numindu-se exciplex, denumire provenit de la contracia
cuvintelor excited complex.
Lasere n domeniul radiaiilor X. n cazul laserelor cu electroni legai
care emit n domeniul radiaiilor X, care ar trebui s se numeasc xaseri (X
Amplification by Stimulated Emission of Radiation) se utilizeaz pentru obinerea
efectului laser tranziiile electronilor de pe nivelele interioare atomice.
Pentru funcionarea xaserului trebuie ndeplinite cteva condiii care sunt
dificil de obinut, cum ar fi de exemplu: realizarea condiiei de prag pentru
amplificarea emisiei spontane, (unei densiti de inversie corespunzndu-i o
anumit lungime critic), fabricarea mediilor active cu anumite caracteristici

Tipuri de lasere

355

optice, dependena ctigului de lungimea de und, realizarea condiiilor pentru

operarea n regim continuu care depinde de timpul de via foarte scurt a nivelului
15

laser superior, acesta fiind de ~ 10

s pentru energii de 1 keV etc.
Pentru realizarea pompajului au fost propuse mai multe metode printre care
i cea prin ciocniri electroni-ioni neonoizi n urma crora se populeaz nivelul

excitat 3 p , radiaia xaser 200 A rezultnd n urma tranziiei pe nivelul

excitat 3 s , nivelul 2 p fiind cel fundamental (fig. 13. 32).

Fig. 13. 32. Diagrama nivelelor energetice n cazul xaserului cu ioni neonoizi.

ntruct pe baza modelelor teoretice elaborate probabilitile de tranziie,

P respect condiiile P1 P2 i P1 P3 este posibil realizarea inversiei de

populaie sub form continu.
Dac intensitatea radiaiei crete exponenial ( I I 0 exp x cu
0 ) n mediul activ predomin emisia stimulat, iar n caz contrar
predomin cea spontan. Pentru a se trece efectiv de la amplificare la emisie laser
n domeniul radiaiilor X este necesar un ctig de aproximativ 10 15.
Realizarea acestei condiii s-ar putea face fie prin mrirea lungimii coloanei de
plasm pn la 10 cm (puterea xaserului crescnd n aceleai proporii) fie prin
fabricarea unor caviti cu oglinzi interfereniale care s aib factorul de reflexie de
10% 20% .
12

Utiliznd un laser cu puterea de vrf de 10

W s-a obinut o amplificare

2 cm-1 a radiaiei X emise de ionii litiuminoizi la lungimea de und

o

105 A .
Pentru obinerea puterii de pompaj foarte mare necesar obinerii inversiei
de populaie n cazul emisiei n domeniul radiaiilor X i au fost propus

OPTIC. LASERE

356

utilizarea energiei exploziilor nucleare rezultate fie n urma reaciilor de fisiune fie
n urma celor de fuziune.

13.2. Lasere cu electroni liberi

13.2.1. Principiul de funcionare
n cazul laserelor cu electroni liberi (Free Electron Laser (FEL)) este
transformat energia cinetic a electronilor liberi n radiaie electromagnetic.
Primul laser cu electroni liberi a fost fabricat n anul 1976 de ctre J. M. J. Madey.
Principiul de funcionare a laserelor cu electroni liberi se bazeaz pe confinarea
ntr-o cavitate optic a radiaiei emis de ctre un fascicul de electroni relativiti
cnd acetia sunt frnai ntr-un cmp magnetic transversal i periodic spaial
(fig. 13. 33).

Fig. 13. 33. Reprezentarea schematic a laserului cu electroni liberi.

Lumina rezult n urma interaciei dintre: fasciculul de electroni, unda

electromagnetic progresiv prin cavitatea laser care se propag n aceeai direcie
cu fasciculul de electroni i cmpul magnetic periodic spaial produs de un
ansamblu de magnei (wiggler). ntr-un astfel de laser electronii relativiti emit
radiaie coerent ca i cum s-ar afla ntr-unul convenional, ns n cazul de fa
acetia cltoresc ntr-un fascicul prin vid n loc s rmn legai de atom. Cmpul
magnetic periodic spaial acioneaz asupra electronilor care dobndesc o energie
superioar undelor electromagnetice.
Asupra unui electron care traverseaz cmpul magnetic transversal,
constant i periodic spaial acioneaz o for transversal care i imprim o vitez
transversal. Interacia dintre electroni care au dobndit o vitez transversal i
cmpul magnetic al undei electromagnetice induce o for perpendicular pe
ambele, n direcia axial, fora ponderomotoare. Electronul care se mic mai
repede dect unda ponderomotoare se propag n sens contrar direciei forei
ponderomotoare i este ncetinit cednd energia undei. Mrimea amplificrii
depinde de viteza electronului, viteza undei ponderomotoare i de intensitatea
interaciei dintre electron i und. n anumite condiii energia electronilor produce
o amplificare mare a undelor care sunt emise de laser.
ntr-un astfel de amplificator de lumin fasciculul luminos (provenit de
exemplu de la un laser cu CO 2 , oscilatorul pilot) este injectat la intrarea n

Tipuri de lasere

357

dispozitiv. Alimentarea amplificatorului se face cu un tun de electroni avnd

energia de ~1 MeV. Interacia dintre fasciculul laser incident i radiaia creat de
electronii accelerai sau decelerai produce un transfer de energie de la fasciculul de
lelctroni la fasciculul de fotoni care conduce la amplificarea luminii.
n cazul cnd regiunea de interacie face parte dintr-o cavitate optic
rezonant dispozitivul funcioneaz ca oscilator (fig. 13. 34).

Fig. 13. 34. Reprezentarea schematic a oscilatorului laser cu electroni liberi.

Toate laserele cu electroni liberi pot emite radiaii electromagnetice cu

lungimile de und din UV pn n domeniul microundelor.

13.2.3. Ctigul optic n laserele cu electroni liberi

Pentru a analiza ctigul n laserele cu electroni liberi se consider c
micarea electronului cu masa de repaus m0 are loc cu viteza

v
v c c
c

(13.73)

ntr-un cmp magnetic transversal alternativ spaial cu perioada 0 (fig. 13. 33) de
forma:
B y B0 sin k 0 z , B x B z 0 .
(13.74)
Electronul relativist avnd energia

Ee m02 c 4 p 2 c 2 m0 c 2

(13.75)

interacioneaz cu o und electromagnetic progresiv cu lungimea de und ale

crei cmpuri sunt E z , t i B z, t , micarea acestuia fiind descris de ecuaiile

Lorentz:

OPTIC. LASERE

358

d
e

E c B ,
dt
m0 c
d
e

E .
dt
m0 c

(13.76)
(13.77)

Un electron avnd energia dat de relaia (13.75) poate schimba energie cu

un cmp electromagnetic descris de vectorul E z , t dac viteza v a electronului

are o component nenul, v z de-a lungul lui E z , t , z fiind direcia de

propagare. ntruct v z c electronul alunec n urma undei i semnul produsului

E se schimb. Acest fapt se produce ntmpltor la fiecare

secunde,
c vz

iar schimbul net de energie dintre electron i und este aproximativ zero. Se poate
evita acest fapt fornd electronul s-i schimbe viteza transversal la fiecare

v z
secunde, adic la fiecare distan
s aib o micare n acelai sens
c vz
c vz
la traversarea cmpului, pentru aceasta utilizndu-se un cmp magnetic transversal
alternativ spaial cu o perioad:

vz

z .
c vz
c z

(13.78)

Relaia (13.78) reprezint condiia de rezonan. Considernd un cmp

electric din domeniul optic de forma

E x z , t u x E coskz t ,

(13.79)
i innd seama de relaia (13.77) pe baza modelelor electrodinamice elaborate
[13.1], [13.10] se poate calcula variaia puterii electromagnetice n timpul un
tranzit prin cmpul magnetic, L / v0 , L fiind lungimea de interacie, sub
forma:

I
P 4 0 m0 c 2
e
unde I este media curentului fasciculului, iar
2

d
e2 EB0 0 eB0 0

dt 2
1

4m2c 2 2 2m c 2 .
d
t

c
0
0
0

21 cos sin

(13.80)

(13.81)

n relaia (13.81) mrimea

0 1 z

(13.82)

Tipuri de lasere

unde 0

359

2
v0 k 0 v0 , iar v0 z c , reprezint frecvena cu care produsul
0

E corespunztor electronului n micare i schimb semnul.

innd seama de formula puterii electromagnetice P 0 cE A , unde

A este aria suprafeei se poate calcula raportul

21 cos sin
e3 B 2
P
4 0 I 3 30 40 2
.
P
m0 c A
3

(13.83)

n relaia (13.83) funcia

21 cos sin

(13.84)

descrie dependena de frecven a ctigului. Funcia g este asimetric i are

un maxim g max 0,135 pentru 2,6 . Din analiza relaiei (13.84)
result c regiunea de ctig important implic condiia 0 . De asemenea, se
observ dependena ctigului de puterea a treia a lungimii de interacie, L dar i
faptul c mrirea lungimii de interacie nu conduce neaprat la creterea ctigului,
iar puterea poate disprea complet sau poate deveni chiar negativ. Acest fapt
reliefeaz natura interferenial a interaciei. Cu creterea lungimii de interacie, L
frecvena corespunztoare ctigului maxim se apropie de valoarea la rezonan

0
, adic 0 , iar lrgimea n frecven a curbei ctigului scade.
1 z

Ctigul de energie de la electroni pentru unda electromagnetic (fasciculul

laser) este maxim dac energia acestora depete valoarea de prag i este situat
ntr-un anumit domeniu, n caz contrar unda pierde energie. Energia electronului
rezonant poate fi variat acionnd asupra parametrilor care caracterizeaz cmpul
magnetic transversal periodic spaial: B0 i 0 . n cazul unei configuraii tipice
pentru laserele cu electroni liberi inducia cmpului magnetic are valoarea
B0 3 kG , perioada spaial este 0 5 cm , iar energia electronilor i
respectiv lungimea de und a cmpului optic, au urmtoarele valori: 10 MeV
pentru =129,9 m , 100 MeV pentru =1,299 m , 1000 MeV pentru
=0,01299 m .