Sunteți pe pagina 1din 45

Prelucrari prin metoda laser - ablatia laser

Cuprins

1. Introducere …………………………………………………………………….….1

1.1 Procese elementare de absorbtie ………………………………………………….….4

1.2 Expulzarea de substanta sub actiunea radiatiei laser (Ablatia Laser) ………….….7

2. Analiza laserului folosit in experimentul de ablatie laser …………………….17

2.1 Generalitati …………………………………………………………………………

17

2.2 Laserele comutate in modul Q ……………………………………………………

21

2.3 Setarile de baza ale experimentului ………………………………………………

28

3. Partea experimentala …………………………………………………………

34

3.1 Introducere ……………………………………………………………………….…

34

3.2 Experiment …………………………………………………………………………

35

3.3 Rezultate si discutii …………………………………………………………………

36

3.4 Concluzii (experimentale) …………………………………………………………

40

4. Concluzii …………………………………………………………………………42

1.

INTRODUCERE

In ultimele decenii, necesitatea realizarii unor dispozitive electronice si opto-electronice performante care sa ne usureze viata de zi cu zi, a impus un ritm alert de dezvoltare a noi materiale simple sau complexe cu proprietati multifunctionale. Aceasta dezvoltare tehnologica a dus la o crestere continua a performantelor, ajungand ca ultima limitare sa fie data de frontiera fizica a unui material Intr-o anumita clasa de proprietati. Acesta este motivul pentru care industria semiconductorilor si comunitatea cercetatorilor si-au unit eforturile pentru gasirea de solutii alternative, cum ar fi descresterea lungimii de unda folosita in procesele de litografiere, inlocuirea Al cu Cu in rezistoare, identificarea unor materiale cu constanta dielectrica mica pentru izolatori si respectiv a materialelor cu constanta dielectrica mare pentru portile tranzistoarelor. Tranzistoarele cu efect de camp, pentru care poarta dielectrica este de obicei SiO 2 , raman elementele cheie ale dispozitivelor logice si memoriilor, intr-o arie larga de aplicatii comerciale si de securitate. Aceste aplicatii reprezinta miezul tehnic al societatii moderne si joaca un rol fundamental (desi de multe ori invizibil) in rutina zilnica, cum ar fi calculul asistat de computer, retele, senzori, telecomunicatii, stocare si procesare de date si alte sisteme variate. Una dintre cele mai dificile provocari cu care se confrunta tarile industrializate in acest secol o constituie gestionarea deseurilor nucleare. O posibila optiune pentru eliminarea excesului de plutoniu care provine din centralele nucleare este incinerarea intr-un reactor cu apa usoara. In acest scop a fost avansat conceptul de matrice de combustibil inert. Astfel, ceramicile cristaline au fost identificate ca potentiali candidati pentru imobilizarea si/sau transmutatia deseurilor nucleare din reactoarele nucleare existente sau nou construite. Compusii binari sau ternari ca ZnO, ZrO 2 , ZrSi x O y , HfO 2 , HfSi x O y , Ta 2 O 5 , TaSi x O y ,

Nb 2 O 5 , NbSi x O y , WO 3 , SiC prezinta un mare interes pentru aplicatiile enumerate anterior.

In industria electronica este necesara obtinerea compusilor sub forma de film subtire cu

grosimi de ordinul nanometrilor. Aceasta poate fi efectuata prin numeroase tehnici de depunere:

depunerea fizica din faza de vapori, depunerea chimica din faza de vapori, depunere in straturi atomice, imprastiere cu radio-frecventa, etc. Dezavantajele majore ale acestor tehnici sunt fie temperaturile mari de lucru, fie utilizarea de precursori scumpi si foarte corozivi, fie tratamentele ulterioare termice si electrice de cristalizare si polarizare.

O metoda fiabila si ieftina de obtinere de compusi simpli sau complecsi, care are la baza

laseri in pulsuri, este depunerea laser pulsata (Pulsed Laser Deposition – PLD) numita si ablatie laser.

Pagina 1 din 44

Metoda de depunere cu laseri pulsati implica interactia fascicolului provenit de la o sursa laser cu materialul unei tinte (solide sau lichide), producandu-se o plasma prin care acesta este transportat pe un substrat, sub forma unui film subtire. Aceasta metoda prezinta numeroase avantaje: a) camera de depunere este un reactor “curat” deoarece sursa de energie (laserul) este exterioara camerei de reactie; b) procesul de depunere poate fi usor controlat datorita faptului ca procesele implicate sunt puternic influentate de parametrii laserului (lungime de unda, fluenta laser, aria spotului laser, durata pulsului laser, rata de repetitie etc.), iar acestia pot fi controlati din exteriorul camerei de reactie; c) grosimea filmelor produse poate fi usor controlata prin numarul de pulsuri cu care este iradiat materialul; d) radiatia laser poate fi focalizata in spoturi cu dimensiuni foarte mici ceea ce permite procesarea selectiva a regiunilor de interes; e) transferul de la tinta la substrat este stoechiometric; f) se pot produce materiale noi sau in stari metastabile, imposibil de realizat prin alte tehnici. Ablatia laser poate fi clasica, prin iradierea unei tinte (material) metalice sau ceramice in vid sau in atmosfera gazoasa sau ablatie alternativa pin iradierea a doua sau mai multe tinte, obtinandu-se fie materiale complexe sub forma de filme subtiri, fie heterostructuri, in functie de numarul de pulsuri cu care este iradiata fiecare tinta. Procesul de depunere laser pulsata poate avea loc in vid sau in atmosfera gazoasa inerta sau reactiva. In scopul cresterii reactivitatii speciilor care promoveaza depunerea filmelor subtiri se poate implementa la sistemul simplu de depunere, un sistem de descarcare In plasma de radio- frecventa In atmosfera gazoasa, avand astfel loc ablatia asistata de descarcare in radio-frecventa (Radio Frequency Assisted Pulsed Laser Deposition – RF-PLD).

DETALIERE ABLATIA LASER SI OBTINEREA DE STRATURI SUBTIRI

1.1 Procese elementare de absorbtie

In teoria electrodinamica, campul electric al unei unde plane ce se propaga intr-un mediu omogen si neabsorbant este descris de ecuatia:

intr-un mediu omogen si neabsorbant este descris de ecuatia: (1.1) unde k este vectorul de unda,

(1.1)

unde k

este vectorul de unda, ω pulsatia si r vectorul de pozitie pe directia de propagare a

undei.

Corespunzator, forta exercitata de campul electromagnetic asupra unei sarcini incarcate

Pagina 2 din 44

electric este:

electric este: unde: (1.2) q este sarcina electrica, B este inductia magnetica iar ν este viteza

unde:

(1.2)

q este sarcina electrica, B este inductia magnetica iar ν este viteza particulei. Contributia componentei magnetice a fortei asupra sarcinii electrice este mult mai mica decat cea a campului electric si de aceea termenul doi se neglijeaza. Legatura intre amplitudinile campului electric si magnetic este descrisa prin relatia:

campului electric si magnetic este descrisa prin relatia: (1.3) aici n este indicele de refractie, c

(1.3)

aici n este indicele de refractie, c este viteza luminii iar ε este permitivitatea absoluta a vidului. In cazul unei unde electromagnetice, fluxul de energie (puterea) pe unitatea de arie este data de relatia:

0

(puterea) pe unitatea de arie este data de relatia: 0 (1.4) In cazul mediilor absorbante indicele

(1.4)

In cazul mediilor absorbante indicele de refractie se defineste ca fiind un numar complex:

de refractie se defineste ca fiind un numar complex: n(λ), k(λ) sunt partea reala si respectiv

n(λ), k(λ) sunt partea reala si respectiv imaginara a indicelui de refractie. Pe de alta parte:

imaginara a indicelui de refractie. Pe de alta parte: cu si (1.5) (1.6) (1.7) (1.8) Absortia

cu

imaginara a indicelui de refractie. Pe de alta parte: cu si (1.5) (1.6) (1.7) (1.8) Absortia

si

imaginara a indicelui de refractie. Pe de alta parte: cu si (1.5) (1.6) (1.7) (1.8) Absortia

(1.5)

(1.6)

(1.7)

(1.8)

Absortia luminii ce se propaga in medii omogene este descrisa de legea lui Lambert-Beer:

(1.9)

I ( z) = I 0 exp(α z)

unde α este coeficientul optic de absorbtie intr-un material omogen si pur iar z grosimea

de absorbtie intr-un material omogen si pur iar z grosimea iar k(λ) este coeficientul de extinctie.

iar k(λ) este coeficientul de extinctie.

(1.10)

Reflectivitatea si transmitivitatea la incidenta normala sunt date de relatiile:

Pagina 3 din 44

(1.11) (1.12) Atunci cand grosimea materialului z este semnificativ mai mare in raport cu adancimea

(1.11)

(1.12)

Atunci cand grosimea materialului z este semnificativ mai mare in raport cu adancimea de penetrare optica avem:

L =1/α

0

(1.13)

unde L o este adancimea de penetrare optica.

Absorbtia A se determinata din relatia:

A=1-R

(1.14)

Daca absorbtia este proportionala cu densitatea centrilor de absorbtie si sectiunea lor tranversala de imprastiere, atunci ea variaza liniar cu adancimea. Pe de alta parte cand I 0 are valori mari absorbtia poate fi neliniara. Pentru radiatia UV

valoarea de prag corespunzatoare este I 0 ≥10 4 W/cm 2 . Un exemplu concret este cel al absorbtiei de 2 fotoni.

Pentru excitarea electronilor de valenta trimisi in banda de conductie prin absorbtie de 2

fotoni conservarea energiei necesita conditia:

de 2 fotoni conservarea energiei necesita conditia: (1.15) In cazul radiatiei laser ν 1 = ν

(1.15)

In cazul radiatiei laser ν 1 = ν 2 , iar Eg este largimea benzii interzise.

Probabilitatea de a gasi doi fotoni simultan in aceeasi locatie este proportionala cu patratul intensitatii. In cazul in care se ia in considerare numai absorbtia liniara de 2 fotoni atunci:

in considerare numai absorbtia liniara de 2 fotoni atunci: unde β este coeficientul de absorbtie de

unde β este coeficientul de absorbtie de 2 fotoni.

Daca termenul βI2 se inlocuieste cu βI·I0 avem:

coeficientul de absorbtie de 2 fotoni. Daca termenul βI2 se inlocuieste cu βI·I0 avem: Pagina 4

Pagina 4 din 44

(1.16)

(1.17)

I ( z) = I 0 exp[−(α + β I 0 ) z] In cazul generalizat absorbtia neliniara este data de relatia:

I ( z) = I

0

exp{[ α

+ β j

i

i

j

I + γ k I 2

k z}

]

unde α i , β j , γ k

sunt coeficientii de absorbtie de 1, 2, 3 fotoni pentru speciile i,j,k.

(1.18)

(1.19)

Coeficientii de absorbtie sunt determinati de numarul de particule din fiecare specie

absorbanta pe unitatea de volum si sectiunea transversala corespunzatoare.

1.2 Expulzarea de substanta sub actiunea radiatiei laser (Ablatia laser)

Un termen frecvent folosit pentru expulzarea substantei sub actiunea radiatiei laser intense este “ablatia laser”. Aceasta isi are originea in cuvantul latin “ablatum” - a aduce cu sine, a transporta. Termenul de ablatie laser este folosit intr-un sens larg pentru descrierea evacuarii de material indusa laser. Ea poate include si inlaturarea de material a unui produs volatil in cazul corodarii chimice. Ablatia laser poate fi definita ca un proces de imprastiere ce conduce la ejectia de ioni, atomi, molecule si chiar clusteri de pe o suprafata. Ea are ca efect conversia energiei laser absorbite in energie cinetica a particulelor prin fotoexcitari electronice sau vibrationale.

Acest proces este caracterizat de obicei de un prag de fluenta (densitate de energie) sau prag

de ablatie F th (J/cm 2 ), la depasirea caruia in material se produc modificari macroscopic. Acest prag de fluenta precum si timpul de termalizare depind de caracteristicile de material si parametrii de procesare (durata pulsului, lungimea de unda/frecventa radiatiei, etc).

Daca durata pulsului este mai mica decat timpul de termalizare, cuplajul electron-fonon si secventa de relaxare termica pot fi evitate pe durata mai scurta a pulsului laser. In regimuri de inalta intensitate, apar noi canale de excitare cand campul electric al pulsului poate depasi pragul de strapungere (breakdown) optic.Materia ablata este atunci convertita la o scara de timp ultrarapida in plasma (vezi Fig. 1.1).

Pagina 5 din 44

Fig. 1.1 Reprezentarea schematica a interactiei pulsurilor scurte cu materia. Topirea suprafetei si formarea undei

Fig. 1.1 Reprezentarea schematica a interactiei pulsurilor scurte cu materia. Topirea suprafetei si formarea undei de soc.

Initial, interactia laser-materie poate crea in solid electroni excitati de catre campul electric intens al radiatiei incidente. Aceasta conduce la ejectia de electroni prin emisie termoionica sau fotoelectronica si in final la formarea unei plasme deasupra suprafetei la o scara de timp de picosecunde. In solide, electronii excitati sufera relaxari electron-fonon prin care energia este transferata retelei. Prin vibratii ale retelei, energia transferata este disipata in volumul din zona iradiata sub forma de caldura. Conductia termica se produce la o scara de cateva zeci de ps care este cu putin mai mare decat timpul de relaxare electron-fonon. Ca efect al incalzirii, materialul se va topi si evapora (Fig. 2.1). Particulele parasec lichidul in timpul evaporarii si se stabileste un echilibru al distributiei de viteze intr-o mica zona plasata deasupra zonei de iradiere numita strat Knudsen. In continuarea stratului Knudsen, norul de plasma expandeaza rapid comprimand gazul ambiant vecin si generand o unda de soc. Lungimea stratului de plasma este mai mica decat diametrul spotului de iradiere laser. In general, viteza la marginea stratului Knudsen este determinata de starea de curgere spre exterior. Atunci cand vaporizarea indusa laser se produce in vid se presupune ca ablatia este libera si viteza la marginea stratului Knudsen este egala cu viteza locala a sunetului. Norul de plasma poate interactiona cu pulsul laser, ecranand suprafata probei de actiunea ulterioara a acestuia. Plasma de temperatura inalta poate incalzi suprafata probei prin actiune

Pagina 6 din 44

radiativa.

Vaporizarea probei si expansiunea dinamica a plasmei se produc la o scala de timp de

ordinul ns. Alte procese de expulzare a materialului ca exfolierea sau ejectia de picaturi au loc

la o scara de timp substantial mai indelungata.

Ablatia termica sau fototermica descrie situatia in care radiatia laser este convertita in

energie de vibratie a retelei anterior ruperii legaturii materialului ejectat de la suprafata.

Ablatia termica difera de ablatia fotochimica (sau electronica) in cazul careia excitarile

electronice induse laser conduc la ruperea legaturilor, inainte ca transferul de energie

electronic la cel vibrational sa se produca.

Ambele tipuri de ablatie produc expulzarea de material de dimensiune atomica. Celelalte

doua tipuri de ablatie, hidrodinamica si prin exfoliere, pot produce expulzarea de fragmente

mari.

Ablatia laser se obtine intr-un interval de timp esalonat pe durata a mai multor ordine de

marime. Ea incepe cu absortia electronica a radiatiei laser (10

particule (10 -6 s) pana la terminarea pulsului laser. Retinem ca:

-15 s), continua cu ejectia de

Timpul caracteristic de ciocniri electron-electron este cuprins in 10

-14

τ

e-e

≤10

-12

s;

• Timpii de relaxare electron-fonon de 10-12 ≤ τe-ph ≤10-10 s, sunt mai mari datorita

diferentelor de mase dintre ioni si electroni;

Timpii de excitare electronica interbanda in dielectrici sunt mult mai lungi, de

(10 -12 ≤ τ bv-bc ≤ 10 -6 )s;

Excitarile electronice localizate asociate defectelor, impuritatilor sau suprafetei pot

avea timpi de viata mult mai lungi decat 10 -6 s.

Ori de cate ori intensitatea laser incidenta este inferioara pragului de ablatie nu observam

o ejectie semnificativa de particule. Totusi unii atomi sau ioni individuali pot fi inlaturati sau

desorbiti de pe suprafata probei. Atunci cand un puls laser interactioneaza cu suprafata unei

probe, excitatiile electonice induse laser pot fi semnificative, desi topirea si vaporizarea nu se

produc. Initial, electronii energetici indusi sub actiunea radiatiei laser nu se afla in echilibru

cu materialul probei si nici cu gazul electronic insusi. Emisia de elecroni poate avea loc la

suprafata materialului ca rezultat al unei combinatii intre efectele fotoelectric si termoionic. In

acest mod electronii de la suprafata castiga suficienta energie pentru a strapunge bariera de

potential. Pentru electronii care nu parasesc suprafata probei are loc o competitie intre

Pagina 7 din 44

diferitele procese de relaxare (localizate si delocalizate) care in general includ ciocnirile cu fononii si plasmonii, defectele si impuritatile, electronii si golurile.

Desorbtia unor ioni sau atomi izolati poate avea loc daca procesele de relaxare locale domina. De exemplu, energia laser absorbita de catre un sistem electronic poate fi transferata catre un singur tip de atomi, precum absorbanti sau defecte. Daca aceasta energie se redistribuie unui singur tip de absorbant, pentru un timp destul de lung (tipic cateva perioade de vibratie), legaturile chimice se rup si atomul sau ionul paraseste pozitia sa de echilibru. Daca intensitatea laser creste in continuare, o fractiune importanta a regiunii iradiate laser este inlaturata. Cel mai simplu mecanism de ablatie este topirea si vaporizarea indusa laser cu disiparea de energie in volumul probei prin conductie de caldura. Pentru lungimi de unda in domeniu UV – NIR (infrarosu apropiat), stadiul initial al ablatiei este absorbtia energiei fotonului de catre electronii liberi sau legati din interiorul probei. Acesti electroni energetici (respectiv golurile pentru probele nemetalice) se ciocnesc cu reteaua de fononi si cedeaza energie acesteia prin mecanisme de relaxare delocalizate. Cand temperatura retelei depaseste punctul de topire al materialului probei, o distrugere ireversibila a suprafetei se produce in zona de iradiere laser. Daca o energie suplimentara este livrata probei topite se initiaza o vaporizare semnificativa din aceasta zona. Pentru ca presiunea vaporilor este de obicei mult mai mare decat cea a mediului ambiant, se formeaza un nor de material evaporat care se propaga de la suprafata probei. Datorita faptului ca proprietatile termice precum temperaturile de topire si evaporare variaza cu ordine de marime, de la material la material, ablatia laser a aliajelor multielementale se poate produce fractionat. Masa ablata va avea atunci o compozitie diferita fata de cea a probei. Lungimea de unda, durata pulsului si modul de transport al substantei ablate pot determina ablatia laser fractionata. Daca energia laser va mai creste, norul de substanta ablata in expansiune poate fi partial ionizat. Aceasta ionizare contribuie la reducerea eficientei ablatiei si la alte efecte importante pentru intensitatile laser moderate si mari. Un comportament asociat acestui caz este ecranarea sau absorbtia unei parti importante a pulsului laser de catre norul de plasma ionizat. Pentru ca electronii de emisie sunt generati in prima parte a procesului de ablatie, ei castiga energie de la pulsul laser prin ciocniri cu masa de vapori ionizati ce parasesc suprafata probei. Acesta este un exemplu de proces de absortie Bremsstrahlung invers. Ionizarea masei de vapori are loc cand energia cinetica a electronilor energetici depaseste potentialul de ionizare al atomilor evaporati din proba. Forma tipica a norului de vapori este semisferica. El are o expansiune dinamica deasupra

Pagina 8 din 44

probei cu o viteza tipica de ordinul (10 3 - 10 4 ) m/s, perpendicular pe suprafata. Temperaturile speciilor din plasma pot atinge valori de ordinul a 1000 eV in imediata apropiere a suprafetei, dar scad la cativa eV la limita plasmei. Norul de plasma de deasupra suprafetei tintei se extinde si se ionizeaza intr-un interval de timp de ordinul nanosecundelor. In consecinta, absorbtia energiei laser de catre vaporii ionizati din plasma este neglijabila in cazul pulsurilor mai scurte de 1 ns. Efectele de ecranare sunt prezente in cazul ablatiei laser la puteri mari si moderate cu pulsuri laser cu durate intre (1-100) ns. Un nor de plasma slab ionizat absoarbe ~50% din energia unui puls laser cu o intensitate de 1

GW/cm 2 . Daca intensitatea creste, ecranarea va produce diminuarea si mai semnificativa a

eficientei ablatiei laser. Este de asteptat ca atunci cand energia depozitata in proba depaseste cu mult caldura latenta de vaporizare a tuturor constituentilor din proba, proprietatile fiecarei componente individuale sa joace un rol relativ mic in inlaturarea de ansamblu a substantei. Cu alte cuvinte toate componentele pot fi vaporizate si ulterior evacuate. Prin cresterea intensitatii laser, impactul ionizarii si absortia multifotonica se produc anterior formarii norului de vapori, deoarece in imediata apropriere a suprafetei are loc excitarea unui numar mare de electroni ce conduce la formarea unei densitati de electroni localizati deasupra

suprafetei. Pentru intensitati laser foarte mari (> zeci de GW/cm 2 ), suprafata probei poate atinge o stare caracterizata termodinamic ca punct critic. In apropierea punctului critic, proba sufera o tranzitie rapida de la cea de lichid supraincalzit la un amestec de vapori si picaturi de lichid ce sunt ejectati exploziv de la suprafata.

Din punctul de vedere al balantei energetice, tranzitia de faza solid-lichid este esentiala. Ea este urmata de vaporizare pana la atingerea temperaturii critice. Energia necesara transformarii masei de substanta din solid in vapori consuma o mare parte din energia laser absorbita. Ea este folosita in doua scopuri pentru compensarea caldurilor latente de topire si a celor de vaporizare care urmeaza. Atunci cand suprafata probei depaseste temperatura critica, lichidul dens si vaporii se contopesc lin. In acest caz nu exista o delimitare sau contributie neta a caldurilor latente respective la procesul de tranzitie. De aceea, ori de cate ori pe suprafata se atinge temeperatura critica (ce depaseste in general de cateva ori punctul de vaporizare), aceeasi energie laser absorbita in proba converteste in vapori si plasma o cantitate semnificativ mai mare de substanta. Pentru intensitati laser mari, fractiunea de sub spotul laser (amprenta fasciculului) a volumului probei iradiate este incalzita peste temperatura de fierbere si devine metastabila. In apropierea starii critice termodinamice, fluctuatia densitatii masice locale

Pagina 9 din 44

poate genera bule de vapori in interiorul volumului de lichid supraincalzit. Rata nucleatiei omogene de vapori se amplifica foarte rapid in vecinatatea temperaturii critice. Bulele cresc in volum daca raza lor este mai mare decat o anumita valoare critica caracteristica. Deindata ce in stratul de lichid supraincalzit sunt generate bulele mari, proba sufera o tranzitie catre un amestec de vapori si picaturi de lichid. Expansiunea rapida cu mare presiune a bulelor in proba topita conduce la ejectia violenta de picaturi topite. Acest proces este cunoscut ca ablatie exploziva sau explozie de faza. Evaporarea moleculelor, atomilor, ionilor si propagarea undei de soc se produc intr-un interval de ordinul nanosecundelor. Pe de alta parte, evacuarea picaturilor are loc pe o durata de zeci de milisecunde. In acest regim de ablatie, craterele sapate in proba sunt de obicei substantial mai adanci decat cele create de intensitati incidente mai scazute. Cand un puls laser focalizat de mare putere ableaza o proba intr-un gaz ambiant (Fig.

1.2) se poate forma o plasma intr-un interval de ordinul picosecundelor anterior aparitiei norului de vapori din materialul probei. In acest prim stadiu se pot genera densitati de

electroni de ~10 20 cm 3 (la o scara de timp de picosecunde). Aceste mari densitati indica faptul ca electronii din aceasta plasma provin initial de la suparafata probei si nu din ionizarea directa a gazului sub actiunea radiatiei laser. Intr-o prima faza a iradierii laser, electronii generati de la suprafata probei (prin emisie termoionica si fotoelectrica) se ciocnesc cu moleculele de gaz si absorb energia laser in principal prin procese Bremsstrahlung inverse.

laser in principal prin procese Bremsstrahlung inverse. Fig. 1.2 Evolutia plasmei conform modelului de exfoliere

Fig. 1.2 Evolutia plasmei conform modelului de exfoliere

Acesti electroni energetici ionizeaza ulterior gazul care expandeaza rapid pe durata pulsului laser. Ei contribuie astfel la expansiunea plasmei de gaz ionizat. Aceasta prima

Pagina 10 din 44

plasma poate absorbi o cantitate semnificativa de energie din pulsul laser. Ca urmare, eficienta evacuarii materialului va scadea datorita cantitatii reduse de energie incidenta pe proba ( Fig. 1.3). Aproximativ 50% din energia pulsului laser poate fi absorbita in aceasta prima etapa de formare a plasmei electronice.

in aceasta prima etapa de formare a plasmei electronice. Fig.1.3 Imagini integrate in timp ale expansiunii

Fig.1.3 Imagini integrate in timp ale expansiunii plasmei laser in azot la diferite presiuni

(stanga 4.10 -1 Pa, centru 10 -1 Pa, dreapta 10 -4 Pa) [1.7]

In cazul pulsurilor laser cu durata de ordinul picosecundelor plasma electronica se formeaza intr-un timp de picosecunde si expandeaza imediat longitudinal. Geometria conica a plasmei electronice este substantial diferita de cea a norului de plasma (care are o forma semisferica si este generata intr-un interval de nanosecunde). Deoarece plasma de electroni se formeaza in primele picosecunde de la inceputul interactiei radiatie laser cu tinta, aceasta va absorbi partea anterioara a energiei pulsului laser in cazul ablatiei in nanosecunde comparativ cu vaporii ionizati care absorb partea finala a pulsului laser. In acest regim de ablatie de mare intensitate eficienta va fi redusa ca efect al absorbtiei in plasma (in particular in cazul abaltiei laser cu pulsuri de picosecunde sau cateva nanosecunde). Atunci cand intensitatea unui puls laser ultrascurt este suficient de mare (de ordinul

TW/cm 2 ), se poate obtine o densitate foarte mare de excitari electronice in proba (densitatea

de electroni corespunzatoare este 10 22

stratului iradiat pot fi plasati intr-o stare de “antilegatura”. In acest caz proba poate suferi o tranzitie de la o stare de solid cu legaturi puternice intr-un gaz dens de ioni cu presiune mare

care parasesc rapid suprafata probei (de exemplu prin repulsii Coulombiene). Un astfel de

proces de ablatie este mai putin dependent de proprietatile termice care determina compozitia masei ablate cu pulsuri laser de nanosecunde.

cm -3 ).

Ca rezultat, ionii

individuali

din

volumul

Pagina 11 din 44

Avand in vedere procesele fizice de interactie analizate dintre radiatia laser si materie in aceasta sectiune, se pot identifica patru clase mari de mecanisme de ablatie laser, dupa cum urmeaza:

i. Ablatie termica,

ii. Ablatie electronica,

iii. Ablatie hidrodinamica si respectiv

iv. Ablatie prin exfoliere

In functie de conditiile concrete de lucru, intr-un proces de ablatie laser, oricare dintre aceste mecanisme poate fi dominant si coexista cu celelalte mecanisme care pot aparea la o scara corespunzator mai redusa.

Referinte Capitol Introductiv

1.1. J.C. Miller, Laser Ablation Principles and Applications, Springer Verlag, Berlin, (1994)

1.2. M. Physical Von Alleman, A. Blatter, Laser-Beam Interactions with Materials: Principles

and Applications, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, (1995)

1.3. D.B. Chrisey, A. Pique‚ R.A. McGill, J.S. Horwitz, B.R. Ringeisen, D.M. Bubb, P.K Wu,

Laser Deposition of Polymer and Biomaterial Films, Chem. Rev., 103 (2), (2003), 553-576

1.4. Leonid V. Zhigilei, Prasad B. S. Kodali, Barbara J. Garrison, A Microscopic

View of Laser Ablation, J. Phys. Chem. B, 102 , (1998), 2845-2853

1.5. P. R. Willmott, J. R. Huber, Pulsed laser vaporization and deposition,

Reviews of Modern Physics, 72 (1), (2000) 315-328

1.6. L.V. Zhigilei, B.J. Garrison, Mechanisms of laser ablation from molecular

dynamics simulations: dependence on the initial temperature and pulse duration,

Appl. Phys. A 69 , (1999), S75–S80

1.7. Gabriel Socol, "Biomaterials thin films obtained by pulsed laser deposition method for

a new generation of medical implants", PhD Tessis, (5.12.2006)

1.8. S. Amoruso, R. Bruzzese, N. Spinelli, R. Velotta, Characterization of

laser-ablation plasmas, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 32 , (1999), R131–R172

1.9. A. A. Puretzky, D. B. Geohegan, G. B. Hurst, M. V. Buchanan, B. S.

Luk’yanchuk, Imaging of Vapor Plumes Produced by Matrix Assisted Laser Desorption: A

Pagina 12 din 44

Plume Sharpening Effect, Physical Review Letters, 83 ( 2), (1999) 444-447

1.10. S. S. Harilal, C. V. Bindhu, M. S. Tillack, F. Najmabadi, A. C. Gaeris, Internal structure

and expansion dynamics of laser ablation plumes into ambient gases, Journal of

Applied Physics, 93( 5), (2003) 2380-2388

1.11. Yaroslava G. Yingling, Barbara J. Garrison, Photochemical induced effects in

material ejection in laser ablation, Chemical Physics Letters, 364 (2002) 237–243

1.12. R.D. Schaeffer, A Closer Look at Laser Ablation, Laser Focus World 37 (6),

(2001), 217-219.

1.13. Michael I. Zeifman, Barbara J. Garrison, Leonid V. Zhigilei, Multiscale

simulation of laser ablation of organic solids: evolution of the plume, Applied

Surface Science 197 – 198 (2002) 27–34

1.14. J.C. Miller, R.F. Haglund, Jr., (Eds.), Laser Ablation and Desorption, Academic

Press, (1998)

1.15.

Amsterdam, (1981)

1.16. J. Neamtu, I. N. Mihailescu, Carmen Ristoscu, J. Hermann, “Theoretical Modelling

of Phenomena in the Pulsed-Laser Deposition Process: Application to Ti Targets

Ablation in Low-Pressure N 2 ”, Journal of Applied Physics 86 (11), (1999), 6096-6106

N.

van

Kampen, Stochastic

Processes

in

Physics

and

Chemistry,

North-Holland,

1.17. B. Toftmann, J. Schou, T. N. Hansen, J. G. Lunney, Angular Distribution of

Electron Temperature and Density in a Laser-Ablation Plume, Physical Review

Letters, 84 , (17), (2000)

1.18. Leonid V. Zhigilei and Barbara J. Garrison,Velocity distributions of molecules ejected in

laser ablation, Appl. Phys. Lett. 71 (4), (1997)

1.19. Barbara J. Garrison, Tatiana E. Itina, Leonid V. Zhigilei, Limit of overheating and

the threshold behavior in laser ablation, Physical Review E 68 , 041501, (2003)

1.20. K. Sokolowski-Tinten, J.Bialkowski, A. Cavalleri, D. von der Linde, A. Oparin, J. Meyer-ter-Vehn, S. I. Anisimov, Transient States of Matter during Short Pulse Laser Ablation, Physical Review Letters, 81 ( 1), (1998)

1.21. T.E. Itina, J. Hermann, Ph. Delaporte, M. Sentis, Modeling of metal ablation induced by

ultrashort laser pulses, Thin Solid Films, 453–454 , (2004), 513–517

1.22. L.V. Zhigilei, B.J. Garrison, Mechanisms of laser ablation from molecular dynamics

Pagina 13 din 44

simulations: dependence on the initial temperature and pulse duration, Appl. Phys. A 69 [Suppl.], S75–S80, (1999)

1.23. Leonid V. Zhigilei, Barbara J. Garrison, Computer simulation study of damage and

ablation of submicron particles from short-pulse laser irradiation, Applied Surface Science 127–129 , (1998), 142–150

1.24. Michael

dynamics–direct simulation Monte Carlo computational study of laser ablation plume evolution, Journal of Applied Physics 92 , ( 4 ), (2002)

1.25. Leonid V. Zhigilei, Prasad B. S. Kodali, and Barbara J. Garrison, Molecular Dynamics

Model for Laser Ablation and Desorption of Organic Solids, J. Phys. Chem. B, 101 , (1997)

2028-2037

I.

Zeifman,

Barbara

J.

Garrison,

Leonid V.

Zhigilei, Combined

molecular

1.26. E.G. Gamaly, A.V. Rode, V.T. Tikhonchuk, B. Luther-Davies, Electrostatic mechanism of

ablation by femtosecond lasers, Applied Surface Science, 197-198 , (2002), 699–704

1.27. Yaroslava

G.

Yingling,

Leonid

V.

Zhigilei,

Barbara

J.

Garrison,The

role

of

the

photochemical fragmentation in laser ablation: a molecular dynamics study, Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry 145 , (2001) 173–181

Pagina 14 din 44

2. Analiza laserului folosit in experimentul de ablatie laser

2.1 Generalitati

Laserul este o sursa versatila de energie intro forma foarte concentrata, fiind atractiv ca unealta si instrument de cercetare pentru aplicatii intr-o gama variata de domenii si industrii. Cele mai utilizabile surse laser pentru obtinerea unor structuri foarte mici, dar de foarte mare calitate, sunt laserele de femtosecunde, datorita efectului termal indus foarte redus[1-3]. Laserele excimere si de stare solida precum cele de Ti-sapphire, pot produce pulsuri foarte scurte (pana la sutimi si zecimi de fs) si mai mult sau mai putin a profilelor asemenea a intensitatilor de nivel superior. Totusi, costurile mari pentru achizitia si utilizarea pentru perioade lungi, precum si dificultatile tehnice in pastrarea parametrilor constanti pentru aceste lasere, limiteaza numarul de utilizatori a laserelor de lungime de unde de fs. Defapt, majoritatea cercetatorilor din toata lumea care opereaza cu lasere, folosesc lasere de ns si ps (precum Nd-YAG, si lasere cu fir Nd) care sunt cele mai de incredere si cele mai eficiente din punct de vedere a costului[2-4]. Dezavantajul profilului Gaussian neuniform a intensitatii laserelor, este adesea rezolvat prin aplicarea omogenizatorilor difractivi, unde lungimile de unda IR sunt reduse prin utilizarea generatorilor de harmonice. Ulterior vom prezenta detalii despre laserul folosit in aplicatie. Structura de baza a laserului consta intrun mediu optic activ de captare, care amplifica undele electromagnetice, sursa de pompare care pompeaza energia spre mediul activ, si un rezonator optic care este compus din 2 oglinzi cu putere de reflectie mare. Mediul de captare a laserului este un material de puritate controlata, marime, concentratie si forma, care amplifica fascicolul prin procesul de emisie stimulata. Aceasta poate fi in stari diferite: gazos, lichid, solid sau plasma. Pompa, poate fi o lampa cu tub, o descarcare de gaz, sau o sursa de curent electric. Folosind radiatiile tranzitive dintre nivelele energetice a atomilor de exemplu, sub echilibrul termo-dinamic al temperaturii T, numarul popularii densitatii N i , de ex., numarul de atomi pe unitate de volum la nivelul energetic I, E i , este conform ecuatiei Boltzmann [5,6]:

unde g i are degenerari, si

(2.1)

(2.2)

Mediul de captare absoarbe energia pompei, care creste unii atomi la starile cuantice maxime (excitatie), E j . Particulele pot interactiona cu lumina prin absorbtia sau emiterea fotonilor. Emisia poate fi spontana sau simulata. Ulterior, fotonul este emis in aceeasi directie in care trece lumina. Cand numarul de particule in stare de excitatie, N j ( E j ) excede numarul de particule a unor stari energetice mici, N i ( E i ) inversiunea pupularii este atinsa

Pagina 15 din 44

(2.3)

si numarul emisiilor stimulate, datorita luminii care trece prin, este mai mare decat numarul absorbtiilor. Prin urmare, lumina este amplificata de catre sine insusi, aceasta efectuand amplificarea optica. Cand amplificarea optica este amplasata in interiorul cavitatii unui rezonator optic, se obtine laserul. Tranzitia de la o energie mai mare E j, la o energie mai mica, E i este acompaniata de emisia in frecventa a fotonului:

 

(2.4)

h fiind constanta lui Plank. Coeficientul corespunzator absorbtiei este :

 

(2.5)

unde (sigma) c (niu) este sectiunea transversala a tranzitiei radiative. Dependenta axiala a intensitatii in mediul activ este:

 

(2.6)

Daca N j > (g j /g i )*N j , coeficientul de absorbtie devine negativ, implicand mai mult amplificarea decat atenuarea. Intensitatea dupa o tura dintre oglinzile rezonatorului care sunt amplasate la distanta L c va fi

(2.7)

unde (alpha) l corespunde pierderilor induse de reflectivitatea partiala a oglinzilor, atenuarea de impuritati si contaminarea in mediul activ, difractia si imprastierea propagarii fascicolului de laser, etc.

In cazul amplificarii, -2(alpha)((niu))L c -(alpha) l >0 si ia in considerare Eq. (2.4), popularea pragului pentru fascicul este definita de:

Pagina 16 din 44

(2.8)

2.1.1 Nd-YAG Laser

Majoritatea lucrarilor din domeniul ablatiilor in intervalul de nanosecunde si picosecunde, sunt facut prin indermediul laserelor de stare solida, precum Nd-YAG [7]. Bara cristalina de neodim Nd 3+ -dopata cu YAG( aluminiu, yitriu, garnet, (Y 3 Al 5 O 12 ) 13 , YLF ( yitriu, litiu, florid), YVO 4 (yitriu ortovanadat), sau sticla de tip (SiBaRb, Ba(PO 3 ) 2 , LaBBa, SiPbK, LaAlSi) matrici. Aceste materiale au o excelenta stabilitate termica si proprietati (conductibilitate termica) suitabile pentru pulsuri scurte cat si pentru operatii CW. Pomparea prin acesti laseri este facuta prin lampi cu arc (precum lampile de xenon sau krypton), sau laseri cu diode. In cazul lampilor cu tub (F) acestea sunt amplasate intr-un focus de cavitate avand forma unui cilindru eliptic, bara (R ) este amplasata in focusul secund. Lampile cu tub sunt alimentate cu tensiuni ridicate, E (~1000V) folosind capacitoare, C si rezistoare, R (Fig

2.1).

Excitatia pomparii optice a fost astfel dezvoltata fiind o metoda foarte importanta folosita in spectroscopie. Este deasemeni o tehnica indispensabila pentru excitatia diferitelor tipuri de laser. Pomparea optica in conjunctie cu laserii Nd-YAG este de un interes particular, deoarece aceasta a devenit larg raspandita in uzul industrial.

Fig 2.1 Schema laserului de tip Nd-YAG

Rezonatorul sferic (format prin 2 oglinzi sferice, M1 si M2) in care este plasata bara laserului, este cel mai important de ajustat, dar are dezavantaj ca modurile transversale nedorite pot usor sa inceapa sa oscileze. Asta inseamna ca puterea laserului este impartita intre variata cantitate de moduri care sunt separate spatial de la unul la altul si care nu pot fi focusate la un punct comun precum in modurile londitudinale. Eficienta popmarii optice cu descarcarea lampilor (Kr, Xe) este in jur de 3 %, dar figurile de pana la 50-80% pot fi atinse folosind diode laser. Avantajul lampilor de descarcare este ca emisia

Pagina 17 din 44

diodelor laser este aproape complet absorbita de Nd-YAG, unde o varietate de emisii spectale a lampilor de descarcare este absorbita numai la extensii mici. Scopul eficientei mici este ca lumina produsa de lampile de descarcare are o larga distribtie spectrala si cristalul de Nd-YAG poate accepta doar lumina oferita intrun numar mic de benzi de absorbtie. Pana in prezent aceasta nu a fost posibil, in ciuda multor cercetari si cautari complexe, sa

se dezvolte lampi care au o emisie adaptata la benzile de absorbtie a cristalului de Nd-YAG. Dea lungul acestor linii, gazul, care este excitat in lampile de descarcare, a fost dopat cu aditivi, pentru a produce emisiile spectrale dorite. Diodele laser nu au acest dezavantaj deoarece ele emit lumina laser intensa intr-o gama spectrala ingusta fiind cuprinsa in doar cativa nanometri. Lungimea de unda a emisiilor diodice, astfel corespunde benzii de absorbtie a cristalului de Nd-YAG foarte bine. Este posibil sa se atinga o performanta de 50-80% in aceasta maniera. Totusi, nu sunt in prezent diode laser capabile sa emita

o putere de 10W. Tinand cont de proprietatile captivante ale diodelor laser, care, in contrast cu

lampile de descarcare, nu necesita o alimentare de mare putere si tensiune (~1000V), cercetarile intensive au pornit in fabricarea diodelor laser de mare putere. Un alt avantaj a diodelor laser ar fi

dimensiunea lor foarte mica, ce permite incorporarea mai multor diode intr-un cip comun. Nd-YAG si Nd-sticla absorb cel mai mult in benzile intre 0.5 si 0.8 u.m, fiind excitate de

4 F 5/2 stari (sau stari mai mari) (Fig. 2.2).

Fig. 2.2 Diagrama nivelelor energetice pentru ioni de Nd 3+ si Nd 3+ sticla

La densitatile mici de curent, lampile de krypton au un raspuns mai mare in aceste benzi, decat cele mai uzuale lampi de xenon, care produc mai mult lumina in jur de 0.900 u.m. Formatoarea fiind astfel mult mai preferabila pentru laserul Nd-YAG. Dupa transferul lipsit de

radiatii de la starea 4 F 5/2 , 4 F 3/2 este astfel populata. Cea mai importanta tranzitie laser avand (lambda)

= 1.06 u.m (aceasta valoare depinzand de compozitia barelor de laser si de concentratiile

dopantului) este produsa dupa tranzitia dintre subnivelelemai mici a nivelelor 4 F 3/2 si 4 I 11/2 (Fig. 2.2). Deoarece la temperatura camerei populatia nivelului 4 I 13/2 este neglijabila, laserul Nd-YAG are

4 I 13/2 fiind starea de baza pentru care ionii de Nd sunt relaxati pana cand

sisteme tipice de 4 nivele (

Pagina 18 din 44

procesul de pompare porneste de la inceput) si emit lumina in gama infrarosie a spectrului optic (fiind posibila tranzitia deasemeni pe langa 0.940, 1.120, 1.320 si 1.440 u.m). Laserul Nd-YAG opereaza in ambele moduri, continuu si pulsat. Cand laserul este pornit sau cand pompa luminoasa este pornita, o mare deviatie de la starea initiala are loc. Astfel practic fotonii nu sunt prezenti in rezonator pana cand puterea dorita a pompei este atinsa. Dupa ce inversiunea popularii atinge zona de tampon, este format campul de fotoni. Datorita propagarii timpului rezonatorului, este nevoie de ceva vreme pana cand densitatea fotonica atinge nivelul starii de functionare. Dea lungul procesului, inversia (care creste liniar cu timpul) creste peste valoarea tinta a inversiei. Aceasta inseamna o crestere mai rapida in densitatea fotonica. Cresterea este atat de rapida incat inversia cade aproape de pragul limita, astfel oscilatia laserului se opreste. Procesul incepe din nou, dar de data aceasta laserul este usor sub pragul limita si suprareglarea inversiei nu este la fel de mare ca data trecuta. In aceasta maniera, sistemul se apropie de starea “gata de operatie”. Primul varf de putere (primul varf de suprareglaj) poate atinge puterea un factor limita de 10 3 ori mai mare decat starea de operare. Varfurile astfel, pot cauza probleme serioase si pot duce la destrugerea suprafetelor optice, astfel incat laserul se poate autodistruge in procesul de pornire. Laserele Nd-YAG opereaza pulsad in modul preschimbat Q, unde este introdus un schimbator optic in cavitatea laserului, asteptand sa fie maxima inversia popularizarii in ioni de Nd inainte ca acesta sa se deschida. (vezi cap 2.2). Cand undele luminoase pot trece prin cavitate, depopularea laserului mediu excitat la invesria maxima a popularii. In acest mod Q, puterea de iesire este de 250MW, iar durata pulsurilor este de la 10-25ns. Pulsurile de mare intensitate pot fi efficient dublate in frecventa pentru a genera lumina laserului la 532 nm, sau armonice mai mari la 355 si 266 nm.

2.2 Laserele comutate in modul Q

Necesitatea experimentala de a avea laserul in stare gata medie este blocata la pragul limita

a limitei de iesire a laserului. Una dintre cele mai comune metode de a obtine imbunatatire in

puterea laserului este relativa la posibilitatea unei blocari rapide a factorului de calitate (notat Q) a cavitatii laserului, care caracterizeaza pierderile. Cand in oscilatorul laserului procesul de raspuns este blocat, de ex. Pierderile cavitatii sunt foarte mari sau reflectia radiatiei in oglinda este scoasa can cavitatea are un factor Q scazut, in atingerea pomparii laser fara oscilatii, dar cand obstacolul care blocheaza oscilatiile este de indata indepartat, factorul calitatii schimbat la mai mare valoare si oscilatiile laserului sunt stabilizate (Q-preschimbare). Din cauza ca popularea inversa are valori mult preamari decat popularea inversa prag, intensitatea radiatiei in cavitati creste rapid si laserul emite un puls Q- schimbat sau un puls gigant al laserului avand intensitate mare si durata scurta. Aceasta este cunoscut sub numele de Q-schimbare. Durata tipica a pulsurilor este de durata de viata

a cavitatilor, (tau) e si in general este mult mai scurta decat timpul de pompare in care inversia

popularii este creata. Acest puls gigant poate goli inversia popularii, astfel un nou puls laser este emis doar la urmatorul proces de pompare. Acest mecanism al pulsului gigant produs in modul Q, este prezentat in Fig. 2.3. Cea mai mare intensitate laser emisa corespunde momentului in care inversia popularii scade sub pragul limita al inversiei popularii. Maximul pulsului gigat al laserului in regim Q poate fi de 3-4 ordine a magnitudinii mai mare decat echivalentul in putere obtinut dea lungul unei unde continui pompate la aceeasi rata.

Pagina 19 din 44

Fig. 2.3 Schema pulsului gigant al laserului produs in modul de schimbare calitativ Q In dorinta de a obtine cea mai mare inversie a popularii in regim Q, urmatoarele conditii trebuie sa fie indeplinite:

* durata de viata a nivelului superior al laserului si durata de pompare a fluxului trebuie sa fie nu mai mari de durata de viata a cavitatii laserului

* pierderile initiale a cavitatii trebuie sa fie suficient de mari cu scopul de a preveni initierea

oscilatiei in laser in acelasi timp (trebuie sa depaseasca intrarea in laser)

* pierderile cavitatilor tre sa fie reduse foarte rapid (de ex. In timp mai scurt de 10 ns) astfel ca energia formatoare acumulata in nivelul superior al laserului este livrata direct prin pulsul laser gigant.

Puterea maxima obtinuta in regim Q, P max , poate fi calculata folosing rata ecuatiilor pentru densitatea fotonica si pentru popularea nivelelor maxim si minim implicate in tranzitie pecum in

[35,36]:

(2.9)

unde N 0 este diferenta initiala a popularii si

(2.10)

reprezinta inversia popularii dintre nivelele maxim si minin la pragul limita pe unitate de volume, V (unde intrarea este egala cu pierderile pe cavitate). In cazul in care N 0 >> N 1 se obtine:

Pagina 20 din 44

(2.11)

care transmite ca o jumatate din inversie este consumata dea lungul duratei de viata a cavitatii, (tau) e .

Luand in atentie eq (2.11) maximul energiei carre poate fi obtinut este:

(2.12)

si energia totala continuta in puls in regimul Q este obtinut de multiplicarea maximului de energie cu factorul de utilizare a energiei:

Durata pulului laser (tau) p este data de:

(2.13)

(2.13b)

In acest caz unde rata initiala a inversiei, N 0 /N t este crescuta suficient peste pragul limita,

durata pulsului laser scade pana la valoarea limita (tau) c (Fig. 2.4) si eficienta exctractiei energetice tinde rapid la 100% pentru N 0 /N t > 2 (Fig. 2.5). Sunt diferite cai practice de a obtine un regim Q: mecanice, opto-electrice, acustico-optice, tehnicile unde absorbantii cu saturatie sunt folositi, si metodele unde filmul este folosit.

In cazul tehnicii mecanice (regimul Q mecanic), care este pasiv, una dintre oglinzile

cavitatii, M2 (Fig. 2.6) este rotita folosind dispozitivele de rotatie de inalta frecventa, astfel incat laserul oscileaza intr-o perioada scurta in care oglinda este rotita paralel cu oglinda opozita, M1.

Astfel aceasta metoda este simpla si ieftina si are cateva neajunsuri: produce tragerea de frecventa, vibratii si zgomot mecanic care induce dificultati in aliniere. Dificultatile prezentate imai sus pot fi reduse folosind o prisma cu unghi de 90 0 in locul oglinzii. Metoda este folosita in special cand vine vorba de cavitatide ablatie lungi (de ex. Laserele CO 2 ) unde alinierea oglinzilor nu este critica si alte tehnici de modulatie sunt greu de folosit.

O alta schema mecanica include folosirea unui disk rotativ cu o gaura amplasata in cavitatea

laserului (Fig. 2.7). In acest caz, pomparea este sincronizata sa fie realizata inaintea rotatiei discului care aduce gaura dea lungul axei laserului. In dorinta de a asigura tranzitia calitatii mici catre una mare, gaura trebuie sa fie foarte mica, iar fascicolul laserului trebuie sa fie focusat folosind 2 lentile (L).

Pagina 21 din 44

Fig. 2.4 Durata pulsului laser in comparatie cu rata initiala a inversie Pagina 22 din

Fig. 2.4 Durata pulsului laser in comparatie cu rata initiala a inversie

Pagina 22 din 44

Fig. 2.5 Eficienta extractiei de energie comparata cu rata initiala a inversiei

Fig. 2.6 Schema mecanica a regimului calitativ Q

Pagina 23 din 44

Fig. 2.7 Schema regimului calitativ Q cu folosirea unui disc rotativ cu gaura

Fig. 2.8 Schema opto-electrica a regimului calitativ Q

In cazul regimului Q cu metoda opto-electric (care este o metoda activa) se folosescte un modulator opto-electric care este facut din cristal opto-electric (EOM) care devine birefrigent sunb actiunea unei tensiuni aplicate si cateva prisme polarizate sunt amplasate in interiorul cavitatii laser (Fig.

2.8).

Astfel, regimul Q opto-electric poate fi obtinut de aplicarea unei tensiuni rar inalte asupra unui cristal pentru a induce efectul Pockel sau Kerrr si Faraday, care schimba starea de polarizare a luminii care trece prin el. Mediul in care efectul Pockels se manifesta, poate fi transformat intro placa de sfert de unda. Planul undelor electromagnetice care propaga dea lungu cavitatii, este rotit in unghi de 90 0 conform axelor sale, incat radiatia este cuplata la exterior de un polarizator dupa o tura prin cavitate. Schimbarea rezonatorului optic la un nivel mai mic a pierderilor poate fi efectuata prin inversia tensiunii aplicate la modulator. In cazul efectului Faraday, un camp magnetic axial include rotatia planului de polarizare a undelor liniar polarizate, care se propaga dea lungul directiei campului magnetic. Durata pulsului de laser in acest caz (regimul Q opto-electric) este de aproximativ 1 ns, care depinde de energia de pompare, pierderile si lungimea cavitatii. Modulatorul opto-electric este cel mai rapid, prezinta o buna stabilitate si repetabilitate. In cazul laserului cu baza de CO 2 , operat in regim Q cu presupunerea rotirii oglinzii sau schimbatorului opto-electric, poate fi obtinuta o putere de varf de ordinul GW. In cazul modulatorului opto-acustic (AOM), fascicolul laser este deflectat de difractia in prezenta undelor acustice (Fig. 2.9). In prezenta undelor acustice, lumina este difractata si fascicolul laser este reflectat din axul cavitatii a sistemului. Pierderile difractiei sunt suficient de mari pentru a mentine laserul sub pragul

Pagina 24 din 44

de oscilatie. Cand pomparea este completa, undele acustice sunt asuprite, fascicolul laser in cavitate este reflectat si oscilatia laserului creste rapid. Modulatorul opto-acustic introduce pierderi optice mici, circuitele de comanda prin frecvente radio sunt simple si pot fi folosite in cazul regimului de schimbare repetat pentru frecvente de ordinul kHz. Cel mai folosit modulator opto-acustic este facut din cuartz care este caracterizat de un timp de schimbare in jur de 100ns care este mult mai mare decat cel al instrumentelor opto-electrice. Modulatoarele opto-acustice au fost folosite in cazul laserelor Nd-YAG si a celor cu multiplicari mici. Regimul Q pasiv se poate obtine folosind absorbanti saturabili (vopsea cu proprietati de pierdere de culoare (decolorare)) amplasati intr-un tub in interiorul cavitatii (Fig. 2.10). Vopseaua decolorabila este caracterizata de coeficienti variabili de absorbtie. Moleculele absorbante a vopselei sunt excitate de radiatia laserului de la nivelul funndamental la nivelul excitat (absorbtia maxima pe sectiune ~ 10 -16 cm 2 ) unde acestea nu mai absorb. In acest caz pragul de oscilatie creste. Initial, vopseaua absoarbe lumina laserului pentru puteri mici si transmite doar 1% impiedicand oscilatia laserului; dar dupa ce intensitatea laserului creste, aceasta devine transparenta, transmisia devenind 100% si operatiile cu laser pot sa inceapa si un puls de inalta intensitate este emis. Printre pulsurile de laser, moleculele revin inapoi la starea initiala si absorb din nou radiatia laser.

Fig. 2.9 Schema regimului Q cu modulator opto-acustic

M 2

Fig. 2.10 Schema a regimului Q cu absorbant saturabil

Pagina 25 din 44

Acest tip de regim este adesea implementat fara circuite de comanda. Vopseaua poate fi preparata fara chimicale sau degradarea foto-chimicalelor dea lungul operatiei. Un dezavantaj a acestei metode este relatat de deschiderea necontrolata a celulei cu vopsea, laserul avand o calitate spatiala mica.

Solutia cu absorbant saturabil poate fi inclocuita cu materiale solide, avand in componenta lor impuritati absorbante ( centre de culori). Astfel, operarea pasiva in regimul Q, poate fi obtinuta folosind un film subtire plasat in interiorul cavitaii, energia laserului fiind focusata de lentile pe un punct mic (Fig. 2.11). La inceput, cand laserul oscileaza, filmul subtire este ars si evaporat, oscilatiile laserului cresc rapid si pulsul gigant este emis. Repetabilitatea se poate obtine prin miscarea controlata a filmului subtire, aceasta fiind o procedura simpla si ieftina.

M 2

Fig. 2.11 Schema regimului Q cu un film subtire

2.3 Setarile de baza ale experimentului

Unul din avantajele procesarii materialelor prin metoda laser este caracteristica unei singure trepte de pregatire. Pentru a crea un sablon pe suprafata, putem folosi o masca (Fig. 2.12a) pentru a proiecta o imagine micsorata pe suprafata tinta. O metoda alternativa poate fi direct scrisa pe suprafata prin miscarea substratuluisau laserului, care este numita scriere directa (Fig. 2.13b). Mastile conventionale blocheaza o mare parte din energia incidenta. Precum pentru unele aplicatii (de ex. Scoaterea materialului) este nevoie de instensitati mari, doar metodele cu scriere directa raman, care nu aduc rata mare de introducere directa. Dar pentru sablonarea micro si nano, introducerea directa de rata mare este necesara pentru a fi fezabila economic. Astfel pentru marirea ratei introducerii pentru fabricatia sabloanelor simple periodice, se poate angaja interferenta procesarii fascicolului laser (Fig. 2.12c). In scrierea directa, fascicolul laserului este primul rand expandat si dupa focusat la incidenta normala asupra tintei. In majoritatea cazurilor, sablonarea este efectuata de translatia relativa a tintei fata de focusarea fixa a fascicolului laser. Raza limitata de difractie a distributiei Gausiene a fascicolului laser in planul focal (de ex. discul Airy) care contine aproximativ 84 % din energia pulsului de laser este data de :

Pagina 26 din 44

(2.14)

unde D este diametrul fascicolului laser pe lentila de focusare. Prin sablonarea proiectiei minimul marimii atinse, care este definit ca distanta dintre doua puncte care totusi poate fi rezolvata, descrisa in [49]

(2.15)

unde NA este apertura numerica. Factorul const depinde de parametrii experimentali si tipic este intre 0.5 si 0.8. Pentru liniile dense echidistante const=0.5, unde punctele const = 0.61 [50]. Interferenta fascicolului laser (Fig. 2.12c) permite generarea sablonurilor cu perioada:

(2.16)

pe cativa centrimetri patrati [38]. Tehnica a fost cu succes demonstrata pentru depozitia materialelor, modificarea suprafetelor, gravura chimica sau rugozitare a suprafetelor. Aceasta permite deasemeni fabricarea grilajului de difractie, holograme, etc.

Fig. 2.12 Schema tehnicilor de procesare laser: a) Structura este creata pe suprafata cu ajutorul mastii; b) Scrierea directa: Structura este scrisa direct pe substrat prin miscarea substratului propriu zis sau prin controlul caii de miscare a laserului [38]; c) Generarea interferentei in structuri periodice; d,e ) Metode de generare a sablonurilor submicrometrice in apropierea campului sau fibrei (d) si a matricei de microlentile (e) [77]

Pagina 27 din 44

Fig. 2.13 a) Gaurile produse de ablatia laser indusa local in PI (poliamida) folosind zabrele in 2D a microsferelor de SiO 2 (d~3 u.m) [77]. b) Profilul adancimii masurat prin interpretarea AFM [77]. c) Raza de lumina penetrand sfera conform legii lui Snell

Folosirea mastilor de contact, folosirea setarile SNOM ( scanarea microspopiei optice a campurilor alaturate) (Fig. 2.12d), a matricei de microlentile (Fig. 2.12 e), sau cunoasterea neliniaritatilor materialului, permite reducerea pana la minim a dimensiunilor sub limitele de difractie Abbe. Masca de contact permite crearea structurilor cu dimensiunile ulterioare determinate de masca. Cu setarile SNOM, impreuna cu radiatia pulsata a laserului, se pot produce structuri care sunt limitate de difractia optica sau de efectele termale, dar cel mai mult de apertura submicrometrica a fibrei care este scanata in campul apropiat (de ex. 5-50nm) deasupra tintei. Similar radierea prin matricea de microlentile permite obtinerea pe tinta in campul apropiat de structuri submicrometrice. Este de asemeni demonstrat ca datorita neliniaritatii este posibila producerea sablonurilor cu dimensiuni laterale care sunt mult mai mici decat diametrul difractiei limitate de focusarea fascicolului laser.

Pagina 28 din 44

Bibliografie

[1] N.M. Bulgakova, A.V. Bulgakov, Appl. Phys. A 73, 199 (2001) [2] M. Stafe, I. Vladoiu, I.M. Popescu, Cent. Eur. J. Phys 6, 327 (2008) [3] ICALEO Conference Proceedings, 2008 [4] B.N Chickov, C. Momma, S. Nolte, F. von Alvensleben, A. Tunnermann, Femtosecond, picosecond and nanosecond laser ablation of solids. Appl. Phys. A 63, 109-115 (1996) [5] W. Demtroder, LaserSpectroscopy: Basic Concepts and Instrumentation, 2 nd edn. (springer, Berlin, 1996) [6] C. P. Grigoropoulos, Transport in Laser Microfabrication: Fundamentals and Applications (Cambridge University Press, Cambridge, 2009) ISB-13 978-0-521-82172-8 [7] J.E. Geusic, H.M Marcos, L.G. Van Uitert, Laser Oscillations in Nd-doped yttrium aluminium, yttrium gallium and gadolinium garnets. Appl. Phys. Lett 4(10), 182 (1964) [8] P.F. Moulton, Spectroscopic and laser characteristics of Ti:Al 2 O 3 , J. Opt. Soc. B3, 125 (1986) [9] N.G. Basov et al., Zh. Eksp. Fiz I Tekh. Pis’ma. Red 12, 473(1970) [10] C. P. Christensen, R.W. Waynant, B. J. Feldman, High efficiency microwave discharge XeCl laser. Appl. Phys. Lett. 46, 321 (1985) [11] C. Patel, Continuous-wave laser action on vibrational-rotational transitions of CO 2 . Phys. Rev. 136(5A), 1187-1193 (1964) [12] S. Szatmari, High-brightness ultraviolet excimer lasers. Appl. Phys. B 58, 211-223 (1994) [13] C. Momma, H. Eichmann, H. Jacobs, A. Ttinnermann, H. Welling, B. Wellegehausen, Opt. Lett. 18, 516 (1993) [14] K. Mossavi, Th Hofmann, F. K. Tittel, G. Szzabo. Opt. Lett. 18, 18, 435 (1993) [15] D. Strickland, G. Mourou, Opt. Commun. 56, 219 (1985) [16] P. Maine, D. Strickland, P. Bado, M. Pessot, G. Mourou, IEEE J.QE 24 , 398 (1988) [17] C. Sauteret, D. Husson, G. Thiell, S.Seznec, S. Gary, A. Migus, G. Mourou, Opt. Lett. 16, 238

(1991)

[18] K. Yamakawa, H. Shiraga, Y. Kato, C.P.J Barry, Opt. Lett. 16, 1593 (1991) [19] A. P. Schwarzenbach, T.S. Luk, I.A. McIntyre, U. Johann, A. McPherson, K. Boyer, C. K. Rhodes, Opt. Lett. 11, 499 (1986) [20] M. J. Shaw, G. Bialoenker, G. J. Hirst, C. J. Hooker, M.H. Key, A. K. Kidd, J. M. D. Lister, K. E. Hill, G. H. C. New, D. C. Wilson, Opt. Lett. 18, 1320 (1993) [21] G. Almasi, S. Szatmari, P. Simon, Opt. Commun. 88 , 231 (1992) [22] M. D. Perry, F. G Patterson, J. Weston, Opt. Lett. 15, 381 (1990) [23] G. Ktihnle, U. Teubner, S. Szatmari, Appl. Phys. B 52, 71 (1990) [24] M. M. Mumane, H. C. Kapteyn, R. W. Falcone, Phys. Rev. Lett. 62, 155 (1988) [25] C. H. Nam, W. Tighe, E. Valco, S. Suckewer, Appl. Phys. B 50, 275 (1990) [26] U. Teubner, G. Kuhnle, F. P. Schafer, Appl. Phys. B 54 , 493 (1992) [27] J. P. Roberts, A. J. Taylor, P. H. Y. Lee, R. B. Gibson, Opt. Lett. 13 , 734 (1988) [28] A. J. Taylor, C. R. Tallman, J. P. Roberts, C. S. Lester, T. R. Gosnell, P. H. Y. Lee, G. A. Kyrala, Opt. Lett. 15, 39 (1990) [29] T. S. Luk, A. McPherson, G. Gibson, K. Boyer, C. K. Rhodes, Opt. Lett. 14, 1113(1989) [30] G. Almasi, S. Szatari, P. Simon, Opt. Commun. 88 , 231 (1992) [31] S. Seznec, C. Sauteret, S. Gary, E. Bechir, J. L. Bocher, A. Migus, Opt. Commun. 87, 331,

(1992)

[32] C. K. Rhodes (ed), ‘Excimer Lasers’, Topics Appl. Phys. 30, Springer,Berlin, Heidelberg

(1979)

[33] I. A. McIntyre, C. K. Rhodes, J. Appl. Phys. 69, R1(1991) [34] S. Szamatri, In Dye Lasers 25 Years, ed. By M.Stuke, Topics Appl. Phys. 70, 129 (Springer, Berlin, Heidelberg 1992) [35] W. T. Silfvast, Laser Fundamentals (Cambridge University Press, Cambridge, 2000)

Pagina 29 din 44

[36] W. S. C. Chang, Principles of Lasers and Optics (Cambridge University Press, Cambridge,

2005)

[37] Sapphire Laser’, R. Ell, U. Morgner, F. X. Kaertner, Generation of 5-fs pulses and octave- spanning spectra directly from a Ti : sapphire laser. Opt. Lett. 26, 373-375 (2001) [38] D. Bauerle, Laser Processing and Chemistry (Springer, Berlin, 2000) [39] M. von Allmen, A. Blatter, Laser-Beam Interactions with Materials (Springer, Berlin, 1995) [40] M. Stafe, C. Negutu, A. Ducariu, Pulsed laser ablated craters in aluminium in air and aqueous environments. Romanian Reports in Physics 64, 155-162 (2012) [41] M. Stafe, I. Vladoiu, C. Negutu, I. M. Popescu, Sci. Bull. Univ “Politehnica” Bucharest, Series A: Appl Math, Phys. 71, 73 (2009)

[42] M. Stafe, C. Negutu, N. N. Puscas, I. M. Popescu, Pulsed laser ablation of solids. Rom. Rep. Phys. 62, 758-770 (2010) [43] I. Vladoiu, M. Stafe, C. Negutu, I. M. Popescu, Sci. Bull. Univ. “Politehnica” Bucharest, Series A: Appl. Math. Phys. 70, 119 (2008) [44] M. Stafe, C. Negutu, I, M, Popescu, Theoretical determination of the ablation rate of materials in multiple -nanosecond laser pulses irradiation regime. Appl. Surf. Sci. 253, 6353 (2007) [45] S.I. Anisimov, M. I. Tribeloskii, G. Ya, Epelobaum: Sov. Phys. -JETP 51, 802 (1980) [46] Karl-Heinz Leitz, Metal Ablation with Short and Ultashort Laser Pulses. Physics Procedia 12, 230-238 (2011) [47] R. Stoian, D. Ashkenasi, A. Rosenfeld, M. Wittman, R. Kelly, E. E. B. Campbell, The dynamics of ion expulsion in ultrashot pulse laser sputtering of Al 2 O 3 . Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B: Beam Interact. Mater. At. 166-167, 682-690 (2000) [48] F. Dausinger, H. Hugel, V. I. Konov, Micromachining with ultrashort laser pulses: from basic understanding to technical applications, ALT’02 international conference on advanced laser technologies. H. P. Weber, V. I. Konov, T. Graf (eds), Proc. SPIE 5147, 106 (2003) [49] Dieter Baeuerle, Laser chemical processing: an overview to the 30 th anniversary. Appl. Phys. A 101, 447-459 (2010) [50] M. Born, E. Wolf, Principles of Optics (Pergamon, Oxford, 1980) [51] D. Melville, R. Blaikie, Opt. Express 13, 2127 (2005) [52] S. Y. Chou, P. R. Krauss, PJ. Renstrom, Science 272 , 85 (1996) [53] N. Tetreault, G. von Freymann, M. Deubel, M. Hermatschweiler, F. Perez-Willard, S. John, M. Wegener, and G. A. Ozin, Adv. Mater. (Weinhein, Ger.) 18, 457 (2006) [54] K. Busch, G. von Freymann, S. Linden, S. F. Mingaleev, L. T. M. Wegener, Phys. Rep. 444,

101 (2007)

[55] Saulius Joudkazis, Vygantas Mizeikis, Hiroaki Misawa, Three-dimensional microfabrication of materials by femtosecond laser for photonics applications. J. Appl. Phys. 106, 051101 (2009)

[56] M. Qi, E. Lirorikis, P. Rakich, S. Johnson, J. Joannopoulos, E. Ippen, H. Smith, Nature 429 ,

538 (2004)

[57] V. S. Amarantuga, H. T. Hattori, M. Premaratne, H. H. Tan, C. Jagadish, J. Opt. Soc. Am. B 25, 1532 (2008) [58] I. Tarhan, G. H. Watson, Phys. Rev. Lett. 76, 315 (1996) [59] Alvaro Blanco, Emanuel Chomski, Serguei Grabtchak, Marta Ibisate, Sajeev John, Stephen W. Leonard, Cefe Lopez, Francisco Meseguer, Hernan Miguez, Jessica P. Mondia, Geoffrey A. Ozin, Ovidiu Toader, Henry M. van Driel, Large-scale synthesis of a silicon photonic crystal with a

complete three-dimensional bandgap near 1.5 micrometres. Nature 405, 437 (2000) [60] V. Mizeikis, I. Mikulskas, R. Tamasiunas, S. J. S. Matsuo, H. Misawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 3643 (2004) [61] M. Deubel, G. von Freymann, M. Wegener, S. Pereira, K. Busch, S. Soukoulis, Nat. Mat. 3,

444 (2004)

[62] M. Deubel, M. Wegener, A. Kaso, Appl. Phys. Lett. 85, 1895 (2004)

[63] H. Sun et al., Opt. Lett. 26, 325 (2001)

Pagina 30 din 44

[64] H. B. Sun, V. Mizeikis, Y. Xu, S. Joudkazis, J. Y. Ye, S. Matsuo, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 79, 1 (2001) [65] V. Mizeikis, K. K. Seet, S. Joudkazis, H. Misawa, Three-dimensional woodpile photonic crystal templates for the infrared spectral range. Opt. Lett. 29, 2061 (2004) [66] F. E. Livingston, H. Helvajian, MRS Bull. 32, 40 (2007) [67] F. E. Livingston, H. Helvajian, Appl. Phys. A 89, 97 (2007) [68] K. K. Seet, V. Mizeikis, S. Joudkazis, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 88, 221101 (2006) [69] K. K. Seet, V. Mizeikis, S. Matsuo, S. Joudzakis, H. Misawa, Adv. Mater. 17, 541 (2005) [70] J. Serbin, M. Gu, Adv. Mater. 18, 221 (2006) [71] J. Serbin, A. Egbert, A. Ostendorf, B. N. Chichkov, R. H. G. Domann, J. Schulz, C. Cronauer, L. Frohlich, M. Popall, Opt. Lett. 28, 301 (2003) [72] M. Thiel, M. Decker, M. Deubel, M. Wegener, S. Linden, G. Freymann, Adv. Mater. 19, 207

(2007)

[73] T. Kondo, S. Matsuo, S. Joudzakis, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 79, 725 (2001) [74] T. Kondo, S. Matsuo, S. Joudzakis, V. Mizeikis, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 82, 2758 (2003) [75] Gregor Langer, PhD thesis, ‘Micro-and Nanopatterning of Surfaces by Means of Colloidal Monolayers’ (2005) [76] B. Lukyanchuk (ed.), Laser Cleaning. (World Scientific Publishing Company, Singapore 2002)

[77] D. Bauerle, J. D. Pedaring, I. Vrejoiu, M. Peruzzi, D. G. Matei, D. Brodoceanu, Laser processind and chemistry: applicatons in nanopatterning, material synthesis and biotechnology, Rom. Rep. Phys. 57, 935-952 (2005)

Pagina 31 din 44

3. Partea experimentala

3.1 Introducere

In aceasta parte vom demonstra ca emisia spectrala a plasmei de ablatie produsa de multiple pulsuri cu durata de nanosecunde pe o tinta de Aluminiu(Al), poate fi direct conectata la ratia ablatiei si dimensiunea craterelor de ablatie. Aratam ca variatia de intensitati de linii spectrale cu numarul de pulsuri ofera direct, informatie in timp real asupra adancimii craterelor. Ulteriara analiza a intensitatii spectrale si largimii ne permite sa studiem variatia plasmei, mai exact temperatura si densitatea, cu numarul de pulsuri si fluenta laserului. Observam ca temperatura plasmei si densitatea variaza similar cu rata de ablatie cand creste numarul de pulsuri si fluenta laserului, rezultat ce ofera informatii suplimentare in timp real a ablatiei asupra materialului tinta. Pentru a interpreta experimental rezultatele relatiei dintre proprietatile plasmei de ablatie si craterele formate in urma ablatiei, folosim un simplu model unde pana de plasma este tratata ca un gaz ideal limitat de dimensiunea craterului. Norii in expansiune exercita asupra tintei o oarecare presiune, care este determinata de temperatura sid ensitatea plasmei. Modelul are succes in descrierea variatiei a ratei de ablatie cu numarul de pulsuri si fluenta laserului, si prezice inaltimea jantelor in jurul craterului. Analiza spectroscopica a norilor indusi prin laser in plasma, este esentiala pentru intelegerea procesului de ablatie laser si este asociata fenomenelor precum incalzirea materialelor, topirea, evaporarea si ionizarea [1-6]. Mai mult, spectroscopia plasmei reprezinta un instrument important pentru caracterizarea si controlul proceselor precum depozitarea de filme subtiri prin metoda laser in diferite conditii de iradiere, diferite materiale si gaze de fundal [7-13]. Cateva studii complete spectroscopice au adresat caracterizarea spatiala si temporala a norilor plasmatice a ablatiei, cu scopul de a determina dinamica speciilor ablate din tinta catre substrat [14-18]. Tehnici diferite de spectroscopie pot fi folosite pentru diagnoza plasmei de ablatie [4,5]. Intensitatea liniilor de emisie poate fi folosita pentru a calcula temperatura plasmei, intrucat latimea liniilor spectrale poate fi folosita pentru estimarea densitatii electronilor din plasma. Cat temperatura plasme, atat si densitatea electronilor este corelata la caracteristicile ablatiei laser, dupa cum era descris mai devreme in alte procese asociate cu plasma precum in sudare [19,20]. Intelegerea relatiei dintre caracteristicile plasmelor de ablatie si a celor din zona ablatiei pot fi foarte utile in procesarea laser [13-16]. Procesarea materialelor prin ablatie laser cu durata de nanosecunde se bazeaza in conversia rapida(intre cateva zecimi de picosecunde) a energiei laser absorbite de electronii liberi din material (prin mecanismul invers de “Bremsstrahlung”(radiatiei de oprire)) in caldura de coliziune dintre electron-atom. Aceasta conduce catre o incalzire rapida si foarte localizata, topire si evaporare a tintei [1-3]. Diferite modele teoretice propuse pentru puslatia de nanosecunde a ablatiei laser tind sa rezolve ecuatia caldurii folosind diferite surse de caldura si conditii de limita care enumera absobtia laser, transizia fazelor, si pentru miscari relative laser-tinta [1, 21-23]. Pentru a trata dinamica plasmei, un alt set de ecuatii hidro-dinamice a fost rezolvat in conexiune directa cu caldura, care ofera conditiile de limitare pentru ecuatiile de hidro-dinamica [24, 25]. Aceste studii teoretice, indica faptul ca deasupra unei anumite fluente a laserului care induce o puternica ionizare in nori, ablatia este mediata de Norii de ablatie, care actioneaza mai mult asupra tintei decat insasi durata pulsurilor laser[1, 2, 21, 26, 27]. In acest studiu, analizam posibilitatea de a conecta datele spectroscopice in timp real din plasma de ablatie la dimensiunile craterelor ablate pe o tinta metalica, cu diferite variatii de numar de pulsuri si diferite fluenze ale laseului. Parametrii plasmei termodinamici (ex. Temperatura si densitatea) au fost determinate prin distributia neutra a atomilor de Al din relatiile Boltzman ce emit linii observabile, cat si a profilelor de linii Lorentz. Studiul spectroscopic este completat cu analiza microscopica a craterelor ablate, si o analiza teoretica semicantitativa a rezultatelor dintre etape a unui model termo-dinamic simplu.

Pagina 32 din 44

3.2 Experiment

Setarile experimentale folosite pentru studiu sunt aratate in figura 1(a). A doua armonica a laserului Nd:YAG Q-setat (t p = 4 . 5 ns durata pulsului, 532 nm lungimea de unda) a fost folosita pentru ablatie tintei de Al. Pulsurile laser au fost focusate pe o tinta cu o incidenta normala de lentila convergenta (f/7, f=18 cm). Energia fascicolului a fost variata folosind un atenuator variabil, dand o fluenta de 200 – 2000 J/cm 2 in focus. Experimentele au fost duse afara , la aer deschis la conditii normale. Norul de plasma din ablatie a fost ilustrat cu lentile proiectoare (figura 1(a)) pe varful unei fibre optice conectata la un spectrometru de inalta rezolutie Ocean Optics (~0.6 nm rezolutia optica FWHM). Spectrele tipice integrate ale pulsurilor intregi pe durata experimentului in lungimea de unda ce ne intereseaza in studiu sunt aratate in figura 1(b). Profilele liniilor sunt foarte bine incadrate de curbele Lorentz (figura 1(b)), aratand ca marimea liniilor este predominant o marime a presiunii ce apare din efectul Stark. Reprezentarea din mijloc in figura 1(b) indica prin linie punctata profilul Lorentz cu o linie de 396.1 nm, in acelasi timp linia FWHM este deasemeni indicata pentru o fluenta a laserului de 1800 J/cm 2 . Reprezentarea de jos indica prin linii continui superpozitia Lorentz pentru lungimile 394.4 si 396.1 nm, care aproximeaza foarte bine semnalul obtinut de spectrometru (linia punctata). Am analizat intensitatile de 309.2 si 396.1 nm a liniilor a atomilor neutri de Al si FWHM pentru linia de 396.1 nm ca functie a fluentei si numarul pulsurilor. Ambele linii au acelasi nivel de referinta, ele sunt apropiate in spectru astfel ca eficienta stridenta a reflexiilor este la fel pentru ambele lungimi de unda, iar nivelul lor superior are mai mult decat suficient (E 1 – E 2 =0.87893 eV) pentru a obtine o temperatura precisa pentru plasma ablatiei [28]. Cratelere ablatiei au fost analizate subsecvent cu un microscop metalografic cu rezolutia de 1 μm in adancime si 2 μm transversal. Astfel am obtinut dependentele de diametru si adancime a craterului de numarul pulsurilor si fluenta laserului.

Tinta Lentila Plasma ablatiei Lentila de imagine Imagine obtinuta cu varf de fibra optica Intensitatea
Tinta
Lentila
Plasma
ablatiei
Lentila de
imagine
Imagine
obtinuta cu
varf de fibra
optica
Intensitatea liniilor

(a)

Pagina 33 din 44

(b) Figura 1 (a) Setarile pentru experiment. (b) Graficul de sus: Spectre tipice inregistrate dea

(b)

Figura 1 (a) Setarile pentru experiment. (b) Graficul de sus: Spectre tipice inregistrate dea lungul experimentului la fluente diferite: 500 (linia rosie) si 1800 (linia albastra)J/cm 2 ; graficul din mijloc:

Profilul Lorentz pentru Al I cu linia de 396.1 nm (linia punctata); graficul de jos: superpositia liniei de 394.4 si 396.1 nm cu profilele Lorentz (linia continua) si datele experimentale de la spectroscop (punctata) la 1800 J/cm 2 .

3.3 Rezultate si discutii

Din graficele prezentate in figura 1(b) inregistrate pentru fluente si numar de pulsatii diferite, am determinat raportul dintre intensitatiile liniilor de 396.1 si 309.2 nm emise de speciile de Al neutre. Considerand ca “norii subtiri de plasma” si distributia atomica pe nivele energetice sunt in echilibru termic, temperatura plasmei (T) poate fi gasita din ecuatia [5,6]:

temperatura plasmei ( T) poate fi gasita din ecuatia [5,6]: (1) unde E 1 si E

(1)

unde E 1 si E 2 sunt energiile starilor superioare in tranzitiile enumerate aici, si I, λ , g si f sunt intensitatea, lungimea de unda, greutatea statistica si puterea de oscilatie a celor 2 tranzitii respectiv. Constantele spectroscopice corespund la cele 2 linii regasite in [28]. Densitatea plasmei n e poate fi determinata din limitele Stark a liniilor spectrale, care este in mare dominata de impactul electronic [4,5]. Aici am determinat latimea liniilor de 396.1 nm pentru diferite fluente si un numar de pulsuri diferit. FWHM-ul (Δλ 1 /2 ) profilelor liniilor este relatat la densitatea electronilor de relatia simplificata [4,12]:

la densitatea electronilor de relatia simplificata [4,12]: (2) unde W este paramatrul de impact al electronilor,

(2)

unde W este paramatrul de impact al electronilor, care este slab dependent de temperatura. Dependenta dintre temperatura plasmei si densitatea acesteia la numarul de pulsuri este

prezentat in figura 2(a) pentru fluente diferite: 500 si 1800

constanta cand creste numarul de pulsuri pana la aproximativ 30, fiind ~3800 K la 500 J/cm 2 si 4100 K la 1800 J/cm 2 . Ulterioarele mariri a numarului de pulsuri conduc la o scadere de temperatura cu aproximativ ~10%, la ~3600K si 3700K la fluente de 500 si 1800 J/cm 2 , respectiv.

J/cm 2 . Temperatura plasmei este practic

Pagina 34 din 44

(a) (b) Figura 2 Temperatura plasmei (a) si densitatea (b) in raport cu numarul de

(a)

(a) (b) Figura 2 Temperatura plasmei (a) si densitatea (b) in raport cu numarul de pulsuri

(b)

Figura 2 Temperatura plasmei (a) si densitatea (b) in raport cu numarul de pulsuri pentru cele 2 fluente: 500 J/cm 2 (linia rosie punctata) si 1800 J/cm 2 (linia albastra punctata). Graficele evidentiaza dmeniul numarului de pulsuri cu parametrii plasmei aproximativ constanti: pana in 30 si peste 30 de pulsuri.

Pagina 35 din 44

(a) (b) Figura 3 (a) Dependenta dintre adancimea si diametrul craterului raportat la numarul de

(a)

(a) (b) Figura 3 (a) Dependenta dintre adancimea si diametrul craterului raportat la numarul de pulsuri

(b)

Figura 3 (a) Dependenta dintre adancimea si diametrul craterului raportat la numarul de pulsuri la 500 J/cm 2 . (b) Intensitatea liniilor de 396.1 nm a Al I in raport cu numarul de pulsuri la 500 J/cm 2 . Graficele pun in evidenta diferite variatii a domeniului de pulsuri, sub si peste 30.

Un asemeni comportament poate fi observat si la densitatea plasmei (figua 2(b)). Densitatea ramane constanta (~3.6 x 10 18 cm -3 la o fluenta de 500 J/cm 2 si ~ 4.1 x 10 18 cm -3 la 1800 J/cm 2 ) cand crestem numarul de pulsuri pana la ~30, si scade instantaneu cu 10% cand numarul de pulsuri este peste 30. Acest comportament poate fi usor relatat la rata de ablatie si, consecvent, la dimensiunea craterelor ablate (figura 3(a)). Aici putem observa ca atat diametrul, cat si adancimea craterelor la 500 J/cm 2 cresc puternic, linear, atunci cand crestem numarul de pulsuri pana la

Pagina 36 din 44

aproximatix 30, unde ulterioara cresterea numarului de pulsuri duce la o crestere liniara mult mai mica a adancimii si diametrului craterelor. Cresterea liniara a diametrului si adancimii craterelor indica aaproximativ constanta de ablatie (definita ca cresterea adancimii craterului pe puls) si rata transversala de ablatie (definita ca cresterea razei craterului pe puls) in doua domenii de numar de pulsuri, de ex. Sub si peste 30 de pulsuri. Rata de ablatie si transversala rata de ablatie, respectiv, ~3.7 si 1.1 μm /puls pentru primele ~30 de pusluri, dupa care scade la ~0.5 (si 0.25, respectiv) μm /puls pentru urmatoarele pulsuri. Acest fenomen fiind un analog deplin pentru comportamentul temperaturii si densitatii plasmei cand se creste numarul de pulsuri. Din datele spectroscopice putem gasi mult mai simplu informatie relativa la constanta ratei de ablatie. Conexiunea directa dintre adancimea craterului si intensitatea liniilor spectrale, face analiza spectroscopica convenabila pentru urmarirea in timp real a procesului de multi pulsnat a ablatiei laser. Figura 3(b), de exemplu, prezinta variatia intensitatii pentru linia de 396.1 nm a Al in raport cu variatia numarului de pulsuri la o fluenta de 500 J/cm 2 . Intensitatea liniilor scazand dea lungul primelor 30 de pulsuri si devenind aproximativ de 3 ori mai mica dupa al 30 puls in comparatie cu intensitatea celui de al 4-a puls. Aceasta este consistenta cum variatia adancimii craterului: adancimea craterului creste liniar o data cu numarul de pulsuri, devenind de ~3 ori mai mare dupa al 30 puls, in raport cu adancimea masurata la pulsul 4. Ulterioara crestere a numarului de pulsuri ducand la o scadere mult mai lenta a intensitatii liniilor, care este consistenta cu o crestere mult mai lenta a adancimii craterului in raport cu numarul de pulsuri. Prin impreunarea celor 2 rezultate, in special Spectroscopic si Microscopic, putem explica calitativ schimarea ratei de ablatie la al 30-a puls. Cand cel putin una din dimensiunile craterului (adancimea sau diametrul) este mai mica decat lungimea hidro-dinamica a norului de plasma ce corespunde raspandirii libere a norului de plasma

plasma ce corespunde raspandirii libere a norului de plasma (3) exista o constrangere a plasmei in

(3)

exista o constrangere a plasmei in interiorul craterului, ce duce la o densitate si temperatura ridicata

a plasmei. Aici

sunetului in gaz inert [1], γ = 5 / 3 fiind coeficientul adiabatic a plasmei considerat ca un gaz ideal monoatomic, M este masa atomica, si t eff = 5t p este timpul total de evaporare (incluzand si timpul de post iradiere), care ofera o contributie importanta la densitatea si temperatura plasmei [21]. Densitatea si temperatura plasmei nu depind de numarul de pulsuri ci de fluenta incidenta si , consecvent, rata ablatiei dea lungul ablatiei mediate a plasmei sunt deasemeni independenti de numarul de pulsuri. Totusi, la un anumit numar de pulsuri, toate dimensiunile craterelor devin mai largi de l p . Spre exemplu, la 500 J/cm 2 si la al 30-a puls, considerand parametrii plasmei prezentati mai sus obtinem l p ≈ 35 μ m care este aproximativ diametrul craterului. Astfel, in aceste conditii, norul creste practic liber deasupra tintei si, in consecinta, densitatea plasmei si temperatura scad. Asta implica o scadere a ratei de ablatie, care este puternic dependenta de caracteristicile plasmei. Valabilitatea acestui simplu model poate fi demonstrata ulterior folosind-o in calcului inaltimii marginilor craterului. Tinand cont de densitatea si temperatura a norului de plasma determinate experimental, precum si de ecuatia termo-dinamica a starii plasmei ca un gaz ideal, presiunea medie in interiorul norului la 500 J/cm 2 este p≈ 1.9 atm. Presiunea de respingere exercitata la suprafata de topire a tintei va impinge topitura in exteriorul craterului. Din punct de vedere al hidro-dinamicii, viteza de expulzare a topiturii in jurul craterului poate fi scrisa ca [23]

a topiturii in jurul craterului poate fi scrisa ca [23] este viteza expansiunii a norului de

este viteza expansiunii a norului de plasma luata drept viteza

viteza expansiunii a norului de plasma luata drept viteza (4) unde p r e c ≈

(4)

unde p rec ≈ (1+ γ)p este presiunea de expulzare a plasmei [1], p atm este presiunea atmosferica normala, ρ este densitatea masei topiturii. Prin multiplicarea vitezei de ejectie cu timpul efectiv t eff vom obtine cresterea marginilor pe puls. De aici, obtinem rata de crestere a inaltimii marginilor de 0.3 μm/puls. Acest rezultat e sustinut si de masuratori ~6μm inaltime dupa primele 20 de pulsuri, si ~12 μm dupa 40 pulsuri.

Pagina 37 din 44

(a) (b) Figura 4 (a) Dependenta temperaturii si densitatii plasmei de fluenta la al 20-a

(a)

(a) (b) Figura 4 (a) Dependenta temperaturii si densitatii plasmei de fluenta la al 20-a pulse.

(b)

Figura 4 (a) Dependenta temperaturii si densitatii plasmei de fluenta la al 20-a pulse. (b) Dependenta diametrului si adancimii craterului de fluenta celui de-al 20-a puls.

In continuare investigam dependenta temperaturii si densitatii plasmei, de un anumit numar

de pulsuri la o serie de fluente a laserului. Figura 4(a) indica cat temperatura, atat si densitatea plasmei produse la al 20-a puls crescande usor si liniar in concordanta cu fluenta: cand creste fluenta de la 500 la 1800 J/cm 2 , temeperatura plasmei creste intre 3200 si 400 K, iar densitatea creste de la 3.6 x10 18 la 4.1 x 10 18 cm -3 .

O crestere liniara mai mica a temperaturii si densitatii plasmei cu fluenta laserului este

consitenta cu rezultatele anterioare in in conexiunea directa dintre parametrii plasmei si rata de ablatie. Figura 4(b) indica faptul ca adancimea si diametrul craterului facut prin 20 de pusluri consecutive, creste aproximativ liniar cu fluenta. Rezulta ca rata de ablatie este direct proportionala cu fluenta, precum si temperatura si densitatea plasmei.

Pagina 38 din 44

3.4

Analiza spectroscopica

Plasma indusa de laser este presupusa a fi optic rarefiata si in conditii locale de echilibru termic (LTE); asta inseamna ca partculele au un comportament energetic cu distributia Maxwell- Boltzman, si procesele de coliziune domina asupra celor radiative[4, 6]. Densitatea critica a electronilor necesara satisfacerii acestei conditii este data de criteriul McWhirter [29].

n

e

1.6 10

12

T

1 / 2

[

E(eV )]

3

(cm -3 ),

(5)

unde T este temperatura electronului si

maxima la cea minima in linii adiacente de tranzitie. Pentru cazul investigat aici, E 4.0216499 eV corespunde liniei de tranzitie a Al de 309.27099 nm. In acest caz, valoarea maxima a principiului mainii drepte (5) este ~10 16 cm -3 . Densitatea electronilor in norul de plasma estimata in conditiile iradierii similare celor aplicate in studiul nostru de caz, depaseste acest prag cu cel putin un ordin al magnitudinii [6, 30, 31]. Astfel putem considera ca conditiile LTE sunt complete si distributia speciilor are forma Boltzmann.

ΔE este cel mai mare interval de energie de la energia

3.5 Concluzii

In prezenta am demonstrat ca spectrul emisiei si proprietatile termo0dinamice a plasmei de ablatie produse de multiple pulsuri cu durata de nanosecunde asupra tintei metalice de Al, pot fi direct conectate cu rata ablatiei si cu dimensiunea craterelor formate. Mai exact pana la un anumit numar de pulsuri (~30 de pulsuri) acestea depind de proprietatile plasmei si de dimensiunea craterelor, intensitatea liniilor spectrale a Al neutru descreste considerabil, aproximatix liniar cu numarul de pulsuri; ulterioara crestere a numarului de pulsuri duce la o descrestere mult mai mmica a intensitatii liniilor. Printr-o analiza microscopica a craterelor de ablatie am legat acest comportament de adancimea craterelor, care creste considerabil, liniar, la inceput si la fel liniar, dar mult mai lent dupa. Analizele ulterioare a intensitatii spectrale a liniilor si latimilor indica faptul ca exista o conexiune directa intre rata de ablatie si parametrii plasmei. Temperatura plasmei si densitatea acesteia raman constante pana cand numarul de pulsuri atinge o anumita valoare (~30 de pulsuri); cresterea ulterioara a numarului de pulsuri duce la o diminuare a temperaturii si densitatii plasmei, si concomitent la diminuarea ratei de ablatie. Pentru a explica rezultatele am folosit un simplu model teoretic, unde norul de plasma este considerat un gaz ideal, a carui temperatura si densitate sunt cunoscute din masurarile spectroscopice. Norul creste dincolo de tinta (longitudional si transversal) cu o viteza anume ce depinde de temperatura, si exercita asupra tintei o presiune reciproca determinata de temperatura si densitatea plasmei. Modelul indica faptul ca sub pragul de numar de pulsuri (~30) exista cel putin o dimensiune caracteristica craterului (ex. Adancimea sau raza) care este mai mica decat lungimea hidro-dinamica a plasmei, demontrand ca plasma este practic limitata in craterul crescator. Trecand pragul numarului de pulsuri, toate dimensiunile craterelor sunt mai mari decat lungimea hidro- dinamica, norul poate creste practic liber deasupra tintei, ducand la o scadere a temperaturii si densitatii plasmei. Modelul teoretic este in continuare validat dintre concordanta inaltimii marginilor craterului si calculele de expulzare a topiturii sub influenta presiunii de ejectie.

Pagina 39 din 44

Bibliografie

[1] Bauerle, D 2000 Laser processing and chemistry, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York [2] von Allemen, M, Bllatter, A 1995 Laser-Beam Interaction with Materials, Springer-Verlag

[3] Ready, J F 1971 Effects of High-power Laser Radiation, Academic Press, New York-London [4] Griem H 1964 Plasma Spectroscopy, New York: McGraw-Hill [5] Amoruso S., Bruzzese R, Spinelli N., and Velotta R., 1999 J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 32 ,

R131–R172

[6] Dadras S, Torkamany M J and Sabbaghzadeh J, 2008 J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 225202 [7] De Giacomo A, Dell’Aglio M, Bruno D, Gaudiuso R and De Pascale O, 2008 Spectrochim. Acta. B 63, 805–16 [8] Shaikh N M, Hafeez S, Rashid B and Baig M A, 2007 Eur. Phys. J. D 44, 371–9 [9] Furusawa H, Sakka T and Ogata YH, 2004 J. Appl. Phys. 96, 975–82 [10] Bogaerts A and Chen Z, 2005 Spectrochim. Acta B 60, 1280–307 [11] Mahmood S, Rawat R S, Darby M S B, Zakaullah M, Springham S V, Tan T L, and Lee P, 2010 Physics of Plasmas 17 , 103105 [12] Gordillo-Vazquez F J, Perea A, Chaos J A, Gonzalo J and Afonso C N, 2001 Applied Physics Letters 78 , 1335853 [13] Aguilera J A and Aragon C, 2002 Appl. Surf. Sci. 197–198 , 273–80 [14] Saji K J, Joshy N V and Jayaraj M K, 2006 J. Appl. Phys. 100 , 043302 [15] Amoruso S, Bruzzese R, Spinelli N, Velotta R, Vitiello M and Wang X, 2003 Phys. Rev. B 67, 224503 [16] Yamagata Y, Sharma A, Narayan J, Mayo R M, Newman J W and Ebihara K, 2000 J. Appl. Phys . 88, 6861–7 [17] Vadillo J M and Laserna J J, 2004 Spectrochim. Acta B 59, 147–61 [18] St-Onge L and Sabsabi M, 2000 Spectrochim. Acta B 55, 299–308 [19] Sabbaghzadeh J, Dadras S and Torkamany M J, 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 1047–51 [20] Ancona A, Spagnolo V, Lugara P M and Ferrara M, 2001 Appl. Opt. 40, 6019–25 [21] Bykov NY, Bulgakova N M, Bulgakov A V, Loukianov G A, 2004 Appl. Phys. A 79 , 1097–

1100

[22] Deepak Marla, Upendra V. Bhandarkar, and Suhas S. Joshi, 2011 J. Appl. Phys. 109 , 021101 [23] Mihai Stafe, Constantin Negutu and Ion M. Popescu, 2007 Appl. Surf. Sci. 253 , 6353–6358 [24] Balazs L, Gijbels R, and Vertes A, 1991 Anal. Chem. 63 , 314 [25] Peterlongo A, Miotello A, and Kelly R, 1994 Phys. Rev. E 50 , 4716 [26] Russo R E, Mao X and Mao S S, 2002 Anal. Chem. 74 70A–77A [27] Vogel A and Venugopalan V, 2003 Chem. Rev. 103, 577–644 [28] http://physics.nist.gov/PhysRefData/ASD/lines_form.html

[29] McWhirter R W P (1965) Plasma Diagnostic Techniques, ed. R H Huddlestone and S L Leonard (New York: Academic)

[30] Isak I. Beilis (2008), Radiation Effects & Defects in Solids Vol. 163, Nos. 4–6, April–June 2008, 317–

324

[31] N.M. Shaikh, S. Hafeez, B. Rashid, and M.A. Baiga, (2007) Eur. Phys. J. D 44, 371–379

Pagina 40 din 44

4. Concluzii

Dintr-o sursa versatila de energie intr-o forma foarte concentrata, laserul a evoluat ca o unealta atractiva si un instrument de cercetare, cu potential in aplicatia in o multime diversificata de domenii si industrii. In unele aplicatii, precum fuziunea atomica si separarea izotopica, puterea laserului este foarte importanta. In alte aplicatii, scopul principal al utilizarii laserelor consta in monocromaticitatea si coerenta acestuia (detectia poluarii, masurarea lungimii/vitezei, interferometrie, etc.), divergenta mica (spectacol cu lasere, aratatoare, dispozitive audio si video), sau o combinatie dintre toate cele ( comunicatii, holografie, metrologie). Conform, ultimelelor decade au fost dezvolate multe tipuri de laser, capabile sa livreze o varietate mare de lungimi ge unda, energie, distributie temporala si spectrala si eficienta. Laserele principale folosite in ablatia pulsata prin laser si proprietatile lor sunt prezentate in capitolul II. Criteriile fundamentale pentru alegerea conditiilor de iradiere pentru o ablatie de inalta calitate a materialului, consta in principiu in relatia dintre rata ablatiei si adancimea termala si optica a penetrarii. Adancimea optica a penetrarii plasmei ar trebui sa fie considerata din moment ce plasma actioneaza ca o sursa secondara de caldura, dar si ca un scut de protectie impotriva laserului incident. Electronii liber a laserului au avantajul ajustabilitatii si teoretic a lungimii de unda nelimitata pentru lasere ordinare. Lungimile de unda mai mici descresc potential suprafata de actiune, marind precisia laserului in procesarea materialelor. Tehnologiile prezente permit laserelor procesarea dimensiunilor sub un micrometru doar prin folosirea retelei de tehnici interferente. Oricum astfel de tehnici, sunt deobicei limitate la parametri specifici, datorita limitarii franjelor de interferenta. Actuala precizie micrometrica, poate fi potential imbunatatita in viitorul apropiat pana la picometri sau nanometri, prin reducerea lungimii de unda si prin cresterea performantei de focus. Aceasta ar trebui sa fie un mare salt in dezvoltarea tehnologica pentru nanotehnologii, luand performanta acuala a fasciculelor de ioni si electroni. Cateva forme de tehnici de spectroscopie, folosesc laserele ca o unealta de culegere a mostrelor sau ca o sursa de excitatie. Avantajul principal care unele dintre aceste tehnici il ofera, este ca ele sunt capabile de analiza inauntru, extrem de rapida a compozitiei materialului necunoscut si in unele cazuri sunt non-destructive. Metodele de monitorizare in timp real fac posibila analiza a unor fenomene termale si optice, ce au loc de-a lungul iradiatiei prin pulsatia laserului. Acestea, schimbarea starilor de agregare a suprafetelor iradiate, dezvoltarea norului de vapori si ionizarea acestuia, sau generarea ultrasunetelor/undelor de soc in interiorul tintei si imprejur sunt exemple a fenomenului care, prin monitorizarea corespunzatoare, aduce informatii utile despre Ablatia Laser Pulsata. Printre aceste metode sunt opto-acustice, interferometrice, piezo-microbalansate si tehnicile spectroscopice. Interactiunea lasero-material aduce baza pentru sensorii ultrasonici a laserelor, metode fara contact si nedestructive a testarii materialelor cu aplicatii industriale in controlul calitatii. Totusi, procesul de analiza a materialelor solide poate singur sa rezulte din resturi de hazard, din moment ce aceste materiale adesea necesita sa fie dizolvate, pentru a forma un lichid ce poate fi analizat spectrofotometric. In ultimii ani, ablatia laser si spectroscopia folosite pentru autocaracterizarea lor, au crescut imens interesul pentru acestea, precum a fost demonstrat de numeroase cercetari si teorii relative la subiect [4-15]. Ablatia laser, este procesul de tintire a fascicolului de laser asupra materialului tinta, cauzand o cantitate mica a acestuia sa fie vaporizata, astfel incat analizele spectroscopice si cele asistate de calculator pot fi efectuate in secunde, ceea ce a devenit baza pentru tehnologia de studii chimice. Deasemeni, ablatia laser este rapida si ieftina, permitand tehnicienilor sa conduca multe teste si mostre in timp real. Aceasta tehnologie reduce reziduurile chimice din testarea proceselor pana la aproape zero, simplificand colectarea de mostre, si marind viteza procesului de testare, ducand spre dezvoltarea tehnologiilor eco pentru analiza compozitiei a solidelor necunoscute, lichidelor si gazelor.

Pagina 41 din 44

Din procesul de ablatie laser, doua tehnici apropiate sunt folosite cu succes, spectroscopia indusa in norul de plasma (LIBS), facanduse corelarea cu elementele chimice si concentratia, cat si spectroscopia masei de plasma(LA-ICP-MS), unde particulele mici din ablatie sunt masurate. In LIBS precizia fiind aproximativ de o patre din milion, iar LA-ICP-MS avand precizia de

o parte pe bilion. Ambele tehnici permit masurarea a intregii compozitii chimice a tintelor, folosind

pulsurile de laser si pot fi folosite ca metode pentru element si selectia de izotopi din materialele solide.

In ultima decada LIBS a devenit foarte populara metoda analitica, din perspectiva a unor posibilitati unice precum aplicabilitatea in orice tip de mostra, practic fara prepararea mostrei, capacitate sensitiva de la distanta,(aplicata in probleme provocator de importante precum:

explozibili, reziduuri nucleare, explorarea de spatiu etc.), si in viteza analizei. Din literatura stim ca LA-ICP-MS, a oferit acces in diferite discipline precum: biologia, metalurgia, arheologia, stiinta materialelor (chiar si asa, fiind majoritar aplicata in domeniul geologiei), in ultima vreme interesul pentru LA-ICP-MS e in crestere continua deoarece instrumentatiei imbunatatite si a cuantificarii rafinate a strategiilor. Operatiile de rutine a laserelor de femtosecunde vor permite cercetatorilor sa aprofundeze precizia cercetarilor la nivel de nanometri, si deasemeni sa performeze analize de acuratete nu doar pentru dielectrice, dar si pentru metale si semiconductoare. Primele eforturi experimentale au oferit deja fezabilitatea LA-IPC-MS in domeniul nanostructurilor, totusi, analiza sistemelor binare sau ternare spre ex. Incluzand cuantificarea constituentilor minor, vor necesita imbunatatirea sensibilitatii cu cel putin doua sau trei ordine de marime. In cazul nanoprobelor precum tomografia probelor atomice (APT) sau spectrometria ionilor nano-secundari (SIMS) a aplicatiei LA-IPC-MS vor depinde de avansurile facute in vederea ionilor prin instrumentele (ICP-MS) actuale. Spectrometria masica poate fi aplicata pentru masurarea directa a speciilor intermediare. Folosind emisia spectroscopica, este posibil sa determinam temperatura electronilor pe durata procesului de ablatie (aceasta fiind intre 6000-10000K si proportionala cu puterea laserului). Deasemeni, este posibil sa se determine forma stoichiometrica si morfologica a nanoparticulelor depozitate de ex. pe banda de carbon la diferite presiuni atmosferice arata procent diferit de cupru si nanoparticule. Analizand materialele pentru determinarea compositiei lor chimice, este o unealta de baza a stiintei, si este folosita zilnic nu doar pentru cercetare, ci si pentru scopuri precum testarea sigurantei mancarurilor, detectia explozivilor, si resturilor periculoase si remediilor. Testele bazate pe ablatia laser, deasemeni pot fi folosite in diverse aplicatii ecologice. De exemplu, un producator de electronice, foloseste aceasta pentru a determina daca componentele sunt bine lipite cu flutor, si nu au exces si sunt libere in acelasi timp de particule de fludor pe suprafata sa, aceasta fiind necesara multor companii. Ablatia laser, deasemeni, permite analiza controlului puritatii de silicon, folosit in panourile fotovoltaice. Ablatia laser poate fi folosita pentru depozitarea de nanoparticule pe suprafete metalice fomrand bimetale (de ex. Ag-Ni) si alte tehnici precum, scanarea microscopica a electronilor, spectroscopia dispersiei energetice, Raman si fotoelectroni de raze X, respectiv spectroscopia poate

fi folosita pentru caracterizarea morfologiei, caracteristicei si constructiei a particulelor de bimetal

sintetizat.

Pagina 42 din 44

Bibliografie

[1] G. Edwards, R. Logan, M. Copeland, L. Reinisch, J. Davidson, B. Johnson, R. Maciunas, M. Mendenhall, R. Ossoff, J. Tribble, J. Werkhaven, D. O’Day, Tissue abblation by a free-electron laser tuned to the amide II band. Nature 371, 416-419 (1994) [2] B. Choi, G. Vargas, D.X. Hammer, B. Sorg, T.J. Pfeferm J.M.H. Teichman, A.J. Welch, E.D. Jansen, Free electron laser ablation of urinary calculi: An experimental study. IEEE J. Sel. Top. Quantum ELEctron 7, 1022-1033 (2001) [3] S.R. Uhlhorn, R.A. London, A.J Makarewicz, E.D. Jansen, Hydrodynamic modeling of tissue ablation with a free-electron laser, in Proceedings of Laser-Tissue Interaction XI., SPIE, vol. 3914A, p. 238 (2000) [4] H.R. Griem, Principles of Plasma Spectroscopy (Cambridge University Press, Cambridge,

2005)

[5] J. Koch, D. Guenther, Review of the state-of-art of laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry. Appl. Spectrosc. 65, 155A-162A (2011) [6] A.J. Carado, C.D Quarles, A.M. Duffin, C.J. Barinaga, R.E. Russo, R.K. Marcus, G.C. Eiden, D.W. Koppenaal, Femtosecond laser ablation particle introduction to a liquid sampling-atmospheric pressure glow discharge ionization source. J. Anal. At. Spectrom. 27, 385-389 (2012) [7] S.B. Wen, C.F. Chen, X. Mao, R.E. Russo, Guiding and focussing of a nanosecond infrared laser within transient hollow plasma femtosecond filament channels. J. Phys. D Appl. Phys. 45, 355203

(2012)

[8] V. Zorba, X. Mao, R.E. Russo, Ultrafast laser induced breakdown spectroscopy for high spatial resolution chemical analysis. Spectrochim. Acta, B-At. Spectrosc. 66, 189-192 (2011) [9] R. Ahmed, M.A. Baig, On the optimization for enchanced dual-pulse laser-induced breakdown spectroscopy, IEEE Trans. Plasma Sci. 38, 2052-2055 (2010) [10] S.S. Yap, W.O. Siew, C.H. Nee, T.W. Reenaas, T.Y Tou, Laser ablation and growth of Si and Ge. Thin Solid Films 520, 3266-3270 (2012) [11] D.N. Patel, P.K. Pandey, R.K. Thareja, Stoichiometric investigations of laser-ablated brass plasma. Appl. Opt. 51, B192-B200 (2012) [12] Q. Xiao, Z. Yao, J. Liu, R. Hai, H.Y. Oderji, H.Ding, synthesis and characterization of Ag-Ni bimetallic nanoparticles by laser-induced plasma. Thin Solid Films 519, 7116-7119 (2011) [13] J. Heitza, S. Yakunina, T. Stehrera, G. Wysockic, D. Baeuerlea, Laser-induced nanopatterning, ablation, and plasma spectroscopy in the near-field of an optical fiber tip. In, Proceedings of SPIE, vol. 7131, pp. 7131-7137 1W (2009) [14] M. Kompitsas, F. Roubani-Kalantzopoulou, I. Bassiotis. A Diamantopoulou, A. Giannoudakos, Laser induced plasma spectroscopy (LIPS) as an efficient method for elemental analysis of environmental samples, in Proceedings of EARSeL-SIG-Workshop LIDAR, Dresden/FRG, pp. 130-138, 16-17 Jun 2000 [15] S.S. Harilal, G.V. Miloshevsky, P.K. Diwakar, N.L. LaHaye, A. Hassanein, Experimental and computational study of complex shockwave dynamics in laser ablation plumes in argon atmosphere. Phys. Plasmas 19, 083504-1-083504-10 (2012)

Pagina 43 din 44