Prelucrari prin metoda laser - ablatia laser

Cuprins

1. Introducere ..1
1.1 Procese elementare de absorbtie .. 4
1.2 Expulzarea de substanta sub actiunea radiatiei laser (Ablatia Laser) ..7
2. Analiza laserului folosit in experimentul de ablatie laser .17
2.1 Generalitati ...17
2.2 Laserele comutate in modul Q ....21
2.3 Setarile de baza ale experimentului ...28
3. Partea experimentala ...34
3.1 Introducere ...34
3.2 Experiment ...35
3.3 Rezultate si discutii ..36
3.4 Concluzii (experimentale) ...40
4. Concluzii 42
1. INTRODUCERE

In ultimele decenii, necesitatea realizarii unor dispozitive electronice si opto-electronice

performante care sa ne usureze viata de zi cu zi, a impus un ritm alert de dezvoltare a noi
materiale simple sau complexe cu proprietati multifunctionale. Aceasta dezvoltare tehnologica a
dus la o crestere continua a performantelor, ajungand ca ultima limitare sa fie data de frontiera
fizica a unui material Intr-o anumita clasa de proprietati. Acesta este motivul pentru care
industria semiconductorilor si comunitatea cercetatorilor si-au unit eforturile pentru gasirea de
solutii alternative, cum ar fi descresterea lungimii de unda folosita in procesele de litografiere,
inlocuirea Al cu Cu in rezistoare, identificarea unor materiale cu constanta dielectrica mica
pentru izolatori si respectiv a materialelor cu constanta dielectrica mare pentru portile
tranzistoarelor.
Tranzistoarele cu efect de camp, pentru care poarta dielectrica este de obicei SiO 2, raman
elementele cheie ale dispozitivelor logice si memoriilor, intr-o arie larga de aplicatii comerciale
si de securitate. Aceste aplicatii reprezinta miezul tehnic al societatii moderne si joaca un rol
fundamental (desi de multe ori invizibil) in rutina zilnica, cum ar fi calculul asistat de computer,
retele, senzori, telecomunicatii, stocare si procesare de date si alte sisteme variate.
Una dintre cele mai dificile provocari cu care se confrunta tarile industrializate in acest
secol o constituie gestionarea deseurilor nucleare. O posibila optiune pentru eliminarea excesului
de plutoniu care provine din centralele nucleare este incinerarea intr-un reactor cu apa usoara. In
acest scop a fost avansat conceptul de matrice de combustibil inert. Astfel, ceramicile cristaline
au fost identificate ca potentiali candidati pentru imobilizarea si/sau transmutatia deseurilor
nucleare din reactoarele nucleare existente sau nou construite.
Compusii binari sau ternari ca ZnO, ZrO 2, ZrSixOy, HfO 2, HfSixOy, Ta 2O5, TaSixOy,
Nb2O5, NbSixOy, WO3, SiC prezinta un mare interes pentru aplicatiile enumerate anterior.
In industria electronica este necesara obtinerea compusilor sub forma de film subtire cu
grosimi de ordinul nanometrilor. Aceasta poate fi efectuata prin numeroase tehnici de depunere:
depunerea fizica din faza de vapori, depunerea chimica din faza de vapori, depunere in straturi
atomice, imprastiere cu radio-frecventa, etc. Dezavantajele majore ale acestor tehnici sunt fie
temperaturile mari de lucru, fie utilizarea de precursori scumpi si foarte corozivi, fie tratamentele
ulterioare termice si electrice de cristalizare si polarizare.
O metoda fiabila si ieftina de obtinere de compusi simpli sau complecsi, care are la baza
laseri in pulsuri, este depunerea laser pulsata (Pulsed Laser Deposition PLD) numita si ablatie
laser.

Pagina 1 din 44
 Metoda de depunere cu laseri pulsati implica interactia fascicolului provenit de la o sursa
laser cu materialul unei tinte (solide sau lichide), producandu-se o plasma prin care acesta este
transportat pe un substrat, sub forma unui film subtire.
Aceasta metoda prezinta numeroase avantaje: a) camera de depunere este un reactor
curat deoarece sursa de energie (laserul) este exterioara camerei de reactie; b) procesul de
depunere poate fi usor controlat datorita faptului ca procesele implicate sunt puternic influentate
de parametrii laserului (lungime de unda, fluenta laser, aria spotului laser, durata pulsului laser,
rata de repetitie etc.), iar acestia pot fi controlati din exteriorul camerei de reactie; c) grosimea
filmelor produse poate fi usor controlata prin numarul de pulsuri cu care este iradiat materialul;
d) radiatia laser poate fi focalizata in spoturi cu dimensiuni foarte mici ceea ce permite
procesarea selectiva a regiunilor de interes; e) transferul de la tinta la substrat este
stoechiometric; f) se pot produce materiale noi sau in stari metastabile, imposibil de realizat prin
alte tehnici.
Ablatia laser poate fi clasica, prin iradierea unei tinte (material) metalice sau ceramice in
vid sau in atmosfera gazoasa sau ablatie alternativa pin iradierea a doua sau mai multe tinte,
obtinandu-se fie materiale complexe sub forma de filme subtiri, fie heterostructuri, in functie de
numarul de pulsuri cu care este iradiata fiecare tinta.
Procesul de depunere laser pulsata poate avea loc in vid sau in atmosfera gazoasa inerta
sau reactiva. In scopul cresterii reactivitatii speciilor care promoveaza depunerea filmelor subtiri
se poate implementa la sistemul simplu de depunere, un sistem de descarcare In plasma de radio-
frecventa In atmosfera gazoasa, avand astfel loc ablatia asistata de descarcare in radio-frecventa
(Radio Frequency Assisted Pulsed Laser Deposition RF-PLD).

DETALIERE ABLATIA LASER SI OBTINEREA DE STRATURI

SUBTIRI

1.1 Procese elementare de absorbtie

In teoria electrodinamica, campul electric al unei unde plane ce se propaga intr-un mediu
omogen si neabsorbant este descris de ecuatia:
(1.1)

unde k este vectorul de unda, pulsatia si r vectorul de pozitie pe directia de propagare a

undei.

Corespunzator, forta exercitata de campul electromagnetic asupra unei sarcini incarcate

Pagina 2 din 44
 electric este:
(1.2)

unde:
q este sarcina electrica, B este inductia magnetica iar este viteza particulei.
Contributia componentei magnetice a fortei asupra sarcinii electrice este mult mai mica
decat cea a campului electric si de aceea termenul doi se neglijeaza.
Legatura intre amplitudinile campului electric si magnetic este descrisa prin relatia:
(1.3)
aici n este indicele de refractie, c este viteza luminii iar 0 este permitivitatea absoluta a
vidului.
In cazul unei unde electromagnetice, fluxul de energie (puterea) pe unitatea de arie este
data de relatia:

(1.4)
In cazul mediilor absorbante indicele de refractie se defineste ca fiind un numar complex:

(1.5)
n(), k() sunt partea reala si respectiv imaginara a indicelui de refractie.
Pe de alta parte: (1.6)

cu (1.7)

si (1.8)

Absortia luminii ce se propaga in medii omogene este descrisa de legea lui Lambert-Beer:
I ( z) = I 0 exp( z) (1.9)

unde este coeficientul optic de absorbtie intr-un material omogen si pur iar z grosimea

(1.10)
iar k() este coeficientul de extinctie.

Reflectivitatea si transmitivitatea la incidenta normala sunt date de relatiile:

Pagina 3 din 44
 (1.11)

(1.12)

Atunci cand grosimea materialului z este semnificativ mai mare in raport cu adancimea de
penetrare optica avem:
L =1/
0

(1.13)

unde Lo este adancimea de penetrare optica.

Absorbtia A se determinata din relatia: A=1-R (1.14)

Daca absorbtia este proportionala cu densitatea centrilor de absorbtie si sectiunea lor

tranversala de imprastiere, atunci ea variaza liniar cu adancimea.
Pe de alta parte cand I0 are valori mari absorbtia poate fi neliniara. Pentru radiatia UV
4 2
valoarea de prag corespunzatoare este I0 10 W/cm . Un exemplu concret este cel al
absorbtiei de 2 fotoni.
Pentru excitarea electronilor de valenta trimisi in banda de conductie prin absorbtie de 2

fotoni conservarea energiei necesita conditia: (1.15)

In cazul radiatiei laser 1= 2 , iar Eg este largimea benzii interzise.

Probabilitatea de a gasi doi fotoni simultan in aceeasi locatie este proportionala cu patratul
intensitatii. In cazul in care se ia in considerare numai absorbtia liniara de 2 fotoni atunci:
(1.16)

unde este coeficientul de absorbtie de 2 fotoni.

Daca termenul I2 se inlocuieste cu II0 avem:

(1.17)

Pagina 4 din 44
 I ( z) = I 0 exp[( + I 0 ) z] (1.18)
In cazul generalizat absorbtia neliniara este data de relatia:

I ( z) = I exp{[ + j I + k I ...] (1.19)

2
0 i
i
j k
z}

unde , , sunt coeficientii de absorbtie de 1, 2, 3 fotoni pentru speciile i,j,k.

i j k

Coeficientii de absorbtie sunt determinati de numarul de particule din fiecare specie

absorbanta pe unitatea de volum si sectiunea transversala corespunzatoare.

1.2 Expulzarea de substanta sub actiunea radiatiei laser (Ablatia laser)

Un termen frecvent folosit pentru expulzarea substantei sub actiunea radiatiei laser intense
este ablatia laser. Aceasta isi are originea in cuvantul latin ablatum - a aduce cu sine, a
transporta. Termenul de ablatie laser este folosit intr-un sens larg pentru descrierea evacuarii de
material indusa laser. Ea poate include si inlaturarea de material a unui produs volatil in cazul
corodarii chimice.
Ablatia laser poate fi definita ca un proces de imprastiere ce conduce la ejectia de ioni, atomi,
molecule si chiar clusteri de pe o suprafata. Ea are ca efect conversia energiei laser absorbite in
energie cinetica a particulelor prin fotoexcitari electronice sau vibrationale.

Acest proces este caracterizat de obicei de un prag de fluenta (densitate de energie) sau prag
2
de ablatie Fth (J/cm ), la depasirea caruia in material se produc modificari macroscopic. Acest
prag de fluenta precum si timpul de termalizare depind de caracteristicile de material si
parametrii de procesare (durata pulsului, lungimea de unda/frecventa radiatiei, etc).
Daca durata pulsului este mai mica decat timpul de termalizare, cuplajul electron-fonon si
secventa de relaxare termica pot fi evitate pe durata mai scurta a pulsului laser.
In regimuri de inalta intensitate, apar noi canale de excitare cand campul electric al
pulsului poate depasi pragul de strapungere (breakdown) optic.Materia ablata este atunci
convertita la o scara de timp ultrarapida in plasma (vezi Fig. 1.1).

Pagina 5 din 44
 Fig. 1.1 Reprezentarea schematica a interactiei pulsurilor scurte cu materia. Topirea
suprafetei si formarea undei de soc.

Initial, interactia laser-materie poate crea in solid electroni excitati de catre campul
electric intens al radiatiei incidente. Aceasta conduce la ejectia de electroni prin emisie
termoionica sau fotoelectronica si in final la formarea unei plasme deasupra suprafetei la o
scara de timp de picosecunde. In solide, electronii excitati sufera relaxari electron-fonon prin
care energia este transferata retelei. Prin vibratii ale retelei, energia transferata este disipata in
volumul din zona iradiata sub forma de caldura. Conductia termica se produce la o scara de
cateva zeci de ps care este cu putin mai mare decat timpul de relaxare electron-fonon.
Ca efect al incalzirii, materialul se va topi si evapora (Fig. 2.1). Particulele parasec lichidul
in timpul evaporarii si se stabileste un echilibru al distributiei de viteze intr-o mica zona
plasata deasupra zonei de iradiere numita strat Knudsen. In continuarea stratului Knudsen,
norul de plasma expandeaza rapid comprimand gazul ambiant vecin si generand o unda de soc.
Lungimea stratului de plasma este mai mica decat diametrul spotului de iradiere laser. In
general, viteza la marginea stratului Knudsen este determinata de starea de curgere spre
exterior. Atunci cand vaporizarea indusa laser se produce in vid se presupune ca ablatia este
libera si viteza la marginea stratului Knudsen este egala cu viteza locala a sunetului.
Norul de plasma poate interactiona cu pulsul laser, ecranand suprafata probei de actiunea
ulterioara a acestuia. Plasma de temperatura inalta poate incalzi suprafata probei prin actiune

Pagina 6 din 44
radiativa.

Vaporizarea probei si expansiunea dinamica a plasmei se produc la o scala de timp de

ordinul ns. Alte procese de expulzare a materialului ca exfolierea sau ejectia de picaturi au loc
la o scara de timp substantial mai indelungata.
Ablatia termica sau fototermica descrie situatia in care radiatia laser este convertita in
energie de vibratie a retelei anterior ruperii legaturii materialului ejectat de la suprafata.
Ablatia termica difera de ablatia fotochimica (sau electronica) in cazul careia excitarile
electronice induse laser conduc la ruperea legaturilor, inainte ca transferul de energie
electronic la cel vibrational sa se produca.
Ambele tipuri de ablatie produc expulzarea de material de dimensiune atomica. Celelalte
doua tipuri de ablatie, hidrodinamica si prin exfoliere, pot produce expulzarea de fragmente
mari.
Ablatia laser se obtine intr-un interval de timp esalonat pe durata a mai multor ordine de
-15
marime. Ea incepe cu absortia electronica a radiatiei laser (10 s), continua cu ejectia de
-6
particule (10 s) pana la terminarea pulsului laser. Retinem ca:
Timpul caracteristic de ciocniri electron-electron este cuprins in 10 10 s;
-14 e-e -12

Timpii de relaxare electron-fonon de 10-12 e-ph 10-10 s, sunt mai mari datorita
diferentelor de mase dintre ioni si electroni;

Timpii de excitare electronica interbanda in dielectrici sunt mult mai lungi, de

(10 10 )s;
-12 bv-bc -6

Excitarile electronice localizate asociate defectelor, impuritatilor sau suprafetei pot

-6
avea timpi de viata mult mai lungi decat 10 s.

Ori de cate ori intensitatea laser incidenta este inferioara pragului de ablatie nu observam
o ejectie semnificativa de particule. Totusi unii atomi sau ioni individuali pot fi inlaturati sau
desorbiti de pe suprafata probei. Atunci cand un puls laser interactioneaza cu suprafata unei
probe, excitatiile electonice induse laser pot fi semnificative, desi topirea si vaporizarea nu se
produc. Initial, electronii energetici indusi sub actiunea radiatiei laser nu se afla in echilibru
cu materialul probei si nici cu gazul electronic insusi. Emisia de elecroni poate avea loc la
suprafata materialului ca rezultat al unei combinatii intre efectele fotoelectric si termoionic. In
acest mod electronii de la suprafata castiga suficienta energie pentru a strapunge bariera de
potential. Pentru electronii care nu parasesc suprafata probei are loc o competitie intre

Pagina 7 din 44
diferitele procese de relaxare (localizate si delocalizate) care in general includ ciocnirile cu
fononii si plasmonii, defectele si impuritatile, electronii si golurile.

Desorbtia unor ioni sau atomi izolati poate avea loc daca procesele de relaxare locale
domina. De exemplu, energia laser absorbita de catre un sistem electronic poate fi transferata
catre un singur tip de atomi, precum absorbanti sau defecte. Daca aceasta energie se
redistribuie unui singur tip de absorbant, pentru un timp destul de lung (tipic cateva
perioade de vibratie), legaturile chimice se rup si atomul sau ionul paraseste pozitia sa de
echilibru.
Daca intensitatea laser creste in continuare, o fractiune importanta a regiunii iradiate laser
este inlaturata. Cel mai simplu mecanism de ablatie este topirea si vaporizarea indusa laser cu
disiparea de energie in volumul probei prin conductie de caldura. Pentru lungimi de unda in
domeniu UV NIR (infrarosu apropiat), stadiul initial al ablatiei este absorbtia energiei
fotonului de catre electronii liberi sau legati din interiorul probei. Acesti electroni energetici
(respectiv golurile pentru probele nemetalice) se ciocnesc cu reteaua de fononi si cedeaza
energie acesteia prin mecanisme de relaxare delocalizate. Cand temperatura retelei depaseste
punctul de topire al materialului probei, o distrugere ireversibila a suprafetei se produce in
zona de iradiere laser.
Daca o energie suplimentara este livrata probei topite se initiaza o vaporizare
semnificativa din aceasta zona. Pentru ca presiunea vaporilor este de obicei mult mai mare
decat cea a mediului ambiant, se formeaza un nor de material evaporat care se propaga de la
suprafata probei. Datorita faptului ca proprietatile termice precum temperaturile de topire si
evaporare variaza cu ordine de marime, de la material la material, ablatia laser a aliajelor
multielementale se poate produce fractionat. Masa ablata va avea atunci o compozitie diferita
fata de cea a probei. Lungimea de unda, durata pulsului si modul de transport al substantei
ablate pot determina ablatia laser fractionata.
Daca energia laser va mai creste, norul de substanta ablata in expansiune poate fi partial
ionizat. Aceasta ionizare contribuie la reducerea eficientei ablatiei si la alte efecte importante
pentru intensitatile laser moderate si mari. Un comportament asociat acestui caz este ecranarea
sau absorbtia unei parti importante a pulsului laser de catre norul de plasma ionizat. Pentru ca
electronii de emisie sunt generati in prima parte a procesului de ablatie, ei castiga energie de la
pulsul laser prin ciocniri cu masa de vapori ionizati ce parasesc suprafata probei. Acesta este
un exemplu de proces de absortie Bremsstrahlung invers. Ionizarea masei de vapori are loc
cand energia cinetica a electronilor energetici depaseste potentialul de ionizare al atomilor
evaporati din proba.
Forma tipica a norului de vapori este semisferica. El are o expansiune dinamica deasupra

Pagina 8 din 44
 3 4
probei cu o viteza tipica de ordinul (10 - 10 ) m/s, perpendicular pe suprafata.
Temperaturile speciilor din plasma pot atinge valori de ordinul a 1000 eV in imediata
apropiere a suprafetei, dar scad la cativa eV la limita plasmei. Norul de plasma de
deasupra suprafetei tintei se extinde si se ionizeaza intr-un interval de timp de ordinul
nanosecundelor. In consecinta, absorbtia energiei laser de catre vaporii ionizati din plasma
este neglijabila in cazul pulsurilor mai scurte de 1 ns. Efectele de ecranare sunt prezente in
cazul ablatiei laser la puteri mari si moderate cu pulsuri laser cu durate intre (1-100) ns. Un
nor de plasma slab ionizat absoarbe ~50% din energia unui puls laser cu o intensitate de 1
2
GW/cm . Daca intensitatea creste, ecranarea va produce diminuarea si mai semnificativa a

eficientei ablatiei laser. Este de asteptat ca atunci cand energia depozitata in proba depaseste
cu mult caldura latenta de vaporizare a tuturor constituentilor din proba, proprietatile fiecarei
componente individuale sa joace un rol relativ mic in inlaturarea de ansamblu a substantei.
Cu alte cuvinte toate componentele pot fi vaporizate si ulterior evacuate. Prin cresterea
intensitatii laser, impactul ionizarii si absortia multifotonica se produc anterior formarii
norului de vapori, deoarece in imediata apropriere a suprafetei are loc excitarea unui numar
mare de electroni ce conduce la formarea unei densitati de electroni localizati deasupra
2
suprafetei. Pentru intensitati laser foarte mari (> zeci de GW/cm ), suprafata probei poate
atinge o stare caracterizata termodinamic ca punct critic. In apropierea punctului critic, proba
sufera o tranzitie rapida de la cea de lichid supraincalzit la un amestec de vapori si picaturi de
lichid ce sunt ejectati exploziv de la suprafata.

Din punctul de vedere al balantei energetice, tranzitia de faza solid-lichid este esentiala.
Ea este urmata de vaporizare pana la atingerea temperaturii critice. Energia necesara
transformarii masei de substanta din solid in vapori consuma o mare parte din energia laser
absorbita. Ea este folosita in doua scopuri pentru compensarea caldurilor latente de topire si a
celor de vaporizare care urmeaza.
Atunci cand suprafata probei depaseste temperatura critica, lichidul dens si vaporii se
contopesc lin. In acest caz nu exista o delimitare sau contributie neta a caldurilor latente
respective la procesul de tranzitie. De aceea, ori de cate ori pe suprafata se atinge
temeperatura critica (ce depaseste in general de cateva ori punctul de vaporizare), aceeasi
energie laser absorbita in proba converteste in vapori si plasma o cantitate semnificativ mai
mare de substanta. Pentru intensitati laser mari, fractiunea de sub spotul laser (amprenta
fasciculului) a volumului probei iradiate este incalzita peste temperatura de fierbere si devine
metastabila. In apropierea starii critice termodinamice, fluctuatia densitatii masice locale

Pagina 9 din 44
poate genera bule de vapori in interiorul volumului de lichid supraincalzit. Rata nucleatiei
omogene de vapori se amplifica foarte rapid in vecinatatea temperaturii critice. Bulele cresc
in volum daca raza lor este mai mare decat o anumita valoare critica caracteristica.
Deindata ce in stratul de lichid supraincalzit sunt generate bulele mari, proba sufera o tranzitie
catre un amestec de vapori si picaturi de lichid. Expansiunea rapida cu mare presiune a bulelor
in proba topita conduce la ejectia violenta de picaturi topite. Acest proces este cunoscut ca
ablatie exploziva sau explozie de faza. Evaporarea moleculelor, atomilor, ionilor si propagarea
undei de soc se produc intr-un interval de ordinul nanosecundelor. Pe de alta parte, evacuarea
picaturilor are loc pe o durata de zeci de milisecunde. In acest regim de ablatie, craterele
sapate in proba sunt de obicei substantial mai adanci decat cele create de intensitati incidente
mai scazute.
Cand un puls laser focalizat de mare putere ableaza o proba intr-un gaz ambiant (Fig.

1.2) se poate forma o plasma intr-un interval de ordinul picosecundelor anterior aparitiei
norului de vapori din materialul probei. In acest prim stadiu se pot genera densitati de
20 3
electroni de ~10 cm (la o scara de timp de picosecunde). Aceste mari densitati indica
faptul ca electronii din aceasta plasma provin initial de la suparafata probei si nu din ionizarea
directa a gazului sub actiunea radiatiei laser. Intr-o prima faza a iradierii laser, electronii
generati de la suprafata probei (prin emisie termoionica si fotoelectrica) se ciocnesc cu
moleculele de gaz si absorb energia laser in principal prin procese Bremsstrahlung inverse.

Fig. 1.2 Evolutia plasmei conform modelului de exfoliere

Acesti electroni energetici ionizeaza ulterior gazul care expandeaza rapid pe durata
pulsului laser. Ei contribuie astfel la expansiunea plasmei de gaz ionizat. Aceasta prima

Pagina 10 din 44
plasma poate absorbi o cantitate semnificativa de energie din pulsul laser. Ca urmare,
eficienta evacuarii materialului va scadea datorita cantitatii reduse de energie incidenta pe
proba ( Fig. 1.3). Aproximativ 50% din energia pulsului laser poate fi absorbita in aceasta
prima etapa de formare a plasmei electronice.

Fig.1.3 Imagini integrate in timp ale expansiunii plasmei laser in azot la diferite presiuni

-1 -1 -4
(stanga 4.10 Pa, centru 10 Pa, dreapta 10 Pa) [1.7]

In cazul pulsurilor laser cu durata de ordinul picosecundelor plasma electronica se

formeaza intr-un timp de picosecunde si expandeaza imediat longitudinal.
Geometria conica a plasmei electronice este substantial diferita de cea a norului de plasma
(care are o forma semisferica si este generata intr-un interval de nanosecunde). Deoarece
plasma de electroni se formeaza in primele picosecunde de la inceputul interactiei radiatie
laser cu tinta, aceasta va absorbi partea anterioara a energiei pulsului laser in cazul ablatiei in
nanosecunde comparativ cu vaporii ionizati care absorb partea finala a pulsului laser. In acest
regim de ablatie de mare intensitate eficienta va fi redusa ca efect al absorbtiei in plasma (in
particular in cazul abaltiei laser cu pulsuri de picosecunde sau cateva nanosecunde).
Atunci cand intensitatea unui puls laser ultrascurt este suficient de mare (de ordinul
2
TW/cm ), se poate obtine o densitate foarte mare de excitari electronice in proba (densitatea
22 -3
de electroni corespunzatoare este 10 cm ). Ca rezultat, ionii individuali din volumul
stratului iradiat pot fi plasati intr-o stare de antilegatura. In acest caz proba poate suferi o
tranzitie de la o stare de solid cu legaturi puternice intr-un gaz dens de ioni cu presiune mare
care parasesc rapid suprafata probei (de exemplu prin repulsii Coulombiene). Un astfel de
proces de ablatie este mai putin dependent de proprietatile termice care determina compozitia
masei ablate cu pulsuri laser de nanosecunde.

Pagina 11 din 44
 Avand in vedere procesele fizice de interactie analizate dintre radiatia laser si materie in
aceasta sectiune, se pot identifica patru clase mari de mecanisme de ablatie laser, dupa cum
urmeaza:
i. Ablatie termica,

ii. Ablatie electronica,

iii. Ablatie hidrodinamica si respectiv

iv. Ablatie prin exfoliere

In functie de conditiile concrete de lucru, intr-un proces de ablatie laser, oricare dintre
aceste mecanisme poate fi dominant si coexista cu celelalte mecanisme care pot aparea la o
scara corespunzator mai redusa.

Referinte Capitol Introductiv

1.1. J.C. Miller, Laser Ablation Principles and Applications, Springer Verlag, Berlin, (1994)

1.2. M. Physical Von Alleman, A. Blatter, Laser-Beam Interactions with Materials: Principles
and Applications, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, (1995)

1.3. D.B. Chrisey, A. Pique R.A. McGill, J.S. Horwitz, B.R. Ringeisen, D.M. Bubb, P.K Wu,

Laser Deposition of Polymer and Biomaterial Films, Chem. Rev., 103 (2), (2003), 553-576

1.4. Leonid V. Zhigilei, Prasad B. S. Kodali, Barbara J. Garrison, A Microscopic

View of Laser Ablation, J. Phys. Chem. B, 102 , (1998), 2845-2853

1.5. P. R. Willmott, J. R. Huber, Pulsed laser vaporization and deposition,

Reviews of Modern Physics, 72 (1), (2000) 315-328

1.6. L.V. Zhigilei, B.J. Garrison, Mechanisms of laser ablation from molecular

dynamics simulations: dependence on the initial temperature and pulse duration,

Appl. Phys. A 69 , (1999), S75S80

1.7. Gabriel Socol, "Biomaterials thin films obtained by pulsed laser deposition method for

a new generation of medical implants", PhD Tessis, (5.12.2006)

1.8. S. Amoruso, R. Bruzzese, N. Spinelli, R. Velotta, Characterization of

laser-ablation plasmas, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 32 , (1999), R131R172

1.9. A. A. Puretzky, D. B. Geohegan, G. B. Hurst, M. V. Buchanan, B. S.

Lukyanchuk, Imaging of Vapor Plumes Produced by Matrix Assisted Laser Desorption: A

Pagina 12 din 44
Plume Sharpening Effect, Physical Review Letters, 83 ( 2), (1999) 444-447

1.10. S. S. Harilal, C. V. Bindhu, M. S. Tillack, F. Najmabadi, A. C. Gaeris, Internal structure

and expansion dynamics of laser ablation plumes into ambient gases, Journal of

Applied Physics, 93( 5), (2003) 2380-2388

1.11. Yaroslava G. Yingling, Barbara J. Garrison, Photochemical induced effects in

material ejection in laser ablation, Chemical Physics Letters, 364 (2002) 237243

1.12. R.D. Schaeffer, A Closer Look at Laser Ablation, Laser Focus World 37 (6),

(2001), 217-219.

1.13. Michael I. Zeifman, Barbara J. Garrison, Leonid V. Zhigilei, Multiscale

simulation of laser ablation of organic solids: evolution of the plume, Applied

Surface Science 197 198 (2002) 2734

1.14. J.C. Miller, R.F. Haglund, Jr., (Eds.), Laser Ablation and Desorption, Academic

Press, (1998)

1.15. N. van Kampen, Stochastic Processes in Physics and Chemistry, North-Holland,

Amsterdam, (1981)

1.16. J. Neamtu, I. N. Mihailescu, Carmen Ristoscu, J. Hermann, Theoretical Modelling

of Phenomena in the Pulsed-Laser Deposition Process: Application to Ti Targets

Ablation in Low-Pressure N 2 , Journal of Applied Physics 86 (11), (1999), 6096-6106

1.17. B. Toftmann, J. Schou, T. N. Hansen, J. G. Lunney, Angular Distribution of

Electron Temperature and Density in a Laser-Ablation Plume, Physical Review

Letters, 84 , (17), (2000)

1.18. Leonid V. Zhigilei and Barbara J. Garrison,Velocity distributions of molecules ejected in

laser ablation, Appl. Phys. Lett. 71 (4), (1997)

1.19. Barbara J. Garrison, Tatiana E. Itina, Leonid V. Zhigilei, Limit of overheating and

the threshold behavior in laser ablation, Physical Review E 68 , 041501, (2003)

1.20. K. Sokolowski-Tinten, J.Bialkowski, A. Cavalleri, D. von der Linde, A. Oparin, J.

Meyer-ter-Vehn, S. I. Anisimov, Transient States of Matter during Short Pulse Laser Ablation,
Physical Review Letters, 81 ( 1), (1998)

1.21. T.E. Itina, J. Hermann, Ph. Delaporte, M. Sentis, Modeling of metal ablation induced by

ultrashort laser pulses, Thin Solid Films, 453454 , (2004), 513517

1.22. L.V. Zhigilei, B.J. Garrison, Mechanisms of laser ablation from molecular dynamics

Pagina 13 din 44
simulations: dependence on the initial temperature and pulse duration, Appl. Phys. A 69
[Suppl.], S75S80, (1999)

1.23. Leonid V. Zhigilei, Barbara J. Garrison, Computer simulation study of damage and
ablation of submicron particles from short-pulse laser irradiation, Applied Surface Science
127129 , (1998), 142150

1.24. Michael I. Zeifman, Barbara J. Garrison, Leonid V. Zhigilei, Combined molecular

dynamicsdirect simulation Monte Carlo computational study of laser ablation plume
evolution, Journal of Applied Physics 92 , ( 4 ), (2002)

1.25. Leonid V. Zhigilei, Prasad B. S. Kodali, and Barbara J. Garrison, Molecular Dynamics
Model for Laser Ablation and Desorption of Organic Solids, J. Phys. Chem. B, 101 , (1997)
2028-2037

1.26. E.G. Gamaly, A.V. Rode, V.T. Tikhonchuk, B. Luther-Davies, Electrostatic mechanism of
ablation by femtosecond lasers, Applied Surface Science, 197-198 , (2002), 699704

1.27. Yaroslava G. Yingling, Leonid V. Zhigilei, Barbara J. Garrison,

The role of the
photochemical fragmentation in laser ablation: a molecular dynamics study, Journal of
Photochemistry and Photobiology A: Chemistry 145 , (2001) 173181

Pagina 14 din 44
2. Analiza laserului folosit in experimentul de ablatie laser

2.1 Generalitati

Laserul este o sursa versatila de energie intro forma foarte concentrata, fiind atractiv ca
unealta si instrument de cercetare pentru aplicatii intr-o gama variata de domenii si industrii. Cele
mai utilizabile surse laser pentru obtinerea unor structuri foarte mici, dar de foarte mare calitate,
sunt laserele de femtosecunde, datorita efectului termal indus foarte redus[1-3]. Laserele excimere
si de stare solida precum cele de Ti-sapphire, pot produce pulsuri foarte scurte (pana la sutimi si
zecimi de fs) si mai mult sau mai putin a profilelor asemenea a intensitatilor de nivel superior.
Totusi, costurile mari pentru achizitia si utilizarea pentru perioade lungi, precum si dificultatile
tehnice in pastrarea parametrilor constanti pentru aceste lasere, limiteaza numarul de utilizatori a
laserelor de lungime de unde de fs. Defapt, majoritatea cercetatorilor din toata lumea care opereaza
cu lasere, folosesc lasere de ns si ps (precum Nd-YAG, si lasere cu fir Nd) care sunt cele mai de
incredere si cele mai eficiente din punct de vedere a costului[2-4]. Dezavantajul profilului Gaussian
neuniform a intensitatii laserelor, este adesea rezolvat prin aplicarea omogenizatorilor difractivi,
unde lungimile de unda IR sunt reduse prin utilizarea generatorilor de harmonice. Ulterior vom
prezenta detalii despre laserul folosit in aplicatie.
Structura de baza a laserului consta intrun mediu optic activ de captare, care amplifica
undele electromagnetice, sursa de pompare care pompeaza energia spre mediul activ, si un rezonator
optic care este compus din 2 oglinzi cu putere de reflectie mare. Mediul de captare a laserului este
un material de puritate controlata, marime, concentratie si forma, care amplifica fascicolul prin
procesul de emisie stimulata. Aceasta poate fi in stari diferite: gazos, lichid, solid sau plasma.
Pompa, poate fi o lampa cu tub, o descarcare de gaz, sau o sursa de curent electric. Folosind
radiatiile tranzitive dintre nivelele energetice a atomilor de exemplu, sub echilibrul termo-dinamic
al temperaturii T, numarul popularii densitatii Ni, de ex., numarul de atomi pe unitate de volum la
nivelul energetic I, Ei, este conform ecuatiei Boltzmann [5,6]:

(2.1)

unde gi are degenerari, si

(2.2)

Mediul de captare absoarbe energia pompei, care creste unii atomi la starile cuantice
maxime (excitatie), Ej. Particulele pot interactiona cu lumina prin absorbtia sau emiterea fotonilor.
Emisia poate fi spontana sau simulata. Ulterior, fotonul este emis in aceeasi directie in care trece
lumina. Cand numarul de particule in stare de excitatie, Nj ( Ej) excede numarul de particule a unor
stari energetice mici, N i ( Ei) inversiunea pupularii este atinsa

(2.3)

Pagina 15 din 44
si numarul emisiilor stimulate, datorita luminii care trece prin, este mai mare decat numarul
absorbtiilor. Prin urmare, lumina este amplificata de catre sine insusi, aceasta efectuand
amplificarea optica. Cand amplificarea optica este amplasata in interiorul cavitatii unui rezonator
optic, se obtine laserul.
Tranzitia de la o energie mai mare E j, la o energie mai mica, E i este acompaniata de emisia
in frecventa a fotonului:

(2.4)

h fiind constanta lui Plank. Coeficientul corespunzator absorbtiei este :

(2.5)

unde (sigma)c(niu) este sectiunea transversala a tranzitiei radiative.

Dependenta axiala a intensitatii in mediul activ este:

(2.6)

Daca Nj > (gj/gi)*Nj, coeficientul de absorbtie devine negativ, implicand mai mult
amplificarea decat atenuarea. Intensitatea dupa o tura dintre oglinzile rezonatorului care sunt
amplasate la distanta Lc va fi

(2.7)

unde (alpha)l corespunde pierderilor induse de reflectivitatea partiala a oglinzilor, atenuarea de

impuritati si contaminarea in mediul activ, difractia si imprastierea propagarii fascicolului de laser,
etc.
In cazul amplificarii, -2(alpha)((niu))L c-(alpha)l >0 si ia in considerare Eq. (2.4), popularea
pragului pentru fascicul este definita de:

(2.8)

Pagina 16 din 44
2.1.1 Nd-YAG Laser

Majoritatea lucrarilor din domeniul ablatiilor in intervalul de nanosecunde si picosecunde,

sunt facut prin indermediul laserelor de stare solida, precum Nd-YAG [7]. Bara cristalina de neodim
Nd3+-dopata cu YAG( aluminiu, yitriu, garnet, (Y 3Al5O12)13, YLF ( yitriu, litiu, florid), YVO 4 (yitriu
ortovanadat), sau sticla de tip (SiBaRb, Ba(PO 3)2, LaBBa, SiPbK, LaAlSi) matrici. Aceste
materiale au o excelenta stabilitate termica si proprietati (conductibilitate termica) suitabile pentru
pulsuri scurte cat si pentru operatii CW.
Pomparea prin acesti laseri este facuta prin lampi cu arc (precum lampile de xenon sau
krypton), sau laseri cu diode. In cazul lampilor cu tub (F) acestea sunt amplasate intr-un focus de
cavitate avand forma unui cilindru eliptic, bara (R ) este amplasata in focusul secund. Lampile cu
tub sunt alimentate cu tensiuni ridicate, E (~1000V) folosind capacitoare, C si rezistoare, R (Fig
2.1).
Excitatia pomparii optice a fost astfel dezvoltata fiind o metoda foarte importanta folosita in
spectroscopie. Este deasemeni o tehnica indispensabila pentru excitatia diferitelor tipuri de laser.
Pomparea optica in conjunctie cu laserii Nd-YAG este de un interes particular, deoarece aceasta a
devenit larg raspandita in uzul industrial.

Fig 2.1 Schema laserului de tip Nd-YAG

Rezonatorul sferic (format prin 2 oglinzi sferice, M1 si M2) in care este plasata bara
laserului, este cel mai important de ajustat, dar are dezavantaj ca modurile transversale nedorite pot
usor sa inceapa sa oscileze. Asta inseamna ca puterea laserului este impartita intre variata cantitate
de moduri care sunt separate spatial de la unul la altul si care nu pot fi focusate la un punct comun
precum in modurile londitudinale.
Eficienta popmarii optice cu descarcarea lampilor (Kr, Xe) este in jur de 3 %, dar figurile de
pana la 50-80% pot fi atinse folosind diode laser. Avantajul lampilor de descarcare este ca emisia

Pagina 17 din 44
diodelor laser este aproape complet absorbita de Nd-YAG, unde o varietate de emisii spectale a
lampilor de descarcare este absorbita numai la extensii mici.
Scopul eficientei mici este ca lumina produsa de lampile de descarcare are o larga distribtie
spectrala si cristalul de Nd-YAG poate accepta doar lumina oferita intrun numar mic de benzi de
absorbtie. Pana in prezent aceasta nu a fost posibil, in ciuda multor cercetari si cautari complexe, sa
se dezvolte lampi care au o emisie adaptata la benzile de absorbtie a cristalului de Nd-YAG. Dea
lungul acestor linii, gazul, care este excitat in lampile de descarcare, a fost dopat cu aditivi, pentru a
produce emisiile spectrale dorite.
Diodele laser nu au acest dezavantaj deoarece ele emit lumina laser intensa intr-o gama
spectrala ingusta fiind cuprinsa in doar cativa nanometri. Lungimea de unda a emisiilor diodice,
astfel corespunde benzii de absorbtie a cristalului de Nd-YAG foarte bine. Este posibil sa se atinga o
performanta de 50-80% in aceasta maniera. Totusi, nu sunt in prezent diode laser capabile sa emita
o putere de 10W. Tinand cont de proprietatile captivante ale diodelor laser, care, in contrast cu
lampile de descarcare, nu necesita o alimentare de mare putere si tensiune (~1000V), cercetarile
intensive au pornit in fabricarea diodelor laser de mare putere. Un alt avantaj a diodelor laser ar fi
dimensiunea lor foarte mica, ce permite incorporarea mai multor diode intr-un cip comun.
Nd-YAG si Nd-sticla absorb cel mai mult in benzile intre 0.5 si 0.8 u.m, fiind excitate de
4
F5/2 stari (sau stari mai mari) (Fig. 2.2).

Fig. 2.2 Diagrama

nivelelor energetice pentru
ioni de Nd3+ si Nd3+ sticla

La densitatile mici de curent, lampile de krypton au un raspuns mai mare in aceste benzi,
decat cele mai uzuale lampi de xenon, care produc mai mult lumina in jur de 0.900 u.m.
Formatoarea fiind astfel mult mai preferabila pentru laserul Nd-YAG. Dupa transferul lipsit de
radiatii de la starea 4F5/2, 4F3/2 este astfel populata. Cea mai importanta tranzitie laser avand (lambda)
= 1.06 u.m (aceasta valoare depinzand de compozitia barelor de laser si de concentratiile
dopantului) este produsa dupa tranzitia dintre subnivelelemai mici a nivelelor 4F3/2 si 4I11/2 (Fig. 2.2).
Deoarece la temperatura camerei populatia nivelului 4I13/2 este neglijabila, laserul Nd-YAG are
sisteme tipice de 4 nivele ( 4I13/2 fiind starea de baza pentru care ionii de Nd sunt relaxati pana cand

Pagina 18 din 44
procesul de pompare porneste de la inceput) si emit lumina in gama infrarosie a spectrului optic
(fiind posibila tranzitia deasemeni pe langa 0.940, 1.120, 1.320 si 1.440 u.m). Laserul Nd-YAG
opereaza in ambele moduri, continuu si pulsat.
Cand laserul este pornit sau cand pompa luminoasa este pornita, o mare deviatie de la starea
initiala are loc. Astfel practic fotonii nu sunt prezenti in rezonator pana cand puterea dorita a
pompei este atinsa. Dupa ce inversiunea popularii atinge zona de tampon, este format campul de
fotoni. Datorita propagarii timpului rezonatorului, este nevoie de ceva vreme pana cand densitatea
fotonica atinge nivelul starii de functionare. Dea lungul procesului, inversia (care creste liniar cu
timpul) creste peste valoarea tinta a inversiei. Aceasta inseamna o crestere mai rapida in densitatea
fotonica. Cresterea este atat de rapida incat inversia cade aproape de pragul limita, astfel oscilatia
laserului se opreste. Procesul incepe din nou, dar de data aceasta laserul este usor sub pragul limita
si suprareglarea inversiei nu este la fel de mare ca data trecuta. In aceasta maniera, sistemul se
apropie de starea gata de operatie. Primul varf de putere (primul varf de suprareglaj) poate atinge
puterea un factor limita de 103 ori mai mare decat starea de operare. Varfurile astfel, pot cauza
probleme serioase si pot duce la destrugerea suprafetelor optice, astfel incat laserul se poate
autodistruge in procesul de pornire.
Laserele Nd-YAG opereaza pulsad in modul preschimbat Q, unde este introdus un
schimbator optic in cavitatea laserului, asteptand sa fie maxima inversia popularizarii in ioni de Nd
inainte ca acesta sa se deschida. (vezi cap 2.2). Cand undele luminoase pot trece prin cavitate,
depopularea laserului mediu excitat la invesria maxima a popularii. In acest mod Q, puterea de
iesire este de 250MW, iar durata pulsurilor este de la 10-25ns.
Pulsurile de mare intensitate pot fi efficient dublate in frecventa pentru a genera lumina
laserului la 532 nm, sau armonice mai mari la 355 si 266 nm.

2.2 Laserele comutate in modul Q

Necesitatea experimentala de a avea laserul in stare gata medie este blocata la pragul limita
a limitei de iesire a laserului. Una dintre cele mai comune metode de a obtine imbunatatire in
puterea laserului este relativa la posibilitatea unei blocari rapide a factorului de calitate (notat Q) a
cavitatii laserului, care caracterizeaza pierderile. Cand in oscilatorul laserului procesul de raspuns
este blocat, de ex. Pierderile cavitatii sunt foarte mari sau reflectia radiatiei in oglinda este scoasa
can cavitatea are un factor Q scazut, in atingerea pomparii laser fara oscilatii, dar cand obstacolul
care blocheaza oscilatiile este de indata indepartat, factorul calitatii schimbat la mai mare valoare si
oscilatiile laserului sunt stabilizate (Q-preschimbare). Din cauza ca popularea inversa are valori
mult preamari decat popularea inversa prag, intensitatea radiatiei in cavitati creste rapid si laserul
emite un puls Q- schimbat sau un puls gigant al laserului avand intensitate mare si durata scurta.
Aceasta este cunoscut sub numele de Q-schimbare. Durata tipica a pulsurilor este de durata de viata
a cavitatilor, (tau)e si in general este mult mai scurta decat timpul de pompare in care inversia
popularii este creata. Acest puls gigant poate goli inversia popularii, astfel un nou puls laser este
emis doar la urmatorul proces de pompare.
Acest mecanism al pulsului gigant produs in modul Q, este prezentat in Fig. 2.3. Cea mai
mare intensitate laser emisa corespunde momentului in care inversia popularii scade sub pragul
limita al inversiei popularii. Maximul pulsului gigat al laserului in regim Q poate fi de 3-4 ordine a
magnitudinii mai mare decat echivalentul in putere obtinut dea lungul unei unde continui pompate
la aceeasi rata.

Pagina 19 din 44
Fig. 2.3 Schema pulsului gigant al laserului produs in modul de schimbare calitativ Q
In dorinta de a obtine cea mai mare inversie a popularii in regim Q, urmatoarele conditii trebuie sa
fie indeplinite:
* durata de viata a nivelului superior al laserului si durata de pompare a fluxului trebuie sa fie nu
mai mari de durata de viata a cavitatii laserului
* pierderile initiale a cavitatii trebuie sa fie suficient de mari cu scopul de a preveni initierea
oscilatiei in laser in acelasi timp (trebuie sa depaseasca intrarea in laser)
* pierderile cavitatilor tre sa fie reduse foarte rapid (de ex. In timp mai scurt de 10 ns) astfel ca
energia formatoare acumulata in nivelul superior al laserului este livrata direct prin pulsul laser
gigant.

Puterea maxima obtinuta in regim Q, Pmax, poate fi calculata folosing rata ecuatiilor pentru
densitatea fotonica si pentru popularea nivelelor maxim si minim implicate in tranzitie pecum in
[35,36]:
(2.9)

unde N0 este diferenta initiala a popularii si

(2.10)

reprezinta inversia popularii dintre nivelele maxim si minin la pragul limita pe unitate de volume, V
(unde intrarea este egala cu pierderile pe cavitate).
In cazul in care N 0>> N1 se obtine:

Pagina 20 din 44
 (2.11)

care transmite ca o jumatate din inversie este consumata dea lungul duratei de viata a cavitatii,
(tau)e.
Luand in atentie eq (2.11) maximul energiei carre poate fi obtinut este:
(2.12)

si energia totala continuta in puls in regimul Q este obtinut de multiplicarea maximului de energie
cu factorul de utilizare a energiei:

(2.13)

Durata pulului laser (tau)p este data de:

(2.13b)

In acest caz unde rata initiala a inversiei, N 0/Nt este crescuta suficient peste pragul limita,
durata pulsului laser scade pana la valoarea limita (tau) c (Fig. 2.4) si eficienta exctractiei energetice
tinde rapid la 100% pentru N0/Nt > 2 (Fig. 2.5).
Sunt diferite cai practice de a obtine un regim Q: mecanice, opto-electrice, acustico-optice,
tehnicile unde absorbantii cu saturatie sunt folositi, si metodele unde filmul este folosit.
In cazul tehnicii mecanice (regimul Q mecanic), care este pasiv, una dintre oglinzile
cavitatii, M2 (Fig. 2.6) este rotita folosind dispozitivele de rotatie de inalta frecventa, astfel incat
laserul oscileaza intr-o perioada scurta in care oglinda este rotita paralel cu oglinda opozita, M1.
Astfel aceasta metoda este simpla si ieftina si are cateva neajunsuri: produce tragerea de
frecventa, vibratii si zgomot mecanic care induce dificultati in aliniere. Dificultatile prezentate imai
sus pot fi reduse folosind o prisma cu unghi de 90 0 in locul oglinzii. Metoda este folosita in special
cand vine vorba de cavitatide ablatie lungi (de ex. Laserele CO 2) unde alinierea oglinzilor nu este
critica si alte tehnici de modulatie sunt greu de folosit.
O alta schema mecanica include folosirea unui disk rotativ cu o gaura amplasata in cavitatea
laserului (Fig. 2.7). In acest caz, pomparea este sincronizata sa fie realizata inaintea rotatiei discului
care aduce gaura dea lungul axei laserului. In dorinta de a asigura tranzitia calitatii mici catre una
mare, gaura trebuie sa fie foarte mica, iar fascicolul laserului trebuie sa fie focusat folosind 2 lentile
(L).

Pagina 21 din 44
Fig. 2.4 Durata pulsului laser in comparatie cu rata initiala a inversie

Pagina 22 din 44
Fig. 2.5 Eficienta extractiei de energie comparata cu rata initiala a inversiei

Fig. 2.6 Schema mecanica a regimului calitativ Q

Pagina 23 din 44
 Fig. 2.7 Schema regimului calitativ Q cu folosirea unui disc rotativ cu gaura

Fig. 2.8 Schema opto-electrica a regimului calitativ Q

In cazul regimului Q cu metoda opto-electric (care este o metoda activa) se folosescte un modulator
opto-electric care este facut din cristal opto-electric (EOM) care devine birefrigent sunb actiunea
unei tensiuni aplicate si cateva prisme polarizate sunt amplasate in interiorul cavitatii laser (Fig.
2.8).
Astfel, regimul Q opto-electric poate fi obtinut de aplicarea unei tensiuni rar inalte asupra
unui cristal pentru a induce efectul Pockel sau Kerrr si Faraday, care schimba starea de polarizare a
luminii care trece prin el. Mediul in care efectul Pockels se manifesta, poate fi transformat intro
placa de sfert de unda. Planul undelor electromagnetice care propaga dea lungu cavitatii, este rotit
in unghi de 900 conform axelor sale, incat radiatia este cuplata la exterior de un polarizator dupa o
tura prin cavitate. Schimbarea rezonatorului optic la un nivel mai mic a pierderilor poate fi efectuata
prin inversia tensiunii aplicate la modulator.
In cazul efectului Faraday, un camp magnetic axial include rotatia planului de polarizare a
undelor liniar polarizate, care se propaga dea lungul directiei campului magnetic.
Durata pulsului de laser in acest caz (regimul Q opto-electric) este de aproximativ 1 ns, care
depinde de energia de pompare, pierderile si lungimea cavitatii. Modulatorul opto-electric este cel
mai rapid, prezinta o buna stabilitate si repetabilitate. In cazul laserului cu baza de CO 2, operat in
regim Q cu presupunerea rotirii oglinzii sau schimbatorului opto-electric, poate fi obtinuta o putere
de varf de ordinul GW.
In cazul modulatorului opto-acustic (AOM), fascicolul laser este deflectat de difractia in
prezenta undelor acustice (Fig. 2.9).
In prezenta undelor acustice, lumina este difractata si fascicolul laser este reflectat din axul
cavitatii a sistemului. Pierderile difractiei sunt suficient de mari pentru a mentine laserul sub pragul

Pagina 24 din 44
de oscilatie. Cand pomparea este completa, undele acustice sunt asuprite, fascicolul laser in cavitate
este reflectat si oscilatia laserului creste rapid. Modulatorul opto-acustic introduce pierderi optice
mici, circuitele de comanda prin frecvente radio sunt simple si pot fi folosite in cazul regimului de
schimbare repetat pentru frecvente de ordinul kHz. Cel mai folosit modulator opto-acustic este facut
din cuartz care este caracterizat de un timp de schimbare in jur de 100ns care este mult mai mare
decat cel al instrumentelor opto-electrice. Modulatoarele opto-acustice au fost folosite in cazul
laserelor Nd-YAG si a celor cu multiplicari mici.
Regimul Q pasiv se poate obtine folosind absorbanti saturabili (vopsea cu proprietati de
pierdere de culoare (decolorare)) amplasati intr-un tub in interiorul cavitatii (Fig. 2.10). Vopseaua
decolorabila este caracterizata de coeficienti variabili de absorbtie. Moleculele absorbante a
vopselei sunt excitate de radiatia laserului de la nivelul funndamental la nivelul excitat (absorbtia
maxima pe sectiune ~ 10-16 cm2) unde acestea nu mai absorb. In acest caz pragul de oscilatie creste.
Initial, vopseaua absoarbe lumina laserului pentru puteri mici si transmite doar 1% impiedicand
oscilatia laserului; dar dupa ce intensitatea laserului creste, aceasta devine transparenta, transmisia
devenind 100% si operatiile cu laser pot sa inceapa si un puls de inalta intensitate este emis. Printre
pulsurile de laser, moleculele revin inapoi la starea initiala si absorb din nou radiatia laser.

Fig. 2.9 Schema regimului Q cu modulator opto-acustic

M2

Fig. 2.10 Schema a regimului Q cu absorbant saturabil

Pagina 25 din 44
Acest tip de regim este adesea implementat fara circuite de comanda. Vopseaua poate fi preparata
fara chimicale sau degradarea foto-chimicalelor dea lungul operatiei. Un dezavantaj a acestei
metode este relatat de deschiderea necontrolata a celulei cu vopsea, laserul avand o calitate spatiala
mica.
Solutia cu absorbant saturabil poate fi inclocuita cu materiale solide, avand in componenta
lor impuritati absorbante ( centre de culori).
Astfel, operarea pasiva in regimul Q, poate fi obtinuta folosind un film subtire plasat in
interiorul cavitaii, energia laserului fiind focusata de lentile pe un punct mic (Fig. 2.11). La inceput,
cand laserul oscileaza, filmul subtire este ars si evaporat, oscilatiile laserului cresc rapid si pulsul
gigant este emis. Repetabilitatea se poate obtine prin miscarea controlata a filmului subtire, aceasta
fiind o procedura simpla si ieftina.

M2

Fig. 2.11 Schema regimului Q cu un film subtire

2.3 Setarile de baza ale experimentului

Unul din avantajele procesarii materialelor prin metoda laser este caracteristica unei singure
trepte de pregatire. Pentru a crea un sablon pe suprafata, putem folosi o masca (Fig. 2.12a) pentru a
proiecta o imagine micsorata pe suprafata tinta. O metoda alternativa poate fi direct scrisa pe
suprafata prin miscarea substratuluisau laserului, care este numita scriere directa (Fig. 2.13b).
Mastile conventionale blocheaza o mare parte din energia incidenta. Precum pentru unele
aplicatii (de ex. Scoaterea materialului) este nevoie de instensitati mari, doar metodele cu scriere
directa raman, care nu aduc rata mare de introducere directa. Dar pentru sablonarea micro si nano,
introducerea directa de rata mare este necesara pentru a fi fezabila economic. Astfel pentru marirea
ratei introducerii pentru fabricatia sabloanelor simple periodice, se poate angaja interferenta
procesarii fascicolului laser (Fig. 2.12c).
In scrierea directa, fascicolul laserului este primul rand expandat si dupa focusat la incidenta
normala asupra tintei. In majoritatea cazurilor, sablonarea este efectuata de translatia relativa a tintei
fata de focusarea fixa a fascicolului laser. Raza limitata de difractie a distributiei Gausiene a
fascicolului laser in planul focal (de ex. discul Airy) care contine aproximativ 84 % din energia
pulsului de laser este data de :

(2.14)

Pagina 26 din 44
unde D este diametrul fascicolului laser pe lentila de focusare.
Prin sablonarea proiectiei minimul marimii atinse, care este definit ca distanta dintre doua
puncte care totusi poate fi rezolvata, descrisa in [49]

(2.15)

unde NA este apertura numerica. Factorul const depinde de parametrii experimentali si tipic este
intre 0.5 si 0.8. Pentru liniile dense echidistante const=0.5, unde punctele const = 0.61 [50].
Interferenta fascicolului laser (Fig. 2.12c) permite generarea sablonurilor cu perioada:

(2.16)

pe cativa centrimetri patrati [38]. Tehnica a fost cu succes demonstrata pentru depozitia
materialelor, modificarea suprafetelor, gravura chimica sau rugozitare a suprafetelor. Aceasta
permite deasemeni fabricarea grilajului de difractie, holograme, etc.

Fig. 2.12 Schema tehnicilor de procesare laser: a) Structura este creata pe suprafata cu ajutorul mastii; b)
Scrierea directa: Structura este scrisa direct pe substrat prin miscarea substratului propriu zis sau prin
controlul caii de miscare a laserului [38]; c) Generarea interferentei in structuri periodice; d,e ) Metode de
generare a sablonurilor submicrometrice in apropierea campului sau fibrei (d) si a matricei de microlentile
(e) [77]

Pagina 27 din 44
Fig. 2.13 a) Gaurile produse de ablatia laser indusa local in PI (poliamida) folosind zabrele in 2D
a microsferelor de SiO2 (d~3 u.m) [77]. b) Profilul adancimii masurat prin interpretarea AFM [77].
c) Raza de lumina penetrand sfera conform legii lui Snell

Folosirea mastilor de contact, folosirea setarile SNOM ( scanarea microspopiei optice a

campurilor alaturate) (Fig. 2.12d), a matricei de microlentile (Fig. 2.12 e), sau cunoasterea
neliniaritatilor materialului, permite reducerea pana la minim a dimensiunilor sub limitele de
difractie Abbe. Masca de contact permite crearea structurilor cu dimensiunile ulterioare determinate
de masca. Cu setarile SNOM, impreuna cu radiatia pulsata a laserului, se pot produce structuri care
sunt limitate de difractia optica sau de efectele termale, dar cel mai mult de apertura
submicrometrica a fibrei care este scanata in campul apropiat (de ex. 5-50nm) deasupra tintei.
Similar radierea prin matricea de microlentile permite obtinerea pe tinta in campul apropiat de
structuri submicrometrice. Este de asemeni demonstrat ca datorita neliniaritatii este posibila
producerea sablonurilor cu dimensiuni laterale care sunt mult mai mici decat diametrul difractiei
limitate de focusarea fascicolului laser.

Pagina 28 din 44
Bibliografie

[1] N.M. Bulgakova, A.V. Bulgakov, Appl. Phys. A 73, 199 (2001)
[2] M. Stafe, I. Vladoiu, I.M. Popescu, Cent. Eur. J. Phys 6, 327 (2008)
[3] ICALEO Conference Proceedings, 2008
[4] B.N Chickov, C. Momma, S. Nolte, F. von Alvensleben, A. Tunnermann, Femtosecond,
picosecond and nanosecond laser ablation of solids. Appl. Phys. A 63, 109-115 (1996)
[5] W. Demtroder, LaserSpectroscopy: Basic Concepts and Instrumentation, 2nd edn. (springer,
Berlin, 1996)
[6] C. P. Grigoropoulos, Transport in Laser Microfabrication: Fundamentals and Applications
(Cambridge University Press, Cambridge, 2009) ISB-13 978-0-521-82172-8
[7] J.E. Geusic, H.M Marcos, L.G. Van Uitert, Laser Oscillations in Nd-doped yttrium aluminium,
yttrium gallium and gadolinium garnets. Appl. Phys. Lett 4(10), 182 (1964)
[8] P.F. Moulton, Spectroscopic and laser characteristics of Ti:Al 2O3, J. Opt. Soc. B3, 125 (1986)
[9] N.G. Basov et al., Zh. Eksp. Fiz I Tekh. Pisma. Red 12, 473(1970)
[10] C. P. Christensen, R.W. Waynant, B. J. Feldman, High efficiency microwave discharge XeCl
laser. Appl. Phys. Lett. 46, 321 (1985)
[11] C. Patel, Continuous-wave laser action on vibrational-rotational transitions of CO2. Phys. Rev.
136(5A), 1187-1193 (1964)
[12] S. Szatmari, High-brightness ultraviolet excimer lasers. Appl. Phys. B 58, 211-223 (1994)
[13] C. Momma, H. Eichmann, H. Jacobs, A. Ttinnermann, H. Welling, B. Wellegehausen, Opt.
Lett. 18, 516 (1993)
[14] K. Mossavi, Th Hofmann, F. K. Tittel, G. Szzabo. Opt. Lett. 18, 18, 435 (1993)
[15] D. Strickland, G. Mourou, Opt. Commun. 56, 219 (1985)
[16] P. Maine, D. Strickland, P. Bado, M. Pessot, G. Mourou, IEEE J.QE 24, 398 (1988)
[17] C. Sauteret, D. Husson, G. Thiell, S.Seznec, S. Gary, A. Migus, G. Mourou, Opt. Lett. 16, 238
(1991)
[18] K. Yamakawa, H. Shiraga, Y. Kato, C.P.J Barry, Opt. Lett. 16, 1593 (1991)
[19] A. P. Schwarzenbach, T.S. Luk, I.A. McIntyre, U. Johann, A. McPherson, K. Boyer, C. K.
Rhodes, Opt. Lett. 11, 499 (1986)
[20] M. J. Shaw, G. Bialoenker, G. J. Hirst, C. J. Hooker, M.H. Key, A. K. Kidd, J. M. D. Lister, K.
E. Hill, G. H. C. New, D. C. Wilson, Opt. Lett. 18, 1320 (1993)
[21] G. Almasi, S. Szatmari, P. Simon, Opt. Commun. 88, 231 (1992)
[22] M. D. Perry, F. G Patterson, J. Weston, Opt. Lett. 15, 381 (1990)
[23] G. Ktihnle, U. Teubner, S. Szatmari, Appl. Phys. B 52, 71 (1990)
[24] M. M. Mumane, H. C. Kapteyn, R. W. Falcone, Phys. Rev. Lett. 62, 155 (1988)
[25] C. H. Nam, W. Tighe, E. Valco, S. Suckewer, Appl. Phys. B 50, 275 (1990)
[26] U. Teubner, G. Kuhnle, F. P. Schafer, Appl. Phys. B 54, 493 (1992)
[27] J. P. Roberts, A. J. Taylor, P. H. Y. Lee, R. B. Gibson, Opt. Lett. 13, 734 (1988)
[28] A. J. Taylor, C. R. Tallman, J. P. Roberts, C. S. Lester, T. R. Gosnell, P. H. Y. Lee, G. A. Kyrala,
Opt. Lett. 15, 39 (1990)
[29] T. S. Luk, A. McPherson, G. Gibson, K. Boyer, C. K. Rhodes, Opt. Lett. 14, 1113(1989)
[30] G. Almasi, S. Szatari, P. Simon, Opt. Commun. 88, 231 (1992)
[31] S. Seznec, C. Sauteret, S. Gary, E. Bechir, J. L. Bocher, A. Migus, Opt. Commun. 87, 331,
(1992)
[32] C. K. Rhodes (ed), Excimer Lasers, Topics Appl. Phys. 30, Springer,Berlin, Heidelberg
(1979)
[33] I. A. McIntyre, C. K. Rhodes, J. Appl. Phys. 69, R1(1991)
[34] S. Szamatri, In Dye Lasers 25 Years, ed. By M.Stuke, Topics Appl. Phys. 70, 129 (Springer,
Berlin, Heidelberg 1992)
[35] W. T. Silfvast, Laser Fundamentals (Cambridge University Press, Cambridge, 2000)

Pagina 29 din 44
[36] W. S. C. Chang, Principles of Lasers and Optics (Cambridge University Press, Cambridge,
2005)
[37] Sapphire Laser, R. Ell, U. Morgner, F. X. Kaertner, Generation of 5-fs pulses and octave-
spanning spectra directly from a Ti : sapphire laser. Opt. Lett. 26, 373-375 (2001)
[38] D. Bauerle, Laser Processing and Chemistry (Springer, Berlin, 2000)
[39] M. von Allmen, A. Blatter, Laser-Beam Interactions with Materials (Springer, Berlin, 1995)
[40] M. Stafe, C. Negutu, A. Ducariu, Pulsed laser ablated craters in aluminium in air and aqueous
environments. Romanian Reports in Physics 64, 155-162 (2012)
[41] M. Stafe, I. Vladoiu, C. Negutu, I. M. Popescu, Sci. Bull. Univ Politehnica Bucharest, Series
A: Appl Math, Phys. 71, 73 (2009)
[42] M. Stafe, C. Negutu, N. N. Puscas, I. M. Popescu, Pulsed laser ablation of solids. Rom. Rep.
Phys. 62, 758-770 (2010)
[43] I. Vladoiu, M. Stafe, C. Negutu, I. M. Popescu, Sci. Bull. Univ. Politehnica Bucharest, Series
A: Appl. Math. Phys. 70, 119 (2008)
[44] M. Stafe, C. Negutu, I, M, Popescu, Theoretical determination of the ablation rate of materials
in multiple -nanosecond laser pulses irradiation regime. Appl. Surf. Sci. 253, 6353 (2007)
[45] S.I. Anisimov, M. I. Tribeloskii, G. Ya, Epelobaum: Sov. Phys. -JETP 51, 802 (1980)
[46] Karl-Heinz Leitz, Metal Ablation with Short and Ultashort Laser Pulses. Physics Procedia 12,
230-238 (2011)
[47] R. Stoian, D. Ashkenasi, A. Rosenfeld, M. Wittman, R. Kelly, E. E. B. Campbell, The
dynamics of ion expulsion in ultrashot pulse laser sputtering of Al 2O3. Nucl. Instrum. Methods
Phys. Res. Sect. B: Beam Interact. Mater. At. 166-167, 682-690 (2000)
[48] F. Dausinger, H. Hugel, V. I. Konov, Micromachining with ultrashort laser pulses: from basic
understanding to technical applications, ALT02 international conference on advanced laser
technologies. H. P. Weber, V. I. Konov, T. Graf (eds), Proc. SPIE 5147, 106 (2003)
[49] Dieter Baeuerle, Laser chemical processing: an overview to the 30 th anniversary. Appl. Phys. A
101, 447-459 (2010)
[50] M. Born, E. Wolf, Principles of Optics (Pergamon, Oxford, 1980)
[51] D. Melville, R. Blaikie, Opt. Express 13, 2127 (2005)
[52] S. Y. Chou, P. R. Krauss, PJ. Renstrom, Science 272, 85 (1996)
[53] N. Tetreault, G. von Freymann, M. Deubel, M. Hermatschweiler, F. Perez-Willard, S. John, M.
Wegener, and G. A. Ozin, Adv. Mater. (Weinhein, Ger.) 18, 457 (2006)
[54] K. Busch, G. von Freymann, S. Linden, S. F. Mingaleev, L. T. M. Wegener, Phys. Rep. 444,
101 (2007)
[55] Saulius Joudkazis, Vygantas Mizeikis, Hiroaki Misawa, Three-dimensional microfabrication of
materials by femtosecond laser for photonics applications. J. Appl. Phys. 106, 051101 (2009)
[56] M. Qi, E. Lirorikis, P. Rakich, S. Johnson, J. Joannopoulos, E. Ippen, H. Smith, Nature 429,
538 (2004)
[57] V. S. Amarantuga, H. T. Hattori, M. Premaratne, H. H. Tan, C. Jagadish, J. Opt. Soc. Am. B 25,
1532 (2008)
[58] I. Tarhan, G. H. Watson, Phys. Rev. Lett. 76, 315 (1996)
[59] Alvaro Blanco, Emanuel Chomski, Serguei Grabtchak, Marta Ibisate, Sajeev John, Stephen W.
Leonard, Cefe Lopez, Francisco Meseguer, Hernan Miguez, Jessica P. Mondia, Geoffrey A. Ozin,
Ovidiu Toader, Henry M. van Driel, Large-scale synthesis of a silicon photonic crystal with a
complete three-dimensional bandgap near 1.5 micrometres. Nature 405, 437 (2000)
[60] V. Mizeikis, I. Mikulskas, R. Tamasiunas, S. J. S. Matsuo, H. Misawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part
1 43, 3643 (2004)
[61] M. Deubel, G. von Freymann, M. Wegener, S. Pereira, K. Busch, S. Soukoulis, Nat. Mat. 3,
444 (2004)
[62] M. Deubel, M. Wegener, A. Kaso, Appl. Phys. Lett. 85, 1895 (2004)
[63] H. Sun et al., Opt. Lett. 26, 325 (2001)

Pagina 30 din 44
[64] H. B. Sun, V. Mizeikis, Y. Xu, S. Joudkazis, J. Y. Ye, S. Matsuo, H. Misawa, Appl. Phys. Lett.
79, 1 (2001)
[65] V. Mizeikis, K. K. Seet, S. Joudkazis, H. Misawa, Three-dimensional woodpile photonic
crystal templates for the infrared spectral range. Opt. Lett. 29, 2061 (2004)
[66] F. E. Livingston, H. Helvajian, MRS Bull. 32, 40 (2007)
[67] F. E. Livingston, H. Helvajian, Appl. Phys. A 89, 97 (2007)
[68] K. K. Seet, V. Mizeikis, S. Joudkazis, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 88, 221101 (2006)
[69] K. K. Seet, V. Mizeikis, S. Matsuo, S. Joudzakis, H. Misawa, Adv. Mater. 17, 541 (2005)
[70] J. Serbin, M. Gu, Adv. Mater. 18, 221 (2006)
[71] J. Serbin, A. Egbert, A. Ostendorf, B. N. Chichkov, R. H. G. Domann, J. Schulz, C. Cronauer,
L. Frohlich, M. Popall, Opt. Lett. 28, 301 (2003)
[72] M. Thiel, M. Decker, M. Deubel, M. Wegener, S. Linden, G. Freymann, Adv. Mater. 19, 207
(2007)
[73] T. Kondo, S. Matsuo, S. Joudzakis, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 79, 725 (2001)
[74] T. Kondo, S. Matsuo, S. Joudzakis, V. Mizeikis, H. Misawa, Appl. Phys. Lett. 82, 2758 (2003)
[75] Gregor Langer, PhD thesis, Micro-and Nanopatterning of Surfaces by Means of Colloidal
Monolayers (2005)
[76] B. Lukyanchuk (ed.), Laser Cleaning. (World Scientific Publishing Company, Singapore 2002)
[77] D. Bauerle, J. D. Pedaring, I. Vrejoiu, M. Peruzzi, D. G. Matei, D. Brodoceanu, Laser
processind and chemistry: applicatons in nanopatterning, material synthesis and biotechnology,
Rom. Rep. Phys. 57, 935-952 (2005)

Pagina 31 din 44
3. Partea experimentala

3.1 Introducere

In aceasta parte vom demonstra ca emisia spectrala a plasmei de ablatie produsa de multiple
pulsuri cu durata de nanosecunde pe o tinta de Aluminiu(Al), poate fi direct conectata la ratia
ablatiei si dimensiunea craterelor de ablatie. Aratam ca variatia de intensitati de linii spectrale cu
numarul de pulsuri ofera direct, informatie in timp real asupra adancimii craterelor. Ulteriara analiza
a intensitatii spectrale si largimii ne permite sa studiem variatia plasmei, mai exact temperatura si
densitatea, cu numarul de pulsuri si fluenta laserului. Observam ca temperatura plasmei si
densitatea variaza similar cu rata de ablatie cand creste numarul de pulsuri si fluenta laserului,
rezultat ce ofera informatii suplimentare in timp real a ablatiei asupra materialului tinta.
Pentru a interpreta experimental rezultatele relatiei dintre proprietatile plasmei de ablatie si
craterele formate in urma ablatiei, folosim un simplu model unde pana de plasma este tratata ca un
gaz ideal limitat de dimensiunea craterului. Norii in expansiune exercita asupra tintei o oarecare
presiune, care este determinata de temperatura sid ensitatea plasmei. Modelul are succes in
descrierea variatiei a ratei de ablatie cu numarul de pulsuri si fluenta laserului, si prezice inaltimea
jantelor in jurul craterului.
Analiza spectroscopica a norilor indusi prin laser in plasma, este esentiala pentru intelegerea
procesului de ablatie laser si este asociata fenomenelor precum incalzirea materialelor, topirea,
evaporarea si ionizarea [1-6]. Mai mult, spectroscopia plasmei reprezinta un instrument important
pentru caracterizarea si controlul proceselor precum depozitarea de filme subtiri prin metoda laser
in diferite conditii de iradiere, diferite materiale si gaze de fundal [7-13].
Cateva studii complete spectroscopice au adresat caracterizarea spatiala si temporala a
norilor plasmatice a ablatiei, cu scopul de a determina dinamica speciilor ablate din tinta catre
substrat [14-18]. Tehnici diferite de spectroscopie pot fi folosite pentru diagnoza plasmei de ablatie
[4,5]. Intensitatea liniilor de emisie poate fi folosita pentru a calcula temperatura plasmei, intrucat
latimea liniilor spectrale poate fi folosita pentru estimarea densitatii electronilor din plasma. Cat
temperatura plasme, atat si densitatea electronilor este corelata la caracteristicile ablatiei laser, dupa
cum era descris mai devreme in alte procese asociate cu plasma precum in sudare [19,20].
Intelegerea relatiei dintre caracteristicile plasmelor de ablatie si a celor din zona ablatiei pot
fi foarte utile in procesarea laser [13-16]. Procesarea materialelor prin ablatie laser cu durata de
nanosecunde se bazeaza in conversia rapida(intre cateva zecimi de picosecunde) a energiei laser
absorbite de electronii liberi din material (prin mecanismul invers de Bremsstrahlung(radiatiei de
oprire)) in caldura de coliziune dintre electron-atom. Aceasta conduce catre o incalzire rapida si
foarte localizata, topire si evaporare a tintei [1-3]. Diferite modele teoretice propuse pentru puslatia
de nanosecunde a ablatiei laser tind sa rezolve ecuatia caldurii folosind diferite surse de caldura si
conditii de limita care enumera absobtia laser, transizia fazelor, si pentru miscari relative laser-tinta
[1, 21-23]. Pentru a trata dinamica plasmei, un alt set de ecuatii hidro-dinamice a fost rezolvat in
conexiune directa cu caldura, care ofera conditiile de limitare pentru ecuatiile de hidro-dinamica
[24, 25]. Aceste studii teoretice, indica faptul ca deasupra unei anumite fluente a laserului care
induce o puternica ionizare in nori, ablatia este mediata de Norii de ablatie, care actioneaza mai
mult asupra tintei decat insasi durata pulsurilor laser[1, 2, 21, 26, 27].
In acest studiu, analizam posibilitatea de a conecta datele spectroscopice in timp real din
plasma de ablatie la dimensiunile craterelor ablate pe o tinta metalica, cu diferite variatii de numar
de pulsuri si diferite fluenze ale laseului. Parametrii plasmei termodinamici (ex. Temperatura si
densitatea) au fost determinate prin distributia neutra a atomilor de Al din relatiile Boltzman ce emit
linii observabile, cat si a profilelor de linii Lorentz. Studiul spectroscopic este completat cu analiza
microscopica a craterelor ablate, si o analiza teoretica semicantitativa a rezultatelor dintre etape a
unui model termo-dinamic simplu.

Pagina 32 din 44
3.2 Experiment

Setarile experimentale folosite pentru studiu sunt aratate in figura 1(a). A doua armonica a
laserului Nd:YAG Q-setat (t p = 4 . 5 ns durata pulsului, 532 nm lungimea de unda) a fost folosita
pentru ablatie tintei de Al. Pulsurile laser au fost focusate pe o tinta cu o incidenta normala de
lentila convergenta (f/7, f=18 cm). Energia fascicolului a fost variata folosind un atenuator variabil,
dand o fluenta de 200 2000 J/cm2 in focus. Experimentele au fost duse afara , la aer deschis la
conditii normale.
Norul de plasma din ablatie a fost ilustrat cu lentile proiectoare (figura 1(a)) pe varful unei
fibre optice conectata la un spectrometru de inalta rezolutie Ocean Optics (~0.6 nm rezolutia optica
FWHM). Spectrele tipice integrate ale pulsurilor intregi pe durata experimentului in lungimea de
unda ce ne intereseaza in studiu sunt aratate in figura 1(b). Profilele liniilor sunt foarte bine
incadrate de curbele Lorentz (figura 1(b)), aratand ca marimea liniilor este predominant o marime a
presiunii ce apare din efectul Stark. Reprezentarea din mijloc in figura 1(b) indica prin linie
punctata profilul Lorentz cu o linie de 396.1 nm, in acelasi timp linia FWHM este deasemeni
indicata pentru o fluenta a laserului de 1800 J/cm 2 . Reprezentarea de jos indica prin linii continui
superpozitia Lorentz pentru lungimile 394.4 si 396.1 nm, care aproximeaza foarte bine semnalul
obtinut de spectrometru (linia punctata).
Am analizat intensitatile de 309.2 si 396.1 nm a liniilor a atomilor neutri de Al si FWHM
pentru linia de 396.1 nm ca functie a fluentei si numarul pulsurilor. Ambele linii au acelasi nivel de
referinta, ele sunt apropiate in spectru astfel ca eficienta stridenta a reflexiilor este la fel pentru
ambele lungimi de unda, iar nivelul lor superior are mai mult decat suficient (E 1 E2 =0.87893 eV)
pentru a obtine o temperatura precisa pentru plasma ablatiei [28].
Cratelere ablatiei au fost analizate subsecvent cu un microscop metalografic cu rezolutia de
1 m in adancime si 2 m transversal. Astfel am obtinut dependentele de diametru si adancime a
craterului de numarul pulsurilor si fluenta laserului.

Tinta
Lentila
Intensitatea liniilor

Plasma
ablatiei
Lentila de
imagine
Imagine
obtinuta cu
varf de fibra
optica

(a)

Pagina 33 din 44
 (b)

Figura 1 (a) Setarile pentru experiment. (b) Graficul de sus: Spectre tipice inregistrate dea lungul
experimentului la fluente diferite: 500 (linia rosie) si 1800 (linia albastra)J/cm 2; graficul din mijloc:
Profilul Lorentz pentru Al I cu linia de 396.1 nm (linia punctata); graficul de jos: superpositia liniei
de 394.4 si 396.1 nm cu profilele Lorentz (linia continua) si datele experimentale de la spectroscop
(punctata) la 1800 J/cm2 .

3.3 Rezultate si discutii

Din graficele prezentate in figura 1(b) inregistrate pentru fluente si numar de pulsatii
diferite, am determinat raportul dintre intensitatiile liniilor de 396.1 si 309.2 nm emise de speciile
de Al neutre. Considerand ca norii subtiri de plasma si distributia atomica pe nivele energetice
sunt in echilibru termic, temperatura plasmei (T) poate fi gasita din ecuatia [5,6]:

(1)

unde E1 si E2 sunt energiile starilor superioare in tranzitiile enumerate aici, si I, , g si f sunt

intensitatea, lungimea de unda, greutatea statistica si puterea de oscilatie a celor 2 tranzitii respectiv.
Constantele spectroscopice corespund la cele 2 linii regasite in [28].
Densitatea plasmei ne poate fi determinata din limitele Stark a liniilor spectrale, care este in
mare dominata de impactul electronic [4,5]. Aici am determinat latimea liniilor de 396.1 nm pentru
diferite fluente si un numar de pulsuri diferit. FWHM-ul (1 /2) profilelor liniilor este relatat la
densitatea electronilor de relatia simplificata [4,12]:

(2)
unde W este paramatrul de impact al electronilor, care este slab dependent de temperatura.
Dependenta dintre temperatura plasmei si densitatea acesteia la numarul de pulsuri este
prezentat in figura 2(a) pentru fluente diferite: 500 si 1800 J/cm2 . Temperatura plasmei este practic
constanta cand creste numarul de pulsuri pana la aproximativ 30, fiind ~3800 K la 500 J/cm 2 si
4100 K la 1800 J/cm2 . Ulterioarele mariri a numarului de pulsuri conduc la o scadere de
temperatura cu aproximativ ~10%, la ~3600K si 3700K la fluente de 500 si 1800 J/cm 2 , respectiv.

Pagina 34 din 44
 (a)

(b)

Figura 2 Temperatura plasmei (a) si densitatea (b) in raport cu numarul de pulsuri pentru cele 2
fluente: 500 J/cm2 (linia rosie punctata) si 1800 J/cm2 (linia albastra punctata). Graficele evidentiaza
dmeniul numarului de pulsuri cu parametrii plasmei aproximativ constanti: pana in 30 si peste 30 de
pulsuri.

Pagina 35 din 44
 (a)

(b)

Figura 3 (a) Dependenta dintre adancimea si diametrul craterului raportat la numarul de pulsuri la
500 J/cm2 . (b) Intensitatea liniilor de 396.1 nm a Al I in raport cu numarul de pulsuri la 500 J/cm 2 .
Graficele pun in evidenta diferite variatii a domeniului de pulsuri, sub si peste 30.

Un asemeni comportament poate fi observat si la densitatea plasmei (figua 2(b)). Densitatea

ramane constanta (~3.6 x 1018 cm -3 la o fluenta de 500 J/cm2 si ~ 4.1 x 1018 cm-3 la 1800 J/cm2 )
cand crestem numarul de pulsuri pana la ~30, si scade instantaneu cu 10% cand numarul de pulsuri
este peste 30. Acest comportament poate fi usor relatat la rata de ablatie si, consecvent, la
dimensiunea craterelor ablate (figura 3(a)). Aici putem observa ca atat diametrul, cat si adancimea
craterelor la 500 J/cm2 cresc puternic, linear, atunci cand crestem numarul de pulsuri pana la

Pagina 36 din 44
aproximatix 30, unde ulterioara cresterea numarului de pulsuri duce la o crestere liniara mult mai
mica a adancimii si diametrului craterelor. Cresterea liniara a diametrului si adancimii craterelor
indica aaproximativ constanta de ablatie (definita ca cresterea adancimii craterului pe puls) si rata
transversala de ablatie (definita ca cresterea razei craterului pe puls) in doua domenii de numar de
pulsuri, de ex. Sub si peste 30 de pulsuri. Rata de ablatie si transversala rata de ablatie, respectiv,
~3.7 si 1.1 m /puls pentru primele ~30 de pusluri, dupa care scade la ~0.5 (si 0.25, respectiv) m
/puls pentru urmatoarele pulsuri. Acest fenomen fiind un analog deplin pentru comportamentul
temperaturii si densitatii plasmei cand se creste numarul de pulsuri.
Din datele spectroscopice putem gasi mult mai simplu informatie relativa la constanta ratei
de ablatie. Conexiunea directa dintre adancimea craterului si intensitatea liniilor spectrale, face
analiza spectroscopica convenabila pentru urmarirea in timp real a procesului de multi pulsnat a
ablatiei laser. Figura 3(b), de exemplu, prezinta variatia intensitatii pentru linia de 396.1 nm a Al in
raport cu variatia numarului de pulsuri la o fluenta de 500 J/cm 2. Intensitatea liniilor scazand dea
lungul primelor 30 de pulsuri si devenind aproximativ de 3 ori mai mica dupa al 30 puls in
comparatie cu intensitatea celui de al 4-a puls. Aceasta este consistenta cum variatia adancimii
craterului: adancimea craterului creste liniar o data cu numarul de pulsuri, devenind de ~3 ori mai
mare dupa al 30 puls, in raport cu adancimea masurata la pulsul 4. Ulterioara crestere a numarului
de pulsuri ducand la o scadere mult mai lenta a intensitatii liniilor, care este consistenta cu o
crestere mult mai lenta a adancimii craterului in raport cu numarul de pulsuri.
Prin impreunarea celor 2 rezultate, in special Spectroscopic si Microscopic, putem explica
calitativ schimarea ratei de ablatie la al 30-a puls. Cand cel putin una din dimensiunile craterului
(adancimea sau diametrul) este mai mica decat lungimea hidro-dinamica a norului de plasma ce
corespunde raspandirii libere a norului de plasma

(3)

exista o constrangere a plasmei in interiorul craterului, ce duce la o densitate si temperatura ridicata

a plasmei. Aici este viteza expansiunii a norului de plasma luata drept viteza
sunetului in gaz inert [1], = 5 / 3 fiind coeficientul adiabatic a plasmei considerat ca un gaz ideal
monoatomic, M este masa atomica, si teff = 5tp este timpul total de evaporare (incluzand si timpul de
post iradiere), care ofera o contributie importanta la densitatea si temperatura plasmei [21].
Densitatea si temperatura plasmei nu depind de numarul de pulsuri ci de fluenta incidenta si ,
consecvent, rata ablatiei dea lungul ablatiei mediate a plasmei sunt deasemeni independenti de
numarul de pulsuri.
Totusi, la un anumit numar de pulsuri, toate dimensiunile craterelor devin mai largi de l p.
Spre exemplu, la 500 J/cm2 si la al 30-a puls, considerand parametrii plasmei prezentati mai sus
obtinem lp 35 m care este aproximativ diametrul craterului. Astfel, in aceste conditii, norul
creste practic liber deasupra tintei si, in consecinta, densitatea plasmei si temperatura scad. Asta
implica o scadere a ratei de ablatie, care este puternic dependenta de caracteristicile plasmei.
Valabilitatea acestui simplu model poate fi demonstrata ulterior folosind-o in calcului
inaltimii marginilor craterului. Tinand cont de densitatea si temperatura a norului de plasma
determinate experimental, precum si de ecuatia termo-dinamica a starii plasmei ca un gaz ideal,
presiunea medie in interiorul norului la 500 J/cm2 este p 1.9 atm. Presiunea de respingere
exercitata la suprafata de topire a tintei va impinge topitura in exteriorul craterului. Din punct de
vedere al hidro-dinamicii, viteza de expulzare a topiturii in jurul craterului poate fi scrisa ca [23]

(4)
unde prec (1+ )p este presiunea de expulzare a plasmei [1], patm este presiunea atmosferica
normala, este densitatea masei topiturii. Prin multiplicarea vitezei de ejectie cu timpul efectiv teff
vom obtine cresterea marginilor pe puls. De aici, obtinem rata de crestere a inaltimii marginilor de
0.3 m/puls. Acest rezultat e sustinut si de masuratori ~6m inaltime dupa primele 20 de pulsuri, si
~12 m dupa 40 pulsuri.

Pagina 37 din 44
 (a)

(b)

Figura 4 (a) Dependenta temperaturii si densitatii plasmei de fluenta la al 20-a pulse.

(b) Dependenta diametrului si adancimii craterului de fluenta celui de-al 20-a puls.

In continuare investigam dependenta temperaturii si densitatii plasmei, de un anumit numar

de pulsuri la o serie de fluente a laserului. Figura 4(a) indica cat temperatura, atat si densitatea
plasmei produse la al 20-a puls crescande usor si liniar in concordanta cu fluenta: cand creste
fluenta de la 500 la 1800 J/cm2, temeperatura plasmei creste intre 3200 si 400 K, iar densitatea
creste de la 3.6 x1018 la 4.1 x 1018 cm-3.
O crestere liniara mai mica a temperaturii si densitatii plasmei cu fluenta laserului este
consitenta cu rezultatele anterioare in in conexiunea directa dintre parametrii plasmei si rata de
ablatie. Figura 4(b) indica faptul ca adancimea si diametrul craterului facut prin 20 de pusluri
consecutive, creste aproximativ liniar cu fluenta. Rezulta ca rata de ablatie este direct proportionala
cu fluenta, precum si temperatura si densitatea plasmei.

Pagina 38 din 44
3.4 Analiza spectroscopica

Plasma indusa de laser este presupusa a fi optic rarefiata si in conditii locale de echilibru
termic (LTE); asta inseamna ca partculele au un comportament energetic cu distributia Maxwell-
Boltzman, si procesele de coliziune domina asupra celor radiative[4, 6]. Densitatea critica a
electronilor necesara satisfacerii acestei conditii este data de criteriul McWhirter [29].
ne 1.6 1012 T 1 / 2 [ E (eV )]3 (cm-3), (5)
unde T este temperatura electronului si E este cel mai mare interval de energie de la energia
maxima la cea minima in linii adiacente de tranzitie. Pentru cazul investigat aici, E 4.0216499
eV corespunde liniei de tranzitie a Al de 309.27099 nm. In acest caz, valoarea maxima a
principiului mainii drepte (5) este ~1016 cm-3. Densitatea electronilor in norul de plasma estimata in
conditiile iradierii similare celor aplicate in studiul nostru de caz, depaseste acest prag cu cel putin
un ordin al magnitudinii [6, 30, 31]. Astfel putem considera ca conditiile LTE sunt complete si
distributia speciilor are forma Boltzmann.

3.5 Concluzii

In prezenta am demonstrat ca spectrul emisiei si proprietatile termo0dinamice a plasmei de

ablatie produse de multiple pulsuri cu durata de nanosecunde asupra tintei metalice de Al, pot fi
direct conectate cu rata ablatiei si cu dimensiunea craterelor formate. Mai exact pana la un anumit
numar de pulsuri (~30 de pulsuri) acestea depind de proprietatile plasmei si de dimensiunea
craterelor, intensitatea liniilor spectrale a Al neutru descreste considerabil, aproximatix liniar cu
numarul de pulsuri; ulterioara crestere a numarului de pulsuri duce la o descrestere mult mai mmica
a intensitatii liniilor. Printr-o analiza microscopica a craterelor de ablatie am legat acest
comportament de adancimea craterelor, care creste considerabil, liniar, la inceput si la fel liniar, dar
mult mai lent dupa.
Analizele ulterioare a intensitatii spectrale a liniilor si latimilor indica faptul ca exista o
conexiune directa intre rata de ablatie si parametrii plasmei. Temperatura plasmei si densitatea
acesteia raman constante pana cand numarul de pulsuri atinge o anumita valoare (~30 de pulsuri);
cresterea ulterioara a numarului de pulsuri duce la o diminuare a temperaturii si densitatii plasmei,
si concomitent la diminuarea ratei de ablatie.
Pentru a explica rezultatele am folosit un simplu model teoretic, unde norul de plasma este
considerat un gaz ideal, a carui temperatura si densitate sunt cunoscute din masurarile
spectroscopice. Norul creste dincolo de tinta (longitudional si transversal) cu o viteza anume ce
depinde de temperatura, si exercita asupra tintei o presiune reciproca determinata de temperatura si
densitatea plasmei. Modelul indica faptul ca sub pragul de numar de pulsuri (~30) exista cel putin o
dimensiune caracteristica craterului (ex. Adancimea sau raza) care este mai mica decat lungimea
hidro-dinamica a plasmei, demontrand ca plasma este practic limitata in craterul crescator. Trecand
pragul numarului de pulsuri, toate dimensiunile craterelor sunt mai mari decat lungimea hidro-
dinamica, norul poate creste practic liber deasupra tintei, ducand la o scadere a temperaturii si
densitatii plasmei. Modelul teoretic este in continuare validat dintre concordanta inaltimii
marginilor craterului si calculele de expulzare a topiturii sub influenta presiunii de ejectie.

Pagina 39 din 44
Bibliografie

[1] Bauerle, D 2000 Laser processing and chemistry, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New

York
[2] von Allemen, M, Bllatter, A 1995 Laser-Beam Interaction with Materials, Springer-Verlag
[3] Ready, J F 1971 Effects of High-power Laser Radiation, Academic Press, New York-London
[4] Griem H 1964 Plasma Spectroscopy, New York: McGraw-Hill
[5] Amoruso S., Bruzzese R, Spinelli N., and Velotta R., 1999 J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 32 ,
R131R172
[6] Dadras S, Torkamany M J and Sabbaghzadeh J, 2008 J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 225202
[7] De Giacomo A, DellAglio M, Bruno D, Gaudiuso R and De Pascale O, 2008 Spectrochim.
Acta. B 63, 80516
[8] Shaikh N M, Hafeez S, Rashid B and Baig M A, 2007 Eur. Phys. J. D 44, 3719
[9] Furusawa H, Sakka T and Ogata YH, 2004 J. Appl. Phys. 96, 97582
[10] Bogaerts A and Chen Z, 2005 Spectrochim. Acta B 60, 1280307
[11] Mahmood S, Rawat R S, Darby M S B, Zakaullah M, Springham S V, Tan T L, and Lee P,
2010 Physics of Plasmas 17 , 103105
[12] Gordillo-Vazquez F J, Perea A, Chaos J A, Gonzalo J and Afonso C N, 2001 Applied Physics
Letters 78 , 1335853
[13] Aguilera J A and Aragon C, 2002 Appl. Surf. Sci. 197198 , 27380
[14] Saji K J, Joshy N V and Jayaraj M K, 2006 J. Appl. Phys. 100 , 043302
[15] Amoruso S, Bruzzese R, Spinelli N, Velotta R, Vitiello M and Wang X, 2003 Phys. Rev. B
67, 224503
[16] Yamagata Y, Sharma A, Narayan J, Mayo R M, Newman J W and Ebihara K, 2000 J. Appl.
Phys . 88, 68617
[17] Vadillo J M and Laserna J J, 2004 Spectrochim. Acta B 59, 14761
[18] St-Onge L and Sabsabi M, 2000 Spectrochim. Acta B 55, 299308
[19] Sabbaghzadeh J, Dadras S and Torkamany M J, 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 104751
[20] Ancona A, Spagnolo V, Lugara P M and Ferrara M, 2001 Appl. Opt. 40, 601925
[21] Bykov NY, Bulgakova N M, Bulgakov A V, Loukianov G A, 2004 Appl. Phys. A 79 , 1097
1100
[22] Deepak Marla, Upendra V. Bhandarkar, and Suhas S. Joshi, 2011 J. Appl. Phys. 109 , 021101
[23] Mihai Stafe, Constantin Negutu and Ion M. Popescu, 2007 Appl. Surf. Sci. 253 , 63536358
[24] Balazs L, Gijbels R, and Vertes A, 1991 Anal. Chem. 63 , 314
[25] Peterlongo A, Miotello A, and Kelly R, 1994 Phys. Rev. E 50 , 4716
[26] Russo R E, Mao X and Mao S S, 2002 Anal. Chem. 74 70A77A
[27] Vogel A and Venugopalan V, 2003 Chem. Rev. 103, 577644
[28] http://physics.nist.gov/PhysRefData/ASD/lines_form.html
[29] McWhirter R W P (1965) Plasma Diagnostic Techniques, ed. R H Huddlestone and S L Leonard (New
York: Academic)
[30] Isak I. Beilis (2008), Radiation Effects & Defects in Solids Vol. 163, Nos. 46, AprilJune 2008, 317
324
[31] N.M. Shaikh, S. Hafeez, B. Rashid, and M.A. Baiga, (2007) Eur. Phys. J. D 44, 371379

Pagina 40 din 44
4. Concluzii

Dintr-o sursa versatila de energie intr-o forma foarte concentrata, laserul a evoluat ca o unealta
atractiva si un instrument de cercetare, cu potential in aplicatia in o multime diversificata de
domenii si industrii. In unele aplicatii, precum fuziunea atomica si separarea izotopica, puterea
laserului este foarte importanta. In alte aplicatii, scopul principal al utilizarii laserelor consta in
monocromaticitatea si coerenta acestuia (detectia poluarii, masurarea lungimii/vitezei,
interferometrie, etc.), divergenta mica (spectacol cu lasere, aratatoare, dispozitive audio si video),
sau o combinatie dintre toate cele ( comunicatii, holografie, metrologie).
Conform, ultimelelor decade au fost dezvolate multe tipuri de laser, capabile sa livreze o
varietate mare de lungimi ge unda, energie, distributie temporala si spectrala si eficienta. Laserele
principale folosite in ablatia pulsata prin laser si proprietatile lor sunt prezentate in capitolul II.
Criteriile fundamentale pentru alegerea conditiilor de iradiere pentru o ablatie de inalta calitate a
materialului, consta in principiu in relatia dintre rata ablatiei si adancimea termala si optica a
penetrarii. Adancimea optica a penetrarii plasmei ar trebui sa fie considerata din moment ce plasma
actioneaza ca o sursa secondara de caldura, dar si ca un scut de protectie impotriva laserului
incident.
Electronii liber a laserului au avantajul ajustabilitatii si teoretic a lungimii de unda nelimitata
pentru lasere ordinare. Lungimile de unda mai mici descresc potential suprafata de actiune, marind
precisia laserului in procesarea materialelor. Tehnologiile prezente permit laserelor procesarea
dimensiunilor sub un micrometru doar prin folosirea retelei de tehnici interferente. Oricum astfel de
tehnici, sunt deobicei limitate la parametri specifici, datorita limitarii franjelor de interferenta.
Actuala precizie micrometrica, poate fi potential imbunatatita in viitorul apropiat pana la picometri
sau nanometri, prin reducerea lungimii de unda si prin cresterea performantei de focus. Aceasta ar
trebui sa fie un mare salt in dezvoltarea tehnologica pentru nanotehnologii, luand performanta
acuala a fasciculelor de ioni si electroni.
Cateva forme de tehnici de spectroscopie, folosesc laserele ca o unealta de culegere a
mostrelor sau ca o sursa de excitatie. Avantajul principal care unele dintre aceste tehnici il ofera,
este ca ele sunt capabile de analiza inauntru, extrem de rapida a compozitiei materialului
necunoscut si in unele cazuri sunt non-destructive.
Metodele de monitorizare in timp real fac posibila analiza a unor fenomene termale si
optice, ce au loc de-a lungul iradiatiei prin pulsatia laserului. Acestea, schimbarea starilor de
agregare a suprafetelor iradiate, dezvoltarea norului de vapori si ionizarea acestuia, sau generarea
ultrasunetelor/undelor de soc in interiorul tintei si imprejur sunt exemple a fenomenului care, prin
monitorizarea corespunzatoare, aduce informatii utile despre Ablatia Laser Pulsata. Printre aceste
metode sunt opto-acustice, interferometrice, piezo-microbalansate si tehnicile spectroscopice.
Interactiunea lasero-material aduce baza pentru sensorii ultrasonici a laserelor, metode fara
contact si nedestructive a testarii materialelor cu aplicatii industriale in controlul calitatii. Totusi,
procesul de analiza a materialelor solide poate singur sa rezulte din resturi de hazard, din moment
ce aceste materiale adesea necesita sa fie dizolvate, pentru a forma un lichid ce poate fi analizat
spectrofotometric.
In ultimii ani, ablatia laser si spectroscopia folosite pentru autocaracterizarea lor, au crescut
imens interesul pentru acestea, precum a fost demonstrat de numeroase cercetari si teorii relative la
subiect [4-15]. Ablatia laser, este procesul de tintire a fascicolului de laser asupra materialului tinta,
cauzand o cantitate mica a acestuia sa fie vaporizata, astfel incat analizele spectroscopice si cele
asistate de calculator pot fi efectuate in secunde, ceea ce a devenit baza pentru tehnologia de studii
chimice. Deasemeni, ablatia laser este rapida si ieftina, permitand tehnicienilor sa conduca multe
teste si mostre in timp real. Aceasta tehnologie reduce reziduurile chimice din testarea proceselor
pana la aproape zero, simplificand colectarea de mostre, si marind viteza procesului de testare,
ducand spre dezvoltarea tehnologiilor eco pentru analiza compozitiei a solidelor necunoscute,
lichidelor si gazelor.

Pagina 41 din 44
 Din procesul de ablatie laser, doua tehnici apropiate sunt folosite cu succes, spectroscopia
indusa in norul de plasma (LIBS), facanduse corelarea cu elementele chimice si concentratia, cat si
spectroscopia masei de plasma(LA-ICP-MS), unde particulele mici din ablatie sunt masurate.
In LIBS precizia fiind aproximativ de o patre din milion, iar LA-ICP-MS avand precizia de
o parte pe bilion. Ambele tehnici permit masurarea a intregii compozitii chimice a tintelor, folosind
pulsurile de laser si pot fi folosite ca metode pentru element si selectia de izotopi din materialele
solide.
In ultima decada LIBS a devenit foarte populara metoda analitica, din perspectiva a unor
posibilitati unice precum aplicabilitatea in orice tip de mostra, practic fara prepararea mostrei,
capacitate sensitiva de la distanta,(aplicata in probleme provocator de importante precum:
explozibili, reziduuri nucleare, explorarea de spatiu etc.), si in viteza analizei.
Din literatura stim ca LA-ICP-MS, a oferit acces in diferite discipline precum: biologia,
metalurgia, arheologia, stiinta materialelor (chiar si asa, fiind majoritar aplicata in domeniul
geologiei), in ultima vreme interesul pentru LA-ICP-MS e in crestere continua deoarece
instrumentatiei imbunatatite si a cuantificarii rafinate a strategiilor. Operatiile de rutine a laserelor
de femtosecunde vor permite cercetatorilor sa aprofundeze precizia cercetarilor la nivel de
nanometri, si deasemeni sa performeze analize de acuratete nu doar pentru dielectrice, dar si pentru
metale si semiconductoare.
Primele eforturi experimentale au oferit deja fezabilitatea LA-IPC-MS in domeniul
nanostructurilor, totusi, analiza sistemelor binare sau ternare spre ex. Incluzand cuantificarea
constituentilor minor, vor necesita imbunatatirea sensibilitatii cu cel putin doua sau trei ordine de
marime. In cazul nanoprobelor precum tomografia probelor atomice (APT) sau spectrometria
ionilor nano-secundari (SIMS) a aplicatiei LA-IPC-MS vor depinde de avansurile facute in vederea
ionilor prin instrumentele (ICP-MS) actuale.
Spectrometria masica poate fi aplicata pentru masurarea directa a speciilor intermediare.
Folosind emisia spectroscopica, este posibil sa determinam temperatura electronilor pe durata
procesului de ablatie (aceasta fiind intre 6000-10000K si proportionala cu puterea laserului).
Deasemeni, este posibil sa se determine forma stoichiometrica si morfologica a nanoparticulelor
depozitate de ex. pe banda de carbon la diferite presiuni atmosferice arata procent diferit de cupru si
nanoparticule. Analizand materialele pentru determinarea compositiei lor chimice, este o unealta de
baza a stiintei, si este folosita zilnic nu doar pentru cercetare, ci si pentru scopuri precum testarea
sigurantei mancarurilor, detectia explozivilor, si resturilor periculoase si remediilor.
Testele bazate pe ablatia laser, deasemeni pot fi folosite in diverse aplicatii ecologice. De
exemplu, un producator de electronice, foloseste aceasta pentru a determina daca componentele sunt
bine lipite cu flutor, si nu au exces si sunt libere in acelasi timp de particule de fludor pe suprafata
sa, aceasta fiind necesara multor companii. Ablatia laser, deasemeni, permite analiza controlului
puritatii de silicon, folosit in panourile fotovoltaice.
Ablatia laser poate fi folosita pentru depozitarea de nanoparticule pe suprafete metalice
fomrand bimetale (de ex. Ag-Ni) si alte tehnici precum, scanarea microscopica a electronilor,
spectroscopia dispersiei energetice, Raman si fotoelectroni de raze X, respectiv spectroscopia poate
fi folosita pentru caracterizarea morfologiei, caracteristicei si constructiei a particulelor de bimetal
sintetizat.

Pagina 42 din 44
Bibliografie

[1] G. Edwards, R. Logan, M. Copeland, L. Reinisch, J. Davidson, B. Johnson, R. Maciunas, M.

Mendenhall, R. Ossoff, J. Tribble, J. Werkhaven, D. ODay, Tissue abblation by a free-electron laser
tuned to the amide II band. Nature 371, 416-419 (1994)
[2] B. Choi, G. Vargas, D.X. Hammer, B. Sorg, T.J. Pfeferm J.M.H. Teichman, A.J. Welch, E.D.
Jansen, Free electron laser ablation of urinary calculi: An experimental study. IEEE J. Sel. Top.
Quantum ELEctron 7, 1022-1033 (2001)
[3] S.R. Uhlhorn, R.A. London, A.J Makarewicz, E.D. Jansen, Hydrodynamic modeling of tissue
ablation with a free-electron laser, in Proceedings of Laser-Tissue Interaction XI., SPIE, vol.
3914A, p. 238 (2000)
[4] H.R. Griem, Principles of Plasma Spectroscopy (Cambridge University Press, Cambridge,
2005)
[5] J. Koch, D. Guenther, Review of the state-of-art of laser ablation inductively coupled plasma
mass spectrometry. Appl. Spectrosc. 65, 155A-162A (2011)
[6] A.J. Carado, C.D Quarles, A.M. Duffin, C.J. Barinaga, R.E. Russo, R.K. Marcus, G.C. Eiden,
D.W. Koppenaal, Femtosecond laser ablation particle introduction to a liquid sampling-atmospheric
pressure glow discharge ionization source. J. Anal. At. Spectrom. 27, 385-389 (2012)
[7] S.B. Wen, C.F. Chen, X. Mao, R.E. Russo, Guiding and focussing of a nanosecond infrared laser
within transient hollow plasma femtosecond filament channels. J. Phys. D Appl. Phys. 45, 355203
(2012)
[8] V. Zorba, X. Mao, R.E. Russo, Ultrafast laser induced breakdown spectroscopy for high spatial
resolution chemical analysis. Spectrochim. Acta, B-At. Spectrosc. 66, 189-192 (2011)
[9] R. Ahmed, M.A. Baig, On the optimization for enchanced dual-pulse laser-induced breakdown
spectroscopy, IEEE Trans. Plasma Sci. 38, 2052-2055 (2010)
[10] S.S. Yap, W.O. Siew, C.H. Nee, T.W. Reenaas, T.Y Tou, Laser ablation and growth of Si and
Ge. Thin Solid Films 520, 3266-3270 (2012)
[11] D.N. Patel, P.K. Pandey, R.K. Thareja, Stoichiometric investigations of laser-ablated brass
plasma. Appl. Opt. 51, B192-B200 (2012)
[12] Q. Xiao, Z. Yao, J. Liu, R. Hai, H.Y. Oderji, H.Ding, synthesis and characterization of Ag-Ni
bimetallic nanoparticles by laser-induced plasma. Thin Solid Films 519, 7116-7119 (2011)
[13] J. Heitza, S. Yakunina, T. Stehrera, G. Wysockic, D. Baeuerlea, Laser-induced nanopatterning,
ablation, and plasma spectroscopy in the near-field of an optical fiber tip. In, Proceedings of SPIE,
vol. 7131, pp. 7131-7137 1W (2009)
[14] M. Kompitsas, F. Roubani-Kalantzopoulou, I. Bassiotis. A Diamantopoulou, A. Giannoudakos,
Laser induced plasma spectroscopy (LIPS) as an efficient method for elemental analysis of
environmental samples, in Proceedings of EARSeL-SIG-Workshop LIDAR, Dresden/FRG, pp.
130-138, 16-17 Jun 2000
[15] S.S. Harilal, G.V. Miloshevsky, P.K. Diwakar, N.L. LaHaye, A. Hassanein, Experimental and
computational study of complex shockwave dynamics in laser ablation plumes in argon atmosphere.
Phys. Plasmas 19, 083504-1-083504-10 (2012)

Pagina 43 din 44