Studiul proprietatilor

electrice ale straturilor

subtiri de oxid de zinc

Cuprins
Introducere
Metode de obtinere

-Depunerea prin ablatie laser(PLD)

-Metoda pulverizarii magnetron in regim RF
Rezultate si discutii
Concluzii
Bibliografie

Introducere
ZnO
este un semiconductor de tip AIIBVI
band interzis larg de 3,4 eV
rezistivitatea electric -102 cm i 106 cm dup depunere i se
micsoreaza pana la 10-3-10-2 cm incalzirii in vid

Metoda de obtinere
PLD
transfer stoichiometric de material de la tinta
la substrat,
rate de depunere relativ mari ~ 10 nm/min,
obtinute la fluenta moderata
proces de depunere foarte curat
posibilitatea de depunere de filme(straturi
subtiri) multistrat folosind un carusel cu multe
tinte

Conditiile/parametrii
de depunere a
straturilor subtiri

Substraturi: SiO2
Sursa de lasert: KrF
Frecventa:1Hz
Fluenta laser: 2,8J/cm2
Presiune de lucru: 13 Pa O2
Rata de depunere: 2.5 nm/min;
Temperatura sinterizare: 1100C
Spalare prin ultrasonare in
alcool

Metoda de obtinere
RF-MS

-presiune de
pulverizare
-atmosfera de
depunere
-distanta tintasubstrat;
-temperatura substrat

Conditiile/parametrii de
depunere a straturilor subtiri
Substraturi: Si ;
Degresare in acetona si spalare prin
ultrasonare in alcool iso-propilic
Vid limita: ~10-3 Pa;
Gazul de lucru: Ar +O2;
Presiune de lucru: 1 Pa
Rata de depunere: 2.5 nm/min;
Temperatura substratului: 550C

Schematica a principiului
pulverizarii magnetron in regim RF

Figura 1.Imaginele SEM ale straturilor subtiri de oxid de zinc depuse prin
metoda magnetron sputtering

Figura 2.Imagine tipica SEM (a) si imaginea complementara AFM (b) a unei
probe de ZnO simplu depusa pe SiO2 la 150 0C si 13 Pa O2

Figura 3. Difractrograma de raze X

tipica a filmului de ZnO simplu depus
la RT si 13 Pa O2 pe SiO2

Figura 4. constant dielectric

i pierderi dielectric pentru
ZnO strat subire ca o functio
de frequencys

Figure 5.Coeficientul de
temperature al rezistentei al
straturilor subtiri de ZnO

Figura 6. Modulul de
elasticitate al straturilor
subtiri de ZnO

Figura 7. Dependenta rezistivitati electrice in functie de presiunea

partiala

Concluzii
In urma acestor depuneri se observa o aderenta buna strat-substrat,
uniformitatea compozitionala, puritatea inalta.
Cristalinitatea este mai scazuta in cazul depuneri prin pulverizare
magnetron, fata de ablatia laser deoarece energia particulelor de
depunere nu este suficient de mare astfel in cat sa aiba o organizare
cristalina a filmului.
Diferenta dintre cele doua metode este ca una se realizeaza in vid
inaintat si alta in vid mai scazut.
In cazul ablatiei laser filmele sunt stoechiometrice stoechiometria
filmelor prin magnetron sputtering se poate atinge prin folosirea O2
impreuna cu Ar (ca si gaze de lucru)
Sunt piezorezistivi datorita modulului de elasticitate ridicat si
rezistivitate scazuta

Bibliografie
1.T Ohshima, R.K. Thareja,Y. Yamagata, T. Ikegami, Laser-ablated plasma for
deposition of ZnO thin films on various substrates, Science and Technology of
Advanced Materials, 2, 3-4, 517-523, 2001
2. Chitanu Elena, Ionita Gheorghe, Obtaining thin layers of ZnO with magnetron
sputtering method, International Journal of Computers, 4, 4, 2010
3. W.X.Cheng, A. L.Ding, X. S. Zheng, P. S. Qiu and X. Y. He, Optical and electrical
properties of ZnO nanocrystalline textured films prepared by DC reactive magnetron
sputtering, Journal of Physics: Conference Series 152 (2009) 012036