1

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

TEHNOLOGIA CMOS Se cere: -elemente de tehnologie de fabrica ie -criterii de proiectare -simboluri -zone de lucru specific i caracteristici :de dren , de satura ie, de gril

-modelul de semnal mic n zona de satura ie; schem , parametrii, legi -modelul de semnal mic n zona de triode; schem , parametrii, legi -capacit ii parazite ( cap. Jonc iunilor de suprapunere, cap. Canalului) i satura ie

-modelul de semnal mic nalta frecven a n zona de t iere, triod -scheme de simulare pt .???????

-parametri de maxim interes func ie de zona de lucru transconductan a de semnal mic, rezisten a dren -surs , capacit ile jonc iunilor, cap. de suprapunere, cap. canalului, lungimea canalului, l imea canalului, tensiunea de prag, mobilitate, factorul de satura ie de camp . -simboluri SPICE (pentru fiecare zon ) (coresponden a SPICE)

1.Elemente de tehnologie de fabrica ie si criterii de proiectare Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de camp (FET - field effect transistors) controleaz curentul ntre canalul dintre terminalul de drena i cel de sursa prin cmpul electric determinat de tensiunea aplicat pe poart . Pentru a men ine un cmp electric nu avem nevoie de un curent

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

care s circule. Astfel, avantajul esen ial al tranzistoarelor cu efect de cmp este acela c intensitatea curentului n terminalul por ii este practic nul . Tranzistoarele MOS (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) sunt dispozitive de conectare/deconectare folosite n circuitele integrate CMOS. Un circuit integrat CMOS tipic va fi compus din mai multe straturi individuale de siliciu i conductoare metalice. Fiecare strat este definit de structura lui proprie determinat de corpuri geometrice care sunt strategic amplasate pe alte straturi pentru a forma tranzistorul. Tranzistorul MOS s u extinzand la circuitul integrat, fizic, const din zone difuzate de conductivitate p sau n incluse intrun substrat de siliciu, Si, ntre care exista anumite conexiuni i la care, din exterior, se aplica tensiuni de polarizare. Pentru ob inerea acestor zone de conductivitate p sau n este necesar ntai s se realizeze ferestre pentru difuzie, n locurile respective, pe placheta de siliciu. Proiectarea const ntr-o serie de pasi ce trebuiesc urmati pentru a creea straturile pe un substrat de siliciu. Se pot distinge astfel opt etape: fabricarea plachetelor, oxidarea, depunerea de strat sub ire, difuzia, implantarea ionica, corodarea, metalizarea, litografia. Dintr-un lingou de siliciu cu rezistivitatea de 10 cm se taie discuri numite wafer cu grosimea n jur de 0.6 mm. Pe una din suprafe ele waferului se realizeaza simultan un numar de zeci sau sute de circuite integrate identice, apoi prin t iere se obtin plachetele cu circuitul integrat. Urmatorul pas este oxidarea care poate fi de doua feluri: umed i uscat . Dioxidul de siliciu (SiO2) este folosit la scala larga n circuitele integrate datorit propriet ilor i caracteristicilor ca dielectric. Dioxidul de silicu este folosit in MOSFET, i asigura izolarea dintre straturile conductoare. Exist doua cai n care oxizii sunt crea i, prin cre tere termic i CVD(chemical vapor deposition). n primul caz, oxizii folosesc atomi de siliciu din reac ia de oxidare. Astfel rezult dioxidul de siliciu la temperatura ntre 900oC i 1100 oC. n cazul CVD, oxizii sunt crea i folosind reac ii chimice cum ar fi combinarea monosilanului cu oxigenul , reac ie ce are loc la temperatura de 1000 oC. Tehnologia moderna MOS foloseste din ce in ce mai mult polisiliciu n straturi conductoare depozitate deasupra oxizilor. Circuitele VLSI folosesc implement ri cu ioni pentru a creea regiuni dopate n sau p n substratul de siliciu. O regiune dopat reprezint o sec iune n siliciu impurificat inten ionat cu atomi pentru a altera propriet ile sale electrice. Atomii arsenic (As) i fosfor (P) sunt folosi i pentru regiuni de tip n, unde exist un surplus de electroni. Atomii de bor (B) sunt folosi i pentru reginui de tip p, unde exist un surplus de goluri. Astfel ionii dopan i sunt accelera i i lovesc stratul de siliciu conform figurii 1.2.

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Majoritatea interconectorilor sunt crea i folosind straturi de metal sau aliaje. Ini ial s-a folosit aluminiul ca metal n realizarea FET-urilor datorit propriet ilor sale. Pentru fiecare strat, care se creaz pe pastil , trebuie realizat un ablon, o masc . Unul dintre procedeele de transfer al unei m ti pe un strat al circuitului se nume te litografiere. Deoarece fiecare strat are propriile cerin e pentru transpunerea m tilor, secven a de litografiere trebuie repetat pentru fiecare strat, folosind o masc diferit . Un circuit integrat CMOS este alcatuit din mai multe tranzistoare MOS care sunt legate de conductori numi i interconectori. Exist doua tipuri de tranzistoare MOS utilizate n CMOS: tranzistoare MOS cu canal n i tranzistoare MOS cu canal p. La o prima vedere, cele dou sunt complementare din punct de vedere electric. Un circuit integrat de siliciu este fabricat pe un substrat care a fost dopat cu o polaritate dat ( p sau n). Pentru a creea un circuit complementar care folose te ambele tranzistoare, trebuie s inem cont de aceste polarit i. Cnd tranzistoarele sunt fabricate pe substrat, ele trebuiesc s fie izolate electric unele de altele. Cea mai utilizat metod de izolare este oxidarea local a siliciului (LOCOS) (Fig. 1.3).

Aceast metod presupune crearea unui strat de SiO2 care nconjoar fiecare tranzistor. Izolarea ncepe prin oxidarea termal a substratului. Apoi ntreaga suprafa este acoperit cu un polimer organic rezistent la acid dar sensibil la lumin numit fotorezist. Se expune fotorezistul la raze ultraviolete devenind solubil. Exist dou tipuri de fotorezist: negativ i pozitiv. Fotorezistul negativ este solubil i devine insolubil dup ce este penetrat de lumina ultraviolet . Urm torul pas este cre terea cmpului de oxid (FOX). O alternativ la metoda LOCOS este metoda de izolare trench. Exist trei procese de fabricare CMOS: cu insula n , cu insula p i cu fntani gemene (twin-well).

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Procesul CMOS cu insula n (Fig. 1.4 ) porne te de la un substrat de siliciu dopat moderat. Apoi, un strat ini ial de oxid este depus pe ntreaga suprafa . Prima masc define te regiunea insulei n. Atomii donori, sunt implanta i prin aceast fereastra din oxid. Odata creata insula de tip n, se pot defini regiunile active ale tranzistoarelor pMOS i nMOS. Stratul de polisiliciu este realizat folosind CVD. Astfel linile create vor func iona ca electrozi de poart pentru tranzistoare, por ile reprezentnd m ti pentru implantarea sursei i drenei. SiO2 este depozitat pe ntreaga capsul i sunt definite contactele pentru a expune ferestrele de contact. Acestea sunt necesare pentru completarea conexiunilor circuitului cu ajutorul stratului de metal (aluminiu). Acesta este depus pe ntreaga suprafa iar linile metalice se modeleaza prin corodare. Procesul realiz rii unui circuit integrat reprezint defapt a ezarea succesiv a formelor pe substrat prin utilizarea m tilor. Tehnologia twin-well face posibil controlul parametrilor tranzistoarelor n ambele tipuri. Substratul initial este unu de tip n sau p iar deasupra se afla un strat impurificat epitaxial. Acest strat reprezint defapt locul unde se vor forma insulele de tip n i p. Pentru realizarea unui tranzistor pMOS se porne te de la un substrat de tip n; etapele proiect rii sunt identice cu cele ale tranzistorului nMOS cu deosebirea c impurit ile utilizate n procesul de difuzie, pentru obtinerea zonelor dopate de tip p pentru drena i sursa sunt de tip acceptor (de exemplu Bor). Proiectarea unui circuit integrat (CI) poate s fie separat de procesul de fabrica ie a circuitului. Regulile de proiectare reprezint defapt constrngeri impuse de procesul de fabrica ie. Aceste reguli de proiectare a layout-ului sunt de doua feluri: micronice i pe baza de lambda (caracteristica de proces, dimensiunea minima garantat pe care o poate realiza acel proces). Acestea din urma reprezint constrngerile referitoare la optenabilitatea dimensiunilor geometrice ca multiplu de . Exprimarea micronic a regulilor de proiectare se reduce la exprim ri n valori absolute pentru dimensiunile layout-ului. Uneori cele dou modalita i de proiectare sunt mixate. Caracteristicile electrice ale tranzistoarelor sunt stabilite de un set complex de parametrii i sunt dependete n procesul fabric rii. Aceste dependen e ntre parametrii influen eaz performan ele unei re ele logice. Astfel se dau o serie de parametrii prestabili i pentru tranzistoarele fabricate.

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig. 1.4. Etapele realiz rii unui tranzistor nMOS 2.Simboluri

Fig 2.1 Structura simplificat a tranzistorului MOS

Fig. 2.2. Tranzistoare MOSFET

i tipurile bipolare similare acestora.

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Tranzistoarele MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) sunt dipozitive electronice cu trei terminale active: poarta G , drena D i sursa S (Fig. 2.2 a). n plus, ele mai au un terminal, legat la substratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie men inut la cel mai cobort (sau ridicat, dup tipul tranzistorului) poten ial din circuit. Poarta este izolat cu un strat de oxid de siliciu, astfel ncat curentul de poart este practic nul (putnd ajunge chiar la 1 pA) iar curen ii de drena i sursa sunt practic egali. Func ionarea tranzistorului se bazeaz pe controlul conductan ei electrice a canalului ntre drena i surs , control efectuat prin tensiunea poart -surs . 3.Zone de lucru i caracteristici specifice

Zonele de lucru ale tranzistorului MOS depind de structura fizic a aparatului. Ideea principal care st la baza func ion rii este implantul a doua zone dopate identic n aproprierea unei insule de substrat. Aceste doua zone dopate sunt conectate la terminalele de surs i dren . Substratul poate fi de dou feluri, n i p , sau material insulator, depinznd de procesul tehnologic. Terminalul gril este separat de substrat printr-un strat sub ire de SiO2. Terminalul bulk este conectat direct la substrat. n continuare se vor exemplifica zonele de lucru ale tranzistorului nMOS. O tensiune pozitiv aplicat ntre gril i surs respinge golurile din substrat sub gril . Dac VGS este mai mare dect tensiunea de prag VTh, substratul de sub gril se polarizeaz invers i se creeaz un canal ntre dren i surs . Contactul dintre sarcinile de difuzie n i cele din substrat p formeaz o zon de gol care este distribuit n jurul drenei, sursei i n lungul canalului. Odata ce canalul a fost realizat, este nevoie de o tensiune dren -surs pentru a accelera electronii c tre dren . Curentul este men inut prin injectare de electroni n canal prin partea sursei i eliminarea lor prin terminalul drenei. 3.1 Zona de t iere. Dac tensiunea VGS este mai mic dect tensiunea de prag necesar creeri canalului, curentul prin tranzistor este nul. n zona de t iere, tranzistorul func ioneaz asemenea unui contact deschis cu rezisten mare. 3.2 Zona de trioda. Tranzistorul MOS functioneaz n aceast zon cnd VGS este suficient de mare nct s formezecanalul, dar VDS este mai mic dect VDSsat. Conform figurii 3.1 se poate observa existen a contactului ohmic ntre dren i surs . Consideram VGS > VTh(tensiunea de prag) astfel ncat suprafa a de sub oxid este polarizat invers , VDS > 0 , ducnd la apari ia unui curent de drift care va circula de la dren la surs . Ini ial vom considera c poten ialul dren -surs VDS este suficient de mic ncat atat tensiunea de prag ct i l imea stratului de goluri sunt constante. Trebuie calculat capacitatea C`ox. Diferen a de poten ial dintre gril i canal este VGS V(y), unde V(y) reprezint poten ialul din figura 3.1. Sarcina / unitatea de arie n stratul polarizat invers este dat de rela ia:
  

Sarcina Q`b este dat de rela ia:

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig. 3.1 Sec iune transversal a unui tranzistor nMOS n zona de trioda Sarcina total din canal, pentru conduc ia curentului ntre dren i surs este dat de diferen a ultimelor dou ecua ii i se poate scrie :   (1), unde Q`1 reprezint sarcina n canalul polarizat invers. Rezisten a diferen ial a zonei canalului cu o lungime de dy i l ime W este dat , unde n [cm2/ Vsec] reprezint mobilitatea medie a electronilor prin canal; rela ia:
 

de

i nlocuind n rela ia (1) ob inem

(2)

Definim transconductan a tranzistorului MOS ca fiind (pentru un tranzistor cu canal n ) :  dreapt Astfel curentul poate fi ob inut prin integrarea ecua iei (2) n partea stng de la 0 la L de la 0 la VDS : pentru VGS VTh si VDS VGS - VTh (3) Aceast ecua ie este adevarat pentru tranzistorul MOS n zona de trioda. Acesta este cazul n care canalul indus se extinde de la surs la dren . Continund putem rescrie ecua ia de mai sus folosind urmatoarea ecua ie : sau i partea sau

Pentru tranzistorul pMOS avem urmatoarea ecua ie: pentru VSG VTh 3.3 Zona de satura ie i VSD VSG - VTh

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig. 3.2 Sec iune transversal a unui tranzistor nMOS n zona de satura ie Tensiunea VDS este mereu mai mica dect VGS - VTh astfel c n niciun punct din canal sarcina este zero. Cnd VDS= VGS - VTh , sarcina de sub gril devine zero. Aceast tensiune dintre dren i surs o numim tensiune de satura ie VDS,sat i indic momentul cnd sarcina este t iat la suprafa a canalului dintre dren i surs . n plus, crescnd tensiunea VDS nu cre te i curentul de dren . Dac aceast tensiune cre te pn cnd zona de goluri dintre dren i surs se extinde, tranzistorul se nume te punched through. n aceste condi ii pot circula numai curen i foarte mari ducnd la deteriorarea aparatului. Tensiunea maxim care poate fi aplicat ntre dren i surs unui tranzistor MOS este dat de tensiunea punchthrough . Pentru lungimi de canale lungi, tensiunea maxim dintre dren i surs este dat de o tensiune de pr busire a drenei. Cnd tranzistorul lucreaz in canalul PINCHED-OFF adic VDS VGS - VTh spunem c lucreaz n satura ie. nlocuind VDS,sat n ecua ia (3) vom ob ine c pentru VDS VGS i VGS VTh

Prelucrnd ecua ia de mai sus ob inem 

Astfel, cu ct l imea stratului de goluri cre te o dat cu tensiunea VDS , cu att va cre te i curentul. Acest efect se nume te modularea lungimii canalului. Pentru a determina schimbarea ce are loc la ie irea curentului deriv m ecua ia precedent cu VDS i ob inem : unde modelare a lungimii canalului n final, Caracteristica I/V : i poate varia de la 0.01 la 0.1; i se nume te parametru de

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

4. Modelul de semnal mic n zona de satura ie

i zona de trioda. Schem . Parametrii. Legi

Modul de semnal mic al tranzistoarelor este adesea folosit pentru a determina comportamentul i geometria tranzistoarelor. Avantajul acestei analize asupra analizei de semnal mare este liniaritatea care ajut la modelarea tranzistorului cu surse controlate i elemente pasive simple. n figura 4.1 ,aplicnd o tensiune AC, vgs, curentul de dren se modific . Ini ial presupunem c VGS>>vgs ( semnalul alternativ este mai mic decat cel continuu). n zona de satura ie VDS VGS - VTh iar curentul total (AC+DC) este dat de rela ia: iD=id + ID= Transconductan a gm este calculat conform:

Fig. 4.1

10

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig. 4.2 Modelul de semnal mic pentru tranzistorul MOS n continuare vom examina cum transconductan a influen eaz nivelele de semnal. Cnd vgs devine comparabil n amplitudine cu VGS, varia ia transconductan ei poate fi observat n c tigul amplificatorului. Tensiunea dren -surs poate influen a i ea transconductan a. Dac tensiunea AC este suficient de mic nct vgs << VGS i produsul dintre componentele alternative i cele continue este mai mic dect 1 atunci , . Se observ c

Transconductan a Conductan a tranzistorului MOS cre te liniar cu ID cnd func ioneaz n regiunea de dinaintea tensiunii de prag iar dup aceast regiune cre te propor ional cu ID. Atunci cnd tranzistorul este polarizat n zona de trioda acesta poate fi nlocuit cu un rezistor controlat n tensiune.Expresia rezisten ei rezult f cnd urmatoarea aproximare liniar (valabil doar pentru valori mici ale lui VDS):

5. Capacit canalului

i parazite . Capacit

ile jonc iunilor.Capacit

ile de suprapunere. Capacitatea

O reprezentare generala a capacit

ilor datorate structurii fizice este ar tat n figura :

11

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

unde : -COLS i COLD reprezint capacit grilei peste surs i dren ; -CjBS,CjBD,CjBCh sunt capacit -CCh capacitatea canalului. Toate aceste capacit Capacit

ile de suprapunere ale sursei

i drenei create prin suprapunerea

ile bulk-surs , bulk- dren , bulk- canal;

i sunt parazite

i depind de zona de func ionare a tranzistorului.

ile jonc iunii: ;

n aceste ecua ii CBS0 i CBD0 depind de concentra ia de dopare, iar 0BS poten ialele intrinseci de suprafa a ale poten ialelor. Capacit ile de suprapunere:

i 0BD sunt

Aceste capacit i sunt aproximate cu expresia unor capacit i plane a caror valori sunt calculate : unde, LOL reprezint lungimea de suprapunere.n expresia de mai sus s-a presupus c regiunea de difuzie i cea de suprapunere sunt egale pe por iunile de surs i dren ale tranzistorului. Capacit ile canalului:

Capacitatea canlului poate fi exprimat ca func ie de geometria tranzistorului i de capacitatea dintre gril i oxid. Contribu ia acestei capacit i difer , n func ie de zona de lucru a tranzistorului.

6. Modelul de semnal mic, nalt frecven

, n zona de t iere

12

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Modelul de semnal mic, nalta frecven a pentru un tranzistor aflat n zona de t iere include o re ea de capacit i prezentat n figura 6.1:

Fig. 6.1. Modelul de semnal mic , nalta frecven

, a unui tranzistor n zona de t iere.

n zona de t iere nu exist niciun curent prin tranzistor. Lipsa canalului provoac o m rire relativ a capacit ii gril -bulk. Aceasta se datoreaz n special suprapunerii directe a zonei direct sub gril . CGB poate fi astfel aproximat cu capacitatea canalului. Expresia detaliata a capacit ilor asociate cu acest model n zona de t iere sunt:

7. Modelul de semnal mic, nalt frecven

, n zona de triod ile

n zona de triod , tranzistorul este nlocuit cu un rezistor precum in figura 7.1. Capacit parazite sunt urmatoarele:

Contribu ia canalului la capacitatea parazit este considerat egal cu partea drenei i a sursei. A adar, capacit ile de suprapunere ale drenei i ale sursei sunt date de jum tate din capacitatea canalului. Similar, capacitatea canal-substrat este distribuit ntre jonc iunile dren -bluk i surs -bulk. Capacitatea gril -bulk este CGB0 ntruct canalul apar efectiv grila de bulk.

13

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig. 7.1. Modelul de semnal mic, nalt frecven . Modelul de semnal mic, nalt frecven Modelul de semnal mic, nalt frecven

, zona de triod

, n zona de satura ie

n zona de satura ie este ar tat n urm toarea figur :

Fig. 8.1 Modelul de semnal mic, nalt frecven Capacit ile asociate cu modelul de nalt frecven

n zona de satura ie

n zona de satura ie sunt:

Datorit lipsei contactului ohmic ntre dren i stratul polarizat invers, capacitatea canalului contribuie doar la capacitatea gril -surs . La fel se intampl i cu capacitatea canal-bulk. Capacitatea gril bulk este CGB0. Capacit ile parazite ale tranzistorului MOS ce corespund diferitelor zone de lucru sunt prezentate n tabelul de mai jos:

14

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Zona de t iere
GS

Zona de triod

Zona de satura ie

GD

GB

SB

DB

9. Scheme de simulare Schemele folosite pentru simularea caracteristicilor tranzistorului MOS sunt prezentate n figura 9.1. Cu ajutorul acestor scheme se pot determina caracteristicile de ie ire, caracteristicile transconductan ei ale tranzistoarelor nMOS i p MOS. Punctul bias este controlat din poten ialele tuturor terminalelor.

15

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig. 9.1. Schemele de simulare ale celor dou tranzistoare MOS Simularea caracteristicii de ie ire a unui tranzistor nMOS este ob inut prin reglarea poten ialului din drena intre 0V i 3.3 V . Pentru a ob ine familia de curbe este necesar o a doua reglare a poten ialului. Aceasta se face asupra terminalului de gril i variaz ntre 800mV i 1.2 V cu o incrementare de 100mV. Reprezentarea grafic a caracteristicii de ie ire a unui tranzistor nMOS este prezentat n figura 9.2.

16

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig 9.2 Reprezentarea grafic a caracteristicii de ie ire a unui tranzistor nMOS O simulare aproximativ la fel se face i pentru tranzistorul pMOS. Variabila VGpvariaz ntre 2.4 V i 2.6 V cu o incrementare de 50mV. Reprezentarea grafic a caracteristicii de ie ire a unui tranzistor pMOS este prezentat n figura 9.3.

Fig 9.3 Reprezentarea grafica a caracteristicii de ie ire a unui tranzistor pMOS Simularea caracteristicii transconductan ei a unui tranzistor nMOS n zona de satura ie Simularea arat dependen a curentului din dren de potentialul gril -surs . A dou variabila modificat este poten ialul sursei ( terminalul bulk este legat la mas ) i influen eaz valoarea tensiunii de prag. n figura 9.4 se poate observa cum curentul are o varia ie parabolic .

17

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Fig 9.4 Simularea caracteristicii transconductan ei a unui tranzistor nMOS n zona de satura ie Simularea caracteristicii transconductan ei a unui tranzistor pMOS n zona de satura ie Caracteristica transconductan ei unui tranzistor pMOS este similar cu cea a unui tranzistor nMOS dar cu condi ia c regula semnelor tuturor poten ialelor s fie respectat . Caracteristica transconductan ei este prezentat n figura 9.5.

Fig 9.5 Simularea caracteristicii transconductan ei a unui tranzistor pMOS n zona de satura ie

18

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

Punctul bias stabilirea unui punct opera ional al tranzistorului pe caracteristicile volt-amper cu modific ri directe a tensiunilor i a curen ilor. ntruct tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale, oricare dintre aceste trei terminale poate fi folosit ca intrare comun pentru intrare si ie ire. O metod particular folosit n stabilirea acestui punct opera ional pe caracteristicile tranzistorului depinde de zona n care lucreaz el: satura ie, t iere sau triod i a altor factori. Selectarea acestui punct pentru un tranzistor cu efect de cmp, nivelul de amplificare este determinat de considerente similare celui bipolar. Aceste considerente sunt : tensiunea de ie ire, distorsie, disipare de putere, c tig i driftul curentului de dren . n cele mai multe cazuri, nu este posibil s satisfacem toate specifica iile simultan. n SPICE, datele referitoare la punctul bias pot fi ob inute din fi ierul de ie ire, prin efectuarea unei analize .OP 10. Parametrii de maxim interes TRANSCONDUCTAN A DE SEMNAL MIC [ ] Pentru un tranzistor MOS cu canal  - factor de cstig Pentru un tranzistor MOS cu canal p avem urmatoarea rela ie:  TRANSCONDUCTAN A BULK Transconductan a bulk este definit ca varia ia curentului de drena cauzat de o varia ie foarte mic a tensiuni bulk-surs . Curentul de dren depinde de aceast tensiune prin tensiunea de prag . Astfel , transconductan a bulk este definit conform expresiei de mai jos.
]

avem ,

urm toarea

rela ie:

n general, factorul de multiplicare a transconductan ei de semnal mic este un ordin de magnitudine mai mic dect unitatea. REZISTEN A DREN - SURS [ ]

Aceast rezisten este definit ca varia ie a tenisunii dintre cele dou terminale cauzat de o varia ie foarte mic a curentului de dren n jurul punctului bias. Rela ia este dat de urmatoarea formul : CAPACIT Capacit ILE PARAZITE ile jonc iunii:

19

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

n aceste ecua ii CBS0 i CBD0 depind de concentra ia de dopare, iar 0BS poten ialele intrinseci de suprafa a ale poten ialelor. Capacit ile de suprapunere:

i 0BD sunt

i sunt aproximate cu expresia unor capacit i plane a caror valori sunt calculate unde, LOL reprezint lungimea de suprapunere. n expresia de mai sus s-a presupus c regiunea de difuzie i cea de suprapunere sunt egale pe por iunile de surs i dren ale tranzistorului. Capacit ile canalului:

Aceste capacit

Capacitatea canalului poate fi exprimat ca func ie de geometria tranzistorului i de capacitatea dintre gril i oxid. Contribu ia acestei capacit i difer , n func ie de zona de lucru a tranzistorului.

LUNGIMEA CANALULUI Distan a dintre dou regiuni n+ se nume te lungimea canalului notat cu L . Aceasta reprezint o dimensiune esen ial n stabilirea caracteristicilor electrice ale dispozitivului. [ L IMEA CANALULUI [ TENSIUNEA DE PRAG [V] 

Tensiunea de prag apare atunci cnd tensiunea grilei cre te de la zero. Cu ct VG cre te, golurile din substratul p sunt puse n mi care, l snd n urm ioni negativi. n aceste condi ii nu circul niciun curent pentru c nu sunt purt tori de sarcin disponibili. Cnd poten ialul cre te destul de mult, electronii circula

20

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

de la surs la dren . Astfel se formeaz un canal de purt tori de sarcin iar tranzitorul este pornit Valoarea tensiunii VG pentru care se ntmpl aceasta se nume te tensiune de prag, VTh MOBILITATEA [cm2/V sec] Mobilitatea reprezint raportul dintre viteza electronilor i cmpul electric. Aceasta este folosit n parametrii modelelor BSIM, pentru a realiza caracteristicile tensiune curent ale rezultatelor m surate cu programul SPICE. Pentru dispozitivele cu canal scurt, mobilitatea scade din moment ce viteza purt torilor de sarcin ncepe s devin saturat . Mobilitatea scade o dat cu cre tearea temperaturii. 11. Modelul SPICE al tranzistorului MOS Pentru a descrie un tranzistor MOS in SPICE, trebuie s num r m nodurile i s preciz m parametrii tranzistorului. Orice MOSFET este reprezentat n lista de elemente conform sintaxei: Mname ND NG NS NB ModName <parameters> unde : Mname este numele tranzistorului specificat (trebuie s nceapa cu litera M), iar leg turile sunt specificate numerotnd nodurile: ND = num rul specific drenei NG = num rul specific grilei NS = num rul specific sursei NB = num rul specific bulk ModName este numele modelului ce con ine parametrii. <parameters> sunt o serie de parametrii care dau specifica ii asupra tranzistorului : L lungimea canalului Wl imea canalului

AD zona drenei n+ sau p+ PD perimetrul drenei n+ sau p+ AS zona sursei n+ sau p+ PS perimetrul sursei n+ sau p+ Este important s tim c toate dimensiunile trebuie specificate, factori utili sunt u=10-6 sau p = 1012 . Lungimea canalului , L , i l imea sa, W , pot fi adesea nlocuite cu valori ce influen eaz parametrii. Detalii despre tranzistorul MOS sunt con inute n declara ia .MODEL precum celalalte dispozitive active din SPICE. n general declara ia este:

21

CORBU Dorina - Alexandra II TSTC 4691

.MODEL ModName <parameter list> unde informa ia dintre < > depinde de modelul tranzistorului folosit. Modelele sunt selectate de specifica ia Level = N folosit ntre < > , iar N este predefinit s fac referinta c tre un set particular de valori i ecua ii. Exist trei valori ale lui N( Level = 1 , 2 , 3 ). Modul de tratare SPICE pentru capacit ile parazite. ntruct programul n sine realizeaz o analiz transient (in timp), incrementnd variabila timp, capacit ile neliniare sunt u or de inclus n calcule. Valorile zero-bias sunt date de CJ , CJSW, CGBO, CGDO i CGSO. Parametrii de gradare MJ i MJSW pot fi modifica i n func ie de profilul modelului. Informa ii despre arie i perimetru sunt incluse n descrierea dispozitivului folosind AD, AS, PD i PS . Pentru calcularea tensiunii de prag avem urm torii parametrii n SPICE: Simbol VTHN0 2|
F|

Nume VTO GAMMA PHI NSUB NSS TPG

Descriere Tensiunea de prag Parametrul boddy-effect Poten ialul suprafa abulk Substratul dopat Densitatea suprafe ei Tipul grilei

Default 1.0 0 0.65 0 0 1

yp. 0.8 0.4 0.58 E15 E10

Unitate de m sur V V1/2 V cm-3 cm-2

NA Q`ss / q

Pentru calcularea transconductan ei avem urmatorii parametrii n SPICE: Simbol KP tox LD

n,p

Nume KP TOX Lambda LD UO

Descriere Transconductan a Grosimea gril -oxid Lungimea canalului Difuzia lateral Mobilitatea suprafetei

Default Typ. 20E-6 1E-7 0 0 600 50E-6 40E-9 0.01 2.5E-7 580

Unitate m sur A/V2 m V-1 m cm2/Vs

de