Coala Mod Coală N Document Semn. Data 4

Coala
Mod Coală N Document Semn. Data 4 - 4 -5/2/20235/2/2023

1.TEHNOLOGIA DE FABRICARE A TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistorul bipolar (TB) este realizat dintr-un cristal semiconductor compus din
trei regiuni dopate cu impurități de tip diferit, care se succed în ordinea: p-n-p sau
n-p-n şi care satisfac condițiile: regiunea de mijloc, numită bază (B), are o lățime
mică față de lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari care o parcurg; una din
regiunile extreme, numită emitor (E), are un grad de impurificare mult mai mare
decât baza; cea de-a treia regiune a tranzistorului se numeşte colector (C).
Deoarece, la funcţionarea acestor tranzistoare îşi aduc contribuţia atât a purtători
majoritari, cât şi cei minoritari, tehnologia acestor dispozitive necesită un număr
mai mare de operaţii decât în cazul diodelor semiconductoare.
Realizarea unui tranzistor bipolar necesita un numar mai mare de etape fata de
cazul unei diode intrucat se cer realizate trei zone : de emitor, de baza si de
colector, dar mai ales din necesitatea de a obtine parametrii electrici ceruti la
nivelul microstructurii.
Dintre cerintele impuse unui tranzistor de calitate trebuie:

- rezistenta de colector sa fie cat mai mica posibil; se cere deci a fi realizata o zona
de colector puternic dopata si o cale de acces la colector de rezistenta cat mai mica;
- capabilitatea in tensiune a jonctiunii colector-baza sa fie suficient de mare; se
cere deci realizarea unei zone de baza cu dopaj slab, de grosime suficient de mare;
- rezistenta de baza sa fie cat mai mica pentru a nu limita raspunsul in frecventa
- diversii tranzistori de pe acelasi substrat se cer izolati unul fata de altul; separarea
lor se face prin zone de oxid de siliciu localizat (LOCOS);
- emitorul trebuie sa fie foarte puternic dopat;
- gradul de dopare al bazei intrinseci sa fie perfect controlat; impreuna cu dopajul
emitorului, acesta determina castigul tranzistorului.
Fig.1.1.Procedeul de fabricatie ce se prezinta in continuare tine cont de toate aceste

cerinte; astfel se explica prezenta in structura a unui colector ingropat foarte puternic
dopat, a unei zone de baza realizata prin epitaxie si mai slab dopata decit baza
intrinseca .
Coala

Principalele etape de fabricatie sunt urmatoarele :
- curatarea substratului;
- realizarea stratului N+ reprezentand colectorul ingropat ; aceasta presupune :
oxidarea, fotolitografia, implantarea de dopant N, recoacerea dupa implantare,
gravarea oxidului;
- realizarea prin crestere epitaxiala a zonei de baza cu dopaj slab;
- realizarea LOCOS-urilor (se foloseste un strat de nitrura ca bariera de difuzie);
- realizarea bazei intrinseci prin implantare ionica (oxidare, fotolitografie,
implantare de Bor, gravarea oxidului, recoacere dupa implantare);
- realizarea putului de acces la colector si a emitorului, prin implantare ionica;
- oxidarea de izolare;
- realizarea deschiderilor pentru contacte, prin fotolitografie;
- depunerea de Aluminiu,
- fotolitografia Aluminiului.
Procedeu de fabricare a tranzistorilor bipolari cu grad mare de integrare :

Procedeul prezentat anterior nu permite realizarea de structuri submicronice.
Evolutia tehnologiilor ce folosesc autoalinierea pentru realizarea emiterului si a
bazei extrinseci prin folosirea straturilor de siliciu policristalin, a permis atingerea
dimensiunii de emitor de
0,5 microni. Figura de mai jos prezinta schematic sectiunea printr-o structura de
acest fel.
Fig.1.2. Structura bipolara integrata dublu-poli (polisiliciu n si polisiliciu p )
Stratul de siliciu policristalin dopat p+ serveste ca sursa de dopant pentru baza extrinseca. Acest
strat, foto-gravat si apoi oxidat, face posibila realizarea de distantori care vor permite
autoalinierea emitorului. Acesta din urma e realizat prin difuzie cu dopant provenind din stratul
Coala

de siliciu policristalin dopat n+. In aceste conditii suprafata emitorului poate fi redusa la o
fractiune de 2m.
Procedeu de fabricare a tranzistorilor MOS :

Inainte de a detalia procesul de fabricare a tranzistorilor MOS, poate fi util a se
reaminti ca exista patru tipuri principale de astfel de tranzistori. Principiile
constructive, simbolurile si caracteristicile electrice de iesire si de transfer ale
acestora sunt prezentate in continuare.
Este vorba despre tranzistorii NMOS cu imbogatire si cu saracire, care sunt
respectiv normal-blocati sau normal-conductori .
Fig. 1.3. Reprezentarea schematica a unui tranzistor NMOS cu imbogatire (sau normal-
blocat). Tensiunea de prag e pozitiva.
Fig. 1.4. Reprezentarea schematica a unui tranzistor NMOS cu saracire (sau normal-
conductor). Tensiunea de prag e negativa.
Coala

Fig. 1.5. Reprezentarea schematica a unui tranzistor PMOS cu imbogatire. Tensiunea de prag e
negativa.
Fig.1.6. Reprezentarea schematica a unui tranzistor PMOS cu saracire (sau normal-

conductor). Tensiunea de prag e pozitiva.
Procedeu de fabricatie al unui tranzistor MOS cu canal N :

In acest caz este vorba despre realizarea mai multor tranzistori pe un substrat
comun. Vom urmari pentru inceput un procedeu simplificat de realizare a
tranzistorilor MOS cu canal N, cu imbogatire. Aceasta presupune realizarea intr-un
substrat de tip p, care va reprezenta zona de canal, a celor doua zone puternic
dopate de tip n, reprezentand sursa si drena. Oxidul de grila de deasupra zonei de
canal va trebui sa aiba foarte bune calitati electrice. In finalul procedeului de
fabricatie se vor realiza zonele de contact pentru grila, sursa si drena.
Succesiunea principalelor etape tehnologice este urmatoarea :
- curatarea substratului,
- oxidare groasa de mascare, pentru doparea sursei si drenei,
- fotolitogrfie pentru realizarea deschiderilor sursei si drenei,
- dopare cu fosfor (prin difuzie sau implantare ionica),
- fotolitografie pentru realizarea deschiderii zonei de canal,
- oxidare fina (realizarea oxidului de grila),
Coala

- ajustarea tensiunii de prag, prin implantare ionica de bor,
- fotolitografie pentru deschiderile contactelor de sursa si drena,
- depunere de aluminiu,
-fotolitogravarea aluminiului,
- recoacere finala, in forming-gaz (amestec de azot si hidrogen 10%), pentru
imbunatatirea calitatii contactelor.
Fig.1.7. .Acest
procedeu foarte
simplu permite
realizarea de
tranzistori MOS;
el corespunde
primelor procedee
MOS aplicate in
practica
industriala la
inceputul anilor
70. Se remarca
existenta diferitelor etape de mascare necesitand alinierea mastilor. Pentru a reduce
dimensiunile tranzistorilor a fost necesar sa se gaseasca metode ce permit pozitionarea automata
a sursei si drenei in raport cu grila.
Tranzistor MOS de putere :

Tehnologiile de realizare a acestor componente dateaza de aproximativ 15 ani.
Pentru a suporta tensiuni mari, trebuie ca distanta dintre zona de canal si drena sa
fie suficient de mare pentru a permite zonei de sarcina spatiala sa se intinda, pentru
a evita fenomenul de avalansa (prin multiplicarea purtatorilor de sarcina prin
ionizare prin impact).Zona de sarcina spatiala poate fi extinsa fie lateral, ca in
cazul tranzistorilor DMOS avand contactul de drena mult decalat, fie vertical.
In acest ultim caz, se realizeaza un sant in forma de V, folosind tehnicile de
gravare anizotropa a siliciului. Daca substratul are orientarea cristalina <100>,
fetele structurii de forma V vor avea orientarea cristalina <111>. Viteza de gravare
mai mare dupa planul cristalografic <100> de cat dupa planul <111> face posibila
realizarea santului in forma de V. Se obtine astfel un tranzistor de putere
VMOS. In ambele variante, DMOS si VMOS, zonele n de mari dimensiuni sunt
capabile sa suporte tensiuni considerabile. Trebuie notat insa ca,
desi se pun in paralel un numar mare de canale, curentul dispozitivului este relativ
mic in comparatie cu cel al structurilor bipolare de putere sau al tiristorilor.
Coala

Fig.1.8.Reprezentarea schematica a unui tranzistor MOS de putere de tip DMOS. Zona n slab
dopata situata intre drena si canal permite extinderea pe o lungime mare a sarcinii spatiale,
marind astfel capabilitatea in tensiune a dispozitivului.
Fig.1.9. Reprezentarez
schematica a unui tranzistor
MOS de putere de tipul
VMOS. Structura V se
obtineexploatand diferenta
intre vitezele de gravare a
siliciului dupa planuri
cristalografice
diferite. Capabilitatea mare
in tensiune a dispozitivului
este obtinuta gratie zonei n
slab dopata si foarte groasa (aceasta zona se intinde in fapt pe toata grosimea substratului).
2. PARAMETRII H PENTRU TRANZISTORUL BIPOLAR
Pentru a caracteriza funcţionarea tranzistorului ca amplificator utilizăm

parametrii H (hibrizi), care se introduc considerînd tranzistorul un cuadripol.
În oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ
la intrarea căruia avem tensiunea U1 şi curentul I1 , iar la ieşire - tensiunea U2 şi
curentul I2.
Fig .2.1. Cuadripol descris cu parametrii H
Coala

Alegînd în calitate de variabile independente curentul de intrare şi
tensiunea de ieşire, iar în calitate de mărimi dependente – tensiunea de intrare şi
curentul de ieşire, se poate de obţinut ecuaţiile cuadripolului în sistemul de
parametrii hibrizi:
ΔU1=h11 ΔI 1+h12 ΔU 2 ¿} ¿ ¿¿
Coeficienţii h11, h12, h21, h22 reflectă proprietăţile electrice ale
tranzistoarelor în relaţiile cu semnale mici de frecvenţă joasă în punctul static de
funcţionare ales şi se numesc parametrii H. Ei pot fi uşor determinaţi, asigurînd
regimul de scurt-circuit după curent alternativ la ieşire ( ΔU 2=0 ) şi regimul de
mers în gol la intrare ( ΔI 1 =0 ).

ΔU 1
h11= |ΔU =0

ΔI 1 2
Parametru h11 prezintă rezistenţa de intrare a tranzistorului bipolar cînd la

ieşire avem regim scurt-circuit. Acest parametru este ridicat după curent alternativ
cînd tranzistorul e alimentat cu curent continuu.
ΔU 1
h12= |

ΔU 2 ΔI1 =0
Coeficientul de transfer după tensiune dacă la intrarea tranzistorului avem

regim mers în gol după curent alternativ.
ΔI 2
h21= |ΔU =0

ΔI 1 2
Coala

Coeficientul de transfer după curent când la ieşirea tranzistorului asigurăm
regim de scurt-circuit după curent alternativ.
ΔI 2
h22= |ΔI =0

ΔU 2 1
Conductibilitatea de ieşire a tranzistorului bipolar dacă asigurăm la intrare

regim mers în gol după curent alternativ.
Parametrii hibrizi se măsoară în:

 h11 – [
 h12 – adimensional
 h21 – adimensional
 h22 – [S
3.ANALIZA CIRCUITELOR ECHIVALENTE ALE TRANZISTORULUI
BIPOLAR
Schema echivalenta pentru cuplaj baza comuna
Utilizând parametrii analizati anterior, poate fi construita schema

echivalenta în T de conectare a tranzistorului cu baza comuna. Acest circuit
echivalent este prezentat în Fig.3.2.
În schema echivalenta jonctiunile emitorului si colectorului sunt reprezentate

prin rezistentele lor diferentiale si . Efectul de transfer al curentului
emitorului în circuitul colectorului pe schema echivalenta este indicat sub
forma de generator de curent , unde prezinta coeficientul de transfer al
curentului emitorului. Polaritatea relativa a curentului generatorului în
schema echivalenta este determinata de sensul pozitiv al curentului emitorului.
Coala

Fig.3.2. Schema echivalenta a tranzistorului tip n-p-n
În cazul orientarii curentului emitorului de la punctul spre

punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în tranzistorul bipolar
tip n-p-n), directia pozitiva a curentului trebuie orientata spre punct . Pentru
directia inversa a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea
generatorului este inversa. Legea descrisa este determinata de procedeele

fizice care au loc în tranzistor. De aceea orientarea curentului emitorului
conditioneaza directia tuturor curentilor ramasi asa cum este aratat în Fig.3.2.,
unde directiile pozitive ale curentilor si tensiunilor corespund celor reale în
tranzistorul bipolar tip n-p-n. În schema echivalenta a tranzistorului tip p-n-
p directiile curentilor vor fi inverse (Fig.3.3.). Trebuie de remarcat ca rezistenta
interna a generatorului de curent pentru curentul de iesire tinde spre
infinit.
În schema echivalenta, prezentata în Fig.3.2., coeficientul de transfer

dupa curent este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei.
Prezenta rezistentei în circuitul bazei evidentiaza legatura interna în
tranzistorul bipolar si influenta modularii bazei asupra curentului emitorului.
Schema echivalenta fizica a tranzistorului bipolar, prezentata în Fig.3.2.,

contine un generator de curent , un numar minim de elemente si reflecta
procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real. Ea este utilizata pe larg în
calculul ingineresc.
Uneori este mai comod de utilizat schema echivalenta în care în locul

generatorului de curent functioneaza generatorul echivalent de
tensiune . Aceasta schema este prezentata în Fig.3.3., unde este
rezistenta ce reflecta proprietatile de amplificare ale tranzistorului.
Fig.3.3. Schema echivalenta a

tranzistorului tip p-n-p
cu generator
(conectare BC)
Coala

Echivalenta regiunilor din schema - C pentru Fig.3.2. si Fig.3.3., rezulta
din egalitatea caderilor de tensiune create de curentul pe rezistenta
(Fig.3.2.) si tensiunea generatorului (Fig.3.3.)
; . (3.1)
Schema echivalenta pentru conectarea emitorului comun
Schemele prezentate în Fig.3.2. siFig.3.3. ramân valabile pentru
conectarea tranzistorului cu EC, daca bornele de intrare de schimbat cu locul
asa, cum este aratat în Fig.3.4. În astfel de circuit curentul generatorului
este comod de înlocuit prin curentul bazei si nu prin curentul emitorului .
Pentru aceasta este analizata tensiunea între punctele - C, care este
determinata ca suma caderilor de tensiune pe rezistenta din cauza
curentilor si
, (3.2)
unde
. (3.3)
Fig.3.4. Schema echivalenta

a tranzistorului tip p-n-p
cu generator (conectare EC)
Din cauza ca , , unde - coeficientul de transfer al

curentului bazei la conectarea tranzistorului dupa schema EC, tensiunea între
punctele - C poate fi scrisa sub forma

Coala

(3.4)
Introducem notatia
. (3.5)
Daca luam în considerare (3.4), relatia (3.3) capata forma
, (3.6)
unde este impedanta în punctele - C la înlocuirea generatorului de

curent cu generatorul .
Cum se observa din relatiile (3.2) si (3.6), directia generatorului de

curent trebuie sa coincida cu directia generatorului de curent .
Impedanta poseda componente activa si reactiva
Luând în considerare relatiile (3.2) si (3.5) pentru schema echivalenta a

tranzistorului bipolar cuplat EC, unde între punctele - C este conectat
generatorul de curent , putem scrie
; (3.7)
. (3.8)
Fig.3.5. Schema
echivalenta a
tranzistorului tip n-p-n
cu generator de
curent si generator
de
tensiune (conectarea EC)
Coala

Relatiile (3.6), (3.7), (3.8) permit de a trece de la schema prezentata în
Fig.3.4. la schema tranzistorului cu generator de curent (Fig.3.5.). În
schema din Fig.3.5. directia curentului generatorului este aceeasi ca si în
schema cu baza comuna, rezistenta este de zece ori mai mica ca , iar
capacitatea tot de atâtea de ori este mai mare ca . Însa constanta de
timp a jonctiunii colectorului ramâne aceeasi pentru ambele scheme de
conectare.
Uneori în schema echivalenta de conectare a tranzistorului cu emitor

comun în locul generatorului de curent se foloseste generatorul de
tensiune . În Fig.3.5. este aratata portiunea de schema între punctele
- C. Partea ramasa a schemei ramâne neschimbata. Rezistenta
generatorului , ce determina proprietatile de amplificare ale tranzistorului, se
determina din relatia

4.RIDICAREA PARAMETRILOR TRANZISTORULUI BIPOLAR
Parametrii tranzistorului bipolar nu pot fi măsuraţi direct, aceștia se

calculează indirect, adică măsurînd direct unii parametri posibili.
Parametrii măsuraţi vor fi caracteristicele curent-tensiune de ieşire şi de
intrare, prin metoda dinamică. Metoda dinamică constă în măsurarea cu ajutorul
osciloscopului în regim X-Y, prin aplicarea unui semnal de frecvenţă joasă. La
placheta X se aplică tensiunea măsurată, iar la placheta Y se aplică tensiunea de pe
rezistorul R2, din motiv că curentul, conform legii lui Ohm, este raportul căderii de
tensiune la rezistenţă. Pe axa Y tensiunea va fi proporţională curentului ce circulă
prin circuit. Cunoscînd valoarea rezistenţei R2, prin calcule determinăm
intensitatea curentului.
Conform circuitului de mai jos montăm schema de măsurare la osciloscop și
determinăm caracteristicele de intrare şi ieşire (Fig.4.1), cu ajutorul sursei de
alimentare stabilizată se menţine constantă tensiunea la ieşire (în dependenţă de
tipul conexiunii) pentru cazul ridicării parametrilor de intrare, şi curentul constant
la intrare, pentru cazul caracteristicilor de ieşire.
Coala

Fig 4.1. Montaj experimental de cercetare a caracteristicilor determinate
prin metoda dinamică.
Cunoscînd familia de caracteristici măsurate se poate determina, prin calcul,

parametrii h ai tranzistorului. Aceasta se face prin determinarea parametrilor
necesari pentru calcule din dependenţele curentului de tensiune şi se înlocuiesc în
relaţiile de calcul ai parametrilor h.
ΔU 1 ΔU 1 ΔI 2 ΔI 2
h11= |ΔU h12= |ΔI =0 h21= |ΔU =0 h22= |ΔI =0
ΔI 1 2
=0
ΔU 2 1 ΔI 1 2 ΔU 2 1
Restul parametrilor, cum ar fi capacitatea joncţiunii, frecvenţa limită de lucru

se măsoară la aparataj de laborator specializat.
Cea mai simplă metodă este de a utiliza aparatajul modern, recent apărut pe
piaţa Republicii Moldova, M830 care determină parametrul h 21 - coeficientul de
transfer în curent.
5.TRANZISTOARE BIPOLARE DE GENERAȚIE NOUĂ IGBT
Coala

Tranzistorul bipolar de tip IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzistor) prez-
inta o poarta izolata printr-un strat de oxid de siliciu și o structura celulara fina ase-
manatoare unui tranzistor MOSFET de putere, dar partea de colector se bazeaza
pe o jonctiune p-n care injecteaza purtatori minoritari in canal asa incat tranzistorul
IGBT prezinta o combinatie de proprietati MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Tranzistor) si BJT (Bipolar Junction Tranzistor), adica proprietati ale
unui tranzistor cu efect de camp cu izolatie prin oxid de siliciu si respectiv ale unui
tranzistor bipolar.
Avantajele tranzistorului bipolar cu poarta izolata IGBT sunt o imbinare din-

tre avantajele tranzistoarelor bipolare si MOSFET. Astfel tranzistorul bipolar in ra-
port cu cel MOSFET are urmatoarele avantaje:
• capacitate mai mare in curent si tensiune;
• cadere mica de tensiune in conductie ,VCEON ;
Tranzistorul MOSFET este avantajos din urmatoarele motive:

• timpi mici de comutatie;
• comandă în tensiune;
• inexistenta saturației și a celei de a doua strapungeri;
• capacitate relativ mică in tensiune și curent;
5.1 Structura tranzistorului bipolar IGBT. Polarizare.

Straturile tranzistorului IGBT sunt :
 stratul colectorului de tip p+ , inalt dopat, 1019/cm3;
 stratul de tip n- , slab dopat ,1014 ∕ cm3 ;
 corpul p, mediu dopat, 1017 ∕ cm3;
 stratul emitorului n2+, inalt dopat, 1019 /cm3;
La unele tranzistoare se mai gaseste si stratul tampon n+1, inalt dopat 1019/cm3.
O structura verticala printr-un IGBT cu canal n este prezentata in Fig.5.1,
iar in Fig.5.2 simbolizarea acestuia.
Coala

Fig.5.1 Structura IGBT-ului cu canal n Fig.5.2 Simbolul IGBT-ului
cu canal n
Daca tranzistorul nu are stratul tampon se numeste IGBT simetric, iar daca
are acest strat se numeste asimetric. Emitorul tranzistorului se conecteaza la stratul
n2+ prin intermediului metalizarii din aluminiu. Metalizarea portii G este separate
de corpul p prin stratul de oxid de siliciu.
Polarizarea directa consta in aplicarea polaritatii + pe colectorul C al tranzis-
torului. Polarizarea inversa este doar pe jonctiunea J2 ,bariera de potential ex-
tinzîndu-se in toata grosimea stratului n-, IGBT putand sustine tensiunea de pana la
1500…2500 V. În cazul polarizării inverse, minusul pe colector, există diferențe
între tranzistorul simetric și asimetric. Astfel, pentru tranzistorul asimetric sunt po-
larizate invers jonctiunile J1 si J3. Fiind joncţiuni de tip n+p, respectiv n+p+, bari-
erele de potenţial sunt reduse, iar capacitatea în tensiune inversă de ordinul zecilor
de volţi.
In cazul tranzistorului simetric, lipsind stratul n1+, jonctiunea J1 este formata
din straturile n-p+, bariera de potential fiind de acelasi ordin de marime ca la po-
larizarea directa. Tranzistorul simetric poate functiona alimentat in curent con-
tinuu, cat si curent alternativ, in timp ce tranzistorul asimetric poate functiona ali-
mentat numai cu tensiune continua si polarizare directa. Se realizeaza foarte rar
IGBT-uri cu canal de tip p, structura fiind asemanatoare.
5.2 Principiul de funcționare. Caracteristica statică

Starea de functionare a unui IGBT se realizeaza daca este polarizat ca in
Fig.5.3. Producatorii de IGBT-uri furnizeaza mai multe tipuri de scheme echiva-
lente functionale , care permit descrierea functionarii acestui tranzistor. O astfel de
Coala

schema echivalenta simplificata este este prezentata in fig.7.4, unde IGBT-ul este
inlocuit ptrntr-un tranzistor MOSFET cu canal n si un tranzistor bipolar pnp.
Rezistorul Rn-1 materealizeaza rezistenta stratului n-.Tranzistorul MOSFET reprez-
inta partea de comanda a IGBT-ului care este similara cu cea a tranzistorului
MOSFET, în sensul că în corpul p se creează, prin câmp electric, canalul de tip n.
Prin acest canal electronii injectaţi din sursă, polarizată negativ, se regăsesc în
drenă, iar prin stratul n- în baza tranzistorului pnp, comandând intrarea rapidă în
conducţie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin blocarea conducţiei
MOSFET-ului. În felul acesta se realizează comanda în tensiune, deci de putere
mică, şi timpi de comutaţie reduşi. Se evită de asemenea fenomenul saturaţiei, co-
manda pe poartă IGBT-ului fiind în câmp electric. Pe de altă parte prezenţa între
colector şi emitor a tranzistorului pnp asigură o cădere de tensiune VCEON compara-
bilă cu cea de la tranzistoarele bipolare.
Fig. 5.3 Schema de funcționare Fig.5.4 Schema echivalenta

simplificata
Caracteristicile statice, ic=f(VCE), au forma din Fig.5.5 şi se analizează îm-
preună cu caracteristica de transfer ic = f(VGE) din Fig.5.6.
Fig.5.5 Caracteristica statică Fig.5.6 Caracteristica de transfer
Coala

În familia de caracteristici statice se definesc zonele:
 dreapta VCESUS, care limitează tensiunea maxim admisă în sens direct, la
valori mai mari decât VCESUS apărând fenomenul primei străpungeri, cu
aceleaşi caracteristici ca la tranzistoarele bipolare;
 zona activă, cu aceleaşi proprietăţi ca la MOSFET;
 zona ohmică;
 pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prăbuşire în sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleaşi proprietăţi ca la tranzistorul MOS-
FET.
Stabilirea punctului de functionare se face in acelasi mod ca la tranzistorul
MOSFET in sensul indeplinirii conditiilor:
 sa asigure la current maxim tensiunea Vceon minima, punctual de func-
tionare plasandu-se pe curba de separatie intre zonele activa si ohmica.
 Punctul de functionare sa se gaseasca in in teriorul ariei de functionare
sigura ,SOA, de forma asemnatoare cu cea de MOSFET.
Tensiunea Vceon ,care caracterizeaza IGBT –ul are valori intre 1,9… 2,9 V.
Calculul regimului ternic urmeaza aceeasi metodologie de la tranzistorul MOS-
FET.
5.3 Caracteristici dinamice

Intrarea şi ieşirea din conducţie a IGBT-ului, având în vedere structura de
comandă, este identică cu a MOSFET-ului, în sens că efectul capacităţilor parazite
poartă-emitor, CGE, şi poartă-colector, CGC, intervin în procesul de comutaţie în
acelaşi mod ca şi capacităţile CGD şi CGS.
Diferenţele care apar constau în:
• timpi mai mari de intrare în conducţie, tON, şi ieşire din conducţie tOFF,
valorile fiind de ordinul sutelor de nanosecunde;
• la începutul ieşirii din conducţie, înaintea începerii scăderii curentului de
colector, apare un vârf destul de însemnat al acestui curent, cauzat de începerea
recombinării golurilor din stratul de colector;
• la tranzistorul asimetric prezenţa stratului tampon n1+, asigură o
recombinare directă a golurilor din stratul de colector, reducând supracurentul şi
micşorând substanţial timpul de blocare tOFF;
• ca urmare a impedanţei mari de intrare a circuitului de poartă pot să apară
oscilaţii ale comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe semnalul de comandă,
iar conexiunile circuitului de comandă se realizează cu lungime cât mai mică.
6.Utilizarea tranzistoarelor bipolare in circuite electrice.
Coala

Primul circuit electronic
Схема контроля уровня воды в аквариуме представлена на рис. 6.1.
Как только поверхность специального зонда покрывается водой, импульсы
генератора НЧ, реализованного на первом операционном усилителе D1.1,
поступают на компаратор (D1.2), усиливаются и преобразуются в
электрический сигнал, управляющий ключевым каскадом на реле К1. В
качестве датчика-зонда В1 используется отрезок одно- или двухстороннего
фольгированного гетинакса (текстолита), размером 20x30 мм, с прорезанной
посредине дорожкой. Разрез делит проводящую поверхность на два
одинаковых сектора, к которым припаиваются многожильные
соединительные провода типа МГТФ. Датчик монтируется на площадке для
корма рыбок, а она крепится к стенке аквариума на присоске. Таким образом,
при нормальном уровне воды в аквариуме датчик-зонд погружен в воду и
под тяжестью материала (фольгированного гетинакса) тяготеет ко дну, но не
тонет, поддерживаемый рамкой кормушки. Если уровень воды спадает,
фольгирован-ные контакты площадки осушаются и импульсы через них не
проходят. Компаратор срабатывает - включает реле сигнализации. Контакты
реле могут коммутировать, при необходимости, редуктор полива для
автоматического добавления воды в аквариум.
Fig. 6.1.
Делитель напряжения R1R2 смещает неинвертирующий вход
операционного усилителя, а резистор R3 создает положительную обратную
связь между входом и выходом ОУ D1.1. Конденсатор С1 заряжается и
разряжается. Поскольку элемент D1.1 включен асимметрично, напряжение на
его выходе (выв. 1) в момент зарядки конденсатора С1 практически близко к
нулю. Достигнув порога петли гистерезиса, напряжение на обкладках
конденсатора С1 начинает спадать - конденсатор разряжается через резистор
R4, пока напряжение на его обкладках не достигнет другого порогового
значения, соответствующего максимальному положительному смещению
ОУ. Поскольку напряжения выхода элемента D1.1 инвертировано, резистор
R3 ограничивает напряжение смещения неинвертирующего входа до нижней
точки петли гистерезиса. Пороговые точки напряжения симметричны к
половине напряжения питания, имеющемуся на выв. 3 ОУ. С выхода первого
ОУ (выв. 1 D1.1) на датчик-зонд поступают электрические импульсы
прямоугольной формы частотой 0,8...1 кГц (зависит от номиналов элементов
Coala

С1, R4). Переходный конденсатор С2 срезает часть гармоник НЧ импульсов
и задерживает составляющую постоянного тока. Благодаря отсутствию
постоянной составляющей на контактных площадках датчика-зонда
исключается эффект электролиза (окисления меди).
Когда датчик-зонд В1 погружен в воду, конденсатор СЗ заряжается
положительными импульсами, поступающими от НЧ генератора D1.1. В
заряженном состоянии конденсатор СЗ пропускает выпрямленные диодом
VD1 импульсы на вход компаратора D1.2. Так как смещение на
неинвертирующем входе D1.2 больше, чем пороговое напряжение на
инвертирующем входе, то компаратор перебрасывается - на его выходе
появляется высокий логический уровень. Транзистор VT1 открывается, реле
включается, нормально замкнутые контакты реле К1 размыкаются, нагрузка
обесточивается.
Когда ток через сектора датчика-зонда не протекает (уровень воды
спал), сигнал на неинвертирующем входе D1.2 близок к 0 -резистор R6
разряжает СЗ. Выв. 6 D1.2 (инвертирующий вход ОУ) положительно смещен
делителем напряжения R7R10 (на схеме не показаны). Компаратор D1.2
выдает на выходе (выв. 7) напряжение, близкое к 0. Реле обесточено.
Контакты реле К1 (на схеме не показаны) нормально замкнуты. Ток
поступает в нагрузку. Благодаря большому сопротивлению резистора R8 в
цепи обратной связи второго ОУ исключены ложные срабатывания
компаратора.
Детали схемы. D1 - операционный усилитель КР1401УД5. Переменный
резистор R10 типа СП5-1, транзистор VT1 можно заменить на КТ315(Б-Е),
КТбОЗ(А-В), КТ815(А, Б). Реле К1 маломощное, типа РЭС 15, паспорт (003)
на напряжение срабатывания 12 В.
Al doilea circuit electronic:

Большинство выбирают фазовые схемы регуляторов мощности на
симисторах и тринисторах как промышленного изготовления, так и
самодельные. Управляются они с помощью переменного резистора. Иногда
встречаются конструкции с сенсорным управлением или управлением с
помощью двух кнопок по принципу «больше - меньше». Каждый из способов
имеет свои достоинства, но часто возникает необходимость иметь устройство
с фиксированными настройками, в котором выбор мощности производится
кратковременным нажатием соответствующей кнопки. Для управления
нагрузкой до 300 Вт предлагается изготовить регулятор с цифровой
индикацией выбранного режима работы, который может быть особенно
удобен для питания паяльников на 220 В.
Coala

Fig. 6.2.
Наиболее просто такой регулятор можно реализовать с применением
микросхемы К04КП024, представляющей собой восьмиразрядный
электронный коммутатор со встроенным многостабильным триггером.
Микросхема ранее применялась в устройствах выбора программ
отечественных телевизоров ЗУСЦТ, 4УСЦТ и радиоприемниках с
электронным переключением диапазонов. В настоящее время она почти
всегда имеется в каталогах магазинов радиотоваров и ее приобретение не
вызывет серьезных трудностей. Узкая специализация этой микросхемы не
означает, что ее нельзя успешно использовать в конструкциях другого рода.
Устройство, выполненное с применением этой микросхемы (Fig. 6.2. и
6.3.), может быть альтернативой аналогичным конструкциям на
микроконтроллерах.
Fig. 6.3.
Работает оно следующим образом. При включении питания напряжение
на конденсаторе фильтра СЗ растет относительно медленно и встроенная в
микросхему DD1 система приоритетного включения первой программы не
работает. Компенсирует этот недостаток цепь С2 R1, в результате на выв. 12
микросхемы появляется напряжение низкого уровня. Аналоговый ключ А1 с
двумя выходами (Fig. 6.3.) переводится в активное состояние низким
уровнем на входе 1. Транзисторы VT1, VT2 ключа открываются, загорается
цифра 1 индикатора HL1, конденсатор С4 циклически заряжается через
резистор R2. Чем меньше сопротивление подключенного резистора (R2-R9),
Coala

тем большая мощность будет подаваться на нагрузку. При кратковременном
нажатии любой из кнопок SB1-SB8 активизируется соответствующий выход
Y1-Y8 микросхемы, что приводит к открыванию транзисторного ключа и
зажиганию одной из цифр индикатора HL1, обозначающего номер
выбранного канала.
На транзисторах VT1, VT2 (см. Fig. 6.2.) реализован аналог
однопереходного транзистора, предназначенный для формирования коротких
импульсов, необходимых для включения тринистора VS1 КУ221Б.
Применение на его месте быстродействующего тринистора позволяет
использовать более короткие управляющие импульсы, получить стабильную
работу регулятора на краях диапазона, соответствующих минимальной и
максимальной мощностям, и значительно снизить чувствительность
устройства к импульсным сетевым помехам, так как тринисторы серии
КУ221 допускают высокую скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии. К сожалению, эти тринисторы допускают обратное напряжение
анод-катод только до 50 В, что вынуждает вместо встречно-параллельного
включения двух тринисторов использовать мощный диодный мост VD3, но
это можно считать лишь незначительным недостатком, так как приобретение
хороших выпрямительных мостов в настоящее время не представляет
трудностей.
Цепь C5R17 снижает уровень помех, возникающих при работе
устройства или воздействующих на регулятор со стороны сети.
Постоянные резисторы можно использовать любого типа

соответствующей мощности, переменный RIO-РПІ-бЗМ, СПЗ-19а, СПЗ-226
или другой. Оксидные конденсаторы - К50-35, К53-19. Конденсатор С5 -
К73-16, К73-17. Диод VD1 заменяют любым маломощным серий КД512,
КД521, КД208, а также 1 N4148,1 N4001 -1 N4007. Стабилитрон VD2 -
КС212Ж, КС508А, КС207В, диодный мост BR310 на 3 А и 1000 В можно
заменить любым аналогичным, например, BR36, КВРС106, КВРС110.
Транзистор КТ503А заменяется на любой из серий КТ503, КТ645,
КТ3117 SS8050, SS9013; КТ502А заменяется любым из КТ502, КТ685,
SS8550, SS9012, 2SA708. На месте высоковольтных транзисторов КТ940В
можно установить любые из серии КТ940, КТ969, КТ605, MPSA42, MPSA43,
2SC2330; КТ3107А заменяется любыми из КТ3107, КТ209, SS9015, 2N3905,
2N3906.
Тринистор можно взять любой из серии КУ221, предпочтительнее с
индексами А, Б, В. Подойдет и исправный экземпляр такого трини-стора,
который по каким-то причинам отказался работать в блоке строчной
развертки телевизора УПИМЦТ-61 [59]. Можно использовать и дешевые
тринисторы общего применения, например, MCR106-8, КУ202Н, но тогда
для получения устойчивой работы может потребоваться увеличение емкости
конденсатора С4, что повлечет за собой уменьшение сопротивлений
резисторов R2-R9 [58].
Coala

Вакуумный цифровой газоразрядный индикатор можно применить
практически любой - ИН-17, Z573M или аналогичный. При невозможности
приобрести такой индикатор его можно заменить на 8 светодиодов или
шкальный светодиодный индикатор, например, две сборки АЛС362В,
ИПТ06А-4Л. Кнопки SB1 - SB8 лучше взять импортные малогабаритные,
например, TD-06XEX SMD, TD-06XBX SMD. Для любителей ретро можно
порекомендовать блок из восьми кнопок П2К, ПКН.
Тринистор и диодный мост устанавливают на теплоотводы размерами
60x30 мм из черненого листового алюминия толщиной 3 мм. Желательно
использовать теплопроводную пасту КПТ-8, Ал-Сил-3, ЕѵегсооІ-350 или
MPU-3.7. При разводке платы и монтаже резисторов R14, R15 необходимо
исключить активный подогрев других элементов конструкции.
Правильно собранное устройство не требует налаживания. Необходимо
лишь установить резистором R10 минимальную мощность, подаваемую на
нагрузку при активизации ключа А1.
Al treilea circuit electronic:

Вашему вниманию предлагается очередной усилитель мощности
(Fig.6.4.) Несмотря на относительно небольшую выходную мощность, он
обладает некоторыми несомненными достоинствами. Во-первых, он просто и
совершенно доступен для повторения. Во-вторых, в нем нет дефицитных и
дорогостоящих компонентов, таким образом собрать его можно даже там, где
затруднен доступ к радиодеталям.
Характеристики усилителя следующие:
Номинальная выходная мощность (Rнагр = 4 Ом), Вт 20
Рабочий диапазон частот (при неравномерности 0,5дБ), Гц
20...20000
Коэфф. нелинейных искажений, % 0,7
Отношение сигнал/шум, дБ -70
Номинальное входное напряжение, В 1
Входное сопротивление, кОм 10
Напряжение питания, В +/-25
Coala

Fig.6.4..Schema unui amplificator cu puterea 220W
Схема очень проста и если вы решили посвятить себя сборке усилителей
на рассыпухе и исследованию их деятельности, то есть смысл начать с этого
усилителя. Схема очень стабильная и некапризная.
Транзисторы VT1 и VT2 должны быть подобраны по коэффициенту
усиления. Для облегчения себе жизни можно взять уже готовую
транзисторную сборку. Резисторы R17, R18 можно изготовить из проволоки.
Настройка.
Настройка усилителя сводится к установке тока покоя транзистора VT9.
В разрыв коллекторного провода включается миллиамперметр и подстройкой
резистора R11 устанавливается ток 50-70 мА. Затем проверяется отсутствие
постоянного напряжения на выходе усилителя с точностью 0,1В.
Все. Закончили упражнение.
Вся настройка производится при отключенной нагрузке.
И не забудьте плотно прикрепить транзистор VT4 к радиатору
транзистора VT9. От этого зависит температурная стабильность усилителя.
Можно, например, приклеить термоклеем или прижать фланцем транзистора
VT9.
Al patrulea circuit electronic
In schema este prezentata o sursa de alimentare in curent continu cu posi-
bilitatea de a limita tensiunea de iesire si totodata care are protectie de scurt-
circuit . Schema data este ilustrata in Fig .6.5. , ea consta dintr-un transformato-
tor care cobora tensiunea din retea la tensiunea dorita , un redresor ce este al-
Coala

catuit dintr-o punte de diode (VDS1) si condensatorul C2 si spre final insasi
schema de stabilizare.
Fig.6.5. Schema sursei de alimentare in curent continu
In schema rezistorul R3 prezinta un rezistor de limitare a curentului pentru

dioda zenera VD1 . Circuitul alcatuit din C1 VD1 si R1 prezinta circuitul de
dirijare a schemei . Pe VD1 se mentine tensiunea de 13 V care cu ajutorul R1
ce reprezinta un divizor de tensiune se dirizeaja cu curentu bazei tranzistorului
VT1. Cu rotire potintiometrului intr-o directie sau alta se produce si dirijara
curentului care trece prin VT1,VT2 si VT3. Tranzistorul VT1 liber pote fi omis
din schema conectinduse direct la baza tranzistorului KT815.
Circuitul de protectie este alcatuit din tranzistorul VT4 si rezistentei R2.
Principiul de functionare a protectie consta ca in caz de scurtcircuit cadera de
tensiune pe R2 va duce la faptul ca tranzistorul VT4 se va deschide si va uni
baza tranzistorului VT1 la minus , in acest caz tranzistorul se va bloca si sursa
de alimentare va intra in regimul de protectie .
Al cincilea circuit electronic

Пиковый индикатор выходной мощности и его представленная схема
абсолютно простая, и изготовлена с идентичными ячейками отображающие
визуальную индикацию, каждая из которых показывает свой уровень
выходного напряжения усилителя. Здесь схема на 5 точек индикации:
Coala

Fig.6.6.Схема пикового индикатора выходной мощности усилителя на
транзисторах КТ315
По принципу показанной выше схеме можно легко изготовить
индикацию и на десять точек.
Схема пикового индикатора выходной мощности усилителя для 10 ячеек
Номинальные значения элементов в этой схеме предназначены под
питающее напряжение 12 v, не учитывая постоянных резисторов Rx — их
необходимо подбирать.
Немного поясню принцип работы схемы: сигнал с выходного тракта
усилителя подается на резистор Rвх, затем диод D6 убирает полу-волну, а
далее постоянное напряжение поступает на каждый узел ключа.
Управляющий узел индикации состоит из делителя напряжения,
образованного двумя резисторами, транзистора и гасящего резистора. При
достижении определенного уровня сигнала на выходе ключ открывается и
светодиод начинает свечение.
Конденсатор С1 обеспечивает плавное включение транзисторных
ключей в случае большого размаха амплитуды, а емкость С2 создает
кратковременную задержку открытия последнего в схеме светодиода, тем
самым сообщается о достижении максимального значения выходного
сигнала, то есть — пикового. Светодиод установленный вначале шкалы,
выполняет функцию постоянного свечения.
Набор электронных компонентов пикового индикатора
Необходимые радиодетали: емкости С1 и С2 можно подбирать на свое
усмотрение, в этой схеме были использованы конденсаторы номиналом 22μF
каждый и напряжением 63v, устанавливать электролиты с меньшим
номинальным напряжением не желательно, все таки выходная мощность
усилителя более 100Вт. Постоянные резисторы все пленочные МЛТ-0.25,
можно взять и меньшей мощности — 0.125 Вт. Биполярные транзисторы —
КТ315, желательно с буквенным индексом «Б», а еще лучше «Г».
Светодиоды подойдут практически любые, которые вам обойдутся недорого.
Coala

7. REZOLVAREA PROBLEMELOR CU UTILIZAREA TIPICĂ A
TRANZISTOARELOR BIPOLARE IN CIRCUITE ELECTRONICE
CONFORM VARIANTEI INDICATE
Problema1
Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ale tranzistorului bipolar (vezi anexele

respective) să se efectueze următoarele calcule cu utilizarea metodei grafice pentru
etajul de amplificare:
- să se traseze dreapta de sarcină;
- să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare ale
semnalului amplificat;
- pentru regimul liniar de amplificare (distorsiunile sunt excluse) să se calculeze
rezistenţa de intrare şi ieşire a etajului, coeficientul de amplificare după curent
K I , tensiune K U şi putere K P . Să se determine puterea utilă debitată sarcinii
P~
R şi puterea împrăştiată pe colectorul tranzistorului.
Se dă:
EC=60 V; RS=4k; IB=0,075 mA; IBm=0,07 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină .
Coala

I =f ( U CE )|I
Fig.7.1. Caracteristica de ieşire C B
=const
pentru tranzistorul bipolar KT601A
I =f ( U BE )|U
Fig.7.2. Caracteristica de intrare B CE =10 V
pentru tranzistorul bipolar KT601A
Rezolvare:
Iintr Iies
19mm---0,1mA 20mm---10mA
19mm---x 13mm---x
19 mm∗0,1∗10−3 A 13 mm∗10∗10−3 A
x= =0,1mA x= 6,5mA
19 mm 20 m m
Uintr Uies
43mm---0,1V 14mm---20V
20mm---x 19mm----x
20 mm∗0,1 V 19 mm∗20 V
x= =0,046V x= =27,14V
43 mm 14 mm
EC 60
IC = = =15 ( mA )
R S 4000
Coala

I ies 6,5∗10−3 A
KI= = =65
I int r 0. 1∗10−3 A
U ies 27 , 14 V
KU= = =590
U intr 0 , 046 V
K P =K I⋅K U =65∗590=38350
Problema 2.
Conform caracteristicilor curent-tensiune ale tranzistorului bipolar şi parametrilor lui la

frecvenţă înaltă să se efectuieze următoarele calcule pentru etajul de amplificare:
a) să se calculeze parametrii h şi să se construiască circuitul echivelent al
dispozitivului activ analizat la frecvenţă joasă;
b) să se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecvenţă înaltă.
Din cauză că după nominalele date UCE=30 (V) şi IC=15 (mA) nu pot fi soluţionate atunci
vom considera datele iniţiale ca în problema 1, pentru care am ales deja punctul de
funcţionare:
IB=0.075mA; UCE=30 V
∆Iies ∆Uies
20mm---10mA 14mm----20V
2,5mm----x 8mm----x
−3
2,5 mm∗10∗10 A 8 mm∗20V
x= =1,25mA x= =11,42V
20 mm 14 mm
∆Iintr ∆Uintr
19mm---0,1mA 43mm---0,1V
3mm---x 4mm---x
−3
3 mm∗0,1∗10 A 4 mm∗0 , 1 V
x= 0,015mA x= =0,0093V
19 mm 43 mm
∆ Iies 1,25∗10−3 A
h22= = =0,109*10−3 S;
∆ Uies 11,42 V
∆ Iies 1,25∗10−3 A
h21= = =83,33;
∆ Iintr 0,015∗10−3 A
∆ Uintr 0,0093V
h12= = =0,0008;
∆ Uies 11,42V
Problema 3.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar să se determine
parametrii etajului de amplificare în regim de recuplare a puterii:
a) să se traseze dreapta de sarcină;
b) să se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare şi
puterea necesară pentru a o deschide.
Coala

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieşire trasăm dreapta de sarcină şi detetminăm Urest=0,1 (V)
U rest 100 mV
Rcupl = = =7 , 14 ( m Ω )
I Ccupl 14 mA ;
PCcupl =U rest⋅I Ccupl =¿ 14 mA∗100 mV =1400 ( mW ) ;
UBEcupl=0,54 (V)
Pint =U BEcupl⋅I Bcupl=0 . 540 mV∗0 , 15 mA=81 ( mW )
.
8.PROECTAREA A DOUA AMPLIFICATOARE IN TENSIUNE IM BAZA

TRANZISTORULUI BIPOLAR:CU SI FARA TRANSFORMATOR
Proectarea1
Să se proiecteze un etaj de amplificare în audiofrecvenţă cu tranzistor bipolar (Fig.26).

EC
IC
R1 RC
Cd2
Cd1 IB
RG
Uieş
Uintr
UG CE
R2 RE
RS
IE
Fig.8.3. Schema principială a etajului de amplificare în audiofrecvenţă a

amplificatorului cu tranzistor bipolar cuplat cu emitor comun.
1.Alegem tranzistorul dupa :

Ec= 6 V
Ic admis =10mA
Coala

Fig.8.4.CaracteristicaileCCT a tranzistorului bipolar KT340B
Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ale tranzistorului bipolar KT340-B să

se efectueze următoarele calcule pentru etajul de amplificare:
Să se determine:
- tipul tranzistorului care trebuie utilizat în circuit;
- nominala rezistorului din circuitul emitorului RE;
- nominala condensatorului de blocaj СE;
- nominala rezistoarelor divizorului de tensiune din circuitul bazei R1, R2;
- nominala condensatorului de divizare Ср2;
- nominala rezistorului din circuitul colectorului RC;
- coeficientul de amplificare al etajului după tensiune КU.
-
Se da:
Ec=6V;IM=10mA;Mj=1,30;Fj=90Hz
Rezolvare:
1.Determinăm valorile nominale pentru RC şi RE. Conform caracteristicilor de ieşire

găsim valoarea Rtotal = RC + RE. Rezistenţa totală în circuitul emitor-colector
Rtotal = ЕC/I, undeг I prezintă curentul, determinat la intersecţia dreptei de sarcină cu axa
curentului. Dacă se defineşte
RE = (0,15…0,25)RC ,
obţinem
R total
RC =
(1 ,15 . .. 1 ,25 ) ; R E =Rtotal −R C .
6V 600Ω
Rtotal= −3 =600Ω; Rc= =500Ω; RE=600Ω-500Ω=100Ω
10∗10 A 1,20
2. Determinam Iies;Iint;Uies;Uint,comform caracteristicilor curent-tensiune a tranzistorului

bipolar KT-340B.
Iies Iint
11mm---5mA 10mm---0,05mA
19mm---x 20mm---x
Coala

19 mm∗5 mA 20 mm∗0,05 mA
x= =8,63mA x= =1mA
11 mm 10 mm
Uies Uint
11mm---1V 12mm---0,1V
57mm---x 15mm---x
57 mm∗1 V 15 mm∗0,1 V
x= =5,18V x= =0,125V
11 mm 12 mm
3. Determinăm rezistenţa de intrare a etajului de amplificare după curent alternativ Rintr

(fără a lua în consideraţie divizorul de tensiune R1 şi R2):
¿
2U int r. m .
Rint r .=
2 I int r .m . ;
0,125 V
Rintr= −3 =1250Ω;
0,1∗10 A
4. Determinam Ic;IE
Ec 6 V
Ic= = =12mA
Rc 500Ω
Ic=IE=12mA
4. Determinăm nominalele rezistoarelor divizorului de tensiune R1 şi R2. Pentru a

micşora acţiunea de şuntare a divizorului asupra circuitului de intrare presupunem
¿
R1−2 ≥( 4 ...6)R int r. ,
unde
R1R2
R1−2 =
R 1+R 2 .
În aşa caz
E C R1−2 E C R1−2 R 1 R1−2
R1 = = R 2=
RE I E R E I 0C ; R 1−R1−2
.
6 V∗6250Ω 37500 Ω∗6250Ω
R1-2=5*1250Ω=6250Ω; R1= −3 =37500Ω; R2= =7500Ω;
100Ω∗1,2∗10 A 37500Ω−6250 Ω
5. Determinăm capacitatea condensatorului de divizare Сd2:

1 R ieş .Т RC
C d 2= Rieş .=
√
2 πF j Rieş. М 2j −1 ; Rieş . Т + RC ,
R
unde ieş. Т este rezistenţa de ieşire a tranzistorului, determinată conform
caracteristicilor de ieşire pentru schema de cuplare EC. În majoritatea cazurilor
Rieş. Т >> RC
2Uies 5,18 V 1
Ries= = =600Ω; Cd2= =3552µF
2∗3,14∗90 Hz∗600 Ω √ 1,30 −1
−3
2 Iies 8,63∗10 A 2
6. Determinăm capacitatea condensatorului СE:
Coala

10
С E=
2 πF j R E .
10
CE= =0,17F;
2∗3,14∗90 Hz∗100 Ω
7. Determinăm valoarea coeficientului de amplificare a etajului după tensiune:

U ieş . m .
КU=
U int r . m . .
5,18V
KU= =41,44
0,125V
Proectarea2
Să se proiecteze un amplificator de putere după schema przentată în fig.27
EC
R1
RS Uieş.
IB
Cd1 VT
RG
Uintr.
UG RE CE
R2
Fig.8.5. Schema principială a etejului de amplificare în putere a amplificatorului cu

tranzistor bipolar cuplat cu emitor comun
Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ale tranzistorului bipolar KT-608A să se

efectueze următoarele calcule pentru etajul de amplificare:
Să se determine:
- tipul tranzistorului;
Coala

- regimul de funcţionare al tranzistorului;
- nominala rezistorului în circuitul emitorului R E ;
- capacitatea condensatorului СE;
- nominalele rezistoarelor din divizorul de tensiune în circuitul bazei R1 şi R2;
- coeficientul de amplificare al etajului după putere КР;
Alegem tranzistorul dupa :
Ec= 24 V
Ic admis 774mA
Fig.8.6.Caracteristicile CCT a tranzistorului KT608A
Se da:
EC=24V; IM=774mA; Mj=1,12; Fj=100Hz;Rs=5Ω;
Rezolvare:
1.Determinam Iies;Iint;Uies;Uint,comform caracteristicilor curent-tensiune a tranzistorului

bipolar KT-680A.
Iies Iint
13mm---100mA 18mm---10mA
65mm---x 34mm---x
100 mA∗65 mm 88 mm∗10 mA
x= =500mA x= =48,8mA
13 mm 18 mm
Uies Uint
13mm---5V 18mm---0,5V
40mm---x 34mm---x
40 mm∗5V 34 mm∗0,5 V
x= 13 mm =15,38V x= 18 mm =0,94V
2. Determinăm puterea semnalului de intrare si de iesire.
Pintr=Uintr*Iintr ; Pies=Uies*Iies;
şi rezistenţa tranzistorului după curent alternativ
Rint r .=2 U B . m /2 I B . m .
Pintr=0,94V*48,8*10−3 A=0,045W; Pies=15,38V*500*10−3 A=7,69W
Coala

0,94 V
Rintr= =19, 26 Ω
48,8∗10−3 A
3. Determinam rezistenţa din circuitul emitorului R E este determinată după:

Rtotal = RC + RE. Rezistenţa totală în circuitul emitor-colector
Rtotal = ЕC/I, undeг I prezintă curentul, determinat la intersecţia dreptei de sarcină
cu axa curentului. Dacă se defineşte
RE = (0,15…0,25)RC ,
24 V 31Ω
Rtotal= −3 =31Ω; RC= 1,20 =25,83Ω; RE=31Ω-25,83Ω=5,17Ω
774∗10 A
4. Determinam capacitatea condensatorului ce şuntează rezistorul R E se determină

conform relaţiei
1
C E=
2 πF j R E
1
CE= 2∗3.14∗100 Hz∗5,17 =330µF;
5. Determinăm capacitatea condensatorului de divizare Сd1:

1
C d 2=
√
2 πF j Rieş. М 2j −1 ;
1
Cd1= =100µF;
2∗3,14∗100∗30 √ 0,12 −1
2
6. Coeficientul de amplificare al etajului după putere

К Р=Рieş. /Р int r. .
7,69W
Kp= 0,045W =170,88
9. Pentru amplificatoarele proiectate se elaboreaza plachetele imprimate.
a) Schema amplificatorului audio fara transformator:

In urma efectuari problemilor am primit o serie de rezistore si condensatoare insa
conform standartului STAS vor fi utilizate altele cu nominalul apropiat celor cal-
culate:
Rintr=750 Ω pe plata corespunde R1=750 Ω CE=8.29mF respectiv C2=9mF
R1=42613 Ω pe placa corespunde R2=43K Ω Cd2=2.16mF respectiv C3=3mF
R2=4111. Ω pe plata corespunde R3=43K Ω
Rc=800 Ω pe plata corespunde R4=820 Ω
Coala

Re=160 Ω pe plata corespunde R5=160 Ω
RS=560 Ω pe plata corespunde R6=560 Ω
Cd1=5 mF pe plata corespunde C1=5mF
Rezistoare
R1 750 Ω
R2 43K Ω
R3 4.3K Ω
R4 820 Ω
R5 160 Ω
R6 560 Ω
Condensatore
C1 5mF
C2 9mF
C3 3mF
Coala
Tranzistoare
Mod Coală N Document Semn. 39 - 39 -5/2/20235/2/2023
KT399Data
VT1 A
b)Schema amplificatorului audio cu transformator :
In urma efectuari problemilor am primit o serie de rezistore si condensatoare
insa conform standartului STAS vor fi utilizate altele cu nominalul apropiat celor
calculate:
Rint=35 Ω pe placa corespunde R1=36 Ω Cd1=5mF respectiv C1=5mF
R1=13461 Ω pe placa corespunde R2=13 k Ω CE=6.03mF respectiv C2=5mF
R2=190 Ω pe placa corespunde R3=180 Ω
Re= 359.3 Ω pe placa corespunde R4=360 Ω
RS=19 Ω pe placa corespunde R5=18 Ω
Rezistoare
R1 36 Ω
R2 13k Ω
R3 180 Ω
R4 360 Ω
R5 18 Ω
Condensatore
C1 5mF
C2 5mF
Coala
Tranzistoare
KT907
VT1 A
Bibliografie:
http://www.scrigroup.com/tehnologie/electronica-electricitate/Tranzistor-
bipolar-fabricare-t72972.php
http://www.scritub.com/tehnica-mecanica/Schemele-echivalente-ale-
tranz31325.php
http://www.rasfoiesc.com/business/economie/DETERMINAREA-
PARAMETRILOR-HIBR55.php
http://www.creeaza.com/tehnologie/electronica-electricitate/Structura-si-
parametrii-functi639.php
http://www.leduri.ro/Articole/alimentare_led/E24tab.htm
http://radiokot.ru/circuit/audio/amplifier/12/
Coala

Coala

Coala

Coala

Coala

Coala

Coala

Coala

Coala

Coala Mod Coală N Document Semn. Data 4

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Coala Mod Coală N Document Semn. Data 4

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data 4 - 4 -5/2/20235/2/2023

Dintre cerintele impuse unui tranzistor de calitate trebuie:

Fig.1.1.Procedeul de fabricatie ce se prezinta in continuare tine cont de toate aceste

Mod Coală N Document Semn. Data 5 - 5 -5/2/20235/2/2023

Procedeu de fabricare a tranzistorilor bipolari cu grad mare de integrare :

Fig.1.2. Structura bipolara integrata dublu-poli (polisiliciu n si polisiliciu p )

Mod Coală N Document Semn. Data 6 - 6 -5/2/20235/2/2023

Procedeu de fabricare a tranzistorilor MOS :

Mod Coală N Document Semn. Data 7 - 7 -5/2/20235/2/2023

Fig.1.6. Reprezentarea schematica a unui tranzistor PMOS cu saracire (sau normal-

Procedeu de fabricatie al unui tranzistor MOS cu canal N :

Mod Coală N Document Semn. Data 8 - 8 -5/2/20235/2/2023

Tranzistor MOS de putere :

Mod Coală N Document Semn. Data 9 - 9 -5/2/20235/2/2023

2. PARAMETRII H PENTRU TRANZISTORUL BIPOLAR

Pentru a caracteriza funcţionarea tranzistorului ca amplificator utilizăm

Fig .2.1. Cuadripol descris cu parametrii H

Mod Coală N Document Semn. Data 10 - 10 -5/2/20235/2/2023

regimul de scurt-circuit după curent alternativ la ieşire ( ΔU 2=0 ) şi regimul de

mers în gol la intrare ( ΔI 1 =0 ).

Parametru h11 prezintă rezistenţa de intrare a tranzistorului bipolar cînd la

Coeficientul de transfer după tensiune dacă la intrarea tranzistorului avem

Mod Coală N Document Semn. Data 11 - 11 -5/2/20235/2/2023

Conductibilitatea de ieşire a tranzistorului bipolar dacă asigurăm la intrare

Parametrii hibrizi se măsoară în:

3.ANALIZA CIRCUITELOR ECHIVALENTE ALE TRANZISTORULUI

Schema echivalenta pentru cuplaj baza comuna

Utilizând parametrii analizati anterior, poate fi construita schema

În schema echivalenta jonctiunile emitorului si colectorului sunt reprezentate

Mod Coală N Document Semn. Data 12 - 12 -5/2/20235/2/2023

În cazul orientarii curentului emitorului de la punctul spre

generatorului este inversa. Legea descrisa este determinata de procedeele

În schema echivalenta, prezentata în Fig.3.2., coeficientul de transfer

Schema echivalenta fizica a tranzistorului bipolar, prezentata în Fig.3.2.,

Uneori este mai comod de utilizat schema echivalenta în care în locul

Fig.3.3. Schema echivalenta a

Mod Coală N Document Semn. Data 13 - 13 -5/2/20235/2/2023

Schema echivalenta pentru conectarea emitorului comun

Fig.3.4. Schema echivalenta

cu generator (conectare EC)

Din cauza ca , , unde - coeficientul de transfer al

Mod Coală N Document Semn. Data 14 - 14 -5/2/20235/2/2023

Daca luam în considerare (3.4), relatia (3.3) capata forma

unde este impedanta în punctele - C la înlocuirea generatorului de

Cum se observa din relatiile (3.2) si (3.6), directia generatorului de

Luând în considerare relatiile (3.2) si (3.5) pentru schema echivalenta a

tensiune (conectarea EC)

Mod Coală N Document Semn. Data 15 - 15 -5/2/20235/2/2023

Uneori în schema echivalenta de conectare a tranzistorului cu emitor

4.RIDICAREA PARAMETRILOR TRANZISTORULUI BIPOLAR

Parametrii tranzistorului bipolar nu pot fi măsuraţi direct, aceștia se

Mod Coală N Document Semn. Data 16 - 16 -5/2/20235/2/2023

Cunoscînd familia de caracteristici măsurate se poate determina, prin calcul,

Restul parametrilor, cum ar fi capacitatea joncţiunii, frecvenţa limită de lucru

5.TRANZISTOARE BIPOLARE DE GENERAȚIE NOUĂ IGBT

Mod Coală N Document Semn. Data 17 - 17 -5/2/20235/2/2023

Avantajele tranzistorului bipolar cu poarta izolata IGBT sunt o imbinare din-

Tranzistorul MOSFET este avantajos din urmatoarele motive:

5.1 Structura tranzistorului bipolar IGBT. Polarizare.

Mod Coală N Document Semn. Data 18 - 18 -5/2/20235/2/2023

5.2 Principiul de funcționare. Caracteristica statică

Mod Coală N Document Semn. Data 19 - 19 -5/2/20235/2/2023