Sisteme cu circuite integrate digitale

Functionarea si caracteristicile tranzistoarelor MOS.

Prof. dr. ing. Sorin Hintea

Departamentul Bazele Electronicii
 Cuprins

 Tehnologia CMOS
 Tranzistoare nMOS cu canal indus
 Parametri si caracteristici electrice
 Tranzistoare pMOS cu canal indus
 Tranzistoare MOS cu canal iniţial
 Calculul elementelor de circuit

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 2

 Fabricarea substratului de siliciu

 Siliciul – materia prima in industria semiconductoare

 Diametrul lingoului de siliciu variaza intre 75mm si 300mm + toleranta
 Lingoul trebuie slefuit la diametrul dorit. Aditional se poate freza un plan de
orientare de-a lungul lingoului, ca referinta in manevrare
 Lingoul e feliat cu o lama de diamant, “feliile” sunt lustruite mecanic → eng. wafer
 Grosimea unui wafer este de 500-1000μm, functie de proces → substratul pentru
circuite integrate

Proiectarea circuitelor digitale VLSI - Procesul de fabricatie in tehnologia CMOS 3

 Incapsularea

 In urma procesului de fabricatie, pe wafer se

gasesc mai multe CI
 CI sunt testate pe wafer, iar cele defecte
sunt marcate cu un punct de vopsea
 Pe wafer se traseaza (eng. scribing) liniile
de taiere, iar CI individuale sunt separate (eng.
cleaving)
 Circuitele integrate sunt incapsulate

Proiectarea circuitelor digitale VLSI - Procesul de fabricatie in tehnologia CMOS 4

 Incapsularea – capsula de plastic
FBGA PDIP, SOIC
 PDIP – Plastic Dual Inline Package
 SOIC – Small Outline Integrated Circuit
 PLC – Plastic Leaded Chip
 PLCC – Plastic Leaded Chip Carrier
 FBGA – Fine Ball Grid Array
PLCC SSOP
 SSOP – Shrink Small Outline Package
 TSSOP – Thin SSOP
 LQFP – Low-profile Quad Flat Package
 TQFP – Thin Quad Flat Package
LQFP

TSSOP

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 5

 Incapsularea – capsula ceramica

 CDIP – Ceramic Dual Inline Package CDIP CLCC

 CCC – Ceramic leadless Chip Carrier

 CLCC – Ceramic Leaded Chip Carrier
 CPGA – Ceramic Pin Grid Array
 CSOIC – Ceramic Small Outline IC CSOIC
CLCC
 CQFN – Ceramic Quad Flat Package no Lead

CPGA
CCC

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 6

 Wafer

Proiectarea circuitelor digitale VLSI - Procesul de fabricatie in tehnologia CMOS 7

 Tehnologia CMOS
 tehnologia CMOS foloseste perechi de tranzistoare cu canal n (nMOS) si p (pMOS)
 tranzistorul nMOS este construit pe un substrat de tip p iar pentru dispozitivul pMOS
este creata o regiune n-well pentru a functiona ca substrat pentru regiunile difuzate de
tip p+
 Dimensiunile tranzistorului sunt date de cele ale canalului: lungimea tranzistorului
(L) masoara distanta dintre drena si sursa in care este creat canalul, in timp (W) masoara
latimea canalului

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 8

 Tranzistoare MOS cu canal indus - definitii

 MOS = metal oxid semiconductor

 canal p (pMOS) si canal n (nMOS)
 Dispozitiv cu 4 terminale:
S G D S G D
 grila G
metal poly poly
 drena D oxide ox ox
n n p p
 sursa S semiconductor
p-type substrate n-type substrate
 substrat (bulk) B
B B

Structura de baza a unui tranzistor MOS este reprezentata in figura si consta dintr-
un substrat de siliciu, substrat care este dopat de tip p- sau n, numit body (B), doua
regiuni difuzate cu dopare complementara si care se numesc sursa (S) si respectiv
drena (D), iar intre acestea se gaseste poarta - gate (G).
Poarta tranzistorului consta dintr-un strat dielectric, de ex. dioxid de siliciu, crescut
deasupra substratului de siliciu si un strat conductor din polisiliciu (siliciu
policristalin) depus deasupra.
Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 9
 Tranzistoare MOS cu canal indus - definitii
 Simboluri pentru tranzistoarele MOS:
 simboluri pentru tranzistoarele cu canal n (nMOS) si cu canal p (pMOS)
 simboluri cu 4 terminale: gate G drain D source S bulk (substrate) B
 simboluri cu 3 terminale: gate G drain D source S (in electronica digitala terminalele
substrat sunt legate la masa in cazul tranzistoarelor de tip nMOS, respectiv la potentialul
pozitiv al alimentarii in cazul tranzistoarelor pMOS); sagetile sunt folosite pentru a
reprezenta terminalul sursa
 simboluri cu 3 terminale: gate G drain D source S (sagetile nu mai sunt folosite iar
pentru tranzistoarele cu canal p se foloseste un cerculet in dreptul portii

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 10

 The MOS transistor

Cum lucreaza tranzistorul MOS ca un comutator

D D

G G

S S

VG = GND ‘0’ Cut-off

transistor
MOS

VG = VDD ‘1’ conduction

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 11

 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare

 Tensiune pozitiva mica  Tensiunea pe grila

 Tranzistor MOS
(VG) aplicata pe grila → mai mare decat
nepolarizat → jonctiunile
electronii sunt atrasi → se tensiunea de prag (Vth)
pn nu sunt polarizate →
extinde regiunea de golire → se formeaza canalul
regiuni de golire in jurul
sub grila → conditia fundamentala
implanturilor n+ → nu
pentru conductie
curge curent  Tranzistor blocat

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 12

 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare

Se defineste tensiunea de saturatie

Vod = VGS – Vth
 Tensiune pozitiva
 Tensiune pozitiva mica intre implanturile n+
mare intre
(VDS < Vod )→ miscarea electronilor din canal →
implanturile n+ (VDS
curent intre cele doua terminale
> Vod ) → tranzistorul
 Tranzistor in regim liniar intra in saturatie
Care e terminalul de drena si sursa?  Tranzistor in
regim saturat
Curentul circula de la drena catre sursa

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 13

 Tranzistoare nMOS cu canal indus - polarizare
0<VDS<VOD VDS=VOD
VGS>VTh VGS>VTh
S D S D
poly poly
ox ox
n n n n
asymmetric
p-type substrate channel p-type substrate
pinch-off
VB=0V VB=0V

Se defineste tensiunea de saturatie

Vod = VGS – Vth
 Tensiune pozitiva
 Tensiune pozitiva mica intre implanturile n+
mare intre
(VDS < Vod )→ miscarea electronilor din canal →
implanturile n+ (VDS
curent intre cele doua terminale
> Vod ) → tranzistorul
 Tranzistor in regim liniar intra in saturatie
Care e terminalul de drena si sursa?  Tranzistor in
regim saturat
Curentul circula de la drena catre sursa

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 14

 Tranzistorul nMOS – regiunile de lucru
 Polarizarea tranzistorului nMOS presupune aplicarea unei tensiuni pozitive intre grila si sursa
(VGS) si a unei tensiuni pozitive intre drena si sursa (VDS) la terminalele tranzistorului
 Variatia tensiunilor VDS si VGS, precum si cele 3 regiuni de operare ale tranzistorului NMOS

 Variatia curentului de drena functie de tensiunea aplicata pe grila ID(VGS)

 Modul de lucru in regiunea de blocare presupune o tensiune pozitiva VGS mai mica decat cea de
prag a tranzistorului nMOS Vth.

VGS < Vth → IDS = 0 → blocare

 Pentru valori ale VGS mai mari decat Vthn, un canal este creat intre drena si sursa

VGS > Vth → conductie

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 15
 Tranzistorul nMOS – regiunile de lucru

2 regiuni de conductie
VGS > Vth si VDS < VGS - Vth = Vod → liniar

 VDS 
2
I D   n  VGS  Vth  VDS  
 2 
 VDS2/2 este neglijata → dependenta lineara

I D   n  VGS  Vth   VDS

VGS > Vth si VDS > VGS - Vth = Vod → in saturatie

n
 VGS  Vth 
2
ID 
2
 dependenta curentului de drena de tensiunea drena-sursa,
ID(VDS) arata departajarea celor doua regiuni de conductie
De face pe parabola VDS=VOD care separa aceste regiuni

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 16

 Tranzistoare nMOS cu canal indus – functionare

Regiunea de Tensiunea grila Canal prezent Tensiunea drena Model

operare sursa sursa echivalent de
semnal mare

nMOS

Cutoff VGS < Vthn no n.a.

Linear VGS > Vthn yes VDS < Vod

Saturation VGS > Vthn yes VDS > Vod

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 17

 Tranzistoare nMOS cu canal indus – factorul β

 Factorul β → factorul de castig  Capacitatea oxidului Cox

W ox W  ox
  K   Cox 
L tox L t ox
 εox – permitivitatea oxidului
 W,L – latimea si lungimea
tranzistorului  tox – grosimea oxidului
 Factorul K
K    C ox G
 μ – mobilitatea purtatorilor de
S
tox Cox D
sarcina
 Purtatori de sarcina: nMOS → n+ n+
electroni, pMOS → goluri
 La acelasi W/L

n   p n   p

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 18

 Calculul elementelor de circuit

 Rezistenţa tranzistoarelor în conducţie

 În conducţie liniară tranzistorul MOS se comportă ca o rezistenţă
 Rezistenta canalului:

VDS 1 L
Ron   
I DS   (VGS  VT )   Cox  W  (VGS  VT )

 Pentru a obţine tranzistoare cu rezistenţa mai mică şi timpi de comutaţie mai mici
trebuie mărită lăţimea W.
 Relatia de mai sus este utilizata pentru redimensionarea tranzistoarelor in scopul
imbunatatirii timpilor de intarziere
 cand avem nevoie de rezistente mai mici, trebuie crescuta marimea raportuluiW/L
folosindu-se valori precum 2/1, 4/1 sau 8/1

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 19

 Calculul elementelor de circuit

 Calculul rezistenţelor ca elemente de circuit

 Determinarea rezistenţei unui material conductor omogen:

 L
R on    Rs  L
t W

 ρ [Ω∙m] → rezistivitatea materialului

 t [m] → grosimea conductorului
 L [m] → lungimea conductorului
 W [m] → lăţimea conductorului
 RS [Ω/m]→ rezistenţa (de suprafata)
pe unitatea de lungime

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 20

 Calculul elementelor de circuit

 Rezistente de suprafata pentru materialele folosite in tehnologia CMOS

Materialul Rs [ /m]

Metal 0,03
Difuzie 10  50
Polisilicon 15 100
canal n 104
canal p 2,5104

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 21

 Tranzistorul pMOS cu canal indus – mod de operare
 Tranzistorul pMOS este format din doua regiuni de tip p (sursa si drena) si un substrat (body) de
tip n.
 In tranzistoarele pMOS purtatorii sunt golurile (purtatori pozitivi)
 Mobilitatea golurilor in siliciu este mai mica decat a electronilor. Aceasta inseamna ca
tranzistoarele pMOS genereaza mai putin curent decat cele nMOS la o dimensiune comparabila si
prin urmare sunt mai lente.
 Simbolurile µn and µp sunt utilizate pentru a diferentia cele doua tipuri de mobilitati cea a
electronilor si respectiv cea a golurilor in tranzistoarele nMOS and pMOS

n  2   p n  2   p R p  2  RN
 Raportul mobilitatilor µn / µp este 2–3;
noi vom folosi 2 pentru exemplele din acest curs
 Simbolul pentru tranzistorul pMOS
este cel cu cerculet in dreptul portii

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 22

 Tranzistoare pMOS cu canal indus – functionare

 3 regimuri de operare
 |VGS| < |Vth| → ID = 0 → blocat
 |VGS| > |Vth| → |VDS| < |Vod| → liniar

 | VDS |2 
I D   p  | VGS |  | Vth | | VDS |  
 2 

 |VDS|2/2 se neglijeaza → dependenta liniara

 |VGS| > |Vth| → |VDS| > |Vod| → saturat

p
ID   | VGS |  | Vth |2
2

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 23

 Tranzistorul pMOS – regiuni de lucru
Regiunile de lucru in cazul tranzistorului MOScu canal p, impreuna cu simbolurile
echivalente

Operation region Gate-source Channel Drain-source voltage Equivalent

S voltage present large-signal
model
ID
VSG
pMOS

VSD Cutoff VSG < |Vthp| no n.a.

Linear VSG> |Vthp| yes VSD < |Vod|

VGp
saturation VSG > |Vthp| yes VSD > |Vod|

Systems with Digital Integrated Circuits - The MOS transistor 24

 Tranzistoare MOS cu canal initial

 O regiune de tip n sau p situata sub poarta este dopata in timpul procesului de
fabricare a tranzistorului → canal initial
 Tranzistorul este in conductie si pentru tensiune grila-sursa VGS = 0, sau usor
negativa
 Pentru VGS < Vth (in cazul pMOS |VGS| < |Vth|) se forteaza golirea canalului si
tranzistorul este comandat in blocare
 Efectul canalului initial este translatarea spre valori negative (in cazul pMOS spre
valori pozitive) a carcateristicii de transfer a tranzistorului

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 25

 Tranzistoare MOS cu canal initial

 Efectul canalului initial este translatarea spre valori negative (in cazul pMOS spre
valori pozitive) a carscteristicii de transfer a tranzistorului

nMOS pMOS

nMOS
canal initial

pMOS
canal initial

Sisteme cu circuite integrate digitale – Tranzistoare MOS 26