Preliminarii

Comportarea TECJ în regim cvasistatic de

semnal mare

Comportarea TECJ în regim cvasistatic de
semnal mic

Polarizarea TECJ

Aplicaţii

Capitolul 7
Tranzistoare cu efect de câmp
metal oxid semiconductor

Spre deosebire de tranzistoarele studiate până acum, aceste tipuri de tranzistoare

sunt caracterizate de conducţia de suprafaţă şi nu de cea de volum. Din acest
motiv mai poartă numele de tranzistoare cu efect de câmp de suprafaţă. În
literatura de specialitate se întâlnesc şi sub denumirea prescurtată TECMOS
(Tranzistoare cu Efect de Câmp Metal Oxid Semiconductor) sau MOSFET
(Metal Oxid Semiconductor Field Efect Tranzistor).
Ideea tranzistorului cu efect de câmp de suprafaţă datează din 1930 când Lillien
în Statele Unite şi Heil în Anglia au propus utilizarea efectului de câmp de
suprafaţă pentru obţinerea unui dispozitiv amplificator folosind corpul solid.
Cercetări ample au fost realizate ulterior (1940) în laboratoarele Bell.
Descoperirea mai mult sau mai puţin accidentală a tranzistorului bipolar a
determinat însă apoi o nouă direcţie în cercetarea şi dezvoltarea dispozitivelor
semiconductoare pentru mai mult de o decadă. Apariţia siliciului oxidat - una
dintre cele trei mari idei care au fundamentat tehnologia planară - a adus cu sine
o creştere a posibilităţii de de fabricaţie a TECMOS. În 1960 Kahng şi Atalla au
realizat un tranzistor cu efect de câmp utilizând siliciul oxidat termic. Anii ce au
urmat au însemnat o activitate extrem de intensă în acest domeniu. Această
activitate a condus pe de o parte la un nivel înalt de cunoaştere a interfeţei Si-
SiO2 iar pe de altă parte TECMOS a devenit unul dintre cele mai utilizate
tranzistoare, la concurenţă cu tranzistorul bipolar. De fapt, în multe aplicaţii în
special în domeniul circuitelor integrate acest tranzistor deţine primul loc ca
importanţă.
Structura capitolului este:

Subcapitolul unu este dedicat noţiunilor generale. Sunt prezentate cele
două tipuri principale;

85
 Electronică analogică

Subcapitolul doi prezintă comportarea celor două tipuri de tranzistoare

în regim cvasistatic de semnal mare. Sunt prezentate principalele
caracteristici statice precum şi modele uzuale;

Subcapitolul trei prezintă comportarea celor două tipuri de tranzistoare
în regim cvasistatic de semnal mic. Sunt prezentate modelele
matematice precum şi modelele electrice;

Subcapitolul patru este dedicat problemelor speciale legate de
polarizarea celor două tipuri de tranzistoare .

Subcapitolul cinci prezintă o aplicatie uzuală şi anume etajul sursă
comună

7.1 Preliminarii

În principiu acest tranzistor are o funcţionare asemănătoare tranzistorului cu

efect de câmp cu joncţiune. Curentul principal - curent stabilit între terminale
care poartă acelaşi nume, sursă şi drenă - circulă printr-un canal, a cărui
conductanţă este modificată electric de potenţialul de pe grilă. Functie de modul
în care se realizează acest canal există în principiu două tipuri de tranzistoare
MOS:

tranzistor MOS cu canal initial (canalul este realizat tehnologic în structură
printr-o difuzie suplimentară);

tranzistor MOS cu canal indus (canalul este indus de potentialul aplicat
grilei)
Structura sucapitolului este:
1. Structurã, simbol, notaţii;
2. Principiul de funcţionare;
3. Conexiunile tranzistoarelor;

7.1.1 Structură, simbol, notaţii

a.) TECMOS cu canal iniţial
Structura este prezentată în figura 7.1. S-au folosit notaţiile:
S sursă; terminalul de la care sunt ”emişi” purtătorii;
D drenă; terminalul la care sunt “colectaţi” purtătorii;
G grilasau poartă; terminalul care controlează fluxul de purtători dintre
grilă şi sursă
B substrat; terminal care în anumite cazuri este conectat la sursă iar în
altele funcţionează ca o grilă secundară

86
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

S G D

SiO2
++ n ++
n n

canal
p

B
S
Figura 7.1

Canal regiunea prin care tranzitează purtătorii în drumul lor dintre sursă şi
drenă
SiO2 strat izolator de bioxid de siliciu; izolează grila de canal.
Observaţie Figura 7.1 prezintă un TECMOS cu canal iniţial de tip “n”.
Există şi structura complementară şi anume TECMOS cu canal iniţial de tip
“p”.
Figura 7.2 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal iniţial de tip “n”, iar figura
7.3 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal iniţial de tip
iG D iG D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vDS iS vSD iS
S
S

Figura 7.2 Figura 7.3

S-au folosit notaţiile:
• iD curent de drena
• iS curent de sursă
• iG curent de grilă
• vGS tensiunea grilă sursă;
• vDS tensiunea drenă sursă;
• vDG tensiunea drenă grilă .
Atât pentru tensiuni cât şi pentru curenţi s-au prezentat sensurile fizice.
b.) TECMOS cu canal indus
Structura este prezentă în figura 7.4

87
 Electronică analogică

S G D

SiO2
n++ n++

canal
p

B
S
Figura 7.4

Notaţiile sunt identice cu cele de la figura 7.1. În plus, se observă că de această

dată canalul nu este fizic realizat.
Observaţie Figura 7.4 prezintă un TECMOS cu canal indus de tip “n”.
Există şi structura complementară şi anume TECMOS cu canal iniţial de tip
“p”.
Figura 7.5 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal indus de tip “n”, iar figura
7.6 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal indus de tip “p”

iG iG
D D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vGS iS vSG iS

S S

Figura 7.5 Figura 7.6

Notaţiile sunt identice cu cele folosite la simbolurile TECMOS-urilor cu canal

intial.
Observaţie: Ca şi în cazul celorlalte tranzistoare, în continuare va fi prezentată
numai comportarea tranzistoarelor cu canal de tip “n”.

88
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

7.1.2 Principiul de functionare

În principiu aceste tranzistoare au o funcţionare asemănătoare tranzistorului cu
efect de câmp cu joncţiune. Curentul principal - curent stabilit între terminale
care poartă acelaşi nume, sursă şi drenă - circulă printr-un canal, a cărui
conductanţă este modificată electric de potenţialul de pe grilă. Deosebirile apar
numai la mecanismele care dau naştere canalului, precum şi faptul că acest
canal se află pe suprafaţa structurii. Astfel:
În cazul TECMOS cu canal iniţial, potenţialul grilei modifică concentraţia
purtătorilor din canal şi prin aceasta rezistenţa canalului. De altfel acest
tranzistor mai poartă numele D-MOS (Depletion MOS).
În cazul TECMOS cu canal indus, potenţialul grilei – în condiţiile în care este
suficient de ridicat – datorită fenomenului de atracţie electrostatică, atrage la
interfaţa dintre siliciu şi bioxidul de siliciu purtătorii şi astfel este generat
canalul. Şi în acest caz modificarea potenţialului grilei duce la modificarea
concentraţiei purtătorilor din canal şi prin această a rezistenţei canalului Acest
tranzistor mai poartă numele E-MOS (Enhancement MOS).

Ca şi în cazul TECJ, fără a mai intra în detalii trebuie spus că se pot pune în
evidenţă cel puţin trei două moduri distincte de lucru pentru acsre tranzistoare:
1. Rezistenţă comandată. ÎI mare este vorba de mecanismul amintit. Despre
tranzistor se sune că lucreză în regim liniar;
2. Generator de curent comandat. În această situaţie canalul este ştrangulat,
dar purtătorii injectaţi de sursă pot ajunge la drenă. Despre tranzistor se
spune că lucreză în regim saturat;
3. Circuit întrerupt. În această situaţie canalul este ştrangulat, iar purtătorii
injectaţi de sursă nu mai pot ajunge la drenă. Despre tranzistor se spune că
lucreză în regim blocat;

7.1.3 Conexiunile TECJ. Modalităţi de descriere.

Ca şi în cazul TECJ şi aici se pun în evidenţă trei topologii fundamentale. Se
vor prezenta schematic numai structurile cu TECMOS cu canal iniţial, cele cu
canal indus fii.d identice.
Conexiunea sursă comună (figura 7.7) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă -
sursă şi curentul de grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi
curentul de drenă. Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale
curenţilor şi tensiunilor coincid cu cele fizice.

89
 Electronică analogică

iO
iO

iIN iO iIN
iIN vO
vO
vIN vIN vO vIN

Figura 7.7. Figura 7.8 Figura 7.9

Conexiunea grilă comună (figura 7.8) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă -
grilă şi curentul de sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi
curentul de drenă. Pentru această conexiune sensurile convenţionale ale
curenţilor şi tensiunilor nu coincid cu cele fizice
Conexiunea drenă comună (figura 7.9) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă -
drenă şi curentul de grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi
curentul de sursă. Nici pentru această conexiune sensurile convenţionale ale
curenţilor şi tensiunilor nu coincid cu cele fizice.
În mod uzual TECMOS-urie indiferent de tip, ca şi TECJ-urile de altfel, sunt
descrise de două ecuaţii de forma:
iG=iG(vGS,vDS) (7.1)
iD=iD(vGS,vDS) (7.2)
Întrucât grila este izolată prin construcţie de drena, (7.1) devine:
iG≅0 (7.3)

7.2 Comportarea TECMOS în regim cvasistatic de semnal

mare

Dupa cum a mai fost amintit de deja, în regim cvasistatic de semnal mare orice
tranzistor este integral descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii, numite ecuatii
caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice. În mod uzual acestea
sunt ecuaţiile 7.2 şi 7.3 Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte formele
explicite ale acestor caracteristici, iar pe baza lor sǎ dezvolte modele
aproximative pentru TECMOS. Suplimentar, este prezentat modul de definire al
valorilor limitǎ ale parametrilor electrici ce pot fi suportate de aceste
tranzistoare În consecintǎ, structura subcapitolului este:
1. Caracteristici statice;
2. Modele de semnal mare pentru TECJ
3. Abateri de la teoria ideală

90
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

4. Limitări în funcţionare.
7.2.1 Caracteristici statice
Urmând metodologia din capitolul precedent se vor prezenta cele două
caracteristici statice uzuale:
a.) Caracteristica de ieşire
Figura 7.10 prezintă caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal
iniţial tip “n”, iar figura 7.11 caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu
canal indus tip “n”. Se constată că alura caracteristicilor este asemănatoare,
diferind domeniul tensiunilor de comandă vGS.

iD
Regiune vGS-v T
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V
liniara
vGS=2V
Regiune de
vGS=0V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS

Figura 7.10

Ca atare se pot pune în evidenţă, şi în acest caz, existenţa mai multor regiuni:

iD
vGS-vT
Regiune
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=8V
liniara
vGS=6V
Regiune de vGS=4V
blocare
vGS=2V
vGS=VT
vDS

Figura 7.11

I.) Regiunea liniară este regiunea în care tranzistorul se comportă ca rezistenţă

comandată; valorile acestei rezistenţe sunt în general mici lucru atestat de panta
caracteristicii; în această regiune dependenţa curentului de drenă de tensiunea
drenă-sursă poate fi aproximată de o dreaptă.

91
 Electronică analogică

II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziţie; de obicei tranzistoarele nu

funcţionează în acestă regiune; caracteristica se poate aproxima parabolic.
Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaţie; în această regiune tranzistorul funcţionează ca
generator comandat; comanda este dată prin intermediul tensiunii grilă sursă.
IV.) Regiunea de blocare; în această regine tranzistorul se comportă ca un
circuit întrerupt; este caracterizată de faptul că tensiunile pe trazistor pot lua
orice valori (în limitele normale), dar curentul este nul.

b.) Caracteristica de intrare

Figura 7.12 prezintă caracteristicile de intrare pentru un TECMOS cu canal
iniţial tip “n”, iar figura 7.13 caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu
canal indus tip “n”. Şi de .

iD iD

IDSS

VT v GS VT vGS

Figura 7.12 Figura 7.13

unde:
IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă
VT tensiunea de prag
Şi de acestă data, caracteristicile pot fi aproximate prin parabole deosebirile
fiind legate de domeniul în care poate varia tensiunea vGS.
7.2.2. Modele de semnal mare pentru TECMOS
Modele uzuale utilizate pentru cele două tipuri de tranzistoare MOS sunt practic
identice. Din această cauză în acest subcapitol nu se vor face referiri speciale la
unul dintre ele.
1.) Regim de blocare. Ecuaţiile (7.2) şi (7.3) care reprezintă modelul matematic
general al TECMOS capătă forma:
iG=0 (7.4)

92
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

iD=0 (7.5)

G D

v GS vDS
S

Figura 7.14

Schema echivalentă corespunzătoare este prezentată în figura 7.14.

2.) Regim saturat. Modelul matematic este:
iG=0 (7.6)
β
iD = (vGS − VT )2 (7.7)
2
Observaţie: Coeficientul β din relaţia (7.7) este un coeficient a cărui valoare
care depinde de geometria tranzistorului şi nu are legătură cu cel definit în cazul
tranzistorului bipolar. Schema echivalenta este prezentată în figura 7.15
3.) Regim liniar. Tranzistoarele au comportare de rezistenţă comandată după

G D

β
vGS (vGS − VT )2
2

S
Figura 7.15

cum se poate observa din schema echivalentă prezentată în figura (7.16):

G D
vGS
R

S
Figura 7.16

7.2.3. Abateri de la teoria ideală

Problemele care apar în cazul TECMOS sunt practic aceleaşi cu cele care
prezentate în subcapitolul 6.2.3 astfel că nu vor fi reluate.
7.2.4. Limitări în funcţionare

93
 Electronică analogică

Ca şi în cazul TECJ problemele care apar în cazul TECMOS sunt practic

aceleaşi cu cele care prezentate în subcapitolul 6.2.4. Ca atare, concluziile care
s-au impus în subcapitolul mentionat rămân valabile şi pentru TECMOS.

7.3 Comportarea TECMOS in regim cvasistatic de semnal

mic

Liniarizând Taylor relatiile (7.5 şi (7.7) se obţine:

ig=0 (7.8)
id=gmvgs (7.9)
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar
G D

vgs gmvgs

Figura 7.17

di D (7.10)
gm = = β (v GS − VT )
dv DS QP

poartă numele de tranconductanţă mutuală. Schema echivalentă corespunzătore

este prezentată în figura 7.17.

7.4 Polarizarea TECMOS

Sarcinile circuitului de alimentare în curent continuu pentru TECMOS sunt

aceleaşi ca şi în cazul TECJ. Şi în acest caz nu se mai pune problema ambalării
termice, dar rămâne cea a dispersiei de parametrii. Diferenţele apar însă dacă se
observă că in funcţionare normală un TECMOS cu canal de tip n indus, are
nevoie de o tensiune pozitivă între grilă şi sursă (figura 7.13), iar un TECMOS
cu canal n iniţial suportă între grilă şi sursă atât valori pozitive cât şi negative

94
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

pentru polarizare (figura 7.12). Ca atare pentru TECMOS cu canal indus s-au
impus scheme de tipul celei din figura 6.21, iar pentru TECMOS cu canal iniţial
scheme de tipul celei din figura 6.22. Se poate observa că singura deosebire
dintre cele două scheme este dată de absenţa respectiv prezenţa rezistenţei RS.
Întrucât pe rezistenţa RS se obţine o tensiune generată de curentul propriu al
tranzistorului, soluţiile ce întroduc această rezistenţă poartă numele de circuite
cu polarizare automată.

ED ED

R1 RC R1 RC

VGS
VDS
VGS
VDS
R2 R2 RS

Figura 7.18 Figura 7.19

Analiza detaliată a acestor circuite este practic identică cu cea efectuată în

capitolul 5.5. Acesta este motivul pentru care nu va mai fi prezentată.
De altfel şi circuitele care au în structură tranzistoare cu efect de câmp MOS, au
aceeaşi comportare formală cu circuitele care au în compunere tranzistoare cu
efect de câmp cu joncţiune. Ca atare nici circuitele fundamentale de tip sursă
comună, drenă comună sau grilă comună nu vor fi prezentate.

7.5 Aplicaţii. Etaj sursă comună

Ca şi în cazul tranzistorului bipolar, şi pentru pentru aceste tranzistoare se pun

în evidenţă trei 3 structuri topologice cunoscute în literatura de specialitate sub
numele de etaje fundamentale:

etaj sursă comună;

etaj grilă comună;

etaj drenă comună.

95
 Electronică analogică

Prezenta secţiune prezintă numai etajul sursă comună. Pentru acest etaj
semnalele de intrare se aplică între grilă şi sursă, iar semnalul de ieşire se culege
între drenă şi sursă.

ED ED ED
iD iD ED
iD β 2
(vGS − VT )
RD RD 2 RD RD

G
D G D G D

vIN v O vIN S vO vIN vGS vO v v GS R vO

IN

S S

Figura 7.20 Figura 7.21 Figura 7.22 Figura 7.23

a.) schema este prezentată în figura 7.20

b.) rolul elementelor; notaţii folosite
RD rezistor de sarcină;
vIN tensiune de intrare (valoare instantanee totală);
iIN curent de intrare (valoare instantanee totală);
vO tensiune de ieşire (valoare instantanee totală);
c.) analiza de semnal mare
Obiectivul acestei analize constă în explicitarea caracteristicii de intrare (7.11);
vO=vO(vIN) (7.11)
Procedura aplicată este identică cu procedura prezentată în capitolul 6.:
I. Pentru
vGS<VT (7.12)
şi
vGD<VT (7.13)
tranzistorul este blocat. Circuitul din figura 7.20 se modelează ca în figura 7.21.
Se constată că:
vO=ED (7.14)
Observaţie: Condiţiile (7.2) şi (7.3) sunt satisfăcute dacă:
vIN ∈ (− ∞, VT ) (7.15)
II. Pentru:
vGS>VT (7.16)
şi
vGD<VT (7.17)
tranzistorul este în regiunea de saturaţie. Circuitul din figura 7.20 se modelează
ca în figura 7.22: Expresia tensiunii de ieşire este:

96
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

vO=ED-iDRD (7.18)
iar.
β (7.19)
iD = (vGS − VT )2
2
vGS=vIN (7.20)
Înlocuind (7.20) în (7.19), iar (7.19) în (7.18) se obţine:
β 2
(7.21)
vO = ED − RD (vIN − VT )
2
Această expresie este valabilă pentru:
− 1 + 1 + 2 βRD ED (7.22)
VT < vIN < VT +
β RD
III. Pentru:
vGS>VT (7.23)
and
vGD>VT (7.24)
tranzistorul operează în regiunea liniară. Circuitul din figura 7.20 se modelează
ca în figura 7.23. Prin simplă inspecţie se constată că expresia tensiunii de ieşire
este:
R
v O = ED ≈0 (7.25)
R + RD
Tensiunea de intrare trebuie să satisfacă condiţia
− 1 + 1 + 2 β RD E D
vIN > VT + (7.26)
βR D
Ţinând cont de relaţiile (7.14), (7.21) şi (7.25) caracteristica de transfer capătă
alura din figura (7.24):
vO
Regiune de
blocare
ED Regiunea de
saturaţie

Regiunea
liniară

VT ED vIN

− 1 + 1 + 2 βRD ED
+ VT
βRD
Figura 7.24
d) etaj de amplificare în conexiunea sursă comună
Acestă secţiune tratează comportarea în semnal mic a acestei coneciuni.

97
 Electronică analogică

d1) schema este prezentată în figura 7.25.

d2) rolul elementelor
RG1 RG2 RS circuit de polarizare.
C1 , C2 condensatoare de cuplaj.
CS condensator de decuplare; pune sursa la masă în regim de
semnal.
RD sarcină.
d3.) analiza de semnal mic
Se vor analiza:
1. amplificarea în tensiune;
2. rezistenţa de intrare;
3. rezistenţa de ieşire.
1.) Amplificarea în tensiune
Este definită ca:
Vot
AV = (7.27)
Vt
unde:
Vt tensiune de intrare aplicată la intrare; (amplitudine);
Vot răspunsul în tensiune al circuitului la tensiunea de test.
(amplitudine).
Circuitul din figura 7.25 se modelează ca în figura 7.26.
ED

RG1 RD
It G D Id
Iin C1
C2 Ir
Vo
Vt RG Vgs gmVgs RDL Vot
V in
RG2 RS CS S

Figura 7.24 Figura 7.26

S-au folosit notatiile.

R G1R G2
R G = R G1 R G2 = (7.28)
R G1 + R G2

98
 Tranzistoare cu efect de câmp metal oxid semiconductor

R DR L
R D,L = R D R L = (7.29)
R D + RL

Se găseste:
Vot =-gmVgsRD,L (7.30)
Vt =Vds (7.31)
Introducând (7.30) şi (7.31) în (7.27) amplificarea în tensiune devine:
A v = −gm R D,L (7.32)

Concluzii:
• câştigul în tensiune este ridicat;
• diferenţa de fază dintre tensiuneade intrare şi cea de ieşire este 1800 (semnul
minus).
2.) Rezistenţa de intrare.
Este definită de:
Vt
R in = (7.33)
It

Din figura 7.26 prin simplă inspecţie.

Rin=RG (7.34)
Concluzie: rezistenţa de intrare este egală cu RG şi poate lua valori ridicate.
3.) Rezistenţa de ieşire;
Este definită ca în (7.35):

Et
Ro = (7.35)
It
Vin = 0

Figura 7.27 arate modul în care este plasată sursa de test precum şi modul în
care se realizează scurtcircuitul, prin intermediul condensatorului Cs. Circuitul

ED
G D It It
RG1 RD +
It +
C1 C2 RB Vbg gmVgs RD Et RD Et
Et - -
S
Cs RG2 RS CS

Figure 7.27 Figure 7.28 Figure 7.29

99
 Electronică analogică

este modelat în figura 7.28. Observând că

Vgs=0 (7.36)
circuitul din figura 7.28 se reduce la cel din figura 7.29. În consecinţă rezistenţa
de ieşire devine:
Ro=RD (7.37)
Concluzie: rezistenţa de ieşire are o valoare moderată.

100