CIA

Circuite Integrate
Analogice
prof. Isar Dorina
dorina.isar@upt.ro
Cabinet vizavi de A215

Curs 5/2021
 Semnal de intrare pur diferențial
• Deoarece căderea de tensiune pe RTAIL nu se modifică,
funcționarea circuitului la semnal mic nu se modifică dacă
se scurtcircuiteza RTAIL.
• Cele două părți nu sunt
doar identice ci sunt și
independente deoarece
sunt conectate într-un
nod care este legat la masă
(în circuitul echivalent de semnal mic)
Metoda jumătății de circuit pentru modul diferențial.
v od v
 g m u be1R  g m R id
2 2
v
A dm  od  g m R
v id v o
ic
 Etajul diferenţial - la intrare vi1 = 10mV, vi2 = -10mV şi RTAIL

Tensiunile de la ieşire: Vo1 şi Vo2 (fiecare

cu amplitudinea de 127.5 mV) !)

Tensiunile de la ieşire: Vo1 şi Vo2 (fiecare cu amplitudinea de 127.5 mV)

şi tensiunea de ieşire diferenţială Vod de 255mV
 Semnal de intrare de mod comun pur

• Al doilea pas: tensiune comună aplicată pe ambele

intrări: vi1 = vi2 =vic.
 Semnal de mod comun pur
• RTAIL a fost înlocuită cu două rezistențe în paralel, fiecare egală
cu 2 RTAIL; în modelul echivalent de semnal mic al tranzistoare-
lor se neglijează din nou ro; in plus, pentru cazul CMOS, r .
• Deoarece circuitul se împarte în
două jumăți identice și fiecare
jumătate are la intrare aceeași
tensiune vic,
– nici un curent nu va circula prin
legătura ce unește cele două
jumătăți.

• Se observă că cele două jumătăți

de circuit nu sunt doar identice ci
și independente (conectate printr-
o legătură prin care nu circulă
curent din punct de vedere al
regimului de semnal mic).
 Semnal de mod comun pur
• Vom analiza doar o jumătate de circuit (metoda jumătății de
circuit pentru modul comun).

v ic  i b rbe  2R TAILi b 0  1  0

v ic
 ib 
rbe  2R TAIL 0  1

  0 R 
v oc  i c R  0i b R  v ic  
 rbe  2R TAIL 0  1 
v oc gmR gmR
 A cm   
v ic 1  1  2R TAILg m
1  2R TAILg m   1
 0 
 Simulare pentru
Vic = 5V (verde)
Vo1 (roşu) identic cu
Vo2 (albastru):

Vo1= Vo2
 Analiză de semnal mic pentru
amplificatorul diferențial

• Relațiile determinate ne arată că IAdml > IAcml.

 gmR 
 A dm  g m R si A cm  
 1  2g m R TAIL 

• Deci amplificatorul diferențial amplifică mult mai mult

tensiunea diferențială de la intrare decât cea de mod
comun.

CMRR  1  2R TAILg m
 Rezistența de intrare în mod diferențial

• Rid este definită ca și raportul dintre tensiunea de intrare

diferențială de semnal mic, vid, și curentul de intrare
corespunzător, ib, pentru mod de intrare pur diferențial.

v id
 i b rbe
2
v id
R id   2rbe
ib v  0 0VT
ic  0 rbe   
 gm Ic 
• O rezistență diferențială de intrare mare se obține dacă
amplificatorul diferențial funcționează cu valori mici de
polarizare – Ic – pentru curent de colector.
 Rezistența de intrare în mod comun

• Rid este definită ca și raportul dintre tensiunea de intrare de

mod comun de semnal mic, vic și curentul de intrare
corespunzător unei intrări, ib, când la intrări avem aplicat
semnal comun pur.

v ic
R ic  
ib v id  0

i b rbe  2R TAILi b 0  1

 
ib
 rbe  2R TAIL 0  1
Recunoașteți ?
Caracteristica de Transfer
pentru etaj diferențial - MOS
• Presupunem: RTAIL, r0 .
• L2K în bucla d ela intrare:
Vi1  Vgs1  Vgs 2  Vi 2  0 ( 4)

• Presupunem: RD destul de mici pentru ca

tranzistoarele să nu fie în zona de triodă,
Id are următoarea relație:

Id 
k' W
2 L

Vgs  Vt 2
2I d1 
Vgs1  Vt  
(k’ = 200μA/V2, W= lățimea canalului, K ' ( W / L) 
  (5)
L= lungimea canalului)
Vgs 2  Vt 
2I d 2 
K ' ( W / L) 

 Etaj diferențial - MOS

( 4)
 Vgs1  Vgs 2  Vi1  Vi 2  Vid (6)
Folosind relația (5):
2I d1 
Vgs1  Vt  
K ' ( W / L) 
 (5)
2I d 2 
Vgs 2  Vt 
K ' ( W / L) 
(5),( 6 ) I d1  I d 2
 Vid  Vi1  Vi 2  A 
k' W
2 L
În sursele comune ale tranzistoarelor : I d1  I d 2  I TAIL (B)
 Etaj diferențial - MOS

I d1  I d 2
Vid  Vi1  Vi 2  A 
k' W
2 L
I d1  I d 2  I TAIL (B)

• Ridicând la pătrat ambele părți ale relației (A) și utilizând (B) avem:

2 I d1I d 2  I TAIL 
k' W 2
v id C
2 L

Rezolvând pentru Id2 în (B) și ridicând la pătrat ambele părți ale ecuației
care rezultă, rezultă o ecuație de gradul doi în Id1 cu rezultatele:
 Etaj diferențial - MOS

I TAIL k ' W 4I TAIL

I d1   Vid  Vid2 ( D)
2 4 L k ' ( W / L)

• Deoarece Id1 > ITAIL /2 când Vid >0 soluția posibilă cu semnul - nu
poate exista în practică și deci:
I TAIL k ' W 4I TAIL
I d1   Vid  Vid2 (E)
2 4 L k ' ( W / L)

Substituind (E) in (B) avem:

I TAIL k ' W 4I TAIL
Id 2   Vid  Vid2 (F)
2 4 L k ' ( W / L)
Deoarece am presupus că tranzistorele sunt în regiunea activă, limitarea
apare din faptul când un tranzistor se blochează. Când M1 este off, Id1 =0 și
Id2 = ITAIL.
 Etaj diferențial - MOS
• În plus, Id1 = ITAIL și Id2.=0 dacă M2 este off.
Substituind aceste constrângeri în (A):
I d1  I d 2
Vid  A 
k' W
2 L
Rezultă că ambele tranzistoare funcționează în regiunea
activă dacă: 2  ITAIL
Vid 
k' ( W / L)
• Deoarece Idl = Id2 = ITAIL/2 (când Vid = 0), putem scrie:

2  I d1
Vid  2  2 Vov  (G ) Vov  VGS  Vt
k ' ( W / L) Vid 0
Vid  0

Ecuația (G) arată că intervalul pentru Vid în care ambele tranzistoare sunt în
regiunea activă este proportional cu overdrive-ul calculat când Vid = 0.
 Etaj diferențial - MOS
2  I d1
Vid  2  2 Vov  (G )
k ' ( W / L) Vid 0
Vid  0

• Ecuația (G) arată că intervalul pentru Vid

în care ambele tranzistoare sunt în
regiunea activă este proportional cu
overdrive-ul calculat când Vid = 0.
• Acest rezultat se observă în graficul din
figură.
• Overdrive-ul este forate important în
proiectarea circuitelor integrate MOS,
deoarece afectează nu numai domeniul
tensiunilor de intrare pentru perechea cu
cuplaj în sursă, ci și alte caracteristici
cum sunt viteza, offset-ul și excursia de
tensiune la ieșire pentru amplificatoarele
MOS.
 Etaj diferențial - MOS
• Deoarece overdrive-ul unui
tranzistor MOS depinde de curent
și de raportul W/L, domeniul
tensiunilor de intrare pt varianta
MOS poate fi modificat prin
schimbarea valorii curentului ITAIL
sau/și a factorului de aspect W/L a
tranzistoarelor de la intrare.

• Se poate spune că perechea cu

cuplaj în surse se comportă
asemănător cu perechea cu
cuplare în emitoare cu
degenerare.
 Efectul nesimetriei în amplificatoarele
diferenţiale
• Erorile care apar : decalaj iniţial de tensiune (“offset” de tensiune),
deriva decalajului de tensiune (“drift” al tensiunii de “offset”),
decalaj a curenţilor de la intrare, deriva decalajului de curent de
la intrare, amplificator diferenţial nesimetric.

• Apare la ieşire o tensiune de cc diferenţială datorită valorilor diferite

pentru parametrii componentelor precum şi derivelor acestor
parametri cu temperatura.

• Deoarece componentele (tranzistoare, rezistoare) nu pot fi (din

punct de vedere tehnologic) realizate identic prin fabricaţie, în
performanţele de cc apar erori cum sunt tensiunea de “offset” şi
“offset”-ul de current.
 Decalaj iniţial de tensiune
la etajul diferenţial
• Cauzele acestor erori: lăţimea bazelor
tranzistoarelor nu este aceeaşi, nivelul de
dopare al bazei şi al colectorului tranzistoarelor
VBE1
nu sunt identice, ariile emitorilor tranzistoarelor VBE2
V
nu sunt identice, rezistenţele de sarcină din I1 VI2

colectorii tranzistoarelor nu sunt identice.

În cazul tensiunilor continue, vom nota:
Vi1  VI1 ; Vi 2  VI 2 ; VID  VI1  VI 2 ; Vo1  VO1 ; Vo 2  VO 2
pentru fiecare tranzistor utilizăm ecuaţia Ebers - Moll:
V 
IC  Is exp BE 
Unde Is depinde de aria emitorului prin formula:  VT 
V I I
qn i2 D n qn i2 D n  BE  ln C  VBE  VT  ln C
I s1  A1  A1
N A WB1 VCB  Q B1 VCB 
VT Is Is

ni = concentraţia purtătorilor de sarcină pentru semiconductorul intrinsec; Dn = constanta de

difuzie a electronilor în baza tranzistorului; Q = doparea totală a bazei cu impurităţi.
Decalaj iniţial de tensiune
la etajul diferenţial

L2K aplicată în bucla de la intrare:

VBE1
VBE2

Vi1 Vi2 VBE2 VBE1 0

VI1 VI2

VID  VBE1  VBE2

IC1 IC2 IC1 Is2
VID  VT ln  VT ln  VT ln
Is1 Is2 IC2 Is1
Această relaţie este legătura între nesimetriile din circuit (curenţi de
colector diferiţi, arii emitoare diferite etc.) şi tensiunea de la intrare care le
corespunde. Deci, faptul că există o nesimetrie și/sau o diferențe în
geometria/structura tranzistoarelor, este echivalent cu faptul că un circuit perfect
simetric ar avea la intrare o tensiune diferențială continuă.
 Decalaj iniţial de tensiune IC1RC1 IC2RC2

la etajul diferenţial

• Presupunem că avem şi tranzistoare cu

geometrii diferite şi rezistenţe de colector
diferite (circuit nesimetric). Pentru ca VOD
să fie zero, trebuie să avem IC1RC1 = IC2RC2.
hceea ce este echivalent cu:
IC1 R C 2

IC 2 R C1
• Dar, referitor la tensiunea de intrare putem scrie:
IC1 Is2
VID  VT ln
IC2 Is1
Înlocuim relaţia dintre curenţi de colector şi rezistenţe precum şi dependenţa
curentului de saturaţie de aria emitorului şi de sarcina electrică din bază
(doparea cu impurităţi).
 Decalaj iniţial de tensiune IC1RC1 IC2RC2

la etajul diferenţial
IC1 Is2
VID  VT ln
IC2 Is1
 R C2  A 2  QB1 VCB  
 VOS  VT ln   
 R C1  A 1  QB 2 VCB  
os= offset
Această relaţie reprezintă legătura dintre tensiunea de la intrare şi
nesimetriile din circuit (Rc, Is).
Valori tipice de VOS= 1,5 mV. În cazul tehnologiilor de implantare
ionică şi cu un lazout corect, se poate ajunge la valori de doar Vos = 0,1 mV.

• Tensiunea de offset VOS este egală cu valoarea tensiunii

diferenţiale VID = VI1 - VI2 care trebuie aplicată la intrare
pentru a obţine 0V ca şi tensiune diferenţială VOD = VO1 -
VO2 la ieşire.
Vod pentru valori egale ale rezistenţelor din colectori

Cât este tensiunea

diferențială de la ieșire ?
Vod pentru valori diferite de rezistenţe în colectori

Cât este tensiunea

diferențială de la ieșire ?
 Tensiune de decalaj iniţială

Tensiunea de offset VOS este egală cu valoarea

tensiunii ce trebuie aplicată la o intrare pentru a obţine
tensiune diferenţială la ieşire VOD = VO1 - VO2 egală cu
zero.
 Tensiunea de offset şi
deriva sa termică (drift)
• Etajul diferenţial este primul etaj de
amplificare dintr-un amplificator
operaţional de uz general.La unele
circuite integrate sunt disponibili pini de
acces spre acest etaj diferenţial pentru
a egala curenţii din cele două ramuri şi
pentru a compensa dinn extetior
tensiunea de decalaj iniţială.
• Se realizează cu ajutorul unui
potenţiometru extern circuitului integrat.
• Şi acest paramentru are o variaţie cu
temperatura numită drift. De ex. Un
offset de tensiune de 2 mV va avea un
drift de 6.6µV/C în anumite condiţii.
 Curent de decalaj iniţial la
amplificatoarele diferenţiale

• Curent de decalaj iniţial, IOS se măsoară ca şi diferenţă între

curenţii de bază a celor două tranzistoare de la intrare. Decalajul de
curent revine la a detecta tot o diferenţă de tensiuni la ieşire. Va fi
compensat dacă se obţine zero volţi la ieşire.

• Diferenţa curenţilor de bază: la care neglijăm termenii produs:

IC I
I I IC  IC  C
IOS  C1  C2
 2  2  IC  IC  F 
F1 F 2 IOS
F F  IC
F F 
F  F 
2 2
Pentru a obţine VOD = 0:
I C R C I  R C  F 
I C1R C1  I C 2 R C 2   I OS   C   
IC RC F  R C F 
• În majoritatea aplicaţiilor decalajul (offsetul) de curent şi
chiar şi curentul de intrare vor trebui minimizaţi.
 Acm, CMRR, Acm-dm, Adm-cm...
• Chiar dacă avem o simetrie perfectă: Acm  0 (ITAIL nu este ideală !).
• Un parametru important este raportul Adm/Acm (reprezintă o măsură a
eficienței) pentru amplificatorul diferențial, și este denumit common-mode-
rejection ratio, CMRR.
A dm
CMRR 
A cm
Relațiile determinate ne arată că IAdml > IAcml.
 gmR 
 A dm  g m R si A cm   
 1  2g m R TAIL 
Deci amplificatorul diferențial amplifică mult mai mult tensiunea
diferențială de la intrare decât cea de mod comun.
• Deoarece amplificatoarele nu sunt simetrice în practică:
Adm-cm  0 and Acm-dm  0
• Rapoartele Adm/Acm-dm and Adm/Adm-cm sunt alți doi parametri care
caracterizează performanțele unui amplificator diferențial.
Etaje de amplificare diferenţiale nesimetrice
• Cele două amplificări, Acm-dm și Adm-cm nu vor fi egale cu zero, în
cazul etajelor de amplificare diferenţiale nesimetrice. Pentru
calcul nu se mai poate utiliza metoda jumătăţii de circuit.
• Pentru a înţelege cum se pot reduce aceste amplificări încrucişate,
se dau formulele pentru calculul acestor amplificări, Acm-dm, Adm-cm.
v od
A dm   gmR
gm R v id

v ic 0
lim A dmcm
R TAIL  4 v oc gmR
A cm  
v ic v id 0
1  2gmR TAIL
RTAIL trebuie privită ca un
parametru important
deoarece permite A cmdm 
v od

gm R  gmR
v ic 1  2gmR TAIL
reducerea efectului v id 0

nesimetriei.
v oc 1 gmR 
A dmcm    m
g R  
v id v ic 0
4 1  2gmR TAIL 
 Sarcina activă – argumente

• Deseori este nevoie de amplificare mare:

- amplificatorul cu reacție (negativă) va
avea câștigul insensibil la variația
parametrilor;
- pentru fiecare etaj este importantă
maximizarea câștigului.
• Pentru obținerea unui câștig mare A dm  gmR C
produsul IcRc trebuie să fie mare.
• Va fi nevoie de o valoare mare a sursei
de alimentare și de valori mari pentru I  RC IC  R C
A dm   
rezistența Rc !! I / gm VT
 Oglinzi de curent ca si sarcini active
Pentru a rezolva aceasta cerinta si pentru a obtine o amplificare
mare fara folosirea unor rezistente de valori mari, se utilizeaza
rezistenta de iesire a unui transistor ca si sarcina.
Deoarece componenta utilizata ca si sarcina este un transistor in
loc sa fie o rezistenta, se spune ca sarcina este activa (si nu
pasiva ca si o rezistenta).
 Amplificator in conexiune
EC cu sarcina activa
• La o analiza de semnal mic, deoarece
IREF se presupune a fi constant,
tensiunea UBE a tranzistorului T2 care
este sarcina activa este constanta.
• Deci v2 este zero. Rezulta gm2v2 =0.
• Pentru a afla rezistenta de iesire Ro a
amplificatorului, impunem vi = 0 si deci
rezulta gm1v1 = 0.
R o  ro1 ro 2

 UA 
si ro  
 I C 
 Common-Emitter
Amplifier with
Complementary Load
• Valoarea lui Ro este invers
proportionala cu valoarea curentului
de polarizare a tranzistorului din
amplificator.
• Pentru calculul amplificarii de tensiune,
deoarece v2 = 0, gm1vl va fi singurul
current care exista la iesire in rezistenta
de iesire Ro = ro1 || ro2 :

A v  gm ro1 ro 2 

IC  VA1 VA 2  1
Av    
VT  I I  VT VT
 C C  
VA1 VA 2
Oglinzile de curent ca și sarcină activă