CIA

Circuite Integrate
Analogice
prof. Isar Dorina
dorina.isar@upt.ro
Cabinet vizavi de A215

Curs 2
 A. Etaje cu unul sau mai multe
tranzistoare
• A2. Conexiunea cascodă

• Conexiunea EC - BC prezintă o rezistență foarte mare de ieșire în

comparație cu cea a unui singur tranzistor în conexiune EC. Se utilizează
atât schema cu tranzistoare bipolare cât și cea cu tranzistoare MOS.

• In tehnologie BiCMOS se întâlnesc scheme care în locul tranzistorului M2

folosesc un tranzistor bipolar, T2.
Conexiunea cascodă
• Pentru a determina rezistența de
ieșire se desenează circuitul
echivalent de semnal mic.

• Rezistența de ieșire poate fi

calculată dacă scurtcircuităm
intrarea la masă și aplicăm un
semnal de test la ieșire.

ut
Ro 
it
Conexiunea cascodă
• Trebuie să determinăm tensiunea de la
ieșire (cădere de tensiune pe r02 și – spre
masă - ube2):
u t  u be 2  i 2  r02 (1)
• Trebuie să găsim relații
- între ube2 și it și
- între i2 și it .

• Deoarece ui =0 vom avea și ube1 = 0

iar generatorul de curent gm1 * ube1
va fi inactiv. it
• Tensiunea ube2 va fi de fapt
căderea de tensiune pe cele două
rezistoare în paralel, rb’e2 și r01:

u be 2  i t rbe 2 r01  (2)

Conexiunea cascodă
• Am aflat tensiunea ube2 funcție de it .
• Conform L1K aplicată în colectorul lui T2,
curentul i2 prin r02 este, :

i 2  i t  g m 2 u be 2 (3)
• Înlocuim expresia lui ube2 în (3):

 i 1  g r r01 
( 3),( 2 )
i2 t m2 be 2 (4) i2

• Și obținem și relația între i2 și it .

Conexiunea cascodă

• Avem relațiile:
u t  u be 2  i 2  r02 (1)
u be 2  i t rbe 2 r01  (2)

i 2  i t 1  g m 2 rbe 2 r01  (4)

 u t  i t rbe 2 r01  r02  r02 g m 2  rbe 2 r01 

Ro 
ut  R o  rbe 2 r01  r02  r02 g m 2  rbe 2 r01  
 r02 1  g m 2  rbe 2 r01 
it
Conexiunea cascodă

• Relatia finala pentru rezistenta de iesire

este:
 
 
  rbe 2 ro1  
 Ro  ro 2 1  g m 2  rbe 2 ro1   ro 2 1  g m 2    
g m 2 ro1
 
   ro 2 1 
 rbe 2  ro1  g m 2 ro1 
  1  
 0 
 g m 2 ro1 0  g m 2 ro1   0  g m 2 ro1 0 
 Ro  ro 2 1    ro 2 1   
  0  g m 2 ro1   g m 2 ro1 
 0 1
 ro 2 1   0    0 ro 2
• Iar rezistenta de iesire pentru amplificatorul cu
tranzistor in conexiune emitor comun este : R o _ CE  ro
 Amplificatorul cascodă
Un amplificator cu tranzistor în
conexiune EC are ca sarcină un
etaj cu tranzistor în conexiune BC
(care are o rezistență de intrare f.
mică) va avea un factor mic de
amplificare în tensiune. Deci
această valoarea mică va reduce
efectul Miller.
Amplificatorul are rezistență mare de intrare și factor de
amplificare în curent datorat conexiunii EC. Conexiunea BC nu
îmbunătățește amplificarea de curent ci doar cea de tensiune
Amplificatorul cascodă este utilizat atât pentru impedanța mare
de intrare cât și pentru valoarea medie a amplificării de tensiune
dar mai ales pentru buna funcționare la frecvențe mari (bandă
mare de frecvență) și impedanță de ieșire mare.
CINE GHICEȘTE ?
 B. Surse de curent
1. Oglinda de curent
• 1. Oglinda de curent
• Elementul de bază pentru surse de curent = conectarea
tranzistorului bipolar ca o diodă.

• Prezintă două terminale dar funcţionarea este de tranzistor.

• Valoarea curentul său de colector este determinată de
relaţia Ebers-Moll:


 N I EB0  U T
u BE
 I  u CB
  I
u BE u BE

IC  e  1  CB 0  e U T  1  N EB0 e U T  I e U T
1   N  I   1   NI   1   NI s
  
u BE

I C  Is e UT
 B. Surse de curent
1. Oglinda de curent
• Cum putem impune o anumită valoare pentru curentul prin
diodă ?
• Ideea este simpla: folosim un resistor pentru limitarea (fixarea)
curentului.

 1 E  UBE
I Rc  I C  I B  I E  I Rc    1I B  1  I C IRc 
  Rc
• Tranzistorul este în zona activă, UBE = 0,7V, IRc este constant:
I Rc  const. , pt.   1  I C  I Rc si I C  const.
 B. Surse de curent
1. Oglinda de curent

• Adăugăm încă un tranzistor care să fie controlat de aceeaşi

valoare a tensiunii UBE.
• Curentul la ieşirea celui de-al doilea tranzistor va avea
(aproximativ) aceeaşi valoare cu cel prin diodă:

I C  I Rc = OGLINDA DE CURENT
 B. Surse de curent
1. Oglinda de curent

• Considerăm tranzistoarele identice

(Is1 = Is2 = Is): U BE 1  U BE 2
Ie IC2
 U T ln  U T ln
Is Is
 Ie  IC2
• Se poate determina relatia intre curentul de iesire al oglinzii
de current si Iref. Scriem L1K in C lui T2:
I ref  I C 2  I B 2  I B1
• Dacă se neglijează curenţii de bază:
 I ref  I C 2  I B2  I B1  I C 2  I e
 I e  I ref  oglinda de curent
 B. Surse de curent
1. Oglinda de curent
u BE
• Dar
IC  Is e UT

qn i2 D n qn i2 D n
Is  A1  A1 ;
N A WB1 VCB  Q B1 VCB 

• În expresia curentului de saturatie IC0

semnificaţia termenilor este următoarea:
ni = numărul de purtători de sarcină în semiconductorul
intrinsec; Dn = const. de difuzie a electronilor în bază;
Q = nr. total de impurităţi de dopare în bază pe unitatea
de arie; A = ARIA EMITORULUI
 B. Surse de curent
Sursa de curent ”simplă”
• 2. Sursa de curent ”simplă”
• Dacă ariile joncţiunilor emitoare (A1 şi
A2) nu sunt egale, rezultă Is1  Is2:
Ie I ref
U T ln  U T ln
I s1 Is2
Ie I s1 A e1
  
I ref Is2 A e2
• Concluzie: curenţii de intrare şi de ieşire nu vor fi egali.
• Se poate realiza un raport Ie / Iref până la valoarea 5 deoarece
în continuare aria tranzistorului T1 devine exagerată. Pe
scheme raportul se marchează prin cifre în apropierea
emitorului.
 B. Surse de curent
Sursa de curent ”simplă”

• ÎN REALITATE, chiar dacă ariile emitoare

sunt egale, curenţii de referinta si de
iesire nu vor fi egali deoarece:

• α. pentru tranzistoarele identice, curenţii

de bază nu sunt neglijabili (β finit), în
special la curenţi de colector mici, sau la
tranzistoare pnp-lateral;
– L1K în colectorul lui T2: I C1 I C 2
– rezultă: I ref  I C 2   0
F F
I ref
I e  I C1  I C 2 
2
1
F
 B. Surse de curent
Sursa de curent ”simplă”
• În plus dacă avem şi arii emitoare diferite şi ţinem cont şi de β
finit:
U =U => U ln = U ln

I C1 I C 2
I I ref  I C 2   0
I C1  s1 I C 2 F F
Is 2
 
 
I 
  s1 I ref  
Is1 1
 I e  I C1 
 1  1  Is1 / Is 2  
IC2
Is 2  Is 2
 F 
 
• Deoarece curentul de saturatie al tranzistorului bipolar este
proporţional cu aria emitorului său, primul termen indică faptul că
amplificarea de curent poate fi supra- sau subunitară, deoarece
ariile emitoare se pot afla într-un anumit raport.
• Raport mai mare decât 5 înseamnă consum prea mare de
suprafaţă de siliciu.
 B. Surse de curent
Sursa de curent ”simplă”
• Curenţii nu vor fi egali deoarece există
tensiunea Early:
– β. UCE2= UBE2  0,6V <UCE1 şi se ia
în considerare efectul Early.
– Prin urmare curenţii de colector pentru
T1 şi T2 nu vor fi egali şi rezultă
IC2 <IC1 ).
– Şi factorii lor  vor fi diferiţi: 2  1.
– În aceste condiţii raportul celor doi
curenţi se scrie astfel:
Ie 1IB 1
   1,1...1,2
Iref  2IB  2IB  2  2
 B. Surse de curent
Sursa de curent ”simplă”
• Atunci când se ia în considerare
efectul Early, pentru fiecare
tranzistor are loc relaţia:
 u BE  u CE 
I C  I s  exp 1  
 U T  U A 
• Rezistenţa de ieşire este
definită cu relaţia:
u CE U  u CE1  1 
R 0  r01   ctg  A   
i C I C1  tg (  ) 
UA
R0 
I C1
• Unde UA este tensiunea Early şi are
valori între 15V şi 100 V.
Oglindă de curent cu Q1 şi Q2 funcţionând cu acelaşi Uce;
Se observă efectul tensiunii Early în valoarea curenţilor de
colector ?
Oglindă de curent cu Q1 şi Q2 funcţionând cu valori Uce2 > Uce1 ;
Se observă efectul tensiunii Early în valoarea curenţilor de
colector ?
Determinarea rezistenţei de ieşire din graficul simulat.
 B. Surse de curent
Sursa de curent cu rezistențe în emitoare

• 3. Sursa de curent cu rezistențe

în emitoare (sursă de curent
“standard”)
– are schema identică cu cea
folosită în montaje cu
componente discrete;
– se utilizează pentru curenţi
obişnuiţi ( n 10 A) (când
este nevoie de un raport mai
mare decât 5 între curentul de
ieşire al sursei şi un curent de
referinţă);
 B. Surse de curent
Sursa de curent cu rezistențe în emitoare
• Toate tranzistoarele trebuie să
funcționeze în regiunea activă.
• Tranzistorul T1 nu trebuie să ajungă
la saturație, deci:
UCE1min  UBE1

• Motivul folosirii tranzistorului drept

diodă este: compensarea termică
pentru efectele lui UBE dar şi existența
lui β, ceea ce o diodă simplă – o
joncţiune pn – nu asigură.
• T2 = compensare termică a lui Ie.
 B. Surse de curent
Sursa de curent cu rezistențe în emitoare

• Se presupune că tranzistoarele
sunt identice și au β suficient
de mare astfel încât să se poată
neglija curenții de bază.
• Alegem Iref astfel încât să nu
rezulte o RB foarte mare.
• Se dimensionează RB şi R2:
E  U BE 2
RB  R2 
I ref
RB
cu R 2 
10
 B. Surse de curent
Sursa de curent cu rezistențe în emitoare
• Pentru stabilirea expresiei curentului de
ieşire şi a raportului Ie / Iref utilizăm
ecuația Ebers-Moll simplificată:
u BE

IC  Is e UT

IC
 u BE  U T ln
Is
• unde: Ic este curentul de colector al
tranzistorului; IS este curentul de
saturatie; UT este tensiunea termică
(= 25,85 mV la temperatura T = 300 K).
• IS este proporţional cu aria
emitorului.
 B. Surse de curent
Sursa de curent cu rezistențe în emitoare
• Pentru fiecare tranzistor avem:
u BE1 u BE 2

Ie  Is e UT
si I ref  I s e UT

Ie I ref
u BE1  U T ln si u BE 2  U T ln
Is Is
• În bucla care include cele două
joncțiuni BE scriem L2K:
UBE 2  UBE1  IeR1  Iref R 2

• Înlocuim relațiile pentru tensiunile UBE:

I ref Ie
U T ln  U T ln  I e R 1  I ref R 2
Is Is
 Surse de curent
Sursa de curent cu rezistențe în emitoare
: I ref R 1 
I ref
 U T ln  I e R 1  I ref R 2
Ie
Ie UT Iref R 2 R 2
  ln  
Iref Iref R1 Ie R1 R1
• deoarece Iref R1 >>UT și Ie > Iref
• Raportul celor doi curenţi se poate
face mare (5) prin utilizarea unor
rezistenţe potrivite şi nu prin
creşterea exagerată a dimensiunilor
unuia dintre tranzistoare.
• Rezistența de ieșire este mai mare
datorită rezistenței R1.