DISPOZITIVE si

CIRCUITE
ELECTRONICE
Notiţe de curs
Cursul nr. 2
Ş.l. dr. ing. Bogdan MARINCA
bogdan.marinca@upt.ro

1
 Cuprinsul cursului 2:

• Noţiuni de fizica semiconductorului

• Joncţiunea pn
• Polarizarea joncţiunii pn
• Dioda semiconductoare în regim staţionar
• Dioda semiconductoare în regim dinamic
• Tipuri de diode

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 2

  Câteva definiţii:
1. Conductibilitatea electrică a materialelor
semiconductoare reprezintă proprietatea corpurilor
realizate din aceste materiale de a fi străbătute de
curent electric sub acţiunea unei tensiuni electrice
continue aplicate din exterior.
2. Conductivitatea () este mărimea fizică ce
caracterizează conductibilitatea electrică.
3. Rezistivitatea () este egală cu inversul conductivităţii.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 3

 4. Curentul electric într-un corp semiconductor apare
datorită deplasării ordonate a sarcinilor electrice sub
influenţa câmpului electric (conducţia electronică).
5. Semiconductorul este un material sub formă de solid
a cărui conductivitate se poate controla prin
adăugarea de impurităţi. Rezistivitatea
semiconductoarelor este cuprinsă între cea a
metalelor (foarte mică) şi cea a izolatoarelor (foarte
mare).

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 4

  Reţeaua cristalină a siliciului
Aranjamentul atomilor de siliciu şi legăturile
covalente pentru fiecare pereche de atomi:

Aranjamentul spaţial Aranjamentul plan

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 5

 Siliciu intrinsec (pur)
Si este slab conductor.

Si
Si
Banda energetica
Si pentru Si:
atom liber = 0.05 eV
crystal = 0.7 eV
Si

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 6

 • Dacă se transferă energie cristalului
semiconductor, atunci:
– unii electroni de valenţă primesc o energie
suficient de mare pentru a putea părăsi legăturile
covalente, devenind electroni liberi, numiţi
electroni de conducţie. Electronul care a părăsit
legătura covalentă lasă în urma sa un loc gol;
– sub influenţa unui câmp electric, un electron de
valenţă din apropiere poate părăsi legătura sa şi
poate satisface legătura covalentă ruptă prin
plecarea electronului liber.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 7

 Noţiunile de ELECTRON şi GOL
• Electronul de conducţie se va numi simplu electron
şi va constitui sarcina electrică negativă din
semiconductoare care susţine curentul electric
(qp=-1,6x10-19C).

• Mişcarea electronului de valenţă se echivalează cu

mişcarea în sens opus a locului gol şi astfel,
printr-o convenţie, golul se consideră o sarcină
electrică pozitivă, egală în valoare absolută cu
sarcina electronului (qp=+1,6x10-19C).

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 8

 Energy

Si Conduction
Banda band
de conductie
Electrons
Electroni
Si
Si Valence
Banda band
de valenta
Si Goluri
Holes

Si

 La temperatura camerei energia termica determina un proces de

creare de perechi electron – gol care ulterior se recombina.

 Conductivitatea intr-un semiconductor variaza direct cu temperatura.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 9

 Semiconductorul extrinsec
• Se obține prin doparea sau impurificarea
siliciului, principalele metode fiind difuzia şi
implantarea de ioni.
• Tipuri de semiconductoare extrinseci
– Semiconductorul de tip n se obține prin impurificare
cu atomi pentavalenți: azot (N), fosfor (P), arsen
(As), stibiu (Sb). (impuritati donoare)
– Semiconductorul de tip p se obține prin impurificare
cu atomi trivalenți: bor (B), aluminiu (Al), galiu (Ga),
indiu (In). (impuritati acceptoare)

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 10

 Semiconductorul de tip n
 atomul de impuritate (donor), prin plecarea
celui de al 5-lea electron, se transformă în
ion pozitiv
 electronii de conducţie (datoraţi atomilor de
impuritate) sunt în număr mare şi se
numesc purtători de sarcină majoritari
 golurile formate prin generarea de perechi
electron-gol sunt în număr mic şi se
numesc purtători de sarcină minoritari

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 11

 Energy
Electron liber
Si
Conduction
Banda band
de conductie
Si Electroni
Purtatori majoritari

Si Valence
Banda band
de valenta
Goluri
(purtatori minoritari )
Si

Conductivitatea materialului de tip n creste

datorita cresterii numarului de electroni liberi.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 12

 Semiconductorul de tip p
 atomul de impuritate (acceptor), prin venirea unui
electron care satisface legătura covalentă
incompletă, se transformă în ion negativ
 golurile (datorate atomilor de impuritate) sunt în
număr mare şi se numesc purtători de sarcină
majoritari
 electronii formaţi prin generarea de perechi
electron-gol sunt în număr mic şi se numesc
purtători de sarcină minoritari

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 13

 Energy
Legatura covalenta
Si incompleta - gol
Conduction
Banda band
de conductie
Si Electroni
(purtatori minoritari)
Al
Si Valence
Banda band
de valenta
Goluri
(purtatori majoritari)
Si

Conductivitatea materialului de tip p creste cu

cresterea numarului de goluri din banda de valenta.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 14

  Joncţiunea pn este un monocristal semiconductor în
care, prin procedee tehnologice speciale (difuzie,
implantare ionică), o regiune este dopată cu
impurităţi acceptoare, alcătuind zona de tip p, iar
cealaltă regiune este dopată cu impurităţi donoare,
formând zona de tip n.

Zona neutră “p” Zona neutră “n”

W = lățimea regiunii de sarcină spațială

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 15

 Jonctiune
Junction

n p n p
Energy

Energy
Banda de conductie
Conduction band
Banda de conductie
Conduction band

Banda de Valenta
Valence band
Valence
Banda band
de Valenta

(a) (b)

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 16

 n p n p

Depletion layer
Energy

Energy

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 17

 n p
+4 +4

+4 +4

Câmp
+4 +4
Electric
+4 +4
Joncţiune

Total (+) = 21 Total (+) = 19

Total (-) = 20 Total (-) = 20
Net charge = +1 Net charge = -1

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 18

  Regiunea saracita in purtatori (Depletion layer) este aria din jurul
jonctiunii din care lipsesc purtatorii de sarcina liberi.
 Barriera de potential este diferenta de potential pe o jonctiune
pn. (Barriera potential este tipic de ordinul millivoltilor.)

Latimea stratului saracit versus Rezistenta Jonctiunii

Latimea stratului Rezistenta Currentul prin

saracit Jonctiunii jonctiune

Minimum Minimum Maximum

Maximum Maximum Minimum

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 19

  Se realizează aplicând:
plusul sursei de c.c. la zona de tip p
minusul sursei la zona de tip n

+ _
ANOD CATOD

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 20

 Efecte:
 Scade lăţimea regiunii de sarcină spaţială;
 Bariera de potenţial scade, sistemul iese din echilibru
termic şi are loc difuzia de purtători de sarcină:
◦ Golurile trec prin difuzie din zona p în zona n unde devin
purtători de sarcină minoritari în exces;
◦ Electronii trec prin difuzie din zona n în zona p unde devin
purtători de sarcină minoritari în exces.
 Deplasarea de sarcini este echivalentă cu existenţa unui
curent prin joncţiune;
 Curentul din joncţiune este susținut de purtătorii de
sarcină minoritari în exces.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 21

 n p n p

V V
SW1 SW1

(a) Jonctiunea pn nepolarizata (b) Deplasarea purtatorilor la

inchiderea comutatorului SW1
n p
n p

Rn Rp
V
SW1
Rb

(c) Conductia creste pe masura ce (d) Resistenta regiunilor

stratul izolator se ingusteaza

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 22

 n p n p

V V
SW1 SW1

(b) Formarea stratului izolator in

(a) O jonctiune polarizata direct
lipsa conductiei

n p

V
SW1

(c) La polarizare inversa latimea stratului izolator creste -

purtatorii de sarcina se indeparteaza de jonctiune

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 23

 Dioda semiconductoare în regim staţionar
Dioda semiconductoare

 Este un dispozitiv electronic constituit dintr-o joncţiune pn

prevăzută cu contacte metalice la regiunile p şi n şi introdusă
într-o capsulă din sticlă, metal, ceramică sau plastic.

 Regiunea p a joncţiunii constituie anodul diodei, iar

joncţiunea n, catodul.

 Dioda semiconductoare se caracterizează prin conductivitate

unidirecţională.

+ _
ANOD CATOD

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 24

 Dioda semiconductoare în regim staţionar
Regimul staţionar al diodei este caracterizat printr-o tensiune exterioară
VAC şi un curent de conducţie IA constante în timp (staţionare).

Ecuaţia joncţiunii pn ideale (ecuaţia diodei):

  V AC 


I A = I r exp - 1
  VT 


Ir = curentul rezidual – curentul datorat purtătorilor minoritari de sarcină;

-3
VT = tensiunea termica = KT/q = 26·10 V;
K = constanta lui Boltzman;
q = sarcina electronului;
T = temperatura joncţiunii în grade Kelvin

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 25

 Dioda semiconductoare în regim staţionar
T2>T1

IA
T2 T1

IAP P

Vstr
VD VACP
T1 T2
Ir VAC

Vstr=tensiunea inversă de străpungere

VD=tensiunea de deschidere

 cu linie rosie, caracteristica volt- amperică la temperatura T1;

 cu linie albastră, caracteristica volt-amperică la temperatura T2>T1;

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 26

 Dioda semiconductoare în regim staţionar
Regimul termic al diodei semiconductoare

 intervine în ecuaţia joncţiunii pn ideale prin curentul rezidual Ir şi prin

tensiunea de difuziune termică VT
 este defavorabil funcţionării diodei semiconductoare
 este evidenţiat prin două efecte:
─ efectul temperaturilor înalte caracterizat prin dublarea curentului
rezidual la fiecare creştere a temperaturii joncţiunii cu 10ºC, ceea ce conduce
la micşorarea tensiunii inverse de străpungere,
─ efectul temperaturilor joase este caracterizat prin translatarea
caracteristicii volt-amperice directe cu -21mV la germaniu şi -1,8mV la
siliciu la fiecare creştere a temperaturii joncţiunii cu 10ºC, ceea ce conduce la
creşterea substanţială a curentului direct şi la menţinerea constantă a
tensiunii directe VAC.

Observatie: Acest ultim efect este cel mai periculos, deoarece, prin
creşterea curentului direct creşte puterea disipată pe diodă şi încălzirea
acesteia se accentuează.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 27

 Dioda semiconductoare în regim staţionar
Caracteristica statica a diodei semiconductoare
IA
R IAP

A P2 (E/R,0)
+
E
- IAP PSF DSS
C ∆VACP E = IA ·R + VAC
P1 (0,E)
VACP VAC
Circuitul de alimentare Ecuatia DSS Caracteristica volt-amperică

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 28

 Dioda semiconductoare în regim dinamic
Dacă peste polarizarea directă a unei diode, caracterizată prin P(VACP, IAP),
se suprapune o tensiune variabilă în timp şi de amplitudine mică
v = 2V sint   0 
se realizează regimul dinamic al diodei semiconductoare.
IA
ia T

∆IAP
IAP
P
t
∆VACP
t

VACP

vac
T
Dioda semiconductoare
în regim dinamic

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 29

 Dioda semiconductoare în regim dinamic
Schema echivalentă la joasă frecvenţă

V
~ Cj rd

Cj = capacitatea joncţiunii V AC 1 VT
rd = rezistenţa dinamică la rd = = =
I A I A / V Ac I r exp V AC / VT 
semnal mic a joncţiunii pn

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 30

 Dioda semiconductoare în regim dinamic
Schema echivalentă la inaltă frecvenţă

ωLt
A

Cj rd Cc =capacitatea capsulei
Cc Lt =inductanţa terminalelor
Rs=rezistenţa serie a celor două regiuni
Rs neutre p şi n .
C

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 31

 Model Aplicatii
Ideal Depanarea circuitelor
Practic Analiza Mathematica a circuitelor
Alegerea diodelor potrivite pentru o
aplicatie data
Complet Dezvoltarea/ proiectarea circuitelor
Analize speciale de circuit
Explicarea diferentelor dintre valorile
masurate si cele estimate

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 32

 R1
IF I 1 k

Regiunea
directa VS
D1
5V

II I
VR VF
III IV
R1
I 1 k
Regiunea
inversa
VS
D1
5V
IR

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 33

 Polarizare directa Polarizare inversa

Polaritate (+) (-) (-) (+)

IF

Stare comutator
echivalent ON OFF
Rezistenta
Zero Infinita
dispozitivului
Curentul prin Curentul A-K, curent Zero
dispozitiv determinat de
rezistenta externa si
de tensiunea sursei
Tensiunea A-K Zero Egala cu tensiunea
Anod - Katod aplicata in circuit

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 34

 IF IF

VR VF VR VF
VF= 0 V VF= 0.7 V

4.3 V IR IR
R1 VD1 = 0.7V
I 1 k
VR1 = VS - VD1 = 5V - 0.7V = 4.3V
VR1 4.3V
I= = = 4.3mA
VS R1 1kΩ
D1
5V Marimea Ideal Practic
VF 0V 0.7 V
VR1 5V 4.3 V
I 5 mA 4.3 mA
duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 35
 VR1 = VS - VD1 = 6V - 0.7V
= 5.3V
V
VR1 5.3V
R1 I= = = 530μA
I 10 k R1 10kΩ
Eroarea procentuala

VS X -X'
6V
D1 % of error = 100
X
unde X = valoarea masurata
X’ = valoarea calculata

4.3V - 5V
% of error = 100 = 16.28%
4.3V
duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 36
 R1 VS - VD1
I 1.2 k I=
R1  R2
D1 5V - 0.7V
VS R2 =
5V 2.2 k 1.2kΩ  2.2kΩ
= 1.26mA

R1 VS - VD1 - VD 2
I 5.1 k I=
R1
D1
4V - 0.7V - 0.7V
VS
D2 =
4V 5.1kΩ
= 509.8μA

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 37

 R1
I 1.5 k
Iideal = ?
D1
R2
1.8 k Ipractic = ?
VS
10 V
% of error
D2

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 38

 R1
I 1.5 k VS 10V
I ideal = = = 3.03mA
R1  R2 1.5kΩ  1.8kΩ
D1
R2 VS - VD1 - VD 2 10V - 0.7V - 0.7V
I prac = =
VS
1.8 k R1  R2 1.5kΩ  1.8kΩ
10 V = 2.61mA
D2 2.61mA - 3.03mA
% of error = 100 = 16.1%
2.61mA

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 39

1. Dioda redresoare
2. Dioda de comutaţie
3. Dioda Schottky
4. Dioda varicap
5. Dioda Zener
6. Fotodioda
7. Diode LED
8. Dioda laser
9. Dioda PIN

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 40

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 41
 Punţi redresoare: aranjament de 4 (6) diode care
asigură aceeaşi polaritate a tensiunii de ieşire,
indiferent de polaritatea tensiunii de intrare.
 Pot fi:
◦ monofazate

◦ trifazate

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 42

  Exemple de punţi monofazate

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 43

 Regimul termic al diodei redresoare
 În regimul de conducţie directă al diodei redresoare apare un
consum de putere în joncţiune care determină încălzirea acesteia.

Pd = IA · VAC

 Pentru exploatarea diodei la parametrii maximi este necesar ca

această căldură sa fie evacuată în mediul înconjurător astfel ca,
temperatura joncţiunii să nu atingă limita de funcţionare sigură a
diodei redresoare.

 Uşurinţa disipării căldurii din joncţiune în mediul ambiant este

denumită ”rezistenţă termică”

T j - Ta Tj = temperatura joncţiunii;
RT = [0C/W] Ta = temperatura mediului
Pd ambiant.
duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 44
 Schema termică echivalentă a diodei redresoare
RTjc = rezistenţa termică Temperatura
jonctiune → capsulă exprimă capsulei
uşurinţa de a transmite RTcr = rezistenţa termică
căldura de la jocţiune la capsulă → radiator exprimă
capsulă uşurinţa de a transmite
θj RTjc θc căldura de la capsulă la
radiator

Temperatura RTcr
jonctiunii
Pd RTca
Temperatura RTra
mediului
ambiant

θa θa RTra = rezistenţa termică

radiator → mediul ambiant
RTca = ezistenţa termică
exprimă uşurinţa de
capsula → mediul ambiant
transmitere a căldurii de la
exprimă uşurinţa de
transmitere a căldurii de la radiator la mediul ambiant
capsula la mediul ambiant

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 45

  Sunt diode destinate utilizării în circuite
funcţionând în comutaţie sau la frecvenţe ridicate.
 Parametrii principali sunt timpii de comutaţie.

Diodă TH – 1N4148 (tr=4ns) Diodă SMD – LS34 (tr=1,2ns) Diodă SMD – 1N4148W

◦ THD = Through Hole Device

◦ SMD = Surface Mounted Device

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 46

  Sunt diode realizate într-o tehnologie specială, de tip metal-
semiconductor
 Avantajele acestor diode sunt:
◦ tensiune mică în conducţie, aproximativ 0,3 V;
◦ timpi de comutaţie foarte mici.
 Dezavantajul principal:
◦ tensiune inversă maximă mică (zeci de volţi).

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 47

  Denumirea diodei vine de la expresia „capacitate variabilă”.
 Dioda este utilizată în polarizare inversă;
 În această situaţie, dioda se comportă ca un condensator cu
capacitate variabilă, dependentă de tensiunea la borne.
 Domeniul principal de utilizare este în radiocomunicaţii, mai
precis la acordul circuitelor oscilante din emiţătoare şi
receptoare.

Diodă dublă
2.6-31pF 25pF @ 3V 6.5pF @ 10V 2…16pF
2x(2…37pF)

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 48

  Schema unui circuit LC paralel în care capacitatea C
este dată de dioda varicap D1, polarizată invers de
sursa V1:

V
R2

100k
R1 C1
1
V2
V1 100k 100n 1Vac
L1 0Vdc
4Vdc D1 1mH
1N5147A
2

39pF@4V
0 C@4V/C@60V=3,2

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 49

  Este o diodă construită pentru a fi utilizată
în zona de străpungere inversă.
 Simbolul şi caracteristica I-V

Simbolul diodei Zener Caracteristica I-V

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 50

 IzK – curentul minim pentru care se
IA
realizează funcţia de stabilizare
IzM – curentul maxim admis pentru
Vi
asigurarea funcţiei de stabilizare,
VAC
IzT , VzT – marimi nominale pentru
I ZR
IzK
tensiune si curent
Iz1
Pdmax – Puterea disipata maxima

P
∆IZ
IzT Valorile mărimilor IzK , IzM , IzT , VzT
şi Pdmax sunt date de producător în
foile de catalog.
∆VZ
Rezistenţa dinamică rz:
V z
IzM rz =
Pd max
I z
Coeficientul termic αvz:
1 VzT
 vz = 100
VzT 

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 51

  Proprietatea de a menţine constantă tensiunea pe o plajă mare de
curenţi face ca dioda să fie utilizată îndeosebi în circuitele
stabilizatoare de tensiune.

1W, TH 200mW, SMD Diode de putere (3W, 10W, 20W)

V
R1

Schema unui V1 100

stabilizator parametric 10Vdc D1 R2
D1N750 1k

0 0 0
duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 52
  Se foloseşte la detecţia luminii. Simbol
 Prin iluminarea joncţiunii pn se
generează perechi electron-gol.
 Se pot folosi, de asemenea, la generarea
de electricitate (celule solare sau
fotovoltaice).

Fotodiodă pentru UV şi
Fotodiodă rapidă Fotodiodă 800nm Fotodiodă SMD
raze X

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 53

  LED = Light Emitting Diode

 În urma injecţiei de curent prin joncţiune, electronii

din regiunea n traversează joncţiunea şi se
recombină cu golurile din regiunea p.

 În urma acestui proces de recombinare, energia

dobândită de la câmpul exterior este eliberată sub
formă de cuante luminoase (fotoni).

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 54

 Elemente Tensiunea directa (VF) Culoarea Emisa
GaAs 1.5 V @ IF = 20 mA Infrared (invisible)
AlGaAs 1.8 V @ IF = 20 mA Red

GaP 2.4 V @ IF = 20 mA Green

AlGaInP 2.0 V @ IF = 20 mA Amber (yellow)

AlGaInN 3.6 V @ IF = 20 mA Blue

ANOD CATOD

Simbolul LED-ului LED tipic

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 55

 I RS I RS
Un LED 5V
necesita un LED
Driving Current
rezistor de LED sinking
circuit
limitare. circuit

 LED-uri de putere

LED-uri de 3W, putere luminoasă 36-55 lm (lumen) la un curent direct de 700mA

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 56

  Laser = Light amplification by stimulated emission of
radiation
 diferă de LED deoarece produce lumină coerentă (adică toate
undele generate sunt în fază).
 Se foloseşte la drive-uri de CD şi DVD, pointere pentru
prezentări
 Au un timp de viaţă limitat.

Diodă laser 650nm, 10mW

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 57

  Numele provine de la modul de realizare: zonă de tip P
despărţită de zona de tip N printr-un semiconductor Intrinsec
(nedopat).
 Semiconductorul intrinsec are rolul să mărească lăţimea regiunii
de sarcină spaţială (a regiunii de golire), ceea ce poate fi util în
aplicaţiile de comutaţie ca şi la fotodiode.

duminică, 1 octombrie 2017 DCE Cursul nr. 2 58