2.

DIODE ELECTROLUMINISCENTE
(LEDuri)

2.1. Electroluminiscenţa joncţiunii p-n

Electroluminiscenţa în solide este un fenomen cunoscut de mulţi ani şi
studiat în profunzime. Probabil că aplicaţia cea mai largă a electroluminiscenţei
este ecranul TV. Cunoscută sub numele de luminiscenţă catodică, această
formă de electroluminiscenţă este cauzată de impactul electronilor puternic
acceleraţi cu luminoforul depus pe faţa interioară a tubului catodic. În prezent
tubul catodic cedează locul ecranului cu cristale lichide aproape în toate
aplicaţiile (TV, monitoare de calculator, radare etc.)
Între numeroasele tipuri de elctroluminiscenţă cunoscute, unul a deschis
un domeniu complet nou al tehnologiei: electroluminiscenţa de injecţie a
joncţiunii p-n. Emisia de lumină a unei joncţiuni p-n a fost observată pentru
prima oară de Lossew în 1923. Mai târziu (circa 1962) s-a constatat că se pot
obţine niveluri relativ mari de energie luminoasă din joncţiuni p-n de arseniură
de galiu (GaAs). Din 1962, un program internaţional de proporţii a fost orientat
spre producerea unui dispozitiv electroluminiscent emiţător de lumină. De pe
atunci ideea era deosebit de atractivă având în vedere avantajele aşteptate de la
dispozitivul ce urma să se nască:
- curenţi şi tensiuni mici de alimentare;
- precizia de determinare a ariei luminoase specifică proceselor litografice
implicate.
- viteza mare de comutaţie cu care trebuia să poată fi comandat
dispozitivul.
Dispozitivul care s-a născut astfel a fost dioda electroluminiscentă,
denumită pe scurt LED care este acronimul denumirii din limba engleză: “Light
Emitting Diode”.

2.1.1. Modelul în benzi energetice a joncţiunii p-n

În materialele semiconductoare, ca de altfel în toate solidele cristaline,
electronii pot ocupa doar anumite nivele energetice. Banda de conducţie (BC) şi
banda de valenţă (BV) sunt denumiri date benzilor cu nivelele energetice cele
mai mari care pot fi ocupate de electroni în materialele semiconductoare pure.
Nivelul inferior al benzii de conducţie şi nivelul superior al benzii de valenţă
sunt separate de un interval energetic (EG) denumit bandă interzisă. În

31
materialele semiconductoare pure, acest interval energetic nu poate fi ocupat de
electroni.
Este posibil, însă, să se introducă impurităţi în semiconductor,
generându-se astfel nivele energetice în interiorul benzii interzise. Impurităţile
care cedează electroni în banda de conducţie sunt denumite donori şi
semiconductorul rezultat este de tip n (datorită sarcinii negative a purtătorilor
electrici majoritari care sunt electronii). Impurităţile care acceptă electroni din
banda de valenţă generând acolo goluri sunt denumite acceptori şi
semiconductorul rezultat este de tip p (datorită sarcinii pozitive a purtătorilor
electrici majoritari care sunt golurile). Benzile energetice şi nivelele energetice
donoare şi acceptoare dintr-un semiconductor sunt ilustrate în figura 2.1:

Fig. 2.1. Reprezentare schematică: a. semiconductor de tip n; b. semiconductor de tip p;

c. joncţiune p-n.

O joncţiune p-n se poate forma într-un material semiconductor prin

doparea unei regiuni cu atomi donori şi a regiunii adiacente cu atomi acceptori
(fig.2.1.c). În această situaţie, electronii şi golurile se vor deplasa traversând
joncţiunea în sensuri contrare, până când se va ajunge la o stare de echilibru.
Aceasta va duce la apariţia unei bariere de potenţial, EB, de-a lungul joncţiunii.
În figurile 2.1.a şi 2.1.b sunt ilustrate stările energetice din semiconductor
înainte de atingerea acestei stări de echilibru, iar în figura 2.1.c. după atingerea
acestei stări. Această barieră de potenţial va face dificilă traversarea în
continuare a joncţiunii de către purtătorii de sarcină.
Dacă însă se polarizează direct joncţiunea (potenţial mai mare, pozitiv,
aplicat regiunii p şi mai mic, negativ, aplicat regiunii n), procesul acesta de
traversare a barierei de potenţial este întreţinut. Fluxul de purtători (în ambele
sensuri – de aceea materialul se numeşte bipolar) se menţine pe toată durata

32
polarizării joncţiunii. Recombinările electronilor şi a golurilor (fig. 2.2) care au
loc în mod continuu generează energie sub formă de fononi. Fononii sunt
cuante de energie emise de recombinările din siliciu (Si), energia rezultată fiind
insuficientă pentru eliberarea de fotoni. La siliciu, energia eliberată în procesele
de recombinare se transferă reţelei cristaline sub formă de vibraţii, adică se
transformă în căldură.

Fig. 2.2. Deplasarea şi recombinarea purtătorilor de sarcină într-o joncţiune p-n polarizată direct.

În arseniura de galiu (GaAs), ca şi în restul materialelor fotoemisive,

energia eliberată la recombinarea electron-gol (aproximativ EG) este suficientă
eliberării de fotoni şi, potrivit modelului descris, procesul este întreţinut atât
timp cât polarizarea directă este menţinută. De aici durata de viaţă
considerabilă a diodelor electroluminiscente.

2.1.2. Materiale fotoemisive cu emisie directă şi

indirectă

Materialele cum sunt GaAs şi compoundul (aliajul) de GaAsP se

caracterizează prin recombinări radiative, realizate prin tranziţii directe. Când
un electron din banda de conducţie ocupă un gol din banda de valenţă, este
emis un foton, o cuantă de energie şi “distanţa” (diferenţa energetică) parcursă
de electronul dezexcitat spontan este aproximativ egală cu lărgimea benzii
interzise ∆E1 = EG (fig. 2.4.a).
Cum lărgimea benzii interzise este alta pentru fiecare material, este
natural ca să se schimbe frecvenţa (lungimea de undă) a fotonului emis, adică
culoarea radiaţiei emise pentru fiecare material. Culoarea corespunde frecvenţei
dominante din spectrul radiat.

33
 Materialele, ca de exemplu GaP, se caracterizează prin tranziţii indirecte
ale electronilor din banda de valenţă în banda de conducţie, adică procesul
recombinării este fragmentat în doi timpi (fig. 2.4.b). Pe seama impurităţilor
dopante se creează în modelul energetic un nivel intermediar (de captare) situat
între banda de conducţie şi banda de valenţă, în zona interzisă. Fizic, îi
corespund centre de recombinare (“trapping-centers” – capcane) în materialul
p, numite centre izo-electronice. Ele funcţionează ca şi capcane de electroni şi
pun împreună electronii care se dezexcită spontan din banda de conducţie pe
nivelul intermediar cu golurile prezente în centrele de
captare (şi golurile sunt captate în capcană, numai că
golurile sunt luate din banda de valenţă). Efectul este
formarea de excitoni – se formează o pereche de
purtători electron-gol care gravitează unul în jurul
celuilalt, la fel ca un electron în jurul unui nucleu
pozitiv (fig. 2.3.).

Fig. 2.3. Formarea de excitoni

pe nivelul de captare.

Materialele cu tranziţie indirectă permit un mai mare grad de libertate în

alegerea lui ∆E2, cu scopul de a genera aproape orice lungime de undă. Doar
tranziţia de pe nivelul intermediar în banda de valenţă este o tranziţie radiativă
şi are loc cu emisia unui foton (fig. 2.4.b).

Fig. 2.4. Procesul de recombinare al purtătorilor de sarcină la: a. materiale cu tranziţie directă;
b. materiale cu tranziţie indirectă .

34
 Notaţia compoundurilor ternare, de exemplu pentru GaAsP, se face
astfel:
GaAs1-xPx = (GaAs)1-x + (GaP)x ,
unde x reprezintă fracţia molară.
Principalele valori ale benzii interzise la materialele curent folosite în
electronica corpului solid sunt date în continuare:

Material Lăţimea benzii interzise Lungimea de undă

EG [eV] a radiaţiei emise
λ [nm]
CdS 2,4 516
GaP 2,2 560
GaAs60P40 1,9 650
CdSe 1,7 730
GaAs 1,4 900
Si 1,1 1140
Ge 0,7 1880
PbS 0,37 3350
PbTe 0,29 4275
PbSe 0,26 4770

Diodele electroluminiscente comercializate în prezent folosesc GaAs,

GaP, compoundul ternar GaAs60P40 şi compoundurile cu aluminiu.
În tabelul următor sunt date principalele caracteristici ale materialelor
electroluminiscente folosite în fabricarea LEDurilor:

Banda Banda Centrul Tipul

Materialul interzisă radiată λ 0[nm] Culoarea tranziţiei
EG [eV] ∆λ [nm]
GaAs 1,4 900 IR Directă
GaAsP 1,9 640 … 700 650 roşu Directă
610 galben
GaP 2,2 630 … 790 690 roşu Indirectă
520 … 570 560 verde
GaAlAs >2 650 … 700 670 roşu Indirectă
AlGaAs >2 838 … 844 840 IR Indirectă

35
 În cazul materialelor care nu s-au dovedit utile în optoelectronică,
lungimile de undă cad în afara spectrului vizibil (400 - 700nm) şi chiar al celui
optic:

Materialul Banda interzisă Lungimea de undă Tipul tranziţiei

EG [eV] λ [nm]
Ge 0,66 1880 Indirectă
Si 1,09 1140 Indirectă
InSb 0,18 6900 Directă
SiC 2,2 … 3 413 … 563 Indirectă

2.1.3. Calculul lungimii de undă radiate de un material

fotoemisiv
Relaţia dintre lungimea de undă şi frecvenţa radiaţiei este:
1
λ = c ⋅T = c ⋅ . (2.1)
ν
Relaţia dintre lungimea de undă şi intervalul energetic ∆E ce
caracterizează tranziţia este:
c
∆E = h ⋅ν = h ⋅ . (2.2)
λ
De aici rezultă lungimea de undă λ:
h⋅c
λ= , (2.3)
∆E
unde: c este viteza luminii în vid iar h este constanta lui Plank.
Folosind unităţile de măsură standard
m
h[ J ⋅ s ] ⋅ c  
s
λ[ m] = (2.4)
∆E[ J ]
şi aplicând conversiile aferente:
λ[m] = 10 9 ⋅ λ[nm] (2.5)
−19
∆E[ J ] = 1.6 ⋅10 ⋅ ∆E[eV ] (2.6)
obţinem o formulă practică pentru a determina lungimea de undă a radiaţiei
emise, în nanometri, în funcţie de intervalul energetic ∆E :
λ [nm] =
1240
(2.7)
∆E[eV ]

36
2.2. Elemente constructive caracteristice ale
LEDurilor
Cele câteva elemente tehnologice date în continuare reprezintă
proprietăţi specifice LEDurilor, independente de producător sau anul
fabricaţiei. Majoritatea LEDurilor însă, se fabrică, în prezent, în arii sau fac
parte din afişaje integrate împreună cu optica şi driverele lor.
LEDurile se asamblează industrial pe structuri metalice care reunesc
terminalele (fig. 2.5). Aceste structuri sunt denumite în limba engleză "dam-
bars" – stăvilare şi sunt realizate din aliaj de cupru acoperit cu argint.

Fig. 2.5. Bandă cu terminale folosită în procesul de fabricaţie.

După ataşarea chip-urilor semiconductoare, turnarea capsulei (lentilei) şi

rigidizarea ei incipientă, electrozii propriu-zişi ai LEDurilor se scot din banda
de terminale în doi timpi:
- se taie legăturile dintre electrozi (scurtcircuitele); acum se verifică aprinderea
tuturor exemplarelor şi se resping cele care nu generează cantitatea minimă de
flux prevăzută în foaia de catalog;
- după extragerea capsulei transparente din forma în care s-a mulat lentila, se dă
picioruşelor aspectul standard (fig. 2.6).

Fig. 2.6. Capsula de LED T 1¾ (5.62 mm).

În capsulă, catodului i se alocă o arie mai mare decât anodul. Din acest
motiv, pe terminalul catodic poate fi amplasat chip-ul semiconductor (fig. 2.7).

37
Ca şi la o diodă obişnuită, zona dopată p a chip-ului semiconductor se leagă la
anod, iar zona dopată n la catod. Pentru materiale transparente (GaAsP), chip-ul
este aşezat într-o oglindă conică. Aceasta recuperează fluxul scăpat lateral şi îl
dirijează în faţă.

Fig. 2.7. Vedere internă LEDului.

Joncţiunile de GaAs pentru generarea radiaţiilor roşii sau infraroşii, ca şi

unele compuonduri GaAs + GaAsP, care generează radiaţii roşii sau verzi, sunt
opace. Scăpări laterale de radiaţie, sau în spatele substratului semiconductor, nu
există, aşa că nu se mai prevede reflector în capsulă. Nici la capsula miniatură
T1 (diametru 3,2 mm) nu se pune oglindă.
Ca şi la becurile miniatură pe care LEDurile le-au înlocuit, şi ca şi la
jack-urile audio, capsulele de LEDuri sunt desemnate prin diametru, exprimat
în optimi de inch: T1, T1¾ ş.a.
În sfârşit, la capsula miniatură, oglinda este rectangulară şi se obţine prin
îndoirea tablei pe care e prins chip-ul ("die-attach", fig. 2.8). Capsula miniatură
poate fi montată ca dispozitiv SMD (surface mounted device) prin cositorire pe
faţa de Cu, dar şi clasic, prin îndoirea picioruşelor, în placa de circuit imprimat.

Fig. 2.8. Vedere internă a unui LED miniatură.

38
Alte tipuri de LEDuri

1. LEDul ermetic (fig. 2.9) se utilizează în mediile agresiv corozive, cu

umezeală multă şi în aplicaţiile militare.

Fig. 2.9. LEDul ermetic.

2. LEDul cu rezistor încorporat (fig. 2.10) se leagă direct în circuit. La driverele

cu ieşiri generatoare de curent, această facilitate în plus nu mai e necesară.

220
1

Capsula
2

Fig. 2.10 LED cu rezistor încorporat.

3. LEDul bicolor este de fapt o grupare de două LEDuri de culori diferite legate
în antiparalel (fig. 2.11):

1
K A
LED2
V LED1

A
2 K

Fig. 2.11. Structura unui LED bicolor.

Conexiunea în antiparalel nu numai că rezolvă problema tensiunii

inverse pe fiecare LED, dar face ca la aplicarea unei tensiuni dreptunghiulare
bipolare v între terminalele 1 şi 2, cele două LEDuri să lumineze în

39
contratimp. Variind factorul de umplere a tensiunii v, la o frecvenţă f > 100 Hz,
se poate obţine o întreagă gamă de nuanţe cuprinse între cele două culori de
bază (de exemplu cu LED1 roşu şi LED2 galben rezultă aproape toate nuanţele
de portocaliu).

4. Schema bloc a unui LED cu prag de comutaţie este prezentată în figura 2.12.
Comparatorul are histerezis, aşa că bascularea LEDului se face brusc, oricât de
lentă ar fi variaţia VAK.

Tensiune
de prag Comp. Ampl.

Fig. 2.12. LED cu prag.

5. Afişajele cu LEDuri sunt grupări de mai multe LEDuri folosite în afişajul de

informaţii, atât sub formă alfanumerică cât şi grafică. Partea vizibilă constă
exclusiv din aria de LEDuri (fig. 2.13). Afişajele pentru caractere alfanumerice
pot fi realizate fie cu segmente (LEDuri înguste – 7, 9 sau 16 segmente /
caracter) sau cu matrice de LEDuri (4x7, 5x7 etc.). Pe lângă afişajul propriu-
zis, ele mai pot include circuite integrate specializate care asigură comanda lor.

Fig. 2.13. Afişaje cu LEDuri.

40
2.3. Caracteristici electro-optice ale LEDului
2.3.1. Simboluri grafice
Principalele simboluri grafice folosite în reprezentarea LEDurilor sunt
date în figura 2.14:

Fig. 2.14. Simboluri grafice ale LEDurilor: a. standardul românesc (STAS);

b. în circuite integrate; c. simbol tolerat; d. ORCAD

2.3.2. Caracteristica curent-tensiune

Chipul semiconductor al LEDului fiind tot o joncţiune p-n, caracteristica
curent-tensiune este asemănătoare cu cea a unei diode de Si sau Ge (fig. 2.15).
Pentru diverse LEDuri diferă căderea de tensiune directă vF (F- forward). La
materiale diferite corespund lăţimi diferite ale benzii interzise, deci diferite
tensiuni vF.

Fig. 2.15. Caracteristica curent-tensiune a mai multor tipuri de LEDuri.

41
 Pe grafic, pentru comparaţie, au fost figurate şi caracteristicile curent-
tensiune ale diodelor de Ge şi Si, însă aşa cum am mai precizat, ele nu au
proprietăţi electroluminiscente şi nu pot fi folosite ca LEDuri. S-au notat cu
VF tensiunea directă (VAK) de la bornele LEDului, iar cu IF curentul direct prin
LED.
Valori nominale uzuale ale curentului IF sunt de 0,1 mA … 5 mA la
tipurile mai noi de LEDuri şi de 5 mA … 20 mA la LEDurile mai vechi. Aceste
valori sunt date în foaia de catalog a LEDului. La proiectarea driverelor pentru
LEDuri este necesar să se asigure un curent IF (maxim la comanda în c.c. sau
mediu la comanda în impulsuri) care să se încadreze în domeniul valorilor
admisibile.

2.3.3. Caracteristica spectrală a radiaţiei emise

LEDurile emit radiaţie luminoasă într-un spectru de lungimi de undă în
jurul unei valori centrale (fig. 2.16). Lăţimea benzii spectrale a LEDurilor este
de ordinul zecilor de nm (tipic 5% din lungimea de undă centrală, λ0), ceea ce
este un dezavantaj în unele aplicaţii, de exemplu în comunicaţiile optice. Spre
deosebire de LEDuri, diodele laser au o caracteristică spectrală mult mai
îngustă, de la unul la câţiva nm.

Fig. 2.16. Caracteristica spectrală a radiaţiei emise de LED.

Banda la 3dB reprezintă lăţimea spectrală la o scădere a fluxului luminos

la jumătate din valoarea maximă:

Φ max / 2
10 log = −10 log 2 ≅ −10 ⋅ 0,3 = −3dB (2.8)
Φ max
B3dB = λ 2 − λ1 ≈ 5% ⋅ λ 0 ≈ zeci de nm. (2.9)

42
2.3.4. Caracteristica de directivitate
Caracteristica de directivitate a LEDului este graficul dependenţei
strălucirii B în funcţie de unghiul θ faţă de axul optic al LEDului (figura 2.17):

Fig. 2.17. Secţiune plană (xOz) a caracteristicii de directivitate a unui LED.

Caracteristica de directivitate văzută în spaţiu (trei dimensiuni) este

suprafaţa obţinută prin rotirea caracteristicii din planul xOz în jurul axului optic
z al LEDului.
Strălucirea B a LEDului este o mărime ce caracterizează intensitatea
radiaţiei emise de LED şi se defineşte, în mod asemănător intensităţii
luminoase a unei surse punctiforme, ca fiind fluxul luminos emis de LED în
unitatea de unghi solid:
Φ W 
B=   (2.10)
Ω  sr 

Se folosesc două reprezentări pentru a descrie caracteristica de

directivitate: în coordonate polare (fig. 2.18 – cadranul II) şi coordonate
carteziene (fig. 2.18 – cadranul I). Strălucirea B a LEDului se converteşte în
valori relative astfel:
- se determină unghiul θ căruia îi corespunde strălucirea maximă Bmax;
- pentru celelalte valori ale unghiului θ se calculează valoarea relativă:

B(θ )
B rel (θ ) = . (2.11)
B max

Unghiul de radiaţie al LEDului se defineşte ca fiind unghiul la care

strălucirea scade la jumătate din valoarea maximă (scade cu 3dB). Pe graficul
caracteristicii de directivitate (fig. 2.18) unghiul de radiaţie corespunde unei

43
valori relative Brel = 0,5. Valorile tipice ale unghiului de radiaţie θ1/2 sunt
cuprinse între 3 o şi 30o.

Fig. 2.18. Caracteristica de directivitate a unui LED roşu cu capsulă T 1¾.

Folosirea unei capsule care este lentilă de imersiune, în care este montat
chipul semiconductor, măreşte strălucirea LEDului. În funcţie de distanţa X
dintre chipul semiconductor şi suprafaţa lentilei, se obţin diferite forme ale
caracteristicii de directivitate (fig. 2.19). Curba a corespunde cazului în care
LEDul este fără lentilă, obţinându-se caracteristica radiatorului Lambertian.
Radiatorul Lambertian este o sursă de radiaţie cu o caracteristică de
directivitate sferică, descrisă de ecuaţia:

B(θ ) = B0 ⋅ cos θ (2.12)

unde B0 este strălucirea de-a lungul axului optic.

Fig. 2.19. Influenţa poziţiei chipului semiconductor asupra caracteristicii de directivitate a LEDului.

44
 O comparaţie calitativă a celor trei tipuri de caracteristici se poate face
consultând tabelul următor, în care s-au notat cu D diametrul lentilei şi cu n
indicele ei de refracţie.

Curba Distanţa X Strălucirea (axială) Fluxul luminos Tipul caracteristicii

a 0 B0 π .B0 Lambertiană
(LED fără capsulă)
b D/2=r n 2 . B0 π .n2 .B0 Lambertiană
c >D/2 > n 2 . B0 < π .n2 .B0 Non-Lambertiană

Forma caracteristicii de directivitate mai este influenţată de forma

capsulei (fig. 2.20) precum şi de materialul din care este ea făcută (fig. 2.21).

Fig. 2.20. Influenţa formei capsulei / lentilei asupra caracteristicii de directivitate a LEDului.

Fig. 2.21 Influenţa materialului capsulei / lentilei asupra caracteristicii de directivitate a LEDului.
În ambele cazuri s-a folosit aceeaşi capsulă sferică şi acelaşi chip semiconductor.

45
 Capsula LEDului este fabricată din răşină epoxidică. Capsula sferică
(fig. 2.21.a) permite obţinerea unei caracteristici de directivitate alungite de-a
lungul axului optic, utilă în aplicaţii care necesită o sursă de lumină
concentrată. Prin introducerea unui material difuzant (particule de colorant cu
diametrul mai mic de 10µm care difuzează razele de lumină emise de chipul
electroluminiscent) se obţin LEDuri cu unghiuri de radiaţie mari (mai mari de
30o) care sunt folosite în aplicaţiile de semnalizare luminoasă, afişajele cu
LEDuri etc.(fig. 2.21.b).

2.3.5. Dependenţa strălucirii B a LEDului în funcţie de

curentul direct IF
Caracteristica B(IF) este liniară până la o anumită valoare a curentului
direct IF, după care apare o saturare a ei (fig. 2.22). Valoarea la care apare
saturarea depinde de tipul LEDului, în unele cataloage fiind date valori de până
la 5 . IF nom.

Fig. 2.22. Graficul strălucirii B a LEDului în funcţie de curentul direct IF.

Comanda LEDului la curenţi mai mari decât valoarea nominală IF nom se

poate face numai în impulsuri, astfel încât IF mediu ≤ IF nom , pentru a nu deteriora
LEDul (fig. 2.23).
Valoarea curentului mediu IFmed în cazul comenzii în impulsuri se
calculează după formula:
T
I Fmed = ON I F max = δ ⋅ I F max (2.13)
T
unde δ este factorul de umplere al semnalului dreptunghiular de comandă.

46
 Fig. 2.23. Comanda LEDurilor în impulsuri.

Pentru a obţine strălucire maximă se foloseşte un curent maxim mare

(sute de mA … 3A) şi un factor de umplere mic δ = 1…5%. Pentru ca să nu
deranjeze ochiul dând senzaţia de pâlpâire, frecvenţă minimă a semnalului de
comandă este de 100 Hz.
De exemplu, pentru a obţine o strălucire 2.Bmax, LEDul trebuie comandat
cu un curent IF max = 2.IF nom (fig. 2.22). Pentru a menţine curentul mediu IF med
la valoarea curentului nominal IF nom va fi necesar un semnal de comandă cu
factorul de umplere δ = 0,5.
La comanda în impulsuri cu un curent mediu constant, există un factor
de umplere optim şi altul minim, sub care nu mai poate fi obţinută strălucirea
prescrisă. Se spune că LEDul este caracterizat de randamentul său, definit de
caracteristica Φ(δ) sau B(δ) la un curent mediu IF med constant.

2.3.6. Comportarea LEDurilor cu temperatura

La toate LEDurile cantitatea de flux radiat depinde de temperatură şi
este specificată în catalog; adică strălucirea LEDului variază cu temperatura
dacă IF este menţinut constant. Diminuţia standard a strălucirii cu temperatura,
la LEDuri este de -1%/°C. Strălucirea maximă a LEDurilor are loc la -50°C
(catalog).
Creşterea temperaturii are drept cauză principală puterea disipată în
joncţiune. Limita maximă pentru temperatura joncţiunii este de 125°C. Totuşi,
majoritatea răşinilor epoxidice folosite la capsule “glasifică” (trec din
transparente în stare amorfă) la 120°C. Glasificarea capsulei este o modificare
ireversibilă şi deranjantă (structura transparentă este ordonată; cea amorfă –
similară structurii sticlei – nu lasă să treacă radiaţia). Din această cauză este
justificat să se menţină Tj < 120°C şi să se sconteze pe o rezistenţă termică de

47
30-50°C/W. Temperatura normală de funcţionare a unui LED montat pe circuit
imprimat este de 20-50°C.
Compensarea variaţiilor de strălucire cu temperatura prin mijloace
electrice se poate realiza prin introducerea unui rezistor de balast în paralel cu
LEDul. Ideea va fi detaliată în capitolul următor, pentru un LED - circuitul din
figura 3.19, pentru grupuri de LEDuri - circuitul din figura 3.11.

2.3.7. Comportarea LEDurilor în timp

Timpul de viaţă pentru care sunt proiectate LEDurile depăşeşte 100000
de ore (11,4 ani). După 8000 de ore de funcţionare o scădere a fluxului radiat
cu 4%, la acelaşi curent nominal IF, redă clar fiabilitatea acestor dispozitive
(fig. 2.24). Durata de viaţă scade odată cu creşterea curent nominal IF.

Fig. 2.24. Dependenţa strălucirii B a LEDului în funcţie de durata de funcţionare.

2.4. Aplicaţii tipice pentru LEDuri

LEDurile au avut şi au în continuare un domeniu de aplicare foarte larg
de la aplicaţii de semnalizare şi sesizare luminoasă până la comunicaţiile
optice. Amintim în continuare câteva dintre ele:
- cititoare de cartele sau benzi magnetice;
- tahometre optice (pentru controlul vitezei motoarelor);
- linii de asamblare (numerotare, orientare discriminatoare de sens);
- cititoare/ scannere de coduri cu bare;
- sincronizare opto-mecanică (sincronizarea momentului de pornire);
- senzori de poziţionare a capetelor de imprimantă / plottere şi a hârtiei;
- izolare galvanică la circuitele de înaltă tensiune;
- detectoare de fum;
- densimetre (pentru analize chimice);

48
- detectoare de nivel în lichide (atât transparente cât şi opace);
- detectoare de proximitate (de muchie sau cu apertură şi sistem de
lentile confocale);
- transmisii optice de date la distanţă mică sau mare prin spaţiul liber sau
prin fibre optice;
- afişaje analogice prin coloane de lumină (“bar-graphs”) în aparatele de
măsură, indicatoare, VU-metre;
- iluminat (LEDuri cu strălucire de 25 … 30 lm ), semafoare;
- panouri de afişare de la cele de mici dimensiuni folosite în scop
publicitar la cele gigantice (ecrane de proiecţie) etc.

49