73

12 MATERIALE FOTONICE
12.1 Introducere
Lumina poate fi emis de un material solid n mod natural sau atunci cnd acesta este stimulat energetic.Acest fenomen poart numele de luminiscen. n funcie de modul n care solidul este excitat, exist trei feluri de luminiscen: Fotolumiscen, cnd sursa de energie produce fotoni pe care solidul i absoarbe sau altfel spus, lumina este emis de un solid care a fost iluminat. Electrolumiscen, n cazul n care energia este preluat electric de solid1 Catodolumiscen, caracterizat prin faptul c radiaia este produs dac solidul este bombardat cu un spot de electroni. n ultimile dou variante solidul emite lumin datorit injeciei de electroni i a recombinrilor. Dou efecte diferite au fost observate n materiale luminiscente: fluorescen i luminiscen. n fluorescen luminiscena nceteaz odat cu stimulul. Toi electronii excitai se recombin, iar emisia fotonic se produce n interiorul unui interval scurt de aproximativ 10-8s. Materialele fosforescente au nivele donoare introduse n banda interzis a materialului, prin impurificare. Electronii stimulai coboar n banda de conducie prin intermediul trapei astfel constituite. Cnd sursa de energie care stimuleaz radiaia este ndeprtat, electronii prini n trape continu coborrea radiativ. Intensitatea luminii emise scade exponenial n timp, existnd o constant de relaxare specific fiecrui material fosforescent. O particularitate comun a tuturor mecanismelor de luminescen este aceea c o radiaie cu lungimea de und este emis ca o consecin a tranziiei (recombinare electron gol) ntre dou nivele energetice E1 i E2 , (E1 > E2):
hf = hc

electronice

= E1 E 2

(1)

Cmp electric, curent injectat, (injecie de purttori) etc.

74 Dac nivelele energetice E1 i E2 repezint de fapt dou benzi de energie radiaia va avea o anumit lrgime spectral. Nu toate recombinrile produc radiaie, unele dintre ele fiind neradiative 2. Randamentul cuantic se definete ca raportul dintre numrul de fotoni emii (rata recombinrilor radiative Rrr) i numrul purttorilor injectai n semiconductor (rata recombinrilor radiative i neradiative, Rrr + Rnr). Cum aceste rate pot fi definite ca: Rrr = N / rr i Rnr = N / nr rezulta eficiena cuantic intern:

in =

Rrr = Rrr + Rnr

1 ; Rrr = Rspon tan + Rstimulat 1 + rr nr

(2)

unde rr i nr sunt timpii n care au loc N recombinri radiative respectiv neradiative. Caracteristica de emisie poate fi estimat n funcie de rata purttorilor injectai care este I/q, iar I este curentul direct prin LED . Dintre acetia o parte se combin (radiativ) cu eficiena cuantic int i atunci rata fotonilor generai este intI/q , de unde: Pin=int q I

(3)

unde Pin este puterea generat intern iar este energia unui foton (se consider c toi fotonii au aproximativ aceeai energie). Dac ext este fracia din numrul fotonilor, generai n exterior, atunci: Po=extPin=intext q I

(5)

ext este randamentul cuantic extern, ce poate fi calculat considernd absorbia i reflexia
la interfaa aer-semiconductor.3 Eficiena cuantic i parametrii radiaiei emise depind fundamental de materialul semiconductor4 i procesul de recombinare. Legile mecanicii cuantice impun conservarea

Cele din urm se datoresc n mod obinuit unor trape defecte de structur sau sunt recombinri de suprafa (Auger) 3 reflexia la interfaa aer semiconductor reprezint un motiv impotant pentru ca eficiena exern s fie redus.Eficiena extern poate fi mbuntit prin ncapsulare ntr-un material plastic cu indice de refracie ridicat 4 materialul poate fi cu band direct sau indirect

75 energiei i a impulsului5 n aceast tranziie n semiconductoarele cu structur de band direct dar i n cele cu band indirect. Pentru cele din urm este necesar emisia sau absorbia unui fonon (fononul se refer la un schimb energetic cu reeaua cristalin) avnd impuls de valoare mare i energie mic, figura 1; Conservarea energiei este similar n cele dou tipuri de materiale:
E ph = E g = hf

( m ) =

1,24 E g ( eV )

(6)

n materialele cu tranziie indirect modificarea momentului este de ordinul 6 ( h /a), n timp ce fotonul emis are un moment:
p ph = mc = E ph c = hf h = c

(7)

Fig.1 Tranziii radiative n materiale semiconductoare Prin urmare, pierderea de moment pentru electron/momentul fotonului emis este:
h / a ; h/ a

(8)

Pentru valori tipice = 10 6 m , raportul precedent este de ordinul 10-4;cu alte cuvinte, numai o mic poriune din momentul pierdut se transfer n moment al fotonului emis. Pentru a conserva totui, momentul este necesar ca o nou particul s fie implicat. Astfel apare o nou particul cuantic, fononul care preia (absoarbe) diferena de impuls.

5
6

n mecanica ondulatorie n locul impulsului este constanta de propagare a undei asociate electronului, k. h este constanta lui Plank iar a este latura celulei elementare a monocristalului

76 n consecin, recombinrile band-band radiative sunt mult mai probabile n materiale cu band direct.7 Este posibil ca recombinrile radiative s apar i altfel dect prin tranziii interband. Aceste recombinri pot apare datorit prezenei unor centrii de recombinare plasai (prin dopare) n banda interzis. Multe recombinri pot apare n materiale cu band indirect datorit acestor centri, iar o posibil succesiune de evenimente este prezentat n figura 2a. Dac centrul de recombinare este plasat sub nivelul Fermi, acesta va fi iniial ocupat de un electron.

Fig.2a,b Rolul centrilor de recombinare n tranziiile radiative Prima etap n procesul de recombinare este captura unui gol din BV, dup care un electron din banda de conducie coboar n centrul de captur, iar procesul se poate repeta. Un astfel de proces, impune ca golul prins n centrul de captur s aib un timp de via suficient de lung (pentru ca cele dou operaii de captur s se poat avea loc) Dac nu, procesul se desfsoar ca n figura 2b. n general, aceste trape sunt asociate defectelor de structur cristalin ale materialului8, cum ar fi dislocaii, vacane, impuriti. accidentale sau impuriti introduse deliberat pentru a mpiedica procesul de recombinare. De exemplu, un material solid cum ar fi KCl care are o band interzis de 9,4 eV absoarbe lumin cu energie de cca. 5 eV atunci cnd este dopat cu ioni de Ti4+ iar fotoluminiscena apare aproape de 4eV. Un alt exemplu este ZnS dopat cu ioni de Cu2+care absoarbe 3,68 eV i emite 2,4 i 2,8 eV- albastru i verde.
7

un astfel de proces de tranziie poate apare i n materiale cu band indirect, aceasta implicnd pe lng modificarea energiei i modificarea momentului cinetic, probabilitatea de apariie fiind mult inferioar 8 sau defecte de suprafa

77

12.2 Radiaia produs de o jonciune pn

12.2.1 Diode LED Diodele LED9 au la baz jonciuni pn de construcie special10, proiectate pentru a

obine o luminiscen optim. Ele sunt utilizate pe scar larg n afiaje alfanumerice , n comunicaii optice de distan scurt sau ca surs optic n configuraie surs - detector 11. Structurile pentru LED-uri sunt produse n dou configuraii de baz: cu emisie frontal SE i lateral ELED.

Fig.3 LED-uri cu emisie frontal i lateral; Diagrama de benzi energetice

9

light emitting diode realizate n mod obinuit prin epitaxie din faz lichid LPE sau gazoas 11 optocuplor
10

78 n varianta frontal, lumina este emis perpendicular pe planul jonciunii, iar n varianta lateral emisia are loc paralel cu planul jonciunii, figura 3. n aceast ultim variant, realizarea implic folosirea heterojonciunilor pentru a confina12 optic (ghid de und) i electric purttorii de sarcin. n general zona p este subire pentru a reduce absorbia radiaiei n zona neutr a dispozitivului.Golurile injectate din p n n pot conduce la apariia unei radiaii inutile. Aceasta poate fi redus, fcnd jonciune. Raportul dintre curentul de electroni i cel de goluri poate fi considerat proporional cu raportul conductivitilor celor dou zone:
J e n eN d e = J h p eN a h

predominant curentul de natur electronic prin

(9)

Inegalitatea J e >> J h conduce la e >> h . Aceast condiie este satisfcut de multe dintre materialele semiconductoare compuse. n plus, aceast inegalitate poate fi ntrit printr-un dopaj corespunztor care s ndeplineasc condiia N d >> N a , adic o diod n+p. 12.2.2 Materiale pentru realizarea diodelor LED Ecuaia ( ) poate fi folosit pentru a estima spectrul radiaiei emise de o jonciune semiconductoare. Se observ c, pentru a obine radiaii n spectrul vizibil, este necesar un material cu Eg de ordinul a ~ 2 eV. Din aceast estimare rezult c mai toate materialele semiconductoare elementare Fig.4 Diagrama energetic pentru GaAs utilizat n realizarea LED sunt inutilizabile n scopul realizrii unor diode LED cu emisie n vizibil13. Cel mai adesea sunt utilizate diodele realizate din materiale compuse AIII-BIV aa cum ar fi de exemplu GaAs, GaP, GaAs1-xPx.
12

in aceste dispozitive, o zon activa ngust cu banda interzis mai mic este aezat ntre doua zone de confinare cu band interzis mai mare. Radiaia este produs n aceast zon activ i ghidat de aceasta. 13 de exemplu diodele cu Si(material cu band indirect) ar putea emite n infrarou cu eficien foarte sczut.

79 n general cu aceste materiale se obine o eficien ridicat14.GaAs este utilizabil numai n infrarou (g= 860 nm)15 . Fiind un material cu band direct, recombinarea interband conduce la eficiene de emisie ridicate. Jonciunile se obin relativ uor prin difuzia Zn n GaAs de tip n.Un dezavantaj important este aborbia radiaiei pe lungimea de und caracteristic n zonele neutre ale jonciunii16. Acest impediment este atenuat prin dopare cu Si a GaAs. Si funcioneaz ca acceptor care ar corespunde lungimii de und de 950 nm (figura 4 ). Energia emis pe aceast lungime de und este inferioar energiei Eg , neputnd fi absorbit de GaAs.Astfel, eficiena diodei este substanial mbuntit. GaP este deasemenea un material foarte util pentru construcia LED-urilor. Materialul are Eg=2,26eV corepunzndu-i g= 550 nm (verde ). n funcie de dopare radiaia poate ajunge n rou. GaP este un material cu band indirect astfel nct tranzitia radiativ interband este puin favorizat. O dopare cu azot sau bismut este adesea favorabil tranziiilor radiative. GaAs1-xPx este un material uzual pentru construcia diodelor care emit lumin (LED). Motivul pentru care acesta este folosit adesea, este posibilitatea de a ajusta (prin variaia parametrului x) limea benzii interzise Eg de la valoarea 1,44eV (pentru x=o) pna la valoarea 2,26 eV (x=1). Asfel, radiaia emis acoper un spectru ncepnd de la infrarou pn la verde.Pentru Fig.5 Materiale pentru realizarea diodelor LED, lungimea de und a radiaiei emise
14

0<x<0,44, materialul se

caracterizeaz prin band direct, dioda avnd o eficien ridicat n domeniul

Folosirea materialelor compuse AII-BVI, chiar dac au band direct (i deci o posibil eficien ridicat de emisie) sunt impractice pentru realizarea LEDurilor datorit dificultilor tehnice legate de realizarea tehnologic a materialului sub form de monocristal, dopare, etc. 15 Eg=1,44 eV 16 pentru a trece electroni din banda de valen n banda de conducie

80 spectral corespunztor.17 Pentru x > 0,44 materialul corespunztor are band indirect, emisia fiind n galben verde n funcie de doparea cu azot. Materiale mai complexe cum ar fi cele ternare (GaAl)As, (InGa)As, sau cuaternare (InGa)(AsP) (InGa)(AsSb) sunt utilizate pentru sisteme optice de comunicaii permind acordul radiaiei emise de LED cu lungimea de und optimal pentru fibra optic. n figura 6 sunt prezentate principalele materiale folosite pentru realizarea diodelor LED. Cu linie punctat sunt prezentate compoziiile caracterizate prin band indirect. Diodele superluminiscente (LED-uri superradiante, DSL) snt un caz special al LED-urilor cu emisie lateral, fiind proiectate pentru a emite puteri optice importante. Curenii injectai au valori la limita la care apare emisia stimulat (ctig optic), cu evitarea efectului laser, fiind eliminate intenionat oglinzile (reacia optic).

12.3 Diode Laser. Emisia stimulat

Diodele Laser18 produc cu o nalt eficien (n urma unui proces de emisie stimulat) o radiaie coerent (temporal - de faz- i spaial) aproape monocromatic19. n raport cu LED-urile, puterea emis este mult mai mare 20, lrgimea spectral mult mai redus. n plus pentru comunicaiile optice eficiena de cuplaj cu fibra este mult mai ridicat. ntr-un semiconductor o pereche e-g se poate forma prin absorbia unui foton, astfel de la starea legat (de energie joas, E2) perechea trece la starea ionizat Fig.6 Tranziii radiative, emisie spontan i stimulat ca E1 E2 Eg. (10) (avnd energie mai mare, E1) cu condiia

17 18

De exemplu pentru x= 0,6 Ga As0,6P0,4 emite n rou fiind folosit ntr-o gam larg de aplicaii de afaj. Light amplification by stimulated emission of radiation 19 Fraciuni de nm, n comparaie cu zeci de nm. pentru unLED tipic 20 1-15dBm fa de 0,1- 0,5 dBm pentru LED

81 Procesul reciproc poate decurge n materiale cu structura de benzi energetice directe (majoritatea compuilor AIII-BV) printr-o tranziie invers ntmpltoare, elibernd spontan un foton (recombinare radiativ)21 . Dac tranziia invers se produce odat cu absorbia unui alt foton atunci poate avea loc o emisie stimulat, fotonul emis avnd aceeai lungime de und asociat, aceeai faz, aceeai stare de polarizare, i aceeai directivitate spaial cu fotonul incident. Aceast emisie indus sau stimulat este procesul invers al absorbiei, ctigul poate fi interpretat ca o absorbie negativ. O simpl jonciune pn realizat cu materiale AIII-BV emite un fascicul fotonic cu un grad redus de coeren i cu lrgime spectral important (35-100nm), parametrii inacceptabili pentru, de exemplu un sistem optic. Dou condiii trebuie ndeplinite pentru a obine emisia stimulat (efectul laser): A suficiente perechi e-g s fie n stare energetic superioar, lucru care se realizeaz prin inversia populaiei . n diodele Laser aceast condiie se realizeaz prin polarizarea direct a jonciunii pn, care este dopat degenerativ22. n figura 7 este prezentat o diagram energetic tipic pentru o homojonciune n care apare inversia de populaie. Cnd este aplicat o tensiune direct, nlimea barierei de potenial se reduce considerabil i un mare numr de purttori sunt injectai pentru a crea inversia de populaie. n semiconductorul degenerat se poate vorbi de quasinivele Fermi EFn i EFp. Tranziiile recombinative apar n regiunea activ i produc fotoni cu energii apropiate de Eg. Procesul este eficient numai n materiale cu band direct care sunt exclusiv utilizate pentru realizarea diodelor Laser. B suficieni fotoni excitatori ; pentru aceasta este necesar o cavitate perpendicular dou oglinzi rezonant pe (de

jonciune23 format din Fig.7. Diagrama energetic n cazul inversiei de populaie.

21 22

exemplu Fabry-Perot) n

n materialele semiconductoare cu structur indirect, recombinare este neradiativ. N~ 10 24 atomi /m3

82 care s se acumuleze energie ; n cazul semiconductoarelor, pereii cristalului utilizat pot constitui aceast cavitate. n plus, cavitatea are mai multe Fig.8 Structur de diod laser p+ n+ rezonane nguste care conduc la micorarea substanial a lrgimii spectrale a radiaiei emise de ansamblul jonciune-cavitate.Suprafaa absorbant este necesar pentru a preveni oscilaiile pe aceast direcie, transvers. O structur de diod laser p+n+ este prezentat n figura 8 . Cristalul este precis prelucrat pe feele laterale pentru a crea dou suprafee plane paralele semireflective. Acesta este un aspect esenial asigurnd funcionarea diodelor laser. Contactele ohmice permit polarizarea direct a jonciunii, iar radiatorul (care este poziionat sub zona n+) realizeaz o rezisten termic jonciune-mediu redus fcnd posibil disiparea cldurii (degajate n cantitate mare la nivelul jonciunii) n mediu. La tensiuni directe reduse, (curentul prin diod are o valoare sub un prag) nu apare inversia de populaie, iar emisia optic este slab i incoerent datorindu-se recombinrilor spontane. Cnd eVFB depete Eg curentul devine suficient pentru a realiza inversia de populaie. n prima instan, apar fotoni emii spontan; acetia ajung la suprafeele prelucrate (oglinzi), o parte24 fiind ntori n zona activ. Acetia stimuleaz emisia altor fotoni, procesul repetndu-se. Rezult o amplificare a luminii coerente prin multiple traversri ale zonei active. n emisia stimulat, puterea optic devine din ce n ce mai mare, intensitatea stabilizndu-se la valoarea la care amplificarea este contrablansat de pierderile n cavitatea creat de cele dou oglinzi. Pentru o diod tipic apar densiti importante de curent de prag25.
23

24

cu lungime tipic de ~ 200-500 micrometri mult mai lung dect lungimea de und pe care emite laserul Acestea reflect tipic o treime din radiaia incident iar restul se transmite ca putere util de ordinul 107 A/m2 pn la 109 A/m2 la temperatura camerei

25

83 Combinnd cu tensiuni n direct de ordinul 1V rezult ca o diod laser cu dimensiunile de 100/100 micrometri va trebui s disipe ntre 1 i 10 W. Aceasta explic de ce este de preferat o funcionare in impulsuri dect n und continu pentru a reduce puterea medie disipat. n mod uzual intensitatea luminoas poate fi redus prin micorarea tensiunii VFB. O mare varietate de materiale pot fi folosite pentru a realiza diode laser. Cele mai importante variante i lungimea de und pe care emit sunt prezentate n figura 9. Cele mai uzuale sunt GaAs, InGaP, AlGaAs. Este necesar ca materialul utilizat s aib o band interzis corespunztoare lungimii de und pe care trebuie s emit dioda. Cele mai multe emit n infrarou, dar exist i variante n vizibil, cum ar fi de exemplu, GaAsxP1-x care emite Fig.9 Domeniul lungimilor de und pentru radiaia laser n funcie de materialul utilizat pe aproximativ 630 nm. Realizarea tehnologic

presupune cresteri epitaxiale din faz lichid (LPE), epitaxie cu jet molecular (MBE) sau MOCVD (MOVPE). Diodele Laser cu homojonciune se caracterizeaz prin cureni de prag importani i disipaie ridicat. Aceste dezavantaje pot fi depite folosind heterojonciunile (simple sau duble). n varianta simpl, o heterojonciune26 este exemplificat n figura 10. Pe un substrat de GaAs de tip n au fost crescute succesiv dou straturi de tip p din GaAs i respectiv AlGaAs. GaAlAs are o band interzis mai mare dect GaAs i un indice de refracie mai mic. n figura 10 sunt prezentate diagrama de benzi energetice pentru jonciunea la echilibru i n polarizare direct. Procesul laser rezult prin injecia electronic n zona activ central de tip p confinat prin bariera creat ntre cele dou zone p. Se observ,
26

GaAs/AlGaAs

84 astfel, c prin schimbarea indicelui de refracie la interfaa dintre cele dou zone p se produce o reflexie intern a fotonilor ctre interiorul zonei active. Confinarea27 are ca prim rezultat o reducere semnificativ a curentului de prag al unei astfel de diode n comparaie cu varianta homojonciune. n cazul ghidajului prin ctig se limiteaz zona de injecie. Aceste lasere produc un spot eliptic ( 1 10 m2), dar dezavantajul principal este c acesta nu rmne stabil cnd crete puterea optic. Din acest motiv, structurile prezentate sunt folosite extrem de rar n comunicaiile optice. n cazul ghidajul pasiv se introduce un salt de indice nL n direcia lateral . Aceste structuri pot fi clasificate n structuri cu ghidare slab sau puternic.

Fig.10 Heterojonciune simpl la echilibru i polarizat direct O alt mbuntire a diodelor laser a fost realizat prin folosirea unor heterojonciuni duble (DH-laser). Un exemplu este structura pAlGaAs-pGaAs-nAlGaAsnGaAs prezentat n figura 11. ntr-o asfel de structur fotonii sunt constni s rmnn n zona activ (ghid dielectric). Prin folosirea dublei heterojonciuni curentul de prag poate fi sensibil redus 28

27

strngere spaial Astfel rezult dou mari categorii de laseri: ghidaj prin ctig (ghidaj activ) i ghidaj

datorat profilului indicelui de refracie (ghidaj pasiv).

28

pn la nivelul de 105 A/m2, in mod uzual

Fig.11 Dubl heterojonciune; diagrama energetic, structur diod Laser

85 astfel nct s fie posibil utilizarea unei astfel de structuri pentru emisie n und continu chiar la temperatura camerei. O micorare n continuare a curentului de prag poate fi realizat prin tehnologie MESA sau prin bombardament cu protoni29, figura 12. n figura 13 este prezentat spectrul laserului (multimod- MLM) n funcie de curentul de pompaj. Sub prag, comportarea este similar diodei LED, emisia spontan conducnd la un spectru tipic de 2-500 angstromi. Pentru Fig 12 Strucur MESA pentru o diod laser un curent injectat uor deasupra pragului, apar linii spectrale nguste (moduri multiple) datorit refexiilor multiple suferite de lumina coerent n

interiorul cavitii i a pstrrii fazei ntre aceasta i lumina din cavitate.Condiia ce trebuie ndeplinit este:
N ( / 2) = L

(11)

unde L este distana dintre cele dou oglinzi30, iar este lungimea de und n interiorul semiconductorului.Dac este lungimea de und n exteriorul semiconductorului care are indicele de refracie nr separarea dintre moduri va fi:
=

2 2 Ln r

sau

c 2 Ln r

(12)

Modurile se numesc longitudinale deoarece sunt determinate de lungimea cavitii.Tipic,

= 100 200GHz pentru L = 200 400m

12.3.1 Aplicaii ale doidelor Laser Diodele laser se caracterizeaz prin nalt direcionalitate, coeren ridicat, spectru Fig.13 Spectrul laserului multimod n funcie de curentul de popaj
29 30

ngust (monocromaticitate), densitate de putere ridicat, vitez mare de comutare.

pentru a transforma semiconductorul n izolator lunginmea cavitii

86 Aceste dispozitive sunt atractive deoarece au dimensiuni reduse eficien mare de emisie, i tensiuni de lucru relativ reduse. Pot opera n regim de und continu sau n impuls31. Laserul semiconductor este indispensabil n sistemele optice de comunicaii al cror avantaj esenial este lrginea de band util foarte ridicat. Alegera optim a

Fig.14 Diagrame energetice pentru diverse realizri ale diodelor laser lungimii de und pentru sistemele de comunicaii optice este n jur de 1,3-1,5 micrometri, iar frecvena de modulaie optic poate ajunge n mod obinuit la cca 20 Gbit/s. Exist de asemenea multiple aplicaii n domeniul militar. Se pot meniona aplicaii n holografie (memorarea unor imagini tridimensionale ), sisteme de alarm, sisteme de aliniere, medicin, memorii fotonice (compact disc), prelucrri mecanice, ajustri n microelectronic, etc. Exist mai multe variante de astfel de diode: LOC (large optical cavity laser) n care cavitatea optic este mult mai larg dect zona de recombinare n care ia natere radiaia laser. SCH (separate confinement heterojunction laser) recombinare este separat de cavitate Laserii DH (double heterojonciune) QWL32 sunt fabricai avnd zone active foarte subiri (10nm) n loc de 0,10,3m. Varianta SQWL33 are o singur zon activ iar MQWL34 mai multe. La aceast structur, grosimea redus a zonei active conduce la schimbarea dramatic a proprietilor electrice i optice n comparaie cu laserul DH (dubl heterojonciune) tradiional. QWL au avantaje fa de DH tradiionale permind ctiguri ridicate la nivele mici de injecie, cureni de prag redui, lrgimi spectrale nguste, viteze ridicate de
31 32

n care regiunea de

pentru aplicaii de putere ridicat quantum well laser 33 single QW 34 multiple QW

87 modulaie, modulaie parazit de faz mai redus, dependen termic slab etc. n structura MQW zonele active sunt separate prin zone de barier .Diagramele energetice ale benzilor pentru aceste structuri sunt prezentate n figura 14. Se poate vedea i varianta MQW modificat (MMQW) cnd energia interzis a barierei este diferit de a nveliului. n diodele laser MQW se obine o confinare mai bun n comparaie cu SQW cu toate consecinele care decurg din aceasta. n general, materialul de baz este AlGaAs/ GaAs iar pentru lungimi de und mai mari InGaAsP/InP. 12.3.2 Laser monomod Metoda clasic pentru a realiza SLM este de a introduce n cavitatea laser structuri

selective care s favorizeze un singur mod ( pentru care ctigul poate depi pierderile cavitii). Exist dou posibiliti (figura 15) de a face acest lucru: n regiunea activ prin reacie distribuit (DFB - distributed feedback) n afara regiunii active cu ajutorul unui reflector distribuit Bragg (DBR distributed Bragg reflector)

n DFB reacia nu este localizat la faete ci este distribuit de-a lungul ntregii caviti, faetele fiind antireflective. 35 Deosebirea dintre DBR i DFB consta n varianta de plasare (n raport cu cavitatea) a reaciei. Aceste realizri (DFB i DBR) conduc la cureni mici de prag (1020mA), viteze mari de modulaie (muli Gbit/s) i puteri de ieire ridicate. Cu toate dificultile tehnologice aceste dispozitive sunt disponibile comercial36.

Fig.15 Diode laser monomod DFB, DBR. Principiul de funcionare al laserilor monomod cu cavitate cuplat
35

Aceasta este realizat printr-o reea intern de difracie care produce o perturbare periodic a indicelui de refracie de-a lungul ghidului . 36 au fost folosite n sisteme optice transatlantice (TAT 9) ncepnd cu 1992.

88 O alt categorie de laseri (figura 15) construii pentru a opera n regim monomod (SLM) este aceea cu cavitate cuplat. Radiaia emis este cuplat ntr-o cavitate extern; o fracie din aceast radiaie se ntoarce n cavitatea proprie. Reacia este pozitiv numai pentru acele moduri din cavitate a cror lungime de und coincide cu a unuia din modurile din cavitatea extern. Aceste variante au atras atenia datorit posibilitii de acord. 12.3.3 Laseri VCSEL37 Diferena fundamental ntre VCSEL i laserii cu emisie lateral (EEL) este

direcia pe care este emis radiaia n raport cu geometria structurii. Astfel la EEL direcia de emisie este paralel cu straturile structurii, pe cnd la VCSEL direcia este perpendicular pe structur. n plus, lungimea zonei active este n jur de 300 m pentru laserii cu emisie lateral i aproximativ 20-30 nm pentru VCSEL. n VCSEL energia radiaiei trebuie realizat pe o distan extrem de scurt iar pentru aceasta, sunt necesare oglinzi de nalt reflectivitate ( 99,9 %).38 Fascicolele emise de EEL sunt asimetrice datorit unghiurilor de divergen proprii acestor structuri, pe cnd n VCSEL exist o mare libertate n proiectarea ariei active pentru a permite o optimizare39 din acest punct de vedere. Cel mai mare avantaj al VCSEL pare s fie costul potenial redus raportat la performane n condiiile n care se folosesc tehnologii de tip tradiional 40. Avantajele VCSEL pot fi sumarizate: 1) structura poate fi folosit pentru a realiza un ecran bidimensional, 2) Sunt posibili cureni reziduali redui chiar pentru sisteme bidimensionale de mare densitate, 3)Emisia normal pe suprafata structurii fiind compatibilizeaz dispozitivul de emisie cu cel de recepie (fotosensibil),

simplificate procedeele de aliniere, 3) Forma circular a spotului i divergena redus permite eliminarea unui sistem complicat de lentile pentru corecie, 4) Alinierea cu o

37

Vertical Cavity Surface Emitting Lasers spre deosebire de cei cu emisie lateral unde reflectivitatea oglinzilor laterale era n jur de 30 %. (e adevrat, suficient pentru a apare efectul laser). 39 n particular, aceast arie poate fi rotund pentru a produce un fascicol conic (circular simetric) cu un unghi redus de divergen i din acest motiv cuplajul cu fibra este mult mbuntit. 40 VCSEL ofer n comparaie cu alte dispozitive de emisie avantaje remarcabile: divergen redus a spotului circular pentru creterea eficienei de cuplaj, cureni i tensiuni reduse de comand, band larg de modulaie, uniformitate ridicat a emisiei n cazul matricilor,integrare vertical avantajoas,etc.
38

89 fibr pasiv este mai simpl, iar cuplajul este eficient, 5) Cost potenial redus, 6) Sensibilitate termic redus n comparaie cu laserii ce emit lateral, 7) Consum redus. 12.3.4 Procesul tehnologic al VCSEL Structurile VCSEL se realizeaz prin depuneri epitaxiale41 pe un substrat de GaAs. n general numrul straturilor epitaxiale depete 100, fiecare dintre ele avnd grosimi de civa Fig.16 Structura unui VCSEL nm42. Structura lateral implic procese de corodare pentru a realiza structuri MESA dar i procese de implantare protoni i procese speciale de oxidare. Aceste conduc la avantaje i dezavantaje specifice. Cteva performane ale VCSEL depesc pe departe pe cele ale EEL: cureni de prag de ordinul A (100 A), eficien 50% pentru nivele de ieire optic sub 10mW. n mod continuu (CW) VCSEL pot ajunge la 200mW (avnd diametre mai mari ale zonei emisive). Se pot atepta i puteri mai mari dac se gsesc soluii pentru rcirea structurii. Este de asemenea interesant c n cazul VCSEL pragul de curent poate scdea o dat cu creterea temperaturii (dependena este foarte slab n contrast cu laserii tradiionali). n mod curent VCSELs sunt proiectate pentru transmisiile optice de date cu

850nm dar sunt posibile (vezi tabelul) i realizri pe lungimi de und mari pentru care
n prezent se fac cercetri. n domeniul 7801000m VCSEL folosesc QW (Quantum Wells) din (Al)GaAs sau In(Al)GaAs ca material activ. Acesta poate fi realizat relativ uor, conduce la performane ridicate i se produce deja curent. n domeniul vizibil au fost deja realizai dar probabil n viitor vor fi produi n serie.

material activ material oglind Albastru InGaN verde InGaN rou InAlGaP 7801000 nm GaAs, InGaAs 1,31,55 m InGaAsP Dielectric GaAs/AlAs InGaAsP/InP

GaN/AlGaN

GaN/AlGaN

AlGaAs/AlAs

AlGaAs/AlAs

41 42

(MOVPE Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, i MBE Molecular Beam Epitaxy) parametru, care de altfel trebuie controlat foarte strict n timpul procesului de fabricaie fiind critic n ceea ce privete lungimea de und emis i n general performanele dispozitivului

90
substrat Safir safir GaAs performane la temperaturi ridicate GaAs InP,GaAs tehnologia oglinzilor

dificulti

Epitaxie

epitaxie

----

domeniul

vizibil

infrarou

Acetia pot fi utilizai n memorarea i stocarea optic a datelor i transmisii optice pe FO din plastic.Realizarea acestor laseri pentru lungimi de und mai mari ( 1300

1550 nm) necesare pentru comunicaii optice este mult mai dificil tehnologic. Aceasta
se datoreaz faptului c pe zona activ bazat pe InP nu pot fi crescute epitaxial, oglinzi din material ce au la baz AlGaAs. n prezent, cea mai promitoare variant este un VCSEL pe 1,3m este aceea care ncorporeaz zone active InGaAsN ntr-o structur convenional bazat pe GaAs. n figura 17 sunt Fig.17 Variante constructive de VCSEL prezentate cteva variante constructive