2

Cuprins:


1. Introducere ______________________________________ 3
2. Noiuni generale teoretice ___________________________ 4
3. Principiile de funcionare____________________________ 5
3.1.0 Modurile de funcionare a fotodiodei PIN _________ 6
3.1.1 Modul fotovoltaic ____________________________ 7
3.1.2 Modul fotoconductiv _________________________ 8
4. Caracteristicele fotodiodei. Parametrii de baza al fotodiodei 9
4.1 Responzivitatea fotodiodei ______________________ 9
4.2 Eficienta cuantica _____________________________ 10
4.2 Sensibilitatea _________________________________ 11
4.3 Rapiditatea fotodiodei _________________________ 12
5 Construcia fotodiodelor PIN _________________________ 15
6 Tehnologiile de fabricare ____________________________ 17
7 Utilizarea Fotodiodelor PIN _________________________ 18
8 Bibliografie ______________________________________ 18
9 Anexa __________________________________________ 19



3





1. INTRODUCERE

Descoperirea efectului fotoelectric in secolul trecut, continuarea cercetrilor
si progresele industriei electronice a dus la crearea si implementarea in practica a
unui sir de dispozitive electronice bazate pe fenomenul fotoelectric, fenomen ce
presupune formarea unui curent electric sub aciunea radiaiilor electromagnetice
de spectru definit si viceversa formarea emisiilor electroluminescente cu spectru
predefinit. Dispozitive care si-au gsit o utilizare larga in diverse domenii, precum
in tehnica de msurri spectrale precise, in telecomunicaii la transmiterea
informaiei, in domeniul automatizrii industriale, in TI dispozitive de stocare a
informaie(CD/DVD) etc. Din elementele senzoriale si cele de emisie in funcie
de aparat in care se care se folosesc pot fi menionate fotodiodele, celulele
fotovoltaice, fototranzistoarele, optocuplurile, laser-ul, si multe altele dispozitive.
In aceasta lucrare vom descrie si vom analiza, structura vom lamuri
principiul de funciune, vom descrie parametrii de baza, modul de conexiune si
domeniile de utilizare ale fotodiodei PIN.










4




2. Noiuni generale teoretice.

Fotodiodele la general sunt dispozitive de fotoreceptie a radiaiei
electromagnetice de spectru definit de natura materialelor folosite la fabricare,
avnd ca rezultat formarea unui curent electric numit curent fotoelectric. La baza
funciunii sta efectul fotovoltaic: - apariia unei tensiuni electromotoare ntr-o
jonciune p-n cnd aceasta este iluminat. Prin acest efect se realizeaz conversia
direct a energiei luminoase n energie electric. Electronii emii prin efectul
fotoelectric se numesc fotoelectroni. Experimental s-a constatat c pentru a observa
emisia de electroni este nevoie ca radiaia electromagnetic s aib
o frecven deasupra unei limite inferioare care depinde de natura materialului sau,
echivalent, lungimea de und trebuie s fie sub o anumit valoare. Intensitatea
fluxului de radiaie incident influeneaz mrimea curentului electric produs, dar
nu determin apariia fenomenului.
Fotodioda P-i-N este cel mai rspndit fotodetector. Spre deosebire de
fotodioda simpla cu o jonciune p-n, conine 3 straturi semiconductoare. In
structura are o regiune intrinseca poziionata ntre regiunile p si n, n care se
genereaz sub influenta radiaiei incidente perechi electron-gol. Straturile p i
n, de regul, sunt puternic dopate (
3 18 17
10 ... 10

cm ). Stratul i cu o grosimea
specifica este foarte puin dopat i posed o concentraie foarte mic de impuriti
donoare(
3 15 14 0
10 ... 10

= cm n ). Structura simplificata, banda energetica, distributia
puterii optice si distriburia de sarcina a fotodiodelor pin este redata grafic mai
jos
5









Distribui
a puterii
optice
absorbite







Diagrama
energetica









Distributi
de sarcina





Fig 2.1 Structura, nivelele de energie, distribuia de sarcin
i cmpul electric n fotodiod



6

3. Principiul de funcionare a fotodiodei PIN

Presupunem Fig .3.1 ca in fotodioda pin stratul -i slab dopat se afla intre straturile
puternic dopate n+ si p+, deasemeni stratul -i este lipsit de purtatori de sarcina,
Aplicam la jonctiunile diodei P-i-N o tensiune cu polarizare inversa. Regiunile
puternic dopate vor capata conductibilitate iar regiunea intrinseca lipsita de
purtatori va suporta doar o polarizare . La caderea radiatiei luminescente pe
jonctiunea i, in fotodida se vor genera purttori de sarcina si anume cupluri n-p.
Sub actiunea campului electric ele se vor diviza si se vor deplasa in sensuri opuse
spre electrozi corespunzatori, astfel va lua natere un curent electric.

Fig 3.1. Principiul de functionare a fotodiodei PIN

Aici generaie de perechi electron-gol ntr-un semiconductor este direct legat de
absorbie a luminii din moment ce fiecare foton absorbit genereaz un electron-gol
pereche. Rata de generare optic g
op
este dat de relatia:



unde A este suprafaa iluminat a fotodiodei, P
opt
este puterea incident optice,
este coeficientul de absorbie i h este energia fotonica. Puterea optic este
dependent de poziia obinut prin rezolvarea:







7

3.1 Modurile de funcionare a fotodiodei PIN
Fotonii intr n zona intrinsec prin inelul metalic de conexiune i prin
regiunea subire de tip p, genernd aici perechi electron-gol. Dioda PIN este
normal polarizat invers, astfel nct sarcinile generate se deplaseaz spre zonele
p i n printr-o micare de drift. Caracteristica de ieire tipic pentru o fotodiod
PIN prezint dou moduri posibile de funcionare: fotovoltaic i fotoconductiv

Fig. 3.2 Structura unei fotodiode PIN din siliciu

3.1.1 Modul fotovoltaic se refer la funcionarea n cadranul stng, cnd
nu este necesar o surs de tensiune. Acest mod este indicat n Fig. 5.3 prin
rezistena de sarcin. Nu exist nici un curent de ntuneric, ceea ce face acest mod
forte potrivit pentru detecia la nivele mici de iluminare. n Fig. 5.4 este prezentat
un model de circuit pentru fotodioda PIN funcionnd n regim fotovoltaic

Fig.3.3 Caracteristica I/U a unei fotodiode PIN
8


Fig.3.4 Modelul fotodiodei PIN pentru regimul fotovoltaic

Cu ajutorul modelului de mai sus se pot scrie urmtoarele relaii:



Unde: r = responzivitatea
P = puterea optic
I
d
= curentul diodei
I
S
= curentul de saturaie al diodei
V
T
=kT/e = 26mV la 300K

n modelul din Fig 3.4, sursa de fotocurent I
ph
este untat de o diod ideal,
iar rezistena serie R
S
limiteaz curentul maxim de la diod. Aceast rezisten
are valoarea tipic 50 pentru o fotodiod pe siliciu, cu diametrul de 1mm. n
concordan cu acest model, dioda PIN genereaz o tensiune care este
l ogaritmul puterii optice incidente, n cazul n care nu este conectat vreo
rezisten de sarcin. Dac fotodioda lucreaz n scurtcircuit, R
S
este cea care
creaz cderea de tensiune. Aceasta face s nceap o limitare a fotocurentului
la un nivel de putere de cca. 1mW, n funcie de aria activ a diodei. Limitarea
cea mai important a regimului fotovoltaic este banda limitat datorit
capacitii mari a jonciunii pin.
3.1.2.Modul fotoconductiv .n modul fotoconductiv se aplic o tensiune
de polarizare invers, care descrete capacitatea jonciunii la cca. 1pF. Acest
mod ofer o bun liniaritate lumin-curent, pn la 1mW putere optic pentru o
diod de 1mm diametru, de exemplu. Responzivitatea r este identic cu cea din
modul fotovoltaic; ea este indicat fie prin eficiena cuantic, fie direct n A/W.
Valori tipice sunt 0.1 - 0.5 A/W, n funcie de lungimea de und i semiconductor,
Fig. 5.5. Dependena de temperatur a responzivitii este mic. Din nefericire, este
generat un curent de ntuneric care este dependent de temperatur, ceea ce creeaz
probleme la msurarea nivelelor mici de lumin i genereaz un zgomot
suplimentar. Curentul de ntuneric tipic, pentru o fotodiod de 1mm, la
temperatura de 25 o C , este 5nA pentru Si, 12A pentru Ge i 6A pentru
InGaAsP. Acesta este motivul pentru care diodele pe Ge i InGaAsP au arii active
9

foarte mici, tipic 0.1 - 0.2mm n diametru. Dependena de temperatur a curentului
de ntuneric este foarte pronunat, el dublndu-se la fiecare 7 o C pentru Si,
fiecare 8 o C pentru Ge i fiecare 10
o
C pentru InGaAsP.
Conectarea tipica a unei fotodiode in cele mai multe cazuri se face
dupa schema de mai jos :



4. Caracteristicele fotodiodei. Parametrii de baza al
fotodiodei
4.1 Responzivitatea fotodiodei
Masura a sensibilitatii fotodiodei, responzivitatea este raportul dintre
fotocurentul la iesirea din diode (in A) si puterea luminoasa (in W) incidenta la
fotodioda. De notat ca puterea incidenta este exprimata, de obicei, in W/cm^2,
iar fotocurentul in A/cm^2. In figura &.3 este prezentata responzivitatea unei
fotodiode, in functie de lungimea de unda.



Fig. 4.1 Caracteristici spectrale reale i idealizate ale fotodiodei pin in
functie de
10


Fig. 4.2 Caracteristici spectrale ale fotodiodei pin in regiuni
diferite(interiorul cristalului si periferia lui)

Asa cum se poate vedea din figura 4.3, siliciu devine transparent la lungimi
de unda peste 1100 nm, in timp ce ultravioletele sunt absorbite in primii
100 nm de grosime.Stratul antireflectorizant inbunatateste raspunsul la o anumita
lungime de unda (cu cca. 25%), dar il poate deteliora la alte lungimi de unda
datorita reflexiilor. Fereastra diodei poate modifica raspunsul fotodiodei.
Fereastra clasica din sticla absoarbe lungimile de unda sub 300 nm. Pentru
detectia ultravioletelor este necesara folosirea unei ferestre din siliciu sinterizat.
Se folosesc si diverse filtre pentru a inbunatati raspunsul spectral a foto-
diodei. Un asemenea filtru este cel ce modifica raspunsul normal al siliciului
pentru a aproxima raspunsul spectral al ochiului uman, figura &.4.



Fig 4.3 Tensiunea de lucru: Sau caracteristica Curent/Tensiune


11

4.2 Eficienta cuantica
Capacitatea interna a unei fotodiode de a converti energia luminoasa in energie
electrica, exprimata in procente, se numeste eficienta cuantica (), altfel zis
raportul dintre numrul de perechi electron-gol generate i numrul de fotoni
incideni. =n
e
/n
f

Responzivitatea fotodiodei este legata de eficienta cuantica prin relatia :

Funionnd n condiii ideale de reflectan, structur a cristalului si rezisten
intern, o fotodiod pe siliciu de calitate foarte bun poate atinge o eficien
cuantic de 80%. n tabelul 1 este prezentat responzivitatea unei fotodiode, in
funcie de lungimea de und, pentru situaia ideal n care eficiena cuantic ar fi
100%.


4.3 Sensibilitatea
Un parametru i important al fotodiodei p-i-n este sensibilitatea, care are urmtoare
expresie:
optic
f
P
I
S = , fiind funcie de .
Amintim c: concentratia purtatorilor de sarcina si fotocurentul I
f
sunt redate
de relatiile:
v
q
h P
q I
N
N
optic
f
F
n p
= =
,
;
v
q
h
P
q I
optic
f
= .
Deci S poate lua forma:
v
q
v
q
h
q
P h
P q
P
I
S
optic
optic
optic
f

=

= =
1
.
Dac (lungimea de unda) se msoar n [ m ], iar v h - n [eV], atunci:
24 , 1
q
= S , |
.
|

\
|
W
V
W
A
; (1)
n caz ideal cnd 1 = q :
24 , 1

= S . (2)
12

Diferena dintre sensibilitatea spectral a unui fotoreceptor ideal calculat
dup relaia (2) i a unei fotodiode ideale din Ge:

Cauzele sunt:
- Dependena ( ) f R = . Acest efect se ia n consideraie prin formula:
( ) | |
q
R S = 1
24 , 1
;
- Dependena ( ) q f = care rezult din relaia (10), ( ( ) o f = ). Aceast
dependen predomin.

4.4 Rapiditatea fotodiodei
Rapiditatea fotodiodei este determinat de constanta de timp a circuitului
electric i de timpul de selectare a purttorilor de sarcin fotogenerai.
Constanta de timp ( RC = t ) este egal cu produsul dintre rezistena sarcinii
fotodiodei egal cu O = 50 R i capacitatea fotodiodei
f
C . Capacitatea
f
C este
compus din capacitatea jonciunii pn
n p
C

i capacitatea parazit (capacitatea
straturilor semiconductoare i conductorilor metalici).
Capacitatea jonciunii pn este:
W
A C
n p s n p
1
0
=

c c ; (13)
unde
0
c - constanta dielectric a vidului;
s
c - constanta dielectric a
semiconductorului ( 13 ~ );
n p
A

- aria jonciunii pn; W - grosimea stratului de
sarcin spaial.
Deci, pentru a micora capacitatea fotodiodei este necesar:
- Micorarea suprafeei jonciunii pn;
- Sporirea W , prin micorarea concentraiei impuritilor de fond n stratul
i.
Suprafaa jonciunii pn se realizeaz prin dou metode:
1. formarea jonciunii meza a fotodiodei;
2. formarea jonciunii pn prin difuzie local, utiliznd mti din SiO
2
.


Fig. 4.4

13

Stratul de sarcin spaial poate fi mrit polariznd invers fotodioda cu o
tensiune U . n jonciunea pn abrupt dependena ( ) U f W = este urmtoarea:
( ) | |
2 1
0
2
d n p b s
N q U W =

c c (14)
unde U - tensiunea invers de polarizare;
b
- potenialul de contact al jonciunii.
Pentru fotodioda cu concentraia purttorilor de sarcin n statul i
3 15
10

= cm N
d
i V U 3 ... 2 = grosimea stratului de sarcin spaial este m W 2 = .
Jonciunea pn cu diametrul m 100 posed capacitatea de pF C 1 = i constanta de
timp pentru O = 50
s
R egal cu ps RC 50 = = t .
Timpul total necesar pentru selectarea purttorilor de sarcin fotogenerai se
determin prin suma timpului de deriv a purttorilor de sarcin prin W i a
timpului de difuzie a purttorilor de sarcin generai n afara W .
Viteza de deriv a purttorilor de sarcin pentru intensitatea cmpului
electric W egal cu cm V
4
10 constituie s cm v
deriva
7
10 ~ . n aa mod, pentru
m W 2 = , timpul de deriv este egal cu ps 20 .
Pentru electronii ce difuzeaz din stratul p n W timpul de difuzie va fi:
n n difuzie
D L t 4 , 2
2
= , (15)
unde
n
L - lungimea de difuzie a electronilor;
n
D - coeficientul de difuzie a
electronilor care este proporional cu mobilitatea lor.
n cazurile tipice pentru m L
n
2 ... 1 = timpul de difuzie este ps t
difuzie
100 = . n
aa mod, pentru a realiza o nalt rapiditate a fotodiodei este necesar de a micora
considerabil grosimea stratului p sau de a exclude absorbia semnalului optic n
acest strat. Aceasta se realizeaz utiliznd heterostructurile semiconductoare cu
stratul frontal avnd v h E
g
> .


n acest caz, ns, poate exista absorbia n stratul n, iar golurile au o vitez
de difuzi mult mai mic ca electronii, ceea ce micoreaz rapiditatea fotodiodei.
Pentru a exclude absorbia i n stratul n, el este confecionat cu v h E
n
g
> .

14



n acest caz: v v h E E E h
i
g
n
g
p
g
s > = < , i
o
1
> =W d
i
.
In tabela de mai jos sun reprezentate parametrii sensibilitatii si responzivi-
tatii a unor fotoconductori pu comparatie



5 Constructia fotodiodelor PIN
Pentru a descrie o fotodioda PIN prezentam grafic o sectiune transversala prin
ea Fig.

Fig.5.1 Sectiunea printr-o dioda PIN

Materialul de plecare este siliciu dopat N. Un strat subtire de tip P este creat la
suprafata stratului N, prin difuzie termica sau implantare ionica a unui material
adecvat (de regula bor). Interfata dintre stratul P si cel de tip N este cunoscuta ca
jonctiune pn. Contacte metalice sunt aplicate pe suprafata superioara a
15

dispozitivului , precum si pe intreaga suprafata posterioara. Contactul posterior
este catodul diodei , iar contactul anterior este anodul. Suprafata activa a diodei
este acoperita cu monoxid sau bioxid de siliciu pentru protectie si pentru a forma
un strat antireflectorizant. Grosimea acestui strat este optimizata in functie de
lungimea de unda a radiatiei. n calitate de straturi antireflex se folosesc pelicule
din Si
3
N
4
, Al
2
O
3
, SiO
2
, ZnS, etc, cu coeficientul de refracie 2 ... 8 , 1 =
dielectric
n care
ndeplinete condiia:
2 1
|
|
.
|

\
|
=
tor semiconduc
aer
dielectric
n
n
n , unde 1 =
aer
n .
Grosimea straturilor antireflex trebuie s fie:
4

=
dielectric
d .
Jonctiunele fotodiodelor au propietati deosebite datorita subtirimi stratului P.
Grosimea acestuia este determinata de lungimea de unda a radiatiei ce trebuie
detectata. Linga jonctiunea PN siliciul devine saracit de purtatori de sarcina liberi.
Aceasta regiune este cunoscuta sub numele de regiune saracita de purtatori.
Adincimea acestei regiuni poate fi modificata prin aplicarea unei tensiuni inverse
in lungul jonctiunii. Cind regiune saracita ajunge la nivelul contactului de catod, se
spune ca fotodioda este completa.
Fotodiod PIN este ineficienta n cazul n care fascicul de lumina cade pe
straturile puternic dopate +n + p. n acest caz, va exista un curent de difuzie, care
din cauza ineriei mare reduce eficiena fotodiodei. Din acest motiv, straturile n +
si p + se fac cat mai subtire posibil, iar stratul i intrinsec - ct mai mare posibil,
pentru a absorbi toate radiaia incidenta.
Materiale semiconductoare utilizate la fabricarea fotodiodelor PIN:
- InP (Eg = 1.35 eV);
- In1-
x
Ga
x
As
y
P
1-y
(Eg = 0.75 - 1.18 eV);
- GaAs (Eg = 1.41 eV);
- Al
x
Ga
1-x
As (Eg = 1.41 - 2.2 eV);
- GaN (Eg = 3.44 eV);
- GaP (Eg = 2.24 eV);
- Si (Eg = 1.1 eV);
- SnO
2
(Eg " 3.6 - 3.8 eV).



16

Fig. 5.2 Pentru materiale diferite, se obin lungimi de und diferita, la
care se manifesta efectul maxim in fotodiod.
Dup cum se vede din tabel, Siliciu este materialul cel mai utilizat pentru
infrarou apropiat (850nm), iar Germaniu sau Indiu-Galiu-Arsen-Fosfor pentru
domenii peste 1m
6 Tehnologia de fabricare
Fabricare fotodiodelor Pin se poate face prin :
epitaxie in faza lichida pentru intervalul lungimilor de unda recepionate:
0.86 - 1.65 micrometri .
epitaxie fascicular-moleculara
Litografie electronica
Nano litografie
O descoperire recenta efectuat prin munca un grup de aspirani chinezi sub
conducerea lui prof.Charles Lieber de la Universitatea Harvard. Ei au reuit s
creeze o celula de fotodioda pin dintr-o nano-fibra de Si. Schema
semifabricatului cu imaginile de la microscopul electronic este prezentata mai jos:

Fig. 6.1 (A) Schema fotodiodei p-i-n pe baza de Si, coaxiale din nanofire (pe dreapta se arata
diagrama fazica al Si-Au, pe baza crei prin metoda de vapor-lichid-cristal a fost crescuta fibra
centrala a cablului; (b-c) imagini de microscopie electronica, cu mrire diferita de care arat c
monocristalina este doara fibra centrala. Scra: (b) corespunde la 1 m, jos - 100 nm, i n figura
7 (c) - 5 nm

17





Fig. 6.2 Procesul de fabricaie a fotodiodei nanofiliare PIN, folosind
litografia electronica i decapare selectiv : (a) schema, (b) imaginea unui produs
real ntr-un microscop electronic de scanare. Scara (de la stnga la dreapta) 100
nm, 200 nm i 1,5 m, respectiv.






Fig 6.3 Parametrii fotodiodelor p-i-n pe baza heterostructurilor InP -
InGaAsP




18


7 Utilizarea Fotodiodelor PIN:

a) Telecommunicatii prin fibra optica.
- structura: InP-InGaAs
- lungimile de unde receptionate:: l
1
= 1.3 micrometri, l
2
= 1.55 micrometri
Deasemeni PIN-ul poate fi utilizat n plcile de reea i switch-uri pentru cabluri
de fibr optic. n aceste aplicaii, pin-fotodioda este folosit ca o fotodiod simpla.

b) Telemetrie. Comunicatii optice prin atmosfera.
- structura: InP-In
x1
Ga
1-x1
As
y1
P
1-y1
- In
x2
Ga
1-x2
As
y2
P
1-y2

- lungimea de unda detectata: l=1.06 micrometri.
- fotosensibilitatea: selectiva (delta l=100nm
c) Optoelectronica functionala.
- structura: InP - InGaAs - InGaAsP
- intervalul de lungimi de unda receptionate: 0.9 - 1.65micrometri
- fotosensibilitatea: dirijata (modulata) prin intermediul tensiunei de alimentare.





8 Bibliografie

1. Sorin Constantin Zamfira Optoelectronica. (versiunea PDF din internet)
p103
2. : ,
- / . . . .
.: . 1984. . 5765, . 130140.
3 . http://www.nanonewsnet.ru/articles/2008/nanoprovolochnaya-
gelioenergetika
4 . http://www.wikipedia.org
5. http://sales.hamamatsu.com/assets/html/ssd/si-photodiode/index.htm
6. Wilson J., Hawkes J.F.B. , Optoelectronics









19

Anexa:

Exemplu de dioda PIN comercial disponibila:

BPW34, BPW34S produsa de Vishay Semiconductor
BPW34 este o fotodiod PIN de vitez mare i sensitivitate
radiant fabricat in n miniatur, construcie plan, de sus,
case din plastic transparent . Este sensibila la radiaii
infraroii i vizibile n apropiere.



Fig 7.1 Parametri de lucru


Fig 7.2 Parametri de baza