Cuprins:

1. Introducere ______________________________________ 3

2. Noțiuni generale teoretice ___________________________ 4

3. Principiile de funcționare____________________________ 5

3.1.0 Modurile de funcționare a fotodiodei PIN _________ 6

3.1.1 Modul fotovoltaic ____________________________ 7

3.1.2 Modul fotoconductiv _________________________ 8

4. Caracteristicele fotodiodei. Parametrii de baza al fotodiodei 9

4.1 Responzivitatea fotodiodei ______________________ 9

4.2 Eficienta cuantica _____________________________ 10

4.2 Sensibilitatea _________________________________ 11

4.3 Rapiditatea fotodiodei _________________________ 12

5 Construcția fotodiodelor PIN _________________________ 15

6 Tehnologiile de fabricare ____________________________ 17

7 Utilizarea Fotodiodelor PIN _________________________ 18

8 Bibliografie ______________________________________ 18

9 Anexa __________________________________________ 19

2
 1. INTRODUCERE
Descoperirea efectului fotoelectric in secolul trecut, continuarea cercetărilor

si progresele industriei electronice a dus la crearea si implementarea in practica a

unui sir de dispozitive electronice bazate pe fenomenul fotoelectric, fenomen ce

presupune formarea unui curent electric sub acțiunea radiațiilor electromagnetice

de spectru definit si viceversa formarea emisiilor electroluminescente cu spectru

predefinit. Dispozitive care si-au găsit o utilizare larga in diverse domenii, precum

in tehnica de măsurări spectrale precise, in telecomunicații la transmiterea

informației, in domeniul automatizării industriale, in TI dispozitive de stocare a

informație(CD/DVD) etc. Din elementele senzoriale si cele de emisie in funcție

de aparat in care se care se folosesc pot fi menționate fotodiodele, celulele

fotovoltaice, fototranzistoarele, optocuplurile, laser-ul, si multe altele dispozitive.

In aceasta lucrare vom descrie si vom analiza, structura vom lamuri

principiul de funcțiune, vom descrie parametrii de baza, modul de conexiune si

domeniile de utilizare ale fotodiodei PIN.

3
 2. Noțiuni generale teoretice.

Fotodiodele la general sunt dispozitive de fotoreceptie a radiației

electromagnetice de spectru definit de natura materialelor folosite la fabricare,
având ca rezultat formarea unui curent electric numit curent fotoelectric. La baza
funcțiunii sta efectul fotovoltaic: - apariţia unei tensiuni electromotoare într-o
joncţiune p-n când aceasta este iluminată. Prin acest efect se realizează conversia
directă a energiei luminoase în energie electrică. Electronii emiși prin efectul
fotoelectric se numesc fotoelectroni. Experimental s-a constatat că pentru a observa
emisia de electroni este nevoie ca radiația electromagnetică să aibă
o frecvență deasupra unei limite inferioare care depinde de natura materialului sau,
echivalent, lungimea de undă trebuie să fie sub o anumită valoare. Intensitatea
fluxului de radiație incident influențează mărimea curentului electric produs, dar
nu determină apariția fenomenului.
Fotodioda P-i-N este cel mai răspândit fotodetector. Spre deosebire de
fotodioda simpla cu o joncțiune p-n, conţine 3 straturi semiconductoare. In
structura are o regiune intrinseca poziționata între regiunile p si n, în care se
generează sub influenta radiației incidente perechi electron-gol. Straturile „p‖ şi
„n‖, de regulă, sunt puternic dopate ( 10 17... 10 18 cm 3 ). Stratul „i‖ cu o grosimea
specifica este foarte puţin dopat şi posedă o concentraţie foarte mică de impurităţi
donoare( n 0  10 14... 10 15 cm 3 ). Structura simplificata, banda energetica, distributia
puterii optice si distriburia de sarcina a fotodiodelor p–i–n este redata grafic mai
jos

4
 Distribuţi
a puterii
optice
absorbite

Diagrama
energetica

Distributi
de sarcina

Fig 2.1 Structura, nivelele de energie, distribuţia de sarcină

şi câmpul electric în fotodiodă

5
 3. Principiul de funcționare a fotodiodei PIN

Presupunem Fig .3.1 ca in fotodioda pin stratul -i slab dopat se afla intre straturile
puternic dopate n+ si p+, deasemeni stratul -i este lipsit de purtatori de sarcina,
Aplicam la jonctiunile diodei P-i-N o tensiune cu polarizare inversa. Regiunile
puternic dopate vor capata conductibilitate iar regiunea intrinseca lipsita de
purtatori va suporta doară o polarizare . La caderea radiatiei luminescente pe
jonctiunea –i, in fotodida se vor genera purtători de sarcina si anume cupluri n-p.
Sub actiunea campului electric ele se vor diviza si se vor deplasa in sensuri opuse
spre electrozi corespunzatori, astfel va lua naștere un curent electric.

Fig 3.1. Principiul de functionare a fotodiodei PIN

Aici generație de perechi electron-gol într-un semiconductor este direct legată de

absorbție a luminii din moment ce fiecare foton absorbit generează un electron-gol
pereche. Rata de generare optică gop este dată de relatia:

unde A este suprafața iluminată a fotodiodei, Popt este puterea incidentă optice, α
este coeficientul de absorbție și hυ este energia fotonica. Puterea optică este
dependentă de poziția obținută prin rezolvarea:

6
 3.1 Modurile de funcționare a fotodiodei PIN
Fotonii intră în zona intrinsecă prin inelul metalic de conexiune şi prin
regiunea subţire de tip p, generând aici perechi electron-gol. Dioda PIN este
normal polarizată invers, astfel încât sarcinile generate se deplasează spre zonele
p şi n printr-o mişcare de drift. Caracteristica de ieşire tipică pentru o fotodiodă
PIN prezintă două moduri posibile de funcţionare: fotovoltaic şi fotoconductiv

Fig. 3.2 Structura unei fotodiode PIN din siliciu

3.1.1 Modul fotovoltaic se referă la funcţionarea în cadranul stîng, cînd

nu este necesară o sursă de tensiune. Acest mod este indicat în Fig. 5.3 prin
rezistenţa de sarcină. Nu există nici un curent de întuneric, ceea ce face acest mod
forte potrivit pentru detecţia la nivele mici de iluminare. În Fig. 5.4 este prezentat
un model de circuit pentru fotodioda PIN funcționând în regim fotovoltaic

Fig.3.3 Caracteristica I/U a unei fotodiode PIN

7
 Fig.3.4 Modelul fotodiodei PIN pentru regimul fotovoltaic

Cu ajutorul modelului de mai sus se pot scrie următoarele relaţii:

Unde: r = responzivitatea
P = puterea optică
Id = curentul diodei
IS = curentul de saturaţie al diodei
VT=kT/e = 26mV la 300K

În modelul din Fig 3.4, sursa de fotocurent I ph este șuntat de o diodă ideală,
iar rezistenţa serie R S limitează curentul maxim de la diodă. Această rezistenţă
are valoarea tipică 50Ω pentru o fotodiodă pe siliciu, cu diametrul de 1mm. În
concordanţă cu acest model, dioda PIN generează o tensiune care este
logaritmul puterii optice incidente, în cazul în care nu este conectată vreo
rezistenţă de sarcină. Dacă fotodioda lucrează în scurtcircuit, R S este cea care
crează căderea de tensiune. Aceasta face să înceapă o limitare a fotocurentului
la un nivel de putere de cca. 1mW, în funcţie de aria activă a diodei. Limitarea
cea mai importantă a regimului fotovoltaic este banda limitată datorită
capacității mari a joncţiunii pin.
3.1.2.Modul fotoconductiv .În modul fotoconductiv se aplică o tensiune
de polarizare inversă, care descreşte capacitatea joncţiunii la cca. 1pF. Acest
mod oferă o bună liniaritate lumină-curent, până la 1mW putere optică pentru o
diodă de 1mm diametru, de exemplu. Responzivitatea r este identică cu cea din
modul fotovoltaic; ea este indicată fie prin eficienţa cuantică, fie direct în A/W.
Valori tipice sunt 0.1 - 0.5 A/W, în funcţie de lungimea de undă şi semiconductor,
Fig. 5.5. Dependenţa de temperatură a responzivităţii este mică. Din nefericire, este
generat un curent de întuneric care este dependent de temperatură, ceea ce creează
probleme la măsurarea nivelelor mici de lumină şi generează un zgomot
suplimentar. Curentul de întuneric tipic, pentru o fotodiodă de 1mm, la
temperatura de 25 o C , este 5nA pentru Si, 12μA pentru Ge şi 6μA pentru
InGaAsP. Acesta este motivul pentru care diodele pe Ge şi InGaAsP au arii active
8
foarte mici, tipic 0.1 - 0.2mm în diametru. Dependenţa de temperatură a curentului
de întuneric este foarte pronunţată, el dublându-se la fiecare 7 o C pentru Si,
fiecare 8 o C pentru Ge şi fiecare 10oC pentru InGaAsP.
Conectarea tipica a unei fotodiode in cele mai multe cazuri se face
dupa schema de mai jos :

4. Caracteristicele fotodiodei. Parametrii de baza al

fotodiodei
4.1 Responzivitatea fotodiodei
Masura a sensibilitatii fotodiodei, responzivitatea este raportul dintre
fotocurentul la iesirea din diode (in A) si puterea luminoasa (in W) incidenta la
fotodioda. De notat ca puterea incidenta este exprimata, de obicei, in W/cm^2,
iar fotocurentul in A/cm^2. In figura &.3 este prezentata responzivitatea unei
fotodiode, in functie de lungimea de unda.

Fig. 4.1 Caracteristici spectrale reale şi idealizate ale fotodiodei pin in

functie de λ
9
 Fig. 4.2 Caracteristici spectrale ale fotodiodei pin in regiuni
diferite(interiorul cristalului si periferia lui)

Asa cum se poate vedea din figura 4.3, siliciu devine transparent la lungimi
de unda peste 1100 nm, in timp ce ultravioletele sunt absorbite in primii
100 nm de grosime.Stratul antireflectorizant inbunatateste raspunsul la o anumita
lungime de unda (cu cca. 25%), dar il poate deteliora la alte lungimi de unda
datorita reflexiilor. Fereastra diodei poate modifica raspunsul fotodiodei.
Fereastra clasica din sticla absoarbe lungimile de unda sub 300 nm. Pentru
detectia ultravioletelor este necesara folosirea unei ferestre din siliciu sinterizat.
Se folosesc si diverse filtre pentru a inbunatati raspunsul spectral a foto-
diodei. Un asemenea filtru este cel ce modifica raspunsul normal al siliciului
pentru a aproxima raspunsul spectral al ochiului uman, figura &.4.

Fig 4.3 Tensiunea de lucru: Sau caracteristica Curent/Tensiune

10
 4.2 Eficienta cuantica
Capacitatea interna a unei fotodiode de a converti energia luminoasa in energie
electrica, exprimata in procente, se numeste eficienta cuantica (η), altfel zis
raportul dintre numărul de perechi electron-gol generate şi numărul de fotoni
incidenţi. η=ne/nf
Responzivitatea fotodiodei este legata de eficienta cuantica prin relatia :

Funţionînd în condiţii ideale de reflectanţă, structură a cristalului si rezistenţă

internă, o fotodiodă pe siliciu de calitate foarte bună poate atinge o eficienţă
cuantică de 80%. În tabelul 1 este prezentată responzivitatea unei fotodiode, in
funcţie de lungimea de undă, pentru situaţia ideală în care eficienţa cuantică ar fi
100%.

4.3 Sensibilitatea
Un parametru i important al fotodiodei p-i-n este sensibilitatea, care are următoare
If
expresie: S  , fiind funcţie de  .
Poptic
Amintim că: concentratia purtatorilor de sarcina si fotocurentul If sunt redate
de relatiile:
N p ,n If q Poptic
  ; I f  q .
NF Poptic h h
Deci S poate lua forma:
  q  Poptic 1
If  q
S   .
Poptic h Poptic h
Dacă  (lungimea de unda) se măsoară în [ m ], iar h - în [eV], atunci:
   A V 
S ,  ;  (1)
1,24 W W 
În caz ideal când   1 :

S . (2)
1,24

11
 Diferenţa dintre sensibilitatea spectrală a unui fotoreceptor ideal calculată
după relaţia (2) şi a unei fotodiode ideale din Ge:

Cauzele sunt:
 Dependenţa R  f   . Acest efect se ia în consideraţie prin formula:

S 1  R  ;
1,24
 Dependenţa   f   care rezultă din relaţia (10), (   f   ). Această
dependenţă predomină.

4.4 Rapiditatea fotodiodei

Rapiditatea fotodiodei este determinată de constanta de timp a circuitului
electric şi de timpul de selectare a purtătorilor de sarcină fotogeneraţi.
Constanta de timp (   RC ) este egală cu produsul dintre rezistenţa sarcinii
fotodiodei egală cu R  50 şi capacitatea fotodiodei C f . Capacitatea C f este
compusă din capacitatea joncţiunii p–n C p  n şi capacitatea parazită (capacitatea
straturilor semiconductoare şi conductorilor metalici).
Capacitatea joncţiunii p–n este:
1
C p n   0   s  Ap n  ; (13)
W
unde  0 - constanta dielectrică a vidului;  s - constanta dielectrică a
semiconductorului (  13 ); A p  n - aria joncţiunii p–n; W - grosimea stratului de
sarcină spaţială.
Deci, pentru a micşora capacitatea fotodiodei este necesar:
 Micşorarea suprafeţei joncţiunii p–n;
 Sporirea W , prin micşorarea concentraţiei impurităţilor de fond în stratul
„i‖.
Suprafaţa joncţiunii p–n se realizează prin două metode:
1. formarea joncţiunii meza a fotodiodei;
2. formarea joncţiunii p–n prin difuzie locală, utilizând măşti din SiO2.

Fig. 4.4

12
 Stratul de sarcină spaţială poate fi mărit polarizând invers fotodioda cu o
tensiune U . În joncţiunea p–n abruptă dependenţa W  f U  este următoarea:
W  2 0 s b  U pn  q  N d 
12
(14)
unde U - tensiunea inversă de polarizare;  b - potenţialul de contact al joncţiunii.
Pentru fotodioda cu concentraţia purtătorilor de sarcină în statul „i‖
N d  10 15 cm 3 şi U  2...3V grosimea stratului de sarcină spaţială este W  2m .
Joncţiunea p–n cu diametrul 100m posedă capacitatea de C  1 pF şi constanta de
timp pentru Rs  50  egală cu   RC  50 ps .
Timpul total necesar pentru selectarea purtătorilor de sarcină fotogeneraţi se
determină prin suma timpului de derivă a purtătorilor de sarcină prin W şi a
timpului de difuzie a purtătorilor de sarcină generaţi în afara W .
Viteza de derivă a purtătorilor de sarcină pentru intensitatea câmpului
electric W egală cu 10 4 V cm constituie v deriva ~ 10 7 cm s . În aşa mod, pentru
W  2m , timpul de derivă este egal cu 20 ps .
Pentru electronii ce difuzează din stratul „p‖ în W timpul de difuzie va fi:
t difuzie  L2n 2,4Dn , (15)
unde Ln - lungimea de difuzie a electronilor; Dn - coeficientul de difuzie a
electronilor care este proporţional cu mobilitatea lor.
În cazurile tipice pentru Ln  1... 2m timpul de difuzie este t difuzie  100 ps . În
aşa mod, pentru a realiza o înaltă rapiditate a fotodiodei este necesar de a micşora
considerabil grosimea stratului „p‖ sau de a exclude absorbţia semnalului optic în
acest strat. Aceasta se realizează utilizând heterostructurile semiconductoare cu
stratul frontal având E g  h .

În acest caz, însă, poate exista absorbţia în stratul „n‖, iar golurile au o viteză
de difuzi mult mai mică ca electronii, ceea ce micşorează rapiditatea fotodiodei.
Pentru a exclude absorbţia şi în stratul „n‖, el este confecţionat cu E gn  h .

13
 1
În acest caz: h  Egp  Egn  Egi  h , şi d i  W  .

In tabela de mai jos sun reprezentate parametrii sensibilitatii si responzivi-
tatii a unor fotoconductori pu comparatie

5 Constructia fotodiodelor PIN

Pentru a descrie o fotodioda PIN prezentam grafic o sectiune transversala prin
ea Fig.

Fig.5.1 Sectiunea printr-o dioda PIN

Materialul de plecare este siliciu dopat N. Un strat subtire de tip P este creat la
suprafata stratului N, prin difuzie termica sau implantare ionica a unui material
adecvat (de regula bor). Interfata dintre stratul P si cel de tip N este cunoscuta ca
jonctiune pn. Contacte metalice sunt aplicate pe suprafata superioara a
14
dispozitivului , precum si pe intreaga suprafata posterioara. Contactul posterior
este catodul diodei , iar contactul anterior este anodul. Suprafata activa a diodei
este acoperita cu monoxid sau bioxid de siliciu pentru protectie si pentru a forma
un strat antireflectorizant. Grosimea acestui strat este optimizata in functie de
lungimea de unda a radiatiei. În calitate de straturi antireflex se folosesc pelicule
din Si3N4, Al2O3, SiO2, ZnS, etc, cu coeficientul de refracţie ndielectric  1,8... 2 care
îndeplineşte condiţia:
12
 naer 
ndielectric    , unde n aer  1 .
 n semiconductor 

Grosimea straturilor antireflex trebuie să fie: d dielectric  .
4
Jonctiunele fotodiodelor au propietati deosebite datorita subtirimi stratului P.
Grosimea acestuia este determinata de lungimea de unda a radiatiei ce trebuie
detectata. Linga jonctiunea PN siliciul devine saracit de purtatori de sarcina liberi.
Aceasta regiune este cunoscuta sub numele de ―regiune saracita de purtatori‖.
Adincimea acestei regiuni poate fi modificata prin aplicarea unei tensiuni inverse
in lungul jonctiunii. Cind regiune saracita ajunge la nivelul contactului de catod, se
spune ca fotodioda este ―completa‖.
Fotodiodă PIN este ineficienta în cazul în care fascicul de lumina cade pe
straturile puternic dopate +n + p. În acest caz, va exista un curent de difuzie, care
din cauza inerției mare reduce eficiența fotodiodei. Din acest motiv, straturile n +
si p + se fac cat mai subtire posibil, iar stratul – i intrinsec - cât mai mare posibil,
pentru a absorbi toate radiația incidenta.
Materiale semiconductoare utilizate la fabricarea fotodiodelor PIN:

 InP (Eg = 1.35 eV);

 In1-xGaxAsyP1-y (Eg = 0.75 - 1.18 eV);
 GaAs (Eg = 1.41 eV);
 AlxGa1-xAs (Eg = 1.41 - 2.2 eV);
 GaN (Eg = 3.44 eV);
 GaP (Eg = 2.24 eV);
 Si (Eg = 1.1 eV);
 SnO2 (Eg " 3.6 - 3.8 eV).

15
 Fig. 5.2 Pentru materiale diferite, se obțin lungimi de undă diferita, la
care se manifesta efectul maxim in fotodiodă.

După cum se vede din tabel, Siliciu este materialul cel mai utilizat pentru
infraroşu apropiat (850nm), iar Germaniu sau Indiu-Galiu-Arsen-Fosfor pentru
domenii peste 1μm

6 Tehnologia de fabricare
Fabricare fotodiodelor Pin se poate face prin :
 epitaxie in faza lichida pentru intervalul lungimilor de unda recepționate:
0.86 - 1.65 micrometri .
 epitaxie fascicular-moleculara
 Litografie electronica
 Nano litografie
O descoperire recenta efectuată prin munca un grup de aspiranți chinezi sub
conducerea lui prof.Charles Lieber de la Universitatea Harvard. Ei au reușit să
creeze o celula de fotodioda pin – dintr-o nano-fibra de Si. Schema
semifabricatului cu imaginile de la microscopul electronic este prezentata mai jos:

Fig. 6.1 (A) Schema fotodiodei p-i-n pe baza de Si, coaxiale din nanofire (pe dreapta se arata
diagrama fazica al Si-Au, pe baza cărei prin metoda de vapor-lichid-cristal a fost crescuta fibra
centrala a cablului; (b-c) imagini de microscopie electronica, cu mărire diferita de care arată că
monocristalina este doara fibra centrala. Scăra: (b) corespunde la 1 μm, jos - 100 nm, și în figura
7 (c) - 5 nm

16
 Fig. 6.2 Procesul de fabricație a fotodiodei nanofiliare PIN, folosind
litografia electronica și decapare selectivă : (a) schema, (b) imaginea unui produs
real într-un microscop electronic de scanare. Scara (de la stânga la dreapta) 100
nm, 200 nm și 1,5 μm, respectiv.

Fig 6.3 Parametrii fotodiodelor p-i-n pe baza heterostructurilor InP -

InGaAsP

17
 7 Utilizarea Fotodiodelor PIN:
a) Telecommunicatii prin fibra optica.
- structura: InP-InGaAs
- lungimile de unde receptionate:: l1 = 1.3 micrometri, l2 = 1.55 micrometri
Deasemeni PIN-ul poate fi utilizat în plăcile de rețea și switch-uri pentru cabluri
de fibră optică. În aceste aplicații, pin-fotodioda este folosit ca o fotodiodă simpla.

b) Telemetrie. Comunicatii optice prin atmosfera.

- structura: InP-Inx1 Ga1-x1Asy1 P1-y1 - Inx2 Ga1-x2 Asy2 P1-y2
- lungimea de unda detectata: l=1.06 micrometri.
- fotosensibilitatea: selectiva (delta l=100nm
c) Optoelectronica functionala.
- structura: InP - InGaAs - InGaAsP
- intervalul de lungimi de unda receptionate: 0.9 - 1.65micrometri
- fotosensibilitatea: dirijata (modulata) prin intermediul tensiunei de alimentare.

8 Bibliografie
1. Sorin Constantin Zamfira – Optoelectronica. (versiunea PDF din internet)
p103
2. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и
ближний инфра- красный диапазоны спектра / Под ред. В. И. Стафеева. —
М.: Радио и связь. 1984. — С. 57–65, С. 130–140.
3 . http://www.nanonewsnet.ru/articles/2008/nanoprovolochnaya-
gelioenergetika
4 . http://www.wikipedia.org
5. http://sales.hamamatsu.com/assets/html/ssd/si-photodiode/index.htm
6. Wilson J., Hawkes J.F.B. , Optoelectronics

18
 Anexa:

Exemplu de dioda PIN comercial disponibila:

BPW34, BPW34S – produsa de Vishay Semiconductor

BPW34 este o fotodiodă PIN de viteză mare și sensitivitate
radiantă fabricat in în miniatură, construcție plană, de sus,
case din plastic transparent . Este sensibila la radiații
infraroșii și vizibile în apropiere.

Fig 7.1 Parametri de lucru

Fig 7.2 Parametri de baza

19