LUCRAREA NR.

3
___________________________________________________________39

CONVERTOARE FOTON-ELECTRON

3.1 Scopul lucrării

Scopul acestei lucrări este determinarea caracteristicilor
curent/tensiune, investigarea evoluţiei curentului de scurtcircuit, I SC şi a
tensiunii în circuit deschis, VOC, funcţie de puterea incidentă pe suprafaţa
activă a fotodiodei, precum şi analiza unor scheme recomandate pentru
studiul regimurilor de fotodetectie fotovoltaic şi fotoconductiv cu
funcţionare în impulsuri.

3.2 Introducere teoretică

Fotodiodele sunt senzori de radiaţie optică şi sunt realizate pe baza
semiconductoarelor. Fotodiodele generează curent sau tensiune, când
joncţiunea semiconductoare P-N este iradiată. În Fig. 3-1 se prezintă o
secţiune transversală printr-o fotodiodă. Materialul din stratul P de la
 LUCRAREA NR.3
40_______________________________________________________________________
suprafaţa activă şi materialul din stratul N din substrat, formează joncţiunea
PN care funcţionează ca un convertor fotoelectric. Caracteristicile
joncţiunilor PN sunt bine cunoscute. Spre deosebire de joncţiunile PN
uzuale joncţiunile fotodiodelor au stratul superior, „P”, foarte subţire.
Grosimea acestuia este impusă de lungimea de undă a radiaţiei de detectat.
În vecinătatea joncţiunii PN siliciul devine golit de sarcini electrice.
Adâncimea zonei de sarcină spaţială poate fi modificată dacă se modifică
tensiunea inversă de polarizare aplicată pe joncţiune. Stratul de golire este
important pentru performanţele fotodiodei deoarece acesta contribuie în
mare măsură la obţinerea sensibilităţii la radiaţie.
Uzual, stratul P al (-) (+)
fotodiodei din Si este format
prin difuzia selectivă a borului,
într-o grosime de aproximativ Lungimi de Contact
undă scurte metalizare
1m sau mai puţin. Prin
Lungimi de
controlul grosimii stratului P, a undă lungi
substratului de tip N şi a
Strat AR
stratului inferior N+, precum şi SiO2
a concentraţiei dopării pot fi P+ Strat de Substrat N+
controlate răspunsul spectral şi golire tip N

viteza de răspuns. Fig. 3-1. Secţiune transversală printr-o fotodiodă

Dacă energia fasciculului fotonic incident pe suprafaţa activă a

fotodiodei este mai mare decât energia benzii interzise, Eg, electronii
suportă tranziţia în banda de conducţie, lăsând goluri în locul lor, în banda
STRATUL
DE GOLIRE
de valenţă (Fig. 3-2).
Aceste perechi electron-
STRATUL STRATUL
P N gol pot apărea peste tot în
-
BANDA DE materialele stratului P, a
- -
- - CONDUCŢIE
hν1
+ +
hν2 +
+ BANDA DE
VALENŢĂ
LUMINA
INCIDENTĂ

Fig. 3-2. Starea joncţiunii P-N a fotodiodei.

LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________41
zonei de sarcină spaţială şi a stratului N. În regiunea de sarcină spaţială,
câmpul electric accelerează elec-tronii spre stratul N şi golurile spre stratul
P. Electronii din perechile electron-gol generate în stratul N, împreună cu
electronii care au sosit din stratul P, se deplasează în stratul N în banda de
conducţie. În acest timp, golurile sunt difuzate prin stratul N până în zona de
sarcină spaţială, unde sunt supuşi accelerării şi apoi sunt colectaţi în banda
de valenţă a stratului P. În acest mod, perechile electron-gol care sunt
generate proporţional cu puterea radiaţiei incidente, sunt colectate în
straturile N şi P rezultând sarcini pozitive în stratul P şi sarcini negative în
stratul N. Dacă între straturile P şi N se conectează un circuit exterior,
electronii vor migra din stratul N şi golurile din stratul P înspre electrozii
opuşi, respectivi. Aceşti electroni şi aceste goluri, care generează un curent
într-un semiconductor, sunt numiţi purtători.
În Fig. 3-3 este dat circuitul echivalent al unei fotodiode unde:

IL ID I0
I’ RS S
A
R RL
Rsh V0 C
Cj I
VD N
A

Fig. 3-3. Circuitul echivalent ale fotodiodei.

IL este curentul fotogenerat (proporţional cu puterea radiaţiei

incidente);
ID – curentul de întuneric prin fotodiodă;
Cj – capacitatea joncţiunii;
Rsh – rezistenţa shunt;
I - curentul prin rezistenţa shunt;
VD – tensiunea pe diodă;
I0 – curentul de ieşire;
 LUCRAREA NR.3
42_______________________________________________________________________
V0 – tensiunea de ieşire.
Pe baza circuitului echivalent al fotodiodei curentul de ieşire I0 este
dat de relaţia următoare:
 qV 
I 0  I L  I D  I'  I L  I S  exp D  1  I' (3.1)
 kT 
unde IS este curentul de saturaţie al fotodiodei;
q – sarcina electronului;
k – constanta lui Boltzmann;
T – temperatura absolută a fotodiodei.
Tensiunea în circuit deschis V0C este tensiunea de ieşire când I 0 este
egal cu zero. Astfel, V0C devine

kT  I L  I ' 
V0C  ln  1 (3.2)
q  IS 
Fotodioda alimentată direct, în condiţii de întuneric, prezintă
caracteristici similare unei diode redresoare convenţionale, aşa cum se poate
observa în Fig. 3-4. Când fotodioda este iluminată, caracteristica se
deplasează din poziţia (1) în poziţia (2) şi crescând puterea incidentă,
caracteristica se deplasează în poziţia (3). Deplasarea caracteristicii este
dependentă de intensitatea radiaţiei incidente.
Curentul

Lumină

ISC
Curentul de
saturaţie

0 Tensiunea
V0C V0C
1
ISC +
Lumină
2 ISC
3 V0C
Nivelul de
lumină (în
creştere)

Fig. 3-4. Caracteristicile curent-tensiune.

LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________43
Dacă în condiţiile caracteristicilor (2) şi (3) se scurtcircuitează
terminalele fotodiodei, un fotocurent ISC care este proporţional cu
intensitatea fasciculului fotonic, va circula de la anod la catod. Curentul de
scurtcircuit este curentul (de ieşire) care circulă când rezistenţa de sarcină
este zero şi este aproximativ proporţional cu suprafaţa activă a
dispozitivului. ISC este extrem de linear în raport cu nivelul puterii radiaţiei
incidente. Când puterea radiaţiei incidente variază între 10-12 şi 10-2 W,
gama de liniaritate disponibilă depăşeşte nouă ordine de mărime, depinzând
de tipul de fotodiodă.
Tensiunea în circuit deschis este generată cu polaritatea pozitivă la
anod, V0C şi V’0C.
Rezistenţa shunt, Rsh, se determină cu relaţia următoare:
10 mV 
Rsh    (3.3)
I D [ mA ]

Pentru aceste determinări, „zona zero” a caracteristicii (1) din

Fig. 3-4 se măreşte, aşa cum se poate observa din Fig. 3-5. În domeniul
valorilor tensiunii +10 mV ... –10 mV, curentul de întuneric ID este
aproximativ liniar. Panta în această regiune indică valoarea Rsh şi această
rezistenţă determină curentul de zgomot de întuneric. Ca şi în cazul altor
tipuri de senzori fotonici cu fotodetectoare, limitele inferioare ale puterii
radiaţiei fotodetectate, sunt determinate de nivelul zgomotului
dispozitivului. Zgomotul intern al fotodiodei este dat de relaţia următoare:
Curentul de
întuneric

-10 -5 0 5 1
Tensiunea

ID

Fig. 3-5. Curentul de întuneric func

tensiune (regiunea zero-mărită)
 LUCRAREA NR.3
44_______________________________________________________________________
i n  i 2j  i SD
2
 i SL
2
 A (3.4)
unde ij este zgomotul termal (zgomotul Jhonson) al unui rezistor echivalent
cu Rsh ;
iSD – curentul de zgomot shot;
iSL – zgomotul curentului de întuneric şi al fotocurentului generat.
Curentul ij fiind considerat ca zgomotul termal al rezistenţei R sh se
calculează cu relaţia următoare:
4kTB
ij   A (3.5)
Rsh

unde k este constanta lui Boltzmann;

T – temperatura absolută a dispozitivului;
B – lărgimea benzii de frecvenţă de zgomot.
Când fotodioda este polarizată invers, prin aceasta circulă un curent
de întuneric. Zgomotul shot iSD care are originea în curentul de întuneric este
dat de relaţia (3.6).
i SD  2 qI D B  A (3.6)
unde q este sarcina electronului;
ID – curentul de întuneric;
B – lărgimea benzii de frecvenţă de zgomot.
Când suprafaţa activă a fotodiodei este iradiată cu un fascicul
fotonic, prin fotodiodă se stabileşte un fotocurent IL, astfel încât iSL este dat
de relaţia (3.7).
i SL  2qI L B  A (3.7)
Puterea echivalentă de zgomot – NEP-(Noise Equivalent Power),
este puterea radiaţiei fotonice, incidentă pe suprafaţa activă a dispozitivului,
care determină la ieşire un semnal egal cu nivelul zgomotului (raportul
semnal/zgomot = 1). Deoarece nivelul zgomotului este proporţional cu
LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________45
rădăcina de ordinul doi din banda de frecvenţă, NEP este măsurată la
lărgimea de bandă egală cu 1 Hz.

 
curentul de zgomot  A 1 
   Hz 2 
NEP W 1   (3.8)
 Hz 2  fotosensibiliatea la  p AW  
Fotocurentul produs de un nivel dat al luminii incidente variază cu
lungimea de undă. Relaţia între sensibilitatea fotoelectrică şi lungimea de
undă este cunoscută ca fiind caracteristica răspunsului spectral şi este
exprimată în termeni ca fotosensibilitatea, eficienţa cuantică, etc.
Responsivitatea – R, este raportul între fotocurentul rezultat
exprimat în amperi [A] şi puterea incidentă pe suprafaţa activă a fotodiodei,
exprimată în watt [W]. Ea poate fi reprezentată atât ca sensibilitate absolută
[A/W], cât şi ca sensibilitate relativă normalizată pentru sensibilitatea la
lungimea de undă de vârf, uzual exprimată în procente [%].

R
If
P
 AW  (3.9)

Eficienţa cuantică, QE este numărul de electroni sau goluri care

poate fi detectat ca un fotocurent, raportat la numărul fotonilor incidenţi şi
se exprimă, uzual, în procente. Eficienţa cuantică şi fotosensibilitatea
respectă următoarea relaţie la o lungime de undă dată în nm:
hc R  1240
QE  R   100 % (3.10)
 
unde R este responsivitatea la o lungime de undă dată în nm.
La nivelul joncţiunii PN a fotodiodei se formează un capacitor.
Valoarea capacităţii joncţiunii este factorul determinant al vitezei de răspuns
a fotodiodei. Când se foloseşte un amplificator operaţional, capacitatea
joncţiunii determină creşterea câştigului de conversie.
 LUCRAREA NR.3
46_______________________________________________________________________
Timpul de creştere tr şi timpul de cădere tf sunt definiţi ca fiind
timpii corespunzători creşterii semnalului de la 10% la 90% şi respectiv
scăderii semnalului de la 90% la 10% din valoarea finală a semnalului.
Acest parametru poate fi exprimat ca răspuns în frecvenţă, care este
frecvenţa la care semnalul de ieşire al fotodiodei scade cu 3 dB, în raport cu
semnalul de ieşire la 100 kHz şi se exprimă aproximativ astfel:
0 ,35
tr  (3.11)
f 3dB

Timpul de răspuns al unei fotodiode este definit de următorii trei

factori:
1. tDRIFT – timpul de colectare a purtătorilor din zona de sarcină
spaţială;
2. tDiF – timpul de colectare a purtătorilor în regiunea negolită a
fotodiodei;
3. tRC – constanta de timp a combinaţiei fotodiodă-circuit.
Constanta de timp tRC se determină cu binecunoscuta relaţie:
tRC=2,2 RC (3.12)
unde R este suma rezistenţei echivalente serie a fotodiodei Rs şi a rezistenţei
de sarcină RL şi C este suma capacităţilor joncţiunii şi a celei parazite:
R=Rs + RL şi C=Cj + Cp
Timpul total de creştere este dat de relaţia (3.13):
tR  2
t DRiFT  t DiF
2
 t RC
2
(3.13)
Tensiunea inversă maximă - VR max este valoarea tensiunii inverse,
care aplicată unei fotodiode, iniţiază străpungerea, fenomen ce produce
deteriorări severe ale performanţelor dispozitivului. Prin urmare, trebuie
specificată şi respectată valoarea maximă a tensiunii inverse, ca fiind
tensiunea cu puţin mai mică decât valoarea tensiunii inverse care produce
 LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________47
străpungerea. Valoarea tensiunii inverse maximă nu va fi depăşită nici chiar
instantaneu.

Tabelul 3-1. – Câteva constante numerice si valori tipice

Constanta Simbol Valoarea Unitatea
-19
Sarcina electronului e sau q 1,602 x 10 C
Viteza luminii în vid c 2,998 x 108 m/s
Constanta lui Planck h 6,626 x 10-34 JS
-23
Constanta lui Boltzmann k 1,381 x 10 J/ K
Energia termală la temperatura kT(T=300K) 0,0259 eV
camerei
1eV-energie eV 1,602 x 10-19 J
Lungimea de undă în vid - 1240 nm
corespunzătoare la 1 eV
Energia benzii interzise la Si Eg 1,12 eV
Energia benzii interzise la Ge Eg 0.66 eV

3.3 Desfăşurarea lucrării

ATENTIE!
 Nu staţionaţi şi nu priviţi direct (în) fasciculul laser. Acesta poate provoca
pete pe retină.Vezi Anexa „Reguli de protecţie antilaser”.
 Feriţi-vă de lumina laser reflectată.
 Conectaţi tensiunea la dioda laser cu polaritatea corespunzătoare.
 Nu depăşiţi tensiunea de alimentare a diodei laser, respectiv 4,5V, în scopul
evitării distrugerii.

3.3.1. Regimul fotovoltaic (regimul celulă/baterie solară)

3.3.1.1 Măsurarea tensiunii în diverse condiţii de iluminare
Se foloseşte multimetrul digital care se conectează la terminalele
fotodiodei conform schemei de principiu din Fig. 3-6.

+
Fascicul A
fotonic

C
-
Modulul fotodiodă METEr
DIGITALVOLTMETER

Fig. 3-6. Schema de principiu pentru măsurarea tensiunii fotogenerate.

 LUCRAREA NR.3
48_______________________________________________________________________
Se măsoară tensiunea fotogenerată, VAC, în condiţiile de iluminare
din tabelul 3-2, se completează cu datele obţinute şi se trag concluzii.

Tabelul 3-2.- Tensiunea fotogenerată în condiţii diferite de iluminare

Condiţia/ Radiatia Pe masă la LED roşu LASER

VAC solară lumina camerei la distanta de 1 cm Pointer
P< 5mW
VAC [mV]

3.3.1.2 Măsurarea fotocurentului de scurtcircuit, I SC şi a tensiunii în

circuit deschis, VOC
Pe placa de bază se montează pe câte un suport, modulul fotodiodă
şi respectiv laserul „POINTER”, conform schemei montajului din Fig 3-7.
Se aliniază sistemul LASER-FOTODIODĂ, astfel încât secţiunea
transversală a fasciculului laser, să fie cuprinsă, în totalitate, în suprafaţa
activă a fotodiodei. În acest scop, se foloseşte hârtia semitransparentă.
Modificarea puterii incidente pe suprafaţa activă a fotodiodei se obţine
montând în capacul de protecţie al laserului, pe rând, diafragmele D1... D5,
conform tabelului 3-3.
LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________49
Diafragma
Laser calibrată
POINTER Tabelul 3-3. – Dependenţa ISC şi V0C de puterea laser. A
Cap
>5mW
Diafragma D1 D2 D3 D4 D5
protecţie
Puterea Laser [W] 50 100 250 500 1.000
ISC [mA] Fascicul mA
V0C [mV] LASER C
Suport Modulul
fotodiodă Suport
Pentru
reglabil fiecare valoare a puterii laser, se completeazăreglabil
tabelul 3-3 cu
valorile măsurate ale ISC şi V0C.
Cu datele din tabelul 3-3 se trasează graficele de evoluţie a
curentului ISC şi respectiv a tensiunii V0C funcţie de puterea laser şi se trag
concluzii.
Fig. 3-7. Schema montajului LASER POINTER-FOTODIODĂ.
 LUCRAREA NR.3
50_______________________________________________________________________

GENERATOR OSCILOSCOP
TEKTRONIX TM 515

+5V TRIG
OUTPUT TRIG OUT
AMPLITUDE
CH1 CH2 EXT

MODUL
LED a)
MODUL
FOTODIODĂ

VTRIG

t
VCH1

t
VPD
0,9
VPD
0,1VP
t
D tr
b)
Fig. 3-8. Schema de principiu a fotodetectorului fotovoltaic de impulsuri
pozitive a) şi formele de undă b).
LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________51
3.3.1.3 Funcţionarea fotodiodei în regim fotovoltaic
Se realizează montajul conform schemei de principiu dată în
Fig. 3-8 astfel încât impulsurile de comandă ale modulului LED să poată fi
vizualizate pe canalul CH1 al osciloscopului. În acest scop se foloseşte
secţiunea „Generator de impulsuri” a aparatului TEK 515.
Se stabileşte din potenţiometrul „+ 5V < 5V” amplitudinea de
5 +/- 0.25V a impulsurilor pe CH1 şi cu comutatorul „Duration/Period” se
stabilesc durata de 50 +/- 2s şi respectiv perioada de 10 +/-2ms. Se dispun
modulele FOTODIODA şi LED faţă în faţă şi se vizualizează pe canalul
CH2 al osciloscopului, impulsurile fotodetectate. Se sincronizează
desfăşurarea pe orizontală, în regimul „EXT TRIG” din potenţiometrul
„LEVEL” al osciloscopului.
Se desenează formele de undă de pe cele două canale ale
osciloscopului, se măsoară timpul de creştere, tr, se calculează f3dB, cu relaţia
(3.11) si se compara cu valoarea obţinută experimental, la punctul 3.3.2.4.
Se modifică durata impulsurilor VCH1 şi se observă evoluţia formei de undă
a impulsului fotodetectat.

3.3.2 Regimul fotoconductiv

3.3.2.1 Trasarea caracteristicilor curent – tensiune ale fotodiodei
Se folosesc laserul, modulul fotodiodă, sursa de alimentare TEK
TM 515 şi conductoare de conexiune.
Se alimentează fotodioda PD, de la sursa CC - TEK TM 515, ca în
schemele de principiu din Fig. 3-9. Tensiunile +V şi VRs se măsoară cu
multimetrul digital.
 LUCRAREA NR.3
52_______________________________________________________________________

TEK TEK
+V
+V
Id -Id
+
FD
A C
Vd 1 6
-Vd PD 2
RL
7
PD 1K

C A 5 4 12 8 9 Cc 0
1
3 RS 0,1
C 1,2k 
Rs Rs 0,1f  11
VR VR  VOU
1.2k VE VE
1.2k VE VE
T

 

a) b) c)

Fig.3- 9 Măsurarea caracteristicilor curent-tensiune - scheme de principiu:

pentru măsurarea Vd şi Id;
pentru măsurarea -Vd şi -Id;
dispunerea elementelor de circuit în modulul fotodiodă.

Se obturează cu capacul de blocare fotodioda din modul, se

cuplează tensiunea şi se reglează tensiunea de alimentare +V, conform
valorilor din tabelul 3-4.
Se completează tabelul 3-4 cu valorile măsurate ale VRs.

Tabelul 3-4. – Caracteristica de întuneric Id/Vd \ (Pin=0)

+V [V] 0,3 0,5 0,7 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Cu ajutorul diafragmei calibrate D1 se stabileşte puterea laser

Plaser1= 50µW. Pentru aceasta, se scoate capacul de protecţie al laserului, se
montează diafragma D1. Se aliniază sistemul laser-fotodiodă cu ajutorul
şuruburilor din suporţi şi se cuplează tensiunea de alimentare. Se măsoară
LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________53
tensiunea pe rezistenţa de sarcină, VRs[mV] pentru diferite tensiuni de
alimentare +V, conform valorilor din tabelului 3-5 şi se înscriu în tabel.
Se demontează diafragma D1, se montează diafragma D5
corespunzătoare puterii laser Plaser5 = 1mW. Se reia alinierea sistemului,
astfel încât secţiunea transversală a fasciculului laser să fie în totalitate
cuprinsă în suprafaţa activă a fotodiodei. Se măsoară, în aceste condiţii,
tensiunea VRs, pentru diferite valori ale +V [V] şi se completează
tabelul 3-6.
Se calculează tensiunea pe fotodiodă cu relaţia V d = +V - VRs şi
curentul prin PD, cu relatia Id = VRs/ Rs pentru cele trei tabele 3-4, 3-5 şi 3-6.
Pe acelaşi grafic se vor trasa cele trei caracteristici I d [mA] - Vd[mV]
rezultate din cele trei tabele şi se vor trage concluzii.

Tabelul 3-5. – Caracteristica Id/Vd pentru Plaser1= 50µW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Tabelul 3-6.– Caracteristica Id/Vd pentru Plaser5 = 1mW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Pentru obţinerea caracteristicilor inverse, Id[mA]/-Vd[mV], se

inversează polaritatea tensiunii de alimentare a fotodiodei, astfel ca VC >VA,
conform Fig. 3-9b. În acest scop, firul de la anod se scoate şi se introduce la
catod iar cel de la catod se scoate şi se introduce la anodul fotodiodei.
 LUCRAREA NR.3
54_______________________________________________________________________
Se completează tabelele 3-7 ... 3-11 cu datele pentru cele cinci
valori ale puterii laser, corespunzătoare celor cinci diafragme calibrate.
După montarea fiecărei diafragme se reia alinierea sistemului.

Tabelul 3-7. – Caracteristica -Id/-Vd pentru Plaser5 = 1mW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Tabelul 3-8. – Caracteristica -Id/-Vd pentru Plaser1 = 50µW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Tabelul 3-9. – Caracteristica -Id/-Vd pentru Plaser2= 100µW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Tabelul 3-10. – Caracteristica -Id/-Vd pentru Plaser3 = 250µW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Tabelul 3-11. – Caracteristica -Id/-Vd pentru Plaser4= 500µW.

+V [V] 0,3 0,5 0,7 0,8 1 1,5 3,5 8 10
VRs[mV]
Vd [V]
Id [mA]

Cu datele calculate, corespunzătoare celor cinci valori ale puterii

laser- Plaser1 = 50µW, Plaser2 = 100µW, Plaser3 = 250µW, Plaser4 = 500µW şi Plaser1
LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________55
= 1mW - din tabelele 3-7....3-11, se trasează caracteristicile inverse -I d/-Vd
ale fotodiodei şi se trag concluzii.

3.3.2.2 Determinarea responsivităţii şi a eficientei cuantice ale fotodiodei

Se calculează responsivitatea şi eficienţa cuantică ale fotodiodei cu
relaţiile (3.9) şi respectiv (3.10), în punctele V d =8V, pentru cele cinci valori
ale puterii laser. Rezultatele se trec în tabelul 3-15 şi se trag concluzii.

Tabelul 3-12. – Calculul responsivităţii monocromatice şi a eficienţei

cuantice.
Plaser 50µW 100µW 250µW 500µW 1000µW
R[A/W]
QE [%]

3.3.2.3 Măsurarea benzii de frecvenţă fBW a fotodetectorului

Se presupune o comportare aproape ideală în frecvenţa a LED-ului utilizat
în acest scop. Modulele LED şi PD se montează în suport pe placa de bază
nu mai departe de 5 cm unul de altul şi se realizează montajul cu schema de
principiu dată în Fig. 3-10.
Se alimentează modulul LED de la ieşirea sinusoidală a
generatorului de funcţii Tektronix, cu tensiune de la 5+/-0.25VVV şi
modulul PD cu +15+/-0.5V, ca în Fig 3-10. Cu osciloscopul se vizualizează
tensiunea Vout, la ieşirea modulului PD. Se modifică frecvenţa tensiunii de
comandă a modulului LED, menţinând amplitudinea constantă. Se măsoară
frecvenţa la care amplitudinea tensiunii Vout scade cu 3 dB. Aceasta este
frecvenţa maximă de funcţionare a fotodetectorului. Se compară frecvenţa
măsurată cu valoarea obţinută prin calcul cu relaţia (3.11) şi se trag
concluzii.
 LUCRAREA NR.3
56_______________________________________________________________________
V

5V t

+
Rlim Modulul
180 fotodiodă
Cf
Modulul LED 100n
Vout

Rs Cc
1.2k 100n

Fig. 3-10. Schema de principiu a Modulului LED si PD cuplate optic.

3.3.2.4 Studiul funcţionării fotodiodei în regim fotoconductiv

Se realizează montajul conform schemei de principiu dată în
Fig. 3-11 astfel încât impulsurile de comandă ale modulului LED să poată fi
vizualizate pe canalul CH1 al osciloscopului. În acest scop se foloseşte
secţiunea „Generator de impulsuri” a aparatului TEK 515. Se stabileşte din
potenţiometrul „+ 5V < 5V” amplitudinea de 5 +/- 0.25V a impulsurilor pe
CH1 şi cu comutatorul „Duration/Period” se stabilesc durata de 50 +/- 2s şi
respectiv perioada de repetiţie a impulsurilor se 10+/-2 ms. Se sincronizează
desfăşurarea pe orizontală, în regimul „EXT TRIG” din potenţiometrul
„LEVEL” al osciloscopului. Se aliniază modulele PD şi LED şi se
vizualizează pe canalul CH2 al osciloscopului, impulsurile fotodetectate.
Se desenează formele de undă de pe cele două canale ale
osciloscopului, se măsoară timpul de creştere, tr. Se modifică durata
LUCRAREA NR.3
___________________________________________________________57
impulsurilor VCH1 şi se observă evoluţia formei de undă a impulsului
fotodetectat.
TEKTRONIX TM 515 OSCILOSCOP

V N R TRIG
OUT TRIG CH1 CH2 EXT

RLim

Cf
100 nF

Rs
1,2 k a

VCH1

t
VPD
0,9 VPD

0,1 VPD
t
tr
b

Fig. 3-11. Schema de principiu a fotodetectorului fotoconductiv de impulsuri pozitive (a) şi

formele de undă (b).

Se modifică durata impulsului VCH1 şi se observă evoluţia formei de

undă a impulsului fotodetectat, VPD. Se vor compara regimurile de
funcţionare a fotodiodei „fotovoltaic” şi „fotoconductiv” în primul rând din
punct de vedere al vitezei de răspuns.

3.4 Conţinutul referatului

 scopul lucrării;
 valorile măsurate şi valorile calculate (Tabelele 3-1...3-12);
 LUCRAREA NR.3
58_______________________________________________________________________
 reprezentarea grafică a evoluţiei ISC şi VOC funcţie de puterea
de iluminare;
 reprezentarea caracteristicilor directe şi inverse curent /
tensiune ale fotodiodei;
 calculul frecventei maxime f3dB în cele două regimuri
(fotovoltaic şi fotoconductiv);
 calculul responsivităţii şi al eficientei cuantice;
 reprezentarea formelor de undă pentru regimurile de
funcţionare fotovoltaic şi fotoconductiv;
 compararea rezultatelor obţinute prin calcul cu cele
experimentale;

3.5 Întrebări
1. Care este durata de viaţă a fotodiodelor din siliciu?
2. Responsivitatea fotodiodelor poate suferi modificări în timp?
3. Care este diferenţa între modurile fotoconductiv (FC) şi fotovoltaic (FV)?
4. Ce se poate întâmpla dacă din greşeală se polarizează indirect
fotodioda?
5. De ce la unele dispozitive se specifică curentul de întuneric şi la altele
rezistenţa de shunt?