Sunteți pe pagina 1din 14

STUDIUL FOTOREZISTORULUI

Fotorezistorul sau l LDR(light dependent resistor) este un dispozitiv semiconductor a cărui rezistenţă electrică
se modifică sub acţiunea radiaţiei electromagnetice incidente. El poate fi construit din semiconductor intrinsec
sau extrinsec şi funcţionează pe baza fenomenului de generare optică ce duce, aşa cum s-a văzut, la modificarea
conductivităţii materialului şi deci a rezistenţei sale. Structura unui astfel de dispozitiv este prezentată în figura
1.1.


Elect rod transparent
V Semiconductor
Elect rod opac

Fig. 1. 1 – Structura unui fotorezistor

În scurtcircuit, iluminat cu o radiaţie incidentă având fluxul , fotorezistorul este străbătut de un curent:
Isc = eAa (1. 0)

unde A este aria suprafeţei fotorezistorului,


 randamentul cuantic,
 fluxul de radiaţie incidentă. şi
a coeficientul de amplificare al fotorezistorului.

Acesta din urmă ( a ) , se defineşte ca raportul dintre numărul purtătorilor de sarcină electrică liberi din
circuitul exterior şi cel al purtătorilor generaţi de radiaţie sau ca raportul dintre timpul de viaţă, , al purtătorilor
(majoritari) şi timpul de tranzit, tT al acestora între electrozii fotorezistorului:

 V
 2
a= tT  (1. 0)
unde ℓ este distanţa dintre electrozi şi V este diferenţa de potenţial dintre aceştia.
Pentru cazul când radiaţia incidentă este modulată, curentul de scurtcircuit este dat de relaţia:

I sc ( 0 )
I sc ( ν )=
√ 1+4 π 2 ν 2 τ 2 (1. 0)

unde  este frecvenţa de modulare.


Frecvenţa 0 = 1/2 , la care curentul de scurtcircuit scade de 2 ori din valoarea Isc(0) reprezintă
frecvenţa de tăiere a fotorezistorului.
Se poate constata că produsul 0 este o constantă a dispozitivului pentru o tensiune de polarizare dată,
ceea ce înseamnă că, la creşterea coeficientului de amplificare, scade frecvenţa de tăiere şi invers.
O caracteristică foarte importantă a unui fotorezistor este curba spectrală de răspuns, R = în R(),
funcţie de care se stabileşte domeniul de utilizare a dispozitivului respectiv.
De asemenea, raportul 0 este o mărime caracteristică ce ne arată sensibilitatea dispozitivului la acţiunea
radiaţiei incidente.
Rezistența fotorezistorului poate varia in funcție de materialul folosit, dar în general forma curbei de
variatie are cam aceeași alură (vezi Fig.1.2.)
Fig.1.2.Caracteristica rezistență/intensitatea luminii la fotorezistori

Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt sulfurile, selenurile şi telurile
unor elemente, ca şi compuşi de tipul A3B5; astfel, ,
pentru vizibil şi ultravioletul apropiat, cele mai utilizate materiale sunt: CdS, CdSe, Tl2S
iar pentru infraroşu: PbS, PbSe, PbTe, InSb.
Aplicaţia de bază a fotorezistorilor este cea de convertor optoelectric.
STUDIUL FOTODIODEI

Sub acţiunea radiaţiei electromagnetice incidente, în semiconductor are loc generarea unor
purtători de neechilibru care, într-o joncţiune p-n determină apariţia unui curent suplimentar faţă
de curentul de polarizare, numit fotocurent, de intensitate IL, dată de o expresie de forma:
e
I L = h (2. 1)
unde e este sarcina electrică elementară,  eficienţa cuantică (numărul de purtători generaţi de un
foton absorbit), h  constanta Planck,   fluxul radiaţiei incidente şi  frecvenţa acesteia, mai
mare sau cel puţin egală cu frecvenţa de prag.
În aceste condiţii, curentul electric total prin diodă are expresia:
eV
( ) kT
I=I s⋅ e −1 − I L (2. 2)
Se poate constata că, în scurtcircuit (fără polarizare exterioară, V = 0), prin diodă circulă un
curent egal cu fotocurentul, I =  IL. Un astfel de dispozitiv, posedând o joncţiune p - n sensibilă la
radiaţia electromagnetică, se numeşte fotodiodă.
De obicei, fotodioda se foloseşte în circuite electronice ca traductor optic, permiţând comanda
curentului electric din circuit prin intermediul unui flux luminos, aşa cum se poate vedea în figura
2.1.a. Ea se mai poate folosi şi în circuite de măsurare a mărimilor fotometrice (fotometre, luxmetre,
exponometre), caz în care la bornele fotodiodei se leagă un galvanometru (figura 2.1.b) ce măsoară
direct fotocurentul proporţional cu fluxul incident şi, deci cu iluminarea. Puterea debitată de o
fotodiodă este mică.

Fig. 2. 1 – Scheme de utilizare a fotodiodei: a) traductor optic


b)detector pentru măsurarea unor mărimi fotometrice

Dacă joncţiunea fotosensibilă este în circuit deschis (I = 0), atunci se constată că, sub
acţiunea radiaţiei electromagnetice, la bornele acesteia apare o tensiune electromotoare, VL, având
expresia:
kT I
V L=
e ( )
⋅ 1+ L
Is
(2. 3)
În acest caz, dispozitivul se numeşte fotoelement, celulă fotovoltaică sau celulă solară,
reprezentând o sursă de tensiune electromotoare ce converteşte direct energia luminoasă în energie
electrică. Pentru o eficienţă cât mai mare, fotoelementele trebuie să aibă o suprafaţă de recepţie a
luminii cât mai mare (mult mai mare decât cea a unei fotodiode). Puterea debitată în mod obişnuit
de un fotoelement este de ordinul a 10-2 W iar randamentul de conversie (raportul dintre puterea
electrică disipată şi fluxul energetic incident) atinge 21% utilizând GaAs, 18% utilizând Si şi 10 %
pentru CdS.
Caracteristica curent-tensiune a unei joncţiuni p – n fotosensibile este reprezentată în figura
2.2, la diferite valori ale fluxului radiaţiei incidente. La valoarea  = 0, caracteristica este cea a unei
diode semiconductoare obişnuite. Cum sensul fotocurentului I L este invers curentului de difuzie
caracteristic unei diode polarizate direct, curentul invers prin fotodiodă creşte odată cu creşterea
fluxului radiaţiei incidente. Cadranul III corespunde regimului de fotodiodă, reprezentând
funcţionarea dispozitivului la polarizare inversă, în timp ce cadranul IV corespunde regimului de
fotoelement.

V
=0
1
 2 1

Fig. 2. 2 – Caracteristica curent-tensiune a unei joncţiuni p-n fotosensibile

Evident, atât fotodiodele cât şi fotoelementele trebuie construite în capsule transparente în


domeniul spectral al radiaţiei electromagnetice la care ele funcţionează. Construcţia trebuie să
asigure ca marea majoritate a fotonilor radiaţiei incidente să ajungă în regiunea joncţiunii p – n.
Caracteristicile primare ale unei fotodiode sunt răspunsul, curentul la întuneric şi banda de
trecere. Răspunsul este dat de raportul dintre fotocurentul IL şi puterea optică incidentă, P0.
Fotocurentul maxim într-o fotodiodă este date de:
e
P0
IL max = h (2. 4)
unde P0 este puterea optică incidentă.
Acest fotocurent maxim se obţine când fiecare foton incident creează o pereche electron-gol, care
contribuie la fotocurent. Fotocurentul în prezenţa unei reflecţii R la suprafaţa fotodiodei şi a unei
absorbţii pe grosimea d în materialul cu un coeficient de absorbţie  este dat de:
ePin
 1  R   1  ed 
IL = h (2.5)
Fotocurentul este redus şi mai mult dacă perechile electron-gol fotogenerate se recombină în
fotodiodă în loc să ajungă în regiunile unde aceşti purtători sunt majoritari.
Curentul la întuneric este curentul prin diodă în absenţa luminii. În mod evident, el limitează
puterea minimă detectată de fotodiodă, deoarece un fotocurent mult mai mic decât curentul de
întuneric este dificil de măsurat.
STUDIUL FOTOTRANZISTORULUI

Fototranzistorul este un dispozitiv asemănător cu tranzistorul bipolar, realizat din Si, Ge sau GaAs,
a cărui comandă se realizează pe cale optică, de către un flux luminos ce cade pe regiunea bazei.
Fototranzistorul funcţionează (de regulă) cu baza în gol şi este încapsulat într-o capsulă prevăzută
cu o fereastră care permite iluminarea bazei de către radiaţia incidentă.
Caracteristicile IC – VCE ale fototranzistorului sunt date în fig. 3.1. Curentul prin fototranzistor
creşte cu iluminarea, ca rezultat al generării de perechi electron-gol, ca urmare a energiei primite
din exterior.

Fig. 3. 1 . Caracteristica fototranzistorului

Curentul prin fototranzistor este dat de relația:


IE = ( IP+ IB)(β+1) (3.1)
Unde:
IP= curentul de bază generat de lumină
IB = curentul de bază extern
IE = curentul de emitor
β = câștigul de current al fototranzistorului
Aceste dispozitive au o sensibilitate mai mare, datorită amplificării, având însă un curent de
întuneric mult mai mare decât al unei fotodiode.
Circuitul echivalent al fototranzistorului este prezentat în figura 3.2. Așa cum se vede în figură
fototranzistorul poate fi înlocuit print-o fotodiodă și un transistor obișnuit.

Fig.3.2. Circuitul echivalent al fototranzistorului


STUDIUL DIODEI LUMINESCENTE (LED)

Dioda luminescentă (numită şi LED) are la baza funcţionării sale fenomenul de


electroluminescenţă, care constă în emiterea de radiaţie luminoasă sub acţiunea curentului
electric. Dispozitivul este deci o diodă semiconductoare în care joncţiunea p - n este polarizată
direct cu o tensiune suficientă pentru a excita electronii din banda de valenţă, astfel ca apoi, prin
tranziţia din banda de conducţie sau de pe nivelurile de impurităţi în banda de valenţă sau pe
nivelurile de impurităţi, să se producă fenomenul de recombinare radiativă. Este necesar ca aceasta
să se producă cu o probabilitate suficient de mare (în comparaţie cu recombinările neradiative)
pentru a se obţine un randament de conversie a energiei electrice în energie luminoasă suficient de
bun. Cele mai bune materiale semiconductoare, din acest punct de vedere, sunt cele compuse, de
tipul SiC şi de tipul III-V, cum sunt GaAs, GaP. Pentru ca radiaţia emisă să fie în domeniul vizibil,
este necesar ca diferenţa dintre nivelurile energetice între care ale loc tranziţia electronilor să fie
mai mare decât 1,7 eV. Lărgimea benzii interzise a GaAs este de 1,43 eV, ceea ce face ca radiaţia
emisă în acest caz să fie în domeniul infraroşu ( = 920 nm), în timp ce lărgimea benzii interzise a
GaP este de 2,1 eV, astfel încât radiaţia emisă este în domeniul vizibil, verde ( = 560 nm). Dacă se
realizează o soluţie solidă a celor două materiale, se pot obţine radiaţii de diferite culori, întrucât
lărgimea benzii interzise depinde de proporţia celor două materiale în soluţie. Câteva exemple sunt
date în tabelul 4.1.

Tabel 4.1 – Domeniul spectral de emisie al unor semiconductori


Semiconductor  (nm) Domeniu
spectral
GaAs 920 infraroşu
0,6GaAs - 0,4GaP 660 roşu
0,5GaAs - 0,5GaP 610 portocaliu
0,2GaAs - 0,8GaP 590 galben
GaP 560 verde

Deşi domeniul spectral în care emit diodele luminescente este îngust, lumina emisă nu este totuşi
monocromatică, lărgimea benzii emise fiind destul de mare. Parametrii electrici mai importanţi ai
diodelor luminescente sunt:
-tensiunea de deschidere a joncţiunii p-n polarizate direct (1,2 ÷ 3 V)
-curentul maxim (10 ÷ 50 mA)
-tensiunea inversă admisă (3 ÷ 10 V)
Pentru ca dioda să emită lumină, ea trebuie polarizată direct, prin înserierea unui rezistor de
limitare a curentului.
O diodă luminescentă este în esenţă o diodă tipică cu joncţiune p-n, realizată dintr-un
semiconductor cu bandă interzisă directă, de exemplu GaAs, în care recombinarea unei perechi
electron-gol are drept rezultat emisia unui foton. Energia fotonului emis, h, este aproximativ egală
cu energia corespunzătoare lărgimii benzii interzise, Eg
Fig. 4.1. Diagrama structurii benzilor energetice a unei joncţiuni p-n (zona n puternic dopată).
a) - joncţiune nepolarizată; b) - joncţiune polarizată direct

Figura 4.1.a) prezintă diagrama benzilor energetice pentru o joncţiune nepolarizată, în care zona n
este mai puternic dopată decât zona p. Nivelul Fermi, E F, este constant în toată joncţiunea, rezultat
al condiţiei de echilibru când joncţiunea nu este polarizată. Regiunea de sărăcire se extinde în
majoritate în zona p. Apare o barieră de potenţial, eV0, de la EC în zona n la EC în zona p, unde V0
este aşa-numitul potenţial de contact, determinat de câmpul electric intern al stratului de baraj.
Această barieră de potenţial împiedică difuzia electronilor din zona n în zona p.
Dacă se aplică o tensiune de polarizare directă, V, potenţialul de contact se reduce la V 0 – V, ceea ce
permite mai multor electroni din zona n să difuzeze în zona p, adică aceştia sunt injectaţi în zona p,
aşa cum se poate vedea în figura 4.1.b). Componenta injecţiei de goluri din zona p în zona n este
mult mai mică decât cea a injecţiei de electroni. Recombinarea electronilor injectaţi în regiunea de
sărăcire şi în interiorul unui volum ce se extinde pe o distanţă egală cu lungimea de difuzie a
electronilor în zona p are ca rezultat emisia fotonilor. Fenomenul de emisie a luminii din
recombinarea perechilor electron-gol ca rezultat al injecţiei purtătorilor minoritari se numeşte
electroluminescenţă de injecţie.

Tabel 4.2. Diferite materiale semiconductoare, lungimile de undă de emisie, randamente externe
tipice. (D = bandă interzisă directă, I = bandă interzisă indirectă)

Semiconductor Bandă λ(nm) ext Obs.


interzisă (%)
870 – infraroşu
GaAs D 10
900 (IR)
AlxGa1–xAs 640 – 3–
D roşu spre IR
(0< x < 0.4) 870 20
In1–xGaxAsyP1–y
1 – 1,6 LED-uri în
(y ≈2,20x, 0 < x < D > 10
µm comunicaţii
0,47)
430 –
460 1–2 albastru
Aliaje InGaN D
500 – 3–5 verde
530
InGaN/GaN 450 – albastru -
D >5
(Quantum Well) 530 verde
460 –
SiC I 0,02 albastru
470
590 – 1– galben,
In0,49AlxGa0,51–xP D
630 10 verde, roşu
630 –
GaAs1–yPy (y < 0,45) D <1 roşu - IR
870
roşu,
GaAs1–yPy (y > 0,45) 560 –
I <1 portocaliu,
(N or Zn, O doping 700
galben
GaP (Zn-O) I 700 2–3 roşu
GaP (N) I 565 <1 verde

Datorită naturii statistice a proceselor de recombinare dintre electroni şi goluri, fotonii sunt emişi în
direcţii aleatoare; ei rezultă din procese de emisie spontană. Structura unei LED trebuie să fie astfel
încât fotonii emişi să poată ieşi din dispozitiv fără a fi reabsorbiţi de materialul semiconductor.
Aceasta înseamnă că zona p trebuie să fie suficient de îngustă, sau trebuie utilizate dispozitive cu
heterostructură.
Randamentul extern, ext, al unui LED măsoară eficienţa conversiei energiei electrice în energie
luminoasă emisă în exterior. El include randamentul intern al proceselor de recombinare radiativă,
int şi eficienţa extracţiei fotonului din dispozitiv. Puterea electrică de intrare a unui LED este,
evident dată de produsul dintre curentul I prin diodă şi tensiunea de polarizare a acesteia (IV).
Dacă Pout este puterea optică emisă de dispozitiv, atunci randamentul extern este P out/(IV); unele
valori tipice sunt date în tabelul 6.3. Pentru semiconductorii cu bandă interzisă indirectă ext este în
general mai mic decât 1%, în timp ce pentru semiconductorii cu bandă interzisă directă, cu o
structură corectă, ext poate fi considerabil mai mare (> 10%). Tabelul 6.3 prezintă domeniile tipice
ale lungimilor de undă ale diferitelor tipuri de diode LED.
Spectrul radiaţiei emise este determinat de spectrul energetic al electronilor din BC şi de cel al
golurilor din BV în regiunea activă. Cum acesta este în ambele cazuri de ordinul 2kT (unde k este
constanta Boltzmann şi T temperatura absolută), lărgimea liniei spectrale a emisiei corespunde
unui spectru energetic de câţiva kT. La creşterea temperaturii, lărgimea liniei, ∆λ, devine mai mare
şi maximul emisiei se deplasează spre lungimi de undă mai mari, deoarece lărgimea benzii interzise,
Eg scade cu temperatura (figura 4.2)

Fig. 4.2. Spectrul de emisie al unei diode LED cu AlGaAs (valori normalizate faţă de maximul de
emisie la 25°C)
Dioda LED are o rezistență dinamică foarte mică în polarizare direct. Prin urmare întotdeauna diode
LED va fi comandată de o sursă de current. Pentru majoritatea aplicațiilor o sursă de tensiune VP
în serie cu un resistor poate fi considerată o sursă de current dacă VP>VF, unde VF este tensiunea
de deschidere a diodei LED.
În figura 4.3 este prezentat un circuit tipic de comandă a diodei LED și soluția grafică pentru a
asigura curentul prin diodă în vederea obținerii intensității dorită pentru lumina produsă de LED.
Fig.4.3. Circuitul tipic de polarizare a diodei LED

Tensiunea de deschidere pentru diodele LED este în domeniul 1,5V-2,2V. Curentul prin dioda LED
polarizată direct este de ordinul zecilor de mA în funcție de culoarea emisă, iar curentul la
polarizare inversă este de ordinul nA.
STUDIUL LĂMPII CU INCANDESCENȚĂ

Lampa electrică cu incandescență este un dispozitiv care produce lumină prin trecerea curentului electric
printr-un filament. Este alcătuit dintr-un soclu și un balon de sticlă vidat sau umplut cu un gaz inert,
în interiorul căruia se află filamentul. Filamentul incandescent este protejat și ferit de o eventuală
oxidare în aer de către balonul de sticlă. Într-o lampă cu halogeni, evaporarea filamentului este
prevenită de un procedeu chimic ce redepozitează vaporii de metal în filament.

Balon de sticlă
Gaz inert la joasă presiune (sau vid)
Filament de tungsten
Fir de contact
Fir de contact
Suport de sârmă
Montură de sticlă
Contactul lateral
Soclul filetat
Izolație
Contactul central

Fig. 5.1.Structura unei lămpi electrice cu


incandecență
Structura unei lămpi electrice cu incandecență este
prezentată ăn figura 5.1.
AFIŞAJUL ALFA-NUMERIC

Afişajul alfa-numeric, numit deasemenea si afişaj cu 7 segmente este o alternativă a afişajului mai
complex de tip matrice de leduri. Acesta este folosit pentru a afişa cifre zecimale şi este folosit pe
scară largă în aparatele de zi cu zi cum ar fi ceasurile electronice, aparate de măsura digitale şi alte
aparate electronice care afişează o anumită informaţie de tip numeric.
Un afişaj cu 7 segmente, cum precizează şi numele acestuia, este compus din 7 elemente.
Elementele in general sunt LED-uri dar pot folosi şi alte tehnologi precum displayul cu cristale
lichide (LCD). Individual pornite sau oprite, ele pot fi combinate pentru a produce o reprezentare
simplă a cifrelor arabe. În mod obijnuit cele 7 elemente sunt aşezate puţin oblic, lucru care face ca
cifra să poată fi citită mai uşor.

Fig.6.1.Configurarea caracterelor hexazecimale

Elementele unui afişaj cu 7 segmente sunt notate cu litere de la A la G cum este prezentat în
figura 6.2. De asemenea afişajul are un segment in plus, segmental DP care este folosit ca si virgulă
zecimală.

Fig.6.2.Elementele afișajului cu 7 segmente

De asemenea sunt şi afişaje cu 14 segmente sau 16 segmente (Fig. 6.3)cu care se pot reprezenta
toate literele alfabetului, dar acestea in general au fost inlocuite de către afişajele de tip
matrice(Fig.6.4).

Fig.6.3.Afişaj 16 segmente

Fig.6.4.Afişaj tip Matrice

În general celula de bază a unui afişaj alfa-numeric este o matrice 5x7 de leduri. Structura unei
astfel de celule este prezentată în figura 6.5. Fiecare linie de leduri poate fi pusă sub tensiune
separat. Fiecare coloană de leduri este pusă la masă prin intermediul unui tranzistor. Dacă o
anumită linie este pusă sub tensiune, iar unul din tranzistoare este deschis, ledul aflat la
intersecţia liniei cu coloana respectivă va lumina.
Fig.6.5.Structura unui afișaj tip matrice

Cu acest tip de afişaj se poate afişa orice tip de caracter. Cele 5 tranzistoare sunt comandate
secvenţial cu o frecvenţă de 20 Hz. Datorită proprietăţii de integrare a ochiului uman, ledurile vor
da inpresia că luminează continuu. Pentru comanda liniilor afişajului este necesar un circuit logic
format din multiplexoare şi decodoare.
Afişajul alfa-numeric utilizat în cadrul acestei prezentări este unul de tip BCD(Fig.6.6).
Dispozitivul are 4 intrări de date pe care i se pot furniza date în paralel pe 8,4,2,1 biţi. Intrarea
BLANKING controleazăiluminarea ledurilor. Dacă este pe 1 logic, toate ledurile vor fi stinse. Dacă
este pe 0 logic, ledurile funcţionează normal. Intensitatea luminoasă a ledurilor poate fi modificată
aplicând un semnal pilsatoriu la intrarea BLANKING. Intrarea DP este utilizată pentru comanda
iluminării punctului zecimal.

Fig.6.6.Diagrama bloc a afișajului hexazecimal TIL311

În cadrul acestei lucrări se va studia un numărător zecimal cu afişaj. Se va folosi un numărător


sincron pe 4 biţi şi un afişaj numeric de tip BCD.
AFIŞAJUL CU CRISTALE LICHIDE LCD

Cristalele lichide sunt substanţe organice cu molecule lungi, cu secţiuni circulare,


care se pot roti în jurul axei proprii şi care posedă moment electric permanent
puternic. Ele formează o familie foarte numeroasă. Starea de cristal lichid,
caracterizată prin ordonarea moleculelor şi anizotropie, se manifestă între două
temperaturi de tranziţie: pentru temperaturi inferioare temperaturii de topire,
cristalul devine solid, iar pentru temperaturi superioare temperaturii de limpezire,
cristalul devine izotrop. În figura (7.1) sunt reprezentate cele două tipuri de cristale
lichide.
În cristale lichide smectice, moleculele formează straturi cu grosime de aproximativ
20Å, în care moleculele sunt paralele între ele. Faţă de planul stratului, moleculele
sunt perpendiculare sau înclinate, se pot deplasa în plan, dar nu se pot deplasa
dintr-un plan în altul. În cristalele lichide colesterice, direcţia de orientare a
moleculelor, se modifică de la un strat la altul, într- o manieră elicoidală. Moleculele
se pot deplasa în planul stratului şi dintr- un strat în altul.

Fig.7.1. Modelul ordonării moleculare: lichid izotrop (a); cristal lichid smectic (b);
cristal lichid nematic (c); cristal lichid colesteric (d)

Cristalele lichide nematice au de asemenea molecule paralele între ele, care se pot
deplasa în toate direcţiile. Cristalele lichide nematice au doar polarizare temporară,
care se manifestă anizotrop, având o axa de simetrie care, reprezintă axa de uşoară
polarizare. complexe în lungul axei de simetrie, respectiv după o direcţie
perpendiculară pe axa de simetrie.
Pentru minimizarea energiei interne, moleculele se orientează paralel cu câmpul
electric în cristalele lichide cu anizotropie pozitivă şi perpendicular pe liniile de
câmp, pentru cele cu anizotropie negativă.
În straturi subţiri, cristalele lichide sunt optic active şi posedă birefringenţă
pronunţată. Unele structuri de cristal lichid nematic rotesc planul de polarizare al
fluxului luminos liniar polarizat, în funcţie de intensitatea câmpului electric aplicat.

STUDIUL Ș I DEPANAREA CIRCUITELOR CU DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

Metoda fundamentală de depanare este urmărirea semnalului la intrarea /ieşirea diverselor etaje
ale circuitului. Etajul defect va avea semnal corect la intrare dar incorect la ieşire. Prin cîteva
măsurători în etajul defect, componenta defectă poate fi localizată.

OPTOCUPLORUL
Optocuplorul este o combinaţie realizată dintr-un LED şi un fototranzistor sau alt dispozitiv
fotosensibil cum ar fi fototriacul( Fig.1.1). Atunci când LED-ul este alimentat activează
fototranzistorul care permite trecerea unui curent proporţional cu lumina dată de LED.

Fig1.1.Optocuplorul
Cum această lumină este la rândul ei proporţională cu curentul care trece prin LED, optocuploarele
pot fi caracterizate de factorul de transfer în curent (CTR):

IC
CTR ( % )= ×100
ID ( 1.1)

Valoarea acestui factor poate să difere foarte mult de la un optocuplor la altul. El poate lua
valori de la 0,1100% până la câteva sute 100% în cazul optocuploarelor realizate cu
fotodarlington. De exemplu CTR pentru optocuplorul TIL117 la un curent de 20mA prin LED este
de 100% dacă tensiunea colector emitor a fototranzistorului este 10V.
Un alt parametru important al optocuploarelor este tensiunea de izolaţie. Aceasta este diferenţa
maximă de potenţial dintre intrarea şi ieşirea optocuplorului pentru care acesta asigură izolarea
galvanică dintre intrare şi ieşire. Ea este de ordinul kilovolţilor. De exemplu ea este de 1,5kV
pentru optocuplorul TIL 111 şi 2,5kV pentru TIL 114, 116, 117.
Nu trebuie omis faptul că LED – urile în general au tensiune inversă de străpungere mică.
Prin urmare tensiunea inversă aplicată la intrarea optocuploarelor nu poate depăşi câţiva volţi.
Pentru optocuploarele TIL 111, 114, 116, 117 aceasta are valoarea de 3V. Timpul de răspuns al
acestor optocuploare este de maximum 10s dar o valoare tipică este 5s.

Majoritatea optocuploarelor lucrează cu radiaţii infraroşii deoarece în cazul lor LED – ul nu


este folosit pentru semnalizare sau afişare. Ele sunt de fapt nişte traductoare electro – opto –
electrice. Au atât semnalul de intrare cât şi cel de ieşire electric dar informaţia se transmite de la
intrare la ieşire pe cale optică.