Optoelectronica

FOTOREZISTORI

Este o plac sau o pelicul de semiconductor cu dou contacte ohmice. Semnalul optic este absorbit i fotonii genereaz purttori de sarcin n rezultatul actelor de tranziie band-band sau prin intermediul nivelelor energetice ale impuritilor. Conductibilitatea fotorezistorilor este descris de relaia: = q( n n + p p ) . Pragul rou al fotosensibilitii este determinat de relaia: c =1,24 E g . Dac fluxul de lumin are < c atunci el este absorbit de semiconductor. Funcionarea fotorezitorilor este determinat de trei parametri: Eficiena cuantic sau de amplificare; Timpul de fotorspuns; Fotosensibilitatea sau detectivitatea. S examinm procesul de funcionare al fotorezistorului. Fie c n primul moment de timp t = 0 numrul purttorilor de sarcin ce au fost generai ntr-o unitate de volum este n0 . n momentul de timp urmtor numrul lor se va micora din cauza procesului de recombinare dup legitatea: n = n0 exp( t ) - timpul de via al purttorilor de sarcin 1 - viteza de recombinare. Dac fluxul de lumin este constant n timp i este distribuit uniform pe toat suprafaa S = W L , atunci numrul total de fotoni incideni va fi:
Poptic h = NF

Poptic

- puterea fluxului optic. (2)

1

Viteza de generare a purttorilor de sarcin este:

G=

( Poptic h ) NF n = = W LD W LD

Optoelectronica

numrului de perechi generate la numrul de fotoni incideni; n - numrul de purttori de sarcin ntr-o unitate de volum. Fotocurentul dintre contacte este: I P = ( ) W D = ( q n n ) W D = ( q n vd ) W D , (3) - intensitatea cmpului electric n semiconductor; v d - viteza de deriv a purttorilor de sarcin. Determinm n din relaia (2) i o introducem n relaia (3). Obinem:
Poptic I p = q h n . L .

D - grosimea fotorezistorului; - eficiena cuantic, care este egal cu raportul

n momentul iniial fotocurentul este:

Poptic I ph = q h

Coeficientul de amplificare a curentului este:

Ip I ph =

n = L t tr

unde
t tr =

- timpul de via al purttorilor de sarcin.

Pentru cu un timp de via al purttorilor de sarcin mare i o distan mic dintre contactele ohmice coeficientul de amplificare este cu mult mai mare ca 1. Timpul de fotorspuns este egal cu timpul de tranziie t tr . Din cauz c la fotorezistori distana dintre contactele ohmice este mare, iar cmpurile electrice prezente sunt mici, timpul de fotorspuns este mult mai mare ca la fotodiode. Capacitatea de detecie (detectivitatea) se determin de relaia:
D* = A1 2 B 1 2 m Poptic 2

L vd

- timpul de tranziie al purttorilor de sarcin,

[cm Hz

12

],

max min unde m = I + I - gradul de modulare al frecvenei, I - intensitatea semnalului max min optic; A - aria suprafeei fotorezistorului; B - banda de transparen a frecvenelor. Exemplu: Pentru 0,5m cea mai mare sensibilitate o posed CdS. Pentru 10m se utilizeaz HgCdTe. n tabelul 1 de mai jos sunt prezentate lrgimile benzilor energetice interzise i pragul rou a fotoconduciei (fotosensibilitii) pentru cele mai utilizate materiale semiconductoare.

Tabelul 1
2

Optoelectronica

Materialul Ge Si CdSe CdTe CdS GaAs InP PbS PbSe

Eg

, eV 0,67 1,11 1,74 1,5 2,42 1,43 1,28 0,29 0,15

0 , m

1,85 1,12 0,71 0,83 0,51 0,87 0,97 4,28 8,27

Caracteristicile fotorezistoarelor 1. Caracteristica curent-tensiune Sunt simetrice n raport cu originea axelor de coordonate, deoarece rezistena lor nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate. De obicei, se construiesc fotorezistoare numai pentru o polaritate a tensiunii aplicate.

I = I 0 + I L = C0 U + C f 0 U ,

unde I , I 0 , I L - respectiv curentul total, curentul de ntuneric, fotocurentul; C 0 , C f constante ce sunt determinate de proprietile fizice ale semiconductorului la ntuneric i la iluminare; - coeficientul de neliniaritate a caracteristicii energetice; U - tensiunea aplicat.

Optoelectronica

2. Caracteristica energetic a fotorezistorilor Sunt neliniare datorit dependenei timpului de via al purttorilor de sarcin de fluxul incident. Forma matematic a caracteristicii este: I L = k0 0 , pentru U = const , unde k 0 = C f U . Pentru majoritatea fotorezistorilor caracteristicile energetice posed dou regiuni distincte: Regiunea liniar ( =1 ) la intensiti slabe ale radiaiei incidente; Regiunea subliniar ( < 1 ) la intensiti mari ale radiaiei incidente.

3. Caracteristicile spectrale Prezint un maxim pronunat n regiunea absorbiei fundamentale, unde

=1,24 E g

Optoelectronica

Caracteristica spectral este puternic influenat de prezena impuritilor n semiconductor. Impuritile se introduc cu scopul sporirii sensibilitii i a lrgimii spectrului spre lungimi de und mai mari.

4. Dependena sensibilitii de frecven

Optoelectronica

i - este constant de cretere a fotocurentului sau timpul n care fotocurentul crete pn la valoarea I L = (1 e 1 ) I 0 = 0,63 I 0 ; I 0 - valoarea staionar a fotocurentului; d -

constanta de timp a descreterii fotocurentului, n care fotocurentul crete pn la valoarea I L = I 0 e = 0,36 I 0 . Pentru majoritatea fotorezistoarelor i = d = 0 , unde 0 - este constanta de timp a fotorezistorului. Dac radiaia incident este modulat dup o lege sinusoidal atunci funcia de generare a purttorilor de sarcin se poate scrie sub forma: g = g 0 e it , - frecvena pulsaiilor radiaiei incidente. Atunci componenta variabil a fotocurentului este: I ~ = I e i ( t ) , unde - este defazajul dintre radiaia incident i fotorspuns. Amplitudinea fotocurentului va fi:
I = I0 1 + ( 0 )
2

Odat cu creterea frecvenei fluxului luminos, amplitudinea componentei variabile a fotocurentului scade. Constanta de timp 0 este o msur a ineriei fotorezistorilor la aciunea radiaiei incidente. Cu ct sensibilitatea este mai mare cu att constanta de timp este mai mic. Pentru: CdS, CdSe avem 0 10 2...10 3 s , iar pentru PbS, PbSe avem 0 10 4...10 5 s .