8.

FOTODIODA
8.1. Principiul de funcţionare
La iluminarea unei joncţiuni p-n dintr-un material semiconductor,
fotonii absorbiţi în material generează perechi de purtători electron-gol.
Electronii astfel rezultaţi vor putea trece în banda de conducţie contribuind la
apariţia unui curent electric (fotocurent) prin joncţiune.
Deplasarea electronilor spre regiunea n şi a golurilor spre regiunea p este
cel mai probabil să se producă atunci când separarea în perechi electron-gol are
loc într-o regiune a semiconductorului în care există un câmp electric (fig. 8.1).
Altă alternativă la separarea în perechi electron-gol este recombinarea, aceasta
neducând la deplasarea sarcinilor electrice şi deci nici la apariţia unui curent
electric prin joncţiune.
Distribuţia câmpului electric într-o diodă semiconductoare polarizată
invers (fig. 8.1.a) nu este uniformă. În regiunile p+ (strat de contact, puternic
dopat cu purtători de tip p) şi n+ (substrat puternic dopat n) câmpul electric este
mult mai slab decât în stratul de mijloc n - (strat epitaxial slab dopat n). În acest
strat intermediar va lua naştere o regiune golită de purtători datorată apariţiei
fotocurentului. Grosimea acestei regiuni depinde de rezistivitatea stratului
intermediar şi de mărimea tensiunii de polarizare aplicată joncţiunii.
O regiune golită de purtători există chiar şi în absenţa unei tensiuni de
polarizare aplicate. Aceasta se datorează câmpului electric intern produs de
difuzia purtătorilor minoritari de-a lungul joncţiunii. Polarizarea inversă
amplifică acest câmp electric intern şi măreşte grosimea acestei regiuni.
Lungimea de difuzie a unui foton în materialul semiconductor este
dependentă de lungimea lui de undă (fig. 8.1.b). Fotonii cu lungimi de undă
mici sunt absorbiţi la suprafaţa materialului semiconductor, în timp ce fotonii
cu lungimi de undă mari pot difuza pe întreaga lungime a materialului
semiconductor. Din acest motiv, pentru a obţine o fotodiodă cu o bandă
spectrală de răspuns largă, aceasta ar trebui realizată cu un strat p+ foarte
subţire pentru a permite absorbţia lungimilor de undă scurte şi un strat golit de
purtători gros pentru a permite absorbţia lungimilor de undă mari.
Extinderea grosimii regiunii golite de purtători, indiferent de valoarea
tensiunii de polarizare inverse aplicate, este mai uşor de realizat cu materiale
semiconductoare cu o rezistivitate mare a joncţiunii. Suprafeţele de contact ale
cristalului semiconductor trebuie însă să aibă o rezistivitate mică pentru a
permite un bun contact electric al dispozitivului. Diodele p-n, ca de exemplu
celulele solare, sunt realizate prin difuzia unui strat p într-un material n cu
rezistivitate mică. La fotodiodele p-n, un strat subţire p, realizat prin difuzie,

146
asigură un răspuns bun la lungimi de undă scurte, dar este necesară o tensiune
de polarizare inversă mare pentru a extinde regiunea golită de purtători la
adâncimi care să permită un răspuns bun la lungimi de undă mari. Un strat p
gros degradează răspunsul la lungimi de undă mici, dar micşorează tensiunea
de polarizare inversă necesară unui răspuns la lungimi de undă mari.

Fig. 8.1. a. Distribuţia câmpului electric în fotodiodă la polarizare inversă;

b. Mecanismul de generare a fotocurentului la iluminarea fotodiodei.

Optimizarea răspunsului atât la lungimi de undă mici cât şi la lungimi de

undă mari şi la tensiuni de polarizare inverse mici necesită folosirea de
fotodiode PIN (p-intrinsec-n). O fotodiodă PIN este realizată prin difuzia unui
start subţire de tip p în partea din faţă şi a unui strat de tip n în spatele unui strat
de siliciu cu rezistivitate foarte mare (fig. 8.2). Această regiune cu rezistivitate
mare este denumită regiune intrinsecă sau strat “I”. La polarizarea cu tensiuni

147
negative de ordinul volţilor ( minim 5 V la diodele PIN realizate de HP)
întreaga regiunea golită de purtători se extinde peste întregul strat I chiar şi la
valori mari ale fluxului luminos incident. Aceasta asigură cea mai bună
liniaritate şi cea mai bună viteză (cca. 1GHz) dispozitivului.

Fig. 8.2. Structura unei fotodiode PIN.

Teoretic orice tip de joncţiune semiconductoare poate fi folosită la

fotodetecţie. De exemplu, capsula LEDurilor permite emisia în exterior a
fluxului radiat de chip-ul semiconductor la polarizare directă, dar în acelaşi
timp joncţiunea semiconductoare poate fi expusă unei radiaţii externe. Deşi nu
au fost proiectate pentru a funcţiona cu performanţe optime ca şi fotodiode, ele
pot fi folosite cu această funcţie în unele aplicaţii. Maximul spectrului lor de
sensibilitate este la o lungime de undă mult mai mică decât cel al fotodiodelor
cu siliciu, astfel că în lipsa unor filtre, ele pot aproxima mult mai bine răspunsul
fotopic (răspunsul sistemului vizual uman).

8.2. Mărimi caracteristice

Responsivitatea

Responsivitatea se defineşte ca fiind raportul dintre fotocurentul generat

şi fluxul incident:
I  A
R= P  . (8.1)
Φ I W 

148
Eficienţa cuantică

Eficienţa cuantică se defineşte ca fiind raportul dintre numărul de

electroni generaţi în unitatea de timp şi numărul de fotoni incidenţi în unitatea
de timp:
I e I h⋅ν h⋅c
η= P = P ⋅ − = R⋅ − < 1. (8.2)
Φ I EG Φ I e e ⋅λ
unde:
EG – lăţimea benzii interzise [eV];
e- – sarcina electronului;
h – constanta lui Plank;
λ – lungimea de undă a radiaţiei incidente;
c – viteza luminii

8.3. Modelul electric al fotodiodei

Cel mai simplu model al unei fotodiode este cel al unei diode obişnuite
conectată în paralel cu un generator de curent comandat (fig. 8.3).
Amplitudinea curentului IP generat este proporţională cu fluxul luminos
incident detectat de fotodiodă. Polaritatea acestui fotocurent este de la catod la
anod.

IP

I TOT ID

+
+ +
VD RL
E VL

Fig. 8.3. Modelul electric al unei fotodiode PIN (ITOT = IP + IDARK = -ID).

Operarea la o tensiune de polarizare nulă se numeşte mod fotovoltaic

(fig. 8.4) deoarece fotodioda este cea care generează căderea de tensiune de pe
rezistorul de sarcină. Operarea in mod fotovoltaic poate fi liniară sau
logaritmică în funcţie de valoarea sarcinii. Operarea în mod logaritmic se

149
obţine dacă sarcina este mai mare de 1011 Ω. Operarea în modul liniar se obţine
dacă rezistenţa de sarcină este mult mai mică decât rezistenţa dinamică a
fotodiodei. Valoarea limită superioară pentru operarea în mod liniar este VL ≈
100mV (fig. 8.3) şi depinde de precizia liniarităţii necesară în aplicaţie. Prin
mărirea valorii rezistenţei de sarcină, se poate mări sensibilitatea fotodiodei
pentru a detecta semnale de nivel foarte mic, dar se micşorează mult limitele
domeniului dinamic în care răspunsul este liniar. Valoarea maximă a
rezistenţei de sarcină RL este cuprinsă între 25MΩ la fotodiodele cu arie mare şi
550 MΩ la dispozitivele cu arie mică.

Fig. 8.4. Familie de caracteristici curent-tensiune ale fotodiodei PIN la diferite nivele ale iluminării.

Operarea la polarizare inversă se numeşte mod fotoconductiv (fig. 8.4).

Faţă de regimul fotovoltaic, acest mod prezintă următoarele avantaje:

- viteză mult mărită;
- stabilitate îmbunătăţită;
- plajă dinamică mărită;
- coeficient de temperatură micşorat;
- răspuns îmbunătăţit la lungimi de undă mari.

Principalul dezavantaj al modului de operare fotoconductiv este

existenţa curentul de întuneric datorat polarizării inverse. Curentul de întuneric
este acel curent care curge prin fotodiodă atunci când aceasta nu este iluminată.
Curentul de întuneric care curge prin rezistorul de sarcină RL generează un
offset de tensiune care variază exponenţial cu temperatura.

150
8.4. Configuraţii de bază ale amplificatoarelor
cu fotodiode
Pentru operarea în mod liniar rezistenţa de sarcină a fotodiodei trebuie
să fie cât mai mică posibil. În figura 8.5 este prezentată o configuraţie de
amplificator care permite operarea fotodiodei în acest mod.
Intrarea inversoare a operaţionalului este masă virtuală; rezistenţa
dinamică văzută de fotodiodă este R1 împărţit la amplificarea căii de reacţie.
Dacă operaţionalul are o impedanţă de intrare foarte ridicată, amplificarea de pe
calea de reacţie a amplificatorului este aproximativ egală cu amplificarea lui de
pe calea directă (în buclă deschisă).

R1

ID
-

+ Vout

R2=R1
Ec
+

Fig. 8.5. Configuraţie de amplificator pentru răspuns liniar.

Valoarea tensiunii de ieşire se calculează cu formula:

Vout = R1 ⋅ I D = R1 ⋅ ( I P + I DARK ) . (8.4)

Din această ecuaţie rezultă că tensiunea de ieşire va creşte proporţional

cu fluxul luminos sesizat de fotodiodă. Dacă dorim un montaj inversor atunci se
inversează polaritatea fotodiodei şi a sursei de polarizare EC. De asemenea
sursa EC poate chiar lipsi din montaj.
Rezistorul R2 poate lipsi dacă fotocurentul este suficient de mare. Scopul
utilizării ei este doar de a compensa offsetul curentului.
Viteza circuitului este limitată de constanta de timp a rezistorului R1 şi a
capacităţii sale proprii. Ea poate fi îmbunătăţită prin înlocuirea rezistorului R1
cu un şir de două sau mai multe rezistoare.

151
 Modul de operare logaritmic necesită o rezistenţă de sarcină foarte mare
(minim 1GΩ). Aceasta se poate obţine cu montajul din figura 8.6 cu un
operaţional realizat cu FET-uri la intrare.

+
I Vout
P -

R2
R1

Fig. 8.6. Configuraţie de amplificator pentru răspuns logaritmic.

Valoarea tensiunii de ieşire se calculează cu formula:

 R  k ⋅T  I 
VOUT = 1 + 2  ⋅ ⋅ ln1 + P  , (8.5)
 R1  q  IS 
unde:
- kT/q ≈ 25mV;
- IS este curentul de saturaţie invers:
I
I S = q⋅VF , (8.6)
e K ⋅T − 1
unde: 0 < IF < 0,1 mA

Dacă valoarea offset-ului curentului ridică probleme, se poate adăuga un

rezistor între cele două borne ale operaţionalului. Valoarea sa trebuie să fie mai
mare decât 10GΩ/AR (AR – amplificarea de pe calea de reacţie). Dacă
operaţionalul are o impedanţă de intrare foarte mare atunci AR = A/(1+R2 /R1)
(A – amplificarea de pe cale directă). Deci, făcând R2 = 0, putem folosi o
rezistenţa de valoare minimă între intrările operaţionalului (10GΩ).
Viteza acestui amplificator este foarte mică, având o constantă de timp τ
≈ 0,1 s. Dacă este necesară operarea în mod logaritmic la viteză mare este de
preferat amplificatorul cu răspuns liniar urmat de un convertor logaritmic.

152
8.5. Aplicaţii cu fotodiode PIN
Amplificator liniar pentru măsurarea densităţii (densimetru)

Fotodiodele PIN sunt foarte stabile şi au coeficient termic zero pentru λ

< 800nm, sunt liniare într-o plajă de 100dB cu distorsiuni mai mici de 1%.
Stabilitatea densimetrului prezentat în figura 8.7 este determinată mai degrabă
de parametrii mecanici decât de cei electrici.

R1
+ Vref
Α1
-
IF CA3130 R2
I 1
P2

D1 Φ2 D2

Φ1
Divizor de
I P3 R3
fascicol
Φ3
R5
D3
CA3130
Proba -

+ Α2 Vo

R4
2

Pt. I F = 10 mA, d = 100mm : I P 2 = 3,2 mA

d
Pt. Vref=100mV:
R1=R2=R3=R4=33MΩ R5 = 10 Ω
D1 : HEMT -3300
D2,D3 : HP 5082-4207

Fig. 8.7. Amplificator liniar pentru măsurarea densităţii.

Bucla de reacţie, formată din amplificatorul A1 şi calea optică dintre

diodele D1 şi D2, stabilizează fluxul Φ2 şi îl fac să varieze liniar cu VREF. Dacă
divizorul de fascicol este stabil, atunci raportul dintre Φ3 şi Φ2 este constant şi
tensiunea de ieşire VO este proporţională cu VREF. Această afirmaţie rămâne
adevărată chiar dacă dioda D1 se degradează deoarece bucla de reacţie va forţa

153
creşterea curentului IF prin D1. Fluxul Φ3 fiind menţinut stabil, el va fi
proporţional cu transmisivitatea optică a oricărui material inserat între divizorul
de fascicol şi D3. Se obţine astfel un dispozitiv de măsură a transmisivităţii
stabil. Dacă în schimb se interpune proba de măsurat între divizorul de fascicol
şi D2, IP3 va creşte proporţional cu atenuarea. Deoarece A2 este un amplificator
logaritmic (fig. 8.6) tensiunea de ieşire VOUT va depinde logaritmic de atenuarea
lui Φ2, circuitul funcţionând ca densimetru optic.

Sesizor de prezenţă

Impedanţa dinamică a fotodiodelor PIN este suficient de mare pentru a

separa calea de sumare de cea diferenţială, ceea ce le face utile în
amplificatoarele de însumare / scădere (fig. 8.8).
Fotocurenţii IP2 şi IP3 de la intrarea operaţionalului A1 sunt însumaţi
pentru a realiza un câştig al amplificatorului A1 mai mare cu 6dB decât la
circuitul din figura 8.7. Presupunând că operaţionalul A1 are o amplificare în
buclă deschisă AV1 = 105, amplificarea lui în buclă închisă se calculează cu
formula:

I P2 + I P2
⋅ AV 1 = 1,80 ⋅10 5 [105,12dB ]
R1
A1 = ⋅ (8.7)
IF ∆V F
R6 +
∆I F

Această valoare mare a amplificării menţine potenţialele catozilor

diodelor D3 şi D2 la masă virtuală. În consecinţă, operarea în mod liniar este
asigurată chiar şi la potenţiale ale anozilor de până la 100mV. De aici rezultă
valoarea rezistenţei dintre anodul lor şi masă: 100mV/3,2nA=31,3MΩ.
Dacă operaţionalul A2 este conectat ca un amplificator diferenţial, este
bine să se menţină potenţialele anozilor sub 50mV pentru a permite o excursie a
curenţilor IP2 şi IP3 pe întreaga plajă de domenii posibile (0…100%). Sistemul
poate fi folosit atunci pentru a măsura în mod liniar diferenţa dintre fluxurile
luminoase Φ2 şi Φ3.
Circuitul poate fi folosit ca şi o alarmă prin obturare, foarte sensibilă,
pragul putându-se regla din potenţiometrul R4. Dacă fluxul Φ3 slăbeşte sau dacă
Φ2 devine mai puternic, A2 va bloca tranzistorul Q1. Dacă ambele fluxuri
slăbesc ca intensitate, bucla de reacţie prin A1 va mări curentul IF prin D1 şi la
cca. 20 mA Q2 va intra în conducţie declanşând alarma. Trebuie remarcat că,
dacă fluxul Φ3 scade, fluxul Φ2 va creşte proporţional pentru a menţine curentul
(IP2 + IP3) constant. Din acest motiv, acest amplificator sumator / diferenţial

154
permite sesizarea diferenţială cu un câştig mai mare cu 6dB decât s-ar fi obţinut
prin stabilizarea fluxului Φ2 şi sesizarea schimbărilor fluxului Φ3.

R1
+ Vref Bus de alarma
Α1 SAU cablat
-
CA3130
R2
IF
I
P2
Obstacol
D1 D2
2N3904
Φ1 Φ2 +
Α2 Q1
-
I P3 CA3130
R3
Divizor de
fascicol 50%
Φ3 D3

R4

R5
R5

Q2

2N3904

Pt. If=10mA, d=100mm : Ip2+Ip3=6,4nA

Pt. Vref=640mV:
R1=R2=100MΩ
R3=R5=27MΩ
R4=10MΩ
R6=33MΩ

Fig. 8.8. Sesizor de prezenţă.

155