Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Universitatea Tehnica a Moldovei

Facultatea Calculatoare,Informatica i Microelectronica
Catedra Microelectronica i Ingineria Biomedical

Raport
La Sisteme Optoelectronice

Lucrare de laborator Nr. 2

Tema: Cercetarea diodelor LED.

A elaborat:

st.gr. MN-111 Batiri Mihail

A verificat:

lect.asistent Postica Vasile

Chiinu 2014

DIODA ELECTROLUMINISCENT
Dioda electroluminiscent este foarte des cunoscut cu denumirea de LED ( Light
Emitting Diode).
Dioda electroluminiscent (LED- light emitting diode) este o dioda semiconductoare ce
emite lumin la polarizarea direct a jonciuni p-n.
Semnul convenional al LED- ului este urmtorul (fig. 1):

Figura 1. Semnul convenional al LED- ului si tipurile ei.

Efectul este o form de electroluminescen. Un LED este o sursa de lumina pe o
suprafa mica (mai puin de 1 mm2) adesea cu un sistem optic adugat pe cip pentru a da o
forma radiaiei si a ajuta in reflexie.
Culoarea luminii emise depinde de compoziia si condiiile materialului semiconductor
folosit, si poate fi infrarou, vizibil sau ultraviolet. De altfel, in afara luminrii, aplicaii
interesante includ folosirea LED- urilor UV pentru sterilizarea apei si dezinfecia dispozitivelor,
si ca o sursa de lumina mai mare pentru a spori fotosinteza plantelor.
DENUMIRI ALTERNATIVE ALE DIODELOR ELECTROLUMINISCENTE:
LED (Light Emitting Diode);
Diod fotoluminiscent;
Diod fotoemisiv

PARAMETRII SPECIFICI:

Curentul direct maxim IAm;

Puterea de disipaie maxim Pdm;

Caracteristica spectral sau culoarea emis

PROPRIETI
v Emite radiaii luminoase sau infraroii;
v Se polarizeaz direct;
v Este un convertor de energie care transform energia electric (primit de la sursa
de polarizare) n energie luminoas ;
v Culoarea luminii emise depinde de materialul utilizat pentru jonciunea pn ;
v Se folosesc ca indicatoare optice (afiaje, semnalizri, etc.).

Fig. 2.
Cum funcioneaz LED- urile
LED- ul sau Dioda Emitoare de Lumin este un tip special de diod, ce conine
materiale semiconductoare, care convertesc energia electric direct n lumin. Lungimea de und
sau culoarea luminii emise depinde de combinaia exact a materialelor semiconductoare. Acest
lucru face posibil producerea de LED- uri care s emit lumin roie, galben, chihlimbariu,
verde, azurie sau albastr. Lumina emis este foarte apropiat de o singur lungime de und,
astfel culorile sunt saturate i nu necesit filtre.
LED- urile albe
Un LED alb se bazeaz pe un LED albastru acoperit cu fosfor, ce convertete lumina
albastr parial n galben. Amestecul celor dou culori de lumin este alb.
LED- uri pentru aplicaii decorative
Efectul de schimbare dinamic a culorilor reprezint baza pentru multe aplicaii de iluminat
decorativ i arhitectural. LED- ul este o component electronic, se comut pe poziia pornit
instantaneu i poate fi controlat electronic pentru a produce aceste efecte. Pentru obinerea
efectelor speciale de iluminat, multe produse recurg la controlul prin intermediul unor programe
soft - sau hardware.
S ne amintim c materialele sunt formate din atomi, iar n interiorul acestora se afl
electroni care se invert pe orbite stationare n jurul unui nucleu. Fiecare orbit corespunde
unei anumite valori pentru energia electronului, ceea ce nseamn c un atom posed doar
nivele discrete de energie, ca n fig3

Fig.3 Structura atomului

Semiconductorii sunt materiale ce constau din atomi strns legai ntre ei n cadrul unei
reele cristaline. n fiecare atom exist muli electroni, dar propietile semiconductorului
sunt date doar de electronii care se afl n atomi pe cele mai exterioare orbite. Nivele
energetice posibile sunt tot discrete dar sunt att de apropiate ntre ele nct sunt
reprezentate sub form de benzi de energie n loc de o mulime de nivele separate. Aceste
benzi sunt private ca nite regiuni continue de energie, dar dac am avea o lup special
ca s privim n interiorul lor, am putea vedea nivelele discrete care le compun, fig.&.2a.
n semiconductori se disting dou benzi energetice: banda de valen (de energii joase) i
banda de conducie (de energii mai mari). Ele sunt separate printr-o band interzis, Eg ,
n care nu exist nici un nivel energetic permis (adic nu poate exista nici un electron).
Prin urmare electronii pot fi ori n banda de valen, ori n banda de conducie, dar nu pot
fi ntre ele.
Dac temperatura este zero absolut i nu este aplicat nici un cmp electric exterior, toi
electronii sunt concentrai n banda de valen i nu se afl nici un electron n banda de
conducie. Aceasta deoarece nici un electron nu posed suficient energie suplimentar ca
s sar peste banda interzis. Dac este furnizat electronilor din banda de valen energie
din exterior - fie prin temperatur, fie printr-un cmp electric extern - atunci unii dintre ei
vor primi suficient energie pentru a sri peste banda interzis i vor ocupa nivele
energetice n banda de conducie. Spunem ca aceti electroni sunt "excitai". Aceti
electroni excitai las goluri (echivalent cu sarcini electrice pozitive) n banda de valen,
ca n fig. &.2b.

Radiaia luminoas i banzile de energie

Cnd un electron cade de pe un nivel energetic superior pe unul inferior, el elibereaz o
cuant de energie numit foton. Relaia dintre variaia de energie, E, energia fotonului,
Ep i lungimea de und este:
E = Ep = hc (&.1)
Aceast idee se pstraz i pentru un semiconductor. Dac un electron excitat cade din
banda de conducie n banda de valen, este eliberat un foton a crui energie, Ep , este
mai mare sau egal cu banda interzis, Eg . Deoarece la procesul de radiaie pot participa
mai multe nivele energetice din banda de conducie i banda de valen, lungimile de
und radiate i pot fi multiple. Prin urmare putem scrie Ep Eg , sau sub o alt form
i hc Eg (dac Eg este msurat n eV i n nm, atunci i 1248 Eg ). Rezultatul
acestei radiaii multivalente este un spectru larg, , a luminii emise de un
semiconductor

Radiaia luminoas i jonciune p-n

Cind un semiconductor de tip n este pus n contact cu unul de tip p, se formeaz o
jonctiune p-n. La frontiera jonciunii, electronii difuzeaz din partea n n partea p i se
recombin cu golurile de aici i, n acelai timp, golurile din partea p difuzeaz n partea
n i se recombin cu electronii de aici. n consecin se formeaz o regiune srcit de
purttori, n care nu exist nici electroni liberi, nici goluri libere. Ionii pozitivi din partea
n i cei negativi din partea p a acestei regiuni, rmin necompensai ceea ce determin
apariia unui cmp electric intern numit potenial de contact i descris cantitativ prin
tensiunea de srcire VD, fig.&.4.

Lucrul cel mai important de reinut este c: recombinarea electron-gol elibereaz o

cuant de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un semiconductor s radieze este
necesar s susinem recombinarea electron-gol. Dar tensiunea de srcire mpiedic
electronii i golurile de a intra n regiunea srcit. Prin urmare trebuie furnizat energie
din exterior pentru a nvinge aceast barier a tensiunii de srcire. Aceast tensiunea
exterioar, numit tensiune direct de polarizare, V, este artat n fig.&.5; ea trebuie s
fie mai mare dect VD.

Pentru a obine o emisie permanent de lumin, trebuie s aib loc urmtorul proces
dinamic: electronii mobili din partea n, atrai de terminalul pozitiv al tensiunii V, intr n
regiunea sracit. Simultan, golurile mobile din regiunea p, atrase de terminalul negativ
al tensiunii V, intr in aceeai regiune srcit. Recombinarea electron-gol din interiorul

regiunii srcite produce lumina. Sarcinile electrice se refac din sursa de alimentare.
Principiul de funcionare al unui LED
Un LED este o diod semiconductoare care funcioneaz exact pe principiul prezentat
mai sus al emisiei permanente de lumin. Acest concept este demonstrat de circuitul din
fig.&.6. Cei familiarizai cu polarizarea direct a unei diode vor avea sigur urmtoarea
observaie: recombinarea electron-gol este un proces care are loc n orice diod sau
tranzistor. Care este diferena dintre un LED i o diod obinuit

Tranzitiile radiative banda-banda in: regim direct/ regim indirect

Electroluminescenta = conversia purtatorilor de sarcina electrica (electroni) in cuante de lumina
(fotoni)
Ea implica doua procese:
a) excitarea electronilor in stari de energie inalta
b) revenirea electronilor in stari de energie joasa, libere,
insotita de emisia de fotoni (tranzitie radiativa) sau nu (tranzitie neradiativa).
In semiconductoarele cu banda interzisa directa electronii excitati din banda de conductie (Ec)
revin in banda de valenta (Ev) cu respectarea legii conservarii impulsului (k).
In semiconductoarele cu banda interzisa indirecta electronii excitati din banda de conductie
(Ec) revin in banda de valenta (Ev), dar pentru respectarea legii conservarii impulsului (k)
este necesara prezenta unui fonon (cuanta de energie a agitatiei termice). Aceste tranzitii au
o probabilitate foarte mica.

Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz energie sub form
de cldur - nu sub form de lumin (adic ntr-un alt domeniu al spectrului). ntr-un
LED, aceste recombinri elibereaz energie sub form de lumin. Recombinarea
generatoare de caldur se numete neradiativ, n timp ce recombinarea generatoare de
lumina se numete radiativ. n realitate, n orice diod au loc ambele tipuri de
recombinri; cnd majoritatea recombinrilor sunt radiative, avem un LED.
Curentul direct injecteaza electroni n regiunea srcit de purttori, unde ei se recombin
cu golurile n mod radiativ sau neradiativ. Prin urmare, recombinrile neradiative
"consum" din electronii excitai necesari recombinrii radiative, ceea ce scade eficiena
procesului. Acest fapt este caracterizat prin eficiena cuantic intern, int , parametru
care arat ce fracie din numrut total de electroni excitai produce fotoni. Explicaiile de
mai sus justific caracteristica intrare-ieire a unui LED prezentat n fig.&.7.
Raionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, P, este energia
per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu energia unui foton, Ep . Numrul de
fotoni este egal cu numrul de electroni injectai, N, nmulit cu eficiena cuantic intern.
Astfel:

P = NintEp

)t

Pe de alt parte, numrul de electroni (N) nmulit cu sarcina unui electron (e) , pe
secund, este intensitatea curentului electric:
I = Ne t (&.3)
Deci, puterea luminoas radiat va fi:

[(

)]

P = (It e)intEp t = intEp e I (&.4)

Dac msurm Ep n electron-voli, eV, i curentul I n mA, atunci:

P(mW) = intEp (eV) I(mA)

Principalele valori ale benzii interzise la materialele curent folosite n

electronica corpului solid

CdS

2,4

Lungimea de und
a radiaiei emise
[nm]
516

GaP

2,2

560

GaAs60P40

1,9

650

CdSe

1,7

730

GaAs

1,4

900

Si

1,1

1140

Ge

0,7

1880

PbS

0,37

3350

PbTe

0,29

4275

PbSe

0,26

4770

Material

Limea benzii interzise

EG [eV]

Principalele caracteristici ale materialelor electroluminiscente folosite n

fabricarea LEDurilor:
Banda
radiat
[nm]

GaAs

Banda
interzis
EG [eV]
1,4

GaAsP

1,9

640 700

GaP

2,2

GaAlAs
AlGaAs

Materialul

Centrul
0[nm]

Culoarea

Tipul
tranziiei

900

IR

Direct

>2

rou
galben
rou
verde
Rou

Direct

630 790
520 570
650 700

650
610
690
560
670

>2

838 844

840

IR

Indirect

Materiale care nu s-au dovedit utile n optoelectronic (lungimile de und cad

n afara spectrului vizibil 400 - 700nm i chiar al celui optic)

Banda interzis
EG [eV]

Lungimea de und
[nm]

Tipul tranziiei

Ge

0,66

1880

Indirect

Si

1,09

1140

Indirect

InSb

0,18

6900

Direct

SiC

2,2 3

413 563

Materialul

Indirect

Banda interzis
EG [eV]

Lungimea de und
[nm]

Tipul tranziiei

Ge

0,66

1880

Indirect

Si

1,09

1140

Indirect

InSb

0,18

6900

Direct

SiC

2,2 3

413 563

Materialul

Indirect

Proprietatile optice ale LED-urilor

1. Recombinarea radiative

Mecanisme de recombinare
a) tranzitie radiativa banda-banda
b) tranzitii banda-nivel de impuritate
c) tranzitie donor-acceptor
d) proces Auger (neradiativ)

a)Tranzitia radiativa banda-banda(recombinare bimoleculara)

n = concentratia de electroni; p = concentratia de goluri; cu indice 0, la echilibru

B = coeficient de recombinare bimoleculara; R = rata de recombinare;
B = 1/(2ni

onductor intrinsec (n0 = p0= ni

purtatorilor de sarcina electrica

b) Tranzitii banda-nivel de impuritate

Nivelele de impuritate sunt stari intermediare in banda interzisa;
donori/acceptori

c) Tranzitii intre doua nivele de impuritate; foarte eficiente pentru LED-uri

Energia unui foton generat prin mecanismul c) ED(EA) = energia de legatura a donorului
(acceptorului)
d) Procesul Auger este o recombinare neradiativa(rol minor in LED; foarte important in
dispozitivele cu emisie in infrarosu)

Ratele de recombinare Auger pentru:

- semiconductor intrinsec (n0 = p0 = ni)
C = coeficient Auger

2. Lungimea de unda emisa

Spectrul unui LED de tip AlGaInP pentru diferite directii de emisie (in raport cu normala la
suprafata); lumina emisa lateral isi modifica
Lungimea de unda de intensitate maxima (centrul liniei emise de LED) determinata de largimea
benzii interzise (Eg) a semiconductorului;
= hc/ Eg largimea liniei: - ^2

2. Extractia luminii
Numai un procent mic din fotonii generati pot iesi din material deoarece indicii de refractie
difera foarte mult(ns = 3-3,5 pentru semiconductor fata de nm = 1-1,5 pentru mediul exterior);
apare reflexia totala interna (TIR)

Unghiul critic este determinat de indicii de refractie.

extractie) depinde de unghiul critic; ea trebuie corectata cu coeficientul de reflexie Fresnel.

Conul de extractie la interfata semiconductor-aer pentru un LED de forma cubica

Mecanismul de extractie al luminii intr-

-OS);

a) domeniul de unghiuri cuplate din GaN in SiC; b) domeniul de unghiuri ce permit

trecerea luminii prin interfata SiC-aer; c) fractiunea de lumina din SiC ce poate fi extrasa

Pentru LED-urile planare (convenabile d.p.v. al fabricatiei) extractia luminii poate fi

imbunatatita prin cresterea grosimii stratului transparent de deasupra celui active pana cand
conul de extractie paralel cu stratul activ este pe deplin folosit.

Daca, in plus, substratul este transparent (TS-LED) este posibil, teoretic, sa extragem lumina prin
toate cele sase fete ale cubului (eficienta de extractie: 24%). Datorita procesului de reemisie
(neglijat in modelul simplu) se ajunge si la 32% [N.F. Gardner et al., Appl. Phys. Lett. 74 (1999)

2230]

3. Distributia intensitatii luminii emise

Daca se neglijeaza factorii externi mediului activ (reflexia, absorbtia, reemisia) fotonii
generati prin tranzitii spontane sunt emisi in mod izotrop (distribuiti uniform in toate directiile)
caz ideal.In cazul real intensitatea radianta este descrisa de legea Lambert:

Distributia intensitatii luminii emise pentru diferite tipuri de LED-uri Sus: (a) radianta ideala
Lambert; (b) LED de AlGaInP la diferiti curenti Mijloc: LED cu cavitate rezonanta la 650 nm,
diferite temperature Jos: (c) LED conventional SiC/InGaN; (d) LED Aton din InGaN

OLED si display-uri mai performante

O nou invenie, fr ndoial viitorul luminii artificiale, ne va schimba vieile. Aceasta se
lumete OLED (Organic light-emitting diode sau LED organic), iar istoria sa ncepe nc din anii
50, ns oamenii de tiin au nceput s-i acorde mai mult atenie cam de 20 de ani.

OLED-ul este o surs de lumin plan i este format din mai multe straturi extrem de subiri din
materiale organice (care au la baz carbonul), ce pot emite lumin alb sau de diverse culori la
trecerea curentului. Chiar dac se numesc organice, ele nu sunt biodegradabile.
OLED-urile sunt o surs de lumin rece, ceea ce implic o eficien foarte mare, comparativ cu
becurile clasice, care transform doar 5% din energie n lumin i restul n cldur. OLED-urile
sunt mai eficiente chiar i dect neonul. O tensiune de doar 3-4 V este suficient pentru ca un
OLED
s
lumineze.
Pentru a emite lumin colorat se folosesc diverse materiale organice de a cror structur
chimic depinde culoarea luminii emise, iar pentru a obine o lumin alb se combin rou cu
verde
i
albastru.
OLED-urile pot fi utilizate pentru iluminarea ecranelor televizoarelor, ale computerelor,
telefoanelor mobile i agendelor electronice. Ar putea fi folosite de asemenea i la iluminat
ncperile, dar prezint dezavantajul de a emite mai puin lumin pe arie comparativ cu LEDurile.

OLED flexibil

Confecionarea unor astfel de dispozitive este relativ ieftin, constnd ntr-un simplu proces de
tiprire a materialului organic, putndu-se utiliza chiar i o imprimant cu jet de cerneal.
Bineneles, tiprirea OLED-urilor pe suprafee flexibile implic producerea de ecrane
flexibile, ce se pot rula, ce pot fi imprimate pe diferite materiale, chiar i pe haine.
Totui exist motive pentru care noi nc nu utilizm OLED-urile ca surs de lumin n viaa
cotidian, acestea fiind: viaa limitat a materialelor organice din care sunt confecionate i preul
nc foarte mare.
Cea mai lung via atins vreodat de un dispozitiv OLED (unul plat) a fost de aproximativ
14.000 de ore, n timp ce LED-urile ating n medie 60.000 de ore. Preul unui element OLED
care ar putea ine locul unui bec ntr-o ncpere este de la aproximativ 100 n sus.
Un alt dezavantaj al OLED-urilor mai este i sensibilitatea lor la aer i umezeal. De aceea este
absolut necesar sa fie sigilate perfect, procedeu care nc mai necesit perfecionare.