Ministerul Educa iei al Republicii Moldova Universitatea Tehnica a Moldovei Facultatea Calculatoare, Informatica i Microelectronica

Referat
La lucrarea de laborator nr. 5 La Proiectri i tehnologii VLSI Tema: Cercetarea procesului corodarii uscate in tehnologia VLSI Au efectuat: studentul. gr. ME-091, Lupan Gavril

A varificat:

prof. univ. dr. hab., Trofim Viorel

Chiinu 2012

Scopul lucrarii: A face cunotin cu procesul corodarii uscate i de cercetat viteza de corodare a diferitelor pelicule in dependen de compoziia plasmei i a parametrilor ei. No iuni teoretice: Corodarea uscat reprezinta procesul de nlturare a materialului de pe suprafaa plachetei fr de utilizarea n proces a agenilor chimici n stare lichid. Corodarea uscat poate fi realizat prin unul din urmtoarele procese: 1) Prin reacii chimice care consum materialul, folosind gaze reactive sau plasm; 2) Eliminarea fizic a materialului, de obicei prin transfer de impuls; 3) Combinaia ntre ndeprtarea fizic i reacii chimice. Cnd procesul de corodare se realizeaz la presiune scazut si prin bombardarea cu ioni sau cu electroni se produc reactii chimice locale cu degajare de compusi volatili. In funcie de tipul de reactor utilizat exist trei tipuri principale de corodare uscat: - Corodare cu ioni reactivi (RIE). Plcuele de corodat sunt introduse n reactor mpreun cu o serie de gaze. Cu ajutorul unei surse de energie nalt (RF) se produc ioni care bombardeaz suprafeele plcuelor. O parte din ioni, avnd suficient energie pot scoate atomii din materialul corodat fr reacii chimice (similar ca la procesul de depunere de tip PVD). O alt parte din ioni produc reacii chimice i se corodeaz zonele dorite. Procesul este complex i presupune o combinaie de efecte chimice i fizice. - Corodare fr ioni reactivi Sputter etching este apropiat de tehnologia de depunere PVD sputtering. Diferena const in aceea c se urmrete corodare i nu depunere. Sputtering Tehnologia Sputtering presupune scoaterea materialului de depunere din sursa la o temperatura mult mai scazuta decat evaporarea. Principial, metoda presupune introducerea placutei de substrat si a materialului de depunere intr-o incinta vidata si in prezenta unui gaz inert. Cu ajutorul unei surse de putere gazul este adus in stare de plasma. Ionii astfel formati sunt accelerati inspre suprafata materialului de depunere cauzand eliberarea de atomi care vor condensa pe suprafata placutei realizand stratul de depunere. - Corodare cu vapori reactivi . Procedeul presupune corodarea zonelor ntr-un mediu cu gaz sau cu amestec de gaz coroziv. Procedeele de corodare a straturilor stau i la baza tehnologiei straturilor de sacrificiu. In esen, procedeul presupune depunerea i configurarea unor straturi care reprezint negativul unor spaii sau caviti. In final, aceste straturi se ndeprteaz rezultnd configuraia dorit. Cele mai multe metode de corodare uscate sunt bazate pe plasma. Fata de corodarea umeda au avantajul unei subcorodari mai mici (ceea ce permite obtinerea traseelor mai subtiri) si anizotropie mai ridicata (deci obtinem structuri verticale cu raport mare de aspect). Dezavantaje: selectivitatea este mai redusa in corodarea uscata fata de cea umeda si putem considera viteza de corodare finita. Pentru a obtine directionalitate se folosesc trei metode uscate: corodare cu plasma la mare presiune, corodare cu ioni reactivi (RIE) si moara de ioni.

Moara de ioni este procesul fizic care utilizeaza ioni inerti accelerati (Ar+), care vin perpendicular pe suprafata pentru a inlatura materialul (presiune 10-4 10-3 torr). Principala caracteristica a acestei metode este viteza de corodare foarte scazuta (de ordinul a cativa nm/min.) si selectivitate saraca (aproape de 1:1 pentru cele mai multe materiale). In corodarea cu plasma la mare presiune (10-1-5 torr) se creaza specii reactive care reactioneaza cu materialul de corodat. Produsele de reactie sunt volatile, astfel ca difuzeaza si materialul nou este expus la speciile reactive. Daca se doreste directionalitate se poate obtine cu metoda de pasivare a peretilor. Corodarea RIE, numita si corodarea asistata de ioni este o combinatie intre procesele fizice si chimice. In aceasta metoda speciile reactive reactioneaza cu materialul numai cand suprafetele sunt activate prin coliziunea ionilor incidenti de la plasma. Ca si in metoda precedenta directionalitatea vitezei ionilor produce mult mai multe coliziuni cu suprafata orizintala decat cu peretii, generand astfel corodari mai rapide pe directia verticala. Si in acest caz putem folosi pasivarea peretilor pentru a creste anizotropia.

Fig. 1 Mecanismul de corodare pentru a) b) corodare cu plasma la presiune mare; c) RIE Un caz interesant este DRIE (deep RIE), cu care se obtine un factor de aspect 30:1 si viteze de corodare a Si de 2-3m/min. In aceasta metoda pasivarea si corodarea se fac secvential intr-un ciclu de 2 pasi, cum se arata in fig. 2.

Fig.2 Procesul ciclic DRIE: a) pattern-ul fotorezistului; b) proces de corodare; c) proces de pasivarea; d) alt proces de corodare Metoda corodarii uscate tinde s nlocuiasc metodele clasice de corodare chimic umed n fabricarea circuitelor integrate pe scar mare, datorit posibilitii de a transfera mult mai precis configuraiile fotorezistului. Criteriul de calitate a transferrii imaginii este rezoluia obinut n rezultatul procesului de corodare, i se caracterizeaz de 2 prametri: I) Supracorodarea diferena dimensiunilor laterale a figurii corodate la nivelul interfetei si al matii; II) Gradul de anizotropie.

Fig.3. Profilul corodrii. Corodarea lateral sub masca de rezist considernd rezistul necorodabil. Procesul de corodare cu o supracorodare nul (fig. 3a) este perfect anizotrop. Astfel de corodare produce un profil al marginii stratului gravat perfect vertical i coincident cu marginea mtii de rezist. Prin urmare configuraiile transferate au o fidelitate perfect. n acest caz rata corodrii laterale, sub masc, este nul. In particular, n cazul unui proces izotrop, caracterizat prin egalitatea ratelor de corodare lateral si vertical, profilul rezultat dup corodare are forma unui sfert de cerc. Selectivitatea procesului de corodare reprezint raportul dintre rata corodare a stratului de interes i cea a altui strat. Corodarea cu fascicul de ioni: Reprezint pulverizarea catodic a suprafeei plachetei sub aciunea bombardrii ei cu flux de ioni ai gazelor inerte de energii mari. Procesul de corodare este de natur fizic, fiindc const n transferul impulsului de la ionul accelerat la atomi de pe suprafa i, ca rezultat, ultimii primesc un impuls necesar pentru a prsi suprafaa. Avantajele acestui proces sunt: Se pot coroda orice materiale; Are cea mai mare rezolutie dintre toate metodele de corodare;

Se pot confeciona elemente mai mici de 10nm; Corodarea n plasma gazelor inerte: se bazeaz pe folosirea ionilor gazelor inerte, Ar+, cu o

energie destul de mare (:500eV). Dac n camera de lucru n afar de gazul inert este ntrodus i un alt gaz activ chimic, atunci procesul se numete corodare n plasm de ioni reactivi. Fizica procesului de corodare n plasm Procesul de corodare n plasm cu utilizarea gazului inert argon este determinat de procesul fizic de transfer al impulsului. Viteza de corodare n prim aproximaie depinde de factorii: densitatea fluxului de ioni n direcia plachetei i cantitatea atomilor pulverizai de ctre un ion incident. Randamentul de pulverizare depunde de energia i masa atomic a ionului, a cldurii de sublimare a materialului supus corodrii i unghiului de inciden a ionului. Ordinea ndeplinirii lucrrii: 1. Am facut cunotin cu instruciunea de exploatare a instalaiei VUP-4;
2. Am primit de la profesor 2 plachete din Si acoperite selectiv cu fotorezist, ZnS, SiO2, Al;

3. Am aezat probele cu ajutorul pensetei pe msua instalaiei, i am acoperit catodul instalaiei cu un cilindru special de sticla conectat la anod (contactul de la sursa de alimentare cu tensiune inalt) ; 4. Dup ce am inchis instalaia cu un clopot de sticla am conectat la reeaua de alimentare cu energie electric pompele mecanice si de difuzie pentru obtinerea unui vid inalt in camera de lucru; 5. Dup formarea vidului necesar am conectat tensiunea nalt intre catod i anod i am fixat valoarea de 1.5kV dup care am deschis si am permis intrarea in camera de lucru a unui flux constant de Ar astfel incit s avem o licrire roz n cilindrul de sticla si o tensiune constant de 1.5kV. Probele au fost supuse procesului de corodare timp de 30 min. Dup ncheierea procesului de corodare s-a constat ca pe placheta cu fotorezist, fotorezistul a fost inlaturat complet in timpul procesului de corodare uscat, iar pe placheta care avea depuse segmente de Al, acesta a mai rmas nc datorita grosimii iniiale pe care o avea mai mare dect cea a fotorezistului si probabil a selectivitii la corodare. Concluzie: Datorit redarii cu o exactitate sporit a profilului matii pe plachet i datorit gradului nalt de anizotropie, procesul corodrii uscate este un parametru cheie n tehnologia circuitelor integrate la scar nalt i foarte nalt, deoarece permite micorarea dimensiunilor componentelor pn la 10 nm.