UNIVERSITATEA DIN ORADEA

FACULTATEA DE INGINERIE ELECTRONICĂ ȘI TEHNOLOGIA

INFORMAȚIEI
PROGRAMUL DE STUDIU ELECTRONICĂ APLICATĂ
FORMA ÎNVĂŢĂMÂNT DE ZI

Proiect nanotehnologii

Coordonator științific
Conf. Univ. Dr. Liviu Moldovan

Student
Vadász Attila
Electronică aplicată, Anul III.

ORADEA
2016
 Tranzistor cu efect de câmp, MOS canal n

În nanotehnologii folosim reprezentări grafice teoretice idealizate, reprezentând secţiunea

transversală. În multe cazuri sunt reprezentate detalii care în realitate nici nu se pot observa. Acestea
sunt regiunile dopate, care diferă de elementul majoritar numai din punct de vedere electric.
Tranzistorul mos cu canal n, canal indus are această reprezentare:
Cu albastru sunt reprezentate contactele metalice a dispozitivului, la care se pot lipi
picioarele care ies din afara capsulei, aici vom folosi aluminiu.
Începem cu o placă de siliciu, dar tranşa o comandăm dopat de tip p -, adică cu o cantitate
foarte mică de impurităţi acceptoare de electroni (grupa III al tabelului periodic). Tranşa arată la fel
ca o tranşă pură.

Înainte de a face orice operaţie asupra tanşei, ea trebuie spălată. Spălarea poate fi de două
tipuri. Spălarea standard cu tricloretilen, acetonă, metanol şi apa deionizată. A doua metodă
reprezintă spălarea piranhia, un proces mult mai agresiv, care diminuează impurităţile latente, care
devin electroactive numai în urma unor tratamente termice la temperaturi ridicate de peste 500°C.
Spălarea urmareşte etapele:
Baie în acid sulfuric (H2SO4) şi apă oxigenată (H2O2) 50-50% 10min 105°
Clătire cu apă deionizată de 19°
Baie în apă deionizată cu apă oxigenată şi hidroxid de amoniu(NH3OH) 50-25-25% 75° 10min
2
Clătire cu apă deionizată de 19°
Baie în apa deionizată cu apă oxigenată cu acid clorhodric(HCl) 50-25-25% 75° 10min
Clătire 19°
Baie în apă deionizată cu acid fluorhidric(HFl) 98-2% 15min 19°
Clătire cu apă 19°.
Analizând schema tranzistorului observăm că avem oxid de siliciu, obţinut prin oxidarea unui
strat de siliciu, fapt ce indică necesitatea spălării piranhia, la începutul procesului.
În urma spălării, tranşa este gata de prelucrare, ce se va derula începând de jos în sus. Primul
element în structura dispozitivului, reprezintă cele două regiuni dopate n +. Trebuie sa protejăm
anumite părţi ale tranşei, cu ajutorul procesului de fotolitografie.
Fotolitografia este un proces fotochimic, care are ca rezultat un strat de răşină fotosensibilă
cu discontinuităţi perfect delimitate şi cu formă corespunzătoare unei măşti. Litografia este precedată
de o spălare, după ce tranşa se aşezează pe un suport cu fixare prin vid, în maşina de spin coating.
După cum sugerează şi numele, dispozitivul va roti suportul cu tranşa şi în timp ce se roteşte
se aplică suprafeţei un gaz de aderenţă ce se va asigura prinderea mai bună a răşinii pe transă. După
aplicarea gazului, se aplică o cantitate de răşină fotosensibilă sub forma unei soluţii lichide vâscoase.

Acum începe procesul propriu zis de spin coating ce este de fapt nivelarea răşinii. Se obţine
aceaşi grosime a stratului de răşină în fiecare caz. În urma spin coatingului, răşina mai conţine o
cantitate mică de solvent, ce trebuie evaporată cu un tratament termic, pe plită.

3
 Etuba este un fel de incubator, având control asupra parametrilor: temperatura, presiunea,
umiditatea şi existenţa atmosferei, sau chiar fluxul unei gaz prin incintă. Timpul petrecut în etubă
conteză foarte mult, în urma spin coatingului se depune pentru 30 de minute.
În timpul depozitării în etubă, se face spălarea măştii, întru-un aparat rotativ, care clăteşte cu
acetonă. Masca este fabricată din platină, şi are găuri de scară nanometrică, de forme regulate.

La prima litografie nu este necesară alinierea măştii cu placa, trebuie verificat numai
paralelismul între ele, şi distanţa lor. Dacă avem deja un strat cu anumite formaţii pe tranşă este
necesară alinierea perfectă a măştii cu tranșă, folosind semne pe tranşă din prima litografie şi găuri
de forme speciale de pe mască. Suprapunerea semnelor se verifică folosind un microscop.
După ce masca s-a aliniat ansamblul se expune razelor ultraviolete, pentru un timp bine
definit, ca să pătrundă toată grosimea stratului de răşină.

Răşina fotosensibilă, în urma expunerii devine solubilă cu o soluţie numită developer, prin
slăbirea legăturilor moleculare a răşinii. Asta în cazul răşinii pozitive, mai există şi răşină negativă
care se întăreşte în urma tratamentului luminos.

4
 În urma expunerii u.v. se pune tranşa pe un suport din teflon fără contact cu suprafaţa tranşei
şi se submersează într-o vană ce conţine soluţia de developer, pentru un timp bine precis. În urma
acestuia se pune în baie de apă pură cu flux de azot(n), apoi se spală cu apă deionizată, litografia este
completă şi tranşa are zone protejate de răşină, perfect delimitate, cu formă regulată şi cu grosime
uniformă.

Placa este gata să fie dopat cu impurităţi de tip n până la nivelul n +. Nivelul la care ajunge
doparea depinde de timpul cât este supus procesului de implantare. Dopajul se va desfăşura cu
metoda implantării ionice, cea ce constă în bombardarea tranşei cu un fascicol de ioni provenind de
la o sursă de ioni ce sunt acceleraţi electrostatic, trecând printr-un separator magnetic, apoi focalizaţi
şi deviaţi. Adâncimea dopajului depinde în mare măsură de energia ionilor la ciocnire cu
semiconductorul, trebuie să fie de ordinul de KeV- sute de KeV.

După orice tip de dopare trebuie să urmeze un tratament termic, numit proces drive in, care
mobilizează impurităţile adăugate, şi permite distribuirea lor uniformă în reţeaua cristalină.

5
 Iar după tratamentul de drive in putem să îndepărtăm partea rămasă a răşinii cu acetonă, Dar
din cuza temperaturii înalte acesta s-a întărit şi nu mai este solubil în acetona obişnuită. Trebuie să
încălzim lichidul la 55°C, aproape de temperatura de autoaprindere. După acest tratament tranşa
trebuie depusă în etuvă pentru relaxare termică, după ce se poate clăti ca să scăpăm de urmele
acetonei.

Următorul proces este o altă fotolitografie, pentru că avem nevoie de încă o dopare, dar de
data asta o dopare de tip p. Acesta înseamnă o dopare de timp minimal cu acelaşi element cu care
tranşa a fost dopat iniţial. Placa cu stratul protector va arăta:

Iar placa după doparea prin difuzie o să arate:

6
 În urma tratamentului termic şi a băii în acetonă încălzită obţinem:

După splălarea urmelor de acetonă, trebuie să depunem un strat de siliciu cristalin pur. Acest
lucru se poate realiza prin metode de epitaxie, cum ar fi molecular beam epitaxy sau chemical
vapour depositation. Privind faptul ca avem un strat gros, renunţam la prima metodă, fiindcă durează
prea mult.
Metoda chimică se realizează întro incintă cu flux gazos sub presiune, iar acest gaz conţine
siliciul şi printr-o reacţie chimică se obţine siliciu solid, care creşte în continuarea structurii cristaline
existente. Ca urmare a reacţiei chimice se eliberează gaz hidrogen pur, care este extrem de flamabil,
sau HCl, care este un acid puternic. Pentru îmbunătăţirea depunerii aplicăm un câmp electric de
tensiune înaltă, ionizând gazul şi obţinând starea plasmă (PECVD). După încheierea procedurii
tranşa trebuie depusă în etuvă pentru răcire.

Următorul pas este oxidarea stratului de siliciu, acesta se realizează într-o incintă închisă
ermetic, umplut cu oxigen pur, iar tranşa este încălzită la 5-600°C, oxidarea se este un proces prin
urma căruia siliciul creşte cu 54% iar oxidare intră în profunzime 46%.

7
 Urmează o litografie, care va avea rezultatul:

Urmează o gravare în plasmă, ca să obţinem forme mai regulate. Grafvarea se realizeaă într-o
incintă închisă ermetic, cu un flux gazos, iar gazul este ionizat de un potenţial ridicat aplicat pe
peretele incintei şi pe un electrod deasupra tranşei.

Din nou avem o litografie, rezultatul va fi:

Urmează o a dua gravare, ca să ajungem la zonele dopate:

8
 Contatele se vor realiza prin metalizarea prin vaporizare a aluminiului peste toată tranşă.
Procesul se desfăşoară în vaporizator, ce nu esete altceva decăt o incintă vidată, în care se pune
tranşa cu faţa în jos pe un suport rotativ, iar deasupa plăcii este un creuzet cu o cantitate de aluminiu.
Vaporizarea se face prin încălzirea creuzetului la temperatura de vaporizare a metalului respectiv şi
menţinerea temperaturii într-un anumit interval de timp. Intervalul de timp dă grosimea peliculei
metalice, iar pentru o uniformitate sporită a grosimii tranşa se roteşte cu viteză relaitv mică.
Rezultatul procedurii arată:

La momentul de faţă avem un singur contact în legătură galvanică şi cu sursa şi cu drena

tranzistorului, pentru a diminua acest scurtcircuit, trebuie să gravăm în segmente, dar pentru o
gravare avem nevoie de o litografie. Dacă eruncăm o privire asupra dispozitivului cerut, observăm că
avem zone foarte înguste între două contacte, la care fotolitografia nu mai face faţă. Aici intră în
imagine litografia electronică, procesul are ca rezultat un strat de polimer numit polimetil metacrilat
(P.M.M.A.) Cu discontinuităţi mult mai mici, raportat la metoda foto, dar durata procesului este mult
mai lung. Procesul începe tot cu spin-coating, dar de data aceasta în loc de răşină fotosensibilă se
aplică P.M.M.A.,

9
care este sensibil la fascicol de elctroni. Expunerea la fascicol se derulează în microscopul cu
scanare electronică (S.E.M.), în vid înaintat. Tranşa este explorată cu fascicolul electronic, iar în
zonele unde dorim protejarea plăcii punem o placă în drumul fascicolului. Din cauza explorării
întregii tranşei procesul este foarte lent, dar rezultatele merită aşteptarea. Diminuarea părţilor slăbite
se face tot în developer, dar soluţia este alta:

Gravarea s-ar putea face în 3 moduri, cum ar fi gravarea umedă, în soluţie lichidă, gravarea în vapori
unei soluţii respectiv gravarea în mediu de plasmă. Ultima metodă dă suprafeţele cea mai regulate,
dar aduce temperaturi mari privind imaginea produsulu finit se observă că nu avem forme regulate,
deci gravarea se face în mediu fluid. Metoda lichidă poate produce probleme, fiind bucăţile metalice
desprinse pot înfunda canalele înguste, fapt ce înpiedică accesul soluţiei proaspete la metal, ce va
sfărşi cu o suprafaţă incomplet gravată. Pentru evitarea acestui necaz folosim gravare în vapori de
soluţie, ce constă în în aşezarea tranşei cu faţa în jos pe gura unui pahar, în care se află proporţia de
soluţie în stare lichidă. Soluţia, bazică sau acidă trebuie să fie selectivă, în sensul că nu trebuie să
atace altceva decît aluminiul, siliciul şi oxidul de siliciu trebuie să rămână nealterat. Soluţia
evaporând, ajunge la suprafaţa tranşei, şi mănâncă din ea, făcând acces la metalul deasupra
P.M.M.A.- ului, cea ce rezultă într-o suprafaţă mai puţin regulată.

10
 În urma gravării trebuie să înlăturăm şi polimerul protector fiind nefolositor de aici înainte,
aste de ralizează prin submersarea tranşei în toluen. După splălarea tranşei se pot lipi terminalele
dispozitivului şi se poate încapsula, pentru a proteja structura nanotehnologică.

Dispozitivul obţinut este un tranzistor cu efect de cămp care are grila realizată din pelicule
metal oxid semiconductor, iar canalul se induce prin aplicarea unei tensiuni între drenă şi sursă.
Lăţimea canalului şi implicit curentul ce trece prin dispozitiv este dată de potenţialul aplicat pe grilă,
cea ce realizează controlul grupării purtătorilor de sarcină în joncţiunea pn. Grila de fapt este un
condensator cu o armătură din aluminiu, un strat dielectric din oxid de siliciu şi a doua armăură este
semiconductorul de tip p. Potenţialul aplicat pe armătura exterioară se va regăsi pe armătura
interioară cu semn schimbat, care va mobiliza o cantitate de purtători, care în funcţie de amplitudine
poate să realizeze un canal de tip între cele două regiuni n+.

11