Reactor de joasa presiune cu perete cald

Reactorul LPCVD lucreaza la urmatorii parametrii:

- presiune 0.2-2 torr
- temperature 300-900 C
- debitele gazelor 0.1-1 L/min
- iar intr-un astfel de reactor este posibila difuzia rapida a gazelor de proces dintr-un
numar mare de plachete (cateva sute pe lot) dispuse vertical si parallel, obtinandu-se o
excelenta uniformitate de grosime si compozitie a stratului si mai putine defecte
structurale
Viteza de depunere este mai mica (de la 100 la 150 armstrong/min fata de 500-100
armstrong/min pt depunerea dioxidului de siliciu la presiune atmosferica).
CVD stimulate de plasma
CVD stimulate de plasma sau PECVD implica realizarea de straturi subtiri cu ajutorul
unei descarcari electrice din vapori a componentelor sistemului la presiune scazuta. Reactiile
au loc, in principal, prin actiunea descarcarii luminiscente ajutata in unele cazuri de incalzirea
substratului.
Avantajul metodei consta in obtinerea de straturi subtiri la temperature joase (200-400
C) si posibilitatea producerii straturilor in diferite substraturi sensibile la caldura.
O metoda PECVD care permite obtinerea straturilor de dioxid de siliciu, diamant
policristalin, asigurand compatibilitatea cu etapele de realizare a circuitelor integrate o
reprezinta depunerea de plasma la joasa presiune (10^-4 torr), produsa de microunde si
intensificata prin rezonanta ciclotronica a electronilor.
Gazele sunt introduse atat in plasma, cat si in camera de reactive; de ex: pt depunerea
dioxidului de siliciu, oxigenul este introdus in camera plasmei, iar silanul in camera de
reactive; reactia are loc la suprafata substratului la suprafata substratului intre moleculele de
silansi ionii incidenti de oxigen.
O bobina de magnetizare amplasata in spatele substratului imbunatateste uniformitatea
densitatii curentului ionic si asigura traiectorii ale ionilor perpendiculare pe suprafata de
depunere
 CVD stimulate de laser

CVD stgimulata cu laser poate fi obtinuta utilizand descompunerea moleculelor fazei

gazoase fie pirolitic, fie fotolitic.
Procesul pirolitic se bazeaza pe incalzirea locala (25-300 C) a substratului cu ajutorul
luminii laser rosu, infrarosu sau vizibil care nu este absorbita de moleculele fazei gazoase.
Procesul fotolitic se bazeaza pe excitarea electronica sau prin vibratii a moleculelor
gazoase, utilizand un laser UV sau infrarosu.
Viteza de depunere si proprietatile fizico-chimice ale stratului depind de lungimea de
unda a laserului, diametrul petei de focalizare, viteza de baleere, temperature locala a
substratului, presiunea gazului in sistem.
 Metoda este foarte utila in fabricarea microstructurilor prin depunerea straturilor
metalice semiconductoare sau dielectrice. inclusiv diamant, in configuratia dorita, fara a mai
fi necesar un process litografic.

CVD stimulata de fasciculul de electroni

Aceasta foloseste un fascicul de electroni pentru a genera o reactie in plasma,
delimitate spatial intr-un volum mic, depunerea obtinandu-se localizat in configuratia
necesara pe substratul incalzit intre 150 si 500 C.
Metoda si-a gasit utilizare la depunerea selectiva de inalta rezolutie a straturilor
dielectrice.
 CVD stimulate de fascicul ionic
Aceasta foloseste un fascicul de ioni pentru a induce depunerea dintr-un mediu gazos
corespunzator pe un substrat aflat la temperature camerei.
Metoda este folosita similar celor 2 prezentate anterior, ca metoda nelitografica pentru
producerea straturilor configurate cu rezolutii sunmicrometrice (0.051 mm).
Principala aplicatie a metodei o reprezinta repararea defectelor din foto-masti prin
inlocuirea cromului cu carbon depus selectiv.
 Definirea configuratiilor geometrice in straturi subtiri
Tehnologia de fabricatie a structurilor de straturi subtiri presupune alternarea etapelor
de realizare pe substrat a unor straturi cu proprietati controlate (straturi propriu zise) crescute
sau depuse pe suprafata substratului, precum si structuri superficiale, planare, obtinute prin
impurificarea selective a substratului, cu procesele de definire a configuratiilor geometrice de
interes in straturile respective.
Definirea configurateii unui anumit nivel este desemnata generic prin termenul de
microlitografie. Aceasta poate fi facuta prin aplicarea unui ansamblu de tehnici specifice,
constand din realizarea la suprafata unui substrat a unei structuri bidimensionale,
microscopice, de zone descoperite si zone protejate cu o pelicula dintr-un material numit
rezist, capabil sa mascheze/protejeze in mod selectiv zona adiacenta, in cursul unor procese
substractive (corodare fizica sau chimica, umeda sau uscata) sau aditiva (depunere din faza de
vapori sau electrochimica, implantare ionica).

1 este radiatia, iar 6 masca de rezist

 Configurarea stratului de rezist
Acesta se face prin expunerea selective la actiunea unei radiatii, urmata de dizolvarea
selective a zonelor expuse (process pozitiv) sau neexpuse (process negative) intr-o solutie de
developare. Desi toate etapele procesului litografic sunt la fel de importante pentru transferal
cu success al configuratiilor, totusi, operatia critica este expunere.
Aceasta este realizata cu ajutorul unor echipamente scpeciale de aliniere-expunere,
avand un dublu rol: alinierea mastii de lucru cu substratul astfel incat configuratia ce urmeaza
a fi transferata in straturi de resist sa se suprapuna in tolerante controlabile cu cele deja
existente pe substrat si furnizarea radiatiei necesare expunerii rezistului. In functie de natura
radiatiei utilizate, sistemele de aliniere-expunere pot fi optice cu lumina UV, cu fascicul de
electroni, cu raze X sau fascicul de ioni.
Principalele tehnici de expunere sunt prezentate in figura urmatoare: