` Proprietatile straturilor conductoare si transparente, ex transmisia optica functie de lungimea

de unda intr-un anumit domeniu spectral, stabilitatea in mediul ambient, natura chimica, structura si
morfologia suprafetei stratului variaza in functie de metoda de depunere.

Caracteristicile principale electrice si optice ale acestor straturi sunt:

1. Rezistenta specifica 5-10 pana la 15 ohmi,

2. Tr0020ansmisia optica 70-80-90% pentru un domeniu spectral definit;
3. Banda simpla ultraviolet 200-400 nanometri, infrarosu apropiat 1-0.6 micrometri si infrarosu
mediu 3-5 micrometri, infrarosu caloric 8-12 micrometri sau pentru banda foarte larga,
respectiv acoperiri multispectrale la care factorul de transmisie nu mai este stabilit pe baza
calcului traditional de interferenta in straturile subtiri depuse continuu pe substrat fiind in
acest caz determinat prin configurarea stratului cu ajutorul metodei fotolitografice sub forma
unei retele ale carei dimensiuni depind de scopul acoperiri.

Daca acoperirea este un ecran de protective sau un scut impotriva interferentei

electromagnetice, marimea ochiului retelei este proiectata astfel incat reflexia sa se produca
pentru benzi de unda nedorite (de ex microundele).

Aceste straturi se depun pe substraturi de diferite forme geometrice din sticla, cristale,
material plastic rigid sau flexibil. Se folosesc in diferite dispositive opto-electronice si anume
cellule de afisare cu cristale lichide, panouri de adresare prin atingere, cellule solare, detectoare
termice, reflector de infrarosii pentru ferestrele de conservare a energiei. In acest caz, stratul
subtire, producand descompunerea fasciculului de radiatii, obtinandu-se transmisia benzii cu
lungimi de unda mai mici si reflexia benzii cu lungimi de unda mai mari.

Componente:

- 1 placuta de sticla
- 2 electrod
- 3 distantier
- 4 material de etansare
- 5 cristal lichid
a – pe timp de vara

b – pe timp de iarna

Componente:

- 1 Sticla
- 2 Acoperire reflectanta
- Energie solara vizibila, infrarosu apropiat mic, infrarosu IR

PLACAREA IONICA

Metoda este o combinatie intre evaporarea in vid, pulverizarea fiind considerata o evaporare
in descarcare luminiscenta sau o evaporare cu pulverizare a substratului. Similar pulverizarii se
produce o descarcare in plasma unui gaz intre catod (substratul) si anod (sursa cu materialul ce
trebuie depus).

Placarea ionica reactiva foloseste in plus un gaz reactiv pentru obtinerea straturilor compuse,
permitand totodata si realizarea de straturi multiple. In acest process, substratul este supus unui flux
de ioni de energie sufficient de inalta pentru a provoca curatirea acestuia prin pulverizare sau
bombardament ionic inainte si in timpul formarii straturilor.

Echipamentul se compune dintr-o combinatie a unui sistem de evaporare cu incalzire

rezistiva sau folosind fascicul de electroni cu un sistem de excitare a plasmei in curent continuu.

Factorii de influenta sunt:

- natura sursei de evaporare a substratului si gazului reactiv

- temperature substratului
- presiunea gazului reactant
- puterea tunului electronic
- tensiunea de polarizare aplicata substratului
 Desi prezinta dezavantajele fiecarei metode cu care este compusa, placarea ionica este
caracterizata de:

1. O viteza de depunere mare ca in cazul evaporarii

2. Curatirea adecvata a substratului
3. O buna aderenta a stratului subtire
4. Posibilitatea realizarii acoperirii substraturilor tridimensionale ca in metoda pulverizarii

Avantajul placarii ionice cu curenti de inalta frecventa consta in faptul ca fiecare etapa de lucru:
evaporare, ionizare, accelerarea ionilor, depunere, poate fi controlata independent, obtinandu-se
astfel un strat subtire de mare puritate si fara defecte sau pori.

Instalatie de depunere a straturilor subtiri prin placare ionica cu surse evaporate cu fascicul de
electroni in plasma

Componente:

- 1 incinta vidata
- 2 suportul substratului (catod racit cu apa)
- 3 substrat
- 4 sursa de evaporare
- 5 tun electronic
- 6 alimentare in radiofrecventa
- 7 sistem de adaptare radiofrecventa
 - 8 obturator
- 9 descarcare luminiscenta in radiofrecventa
- 10 iesire spre pompa de vid

METODE SPECIALE DE DEPUNERE A STRATURILOR SUBTIRI EPITAXIALE

1. Depunere epitaxiala din faza lichida

Metoda consta in precipitarea unui material dintr-o solutie care se raceste pe un substrat incalzit
aflat dedesubt.

Solutia si substratul sunt mentinute separat in instalatia de crestere, solutia fiind saturata cu
materialul de crestere pana la atingerea temperaturii de crestere dorite. Solutia este adusa ulterior in
contact cu suprafata substratului si lasata sa se raceasca cu o viteza si intr-un interval de timp
adecvat pentru producerea stratului dorit.

Metoda permite realizarea straturilor semiconductoare si magnetice cu utilizari in dispositive

optoelectronice si de microunde, cellule solare, structuri micromecanice.

Etapele principale de crestere a substratului la depunerea epitaxiala din faza lichida prin
centrifugare

- a: solutia si substratul sunt aduse in contact

- b: racirea sistemului si cresterea stratului epitaxial
- c: solutia este indepartata de pe substrat

Avantajele metodei:

- Viteze de depunere mari

 - Eliminarea peliculelor introduse de folosirea gazelor reactive si a produsilor reactivi care
sunt, in general foarte toxici, explozivi sau corozivi
- O gama larga de dopanti care pot fi incorporate usor in strat

Dezavantaje:

- Stoechiometria materialului nu poate fi ajustat usor

- Solventul poate fi neprielnic pentru anumite straturi epitaxiale
- Depunerea straturilor pe substraturi foarte diferite ca structura poate fi dificila

METODE CHIMICE DE DEPUNERE DIN VAPORI

Metodele de depunere chimica prin vapori (CVD – Chemical vapor definisjdhb) presupun
formarea unui strat stabil pe un substrat prin reactia componentelor chimice in stare gazoasa,
utilizand o energie de activare.

O instalatie de depunere este alcatuita in principal din surse de gaze sau lichide volatile cu un
sistem de distributie si amestecare a gazelor, camera de reactie, un sistem pentru furnizarea
energieie de activare a reactiei si pentru incalzirea substraturilor, un sistem de neutralizare a gazelor
reziduale.

Factorii care influenteaza viteza de depunere si proprietatile stratului sunt:

1. Natura si puritatea reactantilor

2. Cantitatea de energie livrata
3. Temperatura substratului
4. Proportia reactantilor
5. Debitul gazelor
6. Presiunea din sistem
7. Geometria incintei de depunere
8. Pregatirea suprafetei substratului

Avantaje:

- Straturi uniforme, reproductibile si aderente ale tuturor categoriilor de materiale, fara

defecte si impuritati la viteze de depunere relative ridicate

Dezavantaje:

- Temperaturi ridicate in multe procese

- Pericole cauzate de gazelle toxice

Straturile CVD isi gasesc o larga utilizare in aplicatiile din tehnologia starii solide si a structurilor
micromecanice unde materialele si grosimile straturilor depuse sunt asemanatoare pentru cele 2
destinatii, fapt ce asigura compatibilitatea celor 2 tehnologii, importanta in procesul de integrare a
microstructurilor.

Posibilitatile de obtinere a elementelor constructive si structurilor cu functii mecanice ale caror

dimensiuni de ordinal micrometrilor sau nanometrilor si forme nu pot fi executate decat prin
adaptarea procedeelor de lucru propria fabricatiei de circuite integrate sau folosind procedee noi
specifice.
 CVD activate termic

CVD activate termic foloseste energia termica pentru a produce reactia chimica in faza gazoasa,
avand ca rezultat formarea stratului subtire pe substrat. In functie de presiunea mediului de reactive
exista 2 categorii de procese:

- CVD la presiune atmosferica

- CVD la presiune joasa (de la 0.01-100 torr)

Ambele pot fi subdivizate in CVD la inalta si joasa temperatura daca temperatura substratului
este mai mare, respective mai mica de 500C.

Cresterea temperaturii are ca effect intensificarea vitezei de depunere, imbunatatirea retelei

cristaline, o densitate mai mare, promovarea anumitor reactii imposibile altfel, corodarea gazoasa a
substratului.

Metoda este aplicabila numai pentru substraturi apte sa reziste la temperaturi inalte in mediu
gazos. Depunerea la temperature inalte poate sa provoace degradarea substratului prin tensiuni,
interdifuzii sau chiar retopiri in structura acestuia.

Este cea mai universala si raspandita metoda datorita obtinerii pe scara larga a straturilor
semiconductoare, izolatoare, supraconductoare si magnetice in forma epitaxiala, policristalina sau
amorfa, pornind uzual de la reactanti halogenuri.

Scaderea temperaturii sub 500C poate fi impusa de unele substraturi sau anumite structuri care
incorporeaza un anumit strat de metalizare sau polimer (aur, aluminiu, polimida)

Metoda este folosita pentru depunerea straturilor izolatoare, in special ceva de sticla cu oxizi si
silicati.

CVD la presiune joasa introduce o serie de avantaje:

- diminuarea autodoparii din substrat si faza gazoasa

- imbunatatirea uniformitatii de grosime si compozitie a substratului
- scaderea numarului de defecte