ANNALS of the ORADEA UNIVERSITY.

Fascicle of Management and Technological Engineering

DESPRE SISTEMELE DE DEPUNERE FIZIC DIN VAPORI (PVD) A FILMELOR SUBIRI

Monica L. ENESCU, Petre ALEXANDRU Universitatea Transilvania din Braov, Facultatea de Inginerie Tehnologic, e-mail: monicaenescu@unitbv.ro, alex.p@unitbv.ro
Keywords: nanotechnology, thin films, renewable energy, nanostructure materials, PVD. Abstract. The paper synthetize some elements concerning physical vapour deposition - PVD of thin films. The thin films cells are laid in very thin and consecutive strates of atoms, molecules and ions on a suport plate. Through PVD the laid material is vaporized in vacuum without any chemical reaction. The material is mixed with a gas an then it is condense in the shape of thin film on the suport plate.

1. NOIUNI INTRODUCTIVE n lucrarea de fat se dorete a se prezenta o succint descriere a tehnicilor fizice de depunere, pentru obinerea filmelor subiri, cu aplicaii i n domeniul panourilor solare. Sursele de energie convenionale obinute din crbune, petrol, gaze naturale, sunt epuizabile, iar arderea produce mari cantiti de CO2. De aceea se ncearc valorificarea surselor regenerabile de energie. Energia solar reprezint una din sursele de energie regenerabil folosit la nlocuirea surselor convenionale. Datorit micrii pmntului i datorit unor factori meteorologici, energia solar la nivelul scoarei terestre este o surs energetic dependent de timp. n consecin, urmrindu-se ca anumite necesiti de energie s fie asigurate folosind energia solar, este necesar ca instalaiile solare respective s fie dotate cu elemente corespunztoare de stocare, acumulare a energiei. Instalaia fotovoltaic, care transform razele solare n curent electric, se compune de regul din mai multe module, un astfel de modul fiind compus din mai multe celule fotovoltaice. Ele se compun din straturi de material semiconductor dopat n mod diferit, de exemplu cu fosfor, arsen, bor, care au proprietatea de a transforma lumina solar direct n tensiunea electric. Aceast proprietate este numit efect fotovoltaic, iar tehnica ce a preluat aceast denumire este fotovoltaic. Celulele fotovoltaice sunt realizate din materiale speciale numite semiconductori, precum siliciu - care este cel cel mai utilizat. n esen, cnd lumina strbate celula, o parte din ea este absorbit de materialul semiconductor, adic energia luminii absorbite este transferata la semiconductor. Nanotehnologia este tiina care dezvolt materiale la nivel atomic i molecular, pentru a le mbuntii proprietile, n special pe cele electrice i chimice. O descoperire tiinific asupra semiconductorului, care are un potenial considerabil n industria fotovoltaic, o reprezint tehnologia filmelor subiri. [5] Termenul de film subire vine de la metoda folosit de depunere a filmului, i nu de la grosimea filmului. Celulele de film subire se depun n straturi foarte subiri i consecutive de atomi, molecule sau ioni. Celulele de film subire au multe avantaje fa de fimele groase. De exemplu, filmele subiri pot fi depuse pe substraturi flexibile de material, precum sticla sau plasticul. Substraturile flexibile devin multifuncionale datorit nanotehnologiei, oferind un set ntreg de proprieti specifice. Tehnicile de depunere cuprind metode de producere a materialelor nanostructurate. Prin aceste metode, straturi de materiale conducatoare sau neconductoare, de grosimi diferite, sunt depuse pe un substrat. [3]

1237

ANNALS of the ORADEA UNIVERSITY. Fascicle of Management and Technological Engineering

n figura 1. se prezint o nsumare a metodelor de procesare pentru diferite forme de filme, n care PVD depunere fizic de vapori (Physical Vapour Deposition), CVD depunere chimic de vapori (Chemical Vapour Deposition), LPFD depunere n flam la presiune joas (Low Pressure Flame Deposition). [1]

Fig. 1: Metode de procesare utilizate la obinerea filmelor subiri.

2. TEHNICA PVD Tehnicile PVD sunt tehnici fizice de depunere. Straturile nanostructurate, prin aceste tehnologii de depunere, permit aplicaii de transformare a energiei termice n energie electric. Deoarece celulele fotovoltaice se depun n straturi foarte subiri, n continuare acestei lucrri se va face referire la tehnicile de depunere a filmelor subiri. Procesul de depunere include depunere uscat i umed. Depunerea chimic de vapori i depunerea fizic de vapori sunt depuneri uscate. n procesul de depunere, atomii depui sunt legai numai prin legturi moleculare datorate forelor van der Waals. PVD este un proces de depunere a unui strat subire, n faz de gaz, n care sursa materialului este transformat prin mijloace fizice n vid, dintr-un substrat fr nici o reacie chimic implicat. n timpul depunerii PVD, materialul care urmeaz s fie depus este vaporizat sau pulverizat, se amestec cu un gaz i apoi se condenseaz din starea de vapori sub forma unui film subire pe piesa. Straturile se obin prin condensarea pe suprafaa substratului a unor specii atomice sau moleculare, aflate n faz de vapori. Procesele PVD se pot mpri dup metodele de formare a vaporilor primari n: procese de vaporizare termice i procese de pulverizare cinetice. Materialul de depunere sau cel puin componenta de baz a acestuia se afl iniial n stare solid sau lichid. Trecerea atomilor surs de vapori se face prin mecanisme fizice, adic prin pulverizare, prin bombardare cu particule sau evaporare. [6] Pentru ca depunerea s se produc pe substrat, cu pierderi de material ct mai mici, este necesar ca ntre perei si substrat s existe diferene de temperatur, adic substratul s fie mai rece iar pereii s fie la temperaturra sistemului.Tehnica PVD se folosete cu rezultate deosebite pentru straturi metalice cu morfologie controlat. Depunerea PVD presupune parcurgerea urmtoarelor etape: - Se pleac de la un precursor, care este adus n stare de vapori, pe un sistem mai rece. - Vaporii sunt transportai ntr-o regine de presiune joas ,de pe surs pe substrat. - Vaporii sunt condensai pe substrat pentru a forma filmul subire
1238

ANNALS of the ORADEA UNIVERSITY. Fascicle of Management and Technological Engineering

n tabelul urmtor, se prezint unele dintre avantajele i dezavantajele acestei tehnici de depunere:
Tabel 1.

Avantaje Rata ridicat de depunere a filmului Suprafaa substratului este mai putin afectat de atomii ce influeneaza formarea filmului Puritatea excelent a filmului datorit condiiilor de vid ridicat

Dezavantaje Dificulti de control a compoziiei filmului Absena capaciti de a realize curtire insitu pe suprafaa substratului Pasul de acoperire este dificil de corectat

Un sistem de depunere prin PVD este prezentat n fig. 2. Sistemul permite combinarea unei varieti de procese, inclusiv evaporare termica rezistiva, MBE, i sputtering. Metal Beam Epitaxy (MBE) este un proces de realizare a materialelor cu componeneta semiconductoare, cu precizii ridicate si puritate. MBE este utilizata pentru studierea materialelor, precum componentele semiconductoare, tehnicile de depunere folosesc siliciu, deasemeni si metale pentru formarea filmelor nanostructurate subiri. n cazul siliciului, un grunte din atomii de siliciu este direcionat ctre un substrat de siliciu, unde ei sunt ncorporai n film cu o structura cristalin identic cu cea de sub substrat. MBE aduce performane la presiuni foarte sczute, din interiorul unei camere din oel inoxidabil (echipat cu pompe) se transfer ct mai mult aer posibil.

Fig. 2: Sistem depunere prin PVD

Camera conine mai multe cuptoare vacumetrice (numite celule revrsate sau Kcelule) pentru evaporarea varietatilor de atomi sau molecule de materiale. Deasemeni conine nchiztori, pentru controlul on/off a fiecrui grunte, i a substratului nchis pe care este depus materialul cristalin. Substratul este rotit pentru a se asigura ca materialul sa fie distribuit uniform, pe cat de mult este posibil. Schema unei diagrame a procesului MBE este prezentata in fig. 3.

1239

ANNALS of the ORADEA UNIVERSITY. Fascicle of Management and Technological Engineering

Fig. 3: Reprezentarea unui proces MBE

Sputtering este o alt tehnic fizic, n care materialul este obinut din surs la o temperatur mult mai scazut dect cea a evaporarii. Substratul este plasat in camera de vid cu materialul surs, numit int, iar un gaz inert este introdus la o presiune scazut. Plasma gaz este rezultata din folosirea unei puteri sursa RF, care determina ca gazul sa devina ionizat. Ionii sunt accelerati aproape de suprafata tintei, determinand ca atomii materialului sursa sa se desfaca de pe tina in stare de vapori si sa se condenseze pe toata suprafata, inclusiv pe substrat. Pentru evaporare, principiu de baza al sputtering este asemanator cu toate tehnicile sputerring. Diferentele tipice sunt date de faptul ca bombardamentul ionilor pe tinta este deja realizat. O diagrama schematizata a unui sistem RF sputtering este prezentat in fig. 4.

Fig. 4: Sistem RF sputtering tipizat

1240

ANNALS of the ORADEA UNIVERSITY. Fascicle of Management and Technological Engineering

RF sputtering (current alternative de nalt frecven), se lucreaz n pulsuri de perioade mici, s ns. Depunerea se face n secvene: creare jet realizare film pauz i ciclul se repet. Tehnicile fizice, precum PVD, MBE i sputtering, cauzeaz probleme cu materialele prime i structura acestora. Sputtering poate aduce impuritti, uniformitti sau defecte pe substrat. 3. CONCLUZII Utiliznd programul de statistic SPSS, [1] i innd cont de urmtoarele caracteristici: controlul grosimii filmului, controlul compoziiei i controlul de contaminare, pentru tehnicile CVD, PVD, LPCVD, MOCVD i PECVD, datele sunt culese din bibliografia [6], au rezultat urmtoarele grafice: Grafic 1 controlul compoziiei n tehnicile de depunere CVD, PVD
2,2

2,0

1,8

1,6

Controlul Compozitiei

1,4

1,2

1,0 ,8 CVD PVD

tehnici de depunere

Grafic 1. Dependen tehnici control compoziie

Interpretare grafic 1: n studiul realizat, s-a dovedit c tehnica PVD are o ascensiune fa de tehnica CVD, n ceea ce privete controlul compoziiei filmului depus. Se poate spune c tehnica PVD are rezultate mai bune permind un control mai eficient. Grafic 2 controlul grosimii
4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 ,5 CVD PVD PECVD

Controlul grosimii

tehnici de depunere

Grafic 2. Dependen tehnici control grosime

1241

ANNALS of the ORADEA UNIVERSITY. Fascicle of Management and Technological Engineering

Interpretare grafic 2: n acest grafic, s-a prezentat corelaia dintre tehnicile CVD, PVD, i PECVD cu controlul grosimii acestora, care conclude faptul c tehnica CVD depinde de curgerea gazului, temperatur i timp, iar n cazul tehnicilor PVD i PECVD controlul grosimii este foarte bun. 4. BIBLIOGRAFIE
[1] Coman, C., Medianu, N. (2003) Statistic social. Teorie i aplicaii. Braov, Informarket [2] Gurlo et al., A. (1998) In2O3 and MoO3 In2O3 thin film semiconductor sensors. [3] Muller, R. S. (1999) Handbook of Micro/Nano Tribology, CRC Press LLC [4] Vossen, J. L., Kern, W. (1978) Thin Film Processes, Academic Press, New York [5] Taniguchi, N. (1995) Nanotehnologie Sisteme de procesare integrata pentru produse ultrafine si de ultraprecizie. Tokyo. [6] * http://cedb.postech.ac.kr/~lamp/eng/research_cvd.php

1242